KR20170135683A - 가공 장치 및 가공 방법 - Google Patents

가공 장치 및 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170135683A
KR20170135683A KR1020170059948A KR20170059948A KR20170135683A KR 20170135683 A KR20170135683 A KR 20170135683A KR 1020170059948 A KR1020170059948 A KR 1020170059948A KR 20170059948 A KR20170059948 A KR 20170059948A KR 20170135683 A KR20170135683 A KR 20170135683A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
machining
result
alignment
workpiece
processing
Prior art date
Application number
KR1020170059948A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102219150B1 (ko
Inventor
고이치 시게마츠
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170135683A publication Critical patent/KR20170135683A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102219150B1 publication Critical patent/KR102219150B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/402—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for positioning, e.g. centring a tool relative to a hole in the workpiece, additional detection means to correct position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/34—Director, elements to supervisory
    • G05B2219/34465—Safety, control of correct operation, abnormal states
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/37—Measurements
    • G05B2219/37559—Camera, vision of tool, compute tool center, detect tool wear
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/50—Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50064—Camera inspects workpiece for errors, correction of workpiece at desired position
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Numerical Control (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)

Abstract

(과제) 가공 장치의 각 유닛의 상태를 간단히 확인할 수 있는 가공 장치 및 가공 방법을 제공하는 것이다.
(해결수단) 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물을 얼라인먼트하는 촬상 카메라를 갖는 얼라인먼트 수단과, 적어도 그 가공 수단과 그 얼라인먼트 수단을 제어하는 제어 수단을 구비한 가공 장치로서, 그 제어 수단은, 소정의 피가공물을 가공하기 위한 기준 프로그램을 기억시킨 기준 프로그램 기억부와, 그 얼라인먼트 수단과 그 가공 수단에 이상이 없을 때에, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록부와, 그 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 가공 결과를 점수화함과 함께, 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화하는 가공 결과 산출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

가공 장치 및 가공 방법{MACHINING APPARATUS AND MACHINING METHOD}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 가공하는 가공 장치 및 가공 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 레이저 가공 장치와 같이 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 가공 장치는, 피가공물에 가공을 실시하는 가공 유닛과, 피가공물을 가공 유닛까지 반송하는 반송 유닛과, 피가공물과 가공 유닛의 위치 결정을 실시하는 얼라인먼트 유닛과, 피가공물을 세정하는 세정 유닛과, 피가공물에 보호막을 도포하는 보호막 도포 유닛 등의 복수의 유닛을 구비하며, 각 유닛은 복수의 부품으로 구성되어 있다.
가공 장치의 사용이나 시간 경과적 변화에 수반하여 각 유닛은 열화된다. 그래서, 많은 가공 장치 메이커는, 예를 들어 각 유닛의 정기 점검을 장려하고 있다.
일본 공개특허공보 2015-097048호
그러나, 많은 항목을 정기적으로 점검하는 것은 매우 작업 공정수가 소요된다는 문제가 있다. 또, 정기 점검에서는 이상이 보이지 않았는데 다음 정기 점검 전에 각 유닛이 파손되거나 고장나는 경우도 있다.
또한, 정기 점검을 실시할지의 여부는 사용자에게 맡겨져 있기 때문에, 정기 점검을 실시하지 않는 사용자에게 있어서는, 각 유닛이 고장나거나 파손되고 비로소 각 유닛의 열화를 알아차리는 경우가 있다. 그래서, 정기 점검을 실시하지 않고도 각 유닛의 상태를 확인할 수 있는 가공 장치 및 가공 방법이 요망되고 있다.
본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 가공 장치의 각 유닛의 상태를 간단히 확인할 수 있는 가공 장치 및 가공 방법을 제공하는 것이다.
청구항 1 에 기재된 발명에 의하면, 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물을 얼라인먼트하는 촬상 카메라를 갖는 얼라인먼트 수단과, 적어도 그 가공 수단과 그 얼라인먼트 수단을 제어하는 제어 수단을 구비한 가공 장치로서, 그 제어 수단은, 소정의 피가공물을 가공하기 위한 기준 프로그램을 기억시킨 기준 프로그램 기억부와, 그 얼라인먼트 수단과 그 가공 수단에 이상이 없을 때에, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록부와, 그 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 가공 결과를 점수화함과 함께, 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화하는 가공 결과 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 제어 수단은, 그 얼라인먼트 기준 결과에 대하여 그 얼라인먼트 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 얼라인먼트 수단의 이상이라고 판단하고, 그 가공 기준 결과에 대하여 그 가공 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 가공 수단의 이상이라고 판단하는 이상 판단부를 추가로 포함한다.
청구항 3 에 기재된 발명에 의하면, 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물을 얼라인먼트하는 촬상 카메라를 갖는 얼라인먼트 수단과, 적어도 그 가공 수단과 그 얼라인먼트 수단을 제어하는 제어 수단을 구비한 가공 장치로 피가공물을 가공하는 가공 방법으로서, 소정의 피가공물을 준비하는 소정 피가공물 준비 스텝과, 그 소정의 피가공물을 그 가공 장치로 가공하기 위한 기준 프로그램을 그 제어 수단에 기억시키는 기준 프로그램 기억 스텝과, 그 얼라인먼트 수단과 그 가공 수단에 이상이 없을 때에, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록 스텝과, 그 소정 피가공물 준비 스텝과 그 기준 프로그램 기억 스텝과 그 기준 결과 기록 스텝을 실시한 후, 그 가공 장치로 그 기준 프로그램에 기초하여 그 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트하고, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물 가공 스텝과, 그 피가공물 가공 스텝에서 그 피가공물을 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화함과 함께, 그 피가공물을 가공한 가공 결과를 점수화하는 가공 결과 산출 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 가공 방법은, 그 가공 결과 산출 스텝을 실시한 후, 그 얼라인먼트 기준 결과에 대하여 그 얼라인먼트 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 얼라인먼트 수단의 이상이라고 판단하는 얼라인먼트 수단 이상 판단 스텝과, 그 가공 결과 산출 스텝을 실시한 후, 그 가공 기준 결과에 대하여 그 가공 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 가공 수단의 이상이라고 판단하는 가공 수단 이상 판단 스텝을 추가로 구비하고 있다.
본 발명에 의하면, 가공 결과 산출부에서 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 기준 프로그램에 따라 얼라인먼트한 결과를 점수화함과 함께 가공한 결과를 점수화하기 때문에, 얼라인먼트 수단 및 가공 수단의 상태를 각각 정량적으로 확인할 수 있다.
기준 결과 기록부에 기록된 얼라인먼트 기준 결과 및 가공 기준 결과와 가공 결과 산출부에서 산출된 얼라인먼트 결과 및 가공 결과를 각각 비교함으로써, 얼라인먼트 수단 및 가공 수단이 고장나거나 파손되기 전에 얼라인먼트 수단이나 가공 수단의 열화를 알아차릴 수 있고, 적절히 메인터넌스를 실시함으로써 얼라인먼트 수단 및 가공 수단이 고장·파손되는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 가공 장치의 정기 점검을 실시할 필요가 없어져, 작업 공정수를 저감시킬 수 있다.
소정의 피가공물을 기준 프로그램으로 처리한 결과를 점수화하기 때문에, 가공 장치가 실제로 가동하고 있을 때의 얼라인먼트 수단 및 가공 수단의 상태를 확인할 수 있다.
청구항 2 에 기재된 발명에 의하면, 장치측에서 이상을 판단해 주기 때문에, 사용자가 판단할 필요가 없다. 사용자의 습숙도 (習熟度) 에 상관없이 이상을 판단할 수 있기 때문에, 적절한 타이밍에서의 메인터넌스나 부품 교환이 가능해진다.
도 1 은 본 발명의 제어 수단을 구비한 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2 는 프레임 유닛의 사시도이다.
도 3 은 상이한 날짜에 있어서의 동일 장치의 각 유닛을 점수화한 상태를 나타내는 설명도이다.
도 4 는 동일 날짜에 있어서 상이한 장치의 각 유닛을 점수화한 상태를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1 을 참조하면, 본 발명의 제어 수단을 구비한 가공 장치의 일례로서의 레이저 가공 장치의 사시도가 나타나 있다.
레이저 가공 장치 (2) 의 전면 (前面) 측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 패널 (4) 이 형성되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 유닛 (촬상 수단) 에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 수단 (6) 이 형성되어 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 가공 대상의 반도체 웨이퍼 (이하, 간단히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있다) (11) 의 표면에 있어서는, 복수의 분할 예정 라인 (스트리트) (13) 이 직교하여 형성되어 있고, 교차하는 분할 예정 라인 (13) 에 의해 구획된 각 영역에 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.
웨이퍼 (11) 는 점착 테이프인 다이싱 테이프 (T) 에 첩착 (貼着) 되고, 다이싱 테이프 (T) 의 외주부는 환상 프레임 (F) 에 첩착되어 있다. 이로써, 웨이퍼 (11) 는 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 환상 프레임 (F) 에 지지된 프레임 유닛 (17) 의 형태로 되고, 프레임 유닛 (17) 이 도 1 에 나타낸 웨이퍼 카세트 (8) 중에 복수 장 (예를 들어 25 장) 수용된다. 웨이퍼 카세트 (8) 는 상하동 가능한 카세트 엘리베이터 (9) 상에 재치 (載置) 된다.
카세트 엘리베이터 (9) 상에 탑재된 웨이퍼 카세트 (8) 의 후방에는, 웨이퍼 카세트 (8) 로부터 레이저 가공 전의 웨이퍼 (11) 를 반출함과 함께, 가공 후의 웨이퍼 (11) 를 웨이퍼 카세트 (8) 에 반입하는 반출입 유닛 (반출입 수단) (10) 이 배치 형성되어 있다.
웨이퍼 카세트 (8) 와 반출입 유닛 (10) 사이에는, 반출입 대상의 프레임 유닛 (17) 이 일시적으로 재치되는 영역인 임시 거치 영역 (12) 이 형성되어 있으며, 임시 거치 영역 (12) 에는 프레임 유닛 (17) 을 일정한 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 유닛 (위치 맞춤 수단) (14) 이 배치 형성되어 있다.
30 은 보호막 도포 유닛 및 세정 유닛을 구비한 보호막 도포 겸 세정 장치이며, 보호막 도포 유닛에 의해 가공 전의 웨이퍼 (11) 의 표면에 보호막을 도포함과 함께, 세정 유닛에 의해 가공 후의 웨이퍼 (11) 를 세정한다. 임시 거치 영역 (12) 의 근방에는, 프레임 유닛 (17) 의 환상 프레임 (F) 을 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 유닛 (반송 수단) (16) 이 배치 형성되어 있다.
임시 거치 영역 (12) 에 반출된 프레임 유닛 (17) 은, 반송 유닛 (16) 에 의해 흡착되어 보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 에 반송된다. 보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 에서는, 보호막 도포 유닛에 의해 웨이퍼 (11) 의 가공면에 보호막이 도포된다.
가공면에 보호막이 도포된 프레임 유닛 (17) 은, 반송 유닛 (16) 에 의해 흡착되어 척 테이블 (18) 상에 반송되고, 웨이퍼 (11) 는 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 척 테이블 (18) 에 흡인 유지됨과 함께, 환상 프레임 (F) 은 클램프 (19) 에 의해 클램프되어 고정된다.
척 테이블 (18) 은, 회전 가능 또한 X 축 방향으로 왕복동 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블 (18) 의 X 축 방향의 이동 경로의 상방에는, 웨이퍼 (11) 의 레이저 가공해야 할 분할 예정 라인 (13) 을 검출하는 얼라인먼트 유닛 (얼라인먼트 수단) (20) 이 배치 형성되어 있다.
얼라인먼트 유닛 (20) 은, 웨이퍼 (11) 의 표면을 촬상하는 현미경 및 촬상 카메라를 갖는 촬상 유닛 (촬상 수단) (22) 을 구비하고 있고, 촬상에 의해 취득한 촬상 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리에 의해 레이저 가공해야 할 분할 예정 라인 (13) 을 검출할 수 있다. 촬상 유닛 (22) 에 의해 취득된 촬상 화상은, 표시 수단 (6) 에 표시된다.
얼라인먼트 유닛 (20) 의 좌측에는, 척 테이블 (18) 에 유지된 웨이퍼 (11) 에 대하여 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 유닛 (가공 유닛) (24) 이 배치 형성되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛 (24) 의 케이싱 (26) 중에는 레이저 발진기를 포함하는 레이저 빔 발생 유닛이 수용되어 있고, 케이싱 (26) 의 선단에는 레이저 빔을 가공해야 할 웨이퍼 (11) 상에 집광하는 집광기 (28) 가 장착되어 있다.
레이저 빔 조사 유닛 (24) 에 의해 레이저 가공이 종료된 웨이퍼 (11) 는, 척 테이블 (18) 을 X 축 방향으로 이동시켜 홈 포지션으로 되돌리고 나서, Y 축 방향으로 이동 가능한 반송 유닛 (반송 수단) (32) 에 의해 프레임 유닛 (17) 의 환상 프레임 (F) 이 흡착되어 보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 까지 반송된다.
보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 에서는, 세정 유닛의 세정 노즐로부터 세정수를 분사하면서 웨이퍼 (11) 를 저속 회전 (예를 들어 300 rpm) 시킴으로써 웨이퍼 (11) 를 세정한다.
세정 종료 후 웨이퍼 (11) 를 고속 회전 (예를 들어 3000 rpm) 시키면서 에어 노즐로부터 에어를 분출시켜 웨이퍼 (11) 를 건조시킨 후, 반송 유닛 (16) 에 의해 프레임 유닛 (17) 의 환상 프레임 (F) 을 흡착하여 임시 거치 영역 (12) 으로 되돌리고, 나아가 반출입 유닛 (10) 에 의해 웨이퍼 카세트 (8) 의 원래의 수납 장소로 프레임 유닛 (17) 은 되돌려진다.
본 발명 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치 (2) 는 컨트롤러 (제어 수단) (34) 를 갖고 있는데, 이 제어 수단 (34) 은, 소정의 피가공물을 가공하기 위한 기준 프로그램을 기억시킨 기준 프로그램 기억부 (36) 와, 얼라인먼트 유닛 (20) 과 레이저 빔 조사 유닛 (가공 수단) (24) 에 이상이 없을 때에, 소정의 피가공물을 기준 프로그램에 따라 얼라인먼트 유닛 (20) 으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 소정의 피가공물을 기준 프로그램에 따라 레이저 빔 조사 유닛 (24) 으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록부 (38) 를 포함하고 있다.
제어 수단 (34) 은 추가로, 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 기준 프로그램에 따라 레이저 빔 조사 유닛 (24) 으로 가공한 가공 결과를 점수화함과 함께 얼라인먼트 유닛 (20) 으로 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화하는 가공 결과 산출부 (40) 를 포함하고 있다.
여기서, 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물이란, 본 명세서 및 특허 청구의 범위에서는 다음과 같이 정의한다. 즉, 재질, 사이즈, 두께, 가공 예정 위치가 소정의 피가공물과 동일한 피가공물. 피가공물이 반도체 웨이퍼인 경우에는, 재질, 사이즈, 두께에 더하여, 패턴을 포함하는 표면 상태가 동일한 반도체 웨이퍼이다.
제어 수단 (34) 은 추가로, 얼라인먼트 기준 결과에 대하여 얼라인먼트 결과가 소정 점수 하회했을 때에 얼라인먼트 유닛 (20) 의 이상이라고 판단하고, 가공 기준 결과에 대하여 가공 결과가 소정 점수 하회했을 때에 레이저 빔 조사 유닛 (24) 의 이상이라고 판단하는 이상 판정부 (42) 를 구비하고 있다.
도 3 을 참조하면, 가공 결과 산출부 (40) 에서 산출된 상이한 날짜에 있어서의 동일한 레이저 가공 장치 (2) 의 가공 결과를 점수화한 표 44, 46, 48 이 나타나 있다. 이들 표 44 ∼ 48 은 조작 패널 (4) 을 조작함으로써 표시 수단 (6) 상에 표시된다.
표 44 는 2016년 1월 1일에 산출된 가공 결과를 점수화한 것으로, 토털로 96 점의 가공 결과가 얻어진 것을 나타내고 있으며, 각 유닛은 정상이라고 판단된다. 한편, 표 46 은 2017년 1월 1일에 가공 결과 산출부 (40) 에서 산출된 가공 결과의 점수가 나타나 있으며, 토털로 90 점의 가공 결과가 얻어졌다. 이 표 46 을 정밀 조사하면, 촬상 유닛 (22) 이 13 점이고, 이것은 기준을 하회하고 있기 때문에 촬상 유닛 에러라고 판단하여, 오퍼레이터에게 촬상 유닛 (22) 의 교환을 촉구한다.
또, 표 48 은 2018년 1월 1일에 가공 결과 산출부 (40) 에서 산출된 가공 결과의 점수를 나타내고 있으며, 토털로 95 점의 가공 결과이기 때문에, 레이저 가공 장치 (2) 는 정상이라고 판단한다.
여기서, 레이저 가공 장치 (2) 의 각 유닛의 기록 정보에 대하여 설명한다. 보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 의 보호막 도포 유닛에 대해서는, 기준 프로그램에서 설정된 보호막 액의 토출량, 스피너 테이블의 소정 회전수로 피가공물에 보호막을 형성했을 때의 보호막의 두께를 기록한다. 여기서, 보호막의 두께는 촬상 유닛 (22) 으로 웨이퍼 (11) 의 표면을 촬상하여 측정한다. 보호막 액 토출 노즐에 막힘이 발생하면, 형성되는 보호막의 두께는 얇아진다.
반송 유닛 (16, 32) 에 대해서는, 기준 프로그램에서 설정된 소정 속도로 반송 유닛 (16, 32) 을 이동시켰을 때에 실제로 걸린 시간을 측정하여 점수화한다. 반송 유닛 (16, 32) 의 볼 나사나 에어실린더 등이 열화되면 반송에 시간이 걸리게 된다.
촬상 유닛 (22) 에 대해서는, 기준 프로그램에서 설정된 내용 (타깃 패턴, 타깃 패턴 위치 등) 으로 척 테이블 (18) 에 흡인 유지된 웨이퍼 (11) 를 얼라인먼트했을 때의 촬상 화상의 각 화소의 휘도값을 점수화한다. 조명이 열화되면 동일 화소의 휘도값이 저하된다.
레이저 빔 조사 유닛 (가공 유닛) (24) 에 대해서는, 기준 프로그램에서 설정된 출력, 반복 주파수로 레이저 어블레이션 가공을 실시했을 때에 형성된 레이저 가공 홈의 깊이, 디포커스시의 헤어라인 어긋남을 점수화한다. 여기서, 헤어라인이란, 촬상 유닛 (22) 의 촬상 카메라의 시야에 설정된 중심선이며, 레이저 가공 홈의 형성 위치를 헤어라인으로부터의 어긋남량에 기초하여 점수화한다.
레이저 가공 홈의 깊이는 촬상 유닛 (22) 으로 촬상하고, 형성한 촬상 화상을 기초로 홈의 농담 또는 현미경의 초점 거리를 변화시켜 홈의 깊이를 측정하고, 추가로 헤어라인으로부터의 어긋남량을 측정하여 점수화한다.
집광기 (28) 의 집광 렌즈에 오염물이 부착되면, 열 렌즈 효과에 의해 디포커스 위치가 바뀌기 때문에 홈 깊이가 얕아진다. 기준 프로그램을 복수의 디포커스 위치에서 레이저 가공을 실시하도록 해 둔다. 디포커스 위치를 변경시켰을 때에 헤어라인 위치가 어긋나 있으면, 집광기 (28) 의 집광 렌즈의 광축의 경사를 검출할 수 있다.
보호막 도포 겸 세정 장치 (30) 의 세정 유닛에 대해서는, 기준 프로그램에서 설정된 세정수량, 스피너 테이블의 회전수, 세정 노즐의 이동 속도 등으로 가공 후의 웨이퍼 (11) 를 세정했을 때의 오염물의 부착 정도, 보호막의 잔존 정도를 측정하여 점수화한다. 세정 후의 웨이퍼 (11) 를 촬상 유닛 (22) 으로 촬상하고, 취득한 촬상 화상을 기초로 오염물의 수를 카운트하여, 보호막의 잔존 정도를 검출한다.
여기서, 기준 결과 기록부 (38) 및 가공 결과 산출부 (40) 에서는, 각 유닛의 기준 결과 및 가공 결과를 기록/산출할 뿐만 아니라, 전체 유닛의 합계도 기록/산출한다. 이로써, 각 유닛의 상태에 더하여, 장치 전체의 상태를 정량적으로 알 수 있게 된다.
도 4 를 참조하면, 상이한 레이저 가공 장치 (2A, 2B, 2C) 에 대하여, 동일한 날짜로 웨이퍼 (11) 를 가공하고, 가공 결과 산출부 (40) 에서 가공 결과를 산출한 각 유닛의 점수를 나타내는 표 50A, 50B, 50C 가 나타나 있다.
레이저 가공 장치 (2A) 의 가공 결과의 점수를 나타내는 표 50A 에서는, 모든 유닛의 점수가 20 이기 때문에, 레이저 가공 장치 (2A) 는 정상이라고 판단한다. 또, 레이저 가공 장치 (2C) 의 가공 결과의 점수를 나타내는 표 50C 에서는, 보호막 도포 유닛 및 가공 유닛의 점수가 21 이고, 다른 유닛의 점수가 20 이기 때문에, 레이저 가공 장치 (2C) 도 정상이라고 판단한다.
한편, 레이저 가공 장치 (2B) 의 가공 결과를 점수화한 표 50B 에서는, 촬상 유닛 (22) 의 점수가 18 이기 때문에, 얼라인먼트 정밀도가 충분하지 않다고 판단한다. 이와 같이 촬상 유닛 (22) 의 점수가 낮은 장치는 개개의 패턴 편차가 많은 품종이나 얼라인먼트가 복잡한 패턴의 품종을 가공하지 않도록 하는 것 등의 대응이 가능하다. 이와 같이, 가공 결과의 점수가 낮은 레이저 가공 장치는, 고정밀도의 가공이 필요시되는 종류의 웨이퍼는 가공하지 않도록 한다.
다음으로, 구체적인 점수화의 일례에 대하여 각 유닛별로 설명한다.
＜촬상 유닛＞
촬상 유닛 (22) 에 대해서는 타깃 상관값에 대하여 점수화한다. 즉, 기준 프로그램에 기억된 웨이퍼 상의 소정 지점을 촬상 유닛 (22) 으로 촬상하고, 기준 프로그램에 기억되어 있는 얼라인먼트 타깃 1, 2, 3 을 기초로 패턴 매칭을 실시하고, 각각의 타깃에 대하여 얻어진 상관값에 따라 점수를 가산한다.
얼라인먼트 타깃 1 에 대한 상관값 90 초과 : 20 점
90 이하 : 18 점
80 이하 : 14 점
70 이하 : 10 점
60 이하 : 2 점
50 이하 : 0 점
얼라인먼트 타깃 2 에 대한 상관값 90 초과 : 20 점
90 이하 : 18 점
80 이하 : 14 점
70 이하 : 10 점
60 이하 : 2 점
50 이하 : 0 점
얼라인먼트 타깃 3 에 대한 상관값 90 초과 : 20 점
90 이하 : 18 점
80 이하 : 14 점
70 이하 : 10 점
60 이하 : 2 점
50 이하 : 0 점
타깃 촬상 화상에 있어서의 각 화소의 휘도에 대해서는, 기준 프로그램에 기억된 광량으로 얼라인먼트 타깃 1 을 촬상한 촬상 화상에 있어서의 각 화소의 휘도에 따라 점수를 감산한다. 얼라인먼트 타깃 2, 얼라인먼트 타깃 3 에 대해서도 동일하게 처리한다.
예를 들어, 얼라인먼트 유닛 (20) 에 이상이 없을 때에 70 ％ 의 광량으로 얼라인먼트 타깃 1 을 촬상한 촬상 화상의 화소 A-1 의 휘도가 125 (기준값) 라고 하면, 검출된 휘도가 130 을 초과하는 경우에는 에러라고 판단하여, 평가를 중단한다. 휘도가 130 이하인 경우에는 - 0 점. 촬상 화상의 전체 화소에 대하여 실시한다.
얼라인먼트 타깃 1 의 촬상 화상의 화소 A-1 의 휘도
기준값 ＋ 5 이하 : - 0 점
기준값 - 5 이하 : - 2 점
기준값 - 10 이하 : - 4 점
기준값 - 15 이하 : - 6 점
기준값 - 20 이하 : - 8 점
기준값 - 25 이하 : - 10 점
경면 촬상시의 각 화소에 대해서는, 웨이퍼의 특정 영역 (패턴이 없는 표면 부분) 을 광량 100 ％ 로 촬상한 촬상 화상에 있어서의 각 화소의 휘도에 따라 이하와 같이 감산한다. 촬상 화상의 전체 화소에 대하여 실시한다.
화소 A-1 의 휘도 255 : 0 점
127 이하 : - 20 점
245 이하 : - 50 점
레이저 빔 조사 유닛 ＜가공 유닛＞
헤어라인 어긋남 없음 : 20 점
± 2 ㎛ 이하 : 18 점
± 4 ㎛ 이하 : 14 점
± 6 ㎛ 이하 : 10 점
± 8 ㎛ 이하 : 2 점
± 8 ㎛ 초과 : 0 점
홈의 깊이 설정값 : 20 점
± 2 ㎛ 이하 : 18 점
± 4 ㎛ 이하 : 14 점
± 6 ㎛ 이하 : 10 점
± 8 ㎛ 이하 : 2 점
± 8 ㎛ 초과 : 0 점
＜반송 유닛＞
각 반송 유닛을 구성하는 에어 실린더, 볼 나사 등의 설정 및 소정 반송 시간에 대한 실제 반송 시간의 어긋남에 따라 이하와 같이 가산한다.
설정 시간과의 오차 ± 1 ％ : 20 점
± 2 ％ 이상 : 18 점
± 4 ％ 이하 : 14 점
± 6 ％ 이하 : 10 점
± 8 ％ 이하 : 2 점
± 8 ％ 초과 : 0 점
＜보호막 도포 유닛＞
기준 조건으로 보호막을 도포한 경우의 두께 (기준 두께) 에 따라 이하와 같이 가산한다.
기준값 ± 5 ㎛ 이하 : 10 점
기준값 ± 10 ㎛ 이하 : 7 점
기준값 ± 15 ㎛ 이하 : 3 점
기준값 ± 15 ㎛ 초과 : 0 점
＜세정 유닛＞
기준 조건에서의 웨이퍼의 세정 전후에 촬상 유닛 (22) 으로 동일 지점을 촬상하고, 촬상 화상 상에서 오염물의 부착수를 자동 카운트하여, 부착된 오염물의 수에 따라 이하와 같이 가산한다.
0 ∼ 10 개 : 25 점
11 ∼ 30 개 : 20 점
31 ∼ 50 개 : 15 점
51 ∼ 70 개 : 10 점
71 ∼ 90 개 : 5 점
91 개 이상 : 0 점
＜보호막 잔존량＞
보호막 도포 전 및 보호막 도포 후의 기준 조건에서의 세정 전후에 촬상 유닛 (22) 으로 동일 지점을 촬상하고, 현미경의 초점 심도로부터 보호막 도포 전의 웨이퍼 상면 높이 위치, 보호막 도포 후 세정 전의 웨이퍼 상면 높이 위치, 세정 후의 웨이퍼 상면 높이 위치를 검출한다.
검출한 웨이퍼의 상면 높이 위치로부터 세정 후의 보호막 잔존량을 산출하고, 산출한 보호막 잔존량에 따라 이하와 같이 감산한다.
5 ㎛ 이하 : - 10 점
5 ㎛ 초과 : - 50 점
상기 서술한 실시형태에서는, 각 유닛을 점수화하여 평가하는 본 발명의 주요부를 레이저 가공 장치에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 본 발명이 적용되는 가공 장치는 레이저 가공 장치에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 주요부는 절삭 장치, 연삭 장치 등의 다른 가공 장치에도 동일하게 적용할 수 있다.
11 : 반도체 웨이퍼
13 : 분할 예정 라인 (스트리트)
17 : 프레임 유닛
20 : 얼라인먼트 유닛
22 : 촬상 유닛
24 : 레이저 빔 조사 유닛 (가공 유닛)
28 : 집광기
30 : 보호막 도포 겸 세정 장치
34 : 컨트롤러 (제어 수단)
36 : 기준 프로그램 기억부
38 : 기준 결과 기억부
40 : 가공 결과 산출부
42 : 이상 판정부

Claims (4)

  1. 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물을 얼라인먼트하는 촬상 카메라를 갖는 얼라인먼트 수단과, 적어도 그 가공 수단과 그 얼라인먼트 수단을 제어하는 제어 수단을 구비한 가공 장치로서,
    그 제어 수단은, 소정의 피가공물을 가공하기 위한 기준 프로그램을 기억시킨 기준 프로그램 기억부와,
    그 얼라인먼트 수단과 그 가공 수단에 이상이 없을 때에, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록부와,
    그 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 가공 결과를 점수화함과 함께, 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화하는 가공 결과 산출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 그 얼라인먼트 기준 결과에 대하여 그 얼라인먼트 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 얼라인먼트 수단의 이상이라고 판단하고, 그 가공 기준 결과에 대하여 그 가공 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 가공 수단의 이상이라고 판단하는 이상 판단부를 추가로 포함하는, 가공 장치.
  3. 피가공물을 가공하는 가공 수단과, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물을 얼라인먼트하는 촬상 카메라를 갖는 얼라인먼트 수단과, 적어도 그 가공 수단과 그 얼라인먼트 수단을 제어하는 제어 수단을 구비한 가공 장치로 피가공물을 가공하는 가공 방법으로서,
    소정의 피가공물을 준비하는 소정 피가공물 준비 스텝과,
    그 소정의 피가공물을 그 가공 장치로 가공하기 위한 기준 프로그램을 그 제어 수단에 기억시키는 기준 프로그램 기억 스텝과,
    그 얼라인먼트 수단과 그 가공 수단에 이상이 없을 때에, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트한 결과를 점수화하여 얼라인먼트 기준 결과로서 기록함과 함께, 그 소정의 피가공물을 그 기준 프로그램에 따라 그 가공 수단으로 가공한 결과를 점수화하여 가공 기준 결과로서 기록하는 기준 결과 기록 스텝과,
    그 소정 피가공물 준비 스텝과 그 기준 프로그램 기억 스텝과 그 기준 결과 기록 스텝을 실시한 후, 그 가공 장치로 그 기준 프로그램에 기초하여 그 소정의 피가공물과 실질상 동일한 피가공물을 그 얼라인먼트 수단으로 얼라인먼트하고, 그 가공 수단으로 가공하는 피가공물 가공 스텝과,
    그 피가공물 가공 스텝에서 그 피가공물을 얼라인먼트한 얼라인먼트 결과를 점수화함과 함께, 그 피가공물을 가공한 가공 결과를 점수화하는 가공 결과 산출 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    그 가공 결과 산출 스텝을 실시한 후, 그 얼라인먼트 기준 결과에 대하여 그 얼라인먼트 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 얼라인먼트 수단의 이상이라고 판단하는 얼라인먼트 수단 이상 판단 스텝과,
    그 가공 결과 산출 스텝을 실시한 후, 그 가공 기준 결과에 대하여 그 가공 결과가 소정 점수 하회했을 때에 그 가공 수단의 이상이라고 판단하는 가공 수단 이상 판단 스텝을 추가로 구비한, 가공 방법.
KR1020170059948A 2016-05-31 2017-05-15 가공 장치 및 가공 방법 KR102219150B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108601A JP6716160B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 加工装置及び加工方法
JPJP-P-2016-108601 2016-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170135683A true KR20170135683A (ko) 2017-12-08
KR102219150B1 KR102219150B1 (ko) 2021-02-22

Family

ID=60420499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170059948A KR102219150B1 (ko) 2016-05-31 2017-05-15 가공 장치 및 가공 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11181883B2 (ko)
JP (1) JP6716160B2 (ko)
KR (1) KR102219150B1 (ko)
CN (1) CN107452652B (ko)
SG (1) SG10201704081TA (ko)
TW (1) TWI739823B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7064887B2 (ja) * 2018-01-12 2022-05-11 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置
ES2898300T3 (es) 2018-10-12 2022-03-07 Dallan Spa Aparatos para el corte por láser o plasma de piezas de material laminar

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236989A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Advantest Corp レーザ加工装置
KR20070008665A (ko) * 2004-03-31 2007-01-17 가부시키가이샤 니콘 얼라인먼트 조건 결정 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및장치
KR101325150B1 (ko) * 2012-05-23 2013-11-06 한국생산기술연구원 세팅 오차를 반영한 가공 공정 감시 장치 및 방법
JP2015097048A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 株式会社ディスコ 加工装置のメンテナンス方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031053B2 (ja) * 1992-04-15 2000-04-10 三菱電機株式会社 洗浄能力評価方法
US5627624A (en) * 1994-10-31 1997-05-06 Lsi Logic Corporation Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method
US6556949B1 (en) * 1999-05-18 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing techniques
US6303395B1 (en) * 1999-06-01 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing techniques
EP1273907A4 (en) 2000-11-17 2006-08-30 Ebara Corp METHOD AND INSTRUMENT FOR WAFER INSPECTION AND ELECTRON BEAM
JP3765985B2 (ja) * 2001-02-01 2006-04-12 横河電機株式会社 計器評価システム
KR100537684B1 (ko) * 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼검사장치
JP4715749B2 (ja) * 2004-08-19 2011-07-06 株式会社ニコン アライメント情報表示方法とそのプログラム、アライメント方法、露光方法、デバイス製造方法、表示システム、表示装置
JP5030542B2 (ja) * 2006-11-10 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2011122990A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5835934B2 (ja) * 2011-04-28 2015-12-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP5139569B1 (ja) * 2011-09-27 2013-02-06 ヤマハ発動機株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法および表面実装機
US8750597B2 (en) * 2011-11-23 2014-06-10 International Business Machines Corporation Robust inspection alignment of semiconductor inspection tools using design information
JP2014026436A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP6224350B2 (ja) * 2013-05-17 2017-11-01 株式会社ディスコ 加工装置
KR102084712B1 (ko) * 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
WO2015046090A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法
JP6349096B2 (ja) * 2014-02-03 2018-06-27 株式会社タカコ 工具検査方法及び工具検査装置
CN104359915B (zh) * 2014-12-08 2017-05-10 合肥京东方光电科技有限公司 一种涂胶检测方法及涂胶检测装置
US10747106B2 (en) * 2014-12-09 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus
CN104820302B (zh) * 2015-05-19 2018-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 取向膜检测装置及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236989A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Advantest Corp レーザ加工装置
KR20070008665A (ko) * 2004-03-31 2007-01-17 가부시키가이샤 니콘 얼라인먼트 조건 결정 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및장치
KR101325150B1 (ko) * 2012-05-23 2013-11-06 한국생산기술연구원 세팅 오차를 반영한 가공 공정 감시 장치 및 방법
JP2015097048A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 株式会社ディスコ 加工装置のメンテナンス方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201804271A (zh) 2018-02-01
JP2017216333A (ja) 2017-12-07
SG10201704081TA (en) 2017-12-28
US20170343979A1 (en) 2017-11-30
US11181883B2 (en) 2021-11-23
TWI739823B (zh) 2021-09-21
KR102219150B1 (ko) 2021-02-22
JP6716160B2 (ja) 2020-07-01
CN107452652B (zh) 2023-07-21
CN107452652A (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5757831B2 (ja) 切削ブレード先端形状検出方法
KR101469403B1 (ko) 하전 입자선 장치
KR101697795B1 (ko) 노즐의 위치 조정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
KR20160134494A (ko) 레이저 가공 장치
KR20180020880A (ko) 변위 검출 장치, 변위 검출 방법 및 기판 처리 장치
JP6014315B2 (ja) 電子部品装着装置の測定方法
JP2009253017A (ja) ダイシング方法
CN110783245B (zh) 对准方法
KR20170135683A (ko) 가공 장치 및 가공 방법
JP2007095881A (ja) アライメント装置および外観検査装置
US10935957B2 (en) Processing apparatus
CN110803517A (zh) 带清洁功能的柔性oled显示面板激光形切设备
JP2009064828A (ja) 加工装置
TW202331874A (zh) 晶片的檢查方法
JP6037705B2 (ja) 被加工物の加工方法
JP7286464B2 (ja) レーザー加工装置
TW202221777A (zh) 切割裝置之判定方法及切割裝置
JP2021048269A (ja) レーザー加工方法及びレーザー加工装置
US20230294230A1 (en) Treatment method of workpiece
JP7423145B2 (ja) レーザー加工装置及び方法
CN211310078U (zh) 带清洁功能的柔性oled显示面板激光形切设备
CN111515915B (zh) 对准方法
JP2016127118A (ja) 加工装置
KR20210092670A (ko) 가공 장치
TW202349480A (zh) 加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant