JPWO2017204082A1 - 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 - Google Patents

回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017204082A1
JPWO2017204082A1 JP2018519229A JP2018519229A JPWO2017204082A1 JP WO2017204082 A1 JPWO2017204082 A1 JP WO2017204082A1 JP 2018519229 A JP2018519229 A JP 2018519229A JP 2018519229 A JP2018519229 A JP 2018519229A JP WO2017204082 A1 JPWO2017204082 A1 JP WO2017204082A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding
outer peripheral
rotary table
peripheral movable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018519229A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6634154B2 (ja
Inventor
郁夫 真下
郁夫 真下
正樹 田村
正樹 田村
秀彰 永井
秀彰 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Original Assignee
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd filed Critical Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Publication of JPWO2017204082A1 publication Critical patent/JPWO2017204082A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6634154B2 publication Critical patent/JP6634154B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Abstract

スピン処理中にウェーハの姿勢を維持した状態でウェーハの保持位置を変更させ、エッチングによる外周ピンの痕跡を軽減させ、洗浄残りや洗浄ムラを低減することができるようにした、回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置を提供する。上面にウェーハを保持する回転テーブルと、回転テーブルに設けられ且つウェーハの外周を保持するための可動する複数の外周可動ピンと、を有し、該複数の外周可動ピンが、複数の第一外周可動ピンと該第一外周可動ピンとはウェーハの保持位置の異なる複数の第二外周可動ピンとを含み、ウェーハの処理中に第一外周可動ピンと第二外周可動ピンによるウェーハの保持を替えることにより、ウェーハの保持位置を変更するようにした。

Description

本発明は、ウェーハ回転保持装置における回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置に関する。
従来、半導体製造工程において、スピンエッチング、スピン乾燥、スピンコーティング等のようにシリコンなどの半導体ウェーハを回転させつつ各種の処理を行う工程(スピンプロセスとも呼ばれる)が増加してきている。具体的な装置としては、スピンエッチング装置、スピン乾燥装置、スピンコーティング装置等のウェーハ回転保持装置が知られている。その他、デバイスの製造工程におけるウェーハ表面の処理としては、バックグラインディング後のダメージ層を除去するためのエッチング処理の他に、現像液のウェーハへの塗布、回路パターンを露光したウェーハ表面に現像液が塗布されたウェーハに半導体回路を焼き付けたものの現像処理、ウェーハ表面の洗浄等をあげることができる。このようなウェーハをスピン処理するためのウェーハ回転保持装置や方法として、例えば特許文献1〜4に記載される装置や方法がある。
図5は従来のウェーハ回転保持装置を示す概略模式図であり、図6は図5の駆動部の詳細を示す要部拡大図である。図5及び図6に示した如く、従来のウェーハ回転保持装置30における回転テーブル32上のウェーハWの保持方法は、1本の可動ピン34と2本の固定ピン36で構成される、3本の外周ピンでウェーハWを保持するものである。図5において符号40はウェーハWの下面を支持するための支持ピンである。
ウェーハWの投入の際には可動ピン34を外側に開き、ウェーハWをセットし、次に可動ピン34を閉じる事により固定ピン36側にウェーハWを押し付け保持を行う。ウェーハWを一度保持するとその状態でスピン処理を行い、スピン処理完了後、可動ピン34を開きウェーハWを取り出す構造になっている。可動ピン34の駆動伝達方法はスピン停止中に外部から非回転構造物に取付けたシリンダー38で押し上げ開閉を行う。スピン処理中は可動ピン34がヒンジ構造になっておりスプリングにてウェーハWを常時一定の圧力で固定ピン36側に押し付けて保持する。
前述した従来の回転テーブル32に置いたウェーハWを外周ピンにて固定する方法では、外周ピンの保持位置が処理中、一定である為、その部分にエッチングによるピンの痕跡が発生したり、接触部に洗浄残りが発生し、又ピンによる外周回り込みが阻害されバラツキが発生するといった問題があった。
特許第4625495号 特許第4111479号 特許第4257816号 特許第4364242号
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたもので、複数の外周可動ピンを用いウェーハを保持する外周可動ピンを替える事により、スピン処理中にウェーハの姿勢を維持した状態でウェーハの保持位置を変更させ、エッチングによる外周ピンの痕跡を軽減させ、洗浄残りや洗浄ムラを低減することができるようにした、回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構は、ウェーハ回転保持装置の回転テーブル用ウェーハ保持機構であって、回転軸と、前記回転軸の先端に載置され且つ上面にウェーハを保持する回転テーブルと、前記回転軸に動力を供給する駆動モータと、前記回転テーブルに設けられ且つウェーハの外周を保持するための可動する複数の外周可動ピンと、を有し、前記複数の外周可動ピンが、複数の第一外周可動ピンと前記複数の第一外周可動ピンとはウェーハの保持位置の異なる複数の第二外周可動ピンとから構成されてなり、前記第一外周可動ピンが前記ウェーハを保持状態の間は前記第二外周可動ピンはウェーハを非保持状態とされてなり、前記第二外周可動ピンが前記ウェーハを保持状態の間は前記第一外周可動ピンがウェーハを非保持状態されてなり、前記ウェーハの処理中に前記第一外周可動ピンと前記第二外周可動ピンによる保持を替えることにより、前記ウェーハの保持位置を変更するようにした、回転テーブル用ウェーハ保持機構である。
前記複数の外周可動ピンによる前記ウェーハの保持が、前記回転テーブル内に設けられたソレノイドにより制御されることが好適である。
本発明の回転テーブル用ウェーハ保持方法は、前記回転テーブル用ウェーハ保持機構を用いて、前記ウェーハを保持してなる回転テーブル用ウェーハ保持方法である。
本発明のウェーハ回転保持装置は、前記回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えてなるウェーハ回転保持装置である。
前記ウェーハ回転保持装置が、スピン処理機構を備えるのが好適である。
本発明によれば、複数の外周可動ピンを用いウェーハを保持する外周可動ピンを替える事により、スピン処理中にウェーハの姿勢を維持した状態でウェーハの保持位置を変更させ、エッチングによる外周ピンの痕跡を軽減させ、洗浄残りや洗浄ムラを低減することができるようにした、回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置を提供することができるという著大な効果を奏する。
本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えたウェーハ回転保持装置の一つの実施の形態を示す概略模式図である。 本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えたウェーハ回転保持装置の要部拡大図である。 本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えたウェーハ回転保持装置の要部拡大図である。 本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構に用いることのできる電力供給機構の一つの実施の形態を示す概略模式図である。 従来のウェーハ回転保持装置を示す概略模式図である。 図5の従来のウェーハ回転保持装置の要部拡大図である。
以下に本発明の実施の形態を説明するが、これら実施の形態は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。図示において、同一部材は同一符号であらわされる。
図1及び2において、符号10は、本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構を示す。回転テーブル用ウェーハ保持機構10は、ウェーハ回転保持装置11の回転テーブル用ウェーハ保持機構であって、回転軸18と、前記回転軸18の先端に載置され且つ上面にウェーハWを保持する回転テーブル12と、前記回転軸18に動力を供給する駆動モータ20と、前記回転テーブル12に設けられ且つウェーハの外周を保持するための可動する複数の外周可動ピンと、を有する。前記複数の外周可動ピンは、複数の第一外周可動ピン14と前記複数の第一外周可動ピン14とはウェーハWの保持位置の異なる複数の第二外周可動ピン16とから構成されてなる。本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構10は、前記第一外周可動ピン14が前記ウェーハWを保持状態の間は前記第二外周可動ピン16はウェーハWを非保持状態とされてなり、前記第二外周可動ピン16が前記ウェーハWを保持状態の間は前記第一外周可動ピン14がウェーハWを非保持状態されてなり、前記ウェーハWの処理中に前記第一外周可動ピン14と前記第二外周可動ピン16による保持を替えることにより、前記ウェーハの保持位置を変更するようにしたものである。図1において、符号24はウェーハWの下面を支持するための支持ピンである。
図2は本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構10を備えたウェーハ回転保持装置11の一例の駆動部の詳細を示す平面図である。図2では複数の外周可動ピンとして、外周方向に約2mm稼働する3個の第一外周可動ピン14及び外周方向に約2mm稼働する3個の第二外周可動ピン16を用い、ウェーハ処理中にウェーハWを第一外周可動ピン14と第二外周可動ピン16により交互に保持することにより、スピン処理中にウェーハWの姿勢を維持した状態でウェーハの保持位置を変更させるものであり、これによりエッチングによる外周ピンの痕跡を軽減させ、洗浄残りや洗浄ムラを低減することができる。
前記外周可動ピンによるウェーハの保持における外周可動ピンの稼働方法は特に制限はないが、図1及び3に示した如く、回転テーブル12内に設けられたソレノイド28により制御されることが好適である。図1及び3において、符号22は永久磁石、符号26は支点である。図示例ではウェーハの保持はレバー方式として永久磁石22をレバー下部に埋め込み、電磁石の強弱によりウェーハレバーの開閉を行い、電磁石の極性を変更する事により第一外周可動ピン14と第二外周可動ピン16によるウェーハ保持を切り替える。
外周可動ピンによるウェーハの保持における外周可動ピンの動作の一例を以下に説明する。ウェーハWを供給する際は、ソレノイド28を使用して全ての第一外周可動ピン14及び全ての第二外周可動ピン16を矢印にて示した外周方向に倒す。ウェーハWをセット後、第一外周可動ピン14を内側に倒し第一外周可動ピン14によりウェーハWを保持する。回転テーブル12を回転させ、処理、例えば、薬液等をウェーハ上に塗布、を開始する。一定の処理時間が経過した段階で、第二外周可動ピン16を内側に倒して保持状態とした後、第一外周可動ピン14を外周方向に倒して非保持状態とし、第二外周可動ピン16によりウェーハWを保持する。ウェーハWの処理中、第一外周可動ピン14と第二外周可動ピン16にて交互にウェーハの保持位置を変更する。図示例では電磁石を用いてソレノイドの極性を変更することにより外周可動ピンの駆動を行うが、ソレノイドに加える電圧を変更することによりウェーハへの押し圧を制御することも可能である。
図示例では、回転軸18はSUS(ステンレス鋼)製、回転テーブル12は工業用プラスチックなどの合成樹脂製である。回転テーブル12の回転数は特に制限はないが、100〜1000rpmが好適である。
第一外周可動ピン14及び第二外周可動ピン16の形状は特に制限はないが、円柱形状が好適である。図示例では直径3mm程度の円柱形状のピンである。第一外周可動ピン14及び第二外周可動ピン16は複数本設けられ、それぞれ3本以上設けられることが望ましい。第一外周可動ピン14及び第二外周可動ピン16の配置は均等が望ましい。本発明においてウェーハの外周を保持するための外周ピンは全て可動することが好適である。
ソレノイドを駆動させる為の電源供給方法としては特に制限はなく、例えば、回転テーブル内に電池を組み込み電源を供給し、回転テーブルを回転にする事により遠心力にてモータ駆動のスイッチングを行う方法、回転軸からスリップリングを利用して電源を供給し、給電と同時に回転を開始する方法、電磁誘導を使用して回転テーブルに電源を供給し、給電と同時に回転を開始する方法等が挙げられる。
電源供給手段として電磁誘導による方法を用いた一つの実施の形態として、電力供給機構70を図4に示す。図4において、電力供給機構70は、回転軸18と、前記回転軸18の先端に載置され且つ上面にウェーハWを保持する回転テーブル12と、前記回転軸18に動力を供給する駆動モータ20と、前記回転軸18の周囲に巻回された固定側1次コイル72と、前記固定側1次コイル72に接続された電力供給源74と、前記固定側1次コイル72に対応して所定距離離間して設けられ、且つ前記回転テーブル12に取り付けられた回転テーブル側2次コイル76と、を含むものである。前記回転テーブル側2次コイル76に電線80を介して回転制御用モータを接続することにより、電磁誘導により、前記2次コイル76を介してソレノイド等の負荷50に電力が供給される。
本発明のウェーハ回転保持装置が、スピン処理機構を備えることが好適である。該スピン処理機構としては、例えば、スピンエッチング装置、スピン乾燥装置、スピンコーティング装置等における、エッチング処理機構、乾燥機構、コーティング機構等が挙げられる。その他のスピン処理機構としては、デバイスの製造工程におけるウェーハ表面の処理として、バックグラインディング後のダメージ層を除去するためのエッチング処理機構の他に、現像液のウェーハへの塗布機構、回路パターンを露光したウェーハ表面に現像液が塗布されたウェーハに半導体回路を焼き付けたものの現像処理機構、ウェーハ表面の洗浄機構等が挙げられる。使用される処理薬液としては特に制限はなく、酸系/アルカリ系のエッチング洗浄液、及びリンス水が好適に用いられる。
本発明の回転テーブル用ウェーハ保持方法は、回転テーブル用ウェーハ保持機構を用いて前記ウェーハを保持する方法である。また、ウェーハ回転保持装置は、回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えた装置である。
10:本発明の回転テーブル用ウェーハ保持機構、11:本発明のウェーハ回転保持装置、12,32:回転テーブル、14:第一外周可動ピン、16:第二外周可動ピン、18:回転軸、20:駆動モータ、22:永久磁石、24,40:支持ピン、26:支点、28:ソレノイド、30:従来のウェーハ回転保持装置、34:可動ピン、36:固定ピン、38:シリンダー、50:負荷、70:電力供給機構、72:固定側1次コイル、74:電力供給源、76:回転テーブル側2次コイル、W:ウェーハ。

Claims (5)

  1. ウェーハ回転保持装置の回転テーブル用ウェーハ保持機構であって、
    回転軸と、
    前記回転軸の先端に載置され且つ上面にウェーハを保持する回転テーブルと、
    前記回転軸に動力を供給する駆動モータと、
    前記回転テーブルに設けられ且つウェーハの外周を保持するための可動する複数の外周可動ピンと、
    を有し、
    前記複数の外周可動ピンが、複数の第一外周可動ピンと前記複数の第一外周可動ピンとはウェーハの保持位置の異なる複数の第二外周可動ピンとから構成されてなり、
    前記第一外周可動ピンが前記ウェーハを保持状態の間は前記第二外周可動ピンはウェーハを非保持状態とされてなり、前記第二外周可動ピンが前記ウェーハを保持状態の間は前記第一外周可動ピンがウェーハを非保持状態されてなり、
    前記ウェーハの処理中に前記第一外周可動ピンと前記第二外周可動ピンによる保持を替えることにより、前記ウェーハの保持位置を変更するようにした、回転テーブル用ウェーハ保持機構。
  2. 前記複数の外周可動ピンによる前記ウェーハの保持が、前記回転テーブル内に設けられたソレノイドにより制御される、請求項1記載の回転テーブル用ウェーハ保持機構。
  3. 請求項1又は2記載の回転テーブル用ウェーハ保持機構を用いて、前記ウェーハを保持してなる、回転テーブル用ウェーハ保持方法。
  4. 請求項1又は2記載の回転テーブル用ウェーハ保持機構を備えてなる、ウェーハ回転保持装置。
  5. 前記ウェーハ回転保持装置が、スピン処理機構を備える、請求項4記載のウェーハ回転保持装置。
JP2018519229A 2016-05-24 2017-05-18 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 Active JP6634154B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016103243 2016-05-24
JP2016103243 2016-05-24
PCT/JP2017/018695 WO2017204082A1 (ja) 2016-05-24 2017-05-18 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017204082A1 true JPWO2017204082A1 (ja) 2019-04-04
JP6634154B2 JP6634154B2 (ja) 2020-01-22

Family

ID=60412842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018519229A Active JP6634154B2 (ja) 2016-05-24 2017-05-18 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10818538B2 (ja)
EP (1) EP3442015B1 (ja)
JP (1) JP6634154B2 (ja)
CN (1) CN109155272A (ja)
WO (1) WO2017204082A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048466A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆夹持装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180121562A (ko) * 2016-04-21 2018-11-07 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 회전 테이블용 비접촉 전력 공급 기구 및 공급 방법과 웨이퍼 회전 유지 장치
US10818538B2 (en) * 2016-05-24 2020-10-27 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer holding mechanism for rotary table and method and wafer rotating and holding device
KR101856875B1 (ko) * 2016-12-06 2018-05-10 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 캐리어 두께 측정장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107023A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Toshiba Microelectron Corp 被処理物の回転保持装置
JP2004115872A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2004241492A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008103521A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および基板処理装置
JP2010130018A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Semes Co Ltd 基板保持装置、それを有する基板処理装置及びそれを利用する基板処理方法
JP2010130021A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Semes Co Ltd スピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06232047A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ウェハ回転装置
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US5676360A (en) * 1995-07-11 1997-10-14 Boucher; John N. Machine tool rotary table locking apparatus
US6190113B1 (en) * 1997-04-30 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Quartz pin lift for single wafer chemical vapor deposition/etch process chamber
JP2000094307A (ja) * 1998-09-18 2000-04-04 Ebara Corp ポリッシング装置
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
JP4111479B2 (ja) 1999-09-09 2008-07-02 三益半導体工業株式会社 ウェーハ回転保持装置
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US7056392B1 (en) * 2003-04-16 2006-06-06 Lsi Logic Corporation Wafer chucking apparatus and method for spin processor
WO2005091346A1 (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Mimasu Semiconductor Industry Co. Ltd. スピンエッチングにおける工程管理方法及びスピンエッチング装置
WO2006103773A1 (ja) 2005-03-30 2006-10-05 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. スピン処理方法及び装置
KR100809593B1 (ko) * 2006-09-12 2008-03-04 세메스 주식회사 스핀헤드
JP6053528B2 (ja) * 2013-01-11 2016-12-27 株式会社荏原製作所 基板把持装置
JP6205159B2 (ja) * 2013-04-09 2017-09-27 芝浦メカトロニクス株式会社 基板把持装置および基板処理装置
JP6302665B2 (ja) * 2013-12-24 2018-03-28 株式会社ディスコ スピンナー装置
US10818538B2 (en) * 2016-05-24 2020-10-27 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer holding mechanism for rotary table and method and wafer rotating and holding device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09107023A (ja) * 1995-10-13 1997-04-22 Toshiba Microelectron Corp 被処理物の回転保持装置
JP2004115872A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2004241492A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008103521A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および基板処理装置
JP2010130018A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Semes Co Ltd 基板保持装置、それを有する基板処理装置及びそれを利用する基板処理方法
JP2010130021A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Semes Co Ltd スピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048466A (zh) * 2019-12-26 2020-04-21 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆夹持装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3442015B1 (en) 2024-02-14
US20190295879A1 (en) 2019-09-26
US10818538B2 (en) 2020-10-27
EP3442015A1 (en) 2019-02-13
WO2017204082A1 (ja) 2017-11-30
CN109155272A (zh) 2019-01-04
JP6634154B2 (ja) 2020-01-22
EP3442015A4 (en) 2019-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017204082A1 (ja) 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
US7866058B2 (en) Spin head and substrate treating method using the same
US11056362B2 (en) Wafer heating and holding mechanism and method for rotary table, and wafer rotating and holding device
CN107104074B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN106024688B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR20150034100A (ko) 스핀 처리 장치
JP2012191168A (ja) 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置
JP2013183140A5 (ja) 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR20080060684A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판지지 방법
KR100829924B1 (ko) 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
US10916456B2 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
JP6837291B2 (ja) 回転テーブル用ウェーハ回転保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP6670675B2 (ja) 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP2023147712A (ja) 洗浄装置
KR20110056032A (ko) 기판 처리 장치
KR20010093683A (ko) 습식 세정 장치 및 습식 에칭 방법
WO2020129757A1 (ja) 基板処理装置
JP2010092928A (ja) 基板処理装置
JP6715078B2 (ja) 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
JP2008124515A (ja) 基板洗浄装置
JP2015153895A (ja) 現像装置および現像方法
KR20160145866A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2019192849A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20100054519A (ko) 기판 회전 장치
KR20090070206A (ko) 웨이퍼 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6634154

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250