KR20180125144A - 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법 - Google Patents

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도루 쓰루타
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디아이씨 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 에스테르기를 가지는 화합물의 신규 제조 방법, 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 유도체를 제공한다. 또, 당해 제조 방법에 의해서 얻어진 화합물을 함유하는 중합성 조성물, 및, 이것을 중합하여 얻어지는 필름 형상의 중합체를 제공한다. 본원 발명은, 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는 혼합 공정을 포함하고, 브뢴스테드산은, 축합제, 카르본산 및 페놀 이외로부터 선택되는 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법이다.

Description

에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법
본 발명은 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법, 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 유도체, 당해 화합물을 함유하는 중합성 조성물, 중합성 액정 조성물 및 당해 중합성 액정 조성물을 이용한 광학 이방체에 관한 것이다.
에스테르기의 구축 방법으로서 여러 가지의 방법이 알려져 있지만, 축합제를 사용하는 반응은 온화하게 진행되고, 조작도 간편하기 때문에 널리 이용되고 있다. 그러나, 사용하는 기질의 종류에 따라서는 목적으로 하는 에스테르 화합물을 수율 좋게 얻지 못하여, 예를 들면, 축합제로서 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물을 사용했을 경우에, N-아실 요소가 많이 부생성되어 버리는 일이 있다. 그러한 경우, 당해 부생성물을 제거하기 위한 공정이 필요하거나, 수율이 저하되어 버리거나 하는 문제가 있었다(특허문헌 1, 비특허문헌 1 및 비특허문헌 2). 또, 당해 부생성물이 미량 잔류한 에스테르 화합물을 액정 재료나 광학 필름에 사용했을 경우, 액정 디스플레이에 소부(燒付)가 생기거나, 필름의 내열·내광성이 저하되거나 하는 염려가 있다. 그 때문에, N-아실 요소가 부생성되기 어려운 에스테르기의 구축 방법의 개발이 요구되고 있었다.
DE10146970A1호 공보
Tetrahedron지, 2007년, 63권, 41호, 10140-10148페이지 Indian Journal of Chemistry지, Section B：Organic Chemistry Including Medicinal Chemistry, 2007년, 46B권, 1호, 170-172페이지
본 발명은 에스테르기를 가지는 화합물의 신규 제조 방법, 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 화합물을 제공한다. 또, 내열성·내광성이 우수한 중합체의 제조에 유용하다. 당해 제조 방법에 의해서 얻어진 화합물 또는 그 유도체를 함유하는 중합성 조성물을 제공한다. 또한, 당해 제조 방법에 의해서 얻어진 화합물 또는 그 유도체를 함유하는 중합성 조성물을 중합시킴으로써 얻어지는 중합체 및 당해 중합체를 이용한 광학 이방체를 제공한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결할 수 있도록, 예의 연구를 행한 결과, 에스테르기를 가지는 화합물의 신규 제조 방법의 개발에 이르렀다. 즉, 본원 발명은, 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는 혼합 공정을 포함하고, 브뢴스테드산은 축합제, 카르본산 및 페놀 이외로부터 선택되는, 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법을 제공하고, 더불어 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 유도체, 당해 화합물을 함유하는 조성물, 당해 화합물을 이용한 수지, 수지 첨가제, 오일, 필터, 접착제, 점착제, 유지, 잉크, 의약품, 화장품, 세제, 건축 재료, 포장재, 액정 재료, 유기 EL 재료, 유기 반도체 재료, 전자 재료, 표시 소자, 전자 디바이스, 통신 기기, 자동차 부품, 항공기 부품, 기계 부품, 농약과 식품 및 그들을 사용한 제품, 중합성 액정 조성물, 당해 중합성 액정 조성물을 중합시킴으로써 얻어지는 중합체 및 당해 중합체를 이용한 광학 이방체를 제공한다.
본원 발명의 제조 방법에 의해서, 에스테르기를 가지는 화합물을 고수율로 얻는 것이 가능하다. 또, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 화합물을 함유하는 중합성 액정 조성물을 이용한 광학 이방체는, 장기간 자외광을 조사했을 경우에 내열·내광성의 저하가 생기기 어렵기 때문에, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 화합물은 광학 보상 필름 등의 광학재료의 용도에 유용하다.
본원 발명은, 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법, 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 유도체, 당해 화합물 또는 그 유도체를 함유하는 조성물, 당해 화합물을 이용한 수지, 수지 첨가제, 오일, 필터, 접착제, 점착제, 유지, 잉크, 의약품, 화장품, 세제, 건축 재료, 포장재, 액정 재료, 유기 EL 재료, 유기 반도체 재료, 전자 재료, 표시 소자, 전자 디바이스, 통신 기기, 자동차 부품, 항공기 부품, 기계 부품, 농약과 식품 및 그들을 사용한 제품, 중합성 액정 조성물, 당해 중합성 액정 조성물을 중합시킴으로써 얻어지는 중합체 및 당해 중합체를 이용한 광학 이방체를 제공한다.
본원 발명의 제조 방법은, 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는 혼합 공정을 포함한다. 상기 혼합 공정에 있어서, 브뢴스테드산은 축합제, 카르본산 및 페놀 이외로부터 선택된다.
상기 혼합 공정에 의해서 얻어지는 반응 혼합물 중에 있어서, 카르본산과 페놀 혹은 알코올과의 축합 반응을 진행시킴으로써, 부생성물의 생성이 억제되면서 에스테르기를 가지는 화합물을 고수율로 얻을 수 있다. 본원 발명의 제조 방법은, 반응 혼합물 중에 있어서, 카르본산과 페놀 혹은 알코올과의 축합 반응에 의해서 에스테르기를 가지는 화합물을 생성하는 에스테르화 공정을 포함한다. 에스테르화 공정은, 반드시 혼합 공정과는 별도로 설치할 필요는 없고, 혼합 공정의 완료에 수반하여 달성되는 것이어도 된다.
상기 혼합 공정에 있어서, 또한 염기를 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는 것이 바람직하다. 염기의 존재 하에 축합 반응을 진행시킴으로써, 에스테르기를 가지는 화합물의 수율 및 반응속도를 향상시킬 수 있다.
상기 혼합 공정에 있어서, 입수 용이함, 수율 및 반응속도의 관점에서, 축합제가 카르보디이미드, 이미다졸, 트리아진, 포스포늄, 우로늄 또는 아조디카르본산으로부터 선택되는 구조를 가지는 화합물인 것이 바람직하고, 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 1-시클로헥실-3-(2-모르폴리노에틸)카르보디이미드메토-p-톨루엔설포나이트, N-시클로헥실카르보디이미드메틸폴리스티렌 수지, N,N'-디이소프로필카르보디이미드, N,N'-디시클로헥실카르보디이미드, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드염산염, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 수지, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 등을 들 수 있다. 입수 용이함, 비용 및 에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체를 원료로 하는 필름의 변질이 일어나기 어렵다는 관점에서, 축합제가 N-시클로헥실카르보디이미드메틸폴리스티렌 수지, N,N'-디이소프로필카르보디이미드, N,N'-디시클로헥실카르보디이미드, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드 수지, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드로부터 선택되는 화합물인 것이 바람직하고, N,N'-디이소프로필카르보디이미드, N,N'-디시클로헥실카르보디이미드, 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드로부터 선택되는 화합물인 것이 보다 바람직하고, N,N'-디이소프로필카르보디이미드, N,N'-디시클로헥실카르보디이미드로부터 선택되는 화합물인 것이 더 바람직하고, 취급의 용이함의 관점에서 N,N'-디이소프로필카르보디이미드인 것이 특히 바람직하다.
상기 혼합 공정에 있어서, 수율 및 반응속도의 관점에서, 염기가 방향족 아민인 것이 바람직하고, 6원환 및/또는 5원환을 가지는 방향족 아민인 것이 보다 바람직하고, 이소옥사졸, 이소티아졸, 이미다졸, 옥사디아졸, 옥사졸, 티아디아졸, 티아졸, 테트라졸, 트리아졸, 피라졸, 인다졸, 피롤, 인돌, 카르바졸, 카르볼린, 테트라진, 트리아진, 피라진, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 피리다진, 프탈라진, 피리미딘, 퀴나졸린, 퓨린 및/또는 프테리딘으로부터 선택되는 구조를 가지는 방향족 아민인 것이 더 바람직하고, 입수의 용이함 및 비용의 관점에서, 피리딘 구조를 가지는 방향족 아민인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 2,4,6-트리메틸피리딘, 4-피롤리디노피리딘 등을 들 수 있다.
상기 에스테르화 공정에 있어서, 브뢴스테드산은 반응 혼합물 내에서 유리되어 있어도 되고, 염 또는 착체여도 되는데, 수율 및 반응속도의 관점에서, 브뢴스테드산은 유리되어 있는 것이 바람직하다. 또, 브뢴스테드산 중 적어도 일부는, 반응 혼합물 내에서 프로톤이 해리된 상태인 것이 바람직하다. 또, 상기 에스테르화 공정에 있어서, 반응 혼합물 내의 물의 함유량이 적은 것이 바람직하고, 예를 들면 반응계 내의 물의 함유량은 축합제에 대해 10몰당량 이하인 것이 바람직하고, 축합제에 대해 1몰당량 이하인 것이 보다 바람직하고, 축합제에 대해 0.5몰당량 이하인 것이 더 바람직하고, 축합제에 대해 0.1몰당량 이하인 것이 보다 더 바람직하고, 축합제에 대해 0.01몰당량 이하인 것이 특히 바람직하다. 반응계 내의 물의 함유량을 줄이기 위해서, 건조제, 탈수제 및/또는 흡수제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 실리카겔, 알루미나, 활성탄, 황산나트륨, 황산마그네슘, 몰레큘러 시브, 흡수성 폴리머 등을 사용해도 된다.
브뢴스테드산이 무기산인 경우, 브뢴스테드산으로서는 구체적으로는 불화수소산, 염산, 브롬화수소산, 질산, 인산, 황산 및 붕산 등을 들 수 있다. 브뢴스테드산이 유기산인 경우, 브뢴스테드산으로서는 카르본산, 설폰산, 설핀산, 인산, 폴리인산 및 붕산 등을 들 수 있다. 취급의 용이함 및 수율의 관점에서, 브뢴스테드산이 무기산, 설폰산 또는 설핀산인 것이 보다 바람직하고, 염산, 황산, 설폰산 또는 설핀산인 것이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 염산, 황산, 플루오로설폰산, 클로로설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 2-아미노에탄설폰산, 2-[4-(2-히드록시에틸)-1-피페라지닐]에탄설폰산, 3-모르폴리노프로판설폰산, 피페라진-1,4-비스(2-에탄설폰산), 10-캄퍼설폰산, 벤젠설폰산, p-톨루엔설폰산, 4-클로로벤젠설폰산, 설파닐산, 3-피리딘설폰산, 2-아미노에탄설핀산, 벤젠설핀산, 4-메틸벤젠설핀산 등을 들 수 있다. 단, 브뢴스테드산은, 혼합 공정에 있어서 이용하는 축합제가 브뢴스테드산이거나, 또는 브뢴스테드산을 포함하는 경우, 당해 축합제와는 상이한 것이 선택된다.
상기 혼합 공정에 있어서, 첨가하는 브뢴스테드산의 양은, 에스테르기를 가지는 화합물의 수율을 향상시키는 관점에서, 축합제에 대해 0.0001몰당량에서 100몰당량인 것이 바람직하고, 축합제에 대해 0.001몰당량에서 10몰당량인 것이 보다 바람직하고, 축합제에 대해 0.01몰당량에서 1몰당량인 것이 더 바람직하고, 축합제에 대해 0.05몰당량에서 0.5몰당량인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 혼합 공정에 있어서, 반응 혼합물인 용액 중에 브뢴스테드산과 또한 염기를 공존시키는 경우, 브뢴스테드산의 첨가량은, 브뢴스테드산이 해리된 상태로 존재하는 한, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 첨가하는 브뢴스테드산의 물질량이 염기의 물질량과 비교해 너무 적은 경우, 혼합액 중에 있어서 해리되어 있는 브뢴스테드산이 적어지기 때문에, N-아실 요소의 생성량이 많아지고, 첨가하는 브뢴스테드산의 물질량이 염기의 물질량과 비교해 너무 많은 경우, 용액 중에 있어서 해리되어 있는 브뢴스테드산이 많아지는데, 반응 후의 후처리가 번잡하게 되거나, 그 외의 부생성물이 생길 가능성이 있기 때문에, 목적으로 하는 에스테르기를 가지는 화합물의 수율이 저하되어 버린다. 이상으로부터, 첨가하는 브뢴스테드산의 물질량은 염기에 대해 0.001몰당량에서 1000몰당량인 것이 바람직하고, 염기에 대해 0.01몰당량에서 100몰당량인 것이 보다 바람직하고, 축합제에 대해 0.1몰당량에서 10몰당량인 것이 더 바람직하고, 0.5몰당량에서 5몰당량인 것이 특히 바람직하다. 브뢴스테드산의 사용량을 저감하는 관점에서는, 염기는 브뢴스테드 염기 이외로부터 선택하는 것이 바람직하다.
상기 혼합 공정에 있어서, 반응 혼합물을 조성할 때의 페놀 혹은 알코올, 카르본산, 염기, 브뢴스테드산 및 축합제의 첨가 순서로서는, 수율 및 조작의 용이함의 관점에서, 브뢴스테드산을 더한 후에 축합제를 더하는 것이 바람직하다. 구체적인 순서로서는, 예를 들면, 브뢴스테드산과 상기 어느 하나의 성분을 함유하는 용액에 축합제를 더하는 것이 바람직하고, 브뢴스테드산과 적어도 페놀 혹은 알코올을 함유하는 용액에 축합제를 더하는 것이 보다 바람직하고, 브뢴스테드산과 적어도 페놀 혹은 알코올 및 염기를 함유하는 용액에 축합제를 더하는 것이 보다 더 바람직하고, 브뢴스테드산과 적어도 페놀 혹은 알코올, 카르본산 및 염기를 함유하는 용액에 대해, 축합제를 더하는 것이 특히 바람직하다.
반응 혼합물은, 그 제작 시에, 페놀 혹은 알코올, 카르본산, 염기, 브뢴스테드산 및 축합제를 혼합하여 조성된 것이면 되고, 반응 혼합물 중의 함유 성분, 각 성분의 함유량 등은 전혀 한정되지 않는다. 반응 혼합물은, 페놀 혹은 알코올, 카르본산, 염기, 브뢴스테드산 및 축합제, 또는 이들에서 유래하는 성분 이외의 임의 성분을 포함해도 된다. 상기 임의 성분으로서는, 반응 용매 등을 들 수 있다. 반응 혼합물의 형태로서는, 취급의 용이함의 관점에서 분산액 또는 용액인 것이 바람직하다.
본원 발명의 제조 방법에 있어서, 사용하는 카르본산, 페놀 혹은 알코올에 특별히 제한은 없지만, 각각 이하의 화합물을 예시할 수 있다.
카르본산은 하기의 일반식 (a-1)
Figure pct00001
(식 중, Ra1은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타내고, ma1은 1에서 20의 정수를 나타내는데, 하기의 일반식 (a-2)에 있어서 ma2가 1 이외의 정수를 나타내는 경우, ma1은 1을 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 후술하는 바람직한 에스테르기를 가지는 화합물을 얻는 관점에서, ma1은 0에서 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 1에서 3의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 1 또는 2를 나타내는 것이 더 바람직하다.
페놀 혹은 알코올은 하기의 일반식 (a-2)
Figure pct00002
(식 중, Ra2는 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타내고, ma2는 1에서 20의 정수를 나타내는데, 상기의 일반식 (a-1)에 있어서 ma1이 1 이외의 정수를 나타내는 경우, ma2는 1을 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 후술하는 바람직한 에스테르기를 가지는 화합물을 얻는 관점에서, ma1은 0에서 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 1에서 3의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 1 또는 2를 나타내는 것이 더 바람직하다.
에스테르기를 가지는 화합물은 하기의 일반식 (a-3-1) 또는 일반식 (a-3-2)
Figure pct00003
(식 중, Ra1 및 Ra2는 상기와 같은 의미를 나타내는데, 상기의 일반식 (a-1)에 있어서 ma1이 1 이외의 정수를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-1)로 표시되는 화합물을 나타내고, 상기의 일반식 (a-2)에 있어서 ma2가 1 이외의 정수를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-2)로 표시되는 화합물을 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 또한, ma1과 ma2가 모두 1의 정수를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물은 일반식 (a-3-1)을 나타내는 것으로 한다.
카르본산과 페놀 혹은 알코올은, 본 발명의 제조 방법에 의해서 하기의 바람직한 에스테르기를 가지는 화합물을 부여하도록 선택하는 것이 바람직하다. 이 때, Ra1과 Ra2는, 목적으로 하는 에스테르기를 가지는 화합물의 구조를 기초로, 식 (a-3-1) 또는 식 (a-3-2)에 따라서 결정하면 된다.
보다 구체적으로는, 카르본산이 하기의 일반식 (a-1-1) 또는 일반식 (a-1-2)
Figure pct00004
(식 중, Ra11은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 100의 1가의 유기기를 나타내고, Ra12는 탄소 원자수 1에서 100의 2가의 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이며, 페놀 혹은 알코올이 하기의 일반식 (a-2-1) 또는 일반식 (a-2-2)
Figure pct00005
(식 중, Ra21은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 100의 1가의 유기기를 나타내고, Ra22는 탄소 원자수 1에서 100의 2가의 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이며, 에스테르기를 가지는 화합물이 하기의 일반식 (a-3-1-1), 식 (a-3-2-1) 또는 일반식 (a-3-1-2)
Figure pct00006
(식 중, Ra11, Ra12, Ra21 및 Ra22는 상기와 같은 의미를 나타내는데, 카르본산이 상기의 일반식 (a-1-1)을 나타내고 페놀 혹은 알코올이 상기의 일반식 (a-2-1)을 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-1-1)로 표시되는 화합물을 나타내고, 카르본산이 상기의 일반식 (a-1-1)을 나타내고 페놀 혹은 알코올이 상기의 일반식 (a-2-2)를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-2-1)로 표시되는 화합물을 나타내고, 카르본산이 상기의 일반식 (a-1-2)을 나타내고 페놀 혹은 알코올이 상기의 일반식 (a-2-1)을 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-1-2)로 표시되는 화합물을 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
에스테르기를 가지는 화합물의 일례로서는, 하기의 일반식 (I)
Figure pct00007
(식 중, R1은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, R1은 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기(식 중, P1은 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, Sp1은 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, Sp1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, X1은 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, X1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, P1-(Sp1-X1)k1-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), k1은 0에서 10의 정수를 나타낸다.)를 나타내고, 혹은, R1은 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기를 나타내고,
R2는 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, R2는 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기(식 중, P2는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, Sp2는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, Sp2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, X2는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, X2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, P2-(Sp2-X2)k2-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), k2는 0에서 10의 정수를 나타낸다.)를 나타내고, 혹은, R2는 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기를 나타내고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 테트라히드로피란-2,5-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 L에 의해서 치환되어도 되고, 화합물 내에 A1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, 화합물 내에 A2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
L은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, L은 PL-(SpL-XL)kL-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PL은 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpL은 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XL은 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PL-(SpL-XL)kL-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kL은 0에서 10의 정수를 나타내고, 화합물 내에 L이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CH2CH2-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -OCO-NH-, -NH-COO-, -NH-CO-NH-, -NH-O-, -O-NH-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, Z1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, Z2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되는데, 존재하는 Z1 및 Z2 중 적어도 1개는 -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타내고,
G1은 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 가지는 2가의 기를 나타내는데, G1로 표시되는 기 중의 방향환에 포함되는 π전자의 수는 12 이상이며, G1로 표시되는 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 혹은 G1은 AG로 표시되는 기 또는 CG로 표시되는 기를 나타내고,
LG1은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LG1은 PLG-(SpLG-XLG)kLG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLG는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLG-(SpLG-XLG)kLG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLG는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LG1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
AG는 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 테트라히드로피란-2,5-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 적어도 1개 이상의 치환기 LAG에 의해서 치환되어 있으며, LAG는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LAG는 PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLAG는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLAG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLAG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLAG는 0에서 10의 정수를 나타내고, 화합물 내에 LAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되는데, 화합물 내에 존재하는 LAG 중 적어도 1개 이상은 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 중, 당해 기 중 적어도 1개 이상의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타내고,
CG는 키랄인 구조를 가지는 기를 나타내는데, CG는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 되고, LCG는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LCG는 PLCG-(SpLCG-XLCG)kLCG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLCG는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLCG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLCG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLCG-(SpLCG-XLCG)kLCG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLCG는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, m1은 0에서 8의 정수를 나타내고,
m2는 0에서 8의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 일반식 (I)에 있어서 R1이 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기를 나타내는 경우 및/또는 R2가 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기를 나타내는 경우, P1 및 P2는 중합성기를 나타내는데, 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 하기의 식 (P-1)에서 식 (P-20)
Figure pct00008
으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 특히 중합 방법으로서 자외선 중합을 행하는 경우에는, 각각 독립적으로 식 (P-1), 식 (P-2), 식 (P-3), 식 (P-4), 식 (P-5), 식 (P-7), 식 (P-11), 식 (P-13), 식 (P-15) 또는 식 (P-18)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 식 (P-1), 식 (P-2), 식 (P-3), 식 (P-7), 식 (P-11) 또는 식 (P-13)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립적으로 식 (P-1), 식 (P-2) 또는 식 (P-3)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립적으로 식 (P-1) 또는 식 (P-2)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
Sp1 및 Sp2는 각각 독립적으로 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, Sp1 및 Sp2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. 스페이서기로서는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하다. Sp1 및 Sp2는, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 각각 독립적으로, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -COO-, -OCO-, -OCO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH- 또는 -C≡C-로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -COO-, -OCO-로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 10의 알킬렌기 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1에서 10의 알킬렌기 또는 단결합을 나타내는 것이 더 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며 각각 독립적으로 탄소 원자수 1에서 8의 알킬렌기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
X1 및 X2는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, X1 및 X2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, X1 및 X2는 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 -O-, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 각각 독립적으로 -O-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
k1 및 k2는, 각각 독립적으로 0에서 10의 정수를 나타내는데, 각각 독립적으로 0에서 5의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 0에서 2의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 1을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
R1 및 R2가 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기를 나타내는 경우, 보호기로서는 예를 들면, GREENE'S PROTECTIVE GROUPS IN ORGANIC SYNTHESIS((Fourth Edition), PETER G. M. WUTS, THEODORA W. GREENE 공저, John Wiley ＆ Sons, Inc., Publication) 등에 예를 들고 있는 보호기가 바람직하고, 보다 구체적으로는 R1 및 R2는 각각 독립적으로 테트라히드로피란일옥시기, tert-부틸옥시기, 메톡시메톡시기, 에톡시메톡시기, 아세틸옥시기, 벤질옥시기, 테트라히드로피란일옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, 메톡시메톡시카르보닐기, 에톡시메톡시카르보닐기, 벤질옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
R1이 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기 및 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기 이외의 기를 나타내는 경우 및 R2가 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기 및 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기 이외의 기를 나타내는 경우, 액정성 및 합성의 용이함의 관점에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는 기 중의 임의의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 혹은, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄 또는 분기 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 혹은, 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄 알킬기 또는 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄 알킬기 또는 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
필름으로 했을 경우의 기계적 강도를 중시하는 경우는, 일반식 (I)로 표시되는 화합물 중에 존재하는 R1 및 R2 중 적어도 한쪽이 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기 또는 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 존재하는 R1 및 R2 중 양쪽이 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기 및 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서, A1 및 A2는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 상술한 치환기 L에 의해서 치환되어도 된다. A1 및 A2는 각각 독립적으로 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 L에 의해서 치환되어도 되는 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 나프탈렌-2,6-디일기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립적으로 하기의 식 (A-1)에서 식 (A-11)
Figure pct00009
로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립적으로 식 (A-1)에서 식 (A-8)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 더 바람직하고, 각각 독립적으로 식 (A-1)에서 식 (A-4)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서, L은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, L은 PL-(SpL-XL)kL-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PL은 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpL은 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -COO-, -OCO-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 10의 직쇄상 알킬렌기 또는 단결합을 나타내는데, SpL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XL은 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PL-(SpL-XL)kL-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kL은 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 L이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. 액정성 및 합성의 용이함의 관점에서, L은 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 불소 원자, 염소 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-로부터 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 불소 원자, 염소 원자, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -CO-, -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 불소 원자, 염소 원자, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 불소 원자, 염소 원자, 또는 탄소 원자수 1에서 8의 직쇄 알킬기 혹은 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CH2CH2-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -OCO-NH-, -NH-COO-, -NH-CO-NH-, -NH-O-, -O-NH-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, Z1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, Z2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되는데, 존재하는 Z1 및 Z2 중 적어도 1개는 -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타낸다. 일반식 (I)에 있어서, m1과 m2의 합계값이 3 이상인 경우, 존재하는 Z1 및 Z2 중, G1에 인접하는 Z1 혹은 Z2 중 적어도 어느 하나, 또는 G1에 인접하는 (A1-Z1)단위 혹은 (Z2-A2)단위에 인접하는 Z1 혹은 Z2 중 적어도 어느 하나가, -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다. 액정성, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO-, -CF2O-, -OCF2-, -CH2CH2-, -CF2CF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -CH=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는 것이 바람직하고, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO-, -CF2O-, -OCF2-, -CH2CH2-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO-, -CF2O-, -OCF2- 또는 단결합을 나타내는 것이 더 바람직하고, -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 더 바람직하고, -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서, G1은 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 가지는 2가의 기를 나타내는데, G1로 표시되는 기 중의 방향환에 포함되는 π전자의 수는 12 이상이며, G1로 표시되는 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다. 역파장 분산성을 중시하는 경우에는, G1은 300nm에서 900nm에 흡수 극대를 가지는 기인 것이 바람직하고, 310nm에서 500nm에 흡수 극대를 가지는 기인 것이 보다 바람직하다. 화합물의 액정성, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 G1은 하기의 식 (M-1)에서 식 (M-6)
Figure pct00010
(식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T1은 하기의 식 (T1-1)에서 식 (T1-6)
Figure pct00011
(식 중, 임의의 위치에 결합수(結合手)를 가져도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 된다. 여기서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은, 예를 들면, 식 (M-1)에서 식 (M-6)의 T1에 식 (T1-1)이 결합하는 경우, 식 (T1-1)의 임의의 위치에 결합수를 1개 가지는 것을 의도한다(이하, 본 발명에 있어서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은 동일한 의미를 나타낸다.). 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)으로부터 선택되는 기를 나타낸다.)으로부터 선택되는 기, 또는 하기의 식 (M-7)에서 식 (M-14)
Figure pct00012
(식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T2는 하기의 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)
Figure pct00013
(식 중, W1은 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1에서 40의 방향족기 및/또는 비방향족기를 포함하는 기를 나타내는데, 당해 방향족기는 탄화수소환 또는 복소환이어도 되고, 당해 비방향족기는 탄화수소기 또는 탄화수소기의 임의의 탄소 원자가 헤테로 원자로 치환된 기여도 되고(단, 산소 원자끼리가 직접 결합하는 일은 없다.),
W2는 수소 원자, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, W2는 적어도 1개의 방향족기를 가지는, 탄소 원자수 2에서 30의 기를 나타내도 되는데(단, 탄소 원자수에 방향족기의 탄소 원자수는 포함하지 않는다), 당해 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LW에 의해서 치환되어도 되고, 혹은, W2는 PW-(SpW-XW)kW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PW는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PW-(SpW-XW)kW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kW는 0에서 10의 정수를 나타내고,
LW는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LW는 PLW-(SpLW-XLW)kLW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLW는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLW-(SpLW-XLW)kLW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLW는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
Y는 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은 Y는 PY-(SpY-XY)kY-로 표시되는 기를 나타내도 되고, PY는 중합성기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XY는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PY-(SpY-XY)kY-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kY는 0에서 10의 정수를 나타내는데, W1 및 W2는 일체가 되어 환구조를 형성해도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 용매에 대한 용해성, 합성의 용이함의 관점에서, G1은 상기의 식 (M-1), 식 (M-3), 식 (M-4), 식 (M-7), 식 (M-8)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 식 (M-1), 식 (M-7), 식 (M-8)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 더 바람직하고, 식 (M-7), 식 (M-8)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 보다 구체적으로는, 식 (M-1)로 표시되는 기로서는 하기의 식 (M-1-1)에서 식 (M-1-6)
Figure pct00014
(식 중, T1은 상기와 동일한 의미를 나타내고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (M-1-4) 또는 식 (M-1-5)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (M-1-5)로 표시되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 식 (M-3)으로 표시되는 기로서는 하기의 식 (M-3-1)에서 식 (M-3-6)
Figure pct00015
(식 중, T1은 상기와 동일한 의미를 나타내고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (M-3-4) 또는 식 (M-3-5)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (M-3-5)로 표시되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 식 (M-4)로 표시되는 기로서는 하기의 식 (M-4-1)에서 식 (M-4-6)
Figure pct00016
(식 중, T1은 상기와 동일한 의미를 나타내고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (M-4-4) 또는 식 (M-4-5)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (M-4-5)로 표시되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 식 (M-7)에서 식 (M-14)로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (M-7-1)에서 식 (M-14-1)
Figure pct00017
(식 중, T2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)로 표시되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (M-7-1)에서 식 (M-12-1)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (M-7-1) 또는 식 (M-8-1)로 표시되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
또, 식 (M-1)에서 식 (M-6)에 있어서, 파장 분산성, 합성의 용이함의 관점에서, T1은 식 (T1-1), 식 (T1-2), 식 (T1-3), 식 (T1-6)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (T1-3), 식 (T1-6)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (T1-3)을 나타내는 것이 특히 바람직하다. 보다 구체적으로는, 식 (T1-1)로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-1-1)에서 식 (T1-1-7)
Figure pct00018
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (T1-1-2), 식 (T1-1-4), 식 (T1-1-5), 식 (T1-1-6), 식 (T1-1-7)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 식 (T1-2)로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-2-1)에서 식 (T1-2-8)
Figure pct00019
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (T1-2-1)로 표시되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 식 (T1-3)으로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-3-1)에서 식 (T1-3-8)
Figure pct00020
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식 (T1-3-2), 식 (T1-3-3), 식 (T1-3-6), 식 (T1-3-7)로 표시되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 식 (T1-4)로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-4-1)에서 식 (T1-4-6)
Figure pct00021
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)으로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다. 식 (T1-5)로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-5-1)에서 식 (T1-5-9)
Figure pct00022
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다. 식 (T1-6)으로 표시되는 기로서는, 하기의 식 (T1-6-1)에서 식 (T1-6-7)
Figure pct00023
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다.
LG1은 합성의 용이함, 원료의 입수 용이함, 액정성의 관점에서, 불소 원자, 염소 원자, 니트로기, 시아노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 또는 기 중의 임의의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 니트로기, 시아노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 또는 기 중의 임의의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S- 또는 -CO-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 니트로기, 시아노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 또는 기 중의 임의의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 10의 직쇄상 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 니트로기, 시아노기, 디메틸아미노기, 또는 기 중의 임의의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 또는 2의 직쇄상 알킬기를 나타내는 것이 보다 더 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서 G1로 표시되는 기가 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 기 중의 방향환에 포함되는 π전자의 수는 12 이상인, 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 가지는 2가의 기를 나타내는 경우, G1은 하기의 식 (G-1)에서 식 (G-22)
Figure pct00024
Figure pct00025
(식 중, LG1, Y, W2는 상술과 같은 의미를 나타내고, q는 0에서 5의 정수를 나타내고, r은 0에서 4의 정수를 나타내고, s는 0에서 3의 정수를 나타내고, t는 0에서 2의 정수를 나타내고, u는 0 또는 1을 나타낸다. 또, 이들 기는, 좌우가 반전되어 있어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하다. 상기의 식 (G-1)에서 식 (G-10)에 있어서, 식 (G-1), 식 (G-3), 식 (G-5), 식 (G-6), 식 (G-7), 식 (G-8), 식 (G-10)으로부터 선택되는 기가 더 바람직하고, t가 0인 경우가 보다 더 바람직하고, 하기의 식 (G-1-1)에서 식 (G-10-1)
Figure pct00026
(식 중, 이들 기는 좌우가 반전되어 있어도 된다.)로부터 선택되는 기가 특히 바람직하다. 또, 상기의 식 (G-11)에서 식 (G-22)에 있어서, Y가 수소 원자를 나타내는 것이 보다 바람직하고, r, s, t, u가 0을 나타내는 것이 더 바람직하고, 하기의 식 (G-11-1)에서 식 (G-20-1)
Figure pct00027
Figure pct00028
로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
또, 일반식 (I)에 있어서, G1은 AG로 표시되는 기를 나타내도 되는데, AG는 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 테트라히드로피란-2,5-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 적어도 1개 이상의 치환기 LAG에 의해서 치환된다. 합성의 용이함, 용매에 대한 용해성 및 액정성의 관점에서, AG는 적어도 1개 이상의 치환기 LAG에 의해서 치환된 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 나프탈렌-2,6-디일기를 나타내는 것이 바람직하고, 하기의 식 (AG-1)에서 식 (AG-8)
Figure pct00029
로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 식 (AG-1), 식 (AG-2), 식 (AG-6) 또는 식 (AG-7)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 식 (AG-1) 또는 식 (AG-2)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
LAG는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LAG는 PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLAG는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLAG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLAG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLAG는 0에서 10의 정수를 나타내고, 화합물 내에 LAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되는데, 화합물 내에 존재하는 LAG 중 적어도 1개 이상은 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 중, 당해 기 중 적어도 1개 이상의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타낸다. 합성의 용이함 및 원료의 입수 용이함의 관점에서, LAG는 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 중, 당해 기 중 적어도 1개 이상의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타내는 것이 바람직하고, LAG는 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 알킬기 중, 당해 기 중 적어도 1개 이상의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, LAG는 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 알킬기 중, 말단부의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, LAG는 말단부의 -CH2-가 -CO-에 의해서 치환되어 있는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 알킬기를 나타내는 것이 보다 더 바람직하고, LAG는 말단부의 -CH2-가 -CO-에 의해서 치환되어 있는 탄소 원자수 1에서 10의 직쇄상 알킬기를 나타내는 것이 보다 더 바람직하고, LAG는 포밀기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 여기서, 말단부의 -CH2-란, LAG에 포함되는 -CH2- 중, AG에 직접 결합하고 있는 -CH2-를 나타낸다.
또, 일반식 (I)에 있어서 G1이 CG로 표시되는 기를 나타내는 경우, CG로 표시되는 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 되는 키랄인 구조를 가지는 기를 나타낸다. CG는 하기의 식 (C-1)에서 식 (C-4)
Figure pct00030
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, 임의의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 된다. 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기, 또는 하기의 식 (C-5)에서 식 (C-12)
Figure pct00031
(식 중, *의 위치에서 Z1 및 Z2로 표시되는 기와 결합하고, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다. 수율 및 품질의 관점에서, CG는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 되는 상기 식 (C-1)에서 식 (C-4), 식 (C-10), 식 (C-11) 또는 식 (C-12)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 되는 상기 식 (C-10), 식 (C-11) 또는 식 (C-12)로부터 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 상기 식 (C-12)로 표시되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
LCG는 합성의 용이함, 원료의 입수 용이함, 액정성의 관점에서, 불소 원자, 염소 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-로부터 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, LCG는 불소 원자, 염소 원자, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, LCG는 불소 원자, 염소 원자, 또는 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내는 것이 더 바람직하고, LCG는 불소 원자, 염소 원자, 또는 탄소 원자수 1에서 8의 직쇄 알킬기 혹은 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식 (I)에 있어서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0에서 8의 정수를 나타내는데, 액정성, 용해성, 합성의 용이함 및 원료의 입수 용이함의 관점에서 각각 독립적으로 0에서 6의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립적으로 1에서 3의 정수를 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립적으로 1 또는 2를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
상기 에스테르화 공정은, 축합제를 이용하는 공지의 반응 조건과 동일한 조건을 이용할 수 있다. 즉, 반응 용매로서는 비프로톤성의 용매가 바람직하고, 예를 들면 클로로포름, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 아세톤, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭시드, 디에틸에테르, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산프로필, 아세트산메틸, 시클로헥사논, 1,4-디옥산, 디클로로메탄, 스티렌, 테트라히드로푸란, 피리딘, 1-메틸-2-피롤리딘온, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 벤젠, 메틸이소부틸케톤, tert-부틸메틸에테르, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 반응계 중의 물의 함유량이 많은 경우, 물에 의한 축합제의 활성 상실을 막기 위해서 물의 용해성이 낮은 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 예를 들면 클로로포름, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산프로필, 아세트산메틸, 시클로헥사논, 디클로로메탄, 스티렌, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 벤젠 등을 들 수 있다. 에스테르화 공정의 반응 온도는 -80℃에서 200℃ 중 어느 하나인 것이 바람직하고, -50℃에서 150℃ 중 어느 하나인 것이 보다 바람직하고, -20℃에서 120℃ 중 어느 하나인 것이 더 바람직하고, 0℃에서 60℃ 중 어느 하나인 것이 보다 더 바람직하고, 실온인 것이 특히 바람직하다.
축합제의 안정성의 관점에서, 반응계로부터 수분을 가능한 한 제거하는 것이 바람직하고, 건조 공기 중에서 반응을 행하는 것이 보다 바람직하고, 질소 또는 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 중에서 반응을 행하는 것이 특히 바람직하다.
상기 에스테르화 공정 후에, 필요에 따라서 정제를 행할 수 있다. 정제 방법으로서는 크로마토그래피, 재결정, 증류, 승화, 재침전, 흡착, 여과, 분액 처리 등을 들 수 있다. 정제제를 이용하는 경우, 정제제로서 실리카겔, 알루미나, 활성탄, 활성 백토, 세라이트, 제올라이트, 메조포러스 실리카, 카본나노 튜브, 카본나노혼, 비장탄, 목탄, 그래핀, 이온교환수지, 산성 백토, 이산화규소, 규조토, 펄라이트, 셀룰로오스, 유기 폴리머, 다공질 겔 등을 들 수 있다.
상기 에스테르화 공정에 있어서, 축합제를 이용하는 공지의 반응 조건과 동일한 조건을 이용할 수 있다. 즉, 반응 용매로서는 비프로톤성의 용매가 바람직하고, 예를 들면 클로로포름, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 아세톤, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭시드, 디에틸에테르, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산프로필, 아세트산메틸, 시클로헥사논, 1,4-디옥산, 디클로로메탄, 스티렌, 테트라히드로푸란, 피리딘, 1-메틸-2-피롤리딘온, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 벤젠, 메틸이소부틸케톤, tert-부틸메틸에테르, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 반응계 중의 물의 함유량이 많은 경우, 물에 의한 축합제의 활성 상실을 막기 위해서 물의 용해성이 낮은 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 예를 들면 클로로포름, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 크실렌, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산프로필, 아세트산메틸, 시클로헥사논, 디클로로메탄, 스티렌, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 벤젠 등을 들 수 있다. 에스테르화 공정의 반응 온도는 -80℃에서 200℃ 중 어느 하나인 것이 바람직하고, -50℃에서 150℃ 중 어느 하나인 것이 보다 바람직하고, -20℃에서 120℃ 중 어느 하나인 것이 더 바람직하고, 0℃에서 60℃ 중 어느 하나인 것이 보다 더 바람직하고, 실온인 것이 특히 바람직하다.
축합제의 안정성의 관점에서, 반응계로부터 수분을 가능한 한 제거하는 것이 바람직하고, 건조 공기 중에서 반응을 행하는 것이 보다 바람직하고, 질소 또는 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 중에서 반응을 행하는 것이 특히 바람직하다.
상기 에스테르화 공정 후에, 필요에 따라서 정제를 행할 수 있다. 정제 방법으로서는 크로마토그래피, 재결정, 증류, 승화, 재침전, 흡착, 여과, 분액 처리 등을 들 수 있다. 정제제를 이용하는 경우, 정제제로서 실리카겔, 알루미나, 활성탄, 활성 백토, 세라이트, 제올라이트, 메조포러스 실리카, 카본나노 튜브, 카본나노혼, 비장탄, 목탄, 그래핀, 이온교환수지, 산성 백토, 이산화규소, 규조토, 펄라이트, 셀룰로오스, 유기 폴리머, 다공질 겔 등을 들 수 있다.
본원 발명의 제조 방법에 의하면, 혼합 공정에 의해서 얻어지는 반응 혼합물을 이용하여 에스테르화 공정을 행하기 때문에, 축합제에서 유래하는 부생성물의 생성을 종래 제법보다 억제할 수 있고, 특히, 축합제로서 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물을 이용했을 경우, 부생성물인 N-아실 요소의 생성을 종래 제법보다 현저하게 억제할 수 있다. 이 때, 상기 N-아실 요소의 생성량은, 반응계에 따라서 상이하며 특별히 한정되는 것은 아니지만, 생성물인 에스테르기를 가지는 화합물의 이론 수율에 대해, 상한값으로서 5.0% 이하, 바람직하게는 2.0% 이하, 보다 바람직하게는 1.5% 이하로 할 수 있고, 하한값으로서 0.1% 이상으로 할 수 있다.
본원 발명의 제조 방법은, 상기대로 부생성물의 생성을 억제할 수 있기 때문에, 에스테르기를 가지는 화합물의 수율을 향상시킬 수 있다. 이 때, 에스테르기를 가지는 화합물의 수율은, 이론 수율을 기준으로, 하한값으로서 75% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 보다 더 바람직하게는 90% 이상으로 할 수 있고, 상한값은 99.9% 이하로 할 수 있다.
본원 발명은, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조되는 에스테르기를 가지는 화합물, 또, 당해 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 유도체를 포함한다.
에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체는, 상기 일반식 (I)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 여기서, 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체는, 에스테르화 공정에 의해서 얻어지는 에스테르기를 가지는 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는 것이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에스테르기를 가지는 화합물과 같이, 상기 일반식 (I)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체는, 중합성 조성물을 용이하게 구성할 수 있는 관점에서, 중합성기를 가지는 것인 것이 바람직하다. 중합성기로서는, 상기 P1로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체는, 액정성 조성물을 용이하게 구성할 수 있는 관점에서, 액정성을 가지는 것이 바람직하다.
에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체는, 중합체의 원료로 이용함으로써, 중합체의 내열성이나 내광성을 향상시킬 수 있다. 그 이유는 확실하지 않지만, 본원 발명의 에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체는, 에스테르화 공정에서 유래하는 불순물의 함유량이 낮기 때문이라고 생각할 수 있다. 불순물로서는, 예를 들면, 축합제로서 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물을 사용했을 경우에 부생성되는 N-아실 요소를 들 수 있다. N-아실 요소로서는, 하기 식 (a-4-1) 또는 식 (a-4-2),
Figure pct00032
(식 중, Ra1 및 Ra2는 각각 일반식 (a-1)에 있어서의 Ra1 및 일반식 (a-2)에 있어서의 Ra2와 동일한 의미를 나타내고, ma1 및 ma2는 일반식 (a-1)에 있어서의 ma1 및 일반식 (a-2)에 있어서의 ma2와 동일한 의미를 나타내고, Ra3 및 Ra4는 카르보디이미드 상의 치환기를 나타내는데, 식 (a-4-1) 및 식 (a-4-2)에 있어서 Ra3 및 Ra4는 바뀌어도 되고, ma1A는 1에서 20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. Ra3 및 Ra4로서는, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~100의 유기기를 들 수 있다.
본원 발명의 바람직한 실시 형태로서, 중합성 액정 조성물의 원료로서 적합한 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체의 제조를 들 수 있다. 즉, 본원 발명은, 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하고, 상기 반응 혼합물 중에서 카르본산과 페놀 혹은 알코올을 축합 반응시켜 일반식 (I-i)
Figure pct00033
(식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, AG는 일반식 (I)에 있어서의 AG와 같은 의미를 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 합성 중간체를 얻는 제1 제조 공정과,
상기 합성 중간체를 기초로 일반식 (I-ii)
Figure pct00034
(식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, M은 하기의 식 (M-1)에서 식 (M-6)
Figure pct00035
(식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T1은 하기의 식 (T1-1)에서 식 (T1-6)
Figure pct00036
(식 중, 임의의 위치에 결합수를 가져도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 된다. 여기서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은, 예를 들면, 식 (M-1)에서 식 (M-6)의 T1에 식 (T1-1)이 결합하는 경우, 식 (T1-1)의 임의의 위치에 결합수를 1개 가지는 것을 의도한다(이하, 본 발명에 있어서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은 동일한 의미를 나타낸다.). 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)으로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로부터 선택되는 기, 또는 하기의 식 (M-7)에서 식 (M-14)
Figure pct00037
(식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T2는 하기의 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)
Figure pct00038
(식 중, W1은 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1에서 40의 방향족기 및/또는 비방향족기를 포함하는 기를 나타내는데, 당해 방향족기는 탄화수소환 또는 복소환이어도 되고, 당해 비방향족기는 탄화수소기 또는 탄화수소기의 임의의 탄소 원자가 헤테로 원자로 치환된 기여도 되고(단, 산소 원자끼리가 직접 결합하는 일은 없다.),
W2는 수소 원자, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, W2는 적어도 1개의 방향족기를 가지는, 탄소 원자수 2에서 30의 기를 나타내도 되는데(단, 탄소 원자수에 방향족기의 탄소 원자수는 포함하지 않는다), 당해 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LW에 의해서 치환되어도 되고, 혹은, W2는 PW-(SpW-XW)kW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PW는 중합성기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PW-(SpW-XW)kW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kW는 0에서 10의 정수를 나타내고,
LW는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LW는 PLW-(SpLW-XLW)kLW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLW는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, SpLW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLW-(SpLW-XLW)kLW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLW는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
Y는 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은 Y는 PY-(SpY-XY)kY-로 표시되는 기를 나타내도 되고, PY는 중합성기를 나타내고, 바람직하게는 래디칼 중합, 래디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해서 중합되는 기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XY는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PY-(SpY-XY)kY-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kY는 0에서 10의 정수를 나타내는데, W1 및 W2는 일체가 된 환구조를 형성해도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 얻는 제2 제조 공정을 포함하는 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체의 제조 방법을 포함한다.
일반식 (I-i)
Figure pct00039
(식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, AG는 일반식 (I)에 있어서의 AG와 같은 의미를 나타낸다.)로 표시되는 화합물은, 하기의 일반식 (I-i-1)
Figure pct00040
(식 중, R11, R21, A11, A21, Z11, Z21 및 LAG는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2 및 LAG와 같은 의미를 나타내고, m11 및 m21은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, r은 0에서 4의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 바람직하고, 하기의 일반식 (I-i-1-1)
Figure pct00041
(식 중, R11, R21 및 LAG는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2 및 LAG와 같은 의미를 나타내고, r은 0에서 4의 정수를 나타내고, A111 및 A212는 각각 독립적으로 치환기 L에 의해서 치환되어 있어도 되는 1,4-시클로헥실렌기 또는 1,4-페닐렌기를 나타내고, A112 및 A211은 각각 독립적으로 치환기 L에 의해서 치환되어 있어도 되는 1,4-시클로헥실렌기를 나타내고, Z111 및 Z212는 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타내는데, Z111, Z212, Z112 또는 Z211 중 적어도 1개는 -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하고, 하기의 일반식 (I-i-1-1-1)
Figure pct00042
(식 중, R11, R21, L 및 LAG는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, L 및 LAG와 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 더 바람직하고, 하기의 일반식 (I-i-1-1-1-1)
Figure pct00043
(식 중, P11 및 P21은 각각 P1 및 P2와 같은 의미를 나타내고, Sp11 및 Sp21은 각각 Sp1 및 Sp2와 같은 의미를 나타내고, X11 및 X21은 각각 X1 및 X2와 같은 의미를 나타내고, k11 및 k21은 각각 k1 및 k2와 같은 의미를 나타내고, L은 일반식 (I)에 있어서의 L과 같은 의미를 나타내고, LAG는 일반식 (I)에 있어서의 LAG와 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 보다 더 바람직하고, 하기의 일반식 (I-i-1-1-1-1-1)
Figure pct00044
(식 중, P11 및 P21은 각각 P1 및 P2와 같은 의미를 나타내고, Sp11 및 Sp21은 각각 Sp1 및 Sp2와 같은 의미를 나타내고, X11 및 X21은 각각 X1 및 X2와 같은 의미를 나타내고, k11 및 k21은 각각 k1 및 k2와 같은 의미를 나타내고, Y1은 수소 원자를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 특히 바람직하다. 단, 상기(I-i)~(I-i-1-1-1-1) 식에 있어서는, LAG의 바람직한 구조는 상기와 동일하다.
일반식 (I-ii)
Figure pct00045
(식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, M은 상기 식 (M-1)에서 식 (M-14)로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물은, 구체적으로는, 하기의 일반식 (I-ii-1)
Figure pct00046
(식 중, R11, R21, A11, A21, Z11 및 Z21은 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1 및 Z2와 같은 의미를 나타내고, m11 및 m21은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, T2는 상기 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)와 같은 의미를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 바람직하고, 하기의 일반식 (I-ii-1-1)
Figure pct00047
(식 중, R11 및 R21은 각각 일반식 (I)에 있어서의 R1 및 R2와 같은 의미를 나타내고, T2는 상기 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)와 같은 의미를 나타내고, A111 및 A212는 각각 독립적으로 치환기 L에 의해서 치환되어 있어도 되는 1,4-시클로헥실렌기 또는 1,4-페닐렌기를 나타내고, A112 및 A211은 각각 독립적으로 치환기 L에 의해서 치환되어 있어도 되는 1,4-시클로헥실렌기를 나타내고, Z111 및 Z212는 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타내는데, Z111, Z212, Z112 또는 Z211 중 적어도 1개는 -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 보다 바람직하고, 하기의 일반식 (I-ii-1-1-1)
Figure pct00048
(식 중, R11, R21 및 L은 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2 및 L과 같은 의미를 나타내고, T2는 상기 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)와 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 더 바람직하고, 하기의 일반식 (I-ii-1-1-1-1)
Figure pct00049
(식 중, P11 및 P21은 각각 P1 및 P2와 같은 의미를 나타내고, Sp11 및 Sp21은 각각 Sp1 및 Sp2와 같은 의미를 나타내고, X11 및 X21은 각각 X1 및 X2와 같은 의미를 나타내고, k11 및 k21은 각각 k1 및 k2와 같은 의미를 나타내고, L은 일반식 (I)에 있어서의 L과 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, T2는 상기 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)와 같은 의미를 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 보다 더 바람직하고, 하기의 일반식 (I-ii-1-1-1-2)
Figure pct00050
(식 중, P11 및 P21은 각각 P1 및 P2와 같은 의미를 나타내고, Sp11 및 Sp21은 각각 Sp1 및 Sp2와 같은 의미를 나타내고, X11 및 X21은 각각 X1 및 X2와 같은 의미를 나타내고, k11 및 k21은 각각 k1 및 k2와 같은 의미를 나타내고, L은 일반식 (I)에 있어서의 L과 같은 의미를 나타내고, LG1은 일반식 (I)에 있어서의 LG1과 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, Y 및 W2는 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)에 있어서의 Y 및 W2와 같은 의미를 나타내고, Z112 및 Z211은 각각 독립적으로 -OCH2-, -CH2O-, -COO- 또는 -OCO-를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 보다 더 바람직하고, 하기의 일반식 (I-ii-1-1-1-2-1)
Figure pct00051
(식 중, P11 및 P21은 각각 P1 및 P2와 같은 의미를 나타내고, Sp11 및 Sp21은 각각 Sp1 및 Sp2와 같은 의미를 나타내고, X11 및 X21은 각각 X1 및 X2와 같은 의미를 나타내고, k11 및 k21은 각각 k1 및 k2와 같은 의미를 나타내고, LG1은 일반식 (I)에 있어서의 LG1과 같은 의미를 나타내고, r은 각각 독립적으로 0에서 4의 정수를 나타내고, W2는 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)에 있어서의 W2와 같은 의미를 나타내고, Y1은 수소 원자를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이 특히 바람직하다.
상기 일반식 (I-ii-1)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하고, 상기 일반식 (I-ii-1-1)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하고, 상기 일반식 (I-ii-1-1-1)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1-1-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하고, 상기 일반식 (I-ii-1-1-1-1)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1-1-1-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하고, 상기 일반식 (I-ii-1-1-1-2)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1-1-1-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하고, 상기 일반식 (I-ii-1-1-1-2-1)로 표시되는 화합물은 상기 일반식 (I-i-1-1-1-1-1)로 표시되는 합성 중간체로부터 제조되는 것이 바람직하다.
상기 일반식 (I-ii-1)로 표시되는 화합물은, 단체에서 액정성을 가지거나 또는 단체에서는 액정성을 가지지 않고 다른 성분과 혼합하여 조성물로 했을 경우에 액정성을 나타내는 것이 바람직하다.
제1 제조 공정에 있어서는, 상기 일반식 (I-ii-1), 일반식 (I-ii-1-1), 일반식 (I-ii-1-1-1), 일반식 (I-ii-1-1-1-1), 일반식 (I-ii-1-1-1-2) 및 일반식 (I-ii-1-1-1-2-1)로 표시되는 화합물은, 각각 일반식 (I-i-1), 일반식 (I-i-1-1), 일반식 (I-i-1-1-1), 일반식 (I-i-1-1-1-1), 일반식 (I-i-1-1-1-1) 및 일반식 (I-i-1-1-1-1-1)로 표시되는 화합물과, 하기 식(I-iii-1) 또는 식(I-iii-2)
Figure pct00052
(식 중, W1 및 W2는 각각 상기 식 (T2-1) 및 식 (T2-2)에 있어서의 W1 및 W2와 같은 의미를 나타낸다.)로 표시되는 화합물과의 반응에 의해서 제조되는 것이 보다 바람직하다. 식(I-iii-1) 또는 식(I-iii-2)로 표시되는 화합물로서는, W1 및 W2가 상기 바람직한 구조로부터 선택된 기인 것이 더 바람직하고, 하기 식(I-iii-1-1)에서 식(I-iii-2-5)
Figure pct00053
(식 중, LG1, W2는 상술과 같은 의미를 나타내고, q는 0에서 5의 정수를 나타내고, r은 0에서 4의 정수를 나타내고, s는 0에서 3의 정수를 나타내고, t는 0에서 2의 정수를 나타내고, u는 0 또는 1을 나타낸다.)로부터 선택되는 화합물인 것이 보다 더 바람직하다. 상기 식(I-iii-1-1)에서 식(I-iii-2-5)에 있어서, r, s, t, u가 0을 나타내는 것이 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 하기의 식(I-iii-1-1-1)에서 식(I-iii-2-3-1)
Figure pct00054
Figure pct00055
로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
상기 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체의 제조 방법은, 제1 제조 공정에서 얻어지는 합성 중간체의 순도가 높고, 불순물 제거 공정을 간략화 내지 생략할 수 있기 때문에, 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또, 당해 제조 방법에 의해서 얻어지는 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체는, 중합체의 재료로 이용함으로써, 얻어지는 중합체의 내열성이나 내광성을 향상시킬 수 있다.
상기 에스테르기를 가지는 화합물 및 그 유도체는, 중합성 액정 조성물에 사용하는 것이 바람직하다. 중합성 액정 조성물은, 네마틱 액정 조성물, 스메틱 액정 조성물, 키랄 스메틱 액정 조성물 및 콜레스테릭 액정 조성물인 것이 바람직하다.
중합성 액정 조성물은, 공지의 화합물을 첨가해도 된다. 중합성 액정 조성물에는, 당해 조성물의 액정성을 크게 해치지 않을 정도로, 액정성을 나타내지 않는 화합물을 첨가하는 것도 가능하다. 또, 본원 발명의 중합성 액정 조성물은 광중합 개시제를 포함해도 된다. 광중합 개시제로서는, 공지의 것을 이용해도 되고, 예를 들면, 벤조인에테르류, 벤조페논류, 아세토페논류, 벤질케탈류, 아실포스핀옥사이드류 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 구체예로서는 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(IRGACURE 907), 안식향산[1-[4-(페닐티오)벤조일]헵틸리덴]아미노(IRGACURE OXE 01) 등을 들 수 있다. 열중합 개시제로서는, 아조 화합물, 과산화물 등을 들 수 있다. 열중합 개시제의 구체예로서는 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴) 등을 들 수 있다. 또, 1종류의 중합 개시제를 이용해도 되고, 2종류 이상의 중합 개시제를 병용하여 이용해도 된다.
당해 중합성 액정 조성물은, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 얻어지는 에스테르기를 가지는 화합물 또는 그 유도체를 포함하고 있으므로, 당해 중합성 액정 조성물을 중합하여 얻어지는 중합체의 내열성이나 내광성을 양호한 것으로 할 수 있다.
내열성의 평가방법으로서는, 예를 들면, 중합체를 필름 형상의 샘플로 하고, 소정의 조건으로 가열 후, 샘플의 변질의 정도를 관찰함으로써 평가할 수 있다. 가열 조건은, 예를 들면, 90℃, 200시간을 채용할 수 있다.
내광성의 평가방법으로서는, 예를 들면, 중합체를 필름 형상의 샘플로 하고, 소정의 조건의 선테스트를 행하여, 샘플의 변질의 정도를 관찰함으로써 평가할 수 있다. 선테스트의 조건은, 예를 들면, 크세논램프 조사 테스트기를 이용하여, 60mW/cm2, 28℃에서 120J의 조사 조건을 채용할 수 있다.
중합성 액정 조성물로부터 필름 형상의 중합체를 얻으려면, 중합성 액정 조성물을 기판 상에 담지시켜, 도막 상태로서 중합하면 된다. 중합성 액정 조성물을 기판 상에 담지시킬 때의 방법으로서는, 스핀 코팅, 다이 코팅, 익스트루젼 코팅, 롤 코팅, 와이어 바 코팅, 그래비어 코팅, 스프레이 코팅, 디핑, 프린트법 등을 들 수 있다. 또 코팅시, 중합성 액정 조성물에 유기용매를 첨가해도 된다. 유기용매로서는, 탄화수소계 용매, 할로겐화탄화수소계 용매, 에테르계 용매, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 에스테르계 용매, 비프로톤성 용매 등을 사용할 수 있지만, 예를 들면 탄화수소계 용매로서는 톨루엔 또는 헥산을, 할로겐화탄화수소계 용매로서는 염화메틸렌을, 에테르계 용매로서는 테트라히드로푸란, 아세톡시-2-에톡시에탄 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를, 알코올계 용매로서는 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올을, 케톤계 용매로서는 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, γ-부틸락톤 또는 N-메틸피롤리딘온류를, 에스테르계 용매로서는 아세트산에틸 또는 셀로솔브를, 비프로톤성 용매로서는 디메틸포름아미드 또는 아세토니트릴을 들 수 있다. 이들은 단독으로도, 조합해서 이용해도 되고, 그 증기압과 중합성 액정 조성물의 용해성을 고려해 적절히 선택하면 된다. 첨가한 유기용매를 휘발시키는 방법으로서는, 자연 건조, 가열 건조, 감압 건조, 감압 가열 건조를 이용할 수 있다. 중합성 액정 재료의 도포성을 더 향상시키기 위해서는, 기판 상에 폴리이미드박막 등의 중간층을 설치하는 것이나, 중합성 액정 재료에 레벨링제를 첨가하는 것도 유효하다. 기판 상에 폴리이미드박막 등의 중간층을 설치하는 방법은, 중합성 액정 재료를 중합함으로써 얻어지는 폴리머와 기판의 밀착성을 향상시키기 위해서 유효하다.
상기 이외의 배향 처리로서는, 액정 재료의 유동 배향의 이용, 전기장 또는 자기장의 이용을 들 수 있다. 이러한 배향 수단은 단독으로 이용해도, 또 조합해서 이용해도 된다. 또한, 러빙을 대신하는 배향 처리 방법으로서, 광배향법을 이용할 수도 있다. 기판의 형상으로서는, 평판 외에, 곡면을 구성 부분으로서 가지고 있어도 된다. 기판을 구성하는 재료는, 유기 재료, 무기 재료를 불문하고 이용할 수 있다. 기판의 재료가 되는 유기 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리메타크릴산메틸, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 트리아세틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 폴리에테르에테르케톤 등을 들 수 있고, 또, 무기 재료로서는, 예를 들면, 실리콘, 유리, 방해석 등을 들 수 있다.
중합성 액정 조성물을 중합시킬 때, 신속히 중합이 진행되는 것이 바람직하기 때문에, 자외선 또는 전자선 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 중합시키는 방법이 바람직하다. 자외선을 사용하는 경우, 편광 광원을 이용해도 되고, 비편광 광원을 이용해도 된다. 또, 액정 조성물을 2장의 기판 사이에 협지시킨 상태로 중합을 행하는 경우, 적어도 조사면측의 기판은 활성 에너지선에 대해 적당한 투명성을 가지지 않으면 안 된다. 또, 광조사시에 마스크를 이용하여 특정의 부분만을 중합시킨 후, 전기장이나 자기장 또는 온도 등의 조건을 변화시킴으로써, 미중합 부분의 배향 상태를 변화시키고, 또한 활성 에너지선을 조사하여 중합시킨다는 수단을 이용해도 된다. 또, 조사시의 온도는, 본 발명의 중합성 액정 조성물의 액정 상태가 유지되는 온도 범위내인 것이 바람직하다. 특히, 광중합에 의해서 광학 이방체를 제조하려고 하는 경우에는, 의도하지 않는 열중합의 야기를 피한다는 의미에서도 가능한 한 실온에 가까운 온도, 즉, 전형적으로는 25℃에서의 온도로 중합시키는 것이 바람직하다. 활성 에너지선의 강도는, 0.1mW/cm2~2W/cm2가 바람직하다. 강도가 0.1mW/cm2 이하인 경우, 광중합을 완료시키는데 다대한 시간이 필요하게 되어 생산성이 악화되어 버리고, 2W/cm2 이상인 경우, 중합성 액정 화합물 또는 중합성 액정 조성물이 열화되어 버릴 위험이 있다.
본원 발명은, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 얻어지는, 하기 일반식 (a-5)
Figure pct00056
(식 중, Ra5 및 Ra6은 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 에스테르기를 가지는 화합물과,
하기 일반식 (a-6)
Figure pct00057
(식 중, Ra5는 상기와 같은 의미를 나타내고, Ra3 및 Ra4는 탄소 원자수 1~100의 유기기를 나타낸다.)으로 표시되는 N-아실 요소를 포함하고, N-아실 요소의 에스테르기를 가지는 화합물에 대한 물질량의 비가 0.003 이상, 0.05 이하인 N-아실 요소 조성물을 포함한다. 당해 물질량의 비는, 생산성의 관점에서 0.004 이상, 0.005 이상인 것이 바람직하고, 당해 조성물을 광학 이방체의 적합한 원료로 하는 관점에서 0.03 이하인 것이 바람직하고, 0.02 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.01 이하인 것이 더 바람직하다.
N-아실 요소 조성물은, 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물을 포함해도 된다. 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물의 함유량은, 에스테르기를 가지는 화합물에 대한 물질량의 비로 0.001 이상, 0.5 이하인 것이 바람직하다.
[실시예]
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더 기술하지만, 본 발명은 이러한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또, 이하의 실시예 및 비교예의 조성물에 있어서의 「%」는 「질량%」를 의미하고, 수율은, 생성물인 에스테르기를 가지는 화합물의 이론 수율을 기초로 산출했다. 각 공정에 있어서 산소 및/또는 수분에 불안정한 물질을 취급할 때는, 질소 가스, 아르곤 가스 등의 불활성 가스 중에서 작업을 행했다.
(가스 크로마토그래피 분석 조건)
컬럼：Agilent Technologies, J＆W Column DB-1HT, 15m×0.25mm×0.10μm
온도 프로그램：100℃(1분간 유지)-(승온 속도 20℃／분)-250℃-(승온 속도 10℃／분)-380℃-(승온 속도 7℃／분)-400℃(2.64분간 유지)
주입구 온도：350℃
검출기 온도：400℃
(액체 크로마토그래피 분석 조건)
컬럼：Waters ACQUITY UPLC BEH C18, 2.1×100mm, 1.7μm
용출 용매：0.1% 포름산아세토니트릴/물(90：10) 또는 아세토니트릴/물(90：10)
유속：0.5mL/min
검출기：UV
컬럼 오븐：40℃
(실시예 1) 식(I-1)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00058
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-1-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 식(I-1-2)로 표시되는 화합물 4.4g, 4-디메틸아미노피리딘 0.69g, 디클로로메탄 50mL, 메탄설폰산 0.73g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.9g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-1)로 표시되는 화합물 8.5g을 얻었다. 식(I-1)로 표시되는 화합물의 수율은 95%였다. 반응 후, 식(I-1-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.1% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-1)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-1-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：477[M＋1]
(비교예 1) 식(I-1R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00059
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-1-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 식(I-1-2)로 표시되는 화합물 4.4g, 4-디메틸아미노피리딘 0.69g, 디클로로메탄 50mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.9g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-1R)로 표시되는 화합물 7.8g을 얻었다. 식(I-1R)로 표시되는 화합물의 수율은 86%였다. 반응 후, 식(I-1-A)로 표시되는 N-아실 요소는 5.2% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-1R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-1-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：477[M＋1]
(실시예 2) 식(I-2)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00060
일본 특허공개 2011-207765호 공보에 기재된 방법에 의해서 식(I-2-1)로 표시되는 화합물을 제조했다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-2-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-2-2)로 표시되는 화합물 8.1g, 4-디메틸아미노피리딘 0.35g, 디클로로메탄 80mL, 메탄설폰산 0.37g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 3.0g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-2)로 표시되는 화합물 9.6g을 얻었다. 식(I-2)로 표시되는 화합물의 수율은 90%였다. 반응 후, 식(I-2-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.0% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-2)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-2-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：1112[M＋1]
(비교예 2) 식(I-2R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00061
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-2-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-2-2)로 표시되는 화합물 8.1g, 4-디메틸아미노피리딘 0.35g, 디클로로메탄 80mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 3.0g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-2R)로 표시되는 화합물 8.7g을 얻었다. 식(I-2R)로 표시되는 화합물의 수율은 81%였다. 반응 후, 식(I-2-A)로 표시되는 N-아실 요소는 6.1% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-2R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-2-A)로 표시되는 N-아실 요소는 0.1% 포함되어 있었다.
LC-MS：1112[M＋1]
(실시예 3) 식(I-3)으로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00062
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-3-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-3-2)로 표시되는 화합물 1.3g, 4-디메틸아미노피리딘 0.58g, 디클로로메탄 80mL, 농황산 0.47g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.7g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-3)으로 표시되는 화합물 8.2g을 얻었다. 식(I-3)으로 표시되는 화합물의 수율은 91%였다. 반응 후, 식(I-3-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.6% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-3)으로 표시되는 화합물 중에는 식(I-3-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：939[M＋1]
(비교예 3) 식(I-3R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00063
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-3-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-3-2)로 표시되는 화합물 1.3g, 4-디메틸아미노피리딘 0.58g, 디클로로메탄 80mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.7g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-3R)로 표시되는 화합물 7.4g을 얻었다. 식(I-3R)로 표시되는 화합물의 수율은 82%였다. 반응 후, 식(I-3-A)로 표시되는 N-아실 요소는 6.9% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-3R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-3-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：939[M＋1]
(실시예 4) 식(I-4)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00064
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-4-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-4-2)로 표시되는 화합물 1.3g, 4-디메틸아미노피리딘 0.23g, 디클로로메탄 80mL, p-톨루엔설폰산 0.49g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.6g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-4)로 표시되는 화합물 8.1g을 얻었다. 식(I-4)로 표시되는 화합물의 수율은 90%였다. 반응 후, 식(I-4-A)로 표시되는 N-아실 요소는 0.5% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-4)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-4-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：951[M＋1]
(비교예 4) 식(I-4R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00065
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-4-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-4-2)로 표시되는 화합물 1.3g, 4-디메틸아미노피리딘 0.23g, 디클로로메탄 80mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.6g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-4R)로 표시되는 화합물 7.1g을 얻었다. 식(I-4R)로 표시되는 화합물의 수율은 79%였다. 반응 후, 식(I-4-A)로 표시되는 N-아실 요소는 8.4% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-4R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-4-A)로 표시되는 N-아실 요소는 0.1% 포함되어 있었다.
LC-MS：951[M＋1]
(실시예 5) 식(I-5)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00066
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-1)로 표시되는 화합물 20.0g, tert-부틸알코올 8.8g, 4-디메틸아미노피리딘 1.3g, 디클로로메탄 100mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 16.3g을 적하하고 실온에서 8시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거하여, 여과액을 5% 염산 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-5-2)로 표시되는 화합물 20.8g을 얻었다.
반응 용기에 식(I-5-2)로 표시되는 화합물 20.8g, 메탄올 200mL, 25% 수산화나트륨 수용액 30mL를 더하고 60℃에서 가열 교반했다. 냉각하고 클로로포름을 더했다. 10% 염산을 더하여 수층의 pH를 4~5로 하고, 분액 처리했다. 유기층을 식염수로 세정하여, 황산나트륨으로 건조시켰다. 불용물을 세라이트 여과한 후, 용매를 증류 제거하여 건조시킴으로써, 식(I-5-3)으로 표시되는 화합물 17.7g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-3)으로 표시되는 화합물 17.7g, 테트라히드로푸란 100mL를 더했다. 빙냉하면서 0.9mol/L 보레인-테트라히드로푸란 착체 103mL를 적하하고 1시간 교반했다. 5% 염산을 적하한 후, 아세트산에틸로 추출하여, 식염수로 세정했다. 황산나트륨으로 건조시켜, 용매를 증류 제거함으로써, 식(I-5-4)로 표시되는 화합물 14.9g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-4)로 표시되는 화합물 14.9g, 피리딘 7.2g, 디클로로메탄 150mL를 더했다. 빙냉하면서 메탄설포닐클로라이드 8.8g을 적하하고 실온에서 3시간 교반했다. 물에 따르고, 5% 염산 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 헥산/아세트산에틸) 및 재결정(아세톤/헥산)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-5-5)로 표시되는 화합물 16.3g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 2,5-디메톡시벤즈알데히드 25.0g, 디클로로메탄 200mL를 더했다. 빙냉하면서 3브롬화붕소 113.1g을 적하하고 2시간 교반했다. 얼음물에 따른 후, 아세트산에틸로 추출하여, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 아세트산에틸)에 의해서 정제를 행함으로써, 식(I-5-6)으로 표시되는 화합물 18.7g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-6)으로 표시되는 화합물 2.5g, 식(I-5-5)로 표시되는 화합물 10.6g, 인산칼륨 11.5g, N,N-디메틸포름아미드 70mL를 더하고 90℃에서 12시간 가열 교반했다. 물에 따르고, 디클로로메탄으로 추출하여 식염수로 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-5-7)로 표시되는 화합물 7.7g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-7)로 표시되는 화합물 7.7g, 디클로로메탄 150mL, 포름산 100mL를 더하고 8시간 가열 환류시켰다. 용매를 증류 제거한 후, 디이소프로필에테르를 더하고 분산 세정하여 건조시킴으로써, 식(I-5-8)로 표시되는 화합물 5.5g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-8)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-5-9)로 표시되는 화합물 3.8g, 4-디메틸아미노피리딘 0.26g, 디클로로메탄 50mL, 메탄설폰산 0.28g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.1g을 적하하고, 40℃에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-5)로 표시되는 화합물 5.9g을 얻었다. 식(I-5)로 표시되는 화합물의 수율은 90%였다. 반응 후, 식(I-5-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.5% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-5)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-5-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：911[M＋1]
(비교예 5) 식(I-5R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00067
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5-8)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-5-9)로 표시되는 화합물 3.8g, 4-디메틸아미노피리딘 0.26g, 디클로로메탄 50mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.1g을 적하하고, 40℃에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-5R)로 표시되는 화합물 3.6g을 얻었다. 식(I-5R)로 표시되는 화합물의 수율은 %였다. 반응 후, 식(I-5-A)로 표시되는 N-아실 요소는 31.1% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-5R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-5-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：911[M＋1]
(실시예 6) 식(I-6)으로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00068
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-6-1)로 표시되는 화합물 2.0g, 식(I-6-2)로 표시되는 화합물 7.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.35g, 디클로로메탄 40mL, 벤젠설핀산 0.90g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 4.0g을 적하하고, 실온에서 7시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-6)으로 표시되는 화합물 7.9g을 얻었다. 식(I-6)으로 표시되는 화합물의 수율은 91%였다. 반응 후, 식(I-6-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.6% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-6)으로 표시되는 화합물 중에는 식(I-6-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：603[M＋1]
(비교예 6) 식(I-6R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00069
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-6-1)로 표시되는 화합물 2.0g, 식(I-6-2)로 표시되는 화합물 7.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.35g, 디클로로메탄 40mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 4.0g을 적하하고, 실온에서 7시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-6R)로 표시되는 화합물 6.9g을 얻었다. 식(I-6R)로 표시되는 화합물의 수율은 79%였다. 반응 후, 식(I-6-A)로 표시되는 N-아실 요소는 8.6% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-6R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-6-A)로 표시되는 N-아실 요소는 0.2% 포함되어 있었다.
LC-MS：603[M＋1]
(실시예 7) 식(I-7)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00070
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-7-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-7-2)로 표시되는 화합물 2.1g, 4-디메틸아미노피리딘 0.53g, 디클로로메탄 100mL, 1M 염화수소/디에틸에테르 5.7mL를 더했다. 빙냉하면서 디시클로헥실카르보디이미드 6.8g을 더하고, 실온에서 7시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-7)로 표시되는 화합물 8.0g을 얻었다. 식(I-7)로 표시되는 화합물의 수율은 84%였다. 반응 후, 식(I-7-A)로 표시되는 N-아실 요소는 5.3% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-7)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-7-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：667[M＋1]
(비교예 7) 식(I-7R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00071
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-7-1)로 표시되는 화합물 8.0g, 식(I-7-2)로 표시되는 화합물 2.1g, 4-디메틸아미노피리딘 0.53g, 디클로로메탄 100mL를 더했다. 빙냉하면서 디시클로헥실카르보디이미드 6.8g을 더하고, 실온에서 7시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-7R)로 표시되는 화합물 6.2g을 얻었다. 식(I-7R)로 표시되는 화합물의 수율은 65%였다. 반응 후, 식(I-7-A)로 표시되는 N-아실 요소는 18.7% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-7R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-7-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：667[M＋1]
(실시예 8) 식(I-8)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00072
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-8-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 피리딘 0.50g, 디클로로메탄 70mL, 트리플루오로메탄설폰산 0.64g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.9g을 더하고, 실온에서 20시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 여과액을 1% 염산, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 헥산/아세트산에틸)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-8)로 표시되는 화합물 3.7g을 얻었다. 식(I-8)로 표시되는 화합물의 수율은 80%였다. 반응 후, 식(I-8-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.3% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-8)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-8-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：219[M＋1]
(비교예 8) 식(I-8R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00073
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-8-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 피리딘 0.50g, 디클로로메탄 70mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.9g을 더하고, 실온에서 20시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 여과액을 1% 염산, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 헥산/아세트산에틸)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-8R)로 표시되는 화합물 2.1g을 얻었다. 식(I-8R)로 표시되는 화합물의 수율은 45%였다. 반응 후, 식(I-8-A)로 표시되는 N-아실 요소는 13.8% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-8R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-8-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：219[M＋1]
(실시예 9) 식(I-9)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00074
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-9-1)로 표시되는 화합물 10.0g, 식(I-9-2)로 표시되는 화합물 5.3g, 디클로로메탄 80mL, (±)-10-캄퍼설폰산 5.6g을 더했다. 빙냉하면서 디시클로헥실카르보디이미드 12.0g을 더하고, 실온에서 20시간 교반했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 헥산/아세트산에틸)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-9)로 표시되는 화합물 8.8g을 얻었다. 식(I-9)로 표시되는 화합물의 수율은 61%였다. 반응 후, 식(I-9-A)로 표시되는 N-아실 요소는 14.2% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-9)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-9-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：298[M＋1]
(비교예 9) 식(I-9R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00075
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-9-1)로 표시되는 화합물 10.0g, 식(I-9-2)로 표시되는 화합물 5.3g, 디클로로메탄 80mL를 더했다. 빙냉하면서 디시클로헥실카르보디이미드 12.0g을 더하고, 실온에서 20시간 교반했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 헥산/아세트산에틸)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-9R)로 표시되는 화합물 1.4g을 얻었다. 식(I-9R)로 표시되는 화합물의 수율은 10%였다. 반응 후, 식(I-9-A)로 표시되는 N-아실 요소는 52.6% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-9R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-9-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：298[M＋1]
(실시예 10) 식(I-10)으로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00076
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-10-1)로 표시되는 화합물 6.0g, 식(I-10-2)로 표시되는 화합물 1.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.25g, 디클로로메탄 600mL, 메탄설폰산 0.26g을 더했다. 빙냉하면서 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드염산염 1.5g을 더하고, 실온에서 48시간 교반했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-10)으로 표시되는 화합물 5.3g을 얻었다. 식(I-10)으로 표시되는 화합물의 수율은 75%였다. 반응 후, 식(I-10-A)로 표시되는 N-아실 요소는 5.8% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-10)으로 표시되는 화합물 중에는 식(I-10-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：1048[M＋1]
(비교예 10) 식(I-10R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00077
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-10-1)로 표시되는 화합물 6.0g, 식(I-10-2)로 표시되는 화합물 1.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.25g, 디클로로메탄 600mL를 더했다. 빙냉하면서 1-(3-디메틸아미노프로필)-3-에틸카르보디이미드염산염 1.5g을 더하고, 실온에서 48시간 교반했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-10R)로 표시되는 화합물 3.2g을 얻었다. 식(I-10R)로 표시되는 화합물의 수율은 46%였다. 반응 후, 식(I-10-A)로 표시되는 N-아실 요소는 38.1% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-10R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-10-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：1048[M＋1]
(실시예 11) 식(I-11)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00078
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-11-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-11-2)로 표시되는 화합물 3.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.26g, 디클로로메탄 50mL, 메탄설폰산 0.28g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.1g을 적하하고, 40℃에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-11)로 표시되는 화합물 5.3g을 얻었다. 식(I-11)로 표시되는 화합물의 수율은 90%였다. 반응 후, 식(I-11-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.4% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-11)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-11-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：827[M＋1]
(비교예 11) 식(I-11R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00079
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-11-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-11-2)로 표시되는 화합물 3.2g, 4-디메틸아미노피리딘 0.26g, 디클로로메탄 50mL, 메탄설폰산 0.28g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.1g을 적하하고, 40℃에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거하여, 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-11R)로 표시되는 화합물 3.3g을 얻었다. 식(I-11R)로 표시되는 화합물의 수율은 56%였다. 반응 후, 식(I-11-A)로 표시되는 N-아실 요소는 29.5% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-11R)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-11-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：827[M＋1]
(실시예 12) 식(I-12)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00080
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-12-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-12-2)로 표시되는 화합물 7.05g, 4-디메틸아미노피리딘 0.13g, 디클로로메탄 50mL, 메탄설폰산 0.40g을 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.8g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-12)로 표시되는 화합물 7.7g을 얻었다. 식(I-12)로 표시되는 화합물의 수율은 80%였다. 반응 후, 식(I-12-A)로 표시되는 N-아실 요소는 1.2% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-12)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-12-A)로 표시되는 N-아실 요소는 검출되지 않았다.
LC-MS：923[M＋1]
(비교예 12) 식(I-12R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00081
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-12-1)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(I-12-2)로 표시되는 화합물 7.05g, 4-디메틸아미노피리딘 0.13g, 디클로로메탄 50mL를 더했다. 빙냉하면서 디이소프로필카르보디이미드 2.8g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 석출물을 여과에 의해서 제거한 후, 용매를 증류 제거했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재침전(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(I-12)로 표시되는 화합물 7.8g을 얻었다. 식(I-12R)로 표시되는 화합물의 수율은 81%였다. 반응 후, 식(I-12-A)로 표시되는 N-아실 요소는 5.3% 생성되어 있었다. 정제 후의 식(I-12)로 표시되는 화합물 중에는 식(I-12-A)로 표시되는 N-아실 요소는 0.026% 포함되어 있었다.
LC-MS：923[M＋1]
이상의 결과로부터, 본원 발명의 제조 방법에 있어서는 N-아실 요소가 부생성되기 어려운 것을 알 수 있다. 따라서, 본원 발명의 제조 방법은 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법으로서 유용하다.
(실시예 13) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-3)으로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-1)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00082
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-3)으로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-1-1)로 표시되는 화합물 0.80g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.15g, 테트라히드로푸란 10mL, 에탄올 5mL를 더하고, 50℃에서 6시간 가열 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-1)로 표시되는 화합물 2.8g을 얻었다.
1H NMR(CDCl3)δ 0.90(t, 3H), 1.31-1.54(m, 14H), 1.66-1.82(m, 18H), 2.31-2.35(m, 8H), 2.58-2.70(m, 4H), 3.95(t, 4H), 4.18(t, 4H), 4.30(t, 2H), 5.82(t, 2H), 6.13(dd, 2H), 6.40(dd, 2H), 6.88(d, 4H), 6.98(d, 2H), 6.99(d, 2H), 7.10(dd, 1H), 7.12(d, 1H), 7.17(ddd, 1H), 7.34(ddd, 1H), 7.67-7.70(m, 3H), 7.75(d, 1H)ppm.
LC-MS：1170[M＋1]
(비교예 13) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-3R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-1R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00083
실시예 13에 있어서, 식(I-3)으로 표시되는 화합물을 식(I-3R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-1R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 14) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-4)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-2)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00084
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-4)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-2-1)로 표시되는 화합물 0.52g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.15g, 테트라히드로푸란 10mL, 에탄올 5mL를 더하고, 실온에서 8시간 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-2)로 표시되는 화합물 2.6g을 얻었다.
LC-MS：1098[M＋1]
(비교예 14) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-4R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-2R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00085
실시예 14에 있어서, 식(I-4)로 표시되는 화합물을 식(I-4R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-2R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 15) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-3)으로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00086
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-3-1)로 표시되는 화합물 0.54g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.15g, 테트라히드로푸란 10mL, 에탄올 5mL를 더하고, 실온에서 8시간 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-3)으로 표시되는 화합물 2.6g을 얻었다.
전이 온도(승온 속도 5℃／분) C 90-110 N 182-187 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.07(q, 2H), 1.24(q, 2H), 1.47-1.90(m, 24H), 2.09(m, 4H), 2.22(d, 2H), 2.39(t, 1H), 2.53(t, 1H), 3.74(d, 2H), 3.85(d, 2H), 3.94(td, 4H), 4.17(td, 4H), 5.82(d, 2H), 6.13(dd, 2H), 6.40(d, 2H), 6.80-6.99(m, 6H), 6.98(d, 4H), 7.16(t, 1H), 7.33(t, 1H), 7.55(m, 2H), 7.67(d, 1H), 8.40(s, 1H)ppm.
LC-MS：1058[M＋1]
(비교예 15) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-3R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00087
실시예 15에 있어서, 식(I-5)로 표시되는 화합물을 식(I-5R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-3R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 16) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-7)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-4)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00088
내압 용기에 식(I-7)로 표시되는 화합물 5.0g, 테트라히드로푸란 50mL, 에탄올 10mL, 5% 팔라듐탄소 0.50g을 더하고, 수소압 0.5MPa, 50℃에서 8시간 가열 교반했다. 촉매를 제거한 후, 용매를 증류 제거하여 건조시킴으로써, 식(II-4-1)로 표시되는 화합물 3.5g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(II-4-1)로 표시되는 화합물 3.5g, 디이소프로필에틸아민 2.2g, 디클로로메탄 70mL를 더했다. 빙냉하면서 염화아크릴로일 1.5g을 적하하고, 실온에서 6시간 교반했다. 1% 염산, 물 및 식염수로 순차 세정하고, 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-4)로 표시되는 화합물 3.2g을 얻었다.
LC-MS：595[M＋1]
(비교예 16) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-7R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-4R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00089
실시예 16에 있어서, 식(I-7)로 표시되는 화합물을 식(I-7R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-4R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 17) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-11)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-5)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00090
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-11)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-5-1)로 표시되는 화합물 0.60g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.25g, 테트라히드로푸란 20mL, 에탄올 5mL를 더하고, 실온에서 8시간 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-5)로 표시되는 화합물 2.5g을 얻었다.
전이 온도(승온 속도 5℃／분) C 155 N＞220 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.12(q, 2H), 1.26(q, 2H), 1.50(q, 2H), 1.67(qd, 2H), 1.91-2.27(m, 14H), 2.43(t, 1H), 2.56(tt, 2H), 3.77(d, 2H), 3.88(d, 2H), 4.09(t, 4H), 4.40(t, 4H), 5.88(d, 2H), 6.17(ddd, 2H), 6.45(d, 2H), 6.85(d, 1H), 6.92(m, 5H), 7.02(d, 4H), 7.19(t, 1H), 7.37(t, 1H), 7.59(m, 2H), 7.71(d, 1H), 8.44(s, 1H)ppm.
LC-MS：974[M＋1]
(비교예 17) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-11R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-5R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00091
실시예 17에 있어서, 식(I-11)로 표시되는 화합물을 식(I-11R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-5R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 18) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-6)으로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00092
질소 분위기 하, 반응 용기에 나트륨아미드 1.2g, 테트라히드로푸란 5mL를 더했다. 빙냉하면서, 식(II-6-1)로 표시되는 화합물 5.0g을 테트라히드로푸란 10mL에 현탁시킨 혼합액을 적하하고, 실온에서 3시간 교반했다. 질소 가스를 2시간 취입한 후, 식(II-6-2)로 표시되는 화합물 6.1g을 테트라히드로푸란 6mL에 용해시킨 용액을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 디클로로메탄으로 희석하여, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄) 및 분산 세정(헥산)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-6-3)으로 표시되는 화합물 6.5g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-6-3)으로 표시되는 화합물 0.88g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.23g, 테트라히드로푸란 20mL, 에탄올 5mL를 더하고, 50℃에서 6시간 가열 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-6)으로 표시되는 화합물 3.1g을 얻었다.
전이 온도(승온 5℃／분)：C 85 N 128 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.22-1.28(m, 4H), 1.44-1.47(m, 8H), 1.60-1.82(m, 12H), 1.90(m, 2H), 2.07(t, 4H), 2.24(d, 4H), 2.53(m, 2H), 3.30(s, 3H), 3.50(t, 2H), 3.66(t, 2H), 3.85-3.89(m, 6H), 3.93(t, 4H), 4.17(t, 4H), 4.53(t, 2H), 5.82(d, 2H), 6.13(q, 2H), 6.40(d, 2H), 6.83-6.90(m, 6H), 6.95-6.98(m, 4H), 7.14(t, 1H), 7.32(t, 1H), 7.52(t, 1H), 7.67(t, 2H), 8.33(s, 1H)ppm.
LC-MS：1160[M＋1]
(비교예 18) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-6R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00093
실시예 18에 있어서, 식(I-5)로 표시되는 화합물을 식(I-5R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-6R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 19) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-11)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-7)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00094
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-11)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-7-1)로 표시되는 화합물 0.97g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.25g, 테트라히드로푸란 30mL, 에탄올 5mL를 더하고, 50℃에서 6시간 가열 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-7)로 표시되는 화합물 3.1g을 얻었다.
전이 온도(승온 5℃／분)：C 89-95 N 145 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.24(m, 4H), 1.65(m, 4H), 1.91(m, 2H), 2.05-2.25(m, 12H), 2.55(m, 2H), 3.30(s, 3H), 3.51(m, 2H), 3.67(m, 2H), 3.84-3.89(m, 6H), 4.05(t, 4H), 4.36(t, 4H), 4.54(t, 2H), 5.84(dd, 2H), 6.13(dd, 2H), 6.41(dd, 2H), 6.84-6.89(m, 6H), 6.97-7.00(m, 4H), 7.14(t, 1H), 7.33(t, 1H), 7.52(d, 1H), 7.67(dd, 2H), 8.34(s, 1H)ppm.
LC-MS：1076[M＋1]
(비교예 19) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-11R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-7R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00095
실시예 19에 있어서, 식(I-11)로 표시되는 화합물을 식(I-11R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-7R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 20) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-8)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00096
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(II-8-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 트리에틸아민 4.5g, 디메톡시에탄 30mL를 더했다. 50℃에서 가열하면서, 식(II-8-2)로 표시되는 화합물 2.5g을 디메톡시에탄 5mL에 용해시킨 용액을 적하하고, 5시간 가열 교반했다. 디클로로메탄으로 희석한 후, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 용매를 증류 제거하여 헥산으로 분산 세정함으로써, 식(II-8-3)으로 표시되는 화합물 4.3g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-8-3)으로 표시되는 화합물 0.69g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.23g, 테트라히드로푸란 30mL, 에탄올 5mL를 더하고, 50℃에서 6시간 가열 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-8-4)로 표시되는 화합물 2.9g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(II-8-4)로 표시되는 화합물 2.9g, 디이소프로필에틸아민 0.41g, 디클로로메탄 30mL를 더했다. 빙냉하면서 염화아크릴로일 0.26g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 1% 염산, 물, 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-8)로 표시되는 화합물 2.3g을 얻었다.
전이 온도(승온 속도 5℃／분) C 122 N 142 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.24(m, 4H), 1.48(m, 8H), 1.60-1.83(m, 12H), 1.93(m, 2H), 2.08(t, 4H), 2.23(m, 4H), 2.54(m, 2H), 3.86(dd, 4H), 3.94(t, 4H), 4.17(t, 4H), 4.53(t, 2H), 4.65(t, 2H), 5.78(dd, 1H), 5.82(dd, 2H), 6.08(dd, 1H), 6.12(dd, 2H), 6.39(dd, 1H), 6.40(dd, 2H), 6.88(m, 6H), 6.97(dd, 4H), 7.16(t, 1H), 7.34(t, 1H), 7.54(d, 1H), 7.66(d, 1H), 7.70(d, 1H), 8.36(s, 1H)ppm.
LC-MS：1156[M＋1]
(비교예 20) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-8R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00097
실시예 20에 있어서, 식(I-5)로 표시되는 화합물을 식(I-5R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-8R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
(실시예 21) 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-9)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00098
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(II-9-1)로 표시되는 화합물 5.0g, 테트라히드로푸란 25mL를 더했다. 칼륨tert-부톡시드 6.8g을 더하고, 실온에서 2시간 교반했다. 식(II-9-2)로 표시되는 화합물 5.6g을 테트라히드로푸란 6mL에 용해시킨 용액을 적하하고, 실온에서 8시간 교반했다. 디클로로메탄으로 희석하여, 물 및 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(알루미나, 디클로로메탄)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-9-3)으로 표시되는 화합물 6.3g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(I-5)로 표시되는 화합물 3.0g, 식(II-9-3)으로 표시되는 화합물 0.98g, (±)-10-캄퍼설폰산 0.23g, 테트라히드로푸란 30mL, 에탄올 5mL를 더하고, 50℃에서 6시간 가열 교반했다. 용매를 증류 제거하여, 얻어진 고체를 메탄올로 분산 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-9-4)로 표시되는 화합물 2.7g을 얻었다.
질소 분위기 하, 반응 용기에 식(II-9-4)로 표시되는 화합물 2.7g, 디이소프로필에틸아민 0.36g, 디클로로메탄 30mL를 더했다. 빙냉하면서 염화아크릴로일 0.23g을 적하하고, 실온에서 5시간 교반했다. 1% 염산, 물, 식염수로 순차 세정했다. 컬럼 크로마토그래피(실리카겔, 디클로로메탄) 및 재결정(디클로로메탄/메탄올)에 의해서 정제를 행하여, 식(II-9)로 표시되는 화합물 2.0g을 얻었다.
전이 온도(승온 5℃／분) C 71 N 115 I
1H NMR(CDCl3)δ 1.19-1.29(m, 4H), 1.41-1.82(m, 22H), 1.91(m, 2H), 2.08(m, 4H), 2.24(m, 4H), 2.53(m, 2H), 3.62(m, 3H), 3.67(m, 2H), 3.84-3.90(m, 5H), 3.94(t, 4H), 4.15-4.19(m, 6H), 4.53(t, 2H), 5.76(dd, 1H), 5.82(dd, 2H), 6.08(dd, 1H), 6.12(dd, 2H), 6.37(dd, 1H), 6.40(dd, 2H), 6.84-6.90(m, 6H), 6.95-6.98(m, 4H), 7.14(t, 1H), 7.32(t, 1H), 7.53(d, 1H), 7.65(d, 1H), 7.69(d, 1H), 8.34(s, 1H)ppm.
LC-MS：1244[M＋1]
(비교예 21) 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-5R)로 표시되는 화합물을 사용한 식(II-9R)로 표시되는 화합물의 제조
Figure pct00099
실시예 21에 있어서, 식(I-5)로 표시되는 화합물을 식(I-5R)로 표시되는 화합물로 치환한 이외는 같은 방법에 의해서, 식(II-9R)로 표시되는 화합물을 제조했다.
상기 실시예와 동일한 방법에 의해서 에스테르기를 가지는 화합물을 제조하고, 당해 에스테르기를 가지는 화합물로부터 공지의 방법에 의해서, 하기의 식(II-10)에서 식(II-29)로 표시되는 화합물을 제조했다.
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
Figure pct00103
(실시예 22~32, 비교예 22~32)
상기 실시예에 기재된 식(I-2), 식(I-6), 식(II-1)에서 식(II-9)로 표시되는 화합물 및 상기 비교예에 기재된 식(I-2R), 식(I-6R), 식(II-1R)에서 식(II-9R)로 표시되는 화합물을 평가 대상의 화합물로 했다.
배향막용 폴리이미드 용액을 100×100mm, 두께 0.7mm의 유리 기재에 스핀 코트법을 이용하여 도포하고, 100℃에서 10분 건조한 후, 200℃에서 60분 소성함으로써 도막을 얻었다. 얻어진 도막을 러빙 처리했다. 러빙 처리는, 시판의 러빙 장치를 이용하여 행했다.
공지의 하기 화합물 (X-1)：30%, 화합물 (X-2)：30% 및 화합물 (X-3)：40%로 이루어지는 액정 조성물을 모체 액정(X)로 했다.
Figure pct00104
모체 액정(X)에 평가 대상이 되는 화합물을 20% 첨가함으로써 조제한 조성물 각각에 대해, 광중합 개시제 Irgacure 907(BASF사제)를 1%, 4-메톡시페놀을 0.1% 및 클로로포름을 80% 첨가하여 도포액을 조제했다. 이 도포액을 러빙한 유리 기재에 스핀 코트법에 의해서 도포했다. 80℃에서 1분간 건조시킨 후, 또한 120℃에서 1분간 건조시켰다. 그 후, 고압 수은 램프를 이용하여, 자외선을 40mW/cm2의 강도로 25초간 조사함으로써, 평가 대상의 필름을 제작했다. 평가 대상의 필름과 사용한 평가 대상의 화합물의 관계를 하기 표에 나타낸다.
Figure pct00105
Figure pct00106
얻어진 평가 대상의 필름을 90℃에서 200시간 가열 처리했다. 그 후 또한, 크세논램프 조사 테스트기(아틀라스사제 선테스트 XLS)를 이용하여 60mW/cm2, 28℃에서 120J의 선테스트를 행했다. 선테스트 후의 필름을 10mm의 폭으로 세로 10칸×가로 10칸, 합계 100칸의 영역으로 구분하고, 편광 현미경 관찰에 의해서 배향 편차, 변색 및 일부 또는 전부 박리 중 어느 하나의 변질이 인정된 칸의 수를 카운트했다. 변질이 생긴 칸의 수의 비율(%)를 하기 표에 나타낸다.
Figure pct00107
Figure pct00108
표로부터, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-2), 식(I-6), 식(II-1)에서 식(II-9)로 표시되는 화합물을 이용한 필름은 모두 공지의 제조 방법에 의해서 제조한 식(I-2R), 식(I-6R), 식(II-1R)에서 식(II-9R)로 표시되는 화합물을 이용한 필름과 비교해 변질의 비율이 적기 ?문에, 내열·내광성이 높은 것을 알 수 있다. 따라서, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조된 화합물은, 중합성 조성물의 구성 부재로서 유용하다. 또, 본원 발명의 제조 방법에 의해서 제조된 화합물을 함유하는 중합성 액정 조성물을 이용한 광학 이방체는 광학 필름 등의 용도에 유용하다.

Claims (18)

  1. 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는 혼합 공정을 포함하고, 브뢴스테드산은, 축합제, 카르본산 및 페놀 이외로부터 선택되는, 에스테르기를 가지는 화합물의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    혼합 공정에 있어서, 또한 염기를 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는, 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    축합제가 카르보디이미드 구조를 가지는 화합물인, 제조 방법.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    염기가 방향족 아민인, 제조 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    브뢴스테드산이 무기산, 설폰산 또는 설핀산인, 제조 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    브뢴스테드산이 반응 혼합물 내에서 유리된 상태로 존재하는, 제조 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    브뢴스테드산을 함유하는 용액에, 축합제를 혼합하여 반응 혼합물을 조성하는, 제조 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    카르본산이 하기의 일반식 (a-1)
    Figure pct00109

    (식 중, Ra1은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타내고, ma1은 1에서 20의 정수를 나타내는데, 하기의 일반식 (a-2)에 있어서 ma2가 1 이외의 정수를 나타내는 경우, ma1은 1을 나타낸다.)로 표시되는 화합물이며, 페놀 혹은 알코올이 하기의 일반식 (a-2)
    Figure pct00110

    (식 중, Ra2는 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타내고, ma2는 1에서 20의 정수를 나타내는데, 상기의 일반식 (a-1)에 있어서 ma1이 1 이외의 정수를 나타내는 경우, ma2는 1을 나타낸다.)로 표시되는 화합물이며, 에스테르기를 가지는 화합물이 하기의 일반식 (a-3-1) 또는 일반식 (a-3-2)
    Figure pct00111

    (식 중, Ra1 및 Ra2는 상기와 같은 의미를 나타내는데, 상기의 일반식 (a-1)에 있어서 ma1이 1 이외의 정수를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-1)로 표시되는 화합물을 나타내고, 상기의 일반식 (a-2)에 있어서 ma2가 1 이외의 정수를 나타내는 경우, 에스테르기를 가지는 화합물이 일반식 (a-3-2)로 표시되는 화합물을 나타낸다.)로 표시되는 화합물인, 제조 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    에스테르기를 가지는 화합물이 하기의 일반식 (I)
    Figure pct00112

    (식 중, R1은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, R1은 P1-(Sp1-X1)k1-로 표시되는 기(식 중, P1은 중합성기를 나타내고, Sp1은 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, Sp1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, X1은 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, X1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, P1-(Sp1-X1)k1-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), k1은 0에서 10의 정수를 나타낸다.)를 나타내고, 혹은, R1은 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기를 나타내고,
    R2는 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, R2는 P2-(Sp2-X2)k2-로 표시되는 기(식 중, P2는 중합성기를 나타내고, Sp2는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, Sp2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, X2는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, X2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, P2-(Sp2-X2)k2-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), k2는 0에서 10의 정수를 나타낸다.)를 나타내고, 혹은, R2는 보호기에 의해서 보호된 수산기, 아미노기, 메르캅토기, 카르보닐기 또는 카르복실기를 나타내고,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 테트라히드로피란-2,5-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 L에 의해서 치환되어도 되고, 화합물 내에 A1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, 화합물 내에 A2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
    L은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, L은 PL-(SpL-XL)kL-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PL은 중합성기를 나타내고, SpL은 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XL은 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XL이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PL-(SpL-XL)kL-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kL은 0에서 10의 정수를 나타내고, 화합물 내에 L이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CH2CH2-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -OCO-NH-, -NH-COO-, -NH-CO-NH-, -NH-O-, -O-NH-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, Z1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, Z2가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되지만, 존재하는 Z1 및 Z2 중 적어도 1개는 -COO- 또는 -OCO-로부터 선택되는 기를 나타내고,
    G1은 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 방향환을 가지는 2가의 기를 나타내는데, G1로 표시되는 기 중의 방향환에 포함되는 π전자의 수는 12 이상이며, G1로 표시되는 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 혹은 G1은 AG로 표시되는 기 또는 CG로 표시되는 기를 나타내고,
    LG1은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LG1은 PLG-(SpLG-XLG)kLG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLG는 중합성기를 나타내고, SpLG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLG-(SpLG-XLG)kLG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLG는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LG1이 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
    AG는 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 테트라히드로피란-2,5-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내는데, 이들 기는 적어도 1개 이상의 치환기 LAG에 의해서 치환되어 있으며, LAG는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않는 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LAG는 PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLAG는 중합성기를 나타내고, SpLAG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLAG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLAG-(SpLAG-XLAG)kLAG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLAG는 0에서 10의 정수를 나타내고, 화합물 내에 LAG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되지만, 화합물 내에 존재하는 LAG 중 적어도 1개 이상은 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 중, 당해 기 중 적어도 1개 이상의 -CH2-는 -CO-에 의해서 치환되어 있는 기를 나타내고, 당해 기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고,
    CG는 키랄인 구조를 가지는 기를 나타내는데, CG는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LCG에 의해서 치환되어도 되고, LCG는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LCG는 PLCG-(SpLCG-XLCG)kLCG-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLCG는 중합성기를 나타내고, SpLCG는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLCG는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLCG-(SpLCG-XLCG)kLCG-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLCG는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LCG가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, m1은 0에서 8의 정수를 나타내고, m2는 0에서 8의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 화합물인, 제조 방법.
  10. 축합제, 브뢴스테드산, 카르본산 및 페놀 혹은 알코올을 혼합하여 반응 혼합물을 조성하고, 상기 반응 혼합물 중에서 카르본산과 페놀 혹은 알코올을 축합 반응시켜 일반식 (I-i)
    Figure pct00113

    (식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, AG는 일반식 (I)에 있어서의 AG와 같은 의미를 나타낸다.)로 표시되는 화합물인 합성 중간체를 얻는 제1 제조 공정과,
    상기 합성 중간체를 기초로 일반식 (I-ii)
    Figure pct00114

    (식 중, R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2는 일반식 (I)에 있어서의 R1, R2, A1, A2, Z1, Z2, m1 및 m2와 같은 의미를 나타내고, M은 하기의 식 (M-1)에서 식 (M-6)
    Figure pct00115

    (식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T1은 하기의 식 (T1-1)에서 식 (T1-6)
    Figure pct00116

    (식 중, 임의의 위치에 결합수(結合手)를 가져도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 된다. 여기서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은, 예를 들면, 식 (M-1)에서 식 (M-6)의 T1에 식 (T1-1)이 결합하는 경우, 식 (T1-1)의 임의의 위치에 결합수를 1개 가지는 것을 의도한다(이하, 본 발명에 있어서, 임의의 위치에 결합수를 가져도 된다는 것은 동일한 의미를 나타낸다.). 또, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 된다.)으로부터 선택되는 기를 나타낸다.)으로부터 선택되는 기, 또는 하기의 식 (M-7)에서 식 (M-14)
    Figure pct00117

    (식 중, 이들 기는 무치환 또는 1개 이상의 상술한 치환기 LG1에 의해서 치환되어도 되고, 임의의 -CH=는 각각 독립적으로 -N=으로 치환되어도 되고, -CH2-는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -NRT-(식 중, RT는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1에서 20의 알킬기를 나타낸다.), -CS- 또는 -CO-로 치환되어도 되고, T2는 하기의 식 (T2-1) 또는 식 (T2-2)
    Figure pct00118

    (식 중, W1은 치환되어 있어도 되는 탄소 원자수 1에서 40의 방향족기 및/또는 비방향족기를 포함하는 기를 나타내는데, 당해 방향족기는 탄화수소환 또는 복소환이어도 되고, 당해 비방향족기는 탄화수소기 또는 탄화수소기의 임의의 탄소 원자가 헤테로 원자로 치환된 기여도 되고(단, 산소 원자끼리가 직접 결합하는 일은 없다.),
    W2는 수소 원자, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, W2는 적어도 1개의 방향족기를 가지는, 탄소 원자수 2에서 30의 기를 나타내도 되는데(단, 탄소 원자수에 방향족기의 탄소 원자수는 포함하지 않는다), 당해 기는 무치환이거나 또는 1개 이상의 치환기 LW에 의해서 치환되어도 되고, 혹은, W2는 PW-(SpW-XW)kW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PW는 중합성기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PW-(SpW-XW)kW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kW는 0에서 10의 정수를 나타내고,
    LW는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은, LW는 PLW-(SpLW-XLW)kLW-로 표시되는 기를 나타내도 되고, 여기서 PLW는 중합성기를 나타내고, SpLW는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, SpLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XLW는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XLW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PLW-(SpLW-XLW)kLW-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kLW는 0에서 10의 정수를 나타내는데, 화합물 내에 LW가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며,
    Y는 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설푸라닐기, 니트로기, 시아노기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록실기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기 또는 1개의 -CH2- 또는 인접하지 않은 2개 이상의 -CH2-가 각각 독립적으로 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1에서 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는데, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은 Y는 PY-(SpY-XY)kY-로 표시되는 기를 나타내도 되고, PY는 중합성기를 나타내고, 바람직한 중합성기는 상기 P1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY는 스페이서기 또는 단결합을 나타내는데, 바람직한 스페이서기는 상기 Sp1로 정의한 것과 동일한 것을 나타내고, SpY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, XY는 -O-, -S-, -OCH2-, -CH2O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH2-, -CH2S-, -CF2O-, -OCF2-, -CF2S-, -SCF2-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH2CH2-, -OCO-CH2CH2-, -CH2CH2-COO-, -CH2CH2-OCO-, -COO-CH2-, -OCO-CH2-, -CH2-COO-, -CH2-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는데, XY가 복수 존재하는 경우 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며(단, PY-(SpY-XY)kY-에는 -O-O- 결합을 포함하지 않는다.), kY는 0에서 10의 정수를 나타내는데, W1 및 W2는 일체가 되어 환구조를 형성해도 된다.)로부터 선택되는 기를 나타낸다.)로 표시되는 화합물을 얻는 제2 제조 공정을 포함하는, 에스테르기를 가지는 화합물의 유도체의 제조 방법.
  11. 하기 일반식 (a-5)
    Figure pct00119

    (식 중, Ra5 및 Ra6은 탄소 원자수 1에서 1000의 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 에스테르기를 가지는 화합물과,
    하기 일반식 (a-6)
    Figure pct00120

    (식 중, Ra5는 상기와 같은 의미를 나타내고, Ra3 및 Ra4는 탄소 원자수 1~100의 유기기를 나타낸다.)으로 표시되는 N-아실 요소를 포함하고,
    N-아실 요소의 에스테르기를 가지는 화합물에 대한 물질량의 비가 0.003 이상, 0.05 이하인, N-아실 요소 조성물.
  12. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해서 제조되는, 화합물.
  13. 청구항 12에 기재된 화합물을 합성 중간체로 하여 제조되는, 유도체.
  14. 청구항 12에 기재된 화합물 또는 청구항 13에 기재된 유도체를 함유하는, 조성물.
  15. 청구항 12에 기재된 화합물 또는 청구항 13에 기재된 유도체를 함유하는, 액정 조성물.
  16. 청구항 14 또는 청구항 15에 기재된 조성물을 중합함으로써 얻어지는, 중합체.
  17. 청구항 16에 기재된 중합체를 이용한, 광학 이방체.
  18. 청구항 12에 기재된 화합물 또는 청구항 12에 기재된 유도체를 이용한 수지, 수지 첨가제, 오일, 필터, 접착제, 점착제, 유지, 잉크, 의약품, 화장품, 세제, 건축 재료, 포장재, 액정 재료, 유기 EL 재료, 유기 반도체 재료, 전자재료, 표시 소자, 전자 디바이스, 통신 기기, 자동차 부품, 항공기 부품, 기계 부품, 농약과 식품 및 그들을 사용한 제품.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243864A1 (ko) * 2022-06-15 2023-12-21 주식회사 클랩 위상차 필름용 액정 화합물, 이를 포함하는 위상차 필름, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018077464A (ja) * 2016-11-01 2018-05-17 住友化学株式会社 化合物、液晶組成物、光学フィルム、偏光板および光学ディスプレイ
KR20190078591A (ko) * 2016-11-22 2019-07-04 니폰 제온 가부시키가이샤 중합성 화합물, 중합성 조성물, 고분자, 광학 필름, 광학 이방체, 편광판, 플랫 패널 표시 장치, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 반사 방지 필름, 및 화합물
CN111655672B (zh) * 2018-02-05 2023-05-12 日本瑞翁株式会社 1,1-二取代肼化合物的制造方法及聚合性化合物的制造方法
JP2020093995A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 Dic株式会社 重合性ケイ皮酸エステル誘導体の製造方法
JP7306103B2 (ja) * 2019-06-24 2023-07-11 大日本印刷株式会社 ジカルボン酸モノエステルの製造方法
JP7389147B2 (ja) 2019-06-28 2023-11-29 ロリク・テクノロジーズ・アーゲー 新規な重合性液晶
CN114805121B (zh) * 2021-01-22 2024-03-01 江苏和成新材料有限公司 一种酯化反应的方法
CN114805122B (zh) * 2021-01-22 2024-03-01 江苏和成新材料有限公司 一种酯化反应的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1565680A (en) * 1976-12-31 1980-04-23 Leo Ab Method for the preparation of carboxylic acid esters
DE10146970A1 (de) 2001-09-24 2003-04-17 Karlsruhe Forschzent Selbstorganisierende Assemmblage aus Porphyrin-Molekülen
JP2008222553A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Nippon Shokubai Co Ltd ベンゾトリアゾール基含有（メタ）アクリル酸エステル及びその製造方法
JP5391682B2 (ja) 2007-12-28 2014-01-15 住友化学株式会社 化合物、光学フィルム及び光学フィルムの製造方法
TWI482769B (zh) * 2009-03-16 2015-05-01 Sumitomo Chemical Co 化合物、光學膜片及光學膜片之製造方法
US9120883B2 (en) * 2011-04-18 2015-09-01 Dic Corporation Polymerizable compound having lateral substituent in terminal ring structure
KR101985943B1 (ko) * 2011-04-27 2019-06-04 제온 코포레이션 중합성 화합물, 중합성 조성물, 고분자, 및 광학 이방체
KR101857497B1 (ko) * 2011-06-30 2018-06-20 디아이씨 가부시끼가이샤 공중합체, 및 그 경화물로 이루어지는 액정 배향층
JP5988087B2 (ja) * 2012-06-07 2016-09-07 Dic株式会社 化合物の製造方法
CN107253935B (zh) * 2012-07-09 2020-10-09 日本瑞翁株式会社 肼化合物、聚合性化合物的制备方法及将肼化合物作为聚合性化合物的制造原料使用的方法
CN103804158B (zh) * 2012-11-02 2018-06-01 Dic株式会社 受阻酚的制造方法及其制造中间体
JP6402976B2 (ja) * 2014-07-04 2018-10-10 Dic株式会社 重合性化合物及び光学異方体
KR102624959B1 (ko) * 2014-12-04 2024-01-16 디아이씨 가부시끼가이샤 중합성 화합물, 조성물, 중합체, 광학 이방체, 액정 표시 소자 및 유기 ｅｌ 소자
US11261378B2 (en) * 2014-12-25 2022-03-01 Dic Corporation Polymerizable compound and optically anisotropic object
EP3246340B1 (en) * 2015-01-16 2019-10-09 DIC Corporation Polymerizable composition and optically anisotropic body using same
JP6066252B2 (ja) * 2015-01-16 2017-01-25 Dic株式会社 重合性化合物及び光学異方体
US11186669B2 (en) * 2015-01-16 2021-11-30 Dic Corporation Polymerizable composition and optically anisotropic body using same
CN107108775B (zh) * 2015-01-16 2019-12-13 Dic株式会社 聚合性组合物和使用该聚合性组合物的光学各向异性体
US20180066189A1 (en) * 2015-01-16 2018-03-08 Dic Corporation Polymerizable composition and optically anisotropic body using same
WO2016114255A1 (ja) * 2015-01-16 2016-07-21 Dic株式会社 重合性組成物及び光学異方体
CN108137486B (zh) * 2015-10-23 2019-08-13 Dic株式会社 聚合性化合物和光学各向异性体
US10919870B2 (en) * 2015-11-09 2021-02-16 Dic Corporation Polymerizable compound and optically anisotropic body
WO2017098952A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 Dic株式会社 重合性化合物の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023243864A1 (ko) * 2022-06-15 2023-12-21 주식회사 클랩 위상차 필름용 액정 화합물, 이를 포함하는 위상차 필름, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

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