KR20170040364A - 내화체 및 내화체를 이용한 유리판 성형방법 - Google Patents

내화체 및 내화체를 이용한 유리판 성형방법 Download PDF

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줄리엔 피. 푸르카드
안드레아 캐즈미에룩쟈크
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Abstract

내화체는 적어도 대략 10 wt%의 Al2O3 및 적어도 대략 1 wt%의 SiO2를 포함한다. 실시태양에서, 내화체는 첨가제를 포함한다. 특정 실시태양에서, 첨가제는 TiO2, Y2O3, SrO, BaO, CaO, Ta2O5, Fe2O3, ZnO, 또는 MgO를 포함한다. 내화체는 적어도 대략 3 wt%의 첨가제를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 적어도 대략 1 x 10-6 h-1이다. 다른 실시태양에서, 내화체의 크리프 속도는 대략 5 x 10-5 h-1 이하이다. 예시적 실시태양에서, 내화체는 유리 넘침통 또는 성형블록을 포함한다.

Description

내화체 및 내화체를 이용한 유리판 성형방법{REFRACTORY OBJECT AND PROCESS OF FORMING A GLASS SHEET USING THE REFRACTORY OBJECT}
본 발명은 유리 넘침통들 및 유리 성형블록들을 포함한 내화체들, 및 내화체 이용방법에 관한 것이다.
알칼리 알루미노-실리케이트 유리는 기계적 성능이 중요한 분야들에서 사용된다. 이들 유리는 용융인발공정으로 형성된다. 용융인발공정에서, 액체 유리는 유리 넘침 통 (overflow trough)의 하나 이상의 가장자리들에 넘치고 액체 유리는 유리 넘침통 바닥에서 용합되어 유리판을 형성한다. 유리 넘침통은 알루미늄 소재를 포함한 성형블록으로 제조된다. 유리판 크기 및 품질은 유리판 형성에 사용되는 유리 넘침통 물성에 좌우된다. 또한, 유리 넘침통 수명 역시 이들의 물성에 영향을 받는다.
성형블록 및 유리 넘침통 제조용 내화블록에 대한 개선이 요망된다.
본 발명은 첨부 도면들을 참조함으로써 더 잘 이해될 수 있으며, 이의 수많은 특징부들 및 이점들은 본 기술분야에서 숙련된 사람들에게 명백해질 수 있다.
도 1은 내화체의 특정 실시태양을 도시한 것이다.
도 2는 내화체로 제조되는 유리 넘침통의 특정 실시태양을 도시한 것이다.
도 3은 다양한 유리 넘침통 단면들을 도시한 것이다.
도 4는 유리 넘침통에서 특정 유리판을 성형하는 방법을 도시한 것이다.
도면들에서 동일한 도면부호들은 유사하거나 동일한 부분들을 나타낸다.
도면들과 함께 하기 상세한 설명은 본원의 교시의 이해를 위하여 제공된다. 하기 논의는 본 발명의 특정 구현예들 및 실시태양들에 집중될 것이다. 이러한 논의는 본 교시를 설명하기 위한 것이고 본 발명의 범위 또는 적용 가능성을 제한하는 것으로 해석되어서는 아니된다.
도 1은 내화체 (100)의 특정 실시태양을 도시한 것이다. 내화체 (100)는 두께 (t), 폭 (w), 및 높이 (h)를 가지는 직사각형의 내화블록 (102)일 수 있다. 실시태양에서, 임의의 치수들 t, w, 또는 h은 적어도 대략 0.02 m, 적어도 대략 0.05 m, 적어도 대략 0.11 m, 적어도 대략 0.5 m, 적어도 대략 1.1 m, 적어도 대략 2.0 m, 적어도 대략 4.0 m, 또는 그 이상이다. 도 1에 도시된 실시태양에서, 내화블록 (102)은 유리 넘침통이 형성되는 성형블록이다. 본원에서 성형블록이란 유리 넘침통으로 형상화되는 소결 세라믹스를 언급하는 것이다.
내화블록 (102)은 다수의 출발재료들로 형성된다. 실시태양에서, 내화블록 (102)은 하나 이상의 금속산화물들, 하나 이상의 첨가제들, 하나 이상의 추가재료들, 또는 이들의 조합을 이용하여 형성된다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)용 출발재료로 사용되는 금속산화물은 Al2O3 및 SiO2를 포함한다. 실시태양에서, Al2O3 는 분말로서 제공된다. Al2O3 분말은 평균 입자크기가 대략 100 마이크로미터 이하, 대략 30 마이크로미터 이하, 대략 20 마이크로미터 이하, 또는 대략 15 마이크로미터 이하인 입자들 형태이다. 다른 실시태양에서, 평균 입자크기는 적어도 대략 0.5 마이크로미터, 적어도 대략 1.0 마이크로미터, 또는 적어도 대략 5.0 마이크로미터이다.
실시태양에서, 상이한 입자크기들을 가지는 Al2O3 분말들 조합도 사용될 수 있다. 예를들면, 상이한 입자크기의 Al2O3 분말들 개수는 2, 3, 4, 또는 그 이상이다. 특정 실시태양에서, 2종의 상이한 입자크기들을 가지는 Al2O3 분말들이 사용된다. 더욱 특정한 실시태양에서, Al2O3 분말들 중 하나의 평균 입자크기는 다른 Al2O3 분말 평균 입자크기의 대략 50% 미만, 대략 40% 미만, 또는 대략 30% 미만이다. 예시적으로, Al2O3 분말들 중 하나의 명목 입자크기는 2 마이크로미터이고, 다른 Al2O3 분말의 명목 입자크기는 10 마이크로미터이다. 상이한 입자크기들의 Al2O3 분말들은 임의의 비율로 혼합된다. 예를들면, 2종의 상이한 입자크기들을 가지는 Al2O3 분말들은 대략 1:99, 대략 2:98, 대략 3:97, 대략 10:90, 대략 20:80, 대략 50:50, 대략 80:20, 대략 90:10, 대략 97:3, 대략 98:2, 또는 대략 99:1 비율로 혼합된다. 유사하게, 3종 이상의 상이한 크기들을 가지는 Al2O3 분말들 혼합물은 특정 비율로 제조된다.
실시태양에서, Al2O3 는 반응성 Al2O3, 비-반응성 Al2O3, 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다. 반응성 Al2O3 는 밀도 증가 및 내화체 (100) 기공률 감소에 조력한다. 본원에 사용되는, “반응성 Al2O3” 는 표면적이 적어도 그램 당 2 평방미터 (≥ 2 m2/g)인 특정 Al2O3 분말을 의미하고, “비-반응성 Al2O3” 는 표면적이 그램 당 2 평방미터 미만 (< 2 m2/g)인 특정 Al2O3 분말을 의미한다. 실시태양에서, 반응성 Al2O3 함량은, 내화체 (100) 형성 총 Al2O3 분말의 적어도 대략 1% 내지 100%이다. 반응성 Al2O3 및 비-반응성 Al2O3 분말들의 조합이 사용될 수 있다. 특정 실시태양에서, 내화체 (100) 형성에 사용되는 Al2O3 의 적어도 대략 2%, 적어도 대략 5%, 적어도 대략 16%, 적어도 대략 25%, 또는 적어도 대략 50% 는 반응성 Al2O3로 제공된다. 다른 실시태양에서, 내화체 (100) 형성에 사용되는 Al2O3 의 대략 95% 이하, 대략 90% 이하, 대략 75% 이하, 대략 60% 이하, 또는 대략 50% 이하가 반응성 Al2O3로 제공된다.
다른 실시태양에서, 적어도 일부 Al2O3 는 점토로 제공된다. 특정 실시태양에서, 점토는 적어도 대략 62중량% (이하 “wt%”) Al2O3, 적어도 대략 66 wt% Al2O3, 또는 적어도 대략 71 wt% Al2O3를 포함한다. 또한, 점토는 대략 78 wt% 이하 Al2O3, 대략 74 wt% 이하 Al2O3, 또는 대략 68 wt% 이하의 Al2O3를 포함한다.
적어도 일부 SiO2 는 점토, 비정질 SiO2, 결정질 SiO2 , 활석, 유리 프릿, 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다. 실시태양에서, 결정질 SiO2 는 수정, 트리디마이트, 크리스토발라이트, 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다. 추가 실시태양에서, 내화체 (100)에 SiO2 를 제공하기 위하여 사용되는 유리 프릿의 SiO2 함량은 적어도 대략 55 wt%이고 무 알칼리 유리에서 유래한다. 또 다른 실시태양에서, 내화체 (100) 생성에 사용되는 점토는 적어도 대략 22 wt% SiO2, 적어도 대략 24 wt% SiO2, 또는 적어도 대략 26 wt% SiO2를 포함한다. 다른 실시태양에서, 또한 점토는 대략 24 wt% 이하 SiO2, 대략 27 wt% 이하 SiO2, 또는 대략 29 wt% 이하의 SiO2를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화체 (100) 생성에 사용되는 활석은 적어도 대략 36 wt% SiO2, 적어도 대략 44 wt% SiO2, 또는 적어도 대략 52 wt%의 SiO2를 포함한다. 다른 실시태양에서, 활석은 대략 54 wt% 이하 SiO2, 대략 61 wt% 이하 SiO2, 또는 대략 66 wt% 이하의 SiO2를 포함한다.
내화체 (100)용 출발재료들은 또한 Zr을 포함한다. 특정 실시태양에서, Zr은 산화물로서, 예컨대 ZrO2로서 제공된다. 다른 실시태양에서, Zr 은 ZrSiO4로서 제공된다. 또한, 출발재료들은 하나 이상의 첨가제들을 포함한다. 첨가제들은 Ti, Y, Sr, Ba, Ca, Ta, Fe, Zn, Mg, 또는 임의의 이들의 조합을 포함하는 분자 수준의 화합물이다. 실시태양에서, 첨가제들은 산화물, 탄화물, 탄산염, 질산염, 황산염, 할라이드, 인산염, 또는 임의의 이들의 조합로서 제공된다. 또한, 하나 이상의 첨가제들은 붕화물, 탄화물, 탄산염, 질산염, 할라이드, 인산염, 황산염, 또는 기타 등과 조합되는 산화물로서 제공된다. 하나 이상의 첨가제들은 산화상태, 예컨대 M2 +, M3+, M4 +, M5 +, 또는 임의의 이들의 조합을 가지고, 이때 M은 Ti, Y, Sr, Ba, Ca, Ta, Fe, Zn, 또는 Mg이다.
실시태양에서, 첨가제들은 미량의 불순물을 가지는 실질적으로 순수한 형태로 제공된다. 다른 실시태양에서, 하나 이상의 첨가제들은 화합물로서 제공된다. 예를들면, MgO 및 TiO2 는 MgTiO3 화합물로서 제공된다.
특정 실시태양에서, 하나 이상의 첨가제들의 적어도 일부는 분말로서 제공된다. 더욱 특정한 실시태양에서, 분말은 평균 입자크기가 대략 30 마이크로미터 이하, 대략 20 마이크로미터 이하, 또는 대략 15 마이크로미터 이하인 입자들 형태이다. 다른 실시태양에서, 평균 입자크기는 적어도 대략 0.1 마이크로미터, 적어도 대략 0.5 마이크로미터, 또는 적어도 대략 1 마이크로미터이다.
실시태양에서, 특정 첨가제의 적어도 일부는 소결제이다. 특정 실시예에서, 소결제는 내화블록 (102) 제조에 사용되는 SiO2 용융온도를 낮추고 내화블록 (102) 기공들 내부에 SiO2를 적층시켜 기공률을 낮추는데 조력한다. 내화체 기공률 감소로 내화체가 이후 침식 환경에 노출될 때 침식저항이 개선된다. 예시적 소결제는 Ta, Ti, Fe, Mg, Zn, 또 다른 적합한 소결제, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 예시적 실시태양에서, 소결제들로 제공되는 첨가제들은 산화물로서 제공된다.
다른 실시태양에서, 특정 첨가제의 적어도 일부는 SiO2 와 반응하여 Al이 SiO2와 반응하는 것을 방지하기 위하여 첨가된다. 상세하게는, Mg, Ca, Ba, Sr, Y, 또는 임의의 이들의 조합은, 내화블록 (100)용 출발재료로 제공되는 Al보다는 SiO2 와 반응하도록 첨가된다. 일 실시태양에서, Al 대체용으로 제공되는 첨가제는 산화물로서 제공된다. 다른 실시태양에서, Al 대체용으로 제공되는 첨가제는 실리케이트, 예컨대 점토 (Al6Si2O13), 활석 (Mg3SiO10(OH)2), 이트륨 실리케이트 (Y2Si2O7) 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다. 또 다른 실시태양에서, Al 대체 첨가제는 알루미노실리케이트, 예컨대 코디어라이트 (Mg2Al4Si5O18), 아노르사이트 (CaAl2Si2O8), 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다. 추가 실시태양에서, Al 대체 첨가제는 알루미네이트, 예컨대 이트륨 알루미늄 가넷 (Y3Al5O12), 스피넬 (MgAl2O4), 또는 임의의 이들의 조합으로 제공된다.
내화블록 (102) 형성에 사용되는 추가재료는 결합제, 용매, 분산제, 증점제, 해교제, 또 다른 적합한 성분, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 실시태양에서, 추가재료는 비-금속성 화합물들을 포함한다. 다른 실시태양에서, 추가재료는 유기 화합물, 물, 또는 기타 등을 포함한다.
출발재료들 및 임의의 추가재료들은 조합되고 특정 형상의 미처리체 (green body)로 형상화된다. 형상화는, 예컨대 주입성형, 등압압축성형, 또는 임의의 이들의 조합의 기술로 수행된다. 형상은 직선형, 원통형, 구형, 타원형 또는 거의 임의의 기타 형상일 수 있다. 특정 실시태양에서, 미처리체는 블랭크라고 칭하는 직선형 (rectilinear) 블록 형상으로 이후 기계 가공되어 유리 넘침통으로 성형된다. 다른 실시태양에서, 미처리체는 최종 내화체에 더욱 일치되는 방식으로 구조화되어 임의의 추가 기계 가공을 줄일 수 있다. 예를들면, 내화체 (100)가 유리 넘침통으로 구성될 때, 미처리체 형상은 유리 넘침통에 근사하게 형성되어 이후 기계 가공 정도를 줄이고 제거되는 세라믹스 양을 줄일 수 있다. 상세하게는, 미처리체는 경사부에 인접한 직선부를 가진다. 직선부는 유리 넘침통이 형성되는 영역인 경사부를 가진다. 다른 실시태양에서, 미처리체는 경사부에 인접한 유리 넘침통을 가지도록 형상화된다.
미처리체가 형성된 후, 미처리체는 오븐, 히터, 로, 또는 기타 등에서 가열되어 소결 세라믹스를 포함한 내화블록 (102)을 형성한다. 가열 공정은 초기 가열을 포함하며 이때 습기, 용매, 또는 또 다른 휘발성분이 증발되고, 유기 물질이 기화되거나, 또는 임의의 이들의 조합이 진행된다. 초기 가열은 대략 100 ℃ 내지 대략 300 ℃에서 대략 10 시간 내지 대략 200 시간 수행된다. 초기 가열에 이어, 소결은 대략 1400 ℃ 내지 1700 ℃에서 대략 10 시간 내지 대략 100 시간 진행되어 내화블록 (102)을 형성한다.
내화블록 (102) 형상은 대체로 미처리체 형상에 상응한다. 따라서, 내화블록 (102)은 미처리체에 대하여 전기된 임의의 형상들을 가질 수 있다. 소결 과정에서, 일부 수축이 발생되고, 내화블록 (102)은 미처리체보다 더 작아질 수 있다.
소결체, 예컨대 내화블록 (102)은, 용융주조 (fuse-casting)에 의해 제조된 물체와는 구분된다. 상세하게는, 용융주조로 형성된 물체들은 때로 물체의 결정입자들 네트워크를 채우는 아주 많은 입계 유리상을 가진다. 이와는 달리, 소결체는 입자 경계들에 다른 상으로 형성되는 상들을 가진다. 미세구조들 차이로 인하여, 소결체 및 용융주조체 각각의 분야에서 직면되는 문제점들 및 이들을 해결하기 위한 기술적 방법들은 일반적으로 다르다. 또한, 소결에 따른 물체 제조방법 및 용융주조에 의한 물체 제조방법 간의 차이로 인하여, 용융주조 제품용 조성물은 선험적으로 소결 제품 제조에 사용되지 않는다.
실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 20 wt% Al2O3, 적어도 대략 50 wt% Al2O3, 적어도 대략 70 wt% Al2O3, 적어도 대략 85 wt% Al2O3, 적어도 대략 90 wt% Al2O3, 또는 적어도 대략 92 wt%의 Al2O3를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 95 wt% 이하 Al2O3, 대략 94 wt% 이하 Al2O3, 대략 93 wt% 이하 Al2O3, 또는 대략 90 wt% 이하의 Al2O3를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 1.1 wt% SiO2, 적어도 대략 1.5 wt% SiO2, 적어도 대략 2.1 wt% SiO2, 또는 적어도 대략 2.7 wt%의 SiO2를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 7 wt% 이하 SiO2, 대략 6 wt% 이하 SiO2, 또는 대략 4 wt% 이하의 SiO2를 포함한다.
내화블록 (102)은 첨가제를 포함한다. 실시태양에서, 첨가제는 TiO2, Y2O3, SrO, BaO, CaO, Ta2O5, Fe2O3, ZnO, 또는 MgO를 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102) 적어도 대략 0.2 wt%의 첨가제를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함한다. 더욱 특정한 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt% 첨가제, 적어도 대략 0.4 wt% 첨가제, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 첨가제를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 8 wt% 이하 첨가제, 대략 7 wt% 이하 첨가제, 또는 대략 6 wt% 이하의 첨가제를 포함한다.
실시태양에서, 첨가제는 내화블록 (102)의 다수의 첨가제들 중 특정 첨가제이다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 다수의 첨가제들 중 적어도 대략 0.3 wt%의 각각의 첨가제, 다수의 첨가제들 중 적어도 대략 0.8 wt%의 각각의 첨가제, 다수의 첨가제들 중 적어도 1.6 wt%의 각각의 첨가제, 또는 다수의 첨가제들 중 적어도 2.5 wt%의 각각의 첨가제를 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 5 wt%의 특정 첨가제를 포함한다. 또한, 내화블록 (102)에서 다수의 첨가제들 총 함량은 적어도 대략 1.5 wt%, 적어도 대략 3 wt%, 적어도 대략 5 wt%, 또는 적어도 대략 7 wt%이다. 또한, 내화블록 (102)에서 다수의 첨가제들 총 함량은 대략 14 wt% 이하, 대략 12 wt% 이하, 또는 대략 10 wt% 이하이다.
실시태양에서, 내화블록 (102)은 TiO2를 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화체 (102)는 적어도 대략 0.2 wt% TiO2, 적어도 대략 0.4 wt% TiO2, 또는 적어도 0.6 wt%의 TiO2를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 4.0 이하 wt% TiO2, 대략 3.0 wt% 이하 TiO2, 또는 대략 2.0 wt% 이하의 TiO2를 포함한다.
내화블록 (102)은 또한 첨가제로서 MgO를 포함한다. 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt% MgO, 적어도 대략 0.4 wt% MgO, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 MgO를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 4.5 wt% 이하 MgO, 대략 3.5 wt% 이하 MgO, 또는 대략 2.5 wt% 이하의 MgO를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 CaO를 포함한다. 상세하게는, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt% CaO, 적어도 대략 0.5 wt% CaO, 또는 적어도 대략 0.7 wt%의 CaO를 포함한다.
실시태양에서, 내화블록 (102)은 첨가제로서 Fe2O3 를 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt % Fe2O3, 적어도 대략 0.7 wt% Fe2O3, 또는 적어도 대략 0.9 wt%의 Fe2O3를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 첨가제로서 Ta2O5 를 포함한다. 예시적 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt% Ta2O5, 적어도 대략 0.4 wt% Ta2O5, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 Ta2O5를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 2.0 wt% 이하 Ta2O5, 대략 1.1 wt% 이하 Ta2O5, 또는 대략 0.7 wt% 이하의 Ta2O5를 포함한다.
내화블록 (102)은 또한 첨가제로서 Y2O3 를 포함한다. 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 대략 1 wt% Y2O3, 적어도 대략 2 wt% Y2O3, 또는 적어도 대략 3 wt%의 Y2O3를 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 8 wt% 이하 Y2O3, 대략 7 wt% 이하 Y2O3, 또는 대략 6 wt% 이하의 Y2O3를 포함한다.
실시태양에서, 내화블록 (102)은 단일 첨가제 또는 특정 조합의 첨가제들을 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 내화블록 (102)의 유일한 첨가제로서 TiO2를 포함한다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 첨가제들로서 TiO2 및 MgO를 포함한다. 또 다른 실시태양에서, 내화블록은 TiO2, Fe2O3, 및 Ta2O5를 포함한다. 내화블록 (102)은 또한 유일한 첨가제로서 Ta2O5 를 포함하거나 내화블록 (102)은 유일한 첨가제로서 Y2O3 를 포함한다.
특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 ZrO2를 포함한다. 예를들면, 내화블록 (102)은 대략 0.3 wt% 이하 ZrO2, 대략 0.2 wt% 이하의 ZrO2, 대략 0.05 wt% 이하의 ZrO2를 포함하거나, 실질적으로 ZrO2 부재이다. 본원에 사용되는, “실질적으로 부재”란 특정 재료의 함량이 미량 수준 이하, 예컨대 중량기준으로 100 ppm 이하이다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 적어도 0.03 wt% ZrO2, 적어도 0.1 wt% ZrO2, 또는 적어도 0.25 wt%의 ZrO2를 포함한다. 더욱 특정한 실시태양에서, 내화블록 (102)은 내화블록 (102)에서의 ZrO2 함량에 해당하는 Y2O3 함량을 포함한다. 예시적으로, 내화블록 (102)은 적어도 대략 0.2 wt%의 ZrO2 및 적어도 대략 0.2 wt%의 Y2O3을 포함한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)의 Y2O3 함량은 내화블록 (102)의 ZrO2가 결정 상태들을 변경시키지 않도록 제공된다.
내화블록 (102)은 상이한 형상, 더욱 평활한 표면, 또는 양자를 생성하도록 기계 가공된다. 도 2의 예시적 실시태양에서, 내화블록 (102)이 가공되어 유리 넘침통 (200)으로 형성된다. 내화체인 유리 넘침통 (200)은 유리 넘침 통부 (202) 및 경사부 (204)를 포함한 몸체를 가진다. 유리 넘침 통부 (202)는 유리 넘침 성형블록 (200) 길이를 따라 감소되는 깊이를 가지는 통을 포함한다. 도 3은 경사부 (204)의 예시적 단면 형상들을 포함한다. 상세하게는, 경사부는 쐐기 형상 (2042), 오목 형상 (2044), 또는 볼록 형상 (2046)을 포함한다. 특정 분야의 필요성 또는 소망에 따라 다른 형상들이 적용될 수 있다.
내화블록 (102)은 알루미늄, 규소, 알칼리들 (예를들면 Na, K), 알칼리토금속들 (예를들면 Ca, Ba, Sr), 또는 임의의 이들의 조합을 포함한 유리 (“Al-Si 유리”) 형성에 사용되는 유리 넘침통 (200)에 특히 적합한 하나 이상의 물성을 가진다. 상세하게는, 내화블록 (102)의 물성은 침식을 줄임으로써 내화블록 (102)에서 성형되는 유리 넘침통의 수명을 높일 수 있다. 내화블록 (102)의 침식을 감소시킴으로써 내화블록 (102)의 기계적 온전성을 유지할 수 있다. 내화블록 (102)이 적어도 특정 이론 밀도 및 특정 겉보기 기공률 이하를 가질 때 내화블록 (102) 침식은 감소된다. 또한, 내화블록 (102)이 유리 넘침통으로 구성될 때, 침식이 감소되면 유리 넘침통에서 유리로 전이되는 물질이 줄어들고 유리 넘침통을 이용하여 형성되는 유리판들에 대한 조성을 더욱 양호하게 제어할 수 있다. 또한 내화블록 (102) 침식이 감소되면 실질적으로 예컨대 코드 (cords) 또는 노트 (knots)와 같은 결함 형성이 방지된다. 이론 밀도 백분율이 특정치 이상 및/또는 내화블록 (102) 겉보기 기공률이 특정치 이상일 때 내화블록 (102) 침식은 감소된다. 또한, 내화블록 (102)이 특정 이론 밀도 및 특정 겉보기 기공률 이하일 때 및 내화블록 (102)이 유리 넘침통으로 구성될 때, 내화블록 (102) 기공들 침투 유리 함량이 감소된다. 이에 따라 형성 유리판의 결함도 줄어든다.
또한, 내화블록 (102)이 유리 넘침통을 포함할 때 내화블록 (102)의 크리프 속도 최소화로 새그 변형 (sag deformation)이 최소화된다. 본원에 사용되는 새그 변형이란 내화블록 (102) 및 이로부터 형성되는 유리판들의 총 중량으로 인가되는 힘으로 인한 내화블록 (102) 변형을 의미한다. 새그 변형이 최소화됨으로써 유리 넘침통은 특정 치수 이하 (예를들면 대략 1 mm 이하)의 두께 및 적어도 특정 길이 (예를들면 적어도 대략 2 m)를 가지는 유리판들을 생성할 수 있다.
실시태양에서, 내화블록 (102)의 파괴인성은 적어도 대략 2.1 MPa-m1/2, 적어도 대략 2.5 MPa-m1/2, 또는 적어도 대략 2.9 MPa-m1/2이다. 내화블록 (102) 파괴인성은 압입시험에 따라 측정된다. 특정 실시태양에서, 파괴인성은 본원 출원일 현재 인가 하중 0.5 kg으로 ASTM E384-89에 따라 압자압입법으로 측정된다. 내화블록 (102) 파괴인성이 증가되면 내화블록 (102) 가열 과정에서 생길 수 있는 내화블록 (102) 균열들을 최소화할 수 있다.
다른 실시태양에서, 내화블록 (102)에 대한유리 접촉 계면 품질이 측정된다. 상세하게는, 본원 출원일 현재 용융 유리에 대한 내화물의 등온 침식저항을 위한ASTM C621-09 표준시험방법 변형이 적용될 수 있다. 예시적 실시태양에서, 10 x 10 x 50 mm3 의 하나 이상의 샘플들을 준비한다. 샘플들을 전기로 내부에 걸어둔다. 백금 도가니에 유리 부스러기들 (예를들면 50 g의 알칼리 알루미노-실리케이트 유리)를 채우고 도가니를 로에 넣는다. 샘플을 유리 위에 걸어둔 채 채워진 도가니 및 샘플을 시험 온도 (예를들면 1200℃)까지 가열한다. 시험 온도에서 샘플을 용융 유리로 하강시키고 샘플 바닥이 설정 장비 최상부 고정부에 부착되고 약 120 시간 동안 시험 온도에서 용융물에 특정 거리 (예를들면 약 30mm) 침지된다. 이후 샘플을 시험 온도에서 유리 밖으로 상승시키고 샘플 및 도가니를 냉각한다. 냉각 후, 샘플을 최장 치수를 따라 양분하고 두 개 모두를 연마한다. 유리-샘플 계면을 입체현미경으로 관찰한다. 샘플이 유리 용융물에서 용해되거나 및/또는 샘플 일부가 유리 용융물에 빠질 때 계면은 "느슨"한 것으로 평가된다. 느슨한 계면은 유리 결함들 예컨대 코드들 및 스톤들 (stones) (일차 또는 재결정화)로 이어지고 이는 유리 제조에 악영향을 미친다 (즉 수율 및 품질). 유리 또는 샘플에서 현저한 반응이 없이 유리 및 샘플 사이의 계면이 깨끗하면 계면은 "조밀"하다고 평가된다. 조밀한 유리 접촉 성능을 가지는 내화체들은 고품질의 유리를 양호한 수율로 생산하기 위하여 사용된다.
또한, 내화블록 (102)의 블리스터링 (blistering) 성능을 측정한다. 실시태양에서, 5 x 25 x 25 mm3의 샘플을 준비한다. 약 5g의 유리 부스러기들을 샘플 최상부에 올려 놓는다. 유리 부스러기들이 올려진 샘플을 전기로에서 1200℃까지 5 내지 10℃ / min 속도로 가열한다. 유리 부스러기들이 있는 샘플을 1200℃에서 16 시간 유지한다. 이후 샘플을 약 20℃/min 속도로 냉각시켜 냉각에 의한 유리 실투 (devitrification)를 방지한다. 유리에 형성된 다수의 버블들을 입체현미경으로 관찰한다. 특정 개수의 버블들, 예컨대 적어도 20 버블들이 보이면 블리스터링 수준을 "높음"으로 기록한다. no 유리에 버블들이 관찰되지 않거나 또는 특정 개수 이하, 예컨대 20 개 미만 버블들 및 바람직하게는 10개 이하의 버블들이 관찰되면 블리스터링 수준을 "낮음"이다. 블리스터로 인하여 때로 유리판들은 대부분의 유리 형성 공정들에서 허용되지 않고 블리스터링을 최소화하는 것이 바람직하다.
또한, 내화블록 (102)의 이론 밀도 (“Th.D”) 백분율을 측정한다. 실시태양에서, 내화블록 (102)의 이론 밀도 백분율은 대략 98% 이하, 대략 97% 이하, 또는 대략 96% 이하이다. 다른 실시태양에서, 내화체 (102)의 이론 밀도 백분율은 적어도 대략 91%, 적어도 대략 92%, 또는 적어도 대략 93%이다. 본원에서 이론 밀도는 기공률 (개방 및 폐쇄)이 0일 때의 샘플 밀도를 의미한다. 이론 밀도 백분율은, 또한 본원에서 치밀도로 언급되고, 식 1에서와 같이 주어진 샘플에 대하여 밀도 (“D”)를 이론 밀도로 나눈 비율로 계산된다:
(D / Th.D.) x 100 = %Th.D. (치밀도) (Eq. 1)
내화블록 (102)이 다수의 산화물들을 포함하면, 내화블록 (102)의 이론 밀도는 내화블록에 포함된 산화물들의 믹스 화학 조성에 기초하여 식 2에서와 같이 계산된다:
Wdry / [WOx1/Th.DOx1 + WOx2/Th.DOx2 + … + WOxn/Th.DOxn] = Th.D (Eq. 2)
식 중, Wdry 는 산화물들 믹스의 건량이고, WOx 는 특정 산화물의 중량이고, Th.DOx 는 특정 산화물의 이론 밀도이다.
또한, 본원에서 언급되는 밀도는 내화블록 샘플의 측정 중량 및 개방 기공률이 없는 용적 간의 비율이다. 용적은 샘플을 밀도 dLiq의 물에 침지하여 측정한다. 이러한 방법을 침지 밀도 방법 또는 아르키메데스 방법이고 칭하며 다음과 같은 단계들로 구성된다: (1) 샘플들을 진공 처리하여 공기 및 흡수된 물을 표면 및 개방 기공들에서 제거하고 (2) 샘플들을 물에 침지시켜 개방 기공들을 채우고 (3) 물에 침지된 샘플들 중량을 측정하고 (Wimm) (4) 샘플들을 액체에서 꺼내 표면을 닦은 후 공기 중 샘플들 중량을 측정하고 (Wwet) (5) 샘플들을 건조시켜 중량을 측정한다 (Wdry). 하기 식 3 및 4는 샘플 밀도 계산을 위하여 사용된다.
(Wdry - Wimm) / dLiq = V (샘플 용적) (Eq. 3)
Wdry / V = D (Eq. 4)
또한, 내화블록 (102)의 겉보기 기공률을 측정한다. 특정 실시태양에서 내화블록 (102) 겉보기 기공률은 대략 1.0 vol% 이하, 대략 0.8 vol% 이하, 대략 0.5 vol% 이하, 또는 대략 0.2 vol% 이하이다. 본원에 사용되는 개방 (또는 겉보기) 기공률은 접근 가능한 기공 용적 (즉 충전 가능한 용적)이다. 겉보기 기공률은 총 용적의 백분율로 식 5로 표현되고, 여기에서 기공들 용적 (Vporo)은 식 6에 따라 계산된다:
(VPoro / V) x 100 = %Poro (Eq. 5)
(Wwet - Wdry) / dLiq = VPoro (Eq. 6)
또한 내화블록 (102) 크리프 속도를 측정한다. 크리프 속도는 굽힘 크리프 속도이다. 굽힘 크리프 속도는 내화체가 소정의 온도에서 소정 시간 동안 기계적 응력을 받을 때 내화체 길이에 수직 방향에서의 내화체 휨 (deflection) 속도의 측정치이다. 실시태양에서, 내화블록 (102) 크리프 속도는 대략 1.0 x 10-4 h-1 이하, 대략 5.0 x 10-5 h-1 이하, 대략 7.5 x 10-6 h-1 이하, 대략 4.9 x 10-6 h-1 이하, 또는 대략 1.01 x 10-6 h-1 이하이다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102) 크리프 속도는 적어도 대략 2.00 x 10-6 h-1, 적어도 대략 8.00 x 10-6 h-1, 또는 적어도 대략 1.00 x 10-5 h-1이다. 특정 실시태양에서, 크리프 속도는 4-점 굽힘 설정으로 측정되고, 여기에서 외부 지지체들 간의 거리는 대략 80 mm이고 내부 지지체들은 대략 40 mm 떨어져 있다. 8 x 9 x 100 mm 표면 기반의 재료 바를 바닥 지지체들에 올리고 대략 2 MPa 응력을 최상부 고정구를 통해 인가한다. 시험은 대략 1275 ℃에서 대략 50 시간 동안 진행한다. 바 휨을 시간 함수로 기록하고 바 변형률을 계산한다. 특정 실시태양에서, Hollenberg 모델을 시용하여 “Calculation of Stresses and Strains in Four Point Bending Creep Tests,” by G. W. Hollenberg et al., J. Am. Ceram. Soc., Vol. 54, N° 6, p 196-199 (1971)에 기재된 바와 같이 바 휨 변형에서 변형률을 계산하였다.
내화블록 (102)의 입자들 (grains)의 평균 크기는 대략 500 마이크로미터 이하, 대략 300 마이크로미터 이하, 또는 대략 110 마이크로미터 이하이다. 다른 실시태양에서, 내화블록 (102) 입자들의 평균 크기는 적어도 대략 10 마이크로미터, 적어도 대략 30 마이크로미터, 또는 적어도 대략 50 마이크로미터이다. 입자크기는 내화블록 (102)의 연삭 부분들의 관찰 및 다수의 단일 입자들 (적어도 무작위 선택된 100개의 입자들)의 길이 (최대 치수) 및 폭 (최소 치수) 측정으로 추정된다. 평균 입자크기는 폭들, 길이들, 또는 이들의 조합, 예를들면 입자들의 평균 폭 및 평균 길이의 평균 (즉, (평균 폭 + 평균 길이)/2)으로 결정된다. 실시태양에서, 평균 입자크기는 입자 폭들의 평균, 입자 길이들의 평균, 폭 또는 길이에 상응하는 중간값, 또는 기타 등에 기초한다. 입자크기들을 비교할 때, 샘플 또 다른 샘플 또는 선행 조성물 길이들과 비교되고, 샘플 폭들은 또 다른 샘플 또는 선행 조성물의 폭들과 비교되고, 샘플 입자들에 대한 중간값들은 또 다른 샘플 또는 선행 조성물의 입자들에 대한 중간값들과 비교된다.
다른 실시태양에서, 크기 분포들은 평균 길이들 및 폭들에 대하여 전기된 입자들 데이터로부터 결정된다. 본원에 사용되는, D10 값은 10번째 백분위, D50 값은 50번째 백분위, 및 D90 값은 90번째 백분위를 나타낸다. 따라서, D50은 중간값에 해당된다. 길이가 입자크기의 기초인 실시태양에서, 내화블록 (102) 입자들 크기에 대한 D10, D50 값, D90 값, 또는 이들의 조합은, 대략 450 마이크로미터 이하, 대략 300 마이크로미터 이하, 또는 대략 150 마이크로미터 이하이다. 길이가 입자크기의 기초인 추가 실시태양에서, 내화블록 (102) 입자들 크기에 대한 D10, D50 값, D90 값, 또는 이들의 조합은 적어도 대략 5 마이크로미터, 적어도 대략 20 마이크로미터, 또는 적어도 대략 50 마이크로미터이다.
소결 세라믹스에서 입자크기들의 분포는 단일 모드 또는, 예컨대 2, 3, 4 등의 다중 모드들을 가진다. 실시태양에서, 소결 세라믹스는 평균 입자크기들의 쌍봉 분포를 가진다. 특정 실시태양에서, 모드들 중 하나의 평균 입자크기는 다른 모드 평균 입자크기의 대략 50% 미만, 대략 40% 미만, 또는 대략 30% 미만이다.
또한, 내화블록 (102)은 하나 이상의 상들, 예컨대 알루미늄 상 및 실리카 상을 가진다. 특정 실시태양에서, 실질적으로 내화블록 (102)의 모든 알루미늄은 알루미늄 상에 위치한다. 내화블록 (102)이 하나 이상의 첨가제들을 포함하는 다른 실시태양에서, 임의의 하나 이상의 첨가제들은 알루미늄 상 및 실리카 상 각각에 위치한다. 추가 실시태양에서, 내화블록 (102)의 실질적으로 모든 임의의 하나 이상의 첨가제들은 알루미늄 상 외부에 위치한다. 더욱 특정한 실시태양에서, 실질적으로 모든 임의의 하나 이상의 첨가제들은 실리카 상 내부에 위치한다. 또 다른 실시태양에서, 실리카 상은 내화블록 (102) 몸체 내부 알루미늄 상에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분산된다. 또 다른 실시태양에서, 내화블록 (102)은 내화블록 (102) 가장자리 및 몸체부 사이 및 몸체부 외부에 위치하는 주변영역을 포함하고, 주변영역의 임의 부분은 내화블록 (102) 가장자리의 대략 20 mm 이내, 내화체 가장자리의 대략 10 mm 이내, 내화체 가장자리의 대략 5 mm 이내, 또는 내화블록 (102) 가장자리의 대략 1 mm 이내에 있다.
실시태양에서, 실리카 상은 알루미늄 실리케이트, 마그네슘 실리케이트, 칼슘 실리케이트, 바륨 실리케이트, 스트론튬 실리케이트, 이트륨 실리케이트, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 특정 실시태양에서, 내화블록 (102)은 대략 1.0 wt% 이하의 알칼리 금속산화물 (예를들면 Na2O, K2O), 대략 0.5 wt% 이하의 알칼리 금속산화물, 대략 0.3 wt% 이하의 알칼리 금속산화물, 대략 0.3 wt% 이하의 알칼리 금속산화물을 포함하고, 또는 실질적으로 임의의 알칼리 금속산화물은 부재이다. 더욱 특정한 실시태양에서, 실질적으로 모든 알칼리 금속산화물은, 존재한다면, 실리카 상에 존재한다. 또 다른 실시태양에서, 실리카 상에 위치하는 하나 이상의 첨가제들은 실리카 상 융점에 영향을 준다. 실리카 상 융점은 적어도 대략 1300℃, 적어도 대략 1400℃, 적어도 대략 1500℃, 적어도 대략 1600℃, 또는 적어도 대략 1700℃이다. 다른 실시태양에서, 실리카 상 융점은 적어도 대략 내화체 형성에 적용되는 소결 온도보다 크다.
유리 넘침 성형블록 형태의 내화블록 (102)은 용융공정에 의한 유리판 성형에 유용하다. 도 4는 유리판 (302) 형성 과정에서 유리 넘침 성형블록의 사시도를 도시한 것이다. 유리 넘침 성형블록은 대략 1050℃ 내지 대략 1300 ℃까지 가열된다. 유리 넘침 성형블록은 전기된 바와 같이 유리 넘침 통부 (202) 및 경사부 (204)를 포함한다. 도시된 실시태양에서, 유리 넘침 성형블록은 형성되는 유리판 (302) 폭을 대체로 정하는 단부 가드들 (206)을 더욱 포함한다. 유리 넘침 성형블록은 용융 유리 조성물을 수용하는 입구 포트 (208)를 더욱 포함한다. 유리 넘침 통부 (202) 내부의 통은 용융 유리 조성물을 넘칠 때까지 수용한다. 이후, 용융 유리 조성물은 유리 넘침 통부 (202)가장자리들 중 적어도 하나로 넘친다. 용융 유리 조성물은 유리 넘침 통부 (202) 및 경사부 (204)의 반대 외면들을 따라 흐른다. 유리 넘침 통부 (202) 반대측의경사부 (204) 단부에서, 반대 외면들을 따라 흐르는 용융 유리 조성물이 융합되어 유리판 (302)을 형성한다. 다른 실시태양에서, 또 다른 유형의 유리물체들이 형성될 수 있다.
실시태양에서, 유리판 (302)의 두께는 적어도 대략 20 마이크로미터, 적어도 대략 30 마이크로미터, 또는 적어도 대략 50 마이크로미터이다. 다른 실시태양에서, 유리판 (302)의 두께는 대략 5 mm 이하, 대략 3 mm 이하, 또는 대략 1.1 mm 이하이다. 폭에 있어서, 공정에서 단부 가드들 (206)을 조정하여 임의의 원하는 유리판 (302) 폭을 설정할 수 있다. 예를들면, 유리판 (302)의 폭은 적어도 대략 0.5 m, 적어도 대략 1.1 m, 적어도 대략 2.0 m, 적어도 대략 4.0 m, 또는 그 이상이다.
많은 상이한 양태들 및 실시태양들이 가능하다. 일부 양태들 및 실시태양들이 본원에 기재된다. 본 명세서를 읽은 후, 기술자들은 이러한 양태들 및 실시태양들은 단지 예시적이고 본 발명의 범위를 제한하지 않는다는 것을 이해할 것이다.
실시태양들은 하기 임의의 하나 이상의 항들에 따른다.
항 1. 내화체에 있어서:
적어도 대략 10 wt% Al2O3;
적어도 대략 1 wt% SiO2로 구성되고;
내화체는 대략 0.5 wt% 이하의 ZrO2를 포함하고;
내화체는 적어도 대략 0.2 wt%의 첨가제를 포함하고;
내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함하고;
내화체는 적어도 대략 0.25 wt% 의 첨가제를 포함하고;
내화체는 TiO2, Y2O3, SrO, BaO, CaO, Ta2O5, Fe2O3, ZnO, MgO, 또는 임의의 이들의 조합을 포함하고;
내화체의 크리프 속도는 대략 1 x 10-4 h-1 이하이고;
내화체의 크리프 속도는 적어도 대략 1 x 10-6 h-1이고;
내화체의 이론 밀도 백분율은 적어도 대략 90%이고;
내화체의 겉보기 기공률은 대략 2 vol% 이하이고;
내화체는 유리 넘침통 또는 성형블록을 포함하고; 또는
임의의 이들의 조합인, 내화체.
항 2. 항 1에서, 내화체의 크리프 속도는 대략 5.0 x 10-5 h-1 이하, 대략 7.5 x 10-6 h-1 이하, 대략 4.9 x 10-6 h-1 이하, 또는 대략 1.01 x 10-6 h-1 이하인, 내화체.
항 3. 항 1 또는 항2에서, 내화체의 크리프 속도는 적어도 대략 2 x 10-6 h-1, 적어도 대략 8 x 10-6 h-1, 또는 적어도 대략 1 x 10-5 h-1인, 내화체.
항 4. 항 1 내지 항 3 중 어느 하나에서, 내화체의 이론 밀도 백분율은 대략 95% 이하, 대략 94% 이하, 또는 대략 93% 이하인, 내화체.
항 5. 항 1 내지 항 4 중 어느 하나에서, 내화체의 이론 밀도 백분율은 적어도 대략 91%, 적어도 대략 92%, 또는 적어도 대략 93%인, 내화체.
항 6. 항 1 내지 항 5 중 어느 하나에서, 내화체의 겉보기 기공률은 대략 0.8 vol% 이하, 대략 0.5 vol% 이하, 또는 대략 0.2 vol% 이하인, 내화체.
항 7. 내화체에 있어서,
적어도 대략 10 wt%의 Al2O3;
적어도 대략 1 wt%의 SiO2;
첨가제;
알루미늄 상;
실리카 상으로 구성되고;
알루미늄 상은 실질적으로 Al2O3으로 이루어지고;
실리카 상은 내화체 몸체부 내부에서 알루미늄 상에 걸쳐 실질적으로 균일하게 분산되고;
실질적으로 모든 첨가제는 알루미늄 상 외부에 있고;
실질적으로 모든 첨가제는 실리카 상 내부에 있고;
첨가제는 알루미늄 상 및 실리카 상 각각에 있고; 또는
임의의 이들의 조합인, 내화체.
항 8. 항 7에 있어서, 내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함하는, 내화체.
항 9. 항 8에서, 실리카 상은 알루미늄 실리케이트, 마그네슘 실리케이트, 칼슘 실리케이트, 바륨 실리케이트, 스트론튬 실리케이트, 이트륨 실리케이트, 또는 임의의 이들의 조합을 포함하는, 내화체.
항 10. 항 8또는 항9에서, 실질적으로 모든 첨가제는 실리카 상 내부에 있는, 내화체.
항 11. 항 8 내지 항 10 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 1 wt% 이하의 알칼리 금속산화물, 대략 0.5 wt% 이하의 알칼리 금속산화물, 또는 대략 0.3 wt% 이하의 알칼리 금속산화물을 포함하는, 내화체.
항 12. 항 11에서, 실질적으로 모든 알칼리 금속산화물은 실리카 상 내부에 있는, 내화체.
항 13. 항 7 내지 항 12 중 어느 하나에서, 내화체는 내화체 가장자리 및 몸체부 사이 및 몸체부 외부에 위치하는 주변영역을 포함하고, 주변영역의 임의의 일부는 내화체 가장자리의 대략 20 mm 이내, 내화체 가장자리의 대략 10 mm 이내, 내화체 가장자리의 대략 5 mm 이내, 또는 내화체 가장자리의 대략 1 mm 이내에 있는, 내화체.
항 14. 항 7 내지 항 13 중 어느 하나에서, 실리카 상 융점은 적어도 대략 1300℃, 적어도 대략 1400℃, 적어도 대략 1500℃, 적어도 대략 1600℃, 또는 적어도 대략 1700℃인, 내화체.
항 15. 항 14에서, 실리카 상 융점은 적어도 내화체 성형에 적용되는 대략 소결 온도인, 내화체.
항 16. 선행 항들 중 어느 하나에서, 첨가제는 소결제로서 제공되는, 내화체.
항 17. 선행 항들 중 어느 하나에서, SiO2 는 비정질 SiO2, 결정질 SiO2, 또는 이들의 조합으로서 제공되는, 내화체.
항 18. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체에서 적어도 대략 16%의 Al2O3, 적어도 대략 25%의 Al2O3, 또는 적어도 대략 50%의 Al2O3 는 반응성 Al2O3로서 제공되는, 내화체.
항 19. 항 1 내지 항 18 중 어느 하나에서, 내화체에서 대략 99% 이하의 Al2O3, 대략 90% 이하의 Al2O3, 또는 대략 75% 이하의 Al2O3 는 반응성 Al2O3 로서 제공되는, 내화체.
항 20. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt%의 ZrO2 및 적어도 대략 0.2 wt%의 Y2O3를 포함하는, 내화체.
항 21. 항 1 내지 항 19 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 0.3 wt% 이하의 ZrO2, 대략 0.2 wt% 이하의 ZrO2, 또는 대략 0.05 wt% 이하의 ZrO2를 포함하는, 내화체.
항 22. 항 1 내지 항 20 중 어느 하나에서, 내화체 적어도 0.03 wt% ZrO2, 적어도 0.1 wt% ZrO2, 또는 적어도 0.25 wt% ZrO2 를 포함하는, 내화체.
항 23. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt% 첨가제, 적어도 대략 0.4 wt% 첨가제, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 첨가제를 포함하는, 내화체.
항 24. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 8 wt% 이하의 첨가제, 대략 7 wt% 이하의 첨가제, 또는 대략 6 wt% 이하의 첨가제를 포함하는, 내화체.
항 25. 선행 항들 중 어느 하나에서, 첨가제는 내화체의 다수의 첨가제들 중 특정 첨가제인, 내화체.
항 26. 항 25에서, 내화체는 다수의 첨가제들 적어도 대략 0.3 wt%의 각각의 첨가제, 다수의 첨가제들 중 적어도 대략 0.8 wt%의 각각의 첨가제, 다수의 첨가제들 중 적어도 1.6 wt%의 각각의 첨가제, 또는 다수의 첨가제들 중 적어도 2.5 wt%의 각각의 첨가제를 포함하는, 내화체.
항 27. 항 25에서, 내화체는 적어도 대략 5 wt%의 특정 첨가제를 포함하는, 내화체.
항 28. 항 25 내지 항 27 중 어느 하나에서, 내화체에서 다수의 첨가제들 총 함량은 적어도 대략 3 wt%, 적어도 대략 5 wt%, 또는 적어도 대략 7 wt%인, 내화체.
항 29. 항 25 내지 항 27 중 어느 하나에서, 내화체에서 다수의 첨가제들 총 함량은 대략 14 wt% 이하, 대략 12 wt% 이하, 또는 대략 10 wt% 이하인, 내화체.
항 30. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt% TiO2, 적어도 대략 0.4 wt% TiO2, 또는 적어도 0.6 wt%의 TiO2를 포함하는, 내화체.
항 31. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 4.0 wt% 이하 TiO2, 대략 3.0 wt% 이하 TiO2, 또는 대략 2.0 wt% 이하의 TiO2를 포함하는, 내화체.
항 32. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt% MgO, 적어도 대략 0.4 wt% MgO, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 MgO을 포함하는, 내화체.
항 33. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 4.5 wt% 이하 MgO, 대략 3.5 wt% 이하 MgO, 또는 대략 2.5 wt% 이하의 MgO을 포함하는, 내화체.
항 34. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt% CaO, 적어도 대략 0.5 wt% CaO, 또는 적어도 대략 0.7 wt%의 CaO를 포함하는, 내화체.
항 35. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt % Fe2O3, 적어도 대략 0.7 wt% Fe2O3, 또는 적어도 대략 0.9 wt%의 Fe2O3를 포함하는, 내화체.
항 36. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 0.2 wt% Ta2O5, 적어도 대략 0.4 wt% Ta2O5, 또는 적어도 대략 0.6 wt%의 Ta2O5 를 포함하는, 내화체.
항 37. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체 대략 2.0 wt% 이하 Ta2O5, 대략 1.1 wt% 이하 Ta2O5, 또는 대략 0.7 wt% 이하의 Ta2O5 를 포함하는, 내화체.
항 38. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 1 wt% Y2O3, 적어도 대략 2 wt% Y2O3, 또는 적어도 대략 3 wt%의 Y2O3 를 포함하는, 내화체.
항 39. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 9 wt% 이하 Y2O3, 대략 8 wt% 이하 Y2O3, 또는 대략 7 wt% 이하의 Y2O3 를 포함하는, 내화체.
항 40. 항 1 내지 항 24, 항 30 및 항 31 중 어느 하나에서, TiO2 는 내화체 내의 유일한 첨가제인, 내화체.
항 41. 항 25 내지 항 33 중 어느 하나에서, 다수의 첨가제들은 단지 TiO2 및 MgO를 포함하는, 내화체.
항 42. 항 25 내지 항 34 중 어느 하나에서, 다수의 첨가제들은 단지 TiO2, MgO, 및 CaO 를 포함하는, 내화체.
항 43. 항 25 내지 항 31, 35항 중 어느 하나에서, 다수의 첨가제들은 단지 TiO2 및 Fe2O3 를 포함하는, 내화체.
항 44. 항 25 내지 항 31 및 항 35 내지 항 37 중 어느 하나에서, 다수의 첨가제들은 단지 TiO2, Fe2O3, 및 Ta2O5 를 포함하는, 내화체.
항 45. 항 1 내지 항 24, 항 36 및 항 37 중 어느 하나에서, Ta2O5 는 내화체 내의 유일한 첨가제인, 내화체.
항 46. 항 1 내지 항 24, 항 38 및 항 39 중 어느 하나에서, Y2O3 는 내화체 내의 유일한 첨가제인, 내화체.
항 47. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 20 wt% Al2O3, 적어도 대략 50 wt% Al2O3, 적어도 대략 70 wt% Al2O3, 적어도 대략 85 wt% Al2O3, 적어도 대략 90 wt% Al2O3, 또는 적어도 대략 92 wt%의 Al2O3를 포함하는, 내화체.
항 48. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 95 wt% 이하 Al2O3, 대략 93 wt% 이하 Al2O3, 대략 92 wt% 이하 Al2O3, 또는 대략 90% 이하의 Al2O3 를 포함하는, 내화체.
항 49. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 대략 7 wt% 이하 SiO2, 대략 6 wt% 이하 SiO2, 또는 대략 4 wt% 이하의 SiO2를 포함하는, 내화체.
항 50. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 적어도 대략 1.1 wt% SiO2, 적어도 대략 1.5 wt% SiO2, 적어도 대략 2.1 wt% SiO2, 또는 적어도 대략 2.7 wt%의 SiO2를 포함하는, 내화체.
항 51. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체의 파괴인성은 적어도 대략 2.1 MPa-m1/2, 적어도 대략 2.5 MPa-m1/2, 또는 적어도 대략 2.9 MPa-m1/2인, 내화체.
항 52. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체 길이는 대략 0.5 m, 대략 1.1 m, 대략 2.0 m, 또는 적어도 대략 4.0 m인, 내화체.
항 53. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체 입자들의 입자크기 D90 값은 500 마이크로미터 이하, 350 마이크로미터 이하, 또는 200 마이크로미터 이하인, 내화체.
항 54. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 유리 넘침통 또는 성형블록을 포함하는, 내화체.
항 55. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 소결되는, 내화체.
항 56. 선행 항들 중 어느 하나에서, 내화체는 등압압축성형, 주입성형, 또는 임의의 이들의 조합으로 형성되는, 내화체.
항 57. 유리판 성형방법에 있어서,
유리 넘침통을 포함하는 선행 항들 중 임의의 항의 내화체를 제공하는 단계; 및
유리 접촉 면적을 형성하는 유리 넘침통의 적어도 하나의 가장자리에 넘치도록 유리재료를 유리 넘침통으로 유동시키는 단계로 구성되고, 유리재료는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 임의의 이들의 조합을 가지는 알루미노-실리케이트 유리를 포함하는, 유리판 성형방법.
항 58. 항 57에서, 유리판 두께는 적어도 대략 20 마이크로미터, 적어도 대략 30 마이크로미터, 또는 적어도 대략 50 마이크로미터인, 유리판 성형방법.
항 59. 항 57 또는 항58에서, 유리판 두께는 대략 5 mm 이하, 대략 3 mm, 이하 또는 대략 1.1 mm 이하인, 유리판 성형방법.
항 60. 항 57 내지 항59 중 어느 하나에서, 유리판 폭은 적어도 대략 0.2 m, 적어도 대략 0.5 m, 적어도 대략 0.7 m, 적어도 대략 1.1 m, 적어도 대략 2.0 m, 적어도 대략 2.8 m, 또는 적어도 대략 3.4 m인, 유리판 성형방법.
항 61. 항 57 내지 항60 중 어느 하나에서, 유리 넘침통의 폭은 적어도 대략 0.1 m, 적어도 대략 0.3 m, 또는 적어도 대략 0.5 m인, 유리판 성형방법.
항 62. 항 57 내지 항60 중 어느 하나에서, 유리판 폭, 유리 넘침통 폭, 또는 이들 양자는 유리판이 형성되는 방향과 수직한 방향에서 측정되는, 유리판 성형방법.
실시예들
본원의 개념들은 하기 실시예들로 더욱 설명되며 이는 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 본 실시예들에서 수치들은 근사적이고 편의상 반올림 되었다.
전기 방법 및 다수의 출발재료들, 예컨대 알루미나 분말들, 실리카, 특정 첨가제들, 기타 재료들, 또는 이들의 조합을 이용하여 다양한 서로 다른 소결 세라믹스들을 포함한 내화체들을 제조하였다. 표 1 내지 6은 샘플들 조성을 포함하고, 이들 모두는 주로 알루미나를 함유한다. 미량 불순물이 존재할 수 있지만 샘플들 성능에 상당한 영향을 미치지 않으므로 기록하지 않았다. 또한, 각각의 샘플에 제시된 성분들의 총 %는 반올림으로 인하여 100%가 아닐 수 있다.
샘플들에 대하여 전기된 바와 같이 겉보기 기공률 및 이론밀도 백분율을 시험을 통해 결정하였다. 또한, 전기된 바와 같이 특정 샘플들에 대하여 파괴인성, 4-점 크리프 속도, 유리 접촉 계면, 블리스터링 성능, 또는 이들의 조합을 측정하고 표 7에 제시하였다.
표 1은 첨가제로서 MgO, CaO, TiO2, 또는 이들의 조합을 가지는 샘플들을 포함한다. 샘플들의 출발재료들은 반응성 Al2O3, 비-반응성 Al2O3, 또는 양자들을 포함한다. 예를들면, 샘플들 1, 2, 및 3은 94.00 wt% 반응성 Al2O3로 제조하였다. 또한, 샘플 4는 24.63 wt% 반응성 Al2O3 및 73.89 wt % 비-반응성 Al2O3로 제조하였다.
표 1에 제시된 일부 샘플들에 대하여 출발재료로서 MgTiO3를 첨가하였다. 예를들면, 샘플 3은 2.0 wt% MgTiO3로 제조하였다. 표 1의 샘플 16 제조에 사용되는 MgTiO3 는 33.2 wt% MgO, 66.2 wt% TiO2, 및 Al2O3, SiO2, ZrO2, BaO, Fe2O3, P2O5, CaO, Na2O, 및 K2O를 포함한 잔여분으로 구성된다. 또한, 샘플 4는 1.0 wt% MgO로 제조하였다. 또한 활석이 표 1의 일부 샘플들에 대한 출발재료로서 제공되었다. 예시적으로, 샘플 1은 6.0 wt% 활석으로 제조되고, 샘플 2은 5.0 wt% 활석으로 제조되고, 샘플 3은 4.0 wt% 활석으로 제조된다. 표 1 샘플들 제조에 사용되는 활석은 74.86 wt% Al2O3, 24.7 wt% SiO2, 및 TiO2, Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다.
명명 Al 2 O 3 SiO 2 MgO CaO TiO 2 기타 %
Th .D
%
기공률
샘플 1 93.81 3.23 1.83 0.23 0.60 0.13 92 0.00
샘플 2 93.81 2.70 1.86 0.20 1.16 0.12 90 0.22
샘플 3 93.81 2.16 1.90 0.17 1.72 0.11 90 0.31
샘플 4 98.10 0.01 1.00 0.01 0.49 0.25 83 16.44
표 2는 첨가제로서 TiO2, Ta2O5, 또는 이들의 조합을 가지는 샘플들을 포함한다. 샘플들에 대한 출발재료들은 반응성 Al2O3, 비-반응성 Al2O3, 또는 양자를 포함한다. 예를들면, 샘플 5는 19.99 wt% 반응성 Al2O3 및 64.01 wt% 비-반응성 Al2O3로 제조되고, 샘플 6은 19.99 wt% 반응성 Al2O3 및 59.01 wt% 비-반응성 Al2O3로 제조되고,샘플 7은 19.99 wt% 반응성 Al2O3 및 59.01 wt % 비-반응성 Al2O3로 제조된다.
또한, 샘플들 5, 6, 및 7은 점토로 제조된다. 예시적으로, 샘플 5는 15.0 wt% 점토로 제조되고, 샘플들 6 및 7은 20.0 wt% 점토로 제조된다. 샘플들 5 및 6 제조에 사용되는 점토는 CE Minerals 점토 70-325이고 67.39 wt% Al2O3, 28.38 wt% SiO2, 2.7 wt% TiO2, 1.10 wt% Fe2O3, 및 CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5을 포함하는 잔여분으로 구성된다. 샘플 7 제조에 사용되는 점토는 Duramul 325/F 점토이고, 이는 74.86 wt% Al2O3, 24.70 wt% SiO2, 및 TiO2, Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다. 또한, 샘플들 5, 6, 및 7은 1 wt% Ta2O5 로 제조되고 샘플 27은 0.9 wt% Ta2O5로 제조된다.
명명 Al 2 O 3 SiO 2 TiO 2 Ta 2 O 5 기타 % Th .D % 기공률
샘플 5 93.75 4.27 0.41 1.00 0.42 95 0.20
샘플 6 92.14 5.69 0.55 1.00 0.47 95 0.20
샘플 7 93.64 4.95 0.01 1.00 0.29 92 0.40
표 3은 첨가제로서 Y2O3을 가지는 샘플들을 포함한다. 샘플들에 대한 출발재료들은 반응성 Al2O3, 비-반응성 Al2O3, 또는 양자를 포함한다. 예를들면, 샘플들 8, 9, 및 10은 94.00 wt% 반응성 Al2O3로 제조된다. 또한, 샘플 11은 19.98 wt% 반응성 Al2O3 및 65.03 wt% 비-반응성 Al2O3로 제조된다.
또한, 샘플 11은 점토를 포함하여 제조된다. 예시적으로, 샘플 11은 12.0 wt% 점토로 제조된다. 샘플 11 제조에 사용되는 점토는 Duramul 325/F 점토이고 이는 74.86 wt% Al2O3, 24.70 wt% SiO2, 및 TiO2, Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다.
샘플 8은 6 wt% Y2O3로 제조된다, 샘플 9는 4 wt% Y2O3로 제조되고, 샘플 10은 5 wt% Y2O3로 제조되고, 샘플 11은 3 wt% Y2O3로 제조된다. 또한, 샘플 8은 2.0 wt% 비정질 SiO2로 제조되고,샘플 9는 1.0 wt% 결정질 SiO2로 제조된다.
명명 Al 2 O 3 SiO 2 Y 2 O 3 TiO 2 기타 % Th .D % 기공률
샘플 8 93.81 0.02 6.00 0.00 0.16 86 12.53
샘플 9 93.83 1.99 4.00 0.00 0.16 92 0.28
샘플 10 93.82 1.01 5.00 0.00 0.16 94 0.20
샘플 11 93.62 2.98 3.00 0.01 0.28 94 0.21
표 4는 ZrO2를 가지는 샘플들을 포함한다. 샘플들에 대한 출발재료들은 반응성 Al2O3를 포함한다. 예를들면, 샘플 12는 92.50 wt% 반응성 Al2O3로 제조되고, 샘플 13은 92.00 wt% 반응성 Al2O3로 제조된다. 또한, 샘플 12는 1.5 wt% MgTiO3 및 6.0 wt% 활석으로 제조된다. 샘플 13은 3.0 wt% ZrO2, 3.0 wt% Ta2O5, 1.0 wt% Y2O3, 및 2.0 wt% 결정질 SiO2로 제조된다. 표 4의 샘플 12 제조에 사용되는 활석은 74.86 wt% Al2O3, 24.7 wt% SiO2, 및 TiO2, Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다. 표 4의 샘플 12 제조에 사용되는 MgTiO3 는 33.2 wt% MgO, 66.2 wt% TiO2, 및 Al2O3, SiO2, ZrO2, BaO, Fe2O3, P2O5, CaO, Na2O, 및 K2O를 포함하는 잔여분으로 구성된다.
명명 Al 2 O 3 SiO 2 MgO /
TiO 2
Y 2 O 3 /
Ta 2 O 5
ZrO 2 기타 % Th .D % 기공률
샘플 12 92.33 2.03 0.55/
1.00
0.00/
0.00
3.92 0.09 94 3.10
샘플 13 91.83 2.00 0.06/
0.00
1.00/
2.00
2.99 0.10 92 3.80
표 5는 TiO2, Fe2O3, 또는 임의의 이들의 조합을 가지는 샘플들을 포함한다. 샘플들에 대한 출발재료들은 반응성 Al2O3, 비-반응성 Al2O3, 또는 양자를 포함한다. 예를들면, 샘플 18은 78.00 wt% 반응성 Al2O3로 제조된다. 또한, 샘플 15는 19.98 wt% 반응성 Al2O3 및 59.32 wt% 비-반응성 Al2O3로 제조되고, 샘플 16은 23.81 wt% 반응성 Al2O3로 제조되고 샘플 17은 19.88 wt% 반응성 Al2O3 및 59.64 wt % 비-반응성 Al2O3로 제조되고, 샘플 14는 19.88 wt % 반응성 Al2O3 및 59.64 wt % 비-반응성 Al2O3로 제조된다.
또한, 샘플들 14, 15, 16, 및 17은 점토를 포함하여 제조된다. 상세하게는, 샘플 14는 19.9 wt% 점토로 제조된다. 또한, 샘플 15는 20.0 wt% 점토로 제조되고, 샘플 16은 4.8 wt% 점토로 제조되고, 샘플 17은 19.9 wt% 점토로 제조된다. 샘플 14 제조에 사용되는 점토는 CE Minerals/Treibacher WFM 점토이고 이는 76.00 wt% Al2O3, 23.50 wt% SiO2, 및 Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, 및 K2O를 포함하는 잔여분으로 구성된다. 샘플들 15 및 16 제조에 사용되는 점토는 Duramul 325/F 점토이고 이는 74.86 wt% Al2O3, 24.70 wt% SiO2, 및 TiO2, Fe2O3, CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다. 샘플 17 제조에 사용되는 점토는 CE Minerals 점토 70-325이고 이는 67.39 wt% Al2O3, 28.38 wt% SiO2, 2.7 wt% TiO2, 1.10 wt% Fe2O3, 및 CaO, MgO, Na2O, K2O, 및 P2O5를 포함하는 잔여분으로 구성된다. 또한, 샘플 14는 0.6 wt% TiO2로 제조되고, 샘플 47은 0.5 wt% TiO2로 제조되고, 샘플 17은 0.6 wt% TiO2로 제조된다.
명명 Al 2 O 3 SiO 2 TiO 2 Fe 2 O 3 기타 % Th .D % 기공률
샘플 14 94.29 4.68 0.60 0.02 0.28 93 0.34
샘플 15 93.94 4.95 0.51 0.21 0.28 93 0.30
샘플 16 98.40 1.19 0.00 0.01 0.27 83 12.34
샘플 17 92.58 5.65 1.14 0.23 0.24 94 0.80
샘플 18 94.31 5.45 0.01 0.02 0.18 91 6.20
명명 크리프 속도
(4 점 굽힘)
(h -1 )
유리 접촉 계면 (조밀/ 느슨 ) 블리스터링 성능 (저/고) K1C 압입 ( MPa /m 1/2 )
샘플 1 조밀 2.57
샘플 2 2.93 x 10-5 1.89
샘플 5 5.59 x 10-6
샘플 6 1.50 x 10-5 조밀 2.27
샘플 7 1.50 x 10-5 조밀 2.49
샘플 9 1.20 x 10-6 조밀 2.09
샘플 11 2.40 x 10-6
샘플 15
샘플 18 3.70 x 10-6 조밀
포괄적인 설명 또는 실시예들에서 상기되는 모든 작용들이 요구되지는 않으며, 특정한 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 다른 작용이 기술된 것들에 추가하여 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 게다가, 작용들이 나열되는 순서가 반드시 이들이 실행되는 순서일 필요는 없다.
장점들, 다른 이점들, 및 문제점들에 대한 해결방안이 특정한 실시태양들과 관련하여 상기되었다. 그러나, 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결방안, 및 임의의 장점, 이점, 또는 해결방안을 발생하게 하거나 더 현저하게 할 수 있는 임의의 특징(들)이 청구항들의 일부 또는 전부의 중요하거나, 요구되거나, 또는 필수적인 특징으로 해석되지 말아야 한다.
명세서 및 본원에 개시된 실시태양들은 다양한 실시태양들 구조에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위할 목적으로 제공된다.
본원에서 사용되는 용어 "구성한다(comprises)", "구성하는(comprising)", "포함한다(includes)", "포함하는(including)", "가진다(has)", 가지는(having)" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 커버하기 위한 것이다. 예를들면, 특징부들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 물품, 또는 장치는 반드시 이러한 특징부들에만 한정될 필요는 없으며 명시적으로 열거되지 않거나 이와 같은 공정, 방법, 물품, 또는 장치에 고유한 다른 특징부들을 포함할 수 있다. 게다가, 명시적으로 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 의미의 "또는"을 가리키며 배타적인 의미의 "또는"을 가리키지 않는다. 예를들면, 조건 A 또는 B는 다음 중의 어느 하나에 의해 만족된다: A가 참이고 (또는 존재하고) B는 거짓이며 (또는 존재하지 않으며), A가 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B는 참이며 (또는 존재하며), A와 B 모두가 참 (또는 존재한다)이다.
또한, "하나의 (a)" 또는 "하나의 (an)"은 여기에서 설명되는 요소들과 구성요소들을 설명하는데 사용된다. 이는 단지 편의성을 위해 그리고 본 발명의 범위의 일반적인 의미를 부여하기 위해 행해진다. 이 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 다르게 의미한다는 것이 명백하지 않다면 단수는 또한 복수를 포함한다. 용어 “평균”이 값을 언급할 때 이는 평균, 기하 평균, 또는 중간값을 의미한다. 원소의 주기율표 내의 칼럼에 해당되는 족 번호는 CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition (2000-2001)에 제시된"New Notation" 규정을 사용한다.
달리 명시되지 않는 한, 본원에 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 분야의 기술자들이 통상적으로 이해할 수 있는 것과 동일한 의미를 가진다. 재료, 방법 및 실시예들은 단지 예시적이고 제한적이지 않다. 본원에 기재되지 않는 범위에서, 특정 재료 및 처리방법과 관련된 많은 상세 사항들은 통상적이고 교과서 및 기타 내화체들 및 유리 넘침통 분야에서 발견할 수 있다.
명세서 및 설명들은 본원에 기재된 구조 또는 방법들을 이용하는 모든 요소들 및 장치 및 시스템의 특징부들에 대한 전적이고 종합적인 설명으로 기능하지 않을 수 있다. 개별 실시태양들은 단일 실시태양의 조합으로도 제공되고, 반대로, 간결성을 위하여 단일 실시태양에 기재된 다양한 특징부들은, 개별적 또는 임의의 부조합으로도 제공될 수 있다. 또한, 범위 값들에 대한 언급은 범위에 속하는 각각 및 모든 값들을 포함한다. 본 명세서를 읽은 후 당업자들에게 많은 기타 실시태양들이 명백할 수 있다. 기타 실시태양들이 적용될 수 있고 본 발명에서 유래될 수 있고, 따라서 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변형은 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 가능하다. 따라서, 본 발명은 제한적이 아닌 단지 예시적으로 간주된다.

Claims (14)

  1. 내화체로서,
    대략 70 wt% 내지 대략 94 wt%의 함량의 Al2O3;
    대략 1.1 wt% 이상의 함량의 SiO2; 및
    0.2 wt% 이상의 함량의 첨가제를 포함하고,
    상기 첨가제가 SrO, Ta2O5, ZnO, TiO2, Y2O3, CaO, MgO 또는 이들의 임의 조합을 포함하며,
    상기 내화체의 크리프 속도가 1 x 10-4 h-1 이하이고,
    상기 내화체의 겉보기 기공률이 상기 내화체의 총 용적에 대해 0.8 vol% 이하인, 내화체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내화체의 겉보기 기공률이 대략 0.5 vol% 이하인, 내화체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 대략 8 wt% 이하의 첨가제를 포함하는, 내화체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 대략 1 wt% 이하의 알칼리 금속 산화물을 포함하는, 내화체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 대략 0.2 wt% 이상의 Y2O3를 포함하는, 내화체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 대략 0.3 wt% 이하의 ZrO2를 포함하는, 내화체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 대략 0.2 wt% 이상의 TiO2를 포함하는, 내화체.
  8. 제7항에 있어서, 상기 내화체가 대략 4.0 wt% 이하의 TiO2를 포함하는, 내화체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 내화체의 파괴 인성이 대략 2.1 MPa-m1/2 이상인, 내화체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 실리카 상을 추가로 포함하는, 내화체.
  11. 제1항에 있어서, 상기 내화체가 상기 내화체의 가장자리와 몸체부 사이 및 몸체부 외부에 위치하는 주변영역을 포함하는, 내화체.
  12. 제10항에 있어서, 상기 실리카 상의 융점이 대략 1300℃ 이상인, 내화체.
  13. 제12항에 있어서, 상기 실리카 상의 융점이 대략 상기 내화체를 형성하는데 사용된 소결 온도 이상인, 내화체.
  14. 제1항에 있어서, 상기 SiO2가 비정질 SiO2, 결정질 SiO2 또는 이들의 조합으로서 제공되는, 내화체.
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