KR20180118164A - 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광경화성 실리콘 조성물은, (A) 평균 조성식: R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2 (상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 12의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 12의 아르알킬 기이되; 단, R2의 30 몰% 이상은 아릴 기 또는 아르알킬 기이고; "a" 및 "b"는 1 ≤ a + b ≤ 2.5 및 0.001 ≤ a/(a + b) ≤ 0.2를 충족시키는 양수임)로 표시되는 유기폴리실록산; (B) 한 분자 내에 2개 이상의 에테르 결합 및 1개 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물; (C) 한 분자 내에 2개 이상의 티올 기를 갖는 화합물; (D) 인 원자를 갖는 광라디칼 개시제; 및 (E) 장애 페놀 화합물을 포함한다. 본 조성물은, 광이 차폐되는 부분이 미경화된 상태로 남아 있고, 고온에서 또는 고온/고습 조건에서의 착색 또는 헤이즈로 인한 투과율 감소를 억제하고, 탁월한 코팅성을 달성한다는 점에서 문제를 해결한다.

Description

광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물
본 발명은 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물(cured product)에 관한 것이다.
일본 미심사 특허 출원 공개 제2013-253179A호는, 지방족 불포화 기를 갖는 직쇄 유기폴리실록산; 규소 원자-결합된 메르캅토알킬 기를 갖는 유기폴리실록산; 아실포스핀 옥사이드계 광반응 개시제; 및 아세토페논 및/또는 프로피오페논을 포함하는 자외 방사선-경화성 실리콘 조성물을 제안한다.
그러나, 그러한 자외 방사선-경화성 실리콘 조성물은 자외 방사선에 의한 심부 경화성(deep curability)이 불량하고 경화가 불충분한 문제, 및 실리콘 경화물이 고온 또는 고습 조건에 노출되어 야기되는 착색 및 헤이즈 발생 문제를 갖는다.
본 발명의 목적은 활성 에너지선 조사(active energy ray irradiation)에 의해 탁월한 심부 경화성을 갖는 광경화성 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 게다가, 본 발명의 다른 목적은 경화물이 고온/고습 조건에 방치되는 때에도 헤이즈를 야기하지 않고 투명성을 유지하는 경화물을 제공하는 것이다.
과제의 해결 수단
본 발명의 광경화성 실리콘 조성물은,
(A) 평균 조성식(average composition formula):
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 12의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 12의 아르알킬 기이되; 단, R2의 30 몰% 이상은 아릴 기 또는 아르알킬 기이고; "a" 및 "b"는 1 ≤ a + b ≤ 2.5 및 0.001 ≤ a/(a + b) ≤ 0.2를 충족시키는 양수임)로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부;
(B) 한 분자 내에 2개 이상의 에테르 결합 및 1개 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물 3 내지 30 질량부;
(C) 한 분자 내에 2개 이상의 티올 기를 갖는 화합물로서, 본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.2 내지 2.0 몰이 되는 양의 상기 화합물;
(D) 인 원자를 갖는 광라디칼 개시제 0.05 내지 1.0 질량부; 및
(E) 장애 페놀 화합물 0.001 내지 1.0 질량부
를 포함한다.
본 발명의 경화물은 상기에 기재된 광경화성 실리콘 조성물에 광을 조사함으로써 얻어진다.
발명의 효과
본 발명의 광경화성 실리콘 조성물은 활성 에너지선의 조사에 의해 경화되며, 조사된 부분에 가까운 조사되지 않은 부분이 또한 경화될 수 있다. 게다가, 본 발명의 경화물은 고온/고습 조건에 방치되는 때에도 투명성을 유지하며 착색 및 헤이즈를 야기할 가능성이 더 적다.
우선, 본 발명의 광경화성 실리콘 조성물을 상세히 설명할 것이다.
성분 (A)는 본 조성물의 기본 화합물이며 하기 평균 조성식에 의해 표시되는 유기폴리실록산이다:
R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2.
상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, 이의 예에는 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기가 포함된다. 이들 중, 비닐 기 및 헥세닐 기가 바람직하다.
상기 식에서, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 12의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 12의 아르알킬 기이다. 알킬 기의 예에는 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기가 포함된다. 이들 중, 메틸 기가 바람직하다. 아릴 기의 예에는 페닐 기, 톨릴 기, 나프틸 기 및 바이페닐 기가 포함된다. 이들 중, 페닐 기가 바람직하다. 아르알킬 기의 예에는 페닐메틸 기, 1-페닐에틸 기, 2-페닐에틸 기, 및 2-페닐프로필 기가 포함된다. 이들 중, 2-페닐에틸 기 및 2-페닐프로필 기가 바람직하다. 성분 (A)에서, 한 분자 내에 R2의 30 몰% 이상은 아릴 기 또는 아르알킬 기이다.
게다가, 상기 화학식에서, "a" 및 "b"는 1 ≤ a + b ≤ 2.5, 바람직하게는 1.5 ≤ a + b ≤ 2.2를 충족시키고, 0.001 ≤ a/(a + b) ≤ 0.2, 바람직하게는 0.005 ≤ a/(a + b) ≤ 0.1을 충족시키는 양수이다.
25℃에서의 성분 (A)의 상태는 제한되지 않으며 바람직하게는 액체이다. 성분 (A)의 25℃에서의 점도는 제한되지 않지만, 점도는 바람직하게는 100 내지 1000000 mPa·s의 범위이다.
성분 (A)는 상기 평균 조성식을 충족시키는 유기폴리실록산의 한 유형일 수 있거나, 또는 상기 평균 조성식을 충족시키는 유기폴리실록산의 둘 이상의 유형의 혼합물일 수 있다. 그러한 성분 (A)의 예에는 하기 "평균 조성식 : 평균 식"으로 표시되는 유기폴리실록산이 포함된다. 식에서, "Me", "Vi", "Hex", "Ph", "Phe", 및 "Php"는 각각 메틸 기, 비닐 기, 헥세닐 기, 페닐 기, 2-페닐에틸 기, 및 2-페닐프로필 기를 나타냄에 유의한다.
Vi0.03Me1.03Ph0.97SiO0.99 : ViMe2SiO(MePhSiO)65SiMe2Vi
Vi0.10Me1.10Ph0.90SiO0.95 : ViMe2SiO(MePhSiO)18.4SiMe2Vi
Vi0.09Me1.06Ph0.91SiO0.97 : PhSi{O(PhMeSiO)10SiMe2Vi}3
Hex0.09Me1.07Ph0.89SiO0.98 : Si{O(PhMeSiO)10SiMe2Hex}4
Hex0.12Me1.12Ph0.88SiO0.94 : HexMe2SiO(PhMeSiO)15SiMe2Hex
Vi0.06Me1.38Phe0.63SiO0.97 : ViMe2SiO(PheMeSiO)20(Me2SiO)10SiMe2Vi
Hex0.06Me1.38Php0.63SiO0.97 : HexMe2SiO(PhpMeSiO)20(Me2SiO)10SiMe2Hex
성분 (B)는 본 조성물의 두 번째 기본 화합물이며 한 분자 내에 2개 이상의 에테르 결합 및 하나 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물이다. 성분 (B)에서 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기는 제한되지 않으며, 그의 예에는 알케닐 기, 아크릴로일 기, 및 메타크릴로일 기가 포함된다. 이들 중, 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기가 바람직하다. 게다가, 25℃에서의 성분 (B)의 상태는 제한되지 않으며 바람직하게는 액체이다. 성분 (B)의 25℃에서의 점도는 제한되지 않지만, 점도는 바람직하게는 1 내지 10000 mPa·s의 범위이다.
그러한 성분 (B)의 예에는 페녹시 다이에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 트라이에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 노나에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 에톡시 다이에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 에톡시에톡시에틸 아크릴레이트, 노닐페녹시 테트라에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 노닐페녹시 옥타에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 노닐페녹시 다이프로필렌 글리콜 아크릴레이트, 메톡시 다이에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 다이프로필렌 글리콜 다이아크릴레이트, 트라이프로필렌 글리콜 다이아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 다이아크릴레이트, 비스페놀 다이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 비스페놀 A 트라이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 비스페놀 A 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A 트라이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A 테트라에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A 폴리에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이비닐 에테르, 트라이프로필렌 글리콜 다이비닐 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 모노알릴 에테르, 메톡시 폴리에틸렌 글리콜 알릴 에테르, 프로필렌 글리콜 알릴 에테르, 부톡시 폴리에틸렌 글리콜/프로필렌 글리콜 알릴 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 다이알릴 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 다이알릴 에테르, 트라이메틸올프로판 트라이알릴 에테르, 트라이메틸올프로판 다이알릴 에테르, 펜타에리트리톨 테트라알릴 에테르, 및 펜타에리트리톨 트라이알릴 에테르가 포함된다.
성분 (B)의 함량은 성분 (A) 100 질량부당 3 내지 30 질량부, 바람직하게는 5 내지 20 질량부의 범위이다. 이는, 성분 (B)의 함량이 상기에 기재된 범위의 하한 이상인 경우에, 고온/고습에서의 경화물의 투과율의 감소가 작아지기 때문이다. 다른 한편, 함량이 상기에 기재된 범위의 상한 이하인 경우에, 고온에서의 경화물의 경도 변화가 작아지고 착색이 감소된다.
성분 (C)는 본 조성물의 경화제이며, 한 분자 내에 2개 이상의 티올 기를 갖는 화합물이다. 성분 (C)는, 성분이 성분 (A) 및/또는 성분 (B)에서 충분한 용해도를 갖기만 하면 제한되지 않는다.
그러한 성분 (C)의 예에는 o-, m-, 또는 p-자일렌다이티올, 에틸렌글리콜 비스티오글리콜레이트, 부탄다이올 비스티오글리콜레이트, 헥산다이올 비스티오글리콜레이트, 에틸렌글리콜 비스(3-티오프로피오네이트), 부탄다이올 비스(3-티오프로피오네이트), 트라이메틸올프로판 트리스(3-티오프로피오네이트), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-티오프로피오네이트), 트라이하이드록시에틸 트라이아이소시아누르산 트리스(3-티오프로피오네이트), 및 메르캅토 기로 치환된 유기폴리실록산이 포함된다.
성분 (C)의 함량은, 본 성분에 의해 제공되는 티올 기의 양이 본 조성물의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.2 내지 2.0 몰의 범위, 바람직하게는 0.3 내지 1.6 몰의 범위가 되는 양이다. 이는, 성분 (C)의 함량이 상기에 기재된 범위 이내인 경우에, 생성되는 경화물의 기계적 강도가 증가하기 때문이다.
성분 (D)는 본 조성물의 광경화 반응을 개시하기 위한 성분이며, 인 원자를 함유하는 광라디칼 개시제이다. 그러한 성분 (D)의 예에는 다이페닐(2,4,6-트라이메틸벤조일)포스핀 옥사이드 (상표명: TPO, 바스프(BASF)에 의해 제조됨), 에틸(2,4,6-트라이메틸벤조일)페닐 포스포네이트 (상표명: TPO-L, 바스프에 의해 제조됨), 및 페닐비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)포스핀 옥사이드 (상표명: 이르가큐어(Irgacure) 819, 바스프에 의해 제조됨)가 포함된다.
성분 (D)의 함량은 성분 (A) 100 질량부당 0.05 내지 1.0 질량부의 범위, 바람직하게는 0.1 내지 0.8 질량부의 범위이다. 이는, 성분 (D)의 함량이 상기에 기재된 범위 이내인 경우에, 경화가 효율적으로 진행되어 탁월한 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 형성하기 때문이다.
성분 (E)는 본 조성물의 경화물에 내열성을 부여하기 위한 장애 페놀 화합물이다. 그러한 성분 (E)의 예에는 펜타에리트리톨 테트라키스[3-(3,5-다이-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 티오다이에틸렌 비스[3-(3,5-다이-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-다이-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 2,4-다이메틸-6-(1-메틸펜타데실)페놀, 다이에틸[{3,5-비스(1,1-다이-tert-부틸-4-하이드록시페닐)메틸}포스포네이트, 3 3′,3′′,5,5′,5′′-헥산-tert-부틸-4-a,a′,a′′-(메시틸렌-2,4,6-톨릴)트라이-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-하이드록시-m-톨릴)프로피오네이트], 및 헥사메틸렌 비스[3-(3,5-다이-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트]가 포함된다.
성분 (E)의 함량은 성분 (A) 100 질량부당 0.001 내지 1 질량부의 범위, 바람직하게는 0.003 내지 0.5 질량부의 범위이다. 이는, 성분 (E)의 함량이 상기에 기재된 범위 이내인 경우에, 광경화 이전의 조성물의 점도 변화가 작고 탁월한 내열성 및 내광성을 갖는 경화물이 얻어지기 때문이다.
본 조성물은 상기에 기재된 성분 (A) 내지 성분 (E)를 포함하지만; 본 조성물의 광 차폐 조건에서의 저장 안정성을 향상시키기 위해, 바람직하게는 (F) 성분 (E) 이외의 라디칼 제거제(radical scavenger)가 함유된다. 그러한 성분 (F)의 예에는 장애 아민, 예를 들어 N,N′,N′′,N′′′-테트라키스(4,6-비스(부틸-(N-메틸-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-4-일)아미노)-트라이아진-2-일)-4,7-다이아자데칸-1,10-다이아민, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)[[3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시페닐]메틸]부틸말로네이트, 메틸-1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜세바케이트, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트, 및 8-아세틸-3-도데실-7,7,9,9-테트라메틸-1,3,8-트라이아자스피로[4.5]데칸-2,4-다이온; 퀴논 또는 페놀, 예를 들어 메틸하이드로퀴논, 1,4-나프토퀴논, 4-메톡시나프톨, tert-부틸하이드로퀴논, 벤조퀴논, 피로갈롤, 및 페노티아진이 포함된다.
성분 (F)의 함량은 제한되지 않지만; 함량은 바람직하게는 성분 (A) 100 질량부당 0.0001 내지 1 질량부, 0.0001 내지 0.1 질량부, 또는 0.0001 내지 0.05 질량부의 범위이다. 이는, 성분 (F)의 함량이 상기에 기재된 범위 이내인 경우에, 탁월한 내열성 및 내광성을 갖는 경화물이 얻어지기 때문이다.
본 조성물은, 본 발명의 목적을 해치지 않는 한, 선택적인 성분으로서, (G) 상기에 기재된 성분 (A) 및 성분 (B) 이외의, 한 분자 내에 1개 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물; 접착부여제(adhesion-imparting agent); 무기 충전제, 예를 들어 실리카, 산화티타늄, 유리, 알루미나 또는 산화아연; 폴리메타크릴레이트 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지 미세 분말 뿐만 아니라; 안료 또는 형광 물질을 추가로 함유할 수 있다.
성분 (G)는, 성분이 한 분자 내에 1개 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물이기만 하면 제한되지 않으며, 바람직하게는 25℃에서 액체이다. 성분 (G)의 25℃에서의 점도는 제한되지 않지만, 점도는 바람직하게는 1 내지 500 mPa·s의 범위이다.
그러한 성분 (G)의 예에는 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 아이소보르닐 아크릴레이트, 아이소보르닐 메타크릴레이트, 아이소옥틸 아크릴레이트, 라우릴 아크릴레이트, 스테아릴 아크릴레이트, 아이소데실 아크릴레이트, 트라이아크릴레이트, 하이드록시에틸 아크릴레이트, 하이드록시에틸 메타크릴레이트, 메톡시에틸 아크릴레이트, 메톡시에틸 메타크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 테트라하이드로푸란 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, o-페닐페놀 에톡시에틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트, 헥산 다이올 다이아크릴레이트, 노난 다이올 다이아크릴레이트, 2-프로펜산 옥타하이드로-4,7-메타노-1H-인덴-5-일 에스테르, 데실 비닐 에테르, 2-에틸헥실 비닐 에테르, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 알릴 메타크릴레이트, 다이비닐 설폰, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란, 및 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실란이 포함된다.
성분 (G)의 함량은 제한되지 않지만; 함량은 바람직하게는 성분 (A) 100 질량부당 10 질량부 이하, 또는 5 질량부 이하이다.
게다가, 접착부여제의 예에는 실란 화합물, 예를 들어 3-글리시독시프로필트라이메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실란, 및 3-메타크릴옥시 프로필트라이메톡시실란; 한 분자 내에 규소 원자-결합된 알케닐 기 및/또는 규소 원자-결합된 수소 원자 중 적어도 하나 및 하나 이상의 규소-결합된 알콕시 기를 갖는 실록산 화합물; 하나 이상의 규소 원자-결합된 알콕시 기를 갖는 실란 화합물 또는 실록산 화합물과 한 분자 내에 하나 이상의 규소 원자-결합된 하이드록시 기 및 하나 이상의 규소-결합된 알케닐 기를 갖는 실록산 화합물의 혼합물; 메틸 폴리실리케이트, 에틸 폴리실리케이트, 및 에폭시 기-함유 에틸 폴리실리케이트가 포함된다. 접착부여제의 함량은 제한되지 않지만, 함량은 바람직하게는 성분 (A) 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부의 범위이다.
본 조성물의 25℃에서의 점도는 제한되지 않지만; 점도는 바람직하게는 100 내지 100000 mPa·s의 범위, 또는 500 내지 10000 mPa·s의 범위이다. 이는, 본 조성물의 점도가 상기에 기재된 범위의 하한 이상인 경우에, 높은 기계적 강도를 갖는 경화물이 얻어질 수 있기 때문이다. 다른 한편, 점도가 상기에 기재된 범위의 상한 이하인 경우에, 생성되는 조성물의 탁월한 코팅성/작업성이 달성되고 경화물 내의 공극의 형성이 회피되기 때문이다.
이제 본 발명의 경화물을 상세하게 설명할 것이다.
이 경화물은 본 조성물에 광을 조사함으로써 얻어지는 경화물이다. 본 조성물을 경화시키는 데 사용되는 광의 예에는 자외광 및 가시광이 포함되지만, 250 내지 500 nm의 범위의 파장을 갖는 광이 바람직하다. 이는, 탁월한 경화성이 달성되고 경화물이 광에 의해 분해되지 않기 때문이다.
경화물의 형태는 제한되지 않으며 시트, 필름, 또는 블록 형태일 수 있다. 경화물은 다양한 기재와 조합될 수 있다.
본 조성물은 다양한 포팅제(potting agent), 밀봉제, 및 접착제로서 유용하다. 이의 경화물은 고온 조건에서 또는 고온/고습 조건에서 더 적은 착색을 야기하고 헤이즈를 야기할 가능성이 더 적기 때문에, 본 조성물은 이미지 디스플레이 장치의 이미지 디스플레이부와 보호부 사이에서 중간층을 형성하기 위한 재료로서 적합하다.
실시예
본 발명의 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물을 이제 실시예 및 비교예를 사용하여 상세하게 설명할 것이다. 식에서, "Me", "Ph", 및 "Vi"는 각각 메틸 기, 페닐 기, 및 비닐 기를 나타냄에 유의한다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성을 하기와 같이 측정하였다.
경화성 실리콘 조성물의 점도
콘 플레이트(cone plate) 점도계를 사용하여, 광경화성 실리콘 조성물의 25℃에서의 점도를 측정하였다.
광경화성 실리콘 조성물의 심부 경화성
일측이 폐쇄되고 길이가 20 cm이고 내경이 5 mm인 흑색 튜브 내에, 광경화성 실리콘 조성물을 충전하였다. 일측의 개방부로부터, 고압 수은 램프를 사용하여 200 mW/㎠의 UV 조도로 20초 동안 자외광을 조사하였다. 조사 후에, 튜브를 절단하고, 경화로 인해 유동성을 상실한 부분의 길이를 측정하였다.
경화물의 경도
광경화성 실리콘 조성물을 미리 결정된 형상의 오목부를 갖는 금형 내에 충전하고, 고압 수은 램프를 사용하여 누적 방사선이 4000 mJ/㎠가 되게 하는 방식으로 액체 표면으로부터 상부에서 자외광을 조사하였다. 얻어진 경화물의 경도를 ASTM 2240-00에 규정된 방법에 의해 타입 00 쇼어 경도계(Shore Durometer)를 사용하여 측정하였다.
경화물의 투과율 및 헤이즈
상기에 기재된 바와 같이 경화된, 500 μm의 두께를 갖는 플레이트-유사 경화물에 대해, ASTM D1003에 규정된 방법에 따라 투과율 및 헤이즈를 측정하였다. 그 후에, 플레이트-유사 경화물을 105℃에서 1000시간 동안 유지함으로써 얻어지는 샘플 및 플레이트-유사 경화물을 85℃ 및 85% RH의 환경에서 1000시간 동안 유지함으로써 얻어지는 샘플에 대해, 상기에 기재된 방법과 동일한 방식으로 투과율 및 헤이즈의 각각을 측정하였다.
경화물의 황변 지수
상기에 기재된 바와 같이 경화된, 500 μm의 두께를 갖는 플레이트-유사 경화물에 대해, ASTM D6290에 규정된 방법에 따라 황변 지수 b*를 측정하였다. 그 후에, 플레이트-유사 경화물을 105℃에서 1000시간 동안 유지함으로써 얻어지는 샘플 및 플레이트-유사 경화물을 85℃ 및 85% RH의 환경에서 1000시간 동안 유지함으로써 얻어지는 샘플에 대해, 상기에 기재된 방법과 동일한 방식으로 각각의 황변 지수 b*를 측정하였다.
하기 유기폴리실록산을 성분 (A)로서 사용하였다.
(a1) 40000 mPa·s의 점도를 갖고 하기 평균 식으로 표시되는 유기폴리실록산:
ViMe2SiO(MePhSiO)65SiMe2Vi
(평균 조성식: Vi0.03Me1.03Ph0.97SiO0.99)
(a2) 2000 mPa·s의 점도를 갖고 하기 평균 식으로 표시되는 유기폴리실록산:
ViMe2SiO(MePhSiO)18.4SiMe2Vi
(평균 조성식: Vi0.10Me1.10Ph0.90SiO0.95)
(a3) 2000 mPa·s의 점도를 갖고 하기 평균 식으로 표시되는 유기폴리실록산:
ViMe2SiO(Me2SiO)300SiMe2Vi
(평균 조성식: Vi0.01Me2.00SiO1.00)
하기 유기 화합물을 성분 (B)로서 사용하였다:
(b1): 점도가 35 mPa·s인 페녹시 테트라에틸렌 글리콜 아크릴레이트
(b2): 점도가 90 mPa·s인 메톡시 노나에틸렌 글리콜 아크릴레이트
(b3): 점도가 100 mPa·s인 노닐페녹시 테트라에틸렌 글리콜 아크릴레이트
(b4): 점도가 125 mPa·s인 노닐페녹시 다이프로필렌 글리콜 아크릴레이트
(b5): 점도가 55 mPa·s인 노나에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트
(b6): 점도가 150 mPa·s인 노닐페녹시 옥타에틸렌 글리콜 아크릴레이트
하기 화합물을 성분 (C)로서 사용하였다:
(c1): 트라이메틸올프로판 트리스(3-티오프로피오네이트)
(c2): 펜타에리트리톨 테트라키스(티오글리콜레이트)
(c3): 펜타에리트리톨 테트라키스(3-티오프로피오네이트)
하기 광라디칼 개시제를 성분 (D)로서 사용하였다.
(d1): 다이페닐(2,4,6-트라이메틸벤조일)포스핀 옥사이드
(d2): 에틸(2,4,6-트라이메틸벤조일)페닐 포스피네이트
(d3): 페닐비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)포스핀 옥사이드
(d4): 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온
(d5): 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤
하기 장애 페놀 화합물을 성분 (E)로서 사용하였다.
(e1): 다이-tert-부틸하이드록시톨루엔
하기 라디칼 제거제를 성분 (F)로서 사용하였다.
(f1): tert-부틸하이드로퀴논
(f2): 피로갈롤
(f3): 알루미늄-N-니트로소-N-페닐하이드록실아민
(f4): 4-메톡시나프톨
하기 유기 화합물을 성분 (G)로서 사용하였다.
(g1): 점도가 15 mPa·s인 아이소보르닐 아크릴레이트
(g2): 점도가 10 mPa·s인 테트라하이드로푸르푸릴 아크릴레이트
(g3): 점도가 10 mPa·s인 아이소옥틸 아크릴레이트
(g4): 점도가 10 mPa·s인 아이소데실 아크릴레이트
실시예 1
성분 (a1) 54 질량부와 성분 (a2) 46 질량부로 이루어지며, 점도가 10200 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b1) 5.2 질량부, 성분 (c1) 10.6 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.005 질량부, 성분 (g1) 2.9 질량부, 및 성분 (g2) 0.6 질량부를 혼합하여, 점도가 4970 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 2
성분 (a1) 54 질량부와 성분 (a2) 46 질량부로 이루어지며, 점도가 10200 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b1) 10 질량부, 성분 (c1) 20 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.6 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.6 질량부, 및 성분 (g3) 2.4 질량부를 혼합하여, 점도가 4072 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 3
성분 (a1) 54 질량부와 성분 (a2) 46 질량부로 이루어지며, 점도가 10200 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 10 질량부, 성분 (b3) 8 질량부, 성분 (c1) 5.9 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.5 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.3 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 및 성분 (g2) 0.65 질량부를 혼합하여, 점도가 3230 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 4
성분 (a1) 61 질량부와 성분 (a2) 39 질량부로 이루어지며, 점도가 12000 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 9 질량부, 성분 (b4) 5 질량부, 성분 (c2) 16 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.5 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 4.6 질량부를 혼합하여, 점도가 3450 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 5
성분 (a1) 61 질량부와 성분 (a2) 39 질량부로 이루어지며, 점도가 12000 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 13 질량부, 성분 (b5) 2 질량부, 성분 (c3) 12.4 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 5.2 질량부를 혼합하여, 점도가 3270 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 6
성분 (a1) 47 질량부와 성분 (a2) 53 질량부로 이루어지며, 점도가 8200 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.07Me1.07Ph0.93SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 9 질량부, 성분 (c1) 3.8 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.4 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.3 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 및 성분 (g2) 0.6 질량부를 혼합하여, 점도가 4.210 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 7
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b6) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3170 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 8
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b6) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.7 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f2) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3050 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 9
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b6) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d2) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f3) 0.005 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3110 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
실시예 10
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b6) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d3) 0.27 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f4) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3060 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 1에 나타나 있다.
[표 1]
Figure pct00001
[표 1]
Figure pct00002
Figure pct00003
비교예 1
성분 (a3) 100 질량부, 성분 (b2) 10 질량부, 성분 (b3) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.005 질량부, 및 성분 (g2) 0.6 질량부를 혼합하여, 점도가 1120 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 2
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (c1) 5.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.72 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 8650 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 3
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b1) 1.5 질량부, 성분 (c1) 6.3 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.74 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 5440 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 4
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b1) 40 질량부, 성분 (c1) 6.3 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.90 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 1330 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 5
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 1.9 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.15 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3700 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 6
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 28 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 2.2 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.4 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 2710 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 7
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 0.02 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3080 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 8
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d1) 1.2 질량부, 성분 (e1) 0.2 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3010 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 9
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d4) 0.40 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3110 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 10
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d4) 1.08 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 2960 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 11
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b4) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d5) 1.08 질량부, 성분 (e1) 0.1 질량부, 성분 (f1) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 2960 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
비교예 12
성분 (a1) 60 질량부와 성분 (a2) 40 질량부로 이루어지며, 점도가 12500 mPa·s이고 하기 평균 조성식:
Vi0.06Me1.06Ph0.94SiO0.97
으로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부, 성분 (b2) 11 질량부, 성분 (b6) 8 질량부, 성분 (c1) 12.7 질량부 (본 성분 내의 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 1.0 몰이 되는 양), 성분 (d3) 0.27 질량부, 성분 (f4) 0.01 질량부, 성분 (g2) 0.7 질량부, 및 성분 (g4) 2.7 질량부를 혼합하여, 점도가 3080 mPa·s인 광경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 광경화성 실리콘 조성물 및 이의 경화물의 특성이 표 2에 나타나 있다.
[표 2]
Figure pct00004
[표 2]
Figure pct00005
산업상 이용가능성
본 조성물은 자외광 및 가시광과 같은 고 에너지선의 조사에 의해 용이하게 경화되고, 투명한 경화물을 제공하고, 탁월한 심부 경화성을 갖는다. 그러므로, 본 조성물은 다양한 포팅제, 밀봉제, 및 접착제로서 유용하다.

Claims (5)

  1. 광경화성 실리콘 조성물로서,
    (A) 평균 조성식(average composition formula):
    R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
    (상기 식에서, R1은 탄소수 2 내지 12의 알케닐 기이고, R2는 탄소수 1 내지 12의 알킬 기, 탄소수 6 내지 12의 아릴 기, 또는 탄소수 7 내지 12의 아르알킬 기이되; 단, R2의 30 몰% 이상은 상기 아릴 기 또는 상기 아르알킬 기이고; "a" 및 "b"는 1 ≤ a + b ≤ 2.5 및 0.001 ≤ a/(a + b) ≤ 0.2를 충족시키는 양수임)로 표시되는 유기폴리실록산 100 질량부;
    (B) 한 분자 내에 2개 이상의 에테르 결합 및 1개 이상의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물 3 내지 30 질량부;
    (C) 한 분자 내에 2개 이상의 티올 기를 갖는 화합물로서, 본 성분 내의 상기 티올 기의 양이 본 조성물 내의 총 지방족 탄소-탄소 이중 결합 1 몰당 0.2 내지 2.0 몰이 되는 양의 상기 화합물;
    (D) 인 원자를 갖는 광라디칼 개시제 0.05 내지 1.0 질량부; 및
    (E) 장애 페놀 화합물 0.001 내지 1.0 질량부
    를 포함하는, 광경화성 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 성분 (B)는 한 분자 내에 2개 이상의 에테르 결합 및 1개 이상의 아크릴로일 기 또는 메타크릴로일 기를 갖는 유기 화합물인, 광경화성 실리콘 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (F) 성분 (E) 이외의 라디칼 제거제(radical scavenger)를, 성분 (A) 100 질량부당 0.0001 내지 1 질량부의 양으로 추가로 포함하는, 광경화성 실리콘 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (G) 성분 (A) 및 성분 (B) 이외의 지방족 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 유기 화합물을, 성분 (A) 100 질량부당 10 질량부 이하의 양으로 추가로 포함하는, 광경화성 실리콘 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광경화성 실리콘 조성물에 광을 조사(irradiating)함으로써 얻어지는, 경화물.
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