TWI585509B - A cleaning device for a reflection type cover, and a cleaning method of a reflection type cover - Google Patents

A cleaning device for a reflection type cover, and a cleaning method of a reflection type cover Download PDF

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TWI585509B
TWI585509B TW104106888A TW104106888A TWI585509B TW I585509 B TWI585509 B TW I585509B TW 104106888 A TW104106888 A TW 104106888A TW 104106888 A TW104106888 A TW 104106888A TW I585509 B TWI585509 B TW I585509B
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Daisuke Matsushima
Kensuke Demura
Masafumi Suzuki
Satoshi Nakamura
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

反射型罩之清潔裝置、及反射型罩之清潔方法
本發明之實施形態係關於一種反射型罩之清潔裝置、及反射型罩之清潔方法。
存在具有包含釕(Ru)等容易氧化之材料之層的構件。
例如，使用極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)進行微細圖案之轉印之EUV微影法中所使用的反射型罩具有包含釕之覆蓋層(亦稱為擋止層等)。
於該反射型罩之製造中，藉由於基板之主面，依序形成反射層、覆蓋層、及吸收層，並對吸收層進行乾式蝕刻處理，而形成具有所期望之圖案的圖案區域。然後，藉由對吸收層、覆蓋層及反射層進行乾式蝕刻處理，而形成包圍圖案區域之遮光區域(亦稱為遮光框等)。
此處，對吸收層進行乾式蝕刻處理時所使用之抗蝕劑遮罩係藉由使用臭氧水、或硫酸與雙氧水之混合液進行清潔而去除。
然而，若於覆蓋層係由釕形成之情形時進行此種清潔，則釕會氧化而形成氧化釕。
而且，若形成氧化釕，則會產生反射率降低之問題。
又，於在EUV微影裝置中使用反射型罩之情形時，存在由於包含自抗蝕劑產生之有機物之氣體到達反射型罩，而使有機物附著於反射型罩的情形。
附著於反射型罩之有機物亦藉由使用臭氧水、或硫酸與雙氧水之混合液進行清潔而去除(例如參照專利文獻1)。
又，就反射型罩而言，於上述清潔步驟或乾式蝕刻步驟中之處理、或於處理裝置間搬送之中途，存在暴露於包含氧氣之環境中的情況。
包含釕之覆蓋層之一部分自吸收層露出。
因此，產生如下問題：於露出之部分形成氧化釕，而使反射率降低，作為反射型罩之光學特性劣化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-181657號公報
本發明所欲解決之問題在於提供一種可抑制設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層之光學特性之劣化的反射型罩之清潔裝置、及反射型罩之清潔方法。
實施形態之反射型罩之清潔裝置具備：第1供給部，其對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給包含有機溶劑及界面活性劑中之至少任一者之第1溶液；及第2供給部，其對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
又，另一實施形態之反射型罩之清潔裝置具備：第3供給部，其對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給由還原性氣體生成之電漿生成物；及第2供給部，其對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
根據本發明之實施形態，提供一種可抑制設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層之光學特性之劣化的清潔裝置及清潔方法。
10‧‧‧清潔部
11‧‧‧載置部
11a‧‧‧載置台
11a1‧‧‧載置面
11b‧‧‧旋轉軸
11c‧‧‧驅動部
12‧‧‧外罩
12a‧‧‧彎曲部
12b‧‧‧插通部
12c‧‧‧排出口
12d‧‧‧開閉閥
12e‧‧‧配管
13‧‧‧噴嘴
13a‧‧‧噴出口
13b‧‧‧供給口
13c‧‧‧供給口
20‧‧‧第1供給部
21‧‧‧收納部
22‧‧‧溶液供給部
23‧‧‧流量調整部
24‧‧‧配管
30‧‧‧第2供給部
31‧‧‧收納部
32‧‧‧溶液供給部
33‧‧‧流量調整部
34‧‧‧配管
40‧‧‧控制部
101‧‧‧清潔裝置
102‧‧‧乾式清潔裝置
140‧‧‧控制部
161‧‧‧清潔容器
162‧‧‧處理氣體導入口
163‧‧‧空間
164‧‧‧介電窗
165‧‧‧線圈
166‧‧‧整合器
167‧‧‧排氣口
168‧‧‧氣體供給部
169‧‧‧排氣部
170‧‧‧壓力控制器
173‧‧‧門
174‧‧‧密封構件
177‧‧‧閘閥
179‧‧‧搬入搬出口
180‧‧‧高頻電源
181‧‧‧高頻電源
182‧‧‧電極部
183‧‧‧控制整合器
184‧‧‧絕緣環
201‧‧‧基板
202‧‧‧反射層
202a‧‧‧鉬層
202b‧‧‧矽層
203‧‧‧覆蓋層
203a‧‧‧包含釕之層
203b‧‧‧包含氧化釕之層
204‧‧‧吸收層
204a‧‧‧吸收體層
204b‧‧‧防反射層
205‧‧‧導電層
210‧‧‧反射型罩
216‧‧‧圖案區域
217‧‧‧遮光區域
300‧‧‧附著物
301‧‧‧包含氧化性物質之溶液
302‧‧‧包含氧化性物質之溶液
303‧‧‧第1溶液
304‧‧‧第2溶液
305‧‧‧電漿生成物
G‧‧‧處理氣體
P‧‧‧電漿
W‧‧‧被清潔物
圖1係用以例示成為被清潔物W之反射型罩210之模式剖視圖。
圖2係用以例示本實施形態之清潔裝置101之模式圖。
圖3係用以例示乾式清潔裝置102之模式圖。
圖4(a)~(c)係用以例示比較例之清潔方法之模式步驟剖視圖。
圖5(a)~(c)係用以例示使用第1溶液303及第2溶液304之清潔方法之模式步驟剖視圖。
圖6係釕之電位-pH值圖(Pourbaix Diagram)。
圖7(a)~(c)係用以例示進行使用還原性氣體之乾式清潔、與使用第2溶液304之濕式清潔之清潔方法的模式步驟剖視圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行例示。再者，於各圖式中，對相同之構成要素標註同一符號並適當省略詳細說明。
被清潔物W可為露出包含容易氧化之材料之層者。
被清潔物W例如可為具有包含釕之覆蓋層之反射型罩、具有包含釕之覆蓋層之基板(處於反射型罩之製造過程中之基板)等。
圖1係用以例示成為被清潔物W之反射型罩210之模式剖視圖。
如圖1所示，於基板201之一主面，依序積層有反射層202、覆蓋層203、及吸收層204。
又，於基板201之另一主面，形成有導電層205。
基板201例如係由低熱膨脹材料(LTEM；Low Thermal Expansion Material)或石英等形成。
反射層202係以交替地積層鉬(Mo)層202a與矽(Si)層202b之方式形成者。例如，反射層202可為積層有約40對~50對鉬層與矽層之對 而成者。
覆蓋層203包含釕。於該情形時，覆蓋層203可為積層有包含釕之層203a與包含氧化釕之層203b者。
吸收層204具有吸收體層204a及防反射層204b。
吸收體層204a例如包含鉭之氮化物(例如氮化鉭硼(TaBN)、氮化鉭(TaN)等)或鉻之氮化物(例如氮化鉻(CrN)等)等。
防反射層204b例如包含鉭之氧化物(例如氧化鉭硼(TaBO)、氧化鉭(TaO)等)或鉻之氧化物(例如氧化鉻(CrOx)等)等。
導電層205例如包含氮化鉻等。
於圖案區域216，形成有要轉印之圖案(例如電路圖案等)。
遮光區域217係以包圍圖案區域216之方式形成。
如圖1中之A部分所示，於圖案區域216中，露出包含釕之覆蓋層203。
因此，若使用臭氧水或過硫酸進行清潔，則存在露出覆蓋層203之部分被氧化而形成氧化釕之情形。
又，存在如下情形：被清潔物W於乾式蝕刻時之搬送步驟等中暴露於包含氧氣之環境中，於進行清潔前，覆蓋層203露出之部分被氧化而形成氧化釕。
若形成氧化釕，則產生反射率降低之問題。
即，產生反射型罩210之光學特性劣化之問題。
圖2係用以例示本實施形態之清潔裝置101之模式圖。
清潔裝置101係單片處理方式之清潔裝置。
如圖2所示，於清潔裝置101中，設置有清潔部10、第1供給部20、第2供給部30、及控制部40。
於清潔部10中，設置有載置部11、外罩12、及噴嘴13。
於載置部11中，設置有載置台11a、旋轉軸11b、及驅動部11c。
載置台11a呈板狀。
又，於載置台11a之一主面設置有凹部，凹部之底面成為載置被清潔物W之載置面11a1。
因此，藉由於載置台11a之凹部之內部收納被清潔物W，而可實現被清潔物W之載置與被清潔物W之機械保持。
於該情形時，被清潔物W係使包含容易氧化之材料之層(例如包含釕之覆蓋層203)朝向噴嘴13側而載置。
再者，亦可藉由設置於載置台11a之未圖示之真空夾頭或靜電夾頭而保持被清潔物W。
旋轉軸11b呈柱狀。
旋轉軸11b之一端部係連接於載置台11a之與載置面11a1對向之面。
旋轉軸11b通過插通部12b之內部，而延伸至外罩12之外部。
旋轉軸11b之另一端部於外罩12之外部與驅動部11c連接。
驅動部11c可具有馬達等旋轉機器。
驅動部11c之旋轉力係經由旋轉軸11b而傳遞至載置台11a。
因此，可藉由驅動部11c而使載置台11a、進而是載置於載置台11a之被清潔物W旋轉。
又，驅動部11c可設為不僅可實現旋轉與旋轉之停止，亦可使轉數(旋轉速度)變化者。於該情形時，驅動部11c可具有伺服馬達等控制馬達。
外罩12覆蓋載置台11a之周圍。
外罩12接收第1溶液303、第2溶液304、及自被清潔物W之表面去除之附著物300，上述第1溶液303、第2溶液304係被供給至被清潔物W、且藉由使被清潔物W旋轉而被排出至被清潔物W之外部。
於外罩12之側壁之上部，設置有朝向中心方向彎曲之彎曲部 12a。若設置彎曲部12a，則可容易捕捉向被清潔物W之上方飛散之第1溶液303、第2溶液304、及已去除之附著物300。
於外罩12之底面之中央部分，設置有朝向外罩12之內部突出的筒狀之插通部12b。
由於插通部12b朝向外罩12之內部突出，因此可抑制第1溶液303或第2溶液304自旋轉軸11b伸出至外罩12之外部的部分洩漏。
於外罩12之底面，設置有排出口12c。
於排出口12c，可設置開閉閥12d。
又，亦可將配管12e連接於開閉閥12d，並經由配管12e而將開閉閥12d與未圖示之工廠配管或回收裝置等連接。
於該情形時，亦可於外罩12之底面設置朝向排出口12c傾斜之傾斜面。若設置此種傾斜面，則可容易地排出流出至外罩12之底面側的第1溶液303、第2溶液304、及已去除之附著物300。
又，亦可設置使外罩12升降之未圖示之升降裝置。
若設置使外罩12升降之未圖示之升降裝置，則可於被清潔物W之搬入搬出時使外罩12下降，而使載置台11a自外罩12露出。
因此，可容易地進行被清潔物W對載置台11a之交接。
噴嘴13具有用以朝向被清潔物W噴出第1溶液303或第2溶液304之噴出口13a。
噴嘴13係以使噴出口13a朝向載置台11a之載置面11a1之方式設置。
又，噴嘴13具有用以供給第1溶液303之供給口13b、及用以供給第2溶液304之供給口13c。
再者，例示了具有供給口13b與供給口13c之噴嘴13，但亦可為具有供給第1溶液303及第2溶液304之單一供給口的噴嘴13。
又，亦可分開設置噴出第1溶液303之噴嘴、及噴出第2溶液304 之噴嘴。
噴嘴13可固定於特定位置，亦能以可於載置台11a之上方移動之方式設置。
此處，藉由自噴嘴13朝向被清潔物W依序噴出第1溶液303與第2溶液304，而可去除附著於被清潔物W之表面之包含有機物之附著物300。
再者，關於附著物之去除之詳細情況於下文敍述(參照圖5)。
於第1供給部20，設置有收納部21、溶液供給部22、流量調整部23、及配管24。
收納部21收納第1溶液303。
第1溶液303可為異丙醇(isopropyl alcohol)等醇類、丙酮(acetone)等有機溶劑、或界面活性劑。
溶液供給部22係連接於收納部21。溶液供給部22朝向噴嘴13供給第1溶液303，該第1溶液303係收納於收納部21之內部。
溶液供給部22可為具有對第1溶液303之耐性之泵等。溶液供給部22例如可為化學泵等。
但溶液供給部22並不限定於泵。例如，溶液供給部22亦可為對收納部21之內部供給氣體，而壓送收納部21之內部所收納之第1溶液303者。
流量調整部23係連接於溶液供給部22。流量調整部23調整藉由溶液供給部22而供給之第1溶液303之流量。流量調整部23例如可為流量調整閥。
又，流量調整部23亦可為亦能進行第1溶液303之供給與供給之停止者。
配管24之一端係連接於流量調整部23。配管24之另一端係連接於噴嘴13之供給口13b。
於第2供給部30，設置有收納部31、溶液供給部32、流量調整部33、及配管34。
收納部31收納第2溶液304。
第2溶液304例如可為還原性溶液或不含氧之溶液。
還原性溶液例如可為含氫之水等。含氫之水例如可藉由於超純水中添加氫氣而產生。
不含氧之溶液例如可為脫氧水等。
溶液供給部32係連接於收納部31。溶液供給部32朝向噴嘴13供給第2溶液304，該第2溶液304係收納於收納部31之內部。
溶液供給部32可為泵等。
但，溶液供給部32並不限定於泵。例如，溶液供給部32亦可為對收納部31之內部供給氣體，而壓送收納部31之內部所收納之第2溶液304者。
流量調整部33係連接於溶液供給部32。流量調整部33調整藉由溶液供給部32而供給之第2溶液304之流量。流量調整部33例如可為流量調整閥。
又，流量調整部33亦可為亦能進行第2溶液304之供給與供給之停止者。
配管34之一端係連接於流量調整部33。配管34之另一端係連接於噴嘴13之供給口13c。
控制部40控制設置於清潔裝置101之要素之動作。
例如，控制部40控制驅動部11c，從而控制載置台11a、進而是載置於載置台11a之被清潔物W之旋轉、旋轉之停止、及轉數(旋轉速度)。
控制部40控制開閉閥12d，從而控制第1溶液303或第2溶液304等自外罩12之排出。
控制部40控制溶液供給部22，從而控制第1溶液303之供給、與 供給之停止、及供給時間等。
控制部40控制流量調整部23，從而控制第1溶液303之流量(供給量)。
控制部40控制溶液供給部32，從而控制第2溶液304之供給、與供給之停止、及供給時間等。
控制部40控制流量調整部33，從而控制第2溶液304之流量(供給量)。
又，亦可設置對第1溶液303及第2溶液304中之至少任一者施加超音波振動之超音波振動裝置。
例如，可將超音波振動裝置內置於噴嘴13或載置台11a等。
又，亦可設置對於自外罩12之排出口12c排出之第1溶液303及第2溶液304進行回收且予以再利用的回收裝置。
其次，對清潔裝置101之作用進行例示。
首先，藉由未圖示之搬送裝置，將被清潔物W載置於載置台11a之載置面11a1。
此時，被清潔物W係使附著有附著物300之面朝向噴嘴13側而載置。
其次，藉由第1供給部20，自噴嘴13噴出第1溶液303，而對被清潔物W之表面供給第1溶液303。
此時，溶液供給部22朝向噴嘴13供給第1溶液303，該第1溶液303收納於收納部21之內部。
流量調整部23調整藉由溶液供給部22而供給之第1溶液303之流量。
藉由溶液供給部22或流量調整部23，而控制第1溶液303之供給時間。
再者，第1溶液303之供給時間可藉由預先進行實驗或模擬而求 出。
又，於第1溶液303之供給開始前、供給中、及供給開始後之任一期間，藉由驅動部11c而使載置台11a、進而是載置於載置台11a之被清潔物W旋轉。
藉由使被清潔物W旋轉，而使所供給之第1溶液303遍佈被清潔物W之表面之全域。又，藉由使被清潔物W旋轉，而將供給至被清潔物W之第1溶液303排出至被清潔物W之外部。
又，藉由第1溶液303而溶解之附著物300亦被排出至被清潔物W之外部。
排出至被清潔物W之外部之第1溶液303與附著物300係藉由外罩12接收，且自排出口12c排出。
其次，藉由第2供給部30，自噴嘴13噴出第2溶液304，從而對已去除附著物300之被清潔物W之表面供給第2溶液304。
此時，溶液供給部32朝向噴嘴13供給第2溶液304，該第2溶液304收納於收納部31之內部。
流量調整部33調整藉由溶液供給部32而供給之第2溶液304之流量。
藉由溶液供給部32或流量調整部33而控制第2溶液304之供給時間。
再者，第2溶液304之供給時間可藉由預先進行實驗或模擬而求出。
又，於第2溶液304之供給開始前、供給中、及供給開始後之任一期間，藉由驅動部11c而使載置台11a、進而是載置於載置台11a之被清潔物W旋轉。
藉由使被清潔物W旋轉，而使所供給之第2溶液304遍佈被清潔物W之表面全域。又，藉由使被清潔物W旋轉，而將第2溶液304與附著 物300之殘渣排出至被清潔物W之外部。
排出至被清潔物W之外部之第2溶液304與附著物300之殘渣係藉由外罩12接收，且自排出口12c排出。
再者，第1溶液303與第2溶液304之供給亦可反覆進行特定次數。
又，於反覆進行第1溶液303與第2溶液304之供給之情形時，亦可於經過預先設定之特定時間之情形時、或於藉由未圖示之檢測裝置無法檢測到附著物300之情形時，停止該等之供給。
其次，藉由未圖示之搬送裝置，自載置台11a之載置面11a1取出被清潔物W，將其搬出至清潔裝置101之外部。
再者，例示了設置有清潔部10、第1供給部20、及第2供給部30之清潔裝置101，但亦可分割為設置有清潔部10與第1供給部20之清潔裝置、及設置有清潔部10與第2供給部30之清潔裝置。
設置有清潔部10與第1供給部20之清潔裝置自圖2所例示之清潔裝置101除去與第2供給部30相關之部分即可。
設置有清潔部10與第2供給部30之清潔裝置係自圖2所例示之清潔裝置101去除與第1供給部20相關之部分即可。
以上係清潔裝置101為單片處理方式之清潔裝置之情形。
清潔裝置亦可為批次處理方式之清潔裝置。
例如可具備：收納有第1溶液303之槽；收納有第2溶液304之槽；及搬送裝置，其將被清潔物W投入至收納有第1溶液303之槽及收納有第2溶液304之槽中，或自槽中取出被清潔物W。
又，亦可代替設置有清潔部10與第1供給部20之清潔裝置，而使用乾式清潔裝置102，該乾式清潔裝置102使用氨氣(NH3)或氫氣(H2)等還原性氣體。
即，亦可為具有使用還原性氣體之乾式清潔裝置102、及設置有 清潔部10與第2供給部30之清潔裝置(濕式清潔裝置)者。
圖3係用以例示乾式清潔裝置102之模式圖。
圖3所例示之乾式清潔裝置102為雙頻電漿處理裝置。
如圖3所示，於乾式清潔裝置102，設置有清潔容器161、閘閥177、氣體供給部168、排氣部169、及控制部140。
清潔容器161係由鋁等導電性材料形成，可維持減壓環境。於清潔容器161之頂面中央部分，設置有用以導入處理氣體G之處理氣體導入口162。
處理氣體G係自供給部168經由處理氣體導入口162而供給至清潔容器161之內部。當對清潔容器161之內部供給處理氣體G時，藉由內置於氣體供給部168之調整裝置而調整處理氣體G之流量或壓力等。
處理氣體G可為還原性氣體。
還原性氣體例如為氨氣、氫氣、氨氣與氮氣之混合氣體、氫氣與氮氣之混合氣體等。即，可為包含氨氣或氫氣之氣體，亦可為僅氨氣、僅氫氣之氣體、或氨氣及氫氣中之至少任一者與氮氣之混合氣體等。
於清潔容器161之頂面部分、且為處理氣體導入口162之徑外方向部分，設置有包含介電體材料(例如石英等)之介電窗164。於介電窗164之表面，設置有包含導電體之線圈165。線圈165之一端接地，另一端係經由整合器166而連接於高頻電源180。
於清潔容器161之內部，設置有用以對被清潔物W進行乾式清潔之空間163。
於空間163之下方設置有電極部182。於電極部182，經由整合器183而連接有高頻電源181。又，清潔容器161接地。
乾式清潔裝置102係於上部具有電感耦合型電極、於下部具有電容耦合型電極之雙頻電漿處理裝置。即，電極部182與清潔容器161構 成電容耦合型電極，又，線圈165構成電感耦合型電極。
高頻電源181可具有100KHz~100MHz左右之頻率，對電極部182施加0.15 KW~1 KW左右之高頻電力。
高頻電源180可具有100KHz~100MHz左右之頻率，對線圈165施加1 KW~5 KW左右之高頻電力。
於整合器166、183內置有調諧電路，藉由以調諧電路控制反射波，而可對電漿P進行控制。
於乾式清潔裝置102中，電極部182、清潔容器161、高頻電源181、高頻電源180、線圈165、氣體供給部168等成為第3供給部，該第3供給部係對被清潔物W之表面供給由還原性氣體生成之電漿生成物。
第3供給部發揮與上述第1供給部20相同之作用。即，第3供給部去除附著於被清潔物W之表面之附著物300。
電極部182之周圍係由絕緣環184覆蓋。於電極部182可載置被清潔物W，且內置有用以保持被清潔物W之保持機構(例如靜電夾頭)、或用以進行被清潔物W之交接之交接部(例如頂起銷)等。
於清潔容器161之底部設置有排氣口167，於排氣口167經由壓力控制器170而連接有排氣部169(例如真空泵)。排氣部169係以使清潔容器161之內部成為特定壓力之方式排氣。
於清潔容器161之側壁，設置有用以將被清潔物W搬入搬出之搬入搬出口179，且以可將搬入搬出口179氣密地閉鎖之方式設置有閘閥177。閘閥177具有具備如O形環(O ring)之密封構件174的門173。門173係藉由未圖示之閘開閉機構而開閉。於門173關閉時，密封構件174被壓抵至搬入搬出口179之壁面，從而將搬入搬出口179氣密地閉鎖。
控制部140對設置於乾式清潔裝置102之各要素之動作進行控 制。
例如，控制部140對供給部168進行控制，從而對清潔容器161之內部供給處理氣體G。
此時，控制部140藉由內置於氣體供給部168之調整裝置而控制處理氣體G之流量或壓力等。
控制部140控制高頻電源180，而對線圈165施加高頻電力。
此時，控制部140控制整合器166，而對電漿P進行控制。
控制部140控制高頻電源181，而對電極部182施加高頻電力。
此時，控制部140控制整合器183，而對電漿P進行控制。
控制部140控制排氣部169，而將清潔容器161之內部排氣。
此時，控制部140控制壓力控制器170，而控制清潔容器161之內部壓力。
控制部140控制未圖示之閘開閉機構，而控制門173之開閉。
其次，對乾式清潔裝置102之作用進行例示。
首先，藉由未圖示之閘開閉機構而打開閘閥177之門173。
藉由未圖示之搬送裝置，自搬入搬出口179將被清潔物W搬入清潔容器161內。被清潔物W係載置於電極部182上，且藉由內置於電極部182之保持機構而被保持。
使未圖示之搬送裝置退避至清潔容器161外。
其次，藉由未圖示之閘開閉機構而關閉閘閥177之門173。
繼而，藉由排氣部169而將清潔容器161內排氣。
其次，自供給部168經由處理氣體導入口162而對空間163內供給處理氣體G。
處理氣體G可為還原性氣體。
還原性氣體例如為氨氣、氫氣、氨氣與氮氣之混合氣體、氫氣與氮氣之混合氣體等。
其次，自高頻電源180對線圈165施加具有100KHz~100MHz左右之頻率之高頻電力。又，自高頻電源181對電極部182施加具有100KHz~100MHz左右之頻率之高頻電力。再者，較佳為自高頻電源180與高頻電源181施加之高頻電力之頻率相同。例如，可將自高頻電源180與高頻電源181施加之高頻電力之頻率設為13.56MHz。
又，高頻電源180可施加3 KW左右之高頻電力，高頻電源181可施加1 KW左右之高頻電力。
如此，由於電極部182與清潔容器161構成電容耦合型電極，因此於電極部182與清潔容器161間會產生放電。又，由於線圈165構成電感耦合型電極，因此自線圈165經由介電窗164而將高頻電力導入至清潔容器161之內部。因此，藉由於電極部182與清潔容器161之間產生之放電、與導入至清潔容器161之內部之高頻電力而於空間163產生電漿P。藉由所產生之電漿P激發處理氣體G而使其活化，從而產生中性活性種、離子、電子等電漿生成物305。
該產生之電漿生成物305於空間163內下降而到達被清潔物W之表面，從而進行乾式清潔。再者，電漿P之控制係藉由以內置於整合器166、183之調諧電路控制反射波而進行。
其次，藉由未圖示之搬送裝置，自電極部182取出被清潔物W，搬出至乾式清潔裝置102之外部。
其次，對本實施形態之清潔方法進行例示。
首先，對比較例之清潔方法進行說明。
圖4(a)~(c)係用以例示比較例之清潔方法之模式步驟剖視圖。
再者，圖4係圖1中之A部分之放大圖。
如圖4(a)所示，存在於反射型罩210(被清潔物W)之表面附著有包含有機物之附著物300之情形。
附著物300例如為對吸收層204進行乾式蝕刻處理時所使用之抗 蝕劑遮罩之殘渣、或於曝光步驟中附著於反射型罩210之有機物等。
於比較例之清潔方法中，藉由以下之程序進行附著物300之去除、即清潔。
首先，如圖4(b)所示，對反射型罩210之表面供給臭氧水、或硫酸與雙氧水之混合液(Sulfuric Acid Peroxide Mixture：SPM)等包含氧化性物質之溶液301而進行清潔。
包含有機物之附著物300係藉由溶液301而溶解，從而自反射型罩210之表面去除。
然而，由於包含氧化釕之層203b與溶液301接觸，因此層203b被溶解。因此，會於層203b之表面形成凹陷等。
又，包含釕之層203a之上部被溶液301氧化，而成為包含氧化釕之層203b。
於該情形時，雖當初形成之層203b之厚度減少，但新形成之層203b之厚度有所增加。
又，包含釕之層203a之厚度減少了相當於新的層203b之形成量。
因此，層203b於覆蓋層203中之比率增加。
若層203b之比率增加、或於層203b之表面形成凹陷等，則會使反射率降低。
即，有反射型罩210之光學特性變差之虞。
其次，如圖4(c)所示，存在進而進行氨水雙氧水清潔(SC1清潔)或鹽酸雙氧水清潔(SC2清潔)之情形。
於進行氨水雙氧水清潔之情形時，作為包含氧化性物質之溶液302，使用氨水、雙氧水及水之混合液。
於進行鹽酸雙氧水清潔之情形時，作為包含氧化性物質之溶液302，使用鹽酸、雙氧水及水之混合液。
於使用包含氧化性物質之溶液302之情形時，亦會使層203b於覆 蓋層203中之比率變化，或於層203b之表面形成凹陷等。
如以上說明般，若對露出包含容易氧化之材料之層的被清潔物W藉由包含氧化性物質之溶液進行清潔，則會使包含容易氧化之材料之層之比率變化，或於包含容易氧化之材料之層之表面形成凹陷等。
因此，有反射型罩210(被清潔物W)之光學特性劣化之虞。
其次，對本實施形態之清潔方法進行例示。
圖5(a)~(c)係用以例示使用第1溶液303及第2溶液304之清潔方法的模式步驟剖視圖。
例如，圖5係用以例示使用清潔裝置101之清潔方法之模式步驟剖視圖。
如圖5(a)所示，存在於反射型罩210(被清潔物W)之表面附著有包含有機物之附著物300之情形。
因此，藉由以下之程序進行附著物300之去除、即清潔。
首先，如圖5(b)所示，對反射型罩210之表面供給第1溶液303而去除附著物300。
包含有機物之附著物300係藉由第1溶液303而溶解，從而自反射型罩210之表面被去除。
第1溶液303為異丙醇等醇、丙酮等有機溶劑、或界面活性劑。
因此，雖包含有機物之附著物300被溶解，但可抑制包含氧化釕之層203b被溶解、或包含釕之層203a被氧化。
即，與使用包含氧化性物質之溶液301、302之情形不同，可抑制層203b之比率增加、或於層203b之表面形成凹陷等。
其次，如圖5(c)所示，對反射型罩210之表面供給第2溶液304，將殘留於反射型罩210之表面之第1溶液303與附著物300之殘渣去除。
殘留於反射型罩210之表面之第1溶液303與附著物300之殘渣係藉由第2溶液304而沖洗。
第2溶液304為還原性溶液或不含氧之溶液。
因此，若使用第2溶液304，則可抑制包含氧化釕之層203b被溶解、或包含釕之層203a被氧化。
即，若使用第2溶液304，則與使用包含氧化性物質之溶液301、302之情形不同，可抑制層203b之比率增加、或於層203b之表面形成凹陷等。
圖6係釕之電位-pH值圖(Pourbaix Diagram)。
圖6中之「O3W」表示臭氧水，「SPM」表示雙氧水與硫酸之混合液，「SC1」表示氨水、雙氧水及水之混合液，「SC2」表示鹽酸、雙氧水及水之混合液。
又，「H2W」表示含氫之水。
又，圖6中之a、b之虛線表示與水之產生、分解相關之2個反應的電位。即，a與b之間之區域表示水之穩定區域。
又，圖6之縱軸係指氧化還原電位(Oxidation-reduction Potential；ORP)，橫軸係指氫氣離子濃度指數。
又，圖6被分為corrosion(腐蝕)(釕之腐蝕速度較快之區域)、passivation(鈍化)(於釕產生氧化覆膜之區域)、及immunity(免疫)(無垢之釕穩定之區域)之三個區域。含氫之水屬於immunity之區域，進而還原性高於其他溶液。
自圖6可知，若使用還原性溶液含氫之水，則可抑制包含釕之層203溶解或氧化。
又，釕為容易氧化之材料。
因此，即便於不使用包含氧化性物質之溶液301、302之情形時，亦存在形成氧化釕之情形。
於此種情形時，若使用含氫之水等還原性溶液作為第2溶液304，則氧化釕之一部分被還原而形成釕。
即，若使用含氫之水等還原性溶液作為第2溶液304，則可實現包含釕之層203之修復。
再者，於批次處理方式之清潔裝置之情形時，藉由搬送裝置而將複數個反射型罩210(被清潔物W)投入至收納有第1溶液303之槽，藉此去除附著於被清潔物W之表面之附著物300。
然後，藉由搬送裝置，將複數個反射型罩210(被清潔物W)自收納有第1溶液303之槽中取出，將複數個被清潔物W投入至收納有第2溶液304之槽。
藉由將複數個反射型罩210(被清潔物W)投入至收納有第2溶液304之槽，而去除殘留於複數個被清潔物W之表面之第1溶液303與附著物300之殘渣。
藉由本實施形態之清潔方法，可抑制層203b之比率增加、或於層203b之表面形成凹陷等。
即，藉由本實施形態之清潔方法，可抑制設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層之光學特性之劣化。
其次，對另一實施形態之清潔方法進行例示。
圖7(a)~(c)係用以例示進行使用還原性氣體之乾式清潔、與使用第2溶液304之濕式清潔的清潔方法之模式步驟剖視圖。
例如，圖7係用以例示使用乾式清潔裝置102、及至少設置有清潔部10與第2供給部30之清潔裝置(例如為自圖2所例示之清潔裝置101去除與第1供給部20相關之部分之裝置)的清潔方法之模式步驟剖視圖。
如圖7(a)所示，存在於反射型罩210(被清潔物W)之表面附著有包含有機物之附著物300之情形。
因此，藉由以下之程序進行附著物300之去除、即清潔。
首先，如圖7(b)所示，藉由電漿P激發還原性氣體(處理氣體G)而 使其活化，從而產生電漿生成物305。
然後，對反射型罩210之表面供給電漿生成物305而分解去除附著物300。
由於電漿生成物305係由還原性氣體生成，因此具有還原性。
因此，將包含氧化釕之層203b之一部分還原。
即，於層203b之表面不會形成凹陷，進而使層203b之厚度減少，使包含釕之層203a之厚度增加。
即，層203b於覆蓋層203中之比率減少。
於該情形時，若層203b於覆蓋層203中之比率減少，則反射率變高。
因此，可提昇反射型罩210之光學特性。
其次，如圖7(c)所示，對反射型罩210之表面供給第2溶液304，去除因圖7(b)所示之清潔產生之微粒、或殘留於反射型罩210之表面之附著物300之殘渣。
再者，藉由第2溶液304進行之清潔可與圖5(c)中例示者相同，因此省略詳細說明。
以上，對實施形態進行了例示。然而，本發明並不限定於該等記述。
關於業者對於上述實施形態適當進行構成要素之追加、刪除或設計變更所得者、或者是進行步驟之追加、省略或條件變更所得者，只要具備本發明之特徵，則屬於本發明之範圍內。
例如，清潔裝置101、乾式清潔裝置102中所設之各要素之形狀、尺寸、材質、配置等並不限定於所例示者，可進行適當變更。例如，清潔裝置101並不限定於使用旋轉，亦可使用超音波振動而進行清潔。又，例如，乾式清潔裝置102並不限定於雙頻電漿處理裝置， 亦可適當變更為遙距電漿處理裝置、表面波電漿(SWP)處理裝置、電容耦合電漿(CCP)處理裝置、電感耦合電漿(ICP)處理裝置等。
又，例如，附著有附著物300之面亦可為與形成有圖案區域216之面為相反側(被清潔物W之背面)。於該情形時，可使背面朝向噴嘴13側而載置於清潔部10之載置台11a。
10‧‧‧清潔部
11‧‧‧載置部
11a‧‧‧載置台
11a1‧‧‧載置面
11b‧‧‧旋轉軸
11c‧‧‧驅動部
12‧‧‧外罩
12a‧‧‧彎曲部
12b‧‧‧插通部
12c‧‧‧排出口
12d‧‧‧開閉閥
12e‧‧‧配管
13‧‧‧噴嘴
13a‧‧‧噴出口
13b‧‧‧供給口
13c‧‧‧供給口
20‧‧‧第1供給部
21‧‧‧收納部
22‧‧‧溶液供給部
23‧‧‧流量調整部
24‧‧‧配管
30‧‧‧第2供給部
31‧‧‧收納部
32‧‧‧溶液供給部
33‧‧‧流量調整部
34‧‧‧配管
40‧‧‧控制部
101‧‧‧清潔裝置
210‧‧‧反射型罩
303‧‧‧第1溶液
304‧‧‧第2溶液
W‧‧‧被清潔物

Claims (14)

  1. 一種反射型罩之清潔裝置，其具備：第1供給部，其對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給包含有機溶劑及界面活性劑中之至少任一者之第1溶液；及第2供給部，其對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
  2. 一種反射型罩之清潔裝置，其具備：第3供給部，其對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給由還原性氣體生成之電漿生成物；及第2供給部，其對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
  3. 如請求項1之反射型罩之清潔裝置，其中上述第1供給部對表面附著有有機物之上述反射型罩供給上述第1溶液。
  4. 如請求項2之反射型罩之清潔裝置，其中上述第3供給部對表面附著有有機物之上述反射型罩供給上述電漿生成物。
  5. 如請求項1或2之反射型罩之清潔裝置，其中上述覆蓋層進而包含氧化釕，且上述第2供給部藉由供給上述還原性溶液及上述不含氧之溶液中之至少任一者而還原上述氧化釕，從而減少上述氧化釕於上述覆蓋層中之比率。
  6. 如請求項1或2之反射型罩之清潔裝置，其中上述反射型罩具有圖案區域、及以包圍上述圖案區域之方式設置之遮光區域，且於上述圖案區域中露出上述覆蓋層。
  7. 如請求項2之反射型罩之清潔裝置，其中上述還原性氣體包含氨氣或氫氣。
  8. 如請求項1之反射型罩之清潔裝置，其中上述有機溶劑為異丙醇或丙酮。
  9. 一種反射型罩之清潔方法，其具備如下步驟：對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給包含有機溶劑及界面活性劑中之至少任一者之第1溶液；及對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
  10. 一種反射型罩之清潔方法，其具備如下步驟：對設置於反射型罩之包含釕之覆蓋層，供給由還原性氣體生成之電漿生成物；及對上述覆蓋層，供給還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者。
  11. 如請求項9之反射型罩之清潔方法，其中於供給上述第1溶液之步驟中，對表面附著有有機物之上述反射型罩供給上述第1溶液。
  12. 如請求項10之反射型罩之清潔方法，其中於供給自上述還原性氣體生成之電漿生成物之步驟中，對表面附著有有機物之上述反射型罩供給上述電漿生成物。
  13. 如請求項9或10之反射型罩之清潔方法，其中上述反射型罩具有圖案區域、及以包圍上述圖案區域之方式設置之遮光區域，且於上述圖案區域中露出上述覆蓋層。
  14. 如請求項9或10之反射型罩之清潔方法，其中上述覆蓋層進而包含氧化釕，且於供給上述還原性溶液及不含氧之溶液中之至少任一者之步驟中，藉由供給上述還原性溶液及上述不含氧之溶液中之至少任一 者而還原上述氧化釕，從而減少上述氧化釕於上述覆蓋層中之比率。
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