JP2008103521A - 基板回転保持装置および基板処理装置 - Google Patents
基板回転保持装置および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008103521A JP2008103521A JP2006284627A JP2006284627A JP2008103521A JP 2008103521 A JP2008103521 A JP 2008103521A JP 2006284627 A JP2006284627 A JP 2006284627A JP 2006284627 A JP2006284627 A JP 2006284627A JP 2008103521 A JP2008103521 A JP 2008103521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- energy
- group
- magnetic force
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】基板の任意の停止位置および任意の回転位置で基板の保持状態および非保持状態を切り換えることが可能な基板回転保持装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンベース201の周縁部には、複数の回動式保持部材202Aおよび複数の回動式保持部材202Bが取り付けられている。その内部には、磁石233がそれぞれ設けられている。スピンベース201の内部収容空間223には、複数の電磁石241Aおよび複数の電磁石241Bが設けられている。スピンベース201の下面には、環状の受電コイル242Aおよび受電コイル242Bが設けられている。各電磁石241Aは受電コイル242Aに接続され、各電磁石241Bは受電コイル242Bに接続されている。受電コイル242A,242Aに対向するように、送電コイル245A,245Bが設けられている。
【選択図】図1
Description
以下、第1の実施の形態に係る基板回転保持装置(スピンチャック)およびこれを備えた基板処理装置の構成について図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。図2は、基板回転保持装置の内部の構成を説明するための模式的横断面図である。
次に、基板処理装置100の制御系について説明する。図3は、基板処理装置100の制御系を示すブロック図である。
ここで、AC−DC変換回路250,251の具体例について説明する。図4は、AC−DC変換回路250の構成を示す回路図である。なお、AC−DC変換回路251は、AC−DC変換回路250と同様の構成を有する。
次に、回動式保持部材202A,202Bによる基板Wの保持状態の設定について説明する。以下、回動式保持部材202Aを第1グループとし、回動式保持部材202Bを第2グループとする。
次に、図1〜図3および図8を参照して、制御部10による制御処理について説明する。図8は、制御部10による制御処理を示すフローチャートである。ここでは、一例として基板Wの周縁部を洗浄またはエッチングする処理について説明する。
本実施の形態では、送電コイル245A,245Bによって交番磁界が発生されることにより、受電コイル242A,242Bが電磁誘導による電流を発生し、その電流が電磁石241A,241Bに供給される。それにより、各電磁石241A,241Bの磁力により各回動式保持部材202A,202Bが駆動される。
以下、本発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置100について、上記第1の実施の形態と異なる点を説明する。第2の実施の形態に係る基板処理装置100は、基板回転保持装置200の代わりに以下に示す基板回転保持装置200aを備える。
図9(a),(b)は、基板回転保持装置200aの模式的断面図および基板回転保持装置200aの内部の構成を示す模式的平面図である。図9を参照して、基板回転保持装置200aについて第1の実施の形態で示した基板回転保持装置200と異なる点を説明する。
第2の実施の形態では、光源262A,262Bから太陽電池261A,261Bに光が照射されることによって各電磁石241A,241Bに電流が供給される。それにより、各電磁石241A,241Bの磁力により、各回動式保持部材202A,202Bが駆動される。
以下、本発明の第3の実施の形態に係る基板処理装置100について、上記第1の実施の形態と異なる点を説明する。第3の実施の形態に係る基板処理装置100は、基板回転保持装置200の代わりに以下に示す基板回転保持装置200bを備える。
上記第1〜第3の実施の形態においては、回動式保持部材202A,202Bを第1保持状態および第2保持状態の一方から他方に切り換えることにより基板Wの保持部分を変更しているが、これに限らず、他の方法により基板Wの保持部分を変更してもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
24 モータ
100 基板処理装置
200 基板回転保持装置
201 スピンベース
202A,202B 回動式保持部材
241A,241B 電磁石
242A,242B 受電コイル
245A,245B 送電コイル
250,251 AC−DC変換回路
261A,261B 太陽電池
262A,262B 光源
Claims (12)
- 基板を保持しつつ回転させる基板回転保持装置であって、
回転軸の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動手段と、
基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持位置と基板の外周端部から離間する基板解放位置との間で移動可能に前記回転部材に設けられた複数の可動式保持部材と、
前記回転部材に向けて電力に変換可能なエネルギーを放射するように設けられたエネルギー放射手段と、
前記エネルギー放射手段により放射されたエネルギーを受けるように前記回転部材に設けられ、受けたエネルギーから電力を発生する電力発生手段と、
前記電力発生手段により発生された電力から磁力を発生し、発生した磁力により前記複数の可動式保持部材の各々を前記基板保持位置および前記基板解放位置に移動させるように前記回転部材に設けられた磁力発生手段とを備え、
前記エネルギー放射手段および前記電力発生手段の少なくとも一方は、前記回転部材の回転軸を中心とする環状領域に配置され、
前記エネルギー放射手段および前記電力発生手段の他方は、前記環状領域の少なくとも一部に対向するように配置されたことを特徴とする基板回転保持装置。 - 前記エネルギー放射手段は、前記エネルギーとして磁気エネルギーを発生する磁気エネルギー発生手段を含むことを特徴とする請求項1記載の基板回転保持装置。
- 前記電力発生手段は、前記磁気エネルギー発生手段により発生される磁気エネルギーを電力に変換するコイルを含むことを特徴とする請求項2記載の基板回転保持装置。
- 前記コイルから出力される交流電流を直流電流に変換するとともに得られた直流電流を前記磁力発生手段に供給する変換回路をさらに備えることを特徴とする請求項3記載の基板回転保持装置。
- 前記エネルギー放射手段は、前記エネルギーとして光エネルギーを発生する光エネルギー発生手段を含むことを特徴とする請求項1記載の基板回転保持装置。
- 前記電力発生手段は、前記光エネルギー発生手段により発生された光エネルギーを電力に変換する光起電力素子を含むことを特徴とする請求項5記載の基板回転保持装置。
- 前記複数の可動式保持部材は、第1グループの保持部材および第2グループの保持部材を含み、
前記エネルギー放射手段は、電力に変換可能なエネルギーをそれぞれ放射する第1および第2のエネルギー放射素子を含み、
前記電力発生手段は、
前記第1のエネルギー放射素子により放射されたエネルギーを受けるように前記回転部材に設けられ、受けたエネルギーから電力を発生する第1の電力発生素子と、
前記第2のエネルギー放射素子により放射されたエネルギーを受けるように前記回転部材に設けられ、受けたエネルギーから電力を発生する第2の電力発生素子とを含み、
前記磁力発生手段は、
前記第1の電力発生素子により発生された電力から磁力を発生し、発生した磁力により前記第1グループの保持部材を前記基板保持位置および前記基板解放位置に移動させる第1の磁力発生素子と、
前記第2の電力発生素子により発生された電力から磁力を発生し、発生した磁力により前記第2グループの保持部材を前記基板保持位置および前記基板解放位置に移動させる第2の磁力発生素子を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板回転保持装置。 - 前記第1グループおよび第2グループの保持部材が前記基板保持位置にある第1状態、前記第1グループおよび第2グループの保持部材が前記基板解放位置にある第2状態、前記第1グループの保持部材が前記基板保持位置にあって前記第2グループの保持部材が前記基板解放位置にある第3状態、および前記第1グループの保持部材が前記基板解放位置にあって前記第2グループの保持部材が前記基板保持位置にある第4状態の間で前記第1グループおよび第2グループの保持部材の状態が切り換わるように前記第1および第2のエネルギー放射素子を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする請求項7記載の基板回転保持装置。
- 前記制御部は、前記回転駆動手段による前記回転部材の回転時に、前記第1グループおよび第2グループの保持部材が前記第3状態および第4状態の一方の状態から他方の状態に切り換わるように前記第1および第2のエネルギー放射素子を制御することを特徴とする請求項8記載の基板回転保持装置。
- 前記複数の可動式保持部材の各々を前記基板保持位置および前記基板解放位置の一方に付勢する付勢手段をさらに備え、
前記磁力発生手段は、磁力により前記付勢手段の付勢力に抗して前記複数の可動式保持部材の各々を前記基板保持位置および前記基板解放位置の他方に移動させることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の基板回転保持装置。 - 前記付勢手段は、前記複数の可動式保持部材の各々を前記基板保持位置に付勢し、
前記磁力発生手段は、磁力により前記付勢手段の付勢力に抗して前記複数の可動式保持部材の各々を前記基板解放位置に移動させることを特徴とする請求項10記載の基板回転保持装置。 - 基板を保持する請求項1〜11のいずれかに記載の基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により回転される基板に処理を行う処理手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006284627A JP4753832B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 基板回転保持装置および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006284627A JP4753832B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 基板回転保持装置および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008103521A true JP2008103521A (ja) | 2008-05-01 |
JP4753832B2 JP4753832B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=39437632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006284627A Expired - Fee Related JP4753832B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 基板回転保持装置および基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4753832B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232523A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置 |
KR20160010342A (ko) * | 2014-07-18 | 2016-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 온도 균일도의 증가를 위한 서셉터 히터의 국부적 온도 제어 |
KR20170054279A (ko) * | 2015-11-03 | 2017-05-17 | 램 리서치 아게 | 웨이퍼 형상 물품들의 표면들을 처리하기 위한 장치 |
JP2017147408A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017204569A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
JP2017208513A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
WO2017204082A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
JPWO2017183402A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2019-02-21 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用非接触電力供給機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
CN114823476A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆旋转机构、晶圆旋转夹持机构及晶圆清洗干燥系统 |
EP3442016B1 (en) * | 2016-05-26 | 2023-06-07 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Wafer heating and holding device and method for rotary table, and wafer rotating and holding device |
KR20230132700A (ko) * | 2022-03-09 | 2023-09-18 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140655A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
JPH1140492A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11121596A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
JP2004111902A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004241492A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
2006
- 2006-10-19 JP JP2006284627A patent/JP4753832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140655A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
JPH1140492A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11121596A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
JP2004111902A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004241492A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232523A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置 |
KR20160010342A (ko) * | 2014-07-18 | 2016-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 온도 균일도의 증가를 위한 서셉터 히터의 국부적 온도 제어 |
KR102422305B1 (ko) | 2014-07-18 | 2022-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 온도 균일도의 증가를 위한 서셉터 히터의 국부적 온도 제어 |
KR20170054279A (ko) * | 2015-11-03 | 2017-05-17 | 램 리서치 아게 | 웨이퍼 형상 물품들의 표면들을 처리하기 위한 장치 |
KR102644438B1 (ko) | 2015-11-03 | 2024-03-06 | 램 리서치 아게 | 웨이퍼 형상 물품들의 표면들을 처리하기 위한 장치 |
JP2017147408A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20170243735A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
CN107104074A (zh) * | 2016-02-19 | 2017-08-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US11031235B2 (en) | 2016-02-19 | 2021-06-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
CN107104074B (zh) * | 2016-02-19 | 2020-10-30 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US10777404B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-09-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
EP3432351A4 (en) * | 2016-04-21 | 2019-12-11 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | CONTACTLESS POWER SUPPLY MECHANISM AND METHOD FOR A TURNTABLE, AND WAFER HOLDING AND ROTATING DEVICE |
US10679862B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-06-09 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Contactless electric power supply mechanism and method for rotary table, and wafer rotating and holding device |
JPWO2017183402A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2019-02-21 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用非接触電力供給機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
JP2017204569A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
JP2017208513A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
JPWO2017204082A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2019-04-04 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
US10818538B2 (en) | 2016-05-24 | 2020-10-27 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Wafer holding mechanism for rotary table and method and wafer rotating and holding device |
CN109155272A (zh) * | 2016-05-24 | 2019-01-04 | 三益半导体工业株式会社 | 旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置 |
WO2017204082A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 三益半導体工業株式会社 | 回転テーブル用ウェーハ保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置 |
EP3442016B1 (en) * | 2016-05-26 | 2023-06-07 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | Wafer heating and holding device and method for rotary table, and wafer rotating and holding device |
KR20230132700A (ko) * | 2022-03-09 | 2023-09-18 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
KR102674784B1 (ko) | 2022-03-09 | 2024-06-14 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치 |
CN114823476A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆旋转机构、晶圆旋转夹持机构及晶圆清洗干燥系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4753832B2 (ja) | 2011-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4753832B2 (ja) | 基板回転保持装置および基板処理装置 | |
JP6168273B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6660202B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101559022B1 (ko) | 기판 열처리 기구 | |
WO2011010661A1 (ja) | 処理装置及びその動作方法 | |
KR100745371B1 (ko) | 자기부상형 웨이퍼 스테이지 | |
JP2004254489A (ja) | 位置決め装置、及びその位置決め装置を利用した露光装置 | |
CN103066000A (zh) | 晶圆承载设备及晶圆承载的方法 | |
CN103065997A (zh) | 晶圆承载设备及晶圆承载的方法 | |
KR102120535B1 (ko) | 기판 유지 회전 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 | |
JP5283704B2 (ja) | 静電チャック | |
CN111051986A (zh) | 清洁在光刻装置内的支撑件的装置和方法 | |
JP2017524269A (ja) | 基板処理用ヒーター装置及びこれを備えた基板液処理装置 | |
JP4702958B2 (ja) | 位置決め装置 | |
WO2018055834A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008159677A (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
JP2006203122A (ja) | ウェハ吸着装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008305863A (ja) | 処理装置 | |
JP2017522726A (ja) | ロールツーロールウエハ裏側粒子及び汚染の除去 | |
KR20090132966A (ko) | 기판 고정 장치 | |
JP2008172161A (ja) | 基板回転保持装置およびこれを備えた基板処理装置 | |
JP5711581B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011135009A (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
KR20220010725A (ko) | 분할된 양면 웨이퍼 및 레티클 클램프 | |
TW202106404A (zh) | 用於去除半導體製造中的微粒的設備和方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110524 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |