KR20220080092A - 점착 시트 - Google Patents

점착 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR20220080092A
KR20220080092A KR1020227011324A KR20227011324A KR20220080092A KR 20220080092 A KR20220080092 A KR 20220080092A KR 1020227011324 A KR1020227011324 A KR 1020227011324A KR 20227011324 A KR20227011324 A KR 20227011324A KR 20220080092 A KR20220080092 A KR 20220080092A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive sheet
curable resin
energy
preferable
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020227011324A
Other languages
English (en)
Inventor
겐 다카노
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20220080092A publication Critical patent/KR20220080092A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/02—Polyalkylene oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

기재 (11) 와 점착제층 (12) 을 갖고, 점착제층 (12) 은, 에너지선 경화성 수지를 함유하고, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는, 점착 시트 (10).
Figure pct00020

(상기 일반식 (11) 중, m 은 1 이상이다.)

Description

점착 시트
본 발명은, 점착 시트에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 경량화, 및 고기능화가 진행되고 있다. 전자 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 소형화, 박형화, 및 고밀도화가 요구되고 있다. 반도체 칩은, 그 사이즈에 가까운 패키지에 실장되는 경우가 있다. 이와 같은 패키지는, 칩 스케일 패키지 (Chip Scale Package ; CSP) 라고 불리는 경우도 있다. CSP 의 하나로서, 웨이퍼 레벨 패키지 (Wafer Level Package ; WLP) 를 들 수 있다. WLP 에 있어서는, 다이싱에 의해 개편화 (個片化) 하기 전에, 웨이퍼에 외부 전극 등을 형성하고, 최종적으로는 웨이퍼를 다이싱하여, 개편화한다. WLP 로는, 팬 인 (Fan-In) 형과 팬 아웃 (Fan-Out) 형을 들 수 있다. 팬 아웃형의 WLP (이하,「FO-WLP」로 약기하는 경우가 있다) 에 있어서는, 반도체 칩을, 칩 사이즈보다 큰 영역이 되도록 봉지 부재로 덮어 반도체 칩 봉지체를 형성하고, 재배선층이나 외부 전극을, 반도체 칩의 회로면 뿐만 아니라 봉지 부재의 표면 영역에 있어서도 형성한다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 반도체 웨이퍼로부터 개편화된 복수의 반도체 칩에 대해, 그 회로 형성면을 남기고, 몰드 부재를 사용하여 주위를 둘러싸 확장 웨이퍼를 형성하고, 반도체 칩 외의 영역에 재배선 패턴을 연장시켜 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 제조 방법에 있어서, 개편화된 복수의 반도체 칩을 몰드 부재로 둘러싸기 전에, 익스팬드 시트로 옮겨 붙이고, 익스팬드 시트를 전연 (展延) 하여 복수의 반도체 칩 사이의 거리를 확대시키고 있다. 특허문헌 2 에는, 복수의 반도체 칩의 간격을 넓히기 위해 사용되는 반도체 가공용 시트가 기재되어 있다.
국제 공개 제2010/058646호 국제 공개 제2018/003312호
상기와 같은 FO-WLP 의 제조 방법에서는, 반도체 칩 외의 영역에 상기 서술한 재배선 패턴 등을 형성하기 위해서, 익스팬드 시트를 확장시켜 반도체 칩끼리를 충분히 이간시키고, 확장 후에 있어서는, 복수의 반도체 칩의 간격의 편차를 억제할 (정렬성을 향상시킬) 필요가 있다.
또한, 익스팬드 공정에 사용되는 시트는, 통상, 시트 위의 반도체 칩을 고정시키기 위해서 점착제층과, 점착제층을 지지하기 위한 기재를 갖는다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2 에 기재된 바와 같이 익스팬드용의 시트를 잡아 늘리면, 시트의 기재뿐만 아니라, 점착제층도 잡아 늘려진다. 익스팬드 공정 후, 반도체 칩을 점착제층으로부터 박리하면, 점착제층과 접하고 있던 반도체 칩의 표면에 점착제층이 남는 문제가 발생하는 경우가 있다. 이러한 문제를, 본 명세서에 있어서는 풀 잔류라고 부르는 경우가 있다.
본 발명은, 익스팬드 공정에서의 확장 후의 정렬성을 향상시키고, 또한 풀 잔류를 억제할 수 있는 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 기재와, 점착제층을 갖고, 상기 점착제층은, 에너지선 경화성 수지를 함유하고, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는, 점착 시트가 제공된다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(상기 일반식 (11) 중, m 은 1 이상이다.)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 3 이상 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지가 갖는 에틸렌글리콜 단위의 총수 MEG 와, 상기 에너지선 경화성 수지가 갖는 상기 에너지선 경화성의 관능기의 총수 MUV 의 비 MEG/MUV 가, 1 이상 15 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 추가로, 글리세린 골격을 1 이상 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (12) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00002
(상기 일반식 (12) 중,
n 은 1 이상이고,
R1, R2 및 R3 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 원자, 또는 기이고,
R1, R2 및 R3 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(상기 일반식 (13) 중,
n 은 1 이상이고,
R11, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m1, m2 및 m3 은, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (14) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 4]
Figure pct00004
(상기 일반식 (14) 중,
R21, R22, R23 및 R24 는, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
R21, R22, R23 및 R24 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (15) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 5]
Figure pct00005
(상기 일반식 (15) 중,
R25, R26, R27 및 R28 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m21, m22, m23 및 m24 는, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 점착제층은, 상기 에너지선 경화성 수지를 당해 점착제층의 고형분의 전체량에 대하여 15 질량％ 이상, 55 질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 관련된 점착 시트에 있어서, 상기 점착 시트를, 제 1 방향, 상기 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 상기 제 1 방향에 대해 연직 방향인 제 3 방향, 및 상기 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜, 신장 전의 상기 점착 시트의 면적 S1 과, 신장 후의 상기 점착 시트의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 300 ％ 일 때에, 상기 기재 및 상기 점착제층이 파단되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 익스팬드 공정에서의 확장 후의 정렬성을 향상시키고, 또한 풀 잔류를 억제할 수 있는 점착 시트를 제공할 수 있다.
도 1a 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 1b 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 2a 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 2b 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 2c 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 2d 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 사용 방법의 제 1 양태를 설명하는 단면도이다.
도 3 은, 실시예에서 사용한 2 축 연신 익스팬드 장치를 설명하는 평면도이다.
도 4 는, 본 발명의 다른 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해서 설명한다.
[점착 시트]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 기재와, 점착제층을 갖는다. 점착 시트의 형상은, 예를 들어, 테이프상 (장척 형태), 및 라벨상 (매엽 (枚葉) 형태) 등, 일체의 형상을 취할 수 있다.
(점착제층)
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 있어서, 점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 함유한다.
·에너지선 경화성 수지 (a1)
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 수지이다. 에너지선으로는, 예를 들어, 자외선 및 전자선 등을 들 수 있다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 자외선 경화성 수지인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 분자 내에 에너지선 경화성의 관능기를 적어도 1 개 갖는다. 에너지선 경화성의 관능기는, 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기인 것이 바람직하고, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 을 함유하는 점착제층은, 에너지선 조사에 의해 경화되어 점착력이 저하된다. 피착체와 점착 시트를 분리하고자 하는 경우, 에너지선을 점착제층에 조사함으로써, 용이하게 분리할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 예로는, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능의 모노머, 다관능의 모노머, 단관능의 올리고머, 및 다관능의 올리고머) 을 들 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.
[화학식 6]
Figure pct00006
(상기 일반식 (11) 중, m 은 1 이상이다.)
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 m 은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
상기 일반식 (11) 중의 m 은, 2 이상인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 유연한 폴리에틸렌글리콜 사슬을 가짐으로써, 경화 전의 점착제층이 변형되기 쉬워지고, 경화 후의 점착제층의 가교 밀도가 적당히 저하되어, 점착제층이 파단되기 어려워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 3 이상인 것이 바람직하고, 5 이상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 일 실시형태에 있어서는, 에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 10 이상인 것도 바람직하고, 30 이상인 것도 보다 바람직하며, 50 이상인 것도 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 수는, 100 이하인 것이 바람직하고, 90 이하인 것이 보다 바람직하고, 80 이하인 것이 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 3 이상 갖는 것이 바람직하고, 4 이상 갖는 것이 보다 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 이 갖는 에너지선 경화성의 관능기의 수가 3 이상이면, 풀 잔류를 한층 더 억제하기 쉬워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위와 에너지선 경화성의 관능기가 직접 결합한 기를 갖는 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (11A) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 함유하는 기를 1 이상 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
(상기 일반식 (11A) 중, m 은 1 이상이고, R 은 수소 원자 또는 메틸기이다.)
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기를 갖는 경우, 1 분자 중의 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수는, 3 이상인 것이 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 1 분자 중에 갖는 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수가 3 이상이면, 풀 잔류를 한층 더 억제하기 쉬워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기를 갖는 경우, 1 분자 중의 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기의 수는, 10 이하인 것이 바람직하고, 9 이하인 것이 보다 바람직하고, 8 이하인 것이 더욱 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 추가로, 글리세린 골격을 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 폴리글리세린 골격을 갖는 것도 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이, 포화 탄화수소 골격과 같은 탄소-탄소 결합계보다도, 에테르 결합을 다수 가지며, 또한 다관능화할 수 있는 글리세린 골격을 가짐으로써, 점착제층이 더욱 변형되기 쉬워지고, 동시에 양호한 경화성을 실현할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (12) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
(상기 일반식 (12) 중,
n 은 1 이상이고,
R1, R2 및 R3 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 원자, 또는 기이고,
R1, R2 및 R3 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
n 이 1 일 때, 상기 일반식 (12) 는, 하기 일반식 (12-1) 로 나타낸다.
[화학식 9]
Figure pct00009
(상기 일반식 (12-1) 에 있어서, R1, R2 및 R3 은, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R1, R2 및 R3 과 동일한 의미이다.)
n 이 4 일 때, 상기 일반식 (12) 는, 하기 일반식 (12-4) 로 나타낸다.
[화학식 10]
Figure pct00010
(상기 일반식 (12-4) 에 있어서,
R1A, R1B, R1C 및 R1D 는, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R1 과 동일한 의미이고,
R2 및 R3 은, 상기 일반식 (12) 에 있어서의 R2 및 R3 과 동일한 의미이다.)
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, R1, R2 및 R3 에 있어서의 에틸렌글리콜 단위의 수는, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R1, R2 및 R3 중 적어도 하나가 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 보다 바람직하다.
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖고, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하다.
R1, R2 및 R3 이, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.
예를 들면, 상기 일반식 (12-4) 로 나타내는 에너지선 경화성 수지 (a1) 에 있어서, R1A, R1B, R1C, R1D, R2 및 R3 이 에너지선 경화성의 관능기를 1 개씩 갖는 경우, 당해 에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 에너지선 경화성의 관능기를 6 개 갖는 것에 상당한다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 11]
Figure pct00011
(상기 일반식 (13) 중,
n 은 1 이상이고,
R11, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m1, m2 및 m3 은, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
상기 일반식 (13) 에 있어서, n 이 2 이상인 경우, 2 이상의 m1 은, 서로 동일하거나 또는 상이하고, 2 이상의 R11 은, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R11, R12 및 R13 중 적어도 하나가 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, R11, R12 및 R13 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (14) 로 나타내는 것도 바람직하다.
[화학식 12]
Figure pct00012
(상기 일반식 (14) 중,
R21, R22, R23 및 R24 는, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
R21, R22, R23 및 R24 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, R21, R22, R23 및 R24 에 있어서의 에틸렌글리콜 단위의 수는, 서로 동일하거나 또는 상이하다.
R21, R22, R23 및 R24 중 적어도 하나가 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 보다 바람직하다.
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖고, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하다.
R21, R22, R23 및 R24 가, 각각 독립적으로, 상기 일반식 (11A) 로 나타내는 기인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 은, 하기 일반식 (15) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 13]
Figure pct00013
(상기 일반식 (15) 중,
R25, R26, R27 및 R28 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
m21, m22, m23 및 m24 는, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
R25, R26, R27 및 R28 중 적어도 하나가 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, R25, R26, R27 및 R28 이, 각각 독립적으로, 에너지선 경화성의 관능기를 함유하는 기인 것이 보다 바람직하다.
점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 당해 점착제층의 고형분의 전량에 대해서 15 질량％ 이상, 55 질량％ 이하 함유하는 것이 바람직하고, 20 질량％ 이상, 48 질량％ 이하 함유하는 것이 보다 바람직하며, 24 질량％ 이상, 48 질량％ 이하 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
점착제층이 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 15 질량％ 이상, 55 질량％ 이하 함유함으로써, 정렬성을 한층 더 향상시키기 쉽고, 풀 잔류도 한층 더 억제하기 쉽다.
점착제층이 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 20 질량％ 이상 함유함으로써, 정렬성을 향상시키기 쉽다.
점착제층이 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 48 질량％ 이하 함유함으로써, 점착 시트를 롤형상으로 권취했을 때에, 롤 단부로부터 점착제가 스며나오기 어려워진다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 이 갖는 에틸렌글리콜 단위의 총수 MEG 와, 에너지선 경화성 수지 (a1) 이 갖는 에너지선 경화성의 관능기의 총수 MUV 의 비 MEG/MUV 가, 1 이상 15 이하인 것이 바람직하다.
점착제층이 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 24 질량％ 이상 함유하고, MEG/MUV 가 9 이상인 경우, 익스팬드 공정에서의 확장량을 크게 해도, 우수한 정렬성을 나타낸다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량은, 100 이상인 것이 바람직하고, 300 이상인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량은, 30000 이하인 것이 바람직하고, 15000 이하인 것이 보다 바람직하다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량이 100 이상이면, 점착제 중으로부터 상분리되는 것을 방지하여, 테이프의 보관 안정성을 유지할 수 있다.
에너지선 경화성 수지 (a1) 의 분자량이 30000 이하이면, 다른 재료와의 상용성을 유지할 수 있다.
또한, 에너지선 경화성 수지 (a1) 의 중량 평균 분자량은, 10000 이하인 것도 바람직하다. 에너지선 경화성 수지 (a1) 의 중량 평균 분자량이 10000 이하이면, 점착제의 신장성과 경화성을 양립시키기 쉽다.
중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산값으로부터 얻을 수 있다.
·(메트)아크릴계 공중합체 (b1)
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 추가로 함유하고 있는 것이 바람직하다. (메트)아크릴계 공중합체는, 전술한 에너지선 경화성 수지 (a1) 과는 상이하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시형태에 있어서, 점착제층은, 에너지선 경화성 수지 (a1) 과, 에너지선 경화성의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 함유하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 5 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 10 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 15 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착제층은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 에너지선 경화성 수지 (a1) 을 80 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 70 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 60 질량부 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법 (GPC 법) 에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
(메트)아크릴계 공중합체 (b1) 은, 측사슬에 에너지선 경화성을 갖는 관능기 (에너지선 경화성기) 가 도입된 (메트)아크릴산에스테르 중합체 (b2) (이하 「에너지선 경화성 중합체 (b2)」라고 하는 경우가 있다) 인 것이 바람직하다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 과, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 를 반응시켜 얻어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어도 동일하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위와, (메트)아크릴산에스테르 모노머, 또는 (메트)아크릴산에스테르 모노머의 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 의 구성 단위로서의 관능기 함유 모노머는, 중합성의 이중 결합과 관능기를, 분자 내에 갖는 모노머인 것이 바람직하다. 관능기는, 하이드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 및 에폭시기 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 것의 관능기인 것이 바람직하다.
하이드록시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 및 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 하이드록시기 함유 모노머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 및 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복실산을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아미노에틸(메트)아크릴레이트, 및 n-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 아미노기 함유 모노머 또는 치환 아미노기 함유 모노머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 을 구성하는 (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상, 20 이하인 알킬(메트)아크릴레이트 외에, 예를 들어, 분자 내에 지환식 구조를 갖는 모노머 (지환식 구조 함유 모노머) 가 바람직하게 사용된다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 이상, 18 이하인 알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등이 보다 바람직하다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
지환식 구조 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산디시클로펜타닐, (메트)아크릴산아다만틸, (메트)아크릴산이소보르닐, (메트)아크릴산디시클로펜테닐, 및 (메트)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸 등이 바람직하게 사용된다. 지환식 구조 함유 모노머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 1 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 10 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 35 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 30 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 50 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 60 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 70 질량％ 이상의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
또, 아크릴계 공중합체 (b21) 은, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로부터 유도되는 구성 단위를, 99 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 95 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이하의 비율로 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기와 같은 관능기 함유 모노머와, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 통상적인 방법으로 공중합함으로써 얻어진다.
아크릴계 공중합체 (b21) 은, 상기 서술한 모노머 외에도, 디메틸아크릴아미드, 포름산비닐, 아세트산비닐, 및 스티렌 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 것의 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 아크릴계 공중합체 (b21) 을, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물 (b22) 와 반응시킴으로써, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 하이드록시기, 아미노기 또는 치환 아미노기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 이소시아네이트기 또는 에폭시기가 바람직하고, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기가 에폭시기인 경우, 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기로는 아미노기, 카르복시기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을, 1 분자 중에 적어도 1 개 포함하고, 1 개 이상, 6 개 이하 포함하는 것이 바람직하고, 1 개 이상, 4 개 이하 포함하는 것이 보다 바람직하다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 로는, 예를 들어, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트), 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 글리시딜(메트)아크릴레이트 ; (메트)아크릴산, 2-(1-아지리디닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머의 몰수에 대하여, 50 몰％ 이상의 비율 (부가율) 로 사용되는 것이 바람직하고, 60 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 70 몰％ 이상의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
또, 불포화기 함유 화합물 (b22) 는, 아크릴계 공중합체 (b21) 의 관능기 함유 모노머 몰수에 대하여, 95 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 93 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 90 몰％ 이하의 비율로 사용되는 것이 더욱 바람직하다.
아크릴계 공중합체 (b21) 과 불포화기 함유 화합물 (b22) 의 반응에 있어서는, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기의 조합에 따라, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 및 촉매의 종류를 적절히 선택할 수 있다. 이로써, 아크릴계 공중합체 (b21) 이 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물 (b22) 가 갖는 관능기가 반응하여, 불포화기가 아크릴계 공중합체 (b21) 의 측사슬에 도입되어, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 가 얻어진다.
에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 이상인 것이 바람직하고, 15 만 이상인 것이 보다 바람직하고, 20 만 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 에너지선 경화성 중합체 (b2) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 150 만 이하인 것이 바람직하고, 100 만 이하인 것이 보다 바람직하다.
·광 중합 개시제 (C)
점착제층이 자외선 경화성의 화합물 (예를 들어, 자외선 경화성 수지) 을 함유하는 경우, 점착제층은, 광 중합 개시제 (C) 를 함유하는 것이 바람직하다.
점착제층이 광 중합 개시제 (C) 를 함유함으로써, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광 중합 개시제 (C) 로는, 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오크산톤, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-하이드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로파논}, 및 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제 (C) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광 중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대하여 0.1 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
또, 광 중합 개시제 (C) 는, 점착제층에 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 을 배합하는 경우에는, 에너지선 경화성 수지 (a1), 및 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 의 합계량 100 질량부에 대하여 10 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 바람직하고, 6 질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 보다 바람직하다.
점착제층은, 상기 성분 이외에도, 적절히 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로는, 예를 들면, 가교제 (E), 대전 방지제, 산화 방지제, 및 착색제 등을 들 수 있다.
·가교제 (E)
가교제 (E) 로는, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 하이드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 및 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.03 질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.04 질량부 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 가교제 (E) 의 배합량은, (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 100 질량부에 대하여, 8 질량부 이하인 것이 바람직하고, 5 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.5 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하며, 2.1 질량부 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
점착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않는다. 점착제층의 두께는, 예를 들어, 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 20 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층의 두께는, 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
(기재)
상기 기재는, 제 1 기재면과, 제 1 기재면과는 반대측의 제 2 기재면을 갖는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 점착 시트에 있어서, 본 실시형태에 관련된 점착제층이, 제 1 기재면 및 제 2 기재면의 일방의 면에 형성되어 있는 것이 바람직하고, 타방의 면에는 점착제층이 형성되어 있지 않은 것이 바람직하다.
기재의 재료는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 열가소성 엘라스토머 또는 고무계 재료인 것이 바람직하고, 열가소성 엘라스토머인 것이 보다 바람직하다.
또, 기재의 재료로는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 유리 전이 온도 (Tg) 가 비교적 낮은 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 수지의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 90 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 80 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 70 ℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
열가소성 엘라스토머로는, 우레탄계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화비닐계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머, 및 아미드계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 열가소성 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 열가소성 엘라스토머로는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 우레탄계 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다.
우레탄계 엘라스토머는, 일반적으로, 장사슬 폴리올, 사슬 연장제, 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진다. 우레탄계 엘라스토머는, 장사슬 폴리올로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 소프트 세그먼트와, 사슬 연장제와 디이소시아네이트의 반응에서 얻어지는 폴리우레탄 구조를 갖는 하드 세그먼트로 이루어진다.
우레탄계 엘라스토머를, 장사슬 폴리올의 종류에 따라서 분류하면, 폴리에스테르계 폴리우레탄 엘라스토머, 폴리에테르계 폴리우레탄 엘라스토머, 및 폴리카보네이트계 폴리우레탄 엘라스토머 등으로 구분된다. 우레탄계 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 우레탄계 엘라스토머는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 폴리에스테르계 폴리우레탄 엘라스토머 또는 폴리에테르계 폴리우레탄 엘라스토머인 것이 바람직하다.
장사슬 폴리올의 예로는, 락톤계 폴리에스테르폴리올, 및 아디페이트계 폴리에스테르폴리올 등의 폴리에스테르폴리올 ; 폴리프로필렌(에틸렌)폴리올, 및 폴리테트라메틸렌에테르글리콜 등의 폴리에테르폴리올 ; 폴리카보네이트폴리올 등을 들 수 있다. 본 실시형태에서는, 장사슬 폴리올은, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 아디페이트계 폴리에스테르폴리올인 것이 바람직하다.
디이소시아네이트의 예로는, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 및 헥사메틸렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 본 실시형태에서는, 디이소시아네이트는, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 헥사메틸렌디이소시아네이트인 것이 바람직하다.
사슬 연장제로는, 저분자 다가 알코올 (예를 들어, 1,4-부탄디올 및 1,6-헥산디올 등), 및 방향족 디아민 등을 들 수 있다. 이들 중, 크게 연신시키기 쉽다는 관점에서, 1,6-헥산디올을 사용하는 것이 바람직하다.
올레핀계 엘라스토머로는, 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 프로필렌·α-올레핀 공중합체, 부텐·α-올레핀 공중합체, 에틸렌·프로필렌·α-올레핀 공중합체, 에틸렌·부텐·α-올레핀 공중합체, 프로필렌·부텐·α-올레핀 공중합체, 에틸렌·프로필렌·부텐·α-올레핀 공중합체, 스티렌·이소프렌 공중합체, 및 스티렌·에틸렌·부틸렌 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 수지를 함유하는 엘라스토머를 들 수 있다. 올레핀계 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
올레핀계 엘라스토머의 밀도는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 올레핀계 엘라스토머의 밀도는, 0.860 g/㎤ 이상, 0.905 g/㎤ 미만인 것이 바람직하고, 0.862 g/㎤ 이상, 0.900 g/㎤ 미만인 것이 보다 바람직하고, 0.864 g/㎤ 이상, 0.895 g/㎤ 미만인 것이 특히 바람직하다. 올레핀계 엘라스토머의 밀도가 상기 범위를 만족함으로써, 기재는, 피착체로서의 반도체 웨이퍼를 점착 시트에 첩부 (貼付) 할 때의 요철 추종성 등이 우수하다.
올레핀계 엘라스토머는, 이 엘라스토머를 형성하기 위해서 사용한 전체 단량체 중, 올레핀계 화합물로 이루어지는 단량체의 질량 비율 (본 명세서에 있어서 「올레핀 함유율」이라고도 한다) 이 50 질량％ 이상, 100 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
올레핀 함유율이 과도하게 낮은 경우에는, 올레핀에서 유래하는 구조 단위를 포함하는 엘라스토머로서의 성질이 출현되기 어려워져, 기재는, 유연성 및 고무 탄성을 나타내기 어려워진다.
유연성 및 고무 탄성을 안정적으로 얻는 관점에서, 올레핀 함유율은 50 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
스티렌계 엘라스토머로는, 스티렌-공액 디엔 공중합체, 및 스티렌-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다. 스티렌-공액 디엔 공중합체의 구체예로는, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 공중합체 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 공중합체, 스티렌-이소프렌 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체 (SIS), 스티렌-에틸렌-이소프렌-스티렌 공중합체 등의 미수소 첨가 스티렌-공액 디엔 공중합체, 스티렌-에틸렌/프로필렌-스티렌 공중합체 (SEPS, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체의 수소 첨가물), 및 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 공중합체 (SEBS, 스티렌-부타디엔 공중합체의 수소 첨가물) 등의 수소 첨가 스티렌-공액 디엔 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 공업적으로는, 스티렌계 엘라스토머로는, 터프프렌 (아사히 화성 주식회사 제조), 크레이톤 (크레이톤 폴리머 재팬 주식회사 제조), 스미토모 TPE-SB (스미토모 화학 주식회사 제조), 에포프렌드 (주식회사 다이셀 제조), 라바론 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조), 셉톤 (주식회사 쿠라레 제조), 및 터프텍 (아사히 화성 주식회사 제조) 등의 상품명을 들 수 있다. 스티렌계 엘라스토머는, 수소 첨가물이어도 되고 미수소 첨가물이어도 된다. 스티렌계 엘라스토머는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
고무계 재료로는, 예를 들어, 천연 고무, 합성 이소프렌 고무 (IR), 부타디엔 고무 (BR), 스티렌-부타디엔 고무 (SBR), 클로로프렌 고무 (CR), 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합 고무 (NBR), 부틸 고무 (IIR), 할로겐화 부틸 고무, 아크릴 고무, 우레탄 고무, 및 다황화 고무 등을 들 수 있다. 고무계 재료는, 이들 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름이, 복수 적층된 적층 필름이어도 된다. 또, 기재는, 상기와 같은 재료 (예를 들어, 열가소성 엘라스토머, 또는 고무계 재료) 로 이루어지는 필름과, 그 밖의 필름이 적층된 적층 필름이어도 된다.
기재는, 상기의 수지계 재료를 주재료로 하는 필름 내에, 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
첨가제로는, 예를 들어, 안료, 염료, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 및 필러 등을 들 수 있다. 안료로는, 예를 들어, 이산화티탄, 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또, 필러로는, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 흄드실리카와 같은 무기계 재료, 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘할 수 있는 범위에 두는 것이 바람직하다.
기재는, 제 1 기재면 및 제 2 기재면 중 적어도 어느 하나에 적층되는 점착제층과의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 원하는 바에 따라서 편면 또는 양면에, 표면 처리, 또는 프라이머 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로는, 산화법 및 요철화법 등을 들 수 있다. 프라이머 처리로는, 기재 표면에 프라이머층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 산화법으로는, 예를 들어, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬 산화 처리 (습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존 처리, 및 자외선 조사 처리 등을 들 수 있다. 요철화법으로는, 예를 들어, 샌드 블라스트법 및 용사 처리법 등을 들 수 있다.
점착제층이 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 경우, 기재는, 에너지선에 대한 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 기재는, 자외선에 대해서 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 기재는, 전자선의 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
기재의 두께는, 점착 시트가 원하는 공정에 있어서 적절하게 기능할 수 있는 한, 한정되지 않는다. 기재의 두께는, 20 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 40 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 기재의 두께는, 250 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 200 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 기재의 제 1 기재면 또는 제 2 기재면의 면내 방향에 있어서 2 ㎝ 간격으로 복수 지점의 두께를 측정했을 때의, 기재의 두께의 표준 편차는, 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 당해 표준 편차가 2 ㎛ 이하임으로써, 점착 시트는 높은 정밀도의 두께를 가지고 있고, 점착 시트를 균일하게 연신하는 것이 가능해진다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 인장 탄성률이, 각각 10 ㎫ 이상, 350 ㎫ 이하이고, 23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 100 ％ 응력이, 각각 3 ㎫ 이상, 20 ㎫ 이하인 것이 바람직하다.
인장 탄성률 및 100 ％ 응력이 상기 범위임으로써, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 100 ％ 응력은, 다음과 같이 하여 얻어지는 값이다. 100 ㎜ (길이 방향) × 15 ㎜ (폭 방향) 크기의 시험편을 기재로부터 잘라낸다. 잘라낸 시험편의 길이 방향의 양단을, 파지구 사이의 길이가 50 ㎜ 가 되도록 파지구로 잡는다. 파지구로 시험편을 잡은 후, 속도 200 ㎜/분으로 길이 방향으로 잡아 당겨, 파지구 사이의 길이가 100 ㎜ 가 되었을 때의 인장력의 측정값을 판독한다. 기재의 100 ％ 응력은, 판독한 인장력의 측정값을, 기재의 단면적으로 나눗셈함으로써 얻어지는 값이다. 기재의 단면적은, 폭 방향 길이 15 ㎜ × 기재 (시험편) 의 두께에 의해 산출된다. 당해 잘라내기는, 기재의 제조시에 있어서의 흐름 방향 (MD 방향) 또는 MD 방향에 직교하는 방향 (CD 방향) 과, 시험편의 길이 방향이 일치하도록 실시한다. 또한, 이 인장 시험에 있어서, 시험편의 두께는 특별히 제한되지 않고, 시험 대상으로 하는 기재의 두께와 동일해도 된다.
23 ℃ 에 있어서 기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가, 각각 100 ％ 이상인 것이 바람직하다.
기재의 MD 방향 및 CD 방향의 파단 신도가 각각 100 ％ 이상임으로써, 파단이 일어나는 일 없이, 점착 시트를 크게 연신하는 것이 가능해진다.
기재의 인장 탄성률 (㎫) 및 기재의 파단 신도 (％) 는, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 기재를 15 ㎜ × 140 ㎜ 로 재단하여 시험편을 얻는다. 당해 시험편에 대하여, JIS K7161:2014 및 JIS K7127:1999 에 준거하여, 23 ℃ 에 있어서의 파단 신도 및 인장 탄성률을 측정한다. 구체적으로는, 상기 시험편을, 인장 시험기 (주식회사 시마즈 제작소 제조, 제품명「오토그래프 AG-IS 500N」) 로, 척간 거리 100 ㎜ 로 설정한 후, 200 ㎜/분의 속도로 인장 시험을 실시하여, 파단 신도 (％) 및 인장 탄성률 (㎫) 을 측정한다. 또한, 측정은, 기재의 제조시의 흐름 방향 (MD) 및 이것에 직각인 방향 (CD) 의 쌍방에서 실시한다.
(점착 시트의 물성)
본 실시형태에 관련된 점착 시트를, 제 1 방향, 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 제 1 방향에 대해 연직 방향인 제 3 방향, 및 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜, 신장 전의 점착 시트의 면적 S1 과, 신장 후의 점착 시트의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 300 ％ 일 때에, 기재 및 점착제층이 파단되지 않는 것이 바람직하다. 제 1 방향, 제 2 방향, 제 3 방향 및 제 4 방향은, 각각, 예를 들면, 후술하는 2 축 연신의 ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향과 대응하고 있는 것이 바람직하다. 4 방향으로 신장시키기 위한 장치로는, 예를 들어, 후술하는 익스팬드 장치를 들 수 있다.
(박리 시트)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 점착제층의 점착면을 피착체 (예를 들어, 반도체 칩 등) 에 첩부할 때까지의 동안에, 점착면을 보호할 목적으로, 점착면에 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이다. 박리 시트의 예로는, 박리제 등에 의해 박리 처리한 플라스틱 필름이 예시된다.
플라스틱 필름의 구체예로는, 폴리에스테르 필름 및 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 폴리에스테르 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 필름을 들 수 있다. 폴리올레핀 필름으로는, 예를 들어, 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 등의 필름을 들 수 있다.
박리제로는, 실리콘계, 불소계, 및 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있다. 이들 박리제 중에서, 저렴하고 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다.
박리 시트의 두께에 대해서는, 특별히 한정되지 않는다. 박리 시트의 두께는, 통상적으로 20 ㎛ 이상, 250 ㎛ 이하이다.
(점착 시트의 제조 방법)
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 종래의 점착 시트와 동일하게 제조할 수 있다.
점착 시트의 제조 방법은, 전술한 점착제층을 기재의 하나의 면에 적층할 수 있으면, 특별히 상세하게는 한정되지 않는다.
점착 시트의 제조 방법의 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 점착제층을 구성하는 점착성 조성물, 및 원하는 바에 따라서 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제한다. 다음으로, 도공액을, 기재의 하나의 면 위에, 도포 수단에 의해 도포하여 도막을 형성한다. 도포 수단으로는, 예를 들어, 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 및 나이프 코터 등을 들 수 있다. 다음으로, 당해 도막을 건조시킴으로써, 점착제층을 형성할 수 있다. 도공액은, 도포를 실시하는 것이 가능하다면, 그 성상은 특별히 한정되지 않는다. 도공액은, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 분산질로서 함유하는 경우도 있다.
또한, 점착 시트의 제조 방법의 다른 일례로는, 다음과 같은 방법을 들 수 있다. 먼저, 전술한 박리 시트의 박리면 상에 도공액을 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 도막을 건조시켜 점착제층과 박리 시트로 이루어지는 적층체를 형성한다. 다음으로, 이 적층체의 점착제층에 있어서의 박리 시트측의 면과 반대측의 면에 기재를 첩부하여, 점착 시트와 박리 시트의 적층체를 얻어도 된다. 이 적층체에 있어서의 박리 시트는, 공정 재료로서 박리해도 되고, 점착제층에 피착체 (예를 들어, 반도체 칩 및 반도체 웨이퍼 등) 가 첩부될 때까지, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.
도공액이 가교제를 함유하는 경우에는, 도막의 건조 조건 (예를 들어, 온도 및 시간 등) 을 바꿈으로써, 또는 가열 처리를 별도로 실시함으로써, 도막 내의 (메트)아크릴계 공중합체 (b1) 과 가교제의 가교 반응을 진행시켜, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성시키면 된다. 이 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상기 서술한 방법 등에 의해 기재에 점착제층을 적층시킨 후, 얻어진 점착 시트를, 예를 들어, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 환경에 수 일간 가만히 정지시켜 두는 등의 양생을 실시해도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트의 두께는, 30 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 점착 시트의 두께는, 400 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 300 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
[점착 시트의 사용 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 다양한 피착체에 첩착 (貼着) 할 수 있기 때문에, 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 적용할 수 있는 피착체는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 피착체로는, 반도체 칩 및 반도체 웨이퍼인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 예를 들어, 반도체 가공용으로 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 편면에 첩착된 복수의 반도체 칩의 간격을 넓히기 위해서 사용할 수 있다.
복수의 반도체 칩의 확장 간격은, 반도체 칩의 사이즈에 의존하기 때문에, 특별히 제한되지 않는다. 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 점착 시트의 편면에 첩착된 복수의 반도체 칩에 있어서의, 인접하는 반도체 칩의 상호의 간격을, 200 ㎛ 이상 넓히기 위해서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 반도체 칩의 상호 간격의 상한은, 특별히 제한되지 않는다. 당해 반도체 칩의 상호 간격의 상한은, 예를 들어, 6000 ㎛ 여도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 적어도 2 축 연신에 의해, 점착 시트의 편면에 적층된 복수의 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우에도 사용할 수 있다. 이 경우, 점착 시트는, 예를 들어, 서로 직교하는 X 축 및 Y 축에 있어서의, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하여 잡아 늘려지고, 보다 구체적으로는, 기재에 있어서의 MD 방향 및 CD 방향으로 각각 잡아 늘려진다.
상기와 같은 2 축 연신은, 예를 들어, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 장력을 부여하는 이간 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 여기서, X 축 및 Y 축은 직교하는 것으로 하고, X 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋X 축 방향, 당해 ＋X 축 방향과 반대의 방향을 －X 축 방향, Y 축에 평행한 방향 중 하나를 ＋Y 축 방향, 당해 ＋Y 축 방향과 반대의 방향을 －Y 축 방향으로 한다.
상기 이간 장치는, 점착 시트에 대하여, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 4 방향으로 장력을 부여하고, 이 4 방향의 각각에 대해, 복수의 유지 수단과, 그것들에 대응하는 복수의 장력 부여 수단을 구비하는 것이 바람직하다. 각 방향에 있어서의, 유지 수단 및 장력 부여 수단의 수는, 점착 시트의 크기에 따라 다르기도 하지만, 예를 들어, 3 개 이상, 10 개 이하 정도여도 된다.
여기서, 예를 들어 ＋X 축 방향으로 장력을 부여하기 위해서 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 군에 있어서, 각각의 유지 수단은, 점착 시트를 유지하는 유지 부재를 구비하고, 각각의 장력 부여 수단은, 당해 장력 부여 수단에 대응한 유지 부재를 ＋X 축 방향으로 이동시켜 점착 시트에 장력을 부여하는 것이 바람직하다. 그리고, 복수의 장력 부여 수단은, 각각 독립적으로, 유지 수단을 ＋X 축 방향으로 이동시키도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향으로 각각 장력을 부여하기 위해서 구비된, 복수의 유지 수단과 복수의 장력 부여 수단을 포함하는 3 개의 군에 있어서도, 동일한 구성을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 이간 장치는, 각 방향에 직교하는 방향의 영역마다, 점착 시트에 대하여 상이한 크기의 장력을 부여할 수 있다.
일반적으로, 4 개의 유지 부재를 사용하여 점착 시트를, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향의 4 방향에서부터 각각 유지하고, 당해 4 방향으로 연신하는 경우, 점착 시트에는 이들 4 방향에 더하여, 이들의 합성 방향 (예를 들어, ＋X 축 방향과 ＋Y 축 방향의 합성 방향, ＋Y 축 방향과 －X 축 방향의 합성 방향, －X 축 방향과 －Y 축 방향의 합성 방향 및 －Y 축 방향과 ＋X 축 방향의 합성 방향) 으로도 장력이 부여된다. 그 결과, 점착 시트의 내측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격과 외측 영역에 있어서의 반도체 칩의 간격에 차이가 생기는 경우가 있다.
그러나, 상기 서술한 이간 장치에서는, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향 및 －Y 축 방향의 각각의 방향에 있어서, 복수의 장력 부여 수단이 각각 독립적으로 점착 시트에 장력을 부여할 수 있기 때문에, 상기 서술한 바와 같은 점착 시트의 내측과 외측의 간격의 차이가 해소되도록, 점착 시트를 연신할 수 있다.
그 결과, 반도체 칩의 간격을 정확하게 조정할 수 있다.
상기 이간 장치는, 반도체 칩의 상호 간격을 측정하는 측정 수단을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 여기에 있어서, 상기 장력 부여 수단은, 측정 수단의 측정 결과를 바탕으로, 복수의 유지 부재를 개별적으로 이동 가능하게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 상기 이간 장치가 측정 수단을 구비함으로써, 상기 측정 수단에 의한 반도체 칩의 간격의 측정 결과에 기초하여, 당해 간격을 추가로 조정하는 것이 가능해진 결과, 반도체 칩의 간격을 보다 정확하게 조정하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 척 수단 및 감압 수단을 들 수 있다. 척 수단으로는, 예를 들어, 메커니컬 척 및 척 실린더 등을 들 수 있다. 감압 수단으로는, 예를 들어, 감압 펌프 및 진공 이젝터 등을 들 수 있다. 또, 상기 이간 장치에 있어서, 유지 수단으로는, 접착제, 혹은 자력 등으로 점착 시트를 지지하는 구성이어도 된다. 또, 척 수단에 있어서의 유지 부재로는, 예를 들어, 점착 시트를 밑에서부터 지지하는 하측 지지 부재와, 하측 지지 부재에 지지된 구동 기기와, 구동 기기의 출력축에 지지되고, 구동 기기가 구동함으로써 점착 시트를 위에서부터 내리누르는 것이 가능한 상측 지지 부재를 구비한 구성을 갖는 유지 부재를 사용할 수 있다. 당해 구동 기기로는, 예를 들어, 전동 기기 및 액추에이터 등을 들 수 있다. 전동 기기로는, 예를 들어, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 및 다관절 로봇 등을 들 수 있다. 액추에이터로는, 예를 들어, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더 및 로터리 실린더 등을 들 수 있다.
또, 상기 이간 장치에 있어서, 장력 부여 수단은, 구동 기기를 구비하고, 당해 구동 기기에 의해 유지 부재를 이동시켜도 된다. 장력 부여 수단이 구비하는 구동 기기로는, 상기 서술한 유지 부재가 구비하는 구동 기기와 동일한 구동 기기를 사용할 수 있다. 예를 들어, 장력 부여 수단은, 구동 기기로서의 직동 모터와, 직동 모터와 유지 부재의 사이에 개재하는 출력축을 구비하여, 구동한 직동 모터가 출력축을 통해서 유지 부재를 이동시키는 구성이어도 된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용하여 반도체 칩의 간격을 넓히는 경우, 반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓혀도 되고, 혹은, 반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 추가로 그 간격을 넓혀도 된다.
반도체 칩끼리가 접촉한 상태, 또는 반도체 칩의 간격이 거의 넓혀져 있지 않은 상태로부터 그 간격을 넓히는 경우로는, 예를 들어, 다이싱 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할함으로써 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 다이싱 시트로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트에 복수의 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수 있다. 혹은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 상에 있어서 반도체 웨이퍼를 분할하여 복수의 반도체 칩을 얻은 후, 당해 반도체 칩의 간격을 넓힐 수도 있다.
반도체 칩끼리의 간격이 이미 소정의 간격까지 넓혀진 상태로부터, 추가로 그 간격을 넓히는 경우로는, 그 외의 점착 시트, 바람직하게는 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 를 사용하여 반도체 칩끼리의 간격을 소정의 간격까지 넓힌 후, 당해 시트 (제 1 연신용 점착 시트) 로부터 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 에 반도체 칩을 전사하고, 계속해서, 본 실시형태에 관련된 점착 시트 (제 2 연신용 점착 시트) 를 연신함으로써, 반도체 칩의 간격을 더욱 넓힐 수 있다. 또한, 이와 같은 반도체 칩의 전사와 점착 시트의 연신은, 반도체 칩의 간격이 원하는 거리가 될 때까지 복수 회 반복해도 된다.
[반도체 웨이퍼 레벨 패키지 (FO-WLP) 의 제조 방법]
본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 반도체 칩의 간격을 비교적 크게 이간시키는 것이 요구되는 용도에 대한 사용이 바람직하고, 이와 같은 용도의 예로는, 팬 아웃형의 반도체 웨이퍼 레벨 패키지 (FO-WLP) 의 제조 방법을 바람직하게 들 수 있다. 이와 같은 FO-WLP 의 제조 방법의 예로서, 이하에 설명하는 제 1 양태를 들 수 있다.
(제 1 양태)
이하, 본 실시형태에 관련된 점착 시트를 사용한 FO-WLP 의 제조 방법의 제 1 양태를 설명한다. 또한, 이 제 1 양태에 있어서, 본 실시형태에 관련된 점착 시트는, 후술하는 제 1 점착 시트 (10) 로서 사용된다.
도 1a 에는, 제 1 점착 시트 (10) 와, 제 1 점착 시트 (10) 에 첩착된 복수의 반도체 칩 (CP) 이 나타나 있다.
제 1 점착 시트 (10) 는, 제 1 기재 (11) 와, 제 1 점착제층 (12) 을 갖는다. 제 1 기재 (11) 는, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 기재에 대응한다. 제 1 점착제층 (12) 은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 점착제층에 대응한다. 제 1 기재 (11) 는, 제 1 기재면 (11A) 과, 제 1 기재면 (11A) 과는 반대측의 제 2 기재면 (11B) 을 갖는다. 제 1 점착제층 (12) 은, 제 1 기재면 (11A) 에 형성되어 있다. 제 2 기재면 (11B) 에는, 점착제층이 형성되어 있지 않다.
본 실시형태에서는, 제 1 점착 시트 (10) 가 익스팬드 시트로서 사용된다.
반도체 칩 (CP) 은, 회로면 (W1) 과, 회로면 (W1) 과는 반대측의 이면 (W3) 을 갖는다. 회로면 (W1) 에는, 회로 (W2) 가 형성되어 있다.
복수의 반도체 칩 (CP) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼를 다이싱에 의해 개편화함으로써 형성되는 것이 바람직하다.
다이싱은, 다이싱 시트 등에 첩착된 반도체 웨이퍼에 대하여 실시되는 것이 바람직하다. 다이싱에는, 다이싱 소 등의 절단 수단이 사용된다.
다이싱은, 상기 서술한 절단 수단을 사용하는 대신에, 반도체 웨이퍼에 대하여 레이저 광을 조사하여 실시해도 된다. 예를 들어, 레이저 광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼를 완전하게 분단하여, 복수의 반도체 칩으로 개편화해도 된다.
혹은, 레이저 광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼 내부에 개질층을 형성한 후, 후술하는 익스팬드 공정에 있어서, 점착 시트를 잡아당겨 늘림으로써, 반도체 웨이퍼를 개질층의 위치에서 파단하여, 반도체 칩 (CP) 으로 개편화해도 된다. 이와 같이 하여 반도체 칩으로 개편화하는 방법을 스텔스 다이싱이라고 하는 경우가 있다. 스텔스 다이싱의 경우, 레이저 광의 조사는, 예를 들어, 적외역의 레이저 광을, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속되도록 조사한다. 또, 이들 방법에 있어서는, 레이저 광의 조사는, 반도체 웨이퍼의 어느 측에서부터 실시해도 된다.
다이싱 후, 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 익스팬드 시트에 일괄 전사되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 개편화된 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 다이싱 시트로부터 제 1 점착 시트 (10) 에 전사된다. 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 그 회로면 (W1) 을 제 1 점착제층 (12) 을 향하게 하여 첩착되어 있다.
도 1b 에는, 복수의 반도체 칩 (CP) 을 유지하는 제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘리는 공정 (이하 「익스팬드 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 설명하는 도면이 나타나 있다.
제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘려, 복수의 반도체 칩 (CP) 사이의 간격을 넓힌다. 또, 스텔스 다이싱을 실시한 경우에는, 점착 시트 (10) 를 잡아 늘림으로써, 반도체 웨이퍼를 개질층의 위치에서 파단하여, 복수의 반도체 칩 (CP) 으로 개편화함과 함께, 복수의 반도체 칩 (CP) 사이의 간격을 넓힐 수 있다.
익스팬드 공정에 있어서 제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘리는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘리는 방법으로는, 예를 들어, 고리형상 또는 원형상의 익스팬더를 세게 누르고 제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘리는 방법, 및 파지 부재 등을 사용하여 제 1 점착 시트 (10) 의 외주부를 쥐고 잡아 당겨서 늘리는 방법 등을 들 수 있다. 후자의 방법으로는, 예를 들어, 전술한 이간 장치 등을 사용하여 2 축 연신하는 방법을 들 수 있다. 이들 방법 중에서도, 반도체 칩 (CP) 사이의 간격을 보다 크게 넓히는 것이 가능해진다는 관점에서, 2 축 연신하는 방법이 바람직하다.
도 1b 에 나타나 있는 바와 같이, 익스팬드 후의 반도체 칩 (CP) 사이의 거리를 D1 로 한다. 거리 (D1) 로는, 반도체 칩 (CP) 의 사이즈에 따라 다르기 때문에, 특별히 제한되지 않는다. 거리 (D1) 로는, 예를 들어, 각각 독립적으로, 200 ㎛ 이상, 6000 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
익스팬드 공정 후, 제 1 점착 시트 (10) 에 에너지선을 조사하여, 제 1 점착제층 (12) 을 경화시키는 공정 (이하 「에너지선 조사 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 실시한다. 제 1 점착제층 (12) 이 자외선 경화성인 경우, 에너지선 조사 공정에 있어서는, 제 1 점착 시트 (10) 에 자외선을 조사한다. 익스팬드 공정 후에 제 1 점착제층 (12) 을 경화시킴으로써, 연신 후의 제 1 점착 시트 (10) 의 형상 유지성이 향상된다. 그 결과, 제 1 점착제층 (12) 에 첩착된 복수의 반도체 칩 (CP) 의 정렬성이 유지되기 쉽다.
도 2a 에는, 익스팬드 공정 후에, 복수의 반도체 칩 (CP) 을 제 2 점착 시트 (20) 에 전사하는 공정 (이하 「전사 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 설명하는 도면이 나타나 있다. 익스팬드 공정 후에 제 1 점착제층 (12) 을 경화시켰으므로, 제 1 점착제층 (12) 의 점착력이 저하되어, 제 1 점착 시트 (10) 를 반도체 칩 (CP) 으로부터 박리하기 쉬워진다. 또한, 제 1 점착 시트 (10) 가 본 실시형태에 관련된 점착 시트이므로, 반도체 칩 (CP) 의 풀 잔류를 억제할 수 있다.
제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘려 복수의 반도체 칩 (CP) 의 간격을 넓혀서, 거리 (D1) 로 한 후, 반도체 칩 (CP) 의 이면 (W3) 에 제 2 점착 시트 (20) 를 첩착한다. 여기서, 당해 제 2 점착 시트 (20) 로서, 복수의 반도체 칩 (CP) 을 유지할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 복수의 반도체 칩 (CP) 사이의 거리 (D1) 를 더욱 확장시키고 싶은 경우에는, 제 2 점착 시트 (20) 로서, 익스팬드 시트를 사용하는 것이 바람직하고, 본 실시형태의 점착 시트를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
제 2 점착 시트 (20) 는, 제 2 기재 (21) 와, 제 3 점착제층 (22) 을 갖는다.
제 2 점착 시트 (20) 로서 본 실시형태의 점착 시트를 사용하는 경우에는, 제 2 기재 (21) 는, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 기재에 대응하고, 제 3 점착제층 (22) 은, 본 실시형태에 관련된 점착 시트의 점착제층에 대응한다.
제 2 점착 시트 (20) 는, 복수의 반도체 칩 (CP) 과 함께, 제 2 링 프레임에 첩착되어 있어도 된다. 이 경우, 제 2 점착 시트 (20) 의 제 3 점착제층 (22) 상에 제 2 링 프레임을 올려놓고, 이것을 가볍게 밀어 눌러, 고정시킨다. 그 후, 제 2 링 프레임의 고리형상의 내측에서 노출되는 제 3 점착제층 (22) 을 반도체 칩 (CP) 의 이면 (W3) 에 세게 눌러, 제 2 점착 시트 (20) 에 복수의 반도체 칩 (CP) 을 고정시킨다.
도 2b 에는, 제 2 점착 시트 (20) 의 첩착 후, 제 1 점착 시트 (10) 를 박리하는 공정을 설명하는 도면이 나타나 있다.
제 2 점착 시트 (20) 를 첩착한 후, 제 1 점착 시트 (10) 를 박리하면, 복수의 반도체 칩 (CP) 의 회로면 (W1) 이 노출된다. 제 1 점착 시트 (10) 를 박리한 후에도, 익스팬드 공정에 있어서 확장시킨 복수의 반도체 칩 (CP) 사이의 거리 (D1) 가 유지되어 있는 것이 바람직하다.
제 2 점착 시트 (20) 가 익스팬드 시트인 경우에는, 제 1 점착 시트 (10) 를 박리 후, 제 2 점착 시트 (20) 를 잡아 늘리는 공정 (이하 「제 2 익스팬드 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 실시해도 된다. 이 경우, 제 1 점착 시트 (10) 를 잡아 늘리는 익스팬드 공정을, 제 1 익스팬드 공정이라고 부르는 경우도 있다.
제 2 익스팬드 공정에서는, 복수의 반도체 칩 (CP) 사이의 간격을 더욱 넓힌다.
제 2 점착 시트 (20) 가 본 실시형태에 관련된 점착 시트인 경우, 확장 후에 있어서의 복수의 반도체 칩 (CP) 의 정렬성이 향상된다.
제 2 익스팬드 공정에 있어서 제 2 점착 시트 (20) 를 잡아 늘리는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 2 익스팬드 공정도, 제 1 익스팬드 공정과 동일하게 실시할 수 있다.
또한, 제 2 익스팬드 공정 후의 반도체 칩 (CP) 사이의 간격을 D2 로 한다. 거리 (D2) 로는, 반도체 칩 (CP) 의 사이즈에 따라 다르기 때문에 특별히 제한되지 않지만, 거리 (D2) 는 거리 (D1) 보다 크다. 거리 (D2) 로는, 예를 들어, 각각 독립적으로 200 ㎛ 이상, 6000 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
도 2c 에는, 제 2 점착 시트 (20) 에 첩착되어 있던 복수의 반도체 칩 (CP) 을, 제 3 점착 시트 (30) 에 전사하는 공정 (이하 「전사 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 설명하는 도면이 나타나 있다. 제 2 점착 시트 (20) 가 본 실시형태에 관련된 점착 시트인 경우, 반도체 칩 (CP) 의 풀 잔류를 억제할 수 있다.
도 2c 에는, 제 2 익스팬드 공정을 실시하지 않고, 제 2 점착 시트 (20) 로부터 제 3 점착 시트 (30) 에 전사한 상태가 나타나 있다. 제 3 점착 시트 (30) 는, 복수의 반도체 칩 (CP) 을 유지할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.
제 2 점착 시트 (20) 로부터 제 3 점착 시트(30) 에 전사된 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 반도체 칩 (CP) 사이의 거리 (D1) 가 유지되어 있는 것이 바람직하다. 제 2 익스팬드 공정을 실시한 경우에는, 반도체 칩 (CP) 사이의 거리 (D2) 가 유지되어 있는 것이 바람직하다.
제 1 익스팬드 공정 후, 전사 공정 및 익스팬드 공정을 임의의 횟수 반복함으로써, 반도체 칩 (CP) 사이의 거리를 원하는 거리로 하고, 반도체 칩 (CP) 을 봉지할 때의 회로면의 방향을 원하는 방향으로 할 수 있다.
제 3 점착 시트 (30) 상의 복수의 반도체 칩 (CP) 을 봉지하고자 하는 경우에는, 제 3 점착 시트 (30) 로서, 봉지 공정용의 점착 시트를 사용하는 것이 바람직하고, 내열성을 갖는 점착 시트를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
제 3 점착 시트 (30) 는, 제 3 기재 (31) 와, 제 4 점착제층 (32) 을 갖는다.
또, 제 3 점착 시트 (30) 로서 내열성을 갖는 점착 시트를 사용하는 경우에는, 제 3 기재 (31) 및 제 4 점착제층 (32) 은, 각각, 봉지 공정에서 부과되는 온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 제 3 점착 시트 (30) 의 다른 양태로는, 제 3 기재, 제 3 점착제층, 및 제 4 점착제층을 구비한 점착 시트를 들 수 있다. 이 점착 시트는, 제 3 점착제층과 제 4 점착제층의 사이에 제 3 기재를 포함하고, 제 3 기재의 양면에 점착제층을 갖는다.
제 2 점착 시트 (20) 로부터 제 3 점착 시트 (30) 에 전사된 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 회로면 (W1) 을 제 4 점착제층 (32) 을 향하게 하여 첩착되어 있다.
도 2d 에는, 봉지 부재 (60) 를 사용하여 복수의 반도체 칩 (CP) 을 봉지하는 공정 (이하 「봉지 공정」이라고 하는 경우가 있다) 을 설명하는 도면이 나타나 있다.
본 실시형태에 있어서, 봉지 공정은, 복수의 반도체 칩 (CP) 이 제 3 점착 시트 (30) 에 전사된 후에 실시된다.
봉지 공정에 있어서, 회로면 (W1) 이 제 3 점착 시트 (30) 에 보호된 상태에서, 복수의 반도체 칩 (CP) 을 봉지 부재 (60) 에 의해 덮음으로써 봉지체 (3) 가 형성된다. 복수의 반도체 칩 (CP) 의 사이에도 봉지 부재 (60) 가 충전되어 있다. 제 3 점착 시트 (30) 에 의해 회로면 (W1) 및 회로 (W2) 가 덮여 있기 때문에, 봉지 부재 (60) 로 회로면 (W1) 이 덮이는 것을 방지할 수 있다.
봉지 공정에 의해, 소정 거리씩 이간된 복수의 반도체 칩 (CP) 이 봉지 부재 (60) 에 매립된 봉지체 (3) 가 얻어진다. 봉지 공정에 있어서는, 복수의 반도체 칩 (CP) 은, 익스팬드 공정을 실시한 후의 거리 (D1) 가 유지된 상태로, 봉지 부재 (60) 에 의해 덮이는 것이 바람직하다.
봉지 공정 후, 제 3 점착 시트 (30) 를 박리한다. 반도체 칩 (CP) 의 회로면 (W1) 및 봉지체 (3) 의 제 3 점착 시트 (30) 와 접촉하고 있던 면 (3A) 이 노출된다.
봉지체 (3) 로부터 점착 시트를 박리한 후, 이 봉지체 (3) 에 대하여, 반도체 칩 (CP) 과 전기적으로 접속하는 재배선층을 형성하는 재배선층 형성 공정과, 재배선층과 외부 단자 전극을 전기적으로 접속하는 접속 공정이 차례로 실시된다. 재배선층 형성 공정 및 외부 단자 전극과의 접속 공정에 의해, 반도체 칩 (CP) 의 회로와 외부 단자 전극이 전기적으로 접속된다.
외부 단자 전극이 접속된 봉지체 (3) 를 반도체 칩 (CP) 단위로 개편화한다. 봉지체 (3) 를 개편화시키는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 봉지체 (3) 를 개편화함으로써, 반도체 칩 (CP) 단위의 반도체 패키지가 제조된다. 반도체 칩 (CP) 의 영역 외에 팬 아웃시킨 외부 전극을 접속시킨 반도체 패키지는, 팬 아웃형의 웨이퍼 레벨 패키지 (FO-WLP) 로서 제조된다.
본 실시형태에 관련된 점착 시트에 의하면, 익스팬드 공정에서의 확장 후의 정렬성을 향상시키고, 또한 풀 잔류를 억제할 수 있다. 그 때문에, 이상 설명한 바와 같은, 복수의 반도체 칩의 간격을 크게 넓히고, 확장 후에 있어서의 복수의 반도체 칩의 위치 어긋남을 억제할 필요가 있는 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.
[실시형태의 변형]
본 발명은, 상기 서술한 실시형태에 하등 한정되지 않는다. 본 발명은, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서, 상기 서술한 실시형태를 변형한 양태 등을 포함한다.
예를 들어, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩에 있어서의 회로 등은, 도시한 배열이나 형상 등에 한정되지 않는다. 반도체 패키지에 있어서의 외부 단자 전극과의 접속 구조 등도, 전술한 실시형태에서 설명한 양태에 한정되지 않는다. 전술한 실시형태에서는, FO-WLP 타입의 반도체 패키지를 제조하는 양태를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 팬-인형의 WLP 등의 그 밖의 반도체 패키지를 제조하는 양태에도 적용할 수 있다.
상기 서술한 제 1 양태에 관련된 FO-WLP 의 제조 방법은, 일부의 공정을 변경하거나, 일부의 공정을 생략하거나 해도 된다.
상기 실시형태에서는, 상기 실시형태에 관련된 점착제층이 제 1 기재면 및 제 2 기재면의 일방의 면에 형성되고, 타방의 면에는 점착제층이 형성되어 있지 않은 양태의 점착 시트를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이러한 양태에 한정되지 않는다.
예를 들어, 기재의 양면에 점착제층이 형성된 점착 시트를 들 수 있고, 적어도 일방의 점착제층이, 상기 실시형태에 관련된 점착제층이다.
예를 들어, 도 4 에는, 점착 시트 (10A) 가 도시되어 있다. 점착 시트 (10A) 는, 기재 (110) 와, 제 1 점착제층 (12) 과, 제 2 점착제층 (13) 을 갖는다. 점착 시트 (10A) 는, 제 1 점착제층 (12) 과 제 2 점착제층 (13) 사이에 기재 (110) 를 포함한다.
기재 (110) 의 제 1 기재면 (11A) 에는 제 1 점착제층 (12) 이 형성되고, 제 2 기재면 (11B) 에는 제 2 점착제층 (13) 이 형성되어 있다.
기재 (110) 는, 상기 실시형태에 있어서의 제 1 기재 (11) 와 동일하다.
제 1 점착제층 (12) 은, 상기 실시형태에 관련된 점착 시트의 점착제층에 대응한다. 제 2 점착제층 (13) 은, 특별히 한정되지 않는다.
제 1 점착제층 (12) 및 제 2 점착제층 (13) 의 조성은 동일해도 되고, 상이해도 된다.
제 1 점착제층 (12) 및 제 2 점착제층 (13) 의 두께는 동일해도 되고, 상이해도 된다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 하등 한정되지 않는다.
[점착 시트의 제작]
(실시예 1)
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메타크릴산메틸 (MMA) 20 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (2HEA) 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와 전공 주식회사 제조, 제품명 「카렌즈 MOI」(등록상표)) 를 부가한 수지 (아크릴 A) 의 용액 (점착제 주제) 을 조제하였다. 부가율은, 아크릴계 공중합체의 2HEA 100 몰％ 에 대하여, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 90 몰％ 로 하였다.
얻어진 수지 (아크릴 A) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 60 만, Mw/Mn 은 4.5 였다. 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해, 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 Mw, 및 수평균 분자량 Mn 을 측정하고, 각각의 측정값으로부터 분자량 분포 (Mw/Mn) 를 구하였다.
이 점착제 주제에, 에너지선 경화성 수지 A (사카모토 약품 공업 주식회사 제조, 제품명 「SA-TE60」), 광 중합 개시제 (IGM Resins B.V. 제조, 제품명 「Omnirad 127D」) 및 가교제 (토요켐 주식회사 제조, TMP-TDI (톨릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 어덕트체) 를 다음에 나타내는 비율로 첨가하고, 추가로 아세트산에틸을 첨가한 후, 30 분간 교반하여, 고형분 35.0 질량％ 의 점착제 조성물 A1 을 조제하였다.
점착제 주제 : 고형분 100 질량부
에너지선 경화성 수지 A : 고형분 51.4 질량부
광 중합 개시제 : 고형분 3.7 질량부
가교제 : 고형분 0.2 중량부
이어서, 조제한 점착제 조성물 A1 의 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 계 박리 필름 (린텍 주식회사 제조, 제품명 「PET752150」) 에 도포하여, 도막을 90 ℃ 에서 90 초간 건조시키고, 또한 100 ℃ 에서 90 초간 건조시켜, 두께 30 ㎛ 의 점착제층을 박리 필름 상에 형성하였다.
당해 점착제층에, 우레탄 기재 (쿠라시키 방적 주식회사 제조, 제품명 「U-1490」, 두께 100 ㎛, 경도 90 도 (A 형)) 를 첩합한 후, 폭 방향에 있어서의 단부의 불필요 부분을 재단 제거하여 점착 시트 SA1 을 제작하였다.
에너지선 경화성 수지의 성질 등을 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A (「SA-TE60」) 대신에, 에너지선 경화성 수지 B (사카모토 약품 공업 주식회사 제조, 제품명 「SA-TE6」) 를 사용한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 에 관련된 점착 시트 SA2 를 제작하였다.
(실시예 3)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A (「SA-TE60」) 대신에, 에너지선 경화성 수지 C (신나카무라 화학 공업 주식회사 제조, 제품명 「ATM-35E」) 를 사용한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 3 에 관련된 점착 시트 SA3 을 제작하였다.
(실시예 4)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A (「SA-TE60」) 대신에, 에너지선 경화성 수지 D (신나카무라 화학 공업 주식회사 제조, 제품명 「A-GLY-9E」) 를 사용한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 4 에 관련된 점착 시트 SA4 를 제작하였다.
(실시예 5)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A 를 고형분 26 질량부로 변경함으로써, 에너지선 경화성 수지의 함유율이 20 질량％ 인 점착제층을 제작한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 5 에 관련된 점착 시트 SA5 를 제작하였다.
(실시예 6)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A 를 고형분 85.14 질량부로 변경함으로써, 에너지선 경화성 수지의 함유율이 45 질량％ 인 점착제층을 제작한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 6 에 관련된 점착 시트 SA6 을 제작하였다.
(실시예 7)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A 를 고형분 22.9 질량부로 변경함으로써, 에너지선 경화성 수지의 함유율이 18 질량％ 인 점착제층을 제작한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 7 에 관련된 점착 시트 SA7 을 제작하였다.
(실시예 8)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A 를 고형분 104.3 질량부로 변경함으로써, 에너지선 경화성 수지의 함유율이 50 질량％ 인 점착제층을 제작한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 8 에 관련된 점착 시트 SA8 을 제작하였다.
(비교예 1)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A (「SA-TE60」) 대신에, 에너지선 경화성 수지 E (신나카무라 화학 공업 주식회사 제조, 제품명 「A-DOD-N」) 를 사용한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 1 에 관련된 점착 시트 R-SA1 을 제작하였다.
(비교예 2)
실시예 1 에 관련된 점착 시트 SA1 의 제작에 있어서, 에너지선 경화성 수지 A (「SA-TE60」) 대신에, 에너지선 경화성 수지 F (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 제품명 「UV-5806」) 를 사용한 것 이외에, 실시예 1 과 동일하게 하여, 비교예 2 에 관련된 점착 시트 R-SA2 를 제작하였다.
[점착 시트의 평가]
제작한 점착 시트에 대해서, 이하의 평가를 실시하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
(정렬성의 평가 방법)
실시예 1 ∼ 8 및 비교예 1 ∼ 2 에서 제작한 점착 시트를 210 ㎜ × 210 ㎜ 로 절단하여 시험용 점착 시트를 얻었다. 이 때, 재단 후의 시트의 각 변이, 점착 시트에 있어서의 기재의 MD 방향과 평행 또는 수직이 되도록 재단하였다.
실리콘 웨이퍼를 다이싱하여, 3 ㎜ × 3 ㎜ 사이즈의 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열이 되도록, 합계 49 개의 칩을 잘라냈다.
시험용 점착 시트의 박리 필름을 박리하고, 노출된 점착제층의 중심부에, 상기 서술한 바와 같이 잘라낸 합계 49 개의 칩을 첩부하였다. 이 때, 칩이 X 축 방향으로 7 열, 및 Y 축 방향으로 7 열로 나란히 있고, 칩간의 거리는, X 축 방향 및 Y 축 방향 모두 35 ㎛ 였다.
다음으로, 칩이 첩부된 시험용 점착 시트를, 2 축 연신 가능한 익스팬드 장치 (이간 장치) 에 설치하였다. 도 3 에는, 당해 익스팬드 장치 (100) 를 설명하는 평면도가 도시된다. 도 3 중, X 축 및 Y 축은, 서로 직교하는 관계에 있고, 당해 X 축의 정 (正) 의 방향을 ＋X 축 방향, 당해 X 축의 부 (負) 의 방향을 －X 축 방향, 당해 Y 축의 정의 방향을 ＋Y 축 방향, 당해 Y 축의 부의 방향을 －Y 축 방향으로 한다. 시험용 점착 시트 (200) 는, 각 변이 X 축 또는 Y 축과 평행이 되도록, 익스팬드 장치 (100) 에 설치하였다. 그 결과, 시험용 점착 시트 (200) 에 있어서의 기재의 MD 방향은, X 축 또는 Y 축과 평행이 된다. 또한, 도 3 중, 칩은 생략되어 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 장치 (100) 는, ＋X 축 방향, －X 축 방향, ＋Y 축 방향, 및 －Y 축 방향의 각각에 5 개의 유지 수단 (101) (합계 20 개의 유지 수단 (101)) 을 구비한다. 각 방향에 있어서의 5 개의 유지 수단 (101) 중, 유지 수단 (101A) 은 양단에 위치하고, 유지 수단 (101C) 은 중앙에 위치하고, 유지 수단 (101B) 은 유지 수단 (101A) 과 유지 수단 (101C) 사이에 위치한다. 시험용 점착 시트 (200) 의 각 변을, 이들 유지 수단 (101) 에 의해 파지시켰다.
여기서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변은 210 ㎜ 이다. 또, 각 변에 있어서의 유지 수단 (101) 끼리의 간격은 40 ㎜ 이다. 또, 시험용 점착 시트 (200) 의 한 변에 있어서의 단부 (시트의 정점 (頂点)) 와, 당해 변에 존재하고, 당해 단부에 가장 가까운 유지 수단 (101A) 과의 간격은 25 ㎜ 이다.
·제 1 익스팬드 시험
계속해서, 유지 수단 (101) 의 각각에 대응하는, 도시되어 있지 않은 복수의 장력 부여 수단을 구동시켜, 유지 수단 (101) 을 각각 독립적으로 이동시켰다. 시험용 점착 시트의 4 변을 파지 지그로 고정시키고, X 축 방향 및 Y 축 방향으로 각각 5 ㎜/s 의 속도로, 200 ㎜ 의 확장량으로 시험용 점착 시트를 익스팬드하였다. 제 1 익스팬드 시험의 결과, 시험용 점착 시트의 면적은, 익스팬드 전에 대하여 381 ％ 로 확장되었다. 본 실시예에 있어서는, 이 확장량 200 ㎜ 의 익스팬드 시험을, 제 1 익스팬드 시험이라고 부르는 경우가 있다. 제 1 익스팬드 시험 후에 있어서, 실시예 1 ∼ 8 에 관련된 점착 시트의 기재 및 점착제층은 파단되지 않았다.
·제 2 익스팬드 시험
전술한 제 1 익스팬드 시험에 있어서의 X 축 방향 및 Y 축 방향의 확장량을 350 ㎜ 로 변경한 것 이외에, 제 1 익스팬드 시험과 동일하게 하여 시험용 점착 시트를 익스팬드하였다. 제 2 익스팬드 시험의 결과, 시험용 점착 시트의 면적은, 익스팬드 전에 대하여 711 ％ 로 확장되었다. 본 실시예에 있어서는, 이 확장량 200 ㎜ 의 익스팬드 시험을, 제 2 익스팬드 시험이라고 부르는 경우가 있다. 또한, 제 2 익스팬드 시험은, 제 1 익스팬드 시험의 결과, 정렬성 평가가 후술하는 평가 A 인 점착 시트에 대하여 실시하였다. 제 2 익스팬드 시험 후에 있어서, 실시예 1, 2, 3, 5, 6 및 8 에 관련된 점착 시트의 기재 및 점착제층은 파단되지 않았다.
제 1 익스팬드 시험 또는 제 2 익스팬드 시험에 의해 시험용 점착 시트를 확장한 후, 링 프레임에 의해 시험용 점착 시트 (200) 의 확장 상태를 유지하였다.
확장 상태를 유지한 상태에서, 칩끼리의 위치 관계에 기초하여 칩간 거리의 표준 편차를 산출함으로써, 정렬성을 평가하였다. 구체적으로는, 각 칩의 모서리로부터, 칩의 중심을 구하고, 이웃하는 칩의 중심간 거리를 측정하였다. 그 중심간 거리로부터, 칩의 변의 길이인 3 ㎜ 를 빼고, 칩간 거리로 하였다. 시험용 점착 시트 상의 칩의 위치는, CNC 화상 측정기 (주식회사 미츠토요 제조, 제품명 「Vision ACCEL」) 를 사용하여 측정하였다. 표준 편차는, JMP 사 제조의 데이터 분석 소프트웨어 JMP13 을 사용하여 산출하였다. 정렬성의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 또는 평가 B 를 합격으로 판정하였다.
·정렬성의 평가 기준
평가 A : 표준 편차가 100 ㎛ 이하
평가 B : 표준 편차가 200 ㎛ 이하
평가 C : 표준 편차가 201 ㎛ 이상
(풀 잔류의 평가 방법)
전술한 정렬성의 평가에 있어서의 제 1 익스팬드 시험으로 시험용 점착 시트를 확장한 후에, 다음의 조사 조건으로 자외선을 조사하였다.
·자외선 조사 조건 : 220 ㎽/㎠, 160 mJ/㎠
자외선 조사 후, 린텍 주식회사 제조 UV 경화형 테이프 D-218 을 사용하여 칩을 시험용 점착 시트로부터 박리하였다.
점착제층과 접하고 있던 칩 표면을 디지털 현미경 (주식회사 키엔스 제조, 제품명 「VHX-1000」) 을 사용하여 광학 100 배로 확인하였다.
풀 잔류의 유무의 판정 기준으로는, 1 칩 내에, 1 개 이상, 풀 잔류가 있으면, 풀 잔류 칩으로서 카운트하였다. 풀 잔류의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 또는 평가 B 를 합격으로 판정하였다.
·풀 잔류의 평가 기준
평가 A : 모든 칩에 풀 잔류 없음
평가 B : 풀 잔류 칩의 발생 비율이 40 ％ 이하
평가 C : 풀 잔류 칩의 발생 비율이 41 ％ 이상
(점착제의 삼출 (渗出) 평가 방법)
전술한 실시예 또는 비교예에 있어서 제작한 점착제 조성물, 장척상의 박리 필름 및 우레탄 기재를 사용하여, 장척상의 점착 시트의 롤 샘플을 제작하였다. 이어서, 당해 롤 샘플로부터 풀어낸 점착 시트를 35 ㎜ 폭으로 재단하고, 재단한 점착 시트를 25 m 분, 3 inch 의 ABS 코어에 권취하여, 시험용 롤 샘플을 얻었다. 이 시험용 롤 샘플을 40 ℃ 의 항온조에 48 시간 가만히 정지시켜 두고, 재단면의 상태를 촉진 시험하였다. 점착제의 삼출의 평가 기준은, 다음과 같이 설정하였다. 본 실시예에 있어서는, 평가 A 를 합격으로 판정하였다.
·삼출의 평가 기준
평가 A : 재단면에 택감 없음
평가 B : 재단면에 택감 있음
Figure pct00014
표 1 중의 기호의 설명은, 다음과 같다.
EG : 에틸렌글리콜
EG 유닛수 MEG : 에너지선 경화성 수지가 1 분자당 갖는 에틸렌글리콜 단위의 총수
UV 경화성 관능기의 수 MUV : 에너지선 경화성 수지가 1 분자당 갖는 에너지선 경화성 (본 실시예에서는 자외선 경화성) 의 관능기의 총수
MEG/MUV : 에너지선 (UV) 경화성 관능기당의 에틸렌글리콜 (EG) 단위수
표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 8 에 관련된 점착 시트의 점착제층은, 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는 에너지선 경화성 수지를 함유하고 있으므로, 실시예 1 ∼ 8 에 관련된 점착 시트는, 정렬성이 우수하고, 풀 잔류가 적은 점착 시트였다.
10 : 제 1 점착 시트
11 : 제 1 기재
12 : 제 1 점착제층
13 : 제 2 점착제층
110 : 기재

Claims (10)

  1. 기재와, 점착제층을 갖고,
    상기 점착제층은, 에너지선 경화성 수지를 함유하고,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는, 점착 시트.
    Figure pct00015

    (상기 일반식 (11) 중, m 은 1 이상이다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 추가로, 에너지선 경화성의 관능기를 3 이상 갖는, 점착 시트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지가 갖는 에틸렌글리콜 단위의 총수 MEG 와, 상기 에너지선 경화성 수지가 갖는 상기 에너지선 경화성의 관능기의 총수 MUV 의 비 MEG/MUV 가, 1 이상 15 이하인, 점착 시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 추가로, 글리세린 골격을 1 이상 갖는, 점착 시트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (12) 로 나타내는, 점착 시트.
    Figure pct00016

    (상기 일반식 (12) 중,
    n 은 1 이상이고,
    R1, R2 및 R3 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 원자, 또는 기이고,
    R1, R2 및 R3 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는, 점착 시트.
    Figure pct00017

    (상기 일반식 (13) 중,
    n 은 1 이상이고,
    R11, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
    m1, m2 및 m3 은, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (14) 로 나타내는, 점착 시트.
    Figure pct00018

    (상기 일반식 (14) 중,
    R21, R22, R23 및 R24 는, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
    R21, R22, R23 및 R24 중, 적어도 1 개는, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 에틸렌글리콜 단위를 1 이상 갖는다.)
  8. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 에너지선 경화성 수지는, 하기 일반식 (15) 로 나타내는, 점착 시트.
    Figure pct00019

    (상기 일반식 (15) 중,
    R25, R26, R27 및 R28 은, 각각 독립적으로, 상기 에너지선 경화성 수지의 분자 중의 다른 원자, 또는 기이고,
    m21, m22, m23 및 m24 는, 각각 독립적으로 1 이상이다.)
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층은, 상기 에너지선 경화성 수지를 당해 점착제층의 고형분의 전체량에 대하여 15 질량％ 이상, 55 질량％ 이하 함유하는, 점착 시트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착 시트를, 제 1 방향, 상기 제 1 방향과는 반대 방향인 제 2 방향, 상기 제 1 방향에 대하여 연직 방향인 제 3 방향, 및 상기 제 3 방향과는 반대 방향인 제 4 방향으로 신장시켜, 신장 전의 상기 점착 시트의 면적 S1 과, 신장 후의 상기 점착 시트의 면적 S2 의 면적비 (S2/S1) × 100 이 300 ％ 일 때에, 상기 기재 및 상기 점착제층이 파단되지 않는, 점착 시트.
KR1020227011324A 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트 KR20220080092A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019183566 2019-10-04
JPJP-P-2019-183566 2019-10-04
PCT/JP2020/020329 WO2021065072A1 (ja) 2019-10-04 2020-05-22 粘着シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220080092A true KR20220080092A (ko) 2022-06-14

Family

ID=75337973

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011333A KR20220080093A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트
KR1020227011032A KR20220075341A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법
KR1020227011324A KR20220080092A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011333A KR20220080093A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트
KR1020227011032A KR20220075341A (ko) 2019-10-04 2020-05-22 점착 시트 및 점착 시트의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (5) JPWO2021065073A1 (ko)
KR (3) KR20220080093A (ko)
CN (3) CN114514295B (ko)
TW (4) TW202122532A (ko)
WO (5) WO2021065070A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7188658B1 (ja) * 2021-09-27 2022-12-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010058646A1 (ja) 2008-11-21 2010-05-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体パッケージおよびその製造方法
WO2018003312A1 (ja) 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 半導体加工用シート

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3723278B2 (ja) * 1996-05-21 2005-12-07 日東電工株式会社 レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法
JP2006152072A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Teijin Chem Ltd 半導体製造用帯電防止性フィルムおよびその製造方法
JP2009064975A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート及びダイシング方法
JP5069662B2 (ja) * 2007-11-12 2012-11-07 リンテック株式会社 粘着シート
JP2010229342A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Lintec Corp 光学用粘着剤、光学用粘着シート及び粘着剤付き光学部材
WO2012124389A1 (ja) * 2011-03-17 2012-09-20 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型粘着剤および粘着シート
JP2014043548A (ja) * 2012-07-31 2014-03-13 Nitto Denko Corp 粘着剤組成物、粘着剤層、粘着シート及び光学フィルム
JP6207192B2 (ja) * 2013-03-25 2017-10-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シート
JP6377322B2 (ja) * 2013-05-30 2018-08-22 住友化学株式会社 光学フィルム積層体及びそれを用いた複合偏光板
WO2015002270A1 (ja) * 2013-07-05 2015-01-08 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6424205B2 (ja) * 2014-03-03 2018-11-14 リンテック株式会社 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
JP6156443B2 (ja) * 2014-08-13 2017-07-05 Jsr株式会社 積層体および基材の処理方法
CN107078039B (zh) * 2015-03-03 2020-11-10 琳得科株式会社 半导体加工用片材
JP7052726B2 (ja) * 2016-12-07 2022-04-12 三菱ケミカル株式会社 粘着シート及びその製造方法
JP6791792B2 (ja) * 2017-03-23 2020-11-25 リンテック株式会社 粘着フィルムおよびその製造方法
WO2018181511A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シートの剥離方法
JP6350845B1 (ja) * 2018-01-29 2018-07-04 サイデン化学株式会社 粘着剤組成物、粘着シート、及び粘着剤の製造方法
JP7256787B2 (ja) * 2018-03-07 2023-04-12 リンテック株式会社 粘着シート
JP2018115331A (ja) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2018115333A (ja) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 粘着テープおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010058646A1 (ja) 2008-11-21 2010-05-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体パッケージおよびその製造方法
WO2018003312A1 (ja) 2016-06-30 2018-01-04 リンテック株式会社 半導体加工用シート

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021065070A1 (ko) 2021-04-08
KR20220075341A (ko) 2022-06-08
WO2021065074A1 (ja) 2021-04-08
CN114514296B (zh) 2024-03-29
CN114514295A (zh) 2022-05-17
TW202122534A (zh) 2021-06-16
TW202115214A (zh) 2021-04-16
JPWO2021065071A1 (ko) 2021-04-08
WO2021065072A1 (ja) 2021-04-08
KR20220080093A (ko) 2022-06-14
WO2021065073A1 (ja) 2021-04-08
JPWO2021065072A1 (ko) 2021-04-08
CN114502679A (zh) 2022-05-13
JPWO2021065074A1 (ko) 2021-04-08
WO2021065070A1 (ja) 2021-04-08
JPWO2021065073A1 (ko) 2021-04-08
TW202122533A (zh) 2021-06-16
WO2021065071A1 (ja) 2021-04-08
CN114514296A (zh) 2022-05-17
TW202116947A (zh) 2021-05-01
CN114514295B (zh) 2024-02-06
TW202122532A (zh) 2021-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI750171B (zh) 半導體加工用板片及半導體裝置的製造方法
JP7256788B2 (ja) 粘着シート
JP7256787B2 (ja) 粘着シート
KR20220080092A (ko) 점착 시트
JP7256786B2 (ja) 粘着シート
JP7267990B2 (ja) エキスパンド方法、半導体装置の製造方法、及び粘着シート
JP7438990B2 (ja) エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法
TWI837291B (zh) 擴展方法及半導體裝置之製造方法
WO2020158770A1 (ja) エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法