KR20160132068A - 반사형 마스크의 세정 장치 및 반사형 마스크의 세정 방법 - Google Patents

반사형 마스크의 세정 장치 및 반사형 마스크의 세정 방법 Download PDF

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Abstract

반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층의 광학 특성의 열화를 억제할 수 있는 반사형 마스크의 세정 장치, 및 반사형 마스크의 세정 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 관련된 반사형 마스크의 세정 장치는, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 유기 용제 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 용액을 공급하는 제1 공급부와, 상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부를 구비하고 있다. 또한, 다른 실시형태에 관련된 반사형 마스크의 세정 장치는, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 제3 공급부와, 상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부를 구비하고 있다.

Description

반사형 마스크의 세정 장치 및 반사형 마스크의 세정 방법{APPARATUS FOR CLEANING REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR CLEANING REFLECTIVE MASK}
본 발명의 실시형태는, 반사형 마스크의 세정 장치 및 반사형 마스크의 세정 방법에 관한 것이다.
루테늄(Ru) 등의 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층을 가진 부재가 있다.
예컨대, 극단 자외선(EUV: Extreme Ultra Violet)을 이용하여 미세한 패턴의 전사를 행하는 EUV 리소그래피법에 있어서 이용되는 반사형 마스크는, 루테늄을 포함하는 캡핑층(스토퍼층 등이라고도 함)을 갖고 있다.
이 반사형 마스크의 제조에 있어서는, 기판의 주면에, 반사층, 캡핑층, 흡수층을 순차 형성하고, 흡수층을 드라이 에칭 처리함으로써, 원하는 패턴을 갖는 패턴 영역을 형성하고 있다. 그리고, 흡수층과 캡핑층과 반사층을 드라이 에칭 처리함으로써, 패턴 영역을 둘러싸는 차광 영역(차광 프레임 등이라고도 함)을 형성하고 있다.
여기서, 흡수층을 드라이 에칭 처리했을 때에 이용된 레지스트 마스크는, 오존수나, 황산과 과산화수소수의 혼합액을 이용한 세정을 행함으로써 제거하고 있다.
그런데, 캡핑층이 루테늄으로 형성되어 있는 경우에 이러한 세정을 행하면, 루테늄이 산화되어 산화루테늄이 형성된다.
그리고, 산화루테늄이 형성되면, 반사율이 저하된다는 문제가 생긴다.
또한, EUV 리소그래피 장치에 있어서 반사형 마스크를 사용하는 경우, 레지스트로부터 발생한 유기물을 포함하는 가스가 반사형 마스크에 도달함으로써, 반사형 마스크에 유기물이 부착되는 경우가 있다.
반사형 마스크에 부착된 유기물도 오존수나, 황산과 과산화수소수의 혼합액을 이용한 세정을 행함으로써 제거하고 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
또한, 반사형 마스크는, 전술한 세정 공정이나 드라이 에칭 공정에 있어서의 처리나, 처리 장치 사이에 있어서의 반송 도중에, 산소를 포함하는 분위기에 노출되는 경우가 있다.
루테늄을 포함하는 캡핑층의 일부는, 흡수층으로부터 노출되어 있다.
그 때문에, 노출된 부분에 산화루테늄이 형성되어, 반사율이 저하되고, 반사형 마스크로서의 광학 특성이 열화된다는 문제가 생긴다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-181657호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층의 광학 특성의 열화를 억제할 수 있는 반사형 마스크의 세정 장치, 및 반사형 마스크의 세정 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 관련된 반사형 마스크의 세정 장치는, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 유기 용제 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 용액을 공급하는 제1 공급부와, 상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부를 구비하고 있다.
또한, 다른 실시형태에 관련된 반사형 마스크의 세정 장치는, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 제3 공급부와, 상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부를 구비하고 있다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층의 광학 특성의 열화를 억제할 수 있는 세정 장치 및 세정 방법이 제공된다.
도 1은, 피세정물(W)이 되는 반사형 마스크(210)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 2는, 본 실시형태에 관련된 세정 장치(101)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 3은, 드라이 세정 장치(102)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 4의 (a)∼(c)는, 비교예에 관련된 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 5의 (a)∼(c)는, 제1 용액(303) 및 제2 용액(304)을 이용한 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 6은, 루테늄의 전위-pH 도(Pourbaix Diagram)이다.
도 7의 (a)∼(c)는, 환원성 가스를 이용한 드라이 세정과, 제2 용액(304)을 이용한 웨트 세정을 행하는 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대하여 예시한다. 또, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
피세정물(W)은, 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층이 노출된 것으로 할 수 있다.
피세정물(W)은, 예컨대, 루테늄을 포함하는 캡핑층을 갖는 반사형 마스크, 루테늄을 포함하는 캡핑층을 갖는 기판(반사형 마스크의 제조 과정에 있는 기판) 등으로 할 수 있다.
도 1은, 피세정물(W)이 되는 반사형 마스크(210)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(201)의 한쪽 주면에는, 반사층(202), 캡핑층(203), 흡수층(204)이 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 기판(201)의 다른쪽 주면에는, 도전층(205)이 형성되어 있다.
기판(201)은, 예컨대, 저열팽창 재료(LTEM; Low Thermal Expansion Material)나 석영 등으로 형성되어 있다.
반사층(202)은, 몰리브덴(Mo)층(202a)과 실리콘(Si)층(202b)이 교대로 적층되도록 하여 형성된 것이다. 예컨대, 반사층(202)은, 몰리브덴층과 실리콘층의 쌍이, 40쌍∼50쌍 정도 적층된 것으로 할 수 있다.
캡핑층(203)은, 루테늄을 포함한다. 이 경우, 캡핑층(203)은, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)과 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)이 적층된 것으로 할 수 있다.
흡수층(204)은, 흡수체층(204a)과 반사 방지층(204b)을 갖는다.
흡수체층(204a)은, 예컨대, 탄탈의 질화물(예컨대, 탄탈붕소질화물(TaBN), 질화탄탈(TaN) 등)이나 크롬의 질화물(예컨대, 질화크롬(CrN) 등) 등을 포함한다.
반사 방지층(204b)은, 예컨대, 탄탈의 산화물(예컨대, 탄탈붕소산화물(TaBO), 산화탄탈(TaO) 등)이나 크롬의 산화물(예컨대, 산화크롬(CrOx) 등) 등을 포함한다.
도전층(205)은, 예컨대, 질화크롬 등을 포함한다.
패턴 영역(216)에는, 전사하는 패턴(예컨대, 회로 패턴 등)이 형성되어 있다.
차광 영역(217)은, 패턴 영역(216)을 둘러싸도록 형성되어 있다.
도 1 중의 A 부에 나타내는 바와 같이, 패턴 영역(216)에 있어서는, 루테늄을 포함하는 캡핑층(203)이 노출되어 있다.
그 때문에, 오존수나 과황산을 이용한 세정을 행하면, 캡핑층(203)의 노출되어 있는 부분이 산화되어 산화루테늄이 형성되는 경우가 있다.
또한, 피세정물(W)이, 드라이 에칭시의 반송 공정 등에서 산소를 포함하는 분위기에 노출되어, 세정하기 전에, 캡핑층(203)의 노출되어 있는 부분이 산화되어 산화루테늄이 형성되어 있는 경우가 있다.
산화루테늄이 형성되면, 반사율이 저하된다는 문제가 생긴다.
즉, 반사형 마스크(210)의 광학 특성이 열화되어 버린다는 문제가 생긴다.
도 2는, 본 실시형태에 관련된 세정 장치(101)를 예시하기 위한 모식도이다.
세정 장치(101)는, 매엽 처리 방식의 세정 장치이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 세정 장치(101)에는, 세정부(10), 제1 공급부(20), 제2 공급부(30), 및 제어부(40)가 설치되어 있다.
세정부(10)에는, 적재부(11), 커버(12), 및 노즐(13)이 설치되어 있다.
적재부(11)에는, 적재대(11a), 회전축(11b), 및 구동부(11c)가 설치되어 있다.
적재대(11a)는, 판형을 나타내고 있다.
또한, 적재대(11a)의 한쪽 주면에는 오목부가 형성되고, 오목부의 저면이 피세정물(W)을 적재하는 적재면(11a1)으로 되어 있다.
그 때문에, 적재대(11a)의 오목부의 내부에 피세정물(W)을 수납함으로써, 피세정물(W)의 적재와 피세정물(W)의 기계적인 유지를 할 수 있도록 되어 있다.
이 경우, 피세정물(W)은, 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층(예컨대, 루테늄을 포함하는 캡핑층(203))을 노즐(13)측으로 향하게 하여 적재된다.
또, 적재대(11a)에 설치된 도시하지 않은 진공 척이나 정전 척에 의해 피세정물(W)을 유지하도록 해도 좋다.
회전축(11b)은, 기둥형을 나타내고 있다.
회전축(11b)의 한쪽 단부는, 적재대(11a)의 적재면(11a1)과 대치하는 면에 접속되어 있다.
회전축(11b)은, 삽입 관통부(12b)의 내부를 통과하여, 커버(12)의 외부로 연장되어 있다.
회전축(11b)의 다른쪽 단부는, 커버(12)의 외부에 있어서 구동부(11c)와 접속되어 있다.
구동부(11c)는, 모터 등의 회전 기기를 갖는 것으로 할 수 있다.
구동부(11c)의 회전력은, 회전축(11b)을 통해 적재대(11a)에 전달된다.
그 때문에, 구동부(11c)에 의해 적재대(11a), 나아가서는 적재대(11a)에 적재된 피세정물(W)을 회전시킬 수 있다.
또한, 구동부(11c)는, 회전과 회전의 정지뿐만 아니라, 회전수(회전 속도)를 변화시킬 수 있는 것으로 할 수 있다. 이 경우, 구동부(11c)는, 서보모터 등의 제어 모터를 갖는 것으로 할 수 있다.
커버(12)는, 적재대(11a)의 주위를 덮고 있다.
커버(12)는, 피세정물(W)에 공급되어, 피세정물(W)이 회전함으로써 피세정물(W)의 외부로 배출된 제1 용액(303), 제2 용액(304), 및 피세정물(W)의 표면으로부터 제거된 부착물(300)을 받아낸다.
커버(12)의 측벽의 상부에는, 중심 방향을 향하여 굴곡되는 굴곡부(12a)가 형성되어 있다. 굴곡부(12a)를 형성하도록 하면, 피세정물(W)의 상측으로 비산하는 제1 용액(303), 제2 용액(304), 및 제거된 부착물(300)의 포착이 용이해진다.
커버(12)의 저면의 중앙 부분에는, 커버(12)의 내부를 향하여 돌출되는 통 형상의 삽입 관통부(12b)가 형성되어 있다.
삽입 관통부(12b)는, 커버(12)의 내부를 향하여 돌출되어 있기 때문에, 회전축(11b)이 커버(12)의 외부로 나가는 부분으로부터 제1 용액(303)이나 제2 용액(304)이 새는 것을 억제할 수 있다.
커버(12)의 저면에는, 배출구(12c)가 형성되어 있다.
배출구(12c)에는, 개폐 밸브(12d)를 설치할 수 있다.
또한, 개폐 밸브(12d)에 배관(12e)을 접속하고, 배관(12e)을 통해 개폐 밸브(12d)와 도시하지 않은 공장 배관이나 회수 장치 등을 접속할 수도 있다.
이 경우, 커버(12)의 저면에 배출구(12c)를 향하여 경사지는 경사면을 형성할 수도 있다. 이러한 경사면을 형성하도록 하면, 커버(12)의 저면측으로 유출된 제1 용액(303), 제2 용액(304), 및 제거된 부착물(300)의 배출이 용이해진다.
또한, 커버(12)를 승강시키는 도시하지 않은 승강 장치를 설치할 수도 있다.
커버(12)를 승강시키는 도시하지 않은 승강 장치를 설치하도록 하면, 피세정물(W)의 반입 반출시에는 커버(12)를 하강시켜, 적재대(11a)가 커버(12)로부터 노출되도록 할 수 있다.
그 때문에, 피세정물(W)의 적재대(11a)에 대한 수수를 용이하게 할 수 있다.
노즐(13)은, 피세정물(W)을 향하여 제1 용액(303)이나 제2 용액(304)을 토출하기 위한 토출구(13a)를 갖는다.
노즐(13)은, 토출구(13a)가 적재대(11a)의 적재면(11a1)을 향하도록 설치되어 있다.
또한, 노즐(13)은, 제1 용액(303)을 공급하기 위한 공급구(13b), 제2 용액(304)을 공급하기 위한 공급구(13c)를 갖는다.
또, 공급구(13b)와 공급구(13c)를 갖는 노즐(13)을 예시했지만, 제1 용액(303) 및 제2 용액(304)을 공급하는 단일의 공급구를 갖는 노즐(13)로 할 수도 있다.
또한, 제1 용액(303)을 토출하는 노즐과, 제2 용액(304)을 토출하는 노즐을 별개로 설치할 수도 있다.
노즐(13)은, 소정의 위치에 고정되어 있어도 좋고, 적재대(11a)의 상측을 이동할 수 있도록 설치되어 있어도 좋다.
여기서, 노즐(13)로부터 제1 용액(303)과 제2 용액(304)을 피세정물(W)을 향하여 순차 토출함으로써, 피세정물(W)의 표면에 부착된 유기물을 포함하는 부착물(300)을 제거할 수 있다.
또, 부착물의 제거에 관한 상세한 것은 후술한다(도 5를 참조).
제1 공급부(20)에는, 수납부(21), 용액 공급부(22), 유량 조정부(23), 및 배관(24)이 설치되어 있다.
수납부(21)는, 제1 용액(303)을 수납한다.
제1 용액(303)은, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 등의 알콜, 아세톤(acetone) 등의 유기 용제, 또는 계면 활성제로 할 수 있다.
용액 공급부(22)는, 수납부(21)에 접속되어 있다. 용액 공급부(22)는, 수납부(21)의 내부에 수납되어 있는 제1 용액(303)을 노즐(13)을 향하여 공급한다.
용액 공급부(22)는, 제1 용액(303)에 대한 내성을 갖는 펌프 등으로 할 수 있다. 용액 공급부(22)는, 예컨대, 케미컬 펌프 등으로 할 수 있다.
다만, 용액 공급부(22)는, 펌프에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 용액 공급부(22)는, 수납부(21)의 내부에 가스를 공급하고, 수납부(21)의 내부에 수납된 제1 용액(303)을 압송하는 것으로 할 수도 있다.
유량 조정부(23)는, 용액 공급부(22)에 접속되어 있다. 유량 조정부(23)는, 용액 공급부(22)에 의해 공급되는 제1 용액(303)의 유량을 조정한다. 유량 조정부(23)는, 예컨대, 유량 조정 밸브로 할 수 있다.
또한, 유량 조정부(23)는, 제1 용액(303)의 공급과 공급의 정지도 행할 수 있는 것으로 할 수도 있다.
배관(24)의 일단은, 유량 조정부(23)에 접속되어 있다. 배관(24)의 타단은, 노즐(13)의 공급구(13b)에 접속되어 있다.
제2 공급부(30)에는, 수납부(31), 용액 공급부(32), 유량 조정부(33), 및 배관(34)이 설치되어 있다.
수납부(31)는, 제2 용액(304)을 수납한다.
제2 용액(304)은, 예컨대, 환원성 용액이나, 산소를 포함하지 않는 용액으로 할 수 있다.
환원성 용액은, 예컨대, 수소 함유수 등으로 할 수 있다. 수소 함유수는, 예컨대, 초순수에 수소 가스를 첨가함으로써 생성된 것으로 할 수 있다.
산소를 포함하지 않는 용액은, 예컨대, 탈산소수 등으로 할 수 있다.
용액 공급부(32)는, 수납부(31)에 접속되어 있다. 용액 공급부(32)는, 수납부(31)의 내부에 수납되어 있는 제2 용액(304)을 노즐(13)을 향하여 공급한다.
용액 공급부(32)는, 펌프 등으로 할 수 있다.
다만, 용액 공급부(32)는, 펌프에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 용액 공급부(32)는, 수납부(31)의 내부에 가스를 공급하고, 수납부(31)의 내부에 수납된 제2 용액(304)을 압송하는 것으로 할 수도 있다.
유량 조정부(33)는, 용액 공급부(32)에 접속되어 있다. 유량 조정부(33)는, 용액 공급부(32)에 의해 공급되는 제2 용액(304)의 유량을 조정한다. 유량 조정부(33)는, 예컨대, 유량 조정 밸브로 할 수 있다.
또한, 유량 조정부(33)는, 제2 용액(304)의 공급과 공급의 정지도 행할 수 있는 것으로 할 수도 있다.
배관(34)의 일단은, 유량 조정부(33)에 접속되어 있다. 배관(34)의 타단은, 노즐(13)의 공급구(13c)에 접속되어 있다.
제어부(40)는, 세정 장치(101)에 설치된 요소의 동작을 제어한다.
예컨대, 제어부(40)는, 구동부(11c)를 제어하여, 적재대(11a), 나아가서는 적재대(11a)에 적재된 피세정물(W)의 회전, 회전의 정지, 및 회전수(회전 속도)를 제어한다. 제어부(40)는, 개폐 밸브(12d)를 제어하여, 제1 용액(303)이나 제2 용액(304) 등의 커버(12)로부터의 배출을 제어한다.
제어부(40)는, 용액 공급부(22)를 제어하여, 제1 용액(303)의 공급과, 공급의 정지, 공급 시간 등을 제어한다.
제어부(40)는, 유량 조정부(23)를 제어하여, 제1 용액(303)의 유량(공급량)을 제어한다.
제어부(40)는, 용액 공급부(32)를 제어하여, 제2 용액(304)의 공급과, 공급의 정지, 공급 시간 등을 제어한다.
제어부(40)는, 유량 조정부(33)를 제어하여, 제2 용액(304)의 유량(공급량)을 제어한다.
또한, 제1 용액(303) 및 제2 용액(304) 중 적어도 어느 하나에 초음파 진동을 인가하는 초음파 진동 장치를 설치할 수도 있다.
예컨대, 노즐(13)이나 적재대(11a) 등에 초음파 진동 장치를 내장시킬 수 있다.
또한, 커버(12)의 배출구(12c)로부터 배출된 제1 용액(303) 및 제2 용액(304)을 회수하여 재이용하는 회수 장치를 설치할 수도 있다.
다음으로, 세정 장치(101)의 작용에 대하여 예시한다.
우선, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 피세정물(W)이 적재대(11a)의 적재면(11a1)에 적재된다.
이 때, 피세정물(W)은, 부착물(300)이 부착된 면을 노즐(13)측으로 향하게 하여 적재된다.
다음으로, 제1 공급부(20)에 의해, 제1 용액(303)을 노즐(13)로부터 토출시켜, 제1 용액(303)을 피세정물(W)의 표면에 공급한다.
이 때, 용액 공급부(22)는, 수납부(21)의 내부에 수납되어 있는 제1 용액(303)을 노즐(13)을 향하여 공급한다.
유량 조정부(23)는, 용액 공급부(22)에 의해 공급되는 제1 용액(303)의 유량을 조정한다.
용액 공급부(22) 또는 유량 조정부(23)에 의해, 제1 용액(303)의 공급 시간이 제어된다.
또, 제1 용액(303)의 공급 시간은, 미리 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 구할 수 있다.
또한, 제1 용액(303)의 공급 개시 전, 공급 중, 및 공급 개시 후의 어느 때에 있어서, 구동부(11c)에 의해 적재대(11a), 나아가서는 적재대(11a)에 적재된 피세정물(W)을 회전시킨다.
피세정물(W)을 회전시킴으로써, 공급된 제1 용액(303)이 피세정물(W) 표면의 전역으로 퍼진다. 또한, 피세정물(W)을 회전시킴으로써, 피세정물(W)에 공급된 제1 용액(303)이 피세정물(W)의 외부로 배출된다.
또한, 제1 용액(303)에 의해 용해된 부착물(300)도 피세정물(W)의 외부로 배출된다.
피세정물(W)의 외부로 배출된 제1 용액(303)과 부착물(300)은, 커버(12)에 의해 받아내지고, 배출구(12c)로부터 배출된다.
다음으로, 제2 공급부(30)에 의해, 제2 용액(304)을 노즐(13)로부터 토출시켜, 부착물(300)이 제거된 피세정물(W)의 표면에 제2 용액(304)을 공급한다.
이 때, 용액 공급부(32)는, 수납부(31)의 내부에 수납되어 있는 제2 용액(304)을 노즐(13)을 향하여 공급한다.
유량 조정부(33)는, 용액 공급부(32)에 의해 공급되는 제2 용액(304)의 유량을 조정한다.
용액 공급부(32) 또는 유량 조정부(33)에 의해, 제2 용액(304)의 공급 시간이 제어된다.
또, 제2 용액(304)의 공급 시간은, 미리 실험이나 시뮬레이션을 행함으로써 구할 수 있다.
또한, 제2 용액(304)의 공급 개시 전, 공급 중, 및 공급 개시 후의 어느 때에 있어서, 구동부(11c)에 의해 적재대(11a), 나아가서는 적재대(11a)에 적재된 피세정물(W)을 회전시킨다.
피세정물(W)을 회전시킴으로써, 공급된 제2 용액(304)이 피세정물(W) 표면의 전역으로 퍼진다. 또한, 피세정물(W)을 회전시킴으로써, 제2 용액(304)과 부착물(300)의 잔사가 피세정물(W)의 외부로 배출된다.
피세정물(W)의 외부로 배출된 제2 용액(304)과 부착물(300)의 잔사는, 커버(12)에 의해 받아내지고, 배출구(12c)로부터 배출된다.
또, 제1 용액(303)과 제2 용액(304)의 공급은, 소정 횟수만큼 반복해서 행하도록 해도 좋다.
또한, 제1 용액(303)과 제2 용액(304)의 공급을 반복해서 행하는 경우에는, 미리 설정된 소정의 시간이 경과한 경우, 혹은, 도시하지 않은 검출 장치에 의해 부착물(300)이 없어진 것을 검출한 경우에, 이들의 공급을 멈추도록 해도 좋다.
다음으로, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 피세정물(W)이 적재대(11a)의 적재면(11a1)으로부터 취출되고, 세정 장치(101)의 외부로 반출된다.
또, 세정부(10), 제1 공급부(20), 및 제2 공급부(30)가 설치된 세정 장치(101)를 예시했지만, 세정부(10)와 제1 공급부(20)가 설치된 세정 장치와, 세정부(10)와 제2 공급부(30)가 설치된 세정 장치로 분할할 수도 있다.
세정부(10)와 제1 공급부(20)가 설치된 세정 장치는, 도 2에 예시한 세정 장치(101)로부터 제2 공급부(30)에 관한 부분을 제외하면 된다.
세정부(10)와 제2 공급부(30)가 설치된 세정 장치는, 도 2에 예시한 세정 장치(101)로부터 제1 공급부(20)에 관한 부분을 제외하면 된다.
이상은, 세정 장치(101)가 매엽 처리 방식의 세정 장치인 경우이다.
세정 장치는, 배치 처리 방식의 세정 장치로 할 수도 있다.
예컨대, 제1 용액(303)이 수납된 조와, 제2 용액(304)이 수납된 조와, 제1 용액(303)이 수납된 조 및 제2 용액(304)이 수납된 조에 피세정물(W)을 투입하거나, 조로부터 피세정물(W)을 취출하거나 하는 반송 장치를 구비한 것으로 할 수 있다.
또한, 세정부(10)와 제1 공급부(20)가 설치된 세정 장치 대신에, 암모니아 가스(NH3)나 수소(H2) 등의 환원성 가스를 이용하는 드라이 세정 장치(102)를 이용할 수도 있다.
즉, 환원성 가스를 이용하는 드라이 세정 장치(102)와, 세정부(10)와 제2 공급부(30)가 설치된 세정 장치(웨트 세정 장치)를 갖는 것으로 할 수도 있다.
도 3은, 드라이 세정 장치(102)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 3에 예시하는 드라이 세정 장치(102)는, 2주파 플라즈마 처리 장치이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 드라이 세정 장치(102)에는, 세정 용기(161), 게이트 밸브(177), 가스 공급부(168), 배기부(169), 및 제어부(140)가 설치되어 있다.
세정 용기(161)는, 알루미늄 등의 도전성 재료로 형성되고, 감압 분위기를 유지 가능하게 되어 있다. 세정 용기(161)의 천장 중앙 부분에는, 처리 가스(G)를 도입하기 위한 처리 가스 도입구(162)가 형성되어 있다.
처리 가스(G)는, 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 세정 용기(161)의 내부에 공급된다. 처리 가스(G)가 세정 용기(161)의 내부에 공급될 때에는, 가스 공급부(168)에 내장된 조정 장치에 의해 처리 가스(G)의 유량이나 압력 등이 조정된다.
처리 가스(G)는, 환원성 가스로 할 수 있다.
환원성 가스는, 예컨대, 암모니아 가스, 수소 가스, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 수소 가스와 질소 가스의 혼합 가스 등이다. 즉, 암모니아 또는 수소를 포함하는 가스이면 되고, 암모니아 가스만, 수소 가스만의 가스, 또는, 암모니아 및 수소 가스 중 적어도 어느 하나와 질소 가스의 혼합 가스 등이면 된다.
세정 용기(161)의 천장 부분으로서, 처리 가스 도입구(162)의 직경 바깥 방향 부분에는 유전체 재료(예컨대, 석영 등)로 이루어지는 유전체창(164)이 설치되어 있다. 유전체창(164)의 표면에는 도전체로 이루어지는 코일(165)이 설치되어 있다. 코일(165)의 일단은 접지되고, 타단은 정합기(166)를 통해 고주파 전원(180)에 접속되어 있다.
세정 용기(161)의 내부에는, 피세정물(W)을 드라이 세정하기 위한 공간(163)이 형성되어 있다.
공간(163)의 하측에는 전극부(182)가 설치되어 있다. 전극부(182)에는 고주파 전원(181)이 정합기(183)를 통해 접속되어 있다. 또한, 세정 용기(161)는 접지되어 있다.
드라이 세정 장치(102)는, 상부에 유도 결합형 전극을 갖고, 하부에 용량 결합형 전극을 갖는 2주파 플라즈마 처리 장치이다. 즉, 전극부(182)와 세정 용기(161)가 용량 결합형 전극을 구성하고, 또한, 코일(165)이 유도 결합형 전극을 구성한다.
고주파 전원(181)은, 100 KHz∼100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 0.15 KW∼1 KW 정도의 고주파 전력을 전극부(182)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
고주파 전원(180)은, 100 KHz∼100 MHz 정도의 주파수를 갖고, 1 KW∼5 KW 정도의 고주파 전력을 코일(165)에 인가하는 것으로 할 수 있다.
정합기(166, 183)에는 튜닝 회로가 내장되어 있고, 튜닝 회로에 의해 반사파를 제어함으로써, 플라즈마(P)에 대한 제어를 할 수 있도록 되어 있다.
드라이 세정 장치(102)에 있어서는, 전극부(182), 세정 용기(161), 고주파 전원(181), 고주파 전원(180), 코일(165), 가스 공급부(168) 등이, 피세정물(W)의 표면에, 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 제3 공급부가 된다.
제3 공급부는, 전술한 제1 공급부(20)와 동일한 역할을 수행한다. 즉, 제3 공급부는, 피세정물(W)의 표면에 부착되어 있는 부착물(300)의 제거를 행한다.
전극부(182)는, 주위가 절연 링(184)으로 덮여 있다. 전극부(182)에는 피세정물(W)이 적재 가능하고, 피세정물(W)을 유지하기 위한 유지 기구(예컨대, 정전 척)나 피세정물(W)의 수수를 행하기 위한 수수부(예컨대, 리프트 핀) 등이 내장되어 있다.
세정 용기(161)의 바닥부에는 배기구(167)가 형성되고, 배기구(167)에는 압력 컨트롤러(170)를 통해 배기부(169)(예컨대, 진공 펌프)가 접속되어 있다. 배기부(169)는, 세정 용기(161)의 내부가 소정의 압력이 되도록 배기한다.
세정 용기(161)의 측벽에는, 피세정물(W)을 반입 반출하기 위한 반입 반출구(179)가 형성되고, 반입 반출구(179)를 기밀로 폐쇄할 수 있도록 게이트 밸브(177)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(177)는, O(오) 링과 같은 시일 부재(174)를 구비하는 도어(173)를 갖고 있다. 도어(173)는, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개폐된다. 도어(173)가 폐쇄되었을 때에는, 시일 부재(174)가 반입 반출구(179)의 벽면에 눌려지고, 반입 반출구(179)는 기밀로 폐쇄된다.
제어부(140)는, 드라이 세정 장치(102)에 설치된 각 요소의 동작을 제어한다.
예컨대, 제어부(140)는, 공급부(168)를 제어하여, 세정 용기(161)의 내부에 처리 가스(G)를 공급한다.
이 때, 제어부(140)는, 가스 공급부(168)에 내장된 조정 장치에 의해 처리 가스(G)의 유량이나 압력 등을 제어한다.
제어부(140)는, 고주파 전원(180)을 제어하여, 코일(165)에 고주파 전력을 인가한다.
이 때, 제어부(140)는, 정합기(166)를 제어하여, 플라즈마(P)에 대한 제어를 행한다.
제어부(140)는, 고주파 전원(181)을 제어하여, 전극부(182)에 고주파 전력을 인가한다.
이 때, 제어부(140)는, 정합기(183)를 제어하여, 플라즈마(P)에 대한 제어를 행한다.
제어부(140)는, 배기부(169)를 제어하여, 세정 용기(161)의 내부를 배기한다.
이 때, 제어부(140)는, 압력 컨트롤러(170)를 제어하여, 세정 용기(161)의 내부 압력을 제어한다.
제어부(140)는, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구를 제어하여, 도어(173)의 개폐를 제어한다.
다음으로, 드라이 세정 장치(102)의 작용에 대하여 예시한다.
우선, 게이트 밸브(177)의 도어(173)를, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 개방한다.
도시하지 않은 반송 장치에 의해, 반입 반출구(179)로부터 피세정물(W)을 세정 용기(161) 내에 반입한다. 피세정물(W)은 전극부(182) 상에 적재되고, 전극부(182)에 내장된 유지 기구에 의해 유지된다.
도시하지 않은 반송 장치를 세정 용기(161)의 밖으로 퇴피시킨다.
다음으로, 도시하지 않은 게이트 개폐 기구에 의해 게이트 밸브(177)의 도어(173)를 폐쇄한다.
계속해서, 배기부(169)에 의해 세정 용기(161) 내를 배기한다.
다음으로, 공급부(168)로부터 처리 가스 도입구(162)를 통해 공간(163) 내에 처리 가스(G)가 공급된다.
처리 가스(G)는, 환원성 가스로 할 수 있다.
환원성 가스는, 예컨대, 암모니아 가스, 수소 가스, 암모니아 가스와 질소 가스의 혼합 가스, 수소 가스와 질소 가스의 혼합 가스 등이다.
다음으로, 고주파 전원(180)으로부터 100 KHz∼100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 코일(165)에 인가된다. 또한, 고주파 전원(181)으로부터 100 KHz∼100 MHz 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력이 전극부(182)에 인가된다. 또, 고주파 전원(180)과 고주파 전원(181)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수가 동일해지도록 하는 것이 바람직하다. 예컨대, 고주파 전원(180)과 고주파 전원(181)으로부터 인가되는 고주파 전력의 주파수를 13.56 MHz로 할 수 있다.
또한, 고주파 전원(180)은 3 KW 정도의 고주파 전력을 인가하고, 고주파 전원(181)은 1 KW 정도의 고주파 전력을 인가하는 것으로 할 수 있다.
그렇게 하면, 전극부(182)와 세정 용기(161)가 용량 결합형 전극을 구성하기 때문에, 전극부(182)와 세정 용기(161) 사이에 방전이 일어난다. 또한, 코일(165)이 유도 결합형 전극을 구성하기 때문에, 코일(165)로부터 유전체창(164)을 통해 고주파 전력이 세정 용기(161)의 내부에 도입된다. 그 때문에, 전극부(182)와 세정 용기(161) 사이에 생긴 방전과, 세정 용기(161)의 내부에 도입된 고주파 전력에 의해 공간(163)에 플라즈마(P)가 발생한다. 발생한 플라즈마(P)에 의해 처리 가스(G)가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온, 전자 등의 플라즈마 생성물(305)이 생성된다.
이 생성된 플라즈마 생성물(305)이, 공간(163) 내를 하강하여 피세정물(W)의 표면에 도달하고, 드라이 세정이 행해진다. 또, 플라즈마(P)의 제어는, 정합기(166, 183)에 내장되어 있는 튜닝 회로로 반사파를 제어함으로써 행한다.
다음으로, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 피세정물(W)이 전극부(182)로부터 취출되고, 드라이 세정 장치(102)의 외부로 반출된다.
다음으로, 본 실시형태에 관련된 세정 방법에 대하여 예시한다.
우선, 비교예에 관련된 세정 방법에 대하여 설명한다.
도 4의 (a)∼(c)는, 비교예에 관련된 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
또, 도 4는, 도 1에 있어서의 A 부의 확대도이다.
도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크(210)(피세정물(W))의 표면에 유기물을 포함하는 부착물(300)이 부착되어 있는 경우가 있다.
부착물(300)은, 예컨대, 흡수층(204)을 드라이 에칭 처리했을 때에 이용된 레지스트 마스크의 잔사나, 노광 공정에 있어서 반사형 마스크(210)에 부착된 유기물 등이다.
비교예에 관련된 세정 방법에 있어서는, 이하의 순서에 의해 부착물(300)의 제거, 즉, 세정을 행한다.
우선, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 오존수나, 황산과 과산화수소수의 혼합액(Sulfuric Acid Peroxide Mixture: SPM) 등의 산화성 물질을 포함하는 용액(301)을 반사형 마스크(210)의 표면에 공급하여 세정을 행한다.
유기물을 포함하는 부착물(300)은, 용액(301)에 의해 용해되어, 반사형 마스크(210)의 표면으로부터 제거된다.
그런데, 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)이 용액(301)과 접촉하기 때문에, 층(203b)이 용해된다. 그 때문에, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성된다.
또한, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)의 상부가 용액(301)에 의해 산화되어, 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)이 된다.
이 경우, 당초 형성되어 있었던 층(203b)의 두께는 감소하게 되지만, 새롭게 형성된 층(203b)의 두께가 더해지게 된다.
또한, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)의 두께는, 새롭게 층(203b)이 형성된 분만큼 감소하게 된다.
그 때문에, 캡핑층(203)에 있어서의 층(203b)의 비율이 증가하게 된다.
층(203b)의 비율이 증가하거나, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성되거나 하면, 반사율이 저하되게 된다.
즉, 반사형 마스크(210)의 광학 특성이 나빠질 우려가 있다.
다음으로, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 암모니아과산화수소수 세정(SC1 세정)이나 염산과산화수소수 세정(SC2 세정)을 더욱 행하는 경우가 있다.
암모니아과산화수소수 세정을 행하는 경우에는, 산화성 물질을 포함하는 용액(302)으로서, 암모니아수와 과산화수소수와 물의 혼합액을 이용한다.
염산과산화수소수 세정을 행하는 경우에는, 산화성 물질을 포함하는 용액(302)으로서, 염산과 과산화수소수와 물의 혼합액을 이용한다.
산화성 물질을 포함하는 용액(302)을 이용하는 경우에도, 캡핑층(203)에 있어서의 층(203b)의 비율이 변화되거나, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성되거나 하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층이 노출된 피세정물(W)을 산화성 물질을 포함하는 용액으로 세정하면, 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층의 비율이 변화되거나, 산화되기 쉬운 재료를 포함하는 층의 표면에 패임 등이 형성되거나 하게 된다.
그 때문에, 반사형 마스크(210)(피세정물(W))의 광학 특성이 열화될 우려가 있다.
다음으로, 본 실시형태에 관련된 세정 방법에 대하여 예시한다.
도 5의 (a)∼(c)는, 제1 용액(303) 및 제2 용액(304)을 이용한 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
예컨대, 도 5는, 세정 장치(101)를 이용한 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크(210)(피세정물(W))의 표면에 유기물을 포함하는 부착물(300)이 부착되어 있는 경우가 있다.
그 때문에, 이하의 순서에 의해 부착물(300)의 제거, 즉, 세정을 행한다.
우선, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1 용액(303)을 반사형 마스크(210)의 표면에 공급하여 부착물(300)을 제거된다.
유기물을 포함하는 부착물(300)은, 제1 용액(303)에 의해 용해되어, 반사형 마스크(210)의 표면으로부터 제거된다.
제1 용액(303)은, 이소프로필알콜 등의 알콜, 아세톤 등의 유기 용제, 또는 계면 활성제이다.
그 때문에, 유기물을 포함하는 부착물(300)은 용해되지만, 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)이 용해되거나, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)이 산화되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
즉, 산화성 물질을 포함하는 용액(301, 302)을 이용하는 경우와는 달리, 층(203b)의 비율이 증가하거나, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
다음으로, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2 용액(304)을 반사형 마스크(210)의 표면에 공급하여, 반사형 마스크(210)의 표면에 잔류하는 제1 용액(303)과 부착물(300)의 잔사를 제거한다.
반사형 마스크(210)의 표면에 잔류하는 제1 용액(303)과 부착물(300)의 잔사는, 제2 용액(304)에 의해 씻겨 내려간다.
제2 용액(304)은, 환원성 용액이나, 산소를 포함하지 않는 용액이다.
그 때문에, 제2 용액(304)을 이용하도록 하면, 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)이 용해되거나, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)이 산화되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
즉, 제2 용액(304)을 이용하도록 하면, 산화성 물질을 포함하는 용액(301, 302)을 이용하는 경우와는 달리, 층(203b)의 비율이 증가하거나, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
도 6은, 루테늄의 전위-pH 도(Pourbaix Diagram)이다.
도 6 중의 「O3W」는 오존수, 「SPM」은 과산화수소수와 황산의 혼합액, 「SC1」은 암모니아수와 과산화수소수와 물의 혼합액, 「SC2」는 염산과 과산화수소수와 물의 혼합액을 나타내고 있다.
또한, 「H2W」는 수소 함유수를 나타내고 있다.
또한, 도 6 중의 a, b의 파선은, 물의 생성, 분해에 관련된 2가지 반응의 전위를 나타낸다. 즉, a와 b 사이의 영역이 물의 안정 영역인 것을 나타내고 있다.
또한, 도 6의 종축은, 산화 환원 전위(Oxidation-reduction Potential; ORP), 횡축은 수소 이온 농도 지수를 가리킨다.
또한, 도 6은, corrosion(루테늄의 부식 속도가 큰 영역), passivation(루테늄에 산화 피막이 생성되는 영역), immunity(무구(無垢)의 루테늄이 안정되는 영역)의 3가지 영역으로 나뉘어져 있다. 수소 함유수는, immunity의 영역에 속하고, 또한 환원성이 다른 용액보다 높다.
도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 환원성 용액인 수소 함유수를 이용하도록 하면, 루테늄으로 이루어지는 층(203)이 용해되거나 산화되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 루테늄은 산화되기 쉬운 재료이다.
그 때문에, 산화성 물질을 포함하는 용액(301, 302)을 이용하지 않는 경우에도, 산화루테늄이 형성되는 경우가 있다.
이러한 경우, 제2 용액(304)으로서 수소 함유수 등의 환원성 용액을 이용하도록 하면, 산화루테늄의 일부가 환원되어 루테늄이 형성된다.
즉, 제2 용액(304)으로서 수소 함유수 등의 환원성 용액을 이용하도록 하면, 루테늄으로 이루어지는 층(203)의 수복을 도모할 수 있다.
또, 배치 처리 방식의 세정 장치인 경우에는, 반송 장치에 의해, 복수의 반사형 마스크(210)(피세정물(W))를 제1 용액(303)이 수납된 조에 투입함으로써, 피세정물(W)의 표면에 부착된 부착물(300)을 제거한다.
그리고, 반송 장치에 의해, 복수의 반사형 마스크(210)(피세정물(W))를 제1 용액(303)이 수납된 조로부터 취출하고, 제2 용액(304)이 수납된 조에 복수의 피세정물(W)을 투입한다.
제2 용액(304)이 수납된 조에 복수의 반사형 마스크(210)(피세정물(W))를 투입함으로써, 복수의 피세정물(W)의 표면에 잔류하는 제1 용액(303)과 부착물(300)의 잔사를 제거한다.
본 실시형태에 관련된 세정 방법에 의하면, 층(203b)의 비율이 증가하거나, 층(203b)의 표면에 패임 등이 형성되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
즉, 본 실시형태에 관련된 세정 방법에 의하면, 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층의 광학 특성의 열화를 억제할 수 있다.
다음으로, 다른 실시형태에 관련된 세정 방법에 대하여 예시한다.
도 7의 (a)∼(c)는, 환원성 가스를 이용한 드라이 세정과, 제2 용액(304)을 이용한 웨트 세정을 행하는 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
예컨대, 도 7은, 드라이 세정 장치(102)와, 적어도 세정부(10)와 제2 공급부(30)가 설치된 세정 장치(예컨대, 도 2에 예시한 세정 장치(101)로부터 제1 공급부(20)에 관한 부분이 제외된 장치)를 이용한 세정 방법을 예시하기 위한 모식 공정 단면도이다.
도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 반사형 마스크(210)(피세정물(W))의 표면에 유기물을 포함하는 부착물(300)이 부착되어 있는 경우가 있다.
그 때문에, 이하의 순서에 의해 부착물(300)의 제거, 즉, 세정을 행한다.
우선, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 환원성 가스(처리 가스(G))를 플라즈마(P)에 의해 여기, 활성화시켜 플라즈마 생성물(305)을 생성한다.
그리고, 플라즈마 생성물(305)을 반사형 마스크(210)의 표면에 공급하여 부착물(300)을 분해 제거된다.
플라즈마 생성물(305)은, 환원성 가스로부터 생성되기 때문에, 환원성을 갖는다.
그 때문에, 산화루테늄으로 이루어지는 층(203b)의 일부가 환원된다.
즉, 층(203b)의 표면에 패임이 형성되지 않고, 또한 층(203b)의 두께가 감소하고, 루테늄으로 이루어지는 층(203a)의 두께가 증가하게 된다.
즉, 캡핑층(203)에 있어서의 층(203b)의 비율이 감소하게 된다.
이 경우, 캡핑층(203)에 있어서의 층(203b)의 비율이 감소하면, 반사율은 높아진다.
그 때문에, 반사형 마스크(210)의 광학 특성을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2 용액(304)을 반사형 마스크(210)의 표면에 공급하여, 도 7의 (b)에 나타내는 세정에 의해 발생한 파티클이나, 반사형 마스크(210)의 표면에 잔류하는 부착물(300)의 잔사를 제거한다.
또, 제2 용액(304)에 의한 세정은, 도 5의 (c)에 있어서 예시한 것과 동일하게 할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
이상, 실시형태에 대하여 예시했다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것은 아니다.
전술한 실시형태에 관하여, 당업자가 적절하게, 구성 요소의 추가, 삭제 혹은 설계 변경을 행한 것, 또는, 공정의 추가, 생략 혹은 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대, 세정 장치(101), 드라이 세정 장치(102)에 설치된 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치 등은, 예시한 것에 한정되는 것이 아니라 적절하게 변경할 수 있다.
예컨대, 세정 장치(101)는 회전을 이용하는 것에 한정되지 않고, 초음파 진동을 이용하여 세정을 행하는 것이어도 좋다. 또한, 예컨대, 드라이 세정 장치(102)는, 2주파 플라즈마 처리 장치에 한정되지 않고, 리모트 플라즈마 처리 장치, 표면파 플라즈마(SWP) 처리 장치, 용량 결합 플라즈마(CCP) 처리 장치, 유도 결합 플라즈마(ICP) 처리 장치 등으로 적절하게 변경할 수 있다.
또한, 예컨대, 부착물(300)이 부착된 면은, 패턴 영역(216)이 형성된 면과는 반대측(피세정물(W)의 이면)이어도 좋다. 그 경우에는, 이면을 노즐(13)측으로 향하게 하여 세정부(10)의 적재대(11a)에 적재하도록 할 수 있다.
10: 세정부, 11: 적재부, 12: 커버, 13: 노즐, 20: 제1 공급부, 21: 수납부, 22: 용액 공급부, 23: 유량 조정부, 30: 제2 공급부, 31: 수납부, 32: 용액 공급부, 33: 유량 조정부, 40: 제어부, 101: 세정 장치, 102: 드라이 세정 장치, 140: 제어부, 161: 세정 용기, 168: 가스 공급부, 169: 배기부, 210: 반사형 마스크, 203: 캡핑층, 203a: 루테늄으로 이루어지는 층, 203b: 산화루테늄으로 이루어지는 층, 300: 부착물, 303: 제1 용액, 304: 제2 용액, G: 처리 가스, W: 피세정물

Claims (14)

  1. 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 유기 용제 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 용액을 공급하는 제1 공급부; 및
    상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부
    를 구비한, 반사형 마스크의 세정 장치.
  2. 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 제3 공급부; 및
    상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 제2 공급부
    를 구비한, 반사형 마스크의 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공급부는, 표면에 유기물이 부착되어 있는 상기 반사형 마스크에 상기 제1 용액을 공급하는 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제3 공급부는, 표면에 유기물이 부착되어 있는 상기 반사형 마스크에 상기 플라즈마 생성물을 공급하는 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 캡핑층은, 산화루테늄을 더 포함하고,
    상기 제2 공급부는, 상기 환원성 용액 및 상기 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급함으로써 상기 산화루테늄을 환원하여, 상기 캡핑층에 있어서의 상기 산화루테늄의 비율을 감소시키는 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반사형 마스크는, 패턴 영역과, 상기 패턴 영역을 둘러싸도록 하여 형성된 차광 영역을 갖고, 상기 패턴 영역에 있어서 상기 캡핑층이 노출되어 있는 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 환원성 가스는, 암모니아 또는 수소를 포함하는 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용제는, 이소프로필알콜 또는 아세톤인 것인, 반사형 마스크의 세정 장치.
  9. 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 유기 용제 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 제1 용액을 공급하는 공정; 및
    상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 공정
    을 포함한, 반사형 마스크의 세정 방법.
  10. 반사형 마스크에 형성된 루테늄을 포함하는 캡핑층에, 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 공정; 및
    상기 캡핑층에, 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 공정
    을 포함한, 반사형 마스크의 세정 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 용액을 공급하는 공정에 있어서,
    표면에 유기물이 부착되어 있는 상기 반사형 마스크에 상기 제1 용액이 공급되는 것인, 반사형 마스크의 세정 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 환원성 가스로부터 생성된 플라즈마 생성물을 공급하는 공정에 있어서,
    표면에 유기물이 부착되어 있는 상기 반사형 마스크에 상기 플라즈마 생성물이 공급되는 것인, 반사형 마스크의 세정 방법.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 반사형 마스크는, 패턴 영역과, 상기 패턴 영역을 둘러싸도록 하여 형성된 차광 영역을 갖고, 상기 패턴 영역에 있어서 상기 캡핑층이 노출되어 있는 것인, 반사형 마스크의 세정 방법.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 캡핑층은, 산화루테늄을 더 포함하고,
    상기 환원성 용액 및 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급하는 공정에 있어서,
    상기 환원성 용액 및 상기 산소를 포함하지 않는 용액 중 적어도 어느 하나를 공급함으로써 상기 산화루테늄을 환원하여, 상기 캡핑층에 있어서의 상기 산화루테늄의 비율을 감소시키는 것인, 반사형 마스크의 세정 방법.
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