KR20170017892A - 땜납 전극의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 적층체 및 전자 부품 - Google Patents

땜납 전극의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 적층체 및 전자 부품 Download PDF

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세이이치로우 다카하시
코우이치 하세가와
카츠미 이노마타
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 전극 패드를 갖는 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ) 및, 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서, 상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 땜납 전극의 제조 방법이다. 본 발명의 땜납 전극의 제조 방법에 의하면, 고온 처리를 수반하는 방법을 이용한 경우라도, 레지스트가 받는 데미지가 작아, 기판과 레지스트 사이의 접착성이 우수하고, 목적으로 하는 땜납 전극을 확실히 형성할 수 있다. 본 발명의 땜납 전극의 형성 방법은, IMS법에 의한 범프 형성 등에 유효하게 사용할 수 있다.

Description

땜납 전극의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 적층체 및 전자 부품{METHOD FOR PRODUCING SOLDER ELECTRODE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, LAMINATE AND ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 땜납 전극의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 적층체 및 전자 부품에 관한 것이다.
IMS(인젝션·몰디드·솔더)법은, 땜납 패턴(땜납 범프; solder bumps)을 형성하기 위한 방법의 하나이다. 지금까지, 웨이퍼 등의 기판 상에는 땜납 패턴을 형성하는 방법으로서는, 솔더 페이스트법, 도금법 등이 이용되어 왔다. 그러나, 이들의 방법에서는, 땜납 범프의 높이 제어가 어려운데다가, 땜납 조성을 자유롭게 선택할 수 없는 등의 제약이 있었다. 이에 대하여 IMS법에서는 이들의 제약이 없다는 이점이 알려져 있다.
IMS법은, 특허문헌 1∼4에 나타나는 바와 같이, 용융한 땜납을 사출 성형할 수 있는 노즐을 레지스트에 밀착시키면서, 레지스트 패턴 사이에 땜납을 흘려 넣는 것을 특징으로 하는 방법이다.
일본공개특허공보 평06-055260호 일본공개특허공보 2007-294954호 일본공개특허공보 2007-294959호 일본공표특허공보 2013-520011호
IMS법에서는, 땜납을 용융하기 위해 노즐은 150∼250℃ 정도의 고온으로 가열할 필요가 있기 때문에, 레지스트는 고온의 노즐과 밀착하게 된다. 이 때문에 레지스트가 받는 고온에 의한 데미지에 의해, 특히 용융 땜납을 사출 성형할 때의 기판과 레지스트의 접착성이 저하되어, 목적으로 하는 땜납 패턴이 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.
본 발명은, IMS법과 같은 고온 처리를 수반하는 방법을 이용한 경우라도, 레지스트가 받는 데미지가 작은, 특히 기판과 레지스트 사이의 접착성이 우수한 땜납 전극의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법의 제1 태양은, 전극 패드를 갖는 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ) 및, 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서,
상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 땜납 전극의 제조 방법이다.
상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서, 상기 레지스트에 있어서의, 상기 기판으로부터 제일 먼 층 (2)는, 층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서, 상기 레지스트의 기판에 제일 가까운 층 (1)의 두께가, 상기 레지스트의 두께의 0.001∼0.9배인 것이 바람직하다.
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법의 제2 태양은, 전극 패드를 갖는 기판 상에, 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a1)을 형성하는 공정 (Ⅰ-1), 상기 도막 (a1) 상에, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a2)를 형성하고, 도막 (a1) 및 도막 (a2)를 포함하는 피막을 형성하는 공정 (Ⅰ-2), 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부가 형성되도록 상기 피막을 선택적으로 노광하는 공정 (Ⅰ-3) 및, 상기 피막을 현상하고, 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ-4)를 갖는 공정 (Ⅰ), 그리고 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서,
상기 수지 조성물이, 당해 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않고, 상기 감광성 수지 조성물이 당해 감광성 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 땜납 전극의 제조 방법이다.
상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서, 상기 공정 (Ⅱ)의 후에, 레지스트를 박리하는 공정 (Ⅲ)을 행할 수 있다.
본 발명의 전자 부품은, 상기 땜납 전극의 제조 방법에 의해 형성한 땜납 전극을 갖는다.
본 발명의 제1 적층체의 제조 방법은, 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법이다.
본 발명의 제2 적층체의 제조 방법은, 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ), 상기 레지스트를 상기 제1 기판으로부터 박리하는 공정 (Ⅲ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법이다.
본 발명의 적층체는, 상기 적층체의 제조 방법에 의해 제조된다.
본 발명의 전자 부품은 상기 적층체를 갖는다.
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법에 의하면, 고온 처리를 수반하는 방법을 이용한 경우라도, 레지스트가 받는 데미지가 작고, 기판과 레지스트 사이의 우수한 접착성을 유지할 수 있어, 목적으로 하는 땜납 전극을 확실히 형성할 수 있다. 본 발명의 땜납 전극의 제조 방법은, IMS법에 의한 범프 형성 등에 유효하게 사용할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 레지스트 보지(保持; holding) 기판의 일 구체예인 레지스트 보지 기판(13)의 부분 단면도이다.
도 2는, 실시예에서 이용한 접착성 평가 시험인 핀 테스트의 조작을 나타내는 개략 설명도이다.
도 3의 (1) 및 (2)는, 본 발명에 따른 적층체의 개략 단면도이다.
도 4는, 실시예 1에서 제조된 땜납 전극의 전자 현미경상(像)이다.
도 5는, 비교예 2에서 제조된 땜납 전극의 전자 현미경상이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법은, 전극 패드를 갖는 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ) 및, 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서, 상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법이 포함하는, 상기 공정 (Ⅰ) 및 공정 (Ⅱ)는, 통상의 IMS법에 의한 범프 형성 등에 이용되는 땜납 전극의 제조 방법이 포함하는 공정이다. 본 발명의 땜납 전극의 제조 방법은, 종래의 땜납 전극의 제조 방법에 있어서 이용되는 레지스트를 특정의 구조 및 조성으로 한 발명이다.
공정 (Ⅰ)에 있어서, 전극 패드를 갖는 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성한다. 기판이란, 예를 들면 반도체 기판, 유리 기판, 실리콘 기판 및, 반도체판, 유리판, 그리고 실리콘판의 표면에 각종 금속막 등을 설치하여 형성되는 기판 등이다. 기판은 다수의 전극 패드를 갖고 있다.
피막이란, 후술하는 바와 같은, 피막 형성용의 조성물을 기판 상에 도포함으로써 얻어지는 도막 등이다. 피막의, 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분이란, 피막의, 기판 상면에 있어서의 전극 패드가 포함되는 영역의 상방에 해당하는 부분이다. 1개의 전극 패드에 대하여, 1개의 상기 전극 패드에 대응하는 부분이 정해진다.
개구부란, 피막의 상면으로부터 하면에 이르는 공극부 혹은 구멍이다. 피막에 개구부가 형성됨으로써, 상기 피막은 레지스트가 되고, 개구부를 갖는 레지스트가 기판 상에 형성되게 된다. 상기 기판 상면에 있어서의 전극 패드가 포함되는 영역 이외의 영역의 상방에만 레지스트가 존재하고, 상기 기판 상면에 있어서의 전극 패드가 포함되는 영역의 상방에는 레지스트가 존재하지 않는 상태가 된다. 기판 상의 전극 패드는 통상 패턴 형상으로 형성되어 있기 때문에, 상기 개구부도 패턴 형상으로 형성된다. 본 발명에 있어서, 상기 기판과 상기 레지스트로 이루어지는 구조체를 레지스트 보지 기판이라고 칭하는 경우가 있다.
도 1에, 본 발명의 레지스트 보지 기판의 일 구체예인 레지스트 보지 기판(13)의 부분 단면도를 나타낸다. 레지스트 보지 기판(13)은, 기판(11) 상에 레지스트(12)를 갖고 이루어지고, 레지스트(12)는, 기판(11) 상의 전극 패드(15)에 대응하는 부분에 개구부(14)를 갖는다.
공정 (Ⅱ)에 있어서, 상기 개구부에 용융 땜납을 충전한다. 용융 땜납은, 상기 기판의 납땜에 사용되는 땜납을 그의 융점 이상으로 가열하여 얻어지고, 그 종류에 특별히 제한은 없다. 용융 땜납을 충전하는 방법에는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 IMS법 등을 이용할 수 있다. 개구부에 용융 땜납이 주입됨으로써, 기판 상면에 있어서의 전극 패드가 포함되는 영역 상에 용융 땜납이 충전된다. 개구부에 충전된 용융 땜납을 냉각함으로써, 땜납 전극이 제조된다. 도 1에 있어서는, 레지스트 보지 기판(13)의 각 개구부(14)에 용융 땜납을 충전함으로써, 각 전극 패드(15) 상에 용융 땜납이 올려 놓이고, 이 용융 땜납을 냉각함으로써 땜납 전극이 형성된다.
상기 땜납 전극의 제조 방법은, 공정 (Ⅱ)의 후에, 레지스트를 박리하는 공정 (Ⅲ)을 가져도 좋다.
상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서 이용되는 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는다.
전술과 같이, IMS법에서는 레지스트가 고온의 노즐과 밀착하기 때문에, 레지스트가 열에 의해 데미지를 받아, 기판과 레지스트의 접착성이 저하되어, 목적대로의 땜납 전극 등의 땜납 패턴이 얻어지지 않는다는 문제가 있었다. 본 발명자는, 이 열에 의한 기판과 레지스트의 접착성의 저하가, 레지스트 중에 존재하는 열에 의해 가교 반응을 하는 성분이, 레지스트가 고온에 노출되었을 때에 레지스트 중의 수지와 가교하거나, 자기 가교하거나 하여, 그 결과 레지스트가 수축하는 것이 한 원인이 되어 있는 것을 발견했다. 즉, 도 1에 있어서는, 레지스트(12)가 고온에 노출되었을 때에, 레지스트(12) 중에 존재하는 가교 반응을 하는 성분이 수지를 가교하거나, 자기 가교하거나 하여 레지스트(12)가 수축하고, 레지스트(12)가 기판(11)으로부터 부분적으로 박리되어, 레지스트(12)와 기판(11)의 사이에 극간이 생기고, 그 극간이 개구부(14)와 연결되어, 개구부(14)에 충전된 용융 땜납이 그 극간으로 누출되어, 용융 땜납이, 납땜을 하는 영역을 넘어 기판(11)에 부착하기 때문에, 땜납 패턴이 붕괴된다고 추측되었다.
그리고, 기판에 제일 가까운 층 (1)이, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 레지스트를 이용함으로써, 기판과 접촉하는 층인 층 (1) 중의 수지의 가교나 자기 가교에 기초하는 층 (1)의 수축을 방지하여, 그 결과 기판과 레지스트의 접착성을 보지하고, 레지스트의 기판으로부터의 박리를 억제하여, 목적대로의 땜납 전극을 양호한 재현성으로 얻는 것에 성공했다.
상기 레지스트는 수지를 구성 성분으로서 포함한다. 레지스트는, 적어도 2층으로 이루어지는 적층체이다. 층의 수에는 특별히 제한은 없고, 2층, 3층, 4층 등 중 어느 것이라도 좋지만, 통상 2층 있으면 충분하다. 레지스트의 두께는 특별히 제한은 없고, 통상의 범프 형성 등에 사용되는 레지스트의 두께와 동일해도 좋고, 통상 1∼500㎛이다. 레지스트의 각 층은 통상 수지 조성물로부터 형성되고, 각 수지 조성물로부터 형성된 도막을 기판 상에 순차 적층하여 피막을 만들고, 그 피막에 개구부를 형성함으로써 레지스트가 형성된다. 도 1에 나타낸 레지스트 보지 기판(13)이 갖는 레지스트(12)는 2층으로 이루어지고, 기판에 제일 가까운 층 (1)(12a)과 기판으로부터 제일 먼 층 (2)(12b)를 갖는다.
레지스트가 갖는 층 중 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 예를 들면, 후술하는 수지 조성물로부터 형성된다.
층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는다. 열에 의해 수지를 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분이란, 각각 수지를 열에 의해 가교하는 기능을 갖는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분이며, 어느 쪽이나 이른바 가교제이다. 「실질적으로 함유하지 않는다」란, 수지의 가교나 자기 가교에 의해 층 (1)이 수축하여, 기판으로부터 박리하는데 이르지 않는 양인 것을 의미한다. 수지의 가교나 자기 가교에 의해 층 (1)이 수축하여, 기판으로부터 박리하는데 이르지 않는 양은, 수지나 수지를 가교하는 성분의 종류 등에 의존하기 때문에, 일의적으로는 결정할 수 없지만, 통상, 수지 조성물에 포함되는 전체 고형분 100질량％에 대하여, 0.1질량％ 이하이다. 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지는, 예를 들면, 후술하는 수지 조성물로부터 형성된 도막 (a1)에 포함되는 수지이다.
층 (1)의 두께는 레지스트의 두께의 0.001∼0.9배인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01∼0.5배, 더욱 바람직하게는 0.05∼0.1배이다. 층 (1)의 두께가 이 조건을 만족시키면, 기판과 레지스트 사이의 우수한 접착성을 유지할 수 있는 점에서 적합하다.
레지스트가 갖는 층 중, 기판에 제일 가까운 층 (1) 이외의 층은, 그 층 혹은 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분이나 열에 의해 자기 가교하는 성분을 함유해도 좋다. 기판에 제일 가까운 층 (1) 즉 기판에 접촉하는 층이, 그 층에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않으면, 수지의 가교나 자기 가교에 기초하는 레지스트의 수축에 의한 기판과 레지스트의 접착성의 저하를 방지할 수 있기 때문이다.
레지스트에 있어서, 기판으로부터 제일 먼 층 (2), 즉 레지스트에 있어서 층 (1)이 형성하는 표면과는 반대측의 표면을 형성하는 층은, 층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분(이하, 「가교제」라고도 함)을 함유하는 것이 바람직하다. 층 (2)가, 가교제를 함유하고 있지 않으면, IMS법과 같이 레지스트에 IMS 헤드로부터 열이 가해졌을 때, 층 (2)가 변형되어, 소망하는 땜납 전극이 얻어지지 않는 경우가 있다. 층 (2)가 가교제를 함유하고 있으면, IMS 헤드로부터 열이 가해졌을 때, 층 (2)에 있어서 수지의 가교 반응이나 자기 가교 반응이 일어나, 층 (2)가 강화되고, IMS 헤드로부터의 열에 견딜 수 있어, 소망하는 땜납 전극을 얻는 것이 용이해진다. 층 (2)에 함유되는 상기 가교제는, 통상, 가교제를 포함하는 수지 조성물을 이용하여 층 (2)를 형성했을 때에, 가교에 관여하지 않았던, 잔존하는 성분으로서 층 (2)에 함유된다.
층 (2)에 함유되는 가교제의 함유량은, 층 (2)에 포함되는 수지를 가교하여, 소망하는 땜납 전극이 얻어질 정도로 층 (2)를 강화할 수 있는 양이면 좋고, 그러한 양은, 수지나 수지를 가교하는 성분의 종류 등에 의존하기 때문에, 일의적으로는 결정할 수 없다.
층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지는, 예를 들면, 후술하는 감광성 수지 조성물로부터 형성된 도막 (a2)에 포함되는 수지이다. 층 (2)에 함유되는 가교제는, 예를 들면, 후술하는 감광성 수지 조성물에 함유되는 열에 의해 수지를 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개이다.
본 발명의 땜납 전극의 제조 방법으로서는, 전극 패드를 갖는 기판 상에, 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a1)을 형성하는 공정 (Ⅰ-1), 상기 도막 (a1) 상에, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a2)를 형성하고, 도막 (a1) 및 도막 (a2)를 포함하는 피막을 형성하는 공정 (Ⅰ-2), 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부가 형성되도록 상기 피막을 선택적으로 노광하는 공정 (Ⅰ-3) 및, 상기 피막을 현상하고, 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 영역에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ-4)를 갖는 공정 (Ⅰ), 그리고 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서, 상기 수지 조성물이 당해 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않고, 상기 감광성 수지 조성물이 당해 감광성 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 함유하는 태양을 들 수 있다.
공정 (Ⅰ-1)에 있어서 이용되는 수지 조성물은, 당해 수지 조성물에 함유되는 수지(이하, 「수지 (1)」이라고도 함)를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분(이하, 양 성분을 통합하여 「가교 성분 (1)」이라고도 함)을 실질적으로 함유하지 않는다. 수지 (1)는, 레지스트를 형성할 수 있는 수지이면 특별히 제한되지 않지만, 도막 (a1)에 접하여 형성되는 도막을 형성하기 위해 이용되는 조성물에 포함되는 용제에 용해하지 않는 수지가 선택된다. 예를 들면, 도막 (a1)에 접하여 도막 (a2)가 형성되는 경우에는, 도막 (a2)를 형성하기 위해 이용되는 조성물에 포함되는 용제에 용해하지 않는 수지가 수지 (1)로서 선택된다.
수지 (1)로서는, 통상의 범프 형성 등에 사용되는 레지스트에 이용되는 수지를 사용할 수 있다. 이러한 수지로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2005-266795호에 기재된 수지를 들 수 있고, 예를 들면 N-(p-하이드록시페닐)아크릴아미드, N-(p-하이드록시페닐)메타크릴아미드, N-(p-하이드록시벤질)아크릴아미드, N-(p-하이드록시벤질)메타크릴아미드, N-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)아크릴아미드, N-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)메타크릴아미드, N-(3,5-tert 부틸-4-하이드록시벤질)아크릴아미드, N-(3,5-tert 부틸-4-하이드록시벤질)메타크릴아미드 등의 아미드계 단량체를 (공)중합시킴으로써 얻어지는 수지를 들 수 있다. 상기, 아미드계 단량체를 (공)중합시킴으로써 얻어지는 수지를 이용함으로써, 도막 (a2)를 형성하는데 이용되는 감광성 수지 조성물 중에 통상 포함되는 용제에 용해하기 어려운 도막 (a1)을 형성할 수 있다. 공정 (Ⅰ-1)에 있어서 이용되는 수지 조성물의 고형분 중에 포함되는, 상기 수지 (1)의 함유 비율은, 통상, 50질량％ 이상, 바람직하게는 90질량％ 이상이다.
이 수지 조성물은, 상기 수지 (1) 외에, 적절히, 중합 금지제, 용매, 계면활성제, 접착 조제, 무기 필러 등을 함유한다.
도막 (a1)을 형성하는 방법으로서는, 수지 조성물을 기판에 도포하고, 도포된 수지 조성물을 가열 건조하는 방법을 들 수 있다. 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법을 들 수 있다. 도막 (a1)의 막 두께는, 바람직하게는 0.001∼10㎛, 보다 바람직하게는 0.01∼5㎛, 더욱 바람직하게는 0.1∼1㎛이다. 도막 (a1)을 비(非)감광성의 수지 조성물로부터 형성하고, 도막 (a2)를 감광성 수지 조성물로부터 형성한 경우, 도막 (a1)을 전술과 같은 막 얇기로 함으로써, 도막 (a2)와 동시에 도막 (a1)을 현상할 수 있다. 또한, 도막 (a1)을 상기의 두께로 하면, 도막 (a1)로부터 형성되는 층 (1)을 전술의 두께로 조정하기 쉽다.
도막 (a1)에 함유되는 수지가, 상기 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지이다.
공정 (Ⅰ-2)에 있어서 이용되는 감광성 수지 조성물은, 당해 감광성 수지 조성물에 함유되는 수지(이하, 「수지 (2)」라고도 함)를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분(이하, 양 성분을 통합하여 「가교 성분 (2)」라고도 함), 그리고 광 응답성 화합물을 함유한다. 수지 (2)는, 레지스트를 형성할 수 있는 수지이면 특별히 제한은 없고, 통상의 범프 형성용으로 사용되는 레지스트에 이용되는 알칼리 가용성 수지 등의 수지라도 좋다. 이러한 수지로서는, 예를 들면 o-하이드록시스티렌, m-하이드록시스티렌, p-하이드록시스티렌, p-이소프로페닐페놀 등의 수산기 함유 방향족 비닐 화합물(이하 「단량체 (1)」이라고도 함)을 원료 모노머의 일부에 이용하여 중합함으로써 얻어지는 수지 등을 들 수 있다. 또한, 단량체 (1)과 공중합 가능한 그 외의 단량체(이하 「단량체 (2)」라고도 함)와 단량체 (1)을 공중합하여 얻어지는 수지 등도 들 수 있다.
단량체 (2)로서는, 예를 들면, 스티렌,α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌 등의 방향족 비닐 화합물;
N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 헤테로 원자 함유 지환식 비닐 화합물;
페녹시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시트리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시테트라프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시테트라에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시디프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시트리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 라우록시테트라프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 글리콜 구조를 갖는 (메타)아크릴산 유도체류;
아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 비닐 화합물;
1,3-부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디올레핀류;
아크릴산, 메타크릴산 등의 카복실기 함유 비닐 화합물;
메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 글리세롤모노(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데카닐(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에스테르류;
p-하이드록시페닐(메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.
가교 성분 (2)는, 특별히 제한은 없고, 수지 (2)의 종류 등에 의해 적절히 결정된다. 수지 (2)가, 상기 단량체 (1)을 중합함으로써 얻어지는 수지나 단량체 (1)과 단량체 (2)를 공중합하여 얻어지는 수지인 경우, 가교 성분 (2)로서는, 예를 들면, 폴리메틸올화 멜라민, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사에톡시메틸멜라민, 헥사프로폭시메틸멜라민 및, 헥사부톡시메틸멜라민 등의 멜라민계 가교제;
폴리메틸올화 글리콜우릴, 테트라메톡시메틸글리콜우릴 및, 테트라부톡시메틸글리콜우릴 등의 글리콜우릴계 가교제;
2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸 및, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등의 메틸올기 함유 화합물;
레조르시놀디글리시딜에테르, 펜타에리스리톨글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 글리세롤폴리글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 에틸렌/폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌/폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르 및, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등의 옥실란환 함유 화합물;
2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메타)아크릴레이트;
메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실아밀(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트;
테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 글리세롤(메타)아크릴레이트;
에틸렌글리콜모노메틸에테르(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트;
트리사이클로〔5.2.1.02,6〕데카디에닐(메타)아크릴레이트, 트리사이클로〔5.2.1.02,6〕데카닐(메타)아크릴레이트, 트리사이클로〔5.2.1.02,6〕데세닐(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 보닐(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트;
아크릴산 아미드, 메타크릴산 아미드, 디아세톤(메타)아크릴아미드, 이소부톡시메틸(메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, tert-옥틸(메타)아크릴아미드, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 및, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸(메타)아크릴레이트 등의 단관능성 (메타)아크릴레이트 화합물; 그리고,
트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 PO(propylene oxide) 변성 트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트디(메타)아크릴레이트, 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트트리(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A의 디글리시딜에테르에 (메타)아크릴산을 부가시킨 에폭시(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메타)아크릴로일옥시에틸에테르, 비스페놀 A 디(메타)아크릴로일옥시메틸에틸에테르, 비스페놀 A 디(메타)아크릴로일옥시에틸옥시에틸에테르, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트(3관능 이상) 등의 다관능성 (메타)아크릴레이트 화합물;
을 들 수 있다.
가교 성분 (2)로서, 시판되어 있는 화합물을 그대로 이용할 수 있다. 시판되어 있는 화합물로서는, 예를 들면, 아로닉스(Aronix) M-210, 동(同) M-309, 동 M-310, 동 M-320, 동 M-400, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-9050, 동 M-240, 동 M-245, 동 M-6100, 동 M-6200, 동 M-6250, 동 M-6300, 동 M-6400, 동 M-6500(이상, 도아고세이(주) 제조), KAYARAD R-551, 동 R-712, 동 TMPTA, 동 HDDA, 동 TPGDA, 동 PEG400DA, 동 MANDA, 동 HX-220, 동 HX-620, 동 R-604, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120(이상, 닛폰가야쿠(주) 제조), 비스코트(Viscoat) ＃295, 동 300, 동 260, 동 312, 동 335HP, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카 유키가가쿠고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물에 있어서의 가교 성분 (2)의 함유량으로서는, 가교 성분 (2)에 의해 수지 (2)를 가교하거나, 자기 가교하거나 하여 도막 (a2)를 형성했을 때, 도막 (a2) 중에 가교 성분 (2)가 잔존하는 양인 것이 바람직하다. 이러한 양이면, 전술과 같이, 층 (2)가, 층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분을 함유하게 되어, IMS 헤드로부터 열이 가해졌을 때, 층 (2)에 있어서 수지의 가교 반응이나 자기 가교가 일어나, 층 (2)가 강화된다. 상기 잔존량은, 감광성 수지 조성물에서 이용한 가교 성분 (2)의 양을 100질량％로 할 때, 바람직하게는 40∼80질량％, 보다 바람직하게는 50∼70질량％이다. 상기 잔존량은 IR 스펙트럼으로부터 측정한 양이다.
상기 광 응답성 화합물로서는, 광산 발생제 및, 광 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다.
상기 광산 발생제로서는, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔술포네이트 및, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 오늄염 화합물;
1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄;
페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 s-트리아진 유도체;
4-트리스페나실술폰 및, 메시틸페나실술폰 등의 술폰 화합물;
벤조인토실레이트 및, o-니트로벤질 p-톨루엔술포네이트 등의 술폰산 화합물;
그리고 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드 및, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드 등의 술폰이미드 화합물;
을 들 수 있다.
상기 광 라디칼 중합 개시제로서는, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디메틸페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-메틸페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 및, 2,2'-디페닐-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등의 비이미다졸 화합물;
디에톡시아세트페논 및, 2-(4-메틸벤질)-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄온 등의 페논 화합물;
2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물;
2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진 및, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리아진 화합물;
그리고 벤조인 등의 벤조인 화합물;
벤조페논, o-벤조일벤조산메틸 및, 4-페닐벤조페논 등의 벤조페논 화합물을 들 수 있다.
이 감광성 수지 조성물에는, 수지 (2), 가교 성분 (2) 및, 광 응답성 화합물 외에, 적절히, 중합 금지제, 용매, 계면활성제, 증감재, 접착 조제, 무기 필러 등을 함유할 수 있다.
도막 (a2)를 형성하는 방법은, 상기 도막 (a1)을 형성하는 방법과 동일하다. 도막 (a2)의 막 두께는, 바람직하게는 0.1∼500㎛, 보다 바람직하게는 1∼200㎛, 더욱 바람직하게는 10∼100㎛이다.
도막 (a2)에 함유되는 수지가, 층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지이다.
도막 (a2)는, 도막 (a1)의 상면에 접하여 형성되어도 좋고, 중간층이 되는 도막을 개재하여 도막 (a1) 상에 형성되어도 좋다. 중간층이 되는 도막으로서는, 도막 (a2)와 동일한 도막을 이용할 수 있다. 중간층이 되는 도막의 형성 방법은, 도막 (a2)의 형성 방법과 동일하다.
이상의 공정에 의해, 도막 (a1) 및 도막 (a2)를 포함하는 피막이 형성된다. 피막은, 도막 (a1) 및 도막 (a2), 또는 도막 (a1), 도막 (a2) 및 상기 중간층으로 이루어지는 적층 구조를 갖는다.
공정 (Ⅰ-3)에 있어서, 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 영역에 개구부가 형성되도록 상기 피막을 선택적으로 노광한다.
선택적 노광을 행하기 위해, 통상, 소망하는 포토마스크를 개재하여, 예를 들면 콘택트 얼라이너(contact aligner), 스테퍼(stepper) 또는 스캐너를 이용하여, 레지스트에 대하여 노광을 행한다. 노광광으로서는, 파장 200∼500㎚의 빛(예: i선(365㎚))을 이용한다. 노광량은, 레지스트 중의 성분의 종류, 배합량, 도막의 두께 등에 따라 상이하지만, 노광광에 i선을 사용하는 경우, 통상, 1,000∼100,000mJ/㎡이다.
또한, 노광 후에 가열 처리를 행할 수도 있다. 노광 후의 가열 처리의 조건은, 레지스트 중의 성분의 종류, 배합량, 도막의 두께 등에 의해 적절히 결정되지만, 통상 70∼180℃, 1∼60분간이다.
공정 (Ⅰ-4)에 있어서, 노광 후의 피막을 현상하고, 피막에, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 영역에 개구부를 형성한다. 이러한 것에 의해, 피막으로부터 레지스트가 얻어지고, 패턴 형상으로 형성된 개구부를 갖는 레지스트가 기판 상에 형성된다.
현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 피롤, 피페리진, 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비사이클로[4.3.0]-5-노난의 수용액을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
현상 시간은, 피막 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도막의 두께 등에 따라 상이하지만, 통상 30∼600초간이다. 현상의 방법은 교련법, 디핑법, 퍼들법, 스프레이법, 샤워 현상법 등 중 어느 것이라도 좋다.
현상에 의해 얻어진 레지스트에 대하여, 더욱 추가의 노광이나 가열을 행함으로써 레지스트를 더욱 경화시킬 수도 있다.
후(後)노광은, 상기 노광과 동일한 방법으로 행할 수 있다. 노광량은 특별히 한정되지 않지만, 고압 수은등 사용의 경우 100∼2000mJ/㎠가 바람직하다. 가열에 대해서는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 소정의 온도, 예를 들면 60∼100℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫 플레이트 상이면 5∼30분간, 오븐 중에서는 5∼60분간 가열 처리를 하면 좋다.
레지스트는 유수 등에 의해 세정해도 좋다. 그 후, 에어 건 등을 이용하여 바람에 쐬어 건조하거나, 핫 플레이트, 오븐 등 가열하에서 건조시켜도 좋다.
제2 태양의 공정 (Ⅱ)는, 제1 태양의 공정 (Ⅱ)와 동일하다. 또한, 제2 태양에 있어서도, 공정 (Ⅱ)의 후에, 레지스트를 박리하는 공정 (Ⅲ)을 가질 수 있다.
<적층체의 제조 방법>
본 발명의 제1 적층체의 제조 방법은, 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖고,
상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 적층체의 제조 방법은, 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ), 상기 레지스트를 상기 제1 기판으로부터 박리하는 공정 (Ⅲ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖고,
상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.
제1 및 제2 적층체의 제조 방법에 있어서의 공정 (Ⅰ)∼(Ⅱ) 및, 제2 적층체의 제조 방법에 있어서의 공정 (Ⅲ)은, 상기 땜납 전극의 제조 방법의 제1 태양에 있어서의 공정 (Ⅰ)∼(Ⅲ)과 각각 실질적으로 동일하다. 즉, 제1 적층체의 제조 방법은, 상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서의 공정 (Ⅰ)∼(Ⅱ)의 후에 공정 (Ⅳ)를 행하는 방법이며, 제2 적층체의 제조 방법은, 상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서의 공정 (Ⅰ)∼(Ⅲ)의 후에 공정 (Ⅳ)를 행하는 방법이다.
제1 및 제2 적층체의 제조 방법에 있어서는, 상기 땜납 전극의 제조 방법에 있어서의 기판이 제1 기판에 해당한다.
제1 적층체의 제조 방법은, 상기 공정 (Ⅰ)∼(Ⅱ)의 후에, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와, 전극 패드를 갖는 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조를 형성하는 공정 (Ⅳ)를 행한다.
도 3의 (1)은, 제1 적층체의 제조 방법으로 제조된 적층체(30)를 나타낸다. 적층체(30)는, 상기 공정 (Ⅰ)∼(Ⅱ)에 의해 제조된 땜납 전극(26)을 개재하여, 상기 제1 기판(21)의 전극 패드(22)와, 전극 패드(32)를 갖는 제2 기판(31)의 전극 패드(32)를 접속함으로써 형성된 전기적 접속 구조를 갖는다.
제2 기판(31)이 갖는 전극 패드(32)는, 제1 기판(21)과 제2 기판(31)을, 전극 패드가 형성된 면을 서로 마주보게 하여 대치했을 때, 제1 기판(21)의 전극 패드(22)와 대향하는 위치에 형성되어 있다. 제2 기판(31)의 전극 패드(32)를, 땜납 전극(26)에 접촉시켜, 가열 및/또는 압착함으로써 제1 기판(21)의 전극 패드(22)와 제2 기판(31)의 전극 패드(32)를 땜납 전극(26)을 개재하여 전기적으로 접속시켜, 전기적 접속 구조를 형성하여, 적층체(30)가 얻어진다. 상기 가열 온도는, 통상, 100∼300℃이고, 상기 압착시의 힘은, 통상, 0.1∼10㎫이다.
제2 적층체의 제조 방법은, 상기 공정 (Ⅰ)∼(Ⅲ)의 후에, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 전극 패드를 갖는 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조를 형성하는 공정 (Ⅳ)를 행한다.
도 3의 (2)는, 제2 적층체의 제조 방법으로 제조된 적층체(40)를 나타낸다. 적층체(40)는, 상기 공정 (Ⅰ)∼(Ⅲ)에 의해 제조된 땜납 전극(26)을 개재하여, 상기 제1 기판(21)의 전극 패드(22)와, 전극 패드(32)를 갖는 제2 기판(31)의 전극 패드(32)를 접속함으로써 형성된 전기적 접속 구조를 갖는다.
상술과 같이, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 의해 제조되는 적층체는, 제1 기판과 제2 기판의 사이에 레지스트를 구비하고 있어도 구비하고 있지 않아도 좋다. 적층체(30)와 같이 레지스트를 구비하고 있는 경우에는, 그 레지스트는 언더 필링(underfill)으로서 사용된다.
본 발명의 적층체의 제조 방법에 의해 제조된 적층체는, IMS법에 의해 목적에 적합한 전기적 접속 구조를 갖는 점에서, 땜납 조성의 선택성이 넓어지기 때문에, 반도체 소자, 표시 소자 및, 파워 디바이스 등의 다양한 전자 부품에 적용 가능하다.
본 발명의 적층체의 제조 방법에 의해 제조된 적층체는, 반도체 소자, 표시 소자 및, 파워 디바이스 등의 전자 부품에 이용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 이하의 실시예 등의 기재에 있어서, 「부」는 「질량부」의 의미로 이용한다.
1. 물성의 측정 방법
알칼리 가용성 수지 (A)의 중량 평균 분자량(Mw)의 측정 방법
하기 조건하에서 겔 투과 크로마토그래피법으로 알칼리 가용성 수지 (A)의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)을 측정했다.
·칼럼: 도소사 제조 칼럼의 TSK-M 및 TSK2500을 직렬로 접속
·용매: 테트라하이드로푸란
·온도: 40℃
·검출 방법: 굴절률법
·표준 물질: 폴리스티렌
·GPC 장치: 도소 제조, 장치명 「HLC-8220-GPC」
2. 레지스트 형성용 조성물의 준비
[합성예 1] 알칼리 가용성 수지의 합성
질소 치환한 드라이아이스/메탄올 환류기를 갖는 플라스크 중에, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 5.0g 및, 중합 용매로서 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 90g을 넣고, 교반했다. 얻어진 용액에, 메타크릴산 10g, p-이소프로페닐페놀 15g, 트리사이클로〔5.2.1.02,6〕데카닐메타크릴레이트 25g, 이소보닐아크릴레이트 20g 및, n-부틸아크릴레이트 30g을 넣고, 교반을 개시하여, 80℃까지 승온했다. 그 후, 80℃에서 6시간 가열했다.
가열 종료 후, 반응 생성물을 다량의 사이클로헥산 중에 적하하여 응고시켰다. 이 응고물을 수세(水洗)하고, 당해 응고물을 응고물과 동 질량의 테트라하이드로푸란에 재용해한 후, 얻어진 용액을 다량의 사이클로헥산 중에 적하하여 재차 응고시켰다. 이 재용해 및 응고 작업을 합계 3회 행한 후, 얻어진 응고물을 40℃에서 48시간 진공 건조하여, 알칼리 가용성 수지를 얻었다. 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량은 10,000이었다.
[조제예 1] 감광성 수지 조성물 1의 조제
상기 합성예 1에서 합성한 알칼리 가용성 수지를 100부, 폴리에스테르아크릴레이트(상품명 「아로닉스 M-8060」, 도아고세이(주) 제조)를 50부, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트를 5부, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드(상품명 「LUCIRIN　TPO」, BASF(주) 제조)를 4부, 하기 식(1)로 나타내는 화합물을 0.4부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (E-1)을 100부 및, 불소계 계면활성제(상품명 「프터젠트 FTX-218」 (주)네오스 제조)를 0.1부 혼합, 교반하여 균일한 용액을 얻었다. 이 용액을, 공경 10㎛의 캡슐 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물 1을 조제했다.
Figure pct00001
[조제예 2] 감광성 수지 조성물 2의 조제
상기 합성예 1에서 합성한 알칼리 가용성 수지를 100부, 폴리에스테르아크릴레이트(상품명 「아로닉스 M-8060」, 도아고세이(주) 제조)를 50부, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드(상품명 「LUCIRIN　TPO」, BASF(주) 제조)를 4부, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(상품명 「IRGACURE　651」, BASF(주) 제조)을 19부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 80부 및, 불소계 계면활성제(상품명 「프터젠트 FTX-218」 (주)네오스 제조)를 0.1부 혼합, 교반하여 균일한 용액을 얻었다. 이 용액을, 공경 10㎛의 캡슐 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물 2를 조제했다.
[합성예 2] 수지 1의 합성
드라이아이스/메탄올 환류기와 온도계를 갖는 플라스크를 질소 치환한 후, 이 플라스크에 N-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)아크릴아미드 90g, 스티렌 10g, 메탄올 300g을 넣고, 교반했다. 이어서, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 4g을 첨가하고, 메탄올 환류하, 교반을 행하면서 8시간 중합했다. 중합 종료 후, 실온까지 냉각하고, 중합 용액을 대량의 물 속에 투입하여, 생성한 집합체를 응고시켰다. 그 다음에, 집합체를 테트라하이드로푸란에 재용해한 후, 재차 다량의 헥산으로 응고시키는 조작을 3회 반복했다. 이 조작에서 얻어진 응고물을 건조하여, 수지 1을 얻었다.
[조제예 3] 수지 조성물 1의 조제
상기 합성예 2에서 합성한 수지 1을 100부, 불소계 계면활성제(상품명 「프터젠트 FTX-218」 (주)네오스 제조)를 0.1부, 프로필렌글리콜모노메틸을 900부 혼합, 교반하여 균일한 용액을 얻었다. 이 용액을, 공경 10㎛의 캡슐 필터로 여과하여, 수지 조성물 1을 조제했다.
3. 땜납 전극의 제조
[실시예 1]
실리콘판 상에 복수의 구리 전극 패드를 갖는 기판에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 3에서 조제한 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 110℃로 3분간 가열하여, 두께 1㎛의 도막 (a1-1)을 형성했다. 그 다음에, 상기 도막 (a1-1) 상에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 1에서 조제한 감광성 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 120℃로 5분간 가열하여, 두께 55㎛의 도막 (a2-1)을 형성했다. 그 다음에 얼라이너(Suss사 제조, 형식 「MA-200」)를 이용하여 패턴 마스크를 개재하여, 노광(파장 420㎚의 조사 강도가 300mJ/㎠)했다. 노광 후, 도막 (a1-1) 및 도막 (a2-1)을 2.38질량％ 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 수용액에 240초간 접촉시켜, 도막을 유수로 세정하고, 현상했다. 그 다음에, 질소 플로우하, 핫 플레이트에서 200℃로 10분간 가열하여, 다수의 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을 형성했다. 전자 현미경으로 관찰했더니, 각 개구부의 개구는 직경 50㎛의 원형이고, 각 개구부의 깊이는 50㎛였다. 또한, 서로 이웃하는 개구부 사이의 거리는 50㎛였다.
조제예 1에서 조제한 감광성 수지 조성물 1 중에 포함되는 폴리에스테르아크릴레이트 및 트리메틸올프로판트리아크릴레이트의 함유 비율을 100질량％로 할 때, 도막 (a2-1) 중에 포함되는 폴리에스테르아크릴레이트 및 트리메틸올프로판트리아크릴레이트의 함유 비율은 58∼65질량％였다.
상기 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을, 1질량％ 황산 수용액에 23℃에서 1분간 침지하고, 수세, 건조했다. 건조 후의 기판의 개구부에, 용융 땜납(센쥬 긴조쿠고교(주) 제품명 「SAC305」를 250℃에서 용융한 것)을 10분간에 걸쳐 박아 넣었다. 그 후, 디메틸술폭사이드/테트라메틸암모늄하이드로옥사이드/물을 90/3/7(질량비)로 갖는 용액에 50℃에서 20분간 침지시켜 레지스트를 박리하고, 수세 및 건조를 행하여, 땜납 전극을 제조했다.
얻어진 땜납 전극을 전자 현미경으로 관찰했더니, 패턴 형상으로 형성된 각 땜납은 직경 50㎛, 높이 50㎛의 원주 형상이었다. 또한, 서로 이웃하는 땜납 사이에는, 땜납은 없었다. 레지스트가 박리된 상태에 있어서의 땜납 전극의 전자 현미경상을 도 4에 나타낸다.
[실시예 2]
실시예 1에 있어서, 도막 (a1-1)의 막 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작으로, 다수의 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을 형성했다. 전자 현미경으로 관찰했더니, 각 개구부의 개구는 직경 50㎛의 원형이고, 각 개구부의 깊이는 50㎛였다. 또한, 서로 이웃하는 개구부 사이의 거리는 50㎛였다.
상기 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을, 1질량％ 황산 수용액에 23℃에서 1분간 침지하고, 수세, 건조했다. 건조 후의 기판의 개구부에, 용융 땜납(센쥬 긴조쿠고교(주) 제품명 「SAC305」를 250℃에서 용융한 것)을 10분간에 걸쳐 박아 넣었다. 그 후, 디메틸술폭사이드/테트라메틸암모늄하이드로옥사이드/물을 90/3/7(질량비)로 갖는 용액에 50℃에서 20분간 침지시켜 레지스트를 박리하고, 수세 및 건조를 행하여, 땜납 전극을 제조했다.
얻어진 땜납 전극을 전자 현미경으로 관찰했더니, 패턴 형상으로 형성된 각 땜납은 직경 50㎛, 높이 50㎛의 원주 형상이었다. 또한, 서로 이웃하는 땜납 사이에는, 땜납은 없었다.
[비교예 1]
상기 실시예 1에 있어서, 수지 조성물 1 대신에, 조제예 2에서 제조한 감광성 수지 조성물 2를 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조작을 행했다.
얻어진 땜납 패턴을 전자 현미경으로 관찰했더니, 패턴 형상으로 형성된 각 땜납은 직경 50㎛, 높이 50㎛의 원주 형상이었지만, 서로 이웃하는 땜납 사이에는, 땜납이 있었다. 개구부에 250℃의 용융 땜납을 박아 넣었을 때에 레지스트가 기판으로부터 박리되어, 용융 땜납이 구리 스퍼터막과 레지스트의 사이로 배어 나온 것으로 생각되었다.
[비교예 2]
실리콘판 상에 복수의 구리 전극 패드를 갖는 기판에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 1에서 조제한 감광성 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 120℃로 5분간 가열하여, 두께 55㎛의 도막 (a1-1)을 형성했다. 그 다음에 얼라이너(Suss사 제조, 형식 「MA-200」)를 이용하여, 패턴 마스크를 개재하여, 노광(파장 420㎚의 조사 강도가 300mJ/㎠)했다. 노광 후, 도막 (a1-1)을 2.38질량％ 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 수용액에 240초간 접촉시켜, 도막을 유수로 세정하고, 현상했다. 그 다음에, 질소 플로우하, 핫 플레이트에서 200℃로 10분간 가열하여, 다수의 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을 형성했다. 전자 현미경으로 관찰했더니, 각 개구부의 개구는 직경 50㎛의 원형이고, 각 개구부의 깊이는 50㎛였다. 또한, 서로 이웃하는 개구부 사이의 거리는 50㎛였다.
상기 개구부를 갖는 레지스트 보지 기판을, 1질량％ 황산 수용액에 23℃에서 1분간 침지하고, 수세, 건조했다. 건조 후의 기판의 개구부에, 용융 땜납(센쥬 긴조쿠고교(주) 제품명 「SAC305」를 250℃에서 용융한 것)을 10분간에 걸쳐 박아 넣었다. 그 후, 디메틸술폭사이드/테트라메틸암모늄하이드로옥사이드/물을 90/3/7(질량비)로 갖는 용액에 50℃에서 20분간 침지시켜 레지스트를 박리하고, 수세 및 건조를 행하여, 땜납 전극을 제조했다.
얻어진 땜납 전극을 전자 현미경으로 관찰했더니, 패턴 형상으로 형성된 각 땜납은 직경 50㎛, 높이 50㎛의 원주 형상이었지만, 서로 이웃하는 땜납 사이에는, 땜납이 있었다. 개구부에 250℃의 용융 땜납을 박아 넣었을 때에 레지스트가 기판으로부터 박리되어, 용융 땜납이 구리 스퍼터막과 레지스트의 사이로 배어 나온 것으로 생각되었다. 레지스트가 박리된 상태에 있어서의 땜납 전극의 전자 현미경상을 도 5에 나타낸다.
4. 기판과 레지스트의 접착성 평가
[실험예 1]
실리콘판 상에 구리 스퍼터막(구리 스퍼터막의 막 두께: 0.6㎛)을 구비하여 이루어지는 기판에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 3에서 조제한 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 110℃로 3분간 가열하여, 두께 1㎛의 도막 (a1-1)을 형성했다. 그 다음에, 상기 도막 (a1-1) 상에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 1에서 조제한 감광성 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 120℃로 5분간 가열하여, 두께 55㎛의 도막 (a2-1)을 형성했다. 그 후, 핫 플레이트에서 250℃로 10분간 가열하여, 기판 상에 접착성 평가용 도막을 준비했다.
얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착성을, 핀 테스트로 평가했다. 핀 테스트는 도 2에 나타내는 바와 같은 직경 4㎜의 원반부와 지지축을 구비한 핀(에폭시 접착제를 갖는 스터드 핀(stud pin)(핀 넘버 「901160」, 포토테크니카 가부시키가이샤 제조))을 이용하여 행했다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 실리콘판(5) 상에 구리 스퍼터막(4)을 구비하여 이루어지는 기판에 형성된 접착성 평가용 도막(3)에 핀(1)을 접착한 후, 기판을 고정하고, 핀(1)을 4.68∼5.85㎜/min의 속도로 접착성 평가용 도막에 대하여 수직 방향으로 인장했다.
그 결과, 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 사이에서 박리하지 않고, 접착성 평가용 도막과 핀의 사이에서 박리했다. 즉, 얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착 강도는, 접착성 평가용 도막과 에폭시계 접착제의 접착 강도보다 강하여, 접착성 평가용 도막은 구리 스퍼터막에 대하여 우수한 접착성을 갖고 있는 것이 분명해졌다.
[실험예 2]
실험예 1에 있어서, 수지 조성물 1 대신에, 조제예 2에서 조제한 감광성 수지 조성물 2를 이용한 것 이외에는 실험예 1과 동일하게 얻어진 도막과 구리 스퍼터막의 접착성을 평가했다.
그 결과, 접착성 평가용 도막과 핀의 사이에서 박리하지 않고, 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터 기판의 사이에서 박리했다. 즉, 얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착 강도는, 접착성 평가용 도막과 에폭시계 접착제의 접착 강도보다 약하여, 접착성 평가용 도막의 구리 스퍼터막에 대한 접착성은 뒤떨어지는 것이 분명해졌다.
[실험예 3]
실리콘판 상에 구리 스퍼터막(구리 스퍼터막의 막 두께는 0.6㎛)을 구비하여 이루어지는 기판에 스핀 코터를 이용하여, 조제예 1에서 조제한 감광성 수지 조성물 1을 도포하고, 핫 플레이트에서 120℃로 5분간 가열하여, 두께 55㎛의 도막 (a1-1)을 형성했다. 그 후, 핫 플레이트에서 250℃로 10분간 가열하여, 기판 상에 접착성 평가용 도막을 준비했다.
얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착성을, 실험예 1과 동일하게 핀 테스트로 평가했다.
그 결과, 접착성 평가용 도막과 핀의 사이에서 박리하지 않고, 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터 기판의 사이에서 박리했다. 즉, 얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착 강도는, 접착성 평가용 도막과 에폭시계 접착제의 접착 강도보다 약하여, 접착성 평가용 도막의 구리 스퍼터막에 대한 접착성은 뒤떨어지는 것이 분명해졌다.
[실험예 4]
실험예 1에 있어서, 도막 (a1-1)의 막 두께를 0.5㎛로 한 것 이외에는 실험예 1과 동일한 조작으로, 기판 상에 접착성 평가용 도막을 준비했다.
그 결과, 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 사이에서 박리하지 않고, 접착성 평가용 도막과 핀의 사이에서 박리했다. 즉, 얻어진 접착성 평가용 도막과 구리 스퍼터막의 접착 강도는, 접착성 평가용 도막과 에폭시계 접착제의 접착 강도보다 강하여, 접착성 평가용 도막은 구리 스퍼터막에 대하여 우수한 접착성을 갖고 있는 것이 분명해졌다.
본 발명의 땜납 전극의 형성 방법에 의해, 전술과 같이, 목적으로 하는 땜납 전극을 확실히 형성할 수 있고, 예를 들면 IMS법에 적용하여 범프의 적합한 형성이 가능해진다. 이 때문에, 본 발명의 땜납 전극의 형성 방법을 이용하여, 우수한 땜납 전극을 갖는 전자 부품을 제공할 수 있다.
1 : 핀
2 : 접착제
3 : 접착성 평가용 도막
4 : 구리 스퍼터막
5 : 실리콘판
11 : 기판
12 : 레지스트
12a : 기판에 제일 가까운 층 (1)
12b : 기판으로부터 제일 먼 층 (2)
13 : 레지스트 보지 기판
14 : 개구부
15 : 전극 패드

Claims (10)

  1. 전극 패드를 갖는 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ) 및, 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 땜납 전극의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트에 있어서의, 상기 기판으로부터 제일 먼 층 (2)는, 층 (2)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 함유하는 땜납 전극의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판에 제일 가까운 층 (1)의 두께가, 상기 레지스트의 두께의 0.001∼0.9배인 땜납 전극의 제조 방법.
  4. 전극 패드를 갖는 기판 상에, 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a1)을 형성하는 공정 (Ⅰ-1), 상기 도막 (a1) 상에, 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 도막 (a2)를 형성하고, 도막 (a1) 및 도막 (a2)를 포함하는 피막을 형성하는 공정 (Ⅰ-2), 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부가 형성되도록 상기 피막을 선택적으로 노광하는 공정 (Ⅰ-3) 및, 상기 피막을 현상하고, 상기 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 영역에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ-4)를 갖는 공정 (Ⅰ), 그리고 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하는 공정 (Ⅱ)를 갖는 땜납 전극의 제조 방법으로서,
    상기 수지 조성물이, 당해 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않고, 상기 감광성 수지 조성물이, 당해 감광성 수지 조성물에 함유되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및 열에 의해 자기 가교하는 성분으로부터 선택되는 적어도 1개의 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 땜납 전극의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 (Ⅱ)의 후에, 레지스트를 박리하는 공정 (Ⅲ)을 갖는 땜납 전극의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 땜납 전극의 제조 방법에 의해 형성된 땜납 전극을 갖는 전자 부품.
  7. 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  8. 전극 패드를 갖는 제1 기판 상에 형성된 피막의, 상기 기판 상의 전극 패드에 대응하는 부분에 개구부를 형성함으로써, 상기 피막으로부터 레지스트를 상기 기판 상에 형성하는 공정 (Ⅰ), 상기 레지스트의 개구부에 용융 땜납을 충전하여, 땜납 전극을 제조하는 공정 (Ⅱ), 상기 레지스트를 상기 제1 기판으로부터 박리하는 공정 (Ⅲ) 및, 상기 제1 기판에, 전극 패드를 갖는 제2 기판을, 상기 땜납 전극을 개재하여, 상기 제1 기판의 전극 패드와 제2 기판의 전극 패드의 전기적 접속 구조가 형성되도록 적층하는 공정 (Ⅳ)를 갖는 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트는, 수지를 구성 성분으로서 포함하는 적어도 2층으로 이루어지고, 또한 상기 레지스트의 상기 기판에 제일 가까운 층 (1)은, 층 (1)에 구성 성분으로서 포함되는 수지를 열에 의해 가교하는 성분 및, 열에 의해 자기 가교하는 성분을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 기재된 적층체의 제조 방법에 의해 제조된 적층체.
  10. 제9항에 기재된 적층체를 갖는 전자 부품.
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