KR20210090205A - 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스 - Google Patents

패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20210090205A
KR20210090205A KR1020217016859A KR20217016859A KR20210090205A KR 20210090205 A KR20210090205 A KR 20210090205A KR 1020217016859 A KR1020217016859 A KR 1020217016859A KR 20217016859 A KR20217016859 A KR 20217016859A KR 20210090205 A KR20210090205 A KR 20210090205A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
bis
preferable
compound
cyclopentadienyl
Prior art date
Application number
KR1020217016859A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102636334B1 (ko
Inventor
켄타 야마자키
토시히데 아오시마
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20210090205A publication Critical patent/KR20210090205A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102636334B1 publication Critical patent/KR102636334B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H01L2224/21—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms of an individual HDI interconnect
    • H01L2224/214—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H01L2224/21—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms of an individual HDI interconnect
    • H01L2224/215—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/07—Polyamine or polyimide
    • H01L2924/07025—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

감광막을 레이저광에 의하여 노광하는 노광 공정과, 상기 노광 후의 상기 감광막을 현상하여 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하고, 상기 감광막이, 폴리이미드 전구체와 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체, 및 오늄염을 포함하는, 패턴 형성 방법.

Description

패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스
본 발명은, 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스에 관한 것이다.
종래, 반도체 소자의 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤즈옥사졸 수지 등이 이용되고 있다. 그러나, 최근 반도체 소자의 고집적화, 대형화가 진행되는 가운데, 밀봉 수지 패키지의 박형화, 소형화의 요구가 있어 LOC(Lead On Chip)나 땜납 리플로법을 이용한 표면 실장 등의 방식이 취해져 오고 있다.
최근, 반도체 패키징용의 재료로서의 수요가 높아지고 있다. 반도체 장치에 있어서의 반도체 패키지 수법에는, 다양한 방법이 있다. 예를 들면, 반도체 소자를 하나의 면을 제외하고 밀봉재(몰드 수지)로 덮어 소자 밀봉재를 형성하고, 또한 반도체 소자의 밀봉재로 덮여 있지 않은 면에 재배선층을 형성한다. 반도체 패키지 수법 중에서도, 최근, 팬 아웃(Fan-Out)이라고 하는 반도체 패키지 수법이 주류로 되어 있다.
도 1은, 팬 아웃형의 반도체 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 1 중, 반도체 장치(1)는, 반도체 칩(2)과, 반도체 칩(2)을 덮는 밀봉제(3)와, 반도체 칩(2) 및 밀봉제(3)와 밀착하는 재배선층(4)을 구비한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 밀봉제(3)는, 반도체 칩(2)의 표면을 덮음과 함께, 평면시(A 화살표)에서, 반도체 칩(2)의 영역보다 큰 면적으로 형성되어 있다.
재배선층(4)은, 반도체 칩(2)에 마련된 복수의 단자(2a)에 전기적으로 접속되는 복수의 배선(5)과, 배선(5)의 사이를 매우는 층간 절연막(5)을 구비한다. 반도체 칩(2)에 마련된 복수의 단자(2a)와 재배선층(4) 내의 배선(5)은 전기적으로 접속되어 있다. 배선(5)의 일단이 단자(2a)에 접속되고, 타단이 외부 접속 단자(7)에 접속된다. 단자(2a)와 외부 접속 단자(7)의 사이의 배선(5)은 전면(全面)에 걸쳐 층간 절연막(6)에 의하여 덮여 있다.
이와 같이, 팬 아웃형에 의하면 칩 사이즈보다 큰 영역이 되도록 반도체 소자(반도체 칩)를 밀봉재로 덮어 소자 밀봉체를 형성하고, 또한 반도체 칩 및 밀봉재의 영역에까지 미치는 재배선층을 형성할 수 있다. 재배선층은 얇고, 또 밀봉재의 영역까지 재배선층의 형성 영역에 사용할 수 있기 때문에 외부 접속 단자의 수를 많게 할 수 있다. 웨이퍼 레벨의 팬 아웃(FOWLP)뿐만 아니라, 패널 레벨의 팬 아웃(FOPLP)의 검토도 행해지고 있다.
또, 이와 같은 반도체 칩 및 반도체 패키징용의 재료에 대하여, 통신 분야나 차재 분야에 있어서의 수요 확대에 따른 수요 증가도 전망되고 있다.
이와 같은 반도체 소자의 제작에는, 폴리이미드 수지의 전구체(폴리이미드 전구체) 및 폴리벤즈옥사졸 전구체(폴리벤즈옥사졸 전구체)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체를 포함하는 감광성 수지 조성물이 이용되는 경우가 있다. 상기 감광성 수지 조성물을 이용함으로써, 패턴 형성 공정을 간략화할 수 있는 등의 메리트가 생각된다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 복소환 함유 폴리머 전구체와, 열염기 발생제와, 제4족 원소를 포함하는 유기 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.
또, 특허문헌 2에는, (A) 수지, (B) 에틸렌성 불포화 화합물, (C) 광중합 개시제, 및 (D) 싸이올 화합물을 포함하는 자외광 레이저 노광용 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.
특허문헌 1: 국제 공개공보 제2018/025738호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2010-039475호
얻어지는 경화막의 표면의 평활성의 향상(표면 조도(表面粗度)의 저하)을 목적으로 하여, 폴리이미드 전구체 등의 전구체를 포함하는 감광막에 대한 노광을, 레이저광을 이용하여 행하는 것이 생각된다.
그러나, 레이저광을 이용한 노광을 행한 경우, 조도(照度)의 강도 등의 이유로, 상기 감광막에 있어서의 폴리머가 분해되는 등의 대미지를 받는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 이 결과, 감광막을 경화하여 얻어지는 경화막의 내(耐)약품성이 저하되는 경우가 있는 것을 알 수 있었다.
본 발명은, 표면의 평활성, 및 내약품성이 우수한 경화막을 제조할 수 있는 패턴 형성 방법, 상기 패턴 형성 방법에 있어서의 감광막의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물로 형성되는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 및 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 대표적인 실시형태를 이하에 나타낸다.
<1> 감광막을 레이저광에 의하여 노광하는 노광 공정과,
상기 노광 후의 상기 감광막을 현상하여 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하고,
상기 감광막이, 폴리이미드 전구체와 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체, 및 오늄염을 포함하는, 패턴 형성 방법.
<2> 상기 레이저광의 파장이 250~550nm인, <1>에 기재된 패턴 형성 방법.
<3> 상기 감광막이 카복시기를 복수 갖는 분자량 1,000 이하의 화합물을 더 포함하는, <1> 또는 <2>에 기재된 패턴 형성 방법.
<4> 상기 감광막이 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물을 더 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<5> 상기 패턴을 가열함으로써 경화 패턴을 얻는 경화 공정을, 상기 현상 공정 후에 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<6> 상기 오늄염에 있어서의 양이온이, 테트라알킬암모늄 양이온, 설포늄 양이온 및 아이오도늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 양이온을 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<7> 상기 오늄염이 양이온으로서 암모늄 양이온을 포함하고, 상기 오늄염이 음이온으로서 공액산의 pKa가 1.8 이하인 음이온을 포함하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<8> 제4족 원소 함유 화합물을 더 포함하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<9> 상기 제4족 원소 함유 화합물이 광라디칼 발생제인, <8>에 기재된 패턴 형성 방법.
<10> 상기 제4족 원소 함유 화합물이 타이타늄 원자, 지르코늄 원자 및 하프늄 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인, <8> 또는 <9>에 기재된 패턴 형성 방법.
<11> 상기 제4족 원소 함유 화합물이 메탈로센 및 메탈로센 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, <8> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<12> 상기 감광막이, 슬릿 도포에 의하여 형성된 감광막인, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<13> 상기 감광막이 직사각형 기재 상에 형성되어 있는, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법.
<14> 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체 및 오늄염을 포함하고,
<1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법에 있어서의, 상기 감광막의 형성에 이용되는, 감광성 수지 조성물.
<15> <14>에 기재된 감광성 수지 조성물로 형성되는 경화막.
<16> 재배선층용 층간 절연막으로서 이용되는, <15>에 기재된 경화막.
<17> <15> 또는 <16>에 기재된 경화막을, 2층 이상 포함하는 적층체.
<18> 상기 경화막의 사이에, 금속층을 더 포함하는, <17>에 기재된 적층체.
<19> <15> 혹은 <16>에 기재된 경화막, 또는 <17> 혹은 <18>에 기재된 적층체를 포함하는 디바이스.
본 발명에 의하면, 표면의 평활성, 및 내약품성이 우수한 경화막을 제조할 수 있는 패턴 형성 방법, 상기 패턴 형성 방법에 있어서의 감광막의 형성에 이용되는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물로 형성되는 경화막, 상기 경화막을 포함하는 적층체, 및 상기 경화막 또는 상기 적층체를 포함하는 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 팬 아웃형의 반도체 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다.
본 명세서에 있어서, "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.
본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함한다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.
본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 노광뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 노광에 포함시킨다. 또, 노광에 이용되는 광으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X선, 전자선 등의 활성광선 또는 방사선을 들 수 있다.
본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일의 쌍방, 또는 어느 하나를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, Bu는 뷰틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 전고형분이란, 조성물의 전체 성분으로부터 용제를 제외한 성분의 총 질량을 말한다. 또 본 명세서에 있어서, 고형분 농도란, 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율이다.
본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 그 공정의 소기 작용이 달성되면, 본 용어에 포함된다.
본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220GPC(도소(주)제)를 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 그들의 분자량은 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, GPC 측정에 있어서의 검출은 특별히 설명하지 않는 한, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.
본 명세서에 있어서, 특별한 기재가 없는 한, 조성물은, 조성물에 포함되는 각 성분으로서, 그 성분에 해당하는 2종 이상의 화합물을 포함해도 된다. 또, 특별한 기재가 없는 한, 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량이란, 그 성분에 해당하는 모든 화합물의 합계 함유량을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 특별한 기재가 없는 한, 구조식 중의 파선부 또는 *(애스터리스크)는 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
본 발명에 있어서의 비점 측정 시의 기압은, 특별히 설명하지 않는 한, 101325Pa(1기압)로 한다. 본 발명에 있어서의 온도는, 특별히 설명하지 않는 한, 23℃로 한다. 본 발명에 있어서의 습도는, 특별히 설명하지 않는 한, 상대 습도 50%RH로 한다.
본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.
(패턴 형성 방법)
본 발명의 패턴 형성 방법은, 감광막을 레이저광에 의하여 노광하는 노광 공정과, 상기 노광 후의 상기 감광막을 현상하여 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하고, 상기 감광막이, 폴리이미드 전구체와 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체, 및 오늄염을 포함한다.
본 발명의 패턴 형성 방법은, 표면의 평활성, 및 내약품성이 우수한 경화막이 얻어진다.
상기 효과가 얻어지는 이유는 명확하지 않지만, 하기와 같이 추측된다.
노광 공정에 있어서 레이저광을 이용함으로써, 패턴 표면의 경화가 신속하게 행해지기 때문에, 얻어지는 경화막의 표면의 평활성이 우수하다고 생각된다.
그러나, 노광 공정에 있어서 레이저광을 이용한 경우, 상술과 같이, 감광막에 포함되는 폴리머(예를 들면, 상기 전구체 등)가 대미지를 받는 등의 이유에 의하여, 얻어지는 내약품성이 저하되는 경우가 있다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서는, 오늄염이 감광막에 포함된다. 상기 오늄염은 경도가 높은 저분자 화합물이기 때문에, 오늄염을 포함하는 감광막을 이용한 경우에는, 경화막에 있어서의 막강도가 향상되고, 감광막에 오늄염이 포함됨으로써 가열 시의 전구체의 경화가 촉진되는, 등의 이유에 의하여, 노광 공정에 있어서 레이저광을 이용한 경우이더라도 내약품성이 우수한 경화막이 얻어진다고 추측된다.
또, 노광 공정에 있어서 레이저광을 이용한 경우, 레이저광의 에너지가 높기 때문에, 감광막의 표면은 신속하게 경화되지만, 내부의 경화에는 시간이 걸리는 경우가 있다. 이와 같은 경우에 있어서는, 감광막의 내부의 경화가 불충분해져, 얻어지는 경화막의 기계적 강도가 저하되는 경우가 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 상술한 오늄염에 의한 막강도의 향상, 전구체의 경화의 촉진 등의 이유에 의하여, 노광 공정에 있어서 레이저광을 이용한 경우이더라도, 기계적 강도가 높은 경화막이 얻어지기 쉽다고 생각된다.
특허문헌 1에는, 폴리이미드 전구체 등을 이용한 패턴 형성 방법에 대해서는 기재되어 있지만, 노광 공정에 있어서 레이저광을 이용하고, 또한 감광막이 오늄염을 포함함으로써, 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수하다는 본 발명의 기술 사상에 대해서는, 기재도 시사도 없다.
또 특허문헌 2에는, 노광을 레이저광을 이용하여 행하는 것에 대해서는 기재되어 있지만, 폴리이미드 전구체 등을 포함하는 감광막을 이용한 패턴 형성 방법에 대해서는 기재되어 있지 않다. 하물며, 감광막이 이들 전구체 등과 오늄염을 포함하는 양태, 및 상기 양태에 의하여 얻어지는 경화막의 내약품성이 우수하다는 효과가 나타나는 것에 대해서는, 기재도 시사도 없다.
이하, 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 각 공정의 상세에 대하여 설명한다.
<노광 공정>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 노광 공정을 포함한다.
노광 공정에 있어서는, 감광막의 적어도 일부가 레이저광에 의하여 노광된다.
레이저는 영어의 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(유도 방출에 의한 광의 증폭)의 머리글자이다. 반전 분포를 가진 물질 중에서 일어나는 유도 방출의 현상을 이용하고, 광파의 증폭, 발진에 의하여 간섭성과 지향성이 한층 강한 단색광을 만들어 내는 발진기 및 증폭기, 여기 매체로서 결정, 유리, 액체, 색소, 기체 등이 있으며, 이들의 매질(媒質)로부터 고체 레이저, 액체 레이저, 기체 레이저, 반도체 레이저 등의 공지의 자외광에 발진 파장을 갖는 레이저를 이용할 수 있다. 그중에서도, 레이저의 출력 및 발진 파장의 관점에서, 반도체 레이저, 고체 레이저, 가스 레이저가 바람직하다.
노광에 레이저광을 이용함으로써, 얻어지는 경화막의 표면 조도가 저하한다. 또, 경화가 신속하게 진행되는 등의 이유에 의하여, 패턴의 생산성이 우수하기 쉽다고 생각된다.
노광 광원으로서 레이저 광원을 이용하는 경우, 감광성 수지 조성물의 취급 용이성 등의 관점에서는, 레이저광의 파장은, 250~550nm가 바람직하고, 350~450nm가 보다 바람직하다.
구체적으로는, 특히 출력이 크고, 비교적 저가의 고체 레이저인 Nd:YAG 레이저의 제2 고조파(532nm), 제3 고조파(355nm)나, 엑시머 레이저인 XeCl(308nm), XeF(353nm), 반도체 레이저(405nm)를 적합하게 이용할 수 있다.
노광 공정에 있어서의 노광량으로서는, 50mJ/cm2~3,000mJ/cm2의 범위가 바람직하고, 75mJ/cm2~2,000mJ/cm2의 범위가 보다 바람직하며, 100mJ/cm2~1,000mJ/cm2의 범위가 특히 바람직하다. 노광량이 이 범위이면, 생산성과 해상성의 점에서 바람직하다.
레이저광은 광의 평행도가 양호하기 때문에, 조사 부위(레이저의 스폿 직경, 조사폭 등)를 작게 하는 것이 가능하다. 그 때문에, 레이저광을 이용하여, 감광막 또는 레이저 광원을 이동하는 등의 방법에 의하여, 노광 시에 포토마스크를 사용하지 않고 패턴 노광(다이렉트 노광)을 행하는 것이 가능하다. 이와 같은 양태에 의하면, 포토마스크의 설계, 제작, 설치, 제거 등의 공정을 생략할 수 있기 때문에, 생산성이 더 우수하다고 생각된다.
또, 얻어지는 패턴 형상에 있어서의 출력광의 형상 또는 프로파일의 영향 등을 억제하고 싶은 경우에는, 레이저광을 광원으로 한 경우이더라도, 포토마스크를 이용하여 패턴 노광을 행하는 것도 바람직한 양태이다. 또, 패턴 노광 이외에, 또 다른 노광을 행해도 된다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서 이용되는 감광막은, 예를 들면 기재 등의 부재에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 부여하여, 건조하는 등의 방법에 의하여 제조한 것을 이용해도 되고, 구입 등에 의하여 입수한 것을 사용해도 된다.
즉, 본 발명의 패턴 형성 방법은, 노광 공정 전에 감광막을 형성하는 공정(감광막 형성 공정)을 포함해도 되고, 포함하지 않아도 된다. 상기 감광막 및 상기 감광막 형성 공정의 상세에 대해서는 후술한다.
또, 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서 이용되는 감광막은, 기재 상에 형성된 감광막인 것이 바람직하다.
기재의 종류는, 용도에 따라 적절히 정할 수 있지만, 실리콘, 질화 실리콘, 폴리 실리콘, 산화 실리콘, 어모퍼스 실리콘 등의 반도체 제작 기재, 석영, 유리, 광학 필름, 세라믹 재료, 증착막, 자성막, 반사막, Ni, Cu, Cr, Fe 등의 금속 기재, 종이, SOG(Spin On Glass), TFT(박막 트랜지스터) 어레이 기재, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극판 등 특별히 제약되지 않는다.
본 발명에서는, 특히, 반도체 제작 기재가 바람직하고, 실리콘 기재가 보다 바람직하다.
또, 이들 기재에는 표면에 밀착층이나 산화층 등의 층이 마련되어 있어도 된다.
또, 기재의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원형상이어도 되며 직사각형상이어도 되지만, 직사각형상인 것이 바람직하다.
기재의 사이즈로서는, 원형상이면, 예를 들면 직경이 100~450mm이고, 바람직하게는 200~450mm이다. 직사각형상이면, 예를 들면 단변의 길이가 100~1000mm이고, 바람직하게는 200~700mm이다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서 이용되는 감광막은, 도포에 의하여 형성된 감광막인 것이 바람직하다.
상기 도포의 수단으로서는, 슬릿 도포(슬릿 코트), 잉크젯법, 회전 도포(스핀 코트), 유연(流延) 도포(캐스트 코트), 롤 도포, 스크린 인쇄법 등의 각종 도포 등의 부여 방법을 적용할 수 있다. 그중에서도 회전 도포, 또는 슬릿 도포가 정밀도와 속도의 관점에서 바람직하고, 슬릿 도포가 보다 바람직하다.
또, 감광막은, 미리 가(假)지지체 상에 상기 부여 방법에 의하여 부여하여 형성한 도막을, 기재 상에 전사(轉寫)하는 방법에 의하여 형성된 것인 것이 바람직하다.
전사 방법에 관해서는 일본 공개특허공보 2006-023696호의 단락 0023, 0036~0051이나, 일본 공개특허공보 2006-047592호의 단락 0096~0108에 기재된 제작 방법에 의하여 형성된 감광막을 적합하게 이용할 수 있다.
또, 상기 감광막에 포함되는 상기 오늄염은, 상기 노광 공정 후에 분해되어 있지 않은 것이 바람직하다. 오늄염이 노광 공정 후에 분해되어 있는지 아닌지는, 노광의 전후에서 후술하는 오늄염의 분해율을 산출함으로써 확인된다. 구체적으로는, 상기 오늄염의 분해율이 20% 이하인 경우에, 상기 오늄염은 노광 공정 후에 분해되지 않는 화합물이라고 판정한다. 상기 분해율은, 10% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 분해율의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0%여도 된다.
<현상 공정>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 현상 공정을 포함한다.
현상을 행함으로써, 감광막의 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거된다. 현상 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 노즐로부터의 토출, 스프레이 분무, 기재의 현상액 침지 등을 들 수 있으며, 노즐로부터의 토출이 바람직하게 이용된다. 현상 공정에는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.
현상은 현상액을 이용하여 행한다. 현상액은, 노광되어 있지 않은 부분(비노광부)이 제거되는 것이면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 현상액은, 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
또, 현상액은, 염기성 화합물을 포함하는 알칼리 수용액을 포함해도 된다.
현상액은 공지의 계면활성제를 포함해도 된다.
현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 현상액은, ClogP가 -1~5인 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하고, ClogP가 0~3인 유기 용제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. ClogP는, ChemBioDraw에서 구조식을 입력하여 계산값으로서 구할 수 있다.
현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는, 에스터류로서, 예를 들면 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸과 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등, 및 에터류로서 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및 케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및 방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드를 적합하게 들 수 있다. 또, 이들 유기 용제의 혼합물도 적합하게 들 수 있다.
현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제로서는, 특히 사이클로펜탄온, 또는 γ-뷰티로락톤이 바람직하고, 사이클로펜탄온이 보다 바람직하다.
현상액에 있어서의 유기 용제의 함유량은, 현상액의 전체 질량에 대하여, 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 70질량% 이상이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 더 바람직하다. 또, 현상액은, 100질량%가 유기 용제여도 된다.
현상액이 알칼리 수용액을 포함하는 경우, 알칼리 수용액이 포함할 수 있는 염기성 화합물로서는, TMAH(수산화 테트라메틸암모늄하이드록사이드), KOH(수산화 칼륨), 탄산 나트륨 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 TMAH이다. 현상액에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 예를 들면 TMAH를 이용하는 경우, 현상액 총량 중 0.01~10질량%가 바람직하고, 0.1~5질량%가 보다 바람직하며, 0.3~3질량%가 더 바람직하다.
현상 시간으로서는, 10초~5분이 바람직하다. 현상 시의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 통상, 20~40℃에서 행할 수 있다.
현상액을 이용한 처리 후, 린스를 더 행해도 된다. 린스는, 현상액과는 다른 용제로 행하는 것이 바람직하다. 유기 용제를 포함하는 현상액에 의한 현상에 대한 린스액으로서는, PGMEA(프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트), IPA(아이소프로판올) 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 PGMEA이다. 또, 알칼리 수용액을 포함하는 현상액에 의한 현상에 대한 린스액으로서는, 물이 바람직하다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 포함되는 용제를 이용하여 린스할 수 있다. 린스 시간은, 5초~1분이 바람직하다.
<감광막 형성 공정>
본 발명에 관한 패턴 형성 공정은, 감광막 형성 공정을 더 포함해도 된다.
상기 감광막 형성 공정에 의하여, 감광막이 얻어진다.
감광막 형성 공정에 있어서는, 후술하는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 상술한 기재 상에 적용하여, 필요에 따라 건조를 행함으로써 감광막이 형성된다.
또, 경화막 등의 수지층의 표면이나 금속층의 표면에 감광막을 형성하는 경우는, 수지층이나 금속층이 기재가 된다.
감광성 수지 조성물을 기재에 적용하는 수단으로서는, 도포가 바람직하다.
상기 도포의 수단으로서는, 상술한 부여 방법을 이용할 수 있다. 그중에서도 회전 도포, 슬릿 도포가 정밀도와 속도의 관점에서 바람직하다.
또, 상술한 전사 방법을 이용할 수도 있다.
또, 기재의 단부에 있어서 여분의 막의 제거를 행하는 공정을 행해도 된다. 이와 같은 공정의 예에는, 에지 비드 린스(EBR), 에어 나이프 등을 들 수 있다.
〔건조〕
감광막 형성 공정에 있어서는, 감광성 수지 조성물을 적용 후, 용제를 제거하기 위하여 건조를 행해도 된다. 바람직한 건조 온도는 50~150℃이고, 70℃~130℃가 보다 바람직하며, 90℃~110℃가 더 바람직하다. 건조 시간으로서는, 30초~20분이 예시되고, 1분~10분이 바람직하며, 3분~7분이 보다 바람직하다.
<경화 공정>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 상기 패턴을 가열함으로써 경화 패턴을 얻는 경화 공정을, 상기 현상 공정 후에 포함하는 것이 바람직하다.
상기 경화 공정에 의하여, 후술하는 본 발명의 경화막이 얻어진다.
경화 공정에서는, 특정 전구체의 환화 반응이 진행된다.
또, 감광층이 특정 전구체 이외의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물 등을 포함하는 경우가 있지만, 이들 화합물에 있어서의 미반응의 라디칼 중합성기의 중합 등도 진행된다.
경화 공정에 있어서의 가열 온도(최고 가열 온도)로서는, 50~450℃가 바람직하고, 140~400℃가 보다 바람직하며, 160~350℃가 더 바람직하다.
경화 공정에 있어서의, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지의 승온 속도로서는, 1~12℃/분이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다. 상기 승온 속도를 1℃/분 이상으로 함으로써, 생산성을 확보하면서, 아민의 과잉 휘발을 방지할 수 있고, 상기 승온 속도를 12℃/분 이하로 함으로써, 경화막의 잔존 응력을 완화할 수 있다.
가열 개시 시의 온도는, 20℃~150℃가 바람직하고, 20℃~130℃가 보다 바람직하며, 25℃~120℃가 더 바람직하다. 가열 개시 시의 온도는, 최고 가열 온도까지 가열하는 공정을 개시할 때의 온도를 말한다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용한 후, 건조시키는 경우, 이 건조 후의 온도이며, 예를 들면 감광성 수지 조성물에 포함되는 용제의 비점보다, 30~200℃ 낮은 온도부터 서서히 승온시키는 것이 바람직하다.
가열 시간(최고 가열 온도에서의 가열 시간)은, 10~360분인 것이 바람직하고, 20~300분인 것이 더 바람직하며, 30~240분인 것이 특히 바람직하다.
특히 다층의 적층체를 형성하는 경우, 경화막의 층간의 밀착성의 관점에서, 가열 온도는 180℃~320℃에서 가열하는 것이 바람직하고, 180℃~260℃에서 가열하는 것이 보다 바람직하다. 그 이유는 명확하지 않지만, 상기 온도 범위로 함으로써 층간의 특정 전구체의 에타인일기끼리가 가교 반응을 진행하고 있는 등의 이유가 생각된다.
가열은 단계적으로 행해도 된다. 예로서, 25℃에서 180℃까지 3℃/분으로 승온하고, 180℃에서 60분 유지하며, 180℃에서 200℃까지 2℃/분으로 승온하고, 200℃에서 120분 유지한다는 전처리 공정을 행해도 된다. 전처리 공정으로서의 가열 온도는 100~200℃가 바람직하고, 110~190℃인 것이 보다 바람직하며, 120~185℃인 것이 더 바람직하다. 이 전처리 공정에 있어서는, 미국 특허공보 제9159547호에 기재된 바와 같이 자외선을 조사하면서 처리하는 것도 바람직하다. 이와 같은 전처리 공정에 의하여 막의 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 전처리 공정은 10초간~2시간 정도의 짧은 시간으로 행하면 되고, 15초~30분간이 보다 바람직하다. 전처리는 2단계 이상의 스텝으로 해도 되고, 예를 들면 100~150℃의 범위에서 1단계째의 처리 공정을 행하고, 그 후에 150~200℃의 범위에서 2단계째의 처리 공정을 행해도 된다.
또한, 가열 후 냉각해도 되고, 이 경우의 냉각 속도로서는, 1~5℃/분인 것이 바람직하다.
가열 공정은, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흐르게 하는 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것이 폴리머 전구체의 분해를 방지하는 점에서 바람직하다. 산소 농도는, 50ppm(체적비) 이하가 바람직하고, 20ppm(체적비) 이하가 보다 바람직하다.
경화 공정에 이용되는 가열 수단은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 핫플레이트, 적외로(赤外爐), 전열식 오븐, 열풍식 오븐 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 오늄염으로서, 상기 경화 공정에 있어서의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 경화 공정에 있어서의 가열에 의하여 분해를 받고 있는지 아닌지는, 상기 경화 공정 후에 얻어지는 경화막을 긁어내어, 유발로 부순 후에, 얻어진 분쇄물을 메탄올/THF=50/50(질량비) 용액에 초음파를 쏘면서 10분 침지(侵漬)시킨다. 상기 용액에 추출된 추출물을 HPLC(고속 액체 크로마토그래피)로 분석함으로써 오늄염의 분해율을 이하의 식으로부터 산출한다.
오늄염의 분해율(%)=분해물 양(mol)/노광 공정 전의 감광막에 포함되는 오늄염 양(mol)×100
상기 오늄염의 분해율이 20% 이하인 경우에, 상기 오늄염은 경화 공정에 있어서의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물이라고 판정한다. 상기 분해율은, 10% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 분해율의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0%여도 된다.
<금속층 형성 공정>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 현상 처리 후의 감광막(경화막)의 표면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 공정을 포함하고 있는 것이 바람직하다.
금속층으로서는, 특별히 한정 없이, 기존의 금속종을 사용할 수 있고, 구리, 알루미늄, 니켈, 바나듐, 타이타늄, 크로뮴, 코발트, 금, 텅스텐 및 이들 금속을 포함하는 합금이 예시되며, 구리 및 알루미늄이 보다 바람직하고, 구리가 더 바람직하다.
금속층의 형성 방법은, 특별히 한정 없이, 기존의 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, 일본 공개특허공보 2007-157879호, 일본 공표특허공보 2001-521288호, 일본 공개특허공보 2004-214501호, 일본 공개특허공보 2004-101850호에 기재된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 포토리소그래피, 리프트 오프, 전해 도금, 무전해 도금, 에칭, 인쇄, 및 이들을 조합한 방법 등이 생각된다. 보다 구체적으로는, 스퍼터링, 포토리소그래피 및 에칭을 조합한 패터닝 방법, 포토리소그래피와 전해 도금을 조합한 패터닝 방법을 들 수 있다.
금속층의 두께로서는, 가장 후육부(厚肉部)로, 0.1~50μm가 바람직하고, 1~10μm가 보다 바람직하다.
<적층 공정>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 적층 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 패턴 형성 방법이 적층 공정을 포함함으로써, 후술하는 본 발명의 적층체가 얻어진다.
적층 공정이란, 상기 감광막 형성 공정, 상기 노광 공정, 및 상기 현상 공정을, 이 순서로 행하는 것을 포함하는 일련의 공정이다. 적층 공정은, 상기 가열 공정 등을 더 포함하고 있어도 되는 것은 말할 필요도 없다.
적층 공정 후, 적층 공정을 더 행하는 경우에는, 상기 노광 공정 후, 또는 상기 금속층 형성 공정 후에, 표면 활성화 처리 공정을 더 행해도 된다. 표면 활성화 처리로서는, 플라즈마 처리가 예시된다.
상기 적층 공정은, 2~5회 행하는 것이 바람직하고, 3~5회 행하는 것이 보다 바람직하다.
예를 들면, 수지층(본 발명의 경화막)/금속층/수지층/금속층/수지층/금속층과 같은, 수지층이 3층 이상 7층 이하인 구성이 바람직하고, 3층 이상 5층 이하가 더 바람직하다.
상기 각층(各層)은 각각, 조성, 형상, 막두께 등이 동일해도 되고, 달라도 된다.
즉, 본 발명에서는 특히, 금속층을 마련한 후, 또한 상기 금속층을 덮도록, 상기 감광막 형성 공정, 상기 노광 공정, 및 상기 현상 공정을, 이 순서로 행하는 것이 바람직하다. 수지층을 적층하는 적층 공정과, 금속층 형성 공정을 교대로 행함으로써, 수지층과 금속층을 교대로 적층할 수 있다.
(감광성 수지 조성물, 감광막)
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서 이용되는 감광막은, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체, 및 오늄염을 포함한다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체 및 오늄염을 포함하고, 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의, 상기 감광막의 형성에 이용된다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서 이용되는 감광막은, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 필요에 따라 용제를 제거하여 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 상세에 대하여 설명하지만, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 포함되는 성분 중, 용제를 제외한 성분은, 본 발명에 있어서 함유하는 감광막에 있어서도 포함되는 성분이다.
즉, 본 발명에 있어서 이용되는 감광막에 포함되는 각 성분의 함유량은, 각 성분의 설명에 있어서 기재한 "본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대한 각 성분의 함유량"을 "본 발명에 있어서 이용되는 감광막의 전고형분에 대한 각 성분의 함유량"으로 바꾸어 읽음으로써 규정된다. 또, 감광막이 용제를 실질적으로 포함하지 않는 경우, "본 발명에 있어서 이용되는 감광막의 전고형분에 대한 각 성분의 함유량"은 "본 발명에 있어서 이용되는 감광막의 전체 질량에 대한 각 성분의 함유량"과 동일한 의미라고 생각할 수 있다. "감광막이 용제를 실질적으로 포함하지 않는다"고 하는 양태의 상세에 대해서는 후술한다.
이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 포함되는 성분에 대하여 설명한다.
<전구체>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체("특정 전구체"라고도 한다.)를 포함하고, 폴리이미드 전구체를 포함하는 것이 바람직하다.
또, 특정 전구체는, 라디칼 중합성기, 불소 원자, 규소 원자, 페놀성 수산기, 및 카복시기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
특정 전구체에 포함되는 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화기가 바람직하고, (메트)아크릴로일기, (메트)알릴기, 또는 바이닐페닐기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴로일기가 더 바람직하다.
상기 (메트)아크릴로일기는, (메트)아크릴아마이드기 또는 (메트)아크릴옥시기를 구성하는 것이 바람직하고, (메트)아크릴옥시기를 구성하는 것이 보다 바람직하다.
〔폴리이미드 전구체〕
본 발명에서 이용하는 폴리이미드 전구체는 그 종류 등 특별히 정하는 것은 아니지만, 하기 식 (2)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (2) 중, A1 및 A2는 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, R111은, 2가의 유기기를 나타내며, R115는, 4가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
식 (2)에 있어서의 A1 및 A2는 각각 독립적으로, 산소 원자 또는 -NH-를 나타내고, 산소 원자가 바람직하다.
식 (2)에 있어서의 R111은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족기, 환상의 지방족기 및 방향족기를 포함하는 기가 예시되며, 탄소수 2~20의 직쇄의 지방족기, 탄소수 3~20의 분기쇄상의 지방족기, 탄소수 3~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기로 이루어지는 기가 보다 바람직하다.
R111은, 다이아민으로부터 유도되는 것이 바람직하다. 폴리이미드 전구체의 제조에 이용되는 다이아민으로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족, 환상의 지방족 또는 방향족 다이아민 등을 들 수 있다. 다이아민은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다.
구체적으로는, 탄소수 2~20의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족기, 탄소수 3~20의 환상의 지방족기, 탄소수 6~20의 방향족기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 포함하는 다이아민인 것이 바람직하고, 탄소수 6~20의 방향족기로 이루어지는 기를 포함하는 다이아민인 것이 보다 바람직하다. 방향족기의 예로서는, 하기를 들 수 있다. 하기 식 중, *는 각각 독립적으로, 다른 구조와의 결합 부위를 나타낸다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 중, A는, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NHC(=O)-, 및 이들을 2 이상 조합한 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S-, 및 -S(=O)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -O-, -S-, -S(=O)2-, -C(CF3)2-, 및 -C(CH3)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 더 바람직하다.
다이아민으로서는, 구체적으로는, 1,2-다이아미노에테인, 1,2-다이아미노프로페인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인 및 1,6-다이아미노헥세인; 1,2- 또는 1,3-다이아미노사이클로펜테인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-다이아미노사이클로헥세인, 1,2-, 1,3- 또는 1,4-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 비스-(4-아미노사이클로헥실)메테인, 비스-(3-아미노사이클로헥실)메테인, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이메틸사이클로헥실메테인 및 아이소포론다이아민; 메타 또는 파라페닐렌다이아민, 다이아미노톨루엔, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3-다이아미노다이페닐에터, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'- 또는 3,3'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,3'-다이메톡시-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-하이드록시-4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)설폰, 4,4'-다이아미노파라터페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]설폰, 비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]설폰, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 3,3'-다이메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 9,9-비스(4-아미노페닐)-10-하이드로안트라센, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에터, 1,4-다이아미노안트라퀴논, 1,5-다이아미노안트라퀴논, 3,3-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌, 4,4'-다이메틸-3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 2,4- 및 2,5-다이아미노큐멘, 2,5-다이메틸-파라페닐렌다이아민, 아세토구아나민, 2,3,5,6-테트라메틸-파라페닐렌다이아민, 2,4,6-트라이메틸-메타페닐렌다이아민, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 2,7-다이아미노플루오렌, 2,5-다이아미노피리딘, 1,2-비스(4-아미노페닐)에테인, 다이아미노벤즈아닐라이드, 다이아미노벤조산의 에스터, 1,5-다이아미노나프탈렌, 다이아미노벤조트라이플루오라이드, 1,3-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,4-비스(4-아미노페닐)옥타플루오로뷰테인, 1,5-비스(4-아미노페닐)데카플루오로펜테인, 1,7-비스(4-아미노페닐)테트라데카플루오로헵테인, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(2-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-다이메틸페닐]헥사플루오로프로페인, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)-3,5-비스(트라이플루오로메틸)페닐]헥사플루오로프로페인, 파라비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-아미노-2-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 4,4'-비스(3-아미노-5-트라이플루오로메틸페녹시)다이페닐설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-트라이플루오로메틸페녹시)페닐]헥사플루오로프로페인, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로톨리딘 및 4,4'-다이아미노쿼터페닐로부터 선택되는 적어도 1종의 다이아민을 들 수 있다.
또, 하기에 나타내는 다이아민 (DA-1)~(DA-18)도 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
[화학식 4]
Figure pct00004
또, 적어도 2개 이상의 알킬렌글라이콜 단위를 주쇄에 갖는 다이아민도 바람직한 예로서 들 수 있다. 바람직하게는, 에틸렌글라이콜쇄, 프로필렌글라이콜쇄 중 어느 하나 또는 양방을 1분자 중에 합하여 2개 이상 포함하는 다이아민, 보다 바람직하게는 방향환을 포함하지 않는 다이아민이다. 구체예로서는, 제파민(등록 상표) KH-511, 제파민(등록 상표) ED-600, 제파민(등록 상표) ED-900, 제파민(등록 상표) ED-2003, 제파민(등록 상표) EDR-148, 제파민(등록 상표) EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000(이상 상품명, HUNTSMAN사제), 1-(2-(2-(2-아미노프로폭시)에톡시)프로폭시)프로판-2-아민, 1-(1-(1-(2-아미노프로폭시)프로판-2-일)옥시)프로판-2-아민 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
제파민(등록 상표) KH-511, 제파민(등록 상표) ED-600, 제파민(등록 상표) ED-900, 제파민(등록 상표) ED-2003, 제파민(등록 상표) EDR-148, 및 제파민(등록 상표) EDR-176의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pct00005
상기에 있어서, x, y, z는 산술 평균값이다.
R111은, 얻어지는 경화막의 유연성의 관점에서, -Ar-L-Ar-로 나타나는 것이 바람직하다. 단, Ar은, 각각 독립적으로, 방향족기이고, L은, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2- 또는 -NHC(=O)-, 및 이들을 2 이상 조합한 기로 이루어지는 군으로부터 선택된 기이다. Ar은, 페닐렌기가 바람직하고, L은, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 혹은 2의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S- 또는 -S(=O)2-가 바람직하다. L에 있어서의 지방족 탄화 수소기는, 알킬렌기가 바람직하다.
R111은, i선 투과율의 관점에서 하기 식 (51) 또는 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 바람직하다. 특히, i선 투과율, 입수 용이성의 관점에서 식 (61)로 나타나는 2가의 유기기인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pct00006
식 (51) 중, R10~R17은 각각 독립적으로, 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R10~R17 중 적어도 하나는 불소 원자, 메틸기, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는 트라이플루오로메틸기이다.
R10~R17에 있어서의 1가의 유기기로서는, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~10(바람직하게는 탄소수 1~6)의 불화 알킬기 등을 들 수 있다.
[화학식 7]
Figure pct00007
식 (61) 중, R18 및 R19는 각각 독립적으로, 불소 원자, 플루오로메틸기, 다이플루오로메틸기, 또는 트라이플루오로메틸기이다.
식 (51) 또는 식 (61)의 구조를 부여하는 다이아민 화합물로서는, 다이메틸-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-다이아미노바이페닐, 2,2'-비스(플루오로)-4,4'-다이아미노바이페닐, 4,4'-다이아미노옥타플루오로바이페닐 등을 들 수 있다. 이들 중 1종을 이용하거나, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
식 (2)에 있어서의 R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 방향환을 포함하는 4가의 유기기가 바람직하고, 하기 식 (5) 또는 식 (6)으로 나타나는 기가 보다 바람직하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식 (5) 중, R112는, 단결합, 또는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족 탄화 수소기, -O-, -C(=O)-, -S-, -S(=O)2-, -NHC(=O)- 및 이들을 2 이상 조합한 기로 이루어지는 군으로부터 선택된 기인 것이 바람직하고, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~3의 알킬렌기, -O-, -C(=O)-, -S- 및 -S(=O)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 보다 바람직하며, -CH2-, -C(CF3)2-, -C(CH3)2-, -O-, -C(=O)-, -S- 및 -S(=O)2-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기가 더 바람직하다.
[화학식 9]
Figure pct00009
식 (2)에 있어서의 R115가 나타내는 4가의 유기기는, 구체적으로는, 테트라카복실산 이무수물로부터 산이무수물기를 제거한 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기 등을 들 수 있다. 테트라카복실산 이무수물은, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 테트라카복실산 이무수물은, 하기 식 (O)로 나타나는 화합물이 바람직하다.
[화학식 10]
Figure pct00010
식 (O) 중, R115는, 4가의 유기기를 나타낸다. R115는 식 (2)의 R115와 동일한 의미이다.
테트라카복실산 이무수물의 구체예로서는, 파이로멜리트산, 파이로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설파이드테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐설폰테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 3,3',4,4'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐메테인테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 1,3-다이페닐헥사플루오로프로페인-3,3,4,4-테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-다이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,8,9,10-페난트렌테트라카복실산 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카복실산 이무수물, 및 이들의 탄소수 1~6의 알킬 유도체 및/또는 탄소수 1~6의 알콕시 유도체로부터 선택되는 적어도 1종이 예시된다.
또, 하기에 나타내는 테트라카복실산 이무수물 (DAA-1)~(DAA-5)도 바람직한 예로서 들 수 있다.
[화학식 11]
Figure pct00011
R113 및 R114는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114 중 적어도 일방이 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 바람직하며, 양방이 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 라디칼 중합성기로서는, 라디칼의 작용에 의하여, 가교 반응하는 것이 가능한 기이고, 바람직한 예로서, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다.
에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, (메트)알릴기, 하기 식 (III)으로 나타나는 기 등을 들 수 있다.
[화학식 12]
Figure pct00012
식 (III)에 있어서, R200은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기가 바람직하다.
식 (III)에 있어서, R201은, 탄소수 2~12의 알킬렌기, -CH2CH(OH)CH2- 또는 탄소수 4~30의 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다.
적합한 R201의 예는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, 테트라메틸렌기, 1,2-뷰테인다이일기, 1,3-뷰테인다이일기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 옥타메틸렌기, 도데카메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-를 들 수 있으며, 에틸렌기, 프로필렌기, 트라이메틸렌기, -CH2CH(OH)CH2-가 보다 바람직하다.
특히 바람직하게는, R200이 메틸기이고, R201이 에틸렌기이다.
R113 또는 R114가 나타내는 1가의 유기기로서는, 현상액의 용해도를 향상시키는 치환기가 바람직하게 이용된다.
수성 현상액에 대한 용해도의 관점에서는, R113 또는 R114는, 수소 원자 또는 1가의 유기기여도 된다. 1가의 유기기로서는, 아릴기를 구성하는 탄소에 결합하고 있는 1, 2 또는 3개의, 바람직하게는 1개의 산성기를 갖는, 방향족기 및 아랄킬기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 산성기를 갖는 탄소수 6~20의 방향족기, 산성기를 갖는 탄소수 7~25의 아랄킬기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 산성기를 갖는 페닐기 및 산성기를 갖는 벤질기를 들 수 있다. 산성기는, OH기가 바람직하다.
R113 또는 R114가, 수소 원자, 2-하이드록시벤질, 3-하이드록시벤질 및 4-하이드록시벤질인 것이, 수성 현상액에 대한 용해성의 점에서는, 보다 바람직하다.
유기 용제에 대한 용해도의 관점에서는, R113 또는 R114는, 1가의 유기기인 것이 바람직하다. 1가의 유기기로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 환상 알킬기, 또는 방향족기가 바람직하고, 방향족기로 치환된 알킬기가 보다 바람직하다.
알킬기의 탄소수는 1~30이 바람직하다. 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다. 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 옥타데실기, 아이소프로필기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, t-뷰틸기, 1-에틸펜틸기, 및 2-에틸헥실기를 들 수 있다. 환상의 알킬기는, 단환의 환상의 알킬기여도 되고, 다환의 환상의 알킬기여도 된다. 단환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 및 사이클로옥틸기를 들 수 있다. 다환의 환상의 알킬기로서는, 예를 들면 아다만틸기, 노보닐기, 보닐기, 캄펜일기, 데카하이드로나프틸기, 트라이사이클로데칸일기, 테트라사이클로데칸일기, 캄포로일기, 다이사이클로헥실기 및 피넨일기를 들 수 있다. 그중에서도, 고감도화와의 양립의 관점에서, 사이클로헥실기가 가장 바람직하다. 또, 방향족기로 치환된 알킬기로서는, 후술하는 방향족기로 치환된 직쇄 알킬기가 바람직하다.
방향족기로서는, 구체적으로는, 치환 또는 무치환의 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인다센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프텐환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환 또는 페나진환이다. 벤젠환이 가장 바람직하다.
식 (2)에 있어서, R113이 수소 원자인 경우, 또는 R114가 수소 원자인 경우, 폴리이미드 전구체는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물과 상대염(對鹽)을 형성하고 있어도 된다. 이와 같은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 3급 아민 화합물의 예로서는, N,N-다이메틸아미노프로필메타크릴레이트를 들 수 있다.
또, 폴리이미드 전구체는, 구조 중에 불소 원자를 갖는 것도 바람직하다. 폴리이미드 전구체 중의 불소 원자 함유량은 1질량% 이상이 바람직하고, 20질량% 이하가 바람직하다.
또, 기재와의 밀착성을 향상시킬 목적으로, 폴리이미드 전구체를 제조할 때의 모노머로서 실록세인 구조를 갖는 지방족기를 갖는 다이아민을 이용해도 된다. 실록세인 구조를 갖는 지방족기를 갖는 다이아민으로서는, 비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 비스(파라아미노페닐)옥타메틸펜타실록세인 등을 들 수 있다.
식 (2)로 나타나는 반복 단위는, 식 (2-A)로 나타나는 반복 단위인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에서 이용하는 폴리이미드 전구체 중 적어도 1종이, 식 (2-A)로 나타나는 반복 단위를 갖는 전구체인 것이 바람직하다. 이와 같은 구조로 함으로써, 노광 래티튜드의 폭을 보다 넓히는 것이 가능해진다.
[화학식 13]
Figure pct00013
식 (2-A) 중, A1 및 A2는, 산소 원자를 나타내고, R111 및 R112는 각각 독립적으로, 2가의 유기기를 나타내며, R113 및 R114는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R113 및 R114 중 적어도 일방은, 중합성기를 포함하는 기이며, 중합성기인 것이 바람직하다.
A1, A2, R111, R113 및 R114는, 각각, 독립적으로, 식 (2)에 있어서의 A1, A2, R111, R113 및 R114와 동일한 의미이고, 바람직한 범위도 동일하다.
R112는, 식 (5)에 있어서의 R112와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.
폴리이미드 전구체는, 식 (2)로 나타나는 반복 단위를 1종 단독으로 포함해도 되고, 2종 이상을 포함해도 된다. 또, 식 (2)로 나타나는 반복 단위의 구조 이성체를 포함하고 있어도 된다. 또, 폴리이미드 전구체는, 상기의 식 (2)로 나타나는 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.
본 발명에 있어서의 폴리이미드 전구체의 일 실시형태로서, 전체 반복 단위의 50몰% 이상, 나아가서는 70몰% 이상, 특히는 90몰% 이상이 식 (2)로 나타나는 반복 단위인 폴리이미드 전구체가 예시된다.
본 명세서에 있어서, "반복 단위"의 함유량을 몰%로 특정하는 경우, "반복 단위"는 "모노머 단위"와 동일한 의미인 것으로 한다.
폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.
분자량 분산도(중량 평균 분자량/수평균 분자량)는, 1.5~2.5가 바람직하다.
폴리이미드 전구체는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체와 다이아민을 반응시켜 얻어진다. 바람직하게는, 다이카복실산 또는 다이카복실산 유도체를, 할로젠화제를 이용하여 할로젠화시킨 후, 다이아민과 반응시켜 얻어진다.
폴리이미드 전구체의 제조 방법에서는, 반응 용매로서, 유기 용제를 이용하는 것이 바람직하다. 유기 용제는 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
이용되는 유기 용제의 종류는, 원료종 등에 따라 적절히 선택하면 되지만, 예를 들면 피리딘, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(다이글라임), N-메틸피롤리돈 및 N-에틸피롤리돈이 예시된다.
폴리이미드 전구체의 제조 시에, 보존 안정성을 보다 향상시키기 위하여, 산 이무수물, 모노카복실산, 모노산 클로라이드 화합물, 모노 활성 에스터 화합물 등의 말단 밀봉제로 전구체의 말단을 밀봉하는 것이 바람직하다. 이들 중, 모노아민을 이용하는 것이 보다 바람직하며, 모노아민의 바람직한 화합물로서는, 아닐린, 2-에타인일아닐린, 3-에타인일아닐린, 4-에타인일아닐린, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린, 1-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-하이드록시-4-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-7-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-6-아미노나프탈렌, 2-하이드록시-5-아미노나프탈렌, 1-카복시-7-아미노나프탈렌, 1-카복시-6-아미노나프탈렌, 1-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-카복시-7-아미노나프탈렌, 2-카복시-6-아미노나프탈렌, 2-카복시-5-아미노나프탈렌, 2-아미노벤조산, 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 4-아미노살리실산, 5-아미노살리실산, 6-아미노살리실산, 2-아미노벤젠설폰산, 3-아미노벤젠설폰산, 4-아미노벤젠설폰산, 3-아미노-4,6-다이하이드록시피리미딘, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 2-아미노싸이오페놀, 3-아미노싸이오페놀, 4-아미노싸이오페놀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 이용해도 되고, 복수의 말단 밀봉제를 반응시킴으로써, 복수의 다른 말단기를 도입해도 된다.
폴리이미드 전구체의 제조 시에, 고체를 석출하는 공정을 포함하고 있어도 된다. 구체적으로는, 반응액 중의 폴리이미드 전구체를, 물 속에 침전시키고, 테트라하이드로퓨란 등의 폴리이미드 전구체가 가용인 용제에 용해시킴으로써, 고체 석출할 수 있다.
그 후, 폴리이미드 전구체를 건조하여, 분말상의 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.
〔폴리벤즈옥사졸 전구체〕
본 발명에서 이용되는 폴리벤즈옥사졸 전구체는, 하기 식 (3)으로 나타나는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 14]
Figure pct00014
식 (3) 중, R121은, 2가의 유기기를 나타내고, R122는, 4가의 유기기를 나타내며, R123 및 R124는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.
식 (3)에 있어서, R121은, 2가의 유기기를 나타낸다. 2가의 유기기로서는, 지방족기 및 방향족기 중 적어도 일방을 포함하는 기가 바람직하다. 지방족기로서는, 직쇄의 지방족기가 바람직하다.
식 (3)에 있어서, R122는, 4가의 유기기를 나타낸다. 4가의 유기기로서는, 상기 식 (2)에 있어서의 R115와 동일한 의미이며, 바람직한 범위도 동일하다.
폴리벤즈옥사졸 전구체는 상기의 식 (3)의 반복 단위 외에, 다른 종류의 반복 단위도 포함해도 된다.
폐환에 따른 경화막의 휨의 발생을 억제할 수 있는 점에서, 전구체는, 하기 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 다른 종류의 반복 단위로서 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 15]
Figure pct00015
식 (SL) 중, Z는, a 구조와 b 구조를 갖고, R1s는 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기이며, R2s는 탄소수 1~10의 탄화 수소기이고, R3s, R4s, R5s, R6s 중 적어도 하나는 방향족기이며, 나머지는 수소 원자 또는 탄소수 1~30의 유기기이고, 각각 동일해도 되며 달라도 된다. a 구조 및 b 구조의 중합은, 블록 중합이어도 되고 랜덤 중합이어도 된다. Z 부분의 몰%는, a 구조는 5~95몰%, b 구조는 95~5몰%이고, a+b는 100몰%이다.
식 (SL)에 있어서, 바람직한 Z로서는, b 구조 중의 R5s 및 R6s가 페닐기인 것을 들 수 있다. 또, 식 (SL)로 나타나는 구조의 분자량은, 400~4,000인 것이 바람직하고, 500~3,000이 보다 바람직하다. 분자량은, 일반적으로 이용되는 젤 침투 크로마토그래피에 의하여 구할 수 있다. 상기 분자량을 상기 범위로 함으로써, 폴리벤즈옥사졸 전구체의 탈수 폐환 후의 탄성률을 낮추어, 막의 휨을 억제할 수 있는 효과와 용해성을 향상시키는 효과를 양립시킬 수 있다.
다른 종류의 반복 단위로서 식 (SL)로 나타나는 다이아민 잔기를 포함하는 경우, 알칼리 가용성을 향상시키는 점에서, 추가로 테트라카복실산 이무수물로부터 산이무수물기의 제거 후에 잔존하는 테트라카복실산 잔기를 반복 단위로서 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 테트라카복실산 잔기의 예로서는, 식 (2) 중의 R115의 예를 들 수 있다.
폴리벤즈옥사졸 전구체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 2,000~500,000이고, 보다 바람직하게는 5,000~100,000이며, 더 바람직하게는 10,000~50,000이다. 또, 수평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 800~250,000이고, 보다 바람직하게는, 2,000~50,000이며, 더 바람직하게는, 4,000~25,000이다.
분자량 분산도(중량 평균 분자량/수평균 분자량)는, 1.5~2.5가 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의, 특정 전구체의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 20~100질량%가 바람직하고, 50~99질량%가 보다 바람직하며, 60~98질량%가 더 바람직하고, 70~95질량%가 특히 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 특정 전구체를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<오늄염>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 오늄염을 포함한다. 본 발명의 감광성 수지 조성물이 오늄염을 포함함으로써, 노광 에너지 소비를 억제하여, 노광 래티튜드를 확대시킬 수 있고, 또한 특정 전구체의 폐환 반응을 행하는 가열 공정 시에, 폐환 반응을 촉진시킬 수 있기 때문에, 폐환율이 보다 향상되는 경향이 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 오늄염으로서, 180℃의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 190℃의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물이 보다 바람직하며, 200℃의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물이 더 바람직하다.
오늄염을 내압 캡슐 중 5℃/분으로 250℃까지 가열하고, 가장 온도가 낮은 발열 피크의 피크 온도를 독취하여, 상기 피크 온도가 온도 A보다 높은 경우에, 온도 A의 가열에 의하여 분해를 받지 않는 화합물이라고 판정할 수 있다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 오늄염으로서, 파장 365nm(i선), 파장 248nm(KrF선) 및 파장 193nm(ArF선)의 파장의 광의 조사에 대하여 분해를 받지 않는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
특정 파장의 광의 조사에 대하여 오늄염이 분해를 받는지 아닌지는, 하기 방법에 의하여 판정된다.
감광성 수지 조성물을 유리 상에 도포하고, 100℃에서 1분간 가열 건조한다. 감광성 수지 조성물의 부여량은, 건조 후의 막두께가 700nm가 되도록 한다. 그 후, 특정 파장인 광에 의하여 100mJ/cm2의 노광량으로 노광한다. 상기 노광 후, 100℃에서 1분간 가열한 기재를, 메탄올/THF=50/50(질량비) 용액에 초음파를 쏘면서 10분 침지시킨다. 상기 용액에 추출된 추출물을 HPLC(고속 액체 크로마토그래피)로 분석함으로써 오늄염의 분해율을 이하의 식으로부터 산출한다.
오늄염의 분해율(%)=분해물 양(mol)/노광 전의 감광성 수지 조성물에 포함되는 오늄염 양(mol)×100
상기 오늄염의 분해율이 20% 이하인 경우에, 상기 오늄염은 특정 파장의 광의 조사에 대하여 분해되지 않는 화합물이라고 판정한다. 상기 분해율은, 10% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하며, 1% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 분해율의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0%여도 된다.
오늄염으로서는, 그 종류 등은 특별히 정하는 것은 아니지만, 암모늄염, 이미늄염, 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염을 바람직하게 들 수 있다.
이들 중에서도, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서는, 실온에서의 열안정성이 우수한 암모늄염 또는 이미늄염이 바람직하고, 폴리머와의 상용성의 관점에서는 설포늄염, 아이오도늄염 또는 포스포늄염이 바람직하다.
또, 오늄염은 오늄 구조를 갖는 양이온과 음이온의 염이며, 상기 양이온과 음이온은, 공유 결합을 통하여 결합하고 있어도 되고, 공유 결합을 통하여 결합하고 있지 않아도 된다.
즉, 오늄염은, 동일한 분자 구조 내에, 양이온부와, 음이온부를 갖는 분자 내 염이어도 되고, 각각 별개 분자인 양이온 분자와, 음이온 분자가 이온 결합한 분자 간 염이어도 되지만, 분자 간 염인 것이 바람직하다. 또, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 상기 양이온부 또는 양이온 분자와, 상기 음이온부 또는 음이온 분자는 이온 결합에 의하여 결합되어 있어도 되고, 해리하고 있어도 된다.
오늄염에 있어서의 양이온으로서는, 암모늄 양이온, 피리디늄 양이온, 설포늄 양이온, 아이오도늄 양이온 또는 포스포늄 양이온이 바람직하고, 테트라알킬암모늄 양이온, 설포늄 양이온 및 아이오도늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 양이온이 보다 바람직하다.
〔암모늄염〕
본 발명에 있어서, 암모늄염이란, 암모늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다.
-암모늄 양이온-
암모늄 양이온으로서는, 제4급 암모늄 양이온이 바람직하다.
또, 암모늄 양이온으로서는, 하기 식 (101)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 16]
Figure pct00016
식 (101) 중, R1~R4는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, R1~R4 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.
식 (101) 중, R1~R4는 각각 독립적으로, 탄화 수소기인 것이 바람직하고, 알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하다. R1~R4는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다.
R1~R4 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성하는 경우, 상기 환은 헤테로 원자를 포함해도 된다. 상기 헤테로 원자로서는, 질소 원자를 들 수 있다.
암모늄 양이온은, 하기 식 (Y1-1) 및 (Y1-2) 중 어느 하나로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 17]
Figure pct00017
식 (Y1-1) 및 (Y1-2)에 있어서, R101은, n가의 유기기를 나타내고, R1은 식 (101)에 있어서의 R1과 동일한 의미이며, Ar101 및 Ar102는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, n은, 1 이상의 정수를 나타낸다.
식 (Y1-1)에 있어서, R101은, 지방족 탄화 수소, 방향족 탄화 수소, 또는 이들이 결합한 구조로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~30의 포화 지방족 탄화 수소, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y1-1)에 있어서, n은 1~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
식 (Y1-2)에 있어서, Ar101 및 Ar102는 각각 독립적으로, 페닐기 또는 나프틸기인 것이 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다.
-음이온-
암모늄염에 있어서의 음이온으로서는, 카복실산 음이온, 페놀 음이온, 인산 음이온 및 황산 음이온으로부터 선택되는 1종이 바람직하고, 염의 안정성과 열분해성을 양립시킨다는 이유에서 카복실산 음이온이 보다 바람직하다. 즉, 암모늄염은, 암모늄 양이온과 카복실산 음이온의 염이 보다 바람직하다.
카복실산 음이온은, 2개 이상의 카복시기를 갖는 2가 이상의 카복실산의 음이온이 바람직하고, 2가의 카복실산의 음이온이 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 감광성 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 보다 향상시킬 수 있는 열염기 발생제로 할 수 있다. 특히, 2가의 카복실산의 음이온을 이용함으로써, 감광성 수지 조성물의 안정성, 경화성 및 현상성을 더 향상시킬 수 있다.
카복실산 음이온은, 하기 식 (X1)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 18]
Figure pct00018
식 (X1)에 있어서, EWG는, 전자 구인성기를 나타낸다.
본 실시형태에 있어서 전자 구인성기란, 하메트의 치환기 상수 σm이 양의 값을 나타내는 것을 의미한다. 여기에서 σm은, 쓰노 유호 총설, 유기 합성 화학 협회지 제23권 제8호(1965) p. 631-642에 상세하게 설명되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 전자 구인성기는, 상기 문헌에 기재된 치환기에 한정되는 것은 아니다.
σm이 양의 값을 나타내는 치환기의 예로서는, CF3기(σm=0.43), CF3C(=O)기(σm=0.63), HC≡C기(σm=0.21), CH2=CH기(σm=0.06), Ac기(σm=0.38), MeOC(=O)기(σm=0.37), MeC(=O)CH=CH기(σm=0.21), PhC(=O)기(σm=0.34), H2NC(=O)CH2기(σm=0.06) 등을 들 수 있다. 또한, Me는 메틸기를 나타내고, Ac는 아세틸기를 나타내며, Ph는 페닐기를 나타낸다(이하, 동일).
EWG는, 하기 식 (EWG-1)~(EWG-6)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.
[화학식 19]
Figure pct00019
식 (EWG-1)~(EWG-6) 중, Rx1~Rx3은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 아릴기, 하이드록시기 또는 카복시기를 나타내고, Ar은 방향족기를 나타낸다.
본 발명에 있어서, 카복실산 음이온은, 하기 식 (XA)로 나타나는 것이 바람직하다.
[화학식 20]
Figure pct00020
식 (XA)에 있어서, L10은, 단결합, 또는 알킬렌기, 알켄일렌기, 방향족기, -NRX- 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내며, RX는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기 또는 아릴기를 나타낸다.
카복실산 음이온의 구체예로서는, 말레산 음이온, 프탈산 음이온, N-페닐이미노다이아세트산 음이온 및 옥살산 음이온을 들 수 있다.
특정 전구체의 환화가 저온에서 행해지기 쉽고, 또 감광성 수지 조성물의 보존 안정성이 향상하기 쉬운 관점에서, 본 발명에 있어서의 오늄염은, 양이온으로서 암모늄 양이온을 포함하고, 상기 오늄염이 음이온으로서, 공액산의 pKa(pKaH)가 2.5 이하인 음이온을 포함하는 것이 바람직하며, 1.8 이하인 음이온을 포함하는 것이 보다 바람직하다.
상기 pKa의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 발생하는 염기가 중화되기 어렵고, 특정 전구체 등의 환화 효율을 양호하게 한다는 관점에서는, -3 이상인 것이 바람직하며, -2 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 pKa로서는, Determination of Organic Structures by Physical Methods(저자: Brown, H. C., McDaniel, D. H., Hafliger, O., Nachod, F. C.; 편찬: Braude, E. A., Nachod, F. C.; Academic Press, New York, 1955)나, Data for Biochemical Research(저자: Dawson, R. M. C. et al; Oxford, Clarendon Press, 1959)에 기재된 값을 참조할 수 있다. 이들 문헌에 기재가 없는 화합물에 대해서는, ACD/pKa(ACD/Labs제)의 소프트웨어를 이용하여 구조식으로부터 산출한 값을 이용하는 것으로 한다.
암모늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 21]
Figure pct00021
〔이미늄염〕
본 발명에 있어서, 이미늄염이란, 이미늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-이미늄 양이온-
이미늄 양이온으로서는, 피리디늄 양이온이 바람직하다.
또, 이미늄 양이온으로서는, 하기 식 (102)로 나타나는 양이온도 바람직하다.
[화학식 22]
Figure pct00022
식 (102) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타내며, R7은 탄화 수소기를 나타내고, R5~R7 중 적어도 2개는 각각 결합하여 환을 형성해도 된다.
식 (102) 중, R5 및 R6은 상술한 식 (101)에 있어서의 R1~R4와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
식 (102) 중, R7은 R5 및 R6 중 적어도 하나와 결합하여 환을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 환은 헤테로 원자를 포함해도 된다. 상기 헤테로 원자로서는, 질소 원자를 들 수 있다. 또, 상기 환으로서는 피리딘환이 바람직하다.
이미늄 양이온은, 하기 식 (Y1-3)~(Y1-5) 중 어느 하나로 나타나는 것인 것이 바람직하다.
[화학식 23]
Figure pct00023
식 (Y1-3)~(Y1-5)에 있어서, R101은, n가의 유기기를 나타내고, R5는 식 (102)에 있어서의 R5와 동일한 의미이며, R7은 식 (102)에 있어서의 R7과 동일한 의미이고, n 및 m은, 1 이상의 정수를 나타낸다.
식 (Y1-3)에 있어서, R101은, 지방족 탄화 수소, 방향족 탄화 수소, 또는 이들이 결합한 구조로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 바람직하고, 탄소수 2~30의 포화 지방족 탄화 수소, 벤젠 또는 나프탈렌으로부터 n개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.
식 (Y1-3)에 있어서, n은 1~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
식 (Y1-5)에 있어서, m은 1~4인 것이 바람직하고, 1 또는 2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 더 바람직하다.
이미늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 24]
Figure pct00024
〔설포늄염〕
본 발명에 있어서, 설포늄염이란, 설포늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-설포늄 양이온-
설포늄 양이온으로서는, 제3급 설포늄 양이온이 바람직하고, 트라이아릴설포늄 양이온이 보다 바람직하다.
또, 설포늄 양이온으로서는, 하기 식 (103)으로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 25]
Figure pct00025
식 (103) 중, R8~R10은 각각 독립적으로 탄화 수소기를 나타낸다.
R8~R10은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R8~R10은 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R8~R10은 동일한 기여도 되고, 다른 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
설포늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 26]
Figure pct00026
〔아이오도늄염〕
본 발명에 있어서, 아이오도늄염이란, 아이오도늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-아이오도늄 양이온-
아이오도늄 양이온으로서는, 다이아릴아이오도늄 양이온이 바람직하다.
또, 아이오도늄 양이온으로서는, 하기 식 (104)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 27]
Figure pct00027
식 (104) 중, R11 및 R12는 각각 독립적으로 탄화 수소기를 나타낸다.
R11 및 R12는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R11 및 R12는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R11 및 R12는 동일한 기여도 되고, 다른 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
아이오도늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 28]
Figure pct00028
〔포스포늄염〕
본 발명에 있어서, 포스포늄염이란, 포스포늄 양이온과, 음이온의 염을 의미한다. 음이온으로서는, 상술한 암모늄염에 있어서의 음이온과 동일한 것이 예시되며, 바람직한 양태도 동일하다.
-포스포늄 양이온-
포스포늄 양이온으로서는, 제4급 포스포늄 양이온이 바람직하고, 테트라알킬포스포늄 양이온, 트라이아릴모노알킬포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.
또, 포스포늄 양이온으로서는, 하기 식 (105)로 나타나는 양이온이 바람직하다.
[화학식 29]
Figure pct00029
식 (105) 중, R13~R16은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다.
R13~R16은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬기 또는 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 더 바람직하고, 페닐기인 것이 더 바람직하다.
R13~R16은 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기의 예로서는, 하이드록시기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아릴카보닐기, 알킬카보닐기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 치환기로서, 알킬기, 또는 알콕시기를 갖는 것이 바람직하고, 분기 알킬기 또는 알콕시기를 갖는 것이 보다 바람직하며, 탄소수 3~10의 분기 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 알콕시기를 갖는 것이 더 바람직하다.
R13~R16은 동일한 기여도 되고, 다른 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
포스포늄염의 구체예로서는, 이하의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 30]
Figure pct00030
오늄염의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~50질량%가 바람직하다. 하한은, 0.5질량% 이상이 보다 바람직하고, 0.85질량% 이상이 더 바람직하며, 1질량% 이상이 한층 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이하가 더 바람직하며, 10질량% 이하가 한층 바람직하고, 5질량% 이하여도 되며, 4질량% 이하여도 된다.
오늄염은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<카복시기 함유 화합물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 얻어지는 경화막의 표면의 평활성을 보다 향상하는 관점에서, 카복시기를 복수 갖는 분자량 1,000 이하의 화합물("카복시기 함유 화합물"이라고도 한다)을 더 포함하는 것이 바람직하다.
카복시기 함유 화합물에 있어서의 카복시기의 수로서는, 2 이상이면 되지만, 2~6인 것이 바람직하고, 2~4인 것이 보다 바람직하다.
카복시기 함유 화합물의 분자량은, 1,000 이하이면 되지만, 800 이하인 것이 바람직하고, 600 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 하한은 특별히 한정되지 않지만, 100 이상인 것이 바람직하다.
카복시기 함유 화합물은, 불포화 다가 카복실산 화합물인 것이 바람직하고, 불포화 다이카복실산 화합물인 것이 보다 바람직하다.
상기 불포화 다이카복실산 화합물로서는, 에틸렌성 불포화기 또는 방향환을 분자 내에 포함하는 화합물이 바람직하고, 카복실산과 공액하는 불포화 결합을 포함하는 화합물이 보다 바람직하다.
또, 카복시기 함유 화합물은, 탄소 원자, 산소 원자 및 수소 원자만으로 구성되는 것이 바람직하다.
카복시기 함유 화합물로서는, 지방족 다가 카복실산, 방향족 다가 카복실산 중 어느 하나여도 되고, 옥살산, 말론산, 석신산, 말레산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바스산, 도데케인 이산, 2-에틸헥실석신산, 올레일석신산, 2-도데센일석신산, 테트라프로펜일석신산 등의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 다가 카복실산;
1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 1,3-사이클로헥세인다이카복실산, 3-메틸-1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 4-메틸-1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 3-에틸-1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 3-프로필-1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 3-뷰틸-1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 3-사이클로헥센-1,2-다이카복실산 등의 사이클로헥센다이카복실산 등의 지환식 다가 카복실산;
프탈산, 트라이멜리트산, 3-메틸프탈산, 4-메틸프탈산, 3,4,5,6-테트라메틸프탈산, 3-메틸벤젠-1,2,4-트라이카복실산, 5-메틸벤젠-1,2,4-트라이카복실산, 6-메틸벤젠-1,2,4-트라이카복실산, 바이페닐-3,3',4,4'-테트라카복실산, 다이페닐에터-3,3',4,4'-테트라카복실산, 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카복실산, 다이페닐메테인-3,3',4,4'-테트라카복실산, 에틸리덴-4,4'-비스(1,2-벤젠다이카복실산), 프로필리덴-4,4'-비스(1,2-벤젠다이카복실산), 벤젠-1,2,3,4-테트라카복실산, 파이로멜리트산, 3-메틸벤젠-1,2,4,5-테트라카복실산, 3,6-다이메틸벤젠-1,2,4,5-테트라카복실산, 벤젠펜타카복실산, 벤젠헥사카복실산 등의 방향족 다가 카복실산을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 카복시기 함유 화합물을 포함하는 경우, 카복시기 함유 화합물의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20질량%가 바람직하다. 하한은, 0.02질량% 이상이 보다 바람직하고, 0.05질량% 이상이 더 바람직하다. 상한은, 10질량% 이하가 보다 바람직하며, 5질량% 이하가 더 바람직하다.
카복시기 함유 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
<아황산 에스터 구조를 갖는 화합물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물(이하, 간단히 "아황산 에스터 화합물"이라고도 한다.)을 포함하는 것이 바람직하다.
아황산 에스터 구조는 아황산 모노에스터 구조여도 되고 아황산 다이에스터 구조여도 되지만, 내약품성을 보다 향상시키는 관점에서는 아황산 다이에스터 구조가 바람직하다.
또, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물은, 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 바람직하고, 내약품성을 보다 향상시키는 관점에서는, 2개 이상의 라디칼 중합성기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 상기 라디칼 중합성기의 수의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 6 이하인 것이 바람직하다.
아황산 에스터 구조를 갖는 화합물에 포함되는 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화기가 바람직하고, (메트)아크릴로일기, (메트)알릴기, 또는 바이닐페닐기가 보다 바람직하며, (메트)아크릴옥시기가 더 바람직하다.
또, 아황산 에스터 구조는, 하기 식 (S1)로 나타나는 구조인 것이 바람직하다.
[화학식 31]
Figure pct00031
식 (S1) 중, RS1 및 RS2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, RS1 및 RS2가 모두 수소 원자인 경우는 없다.
식 (S1) 중, RS1 및 RS2는 모두 1가의 유기기인 것이 바람직하다.
식 (S1) 중, RS1 및 RS2는 동일한 기여도 되고 다른 기여도 되지만, 합성 적성상의 관점에서는, 동일한 기인 것이 바람직하다.
식 (S1) 중, RS1 및 RS2에 있어서의 1가의 유기기는, 하기 식 (S2)에 의하여 나타나는 기, 또는 하기 식 (S3)으로 나타나는 기인 것이 바람직하고, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서는, 하기 식 (S2)에 의하여 나타나는 기인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 32]
Figure pct00032
식 (S2) 중, LS2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, RP2는 1가의 유기기를 나타내며, 파선부는 식 (S1)에 있어서의 산소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
식 (S3) 중, LS3은 n+1가의 연결기를 나타내고, RP3은 1가의 유기기를 나타내며, n은 2 이상의 정수를 나타내고, 파선부는 식 (S1)에 있어서의 산소 원자와의 결합 부위를 나타낸다.
식 (S2) 중, LS2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 단결합, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~6이 특히 바람직하다), 2가의 방향족기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~14가 보다 바람직하며, 6~10이 특히 바람직하다. 또, 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다.), -O-, -S-, -C(=O)-, -NRS3-, -NRS3C(=O)-, 또는 이들을 2 이상 조합한 기가 바람직하고, 단결합, 상기 알킬렌기, 상기 방향족기, -O-, -C(=O)-, 또는 이들을 2 이상 조합한 기가 보다 바람직하다.
RS3은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기가 바람직하며, 수소 원자 또는 메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자가 더 바람직하다.
또, Ls2로서는, 상기 알킬렌기, 상기 방향족기, 또는 (폴리)알킬렌옥시기가 보다 바람직하다. (폴리)알킬렌옥시기의 반복수는, 1~50이 바람직하고, 1~30이 보다 바람직하다. 본 명세서에 있어서, (폴리)알킬렌옥시기란, 알킬렌옥시기와, 복수의 알킬렌옥시기가 결합한 구조의 양방을 포함하는 기재이다.
식 (S3) 중, LS3은 n+1가의 연결기를 나타내고, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 포화 탄화 수소로부터 n+1개의 수소 원자를 제거한 기(탄소수 1~24가 바람직하며, 1~12가 보다 바람직하고, 1~6이 특히 바람직하다), 방향족 화합물로부터 n+1개의 수소 원자를 제거한 기(탄소수 6~22가 바람직하며, 6~14가 보다 바람직하고, 6~10이 특히 바람직하다. 또, 방향족 탄화 수소 화합물로부터 n+1개의 수소 원자를 제거한 기인 것이 바람직하다.) 또는, 이들 중 적어도 일방과, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기(탄소수 1~24가 바람직하며, 1~12가 보다 바람직하고, 1~6이 특히 바람직하다), 2가의 방향족기(탄소수 6~22가 바람직하며, 6~14가 보다 바람직하고, 6~10이 특히 바람직하다. 또, 방향족 탄화 수소기인 것이 바람직하다.), -O-, -S-, -C(=O)-, -NRS4-, 및 -NRS4C(=O)-로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 기를 조합한 기가 바람직하며, 상기 포화 탄화 수소로부터 n+1개의 수소 원자를 제거한 기가 보다 바람직하다.
RS4는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기가 바람직하며, 수소 원자 또는 메틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자가 더 바람직하다.
식 (S2) 중, RP2는 1가의 유기기를 나타내고, 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기를 바람직하게 들 수 있다.
RP2에 있어서의 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기에 포함되는 라디칼 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화기를 들 수 있으며, 바이닐기, (메트)알릴기, 또는 (메트)아크릴로일기를 포함하는 기가 바람직하고, (메트)아크릴로일기를 포함하는 기가 보다 바람직하다.
RP2가 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기인 경우, RP2는, (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일아미노기, 바이닐기, 바이닐페닐기, 바이닐페닐옥시기, 또는 바이닐페닐메틸기인 것이 바람직하고, (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴로일옥시기, 또는 (메트)아크릴로일아미노기가 보다 바람직하며, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기가 더 바람직하다.
라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기는, 라디칼 중합성기를 1개만 갖는 기여도 되고, 라디칼 중합성기를 2개 이상 갖는 기여도 된다. 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기가 라디칼 중합성기를 2개 이상 갖는 경우, 복수 개의 라디칼 중합성기는, 서로, 동일해도 되고, 달라도 된다. 또, 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 후술하는 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 치환기로서는, 후술하는 치환기 T가 예시된다. 1개의 1가의 유기기에 포함되는 라디칼 중합성기의 수는, 3개 이하가 바람직하고, 2개 이하가 보다 바람직하다. 본 발명에서는, 라디칼 중합성기를 포함하는 1가의 유기기가, 치환기를 갖지 않는 양태가 바람직하게 예시된다.
RP2는, 라디칼 중합성기를 포함하지 않는 1가의 유기기여도 된다. 라디칼 중합성기를 포함하지 않는 1가의 유기기로서는, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하고, 탄소수 1~20의 알킬기 또는 탄소수 6~20의 아릴기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 페닐기가 보다 바람직하다.
식 (S3) 중, RP3은 RP2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.
본 발명에 있어서의 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물은, 저분자 화합물이어도 되고 고분자 화합물이어도 되지만, 저분자 화합물인 것이 바람직하다.
구체적으로는, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물의 분자량은 2,000 미만인 것이 바람직하고, 1,000 미만인 것이 보다 바람직하다. 상기 분자량의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 100 이상인 것이 바람직하다.
아황산 에스터 구조를 갖는 화합물로서는, 하기의 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
[화학식 33]
Figure pct00033
상기 예시 화합물 중, m은 1~30이며, n은 1~30이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.001질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.005질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.01질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 한층 바람직하며, 0.1질량% 이상인 것이 보다 한층 바람직하고, 0.3질량% 이상인 것이 더 한층 바람직하다. 또, 상기 함유량은, 20질량% 이하인 것이 바람직하며, 15질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 더 바람직하며, 나아가서는, 7질량% 이하, 5질량% 이하, 2질량% 이하, 1질량% 이하여도 된다.
아황산 에스터 구조를 갖는 화합물이 라디칼 중합성기를 갖는 경우, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물과, 후술하는 라디칼 중합성 화합물의 합계 함유량은, 특정 전구체 100질량부에 대하여, 70질량부 이하인 것이 바람직하고, 60질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 55질량부 이하인 것이 더 바람직하고, 50질량부 이하인 것이 더 바람직하며, 45질량부 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 합계 함유량은, 0.1질량부 이상인 것이 바람직하고, 1질량부 이상, 3질량부 이상, 5질량부 이상, 10질량부 이상이어도 된다.
감광성 수지 조성물이, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물과, 후술하는 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 경우, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물과, 후술하는 라디칼 중합성 화합물의 함유비(질량비)는, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물:후술하는 라디칼 중합성 화합물=3:97~30:70인 것이 바람직하고, 5:95~20:80인 것이 보다 바람직하다.
감광성 수지 조성물의 보존 안정성 및 노광 감도를 보다 향상시키는 관점에서는, 후술하는 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 전체 중합성 화합물 중의 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물의 비율은, 하한값으로서는 0.01질량% 이상이 바람직하고, 0.02질량% 이상이 보다 바람직하며, 0.1질량% 이상이 더 바람직하고, 0.3질량% 이상이 한층 바람직하며, 0.5질량% 이상이 보다 한층 바람직하다. 상한값으로서는 100질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이하, 30질량% 이하, 20질량% 이하, 10질량% 이하, 7질량% 이하, 5질량% 이하, 2질량% 이하, 1질량% 이하여도 된다.
감광성 수지 조성물은, 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물을 1종만 포함하고 있어도 되며, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
<광중합 개시제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제는 광라디칼 중합 개시제인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 광라디칼 중합 개시제로서, 후술하는 제4족 원소 함유 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 있어서, 후술하는 제4족 원소 함유 화합물 중에서, 라디칼 중합 개시능을 갖는 것을, 광라디칼 중합 개시제로서 이용하는 것이 가능하다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물이, 라디칼 중합 개시능을 갖는 제4족 원소 함유 화합물 등을 포함하는 경우, 본 발명의 감광성 수지 조성물이, 상기 제4족 원소 함유 화합물 이외의 라디칼 중합 개시제를 실질적으로 포함하지 않는 것도 바람직하다. 상기 제4족 원소 함유 화합물 이외의 라디칼 중합 개시제를 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 상기 제4족 원소 함유 화합물 이외의 다른 라디칼 중합 개시제의 함유량이, 상기 제4족 원소 함유 화합물의 전체 질량에 대하여, 5질량% 이하인 것을 말하며, 3질량% 이하가 바람직하고, 1질량% 이하가 보다 바람직하며, 0.1질량%가 더 바람직하다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 라디칼 중합 성능을 갖지 않는 제4족 원소 함유 화합물을 포함하는 경우, 제4족 원소 함유 화합물과 라디칼 중합 개시제를 병용하는 것이 바람직하다.
여기에서, 라디칼 중합 개시능을 갖는다는 것은, 라디칼 중합을 개시시킬 수 있는 프리 라디칼을 발생시킬 수 있는 것을 의미한다. 예를 들면, 라디칼 중합성 모노머와 바인더 폴리머와 제4족 원소 함유 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물에 대하여, 제4족 원소 함유 화합물이 광을 흡수하는 파장역이며, 라디칼 중합성 모노머가 광을 흡수하지 않는 파장역의 광을 조사했을 때에, 라디칼 중합성 모노머의 소실의 유무를 확인함으로써 중합 개시능의 유무를 확인할 수 있다. 소실의 유무를 확인하기 위해서는, 라디칼 중합성 모노머나 바인더 폴리머의 종류에 따라 적절한 방법을 선택할 수 있지만, 예를 들면 IR 측정(적외 분광 측정) 또는 HPLC 측정(고속 액체 크로마토그래피)에 의하여 확인하면 된다.
본 발명에서 이용할 수 있는 광라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 광라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 또, 광 여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생하여, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다.
광라디칼 중합 개시제는, 약 300~800nm(바람직하게는 330~500nm)의 파장 범위 내에 적어도 약 50L/(mol·cm)의 몰 흡광 계수를 갖는 화합물을, 적어도 1종 함유하고 있는 것이 바람직하다. 화합물의 몰 흡광 계수는, 공지의 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예를 들면, 자외 가시 분광 광도계(Varian사제 Cary-5 spectrophotometer)로, 아세트산 에틸 용제를 이용하여, 0.01g/L의 농도로 측정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 광라디칼 중합 개시제를 포함함으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 반도체 웨이퍼 등의 기재에 적용하여 감광막(감광성 수지 조성물층)을 형성한 후, 광을 조사함으로써, 발생하는 라디칼에 기인하는 경화가 일어나, 광조사부에 있어서의 용해성을 저하시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면 전극부만을 마스크하는 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 감광막을 노광함으로써, 전극의 패턴에 따라, 용해성이 다른 영역을 간편하게 제작할 수 있다는 이점이 있다.
〔다른 광중합 개시제〕
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 후술하는 제4족 원소 함유 화합물 이외의, 다른 광중합 개시제로서 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 광중합 개시제는 광라디칼 중합 개시제인 것이 보다 바람직하다.
예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심 에터, 아미노아세토페논 화합물, 하이드록시아세토페논, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아렌 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
케톤 화합물로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품에서는, 카야큐어-DETX(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.
다른 광라디칼 중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및 아실포스핀 화합물도 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제도 이용할 수 있다.
하이드록시아세토페논계 개시제로서는, IRGACURE 184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, IRGACURE 127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.
아미노아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE 907, IRGACURE 369, 및 IRGACURE 379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.
아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 흡수 극대 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.
아실포스핀계 개시제로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, 시판품인 IRGACURE 819나 IRGACURE TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.
메탈로센 화합물로서는, IRGACURE 784(BASF사제) 등이 예시된다.
다른 광라디칼 중합 개시제로서, 보다 바람직하게는 옥심 화합물을 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓고, 또한 광염기 발생제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.
옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.
바람직한 옥심 화합물로서는, 예를 들면 하기의 구조의 화합물이나, 3-벤조일옥시이미노뷰탄-2-온, 3-아세톡시이미노뷰탄-2-온, 3-프로피온일옥시이미노뷰탄-2-온, 2-아세톡시이미노펜탄-3-온, 2-아세톡시이미노-1-페닐프로판-1-온, 2-벤조일옥시이미노-1-페닐프로판-1-온, 3-(4-톨루엔설폰일옥시)이미노뷰탄-2-온, 및 2-에톡시카보닐옥시이미노-1-페닐프로판1-온 등을 들 수 있다.
[화학식 34]
Figure pct00034
시판품에서는 IRGACURE OXE 01, IRGACURE OXE 02, IRGACURE OXE 03, IRGACURE OXE 04(이상, BASF사제), 아데카 옵토머 N-1919((주)ADEKA제, 일본 공개특허공보 2012-014052호에 기재된 광라디칼 중합 개시제 2)도 적합하게 이용된다. 또, TR-PBG-304(창저우 강력 전자 신재료 유한공사제(Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd)), 아데카 아클즈 NCI-831 및 아데카 아클즈 NCI-930((주)ADEKA제)도 이용할 수 있다. 또, DFI-091(다이토 케믹스 주식회사제)을 이용할 수 있다.
추가로, 또 불소 원자를 갖는 옥심 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 그와 같은 옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2010-262028호에 기재되어 있는 화합물, 일본 공표특허공보 2014-500852호의 단락 0345에 기재되어 있는 화합물 24, 36~40, 일본 공개특허공보 2013-164471호의 단락 0101에 기재되어 있는 화합물 (C-3) 등을 들 수 있으며, 그들의 기재 내용은, 본 명세서에 원용된다.
가장 바람직한 옥심 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2007-269779호에 나타나는 특정 치환기를 갖는 옥심 화합물이나, 일본 공개특허공보 2009-191061호에 나타나는 싸이오아릴기를 갖는 옥심 화합물 등을 들 수 있으며, 그들의 기재 내용은, 본 명세서에 원용된다.
다른 광라디칼 중합 개시제는, 노광 감도의 관점에서, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, 벤질다이메틸케탈 화합물, α-하이드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조싸이아졸 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물 및 그 유도체, 사이클로펜타다이엔-벤젠-철 착체 및 그 염, 할로메틸옥사다이아졸 화합물, 3-아릴 치환 쿠마린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 바람직하다.
더 바람직한 다른 광라디칼 중합 개시제는, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 아실포스핀 화합물, 포스핀옥사이드 화합물, 메탈로센 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 오늄염 화합물, 벤조페논 화합물, 아세토페논 화합물이며, 트라이할로메틸트라이아진 화합물, α-아미노케톤 화합물, 옥심 화합물, 트라이아릴이미다졸 다이머, 벤조페논 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이 한층 바람직하고, 메탈로센 화합물 또는 옥심 화합물을 이용하는 것이 보다 한층 바람직하며, 옥심 화합물이 특히 바람직하다.
또, 다른 광라디칼 중합 개시제는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-다이아미노벤조페논(미힐러케톤) 등의 N,N'-테트라알킬-4,4'-다이아미노벤조페논, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤, 알킬안트라퀴논 등의 방향환과 축환한 퀴논류, 벤조인알킬에터 등의 벤조인에터 화합물, 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 벤질 유도체 등을 이용할 수도 있다. 또, 하기 식 (I)로 나타나는 화합물을 이용할 수도 있다.
[화학식 35]
Figure pct00035
식 (I) 중, R50은, 탄소수 1~20의 알킬기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 1~12의 알콕시기, 할로젠 원자, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 탄소수 2~12의 알켄일기, 1개 이상의 산소 원자에 의하여 중단된 탄소수 2~18의 알킬기 및 탄소수 1~4의 알킬기 중 적어도 하나로 치환된 페닐기, 또는 바이페닐일이며, R51은, 식 (II)로 나타나는 기이거나, R50과 동일한 기이고, R52~R54는 각각 독립적으로 탄소수 1~12의 알킬, 탄소수 1~12의 알콕시 또는 할로젠이다.
[화학식 36]
Figure pct00036
식 중, R55~R57은, 상기 식 (I)의 R52~R54와 동일하다.
또, 다른 광라디칼 중합 개시제로서는, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0048~0055에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
광라디칼 중합 개시제의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 5~15질량%이다. 광라디칼 중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 광라디칼 중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<열중합 개시제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 열중합 개시제를 더 포함해도 된다. 열중합 개시제는 열라디칼 중합 개시제인 것이 보다 바람직하다.
열라디칼 중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하여, 중합성을 갖는 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 중합 개시제를 첨가함으로써, 특정 전구체의 환화와 함께, 특정 전구체의 중합 반응을 진행시킬 수도 있으므로, 얻어지는 경화막의 보다 고도의 내열화를 달성할 수 있게 된다.
열라디칼 중합 개시제로서, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2008-063554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있으며, 이 기재된 내용은 본 명세서에 원용된다.
열라디칼 중합 개시제의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 0.1~30질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~20질량%이며, 더 바람직하게는 5~15질량%이다. 열라디칼 중합 개시제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 열라디칼 중합 개시제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<제4족 원소 함유 화합물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 제4족 원소 함유 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 제4족 원소 함유 화합물은, 내약품성을 보다 향상시키는 관점에서는, 상기 광라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하다.
제4족 원소 함유 화합물로서는, 타이타늄 원자, 지르코늄 원자 및 하프늄 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인 것이 바람직하고, 타이타늄 원자 및 지르코늄 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인 것이 보다 바람직하다. 또, 타이타늄 원자 및 지르코늄 원자로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물은, 바람직하게는, 유기기와 타이타늄 원자 또는 지르코늄 원자를 포함하는 유기 화합물이며, 상기 유기 화합물 1분자 중에 포함되는 타이타늄 원자 및 지르코늄 원자의 수는, 합계로, 1개인 것이 바람직하다. 유기기로서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 탄화 수소기, 또는 탄화 수소기와 헤테로 원자의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자가 바람직하다.
본 발명에서는, 유기기 중 적어도 1개는 환상기인 것이 바람직하고, 적어도 2개는 환상기인 것이 보다 바람직하다. 상기 환상기는, 5원환의 환상기 및 6원환의 환상기로부터 선택되는 것이 바람직하며, 5원환의 환상기로부터 선택되는 것이 보다 바람직하다. 5원환의 환상기로서는, 사이클로펜타다이엔일기가 바람직하다. 또, 본 발명에서 이용하는 유기 타이타늄 화합물 등은, 1분자 중에 2~4개의 환상기를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 제4족 원소 함유 화합물은, 하기 식 (P)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 37]
Figure pct00037
식 (P) 중, M은, 제4족 원소이며, R은, 각각 독립적으로, 치환기이다.
상기 R은, 각각 독립적으로, 방향족기, 알킬기, 할로젠 원자 및 알킬설폰일옥시기로부터 선택되는 것이 바람직하다.
M이 나타내는 제4족 원소로서는, 타이타늄 원자, 지르코늄 원자 및 하프늄 원자가 바람직하고, 타이타늄 원자 및 지르코늄 원자가 보다 바람직하다.
상기 R에 있어서의 방향족기로서는, 탄소수 6~20의 방향족기를 들 수 있으며, 탄소수 6~20의 방향족 탄화 수소기가 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 또는 2-나프틸기 등을 들 수 있다.
상기 R에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1~20의 알킬기가 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, t-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다.
상기 R에 있어서의 할로젠 원자로서는, F, Cl, Br, I를 들 수 있다.
상기 R에 있어서의 알킬설폰일옥시기를 구성하는 알킬쇄로서는, 탄소수 1~20의 알킬기가 바람직하며, 탄소수 1~10의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸쇄, 에틸쇄, 프로필쇄, 옥틸쇄, 아이소프로필쇄, t-뷰틸쇄, 아이소펜틸쇄, 2-에틸헥실쇄, 2-메틸헥실쇄, 사이클로펜틸쇄 등을 들 수 있다.
상기 R은, 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 치환기의 예로서는, 할로젠 원자(F, Cl, Br, I), 하이드록시기, 카복시기, 아미노기, 사이아노기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 모노알킬아미노기, 다이알킬아미노기, 모노아릴아미노기 및 다이아릴아미노기 등을 들 수 있다.
본 발명에 이용되는 제4족 원소 함유 화합물은, 메탈로센 및 메탈로센 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 메탈로센 유도체란, 치환기를 갖는 사이클로펜타다이엔일 음이온 유도체 2개를 η5-배위자로서 갖는 유기 금속 화합물을 나타내고, 타이타노센 유도체, 지르코노센 유도체, 하프노센 유도체 등이 포함된다.
또, 본 발명에서 이용되는 제4족 원소 함유 화합물은, 타이타노센 화합물, 테트라알콕시타이타늄 화합물, 타이타늄아실레이트 화합물, 타이타늄킬레이트 화합물, 지르코노센 화합물 및 하프노센 화합물로부터 선택되는 것이 바람직하고, 타이타노센 화합물, 지르코노센 화합물 및 하프노센 화합물로부터 선택되는 것이 보다 바람직하며, 타이타노센 화합물 및 지르코노센 화합물로부터 선택되는 것이 더 바람직하다.
또, 제4족 원소 함유 화합물은, 타이타노센, 타이타노센 유도체, 지르코노센 및 지르코노센 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하고, 타이타노센 및 타이타노센 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.
제4족 원소 함유 화합물의 분자량은, 50~2,000이 바람직하고, 100~1,000이 보다 바람직하다.
제4족 원소 함유 화합물의 구체예로서는, 테트라아이소프로폭시타이타늄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)타이타늄, 다이아이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)타이타늄, 다이아이소프로폭시비스(아세틸아세토네이토)타이타늄, 및 하기 화합물이 예시된다.
[화학식 38]
Figure pct00038
또, 제4족 원소 함유 화합물 중, 타이타늄 원자를 포함하는 유기 화합물로서는, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-다이-클로라이드, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-페닐, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐-1-일, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,3,5,6-테트라플루오로페닐-1-일, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,4,6-트라이플루오로페닐-1-일, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-2,6-다이플루오로페닐-1-일, 다이-사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,4-다이플루오로페닐-1-일, 다이-메틸사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,3,4,5,6-펜타플루오로페닐-1-일, 다이-메틸사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,3,5,6-테트라플루오로페닐-1-일, 다이-메틸사이클로펜타다이엔일-Ti-비스-2,4-다이플루오로페닐-1-일, 비스(사이클로펜타다이엔일)-비스(2,6-다이플루오로-3-(피리-1-일)페닐)타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(메틸설폰아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸바이아로일-아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-메틸아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸프로피온일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸-(2,2-다이메틸뷰탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(2,2-다이메틸뷰탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-펜틸-(2,2-다이메틸뷰탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실)-(2,2-다이메틸뷰탄오일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-메틸뷰티릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸사이클로헥실카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸아이소뷰티릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸아세틸아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2,5,5-테트라메틸-1,2,5-아자다이클로리딘일-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(옥틸설폰아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(4-톨릴설폰아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(4-도데실페닐설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(4-(1-펜틸헵틸)페닐설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(에틸설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-((4-브로모페닐)-설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-나프틸설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(헥사데실설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-메틸-(4-도데실페닐)설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-메틸-4-(1-펜틸헵틸)페닐)설폰일아마이드)〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(4-톨릴)-설폰일아마이드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(피롤리딘-2,5-다이온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3,4-다이메틸-3-피롤리딘-2,5-다이온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(프탈이미드)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(아이소뷰톡시카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(에톡시카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-((2-클로로에톡시)-카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(페녹시카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-페닐싸이오유레이도)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-뷰틸싸이오유레이도)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-페닐유레이도)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-뷰틸유레이도)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N,N-다이아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3,3-다이메틸유레이도)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(뷰티릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(데칸오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(옥타데칸오일아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(아이소뷰티릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-에틸헥산오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-메틸뷰탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(피발로일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2-다이메틸뷰탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-에틸-2-메틸헵탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(사이클로헥실카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-페닐프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-클로로메틸-2-메틸-3-클로로프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3,4-자일로일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(4-에틸벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,4,6-메시틸카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로필)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-에틸헵틸)-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸피발로일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(옥솔란-2-일메틸)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-에틸헵틸)-2,2-다이메틸뷰탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로필-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(옥솔란-2-일메틸)-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(4-톨루일메틸)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(4-톨루일메틸)-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸벤조일아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2,4-다이메틸펜틸)-2,2-다이메틸뷰탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,4-다이메틸펜틸)-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-((4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2-다이메틸-3-에톡시프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2,2-다이메틸-3-알릴옥시프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-알릴아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-에틸뷰탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-에틸헥실)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소프로필벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로필)-2,2-다이메틸펜탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸-2,2-다이메틸펜탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-에틸헥실)-2,2-다이메틸펜탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소프로필-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로필)피발로일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-메톡시에틸)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-벤질벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-벤질-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-메톡시에틸)-(4-톨루일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(4-메틸페닐메틸)-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-메톡시에틸)-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸-(2-에틸-2-메틸헵탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(2-에틸-2-메틸뷰탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실-2,2-다이메틸펜탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(옥솔란-2-일메틸)-2,2-다이메틸펜탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실-(2-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3,3-다이메틸-2-아제티딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-아이소사이아네이토페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로판오일)-2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(2-클로로메틸-2-메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(뷰틸싸이오카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(페닐싸이오카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-아이소사이아네이토페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸-(4-톨릴설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-페닐프로판오일)-2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실메틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소뷰틸-(2,2-다이메틸-3-클로로프로판오일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(2-클로로메틸-2-메틸-3-클로로프로판오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(뷰틸싸이오카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(페닐싸이오카보닐아미노)페닐〕타이타늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-2,2-다이메틸뷰탄오일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸프로피온일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(트라이메틸실릴펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-2,2-다이메틸프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-메톡시에틸)-트라이메틸실릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸헥실다이메틸실릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-에틸-(1,1,2-트라이메틸프로필)다이메틸실릴아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-에톡시메틸-3-메틸-2-아제티딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-알릴옥시메틸-3-메틸-2-아제티딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(3-클로로메틸-3-메틸-2-아제티딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-벤질-2,2-다이메틸프로판오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(5,5-다이메틸-2-피롤리딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(6,6-다이페닐-2-피페리딘온-1-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2,3-다이하이드로-1,2-벤조싸이아졸-3-온(1,1-다이옥사이드)-2-일)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-헥실-(2-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-아이소프로필-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(4-메틸페닐메틸)-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(4-메틸페닐메틸)-(2-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-뷰틸-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-벤질-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(2-에틸헥실)-4-톨릴-설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3-옥사헵틸)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3,6-다이옥사데실)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(트라이플루오로메틸설폰일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(트라이플루오로아세틸아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(2-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(4-클로로벤조일)아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3,6-다이옥사데실)-2,2-다이메틸펜탄오일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-(3,7-다이메틸-7-메톡시옥틸)벤조일아미노)페닐〕타이타늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스〔2,6-다이플루오로-3-(N-사이클로헥실벤조일아미노)페닐〕타이타늄 등을 이용할 수도 있다.
또, 제4족 원소 함유 화합물 중, 지르코늄 원자를 포함하는 유기 화합물이나 하프늄 원자를 포함하는 화합물로서는, (사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이페닐지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이클로로지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이메톡시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이메틸(메톡시)지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)메틸다이클로로지르코늄, (메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (메틸사이클로펜타다이엔일)트라이페닐지르코늄, (메틸사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (메틸사이클로펜타다이엔일)트라이클로로지르코늄, (메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸(메톡시)지르코늄, (다이메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (트라이메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (테트라메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메틸지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이페닐지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이클로로지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이메톡시지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸(메톡시)지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이에틸지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이프로필지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이네오펜틸지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이(다이페닐메틸)지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이메틸하이드라이드지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이에톡시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이아이소프로폭시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이페녹시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이메틸아이소프로폭시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이페닐아이소프로폭시지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이메톡시클로로지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)메톡시다이클로로지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)다이페녹시클로로지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)페녹시다이클로로지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)트라이(페닐다이메틸실릴)지르코늄, (n-뷰틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸n-뷰톡시지르코늄, (벤질사이클로펜타다이엔일)다이m-톨릴메틸지르코늄, (트라이플루오로메틸사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (다이페닐사이클로펜타다이엔일)다이노보닐메틸지르코늄, (테트라에틸사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (펜타트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)트라이벤질지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이네오펜틸지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)메틸다이클로로지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이에톡시지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)트라이페녹시지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)메톡시다이클로로지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이페녹시클로로지르코늄, (펜타메틸사이클로펜타다이엔일)페녹시다이클로로지르코늄, (인덴일)트라이메틸지르코늄, (인덴일)트라이벤질지르코늄, (인덴일)트라이클로로지르코늄, (인덴일)트라이메톡시지르코늄,
(인덴일)트라이에톡시지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이페닐지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이에틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이메톡시지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이하이드라이드지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)클로로하이드라이드지르코늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 비스(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)클로로메틸지르코늄, 비스(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)하이드라이드메틸지르코늄, (사이클로펜타다이엔일)(펜타메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이네오펜틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이m-톨릴지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이p-톨릴지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스(다이페닐메틸)지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)다이브로모지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)메틸클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)에틸클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)사이클로헥실클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)페닐클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)벤질클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)하이드라이드메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)메톡시클로로지르코늄,
비스(사이클로펜타다이엔일)에톡시클로로지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)(트라이메틸실릴)메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)비스(트라이메틸실릴)지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)(트라이페닐실릴)메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)(트리스(다이메틸실릴)실릴)메틸지르코늄, 비스(사이클로펜타다이엔일)(트라이메틸실릴)(트라이메틸실릴메틸)지르코늄, 비스(메틸사이클로펜타다이엔일)다이페닐지르코늄, 비스(에틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(에틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(프로필사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(프로필사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(n-뷰틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(t-뷰틸사이클로펜타다이엔일)비스(트라이메틸실릴)지르코늄, 비스(헥실사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(사이클로헥실사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(다이메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(다이메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(다이메틸사이클로펜타다이엔일)에톡시클로로지르코늄, 비스(에틸메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(프로필메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(뷰틸메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(트라이메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(테트라메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(사이클로헥실메틸사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 비스(트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 비스(트라이메틸점일사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(트라이메틸점일사이클로펜타다이엔일)다이페닐지르코늄, 비스(트라이메틸스탄일사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(트라이메틸스탄일사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 비스(트라이플루오로메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 비스(트라이플루오로메틸사이클로펜타다이엔일)다이노보닐지르코늄, 비스(인덴일)다이벤질지르코늄, 비스(인덴일)다이클로로지르코늄, 비스(인덴일)다이브로모지르코늄, 비스(테트라하이드로인덴일)다이클로로지르코늄, 비스(플루오렌일)다이클로로지르코늄, (프로필사이클로펜타다이엔일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, (사이클로헥실메틸사이클로펜타다이엔일)(사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, (펜타트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, (트라이플루오로메틸사이클로펜타다이엔일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 에틸렌비스(인덴일)다이메틸지르코늄, 에틸렌비스(인덴일)다이클로로지르코늄, 에틸렌비스(테트라하이드로인덴일)다이메틸지르코늄, 에틸렌비스(테트라하이드로인덴일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 아이소프로필리덴(사이클로펜타다이엔일)(9-플루오렌일)다이메틸지르코늄, 아이소프로필리덴(사이클로펜타다이엔일)(9-플루오렌일)다이클로로지르코늄, [페닐(메틸)메틸렌](9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 다이페닐메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(9-플루오렌일)다이메틸지르코늄, 에틸렌(9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 사이클로헥실리덴(9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 사이클로펜틸리덴(9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 사이클로뷰틸리덴(9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 다이메틸실릴렌(9-플루오렌일)(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(2,3,5-트라이메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(2,3,5-트라이메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(인덴일)다이클로로지르코늄, 메틸렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 메틸렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이(트라이메틸실릴)지르코늄,
메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(테트라메틸사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(플루오렌일)다이메틸지르코늄, 에틸렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이메틸지르코늄, 에틸렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이벤질지르코늄, 에틸렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이하이드라이드지르코늄, 에틸렌비스(인덴일)다이페닐지르코늄, 에틸렌비스(인덴일)메틸클로로지르코늄, 에틸렌비스(테트라하이드로인덴일)다이벤질지르코늄, 아이소프로필리덴(사이클로펜타다이엔일)(메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 아이소프로필리덴(사이클로펜타다이엔일)(옥타하이드로플루오렌일)다이하이드라이드지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이네오펜틸지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(사이클로펜타다이엔일)다이하이드라이드지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(다이메틸사이클로펜타다이엔일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(테트라하이드로인덴일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌(사이클로펜타다이엔일)(플루오렌일)다이클로로지르코늄, 다이메틸실릴렌(사이클로펜타다이엔일)(플루오렌일)다이하이드라이드지르코늄, 다이메틸실릴렌(메틸사이클로펜타다이엔일)(플루오렌일)다이하이드라이드지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(3-트라이메틸실릴사이클로펜타다이엔일)다이하이드라이드지르코늄, 다이메틸실릴렌비스(인덴일)다이메틸지르코늄, 다이페닐실릴렌비스(인덴일)다이클로로지르코늄, 페닐메틸실릴렌비스(인덴일)다이클로로지르코늄 및 이들 화합물의 지르코늄 원자를 하프늄 원자로 치환한 화합물 등을 이용할 수도 있다.
제4족 원소 함유 화합물의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~30질량%가 바람직하다. 하한은, 1.0질량% 이상이 보다 바람직하고, 1.5질량% 이상이 더 바람직하며, 3.0질량% 이상이 특히 바람직하다. 상한은, 25질량% 이하가 보다 바람직하다.
제4족 원소 함유 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 이용할 수 있다. 2종 이상을 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물에서는, 제4족 원소 함유 화합물의 함유량과, 후술하는 오늄염의 함유량의 질량 비율이, 제4족 원소 함유 화합물:오늄염=99:1~1:99인 것이 바람직하고, 90:10~10:90인 것이 보다 바람직하며, 40:60~20:80인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 범위로 함으로써, 특정 전구체의 저온에서의 보다 높은 폐환율과, 보다 높은 유리 전이 온도의 달성이 가능해진다.
<용제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 용제는, 공지의 용제를 임의로 사용할 수 있다. 용제는 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 에스터류, 에터류, 케톤류, 방향족 탄화 수소류, 설폭사이드류, 아마이드류 등의 화합물을 들 수 있다.
에스터류로서, 예를 들면 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ-발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예를 들면, 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예를 들면, 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
에터류로서, 예를 들면 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
방향족 탄화 수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌, 아니솔, 리모넨 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
설폭사이드류로서, 예를 들면 다이메틸설폭사이드를 적합한 것으로서 들 수 있다.
아마이드류로서, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드 등을 적합한 것으로서 들 수 있다.
용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다. 그중에서도, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이 바람직하다. 다이메틸설폭사이드와 γ-뷰티로락톤의 병용이 특히 바람직하다.
용제의 함유량은, 도포성의 관점에서, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분 농도가 5~80질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 5~70질량%가 더 바람직하며, 10~60질량%가 특히 바람직하다. 용제 함유량은, 원하는 두께와 부여 방법에 따라 결정하면 된다. 예를 들면 부여 방법이 스핀 코트나 슬릿 코트이면 상기 범위의 고형분 농도가 되는 용제의 함유량이 바람직하다. 스프레이 코트이면 0.1질량%~50질량%가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 1.0질량%~25질량%가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하다. 부여 방법에 따라 용제량을 조절함으로써, 원하는 두께의 감광막을 균일하게 형성할 수 있다.
용제는 1종만 함유하고 있어도 되고, 2종 이상 함유하고 있어도 된다. 용제를 2종 이상 함유하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<중합성 화합물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 중합성 화합물(이하, "중합성 모노머"라고도 한다)을 포함하는 것이 바람직하다. 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 라디칼 중합성 화합물이란, 상기 전구체, 및 상기 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물 이외의 라디칼 중합성기를 포함하는 화합물을 말한다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물이 라디칼 중합성 화합물을 포함함으로써, 내열성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.
중합성 모노머에 있어서의 라디칼 중합성기로서는, 바이닐페닐기, 바이닐기, (메트)아크릴로일기 및 알릴기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있으며, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
중합성 모노머에 있어서의 라디칼 중합성기의 수는, 1개여도 되고, 2개 이상이어도 되지만, 2개 이상인 것이 바람직하고, 3개 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한은, 15개 이하가 바람직하고, 10개 이하가 보다 바람직하며, 8개 이하가 더 바람직하다.
중합성 모노머의 분자량은, 2,000 이하가 바람직하고, 1,500 이하가 보다 바람직하며, 900 이하가 더 바람직하다. 중합성 모노머의 분자량의 하한은, 100 이상이 바람직하다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 현상성의 관점에서, 2관능 이상의 중합성 모노머를 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하고, 3관능 이상의 중합성 모노머를 적어도 1종 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또, 2관능의 중합성 모노머와 3관능 이상의 중합성 모노머의 혼합물이어도 된다. 예를 들면 2관능 이상의 중합성 모노머의 관능기 수란, 1분자 중에 있어서의 라디칼 중합성기의 수가 2개 이상인 것을 의미한다.
중합성 모노머의 구체예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등) 및 그 에스터류 또는 아마이드류를 들 수 있으며, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 다가 알코올 화합물의 에스터, 및 불포화 카복실산과 다가 아민 화합물의 아마이드류이다. 또, 하이드록시기나 아미노기, 머캅토기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 혹은 에폭시류와의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산과의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 또한 할로젠기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등으로 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0113~0122의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
또, 중합성 모노머는, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다. 그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후, (메트)아크릴레이트화한 화합물, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공고특허공보 소50-006034호, 일본 공개특허공보 소51-037193호 각 공보에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인(메트)아크릴레이트류, 일본 공개특허공보 소48-064183호, 일본 공고특허공보 소49-043191호, 일본 공고특허공보 소52-030490호 각 공보에 기재되어 있는 폴리에스터아크릴레이트류, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트류 등의 다관능의 아크릴레이트나 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2008-292970호의 단락 0254~0257에 기재된 화합물도 적합하다. 또, 다관능 카복실산에 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 환상 에터기와 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 (메트)아크릴레이트 등도 들 수 있으며, 그들 내용은 본 명세서에 원용된다.
또, 그 외의 바람직한 중합성 모노머로서, 일본 공개특허공보 2010-160418호, 일본 공개특허공보 2010-129825호, 일본 특허공보 제4364216호 등에 기재되는, 플루오렌환을 갖고, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 2개 이상 갖는 화합물이나, 카도 수지도 사용하는 것이 가능하다.
또한, 그 외의 예로서는, 일본 공고특허공보 소46-043946호, 일본 공고특허공보 평1-040337호, 일본 공고특허공보 평1-040336호에 기재된 특정 불포화 화합물이나, 일본 공개특허공보 평2-025493호에 기재된 바이닐포스폰산계 화합물 등도 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 소61-022048호에 기재된 퍼플루오로알킬기를 포함하는 화합물을 이용할 수도 있다. 또한 일본 접착 협회지 vol. 20, No. 7, 300~308페이지(1984년)에 광중합성 모노머 및 올리고머로서 소개되어 있는 것도 사용할 수 있고, 그들 내용은 본 명세서에 원용된다.
상기 외에, 일본 공개특허공보 2015-034964호의 단락 0048~0051에 기재된 화합물도 바람직하게 이용할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
또, 일본 공개특허공보 평10-062986호에 있어서 식 (1) 및 식 (2)로서 그 구체예와 함께 기재된, 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후에 (메트)아크릴레이트화한 화합물도, 중합성 모노머로서 이용할 수 있다.
또한, 일본 공개특허공보 2015-187211호의 단락 0104~0131에 기재된 화합물도 중합성 모노머로서 이용할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
중합성 모노머로서는, 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠(주)제, A-TMMT: 신나카무라 가가쿠 고교사제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠(주)제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠(주)제, A-DPH; 신나카무라 가가쿠 고교사제), 및 이들 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하여 결합하고 있는 구조가 바람직하다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.
중합성 모노머의 시판품으로서는, 예를 들면 사토머사제의 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 4관능 아크릴레이트인 SR-494, 에틸렌옥시쇄를 4개 갖는 2관능 메타크릴레이트인 사토머사제의 SR-209, 닛폰 가야쿠(주)제의 펜틸렌옥시쇄를 6개 갖는 6관능 아크릴레이트인 DPCA-60, 아이소뷰틸렌옥시쇄를 3개 갖는 3관능 아크릴레이트인 TPA-330, NK 에스터 M-40G, NK 에스터 4G, NK 에스터 M-9300, NK 에스터 A-9300, UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교사제), DPHA-40H(닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(교에이샤 가가쿠사제), 블렘머 PME400(니치유(주)제) 등을 들 수 있다.
중합성 모노머는, 일본 공고특허공보 소48-041708호, 일본 공개특허공보 소51-037193호, 일본 공고특허공보 평2-032293호, 일본 공고특허공보 평2-016765호에 기재되어 있는 바와 같은 유레테인아크릴레이트류나, 일본 공고특허공보 소58-049860호, 일본 공고특허공보 소56-017654호, 일본 공고특허공보 소62-039417호, 일본 공고특허공보 소62-039418호에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 중합성 모노머로서, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 일본 공개특허공보 평1-105238호에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조나 설파이드 구조를 갖는 화합물을 이용할 수도 있다.
중합성 모노머는, 카복시기, 설포기, 인산기 등의 산기를 갖는 중합성 모노머여도 된다. 산기를 갖는 중합성 모노머는, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터가 바람직하고, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 중합성 모노머가 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록시기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 중합성 모노머에 있어서, 지방족 폴리하이드록시 화합물이 펜타에리트리톨 및/또는 다이펜타에리트리톨인 화합물이다. 시판품으로서는, 예를 들면 도아 고세이 주식회사제의 다염기산 변성 아크릴 올리고머로서, M-510, M-520 등을 들 수 있다.
산기를 갖는 중합성 모노머는, 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 또, 필요에 따라 산기를 갖지 않는 중합성 모노머와 산기를 갖는 중합성 모노머를 병용해도 된다.
산기를 갖는 중합성 모노머의 바람직한 산가는, 0.1~40mgKOH/g이고, 특히 바람직하게는 5~30mgKOH/g이다. 중합성 모노머의 산가가 상기 범위이면, 제조나 취급성이 우수하고, 나아가서는, 현상성이 우수하다. 또, 중합성이 양호하다. 상기 산가는, JIS K 0070:1992의 기재에 준거하여 측정된다.
중합성 모노머의 함유량은, 양호한 중합성과 내열성의 관점에서, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 1~50질량%가 바람직하다. 하한은 5질량% 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 30질량% 이하가 보다 바람직하다. 중합성 모노머는 1종을 단독으로 이용해도 되지만, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.
또, 특정 전구체와 중합성 모노머의 질량 비율(특정 전구체/중합성 모노머)은, 98/2~10/90이 바람직하고, 95/5~30/70이 보다 바람직하며, 90/10~50/50이 가장 바람직하다. 특정 전구체와 중합성 모노머의 질량 비율이 상기 범위이면, 중합성 및 내열성이 보다 우수한 경화막을 형성할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 경화막의 탄성률 제어에 따른 휨 억제의 관점에서, 단관능 중합성 모노머를 바람직하게 이용할 수 있다. 단관능 중합성 모노머로서는, n-뷰틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 뷰톡시에틸(메트)아크릴레이트, 카비톨(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, N-메틸올(메트)아크릴아마이드, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 유도체, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐카프로락탐 등의 N-바이닐 화합물류, 알릴글리시딜에터, 다이알릴프탈레이트, 트라이알릴트라이멜리테이트 등의 알릴 화합물류 등이 바람직하게 이용된다. 단관능 중합성 모노머로서는, 노광 전의 휘발을 억제하기 위하여, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 화합물도 바람직하다.
<다른 중합성 화합물>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상술한 특정 전구체 및 라디칼 중합성 화합물 이외의 다른 중합성 화합물을 더 포함해도 된다. 다른 중합성 화합물로서는, 하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물; 에폭시 화합물; 옥세테인 화합물; 벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다.
〔하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물〕
하이드록시메틸기, 알콕시메틸기 또는 아실옥시메틸기를 갖는 화합물로서는, 하기 식 (AM1)로 나타나는 화합물이 바람직하다.
[화학식 39]
Figure pct00039
식 AM1 중, t는, 1~20의 정수를 나타내고, R4는 탄소수 1~200의 t가의 유기기를 나타내며, R5는, -OR6 또는, -OC(=O)-R7로 나타나는 기를 나타내고, R6은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R7은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.
특정 전구체 100질량부에 대하여, 식 (AM1)로 나타나는 화합물의 함유량은, 5~40질량부인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 10~35질량부이다.
또, 다른 중합성 화합물의 전체 질량에 대하여, 하기 식 (AM4)로 나타나는 화합물을 10~90질량% 함유하고, 하기 식 (AM5)로 나타나는 화합물을 10~90질량% 함유하는 것도 바람직하다.
[화학식 40]
Figure pct00040
식 AM4 중, R4는 탄소수 1~200의 2가의 유기기를 나타내고, R5는, -OR6 또는, -OC(=O)-R7로 나타나는 기를 나타내며, R6은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내고, R7은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.
[화학식 41]
Figure pct00041
식 AM5 중, u는 3~8의 정수를 나타내고, R4는 탄소수 1~200의 u가의 유기기를 나타내며, R5는, -OR6 또는, -OC(=O)-R7로 나타나는 기를 나타내고, R6은, 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 유기기를 나타내며, R7은, 탄소수 1~10의 유기기를 나타낸다.
상술한 하이드록시메틸기 등을 갖는 화합물을 이용함으로써, 요철이 있는 기재 상에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 적용했을 때에, 크랙의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 패턴 가공성이 우수하고, 5%질량 감소 온도가 350℃ 이상, 보다 바람직하게는 380℃ 이상이 되는 높은 내열성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 식 (AM4)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 46DMOC, 46DMOEP(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylolBisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), NIKALAC MX-290(상품명, (주)산와 케미컬제), 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol 등을 들 수 있다.
또, 식 (AM5)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), TM-BIP-A(상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MW-100LM(이상, 상품명, (주)산와 케미컬제)을 들 수 있다.
〔에폭시 화합물(에폭시기를 갖는 화합물)〕
에폭시 화합물로서는, 1분자 중에 에폭시기를 2 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 에폭시기는, 200℃ 이하에서 가교 반응하고, 또한 가교에서 유래하는 탈수 반응이 일어나지 않기 때문에 막수축이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 에폭시 화합물을 함유하는 것은, 감광성 수지 조성물의 저온 경화 및 휨의 억제에 효과적이다.
에폭시 화합물은, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 탄성률이 저하되고, 또 휨을 억제할 수 있다. 또 막의 유연성을 높여, 신도 등도 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 폴리에틸렌옥사이드기는, 에틸렌옥사이드의 반복 단위 수가 2 이상인 것을 의미하며, 반복 단위 수가 2~15인 것이 바람직하다.
에폭시 화합물의 예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리프로필렌글라이콜다이글리시딜에터 등의 폴리알킬렌글라이콜형 에폭시 수지; 폴리메틸(글리시딜옥시프로필)실록세인 등의 에폭시기 함유 실리콘 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 에피클론(등록 상표) 850-S, 에피클론(등록 상표) HP-4032, 에피클론(등록 상표) HP-7200, 에피클론(등록 상표) HP-820, 에피클론(등록 상표) HP-4700, 에피클론(등록 상표) EXA-4710, 에피클론(등록 상표) HP-4770, 에피클론(등록 상표) EXA-859CRP, 에피클론(등록 상표) EXA-1514, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4850-150, 에피클론 EXA-4850-1000, 에피클론(등록 상표) EXA-4816, 에피클론(등록 상표) EXA-4822(이상 상품명, DIC(주)제), 리카레진(등록 상표) BEO-60E(상품명, 신니혼 리카(주)), EP-4003S, EP-4000S(이상 상품명, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하는 에폭시 수지가, 휨의 억제 및 내열성이 우수한 점에서 바람직하다. 예를 들면, 에피클론(등록 상표) EXA-4880, 에피클론(등록 상표) EXA-4822, 리카레진(등록 상표) BEO-60E는, 폴리에틸렌옥사이드기를 함유하므로 바람직하다.
에폭시 화합물의 함유량은, 특정 전구체 100질량부에 대하여, 5~50질량부가 바람직하고, 10~50질량부가 보다 바람직하며, 10~40질량부가 더 바람직하다. 에폭시 화합물의 함유량이 5질량부 이상이면, 얻어지는 경화막의 휨을 보다 억제할 수 있고, 50질량부 이하이면, 경화 시의 리플로를 원인으로 하는 패턴 매립을 보다 억제할 수 있다.
〔옥세테인 화합물(옥세탄일기를 갖는 화합물)〕
옥세테인 화합물로서는, 1분자 중에 옥세테인환을 2개 이상 갖는 화합물, 3-에틸-3-하이드록시메틸옥세테인, 1,4-비스{[(3-에틸-3-옥세탄일)메톡시]메틸}벤젠, 3-에틸-3-(2-에틸헥실메틸)옥세테인, 1,4-벤젠다이카복실산-비스[(3-에틸-3-옥세탄일)메틸]에스터 등을 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 도아 고세이 주식회사제의 아론옥세테인 시리즈(예를 들면, OXT-121, OXT-221, OXT-191, OXT-223)를 적합하게 사용할 수 있고, 이들은 단독으로, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.
옥세테인 화합물의 함유량은, 특정 전구체 100질량부에 대하여, 5~50질량부가 바람직하고, 10~50질량부가 보다 바람직하며, 10~40질량부가 더 바람직하다.
〔벤즈옥사진 화합물(벤즈옥사졸일기를 갖는 화합물)〕
벤즈옥사진 화합물은, 개환 부가 반응에서 유래하는 가교 반응 때문에, 경화 시에 탈가스가 발생하지 않고, 또한 열수축을 작게 하여 휨의 발생이 억제되는 점에서 바람직하다.
벤즈옥사진 화합물의 바람직한 예로서는, B-a형 벤즈옥사진, B-m형 벤즈옥사진(이상, 상품명, 시코쿠 가세이 고교사제), 폴리하이드록시스타이렌 수지의 벤즈옥사진 부가물, 페놀 노볼락형 다이하이드로벤즈옥사진 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상 혼합해도 된다.
벤즈옥사진 화합물의 함유량은, 특정 전구체 100질량부에 대하여, 5~50질량부가 바람직하고, 10~50질량부가 보다 바람직하며, 10~40질량부가 더 바람직하다.
<마이그레이션 억제제>
감광성 수지 조성물은, 마이그레이션 억제제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 마이그레이션 억제제를 포함함으로써, 예를 들면 금속층(금속 배선) 유래의 금속 이온이 감광막 내로 이동하는 것 등, 외부로부터 감광성 수지 조성물로의 화합물의 이동을 효과적으로 억제 가능해진다.
마이그레이션 억제제로서는, 특별히 제한은 없지만, 복소환(피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피라졸환, 아이소옥사졸환, 아이소싸이아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페라진환, 모폴린환, 2H-피란환 및 6H-피란환, 트라이아진환)을 갖는 화합물, 싸이오 요소류 및 머캅토기를 갖는 화합물, 힌더드 페놀계 화합물, 살리실산 유도체계 화합물, 하이드라자이드 유도체계 화합물을 들 수 있다. 특히, 트라이아졸, 벤조트라이아졸 등의 트라이아졸계 화합물, 테트라졸, 벤조테트라졸 등의 테트라졸계 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
또, 할로젠 이온 등의 음이온을 포착하는 이온 트랩제를 사용할 수도 있다.
그 외의 마이그레이션 억제제로서는, 일본 공개특허공보 2013-015701호의 단락 0094에 기재된 방청제, 일본 공개특허공보 2009-283711호의 단락 0073~0076에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2011-059656호의 단락 0052에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2012-194520호의 단락 0114, 0116 및 0118에 기재된 화합물 등을 사용할 수 있다.
마이그레이션 억제제의 구체예로서는, 1H-1,2,3-트라이아졸, 1H-테트라졸을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물이 마이그레이션 억제제를 포함하는 경우, 마이그레이션 억제제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~5.0질량%가 바람직하고, 0.05~2.0질량%가 보다 바람직하며, 0.1~1.0질량%가 더 바람직하다.
마이그레이션 억제제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 마이그레이션 억제제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<중합 금지제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것이 바람직하다.
중합 금지제로서는, 예를 들면 하이드로퀴논, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜, p-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, 페노싸이아진, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있다.
또, 하기 화합물을 이용할 수 있다(Me는 메틸기이다).
[화학식 42]
Figure pct00042
본 발명의 감광성 수지 조성물이 중합 금지제를 포함하는 경우, 중합 금지제의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~5질량%가 바람직하다.
중합 금지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 중합 금지제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<금속 접착성 개량제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 예를 들면 전극이나 배선 등에 이용되는 금속 재료와의 접착성 등, 다른 부재와의 접착성을 향상시키기 위한 금속 접착성 개량제를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 금속 접착성 개량제로서는, 실레인 커플링제 등을 들 수 있다.
실레인 커플링제의 예로서는, 일본 공개특허공보 2014-191002호의 단락 0062~0073에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2011/080992A1호의 단락 0063~0071에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-191252호의 단락 0060~0061에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2014-041264호의 단락 0045~0052에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2014/097594호의 단락 0055에 기재된 화합물을 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 2011-128358호의 단락 0050~0058에 기재된 바와 같이 다른 2종 이상의 실레인 커플링제를 이용하는 것도 바람직하다. 또, 실레인 커플링제는, 하기 화합물을 이용하는 것도 바람직하다. 이하의 식 중, Et는 에틸기를 나타낸다.
[화학식 43]
Figure pct00043
또, 금속 접착성 개량제는, 일본 공개특허공보 2014-186186호의 단락 0046~0049에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2013-072935호의 단락 0032~0043에 기재된 설파이드계 화합물을 이용할 수도 있다.
금속 접착성 개량제의 함유량은 특정 전구체 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1~30질량부인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.5~15질량부의 범위이다. 0.1질량부 이상으로 함으로써 경화 공정 후의 경화막과 예를 들면 금속층과의 접착성이 양호해지고, 30질량부 이하로 함으로써 경화 공정 후의 경화막의 내열성, 기계 특성이 양호해진다. 금속 접착성 개량제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<그 외의 첨가제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라, 각종 첨가물, 예를 들면 열산발생제, 광산발생제, 증감 색소, 연쇄 이동제, 계면활성제, 고급 지방산 유도체, 무기 입자, 경화제, 경화 촉매, 충전제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 감광성 수지 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
〔열산발생제〕
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 열산발생제를 포함하고 있어도 된다. 열산발생제는, 가열에 의하여 산을 발생하고, 특정 전구체의 환화를 촉진하여 경화막의 기계 특성을 보다 향상시킨다. 열산발생제는, 일본 공개특허공보 2013-167742호의 단락 0059에 기재된 화합물 등을 들 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
열산발생제의 함유량은, 특정 전구체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상이 바람직하고, 0.1질량부 이상이 보다 바람직하다. 열산발생제를 0.01질량부 이상 함유함으로써, 가교 반응 및 특정 전구체의 환화가 촉진되기 때문에, 경화막의 기계 특성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다. 또, 열산발생제의 함유량은, 경화막의 전기 절연성의 관점에서, 20질량부 이하가 바람직하고, 15질량부 이하가 보다 바람직하며, 10질량부 이하가 특히 바람직하다.
열산발생제는, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 2종 이상 이용하는 경우는, 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.
〔증감 색소〕
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 증감 색소를 포함하고 있어도 된다. 증감 색소는, 특정 활성 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감 색소는, 광라디칼 중합 개시제 등과 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생한다. 이로써, 예를 들면 광라디칼 중합 개시제는 화학 변화를 일으켜 분해하고, 라디칼을 생성한다. 또, 오늄염은 에너지 이동에 의하여 활성화되어, 특정 전구체의 폐환 효율을 향상한다. 증감 색소의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0161~0163의 기재를 참조할 수 있고, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 증감 색소를 포함하는 경우, 증감 색소의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.01~20질량%가 바람직하고, 0.1~15질량%가 보다 바람직하며, 0.5~10질량%가 더 바람직하다. 증감 색소는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
〔연쇄 이동제〕
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제는, 예를 들면 고분자 사전 제3판(고분자 학회편, 2005년) 683-684페이지에 정의되어 있다. 연쇄 이동제로서는, 예를 들면 분자 내에 SH, PH, SiH, GeH를 갖는 화합물군이 이용된다. 이들은, 저활성의 라디칼에 수소를 공여하여, 라디칼을 생성하거나, 또는 산화된 후, 탈프로톤함으로써 라디칼을 생성할 수 있다. 특히, 싸이올 화합물(예를 들면, 2-머캅토벤즈이미다졸류, 2-머캅토벤즈싸이아졸류, 2-머캅토벤즈옥사졸류, 3-머캅토트라이아졸류, 5-머캅토테트라졸류 등)을 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 연쇄 이동제를 포함하는 경우, 연쇄 이동제의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분 100질량부에 대하여, 0.01~20질량부가 바람직하고, 1~10질량부가 보다 바람직하며, 1~5질량부가 더 바람직하다. 연쇄 이동제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 연쇄 이동제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
(계면활성제)
본 발명의 감광성 수지 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각 종류의 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각 종류의 계면활성제를 사용할 수 있다. 또, 하기 계면활성제도 바람직하다. 하기 식 중, 주쇄의 구성 단위를 나타내는 괄호는 각 구성 단위의 함유량(몰%)을, 측쇄의 구성 단위를 나타내는 괄호는 각 구성 단위의 반복수를 각각 나타낸다.
[화학식 44]
Figure pct00044
본 발명의 감광성 수지 조성물이 계면활성제를 포함하는 경우, 계면활성제의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다. 계면활성제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
〔고급 지방산 유도체〕
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 산소에 기인하는 중합 저해를 방지하기 위하여, 베헨산이나 베헨산 아마이드와 같은 고급 지방산 유도체를 첨가하여, 도포 후의 건조의 과정에서 감광성 수지 조성물의 표면에 편재시켜도 된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물이 고급 지방산 유도체를 포함하는 경우, 고급 지방산 유도체의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여, 0.1~10질량%가 바람직하다. 고급 지방산 유도체는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 고급 지방산 유도체가 2종 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
<그 외의 함유 물질에 대한 제한>
본 발명의 감광성 수지 조성물의 수분 함유량은, 도포면 성상의 관점에서, 5질량% 미만이 바람직하고, 1질량% 미만이 더 바람직하며, 0.6질량% 미만이 특히 바람직하다.
수분의 함유량을 유지하는 방법으로서는, 보관 조건에 있어서의 습도의 조정, 수납 용기의 공극률 저감 등을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물의 금속 함유량은, 절연성의 관점에서, 5질량ppm(parts per million) 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 더 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 금속으로서는, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 철, 크로뮴, 니켈 등을 들 수 있다. 금속을 복수 포함하는 경우는, 이들 금속의 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의도치 않게 포함되는 금속 불순물을 저감하는 방법으로서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 구성하는 원료로서 금속 함유량이 적은 원료를 선택하거나, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 구성하는 원료에 대하여 필터 여과를 행하거나, 장치 내를 폴리테트라플루오로에틸렌 등으로 라이닝하여 컨태미네이션을 가능한 한 억제한 조건하에서 증류를 행하는 등의 방법을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 할로젠 원자의 함유량이, 배선 부식성의 관점에서, 500질량ppm 미만이 바람직하고, 300질량ppm 미만이 보다 바람직하며, 200질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 그중에서도, 할로젠 이온의 상태로 존재하는 것은, 5질량ppm 미만이 바람직하고, 1질량ppm 미만이 더 바람직하며, 0.5질량ppm 미만이 특히 바람직하다. 할로젠 원자로서는, 염소 원자 및 브로민 원자를 들 수 있다. 염소 원자 및 브로민 원자, 또는 염소 이온 및 브로민 이온의 합계가 각각 상기 범위인 것이 바람직하다.
할로젠 원자의 함유량을 조절하는 방법으로서는, 이온 교환 처리 등을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물의 수납 용기로서는 종래 공지의 수납 용기를 이용할 수 있다. 또, 수납 용기로서는, 원재료나 감광성 수지 조성물 중으로의 불순물 혼입을 억제하는 것을 목적으로, 용기 내벽을 6종 6층의 수지로 구성한 다층 보틀이나, 6종의 수지를 7층 구조로 한 보틀을 사용하는 것도 바람직하다. 이와 같은 용기로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2015-123351호에 기재된 용기를 들 수 있으며, 그 내용은 본 명세서에 원용된다.
<감광성 수지 조성물의 조제>
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없고, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.
또, 감광성 수지 조성물 중의 먼지나 미립자 등의 이물을 제거할 목적으로, 필터를 이용한 여과를 행하는 것이 바람직하다. 필터 구멍 직경은, 1μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이하가 보다 바람직하며, 0.1μm 이하가 더 바람직하다. 필터의 재질은, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론이 바람직하다. 필터는, 유기 용제로 미리 세정한 것을 이용해도 된다. 필터 여과 공정에서는, 복수 종의 필터를 직렬 또는 병렬로 접속하여 이용해도 된다. 복수 종의 필터를 사용하는 경우는, 구멍 직경 및/또는 재질이 다른 필터를 조합하여 사용해도 된다. 또, 각종 재료를 복수 회 여과해도 된다. 복수 회 여과하는 경우는, 순환 여과여도 된다. 또, 가압하여 여과를 행해도 된다. 가압하여 여과를 행하는 경우, 가압하는 압력은 0.05MPa 이상 0.3MPa 이하가 바람직하다.
필터를 이용한 여과 외에, 흡착재를 이용한 불순물의 제거 처리를 행해도 된다. 필터 여과와 흡착재를 이용한 불순물 제거 처리를 조합해도 된다. 흡착재로서는, 공지의 흡착재를 이용할 수 있다. 예를 들면, 실리카젤, 제올라이트 등의 무기계 흡착재, 활성탄 등의 유기계 흡착재를 들 수 있다.
(경화막)
본 발명의 경화막은, 본 발명의 감광성 수지 조성물로 형성된다.
경화막의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 감광막 형성 공정, 노광 공정, 현상 공정 및 가열 공정을 행함으로써, 본 발명의 경화막이 얻어진다. 또, 상술한 적층 공정에 의하여 본 발명의 경화막이 얻어진다.
본 발명의 경화막의 막두께는, 예를 들면 0.5μm 이상으로 할 수 있고, 1μm 이상으로 할 수 있다. 또, 상한값으로서는, 100μm 이하로 할 수 있으며, 30μm 이하로 할 수도 있다.
본 발명의 경화막을 적용 가능한 분야로서는, 반도체 디바이스의 절연막, 재배선층용 층간 절연막 등을 들 수 있다. 특히, 해상성이 양호하기 때문에, 본 발명의 경화막은, 재배선층용 층간 절연막으로서 이용되는 것이 바람직하고, 3차원 실장 디바이스에 있어서의 재배선층용 층간 절연막 등으로 이용되는 것이 보다 바람직하다. 또, 상술한 팬 아웃형의 반도체 장치에 있어서의 층간 절연막으로서도, 적합하게 이용된다.
또, 본 발명에 있어서의 경화막은, 오프셋 판면 또는 스크린 판면 등의 판면의 제조, 성형 부품의 에칭으로의 사용, 일렉트로닉스, 특히, 마이크로일렉트로닉스에 있어서의 보호 래커 및 유전층의 제조 등에도 이용할 수도 있다.
(적층체)
본 발명의 적층체는, 본 발명의 경화막을 1층만 포함하고 있어도 되지만, 2층 이상 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 적층체는, 상기 경화막의 사이에, 금속층을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 금속층은, 재배선층 등의 금속 배선으로서 바람직하게 이용된다.
본 발명의 적층체는, 예를 들면 상술한 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 적층 공정을 복수 회 반복하는 것 등에 의하여 얻어진다.
또, 상기 금속층은, 예를 들면 상술한 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 금속층 형성 공정을 복수 회 반복하는 것 등에 의하여 얻어진다.
본 발명의 디바이스는, 본 발명의 경화막, 또는 본 발명의 적층체를 포함한다. 본 발명의 디바이스는, 예를 들면 반도체 디바이스로서 적합하게 이용된다. 예를 들면, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 재배선층용 층간 절연막의 형성에 이용한 반도체 디바이스의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0213~0218의 기재 및 도 1의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 또한, 특별히 설명이 없는 한, "%" 및 "부"는 질량 기준이다.
(실시예, 비교예)
<감광성 수지 조성물의 조제>
각 실시예 또는 비교예에 있어서, 하기 표 1~표 6 중 어느 하나에 기재된 각 성분을, 하기 표 1~표 6 중 어느 하나에 기재된 양으로 혼합하여, 용액으로서, 감광성 수지 조성물을 조제했다.
표 1~표 6 중의 "종류"란의 기재는 사용한 화합물의 종류를, "함유량"란의 수치는 각 성분의 함유량(질량부)을 나타내고, "-"는 해당하는 성분을 사용하지 않았던 것을 나타내고 있다. 또, 표 중의 종류: "A-1/A-2" 함유량: "16.7/20" 등의 기재는, A-1을 16.7질량부, A-2를 20질량부 함유하는 것을 나타내고 있다.
[표 1]
Figure pct00045
[표 2]
Figure pct00046
[표 3]
Figure pct00047
[표 4]
Figure pct00048
[표 5]
Figure pct00049
[표 6]
Figure pct00050
표 1~표 6에 있어서 사용한 화합물의 상세는 하기와 같다.
<특정 전구체>
·A-1~A-6: 하기 구조의 화합물. 국제 공개공보 제2018/025738호의 기재를 참고로 합성했다.
[화학식 45]
Figure pct00051
<오늄염>
·D-1~D-4: 하기 구조의 화합물.
하기 구조의 화합물 중, D-2 및 D-3에 있어서의 음이온 구조(토실레이트 음이온)의 공액산의 pKa는 -2.8이며, D-1 및 D-4에 있어서의 음이온 구조(말레산 음이온)의 공액산의 pKa는 1.8이다.
[화학식 46]
Figure pct00052
<아황산 에스터 구조를 갖는 화합물(아황산 에스터 화합물)>
·B-1~B-3: 하기 구조의 화합물. 하기 합성 방법에 의하여 제조했다.
[화학식 47]
Figure pct00053
〔합성예 1: B-1의 합성〕
109.4g의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 70.0g의 피리딘과, 500mL의 테트라하이드로퓨란을 혼합했다. 혼합액을 0℃로 냉각하고, 온도를 5℃ 이하로 유지하면서 50.0g의 SOCl2를 60분 동안 적하하여, 그 후 1시간 교반했다. 증류수 200mL를 첨가하여 반응을 정지시키고 아세트산 에틸 500mL를 첨가했다. 얻어진 유기상을 증류수로 5회 세정한 후, 이배퍼레이터로 저비점 용매를 제거하여, 220.1g의 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물 (B-1)을 얻었다.
1H NMR(400MHz, CDCl3)δ(ppm): 6.15(t, 2H), 5.62(t, 2H), 4.37(m, 4H), 4.30(m, 2H), 4.21(m, 2H), 1.95(dd, 6H).
〔합성예 2: B-2의 합성〕
130.14g의 2-하이드록시에틸메타크릴레이트와, 70.0g의 피리딘과, 500mL의 테트라하이드로퓨란을 혼합했다. 혼합액을 0℃로 냉각하고, 온도를 5℃ 이하로 유지하면서 119g의 SOCl2를 60분 동안 적하하여, 그 후 1시간 교반했다. 증류수 200mL를 첨가하여 반응을 정지시키고 아세트산 에틸 500mL를 첨가했다. 얻어진 유기상을 증류수로 5회 세정한 후, 실리카 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 58.2g의 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물 (B-2)를 얻었다.
1H NMR(400MHz, CDCl3)δ(ppm): 6.15(t, 1H), 5.62(t, 1H), 4.37(m, 2H), 4.30(m, 1H), 4.21(m, 1H), 1.95(dd, 3H).
〔합성예 3: B-3의 합성〕
38.7g의 에탄올과, 70.0g의 피리딘과, 500mL의 테트라하이드로퓨란을 혼합했다. 혼합액을 0℃로 냉각하고, 온도를 5℃ 이하로 유지하면서 50.0g의 SOCl2를 60분 동안 적하하여, 그 후 1시간 교반했다. 증류수 200mL를 첨가하여 반응을 정지시키고 아세트산 에틸 500mL를 첨가했다. 얻어진 유기상을 증류수로 5회 세정한 후, 이배퍼레이터로 저비점 용매를 제거하여, 99.3g의 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물 (B-3)을 얻었다.
1H NMR (400MHz, CDCl3)δ(ppm): 6.15(t, 2H), 5.62(t, 2H), 1.43(m, 6H).
<제4족 원소 함유 화합물>
·C-1: 테트라아이소프로폭시타이타늄(마쓰모토 파인 케미컬사제)
·C-2: 다이아이소프로폭시비스(아세틸아세토네이토)타이타늄(마쓰모토 파인 케미컬사제)
·C-3~C-6: 하기 구조의 화합물, C-3은 라디칼 중합 개시능을 갖는 화합물이기도 하다.
[화학식 48]
Figure pct00054
<라디칼 중합성 화합물>
·E-1: SR-209(테트라에틸렌글라이콜다이메타크릴레이트, 사토머사제)
·E-2: A-DPH(다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 신나카무라 가가쿠 고교(주)제)
<광라디칼 중합 개시제>
·F-1: IRGACURE OXE 01(BASF사제)
·F-2: IRGACURE OXE 02(BASF사제)
<중합 금지제>
·G-1: 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀(도쿄 가세이 고교(주)제)
·G-2: 파라벤조퀴논(도쿄 가세이 고교(주)제)
<마이그레이션 억제제>
·H-1: 하기 구조의 화합물, 도쿄 가세이 고교(주)제
·H-2: 하기 구조의 화합물, 도쿄 가세이 고교(주)제
[화학식 49]
Figure pct00055
<금속 접착성 개량제>
·I-1: 하기 구조의 화합물, 씨그마 알드리치사제
·I-2: 하기 구조의 화합물, 씨그마 알드리치사제
[화학식 50]
Figure pct00056
<카복시기 함유 화합물>
·K-1: 말레산(도쿄 가세이 고교(주)제)
·K-2: 프탈산(도쿄 가세이 고교(주)제)
<용제>
·J-1: γ-뷰티로락톤(산와 유카 고교(주)제)
·J-2: 다이메틸설폭사이드(후지필름 와코 준야쿠(주)제)
<그 외의 성분>
·L-1: 메가팍 F-554(DIC(주)제)
·L-2: 메가팍 F-563(DIC(주)제)
<표면 조도의 평가>
각 실시예 및 비교예에 있어서의 감광성 수지 조성물을, 미세 구멍의 폭이 0.8μm인 필터를 통과시켜 0.3MPa의 압력으로 각각 가압 여과한 후, 직경 200mm(8인치, 1인치는 2.54cm)의 실리콘 웨이퍼 상에 각각 스핀 코트(실시예 1~21, 24~45 및 비교예)했다. 실시예 22 또는 23에 있어서는, 100mm×100mm의 직사각형상의 실리콘 웨이퍼에 슬릿 코트했다. 감광성 수지 조성물을 도포한 실리콘 웨이퍼를 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하여, 실리콘 웨이퍼 상에 10μm의 막두께의 감광막을 형성했다. 스핀 코트에 대해서는, 막두께 10μm가 되도록 회전수를 조정하여 30초간 회전시켜 도포했다. 슬릿 코트에 대해서는, 기판과 슬릿 다이의 간격을 200μm, 슬릿 다이의 액 토출구의 간격을 150μm로 하여, 막두께 10μm가 되도록 토출액량을 조정하여 도포했다.
실리콘 웨이퍼 상의 감광막에 대하여, 레이저 노광, 현상, 가열 경화를 행했다.
레이저 노광은, 표 1~표 6의 "레이저 노광 파장(nm)"란에 기재된 파장의 레이저를 각각 이용하여, 마스크를 통하지 않고 다이렉트로 패턴 노광을 행했다. 조사량은 각각, 500mJ/cm2로 했다. 노광 패턴으로서는, 폭 30μm의 라인 앤드 스페이스 패턴으로 했다.
또, 비교예 1에 있어서는, 실리콘 웨이퍼 상의 감광막을, 스테퍼(Nikon NSR 2005 i9C)를 이용하여 노광했다. 노광은 i선으로 행하고, 파장 365nm에 있어서, 500mJ/cm2의 각 노광 에너지로 노광을 행했다. 포토마스크로서는 폭 30μm의 라인 앤드 스페이스 패턴을 사용했다.
노광한 감광막(수지층)을, 사이클로펜탄온으로 60초간 샤워 현상하여, 폭 30μm의 라인 앤드 스페이스 패턴을 형성했다. 이어서, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온하고, 230℃에 도달한 후, 3시간 가열했다.
가열 경화 후의 감광성 수지 조성물의 경화막의 표면 조도(Ra)를 AFM(Atomic Force Microscope system, Dimension3100, Digital instruments사제)을 이용하여 측정했다. 측정 면적은 10평방μm으로 했다.
얻어진 표면 조도 Ra의 값에 대하여, 하기 평가 기준에 따라 평가하여, 평가 결과를 표 1~표 6에 기재했다. 표면 조도의 값이 작을수록, 얻어지는 경화막의 표면의 평활성이 우수하다고 할 수 있다.
〔평가 기준〕
A: 표면 조도 Ra가 5nm 미만이다
B: 표면 조도 Ra가 5nm 이상 10nm/분 미만이다
C: 표면 조도 Ra가 10nm 이상이다
<내약품성의 평가>
상술한 표면 조도 방법과 동일한 방법에 의하여 얻어진 경화막에 대하여 하기의 약품에 하기의 조건으로 침지하여, 용해 속도를 산정했다.
약품: 다이메틸설폭사이드(DMSO)와 25질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액의 90:10(질량비)의 혼합물
평가 조건: 상기 경화막을 상기 약품에 75℃에서 15분간 침지하고 전후의 경화막의 막두께를 비교하여, 용해 속도(nm/분)를 산출했다.
얻어진 용해 속도의 값에 대하여, 하기 평가 기준에 따라 평가하여, 평가 결과를 표 1~표 6에 기재했다. 용해 속도가 작을수록, 내약품성이 우수하다고 할 수 있다.
〔평가 기준〕
A: 용해 속도가 250nm/분 미만이다
B: 용해 속도가 250nm/분 이상 500nm/분 미만이다
C: 용해 속도가 500nm/분 이상이다
실시예 및 비교예의 결과로부터, 레이저를 이용한 노광을 행하고, 또한 감광막에 오늄염을 포함하는, 실시예의 패턴 형성 방법에 의하면, 비교예의 감광성 수지 조성물과 비교하여, 표면의 평활성, 및 내약품성이 우수한 경화막을 제조할 수 있는 것을 알 수 있다.
비교예 1에 있어서의 패턴 형성 방법에 있어서는, 레이저광을 이용하지 않고 노광 광원으로서 i선 스테퍼를 이용하고 있기 때문에, 얻어지는 경화막의 표면의 평활성이 뒤떨어져 있었다.
비교예 2 또는 비교예 3에 있어서의 패턴 형성 방법에 있어서는, 감광막에 오늄염이 포함되어 있지 않기 때문에, 얻어지는 경화막의 내약품성이 뒤떨어져 있었다.
(실시예 100~145)
실시예 1~45의 감광성 수지 조성물을 실시예 1에 있어서의 방법과 동일하게 각각 가압 여과한 후, 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코트법에 의하여 각각 도포했다. 상기 감광성 수지 조성물이 도포된 실리콘 웨이퍼를 핫플레이트 상에서, 100℃에서 5분간 건조하여, 실리콘 웨이퍼 상에 10μm의 두께의 균일한 감광막을 형성했다.
상기 실리콘 웨이퍼 상의 감광막을, 405nm의 레이저를 이용하여 마스크를 통하지 않고 다이렉트로 패턴 노광했다. 노광 패턴으로서는, 직경 20μm의 홀 패턴이 형성되는 패턴으로 했다. 노광량은, 200, 400, 600, 800mJ/cm2 중, 상기 직경 20μm의 홀의 형상이 가장 원형상에 가까워지는 노광량으로 했다.
노광 후의 감광막(수지층)을, 사이클로펜탄온으로 60초간 샤워 현상하여, 직경 20μm의 홀을 형성했다. 이어서, 질소 분위기하에서, 10℃/분의 승온 속도로 승온하고, 200℃에 도달한 후, 200℃에서 3시간 가열했다. 실온까지 냉각 후, 상기 홀 부분을 덮도록, 경화 후의 감광막(경화막)의 표면의 일부에, 증착법에 의하여 두께 2μm의 구리박층(금속층)을 형성했다. 또한, 금속층 및 경화막의 표면에, 다시, 동일한 종류의 감광성 수지 조성물을 이용하여, 상기와 동일하게 감광성 수지 조성물의 여과로부터, 패턴화(홀을 형성)한 막의 3시간 가열까지의 수순을 다시 실시하여, 경화막/금속층/경화막으로 이루어지는 적층체를 제작했다.
이들 적층체로 이루어지는 재배선층용 층간 절연막은, 절연성이 우수했다.
또, 이들 재배선층용 층간 절연막을 사용하여 반도체 디바이스를 제조한 결과, 문제없이 동작하는 것을 확인했다.
1 반도체 장치
2 반도체 칩
2a 단자
3 밀봉제
4 재배선층
5 배선
6 층간절연막
7 외부 접속 단자

Claims (19)

  1. 감광막을 레이저광에 의하여 노광하는 노광 공정과,
    상기 노광 후의 상기 감광막을 현상하여 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하고,
    상기 감광막이, 폴리이미드 전구체와 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체, 및 오늄염을 포함하는, 패턴 형성 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 레이저광의 파장이 250~550nm인, 패턴 형성 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 감광막이 카복시기를 복수 갖는 분자량 1,000 이하의 화합물을 더 포함하는, 패턴 형성 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광막이 아황산 에스터 구조를 갖는 화합물을 더 포함하는, 패턴 형성 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴을 가열함으로써 경화 패턴을 얻는 경화 공정을, 상기 현상 공정 후에 포함하는, 패턴 형성 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오늄염에 있어서의 양이온이, 테트라알킬암모늄 양이온, 설포늄 양이온 및 아이오도늄 양이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 양이온을 포함하는, 패턴 형성 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오늄염이 양이온으로서 암모늄 양이온을 포함하고, 상기 오늄염이 음이온으로서 공액산의 pKa가 1.8 이하인 음이온을 포함하는, 패턴 형성 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    제4족 원소 함유 화합물을 더 포함하는, 패턴 형성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제4족 원소 함유 화합물이 광라디칼 발생제인, 패턴 형성 방법.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 제4족 원소 함유 화합물이 타이타늄 원자, 지르코늄 원자 및 하프늄 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물인, 패턴 형성 방법.
  11. 청구항 8 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제4족 원소 함유 화합물이 메탈로센 및 메탈로센 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 패턴 형성 방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광막이, 슬릿 도포에 의하여 형성된 감광막인, 패턴 형성 방법.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광막이 직사각형 기재 상에 형성되어 있는, 패턴 형성 방법.
  14. 폴리이미드 전구체 및 폴리벤즈옥사졸 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 전구체 및 오늄염을 포함하고,
    청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 방법에 있어서의, 상기 감광막의 형성에 이용되는, 감광성 수지 조성물.
  15. 청구항 14에 기재된 감광성 수지 조성물로 형성되는 경화막.
  16. 청구항 15에 있어서,
    재배선층용 층간 절연막으로서 이용되는, 경화막.
  17. 청구항 15 또는 16에 기재된 경화막을, 2층 이상 포함하는 적층체.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 경화막의 사이에, 금속층을 더 포함하는, 적층체.
  19. 청구항 15 혹은 청구항 16에 기재된 경화막, 또는 청구항 17 혹은 청구항 18에 기재된 적층체를 포함하는 디바이스.
KR1020217016859A 2018-12-05 2019-11-26 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스 KR102636334B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-228556 2018-12-05
JP2018228556 2018-12-05
PCT/JP2019/046157 WO2020116238A1 (ja) 2018-12-05 2019-11-26 パターン形成方法、感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、及び、デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210090205A true KR20210090205A (ko) 2021-07-19
KR102636334B1 KR102636334B1 (ko) 2024-02-14

Family

ID=70975386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217016859A KR102636334B1 (ko) 2018-12-05 2019-11-26 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20210302836A1 (ko)
EP (1) EP3893054A4 (ko)
JP (1) JP7261818B2 (ko)
KR (1) KR102636334B1 (ko)
CN (1) CN113168093B (ko)
PH (1) PH12021551275A1 (ko)
SG (1) SG11202105555VA (ko)
TW (1) TWI837236B (ko)
WO (1) WO2020116238A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240134276A1 (en) * 2021-02-17 2024-04-25 Central Glass Company, Limited Photosensitive resin composition, cured product, fluorine-containing resin cured film, and display
WO2023032545A1 (ja) * 2021-08-31 2023-03-09 富士フイルム株式会社 硬化物の製造方法、積層体の製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法、並びに、処理液
JP2023165095A (ja) * 2022-05-02 2023-11-15 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010039475A (ja) 2008-06-10 2010-02-18 Fujifilm Corp 紫外光レーザー露光用感光性樹脂組成物、パターン形成方法、その方法を用いて製造したカラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および液晶表示装置
KR20160085303A (ko) * 2013-12-11 2016-07-15 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
WO2017038664A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 富士フイルム株式会社 組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
WO2018025738A1 (ja) 2016-08-01 2018-02-08 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、積層体の製造方法および半導体デバイス
US20180079864A1 (en) * 2015-05-29 2018-03-22 Fujifilm Corporation Polyimide precursor composition, photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, a semiconductor device, and method for producing polyimide precursor composition

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK125218B (da) 1967-11-09 1973-01-15 Kalle Ag Lysfølsomt optegnelsesmateriale og lysfølsom blanding til anvendelse ved fremstilling af materialet.
DE2033769B2 (de) 1969-07-11 1980-02-21 Ppg Industries, Inc., Pittsburgh, Pa. (V.St.A.) Bis-<2-acryloxyäthyl)hexahydrophthalat enthaltende Gemische und Herstellungsverfahren
JPS4841708B1 (ko) 1970-01-13 1973-12-07
GB1339911A (en) * 1970-02-26 1973-12-05 Ici Ltd Rubber-polyester compositions
JPS506034B1 (ko) 1970-08-11 1975-03-10
DE2064079C2 (de) 1970-12-28 1982-09-09 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Photopolymerisierbares Gemisch
JPS5324989B2 (ko) 1971-12-09 1978-07-24
JPS5230490B2 (ko) 1972-03-21 1977-08-09
DE2361041C3 (de) 1973-12-07 1980-08-14 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Photopolymerisierbares Gemisch
JPS5311314B2 (ko) 1974-09-25 1978-04-20
DE2822189A1 (de) 1978-05-20 1980-04-17 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch
DE2822190A1 (de) 1978-05-20 1979-11-22 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch
DE2952698A1 (de) 1979-12-29 1981-07-02 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Photopolymerisierbares gemisch und damit hergestelltes photopolymerisierbares kopiermaterial
DE2952697A1 (de) 1979-12-29 1981-07-02 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Durch strahlung polymerisierbares gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches kopiermaterial
US4258263A (en) * 1979-12-31 1981-03-24 Polaroid Corporation Cassette for large format film unit
DE3036694A1 (de) 1980-09-29 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Gummielastische, ethylenisch ungesaettigte polyurethane und dieselben enthaltendes durch strahlung polymerisierbares gemisch
DE3048502A1 (de) 1980-12-22 1982-07-22 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3421511A1 (de) 1984-06-08 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Polymerisierbare, perfluoralkylgruppen aufweisende verbindungen, sie enthaltende reproduktionsschichten und deren verwendung fuer den wasserlosen offsetdruck
DE3710279A1 (de) 1987-03-28 1988-10-06 Hoechst Ag Polymerisierbare verbindungen und diese enthaltendes durch strahlung polymerisierbares gemisch
DE3710282A1 (de) 1987-03-28 1988-10-13 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE3710281A1 (de) 1987-03-28 1988-10-06 Hoechst Ag Photopolymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE3817424A1 (de) 1988-05-21 1989-11-23 Hoechst Ag Alkenylphosphon- und -phosphinsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und durch strahlung polymerisierbares gemisch, das diese verbindungen enthaelt
JPH1062986A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性着色組成物
TW452575B (en) 1996-12-06 2001-09-01 Ciba Sc Holding Ag New Α-aminoacetophenone photoinitiators and photopolymerizable compositions comprising these photoinitiators
US6441487B2 (en) 1997-10-20 2002-08-27 Flip Chip Technologies, L.L.C. Chip scale package using large ductile solder balls
SG77689A1 (en) 1998-06-26 2001-01-16 Ciba Sc Holding Ag New o-acyloxime photoinitiators
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2002100903A1 (en) 2001-06-11 2002-12-19 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Oxime ester photoinitiators having a combined structure
CA2454914A1 (en) 2001-08-21 2003-03-06 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Bathochromic mono- and bis-acylphosphine oxides and sulfides and their use as photoinitiators
JP4174275B2 (ja) 2002-09-09 2008-10-29 住友ベークライト株式会社 感光性有機無機複合材料およびそれを用いた半導体装置
JP3972246B2 (ja) 2003-01-07 2007-09-05 ソニー株式会社 ウエハーレベル・チップサイズ・パッケージおよびその製造方法
US7449573B2 (en) * 2004-02-16 2008-11-11 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition
JP4502784B2 (ja) 2004-06-07 2010-07-14 富士フイルム株式会社 カラーフィルター、カラーフィルターの製造方法、及び液晶表示装置
JP4841816B2 (ja) 2004-08-03 2011-12-21 富士フイルム株式会社 遮光膜付基板、及び該遮光膜付基板を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
JP4428337B2 (ja) 2005-12-02 2010-03-10 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
KR100655045B1 (ko) 2005-12-30 2006-12-06 제일모직주식회사 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 블랙 매트릭스
JP5354863B2 (ja) 2006-02-24 2013-11-27 富士フイルム株式会社 オキシム誘導体、光重合性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法
JP4736864B2 (ja) * 2006-03-03 2011-07-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP2008063554A (ja) 2006-08-11 2008-03-21 Fujifilm Corp 分解性樹脂組成物、パターン形成材料およびパターン形成方法
JP5085256B2 (ja) 2006-09-27 2012-11-28 富士フイルム株式会社 化合物及びその互変異性体、金属錯体化合物、感光性着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP5496482B2 (ja) 2007-08-27 2014-05-21 富士フイルム株式会社 新規化合物、光重合性組成物、カラーフィルタ用光重合性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法、固体撮像素子、並びに、平版印刷版原版
JP2009191179A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd 光重合開始剤、重合性組成物、および重合物の製造方法。
JP4911116B2 (ja) 2008-05-22 2012-04-04 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品
JP2010078820A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Fujifilm Corp 感光性フィルムの製造方法、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
JP5293120B2 (ja) 2008-11-28 2013-09-18 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5451048B2 (ja) * 2008-12-05 2014-03-26 株式会社ダイセル 共重合体及び感光性樹脂組成物
JP5618118B2 (ja) 2009-01-09 2014-11-05 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物，並びにこれを用いた感光性エレメント，ソルダーレジスト及びプリント配線板
JP2015127817A (ja) 2009-04-14 2015-07-09 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路形成用基板
JP2010262028A (ja) 2009-04-30 2010-11-18 Nippon Steel Chem Co Ltd ブラックマトリックス用感光性樹脂組成物
JP5571990B2 (ja) 2009-06-04 2014-08-13 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターン形成・製造方法、並びに半導体装置
JP5701576B2 (ja) * 2009-11-20 2015-04-15 富士フイルム株式会社 分散組成物及び感光性樹脂組成物、並びに固体撮像素子
JP5577688B2 (ja) 2009-12-17 2014-08-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
US8883391B2 (en) 2009-12-28 2014-11-11 Toray Industries, Inc. Positive type photosensitive resin composition
WO2011126076A1 (ja) * 2010-04-09 2011-10-13 大日本印刷株式会社 薄膜トランジスタ基板
JP2012014052A (ja) 2010-07-02 2012-01-19 Fujifilm Corp 着色感光性樹脂組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示装置
TWI430024B (zh) 2010-08-05 2014-03-11 Asahi Kasei E Materials Corp A photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened bump pattern, and a semiconductor device
JP5789612B2 (ja) * 2010-09-29 2015-10-07 株式会社カネカ 新規な感光性樹脂組成物作製キット及びその利用
EP2625166B1 (en) 2010-10-05 2014-09-24 Basf Se Oxime ester derivatives of benzocarbazole compounds and their use as photoinitiators in photopolymerizable compositions
JP2013015701A (ja) 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
WO2013027833A1 (ja) * 2011-08-25 2013-02-28 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 光重合性組成物、光重合性コーティング剤、積層体及び偏光板
JP5831092B2 (ja) 2011-09-27 2015-12-09 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP5772642B2 (ja) 2012-02-09 2015-09-02 Jsr株式会社 硬化性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子
JP5953795B2 (ja) 2012-02-15 2016-07-20 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP5953158B2 (ja) * 2012-07-26 2016-07-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
KR101744038B1 (ko) * 2012-07-30 2017-06-07 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 유기 ｅｌ 표시 장치 및 액정 표시 장치
JP2014041264A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
KR102174075B1 (ko) 2012-12-21 2020-11-04 에이치디 마이크로시스템즈 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 수지 조성물
JP5830044B2 (ja) * 2013-02-15 2015-12-09 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP6062876B2 (ja) 2013-02-28 2017-01-18 富士フイルム株式会社 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス
JP6048257B2 (ja) 2013-03-25 2016-12-21 東レ株式会社 耐熱性樹脂及びその前駆体組成物
JP6225445B2 (ja) 2013-03-26 2017-11-08 東レ株式会社 ドライエッチング用フォトレジスト、それを用いたレリーフパターンおよび発光素子の製造方法
JP2014191252A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、半導体装置および表示体装置
US9159547B2 (en) 2013-09-17 2015-10-13 Deca Technologies Inc. Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer
JP6167018B2 (ja) 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
CN105814488B (zh) * 2013-12-11 2019-11-05 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、固化膜的制造方法、固化膜、液晶显示装置及有机el显示装置
JP5898172B2 (ja) 2013-12-27 2016-04-06 コダマ樹脂工業株式会社 耐薬品性吹込み成形積層容器
WO2015125469A1 (ja) 2014-02-19 2015-08-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、それによって形成される硬化膜及びパターン硬化膜、及びそれらの製造方法
JP6166682B2 (ja) 2014-03-26 2017-07-19 富士フイルム株式会社 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、および、画像表示装置
JP6167089B2 (ja) 2014-03-27 2017-07-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
CN106458879A (zh) * 2014-05-13 2017-02-22 东洋合成工业株式会社 鎓盐、光酸产生剂、感光性树脂组合物及装置的制造方法
TWI627502B (zh) * 2014-09-04 2018-06-21 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜的製造方法、硬化膜、液晶顯示裝置、有機電激發光顯示裝置及觸控面板
US11092894B2 (en) * 2014-12-31 2021-08-17 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Method for forming pattern using anti-reflective coating composition comprising photoacid generator
JP6544248B2 (ja) * 2015-02-09 2019-07-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
WO2016152794A1 (ja) * 2015-03-24 2016-09-29 東レ株式会社 感光性樹脂組成物
TWI597574B (zh) * 2015-08-19 2017-09-01 奇美實業股份有限公司 感光性樹脂組成物及其應用
TWI694101B (zh) * 2015-08-28 2020-05-21 日商富士軟片股份有限公司 硬化膜的製造方法、再配線層用層間絕緣膜的製造方法及半導體元件的製造方法
KR102648061B1 (ko) * 2015-12-01 2024-03-18 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물, 패턴 형성 방법 및 감방사선성 산 발생제
KR102104806B1 (ko) * 2016-01-29 2020-04-27 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 및 반도체 디바이스
CN109313397B (zh) * 2016-06-02 2023-04-11 富士胶片株式会社 层叠体的制造方法、半导体元件的制造方法及层叠体
TWI758415B (zh) * 2017-02-20 2022-03-21 日商富士軟片股份有限公司 感光性樹脂組成物、含雜環聚合物前體、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法及半導體裝置
TWI763883B (zh) * 2017-07-14 2022-05-11 日商富士軟片股份有限公司 熱硬化性樹脂組成物及其硬化膜、積層體、半導體裝置、以及該等的製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010039475A (ja) 2008-06-10 2010-02-18 Fujifilm Corp 紫外光レーザー露光用感光性樹脂組成物、パターン形成方法、その方法を用いて製造したカラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法および液晶表示装置
KR20160085303A (ko) * 2013-12-11 2016-07-15 후지필름 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 el 표시 장치
US20180079864A1 (en) * 2015-05-29 2018-03-22 Fujifilm Corporation Polyimide precursor composition, photosensitive resin composition, cured film, method for producing cured film, a semiconductor device, and method for producing polyimide precursor composition
WO2017038664A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 富士フイルム株式会社 組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
WO2018025738A1 (ja) 2016-08-01 2018-02-08 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、積層体の製造方法および半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
KR102636334B1 (ko) 2024-02-14
EP3893054A4 (en) 2022-01-05
SG11202105555VA (en) 2021-06-29
TWI837236B (zh) 2024-04-01
CN113168093B (zh) 2024-04-30
EP3893054A1 (en) 2021-10-13
JPWO2020116238A1 (ja) 2021-10-14
PH12021551275A1 (en) 2021-12-06
TW202032267A (zh) 2020-09-01
CN113168093A (zh) 2021-07-23
WO2020116238A1 (ja) 2020-06-11
US20210302836A1 (en) 2021-09-30
JP7261818B2 (ja) 2023-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6911165B2 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、積層体の製造方法および半導体デバイス
TWI785264B (zh) 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法、半導體元件及熱鹼產生劑
JPWO2018225676A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイスおよび化合物
KR102327882B1 (ko) 열경화성 수지 조성물, 및 그 경화막, 적층체, 반도체 디바이스와, 이들의 제조 방법
KR102636334B1 (ko) 패턴 형성 방법, 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 및 디바이스
WO2020195993A1 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス
WO2020255859A1 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、及び、ポリイミド、又は、ポリイミド前駆体
JP2020152857A (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス
TWI808143B (zh) 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層體及它們的製造方法、半導體器件及用於該等之熱鹼產生劑
TW202107204A (zh) 負型硬化性組成物、硬化膜、積層體、硬化膜的製造方法及半導體器件
KR20210116541A (ko) 경화성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 경화막의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및 열염기 발생제
KR102577538B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화막, 적층체, 및 디바이스
JP7478806B2 (ja) 有機膜及びその製造方法、組成物、積層体、及び、半導体デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant