JP2012529754A - 搬送装置及び露光装置 - Google Patents

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Abstract

搬送装置は、隔壁（２１）で隔てられた第１空間（ＣＲ）と第２空間（２０）との間で、隔壁に形成された開口部（２２）を介して基板（１０）を搬送する。搬送装置は、基板を支持する支持部を有し、支持部が開口部内を通って第１空間と第２空間との間を移動する支持装置と、開口部に挿入された支持装置と隔壁との間の隙間を調整して、第１空間と第２空間との間の流体の移動を抑制する調整装置と、を有する。

Description

本発明は、搬送装置及び露光装置に関するものである。
本願は、２００９年６月９日に出願された米国特許仮出願第６１／２１３，４４７号、及び２０１０年０６月０８日に出願された米国出願第１２／７９５，９３９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献１に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。
従来、この種の露光装置では、真空チャンバ内にウエハ等の感光基板を搬送するが、搬送時間を短縮する技術として、例えば特許文献２が開示されているように、スリットが形成された隔壁で区画され、真空度が順次高くなる複数（特許文献２では３連）のロードロックチャンバーを設け、隔壁のスリットを介して複数のロードロックチャンバーに感光基板を順次通過させる技術が開示されている。
特開２００５−０３２５１０号公報 特開２００４−１７９５６７号公報
上述したような従来技術では、ロードロックチャンバーを複数設けることから装置が大型化する可能性がある。
また、近年ではパターンの細線化に伴い、要求される真空度が高まっており、この要求に応えるためには、ロードロックチャンバーの数を多くしたり、ポンプを含む排気能力を高めたりする必要があり、さらなる装置の大型化及び高価格化を招いてしまう。
また、複数のロードロックチャンバーを用いて真空度を順次高くする場合には、各ロードロックチャンバーで排気する時間を要するため、感光基板に対する露光処理のスループットが悪化する可能性がある。
本発明の態様は、装置の大型化、高価格化を抑制しつつ、高スループット及び高真空度に対応できる搬送装置及び露光装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様における搬送装置は、隔壁で隔てられた第１空間と第２空間との間で、前記隔壁に形成された開口部を介して基板を搬送する搬送装置であって、前記基板を支持する支持部を有し、前記隔壁との間に隙間を形成した状態で前記開口部を塞ぐように設けられ、前記支持部を前記第１空間に臨む状態から前記第２空間に臨む状態に移動させる支持装置と、前記開口部に挿入された前記支持装置と前記隔壁との間の隙間を調整して、前記第１空間から前記第２空間への間の流体の移動を抑制する調整装置と、を有するものである。
本発明の別の態様における搬送装置は、隔壁で隔てられた第１空間と第２空間との間で基板を搬送する搬送装置であって、基板を支持する支持部を有し、該支持部が前記第１空間と前記第２空間との間を移動する支持装置と、前記第１空間と前記第２空間とに接続され、前記支持装置の移動経路を少なくとも一部を形成する第３空間と、前記第３空間にある気体を排気する排気装置と、を有し、前記排気装置は、前記基板の前記移動経路に沿って順次配置された互いに排気特性が異なる複数の排気部を有するものである。
本発明の別の態様における露光装置は、先に記載の搬送装置を備えるものである。
また、本発明の別の態様におけるチャンバー装置は、前記内部空間に臨む開口部を有し、該内部空間を外部空間に連通させる連絡空間と、前記連絡空間に設けられた吸引口を有る吸引装置と、を有するものである。
本発明の態様によれば、装置の大型化、高価格化を抑制しつつ高真空度に対応できる。
ＥＵＶ露光装置の一例（４枚投影系）を示す概略構成図である。 本発明に係る露光装置のチャンバー及び搬送装置を模式的に示す図である。 開口部及び搬送装置を示す構成図である。 搬送装置の概略構成を示す平面図である。 搬送装置の概略構成を示す正面断面図である。 第２実施形態に係る搬送装置の概略構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る搬送装置の概略構成を示す正面断面図である。 同搬送装置によるウエハ搬送を説明するための図である。 同搬送装置によるウエハ搬送を説明するための図である。 搬送装置の他の構成形態を示す部分平面図である。 本発明のマイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。 図１１におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。 ロードプレートによるウエハ搬送を説明するための図である。 第２実施形態におけるロードプレートによるウエハ搬送を説明するための図である。
以下、本発明の搬送装置及び露光装置の実施の形態を、図１から図１２を参照して説明する。本実施形態では、極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光で基板を露光するＥＵＶ露光装置において、大気圧下のクリーンルームと、当該クリーンルーム内で略真空状態の露光装置との間で基板を搬送する場合を例に挙げて説明する。
また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下の各図においては、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向については、それぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
また、基板として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（以下、単にウエハと呼ぶ）を用いた場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。
（第１実施形態）
図１に示すＥＵＶ露光装置ＥＸは、光源を含む照明系ＩＬを備えている。照明系ＩＬから放射されたＥＵＶ光（一般に波長５〜２０ｎｍが用いられ、具体的には１３ｎｍや１１ｎｍの波長が用いられる）は、折り返しミラー１で反射してレチクル（マスク）２に照射される。
レチクル２は、レチクルステージ３に保持されている。このレチクルステージ３は、スキャン方向（Ｙ軸）に１００ｍｍ以上のストロークを持ち、レチクル面内の走査方向と直交する方向（Ｘ軸）に微小ストロークを持ち、光軸方向（Ｚ軸）にも微小ストロークを持っている。ＸＹ方向の位置は図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Ｚ方向はレチクルフォーカス送光系４とレチクルフォーカス受光系５からなるレチクルフォーカスセンサでモニタされている。
レチクル２で反射したＥＵＶ光は、図中下側の光学鏡筒１４内に入射する。このＥＵＶ光は、レチクル２に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル２にはＥＵＶ光を反射する多層膜（例えばＭｏ／ＳｉやＭｏ／Ｂｅ）が形成されており、この多層膜の上に吸収層（例えばＮｉやＡｌ）の有無でパターニングされている。
光学鏡筒１４内に入射したＥＵＶ光は、第一ミラー６で反射した後、第二ミラー７、第三ミラー８、第四ミラー９と順次反射し、最終的にはウエハ（基板）１０に対して垂直に入射する。投影系の縮小倍率は、例えば１／４や１／５である。この図では、ミラーは４枚であるが、Ｎ．Ａ．をより大きくするためには、ミラーを６枚あるいは８枚にすると効果的である。鏡筒１４の近傍には、アライメント用のオフアクシス顕微鏡１５が配置されている。
ウエハ１０は、ウエハステージ１１上に載せられている。ウエハステージ１１は、光軸と直交する面内（ＸＹ平面）を自由に移動することができ、ストロークは例えば３００〜４００ｍｍである。同ウエハステージ１１は、光軸方向（Ｚ軸）にも微小ストロークの上下が可能で、Ｚ方向の位置はウエハオートフォーカス送光系１２とウエハオートフォーカス受光系１３からなるウエハフォーカスセンサでモニタされている。ウエハステージ１１のＸＹ方向の位置は図示せぬレーザ干渉計によって高精度にモニタされている。露光動作において、レチクルステージ３とウエハステージ１１は、投影系の縮小倍率と同じ速度比、すなわち、４：１あるいは５：１で同期走査する。
次に、露光装置ＥＸのメインチャンバー及び基板搬送装置について説明する。
図２は、本発明に係る露光装置ＥＸのメインチャンバー及び基板搬送装置を模式的に示す図である。露光装置ＥＸは、気圧（大気圧）、湿度、温度等が管理された空間であるクリーンルーム（第１空間）ＣＲ内に設けられている。
照明系ＩＬを含む鏡筒や光学鏡筒１４等（図１参照）は、クリーンルームＣＲとは隔てられた（区画された）空間であるチャンバー（第２空間）２０内に収容されている。そして、チャンバー２０内に、図１のような露光装置ＥＸが配置されている。なお、図２では、露光装置ＥＸのうちウエハＷを載置して位置決めするためのウエハステージ１１を抜粋して図示している。このチャンバー２０の図中下側には、ターボ分子ポンプや初期粗引きポンプ等を含む排気系２６が接続されている。この排気系２６により、チャンバー２０内は、大気圧から１０−４Ｐａ程度まで排気される。
このように、クレーンルームＣＲ（第１空間）が第１の圧力に設定された第１圧力室、チャンバー２０（第２空間）が第２の圧力に設定された第２圧力室といった関係になっている。ただし、このような構成に限定されるものではなく、前記第１空間と前記第２空間の圧力が等しく設定されていてもよい。本実施形態では、少なくとも、第１空間から第２空間への気体（流体）の移動を抑制できるように構成されているが、第２空間から第１空間への気体（流体）の移動を抑制することも可能である。
また、例えば、前記第１空間と前記第２空間の気体の種類を異ならせておき、両気体が混ざり合うのを防止するような場合であってもよい。この場合、第１空間から第２空間への気体（流体）、および第２空間から第１空間への気体（流体）の移動が、ともに抑制される。
本実施形態及び他の実施形態において、空間（あるいは気圧室）とは、特に密閉されたり閉じられたりした空間に限定されるものではなく、例えば、その空間内の状態を維持することができれば、一部が開放された空間になっていてもよい。例えば、前記第１、第２空間が前記隔壁を隔てた周辺では各空間内の流体が所定の状態に維持されていることができるが、前記隔壁から離れた位置で前記隔壁周辺ほど厳しく状態を設定する必要がない場合等は、密閉した空間や閉じられた空間としなくてもよい場合がある。本実施形態及び他の実施形態において、そのような場合も空間（あるいは空域としてもよい）として扱うものとする。
チャンバー２０を形成する隔壁２１には、クリーンルームＣＲとチャンバー２０内部との間でウエハ１０を搬送する際の経路となる開口部（接続部）２２が形成されている。開口部２２の形状は、図３に示すように、長手方向がＸ軸方向（水平方向）に延びる略矩形の断面形状となっており、一方がクリーンルームＣＲ内部に臨んで開口し、他端がチャンバー２０内部に臨んで開口することで両空間を接続している。また、図５に示すように、隔壁２１には、開口部２２に臨んで開口する排気口２１ａが＋Ｚ側及び−Ｚ側の面にそれぞれ形成されている。各排気口２１ａは、上記の排気系２６に接続されており、開口部２２内部及び開口部２２の周辺に存在する気体を排気する構成となっている。
また、本実施形態の露光装置ＥＸには、開口部２２を介してウエハ１０を搬送する搬送装置３０が備えられている。
搬送装置３０は、図３乃至図５に示すように、ロードプレート（支持装置）３１、ロードプレート３１を開口部２２に挿通させた状態でＹ方向に往復移動させる駆動装置（不図示）、ロードプレート３１と開口部２２との間の隙間を調整する調整装置３２とを有している。ロードプレート３１は、Ｙ方向に延びる板状部材であり、図３に示すように、開口部２２との間に微小量（例えば数μｍ）の隙間を形成する外形（Ｘ方向の幅及びＺ方向の厚さ）を有している。ロードプレート３１の上面（＋Ｚ側の面）には、ウエハ１０の外形よりも大きな径で、且つウエハ１０の厚さと略同一の深さで形成された、ウエハ１０を支持する平面視円形の凹部からなる支持部３３が形成されている。ウエハ１０の側面と支持部３３の壁面との間隔は、数十から数百ミクロンに設定されており、この間隔（隙間）を介して気体が移動しないように寸法が設定されている。本実施形態では、支持部３３がＹ軸方向に間隔をあけて複数（図２では２つ）設けられている場合を示しているが、支持部３３を１箇所としてもよい。
ロードプレート３１は、開口部２２に挿入された状態で前記駆動装置によってＹ方向に往復移動し、これにより、支持部３３が開口部２２を通ってチャンバー２０外部（隔壁２１の外部）となるクリーンルームＣＲとチャンバー２０内（隔壁２１の内部）との間で往復移動する。そのため、これから露光すべきウエハ１０を支持部３３で支持してチャンバー２０外部から内部に搬送したり、露光処理済みのウエハ１０をチャンバー２０内部から外部に搬送したりすることが可能となる。
ここで、チャンバー２０の外部において、ウエハ１０がロードプレート３１の支持部３３に載置されるとともに、支持部３３から取り出されるときのロードプレート３１の位置を第１の位置（図１３の（ａ）部、（ｂ）部に示す位置）とする。また、チャンバー２０の内部において、ウエハ１０がロードプレート３１の支持部３３に載置されるとともに、支持部３３から取り出されるときのロードプレート３１の位置を第２の位置（図１３の（ｃ）部に示す位置）とする。例えば、ロードプレート３１が前記第１の位置にあるときは、これから新たに露光処理されるウエハがウエハカセット等から取り出され、支持部３３に載置される。その後、ウエハが支持部３３によって支持された状態でロードプレート３１が前記第１の位置から前記第２の位置に向かって移動し（搬送動作）、ウエハは開口部２２を通過してチャンバー２０内に搬送される。ロードプレート３１が前記第２の位置に達すると、支持部３３のウエハは、例えば、アーム機構等により取り出されて露光装置ＥＸのウエハステージ１１上に載置され、所定の露光処理が行われる。露光処理が終了したウエハは、ウエハステージ１１から前記第２位置で待機しているロードプレート３１の支持部３３に移された後、ロードプレート３１が前記第１の位置に向かって移動することでチャンバー２０の外部に搬送される。そして、ロードプレート３１が前記第１の位置に達すると、ウエハは支持部３３から取り出され、現像処理等を行うためにさらに別の搬送装置等によって搬送される。
ロードプレート３１のＹ方向に関する寸法は、図１３に示すように、開口部２２における隔壁２１のＹ方向に関する寸法とＹ方向に関するウエハ１０の寸法（例えば、ウエハ１０の直径）とを足し合わせた寸法よりも大きく設定されている。図１３の（ｃ）部において、ロードプレート３１のＹ方向の寸法をＬ、開口部２２における隔壁２１のＹ方向に関する寸法をＨ、ウエハ１０のＹ方向に関する寸法（例えば、ウエハ１０の直径）をＤとすると、ＬはＨとＤとを足し合わせた寸法よりも大きい（Ｌ＞Ｈ＋Ｄ）。
ただし、これに限定されるものではなく、Ｌ＝Ｈ＋Ｄとなるように設定してもよい。
さらに、本実施形態の場合、ロードプレート３１が前記第１の位置にあるとき、図１３の（ａ）部、（ｂ）部に示すように、ロードプレート３１の一部は開口部２２を貫通したままの状態となっている。また、ロードプレート３１が前記第２の位置にあるとき、図１３の（ｃ）部に示すように、ロードプレート３１の一部（前記第１の位置にあるときとは反対側の端部）は開口部２２を貫通したままの状態となっている。
これにより、露光処理に伴うウエハ１０の搬送動作中（例えば、チャンバー２０内を所定の真空度に設定した状態でチャンバー２０とクリーンルームＣＲとの間でウエハ１０を移動させる場合）、開口部２２にはロードプレート３１の一部を常に貫通させるとともに調整装置３２によって隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間を適宜調整することが可能となる。そのため、開口部２２を介してチャンバー２０内とクリーンルームＣＲとの間で気体が移動することを防止（規制）することができ、チャンバー２０内を所定の真空状態に維持することが可能となる。すなわち、チャンバー２０内を真空に維持した状態でウエハ１０が搬送される。
なお、図１３の（ａ）部〜（ｃ）部に二点鎖線で示すように、ロードプレート３１を開口部２２に貫通させず、ロードプレート３１の移動経路に沿った方向の途中まで開口部２２に挿入させた状態としてもよい。この場合でも開口部２２が開放（全開）されていないので、開口部２２を介してチャンバー２０内とクリーンルームＣＲとの間の気体の移動を防止（規制）することが可能である。このとき、ロードプレート３１が開口部２２に挿入される量（Ｙ方向の寸法）は、例えば、排気口２１aの吸引される気体の流量やロードプレート３１が停止している時間等に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、前記搬送動作中は、ロードプレート３１が常に排気口２１ａと対向するような状態（図１３の（ａ）部、（b）部）の二点鎖線で示す状態）となるように設定してもよい。また、さらに排気口２１ａからＹ方向（移動方向）に関し前後数１０ｍｍ程度はロードプレート３１と開口部２２内壁面とが対向するようにするとよい。ただし、それに限定されるものではない。
このように、ロードプレート３１は、クリーンルームＣＲとチャンバー２０とを隔離する隔離部材として機能している。
なお、前記駆動装置は、直動方向（Ｙ方向のみ）にのみロードプレート３１（支持部３３）を駆動するよう構成されているが、それに限定されるものではない。また、駆動方法も特に限定されるものではなく、例えば、リニアモータやボールネジ等を用いたものを利用することができる。
また、支持部３３には、静電力によりウエハ１０をロードプレート３１（支持部３３）に吸着させる静電チャック装置３８が設けられている。なお、静電チャック以外の方法でウエハ１０を支持するようにしてもよい。
調整装置３２は、ガイド部３４Ｚ、３４Ｘ、電磁石（発磁装置）３５Ｚ、３５Ｘ、計測装置３６、制御装置３７とを主体に構成されている。
ガイド部３４Ｚは、磁性材で形成され、ロードプレート３１の上面の幅方向（Ｘ方向）両側の端縁に、ほぼ全長に亘ってそれぞれ埋設されている。ガイド部３４Ｘは、磁性材で形成され、ロードプレート３１の幅方向（Ｚ方向あるいは厚み方向）の両側面に、ほぼ全長に亘ってそれぞれ埋設されている。電磁石３５Ｚは、図４に示すように、隔壁２１のＹ方向両側に設けられガイド部３４Ｚとそれぞれ対向して配置されている。電磁石３５Ｘは、隔壁２１のＹ方向両側に設けられガイド部３４Ｘとそれぞれ対向して配置されている。計測装置３６は、ロードプレート３１との間のＺ方向及びＸ方向の距離をそれぞれ計測し、制御装置３７に出力するものであり、電磁石３５Ｘ、３５Ｚの近傍にそれぞれ設けられている。制御装置３７は、計測装置３６の計測結果に応じて電磁石３５Ｚ、３５Ｘへの通電量を制御することにより、各電磁石３５Ｚ、３５Ｘとガイド部３４Ｚ、３４Ｘとの間の距離を調整するものである。
また、図２及び図５に示すように、チャンバー２０内におけるロードプレート３１の支持部３３の下方（−Ｚ側の位置）には、搬送されたウエハ１０を下方から吸着保持して昇降するリフトピン４１と、リフトピン４１をＺ方向に沿って昇降させる駆動装置４２とが設けられている。
一方、チャンバー２０内におけるロードプレート３１の支持部３３の上方（−Ｚ側の＋置）には、支持部３３とウエハステージ１１との間でウエハ１０を搬送する搬送アーム４３が設けられている。
なお、ウエハ１０を支持部３３から取り出したり、支持部３３に載置したりする際に、必ずしもリフトピン４１を用いる必要はなく、それ以外の方法で行うようにしてもよい。例えば、ウエハ１０の上方からアーム等を用いて行うようにしてもよい。
続いて、上記の露光装置ＥＸにおいて、クリーンルームＣＲとチャンバー２０との間でウエハ１０を搬送する動作について説明する。
支持部３３に保持されたウエハ１０は、駆動装置の駆動によりロードプレート３１がＹ方向に移動することで、開口部２２を介してクリーンルームＣＲとチャンバー２０との間を移動する（搬送される）。また、クリーンルームＣＲから隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間を介して流入した気体（エア）は、排気口２１ａを介して排気系２６により排気される。
このとき、図３に示すように、開口部２２におけるロードプレート３１と隔壁２１との間の、Ｚ方向の隙間量ＳＺ及びＸ方向の隙間量ＳＸは、計測装置３６により計測されて制御装置３７に出力される。制御装置３７は、計測された隙間量ＳＺ、ＳＸが許容値に収まるように、当該隙間の方向に応じた電磁石３５Ｚ、３５Ｘに対する通電量を調整することにより、当該電磁石３５Ｚ、３５Ｘによるガイド部３４Ｚ、３４Ｘへの吸引力を調整する。これにより、例えば、許容値を超えて隙間量が広がるような場合でも該隙間量を許容範囲に収まるように制御することができる。
また、各方向毎の計測装置３６の計測結果に差が生じて、開口部２２に対してロードプレート３１が許容値以上に、θＺ方向（Ｚ軸周りの回転方向；ヨーイング方向）、θＹ方向（Ｙ軸周りの回転方向；ローリング方向）、θＸ方向（Ｘ軸周りの回転方向；ピッチング方向）に傾いていることが検出された場合に制御装置３７は、各方向対応した複数の計測装置３６のそれぞれに対して通電量を調整することにより、ロードプレート３１の傾きを補正することができる。従って、本実施形態では、ロードプレート３１と隔壁２１とが接触・干渉することなく、ウエハ１０をクリーンルームＣＲとチャンバー２０との間で搬送できる。
このように、本実施形態では、ロードプレート３１の移動によりウエハ１０を開口部２２を介して搬送する際に、調整装置３２が隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間を調整して、これらの接触・干渉を防止することができる。
このように、本実施形態では、開口部２２を、ロードプレート３１の少なくとも一部によって、隔壁２１とロードプレート３１との間に隙間を形成した状態で、ほぼ塞がれた状態にすることができ、さらに、隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間量を微小量に設定することができる。そのため、開口部２２が開放されて、その開放部分からチャンバー２０内に気体が流入するのを防止することができる。
また、クリーンルームＣＲから当該隙間に流入した気体は、排気口２１ａを介して排気系２６により排気されることから、チャンバー２０の低圧度（真空度）を容易に高めることが可能になり、複数のチャンバーを接続して用いた場合のように、装置の大型化及び高価格化を防止することができるとともに、チャンバー２０内を低圧にするまでの無駄な時間を要せず、スループットを向上させることができる。
なお、前記駆動装置と調整装置３２とを一体で構成するようにしてもよい。この場合、例えば、該駆動装置は、ロードプレート３１（支持部３３）をＹ方向に直動させるだけでなく、Ｘ方向、Ｚ方向、θＺ方向、θＹ方向、θＸ方向に移動させるようにすればよく、６ＤＯＦで移動できるステージの駆動装置等を適用させることが可能である。
また、本実施形態では、支持部３３を形成する凹部の深さがウエハ１０の厚さと略同一であるため、ウエハ１０の上面とロードプレート３１の上面とを略面一とすることができ、段差が生じた場合のように、突出した段差部が隔壁２１に接触したり、逆に凹んだ段差部を介してクリーンルームＣＲのエアがチャンバー２０内に流入して低圧度を損なわせることを防止できる。
そして、本実施形態の露光装置ＥＸでは、上記の搬送装置３０を備えることにより、装置の小型化、低価格化及び高スループット化を実現することができる。
（第２実施形態）
続いて、搬送装置の第２実施形態について、図６乃至図９を参照して説明する。
これらの図において、図１乃至図５に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図６に示すように、本実施形態のロードプレート３１の長さ方向の略中央部に支持部３３が設けられている。そして、隔壁２１のウエハ搬送方向（Ｙ方向）の長さは、ウエハ１０の外径、より詳細には、支持部３３の外径よりも大きく設定されている。従って、ロードプレート３１の長さは、支持部３３がクリーンルームＣＲ及びチャンバー２０の双方に露出可能となるように、ウエハ１０の長さ（直径）の３倍以上となっている。
また、図７に示すように、隔壁２１に形成されてロードプレート３１が挿通される開口部２２は、クリーンルームＣＲとチャンバー２０とを接続する第３気圧室５０を形成している。本実施形態では、クリーンルームＣＲ側からウエハ搬送方向に沿って順次配置され、負圧吸引特性が異なる複数（ここでは３つ）の吸引部２１Ａ〜２１Ｃで第３気圧室５０を排気する吸引装置５１が設けられている。なお、複数の吸引部２１Ａ〜２１Ｃは同一直線上（例えば、図においてＸ位置が同一）に配置される必要はなく、例えば、Ｘ方向に互いにシフトした状態であってもよい。
吸引部２１Ａには、到達真空度が数ＫＰａで排気速度（排気容量）が大きいスクロールポンプ２６Ａが接続されている。吸引部２１Ｂには、到達真空度が数百Ｐａで排気速度（排気容量）がスクロールポンプ２６Ａよりも小さいドライポンプ２６Ｂが接続されている。また、吸引部２１Ｃには、到達真空度が数十Ｐａで排気速度（排気容量）が大きいスクロールポンプ２６Ａ及びドライポンプ２６Ｂよりも小さいターボ分子ポンプ２６Ｃが接続されている。すなわち、本実施形態では、第１気圧室及び前記第２気圧室のうち、気圧の高いクリーンルームＣＲ側から気圧の低いチャンバー２０側へ向けて、吸引量が大きく、且つ吸引力の小さい吸引部２１Ａから、負圧吸引量が小さく、且つ吸引力の大きい吸引部２１Ｃが順次配置されている。
他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
上記構成の搬送装置３０では、駆動装置の駆動によりロードプレート３１がＹ方向に移動することで、第３気圧室５０（開口部２２）を介してクリーンルームＣＲとチャンバー２０との間を移動する（搬送される）。ここで、クリーンルームＣＲから隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間を介して流入したエアは、スクロールポンプ２６Ａの駆動により吸引部２１Ａから排気される。また、吸引部２１から排気しきれずにチャンバー２０に向かうエアは、より大きな到達真空度を有するドライポンプ２６Ｂの駆動により吸引部２１Ｂから排気される。さらに、吸引部２１から排気しきれずにチャンバー２０に向かうエアは、さらに大きな到達真空度を有するターボ分子ポンプ２６Ｃの駆動により吸引部２１Ｃから排気される。
また、図８に示すように、ウエハ１０が第３気圧室５０に達した際には、隔壁２１のＹ方向の長さがウエハ１０及び支持部３３の外径よりも大きいことから、ウエハ１０と支持部３３との間の隙間がクリーンルームＣＲ及びチャンバー２０の双方に露出することがない。そのため、当該隙間が流路となってクリーンルームＣＲのエアがチャンバー２０に流入することが阻止され、図９に示すように、ウエハ１０を支障なくチャンバー２０に搬送することができる。
本実施形態の場合、ロードプレート３１のＹ方向に関する寸法は、図１４に示すように、開口部２２における隔壁２１のＹ方向に関する寸法とＹ方向に関するウエハ１０の寸法（例えば、ウエハ１０の直径）とを足し合わせた寸法よりも大きく設定されている。図１４の（ｃ）部において、ロードプレート３１のＹ方向の寸法をＬ、開口部２２における隔壁２１のＹ方向に関する寸法をＨ、ウエハ１０のＹ方向に関する寸法（例えば、ウエハ１０の直径）をＤとすると、ＬはＨとＤとを足し合わせた寸法よりも大きい（Ｌ＞Ｈ＋Ｄ）。
さらに、本実施形態の場合、ロードプレート３１が前記第１の位置にあるとき、図１４の（a）部及び（ｂ）部に示すように、ロードプレート３１の一部は開口部２２を貫通したままの状態となっている。また、ロードプレート３１が前記第２の位置にあるとき、図１４の（ｃ）部に示すように、ロードプレート３１の一部（前記第１の位置にあるときとは反対側の端部）は開口部２２を貫通したままの状態となっている。
これにより、露光処理に伴うウエハ１０の搬送動作中（例えば、チャンバー２０内を所定の真空度に設定した状態でチャンバー２０とクリーンルームＣＲとの間でウエハ１０を移動させる場合）、開口部２２にはロードプレート３１の一部を常に貫通させるとともに調整装置３２によって隔壁２１とロードプレート３１との間の隙間を適宜調整することが可能となる。そのため、開口部２２を介してチャンバー２０内とクリーンルームＣＲとの間で気体が移動することを防止（規制）することができ、チャンバー２０内を所定の真空状態に維持することが可能となる。
なお、ロードプレート３１を開口部２２に貫通させず、ロードプレート３１の移動経路に沿った方向の途中まで開口部２２に挿入させた状態としてもよい。この場合でも開口部２２が開放（全開）されていないので、開口部２２を介してチャンバー２０内とクリーンルームＣＲとの間の気体の移動を防止（規制）することが可能である。このとき、ロードプレート３１が開口部２２に挿入される量（Ｙ方向の寸法）は、例えば、排気口２１Ａの吸引される気体の流量やロードプレート３１が停止している時間等に応じて適宜設定することが可能であるが、例えば、前記搬送動作中は、ロードプレート３１が常に排気口２１Ｃと対向するような状態（図１４における（ａ)、（b）、（ｃ）部）の二点鎖線で示す状態）となるように設定するとよい。また、さらに排気口２１ＣからＹ方向（移動方向）に関し前後数１０ｍｍ程度はロードプレート３１と開口部２２内壁面とが対向するようにするとよい。ただし、それに限定されるものではない。
このように、本実施形態においても、ロードプレート３１が挿通される第３気圧室５０を介してクリーンルームＣＲのエアがチャンバー２０に流入することが阻止されるため、チャンバー２０の低圧度（真空度）を容易に高めることが可能になり、複数のチャンバーを接続して用いた場合のように、装置の大型化及び高価格化を防止することができるとともに、チャンバー２０内を低圧にするまでの無駄な時間を要せず、スループットを向上させることができる。また、本実施形態では、ウエハ１０全体が第３気圧室５０内に収まることから、ウエハ１０と支持部３３との間の隙間がクリーンルームＣＲとチャンバー２０とを連通させる流路となって、チャンバー２０にエアが流入して低圧度（真空度）が低下することを防止できる。
以上、添付図面を参照しながら実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記各実施形態では、露光装置ＥＸにおけるウエハの搬送装置として構成した場合を例に説明したが、マスク（レチクル）の搬送装置に適用させてもよい。
また、上記第１実施形態における隔壁２１のＹ方向の幅は、例えば図４及び図５に示したように、ウエハ１０及び支持部３３の外径よりも小さいものとして示したが、これに限定されるものではない。例えば、第２実施形態と同様に、隔壁２１のＹ方向の幅をウエハ１０及び支持部３３の外径よりも大きくすることにより、第２実施形態で説明した効果と同様の効果を奏することができる。
また、上記実施形態では、ロードプレート３１を平面視矩形の板状とし、当該ロードプレート３１を駆動させることにより、クリーンルームＣＲとチャンバー２０との間でウエハ１０を搬送する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば図１０に示すように、ロードプレート３１を円盤形状として、隔壁２１に設けられたＺ方向に延びる回転軸周りに回転可能とし、回転駆動装置５５によりＺ方向と平行な軸周りに回転させてもよい。この構成では、例えば支持部３３を回転軸を挟んで対称に２つ配置し、ロードプレート３１を回転させることにより、ウエハ１０をクリーンルームＣＲとチャンバー２０との間を開口部２２を介して順次移動させることができる。
また、チャンバー２０の内部と外部それぞれで、複数の支持部３３が各空間に露出するように構成してもよい。複数の支持部３３を設けることで、それぞれに対して複数のウエハを個別に処理させることができるので、スループットを向上させることができる。
また、上記実施形態では、ロードプレート３１の一面に支持部３３を設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、ロードプレート３１の両面に支持部３３を設け、複数枚のウエハ１０を同時に搬送する構成としてもよい。この場合には、ウエハ１０の搬送効率が大幅に向上し、生産効率を向上させることができる。なお、本実施形態では、開口部２２に挿入されたロードプレート３１と、隔壁２１との隙間量を調整して、第１空間から第２空間への流体の移動を抑制する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。
また、上記実施形態では、開口部２２及び第３気圧室５０が水平方向に延びる略矩形の断面形状を有するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば鉛直方向に延びる略矩形の断面形状を有する構成であってもよい。この場合、フットプリント（設置面積）を小さくして、工場における専有面積を小さくすることが可能になる。また、上述した、ロードプレート３１の両面に支持部３３を設ける構成を採用する場合には、ロードプレート３１にウエハ１０を水平方向に吸着することになり、安全性を高めることができる。
また、上記各実施形態では、露光装置ＥＸは周囲をクリーンルームＣＲで囲まれた状態となっているが、このような構成に限定されるものではない。例えば、複数のチャンバーが連続して配置され、これらチャンバー間を区画するための隔壁に設けられた開口部を通して基板を搬送させるような場合に適用させてもよい。
また、上記各実施形態では、本発明に係る搬送装置を露光装置に適用する例を示したが、これに限定されるものではなく、気圧が異なる複数の気圧室の間で基板を搬送する装置に対しては広く適用可能である。例えば、真空チャンバー内で基板にスパッタ等の成膜処理を行う成膜装置に対して基板搬送する場合等に適用可能である。
さらに、上記各実施形態では、搬送装置（ロードプレート３１）が隔壁に対して移動するように調整装置が構成されているが、これに限定されるものではない。例えば、隔壁側にも移動部材を設けておき、隔壁と搬送装置（ロードプレート３１）との間の隙間量を調整しつつ両者を逆方向に移動させるように構成することも可能である。 また、搬送装置（ロードプレート３１）側を固定しておき、隔壁の一部（搬送装置との対向部）が搬送装置に対して移動するように構成することも可能である。
なお、上述の各実施形態の基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ等が適用される。あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等にも適用可能である。
露光装置ＥＸとしては、レチクル２とウエハ１０とを同期移動してレチクル２のパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクル２とウエハ１０とを静止した状態でレチクル２のパターンを一括露光し、ウエハ１０を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板上に転写した後、第２パターンと基板とをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板を順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
更に、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置ＥＸの種類としては、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、本実施形態においては、露光光がＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光として、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。その場合、チャンバー２０は必ずしも真空状態に調整される必要はなく、例えば大気圧とは異なる圧力のガスで満たすことができる。ガスで満たす場合、ガスが満たされたチャンバー２０の環境を維持するために、本実施形態の搬送装置３０で基板を搬送すればよい。
以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１１は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図１２は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等へ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
一実施形態における搬送装置において、例えば、高圧の第１空間（第１気圧室）から低圧の第２空間（第２気圧室）に支持装置（３１）により開口部（２２）を介して基板（１０）を搬送する際に、調整装置（３２）により開口部における支持装置と隔壁との間の隙間を微小量に調整することができる。そのため、本実施形態では、第１空間の気体が開口部における支持装置と隔壁との間の隙間から第２空間に流入して、第２空間の気圧が上昇することを抑制できる。そのため、本実施形態では、例えば、各空間を形成する気圧室等を多連に設けることなく、第２空間の低圧度（例えば真空度）を容易に高めることが可能になり、装置の大型化及び高価格化を防止することができるとともに、スループットを向上させることができる。
一実施形態において、搬送装置は、例えば、高圧の第１空間から低圧の第２空間に支持装置（３１）により第３空間（５０）を介して基板（１０）を搬送する際に、第３空間を負圧吸引することにより、第１空間の気体が第３空間を介して第２空間に流入して、第２空間の気圧が上昇することを抑制できる。吸引装置としては、一般的に、より低圧にする場合には小容量の気体が吸引可能であり、逆に大容量で気体を吸引する場合には低圧度を高めることが困難であるという負圧吸引特性を有しているため、各負圧吸引特性を有する複数の吸引部（２１Ａ〜２１Ｃ）により第３空間を負圧吸引することにより、第２空間に向かう気体を大容量で第３空間で吸引しつつ、当該第３空間の低圧度を高めることができ、結果として第２空間の低圧度を維持することが可能になる。そのため、本実施形態では、各空間を形成する気圧室を多連に設けることなく、第２空間の低圧度（例えば真空度）を容易に高めることが可能になり、装置の大型化及び高価格化を防止することができるとともに、スループットを向上させることができる。
一実施形態において、露光装置は、例えば、基板の搬送に係る装置の小型化、低価格化及び高スループット化により、露光装置の小型化、低価格化及び高スループット化を実現できる。
１０…ウエハ（基板）、 ２０…チャンバー（第２空間）、 ２１…隔壁、 ２１Ａ〜２１Ｃ…排気部、 ２２…開口部、 ３０…搬送装置、 ３１…ロードプレート（支持装置）、 ３２…調整装置、 ３３…支持部、 ３４Ｚ…ガイド部、 ３５Ｘ、３５Ｚ…電磁石（発磁装置）、 ５０…第３気圧室、 ５１…排気装置、 ＣＲ…クリーンルーム（第１空間）、 ＥＸ…露光装置。

Claims (27)

  1. 隔壁で隔てられた第１空間と第２空間との間で、前記隔壁に形成された開口部を介して基板を搬送する搬送装置であって、
    前記基板を支持する支持部を有し、前記隔壁との間に隙間を形成した状態で前記開口部を塞ぐように設けられ、前記支持部を前記第１空間に臨む状態から前記第２空間に臨む状態に移動させる支持装置と、
    前記隙間の量を調整して、前記第１空間から前記第２空間への流体の移動を抑制する調整装置と、
    を有する搬送装置。
  2. 前記支持装置を駆動して、前記支持部を、前記開口部内を経由して前記第１空間と前記第２空間との間で移動させるとともに、前記基板の搬送動作中は、前記支持装置の一部が前記開口部に挿入された状態としておく駆動装置を有する請求項１記載の搬送装置。
  3. 前記支持装置は所定方向に移動して前記支持部を前記第１空間と前記第２空間との間で移動させ、
    前記所定方向に関する前記支持装置の寸法は、前記開口部における前記隔壁の前記所定方向に関する寸法と前記所定方向に関する前記基板の寸法とを合わせた寸法よりも大きい、請求項１または請求項２に記載の搬送装置。
  4. 前記調整装置は、磁性材で形成され、前記支持装置に前記基板の移動方向に沿って設けられた第１部材と、
    前記第１部材と対向するように配置され、前記第１部材との間で発生する電磁力により前記第１部材との間の距離を調整する第２部材と、を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の搬送装置。
  5. 前記第１部材及び前記第２部材は、前記支持装置の鉛直方向の一方の側と、前記支持装置の前記搬送方向と直交する水平方向の両側とにそれぞれ設けられる請求項１から４のいずれか一項に記載の搬送装置。
  6. 前記隔壁の前記開口部近傍にある流体を排気する排気装置をさらに有する請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の搬送装置。
  7. 前記排気装置は、前記隔壁の前記開口部に臨んで開口された排気口を有する請求項６に記載の搬送装置。
  8. 前記支持装置は、断面略矩形状に形成され、
    前記開口部は、水平方向に延びる略矩形の断面形状を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の搬送装置。
  9. 前記支持装置は、断面略矩形状に形成され、
    前記開口部は、鉛直方向に延びる略矩形の断面形状を有する請求項１から８のいずれか一項に記載の搬送装置。
  10. 前記支持部は、前記支持装置に設けられた凹部に配置される請求項１から９のいずれか一項に記載の搬送装置。
  11. 前記凹部の深さは、前記基板の厚さと略同一である請求項１０記載の搬送装置。
  12. 前記支持部は静電チャック装置を有する請求項１から１１のいずれか一項に記載の搬送装置。
  13. 前記所定方向に関する前記支持装置の寸法は、前記所定方向に関する前記基板の寸法の３倍以上である請求項３に記載の搬送装置。
  14. 前記所定方向に関する前記開口部の寸法が、前記所定方向に関する前記基板の寸法以上である請求項３または請求項１３に記載の搬送装置。
  15. 前記支持部は、前記支持装置の厚さ方向の両側に設けられている請求項１から１４のいずれか一項に記載の搬送装置。
  16. 前記搬送動作中は、前記駆動装置は前記支持装置が前記開口部を貫通した状態としておく請求項２に記載の搬送装置。
  17. 前記駆動装置は、前記支持装置を回転させて、前記支持部を前記第１空間と前記第２空間との間で回転移動させる請求項２に記載の搬送装置。
  18. 前記第１空間の圧力と前記第２空間の圧力が互いに異なるように設定されている請求項１から１７のいずれか一項に記載の搬送装置。
  19. 隔壁で隔てられた第１空間と第２空間との間で基板を搬送する搬送装置であって、
    基板を支持する支持部を有し、該支持部が前記第１空間と前記第２空間との間を移動する支持装置と、
    前記第１空間と前記第２空間とに接続され、前記支持装置の移動経路の少なくとも一部を形成する第３空間と、
    前記第３空間にある気体を排気する排気装置と、
    を有し、
    前記排気装置は、前記基板の前記移動経路に沿って順次配置された互いに排気特性が異なる複数の排気部を有する搬送装置。
  20. 前記第１空間は前記第２空間よりも高い圧力に設定されており、前記排気装置の複数の排気部は、前記移動経路に沿って、前記第１空間から前記第２空間に向かうにつれて排気量が大きく且つ排気力の小さい排気部から、排気量が小さく且つ排気力の大きい排気部が順次配置されている請求項１９記載の搬送装置。
  21. 前記第３空間の前記移動経路に沿った寸法が、前記基板の前記移動経路に沿った寸法よりも大きい請求項１９または請求項２０記載の搬送装置。
  22. 第１空間および第２空間にそれぞれ臨んで開口し、前記第１空間と前記第２空間とを接続する接続部を介して前記第１空間と前記第２空間との間で基板を搬送する搬送装置であって、
    前記接続部に挿入されて前記第１空間と前記第２空間とを隔離する隔離部材と、
    前記隔離部材に設けられた基板保持部と、
    前記基板保持部が前記第１空間内に位置する状態から前記第２空間内に位置する状態となるように前記隔離部材を移動させる駆動装置と、を有する搬送装置。
  23. 隔壁で隔てられた第１空間と第２空間との間で基板を搬送する搬送装置であって、
    基板を支持する支持部を有し、該支持部が前記第１空間と前記第２空間との間を移動する支持装置と、
    前記第１空間と前記第２空間とに接続され、前記支持装置の移動経路の少なくとも一部を形成する第３空間と、
    前記第３空間にある気体を排気する排気装置と、
    を有し、
    前記第３空間の前記基板の搬送方向に関する寸法は、該基板の前記搬送方向の寸法以上である搬送装置。
  24. 少なくとも前記第２空間が真空である請求項１から２３のいずれか一項に記載の搬送装置。
  25. 請求項１から２４のいずれか一項に記載の搬送装置を備える露光装置。
  26. 露光空間を形成するチャンバー部材と、
    前記露光空間内に配置された基板保持装置と、
    前記露光空間の外部から前記基板保持装置に基板を搬送する請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の搬送装置と、を有し、前記露光空間が前記第１空間であり、前記隔壁が前記チャンバー部材の一部である露光装置。
  27. 内部空間を形成するためのチャンバー装置であって、
    前記内部空間に臨む開口部を有し、該内部空間を外部空間に連通させる連絡空間と、
    前記連絡空間に設けられた吸引口を有する吸引装置と、を有するチャンバー装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048043A1 (de) 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
JP6328577B2 (ja) * 2015-02-24 2018-05-23 株式会社荏原製作所 荷重測定装置および荷重測定方法
CN111223804B (zh) * 2018-11-26 2022-09-09 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 一种基板运送装置
CN114408518B (zh) * 2022-04-01 2022-08-19 深圳市龙图光电有限公司 半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689934A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置に於ける基板搬送方法
JPH07305165A (ja) * 1994-05-02 1995-11-21 Sony Corp スパッタリング装置
JP2000031007A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Nikon Corp ステージ装置及びそれを用いた光学装置
JP2002349569A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Canon Inc 静圧軸受装置及びそれを用いたステージ装置
JP2004103824A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Nikon Corp 基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置
JP2009004508A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Canon Inc ロードロック装置、処理装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1144263C (zh) * 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
WO1998028665A1 (en) * 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11194479A (ja) 1997-12-26 1999-07-21 Nikon Corp フォトマスクの製造方法及び装置
WO1999050712A1 (fr) 1998-03-26 1999-10-07 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication
WO1999066370A1 (fr) 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede relatif a l'elaboration d'un masque
JP2000012453A (ja) 1998-06-18 2000-01-14 Nikon Corp 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2000029202A (ja) 1998-07-15 2000-01-28 Nikon Corp マスクの製造方法
AU2691800A (en) * 1999-02-26 2000-09-14 Nikon Corporation Exposure system, lithography system and conveying method, and device production method and device
WO2000055891A1 (fr) * 1999-03-12 2000-09-21 Nikon Corporation Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif
US7066703B2 (en) * 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
AU2001245318A1 (en) 2000-03-20 2001-10-03 Tokyo Elctron Limited Chuck transport method and system
EP1364257A1 (en) * 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
SG102718A1 (en) * 2002-07-29 2004-03-26 Asml Holding Nv Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
JP4134692B2 (ja) 2002-11-19 2008-08-20 松下電工株式会社 エレベーターの塔屋ユニットの接合構造
JP4277517B2 (ja) 2002-11-29 2009-06-10 株式会社ニコン 露光装置及び基板搬送装置
JP4540939B2 (ja) * 2003-03-24 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2005032510A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、露光装置及び露光方法
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101381094B1 (ko) 2005-12-01 2014-04-04 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 팁홀더

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689934A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置に於ける基板搬送方法
JPH07305165A (ja) * 1994-05-02 1995-11-21 Sony Corp スパッタリング装置
JP2000031007A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Nikon Corp ステージ装置及びそれを用いた光学装置
JP2002349569A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Canon Inc 静圧軸受装置及びそれを用いたステージ装置
JP2004103824A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Nikon Corp 基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置
JP2009004508A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Canon Inc ロードロック装置、処理装置およびデバイス製造方法

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