KR20180121562A - 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치 - Google Patents

회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180121562A
KR20180121562A KR1020187027864A KR20187027864A KR20180121562A KR 20180121562 A KR20180121562 A KR 20180121562A KR 1020187027864 A KR1020187027864 A KR 1020187027864A KR 20187027864 A KR20187027864 A KR 20187027864A KR 20180121562 A KR20180121562 A KR 20180121562A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rotary table
power supply
wafer
supply mechanism
load
Prior art date
Application number
KR1020187027864A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토 츠치야
Original Assignee
미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 filed Critical 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20180121562A publication Critical patent/KR20180121562A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블에 연결된 부하에 대해서 비접촉으로 전력 공급을 할 수 있도록 한 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치를 제공한다. 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구로서, 회전축, 상기 회전축의 선단에 재치됨과 동시에 상면에 웨이퍼를 유지하는 회전 테이블, 상기 회전축에 동력을 공급하는 구동 모터, 상기 회전축 주위에 감긴 고정 측 1차 코일, 상기 고정 측 1차 코일에 연결된 전력 공급원, 상기 고정 측 1차 코일에 대응하여 소정 거리로 이간하여 설치되고, 동시에 상기 회전 테이블에 장착된 회전 테이블 측 2차 코일, 상기 회전 테이블 측 2차 코일에 연결된 부하를 포함하고, 전자 유도에 의해, 상기 2차 코일을 통해서 상기 부하에 전력이 공급되어 이루어지는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구가 제공된다.

Description

회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치
본 발명은 웨이퍼 회전 유지 장치에서의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치에 관한 것이다.
기존 반도체 제조 공정에서 스핀 에칭, 스핀 건조, 스핀 코팅 등과 같이 실리콘 등의 반도체 웨이퍼를 회전시키면서 각종 처리를 행하는 공정이 증가하고 있다. 구체적인 장치로는 스핀 에칭 장치, 스핀 건조 장치, 스핀 코팅 장치 등의 웨이퍼 회전 유지 장치가 알려져 있다. 그 밖에, 장치의 제조 공정에서의 웨이퍼 표면 처리로는 백 그라인딩 후의 데미지 층을 제거하기 위한 에칭 처리 외에, 현상액의 웨이퍼에의 도포, 회로 패턴을 노광한 웨이퍼 표면에 현상액이 도포된 웨이퍼로 반도체 회로를 새긴 것의 현상 처리, 웨이퍼 표면의 세정 등을 들 수 있다. 이러한 웨이퍼를 스핀 처리하기 위한 웨이퍼 회전 유지 장치나 방법으로서, 이를테면 하기 특허 문헌 1 ~ 4에 포함된 장치나 방법이 있다.
이러한 웨이퍼 회전 유지 장치에서는 회전 테이블을 회전시키기 위한 전력 공급뿐만 아니라, 회전 테이블상의 웨이퍼에 처리를 실시하기 위한 기구에도 전력을 공급할 필요가 있다.
최근에는 회전 테이블상의 웨이퍼로의 처리도 복잡해지고 있으며, 다양한 제어 기기나 전력 기기를 사용할 필요성이 요구되고 있다.
[특허문헌]
　　 [특허문헌１] 일본특허 제４６２５４９５호
　　 [특허문헌２] 일본특허 제４１１１４７９호
　　 [특허문헌３] 일본특허 제４２５７８１６호
　　 [특허문헌４] 일본특허 제４３６４２４２호
본 발명은 상기 종래 기술을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블에 연결된 부하에 대해서 비접촉으로 전력 공급을 할 수 있도록 한 회전 테이블용 비접촉 전력 공급기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구는 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구이고, 회전축과, 상기 회전축의 선단에 재치됨과 동시에 상면에 웨이퍼를 유지하는 회전 테이블과, 상기 회전축에 동력을 공급하는 구동 모터와, 상기 회전축 주위에 감긴 고정 측 1차 코일과, 상기 고정 측 1차 코일에 연결된 전력 공급원과, 상기 고정 측 1차 코일에 대응하여 소정 거리로 이간해서 설치함과 동시에 상기 회전 테이블에 장착 된 회전 테이블 측 2 차 코일과, 상기 회전 테이블 측 2차 코일에 연결된 부하를 포함하고, 전자 유도에 의해, 상기 2차 코일을 통해서 상기 부하에 전력이 공급되어지는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구이다.
　　
상기 부하는 상기 회전 테이블상의 웨이퍼에 처리를 실시하기 위한 웨이퍼 처리 기구인 것이 바람직하다.
상기 고정 측 1차 코일에 연결된 제 1 공진 커패시터와 상기 회전 테이블 측 2차 코일에 연결된 제 2 공진 커패시터를 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 방법은 상기 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 사용하여 상기 부하에 전력을 공급하는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 방법이다.
　　
본 발명의 웨이퍼 회전 유지 장치는 상기 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 갖추게 되는 웨이퍼 회전 유지 장치이다.
　상기 웨이퍼 회전 유지 장치가 스핀 처리기구를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블에 연결된 부하에 대해 비접촉으로 전력 공급을 할 수 있도록 한, 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치를 제공할 수 있다는 현저하게 큰 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 갖춘 웨이퍼 회전 유지 장치의 하나의 실시예를 나타내는 개략 모식도이다.
　　 도 2는 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구의 송전 측의 기본 회로도이다.
　　 도 3은 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구의 송전 측과 수전 측의 블록 회로도이다.
　　 도 4는 회전 테이블의 회전축 및 그 주위에 감긴 고정 측 1차 코일을 나타내는 모식 평면도이다.
　　 도 5는 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 갖춘 웨이퍼 회전 유지 장치의 다른 실시예를 나타내는 개략 모식도이다.
　　 도 6은 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구의 송전 측의 다른 블록 회로도이다.
이하에 본 발명의 실시예를 설명하지만, 이들 실시예는 예시적으로 나타나는 것으로, 본 발명의 기술 사상에서 벗어나지 않는 한 다양한 변형이 가능한 것은 물론이다. 도시에서, 동일 부재는 동일 부호로 표현된다.
　
도 1에서 부호 10A는 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 나타낸다. 회전 테이블용 비접촉 전원 공급 기구(10A)는 웨이퍼 회전 유지 장치(12A)의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구이고, 회전축(14)과 상기 회전축(14)의 선단에 재치됨과 동시에 상면(16)에 웨이퍼(W)를 유지하는 회전 테이블(18)과, 상기 회전축(14)에 동력을 공급하는 구동 모터(20)와, 상기 회전축(14)의 주위에 감긴 고정 측 1차 코일(22)과, 상기 고정 측 1차 코일(22)에 연결된 전력 공급원(24)과, 상기 고정 측 1차 코일(22)에 대응하여 소정 거리로 이간해서 설치함과 동시에 상기 회전 테이블(18)에 장착된 회전 테이블 측 2차 코일(26)과, 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)에 연결된 부하(28)을 포함하고, 전자 유도에 의해 상기 2차 코일(26)을 통해서 상기 부하(28)에 전력이 공급되어지는 회전 테이블용 비접촉 전력공급기구이다. 웨이퍼(W)로서는 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼가 사용된다.
도시 예에서는 회전축(14)은 SUS(스테인레스 스틸)제, 회전 테이블(18)은 공업용 플라스틱 등의 합성수지제이다.
상기 전력 공급원(24)은 고주파 전원이 바람직하고, 고주파 전원 주파수로는 20kHz 이상의 주파수가 바람직하다.
상기 고정 측 1차 코일(22)은 송전 측 코일이고, 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)은 수전 측 코일이다. 도 1의 예에서는 상기 고정 측 1차 코일(22)의 윗쪽으로 소정 거리로 이간해서 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)을 형성한 예를 보여 주었다.
본 발명에서는 비접촉으로 상기 부하(28)에 전력 공급을 하기 위해, 접촉 소음이 없다는 장점이 있고, 회전 테이블(18)의 회전 수를 무한으로 올리는 것도 가능하다. 접촉 방식에서 보면, 회전축(14)의 내부 배선과 외부 배선의 연결을 유지하기 위해, 회전 테이블(18)의 회전 수의 상한의 문제가 생기거나 배선의 접촉 문제가 있기도 하지만, 본 발명에서는 그런 문제가 생기지 않는다.
상기 부하(28)는 상기 회전 테이블(18)상의 웨이퍼(W)에 처리를 실시하기 위한 웨이퍼 처리 기구인 것이 바람직하다. 이와 같이 구성함으로써, 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블상의 웨이퍼에 처리를 실시하기 위한, 웨이퍼 처리 기구에 비접촉으로 전력을 공급하는 것이 가능하게 된다.
웨이퍼 처리 기구로는, 스핀 에칭 장치, 스핀 건조 장치, 스핀 코팅 장치 등에서의 에칭 처리 기구, 건조 기구, 코팅 기구 등이다. 그 밖의 웨이퍼 처리 기구로는 디바이스의 제조 공정에서의 웨이퍼 표면 처리로서, 백 그라인딩 후의 데미지 층을 제거하기 위한 에칭 처리기구 외에 현상액을 웨이퍼에 도포하는 기구, 회로 패턴을 노광한 웨이퍼 표면에 현상액이 도포된 웨이퍼로 반도체 회로를 새긴 것의 현상 처리기구, 웨이퍼 표면의 세정기구 등을 들 수 있다.
상기 고정 측 1차 코일(22)을 배치한 송전 측의 기본 회로도를 도 2에 나타내고, 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구의 송전 측과 수전 측의 블록 회로도를 도 3에 나타낸다. 도 2에서, 전력 공급원(24)인 교류 전원에서 전류가 흐르게 되면 브릿지 정류 회로에 들어가 메인 파워 전원(38)이 되고, 한편으로는, 브릿지 정류 회로에 들어가 게이트 회로 전원(42)이 되고, 상기 고정 측 1차 코일(22)에 전류가 흘러, 도 3에 나타내는 수전 측의 회전 테이블 측 2 차 코일(26)에 유도 전류가 야기되게 된다. 이에 따라, 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)에 연결된 부하(28)로 전류가 흐른다.
또, 도시의 예에서는 도 3에 잘 나타나는 바와 같이, 상기 고정 측 1차 코일(22)에 연결된 제 1 공진 커패시터(32)와, 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)에 연결된 제 2 공진 커패시터(34)를 동시에 구비하고 있다. 이와 같이, 제 1 공진 커패시터(32) 및 제 2 공진 커패시터(34)를 마련하는 것으로, 야기되는 유도 전류가 증가하고, 소정 거리로 이간하는 간격(D1)의 거리를 연장할 수도 있다. 또한, 도 3에 나타내는 1차 측 공진 회로와 2차 측 공진 회로의 주파수는 10% 정도 어긋나도 전달 특성에 큰 변동은 일어나지 않는다.
도시 예에서는 부하(28)와 회전 테이블 측 2차 코일(26)은 전선(27)에 연결되어 있고, 전선(27)은 외부로 노출되어 있지만, 이러한 전선(27)을 회전 테이블(18) 내부로 끌어넣는 구성으로 하는 것도 가능하다.
상기 고정 측 1차 코일(22)과 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)을 소정 거리로 이간하는 간격(D10으로는 0.1mm ~ 100mm 정도까지 가능하다. 제 1 공진 커패시터(32) 및 제 2 공진 커패시터(34)를 설치한 경우, 간격(D1)의 거리는 150mm 정도로 해도 전력의 전달이 가능하다.
도 4는 회전 테이블(18)의 회전축(14) 및 그 주위에 설치된 코일(고정 측 1차 코일 (22))를 나타내는 모식 평면도를 보인다. 도 4의 예에서는 SUS제의 직경 45mm의 회전축(14)의 주위에 내경이 200mm 코일을 설치하고, 상기 코일 내에 상기 회전축(14)를 출입시켜 고주파 전원에서의 전류를 상기 코일에 흐르게 하는 것으로, 고주파 전원의 입력 전압과 전류의 변화량을 확인했다. 그 결과, 입력 전압이 60V를 초과하면, 상기 회전축(14)의 발열량이 너무 증대해 버렸기 때문에 도 4의 예에서는 입력 전압 60V 이하에서의 사용이 바람직하다.
또한, 회전축(14)의 직경(D2)과 고정 측 1차 코일(22)의 내경(D3)은 발열량이 너무 증대하지 않도록, 이를테면 1 : 4.4 이상의 비율인 것이 바람직하다.
도 5에 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구(10B)를 갖춘 웨이퍼 회전 유지 장치(12B)의 다른 실시예를 나타낸다. 도 4에 있어서, 상기 고정 측 1차 코일(22)은 송전 측 코일이고, 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)은 수전 측 코일이다. 도 4의 예에서는 상기 고정 측 1차 코일(22)의 안쪽에 소정 거리로 이간해서 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)을 마련한 예를 보여 주었다. 상기 고정 측 1차 코일(22)의 안쪽에 소정 거리로 이간해서 상기 회전 테이블 측 2차 코일(26)을 마련하고, 금속제의 차폐판(30)을 재치한 것 외에는 도 1의 구성 예와 동일하다.
차폐판(30)은 웨이퍼 회전 유지 장치(12B)의 회전 테이블(18) 상에 유지되는 웨이퍼(W)에 전자 유도가 발생하는 것을 막기 위한 차폐판이다. 차폐판(30)으로는, 예컨데, 철판을 사용할 수 있다. 도 5에 보이는 바와 같이, 상기 고정 측 1 차 코일(22)과 금속 구조물인 차폐판(30)과의 거리(D4)는, 50mm 이상 떼어 놓는 것이 바람직하다. 상기 고정 측 1차 코일(22)과 웨이퍼(W)의 위치를 지나치게 가까이 하면 차폐판(30)에 유입되는 전류에 의해 차폐판(30)의 발열량이 증가해 버린다.
도 6은 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구의 송전 측의 다른 블록 회로도이다. 도 6에서, 부호 36은 메인 전압 조정기, 부호 38은 메인 파워 전원, 부호 40는 파워 디바이스이다. 또한, 부호 42는 게이트 회로 전원, 부호 44는 게이트 회로 절전 스위칭 회로, 부호 46은 게이트 0V 보증 스위칭 회로이다. 즉, 전력 공급원(24)으로부터의 전류는, 메인 전압 조정기(36)으로부터 메인 파워 전원(38)에 들어가서, 파워 디바이스(40)에 들어가는 회로로 더해져서, 게이트 회로 전원(42)에 들어가고, 게이트 회로 절전 스위칭 회로(44) 및 게이트 0V 보증 스위칭 회로(46)에 들어가고, 파워 디바이스(40)에 들어가는 회로로 되어 있고, 이렇게하여 워크 코일인 고정 측 1차 코일(22)로 전류가 흐르는 구성으로 되어 있다.
도 2에 나타낸 기본 회로 구성에서는, 게이트 회로의 저항에 의한 전력 소비가 크게 발열 문제와 저항치의 저감에 문제가 있었다. 그들을 개선하기 위해 도 6의 블록 회로도의 예에서는, 게이트 드라이브 불요시의 전원을 off로 하는 스위치 회로를 추가하고, 게이트 저항의 저감도 동시에 가능하게 했다. 또한, 게이트 회로의 잔류 전압이 FET(전계 효과 트랜지스터)에 흐르는 전류의 증가와 함께 상승해 버리기 때문에 게이트 off시의 0V 보증 회로를 추가했다. 이 회로에 의해 부하 변동, 전압 변동에 의한 고주파 전원의 작동 불량을 해소했다.
그리고, 상기한 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 사용하여 상기 부하(28)에 전력을 공급하도록 한 것이 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 방법이다. 이렇게 해서, 본 발명에서는 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블에 연결된 부하에 대해서 비접촉으로 전력을 공급할 수 있다.
10A, 10B : 본 발명의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구,
12A, 12B : 웨이퍼 회전 유지 장치 14 : 회전축
16 : 상면 18 : 회전 테이블
20 : 구동 모터 22 : 고정 측 1차 코일
24 : 전력 공급원 26 : 회전 테이블 측 2차 코일
27 : 전선 28 : 부하
30 : 차폐판 32 : 제 1 공진 커패시터
34 : 제 2 공진 커패시터 36 : 메인 전압 조정기
38 : 메인 파워 전원 40 : 파워 디바이스
42 : 게이트 회로 전원 44 : 게이트 회로 절전 스위칭 회로
46 : 게이트 0V 보증 스위칭 회로 D1 : 간격
D2 : 직경 D3 : 내경
D4 : 거리 W : 웨이퍼.

Claims (6)

  1. 웨이퍼 회전 유지 장치의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구에 있어서,
    회전축,
    상기 회전축의 선단에 재치됨과 동시에 상면에 웨이퍼를 유지하는 회전 테이블,
    상기 회전축에 동력을 공급하는 구동 모터,
    상기 회전축의 주위에 감긴 고정 측 1차 코일,
    상기 고정 측 1차 코일에 연결된 전력 공급원,
    상기 고정 측 1차 코일에 대응하여 소정 거리로 이간해서 설치되고, 동시에 상기 회전 테이블에 장착된 회전 테이블 측 2차 코일,
    상기 회전 테이블 측 2차 코일에 연결된 부하,
    를 포함하고,
    전자 유도에 의해, 상기 2차 코일을 통해서 상기 부하에 전력이 공급되어지는 것을 특징으로 하는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 부하가 상기 회전 테이블의 웨이퍼 처리를 실시하기 위한 웨이퍼 처리기구 인 것을 특징으로 하는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 고정 측 1차 코일에 연결된 제 1 공진 커패시터와, 상기 회전 테이블 측 2차 코일에 연결된 제 2공진 커패시터를 동시에 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구.
  4. 청구항 1 ~ 3 중 어느 한 항 기재의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 사용하여 상기 부하에 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 회전 테이블 용 비접촉 전력 공급 방법.
  5. 청구항 1 ~ 3 중 어느 한 항 기재의 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 회전 유지 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 웨이퍼 회전 유지 장치가 스핀 처리기구를 갖춘 것을 특징으로 하는 웨이퍼 회전 유지 장치.

KR1020187027864A 2016-04-21 2017-03-29 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치 KR20180121562A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-085365 2016-04-21
JP2016085365 2016-04-21
PCT/JP2017/012792 WO2017183402A1 (ja) 2016-04-21 2017-03-29 回転テーブル用非接触電力供給機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180121562A true KR20180121562A (ko) 2018-11-07

Family

ID=60116678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187027864A KR20180121562A (ko) 2016-04-21 2017-03-29 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10679862B2 (ko)
EP (1) EP3432351B1 (ko)
JP (1) JP6622389B2 (ko)
KR (1) KR20180121562A (ko)
CN (1) CN109075117B (ko)
SG (1) SG11201808871RA (ko)
TW (1) TWI728093B (ko)
WO (1) WO2017183402A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020096417A1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-14 (주)에이앤아이 집전 픽업을 포함하는 무선 로터리 검사장치
WO2020096424A1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-14 (주)에이앤아이 전력전달유닛을 포함하는 무선 로터리 검사장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019198181A (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 Ｎｉｔｔｏｋｕ株式会社 回転テーブル式製造装置
US20220224159A1 (en) * 2019-04-26 2022-07-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wireless power and data transmission apparatus and transmission module
JP7241646B2 (ja) * 2019-08-30 2023-03-17 京セラ株式会社 ヒータ及びヒータシステム
CN113131624A (zh) * 2021-04-22 2021-07-16 北京机械设备研究所 一种载车转塔无线供电装置
CN116372801A (zh) * 2023-04-12 2023-07-04 华海清科股份有限公司 一种承载组件和化学机械抛光系统

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232047A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ウェハ回転装置
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP4111479B2 (ja) 1999-09-09 2008-07-02 三益半導体工業株式会社 ウェーハ回転保持装置
JP3816359B2 (ja) * 2001-06-29 2006-08-30 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム
JP2004241492A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4364242B2 (ja) 2004-03-22 2009-11-11 三益半導体工業株式会社 スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
WO2006103773A1 (ja) 2005-03-30 2006-10-05 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. スピン処理方法及び装置
JP2008034463A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4753832B2 (ja) * 2006-10-19 2011-08-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板回転保持装置および基板処理装置
JP2008172161A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置およびこれを備えた基板処理装置
JP5135204B2 (ja) * 2008-12-26 2013-02-06 株式会社日立製作所 非接触電力伝送システム、および該非接触電力伝送システムにおける負荷装置
JP6011417B2 (ja) 2012-06-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
JP6036189B2 (ja) 2012-11-07 2016-11-30 ソニー株式会社 アンテナモジュール、情報通信装置及び情報通信システム
US20150083042A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Rotatable substrate support having radio frequency applicator
JP6690995B2 (ja) 2016-05-20 2020-04-28 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP6634154B2 (ja) * 2016-05-24 2020-01-22 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020096417A1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-14 (주)에이앤아이 집전 픽업을 포함하는 무선 로터리 검사장치
WO2020096424A1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-14 (주)에이앤아이 전력전달유닛을 포함하는 무선 로터리 검사장치
KR102111099B1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-15 (주)에이앤아이 집전 픽업을 포함하는 무선 로터리 검사장치
KR102111095B1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-15 (주)에이앤아이 전력전달유닛을 포함하는 무선 로터리 검사장치
CN112740053A (zh) * 2018-11-09 2021-04-30 Ani有限公司 包括集电拾取器的无线旋转式检查装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190148154A1 (en) 2019-05-16
CN109075117A (zh) 2018-12-21
JP6622389B2 (ja) 2019-12-18
CN109075117B (zh) 2023-01-17
EP3432351A4 (en) 2019-12-11
SG11201808871RA (en) 2018-11-29
EP3432351B1 (en) 2021-07-14
US10679862B2 (en) 2020-06-09
WO2017183402A1 (ja) 2017-10-26
TWI728093B (zh) 2021-05-21
JPWO2017183402A1 (ja) 2019-02-21
EP3432351A1 (en) 2019-01-23
TW201742140A (zh) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180121562A (ko) 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치
MY149067A (en) Hybrid rf capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency rf powers and methods of use thereof
TW200742224A (en) A system and method for contact free transfer of power
KR20240014562A (ko) 플라즈마 에칭 방법
TW200618081A (en) Method for reducing wafer charging during drying
JP2011062764A (ja) ワイヤ放電加工装置
ATE328462T1 (de) Einrichtung zum induktiven erwärmen von werkstücken
JP2006141115A (ja) 給電装置
JPWO2017204082A1 (ja) 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP2001333551A (ja) 非接触給電装置
JP4332551B2 (ja) 複雑な形状の加工品の誘電加熱処理
JP2020077654A5 (ko)
JPH0663885A (ja) 搬送用ロボットの試料把持部の静電チャックへの供電手段
KR20180129325A (ko) 액체가열장치
JPWO2018116621A1 (ja) ゲート駆動装置
KR102277816B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100737750B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
KR20150120118A (ko) 평면 유도코일 및 플라즈마 발생 장치
JP2632128B2 (ja) 高周波誘導加熱コイルに装着された磁性体のコアの脱落検出方法
JPS5953128A (ja) ワイヤカツト放電加工装置
KR100744638B1 (ko) 드럼 페라이트 코어의 고정을 위한 권선기의 고정장치
KR101449405B1 (ko) 무버를 포함하는 능동형 진동제어장치
KR100519259B1 (ko) 향상된 가공 균일성을 위한 정전 흡착 스테이지 및 이를구비한 기판 처리 장치
JP6476447B2 (ja) 電源装置
KR20150068188A (ko) 반도체 칠러장비를 위한 출력전압 가변장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application