JP2018507543A - ウェハ剥離装置 - Google Patents

ウェハ剥離装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018507543A
JP2018507543A JP2017537281A JP2017537281A JP2018507543A JP 2018507543 A JP2018507543 A JP 2018507543A JP 2017537281 A JP2017537281 A JP 2017537281A JP 2017537281 A JP2017537281 A JP 2017537281A JP 2018507543 A JP2018507543 A JP 2018507543A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
tool
bonded
gas
image acquisition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017537281A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6527947B2 (ja
Inventor
尹明
唐昊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Microtech Material Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Microtech Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Microtech Material Co Ltd filed Critical Zhejiang Microtech Material Co Ltd
Publication of JP2018507543A publication Critical patent/JP2018507543A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6527947B2 publication Critical patent/JP6527947B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1137—Using air blast directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933—Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.
    • Y10T156/1939—Air blasting delaminating means]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1961—Severing delaminating means [e.g., chisel, etc.]
    • Y10T156/1967—Cutting delaminating means

Abstract

ウェハ剥離装置が、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハを保持するためのステージ部（１）と、ガス出口（２．２）を有する工具（２）であって、ステージ部（１）の方向またはステージ部（１）とは反対方向への工具（２）の移動を制御する調節装置によってステージ部（１）に近接して配置されている工具（２）と、を備え、工具（２）は、接合された両ウェハの接合箇所における膜または接着層に切欠き部を形成する先端部（２．１）を有し、ガス出口（２．２）は、工具先端部（２．１）に設けられ、工具（２）は、ガス出口（２．２）と連通しているガス入口（２．３）をさらに有し、ガス入口（２．３）は、ステージ部（１）の上の接合された両ウェハの接合箇所に向けてガスジェットを射出するためにガスジェット発生器に接続されている。ウェハ剥離装置は、高度に自動化され、操作が単純である。

Description

本発明は、マイクロエレクトロニクス技術の分野に関し、特にウェハ剥離装置に関する。
電子製品の小型化に向かう趨勢に伴い、電子チップもまた、ますます薄化している。しかしながら、シリコンウェハは、１００ミクロン以下の厚さまで薄化されると、加工の際に応力が印加されることによって容易に破壊・屈曲されうる。その結果、そのような超薄型ウェハを直接加工することは、ほとんど不可能である。超薄型ウェハを加工するためには、通常、キャリアウェハへの仮接合が必要である。超薄型ウェハとキャリアウェハとが一体的に接合されている間に、超薄型ウェハに薄化、ならびにＴＳＶ、再配線層、および内部配線の形成を行うことができる。次いで、超薄型ウェハとキャリアウェハとを互いから分離し、薄化後のウェハを洗浄し、個々のチップに切断することによって超薄型ウェハの加工を完了する。
現在、デバイスウェハのキャリアウェハへの接合は一般に、ボンディングマシン内でデバイスウェハとキャリアウェハとの間に接着層をコーティングし、次いでこれらウェハを互いに接合することによって行われる。デバイスウェハとキャリアウェハとの分離プロセスは、剥離として知られている。
一般に、仮接合されたウェハを剥離する方法はいくつかある。接合されたデバイスウェハとキャリアウェハとの縁部から接着剤を溶剤中で溶解することが第１の方法である。接合されたデバイスウェハとキャリアウェハとの熱剪断による分離が第２の方法である。第１の方法では、溶剤が、デバイスウェハとキャリアウェハとの接合箇所の縁部から接着剤を徐々に溶解する。この方法では、溶剤がデバイスウェハの中心部に達するのに長時間を要する結果、効率が非常に低い。また、両ウェハの分離中にデバイスウェハとキャリアウェハとを混同して、処理を複雑化し高コスト化することを防止するためにデバイスウェハを固着するための特別なプレートが第１の方法には必要である。第２の方法では、熱剪断プロセスを実行するための特別な装備が必要であり、この装備も高コスト化の原因となる。また、熱剪断プロセスは、デバイスウェハにダメージを与え易いため、歩留りが悪い。
以上の事情に鑑み、本発明者は、キャリアウェハの表面を処理し、この表面に分離膜を形成するウェハ剥離方法を提案した。分離膜は、誰からも意図的に剥ぎ取られなければキャリアウェハから落下せず、誰かが力を使って剥ぎ取る場合に剥がされるように適切な接着力でキャリアウェハに接着されている。次いで、キャリアウェハの分離層を有する前面とデバイスウェハとの間に接着層をコーティングしうることによって、デバイスウェハとキャリアウェハとを接合しうる。また、本発明者は、ガスジェット発生器によって、デバイスウェハとキャリアウェハとの間の接合箇所に向けてガスジェットを生成してこれらウェハを分離するウェハ剥離方法を提案した。しかしながら、発明者は、工業的生産の要件を満たすためには、高度に自動化され、また操作が単純かつ簡便なウェハ剥離装置が依然として必要であることを見出した。
従来技術の欠点を克服すること、および高度に自動化され、操作が単純かつ簡便なウェハ剥離装置を提供することが本発明によって解決すべき技術的課題である。
本発明は一態様によれば、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハを保持するためのステージ部と、ガス出口を有する工具であって、前記ステージ部に近接して配置され、かつ前記ステージ部の方向または前記ステージ部とは反対方向への前記工具の移動を制御する調節装置に搭載されている工具と、を備え、前記工具は、前記接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの接合箇所における膜または接着層に貫入して切欠き部を形成する先端部を有し、前記ガス出口は、前記工具先端部に設けられ、前記工具は、前記ガス出口と連通しているガス入口をさらに有し、前記ガス入口は、前記ステージ部に載置されている前記接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの間の前記接合箇所に向けてガスジェットを射出するためにガスジェット発生器に接続されている、ウェハ剥離装置を提供する。
上記の構成では、工具によって、ウェハの接合箇所に切欠き部が形成され得、次いで、ガスジェット発生器によって、切欠き部に向けてガスジェットが射出されてデバイスウェハとキャリアウェハとが互いに剥離されうる。ガス出口は、工具先端部に設けられているため、切欠き部に直接的に対向し得、使用時に非常に良い結果を生む。上記２つのウェハは、適度なガス圧で分離されうる。この分離は、素早く行われ得、操作は非常に単純かつ簡便である。
さらに、画像取得装置および光源がステージ部に近接して設けられている。画像取得装置は、デバイスウェハとキャリアウェハとの接合箇所に接近する工具先端部の画像を撮影するために工具先端部に向けられた画像取得端部を有しうる。光源は、画像をより鮮明にするための照明を提供する。この構成では、画像取得装置によって撮影された画像は、ウェハの接合箇所に工具先端部が位置合わせされているか否かを判定するために参照されうる。位置が合っていなければ、工具先端部の位置は、調節装置によって調節されうる。ウェハ剥離装置が閉鎖空間で動作することが多いため、撮影対象の画像をより鮮明にするために光源が必要である。
本ウェハ剥離装置はさらに、吸盤を具備したロボットアームを有する。この吸盤は、ステージ部上の接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの上側のウェハに吸い付くことができるため、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの下側のウェハから上側のウェハがガスジェットによって分離されるときに上側のウェハを取り外すことができる。ロボットアームは、ステージ部上の接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの上側のウェハの上面に吸盤によって吸い付き、持ち上げる力をわずかに印加する。ガスジェットによって上側のウェハと下側のウェハとの間に隙間が形成されると、ウェハ間の接着力が弱まるため、ロボットアームは、上側のウェハと下側のウェハとを容易に完全に分離することができる。次いで、ロボットアームは、分離した上側のウェハを後続の加工のための他の場所に移動することができる。プロセス全体をプログラミングによって自動的に実施してもよく、ウェハ剥離装置は高度に自動化されることになる。
ウェハ剥離装置はさらに、画像取得装置および調節装置と通信する制御部を有する。接合された両ウェハの間の接合箇所の、画像取得装置によって撮影された画像は、制御部によって加工および分析され得、デバイスウェハとキャリアウェハとの接合箇所に工具先端部が自動的に位置合わせされうるように調節装置によって工具の位置が調節される。制御部のプログラミングによって、工具先端部の位置は、画像取得装置によって撮影された画像に基づき自動的に制御されうる。それにより確実に、工具先端部は常に、接合された両ウェハの接合箇所に位置合わせされ、自動調節および高度な自動化が実現される。
光源は、ステージ部上の接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハに或る角度で光を放射する。光は、画像取得装置による検知が可能な色の光でありうる。光は、デバイスウェハおよびキャリアウェハを透過することができ、デバイスウェハとキャリアウェハとが接合されている箇所の膜によって反射されることができる。そのような構成では、ウェハに光を放射する場合、デバイスウェハ、キャリアウェハ、および、デバイスウェハとキャリアウェハとの間の接合膜の、同じ波長の入射光に対する影響は異なる。具体的には、接合膜は光を反射するが、デバイスウェハおよびキャリアウェハは光を透過させる。その結果、接合された両ウェハの接合箇所の、画像取得装置によって撮影された画像において、膜の色と両ウェハとの色が大きく異なるため、画像の解像度が高まり動作が精確になる。光は例えば、紫外線または可視紫色光等でありうる。
ウェハ剥離装置はさらに、ガス出口から出力されるガスジェットの温度調節のためにガスジェット発生器とガス入口との間に設けられたガス温度調節装置を有する。このガス温度調節装置では、ガスジェットの温度は、ガスジェットが噴射される間、調節され得、高温ガスまたは低温ガスが噴出されて後続の加工が容易化されうる。
好ましい実施形態では、ガス出口は、工具の先端部の上面に設けられうる。そのような構成によって、工具先端部が切欠き部を形成する間、ガスジェットは、ガス出口を通って噴射されうる。それにより、単純および容易な操作が実現される。
工具先端部の上面には、２つのガス出口が設けられ得、工具の側面にはテーパ状スロットが設けられうる。２つのガス出口を使用することによって、ガスジェットは、より安定しうる。また、テーパ状スロットは、ガス入口に接続されたガスチューブ、ならびに、画像取得装置、および画像取得装置に接続されたケーブルを収納しうる。
本発明に係るウェハ剥離装置の一実施形態を示す構造図である。 図１のＡ部分の拡大図である。 工具の構造図である。 ロボットアームおよび吸盤の構造図である。
以下、本発明について、添付の図面および具体的な実施形態を参照して詳細に説明する。
図１〜図４に示されるように、本発明は、接合されたウェハを保持するためのステージ部１と、ガス出口２．２を有する工具２であって、ステージ部に近接して配置され、かつステージ部１の方向またはステージ部１とは反対方向への工具２の移動を制御する調節装置に搭載されている工具２と、を有するウェハ剥離装置を提供する。調節装置は、工具２の位置を微細に調節するための、電動シリンダまたはエアシリンダおよびステッピングモータ等の変位機構を有する。この変位機構は、従来技術に属し、本明細書では詳細には説明しない。工具２は、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの接合箇所に切欠き部を形成するために使用されうる先端部２．１を有する。ガス出口２．２は、工具先端部２．１の上面に配置されうる。当然、他の実施形態では、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの接合箇所にガスジェットを向けるためにガス出口２．２を工具先端部２．１の下面に配置してもよい。工具２はさらに、ガス出口２．２と連通しているガス入口２．３を有する。ガス入口２．３は、ステージ部１の上の接合された両ウェハの接合箇所にガスジェットを射出するためにガスジェット発生器に接続されている。ガスジェット発生器は、接合された両ウェハの接合箇所に向けてガス出口２．２を通してガスジェットが射出されるように、ガス入口２．３に接続された出力口を有しうる。ガスジェット発生器は、キャビネット内に配置され得、したがって図面には示されていない。
実施形態から分かるように、ウェハ剥離装置はさらに、キャビネット５および他の周辺構造を有しうる（これらはすべて、本装置の製造の際に備えられても備えられなくてもよい部品である）。しかしながら、これら部品はすべて、本明細書に開示されるようなウェハの剥離を実現するための基本構成と共に使用される限りにおいて、本発明の範囲内に属する。
上記の構成では、工具によって、両ウェハの接合箇所に切欠き部が形成され得、次いで、ガスジェット発生器によって、ガスジェットが切欠き部に向けて射出されることによってデバイスウェハとキャリアウェハとが互いに剥離されうる。ガス出口は、工具の上面に設けられているため、切欠き部に直接的に対向し得、使用時に非常に良い結果を生む。上記２つのウェハは、適度なガス圧で分離されうる。この分離は、素早く行われ得、操作は非常に単純かつ簡便である。
さらに画像取得装置および光源４が、ステージ部に近接して設けられている。画像取得装置は、接合された両ウェハの接合箇所に接近する工具先端部２．１の画像を撮影するために工具２の先端部２．１に向けられた画像取得端部を有する。光源４は、画像をより鮮明にするための照明を提供する。光源４のみが図示されており、その一方で画像取得装置は、キャビネット５によって遮られているため、図示されていない。画像取得装置自体は、従来技術に属しており、本明細書において画像取得装置の配置は、図示されていなくとも明確である。実施形態では、画像取得装置はカメラでありうる。そのような構成では、画像取得装置によって撮影された画像は、両ウェハの接合箇所に工具先端部が位置合わせされているか否かを判定するために参照されうる。位置合わせされていなければ、工具先端部の位置は、調節装置によって調節されうる。ウェハ剥離装置が閉鎖空間で動作することが多いため、撮影対象の画像をより鮮明にするために光源が必要である。
ウェハ剥離装置はさらに、吸盤３．１を具備したロボットアーム３を有する。吸盤３．１は、ステージ部上の接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの上側のウェハに吸い付くことができるため、接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの下側のウェハから上側のウェハがガスジェットによって分離されるときに上側のウェハを取り外すことができる。ロボットアームは、電動シリンダまたはエアシリンダによって駆動され得、接合された両ウェハの上側のウェハを、接合された両ウェハの下側のウェハからの分離後に他の場所に移動しうる。典型的には、キャリアウェハが上側であり得、デバイスウェハが下側でありうるが、その逆でもよい。ステージ部は、下側のデバイスウェハを均等な吸引力で吸う複数の吸引孔を有し、上側のキャリアウェハは、ロボットアームの吸盤によって吸われうる。デバイスウェハおよびキャリアウェハがガスジェットによって互いに分離されるとき、ロボットアームは、後続のデバイスウェハの加工を容易化するためにキャリアウェハを他の場所に移動しうる。プロセス全体をプログラミングによって自動的に実施してもよく、ウェハ剥離装置は高度に自動化される。
本ウェハ剥離装置は、画像取得装置および調節装置と通信する制御部をさらに有する。接合された両ウェハの間の接合箇所の、画像取得装置によって撮影された画像は、制御部によって加工および分析され得、接合された両ウェハの接合箇所に工具先端部が正確に位置合わせされうるように調節装置によって工具の位置が調節される。制御部のプログラミングによって、工具先端部の位置は、画像取得装置によって撮影された画像に基づき自動的に制御されうる。それにより確実に、工具先端部は常に、接合された両ウェハの接合箇所に位置合わせされ、自動調節および高度な自動化が実現される。対象物の位置を、その対象物の画像に基づき制御するプログラムは、従来技術において一般に使用されているため、本明細書では詳細に論じない。しかしながら、本発明のウェハ剥離装置において使用されるような、工具先端部の位置を、接合された両ウェハの接合箇所における工具先端部の画像に基づき調節する方法が当該技術分野において新規であることに留意されたい。
光源は、ステージ部上の接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハに或る角度で光を放射する。光は、画像取得装置による検知が可能な色の光でありうる。光は、デバイスウェハおよびキャリアウェハを透過することができ、デバイスウェハとキャリアウェハとが接合されている箇所の膜によって反射されることができる。そのような構成では、ウェハに光を放射する場合、デバイスウェハ、キャリアウェハ、および、デバイスウェハとキャリアウェハとの間の接合膜の、同じ波長の入射光に対する影響は異なる。具体的には、接合膜は光を反射するが、デバイスウェハおよびキャリアウェハは光を透過させる。その結果、接合された両ウェハの接合箇所の、画像取得装置によって撮影された画像において、膜の色と両ウェハとの色が大きく異なるため、画像の解像度が高まり動作が精確になる。光は例えば、紫外線であっても、可視紫色光であってもよいし、または、接合された両ウェハにおける反射とは異なる仕方で、接合された両ウェハの間の膜において反射されることができかつ画像取得装置によって検知されることができる限りにおける他の色の光であってもよい。そのような光がステージ部に放射されるとき、光は、両ウェハを透過することができるが、両ウェハが接合されている箇所の膜によって反射されることができる。それにより、膜の色がデバイスウェハおよびキャリアウェハの色とは大きく異なる結果、より精確に膜が認識されうる画像が生成される。
ウェハ剥離装置はさらに、ガス出口から出力されるガスジェットの温度調節のためにガスジェット発生器とガス入口との間に設けられたガス温度調節装置を有する。このガス温度調節装置では、ガスジェットの温度は、ガスジェットが噴射される間、調節され得、高温ガスまたは低温ガスが噴射されて後続の加工が容易化されうる。
好ましい実施形態では、ガス出口は、工具の先端部の上面に設けられうる。そのような構成によって、工具先端部が切欠き部を形成する間、ガスジェットは、ガス出口を通って噴射されうる。それにより、単純および容易な操作が実現される。
工具先端部の上面には、２つのガス出口が設けられ得、工具の側面にはテーパ状スロットが設けられうる。２つのガス出口を使用することによって、ガスジェットは、より安定しうる。また、テーパ状スロットは、ガス入口に接続されたガスチューブ、ならびに、画像取得装置、および画像取得装置に接続されたケーブルを収納するために使用されうる。
１ ステージ部
２ 工具
２．１ 工具先端部
２．２ ガス出口
２．３ ガス入口
２．４ テーパ状スロット
３ ロボットアーム
３．１ 吸盤
３．２ 変位機構
４ 光源
５ キャビネット

Claims (8)

  1. 接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハを保持するためのステージ部と；
    ガス出口を有する工具であって、前記ステージ部の方向または前記ステージ部とは反対方向への前記工具の移動を制御する調節装置によって前記ステージ部に近接して配置されている工具と、を備え、
    前記工具は、接合された前記デバイスウェハと前記キャリアウェハとの間の接合箇所における膜または接着層に貫入して切欠き部を形成する先端部を有し、前記ガス出口は、前記工具の前記先端部に設けられ、前記工具は、前記ガス出口と連通しているガス入口をさらに有し、前記ガス入口は、前記ステージ部上の接合された前記デバイスウェハおよび前記キャリアウェハの間の前記接合箇所に向けてガスジェットを射出するためにガスジェット発生器に接続されている、
    ウェハ剥離装置。
  2. 前記ステージ部に近接して設けられた画像取得装置および光源をさらに備え、前記画像取得装置は、前記接合された両ウェハの前記接合箇所に接近する前記工具の前記先端部の画像を取得するために前記工具の前記先端部に向けられた画像取得端部を有し、前記光源は、前記画像をより鮮明にするための照明を提供する、
    請求項１に記載のウェハ剥離装置。
  3. 吸盤を具備したロボットアームをさらに備え、前記ロボットアームは前記吸盤によって、前記ステージ部上の前記接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの上側のウェハに吸い付きかつ、前記上側のウェハが前記接合されたデバイスウェハおよびキャリアウェハの下側のウェハから前記ガスジェットによって分離されるときに前記上側のウェハを取り外す、
    請求項１に記載のウェハ剥離装置。
  4. 前記画像取得装置および前記調節装置と通信する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記接合された両ウェハの間の前記接合箇所の、前記画像取得装置によって撮影された前記画像を加工および分析することによって、前記接合された両ウェハの間の前記接合箇所に前記工具の前記先端部が自動的に位置合わせされるように前記調節装置によって前記工具の位置を調節するように構成されている、
    請求項２に記載のウェハ剥離装置。
  5. 前記光源は、前記ステージ部上の前記接合された両ウェハに或る角度で光を放射し、前記光の色は、前記画像取得装置によって検知可能であり、また、前記光は、前記デバイスウェハおよび前記キャリアウェハを透過し、前記接合された両ウェハの前記接合箇所における前記膜によって反射される、
    請求項２に記載のウェハ剥離装置。
  6. 前記ガス出口から出力される前記ガスジェットの温度調節のために前記ガスジェット発生器と前記ガス入口との間に設けられたガス温度調節装置をさらに備える、
    請求項１に記載のウェハ剥離装置。
  7. 前記ガス出口は、前記工具の前記先端部の上面に配置されている、
    請求項１に記載のウェハ剥離装置。
  8. 前記工具の前記先端部は、前記工具の前記先端部の上面に設けられた２つのガス出口を有し、また、前記工具は、前記工具の側面に設けられたテーパ状スロットを有する、
    請求項１に記載のウェハ剥離装置。
JP2017537281A 2015-07-08 2015-07-16 ウェハ剥離装置 Expired - Fee Related JP6527947B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510404757.1 2015-07-08
CN201510404757.1A CN105047589B (zh) 2015-07-08 2015-07-08 晶圆解键合装置
PCT/CN2015/084182 WO2017004843A1 (zh) 2015-07-08 2015-07-16 晶圆解键合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018507543A true JP2018507543A (ja) 2018-03-15
JP6527947B2 JP6527947B2 (ja) 2019-06-12

Family

ID=54454028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017537281A Expired - Fee Related JP6527947B2 (ja) 2015-07-08 2015-07-16 ウェハ剥離装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10204813B2 (ja)
EP (1) EP3321955B1 (ja)
JP (1) JP6527947B2 (ja)
KR (1) KR101990413B1 (ja)
CN (1) CN105047589B (ja)
WO (1) WO2017004843A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10074178B2 (en) * 2015-01-30 2018-09-11 Dental Imaging Technologies Corporation Intra-oral image acquisition alignment
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
CN106816405B (zh) * 2017-01-20 2020-03-27 中国科学院微电子研究所 一种晶圆临时键合方法
CN108511351B (zh) * 2017-02-28 2020-05-01 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合装置及控制方法
CN107200301B (zh) * 2017-05-23 2019-02-12 中国科学院微电子研究所 一种mems晶片的贴膜对准装置
US10374161B2 (en) * 2017-08-16 2019-08-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Glass substrate separation method and glass substrate separation device
US11462432B2 (en) * 2018-03-15 2022-10-04 Intel Corporation Dual side de-bonding in component carriers using photoablation
TW202015144A (zh) * 2018-10-01 2020-04-16 巨擘科技股份有限公司 基板分離系統及方法
CN110034050B (zh) * 2019-04-17 2021-07-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 解键合装置及其穿刺机构
CN110098140B (zh) * 2019-05-16 2021-03-09 芯盟科技有限公司 低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法
CN110370153B (zh) * 2019-06-10 2021-07-13 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于抛光设备的上定盘晶片剥离装置
US11670524B2 (en) * 2020-01-31 2023-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fully automated wafer debonding system and method thereof
CN113299576B (zh) * 2020-02-21 2022-11-22 济南晶正电子科技有限公司 一种薄膜机械分离装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010090147A1 (ja) * 2009-02-06 2010-08-12 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法およびこれに用いる剥離装置
JP2013149657A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2013147325A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2013219328A (ja) * 2012-03-13 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20130316609A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display, and processing line for fabricating liquid crystal display
JP2014060346A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
WO2015002030A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 旭硝子株式会社 剥離起点作成装置及び方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204319A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Fujitsu Ltd 半導体チップのピックアップ方法及びピックアップ装置
WO2001010644A1 (en) * 1999-08-10 2001-02-15 Silicon Genesis Corporation Method and apparatus for cleaving a substrate
US6221740B1 (en) * 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
JP3629411B2 (ja) * 2000-06-13 2005-03-16 シャープ株式会社 エアーナイフ乾燥装置
JP2002075915A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法
JP2003273196A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子ピックアップ装置用突き上げ部材
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US9040420B2 (en) * 2005-03-01 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including peeling layers from substrates by etching
CN101323152B (zh) * 2008-06-20 2010-07-21 艾逖恩机电(深圳)有限公司 一种顶针模块、使用该模块分离晶片和蓝膜的方法
CN202275809U (zh) * 2011-10-19 2012-06-13 科达半导体有限公司 一种分离治具
US8858756B2 (en) * 2011-10-31 2014-10-14 Masahiro Lee Ultrathin wafer debonding systems
US8756783B2 (en) * 2011-11-29 2014-06-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of fully, automatically removing a polarizer of an LCD panel
SG2014013007A (en) * 2011-12-22 2014-06-27 Ev Group E Thallner Gmbh Flexible substrate mount, device and method for detaching a first substrate
TWI445118B (zh) * 2012-02-09 2014-07-11 Subtron Technology Co Ltd 分邊設備及其操作方法
KR101190442B1 (ko) * 2012-02-15 2012-10-11 세크론 주식회사 다이 이젝팅 방법, 다이 이젝팅 유닛, 다이 픽업 방법 및 다이 픽업 장치
FR2995441B1 (fr) * 2012-09-07 2015-11-06 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de separation de deux substrats
JP6101084B2 (ja) * 2013-01-17 2017-03-22 株式会社ディスコ 分離装置
JP5977710B2 (ja) * 2013-05-10 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN103560101B (zh) * 2013-11-11 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性器件剥离设备
JP6301137B2 (ja) * 2014-01-22 2018-03-28 株式会社ディスコ 分離装置
CN103839862A (zh) * 2014-02-28 2014-06-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺方法
JP6548871B2 (ja) * 2014-05-03 2019-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 積層体の基板剥離装置
JP6366996B2 (ja) * 2014-05-19 2018-08-01 株式会社ディスコ リフトオフ方法
US9508586B2 (en) * 2014-10-17 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Debonding schemes
CN204696090U (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 浙江中纳晶微电子科技有限公司 晶圆解键合装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010090147A1 (ja) * 2009-02-06 2010-08-12 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法およびこれに用いる剥離装置
JP2013149657A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラム
JP2013147325A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Asahi Glass Co Ltd 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2013219328A (ja) * 2012-03-13 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20130316609A1 (en) * 2012-05-23 2013-11-28 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating lightweight and thin liquid crystal display, and processing line for fabricating liquid crystal display
JP2014060346A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
WO2015002030A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 旭硝子株式会社 剥離起点作成装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3321955A1 (en) 2018-05-16
WO2017004843A1 (zh) 2017-01-12
US20180108558A1 (en) 2018-04-19
CN105047589A (zh) 2015-11-11
KR101990413B1 (ko) 2019-06-18
KR20170101943A (ko) 2017-09-06
US10204813B2 (en) 2019-02-12
JP6527947B2 (ja) 2019-06-12
CN105047589B (zh) 2018-05-29
EP3321955A4 (en) 2019-02-27
EP3321955B1 (en) 2021-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6527947B2 (ja) ウェハ剥離装置
US11018112B2 (en) Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip
US7888239B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JP2016001677A (ja) ウエーハの加工方法
KR102274157B1 (ko) 다단 이젝터를 사용하여 테이프로부터 반도체 칩을 박리하는 시스템 및 방법
WO2016179892A1 (zh) 一种晶圆分离的方法
CN108364880B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP2015233077A (ja) ウエーハの加工方法
JP2005303180A (ja) 電子部品搭載装置および電子部品搭載方法
US9240334B2 (en) Method for detaching a semiconductor chip from a foil
JP6110167B2 (ja) ダイ認識手段及びダイ認識方法並びにダイボンダ
JP2011044497A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010062472A (ja) 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いた半導体チップのピックアップ方法
KR20200093177A (ko) 다이 본딩 장치
CN219017604U (zh) 晶圆键合装置
JP4270100B2 (ja) チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
US11569118B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method for semiconductor device
JP2006093592A (ja) 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法及び実装装置
JP2004055661A (ja) 半導体チップのピックアップ装置および吸着剥離ツール
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
JP2017011119A (ja) ウエーハの加工方法
JP2003077942A (ja) 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP2024024567A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
TW202209461A (zh) 保護構件形成裝置
JP2012122847A (ja) 半導体チップの特性測定システム及びチップ特性測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180904

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6527947

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees