KR20180099952A - 반송 장치 - Google Patents

반송 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180099952A
KR20180099952A KR1020187025024A KR20187025024A KR20180099952A KR 20180099952 A KR20180099952 A KR 20180099952A KR 1020187025024 A KR1020187025024 A KR 1020187025024A KR 20187025024 A KR20187025024 A KR 20187025024A KR 20180099952 A KR20180099952 A KR 20180099952A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
space
rod plate
chamber
opening
Prior art date
Application number
KR1020187025024A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102073504B1 (ko
Inventor
가즈야 오노
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
Publication of KR20180099952A publication Critical patent/KR20180099952A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102073504B1 publication Critical patent/KR102073504B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판(10)은 격벽(21)으로 이격된 제 1 공간(CR)과 제 2 공간(20) 사이에서, 격벽에 형성된 개구부(22)를 통해서 반송된다. 반송 장치는, 기판을 지지하는 지지부를 갖고, 격벽과의 사이에 간극을 형성한 상태에서 개구부를 막도록 마련되며, 지지부를, 지지부가 제 1 공간에 면하는 상태로부터 지지부가 제 2 공간에 면하는 상태로 이동시키는 지지 장치와; 간극의 양을 조정해서, 제 1 공간으로부터 제 2 공간으로의 유체의 이동을 억제하는 조정 장치를 포함한다.

Description

반송 장치{TRANSPORT APPARATUS}
본 발명은 반송 장치 및 노광 장치에 관한 것이다.
본원은, 2009년 6월 9일에 출원된 미국 특허 가출원 제 61/213,447 호 및 2010년 6월 8일에 출원된 미국 특허 출원 제 12/795,939 호에 근거하여 우선권을 주장하며, 그 내용은 여기에 참조로서 포함된다.
포토리소그래피 공정에서 사용되는 노광 장치에 있어서, 예컨대 하기 특허 문헌 1에 개시된 바와 같이, 노광광으로서 극단 자외(EUV:Extreme Ultra-Violet) 광을 이용하는 EUV 노광 장치가 제안되어 있다.
종래, 이 종류의 노광 장치에서는, 진공 챔버 내로 웨이퍼와 같은 감광 기판을 반송하고, 반송 시간을 단축하는 기술로서, 예컨대 특허 문헌 2이 개시된 바와 같이, 슬릿이 형성된 격벽으로 구획되고, 진공도가 차례로 높아지는 복수(특허 문헌 2에서는 3연속)의 로드록 챔버를 마련하고, 격벽의 슬릿을 통해서 복수의 로드록 챔버에 감광 기판을 차례로 통과시키는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제 2005-032510호 공보 일본 특허 공개 제 2004-179567호 공보
상술한 바와 같은 종래 기술에서는, 로드록 챔버가 복수 마련되기 때문에 장치가 대형화될 가능성이 있다.
또한, 최근에는 패턴 라인이 가늘어지기 때문에, 요구되는 진공도가 높아져서, 이 요구에 맞추기 위해서는, 로드록 챔버의 수를 증가시키거나, 배기 능력을 높이도록 펌프를 포함해야 해서, 장치의 크기 및 가격을 더 상승시킨다.
또한, 복수의 로드록 챔버를 이용해서 진공도를 차례로 높이는 경우에는, 각 로드록 챔버에서 배기하는 시간이 필요하기 때문에, 감광 기판에 대한 노광 처리의 스루풋이 저하될 가능성이 있다.
본 발명의 일부 측면은 장치의 크기 및 가격의 상승을 억제하면서, 높은 스루풋 및 높은 진공도를 제공할 수 있는 반송 장치 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면은, 격벽으로 분리된 제 1 공간과 제 2 공간 사이에서, 이 격벽에 형성된 개구부를 통해서 기판을 반송하는 반송 장치를 제공하며, 이는 기판을 지지하는 지지부를 갖고, 격벽과의 사이에 간극을 형성한 상태에서 개구부를 막도록 마련되고, 지지부를 제 1 공간에 면하는 상태로부터 제 2 공간에 면하는 상태로 이동시키는 지지 장치와, 개구부에 삽입된 지지 장치와 격벽 사이의 간극을 조정해서, 제 1 공간으로부터 제 2 공간으로의 유체의 이동을 억제하는 조정 장치를 갖는 것이다.
본 발명의 다른 측면은, 격벽으로 분리된 제 1 공간과 제 2 공간 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 제공하며, 이는 기판을 지지하며, 제 1 공간과 제 2 공간 사이를 이동하는 지지부를 갖는 지지 장치와, 제 1 공간과 제 2 공간에 접속되며 지지 장치의 이동 경로를 적어도 일부를 형성하는 제 3 공간과, 제 3 공간에 있는 기체를 배기하는 배기 장치를 가지며, 배기 장치는 기판의 이동 경로를 따라서 차례로 배치된 서로 배기 특성이 다른 복수의 배기부를 구비한 것이다.
본 발명의 따른 측면에 있어서의 노광 장치는, 앞에 기재한 반송 장치를 구비하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 측면에 있어서의 챔버 장치는, 내부 공간에 면하는 개구부를 가지며, 내부 공간을 외부 공간으로 연통시키는 연락 공간과, 연락 공간에 마련된 흡인구를 가진 흡인 장치를 갖는 것이다.
본 발명의 측면에 의하면, 장치의 크기 및 가격의 상승을 억제하면서 고진공도를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 반사 결상 광학계에서는, 8장의 미러에 의해 구성된 파 동공 타입의 광학계로서, 입사 동공과 제 1 면 사이의 광축에 따른 거리(PD), 제 1 면과 제 2 면 사이의 광축에 따른 거리(TT), 및 제 1 면에 입사하는(입사할 수 있는) 주광선의 입사 각도(R)가 필요한 조건을 만족하고 있다. 따라서, 큰 개구수를 가진 파 동공 타입의 반사 결상 광학계를 실현할 수 있다. 또한, 수차가 양호하게 보정된 광학계를 실현할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 반사 결상 광학계는, 8장의 미러에 의해 구성된 파 동공 타입의 광학계로서, 제 1 반사경 내지 제 3 반사경이 광축으로부터 소정 영역 측에 배치되어 있다. 따라서, 수차를 양호하게 보정할 수 있다. 또한, 조명 영역과 광축의 거리를 비교적 크게 확보할 수 있고, 나아가서는 필요한 크기 혹은 길이의 입사 동공 거리(PD)를 확보할 수 있다.
본 발명의 반사 결상 광학계를 노광 장치에 적용한 경우, 노광광(노광선)으로서 예컨대 5㎚ 내지 40㎚의 파장을 가진 EUV 광(EUV 광선)을 사용할 수 있다. 이 경우, 반사 결상 광학계에 대해서 전사할 마스크의 패턴 및 감광성 기판을 상대적으로 이동시켜서, 마스크의 패턴을 감광성 기판상에 고해상도로 투영해서 노광할 수 있게 된다. 그 결과, 큰 해상력을 가진 주사형의 노광 장치를 이용해서, 양호한 노광 조건 하에서, 고정밀도의 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1은 EUV 노광 장치의 일례(4장 투영 시스템)를 나타내는 개략 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 노광 장치의 챔버 및 반송 장치를 모식적으로 나타내는 도면,
도 3은 개구부 및 반송 장치를 나타내는 구성도,
도 4는 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도,
도 5는 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 정면 단면도,
도 6은 실시예 2에 따른 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도,
도 7은 실시예 2에 따른 반송 장치의 개략 구성을 나타내는 정면 단면도,
도 8은 반송 장치에 의한 웨이퍼 반송을 설명하기 위한 도면,
도 9는 반송 장치에 의한 웨이퍼 반송을 설명하기 위한 도면,
도 10은 반송 장치의 다른 구성 형태를 나타내는 부분 평면도,
도 11은 본 발명의 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 흐름도,
도 12는 도 11에 있어서의 스텝 S13의 상세 공정의 일례를 나타내는 도면,
도 13은 로드 플레이트에 의한 웨이퍼 반송을 설명하기 위한 도면,
도 14는 실시예 2에 있어서의 로드 플레이트에 의한 웨이퍼 반송을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 반송 장치 및 노광 장치의 실시예를, 도 1로부터 도 12를 참조해서 설명한다. 본 실시예에서는, 극단 자외(EUV)광으로 기판을 노광하는 EUV 노광 장치에 있어서, 대기압하의 클린룸과, 클린룸 내에서 대략 진공 상태인 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 경우를 예로 해서 설명한다.
또한, 이하의 설명에서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재 사이 위치 관계에 대해서 설명한다. 이하의 각 도면에 있어서는, 수평면 내의 소정 방향을 X축 방향, 수평면 내에서 X축 방향과 직교하는 방향을 Y축 방향, X축 방향 및 Y축 방향 각각과 직교하는 방향(즉, 연직 방향)을 Z축 방향으로 정의한다. X축, Y축, 및 Z축 주위의 회전(경사) 방향에 대해서는, 각각 θX, θY 및 θZ 방향으로 정의한다.
또한, 기판으로서, 반도체 디바이스 제조용 반도체 웨이퍼(이하, 줄여서 웨이퍼라고 한다)를 이용한 경우를 예로서 설명한다. 그러나, 기판은 이것으로 한정되는 것이 아니다.
(실시예 1)
도 1에 나타내는 EUV 노광 장치(EX)는, 광원을 포함하는 조명 시스템(IL)을 구비하고 있다. 조명 시스템(IL)으로부터 방사된 EUV 광(일반적으로 파장 5㎚ 내지 20㎚ 범위의 파장이 이용되고, 구체적으로는 13㎚이나 11㎚의 파장이 이용됨)은, 반환 미러(1)에서 반사되어 레티클(마스크)(2)에 조사된다.
레티클(2)은 레티클 스테이지(3)에 유지되어 있다. 이 레티클 스테이지(3)는, 스캔 방향(Y축)으로 100㎜ 이상의 스트로크를 갖고, 레티클면 내의 주사 방향과 직교하는 방향(X축)으로 미소 스트로크를 가지며, 광축 방향(Z축)으로도 미소 스트로크를 갖고 있다. XY 방향의 위치는 레이저 간섭계(도시 생략)에 의해서 고정밀도로 모니터되고, Z 방향은 레티클 포커스 송광 시스템(4)과 레티클 포커스 수광 시스템(5)으로 이루어지는 레티클 포커스 센서에 의해 모니터된다.
레티클(2)에서 반사된 EUV 광은, 도면 중 아래쪽의 광학 경통(14) 내에 입사한다. 이 EUV 광은, 레티클(2)에 그려진 회로 패턴에 대한 정보를 포함하고 있다. 레티클(2)에는 EUV 광을 반사하는 다층막(예컨대, Mo/Si나 Mo/Be)이 형성되어 있고, 이 다층막 위에, 흡수층(예컨대 Ni나 Al)의 유무에 의해 패터닝되어 있다.
광학 경통(14) 내에 입사한 EUV 광은, 제 1 미러(6)에서 반사된 후에, 제 2 미러(7), 제 3 미러(8), 제 4 미러(9)에 의해서 차례로 반사되며, 최종적으로는 웨이퍼(기판)(10)에 대해 수직으로 입사한다. 투영 시스템의 축소 배율은, 예컨대 1/4나 1/5이다. 이 도면에서는, 미러는 4장이다. 그러나, N.A.를 보다 크게 하기 위해서는, 6장 또는 8장의 미러를 마련하면 효과적이다. 경통(14)의 근방에는, 얼라인먼트용 축외(off-axis) 현미경(15)이 배치되어 있다.
웨이퍼(10)는, 웨이퍼 스테이지(11) 상에 실려 있다. 웨이퍼 스테이지(11)는 광축과 직교하는 면 내(XY 평면)를 자유롭게 이동할 수 있고, 그 스트로크는 예컨대 300㎜ 내지 400㎜의 범위이다. 웨이퍼 스테이지(11)는, 광축 방향(Z축)으로도 미소한 상하 스트로크가 가능하고, Z 방향의 위치는 웨이퍼 오토포커스 송광 시스템(12)과 웨이퍼 오토포커스 수광 시스템(13)으로 이루어지는 웨이퍼 포커스 센서에서 모니터되고 있다. 웨이퍼 스테이지(11)의 XY 방향의 위치는 레이저 간섭 시스템(도시 생략)에 의해서 고정밀도로 모니터되고 있다. 노광 동작에 있어서, 레티클 스테이지(3)와 웨이퍼 스테이지(11)는 투영 시스템의 축소 배율과 같은 속도비, 즉 4:1 또는 5:1로 동기 주사를 수행한다.
다음으로, 노광 장치(EX)의 메인 챔버 및 기판 반송 장치에 대해서 설명한다.
도 2는, 본 발명에 따른 노광 장치(EX)의 메인 챔버 및 기판 반송 장치를 모식적으로 나타내는 도면이다. 노광 장치(EX)는, 기압(대기압), 습도, 온도 등이 관리된 공간인 클린룸(제 1 공간)(CR) 내에 마련되어 있다.
조명 시스템(IL)을 포함하는 경통이나 광학 경통(14) 등(도 1 참조)은, 클린룸(CR)으로부터 분리된(구획된) 공간인 챔버(제 2 공간)(20) 내에 수용되어 있다. 그리고, 챔버(20) 내에는, 도 1에 도시된 바와 같은 노광 장치(EX)가 배치되어 있다. 한편, 도 2에서는, 노광 장치(EX) 중, 웨이퍼(W)를 탑재하여 위치 결정하기 위한 웨이퍼 스테이지(11)를 발췌하여 도시하고 있다. 이 챔버(20)의 도면 중 아래쪽에는, 터보 분자 펌프나 초기 러핑 펌프(roughing pump) 등을 포함하는 배기 시스템(26)이 접속되어 있다. 이 배기 시스템(26)에 의해, 챔버(20) 내는 대기압에서 10-4Pa 정도까지 배기된다.
이런 식으로, 클린룸(CR)(제 1 공간)이 제 1 압력으로 설정된 제 1 압력실이고, 챔버(20)(제 2 공간)가 제 2 압력으로 설정된 제 2 압력실인 관계로 되어 있다. 그러나, 본 발명은 이러한 구성으로 한정되는 것이 아니며, 제 1 공간과 제 2 공간이 동일한 압력을 갖도록 설정되어 있어도 된다. 본 실시예에서는, 적어도 제 1 공간으로부터 제 2 공간으로의 기체의 이동(즉, 유체의 흐름)이 억제된다. 또한, 제 2 공간으로부터 제 1 공간으로의 기체의 이동(즉, 유체의 흐름)이 억제될 수도 있다.
또한, 예컨대, 제 1 공간과 제 2 공간의 기체의 종류를 서로 다르게 설정하고, 양 기체가 서로 혼합되는 것을 방지하는 경우도 생각할 수 있다. 이 경우에는, 제 1 공간으로부터 제 2 공간으로의 기체의 이동(즉, 유체의 흐름) 및 제 2 공간으로부터 제 1 공간으로의 기체의 이동(즉, 유체의 흐름)이 모두 억제된다.
본 실시예 및 다른 실시예에 있어서, 공간(또는 기압실)이란, 특별히 밀폐되거나 닫혀진 공간으로 한정되는 것이 아니라, 예컨대 그 공간 내의 상태를 유지할 수 있으면, 일부가 개방된 공간으로 되어 있어도 된다. 예컨대, 제 1, 제 2 공간의, 격벽을 사이에 둔 주변에서는 각 공간 내의 유체가 소정의 상태로 유지될 수 있다. 그러나, 격벽 주변의 상태를 격벽으로부터 이격된 위치보다 엄격하게 설정할 필요가 없는 경우 등에는, 밀폐된 공간이나 닫혀진 공간으로 하지 않아도 되는 경우가 있다. 이와 같은 경우도, 본 실시예 및 다른 실시예에서는 이를 공간(또는 공역(airspace)일 수도 있다)으로 취급한다.
챔버(20)를 형성하는 격벽(21)에는, 클린룸(CR)과 챔버(20) 내부와의 사이에 웨이퍼(10)를 반송할 때의 경로가 되는 개구부(접속부)(22)가 형성되어 있다. 개구부(22)의 형상은 도 3에 나타낸 바와 같이, 긴 방향이 X축 방향(수평 방향)으로 연장하는 대략 직사각형의 단면 형상으로 되어 있다. 개구부의 한쪽은 클린룸(CR) 내부에 면해서 개구하고, 타단은 챔버(20) 내부에 면해서 개구함으로써 양 공간을 접속하고 있다. 또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 격벽(21)에는 개구부(22)에 면하여 개구하는 배기구(21a)가 +Z 측 및 -Z 측의 면에 각각 형성되어 있다. 배기 시스템(26)에는 각 배기구(21a)가 접속되어 있어서, 개구부(22) 내부 및 개구부(22)의 주변에 존재하는 기체를 배기하는 구성으로 되어 있다.
또한, 본 실시예의 노광 장치(EX)에는, 개구부(22)를 통해서 웨이퍼(10)를 반송하는 반송 장치(30)가 구비되어 있다.
반송 장치(30)는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 로드 플레이트(지지 장치)(31), 로드 플레이트(31)를 개구부(22)에 삽입한 상태에서 Y 방향으로 왕복 이동시키는 구동 장치(도시 생략), 로드 플레이트(31)와 개구부(22) 사이의 간극을 조정하는 조정 장치(32)를 갖고 있다. 로드 플레이트(31)는, Y 방향으로 연장하는 판형상 부재로, 도 3에 나타낸 바와 같이, 개구부(22)와의 사이에 미소량(예컨대, 수 ㎛)의 간극을 형성하는 외형(outer shape)(X 방향의 폭 및 Z 방향의 두께)을 갖고 있다. 로드 플레이트(31)의 상면(+Z 측의 면)에는, 웨이퍼(10)의 외형보다 큰 직경으로, 또한 웨이퍼(10)의 두께와 대략 동일한 깊이로 형성된, 웨이퍼(10)를 지지하는, 평면으로 봤을 때 원형인 오목부로 이루어지는 지지부(33)가 형성되어 있다. 웨이퍼(10)의 측면과 지지부(33)의 벽면의 간격은, 수십에서 수백 미크론의 범위에서 설정되어 있고, 그 간격(간극)을 통해서 기체가 이동하지 않도록 치수가 설정되어 있다. 본 실시예에서는, 지지부(33)가 Y축 방향으로 간격을 두고 복수(도 2에서는 2개) 마련되어 있는 경우가 도시되어 있다. 그러나, 지지부(33)를 1개소에 마련해도 된다.
로드 플레이트(31)는, 개구부(22)에 삽입된 상태에서 구동 장치에 의해서 Y 방향으로 왕복 이동하고, 이로써 지지부(33)가 개구부(22)를 통해서 챔버(20) 외부(격벽(21)의 외부)가 되는 클린룸(CR)과 챔버(20) 내(격벽(21)의 내부)와의 사이에서 왕복 이동한다. 따라서, 그 이후에 노광될 웨이퍼(10)를 지지부(33)로 지지하면서 챔버(20) 외부로부터 내부로 반송하거나, 노광된 웨이퍼(10)를 챔버(20) 내부로부터 외부로 반송하는 것이 가능해진다.
여기서, 챔버(20)의 외부에서, 웨이퍼(10)가 로드 플레이트(31)의 지지부(33)에 탑재되어서, 지지부(33)로부터 꺼내질 때의 로드 플레이트(31)의 위치를 제 1 위치(도 13의 (a)부, (b)부에 나타내는 위치)라고 한다. 또한, 챔버(20)의 내부에서, 웨이퍼(10)가 로드 플레이트(31)의 지지부(33)에 탑재되어서, 지지부(33)로부터 꺼내질 때의 로드 플레이트(31)의 위치를 제 2 위치(도 13의 (c)부에 나타내는 위치)라고 한다. 예컨대, 로드 플레이트(31)가 제 1 위치에 있을 때에는, 그 이후에 새롭게 노광 처리될 웨이퍼가 웨이퍼 카세트 등으로부터 꺼내져서, 지지부(33)에 탑재된다. 이후에, 웨이퍼가 지지부(33)에 의해서 지지된 상태에서 로드 플레이트(31)가 제 1 위치로부터 제 2 위치를 향해서 이동해서(반송 동작), 웨이퍼는 개구부(22)를 통과하여 챔버(20) 내로 반송된다. 로드 플레이트(31)가 제 2 위치에 이르면, 지지부(33) 상의 웨이퍼는, 예컨대 아암 기구 등에 의해 꺼내져서, 노광 장치(EX)의 웨이퍼 스테이지(11) 상에 탑재되어, 소정의 노광 처리가 수행된다. 노광 처리가 종료한 웨이퍼는, 웨이퍼 스테이지(11)로부터 제 2 위치에 대기하고 있는 로드 플레이트(31)의 지지부(33)로 옮겨진 후, 로드 플레이트(31)가 제 1 위치를 향해서 이동함으로써 챔버(20)의 외부로 반송된다. 그리고, 로드 플레이트(31)가 제 1 위치에 이르면, 웨이퍼는 지지부(33)로부터 꺼내져서, 현상 처리 등을 수행하기 위해서 또 다른 반송 장치 등에 의해서 반송된다.
로드 플레이트(31)의 Y 방향에 관한 치수는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 개구부(22)에 있어서의 격벽(21)의 Y 방향에 관한 치수와 웨이퍼(10)의 Y 방향에 관한 치수(예컨대, 웨이퍼(10)의 직경)를 합한 치수보다 크게 설정되어 있다. 도 13의 (c)부에서, 로드 플레이트(31)의 Y 방향의 치수를 L, 개구부(22)에 있어서의 격벽(21)의 Y 방향에 관한 치수를 H, 웨이퍼(10)의 Y 방향에 관한 치수(예컨대, 웨이퍼(10)의 직경)를 D라고 하면, L은 H와 D를 합한 치수보다 크다(L>H+D).
그러나, 치수의 설정은 이것으로 한정되는 것이 아니라, L=H+D인 관계가 성립되도록 설정될 수도 있다.
또한, 본 실시예의 경우, 로드 플레이트(31)가 제 1 위치에 있을 때, 도 13의 (a)부, (b)부에 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)의 일부는 개구부(22)를 관통한 상태로 되어 있다. 또한, 로드 플레이트(31)가 제 2 위치에 있을 때, 도 13의 (c)부에 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)의 일부(제 1 위치에 있을 때와는 반대측의 단부)는 개구부(22)를 관통한 상태로 되어 있다.
이로써, 노광 처리에 포함된 웨이퍼(10)의 반송 동작 동안에(예컨대, 챔버(20) 내를 소정의 진공도로 설정한 상태에서 챔버(20)와 클린룸(CR) 사이에서 웨이퍼(10)를 이동시키는 경우), 개구부(22)에는 로드 플레이트(31)의 일부를 항상 관통시키고, 조정 장치(32)에 의해서 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극을 적절하게 조정하는 것이 가능해진다. 따라서, 개구부(22)를 통해서 챔버(20) 내와 클린룸(CR) 사이에서 기체가 이동하는 것을 방지(규제)할 수 있어서, 챔버(20) 내를 소정의 진공 상태로 유지하는 것이 가능해진다. 즉, 챔버(20) 내를 진공으로 유지한 상태에서 웨이퍼(10)가 반송된다. 환언하면, 웨이퍼(10)는 진공이 유지된 상태에서 반송된다.
한편, 도 13의 (a)부 내지 (c)부에 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)를 개구부(22)에 관통시키지 않고, 로드 플레이트(31)의 이동 경로에 따른 방향의 중간까지 개구부(22)에 삽입시킨 상태로 해도 된다. 이 경우에도 개구부(22)가 개방(완전 개방)되어 있지 않기 때문에, 개구부(22)를 통해서 챔버(20) 내와 클린룸(CR) 사이의 기체의 이동을 방지(규제)하는 것이 가능하다. 이 때, 로드 플레이트(31)가 개구부(22)에 삽입되는 양(Y 방향의 치수)은, 예컨대 배기구(21a)에 의해 흡인되는 기체의 유량이나 로드 플레이트(31)가 정지하고 있는 시간 등에 따라서 적절히 설정하는 것이 가능하다. 그러나, 반송 동작 동안에는, 로드 플레이트(31)가 항상 배기구(21a)와 대향하는 상태(도 13의 (a)부, (b)부)의 2점 쇄선으로 나타내는 상태)에 있도록 설정될 수도 있다. 또한, 배기구(21a)에서 Y 방향(이동 방향)으로 전후로 수십㎜ 정도는 로드 플레이트(31)와 개구부(22) 내 벽면이 서로 대향하도록 하면 된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다.
이런 식으로, 로드 플레이트(31)는 클린룸(CR)과 챔버(20)를 격리하는 격리 부재로서 기능하고 있다.
또한, 이 구동 장치는 직동 방향(Y 방향만)으로만 로드 플레이트(31)(지지부(33))를 구동하도록 구성되어 있다. 그러나 구동은 이에 한정되는 것이 아니다. 또한, 구동 방법도 특별히 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 리니어 모터나 볼 나사 등을 이용한 것을 사용할 수 있다.
또한, 지지부(33)에는, 정전력에 의해 웨이퍼(10)를 로드 플레이트(31)(지지부(33))에 흡착시키는 정전척 장치(38)가 마련되어 있다. 한편, 정전척 이외의 방법으로 웨이퍼(10)가 지지될 수도 있다.
조정 장치(32)는 주로 가이드부(34Z, 34X), 전자석(자기 발생 장치)(35Z, 35X), 계측 장치(36), 제어 장치(37)로 구성되어 있다.
가이드부(34Z)는 자성재로 형성되며, 로드 플레이트(31)의 상면의 폭 방향(X 방향) 양측의 에지에, 거의 전체 길이에 걸쳐서 각각 매립되어 있다. 가이드부(34X)는 자성재로 형성되며, 로드 플레이트(31)의 폭 방향(Z 방향 또는 두께 방향) 양측면에, 거의 전체 길이에 걸쳐서 각각 매립되어 있다. 전자석(35Z)은 도 4에 나타낸 바와 같이, 격벽(21)의 Y 방향 양측에 마련되며, 가이드부(34Z)와 각각 대향해서 배치되어 있다. 전자석(35X)은 격벽(21)의 Y 방향 양측에 마련되며, 가이드부(34X)와 각각 대향해서 배치되어 있다. 계측 장치(36)는 로드 플레이트(31)와의 사이의 Z 방향 및 X 방향의 거리를 각각 계측해서, 계측한 값을 제어 장치(37)에 출력하는 것으로, 전자석(35X, 35Z) 근방에 각각 마련되어 있다. 제어 장치(37)는 계측 장치(36)의 계측 결과에 따라서 전자석(35Z, 35X)으로의 통전량을 제어함으로써 각 전자석(35Z, 35X)과 가이드부(34Z, 34X) 사이의 거리를 조정하는 것이다.
또한, 도 2 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 챔버(20) 내에서의 로드 플레이트(31)의 지지부(33)의 아래 쪽(-Z측의 위치)에는, 반송된 웨이퍼(10)를 아래 쪽에서 흡착 유지해서 승강하는 리프트 핀(41)과, 리프트 핀(41)을 Z 방향을 따라 승강시키는 구동 장치(42)가 마련되어 있다.
한편, 챔버(20) 내에서의 로드 플레이트(31)의 지지부(33)의 상방(-Z 측의 +위치)에는, 지지부(33)와 웨이퍼 스테이지(11) 사이에서 웨이퍼(10)를 반송하는 반송 아암(43)이 마련되어 있다.
한편, 웨이퍼(10)를 지지부(33)로부터 꺼내거나 웨이퍼(10)를 지지부(33)에 탑재할 때에, 반드시 리프트 핀(41)을 이용할 필요는 없고, 이 동작을 다른 방법으로 행할 수도 있다. 예컨대, 이 동작을 웨이퍼(10)의 상방으로부터 아암 등을 이용해서 수행할 수도 있다.
이어서, 노광 장치(EX)에서, 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이에서 웨이퍼(10)를 반송하는 동작에 대해서 설명한다.
지지부(33)에 유지된 웨이퍼(10)는 구동 장치의 구동에 의해 로드 플레이트(31)가 Y 방향으로 이동함으로써, 개구부(22)를 통해서 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이를 이동한다(반송된다). 또한, 클린룸(CR)으로부터, 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극을 통해서 유입된 기체(에어)는, 배기구(21a)를 통해서 배기 시스템(26)에 의해 배기된다.
이 때, 도 3에 나타낸 바와 같이, 개구부(22)에 있어서의 로드 플레이트(31)와 격벽(21) 사이의, Z 방향의 간극량(SZ) 및 X 방향의 간극량(SX)은, 계측 장치(36)에 의해 계측되어 제어 장치(37)에 출력된다. 제어 장치(37)는, 계측된 간극량(SZ, SX)이 허용값에 들어가도록, 간극의 방향에 따른 전자석(35Z, 35X)에 관한 통전량을 조정함으로써 전자석(35Z, 35X)에 의한 가이드부(34Z, 34X)에의 흡인력을 조정한다. 이로써, 예컨대 허용값을 초과해서 간극량이 커지는 경우에도 간극량을 허용 범위에 들어가도록 제어할 수 있다.
또한, 각 방향마다 계측 장치(36)의 계측 결과에 차이가 생겨서, 개구부(22)에 대해 로드 플레이트(31)가 허용값 이상으로, θZ 방향(Z축 주위의 회전 방향: 요잉 방향), θY 방향(Y축 주위의 회전 방향:롤링 방향), θX 방향(X축 주위의 회전 방향:피칭 방향)으로 경사진 것이 검출된 경우에, 제어 장치(37)는, 각 방향에 대응한 복수의 계측 장치(36) 각각에 대해서 통전량을 조정함으로써 로드 플레이트(31)의 경사를 보정할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 로드 플레이트(31)와 격벽(21) 접촉 혹은 간섭하지 않고, 웨이퍼(10)를 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이에서 반송할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 로드 플레이트(31)의 이동에 의해 웨이퍼(10)를 개구부(22)를 통해서 반송할 때에, 조정 장치(32)가 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극을 조정하고, 이로써 이들의 접촉 혹은 간섭을 방지할 수 있다.
이런 방식으로, 본 실시예에서는, 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이에 간극을 형성한 상태에서, 개구부(22)를, 로드 플레이트(31)의 적어도 일부에 의해서, 거의 차단하는 상태로 할 수 있고, 또한 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극량을 미소량으로 설정할 수 있다. 따라서, 개구부(22)가 자유롭고, 이로써 이 개방 부분으로부터 챔버(20) 내에 기체가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 클린룸(CR)으로부터 이 간극으로 유입된 기체는, 배기구(21a)를 통해서 배기 시스템(26)에 의해 배기됨으로써, 챔버(20)의 저압도(진공도)를 용이하게 높일 수 있게 되어서, 복수의 챔버를 접속해서 이용하는 경우와 같이, 장치의 크기 및 가격의 증가를 방지할 수 있고, 또한 챔버(20) 내를 저압으로 하기까지의 불필요한 시간을 요구하지 않아서, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
한편, 구동 장치와 조정 장치(32)는 일체로 구성될 수도 있다. 이 경우, 예컨대, 구동 장치는, 로드 플레이트(31)(지지부(33))를 Y 방향으로 직동시킬 뿐만 아니라, X 방향, Z 방향, θZ 방향, θY 방향, θX 방향으로 이동시키면 바람직하다. 6 DOF로 이동할 수 있는 스테이지의 구동 장치 등을 적용시키는 것이 가능하다.
또한, 본 실시예에서는, 지지부(33)를 형성하는 오목부의 깊이가 웨이퍼(10)의 두께와 대략 동일하기 때문에, 웨이퍼(10)의 상면과 로드 플레이트(31)의 상면을 대략 동일면으로 할 수 있어, 단차가 생긴 경우와 같이, 돌출된 단차부가 격벽(21)에 접촉하거나, 반대로 볼록한 단차부를 통해서 클린룸(CR)의 에어가 챔버(20) 내에 유입되고, 이로써 저압도를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예의 노광 장치(EX)에 상술한 반송 장치(30)를 마련함으로써, 장치의 소형화, 저 가격화 및 고스루풋화를 실현할 수 있다.
(실시예 2)
이어서, 반송 장치의 실시예 2가, 도 6 내지 도 9를 참조해서 설명될 것이다.
이들 도면에 있어서, 도 1 내지 도 5에 나타내는 실시예 1의 구성 요소와 동일한 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서, 로드 플레이트(31)의 길이 방향의 대략 중앙부에 지지부(33)가 마련되어 있다. 그리고, 격벽(21)의 웨이퍼 반송 방향(Y 방향)의 길이는, 웨이퍼(10)의 외경, 보다 구체적으로는, 지지부(33)의 외경보다 크게 설정되어 있다. 따라서, 로드 플레이트(31)의 길이는, 지지부(33)가 클린룸(CR) 및 챔버(20) 양쪽으로 노출될 수 있도록, 웨이퍼(10)의 길이(직경)의 3배 이상으로 되어 있다.
또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 격벽(21)에 형성되어 로드 플레이트(31)가 삽입되는 개구부(22)는, 클린룸(CR)과 챔버(20)를 접속하는 제 3 기압실(50)을 형성하고 있다. 본 실시예에서는, 클린룸(CR) 측으로부터 웨이퍼 반송 방향을 따라 차례로 배치되며, 부압 흡인(negative pressure suction) 특성이 다른 복수(여기서는 3개)의 흡인부(21A 내지 21C)로 제 3 기압실(50)을 배기하는 흡인 장치(51)가 마련되어 있다. 한편, 복수의 흡인부(21A 내지 21C)가 동일 직선상(예컨대, 도면에 있어서 X 위치가 동일)에 배치될 필요는 없고, 예컨대, X 방향에 서로 시프트된 상태여도 된다.
흡인부(21A)에는, 도달 진공도가 수 KPa로, 배기 속도(배기 용량)가 큰 스크롤 펌프(26A)가 접속되어 있다. 흡인부(21B)에는, 도달 진공도가 수백 Pa로, 배기속도(배기 용량)가 스크롤 펌프(26A)보다 작은 드라이 펌프(26B)가 접속되어 있다. 또한, 흡인부(21C)에는, 도달 진공도가 수십 Pa로, 배기 속도(배기 용량)가 스크롤 펌프(26A) 및 드라이 펌프(26B)보다 작은 터보 분자 펌프(26C)가 접속되어 있다. 즉, 본 실시예에서는, 제 1 기압실 및 제 2 기압실 중, 기압이 높은 클린룸(CR) 측으로부터 기압이 낮은 챔버(20) 측을 향해서, 흡인량이 크고 또한 흡인력이 작은 흡인부(21A)로부터, 부압 흡인량이 작고 또한 흡인력이 큰 흡인부(21C)가, 차례로 배치되어 있다.
다른 구성은 실시예 1과 마찬가지이다.
상기 설명한 구성을 가진 반송 장치(30)에서는, 구동 장치의 구동에 의해 로드 플레이트(31)가 Y 방향으로 이동하고, 이로써, 제 3 기압실(50)(개구부(22))을 통해서 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이를 이동한다(반송된다). 여기서, 클린룸(CR)으로부터 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극을 통해서 유입된 에어는, 스크롤 펌프(26A)의 구동에 의해 흡인부(21A)로부터 배기된다. 또한, 흡인부(21)로부터 완전히 배기되지 않고 챔버(20)로 향하는 에어는, 보다 큰 도달가능한 진공도를 갖는 드라이 펌프(26B)의 구동에 의해 흡인부(21B)에서 배기된다. 또한, 흡인부(21)로부터 완전히 배기되지 않고 챔버(20)로 향하는 에어는, 더 큰 도달가능한 진공도를 가진 터보 분자 펌프(26C)의 구동에 의해 흡인부(21C)에서 배기된다.
또한, 도 8에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(10)가 제 3 기압실(50)에 이르렀을 때에는, 격벽(21)의 Y 방향의 길이가 웨이퍼(10) 및 지지부(33)의 외경보다 크기 때문에, 웨이퍼(10)와 지지부(33) 사이의 간극이 클린룸(CR) 및 챔버(20) 모두에 노출되지 않는다. 따라서, 간극이 유로가 되고, 이로써 클린룸(CR)의 에어가 챔버(20)로 유입하는 것이 저지되어, 도 9에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(10)를 지장없이 챔버(20)로 반송할 수 있다.
본 실시예의 경우, 로드 플레이트(31)의 Y 방향에 관한 치수는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 개구부(22)에 있어서의 격벽(21)의 Y 방향에 관한 치수와 웨이퍼(10)의 Y 방향에 관한 치수(예컨대, 웨이퍼(10)의 직경)을 합한 치수보다 크게 설정되어 있다. 도 14의 (c)부에서, 로드 플레이트(31)의 Y 방향의 치수를 L, 개구부(22)에 있어서의 격벽(21)의 Y 방향에 관한 치수를 H, 웨이퍼(10)의 Y 방향에 관하는 치수(예컨대, 웨이퍼(10)의 직경)를 D라고 하면, L은 H와 D를 합한 치수보다 크다(L>H+D).
또한, 본 실시예의 경우, 로드 플레이트(31)가 제 1 위치에 있을 때, 도 14의 (a)부 및 (b)부에 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)의 일부는 개구부(22)를 관통한 상태로 되어 있다. 또한, 로드 플레이트(31)가 제 2 위치에 있을 때, 도 14의 (c)부에 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)의 일부(제 1 위치에 있을 때와는 반대측의 단부)는 개구부(22)를 관통한 상태로 되어 있다.
따라서, 노광 처리에 포함된 웨이퍼(10)의 반송 동작 동안에는(예컨대, 챔버(20) 내를 소정의 진공도로 설정한 상태로 챔버(20)와 클린룸(CR) 사이에서 웨이퍼(10)를 이동시키는 경우), 개구부(22)에는 로드 플레이트(31)의 일부를 항상 관통시키고, 조정 장치(32)에 의해서 격벽(21)과 로드 플레이트(31) 사이의 간극을 적절하게 조정하는 것이 가능해진다. 따라서, 개구부(22)를 통해서 챔버(20) 내와 클린룸(CR) 사이에서 기체가 이동하는 것을 방지(규제)할 수 있어서, 챔버(20) 내를 소정의 진공 상태로 유지하는 것이 가능해진다.
한편, 로드 플레이트(31)를 개구부(22)에 관통시키지 않고, 로드 플레이트(31)의 이동 경로에 따른 방향의 중간까지 개구부(22)에 삽입시킨 상태로 해도 된다. 이 경우에도 개구부(22)가 개방(완전 개방)되어 있지 않기 때문에, 개구부(22)를 통해서 챔버(20) 내와 클린룸(CR) 사이의 기체의 이동을 방지(규제)할 수 있다. 이 때, 로드 플레이트(31)가 개구부(22)에 삽입되는 양(Y 방향의 치수)은 예컨대, 배기구(21A)에 의해 흡인되는 기체의 유량이나 로드 플레이트(31)가 정지하고 있는 시간 등에 따라 적절하게 설정하는 것이 가능하지만, 예컨대 반송 동작 동안에는, 로드 플레이트(31)가 항상 배기구(21C)와 대향하는 상태(도 14에 있어서의 (a), (b), (c)부의 2점 쇄선으로 나타내는 상태)가 되도록 설정하면 된다. 또한, 배기구(21C)에 대해 Y 방향(이동 방향)으로 전후 수십㎜ 정도는 로드 플레이트(31)와 개구부(22)내 벽면이 대향하도록 하면 된다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다.
이런 식으로, 본 실시예에 있어서도, 로드 플레이트(31)가 통과하는 제 3 기압실(50)을 통해서 클린룸(CR)의 에어가 챔버(20)로 유입되는 것이 저지되기 때문에, 챔버(20)의 저압도(진공도)를 용이하게 높일 수 있으므로, 복수의 챔버를 접속해서 이용하는 경우와 같이, 장치의 크기 및 가격의 증가를 방지할 수 있고, 챔버(20) 내를 저압으로 하기까지의 불필요한 시간을 요구하지 않아서, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 웨이퍼(10) 전체가 제 3 기압실(50) 내에 들어가므로, 웨이퍼(10)와 지지부(33) 사이의 간극이 클린룸(CR)과 챔버(20)를 연통시키는 유로가 되어서, 챔버(20)에 에어가 유입되어 저압도(진공도)가 저하되는 상황을 방지할 수 있다.
몇 가지 실시예가 첨부 도면을 참조하면서 설명되었다. 그러나, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다는 것은 말할 필요도 없다. 상술한 예에서 나타낸 각 구성 부재의 다양한 형상이나 조합 등은 일례로, 본 발명의 주지로부터 벗어나지 않는 범위에서 설계 요구 사항 등에 기초해서 여러가지 변경이 가능하다.
예컨대, 상술한 각 실시예에서는, 노광 장치(EX)에서의 노광 장치가 웨이퍼의 반송 장치로서 구성된 경우를 예로서 설명했다. 그러나, 본 발명은 마스크(레티클)의 반송 장치에 적용되어도 된다.
또한, 실시예 1에 있어서의 격벽(21)의 Y 방향의 폭은, 예컨대 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(10) 및 지지부(33)의 외경보다 작은 것으로 해서 나타내었다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 실시예 2와 같이, 격벽(21)의 Y 방향의 폭을 웨이퍼(10) 및 지지부(33)의 외경보다 크게 함으로써, 실시예 2에서 설명한 효과와 같은 효과를 낼 수 있다.
또한, 실시예에서는, 로드 플레이트(31)를 평면으로 봤을 때 직사각형의 판상으로 하고, 이 로드 플레이트(31)를 구동시킴으로써, 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이에서 웨이퍼(10)를 반송하는 구성으로 했다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니라, 예컨대 도 10에 나타낸 바와 같이, 로드 플레이트(31)를 원반 형상으로 하고, 격벽(21)에 마련되며 Z 방향으로 연장하는 회전축 주위로 회전 가능하게 해서, 회전 구동 장치(55)에 의해 Z 방향과 평행한 축 주위로 회전되는 구성도 생각할 수 있다. 이 구성에서는, 예컨대 지지부(33)를 회전축을 사이에 두고 대칭으로 2개 배치하고, 로드 플레이트(31)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(10)를 클린룸(CR)과 챔버(20) 사이에서 개구부(22)를 통해서 차례로 이동시킬 수 있다.
또한, 챔버(20)의 내부와 외부 각각에, 복수의 지지부(33)가 각 공간에 노출되도록 구성할 수도 있다. 복수의 지지부(33)를 마련함으로써 각각의 지지부에 대하여 복수의 웨이퍼를 개별적으로 처리시킬 수 있기 때문에, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에서는, 로드 플레이트(31)의 일면에 지지부(33)를 마련하는 구성으로 했다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니며, 로드 플레이트(31)의 양면에 지지부(33)를 마련하고, 복수개의 웨이퍼(10)를 동시에 반송하는 구성도 생각할 수 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(10)의 반송 효율이 대폭 향상되어서, 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 본 실시예에서는, 개구부(22)에 삽입된 로드 플레이트(31)와 격벽(21) 사이의 간극량을 조정하여, 제 1 공간으로부터 제 2 공간으로의 유체의 이동을 억제하는 예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.
또한, 상술한 실시예에서는, 개구부(22) 및 제 3 기압실(50)이 수평 방향으로 연장하는 대략 직사각형의 단면 형상을 갖는 것으로 해서 설명했다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니라, 예컨대 연직 방향으로 연장하는 대략 직사각형의 단면 형상을 갖는 구성으로 해도 된다. 이 경우, 풋프린트(설치 면적)를 줄여서, 공장에서의 점유 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 상술한, 로드 플레이트(31)의 양면에 지지부(33)를 마련하는 구성을 채용하는 경우에는, 로드 플레이트(31)에 웨이퍼(10)를 수평 방향에서 흡착하게 되어서, 안전성을 높일 수 있다.
또한, 상술한 각 실시예에서는, 노광 장치(EX)는 그 주위를 클린룸(CR)으로 둘러싼 상태이다. 그러나, 본 발명은 이러한 구성으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 복수의 챔버가 연속해서 배치되고, 이들 챔버 사이를 구획하기 위한 격벽에 마련된 개구부를 통해서 기판을 반송시키는 경우에 적용해도 된다.
또한, 상술한 각 실시예에서는, 본 발명에 따른 반송 장치를 노광 장치에 적용하는 예를 게시했다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니라, 기압이 다른 복수의 기압실 사이에서 기판을 반송하는 장치에 대해서는 널리 적용할 수 있다. 예컨대, 진공 챔버 내에서 기판에 스퍼터링 등의 성막 처리를 행하는 성막 장치에 대해 기판 반송하는 경우 등에 적용할 수 있다.
또한, 상술한 각 실시예에서는, 반송 장치(로드 플레이트(31))가 격벽에 대해서 이동하도록 조정 장치가 구성되어 있다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 격벽측에도 이동 부재를 마련해 두고, 격벽과 반송 장치(로드 플레이트(31)) 사이의 간극량을 조정하면서 격벽과 반송 장치를 반대 방향으로 이동시키도록 구성하는 것도 가능하다. 또한, 반송 장치(로드 플레이트(31))측을 고정해 두고, 격벽의 일부(반송 장치와의 대향부)가 반송 장치에 대해 이동하도록 구성하는 것도 가능하다.
한편, 상술한 각 실시예의 기판에서는, 반도체 디바이스 제조용 반도체 웨어뿐만 아니라, 디스플레이 디바이스용 유리 기판, 박막 자기 헤드용 세라믹 웨이퍼 등이 적용된다. 또한 본 발명은 노광 장치에 사용되는 마스크 또는 레티클의 원판(합성 석영, 실리콘 웨이퍼) 등에도 적용 가능하다.
노광 장치(EX)로서는, 레티클(2)과 웨이퍼(10)를 동기시켜 이동해서 레티클(2)의 패턴을 주사 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 노광 장치(스캐닝 스테퍼) 외에, 레티클(2)과 웨이퍼(10)를 정지시킨 상태에서 레티클(2)의 패턴을 일괄 노광하여, 웨이퍼(10)를 차례로 스텝 이동시키는 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치(스테퍼)에도 적용할 수 있다.
또한, 스텝·앤드·리피트 방식의 노광에 있어서, 제 1 패턴과 기판을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 이용해서 제 1 패턴의 축소 이미지를 기판 상에 전사한 후, 제 2 패턴과 기판을 거의 정지시킨 상태에서, 투영 광학계를 이용해서 제 2 패턴의 축소 이미지를 제 1 패턴과 부분적으로 중첩시켜서 기판 상에 일괄 노광할 수도 있다(스티칭(stitching) 방식의 일괄 노광 장치). 또한, 스티칭 방식의 노광 장치에서는, 기판상에서 적어도 2개의 패턴을 부분적으로 중첩해서 전사하고, 기판을 차례로 이동시키는 스텝·앤드·스티치 방식의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 예컨대 미국 특허 제 6,611,316호 명세서에 개시된 바와 같이, 2개의 마스크의 패턴을 투영 광학계를 통해서 기판 상에서 합성하여, 한 번의 주사 노광에 의해서 기판상의 하나의 샷(shot) 영역을 거의 동시에 2중 노광하는 노광 장치 등에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 프록시미티(proximity) 방식의 노광 장치, 미러 프로젝션 얼라이너 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판 스테이지(웨이퍼 스테이지)가 복수 마련되는 트윈 스테이지형의 노광 장치에도 적용할 수 있다. 트윈 스테이지형의 노광 장치의 구조 및 노광 동작은, 예컨대 일본 특허 공개 평 10-163099호 공보 및 일본 특허 공개 평 10-214783호 공보(대응 미국 특허 제 6,341,007호, 제 6,400,441호, 제 6,549,269 호 및 제 6,590,634호), 일본 특허 공표 제 2000-505958호(대응 미국 특허 제 5,969,441호) 혹은 미국 특허 제 6,208,407호에 개시되어 있다. 또한, 본 발명을 본원 출원인이 앞서 출원한 일본 특허 출원 제 2004-168481호의 웨이퍼 스테이지에 적용할 수도 있다.
또한, 예컨대 미국 특허 제 6,897,963호 명세서 등에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 유지하는 기판 스테이지와 기준 마크가 형성된 기준 부재 및/또는 각종의 광전 센서를 탑재하고, 노광 대상인 기판을 유지하지 않는 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 복수의 기판 스테이지와 계측 스테이지를 구비한 노광 장치에도 적용할 수 있다.
노광 장치(EX)의 종류로서는, 기판에 반도체 소자 패턴을 노광하는 반도체 소자 제조용 노광 장치에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 제조용 또는 디스플레이제조용 노광 장치나, 박막 자기 헤드, 촬상 소자(CCD), 마이크로 머신, MEMS, DNA 칩, 또는 레티클 또는 마스크 등을 제조하기 위한 노광 장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 노광광이 EUV 광인 경우를 예를 들어 설명했다. 그러나, 노광광으로서, 예컨대 수은 램프로부터 사출된 휘선(emission line)(g선, h선, i선) 및 KrF 엑시머 레이저광(파장 248nm) 등의 원자외광(DUV 광), ArF 엑시머 레이저광(파장 193nm) 및 F2 레이저광(파장 157nm) 등의 진공 자외광(VUV 광) 등을 이용할 수도 있다. 이 경우, 챔버(20)는 반드시 진공 상태로 조정될 필요는 없고, 예컨대 대기압과는 다른 압력의 기체로 채워질 수 있다. 기체로 채우는 경우, 기체가 채워진 챔버(20)의 환경을 유지하기 위해서, 본 실시예의 반송 장치(30)로 기판을 반송하면 바람직하다.
이상과 같이, 본 실시예의 노광 장치(EX)는, 각 구성 요소를 포함하는 각종 서브시스템을, 소정의 기계적 정밀도, 전기적 정밀도, 광학적 정밀도를 유지하도록 조립함으로써 제조된다. 이들 각종 정밀도를 확보하기 위해서, 이 조립 전후에는, 각종 광학계에 대한 광학적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 기계계에 대한 기계적 정밀도를 달성하기 위한 조정, 각종 전기계에 대한 전기적 정밀도를 달성하기 위한 조정이 행해진다. 각종 서브시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정은, 각종 서브시스템 상호의, 기계적 접속, 전기 회로의 배선 접속, 기압 회로의 배관 접속 등이 포함된다. 이 각종 서브시스템으로부터 노광 장치에의 조립 공정 전에, 각 서브시스템 각각의 조립 공정이 있는 것은 말할 필요도 없다. 각종 서브시스템의 노광 장치에의 조립 공정이 종료하면, 종합 조정이 행하여져서, 노광 장치 전체적인 각종 정밀도가 확보된다. 한편, 노광 장치의 제조는 온도 및 클리어런스 등이 관리된 클린룸에서 행하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 노광 장치 및 노광 방법을 리소그래피 공정에서 이용한 마이크로 디바이스의 제조 방법의 실시예에 대해서 설명한다. 도 11은, 마이크로 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막 자기 헤드, 마이크로 머신 등)의 제조예의 흐름도를 나타내는 도면이다.
우선, 스텝 S10(설계 스텝)에서, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계(예컨대, 반도체 디바이스의 회로 설계 등)을 행하여, 그 기능을 실현하기 위한 패턴 설계를 행한다. 이어서, 스텝 S11(마스크 제작 스텝)에서, 설계한 회로 패턴을 형성한 마스크(레티클)를 제작한다. 한편, 스텝 S12(웨이퍼 제조 스텝)에서, 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다.
다음으로 스텝 S13(웨이퍼 처리 스텝)에서, 스텝 S10 내지 스텝 S12에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서, 후술하는 바와 같이 리소그래피 기술 등에 의해서 웨이퍼 상에 실제 회로 등을 형성한다. 이어서, 스텝 S14(디바이스 조립 스텝)에서, 스텝 S13에서 처리된 웨이퍼를 이용해서 디바이스 조립을 행한다. 이 스텝 S14에는, 다이싱 공정, 본딩 공정, 및 패키징 공정(칩 밀봉) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다. 마지막으로, 스텝 S15(검사 스텝)에서, 스텝 S14에서 제작된 마이크로 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거친 후에 마이크로 디바이스가 완성되어 출시된다.
도 12는, 반도체 디바이스의 경우에 있어서의 스텝 S13의 상세 공정의 일례를 나타내는 도면이다.
스텝 S21(산화 스텝)에서는, 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 S22(CVD 스텝)에서는, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 S23(전극 형성 스텝)에서는, 웨이퍼 상에 전극을 증착에 의해서 형성한다. 스텝 S24(이온 주입 스텝)에 있어서는, 웨이퍼에 이온을 주입한다. 상기 설명한 스텝 S21 내지 스텝 S24 각각은, 웨이퍼 처리의 각 단계의 전처리 공정을 구성하고 있으며, 각 단계에서 필요한 처리에 따라 선택되어 실행된다.
웨이퍼 프로세스의 각 단계에서, 상기 설명한 전처리 공정이 종료되면, 다음과 같이 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정에서는, 우선 스텝 S25(레지스트 형성 스텝)에 있어서, 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 이어서, 스텝 S26(노광 스텝)에서, 위에서 설명한 리소그래피 시스템(노광 장치) 및 노광 방법에 의해서 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 전사한다. 다음으로 스텝 S27(현상 스텝)에서는 노광된 웨이퍼를 현상하고, 스텝 S28(에칭 스텝)에서, 레지스트가 잔존하고 있는 부분 이외의 부분의 노출 부재를 에칭에 의해 제거한다. 그리고, 스텝 S29(레지스트 제거 스텝)에 있어서, 에칭이 끝나서 불필요하게 된 레지스트를 제거한다. 이들 전처리 공정과 후처리 공정을 반복함으로써, 웨이퍼 상에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
또한, 반도체 소자와 같은 마이크로 디바이스뿐만 아니라, 광노광 장치, EUV 노광 장치, X선 노광 장치 및 전자선 노광 장치 등에서 이용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해서, 마더(mother) 레티클로부터 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등에 회로 패턴을 전사하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 여기서, DUV(심자외(deep-ultraviolet))광이나 VUV(진공 자외)광 등을 이용하는 노광 장치에서는, 일반적으로 투과형 레티클이 사용되고, 레티클 기판으로서는 석영 유리, 불소가 도핑된 석영 유리, 형석, 불화 마그네슘, 또는 수정 등이 사용된다. 또한, 프록시미티 방식의 X선 노광 장치나 전자선 노광 장치 등에서는, 투과형 마스크(스텐실 마스크 또는 멤브레인 마스크)가 이용되며, 마스크 기판으로서, 실리콘 웨이퍼 등이 이용된다. 또한 WO99/34255호, WO99/50712호, WO99/66370호, 일본 특허 공개 평 11-194479호, 일본 특허 공개 제 2000-12453호, 일본 특허 공개 제 2000-29202호 등에 개시되어 있다.
일 실시예에 있어서의 반송 장치에 있어서, 예컨대 고압의 제 1 공간(제 1 기압실)부터 저압의 제 2 공간(제 2 기압실)으로 지지 장치(31)에 의해 개구부(22)를 통해서 기판(10)을 반송할 때에, 조정 장치(32)에 의해 개구부에서의 지지 장치와 격벽 사이의 간극을 미소량으로 조정할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 제 1 공간의 기체가 개구부에서의 지지 장치와 격벽 사이의 간극에서 제 2 공간에 유입되어, 제 2 공간의 기압이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 예컨대 각 공간을 형성하는 복수의 기압실 등을 연속해서 마련하지 않고, 제 2 공간의 저압도(예컨대, 진공도)를 용이하게 높일 수 있어서, 장치의 크기 및 가격의 증가를 방지할 수 있고 스루풋을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서의 반송 장치에서는, 예컨대 고압의 제 1 공간으로부터 저압의 제 2 공간으로, 지지 장치(31)에 의해 제 3 공간(50)을 통해서 기판(10)을 반송할 때에, 제 3 공간을 부압 흡인함으로써, 제 1 공간의 기체가 제 3 공간을 통해서 제 2 공간으로 유입되어서 제 2 공간의 기압이 상승하는 것을 억제할 수 있다. 흡인 장치로서는, 일반적으로, 이 장치가 저압으로 하는 경우에는 소용량의 기체를 흡인 가능하고, 반대로 대용량으로 기체를 흡인하는 경우에는 저압도를 높이기 어렵다고 하는 부압 흡인 특성을 갖고 있기 때문에, 각 부압 흡인 특성을 갖는 복수의 흡인부(21A 내지 21C)에 의해 제 3 공간을 부압 흡인함으로써, 제 2 공간을 향하는 기체를 대용량으로 제 3 공간에서 흡인하면서, 제 3 공간의 저압도를 높일 수 있어, 결과적으로 제 2 공간의 저압도를 유지할 수 있게 된다. 따라서, 본 실시예에서는, 각 공간을 형성하는 복수의 기압실을 연속해서 마련하지 않고, 제 2 공간의 저압도(예컨대, 진공도)를 용이하게 높일 수 있어서, 장치의 크기 및 가격의 증가를 방지할 수 있고 스루풋을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 노광 장치는, 예컨대 기판의 반송에 따른 장치의 소형화, 저가격화 및 고스루풋화에 의해, 노광 장치의 소형화, 저가격화 및 고스루풋화를 실현할 수 있다.
10 : 웨이퍼(기판) 20 : 챔버(제 2 공간)
21 : 격벽 21A 내지 21C : 배기부
22 : 개구부 30 : 반송 장치
31 : 로드 플레이트(지지 장치) 32 : 조정 장치
33 : 지지부 34Z : 가이드부
35X, 35Z : 전자석(자기 발생 장치) 50 : 제 3 기압실
51 : 배기 장치 CR : 클린룸(제 1 공간)
EX : 노광 장치

Claims (1)

  1. 격벽을 사이에 두고 제 1 방향을 따라 배치된 제 1 공간과 제 2 공간 사이에서, 상기 격벽에 마련된 개구부를 통해서 기판을 반송하는 반송 장치로서,
    상기 개구부에 적어도 일부가 삽입된 상태에서 상기 개구부에 대해 이동 가능하고, 상기 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부가 상기 제 1 공간 내에 위치할 때에 상기 개구부에 삽입된 상태로 되는 제 1 부분과, 상기 지지부가 상기 제 2 공간 내에 위치할 때에 상기 개구부에 삽입된 상태로 되는 제 2 부분을 갖는 지지 부재와,
    상기 지지 부재를 구동하여 상기 지지부의 위치를 제어하는 구동 장치와,
    상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관해, 상기 개구부의 내부에서의 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분의 적어도 한쪽과 상기 격벽 사이의 간극의 양을 조정하는 조정 장치
    를 갖는 반송 장치.
KR1020187025024A 2009-06-09 2010-06-09 반송 장치 KR102073504B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21344709P 2009-06-09 2009-06-09
US61/213,447 2009-06-09
US12/795,939 US9312159B2 (en) 2009-06-09 2010-06-08 Transport apparatus and exposure apparatus
US12/795,939 2010-06-08
PCT/JP2010/060157 WO2010143744A1 (en) 2009-06-09 2010-06-09 Transport apparatus and exposure apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117031197A Division KR101895615B1 (ko) 2009-06-09 2010-06-09 반송 장치 및 노광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180099952A true KR20180099952A (ko) 2018-09-05
KR102073504B1 KR102073504B1 (ko) 2020-02-04

Family

ID=42937810

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187025024A KR102073504B1 (ko) 2009-06-09 2010-06-09 반송 장치
KR1020117031197A KR101895615B1 (ko) 2009-06-09 2010-06-09 반송 장치 및 노광 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117031197A KR101895615B1 (ko) 2009-06-09 2010-06-09 반송 장치 및 노광 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9312159B2 (ko)
JP (1) JP5682832B2 (ko)
KR (2) KR102073504B1 (ko)
TW (1) TWI529839B (ko)
WO (1) WO2010143744A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048043A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
JP6328577B2 (ja) * 2015-02-24 2018-05-23 株式会社荏原製作所 荷重測定装置および荷重測定方法
CN111223804B (zh) * 2018-11-26 2022-09-09 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种基板运送装置
CN114408518B (zh) * 2022-04-01 2022-08-19 深圳市龙图光电有限公司 半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001070605A1 (en) * 2000-03-20 2001-09-27 Tokyo Elctron Limited Chuck transport method and system
US20020024647A1 (en) * 1999-02-26 2002-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, lithography system and conveying method, and device manufacturing method and device
JP2004103824A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Nikon Corp 基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置
JP2004179567A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置
US6842221B1 (en) * 1999-03-12 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP2005032510A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、露光装置及び露光方法
JP2009004508A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Canon Inc ロードロック装置、処理装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3174409B2 (ja) 1992-09-08 2001-06-11 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、及び半導体製造装置に於ける基板処理方法
JPH07305165A (ja) 1994-05-02 1995-11-21 Sony Corp スパッタリング装置
EP0951054B1 (en) * 1996-11-28 2008-08-13 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11194479A (ja) 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp フォトマスクの製造方法及び装置
EP1083462A4 (en) 1998-03-26 2003-12-03 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PHOTOMASK, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, MICROELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000031007A (ja) 1998-07-08 2000-01-28 Nikon Corp ステージ装置及びそれを用いた光学装置
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
US7066703B2 (en) * 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
JP4714403B2 (ja) * 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
JP2002349569A (ja) 2001-05-25 2002-12-04 Canon Inc 静圧軸受装置及びそれを用いたステージ装置
SG102718A1 (en) * 2002-07-29 2004-03-26 Asml Holding Nv Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
JP4134692B2 (ja) 2002-11-19 2008-08-20 松下電工株式会社 エレベーターの塔屋ユニットの接合構造
JP4540939B2 (ja) * 2003-03-24 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI499568B (zh) 2005-12-01 2015-09-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Cutter wheel holder

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020024647A1 (en) * 1999-02-26 2002-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, lithography system and conveying method, and device manufacturing method and device
US6842221B1 (en) * 1999-03-12 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
WO2001070605A1 (en) * 2000-03-20 2001-09-27 Tokyo Elctron Limited Chuck transport method and system
JP2004103824A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Nikon Corp 基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置
JP2004179567A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Nikon Corp 露光装置
JP2005032510A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、露光装置及び露光方法
JP2009004508A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Canon Inc ロードロック装置、処理装置およびデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201104783A (en) 2011-02-01
KR102073504B1 (ko) 2020-02-04
WO2010143744A1 (en) 2010-12-16
US20110001953A1 (en) 2011-01-06
KR20120026107A (ko) 2012-03-16
KR101895615B1 (ko) 2018-09-05
JP5682832B2 (ja) 2015-03-11
US9312159B2 (en) 2016-04-12
TWI529839B (zh) 2016-04-11
JP2012529754A (ja) 2012-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101340138B1 (ko) 기판 보지 장치, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
US20080151200A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2008277824A (ja) 移動体装置、露光装置及び光学系ユニット、並びにデバイス製造方法
WO2006009064A1 (ja) 光学部材の支持方法及び支持構造、光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2008041575A1 (fr) Dispositif formant platine et dispositif d'exposition
JP2009088037A (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置
JP5353005B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101895615B1 (ko) 반송 장치 및 노광 장치
JP2009170504A (ja) ステージ装置及び露光装置
JP2004221296A (ja) 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010093245A (ja) 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
US20130050666A1 (en) Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
JP6485687B2 (ja) 保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011222652A (ja) 基板ステージ、露光装置及び液浸露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2009267401A (ja) 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法
JP5233483B2 (ja) ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP5257822B2 (ja) 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法
JP2004140271A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010135796A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4908807B2 (ja) 処理装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP6587138B2 (ja) 物体支持装置及び露光装置
JP5120193B2 (ja) 露光装置、メンテナンス方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5262455B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2010278299A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2014093456A (ja) 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant