KR20190136957A - 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법 - Google Patents

감압 건조 장치 및 감압 건조 방법 Download PDF

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Abstract

(과제) 기판 상의 처리액을 감압으로 건조시킬 때에, 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 경감시키는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 챔버 (10) 내의 바닥면 (100) 에 오목부 (12) 가 형성되어 있고, 당해 오목부 (12) 의 바닥면 (120) 에 배기구 (14) 가 형성되어 있다. 수용 공간 (10S) 에 있어서의 Z 축 방향 (오목부 (12) 의 깊이 방향) 에 있어서 배기구 (14) 와 겹치는 위치에 제 1 정류판 (30) 이 형성되어 있다. 제 1 정류판 (30) 의 단부 (-X 측 단부 (32a) 또는 +X 측 단부 (32b)) 및 오목부 (12) 의 내측 가장자리부 (-X 측 가장자리부 (124a) 또는 +X 측 가장자리부 (124b)) 와 Z 축 방향 (오목부 (12) 의 깊이 방향) 에 있어서 겹치는 위치에, 제 2 정류판 (40) 이 형성되어 있다. 복수의 유지부 (52) 는, 제 1 정류판 (30) 및 제 2 정류판 (40) 의 상방의 위치 (상위치 (L1) 또는 하위치 (L2)) 에서 기판 (9) 을 유지한다.

Description

감압 건조 장치 및 감압 건조 방법{REDUCED PRESSURE DRYING APPARATUS AND REDUCED PRESSURE DRYING METHOD}
본 발명은, 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법에 관한 것으로, 특히, 기판 상에 도포된 처리액을 건조시키는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판, 프린트 기판 등이 포함된다.
종래, 기판 처리 장치 (예를 들어, 액정 패널 제조 장치 등) 에서는, 표면에 처리액이 도포된 기판에 대해, 감압 건조 처리를 실시하는 감압 건조 장치가 알려져 있다. 예를 들어, 포토리소그래피 공정에 있어서는, 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 도포한 레지스트액의 도포막을 프리베이킹에 앞서 적당히 건조시키기 위해 감압 건조 장치가 사용되는 경우가 있다.
종래의 대표적인 감압 건조 장치는, 예를 들어 특허문헌 1 에 기재되는 바와 같이, 개폐 가능한 챔버 중의 적절한 높이에 배치 형성된 기판 지지 부재 상에 기판을 수평하게 재치 (載置) 하고 나서, 챔버를 닫고 감압 건조 처리를 실시한다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조).
이러한 종류의 감압 건조 처리에서는, 먼저, 챔버 내에 형성된 배기구를 통해 밖의 진공 펌프에 의해 챔버 내의 진공 배기를 실시한다. 이 진공 배기에 의해, 챔버 내의 압력이 지금까지의 대기압 상태로부터 감압 상태로 바뀌고, 이 감압 상태하에서 기판 상의 레지스트 도포막으로부터 용제 성분이 증발된다. 챔버 내의 압력이 일정 압력까지 감압된 시점에서, 챔버 내의 감압을 종료시키고, 그 후, 챔버 내에 형성된 공급구로부터 불활성 가스 (예를 들어 질소 가스) 혹은 에어를 분출 또는 확산 방출하여, 챔버 내의 압력을 대기압으로 되돌린다 (복압시킨다). 챔버 내가 복압되면, 챔버가 열리고, 챔버 내로부터 기판이 반출된다.
챔버에 있어서 진공 배기를 실시한 경우, 일반적으로는, 배기구에 가까울수록 분위기의 유속이 커진다. 유속이 큰 경우, 기판 상의 처리액의 표면 상태가 거칠어질 우려가 있고, 건조 불균일이 발생할 가능성이 있다. 특허문헌 1 에서는, 챔버의 바닥부에 형성된 배기구의 상방에 중판 (中板) 이 형성되어 있다. 배기구가 중판으로 덮여 있는 것에 의해, 중판과 챔버의 바닥부 사이를 경유하여 배기구에 이르는 배기 경로를 형성하고 있다. 또, 특허문헌 2 에 있어서도, 바닥부에 형성된 배기구의 상방에 정류판을 배치하는 것이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 평9-320949호 일본 공개특허공보 2004-47582호
상기 종래 기술에서는, 중판의 둘레 단부 (端部) 와 챔버의 측벽의 간극으로부터 분위기가 흡입되기 때문에, 이 간극에 가까운 영역에서 분위기의 유속이 커져 버린다. 이 때문에, 이 간극의 주변에 기판이 배치되는 것에 의해, 기판 상의 처리액에 대해 건조 불균일이 발생할 가능성이 있어, 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 기판 상의 처리액을 감압으로 건조시킬 때에, 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 경감시키는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 제 1 주면 (主面) 및 제 2 주면을 갖는 기판의 상기 제 1 주면 상에 존재하는 처리액을, 감압에 의해 건조시키는 감압 건조 장치로서, 상기 기판을 수용 가능한 수용 공간을 가짐과 함께 상기 수용 공간에 면하는 제 1 면을 갖는 케이싱과, 상기 제 1 면에 형성되어 있는 오목부와, 상기 오목부의 깊이 방향의 바닥면에 형성되어 있는 배기구와, 상기 배기구를 통해 상기 수용 공간의 분위기를 흡인하는 흡인 기구와, 상기 수용 공간에 있어서의, 상기 깊이 방향에 있어서 상기 배기구와 겹치는 위치에 배치되는 제 1 부재와, 상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재의 단부 및 상기 오목부의 내측 가장자리부와 상기 깊이 방향으로 간격을 둔 위치로서 상기 깊이 방향에 있어서 상기 단부 및 상기 내측 가장자리부와 겹치는 위치에 배치되는 제 2 부재와, 상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재에 대해 상기 배기구와는 반대측의 위치에 상기 기판을 유지하는 기판 유지부를 구비한다.
제 2 양태는, 제 1 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 기판 유지부는, 상기 기판의 상기 제 2 주면을 지지하는 복수의 핀을 포함한다.
제 3 양태는, 제 2 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 복수의 핀은, 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 핀과, 상기 복수의 제 1 핀으로부터 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 간격을 두고 상기 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 2 핀을 포함하고, 상기 제 2 부재는, 상기 복수의 제 1 핀과 상기 복수의 제 2 핀 사이에 배치되어 있다.
제 4 양태는, 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 감압 건조 장치로서, 상기 복수의 핀을 상기 깊이 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 1 기판 위치와, 상기 제 1 기판 위치보다 상기 배기구에 가까운 제 2 기판 위치 사이에서, 상기 기판을 이동시키는 이동 구동부를 추가로 구비한다.
제 5 양태는, 제 4 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 이동 구동부는, 상기 흡인 기구가 상기 배기구를 통해 상기 수용 공간의 분위기의 흡인을 개시한 후, 상기 기판을 상기 제 1 기판 위치로부터 상기 제 2 기판 위치로 이동시킨다.
제 6 양태는, 제 1 양태 내지 제 5 양태 중 어느 하나의 감압 건조 장치로서, 상기 제 1 부재가 상기 제 2 부재와 상기 배기구 사이에 형성되어 있다.
제 7 양태는, 제 6 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 제 1 부재의 적어도 일부가, 상기 오목부 내에 있다.
제 8 양태는, 제 7 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 제 1 부재의 전부가, 상기 오목부 내에 있다.
제 9 양태는, 제 8 양태의 감압 건조 장치로서, 상기 단부와 상기 내측 가장자리부가 동일 평면 상에 위치하고 있다.
제 10 양태는, 제 1 양태 내지 제 9 양태 중 어느 하나의 감압 건조 장치로서, 상기 기판 유지부는, 상기 기판을 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향이 되는 수평 자세로 유지하고, 상기 제 1 부재, 상기 제 2 부재 및 상기 배기구는, 상기 기판 유지부에 유지되는 상기 기판의 상기 제 2 주면측에 위치하고 있다.
제 11 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판의 상기 제 1 주면 상에 존재하는 처리액을, 감압에 의해 건조시키는 감압 건조 방법으로서, 수용 공간 및 그 수용 공간에 면하는 제 1 면을 갖는 케이싱의 상기 수용 공간에, 상기 기판을 반입하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후에, 상기 제 1 면에 형성되어 있는 오목부의 깊이 방향의 바닥면에 형성되어 있는 배기구를 통해, 상기 수용 공간의 분위기를 흡인하는 제 2 공정을 갖고, 상기 제 2 공정은, 상기 수용 공간에 있어서의, 상기 깊이 방향에 있어서 상기 배기구와 겹치는 위치에 배치되는 제 1 부재에 의해, 상기 배기구를 향하는 기류의 방향을 변경하는 공정과, 상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재의 단부 및 상기 오목부의 내측 가장자리부의 쌍방과 상기 깊이 방향으로 간격을 둔 위치로서 상기 깊이 방향에 있어서 상기 단부 및 상기 내측 가장자리부의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되는 제 2 부재에 의해, 상기 배기구를 향하는 기류의 방향을 변경하는 공정을 포함한다.
제 1 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 배기구의 상방이 제 1 부재로 덮여 있기 때문에, 수용 공간의 분위기를 배기할 때에, 제 1 부재 상방의 분위기가 배기구에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 또, 오목부의 가장자리 부분과 제 1 부재의 단부의 간극이 제 2 부재로 덮여 있기 때문에, 제 2 부재 상방의 분위기가 당해 간극에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 이들 작용에 의해, 기판 주위의 분위기의 유속을 저하시킬 수 있기 때문에, 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 경감시킬 수 있다.
제 2 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 2 주면을 복수의 핀으로 지지함으로써, 접촉 면적을 줄일 수 있기 때문에, 지지 부재의 접촉에 의한 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 억제할 수 있다.
제 3 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 1 핀과 제 2 핀 사이에서, 배기구를 향하는 기류의 방향을 변경할 수 있다.
제 4 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 배기구로부터 먼 제 1 기판 위치와, 배기구에 가까운 제 2 기판 위치 사이에서, 기판을 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 배기구에 흡입되는 분위기의 속도에 따라, 기판의 위치를 조정할 수 있다.
제 5 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 수용 공간 내의 감압의 개시 직후에는, 기류가 빠른 배기구로부터 떨어진 위치에 기판을 배치할 수 있고, 감압이 진행되어 배기구 부근의 유속이 저하되고 나서, 기판을 배기구에 접근시키는 것에 의해, 유속의 영향을 억제할 수 있다. 또한, 배기구 부근에 기판을 접근시키는 것에 의해, 처리액의 감압 건조를 촉진시킬 수 있다.
제 6 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 1 부재가, 제 2 부재보다 배기구에 가까운 위치에 배치된다. 기류가 비교적 커지는 배기구 부근에서, 제 1 부재가 배기구에 대한 분위기의 직접적인 흡입을 억제한다. 이 때문에, 기판의 제 1 주면 상의 처리액을 건조시켰을 때의 기류의 영향을 저감시킬 수 있어, 처리액에 있어서의 건조 불균일을 억제할 수 있다.
제 7 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 1 부재의 적어도 일부가 오목부 내에 있기 때문에, 제 1 부재의 오목부의 외측으로 나오는 부분을 작게 할 수 있다. 이로써, 수용 공간에 있어서의 기판을 배치 가능한 공간을 크게 확보할 수 있다.
제 8 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 1 부재의 전부가 오목부 내에 있기 때문에, 수용 공간에 있어서의 기판을 배치 가능한 공간을 크게 확보할 수 있다.
제 9 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 제 1 부재의 단부와 오목부의 내측 가장자리부가 동일 평면 상에 위치하기 때문에, 분위기가 제 1 부재의 단부와 오목부의 내측 가장자리부의 간극을 통과할 때에, 기류가 흐트러지는 것을 경감시킬 수 있다.
제 10 양태의 감압 건조 장치에 의하면, 기판의 처리액이 존재하는 면을 연직 방향의 상향에 배치한 상태에서, 배기구를 통해 수용 공간의 분위기를 흡입하는 것에 의해, 기판 주위의 분위기를 연직 방향의 하측을 향하여 이동시킬 수 있다.
제 11 양태의 감압 건조 방법에 의하면, 배기구의 상방이 제 1 부재로 덮여 있기 때문에, 수용 공간의 분위기를 배기할 때에, 제 1 부재의 상방의 분위기가 배기구에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 또, 오목부의 가장자리 부분과 제 1 부재의 단부의 간극이 제 2 부재로 덮여 있기 때문에, 제 2 부재의 상방의 분위기가 당해 간극에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 이들 작용에 의해, 기판 주위의 분위기의 유속을 저하시킬 수 있기 때문에, 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 경감시킬 수 있다.
도 1 은, 실시형태에 있어서의 감압 건조 장치 (1) 의 챔버 (10) 내부를 연직 방향의 상측으로부터 본 모습을 나타내는 개략 평면도이다.
도 2 는, 실시형태의 감압 건조 장치 (1) 에 있어서의 4 개의 제 2 정류판 (40) 및 승강 기구 (50) 를 제외한 챔버 (10) 내부를 연직 방향의 상측으로부터 본 모습을 나타내는 개략 평면도이다.
도 3 은, 도 1 의 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 감압 건조 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
도 4 는, 처리 대상인 기판 (9) 이 반입되었을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5 는, 배기를 개시하였을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6 은, 배기를 개시하고 나서 소정 시간 경과하였을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7 은, 처리 후의 기판 (9) 을 외부로 반출시킬 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 은, 변형예에 관련된 감압 건조 장치 (1A) 를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그것들로만 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해를 쉽게 하기 위해, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「일방향으로」 「일방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관하여 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동등한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동등한」 「균질」 등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동등한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각 형상」 또는 「원통 형상」 등) 은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 1 개의 구성 요소를 「지니다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함한다」 또는 「갖는다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「∼ 의 상」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.
<1. 실시형태>
도 1 은, 실시형태에 있어서의 감압 건조 장치 (1) 의 챔버 (10) 내부를 연직 방향의 상측으로부터 본 모습을 나타내는 개략 평면도이다. 도 2 는, 실시형태의 감압 건조 장치 (1) 에 있어서의 4 개의 제 2 정류판 (40) 및 승강 기구 (50) 를 제외한 챔버 (10) 내부를 연직 방향의 상측으로부터 본 모습을 나타내는 개략 평면도이다. 도 3 은, 도 1 의 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 감압 건조 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
각 도면에 있어서는, 감압 건조 장치 (1) 의 각 부의 위치 관계를 명확하게 하기 위해, X 축, Y 축 및 Z 축을 부여하고 있다. 본 예에서는, X 축 방향 및 Y 축 방향은 수평 방향이고, Z 축 방향은 연직 방향이다. 각 축에 있어서, 화살표의 선단이 향하는 쪽을 + (플러스) 방향으로 하고, 그 역방향을 - (마이너스) 방향으로 한다. 연직 방향의 상향을 「+Z 방향」, 하향을 「-Z 방향」으로 한다. 하기에 설명하는 각 부의 위치 관계는 일례이고, 이것으로 한정하는 취지의 것은 아니다.
감압 건조 장치 (1) 는, 챔버 (10) 를 구비한다. 챔버 (10) 는, 직방체상이고, 내부에 수용 공간 (10S) 을 갖는 케이싱이다. 감압 건조 장치 (1) 는, 이 수용 공간 (10S) 에 기판 (9) 을 수용하고, 기판 (9) 의 상면 (90) (제 1 주면) 에 도포된 처리액을 감압에 의해 건조시키는 감압 건조 처리를 실시한다.
챔버 (10) 의 +Y 측의 측벽의 +Z 측 근처의 부분에는, 개폐부 (10P) 가 형성되어 있다. 개폐부 (10P) 는, 챔버 (10) 의 외부와 챔버 (10) 의 수용 공간 (10S) 사이에서 기판 (9) 을 통과시키기 위한 개구를 형성한다. 또, 개폐부 (10P) 는, 당해 개구를 닫는 것에 의해, 외부와 수용 공간 (10S) 을 차단하고, 기판 (9) 의 통과를 불가능하게 한다.
챔버 (10) 는, 수용 공간 (10S) 에 면하는 바닥면 (100) 을 갖는다. 바닥면 (100) 은, 수평면을 이루고 있다. 바닥면 (100) 에는, 4 개의 오목부 (12) 가 형성되어 있다. 4 개의 오목부 (12) 는, -X 측에 배치된 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 와, +X 측에 배치된 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 를 포함한다.
오목부 (12) 의 수량은, 4 개로 한정되는 것은 아니고, 임의로 변경해도 된다. 예를 들어, 오목부 (12) 가 1 개만 형성되어 있어도 된다.
이하, 1 개의 오목부 (12) 에 주목하여 설명한다. 오목부 (12) 는, 바닥면 (100) 으로부터 -Z 방향으로 오목한 형상을 갖는다. 오목부 (12) 는, 연직 방향의 상측으로부터 보아 사각 형상이지만, 이것은 필수는 아니다. 오목부 (12) 의 깊이 방향 (Z 축 방향) 의 바닥면 (120) 은, 수평면으로 되어 있다. 오목부 (12) 는, 바닥면 (120) 의 외주부로부터 연직 방향의 상향으로 기립하는 내벽면 (122) 을 갖는다. 내벽면 (122) 은, 바닥면 (120) 에 대해 수직이 되도록 연직 방향으로 연장되는 부분을 갖는다. 내벽면 (122) 이 연직 방향으로 연장되어 있는 것에 의해, 배기구 (14) 를 향하는 분위기의 흐름을 연직 방향으로 나란하게 할 수 있다.
오목부 (12) 의 바닥면 (120) 에는 배기구 (14) 가 형성되어 있다. 즉, 감압 건조 장치 (1) 는, 4 개의 배기구 (14) 를 가지고 있다. 배기구 (14) 는, 오목부 (12) 를 통해 수용 공간 (10S) 에 접속하고 있다. 배기구 (14) 는, 흡인 기구 (20) 에 접속되어 있다. 흡인 기구 (20) 는, 제어부 (70) 로부터의 제어 지령에 따라 동작하는 도시 생략된 진공 펌프를 갖는다. 흡인 기구 (20) 는, 제어 지령에 따라, 배기구 (14) 를 통해 수용 공간 (10S) 내의 분위기를 흡인하고, 외부로 배출한다.
감압 건조 장치 (1) 는, 4 개의 제 1 정류판 (30) (제 1 부재) 을 구비하고 있다. 본 예에서는, 4 개의 오목부 (12) 각각의 내측에 제 1 정류판 (30) 이 1 개씩 배치되어 있다. 4 개의 제 1 정류판 (30) 은, 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 각각의 내측에 1 개씩 배치되어 있는 2 개의 -X 측 제 1 정류판 (30a) 과, 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 각각의 내측에 1 개씩 배치되어 있는 2 개의 +X 측 제 1 정류판 (30b) 을 포함한다.
각 제 1 정류판 (30) 은, 수용 공간 (10S) 에 있어서의, 배기구 (14) 와 Z 축 방향으로 겹치는 위치에 배치되어 있다. 요컨대, 각 제 1 정류판 (30) 에 대해, 제 1 정류판 (30) 및 배기구 (14) 를 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 1 정류판 (30) 은, 수용 공간 (10S) 중 배기구 (14) 와 겹치는 위치에 배치되어 있다. 제 1 정류판 (30) 은, 배기구 (14) 에 대해 Z 축 방향으로 간격을 둔 위치에 배치되어 있다. 제 1 정류판 (30) 은, 판상의 부재로, 각 오목부 (12) 의 깊이 방향으로 보았을 때의 개구보다 작고, 또한, 각 배기구 (14) 의 개구보다 크다. 제 1 정류판 (30) 은, 수평면에 평행한 자세로 배치되어 있다. 요컨대, 제 1 정류판 (30), 오목부 (12) 및 배기구 (14) 를 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 1 정류판 (30) 은, 오목부 (12) 의 개구보다 작고, 배기구 (14) 의 개구보다 크다. 또한, 오목부 (12) 의 개구는, 오목부 (12) 내의 공간이 수용 공간 (10S) 중 오목부 (12) 의 상방에 위치하는 공간에 접속하고 있는 부분이고, 배기구 (14) 의 개구는, 배기구 (14) 내의 공간이 오목부 (12) 내의 공간에 접속하고 있는 부분이다.
각 제 1 정류판 (30) 은, 그 전체가, 대응하는 오목부 (12) 내에 배치되어 있다. 본 예에서는, 각 제 1 정류판 (30) 의 상면은, 대응하는 오목부 (12) 의 단부를 포함하는 외면 (102) 과 동일한 높이에 있다. 각 제 1 정류판 (30) 의 상면은, 대응하는 오목부 (12) 의 내측 가장자리부인 바닥면 (100) 중 각 오목부 (12) 주위를 둘러싸는 내측 가장자리부를 포함하는 외면 (102) 과 면일 (面一) 하게 되어 있다. 요컨대, 제 1 정류판 (30) 의 상면과, 이 제 1 정류판 (30) 에 대응하는 오목부 (12) 의 내측 가장자리부로서의 바닥면 (100) 중 각 오목부 (12) 주위를 둘러싸는 내측 가장자리부를 포함하는 외면 (102) 이 동일 평면 상에 위치하고 있다. 이와 같이, 제 1 정류판 (30) 을 오목부 (12) 내에 형성하는 것에 의해, 수용 공간 (10S) 에 있어서의 기판 (9) 을 배치 가능한 공간을 크게 할 수 있다. 또, 수용 공간 (10S) 의 Z 축 방향의 길이 치수를 작게 할 수 있다.
또한, 제 1 정류판 (30) 의 일부분이, 오목부 (12) 내로서, 외면 (102) 보다 바닥면 (120) 측 (-Z 측) 에 있어도 된다. 즉, 제 1 정류판 (30) 의 일부분이, 오목부 (12) 외로서 외면 (102) 보다 상측 (+Z 측) 에 있어도 된다. 이와 같이 일부분이더라도, 제 1 정류판 (30) 을 오목부 (12) 내에 넣는 것에 의해, 챔버 (10) 의 Z 축 방향의 길이를 작게 할 수 있다.
제 1 정류판 (30) 은, 오목부 (12) 의 사각 형상의 내측 가장자리부와의 사이에서, 간극이 형성되어 있다. 상세하게는, 제 1 정류판 (30) 의 -X 측 단부 (32a) 와 오목부 (12) 의 -X 측 가장자리부 (124a) 사이에 -X 측 간극 (34a) 이 형성되고, 제 1 정류판 (30) 의 +X 측 단부 (32b) 와 오목부 (12) 의 +X 측 가장자리부 (124b) 사이에 +X 측 간극 (34b) 이 형성되어 있다. -X 측 단부 (32a) 는, 제 1 정류판 (30) 의 -X 측에 위치하는 단부이고, -X 측 가장자리부 (124a) 는, 오목부 (12) 의 -X 측에 위치하는 가장자리부이며, +X 측 단부 (32b) 는, 제 1 정류판 (30) 의 +X 측에 위치하는 단부이고, +X 측 가장자리부 (124b) 는, 오목부 (12) 의 +X 측에 위치하는 가장자리부이다.
감압 건조 장치 (1) 는, 4 개의 제 2 정류판 (40) (제 2 부재) 을 구비하고 있다. 4 개의 제 2 정류판 (40) 은, -X 측으로부터 +X 측을 향하여, 순서대로, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 을 포함한다. 요컨대, -X 측으로부터 +X 측을 향하여, 제 2 정류판 (40a) 과, 제 2 정류판 (40b) 과, 제 2 정류판 (40c) 과, 제 2 정류판 (40d) 이 이 기재순으로 나열되어 있다. 이들 4 개의 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 은, 각각 장방형의 판상이다. Y 축 방향의 길이 치수는, 4 개의 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 에서 동일하다. 또, X 축 방향의 폭 치수는, 2 개의 제 2 정류판 (40a, 40d) 에서 동일하고, 2 개의 제 2 정류판 (40b, 40c) 에서 동일하다. 2 개의 제 2 정류판 (40a, 40d) 은, X 축 방향으로 간격을 두고 배치되어 있고, 이들 사이에 2 개의 제 2 정류판 (40b, 40c) 이 배치되어 있다. 2 개의 제 2 정류판 (40b, 40c) 도, X 축 방향으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 2 개의 제 2 정류판 (40a, 40b) 도, X 축 방향으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다. 2 개의 제 2 정류판 (40c, 40d) 도, X 축 방향으로 서로 간격을 두고 배치되어 있다.
제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 각각은, 제 1 정류판 (30) 의 외주 단부와 외면 (102) 의 쌍방에 대해, Z 축 방향으로 간격을 두고, 또한, Z 축 방향으로 겹치는 위치에 형성되어 있다. 요컨대, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d), 제 1 정류판 (30) 및 외면 (102) 을 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 각각은, 수용 공간 (10S) 중 제 1 정류판 (30) 의 외주 단부 및 오목부 (12) 의 내측 가장자리부의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다.
예를 들어, 가장 -X 측에 있는 제 2 정류판 (40a) 은, 2 개의 -X 측 제 1 정류판 (30a) 의 -X 측 단부 (32a) 및 이것들에 대향하는 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 -X 측 가장자리부 (124a) (내측 가장자리부) 를 포함하는 외면 (102) 부분과 Z 축 방향으로 겹친다. 요컨대, 제 2 정류판 (40a), 제 1 정류판 (30) 및 외면 (102) 을 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40a) 은, 수용 공간 (10S) 중 2 개의 -X 측 제 1 정류판 (30a) 각각의 -X 측 단부 (32a) 및 이들 -X 측 단부 (32a) 에 대향하는 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 -X 측 가장자리부 (124a) 의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다. 즉, 제 2 정류판 (40a) 은, 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 -X 측 간극 (34a) 의 상방을 덮고 있다.
제 2 정류판 (40b) 은, 2 개의 -X 측 제 1 정류판 (30a) 의 +X 측 단부 (32b) 및 이것들에 대향하는 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 +X 측 가장자리부 (124b) (내측 가장자리부) 를 포함하는 외면 (102) 부분과 Z 축 방향으로 겹친다. 요컨대, 제 2 정류판 (40b), 제 1 정류판 (30) 및 외면 (102) 을 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40b) 은, 수용 공간 (10S) 중 2 개의 -X 측 제 1 정류판 (30a) 각각의 +X 측 단부 (32b) 및 이들 +X 측 단부 (32b) 에 대향하는 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 +X 측 가장자리부 (124b) 의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다. 즉, 제 2 정류판 (40b) 은, 2 개의 -X 측 오목부 (12a) 의 +X 측 간극 (34b) 의 상방을 덮고 있다.
제 2 정류판 (40c) 은, 2 개의 +X 측 제 1 정류판 (30b) 의 -X 측 단부 (32a) 및 이것들에 대향하는 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 -X 측 가장자리부 (124a) (내측 가장자리부) 를 포함하는 외면 (102) 부분과 Z 축 방향으로 겹친다. 요컨대, 제 2 정류판 (40c), 제 1 정류판 (30) 및 외면 (102) 을 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40c) 은, 수용 공간 (10S) 중 2 개의 +X 측 제 1 정류판 (30b) 각각의 -X 측 단부 (32a) 및 이들 -X 측 단부 (32a) 에 대향하는 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 2 개의 -X 측 가장자리부 (124a) 의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다. 즉, 제 2 정류판 (40c) 은, 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 -X 측 간극 (34a) 의 상방을 덮고 있다.
가장 +X 측에 있는 제 2 정류판 (40d) 은, 2 개의 +X 측 제 1 정류판 (30b) 의 +X 측 단부 (32b) 및 이것들에 대향하는 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 +X 측 가장자리부 (124b) (내측 가장자리부) 를 포함하는 외면 (102) 부분과 Z 축 방향으로 겹친다. 요컨대, 제 2 정류판 (40d), 제 1 정류판 (30) 및 외면 (102) 을 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40d) 은, 수용 공간 (10S) 중 2 개의 +X 측 제 1 정류판 (30b) 각각의 +X 측 단부 (32b) 및 이들 +X 측 단부 (32b) 에 대향하는 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 +X 측 가장자리부 (124b) 의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다. 즉, 제 2 정류판 (40d) 은, 2 개의 +X 측 오목부 (12b) 의 +X 측 간극 (34b) 의 상방을 덮고 있다.
승강 기구 (50) 는, 기판 (9) 을 복수의 제 2 정류판 (40) 의 상방에서 지지 함과 함께, 기판 (9) 을 연직 방향으로 승강 이동시킨다. 승강 기구 (50) 는, 6 개의 지지부 (52) 및 승강 구동부 (54) 를 포함한다.
6 개의 지지부 (52) 는, 제 1 정류판 (30) 에 대해 배기구 (14) 와는 반대 측에 배치되어 있다. 요컨대, 6 개의 지지부 (52) 와 배기구 (14) 가, 제 1 정류판 (30) 을 사이에 두는 서로 반대측의 위치에 배치되어 있다. 6 개의 지지부 (52) 는, 3 개의 지지부 (52a) 및 3 개의 지지부 (52b) 를 포함한다. 지지부 (52a, 52b) 각각은, Y 축 방향으로 연장되는 리프트 플레이트 (520) 와, 1 개의 리프트 플레이트 (520) 상에 있어서 Y 축 방향으로 간격을 두고 배치되어 있는 복수의 핀 (522) 을 구비하고 있다. 본 예에서는, 수용 공간 (10S) 에 있어서의 -X 측 근처의 위치, X 축 방향 중앙의 위치, +X 측 근처의 위치 각각에, 지지부 (52a, 52b) 가 1 개씩 배치되어 있다. 연직 방향의 상측으로부터 보아, 제 2 정류판 (40a) 과 제 2 정류판 (40b) 사이, 제 2 정류판 (40b) 과 제 2 정류판 (40c) 사이, 제 2 정류판 (40c) 과 제 2 정류판 (40d) 사이 각각에, 지지부 (52a, 52b) 가 1 개씩 배치되어 있다. 기판 (9) 은, 지지부 (52a) 또는 지지부 (52b) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 의 상단부에 지지되는 것에 의해, 제 1 정류판 (30) 및 제 2 정류판 (40) 에 대해 배기구 (14) 와는 반대측의 위치에 유지된다. 요컨대, 기판 (9) 은, 제 1 정류판 (30) 및 제 2 정류판 (40) 을 기준으로 하여 배기구 (14) 와는 반대측의 위치에 유지된다.
승강 구동부 (54) 는, 3 개의 지지부 (52a) 및 3 개의 지지부 (52b) 각각의 리프트 플레이트 (520) 에 접속되어 있고, 이것들을 개별적으로 연직 방향으로 승강시킨다. 이동 구동부로서의 승강 구동부 (54) 의 구동력은, 챔버 (10) 의 바닥면 (100) 을 관통하여 리프트 플레이트 (520) 의 하면에 연결된 봉상의 부재 (도시 생략) 를 통해 전달되면 된다. 승강 구동부 (54) 의 구동력에 의해, 지지부 (52a) 및 지지부 (52b) 각각이 연직 방향으로 승강한다. 또한, 6 개의 지지부 (52) 중 2 개 이상의 지지부 (52) 가, 일체적으로 승강하도록 직접 연결되어 있어도 된다. 예를 들어, 3 개의 지지부 (52a) 를 서로 연결하여 일체적으로 승강시켜도 된다. 또, 3 개의 지지부 (52b) 에 대해서도 서로 연결시켜 일체적으로 승강시켜도 된다. 이와 같은 경우에는, 승강 구동부 (54) 의 동작축 (봉상의 부재) 을 줄일 수 있기 때문에, 승강 구동부 (54) 의 구성을 간략화할 수 있다.
지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 은, 지지부 (52b) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 과는 Y 축 방향의 위치가 상이하도록 배치되어 있다. 이것은, 다양한 크기의 기판 (9) 에 대응하기 위함이다. 또한, 각 핀 (522) 의 위치는, 이것에 한정되는 것은 아니고, 임의로 설정해도 된다.
예를 들어, -X 측 근처의 지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 은, Y 축 방향으로 배열된 복수의 제 1 핀의 일례이다. X 축 방향 중앙의 지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 은, -X 측 근처의 지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 에 대해 X 축 방향으로 간격을 두고, Y 축 방향으로 배열된 복수의 제 2 핀의 일례이다. 제 2 정류판 (40b) 은, 이들 복수의 제 1 핀과 복수의 제 2 핀 사이에 배치된 제 2 부재의 일례이다.
또, X 축 방향 중앙의 지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 은 복수의 제 1 핀의 일례이고, +X 측 근처의 지지부 (52a) 가 구비하는 복수의 핀 (522) 은 복수의 제 2 핀의 일례이다. 제 2 정류판 (40c) 은, 이들 복수의 제 1 핀과 복수의 제 2 핀 사이에 배치된 제 2 부재의 일례이다.
감압 건조 장치 (1) 는, 제어부 (70) 를 구비하고 있다. 제어부 (70) 는, 각종 연산 처리를 행하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓰기 가능한 메모리인 RAM 을 구비하는, 일반적인 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 제어부 (70) 는, 제어용 어플리케이션 (프로그램) 또는 각종 데이터 등을 기억하는 보조 기억 장치를 구비하고 있어도 된다. CPU 가 제어용 어플리케이션에 따라 동작하는 것에 의해, 각종 기능이 실현되면 된다. 제어부 (70) 는, 개폐부 (10P), 흡인 기구 (20) 및 승강 구동부 (54) 에 통신 가능하게 접속되어 있고, 이것들에 제어 지령을 송신하는 것에 의해, 이것들의 동작을 제어한다.
<동작 설명>
상기 구성의 감압 건조 장치 (1) 의 감압 건조 처리에 있어서의 동작을 설명한다. 또한, 특별히 언급하지 않는 한, 감압 건조 장치 (1) 의 동작은, 제어부 (70) 로부터의 제어 지령에 따라 실행되는 것으로 한다.
도 4 는, 처리 대상인 기판 (9) 이 반입되었을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다. 감압 건조 처리는, 처리 대상인 기판 (9) (상면 (90) 에 처리액이 도포된 기판 (9)) 을 외부로부터 챔버 (10) 의 수용 공간 (10S) 에 반입하는, 반입 공정 S1 을 포함한다.
반입 공정 S1 에서는, 제어부 (70) 가, 처리 대상인 기판 (9) 의 지지에 대응한 복수의 지지부 (52) (도 4 에 나타내는 예에서는, 3 개의 지지부 (52a)) 를, 소정의 연직 위치에 배치한다. 소정의 연직 위치는, 연직 방향에 있어서의 소정의 위치이다. 그 후, 제어부 (70) 는, 개폐부 (10P) 를 연다. 개방된 개폐부 (10P) 를 통해, 도시 생략된 반송 장치가 기판 (9) 을 수용 공간 (10S) 에 반입한다. 그리고, 도시 생략된 반송 장치가, 기판 (9) 을 당해 복수의 지지부 (52) 의 각 핀 (522) 상에 재치한다. 이로써, 기판 (9) 이 상위치 (L1) (제 1 기판 위치) 에서 유지된 상태가 된다.
반송 장치는, 예를 들어, 기판 (9) 의 하면을 지지하는 Y 축 방향으로 연장되는 복수의 핑거부 (80) 를 구비하면 된다. 복수의 핑거부 (80) 는, -X 측 근처의 위치에 배치된 지지부 (52b) 및 중앙의 위치에 배치된 지지부 (52a) 사이에 진입하는 1 개 이상의 핑거부 (80) 와, 중앙의 위치에 배치된 지지부 (52b) 와 +X 측의 위치에 배치된 지지부 (52a) 사이의 위치에 진입 가능한 1 개 이상의 핑거부 (80) 를 포함하면 된다 (도 4 참조). 기판 (9) 을 지지하는 각 핑거부 (80) 를, 개폐부 (10P) 를 통해 수용 공간 (10S) 에 진입시키고, 그 후, 각 핑거부 (80) 를 대응하는 각 지지부 (52) 사이에서 하방으로 이동시킨다. 이로써, 각 핑거부 (80) 와 각 지지부 (52) 가 간섭하지 않고서, 기판 (9) 이 각 지지부 (52) 에 주고 받아진다.
도 5 는, 배기를 개시하였을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다. 반입 공정 S1 이 완료되면, 배기 공정 S2 가 실시된다. 배기 공정 S2 에서는, 제어부 (70) 가 흡인 기구 (20) 를 작동시키는 것에 의해, 수용 공간 (10S) 의 분위기를 복수의 배기구 (14) 로부터 배출한다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 수용 공간 (10S) 의 분위기는, 배기구 (14) 를 향해 이동한다. 여기서, 수용 공간 (10S) 의 분위기의 배기구 (14) 를 향하는 이동의 방향은, 제 2 정류판 (40a - 40d) 에 의해 변경된다. 상세하게는, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 상의 분위기의 진행 방향은, 수평면인 이것들의 상면에 의해, 그것들의 단부를 향하는 수평 방향으로 변경된다. 그리고, 분위기는, 제 2 정류판 (40a) 과 제 2 정류판 (40b) 의 간극, 제 2 정류판 (40b) 과 제 2 정류판 (40c) 의 간극, 제 2 정류판 (40c) 과 제 2 정류판 (40d) 의 간극, 및, 수용 공간 (10S) 의 사방을 둘러싸는 벽면 (104) 과 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 각각의 단부의 간극을 하향으로 통과하여, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 의 하방으로 이동한다.
또, 분위기의 배기구 (14) 를 향하는 이동의 방향은, 복수의 제 1 정류판 (30) 에 의해 변경된다. 상세하게는, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 의 하방으로 이동한 분위기의 진행 방향은, 수평면인 복수의 제 1 정류판 (30) (-X 측 제 1 정류판 (30a) 및 +X 측 제 1 정류판 (30b)) 의 상면에 의해, 그것들의 복수의 제 1 정류판 (30) 의 단부 (-X 측 단부 (32a) 및 +X 측 단부 (32b) 를 포함한다) 를 향하는 수평 방향으로 변경된다. 또, 제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d) 의 하방으로 이동한 분위기의 진행 방향은, 수평면인 바닥면 (100) (외면 (102)) 에 의해, 그 바닥면 (100) (외면 (102)) 의 단부인 오목부 (12) 의 내측 가장자리부를 향하는 수평 방향으로 변경된다. 그 후, 분위기는, 오목부 (12) 의 내측 가장자리부 (-X 측 가장자리부 (124a) 및 +X 측 가장자리부 (124b) 를 포함한다) 와 제 1 정류판 (30) 의 둘레 단부의 간극 (-X 측 간극 (34a) 및 +X 측 간극 (34b) 을 포함한다) 을 하향으로 이동하는 것에 의해, 각 오목부 (12) 내에 진입한다. 그리고, 각 오목부 (12) 내의 배기구 (14) 를 통해 외부로 배출된다.
배기 공정 S2 의 개시 직후에는, 수용 공간 (10S) 에 많은 분위기가 존재하기 때문에, 배기구 (14) 부근에서 분위기의 유속이 커진다. 본 실시형태에서는, 이 배기 공정 S2 의 개시 직후에는, 이와 같은 유속이 빨라지는 배기구 (14) 부근으로부터 떨어진 제 1 기판 위치 (L1) 에 기판 (9) 을 배치하는 것에 의해, 상면 (90) 에 도포된 처리액의 표면이 흐트러지거나, 돌비하거나 하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 처리액에 있어서의 건조 불균일의 발생을 경감시킬 수 있다.
도 6 은, 배기를 개시하고 나서 소정 시간 경과하였을 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다. 배기 공정 S2 동안, 하강 공정 S3 이 실시된다. 하강 공정 S3 에서는, 제어부 (70) 가, 배기를 개시하고 나서 소정 시간 (제 1 소정 시간) 이 경과한 후에, 복수의 지지부 (52) 를 하강시킨다. 이로써, 기판 (9) 이 상위치 (L1) 로부터 하위치 (L2) (제 2 기판 위치) 까지 이동한다. 하위치 (L2) 는, 상위치 (L1) 보다 연직 방향의 하측으로서, 배기구 (14) 에 가까운 위치이다.
하위치 (L2) 는, 상위치 (L1) 보다 배기구 (14) 에 가깝기 때문에, 분위기가 상대적으로 옅고, 기압이 낮다. 이 때문에, 기판 (9) 을 하위치 (L2) 에 배치하는 것에 의해, 기판 (9) 의 처리액을 효율적으로 건조시킬 수 있다. 여기서는, 기판 (9) 을 하위치 (L2) 에 배치하였다고 해도, 기판 (9) 주위의 분위기의 유속은 비교적 작기 때문에, 처리액의 표면의 흐트러짐이나 처리액의 돌비가 일어날 가능성은 낮다. 이것은, 배기를 개시하고 나서 제 1 소정 시간이 경과하고 있기 때문이다.
도 7 은, 처리 후의 기판 (9) 을 외부로 반출시킬 때의 감압 건조 장치 (1) 를 나타내는 개략 측면도이다. 배기 공정 S3 이 완료되면, 반출 공정 S4 가 실시된다. 반출 공정 S4 에서는, 제어부 (70) 가, 배기를 개시하고 나서 소정 시간 (제 2 소정 시간) 이 경과한 후, 배기를 정지시킨다. 이로써, 수용 공간 (10S) 에 잔존하는 분위기의 흐름은 정지된다. 그리고, 수용 공간 (10S) 의 대기 개방이 실시되는 것에 의해, 수용 공간 (10S) 내의 기압이 되돌려진다. 수용 공간 (10S) 의 대기 개방은, 배기구 (14) 를 통해 실시되어도 되고, 혹은, 도시 생략된 흡기구를 통해 실시되어도 된다.
반출 공정 S4 에서는, 제어부 (70) 가, 기판 (9) 을 지지하고 있는 복수의 지지부 (52) 를 상승시키는 것에 의해, 기판 (9) 을 하위치 (L2) 로부터 상위치 (L1) 로 이동시킨다. 또한, 수용 공간 (10S) 의 대기 개방은, 기판 (9) 을 하위치 (L2) 로부터 상위치 (L1) 로 이동시킨 후, 혹은, 기판 (9) 을 하위치 (L2) 로부터 상위치 (L1) 를 향하여 이동시키고 있는 한중간에 실시되어도 된다.
또, 제어부 (70) 가 개폐부 (10P) 를 열면, 도시 생략된 반송 장치가 개방된 개폐부 (10P) 를 통해 상위치 (L1) 에 지지되어 있는 기판 (9) 을 수취하고, 수용 공간 (10S) 으로부터 당해 기판 (9) 을 반출한다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 장치 (1) 에서는, 챔버 (10) 의 바닥면 (100) 에 형성된 패임인 오목부 (12) 에 배기구 (14) 가 형성되어 있다. 이 때문에, 오목부 (12) 의 개구는 배기구 (14) 보다 크기 때문에, 배기구 (14) 의 외관상의 개구 면적을 크게 할 수 있다. 이로써, 배기 공정 S2 에서, 배기구 (14) 를 향하는 분위기의 유속을 저하시킬 수 있다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 장치 (1) 에서는, 배기구 (14) 의 상방을 제 1 정류판 (30) 으로 덮고 있다. 이 제 1 정류판 (30) 에 의해, 수용 공간 (10S) 의 제 1 정류판 (30) 보다 상방의 분위기가 배기구 (14) 에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 제 1 정류판 (30) 주위로부터 제 1 정류판 (30) 의 하방으로 분위기가 흡입되기 때문에, 기판 (9) 으로부터 본 외관상의 분위기의 흡입구를 확대할 수 있음과 함께, 분산시킬 수 있다. 이로써, 기판 (9) 주위의 분위기의 유속을 저하시킬 수 있다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 감압 건조 장치 (1) 에서는, 오목부 (12) 의 내측 가장자리부와 제 1 정류판 (30) 의 단부의 간극 (-X 측 간극 (34a) 및 +X 측 간극 (34b)) 의 상방을, 제 2 정류판 (40) (제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d)) 으로 덮고 있다. 이로써, 제 2 정류판 (40) 바로 위의 분위기가, 오목부 (12) 와 제 1 정류판 (30) 의 간극에 직접 흡입되는 것을 저해할 수 있다. 제 2 정류판 (40) 주위로부터 제 2 정류판 (40) 의 하방으로 분위기가 흡입되기 때문에, 기판 (9) 으로부터 본 외관상의 분위기의 흡입구를 확대할 수 있음과 함께, 분산시킬 수 있다. 이로써, 기판 (9) 주위의 분위기의 유속을 저하시킬 수 있다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 정류판 (40) 과 제 1 정류판 (30) 의 간극, 제 2 정류판 (40) 과 바닥면 (100) (외면 (102)) 의 간극, 및 제 1 정류판 (30) 과 바닥면 (120) 의 간극은, 각각 수평 방향으로 넓어져 있다. 이 때문에, 수용 공간 (10S) 의 분위기가, 연직 방향의 하측에 형성된 배기구 (14) 에 도달할 때까지 이들 간극을 통과함으로써, 기류의 방향이 연직 방향과 수평 방향으로 지그재그상으로 변경된다. 이 경우, 제 1 정류판 (30) 및 제 2 정류판 (40) 을 형성하지 않을 때와 비교하여, 분위기가 흐르는 통로의 총 거리를 길게 할 수 있다. 이로써, 분위기의 유속의 저하를 도모할 수 있다.
제 1 정류판 (30), 제 2 정류판 (40) 을 평탄한 판상으로 하는 것에 의해, 이것들의 표면에서 기류가 흐트러지는 것을 억제할 수 있다. 또, 챔버 (10) 의 바닥면 (100) (외면 (102)) 및 오목부 (12) 의 바닥면 (120) 도 평면으로 하는 것에 의해, 이것들의 면에서 기류가 흐트러지는 것을 억제할 수 있다.
<2. 변형예>
이상, 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기와 같은 것에 한정되는 것은 아니고, 다양한 변형이 가능하다.
상기 실시형태에서는, 배기구 (14) 는, 오목부 (12) 의 깊이 방향의 바닥면 (120) 에 형성되어 있지만, 오목부 (12) 의 내벽면 (122) 에 형성되어 있어도 된다.
상기 실시형태에서는, 배기구 (14) 는, 연직 방향의 하측의 바닥면 (100) 에 형성된 오목부 (12) 내에 형성되어 있다. 배기구 (14) 는, 수용 공간 (10S) 에 면하고 있고, 바닥면 (100) 의 외주 단부로부터 연직 방향의 상향으로 기립하는 벽면 (104) 에 형성되어 있어도 된다.
도 8 은, 변형예에 관련된 감압 건조 장치 (1A) 를 나타내는 도면이다. 상기 실시형태에서는, 오목부 (12) 의 내부에 제 1 정류판 (30) 이 배치되어 있다. 도 8 에 나타내는 감압 건조 장치 (1A) 와 같이, 오목부 (12) 의 상방 (오목부 (12) 의 외부) 에 제 1 정류판 (30) 을 형성해도 된다. 또, 감압 건조 장치 (1A) 와 같이, 제 2 정류판 (40) (제 2 정류판 (40a, 40b, 40c, 40d)) 을 제 1 정류판 (30) 보다 하측 (배기구 (14) 에 가까운 쪽) 에 배치해도 된다. 제 2 정류판 (40) 은, 제 1 정류판 (30) 의 단부 (-X 측 단부 (32a) 또는 +X 측 단부 (32b)) 및 오목부 (12) 의 내측 가장자리부 (-X 측 가장자리부 (124a) 또는 +X 측 가장자리부 (124b)) 와 Z 축 방향으로 겹치는 위치에 배치되어 있다. 요컨대, 제 1 정류판 (30), 제 2 정류판 (40) 및 오목부 (12) 를 연직 방향의 상측으로부터 연직 방향의 하향 (-Z 방향) 으로 평면 투시한 경우에, 제 2 정류판 (40) 은, 수용 공간 (10S) 중 제 1 정류판 (30) 의 외주 단부 및 오목부 (12) 의 내측 가장자리부의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되어 있다. 제 2 정류판 (40) 을 이와 같이 형성하는 것에 의해서도, 제 1 정류판 (30) 과 오목부 (12) 의 간극에 분위기가 흡입되는 것을 저해할 수 있다.
본 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은 모든 국면에 있어서 예시로서, 본 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나 생략하거나 할 수 있다.
1, 1A : 감압 건조 장치
10 : 챔버 (케이싱)
100 : 바닥면 (제 1 면)
10S : 수용 공간
12 : 오목부
12a : -X 측 오목부
12b : +X 측 오목부
120 : 바닥면
122 : 내벽면
124a : -X 측 가장자리부 (내측 가장자리부)
124b : +X 측 가장자리부 (내측 가장자리부)
14 : 배기구
20 : 흡인 기구
30 : 제 1 정류판 (제 1 부재)
30a : -X 측 제 1 정류판
30b : +X 측 제 1 정류판
32a : -X 측 단부
32b : +X 측 단부
34a : -X 측 간극
34b : +X 측 간극
40, 40a, 40b, 40c, 40d : 제 2 정류판 (제 2 부재)
50 : 승강 기구
52, 52a, 52b : 지지부 (기판 유지부)
520 : 리프트 플레이트
522 : 핀
54 : 승강 구동부 (이동 구동부)
70 : 제어부
9 : 기판
90 : 상면
L1 : 상위치 (제 1 기판 위치)
L2 : 하위치 (제 2 기판 위치)

Claims (11)

  1. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판의 상기 제 1 주면 상에 존재하는 처리액을, 감압에 의해 건조시키는 감압 건조 장치로서,
    상기 기판을 수용 가능한 수용 공간을 가짐과 함께 상기 수용 공간에 면하는 제 1 면을 갖는 케이싱과,
    상기 제 1 면에 형성되어 있는 오목부와,
    상기 오목부의 깊이 방향의 바닥면에 형성되어 있는 배기구와,
    상기 배기구를 통해 상기 수용 공간의 분위기를 흡인하는 흡인 기구와,
    상기 수용 공간에 있어서의, 상기 깊이 방향에 있어서 상기 배기구와 겹치는 위치에 배치되는 제 1 부재와,
    상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재의 단부 및 상기 오목부의 내측 가장자리부와 상기 깊이 방향으로 간격을 둔 위치로서 상기 깊이 방향에 있어서 상기 단부 및 상기 내측 가장자리부와 겹치는 위치에 배치되는 제 2 부재와,
    상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재 및 상기 제 2 부재에 대해 상기 배기구와는 반대측의 위치에 상기 기판을 유지하는 기판 유지부를 구비하는, 감압 건조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 유지부는, 상기 기판의 상기 제 2 주면을 지지하는 복수의 핀을 포함하는, 감압 건조 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 핀은,
    제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 1 핀과,
    상기 복수의 제 1 핀으로부터 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로 간격을 두고 상기 제 1 방향으로 배열되는 복수의 제 2 핀을 포함하고,
    상기 제 2 부재는, 상기 복수의 제 1 핀과 상기 복수의 제 2 핀 사이에 배치되어 있는, 감압 건조 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 핀을 상기 깊이 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 1 기판 위치와, 상기 제 1 기판 위치보다 상기 배기구에 가까운 제 2 기판 위치 사이에서, 상기 기판을 이동시키는 이동 구동부를 추가로 구비하는, 감압 건조 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 이동 구동부는, 상기 흡인 기구가 상기 배기구를 통해 상기 수용 공간의 분위기의 흡인을 개시한 후에, 상기 기판을 상기 제 1 기판 위치로부터 상기 제 2 기판 위치로 이동시키는, 감압 건조 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 부재가 상기 제 2 부재와 상기 배기구 사이에 형성되어 있는, 감압 건조 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 적어도 일부가, 상기 오목부 내에 있는, 감압 건조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 부재의 전부가, 상기 오목부 내에 있는, 감압 건조 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 단부와 상기 내측 가장자리부가 동일 평면 상에 위치하고 있는, 감압 건조 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지부는, 상기 기판을 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향이 되는 수평 자세로 유지하고,
    상기 제 1 부재, 상기 제 2 부재 및 상기 배기구는, 상기 기판 유지부에 유지되는 상기 기판의 상기 제 2 주면측에 위치하고 있는, 감압 건조 장치.
  11. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판의 상기 제 1 주면 상에 존재하는 처리액을, 감압에 의해 건조시키는 감압 건조 방법으로서,
    수용 공간 및 그 수용 공간에 면하는 제 1 면을 갖는 케이싱의 상기 수용 공간에, 상기 기판을 반입하는 제 1 공정과,
    상기 제 1 공정 후에, 상기 제 1 면에 형성되어 있는 오목부의 깊이 방향의 바닥면에 형성되어 있는 배기구를 통해, 상기 수용 공간의 분위기를 흡인하는 제 2 공정을 갖고,
    상기 제 2 공정은,
    상기 수용 공간에 있어서의, 상기 깊이 방향에 있어서 상기 배기구와 겹치는 위치에 배치되는 제 1 부재에 의해, 상기 배기구를 향하는 기류의 방향을 변경하는 공정과,
    상기 수용 공간에 있어서의, 상기 제 1 부재의 단부 및 상기 오목부의 내측 가장자리부의 쌍방과 상기 깊이 방향으로 간격을 둔 위치로서 상기 깊이 방향에 있어서 상기 단부 및 상기 내측 가장자리부의 쌍방과 겹치는 위치에 배치되는 제 2 부재에 의해, 상기 배기구를 향하는 기류의 방향을 변경하는 공정을 포함하는, 감압 건조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7511181B2 (ja) 2020-08-26 2024-07-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP7309294B2 (ja) * 2020-11-30 2023-07-18 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置
JP7381526B2 (ja) * 2021-08-20 2023-11-15 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法およびプログラム
CN115468389B (zh) * 2022-09-16 2023-08-01 江苏美客鼎嵘智能装备制造有限公司 显示器玻璃基板烘烤设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320949A (ja) 1996-05-28 1997-12-12 Dainippon Printing Co Ltd 真空乾燥装置
JP2004047582A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Hirata Corp 基板処理装置
JP2011119534A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Renesas Electronics Corp 熱処理装置及び熱処理方法
KR20160024741A (ko) * 2014-08-25 2016-03-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 감압 건조 장치, 기판 처리 장치 및 감압 건조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4267809B2 (ja) * 1999-11-16 2009-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置及び処理方法
JP2002372368A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Dainippon Printing Co Ltd 減圧乾燥装置
JP3920699B2 (ja) * 2001-09-19 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び塗布膜形成方法
JP3784305B2 (ja) * 2001-11-20 2006-06-07 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP4244176B2 (ja) * 2002-10-25 2009-03-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI231950B (en) * 2002-11-28 2005-05-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and cleaning method
KR20050050818A (ko) * 2003-11-26 2005-06-01 삼성에스디아이 주식회사 스핀 코팅 방법 및 그에 적합한 장치
JP4312787B2 (ja) * 2006-11-15 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
KR101558596B1 (ko) * 2008-09-25 2015-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법
CN201815456U (zh) * 2010-10-09 2011-05-04 京东方科技集团股份有限公司 减压干燥室结构
JP5951444B2 (ja) * 2012-10-25 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6093172B2 (ja) * 2012-12-26 2017-03-08 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP6328434B2 (ja) * 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP6740028B2 (ja) * 2015-07-29 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6872328B2 (ja) * 2016-09-06 2021-05-19 株式会社Screenホールディングス 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法
CN107042244A (zh) * 2017-05-27 2017-08-15 宁波奇尘电子科技有限公司 一种反向多角度吹扫干燥装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320949A (ja) 1996-05-28 1997-12-12 Dainippon Printing Co Ltd 真空乾燥装置
JP2004047582A (ja) 2002-07-09 2004-02-12 Hirata Corp 基板処理装置
JP2011119534A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Renesas Electronics Corp 熱処理装置及び熱処理方法
KR20160024741A (ko) * 2014-08-25 2016-03-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 감압 건조 장치, 기판 처리 장치 및 감압 건조 방법

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