KR20200081373A - Led 광원 모듈 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 광원 모듈을 제공하며, 여기에는 기판, 보호층, 제1도전부, 제2도전부, 적어도 하나의 보조 구조 및 발광 소자가 포함된다. 보호층은 기판 상에 설치되며 개구를 구비하고, 제1도전부, 제2도전부 및 보조 구조는 기판 상에 설치되어 개구 내에 수용되고, 여기에서 보조 구조는 제1도전부와 제2도전부 사이에 위치한다. 발광 소자는 제1전극과 제2전극을 가지며, 각각 제1도전부와 제2도전부에 전기적으로 접속되고, 보조 구조는 발광 소자와 기판 사이에 위치한다. 또한 본 발명은 LED 광원 모듈의 제조방법을 제공한다.

Description

LED 광원 모듈 및 이의 제조방법
본 발명은 LED 광원 모듈에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 보조 구조를 구비한 LED 광원 모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드(light-emitting diode, LED)는 발광 가능한 반도체 전자 부품으로, 현재까지 이로부터 방출되는 빛은 가시광선, 적외선, 자외선에 퍼져 있으며 그 밝기가 상당히 높다.
일반적으로 대부분의 발광 다이오드는 그 바닥면 상에 2개의 전극이 설치된다. 발광 다이오드를 라이트 바(light bar)의 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB)에 고정할 때, 주로 표면 실장 기술(surface mounting technology, SMT)을 통해 수행한다. 즉, 보호 필름 상에 개구를 형성하여 전극이 상기 개구를 통해 인쇄 회로 기판의 패드에 전기적으로 접속되도록 한다. 구체적으로, 먼저 솔더 페이스트(solder paste)를 인쇄 회로 기판의 패드 상에 인쇄하고, 그 다음 발광 다이오드를 솔더 페이스트로 코팅된 패드 상에 정렬하여 배치하며, 마지막으로 가열 및 리플로우(reflow)를 통해 발광 다이오드를 패드 상에 고정한다.
그러나 발광 다이오드를 보호 필름의 개구에 배치할 때 발광 다이오드가 기울어지기 쉬우며, 이는 수직 방향 상에서 발광 다이오드의 정렬 정밀도에 영향을 미쳐 광선이 수용면(예를 들어 백라이트 모듈의 도광판 입광면)에 정렬되지 않거나 발광 다이오드에 의해 방출된 일부 광선이 개구의 벽면에 의해 차단되어 빛의 사용 효율을 저하시킨다.
상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 LED 광원 모듈을 제공하며, 여기에는 기판, 보호층, 제1도전부, 제2도전부, 적어도 하나의 보조 구조 및 발광 소자가 포함된다. 보호층은 기판 상에 설치되며 개구를 구비하고, 제1도전부, 제2도전부 및 보조 구조는 기판 상에 설치되어 개구 내에 수용되고, 여기에서 보조 구조는 제1도전부와 제2도전부 사이에 위치한다. 발광 소자는 제1전극과 제2전극을 가지며, 각각 제1도전부와 제2도전부에 전기적으로 접속되고, 보조 구조는 발광 소자와 기판 사이에 위치한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조의 꼭대기면은 보호층의 꼭대기면과 대체적으로 정렬된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조는 제3도전부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조는 절연층을 포함하고, 제3도전부는 절연층과 기판 사이에 설치된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조는 절연층을 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 발광 소자는 바닥면 및 바닥면에 연결된 복수의 측면을 구비하며, 여기에서 바닥면은 보조 구조와 접촉하고, 제1전극과 제2전극은 측면 상에 설치된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 제1전극과 제2전극은 동일한 측면 상에 설치된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 제1전극과 제2전극은 다른 측면 상에 설치된다.
본 발명의 실시예에 있어서, LED 광원 모듈은 기판 상에 설치되며 개구 내에 수용되는 차단 부재를 더 포함하고, 발광 소자는 발광면 및 발광면에 대향하는 측면을 구비하며, 여기에서 차단 부재는 측면에 접촉된다.
본 발명의 실시예에 있어서, LED 광원 모듈은 복수의 보조 구조를 포함하고, 복수의 보조 구조 중 적어도 하나는 차단 부재로부터 보호층까지 연장된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 제1도전부, 제2도전부 및 보조 구조는 서로 분리된다.
본 발명은 LED 광원 모듈의 제조방법을 더 제공하며, 여기에는 기판을 제공하는 단계; 기판 상에 제1도전부, 제2도전부 및 적어도 하나의 배선층을 형성하는 단계; 제1도전부, 제2도전부 및 배선층을 덮는 보호층을 형성하는 단계; 보호층 상에 개구를 형성하는 단계 -제1도전부와 제2도전부는 개구로부터 노출됨-; 개구 내에 제1도전부와 제2도전부 사이에 위치하는 적어도 하나의 보조 구조를 형성하는 단계; 및 보조 구조 상에 발광 소자를 설치하는 단계가 포함되며, 여기에서 발광 소자의 제1전극과 제2전극은 제1도전부와 제2도전부에 각각 전기적으로 접속되고, 발광 소자의 바닥면은 보조 구조와 접촉된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 보조 구조를 형성하는 단계는 기판 상에 제3도전부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 여기에서 제3도전부는 제1도전부와 제2도전부 사이에 위치한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조를 형성하는 단계는 제3도전부 상에 절연층을 설치하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조의 꼭대기면은 보호층의 꼭대기면과 대체적으로 정렬된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 보조 구조를 형성하는 단계는 기판 상에 절연층을 설치하는 단계를 더 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 광원 모듈의 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 LED 광원 모듈의 부분 조감도이다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 광원 모듈의 부분 조감도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 광원 모듈의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 광원 모듈의 부분 조감도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 LED 광원 모듈 제조방법의 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 광원 모듈 제조방법의 흐름도이다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 LED 광원 모듈에 대하여 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예에서 제공하는 본 발명에 적합한 많은 개념은 광범위한 각종 특정 상황에서 구현될 수 있음을 쉽게 이해할 수 있다. 개시된 특정 실시예는 특정 방법으로 본 발명에 사용하기 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하지 않는다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에 사용된 모든 용어(기술 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 본 명세서에서 특별히 정의되지 않는 한, 통상적으로 사용되는 사전에서 정의된 것과 같이 이해되는 용어는 관련 기술 및 본 발명에 개시된 배경 또는 맥락과 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 이상적이거나 지나치게 공식적인 방식으로 해석되어서는 안 된다.
먼저 도 1 및 도 2a를 함께 참조하며, 본 발명의 실시예에 따른 LED 광원 모듈(10)은 도광 소자(20)(예를 들어 도광판)에 광결합시키고 도광 소자(20)의 측변에 광선을 제공하는 데 사용되고, 상기 광선은 도광 소자(20)에 진입한 후 도광 소자(20)에 의해 안내되어 출광면(21) 상에 평면 출광을 생성한다. 여기에서 LED 광원 모듈(10)은 주로 기판(100), 배선층(200), 보호층(300), 제1도전부(400), 제2도전부(500), 적어도 하나의 보조 구조(600), 발광 소자(700) 및 차단 부재(800)를 포함한다.
광원 모듈(10)의 배선층(200)과 보호층(300)은 기판(100) 상에 설치되고, 배선층(200)은 기판(100)과 보호층(300) 사이에 위치한다. 제1도전부(400), 제2도전부(500) 및 보조 구조(600)는 기판(100) 상의 배선층(200)의 패턴화 및 에칭에 의해 형성되므로, 이러한 소자는 기판(100)에 대해 모두 동일한 층의 평면 상에 형성된다. 보호층(300)은 배선층(200) 상에 형성되고 개구(310)가 형성되며, 상기 개구(310)는 제1도전부(400), 제2도전부(500), 보조 구조(600)를 노출시켜 발광 소자(700)를 그 위에 납땜하므로, 이를 통해 제1도전부(400), 제2도전부(500), 보조 구조(600)를 기판(100) 상에 설치하고 개구(310) 내에 수용시키는 목적을 달성한다. 특히, 제1도전부(400), 제2도전부(500) 및 보조 구조(600)은 서로 분리되고, 보조 구조(600)는 제1도전부(400)와 제2도전부(500) 사이에 설치된다(도 2에 도시함).
도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 보조 구조(600)가 발광 소자(700)와 기판(100) 사이에 위치하도록 발광 소자(700)는 보조 구조(600) 상에 설치될 수 있다. 보조 구조(600)의 꼭대기면(601)은 보호층(300)의 꼭대기면(301)과 대체적으로 정렬되기 때문에, 발광 소자(700)의 바닥면(701)은 보조 구조(600)의 꼭대기면(601) 및 보호층(300)의 꼭대기면(301)과 모두 접촉할 수 있고, 나아가 도광 소자(20)에 대해 수평으로 설치된다. 즉, 발광 소자(700)는 후면 영역에서 보조 구조(600)와 보호층(300)이 함께 지탱하며, 도 1에 도시된 바와 같이 XY 평면에서 수평을 유지하는 상태를 형성할 수 있다. 따라서 발광 소자(700)는 후면 영역이 아래로 기울어지고 전면 영역이 위로 기울어지는 현상이 쉽게 발생하지 않기 때문에, 광선이 수용면에 정렬되지 않거나 광선이 개구의 벽면에 의해 차폐되어 광선의 사용 효율이 저하되는 문제를 효과적으로 해결할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 보조 구조(600)의 꼭대기면(601)은 보호층(300)의 꼭대기면(301)과 대체적으로 정렬되고, 보조 구조(600)는 제3도전부(610)와 절연층(620)을 포함하고, 여기에서 제3도전부(610)는 절연층(620)과 기판(100) 사이에 위치하며, 절연층(620)은 발광 소자(700)와 제3도전부(610) 사이에 위치한다. 제3도전부(610)와 절연층(620)의 총 두께는 보호층(300)의 꼭대기면(301)으로부터 기판(100)까지의 거리와 대략 동일하다. 예를 들어, 제3도전부(610)의 두께는 10mm 내지 15mm일 수 있고, 절연층(620)의 두께도 10mm 내지 15mm일 수 있으므로, 보조 구조(600)의 전체 두께는 20mm 내지 30mm일 수 있다.
제3도전부(610), 배선층(200), 제1도전부(400) 및 제2도전부(500)는 구리, 알루미늄 또는 이의 합금과 같은 동일한 도전 물질을 포함할 수 있다. 절연층(620)은 LPSM(Liquid Photoimageable Solder Mask)과 같은 적절한 절연 물질을 포함할 수 있다. 제3도전부(610), 제1도전부(400) 및 제2도전부(500)는 모두 기판(100) 상의 배선층(200)의 패턴화 및 에칭에 의해 형성되며 이들 삼자의 높이는 동일할 수 있다. 보조 구조(600)의 제3도전부(610) 상에 절연층(620)이 설치되므로, 보조 구조(600)의 높이는 제1도전부(400) 제2도전부(500)의 높이보다 높다.
도 1 및 도 2a를 계속해서 참조하며, 발광 소자(700)는 제1전극(710)과 제2전극(720)을 포함하고, 본 실시예에 있어서, 제1전극(710)과 제2전극(720)은 바닥면(701)에 연결된 대향 양측에 각각 설치된다. 보조 구조(600) 상에서 발광 소자(700)에 대해 SMT 공정을 수행할 때, 가열된 용융 주석은 그 자체의 표면 장력 특성으로 인해 금속 노출 부분을 향해 축적되기 쉽다. 따라서 제1전극(710)과 제1도전부(400) 사이 및 제2전극(720)과 제2도전부(500) 사이에 채워, 제1전극(710)과 제2전극(720)을 제1도전부(400)와 제2도전부(500)에 각각 전기적으로 접속시켜 발광 소자(700)에 필요한 전력을 공급할 수 있다.
또한 발광 소자(700)는 장착부(730)와 여기부(740)를 더 포함할 수 있으며, 제1전극(710)과 제2전극(720)은 장착부(730) 상에 설치되고, 여기부(740) 내에는 복수의 형광 소자(예를 들어 형광 분말)가 있다. 제1전극(710)과 제2전극(720)이 발광 소자(700)에 전력을 공급할 때, 형광 소자가 여기되어 발광면(702)을 향해 광선을 방출한다.
도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 보호층(300)의 일부는 기판(100)과 발광 소자(700)의 여기부(740) 사이까지 연장되고, 보호층(300)의 표면은 대체적으로 백색과 같이 고반사율, 저흡광능력을 가진 색상이라는 점을 주의해야 한다. 따라서 발광 소자(700)가 도광 소자(20)를 향해 광선을 방출하여 도광 소자(20)를 통해 평면 출광을 생성할 때, 일부 광선이 보호층(300)에 의해 반사된 후 도광 소자(20)로 진입하더라도, 상기 평면 출광은 색차를 발생시키지 않는다. 다른 실시예에서 보호층(300)의 표면은 대체적으로 흑색과 같이 저반사율, 고흡광능력을 가진 색상이며, 이는 고휘도 발광 소자(700)에 응용하여 발광 소자(700)의 에너지를 흡수함으로써 백라이트 모듈이 밝은 선을 생성하는 문제를 방지한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 차단 부재(800)는 마찬가지로 기판(100) 상에 설치되며 보호층(300)의 개구(310) 내에 수용된다. 발광 소자(700)가 보조 구조(600) 상에 설치될 때, 차단 부재(800)는 발광면(702)과 대향하는 발광 소자(700)의 측면(703)에 접촉될 수 있다. 따라서 사용자가 도광 소자(20)를 장착할 때 실수로 발광 소자(700)를 -X축을 향해 눌렀을 경우, 차단 부재(800)가 여전히 충분한 지지력을 제공하므로 발광 소자(700)가 움직이거나 기울어지는 것을 방지할 수 있다.
충분한 지지력을 제공하기 위하여, 차단 부재(800)는 구리, 알루미늄 또는 이의 합금 등과 같은 금속 재료를 포함할 수 있고, 기판(100)과 보호층(300)은 적합한 절연 물질을 각각 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다.
LED 광원 모듈(10)의 구조를 통하여 발광 소자(700)가 도광 소자(20)에 대해 수평으로 설치되도록 보장할 수 있고, 발광 소자(700)에 의해 제공되는 광선이 다른 요소에 의해 차단되지 않으므로 광선의 사용률을 향상시킬 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 보조 구조(600)는 제1연장부(630)와 제2연장부(640)로 구성된다. 제1연장부(630)는 제1도전부(400)로부터 제2도전부(500)를 향해 연장되며 발광 소자(700)와 기판(100) 사이로 연장 진입하고, 제2연장부(640)는 제2도전부(500)로부터 제1도전부(400)를 향해 연장되며 발광 소자(700)와 기판(100) 사이로 연장 진입한다. 여기에서, 제1연장부(630)와 제1도전부(400)는 일체로 성형될 수 있고, 제2연장부(640)와 제2도전부(500)도 일체로 성형될 수 있다.
보조 구조(600)에 의한 제1전극(710) 및/또는 제2전극(720)의 단락을 피하기 위하여, 제1연장부(630)와 제2연장부(640)의 표면은 LPSM과 같은 절연 물질로 코팅될 수 있다. 또는 제1연장부(630)와 제2연장부(640)는 제1전극(710)과 제2전극(720)으로부터 먼 위치까지 각각 연장된 후, 다시 발광 소자(700)와 기판(100) 사이로 연장 진입할 수 있다.
도 3을 참조하며, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 LED 광원 모듈(10)에 있어서, 보조 구조(600)는 절연층(620)만 포함한다. 절연층(620)은 기판(100) 및 발광 소자(700)의 바닥면(701)에 직접적으로 접촉하고, 절연층(620)의 두께는 보호층(300)의 꼭대기면(301)으로부터 기판(100)까지의 거리와 대체적으로 동일하므로, 보조 구조(600)의 꼭대기면(601)은 보호층(300)의 꼭대기면(301)과 대체적으로 정렬된다. 절연층(620)은 LPSM를 포함할 수 있으며, 그 두께는 10mm 내지 30mm(예를 들어 25mm)의 범위에 있을 수 있다.
도 4를 참조하며, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서, LED 광원 모듈(10)은 복수의 보조 구조(600)를 포함하며, 이러한 보조 구조(600)는 제3도전부(610)와 절연층(620)으로 구성되거나(도 1의 보조 구조(600)와 같음) 단일 절연층(620)으로 구성될 수 있다(도 3의 보조 구조(600)와 같음). 중앙에 위치한 보조 구조(600)는 차단 부재(800)로부터 보호층(300)까지 연장되어 발광 소자(700)를 보다 안정적으로 설치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 발광 소자(700)의 제1전극(710)과 제2전극(720)은 모두 발광면(702)과 대향하는 측면(703) 상에 위치하기 때문에 제1도전부(400), 제2도전부(500) 및 차단 부재(800)는 발광 소자(700)의 동일한 측, 즉 측면(703)에 접촉될 수 있다. 또한 제1전극(710)과 제2전극(720)은 제1도전부(400) 및 제2도전부(500)에 각각 전기적으로 접속될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1전극(710)과 제2전극(720)은 발광 소자(700)의 바닥면(701)에 위치하거나, 또는 동시에 발광 소자(700)의 측면(703)으로부터 바닥면(701)까지 연장될 수 있다.
도 1, 2a 및 5를 함께 참조하며, 이하에서는 도 1, 2a에 도시된 LED 광원 모듈(10)의 제조방법을 설명한다. 먼저 기판(100)을 제공할 수 있으며(단계 S1), 기판(100) 상에 적어도 하나의 배선층(200)이 형성된다(단계 S2).
다음으로, 배선층(200) 상에 제1도전부(400)와 제2도전부(500)를 형성하고, 동시에 제1도전부(400)와 제2도전부(500) 사이에 하나 이상의 보조 구조(600)를 형성한다(단계 S3). 특별히 설명이 필요한 부분은, 보조 구조(600)를 형성하는 단계는 배선층(200) 상에 제3도전부(610)를 형성하는 단계, 및 제3도전부(610) 상에 절연층(620)을 설치하는 단계를 포함하며, 여기에서 제3도전부(610)는 제1도전부(400)와 제2도전부(500) 사이에 위치한다는 것이다.
그 후, 배선층(200)을 덮는 보호층(300)을 형성하고, 보호층(300) 상에 개구(310)를 형성하며, 여기에서 제1도전부(400)와 제2도전부(500)는 개구(310)로부터 노출된다(단계 S4).
마지막으로, 발광 소자(700)를 보조 구조(600) 상에 설치하여(단계 S5), 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이 LED 광원 모듈(10)을 형성한다. 여기에서 발광 소자(700)의 제1전극(710)과 제2전극(720)은 제1도전부(400)와 제2도전부(500)에 각각 전기적으로 접속되고, 발광 소자(700)의 바닥면(701)은 보조 구조(600)에 접촉된다.
본 실시예에 있어서, 제3도전부(610)도 기판(100) 상의 배선층(200)의 패턴화 및 에칭(etching)에 의해 형성될 수 있기 때문에, 제3도전부(610)를 형성하는 단계는 제1도전부(400) 및 제2도전부를 형성하는 단계와 동일한 공정으로 완료한 후 다시 제3도전부(610) 상에 절연층(620)을 설치함으로써 공정을 단순화하고 제조시간을 단축시킬 수 있다. 또한 일부 실시예에서 기판(100) 상에 차단 부재(800)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 마찬가지로, 일부 실시예에서 차단 부재(800)를 형성하는 단계는 제1도전부(400) 및 제2도전부(500)를 형성하는 단계와 동일한 공정으로 완료하고, 차단 부재(800)와 발광 소자(700)가 접촉되는 부분에 다시 절연 물질을 추가로 설치할 수 있다.
도 3 및 6을 함께 참조하며, 이하에서는 도 3에 도시된 LED 광원 모듈(10)의 제조방법을 설명한다. 먼저 기판(100)을 제공할 수 있으며(단계 S1'), 기판(100) 상에 적어도 하나의 배선층(200)이 형성된다(단계 S2').
다음으로, 배선층(200) 상에 제1도전부(400)와 제2도전부(500)를 형성한 후(단계 S3'), 배선층(200)을 덮는 보호층(300)을 형성하고, 보호층(300) 상에 개구(310)를 형성하며, 여기에서 제1도전부(400)와 제2도전부(500)는 개구(310)로부터 노출된다(단계 S4').
이어서, 개구(310) 내에 제1도전부(400)와 제2도전부(500) 사이에 위치하는 하나 이상의 보조 구조(600)를 형성할 수 있다(단계 S5'). 본 실시예에서 보조 구조(600)를 형성하는 단계는 기판(100) 상에 절연층(620)을 직접 형성하는 단계를 포함한다는 점에 주의해야 한다.
마지막으로, 발광 소자(700)를 보조 구조(600) 상에 설치하여(단계 S6'), 도 3에 도시된 바와 같이 LED 광원 모듈(10)을 형성할 수 있다. 마찬가지로, 발광 소자(700)의 제1전극(710)과 제2전극(720)은 제1도전부(400)와 제2도전부(500)에 각각 전기적으로 접속되고, 발광 소자(700)의 바닥면(701)은 보조 구조(600)에 접촉된다.
본 실시예에 있어서, 보조 구조(600)는 기판(100) 상에 형성되는 절연층(620)이므로, 기판(100)의 배선층(200)을 이용하여 제1도전부(400)와 제2도전부(500)를 패턴화 및 에칭하는 동시가 아닌, 그 이후에 절연층(620)을 형성한다. 또한 일부 실시예에 있어서, 차단 부재(800)도 절연 물질을 포함할 수 있으며, 마찬가지로 기판(100)의 배선층(200)을 이용하여 제1도전부(400)와 제2도전부(500)를 패턴화 및 에칭하는 동시가 아닌, 그 이후에 절연 물질을 기판(100) 상에 형성한다.
요약하면, 본 발명은 LED 광원 모듈을 제공하며, 여기에서 LED 광원 모듈은 제1도전부와 제2도전부 사이에 설치된 보조 구조를 포함하고, 상기 보조 구조의 꼭대기면은 보호층의 꼭대기면과 정렬되므로, 발광 소자가 도광 소자에 대해 수평으로 설치될 수 있고 나아가 빛의 사용 효율이 개선된다.
본 발명의 실시예 및 그 장점을 상기와 같이 개시하였으나, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 변경, 대체 및 수정을 진행할 수 있다는 점을 이해해야 한다. 또한 본 발명의 보호범위는 본 명세서의 특정 실시예에서의 공정, 기계, 제조, 물질 구성, 장치, 방법 및 단계로 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명에 개시된 내용으로부터 이해할 수 있는 현재 또는 미래에 발전되는 공정, 기계, 제조, 물질 구성, 장치, 방법 및 단계는, 본 명세서에 기재된 실시예에서 대체적으로 동일한 기능을 실시하거나 대체적으로 동일한 결과를 얻을 수 있다면 모두 본 발명에 따라 사용될 수 있다. 따라서 본 발명의 보호범위는 상기 언급된 공정, 기계, 제조, 물질 구성, 장치, 방법 및 단계를 포함한다. 또한 각각의 청구항은 개별적인 실시예를 구성하고, 본 발명의 보호범위는 또한 각각의 청구항 및 실시예의 조합도 포함한다.
본 발명의 몇몇 바람직한 실시예가 상기와 같이 개시되었으나 이는 본 발명을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술분야의 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 일부 변경과 개선을 진행할 수 있다. 따라서 본 발명의 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해 정의된 보호범위를 기준으로 삼아야 한다. 또한 각각의 청구항은 하나의 독립적인 실시예를 구성하며, 각각의 청구항 및 실시예의 조합도 본 발명의 보호범위에 속한다.
10 LED 광원 모듈
20 도광 소자, 21 출광면
100 기판
300 보호층, 301 꼭대기면, 310 개구
400 제1도전부
500 제2도전부
600 보조 구조, 601 꼭대기면, 610 제3도전부, 620 절연층 630 제1연장부, 640 제2연장부
700 발광 소자 701 바닥면, 702 발광면, 703 측면, 710 제1전극, 720 제2전극, 730 장착부, 740 여기부
800 차단 부재
S1 ~ S5, S1'~ S6' 단계

Claims (19)

  1. LED 광원 모듈에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 설치되며 개구가 있는 보호층;
    상기 기판 상에 설치되며 상기 개구 내에 수용되는 제1도전부;
    상기 기판 상에 설치되며 상기 개구 내에 수용되는 제2도전부;
    상기 기판 상에 설치되며 상기 개구 내에 수용되는 적어도 하나의 보조 구조; 및
    제1전극과 제2전극을 구비하는 발광 소자를 포함하고,
    여기에서 상기 제1전극은 상기 제1도전부에 전기적으로 접속되고, 상기 제2전극은 상기 제2도전부에 전기적으로 접속되고, 상기 보조 구조는 상기 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는 LED 광원 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보조 구조의 꼭대기면은 상기 보호층의 꼭대기면과 대체적으로 정렬되는 LED 광원 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보조 구조는 제3도전부를 포함하는 LED 광원 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보조 구조는 절연층을 포함하고, 상기 제3도전부는 상기 절연층과 상기 기판 사이에 설치되는 LED 광원 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보조 구조는 절연층을 포함하는 LED 광원 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 바닥면과 상기 바닥면에 연결된 복수의 측면을 가지며, 여기에서 상기 바닥면은 상기 보조 구조와 접촉하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극은 상기 측면 및/또는 상기 바닥면 상에 설치되는 LED 광원 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 동일 측면 상에 설치되는 LED 광원 모듈.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 제2전극은 다른 측면 상에 설치되는 LED 광원 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 LED 광원 모듈은 상기 기판 상에 설치되며 상기 개구 내에 수용되는 차단 부재를 더 포함하고, 상기 발광 소자는 발광면과 상기 발광면에 대향하는 측면을 구비하고, 여기에서 상기 차단 부재는 상기 측면과 접촉하는 LED 광원 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 LED 광원 모듈은 복수의 보조 구조를 포함하고, 상기 복수의 보조 구조 중 적어도 하나는 상기 차단 부재로부터 상기 보호층까지 연장되는 LED 광원 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1도전부, 상기 제2도전부 및 상기 보조 구조는 서로 분리되고, 상기 보조 구조는 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 LED 광원 모듈.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 보조 구조는 제1연장부 및 제2연장부를 구비하고, 상기 제1연장부는 상기 제1도전부로부터 상기 제2도전부를 향해 연장되고, 상기 제2연장부는 상기 제2도전부로부터 상기 제1도전부를 향해 연장되는 LED 광원 모듈.
  13. LED 광원 모듈의 제조방법에 있어서,
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 적어도 하나의 배선층을 형성하는 단계;
    상기 적어도 하나의 배선층 상에 제1도전부, 제2도전부를 형성하는 단계;
    상기 배선층을 덮는 보호층을 형성하는 단계;
    상기 보호층 상에 개구를 형성하는 단계 -상기 제1도전부와 상기 제2도전부가 상기 개구로부터 노출됨-;
    상기 개구 내에 적어도 하나의 보조 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 보조 구조 상에 발광 소자를 설치하는 단계를 포함하고,
    여기에서 상기 발광 소자의 제1전극과 제2전극이 각각 상기 제1도전부와 상기 제2도전부에 전기적으로 접속되고, 상기 발광 소자의 바닥면이 상기 보조 구조에 접촉되는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 보조 구조를 형성하는 단계는 상기 제1도전부와 상기 제2도전부를 형성하는 단계와 동시에 수행하며, 상기 보조 구조를 형성하는 단계는 상기 적어도 하나의 배선층 상에 제3도전부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 여기에서 상기 제3도전부는 상기 제1도전부와 상기 제2도전부 사이에 위치하는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 보조 구조를 형성하는 단계는 상기 제3도전부 상에 절연층을 설치하는 단계를 더 포함하는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 보조 구조의 꼭대기면은 상기 보호층의 꼭대기면과 대체적으로 정렬되는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 보조 구조를 형성하는 단계는 상기 보호층을 형성하는 단계 이후에 수행되고, 상기 보조 구조를 형성하는 단계는 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 제1도전부, 상기 제2도전부 및 상기 보조 구조는 서로 분리되고, 상기 보조 구조는 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 LED 광원 모듈의 제조방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 보조 구조는 제1연장부 및 제2연장부를 구비하고, 상기 제1연장부는 상기 제1도전부로부터 상기 제2도전부를 향해 연장되고, 상기 제2연장부는 상기 제2도전부로부터 상기 제1도전부를 향해 연장되는 LED 광원 모듈의 제조방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11686896B2 (en) 2017-10-27 2023-06-27 Radiant Opto-Electronics(Suzhou) Co., Ltd. LED light source module
CN113261120B (zh) * 2019-11-27 2023-03-24 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 多面发光电路板及其制作方法
CN114762121A (zh) * 2020-11-09 2022-07-15 瑞仪光电(苏州)有限公司 Led光源模组

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102082218A (zh) * 2009-11-26 2011-06-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管及其装置、封装方法
US20130299869A1 (en) * 2010-12-24 2013-11-14 Au Optronics Corp. Light-emitting module
KR20170003172A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
KR102135584B1 (ko) * 2020-01-09 2020-07-20 (주)이씨티 태양광 발전 장치의 발전 효율을 향상시키는 냉각수 공급 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324608A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Pioneer Electronic Corp フレキシブル基板及びその製造方法、並びにｌｅｄ実装フレキシブル基板及びそれを用いた照明装置
JP5140413B2 (ja) * 2007-12-28 2013-02-06 株式会社日立製作所 実装基板、及びこの実装基板を備えるｌｅｄ光源装置
CN101656283B (zh) * 2008-08-22 2011-03-30 奇力光电科技股份有限公司 发光二极管组件及其制造方法
JP2010161279A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Sharp Corp 発光装置
CN101577260B (zh) * 2009-06-05 2011-01-19 深圳华映显示科技有限公司 线路基板及光源模组
US20120153340A1 (en) * 2009-06-05 2012-06-21 Advanced Photonics, Inc. Submount, optical module provided therewith, and submount manufacturing method
JP5693194B2 (ja) * 2010-12-14 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR20120119091A (ko) * 2011-04-20 2012-10-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
JP5993943B2 (ja) * 2011-06-08 2016-09-21 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
TWI437909B (zh) * 2011-09-01 2014-05-11 Au Optronics Corp 發光二極體模組與採用此發光二極體模組之顯示器
JP5978572B2 (ja) * 2011-09-02 2016-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5933959B2 (ja) * 2011-11-18 2016-06-15 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
TWI606618B (zh) * 2012-01-03 2017-11-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
CN102779923B (zh) * 2012-07-09 2015-02-04 厦门吉瓦特照明科技有限公司 一种贴片式led模组的制造方法
JP2014067740A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Stanley Electric Co Ltd 光半導体装置
TW201410083A (zh) * 2012-12-20 2014-03-01 Synergy Optoelectronics Shenzhen Co Ltd 電路板結構及使用該電路板結構的背光模組
JP6414427B2 (ja) * 2013-10-03 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置実装構造体
TWM474255U (zh) * 2013-10-23 2014-03-11 Apcb Inc 電路板及發光二極體裝置
JP2015207626A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 スタンレー電気株式会社 サイドビュー型半導体発光装置
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6409459B2 (ja) * 2014-09-30 2018-10-24 日亜化学工業株式会社 照明装置
JP2016201237A (ja) * 2015-04-09 2016-12-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール及びそれを用いた発光装置
CN106558568B (zh) * 2015-09-30 2020-05-12 台达电子工业股份有限公司 封装结构
CN106094377A (zh) 2016-07-25 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN106094337A (zh) * 2016-08-11 2016-11-09 昆山龙腾光电有限公司 一种led灯条及背光模组

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102082218A (zh) * 2009-11-26 2011-06-01 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管及其装置、封装方法
US20130299869A1 (en) * 2010-12-24 2013-11-14 Au Optronics Corp. Light-emitting module
KR20170003172A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
KR102135584B1 (ko) * 2020-01-09 2020-07-20 (주)이씨티 태양광 발전 장치의 발전 효율을 향상시키는 냉각수 공급 장치

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