JP2004103824A - 基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置 - Google Patents

基板搬送方法、基板搬送装置及び露光装置 Download PDF

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【課題】スループットを向上できる等の利点を有する基板搬送方法及び基板搬送装置等を提供する。
【解決手段】ウェハ10の搬送開始時には、ゲート23は下がっており、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断されている。この状態で、移動テーブル22上には、ウェハ10が載置されて吸着される。そして、ゲート23が上がると同時に、移動テーブル22が真空側に移動を開始する。ゲート23が上がると、チャンバ隔壁21のスリット開口21Aが開くが、ウェハ10の通過時には、ウェハ10表面とスリット開口21A端部間の距離が実質的な開口部となる。ウェハ10の通過中、隙間から空気が内部に流れ込むため、常に真空ポンプで排気する。搬送終了時には、ゲート23が再び下がって、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断される。
【選択図】   図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する方法・装置、及び、それが適用される露光装置に関する。特には、スループットを向上できる等の利点を有する基板搬送方法及び基板搬送装置等に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、本発明の光学素子保持方法により光学素子を保持するEUV投影露光装置の構成図である。
図1に示す露光装置は、主にEUV源17、EUV源17から射出したEUV19aをマスク12に照射させる照明光学系18、マスク上の回路パターンをウエハ14上に投影するEUV投影光学系11、マスクステージ13及びウエハステージ15から構成されている。
【0003】
本装置においては、EUV源から発したEUV19aが照明光学系18を通過する。この通過したEUV19bがマスク12に照射される。この時、露光波長は13.4nmとし、マスクは反射型のものを用いる。マスクで反射したEUV19cは投影光学系11を通過する。投影光学系11を通過したEUV19dはウエハ14上に到達し、マスク上のパターンがウエハ14上に縮小転写される。
【0004】
投影光学系は6枚の多層膜反射鏡で構成され、倍率は1/5であり、幅2mm、長さ30mmの輪帯状の露光視野を有する。6枚の反射鏡は、鏡筒内に支持されている。鏡筒をインバー製とすることで熱変性が生じにくいようにしている。
【0005】
反射鏡は反射面形状が非球面であり、その表面にはEUVの反射率を向上するためのMo/Si多層膜がコートされている。多層膜反射鏡は、本発明の光学素子保持方法により鏡筒に保持されている。
また、露光時、マスク12及びウエハ14はそれぞれステージ13、15により走査される。ウエハ14の走査速度は、常にマスクの走査速度の1/5となるように同期している。その結果、マスク12上のパターンをウエハ上に1/5に縮小して転写することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
前述の露光装置においては、ウェハロードロック室111内の気圧を大気圧から真空に変化させる際に、数分以上(一例5分)の時間を要する。そのため、スループットの向上(例えば一時間当たり80枚の処理能力の達成)が困難であった。これに対し、ウェハを数枚まとめて処理することが考えられるが、コータ・デベロッパ(レジストを塗る機械)がウェハを一枚ずつ処理するために、デットタイムが多くなるという問題が引き起こされる。あるいは、ロードロック室を複数室用意することも考えられるが、この場合は装置の複雑化を招く。
【0007】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、スループットを向上できる等の利点を有する基板搬送方法及び基板搬送装置等を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の基板搬送方法は、真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する方法であって、 該チャンバーの大気−真空隔壁に開閉式のスリット開口を設けておき、該スリット開口を通して前記基板を出し入れすることを特徴とする。
【0009】
本発明によれば、スリット開口を通して基板を出し入れするので、真空チャンバーの真空を保ちつつ基板の搬送を行うことができ、スループットを向上することができる。なお、スリット開口の幅は、基板1枚が通過可能な程度(一例で基板の厚さが0.7mmに対し、スリット幅は1mm程度)に形成するのが好ましい。
【0010】
本発明の基板搬送方法においては、前記基板を収納するカセットに入れた状態で、前記スリット開口を通すことができる。
この場合、基板がカセットで保護されるので、搬送時に基板が損傷する可能性を低減できる。なお、この場合のスリット開口の幅は、カセットの厚さより若干広く形成する(一例でカセットの厚さが3mmに対し、スリット幅は3mm+α程度)のが好ましい。
【0011】
本発明の基板搬送装置は、真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する装置であって、 該チャンバーの大気−真空隔壁に設けられた開閉式のスリット開口と、 該開口を通して前記基板を出し入れする搬送手段と、を有することを特徴とする。
【0012】
本発明の基板搬送装置においては、前記搬送手段が、静電吸着式の移動式テーブルからなるものとすることができる。
このような移動式テーブルは、静電吸着式のベルトコンベア等により実現できる。このベルトコンベアでは、基板を吸着させたまま流して搬送する。
【0013】
本発明の基板搬送装置においては、前記移動式テーブルの温度調整機構をさらに備えるものとすることができる。
この場合、基板の温度を一定に保つことができる。
【0014】
本発明の露光装置は、真空チャンバー内で感応基板上に転写露光する露光装置であって、 前記真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する基板搬送装置を備え、 該基板搬送装置が、前記チャンバーの大気−真空隔壁に設けられた開閉式のスリット開口と、 該開口を通して前記基板を出し入れする搬送手段と、を有することを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、EUV光(極端紫外光)露光装置の場合を例に採って、図面を参照しつつ説明する。
まず、EUV光露光装置の概略について説明する。
図1は、本発明に係るEUV光露光装置の全体構成を示す図である。
図1の上部左側には、光源を含む照明光学系ILが配置されている。照明光学系ILの光源から放射されるEUV光の波長は、一般に5〜20nm、具体的には例えば13nmや11nmである。このEUV光は、図1の上部右側の折り返しミラー1に当たって上側に反射される。
【0016】
折り返しミラー1の上側には、レチクル2を保持するレチクルステージ3が配置されている。このレチクルステージ3は、走査方向(Y軸)に100mm以上のストロークを有するとともに、レチクル面内走査方向と直交する方向(X軸)及び光軸方向(Z軸)に微小ストロークを有する。レチクルステージ3のXY方向の位置はレーザ干渉計5によって高精度にモニタされ、同ステージ3のZ方向の位置はレチクルフォーカスセンサ4a(送光系)及び4b(受光系)によってモニタされる。
【0017】
折り返しミラー1で反射されたEUV光は、レチクル2に照射された後に下側に反射される。レチクル2で反射されたEUV光は、図1の下部に示す投影光学系鏡筒14内に入射する。このEUV光は、レチクル2に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。レチクル2には、EUV光を反射する多層膜(例えばMo/SiやMo/Be)がコートされており、この多層膜の上に吸収層(例えばNiやAl)がパタニングされている。
【0018】
投影光学系鏡筒14内には、第1ミラー6、第2ミラー7、第3ミラー8、第4ミラー9がそれぞれ配置されている。投影光学系鏡筒14内に入射したEUV光は、まず第1ミラー6に当たって上側に反射され、次いで第2ミラー7に当たって下側に反射され、さらに第3ミラー8に当たって上側に反射され、最後に第4ミラー9に当たって反射され、最終的に図の下部に示すウェハ10に対して垂直に入射する。この投影光学系鏡筒14における回路パターンの縮小倍率は、例えば1/4や1/5である。なお、この例では投影光学系鏡筒14内に4枚のミラーを配置しているが、N.A.(開口数)をより大きくするためには、ミラーの数を6枚あるいは8枚にすると効果的である。
【0019】
投影光学系鏡筒14の下側には、ウェハ10を載置するウェハステージ11が配置されている。このウェハステージ11は、光軸と直交する面内(XY平面)を自由に移動することができる。ウェハステージ11のXY面内でのストロークは、一例で300〜400mmである。ウェハステージ11のXY方向の位置は、レーザ干渉計13によって高精度にモニタされる。ウェハステージ11は、光軸方向(Z軸)にも微小ストロークの上下が可能である。ウェハステージ11のZ方向の位置は、ウェハフォーカスセンサ12a(送光系)及び12b(受光系)によってモニタされる。なお、露光動作において、前述のレチクルステージ3とウェハステージ11は、投影系の縮小倍率と同じ速度比で同期走査する。
【0020】
投影光学系鏡筒14の下部には、オフアクシス顕微鏡15が設けられている。このオフアクシス顕微鏡15は、ウェハ10上のアライメントマーク等を検出するためのものである。
【0021】
次いで、この露光装置におけるウェハ10の搬送方法について説明する。
図2は、本発明の第1実施例に係るウェハの搬送装置の搬送開始時の様子を説明する側面図である。
図3は、同ウェハの搬送装置の搬送中の様子を説明する側面図である。
図4は、同ウェハの搬送装置の搬送終了時の様子を説明する側面図である。
図5は、ウェハの搬送に用いる移動テーブルに具備された温度制御機構を示す図である。
【0022】
図2〜図3には、レジストが塗布されたウェハ10を、真空の露光装置内(真空側)へ搬送する様子が示されている。これらの図において符号21は露光装置のチャンバ隔壁である。このチャンバ隔壁21で、大気と真空が仕切られている。チャンバ隔壁21には、図の左右に移動可能な移動テーブル22が組み付けられている。この移動テーブル22には、静電チャック(図示されず)が具備されている。ウェハ10は、静電チャックで移動テーブル22上に吸着される。
【0023】
チャンバ隔壁21には、スリット状の開口21Aが形成されている。このスリット開口21Aの幅は、1枚のウェハ10が通過可能な程度(一例でウェハ10の厚さが0.7mmに対し、スリット幅は1mm程度)である。さらに、チャンバ隔壁21には、上下可動式(開閉式)のゲート23が組み込まれている。このゲート23が上がった状態(図3参照)では、チャンバ隔壁21と移動ステージ22上面間のスリット開口21Aが開き、ゲート23が下がった状態(図2及び図4参照)では、スリット開口21Aが閉じる。
【0024】
図5に示すように、移動テーブル22の内部には、温度制御部24が設けられている。この温度制御部24は、電熱ヒーターやペルチエ素子、ヒートパイプ、流体冷却等、様々な方式を使用できる。この温度制御部24により、移動テーブル22上のウェハ10の温度を一定に保つことができる。なお、移動テーブル22には、ウェハ10の温度を検知するための温度センサ(図示されず)も設けられている。
【0025】
ウェハ10の搬送方法について説明する。
まず、図2に示す搬送開始時には、ゲート23は下がっており、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断されている。この状態で、移動テーブル22上には、ウェハ10が載置されて吸着される。そして、ゲート23が上がると同時に、移動テーブル22が横(図の右側;真空側)に移動を開始する。ゲート23が上がると、チャンバ隔壁21のスリット開口21Aが開くが、図3に示すように、ウェハ10の通過時には、ウェハ10表面とスリット開口21A端部間の距離が実質的な開口部となる。この実質的な開口幅は、例えば10〜100μmに設定するのが好ましい。ウェハ10の通過中、隙間から空気が内部に流れ込むため、常に真空ポンプで排気する。最後に、図4に示す搬送終了時には、ゲート23が再び下がって、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断される。
【0026】
このような搬送方法によれば、スリット開口21Aを通してウェハ10を出し入れするので、真空側の真空度低下を最低限に保ちつつウェハ10の搬送を行うことができる。この方式では、ロードロック室の真空排気の時間を待つ必要がなくなるため、ウェハの搬送を短時間に行え、スループットを向上することができる。
【0027】
以下、本発明の第2実施例を示す。
図6は、本発明の第2実施例に係るウェハの搬送装置の搬送開始時の様子を説明する側面図である。
図7は、同ウェハの搬送装置の搬送中の様子を説明する側面図である。
図8は、同ウェハの搬送装置の搬送終了時の様子を説明する側面図である。
この第2実施例では、ウェハをカセットに収納した状態で搬送する。
【0028】
図6〜図8に示すように、レジストが塗布されたウェハ10は、カセット25に格納されている。このカセット25は、ウェハ10を一枚収納できる厚さ(一例で3mm)に形成されている。この場合、カセット25が挿通可能なように、チャンバ隔壁21のスリット開口21Aの幅は、カセット25の厚さより若干広くなっている(一例で3mm+α程度)。カセット25は、カセット駆動機構26の駆動によって、図の左右に移動可能である。なお、カセット25には、前述の第1実施例と同様の温度調整機構を組み込んでもよい。
【0029】
図6に示す搬送開始時には、ゲート23は下がっており、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断されている。この状態で、ウェハ10は大気側でカセット25に格納されている。そして、図7に示すように、ゲート23を開くと同時に、カセット駆動機構26で押されたカセット25が真空側に移動する。カセット25の移動が完了すると、図8に示すように、ゲート23が再び下がって、大気と真空はチャンバ隔壁21で完全に遮断される。
【0030】
この第2実施例の場合は、ウェハ10がカセット25で保護されるので、搬送時にウェハ10が損傷したりゴミが付着したりする可能性を低減できる。
なお、前述の第1及び第2実施例では、ウェハ10を露光装置のチャンバ内(真空側)に向かって搬送する例を説明したが、逆に露光装置から大気側に搬出する場合も全く同様に行うことができる。
【0031】
次に、チャンバ隔壁の他の例について説明する。
図9は、チャンバ隔壁の他の例を示す側面図である。
図9に示す例では、チャンバ隔壁21の内側(真空側)に圧力隔壁27、28を設け、3重構造の隔壁とした例が示されている。圧力隔壁27、28には、チャンバ隔壁21と同様に、スリット開口27A、28Aが形成されているとともに、開閉式のゲート23がそれぞれ組み込まれている。チャンバ隔壁21−圧力隔壁27間は低真空(例えば1Pa程度)に引かれ、圧力隔壁27−28間は中真空(例えば1×10−2Pa程度)に引かれる。なお、高真空は例えば1×10−4Pa程度である。このような隔壁は、3重以上の多重構造にすることも可能である。このような隔壁を用いた場合は、チャンバ内の真空度を一層高く確保し易くなる利点がある。
【0032】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、スループットを向上できる等の利点を有する基板搬送方法及び基板搬送装置等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るEUV光露光装置の全体構成を示す図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るウェハの搬送装置の搬送開始時の様子を説明する側面図である。
【図3】同ウェハの搬送装置の搬送中の様子を説明する側面図である。
【図4】同ウェハの搬送装置の搬送終了時の様子を説明する側面図である。
【図5】ウェハの搬送に用いる移動テーブルに具備された温度制御機構を示す図である。
【図6】本発明の第2実施例に係るウェハの搬送装置の搬送開始時の様子を説明する側面図である。
【図7】同ウェハの搬送装置の搬送中の様子を説明する側面図である。
【図8】同ウェハの搬送装置の搬送終了時の様子を説明する側面図である。
【図9】チャンバ隔壁の他の例を示す側面図である。
【図10】従来の露光装置の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
IL 照明光学系
1 折り返しミラー            2 レチクル
3 レチクルステージ
4a レチクルフォーカスセンサ(送光系)
4b レチクルフォーカスセンサ(受光系)
5 レーザ干渉計
6 第1ミラー              7 第2ミラー
8 第3ミラー              9 第4ミラー
10 ウェハ               11 ウェハステージ
12a ウェハフォーカスセンサ(送光系)
12b ウェハフォーカスセンサ(受光系)
13 レーザ干渉計            14 投影光学系鏡筒
15 オフアクシス顕微鏡
21 チャンバ隔壁            21A スリット開口
22 移動テーブル            23 ゲート
24 温度制御部             25 カセット
26 カセット駆動機構
27、28 圧力隔壁           27A、28A スリット開口

Claims (6)

  1. 真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する方法であって、
    該チャンバーの大気−真空隔壁に開閉式のスリット開口を設けておき、該スリット開口を通して前記基板を出し入れすることを特徴とする基板搬送方法。
  2. 前記基板を収納するカセットに入れた状態で、前記スリット開口を通すことを特徴とする請求項1記載の基板搬送方法。
  3. 真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する装置であって、
    該チャンバーの大気−真空隔壁に設けられた開閉式のスリット開口と、
    該開口を通して前記基板を出し入れする搬送手段と、
    を有することを特徴とする基板搬送装置。
  4. 前記搬送手段が、静電吸着式の移動式テーブルからなることを特徴とする請求項3記載の基板搬送装置。
  5. 前記移動式テーブルの温度調整機構をさらに備えることを特徴とする請求項4記載の基板搬送装置。
  6. 真空チャンバー内で感応基板上に転写露光する露光装置であって、
    前記真空チャンバー内と該チャンバー外との間で基板を搬送する基板搬送装置を備え、
    該基板搬送装置が、
    前記チャンバーの大気−真空隔壁に設けられた開閉式のスリット開口と、
    該開口を通して前記基板を出し入れする搬送手段と、
    を有することを特徴とする露光装置。
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