JP2017216333A - 加工装置及び加工方法 - Google Patents

加工装置及び加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017216333A
JP2017216333A JP2016108601A JP2016108601A JP2017216333A JP 2017216333 A JP2017216333 A JP 2017216333A JP 2016108601 A JP2016108601 A JP 2016108601A JP 2016108601 A JP2016108601 A JP 2016108601A JP 2017216333 A JP2017216333 A JP 2017216333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
result
alignment
workpiece
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016108601A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6716160B2 (ja
Inventor
重松　孝一
Koichi Shigematsu
重松　　孝一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2016108601A priority Critical patent/JP6716160B2/ja
Priority to TW106112635A priority patent/TWI739823B/zh
Priority to KR1020170059948A priority patent/KR102219150B1/ko
Priority to SG10201704081TA priority patent/SG10201704081TA/en
Priority to US15/603,727 priority patent/US11181883B2/en
Priority to CN201710372768.5A priority patent/CN107452652B/zh
Publication of JP2017216333A publication Critical patent/JP2017216333A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6716160B2 publication Critical patent/JP6716160B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/402—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for positioning, e.g. centring a tool relative to a hole in the workpiece, additional detection means to correct position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/34—Director, elements to supervisory
    • G05B2219/34465—Safety, control of correct operation, abnormal states
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/37—Measurements
    • G05B2219/37559—Camera, vision of tool, compute tool center, detect tool wear
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/50—Machine tool, machine tool null till machine tool work handling
    • G05B2219/50064—Camera inspects workpiece for errors, correction of workpiece at desired position
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Numerical Control (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】加工装置の各ユニットの状態を簡単に確認できる加工装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物の加工手段と、被加工物をアライメントする撮像カメラ２２を有するアライメント手段２０と、加工手段とアライメント手段とを制御する制御手段３４と、を備えた加工装置である。制御手段は、被加工物の加工基準プログラムを記憶した基準プログラム記憶部３６と、アライメント手段と加工手段に異常がない時に、加工物を基準プログラムに従ってアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、被加工物を基準プログラムに従って加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録部３８と、被加工物と実質上同一の被加工物を基準プログラムに従って加工した加工結果を点数化すると共に、アライメント手段のアライメント結果を点数化する加工結果算出部４０と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を加工する加工装置及び加工方法に関する。
例えば、レーザー加工装置のように被加工物にレーザー加工を施す加工装置は、被加工物に加工を施す加工ユニットと、被加工物を加工ユニットまで搬送する搬送ユニットと、被加工物と加工ユニットとの位置決めを行うアライメントユニットと、被加工物を洗浄する洗浄ユニットと、被加工物に保護膜を塗布する保護膜塗付ユニット等の複数のユニットを備え、各ユニットは複数の部品から構成されている。
加工装置の使用や経時変化に伴って各ユニットは劣化する。そこで、多くの加工装置のメーカーは、例えば各ユニットの定期点検を推奨している。
特開２０１５−０９７０４８号公報
しかし、多くの項目を定期的に点検するのは非常に作業工数がかかるという問題がある。また、定期点検では異常が見られなかったのに次の定期点検前に各ユニットが破損や故障をすることもある。
更に、定期点検を実施するのか否かはユーザーに任されているため、定期点検を実施しないユーザーにおいては、各ユニットが故障や破損して初めて各ユニットの劣化に気付く場合がある。そこで、定期点検を実施せずとも各ユニットの状態を確認できる加工装置及び加工方法が要望されている。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工装置の各ユニットの状態を簡単に確認できる加工装置及び加工方法を提供することである。
請求項１記載の発明によると、被加工物を加工する加工手段と、該加工手段で加工する被加工物をアライメントする撮像カメラを有するアライメント手段と、少なくとも該加工手段と該アライメント手段とを制御する制御手段と、を備えた加工装置であって、該制御手段は、所定の被加工物を加工するための基準プログラムを記憶した基準プログラム記憶部と、該アライメント手段と該加工手段に異常がない時に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該アライメント手段でアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録部と、該所定の被加工物と実質上同一の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した加工結果を点数化すると共に、該アライメント手段でアライメントしたアライメント結果を点数化する加工結果算出部と、を含むことを特徴とする加工装置が提供される。
好ましくは、前記制御手段は、該アライメント基準結果に対して該アライメント結果が所定点数下回った際に該アライメント手段の異常と判断し、該加工基準結果に対して該加工結果が所定点数下回った際に該加工手段の異常と判断する異常判断部を更に含む。
請求項３記載の発明によると、被加工物を加工する加工手段と、該加工手段で加工する被加工物をアライメントする撮像カメラを有するアライメント手段と、少なくとも該加工手段と該アライメント手段とを制御する制御手段と、を備えた加工装置で被加工物を加工する加工方法であって、所定の被加工物を準備する所定被加工物準備ステップと、該所定の被加工物を該加工装置で加工するための基準プログラムを該制御手段に記憶させる基準プログラム記憶ステップと、該アライメント手段と該加工手段に異常がない時に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該アライメント手段でアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録ステップと、該所定被加工物準備ステップと該基準プログラム記憶ステップと該基準結果記録ステップとを実施した後、該加工装置で該基準プログラムに基づいて該所定の被加工物と実質上同一の被加工物を該アライメント手段でアライメントし、該加工手段で加工する被加工物加工ステップと、該被加工物加工ステップで該被加工物をアライメントしたアライメント結果を点数化すると共に、該被加工物を加工した加工結果を点数化する加工結果算出ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法が提供される。
好ましくは、加工方法は、該加工結果算出ステップを実施した後、該アライメント基準結果に対して該アライメント結果が所定点数下回った際に該アライメント手段の異常と判断するアライメント手段異常判断ステップと、該加工結果算出ステップを実施した後、該加工基準結果に対して該加工結果が所定点数下回った際に該加工手段の異常と判断する加工手段異常判断ステップと、を更に備えている。
本発明によると、加工結果算出部で所定の被加工物と実質上同一の被加工物を基準プログラムに従ってアライメントした結果を点数化すると共に加工した結果を点数化するため、アライメント手段及び加工手段の状態がそれぞれ定量的に確認できる。
基準結果記録部に記録されたアライメント基準結果及び加工基準結果と加工結果算出部で算出されたアライメント結果及び加工結果をそれぞれ比較することで、アライメント手段及び加工手段が故障や破損する前にアライメント手段や加工手段の劣化に気付くことができ、適宜メンテナンスを実施することでアライメント手段及び加工手段が故障・破損することを防止できる。これにより、加工装置の定期点検を実施する必要がなくなり、作業工数が低減できる。
所定の被加工物を基準プログラムで処理した結果を点数化するため、加工装置が実際に稼働している際のアライメント手段及び加工手段の状態を確認することができる。
請求項２記載の発明によると、装置側で異常を判断してくれるため、ユーザーが判断する必要がない。ユーザーの習熟度によらず異常を判断できるため、適切なタイミングでのメンテナンスや部品交換が可能となる。
本発明の制御手段を備えたレーザー加工装置の斜視図である。 フレームユニットの斜視図である。 異なる日付における同一装置の各ユニットを点数化した状態を示す説明図である。 同一日付において異なる装置の各ユニットを点数化した状態を示す説明図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明の制御手段を具備した加工装置の一例としてのレーザー加工装置の斜視図が示されている。
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニット（撮像手段）によって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示手段６が設けられている。
図２に示すように、加工対象の半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと略称することがある）１１の表面においては、複数の分割予定ライン（ストリート）１３が直交して形成されており、交差する分割予定ライン１３によって区画された各領域にデバイス１５が形成されている。
ウェーハ１１は粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウェーハ１１はダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持されたフレームユニット１７の形態となり、フレームユニット１７が図１に示したウェーハカセット８中に複数枚（例えば２５枚）収容される。ウェーハカセット８は上下動可能なカセットエレベータ９上に載置される。
カセットエレベータ９上に搭載されたウェーハカセット８の後方には、ウェーハカセット８からレーザー加工前のウェーハ１１を搬出すると共に、加工後のウェーハ１１をウェーハカセット８に搬入する搬出入ユニット（搬出入手段）１０が配設されている。
ウェーハカセット８と搬出入ユニット１０との間には、搬出入対象のフレームユニット１７が一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはフレームユニット１７を一定の位置に位置合わせする位置合わせユニット（位置合わせ手段）１４が配設されている。
３０は保護膜塗付ユニット及び洗浄ユニットを備えた保護膜塗付兼洗浄装置であり、保護膜塗付ユニットにより加工前のウェーハ１１の表面に保護膜を塗布すると共に、洗浄ユニットにより加工後のウェーハ１１を洗浄する。仮置き領域１２の近傍には、フレームユニット１７の環状フレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送ユニット（搬送手段）１６が配設されている。
仮置き領域１２に搬出されたフレームユニット１７は、搬送ユニット１６により吸着されて保護膜塗付兼洗浄装置３０に搬送される。保護膜塗付兼洗浄装置３０では、保護膜塗付ユニットによりウェーハ１１の加工面に保護膜が塗布される。
加工面に保護膜が塗布されたフレームユニット１７は、搬送ユニット１６により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、ウェーハ１１はダイシングテープＴを介してチャックテーブル１８に吸引保持されると共に、環状フレームＦはクランプ１９によりクランプされて固定される。
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウェーハ１１のレーザー加工すべき分割予定ライン１３を検出するアライメントユニット（アライメント手段）２０が配設されている。
アライメントユニット２０は、ウェーハ１１の表面を撮像する顕微鏡及び撮像カメラを有する撮像ユニット（撮像手段）２２を備えており、撮像により取得した撮像画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべき分割予定ライン１３を検出することができる。撮像ユニット２２によって取得された撮像画像は、表示手段６に表示される。
アライメントユニット２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウェーハ１１に対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット（加工ユニット）２４が配設されている。レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６中にはレーザー発振器を含むレーザービーム発生ユニットが収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザービームを加工すべきウェーハ１１上に集光する集光器２８が装着されている。
レーザービーム照射ユニット２４によりレーザー加工が終了したウェーハ１１は、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してホームポジションに戻してから、Ｙ軸方向に移動可能な搬送ユニット（搬送手段）３２によりフレームユニット１７の環状フレームＦが吸着されて保護膜塗付兼洗浄装置３０まで搬送される。
保護膜塗付兼洗浄装置３０では、洗浄ユニットの洗浄ノズルから洗浄水を噴射しながらウェーハ１１を低速回転（例えば３００ｒｐｍ）させることによりウェーハ１１を洗浄する。
洗浄終了後ウェーハ１１を高速回転（例えば３０００ｒｐｍ）させながらエアノズルからエアを噴出させてウェーハ１１を乾燥させた後、搬送ユニット１６によりフレームユニット１７の環状フレームＦを吸着して仮置き領域１２に戻し、さらに搬出入ユニット１０によりウェーハカセット８の元の収納場所にフレームユニット１７は戻される。
本発明実施形態に係るレーザー加工装置２はコントローラ（制御手段）３４を有しているが、この制御手段３４は、所定の被加工物を加工するための基準プログラムを記憶した基準プログラム記憶部３６と、アライメントユニット２０とレーザービーム照射ユニット（加工手段）２４に異常がない時に、所定の被加工物を基準プログラムに従ってアライメントユニット２０でアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、所定の被加工物を基準プログラムに従ってレーザービーム照射ユニット２４で加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録部３８を含んでいる。
制御手段３４は更に、所定の被加工物と実質上同一の被加工物を基準プログラムに従ってレーザービーム照射ユニット２４で加工した加工結果を点数化すると共にアライメントユニット２０でアライメントしたアライメント結果を点数化する加工結果算出部４０を含んでいる。
ここで、所定の被加工物と実質上同一の被加工物とは、本明細書及び特許請求の範囲では次のように定義する。即ち、材質、サイズ、厚み、加工予定位置が所定の被加工物と同一である被加工物。被加工物が半導体ウェーハである場合には、材質、サイズ、厚みに加えて、パターンを含む表面状態が同一である半導体ウェーハである。
制御手段３４は更に、アライメント基準結果に対してアライメント結果が所定点数下回った際にアライメントユニット２０の異常と判断し、加工基準結果に対して加工結果が所定点数下回った際にレーザービーム照射ユニット２４の異常と判断する異常判定部４２を備えている。
図３を参照すると、加工結果算出部４０で算出された異なる日付における同一のレーザー加工装置２の加工結果を点数化した表４４，４６，４８が示されている。これらの表４４〜４８は操作パネル４を操作することにより表示手段６上に表示される。
表４４は２０１６年１月１日に算出された加工結果を点数化したものであり、トータルで９６点の加工結果が得られたことを示しており、各ユニットは正常と判断される。一方、表４６は２０１７年１月１日に加工結果算出部４０で算出された加工結果の点数が示されており、トータルで９０点の加工結果が得られている。この表４６を精査すると、撮像ユニット２２が１３点であり、これは基準を下回っているため撮像ユニットエラーと判断し、オペレータに撮像ユニット２２の交換を促す。
また、表４８は２０１８年１月１日に加工結果算出部４０で算出された加工結果の点数を示しており、トータルで９５点の加工結果であるので、レーザー加工装置２は正常であると判断する。
ここで、レーザー加工装置２の各ユニットの記録情報について説明する。保護膜塗付兼洗浄装置３０の保護膜塗付ユニットについては、基準プログラムで設定された保護膜液の吐出量、スピンナテーブルの所定回転数で被加工物に保護膜を形成した際の保護膜の厚みを記録する。ここで、保護膜の厚みは撮像ユニット２２でウェーハ１１の表面を撮像して測定する。保護膜液吐出ノズルに詰まりが生じると、形成される保護膜の厚みは薄くなる。
搬送ユニット１６，３２については、基準プログラムに設定された所定速度で搬送ユニット１６，３２を移動させた際に実際にかかった時間を測定し、点数化する。搬送ユニット１６，３２のボールねじやエアシリンダ等が劣化すると搬送に時間がかかるようになる。
撮像ユニット２２については、基準プログラムで設定された内容（ターゲットパターン、ターゲットパターン位置等）でチャックテーブル１８に吸引保持されたウェーハ１１をアライメントした際の撮像画像の各画素の輝度値を点数化する。照明が劣化すると同一画素の輝度値が低下する。
レーザービーム照射ユニット（加工ユニット）２４については、基準プログラムで設定された出力、繰り返し周波数でレーザーアブレーション加工を施した際に形成されたレーザー加工溝の深さ、デフォーカス時のヘアラインずれを点数化する。ここで、ヘアラインとは、撮像ユニット２２の撮像カメラの視野に設定された中心線であり、レーザー加工溝の形成位置をヘアラインからのずれ量に基づいて点数化する。
レーザー加工溝の深さは撮像ユニット２２で撮像し、形成した撮像画像を基に溝の濃淡又は顕微鏡の焦点距離を変化させて溝の深さを測定し、更にヘアラインからのずれ量を測定して点数化する。
集光器２８の集光レンズに汚れが付着すると、熱レンズ効果でデフォーカス位置が変わるため溝深さが浅くなる。基準プログラムを複数のデフォーカス位置でレーザー加工を施すようにしておく。デフォーカス位置を変更させた際にヘアライン位置がずれていると、集光器２８の集光レンズの光軸の傾斜を検出できる。
保護膜塗付兼洗浄装置３０の洗浄ユニットについては、基準プログラムで設定された洗浄水量、スピンナテーブルの回転数、洗浄ノズルの移動速度等で加工後のウェーハ１１を洗浄した際のコンタミの付着具合、保護膜の残存具合を測定して点数化する。洗浄後のウェーハ１１を撮像ユニット２２で撮像し、取得した撮像画像を基にコンタミの数をカウントし、保護膜の残存具合を検出する。
ここで、基準結果記録部３８及び加工結果算出部４０では、各ユニットの基準結果及び加工結果を記録／算出するだけでなく、全ユニットの合計も記録／算出する。これにより、各ユニットの状態に加えて、装置全体の状態が定量的にわかることになる。
図４を参照すると、異なるレーザー加工装置２Ａ，２Ｂ，２Ｃについて、同一の日付でウェーハ１１を加工し、加工結果算出部４０で加工結果を算出した各ユニットの点数を示す表５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃが示されている。
レーザー加工装置２Ａの加工結果の点数を示す表５０Ａでは、全てのユニットの点数が２０であるため、レーザー加工装置２Ａは正常と判断する。また、レーザー加工装置２Ｃの加工結果の点数を示す表５０Ｃでは、保護膜塗付ユニット及び加工ユニットの点数が２１であり、他のユニットの点数が２０であるので、レーザー加工装置２Ｃも正常と判断する。
一方、レーザー加工装置２Ｂの加工結果を点数化した表５０Ｂでは、撮像ユニット２２の点数が１８であるので、アライメント精度が十分ではないと判断する。このように撮像ユニット２２の点数が低い装置は個々のパターンばらつきが多い品種やアライメントが複雑なパターンの品種を加工しないようにする等の対応が可能である。このように、加工結果の点数が低いレーザー加工装置は、高精度な加工が必要とされる種類のウェーハは加工しないようにする。
次に、具体的な点数化の一例について各ユニット毎に説明する。
＜撮像ユニット＞
撮像ユニット２２についてはターゲット相関値について点数化する。即ち、基準プログラムに記憶されたウェーハ上の所定箇所を撮像ユニット２２で撮像し、基準プログラムに記憶されているアライメントターゲット１，２，３を基にパターンマッチングを実施し、それぞれのターゲットに対して得られた相関値に応じて点数を加算する。
アライメントターゲット１に対する相関値 ９０越え：２０点
９０以下：１８点
８０以下：１４点
７０以下：１０点
６０以下：２点
５０以下：０点
アライメントターゲット２に対する相関値 ９０越え：２０点
９０以下：１８点
８０以下：１４点
７０以下：１０点
６０以下：２点
５０以下：０点
アライメントターゲット３に対する相関値 ９０越え：２０点
９０以下：１８点
８０以下：１４点
７０以下：１０点
６０以下：２点
５０以下：０点
ターゲット撮像画像における各画素の輝度については、基準プログラムに記憶された光量でアライメントターゲット１を撮像した撮像画像における各画素の輝度に応じて点数を減算する。アライメントターゲット２、アライメントターゲット３についても同様に処理する。
例えば、アライメントユニット２０に異常がない時に７０％の光量でアライメントターゲット１を撮像した撮像画像の画素Ａ−１の輝度が１２５（基準値）とすると、検出された輝度が１３０を超える場合はエラーと判断し、評価を中断する。輝度が１３０以下の場合は−０点。撮像画像の全画素について実施する。
アライメントターゲット１の撮像画像の画素Ａ−１の輝度 基準値＋５以下：−０点
基準値−５以下：−２点
基準値−１０以下：−４点
基準値−１５以下：−６点
基準値−２０以下：−８点
基準値−２５以下：−１０点
鏡面撮像時の各画素については、ウェーハの特定領域（パターンなしの表面部分）を光量１００％で撮像した撮像画像における各画素の輝度に応じて以下のように減算する。撮像画像の全画素に対して実施する。
画素Ａ−１の輝度２５５ ：０点
１２７以下 ：−２０点
２４５以下 ：−５０点
レーザービーム照射ユニット＜加工ユニット＞
ヘアラインずれ なし：２０点
±２μｍ以下：１８点
±４μｍ以下：１４点
±６μｍ以下：１０点
±８μｍ以下：２点
±８μｍ越え：０点
溝の深さ 設定値：２０点
±２μｍ以下：１８点
±４μｍ以下：１４点
±６μｍ以下：１０点
±８μｍ以下：２点
±８μｍ越え：０点
＜搬送ユニット＞
各搬送ユニットを構成するエアシリンダ、ボールねじ等の設定および所定搬送時間に対する実際の搬送時間のずれに応じて以下のように加算する。
設定時間との誤差 ±１％：２０点
±２％以上：１８点
±４％以下：１４点
±６％以下：１０点
±８％以下：２点
±８％越え：０点
＜保護膜塗付ユニット＞
基準条件で保護膜を塗布した場合の厚み（基準厚み）に応じて以下のように加算する。
基準値±５μｍ以下：１０点
基準値±１０μｍ以下：７点
基準値±１５μｍ以下：３点
基準値±１５μｍ越え：０点
＜洗浄ユニット＞
基準条件でのウェーハの洗浄前後に撮像ユニット２２で同一箇所を撮像し、撮像画像上でコンタミの付着数を自動カウントし、付着したコンタミの数に応じて以下のように加算する。
０〜１０個：２５点
１１〜３０個：２０点
３１〜５０個：１５点
５１〜７０個：１０点
７１〜９０個：５点
９１個以上：０点
＜保護膜残存量＞
保護膜塗付前及び保護膜塗付後の基準条件での洗浄前後に撮像ユニット２２で同一箇所を撮像し、顕微鏡の焦点深度から保護膜塗付前のウェーハ上面高さ位置、保護膜塗付後洗浄前のウェーハ上面高さ位置、洗浄後のウェーハ上面高さ位置を検出する。
検出したウェーハの上面高さ位置から洗浄後の保護膜残存量を算出し、算出した保護膜残存量に応じて以下のように減算する。
５μｍ以下：−１０点
５μｍ越え：−５０点
上述した実施形態では、各ユニットを点数化して評価する本発明の要部をレーザー加工装置に適用した例について説明したが、本発明が適用される加工装置はレーザー加工装置に限定されるものではなく、本発明の要部は切削装置、研削装置等の他の加工装置にも同様に適用することができる。
１１ 半導体ウェーハ
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１７ フレームユニット
２０ アライメントユニット
２２ 撮像ユニット
２４ レーザービーム照射ユニット（加工ユニット）
２８ 集光器
３０ 保護膜塗付兼洗浄装置
３４ コントローラ（制御手段）
３６ 基準プログラム記憶部
３８ 基準結果記憶部
４０ 加工結果算出部
４２ 異常判定部

Claims (4)

  1. 被加工物を加工する加工手段と、該加工手段で加工する被加工物をアライメントする撮像カメラを有するアライメント手段と、少なくとも該加工手段と該アライメント手段とを制御する制御手段と、を備えた加工装置であって、
    該制御手段は、所定の被加工物を加工するための基準プログラムを記憶した基準プログラム記憶部と、
    該アライメント手段と該加工手段に異常がない時に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該アライメント手段でアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録部と、
    該所定の被加工物と実質上同一の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した加工結果を点数化すると共に、該アライメント手段でアライメントしたアライメント結果を点数化する加工結果算出部と、
    を含むことを特徴とする加工装置。
  2. 前記制御手段は、該アライメント基準結果に対して該アライメント結果が所定点数下回った際に該アライメント手段の異常と判断し、該加工基準結果に対して該加工結果が所定点数下回った際に該加工手段の異常と判断する異常判断部を更に含む請求項１記載の加工装置。
  3. 被加工物を加工する加工手段と、該加工手段で加工する被加工物をアライメントする撮像カメラを有するアライメント手段と、少なくとも該加工手段と該アライメント手段とを制御する制御手段と、を備えた加工装置で被加工物を加工する加工方法であって、
    所定の被加工物を準備する所定被加工物準備ステップと、
    該所定の被加工物を該加工装置で加工するための基準プログラムを該制御手段に記憶させる基準プログラム記憶ステップと、
    該アライメント手段と該加工手段に異常がない時に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該アライメント手段でアライメントした結果を点数化しアライメント基準結果として記録すると共に、該所定の被加工物を該基準プログラムに従って該加工手段で加工した結果を点数化し加工基準結果として記録する基準結果記録ステップと、
    該所定被加工物準備ステップと該基準プログラム記憶ステップと該基準結果記録ステップとを実施した後、該加工装置で該基準プログラムに基づいて該所定の被加工物と実質上同一の被加工物を該アライメント手段でアライメントし、該加工手段で加工する被加工物加工ステップと、
    該被加工物加工ステップで該被加工物をアライメントしたアライメント結果を点数化すると共に、該被加工物を加工した加工結果を点数化する加工結果算出ステップと、
    を備えたことを特徴とする加工方法。
  4. 該加工結果算出ステップを実施した後、該アライメント基準結果に対して該アライメント結果が所定点数下回った際に該アライメント手段の異常と判断するアライメント手段異常判断ステップと、
    該加工結果算出ステップを実施した後、該加工基準結果に対して該加工結果が所定点数下回った際に該加工手段の異常と判断する加工手段異常判断ステップと、
    を更に備えた請求項３記載の加工方法。
JP2016108601A 2016-05-31 2016-05-31 加工装置及び加工方法 Active JP6716160B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108601A JP6716160B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 加工装置及び加工方法
TW106112635A TWI739823B (zh) 2016-05-31 2017-04-14 加工裝置及加工方法
KR1020170059948A KR102219150B1 (ko) 2016-05-31 2017-05-15 가공 장치 및 가공 방법
SG10201704081TA SG10201704081TA (en) 2016-05-31 2017-05-18 Processing apparatus and processing method
US15/603,727 US11181883B2 (en) 2016-05-31 2017-05-24 Processing apparatus and processing method
CN201710372768.5A CN107452652B (zh) 2016-05-31 2017-05-24 加工装置和加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108601A JP6716160B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 加工装置及び加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017216333A true JP2017216333A (ja) 2017-12-07
JP6716160B2 JP6716160B2 (ja) 2020-07-01

Family

ID=60420499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016108601A Active JP6716160B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 加工装置及び加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11181883B2 (ja)
JP (1) JP6716160B2 (ja)
KR (1) KR102219150B1 (ja)
CN (1) CN107452652B (ja)
SG (1) SG10201704081TA (ja)
TW (1) TWI739823B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019124989A (ja) * 2018-01-12 2019-07-25 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
HRP20211716T1 (hr) 2018-10-12 2022-02-18 Dallan S.P.A. Uređaj namijenjen rezanju komada iz lamelarnog materijala laserom ili plazmom

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236989A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Advantest Corp レーザ加工装置
JP2002228495A (ja) * 2001-02-01 2002-08-14 Yokogawa Electric Corp 計器評価システム
JP2012232316A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Disco Corp レーザー加工装置
JP2014026436A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
WO2015046090A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031053B2 (ja) * 1992-04-15 2000-04-10 三菱電機株式会社 洗浄能力評価方法
US5627624A (en) * 1994-10-31 1997-05-06 Lsi Logic Corporation Integrated circuit test reticle and alignment mark optimization method
US6556949B1 (en) * 1999-05-18 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing techniques
US6303395B1 (en) * 1999-06-01 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing techniques
WO2002040980A1 (fr) 2000-11-17 2002-05-23 Ebara Corporation Procede et instrument d'inspection de tranches, et appareil a faisceau electronique
CN1260800C (zh) * 2001-09-19 2006-06-21 奥林巴斯光学工业株式会社 半导体晶片检查设备
US7746446B2 (en) * 2004-03-31 2010-06-29 Nikon Corporation Alignment condition determination method and apparatus of the same, and exposure method and apparatus of the same
EP1796136B1 (en) * 2004-08-19 2015-09-30 Nikon Corporation Alignment information display method, program thereof, alignment method, exposure method, device manufacturing method, display system, display device, program, and measurement/inspection device
JP5030542B2 (ja) * 2006-11-10 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2011122990A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5139569B1 (ja) * 2011-09-27 2013-02-06 ヤマハ発動機株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法および表面実装機
US8750597B2 (en) * 2011-11-23 2014-06-10 International Business Machines Corporation Robust inspection alignment of semiconductor inspection tools using design information
KR101325150B1 (ko) * 2012-05-23 2013-11-06 한국생산기술연구원 세팅 오차를 반영한 가공 공정 감시 장치 및 방법
JP6224350B2 (ja) * 2013-05-17 2017-11-01 株式会社ディスコ 加工装置
KR102084712B1 (ko) * 2013-05-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판 및 박막 증착 방법
JP2015097048A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 株式会社ディスコ 加工装置のメンテナンス方法
JP6349096B2 (ja) * 2014-02-03 2018-06-27 株式会社タカコ 工具検査方法及び工具検査装置
CN104359915B (zh) * 2014-12-08 2017-05-10 合肥京东方光电科技有限公司 一种涂胶检测方法及涂胶检测装置
US10747106B2 (en) * 2014-12-09 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus
CN104820302B (zh) * 2015-05-19 2018-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 取向膜检测装置及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07236989A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Advantest Corp レーザ加工装置
JP2002228495A (ja) * 2001-02-01 2002-08-14 Yokogawa Electric Corp 計器評価システム
JP2012232316A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Disco Corp レーザー加工装置
JP2014026436A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
WO2015046090A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019124989A (ja) * 2018-01-12 2019-07-25 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置
JP7064887B2 (ja) 2018-01-12 2022-05-11 株式会社ディスコ 加工装置の管理方法および加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170135683A (ko) 2017-12-08
CN107452652B (zh) 2023-07-21
US11181883B2 (en) 2021-11-23
US20170343979A1 (en) 2017-11-30
JP6716160B2 (ja) 2020-07-01
CN107452652A (zh) 2017-12-08
TWI739823B (zh) 2021-09-21
SG10201704081TA (en) 2017-12-28
TW201804271A (zh) 2018-02-01
KR102219150B1 (ko) 2021-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101955804B1 (ko) 변위 검출 장치, 변위 검출 방법 및 기판 처리 장치
KR101697795B1 (ko) 노즐의 위치 조정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
KR20160134494A (ko) 레이저 가공 장치
WO2002023623A1 (fr) Appareil d'alignement
JP2009253017A (ja) ダイシング方法
JP2011110629A (ja) ロボット制御方法およびロボット制御システム
KR102219150B1 (ko) 가공 장치 및 가공 방법
JP2007095881A (ja) アライメント装置および外観検査装置
JP2015020240A (ja) 切削装置
CN110803517A (zh) 带清洁功能的柔性oled显示面板激光形切设备
JP2008060463A (ja) 実装機、実装ラインおよび実装機のエアブロー方法
TWI392595B (zh) Pattern correction device
JP2003294419A (ja) 微小寸法測定装置
TW202331874A (zh) 晶片的檢查方法
JP2023021330A (ja) 保守管理装置
JP2022077081A (ja) ダイシング装置の判定方法、及び、ダイシング装置
JPH1020478A (ja) 露光装置
JP3021599B2 (ja) 目視観察装置とそれを用いた目視・顕微鏡観察装置
US20230294230A1 (en) Treatment method of workpiece
CN112605788B (zh) 一种全自动镜片抛光机床
CN211310078U (zh) 带清洁功能的柔性oled显示面板激光形切设备
JP7423145B2 (ja) レーザー加工装置及び方法
KR20210092670A (ko) 가공 장치
JP3252549B2 (ja) マスクまたはレチクル用共焦点走査方式レーザ顕微鏡
TW202349480A (zh) 加工裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190320

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200609

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6716160

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250