KR20170101943A - 웨이퍼 접착해제 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 접착해제 장치에 관한 것으로, 이러한 웨이퍼 접착해제 장치는 접착된 웨이퍼와 운반 슬라이드를 놓기 위한 테이블의 평평한 표면(1)과, 공기 출구(2.2)가 제공된 커터(2)를 포함한다. 커터(2)는 조정 가능한 디바이스에 의해 테이블의 평평한 표면(1) 부근에 배치된다. 조정 가능한 디바이스에 의해, 커터(2)는 테이블의 평평한 표면(1)으로부터 또는 테이블의 평평한 표면(1) 쪽으로 이동하는 움직임을 수행하도록 제어된다. 커터(2)에는 접착된 웨이퍼와 운반 슬라이드 사이의 접착 위치에서 막 또는 접착제로 노치를 형성하기 위한 찌르기를 수행하기 위해 사용된 비트(2.1)가 제공된다. 공기 출구(2.2)는 비트(2.1) 내에 배치된다. 커터(2)에는 공기 흡입구(2.3)도 제공된다. 공기 흡입구(2.3)는 공기 출구(2.2)와 통해 있다. 공기 흡입구(2.3)는 가스 발생 디바이스에 연결되어, 테이블의 평평한 표면(1) 상에서 접착된 웨이퍼와 운반 슬라이드 사이의 접착 위치 쪽으로 공기를 불어 보낸다. 웨이퍼 접착해제 디바이스를 사용함으로써, 자동화 정도가 높고 작동이 더 간단해진다.

Description

웨이퍼 접착해제 디바이스{WAFER DE-BONDING DEVICE}
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기술 분야에 관한 것으로, 더 구체적으로는 웨이퍼 접착해제(de-bonding) 디바이스에 관한 것이다.
전자 제품의 소형화 경향에 따라, 전자 칩들 또한 점점 더 얇아진다. 실리콘 웨이퍼가 100미크론 이하의 두께까지 얇아질 때, 가공하는 동안 가해지는 스트레스로 인해 실리콘 웨이퍼는 쉽게 부서지거나 휘어질 수 있다. 그 결과, 그러한 초박형(ultra-thin) 웨이퍼를 직접 가공하는 것은 거의 불가능하다. 초박형 웨이퍼를 가공하기 위해서는, 그러한 웨이퍼가 흔히 캐리어(carrier) 웨이퍼에 임시로 접착될 필요가 있다. 초박형 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 하나의 조각으로서 함께 접착되는 동안, 그러한 초박형 웨이퍼는 씨닝(thinning), TSV들의 형성, 재분포(re-distribution) 층, 및 내부 상호연결과 같은 가공을 받을 수 있다. 그럴 경우, 초박형 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼는 서로로부터 분리되고, 얇아진 웨이퍼가 세정되며 개별 칩들로 잘라짐으로써, 초박형 웨이퍼의 가공을 완료하게 된다.
현재는, 디바이스 웨이퍼가 일반적으로 캐리어 웨이퍼에 그것들 사이에 접착층을 코팅함으로써 접착된다. 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하는 공정이 접착해제로서 알려져 있다.
일반적으로, 임시로 접착된 웨이퍼를 접착해제하는 몇몇 방법들이 존재한다. 제1 방법은 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 가장자리로부터 접착제를 용매에 용해시키는 것이다. 제2 방법은 열적 전단가공(thermal shearing)에 의해 그것들을 분리하는 것이다. 제1 방법을 통해서는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 함께 접착되는 접합부의 가장자리로부터 천천히 접착제를 용매가 녹이고, 용매가 디바이스 웨이퍼의 중심에 도달하는데 긴 시간이 걸리게 되어 매우 낮은 효율을 보여준다. 게다가, 그것들을 분리하는 동안 디바이스 웨이퍼가 캐리어 웨이퍼와 혼합되는 것을 방지하도록 디바이스 웨이퍼를 고정시키는 특별한 판(plate)을 필요로 함으로써, 복잡한 절차와 높은 비용을 야기한다.
제2 방법에서는, 열적 전단 공정을 행하기 위한 특별한 장비를 필요로 하고, 이 역시 높은 비용을 요구하며, 열적 전단 가공은 디바이스 웨이퍼에 손상을 가하기 쉬워서 낮은 수율(yield)을 가진다.
이러한 점에서, 본 발명의 발명자는 캐리어 웨이퍼의 표면이 다루어지고 격리막(isolation film)이 그 위에 형성되는 웨이퍼 접착해제 방법을 제안하였다. 격리막은 아무도 그것을 의도적으로 찢지 않는다면, 그것이 캐리어 웨이퍼를 떨어뜨리지 않도록 적절한 접착력으로 캐리어 웨이퍼에 접착되지만, 누군가가 그것을 힘으로 찢는다면 캐리어 웨이퍼로부터 벗겨지게 된다. 그럴 경우, 격리막이 위에 있는 캐리어 웨이퍼의 표면과 디바이스 웨이퍼를 함께 접착하도록, 캐리어 웨이퍼의 표면과 디바이스 웨이퍼 사이에 접착층이 코팅될 수 있다. 본 발명의 발명자는 또한 가스 제트(gas jet) 발생기가 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하도록 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이의 접합부 쪽으로 가스 제트를 만드는 웨이퍼 접착해제 방법을 제안하였다. 하지만, 본 발명의 발명자는 그것이 업계 생산의 요구 조건을 만족시키기 위해서는 높은 정도의 자동화와, 간단하며 편리한 작동이 있는 웨이퍼 접착해제 디바이스를 여전히 필요로 한다는 점을 발견하였다.
본 발명에 의해 해결될 기술적 문제점은 종래 기술에서의 결점들을 극복하고, 높은 정도의 자동화와 간단하고 편리한 작동을 갖는 웨이퍼 접착해제 디바이스를 제공하는 것이다.
일 양태에 따르면, 본 발명은 함께 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 보유하기 위한 스테이지(stage)와, 가스 배출구를 가지는 도구(tool)를 포함하는 웨이퍼 접착해제 디바이스를 제공하는 것으로, 이러한 도구는 스테이지 가까이에 배치되어 있고, 스테이지 쪽으로 또는 스테이지로부터 멀어지게 도구가 이동하는 것을 제어하는 조정 디바이스에 장착되어 있으며, 그러한 도구에는 노치(notch)를 형성하기 위해 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이의 접합부에서 막 또는 접착층 내로 관통하기 위한 비트(bit)가 제공되고, 이러한 가스 배출구는 도구 비트 상에 제공되고, 그러한 도구는 가스 배출구와 통하는 가스 유입구(inlet)도 가지며, 이러한 가스 유입구는 가스 제트 발생기에 연결되어 가스 제트를 접착된 디바이스 웨이퍼와, 스테이지 상에 놓인 캐리어 웨이퍼 사이의 접합부 쪽으로 전달한다.
위 구성을 가지고, 도구는 웨이퍼들이 접착되는 접합부 내로 노치를 자를 수 있고, 가스 제트 발생기는 가스 제트를 노치 쪽으로 전달하여, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 서로로부터 접착해제시킨다. 가스 배출구가 도구 비트 상에 제공되기 때문에, 직접 노치로 향할 수 있고, 그것이 사용될 때 매우 양호한 결과를 만들어낸다. 2개의 웨이퍼가 알맞은 가스 압력으로 분리될 수 있고, 그러한 분리는 신속하게 수행될 수 있으며, 그 작동은 매우 간단하고 편리하다.
스테이지 가까이에는 이미지 획득 디바이스와 광원이 또한 제공된다. 이미지 획득 디바이스는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착되는 접합부에 다가가는 도구 비트의 이미지를 캡처(capture)하기 위해 도구 비트로 향한 그것의 이미지 획득 끝단(end)을 가질 수 있다. 광원은 이미지를 좀더 명확하게 만들기 위한 광 조명을 제공한다. 이러한 구성을 통해, 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 이미지가 참조될 수 있어 도구 비트가 웨이퍼들이 접착되는 접합부에 정렬되는지를 결정한다. 만약 그렇지 않다면, 도구 비트의 위치가 조정 디바이스를 통해 조정될 수 있다. 웨이퍼 접착해제 디바이스가 종종 둘러싸인 공간에서 작동하기 때문에, 캡처된 이미지를 더 선명하게 하기 위한 광원은 필수적이다.
웨이퍼 접착해제 디바이스는 또한 빨판(sucker)이 구비된 로봇팔(robotic arm)을 포함하고, 이러한 빨판은 스테이지 상의 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 위의 것을 빨아들여, 그것이 가스 제트에 의해 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 아래 것으로부터 분리될 때 그것을 제거할 수 있다. 로봇팔은 스테이지 상의 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 위의 것의 상부 표면 상의 빨판을 통해 빨아들이고 약간의 양력(lift force)을 가한다. 이러한 가스 제트를 통해, 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼 사이에 간극(gap)이 나타날 때, 로봇팔이 상부 웨이퍼와 하부 웨이퍼를 쉽게 분리할 수 있는데, 이는 그것들 사이의 접착력이 약하기 때문이다. 그런 다음, 로봇팔은 분리된 상부 웨이퍼를 이어지는 처리를 위해 또 다른 장소로 이동시킬 수 있다. 전체 공정은 프로그래밍에 의해 자동으로 구현될 수 있고, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 높은 정도의 자동화를 가진다.
또한, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 이미지 획득 디바이스 및 조정 디바이스와 통하는 제어기를 포함한다. 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 접착된 웨이퍼들 사이의 접합부의 이미지는, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착되는 접합부에 도구 비트가 자동으로 정렬될 수 있도록, 조정 디바이스를 통해 도구의 위치를 조정하도록 제어기에 의해 처리되고 분석될 수 있다. 제어기 내의 프로그래밍에 의해, 도구 비트의 위치는 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 이미지에 기초하여 자동으로 제어될 수 있고, 그로 인해 도구 비트가 접착된 웨이퍼들의 접합부에 항상 확실히 정렬되게 함으로써 자동 조정과 높은 정도의 자동화를 달성한다.
광원은 스테이지 상의 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 상에 일정한 각도로 광을 비추고, 그러한 광은 이미지 획득 디바이스에 의해 감지될 수 있는 컬러로 만들어질 수 있다. 그러한 광은 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 통과할 수 있고, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착되는 막에 의해 반사될 수 있다. 그러한 구성을 가지고, 광이 웨이퍼 상에 비추어질 때 디바이스 웨이퍼, 캐리어 웨이퍼, 및 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이의 접착막이 동일한 파장을 갖는 입사광에 상이한 효과를 가진다. 구체적으로 말하자면, 그러한 막은 광을 반사시키는데 반해, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼는 광을 투과시킨다. 그 결과로서, 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 접착된 웨이퍼들의 접합부의 이미지에서는 막과 웨이퍼들 사이의 큰 컬러 차이가 존재하고, 따라서 이미지는 높은 분해능(resolvability)을 가지며 정밀한 작동을 가져온다. 그러한 광은, 예를 들면 자외선, 자주색 가시광 등일 수 있다.
또한, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 가스 배출구로부터의 가스 제트 출력의 온도를 조정하기 위해, 가스 제트 발생기와 가스 유입구 사이에 제공된 가스 온도 조정 장치를 포함한다. 그러한 디바이스를 통해, 가스가 불어 나가면서 가스 제트의 온도가 조정될 수 있고, 뜨겁거나 찬 가스가 불어 나가 그 다음 처리를 용이하게 한다.
바람직한 일 실시예에서는, 도구의 비트의 상부 표면상에 가스 배출구가 제공될 수 있다. 이러한 구성을 가지고, 가스 제트는 가스 배출구를 통해 불어 나갈 수 있고, 도구 비트는 노치를 자름으로써 간단하고 편리한 작동들을 달성한다.
도구 비트의 상부 표면에는 2개의 가스 배출구가 제공될 수 있고, 도구의 측면(side surface)에는 끝이 점점 가늘어진(tapered) 슬롯이 제공될 수 있다. 2개의 가스 배출구를 사용함으로써, 가스 제트 더 안정적이게 만들고, 끝이 점점 가늘어진 슬롯은 마찬가지로 가스 유입구에 연결된 가스 튜브, 이미지 획득 디바이스, 및 이미지 획득 디바이스에 연결된 케이블들을 수용할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 접착해제 디바이스의 일 구현예를 보여주는 구조도.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면.
도 3은 도구의 구조도.
도 4는 로봇팔과 빨판의 구조도.
이제, 첨부 도면과 구체적인 구현예를 참조하여 아래에서 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1 내지 4에 도시된 것처럼, 본 발명은 접착된 웨이퍼들을 붙잡기 위한 스테이지(1)와, 가스 배출구(2.2)를 구비한 도구(2)를 포함하는 웨이퍼 접착해제 디바이스를 제공하고, 이러한 가스 배출구(2.2)는 스테이지에 가깝게 배치되고, 도구(2)가 스테이지(1) 쪽으로 또는 스테이지(1)로부터 멀어지게 이동하도록 제어하는 조정 디바이스에 장착된다. 이러한 조정 디바이스는 전기 실린더 또는 가스 실린더와 같은 변위 메커니즘과, 도구(2)의 위치를 정교하게 조정하기 위한 스텝(step) 모터를 포함할 수 있고, 이러한 스텝 모터는 종래 기술에 속하며 본 명세서에서는 상세히 설명되지 않는다. 도구(2)에는 비트(2.1)가 제공되고, 이러한 비트(2.1)는 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 접합부에서 노치를 자르기 위해 사용될 수 있다. 가스 배출구(2.2)는 도구 비트(2.1)의 상부 표면에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 물론 가스 제트를 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 접합부 쪽으로 향하게 하기 위해, 도구 비트(2.1)의 하부 표면에 가스 배출구(2.2)가 배치될 수도 있다. 도구(2)에는 또한 가스 배출구(2.2)와 통해 있는 가스 유입구(2.3)가 제공된다. 가스 유입구(2.3)는 가스 제트 발생기에 연결되어, 가스 제트를 스테이지(1) 상의 접착된 웨이퍼들의 접합부에 전달한다. 가스 제트 발생기는 가스 배출구(2.2)를 통해 접착된 웨이퍼들의 접합부 쪽으로 가스 제트를 전달하기 위해 가스 유입구(2.2)에 연결된 출력 포트를 가질 수 있다. 가스 제트 발생기는 캐비넷 안쪽에 배치될 수 있고, 따라서 도면에는 도시되어 있지 않다.
구현예들로부터 볼 수 있듯이, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 캐비넷(5)과 일부 다른 주변 구조물을 또한 포함할 수 있고, 이들은 모두 디바이스가 제작되는 동안 구비되거나 구비되지 않을 수 있는 구성 성분들이다. 하지만, 그것들은 모두 그것들이 본 명세서에서 논의된 것과 같이 접착해제를 실현하기 위한 기본 구성과 함께 사용되는 한, 본 발명의 범주 내에 있다.
위 구성을 가지고, 도구는 웨이퍼들이 접착되는 접합부 내로 노트를 자를 수 있고, 그런 다음 가스 제트 발생기가 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 서로로부터 접착해제하도록 노치 쪽으로 가스 제트를 전달할 수 있다. 가스 배출구가 도구의 상부 표면에 제공되기 때문에, 그것은 노치를 직접 향할 수 있고, 그것이 사용될 때 매우 양호한 결과를 가져올 수 있다. 2개의 웨이퍼는 알맞은 가스 압력으로 분리될 수 있고, 그러한 분리는 신속하게 수행될 수 있으며, 그 작동은 매우 간단하고 편리하다.
스테이지 가까이에는 또한 이미지 획득 디바이스와 광원(4)이 제공된다. 이미지 획득 디바이스는 접착된 웨이퍼들의 접합부에 다가가는 도구 비트(2.1)의 이미지를 캡처하기 위해, 도구(2)의 비트(2.1)로 향하는 이미지 획득 끝단을 가진다. 광원(4)은 이미지를 더 명확하게 하기 위해 광을 비춘다. 광원(4)만이 도면에 도시되어 있지만, 이미지 획득 디바이스는 캐비넷(5)에 의해 막혀있고, 따라서 도면에는 도시되어 있지 않다. 이미지 획득 디바이스 자체는 종래 기술에 속해 있는 것이고, 그것이 도시되어 있지 않더라도 본 명세서에서는 그러한 이미지 획득 디바이스의 배치가 명확하게 설명되었다. 본 구현예에서는, 이미지 획득 디바이스가 카메라일 수 있다. 그러한 구성에서는, 도구 비트가 웨이퍼들이 접착되는 접합부에 정렬되는지를 결정하기 위해, 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 이미지가 참조될 수 있다. 만약 그렇지 않다면, 도구 비트의 위치가 조정 디바이스를 통해 조정될 수 있다. 웨이퍼 접착해제 디바이스는 종종 둘러싸인 공간에서 작동하기 때문에, 캡처된 이미지를 더 명확하게 만들기 위해서는 광원이 필수적이다.
웨이퍼 접착해제 디바이스는 또한, 스테이지 상에서 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 위의 것을 빨아들일 수 있는 빨판(3.1)을 구비한 로봇팔(3)을 포함하여, 그것이 가스 제트에 의해 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 아래 것으로부터 분리될 때 그것을 제거한다. 로봇팔은 전기 실린더 또는 가스 실린더에 의해 구동될 수 있고, 그것이 접착된 웨이퍼들 중 아래 것으로부터 분리된 후, 접착된 웨이퍼들 중 위의 것을 또 다른 장소로 이동시킬 수 있다. 전형적인 경우로서, 캐리어 웨이퍼는 위쪽에 있을 수 있고, 디바이스 웨이퍼는 아래쪽에 있을 수 있지만, 그 반대의 경우도 성립한다. 스테이지에는 심지어 흡입력으로 아래쪽의 디바이스 웨이퍼를 빨아들이기 위한 복수의 진공 구멍이 제공될 수 있고, 위쪽의 캐리어 웨이퍼는 로봇팔의 빨판에 의해 빨아 들여질 수 있다. 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 가스 제트에 의해 서로로부터 분리될 때에는, 로봇팔이 캐리어 웨이퍼를 또 다른 장소로 이동시켜, 디바이스 웨이퍼의 그 다음 처리를 촉진한다. 전체 공정은 프로그래밍에 의해 자동으로 구현될 수 있고, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 높은 자동화 정도를 가진다.
웨이퍼 접착해제 디바이스는 또한, 이미지 획득 디바이스 및 조정 디바이스와 연결되어 있는 제어기를 포함한다. 도구 비트가 접착된 웨이퍼들의 접합부에 정확하게 정렬될 수 있도록 조정 디바이스를 통해 도구의 위치를 조정하기 위해, 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 접착된 웨이퍼들 사이의 접합부의 이미지가 제어기에 의해 처리되고 분석될 수 있다. 제어기 내의 프로그래밍에 의해, 도구 비트의 위치가 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 이미지에 기초하여 자동으로 제어될 수 있고, 그로 인해 확실하게 도구 비트가 접착된 웨이퍼들의 접합부에 항상 정렬되게 함으로써, 자동화 조정과 높은 자동화 정도를 달성한다. 대상물(object)의 이미지에 기초한 대상물의 위치를 제어하기 위한 프로그램은 종래 기술에서 흔히 사용된 것이고, 따라서 본 명세서에서는 상세히 설명되지 않을 것이다. 하지만, 본 발명의 웨이퍼 접착해제 디바이스에서 사용될 때 접착된 웨이퍼들의 접합부에서의 도구 비트의 이미지에 기초한 도구 비트의 위치 조정 방법은 관련 분야에서 새로운 것임이 주목되어야 한다.
광원은 스테이지 상의 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 일정한 각도를 두고 광을 비추고, 그러한 광은 이미지 획득 디바이스에 의해 감지될 수 있는 컬러를 가질 수 있다. 이러한 광은 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 통과할 수 있고, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착되는 막에 의해 반사된다. 그러한 구성을 통해, 광이 웨이퍼들에 비추어질 때, 디바이스 웨이퍼, 캐리어 웨이퍼, 및 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이의 접착막은 동일한 파장을 갖는 입사광에 상이한 효과를 가진다. 구체적으로 말하자면, 그러한 막은 광을 반사하지만, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼는 광을 투과시킨다. 따라서, 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 접착된 웨이퍼들의 접합부의 이미지에서 막과 웨이퍼들 사이에는 큰 컬러 차이가 존재하고, 따라서 그 이미지는 높은 분해능을 가지며 정밀한 작동을 가져온다. 그러한 광은 그것이 이미지 획득 디바이스에 의해 감지될 수 있고 접착된 웨이퍼들로부터 상이한 방식으로 접착된 웨이퍼들 사이의 막에서 반사될 수 있는 한, 예를 들면 자외선, 자주색 가시광 또는 임의의 다른 광일 수 있다. 그러한 광이 스테이지 상에 비추어질 때, 그러한 광은 웨이퍼를 통과할 수 있지만, 웨이퍼들이 접착되는 막에 의해 반사될 수 있어서, 막을 더 정확하게 알아볼 수 있도록, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼와는 크게 상이한 컬러를 막이 가지는 이미지를 만들어낸다.
또한, 웨이퍼 접착해제 디바이스는 가스 배출구로부터의 가스 제트 출력의 온도를 조정하기 위해, 가스 제트 발생기와 가스 유입구 사이에 제공된 가스 온도 조정 디바이스를 포함한다. 그러한 디바이스를 통해, 가스 제트의 온도는 가스가 불어 날아가는 동안 조정될 수 있고, 뜨겁거나 차가운 가스가 그 다음 처리를 촉진하기 위해 불어 날릴 수 있다.
바람직한 일 구현예에서는, 가스 배출구가 도구의 비트의 상부 표면에 제공될 수 있다. 그러한 구성을 가지고, 도구 비트가 노치를 자르면서 가스 배출구를 통해 가스 제트가 불어 날릴 수 있고, 그로 인해 간단하고 편리한 작동을 달성한다.
도구 비트의 상부 표면에는 2개의 가스 배출구가 제공될 수 있고, 도구의 측면에는 끝이 점점 가늘어지는 슬롯이 제공될 수 있다. 2개의 가스 배출구를 사용함으로써 가스 제트를 더 안정적이게 할 수 있고, 이미지 획득 디바이스뿐만 아니라 가스 유입구에 연결된 가스 튜브(tube)와, 이미지 획득 디바이스에 연결된 케이블들을 수용하기 위해 끝이 점점 가늘어지는 슬롯이 사용될 수 있다.
1: 스테이지 2: 도구
2.1: 도구 비트 2.2: 가스 배출구
2.3: 가스 유입구 2.4: 끝이 점점 가늘어진 슬롯
3: 로봇팔 3.1: 빨판
3.2: 변위 메커니즘 4: 광원
5: 캐비넷

Claims (8)

  1. 웨이퍼 접착해제(de-bonding) 장치로서,
    함께 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 붙잡기 위한 스테이지와,
    조정 가능한 디바이스를 통해 상기 스테이지 부근에 배치된 가스 배출구를 구비한 도구를 포함하고,
    상기 조정 가능한 디바이스는 상기 스테이지 쪽으로 또는 상기 스테이지로부터 멀리 이동하도록 상기 도구를 제어하기 위한 것이고, 상기 도구에는 함께 접착된 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼 사이의 접합부에서 막 또는 접착층 내로 관통하여 노치(notch)를 형성하기 위한 비트가 제공되며, 상기 가스 배출구는 도구의 비트 상에 배치되어 있고, 상기 도구에는 상기 가스 배출구와 통해 있는 가스 유입구가 또한 제공되어 있으며, 상기 가스 유입구는 상기 스테이지 상에서 함께 접착된 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼 사이의 접합부 쪽으로 가스 제트를 전달하기 위한 가스 제트 발생기에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    이미지 획득 디바이스와 상기 스테이지 부근에 제공된 광원을 더 포함하고, 상기 이미지 획득 디바이스는 그것의 이미지 획득 끝단(end)이 접착된 웨이퍼들의 접합부에 다가가는 도구의 비트의 이미지를 획득하기 위해 상기 도구의 비트로 향하며, 상기 광원은 상기 이미지를 더 명확하게 하기 위해 광을 비추는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    빨판(sucker)을 구비한 로봇팔을 더 포함하고,
    상기 로봇팔은 상기 빨판을 통하여 상기 스테이지 상의 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 위의 것을 빨아들이고, 가스 제트를 통해 상기 접착된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 중 아래 것으로부터 분리될 때 상기 위의 것을 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 이미지 획득 디바이스와 상기 조정 디바이스와 통해 있는 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 이미지 획득 디바이스에 의해 캡처된 접착된 웨이퍼들 사이의 접합부의 이미지를 처리하고 분석하여, 상기 도구의 비트가 상기 접착된 웨이퍼들 사이의 접합부에 자동으로 정렬되도록 조정 디바이스를 통해 상기 도구의 위치를 제어하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 광은 상기 스테이지 상의 접착된 웨이퍼들에 일정한 각도로 광을 비추고, 상기 광은 이미지 획득 디바이스용으로 감지 가능한 컬러를 가지며, 상기 광은 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 통과하고 상기 접착된 웨이퍼들의 접합부에서 막에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    가스 배출구로부터의 가스 제트 출력의 온도를 조정하기 위해, 가스 제트 발생기와 가스 유입구 사이에 제공된 가스 온도 조정 디바이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 가스 배출구는 상기 도구 비트의 상부 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 도구의 비트는 상부 표면에 제공된 2개의 가스 배출구를 가지고, 상기 도구는 그것의 측면에 제공된, 끝이 점점 가늘어지는 슬롯을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접착해제 장치.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10074178B2 (en) * 2015-01-30 2018-09-11 Dental Imaging Technologies Corporation Intra-oral image acquisition alignment
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
CN106816405B (zh) * 2017-01-20 2020-03-27 中国科学院微电子研究所 一种晶圆临时键合方法
CN108511351B (zh) * 2017-02-28 2020-05-01 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合装置及控制方法
CN107200301B (zh) * 2017-05-23 2019-02-12 中国科学院微电子研究所 一种mems晶片的贴膜对准装置
US10374161B2 (en) * 2017-08-16 2019-08-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Glass substrate separation method and glass substrate separation device
US11462432B2 (en) * 2018-03-15 2022-10-04 Intel Corporation Dual side de-bonding in component carriers using photoablation
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
CN110034050B (zh) * 2019-04-17 2021-07-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 解键合装置及其穿刺机构
CN110098140B (zh) * 2019-05-16 2021-03-09 芯盟科技有限公司 低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法
CN110370153B (zh) * 2019-06-10 2021-07-13 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置
KR20210022403A (ko) * 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
US11670524B2 (en) * 2020-01-31 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fully automated wafer debonding system and method thereof
CN113299576B (zh) * 2020-02-21 2022-11-22 济南晶正电子科技有限公司 一种薄膜机械分离装置
CN111319835B (zh) * 2020-03-23 2024-07-02 苏州领裕电子科技有限公司 工件保护膜自动撕取设备
CN111332566B (zh) * 2020-03-23 2024-07-02 苏州领裕电子科技有限公司 撕膜排废模组
CN114361074A (zh) * 2021-12-31 2022-04-15 江苏匠岭半导体有限公司 晶圆解键合方法
CN118299298A (zh) * 2024-04-11 2024-07-05 芯慧联芯(苏州)科技有限公司 一种解键合的装置及解键合的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110063800A (ko) * 2009-02-06 2011-06-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스의 제조 방법 및 이것에 이용하는 박리 장치
JP2013147325A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2013219328A (ja) * 2012-03-13 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20130316609A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display, and processing line for fabricating liquid crystal display

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204319A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Fujitsu Ltd 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
AU6395700A (en) * 1999-08-10 2001-03-05 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for cleaving a substrate
US6221740B1 (en) * 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
JP3629411B2 (ja) * 2000-06-13 2005-03-16 シャープ株式会社 エアーナイフ乾燥装置
JP2002075915A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法
JP2003273196A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子ピックアップ装置用突き上げ部材
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
TWI413152B (zh) * 2005-03-01 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置製造方法
CN101323152B (zh) * 2008-06-20 2010-07-21 艾逖恩机电(深圳)有限公司 一种顶针模块、使用该模块分离晶片和蓝膜的方法
CN202275809U (zh) * 2011-10-19 2012-06-13 科达半导体有限公司 一种分离治具
US8858756B2 (en) * 2011-10-31 2014-10-14 Masahiro Lee Ultrathin wafer debonding systems
US8756783B2 (en) * 2011-11-29 2014-06-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of fully, automatically removing a polarizer of an LCD panel
KR20200019772A (ko) * 2011-12-22 2020-02-24 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성 기판 홀더, 제1 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
JP5635019B2 (ja) * 2012-01-17 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
TWI445118B (zh) * 2012-02-09 2014-07-11 Subtron Technology Co Ltd 分邊設備及其操作方法
KR101190442B1 (ko) * 2012-02-15 2012-10-11 세크론 주식회사 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛, 다이 픽업 방법 및 다이 픽업 장치
FR2995441B1 (fr) * 2012-09-07 2015-11-06 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de separation de deux substrats
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6101084B2 (ja) * 2013-01-17 2017-03-22 株式会社ディスコ 分離装置
JP5977710B2 (ja) * 2013-05-10 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6070968B2 (ja) * 2013-07-01 2017-02-01 旭硝子株式会社 剥離起点作成装置及び方法
CN103560101B (zh) * 2013-11-11 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性器件剥离设备
JP6301137B2 (ja) * 2014-01-22 2018-03-28 株式会社ディスコ 分離装置
CN103839862A (zh) * 2014-02-28 2014-06-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺方法
JP6548871B2 (ja) * 2014-05-03 2019-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の基板剥離装置
JP6366996B2 (ja) * 2014-05-19 2018-08-01 株式会社ディスコ リフトオフ方法
US9508586B2 (en) * 2014-10-17 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Debonding schemes
CN204696090U (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 浙江中纳晶微电子科技有限公司 晶圆解键合装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110063800A (ko) * 2009-02-06 2011-06-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스의 제조 방법 및 이것에 이용하는 박리 장치
JP2013147325A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2013219328A (ja) * 2012-03-13 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20130316609A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display, and processing line for fabricating liquid crystal display

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