KR20150136513A

KR20150136513A - 봉지 시트, 봉지 시트의 제조 방법 및 전자 부품 패키지의 제조 방법

Info

Publication number: KR20150136513A
Application number: KR1020157030642A
Authority: KR
Inventors: 에이지 도요다; 유사쿠 시미즈; 준 이시이
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2013-03-27
Filing date: 2014-03-17
Publication date: 2015-12-07
Also published as: TW201446504A; JP6456027B2; JP2014209565A; US20160060450A1; CN105103285B; SG11201507950PA; CN105103285A; TWI664076B; WO2014156775A1

Abstract

가요성이 우수하여 봉지 대상이 중공 구조를 갖고 있어도 신뢰성이 높은 전자 부품 패키지를 제작할 수 있는 봉지 시트, 봉지 시트의 제조 방법 및 전자 부품 패키지의 제조 방법을 제공한다. 본 발명은, 엘라스토머의 도메인이 분산되어 있고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하인 봉지 시트이다.

Description

봉지 시트, 봉지 시트의 제조 방법 및 전자 부품 패키지의 제조 방법{SEALING SHEET, PRODUCTION METHOD FOR SEALING SHEET, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT PACKAGE}

본 발명은 봉지 시트, 봉지 시트의 제조 방법 및 전자 부품 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 등의 전자 부품의 패키지의 제작에는, 대표적으로 기판이나 가고정재 등에 고정된 1 또는 복수의 전자 부품을 봉지 수지로 봉지하고, 필요에 따라 봉지물을 전자 부품 단위의 패키지가 되도록 다이싱한다는 순서가 채용되고 있다. 이와 같은 봉지 수지로서 핸들링성이 양호한 시트상의 봉지 수지가 이용되고 있다. 또, 봉지 시트의 성능 향상을 위해서 충전제의 배합량을 증가시키는 수법으로서, 봉지용 시트에 혼련에 의해 충전제를 배합하는 기술이 제안되어 있다 (특허문헌 1).

일본 공개특허공보 2013-7028호

봉지 시트 중의 충전제의 배합량을 높이면, 열경화 후 및 땜납 리플로우 등과 같은 때의 가열에 의한 휘어짐을 저감시킬 수 있어, 신뢰성이 높은 전자 부품 패키지를 제작할 수 있게 되지만, 봉지 시트의 가요성이 저하되어 핸들링성이 저하되는 경우가 있다.

또 최근, 반도체 패키지와 아울러, SAW (Surface Acoustic Wave) 필터나 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 센서, 가속도 센서 등의 MEMS 라고 불리는 미소 전자 부품의 개발이 진행되고 있다. 이러한 전자 부품은, 일반적으로 표면 탄성파의 전파나 광학계의 유지, 가동 부재의 가동성 등을 확보하기 위한 중공 구조를 갖는다. 봉지시에는 가동 부재의 작동 신뢰성이나 소자의 접속 신뢰성을 확보하도록 중공 구조를 유지하면서 봉지할 필요가 있다. 봉지 시트에는 이와 같은 중공 구조를 갖는 봉지 대상에 대한 대응도 요구되고 있다.

본 발명의 목적은, 가요성이 우수하여 봉지 대상이 중공 구조를 갖고 있어도 신뢰성이 높은 전자 부품 패키지를 제작할 수 있는 봉지 시트, 봉지 시트의 제조 방법 및 전자 부품 패키지의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은 예의 검토한 결과, 하기 구성을 채용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은 엘라스토머의 도메인이 분산되어 있고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하인 봉지 시트이다.

당해 봉지 시트에서는, 엘라스토머가 도메인을 형성하면서 분산되어 있기 때문에, 우수한 가요성을 발휘할 수 있어 양호한 핸들링성이 얻어진다. 또, 당해 봉지 시트에서는, 최대 직경이 20 ㎛ 이하인 미소한 도메인 (이하, 간단히 「미소 도메인」이라고도 한다) 이 고르게 분산되어 있다. 이와 같은 미소 도메인은, 특히 수 ㎛ 내지 수백 ㎛ 정도의 마이크로 영역에 대하여 틱소트로피성 유사의 작용을 부여하여, 봉지시의 가열에 의한 다른 성분의 유동을 규제하도록 작용할 수 있다. 그 결과, 예를 들어 중공 구조를 갖는 전자 부품의 공극으로의 유입을 억제하여 중공 구조를 유지할 수 있고, 이로써 고신뢰성의 전자 부품 패키지를 제작할 수 있다. 또한, 수백 ㎛ 이상의 매크로 영역에 있어서는 미소 도메인을 포함하여 봉지 시트 전체로 유동하므로, 전자 부품의 요철에 대한 추종성도 양호한 것이 된다. 또한, 도메인의 최대 직경은, 각 도메인의 관찰이미지에 있어서의 윤곽 상의 2 점간의 거리 중 최대 거리를 말한다. 관찰이미지에 있어서 복수의 엘라스토머 입자가 집합 또는 응집하여 존재하고 있는 경우에는, 윤곽이 연속되고 있는 것을 하나의 도메인으로서 취급한다. 도메인의 관찰 순서 및 최대 직경의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.

당해 봉지 시트에서는, 상기 엘라스토머가 고무 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 또, 상기 고무 성분이 부타디엔계 고무, 스티렌계 고무, 아크릴계 고무, 실리콘계 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 엘라스토머가 이와 같은 성분을 함유함으로써, 봉지 시트의 가요성과 미소 영역에 있어서의 유동 규제 작용을 높은 레벨로 발휘할 수 있다.

당해 봉지 시트에서는, 상기 엘라스토머의 함유량이 1.0 중량％ 이상 3.5 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 봉지 시트가 가요성을 바람직하게 발휘할 수 있음과 함께, 적당한 용융 점도의 발휘에 의해 전자 부품의 매립성을 확보할 수 있다.

당해 봉지 시트는, 열경화성 수지를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 봉지에 의해 얻어지는 전자 부품 패키지의 내열성이나 시간 경과적 안정성을 향상시킬 수 있다.

당해 봉지 시트에서는, 60 ℃ 에 있어서의 상기 엘라스토머의 인장 탄성률 Ee 의 상기 열경화성 수지의 인장 탄성률 Et 에 대한 비 Ee/Et 가 5 × 10^-5 이상 1 × 10^-2 이하인 것이 바람직하다. 봉지 시트의 제조 과정에 있어서의 혼련시에, 열경화성 수지로부터의 전단 응력이 엘라스토머에 유효하게 작용하여, 엘라스토머의 미소화를 촉진시킬 수 있다.

본 발명에는, 엘라스토머를 함유하는 혼련물을 조제하는 혼련 공정, 및

상기 혼련물을 시트상으로 성형하여 봉지 시트를 얻는 성형 공정을 포함하고,

상기 혼련 공정에 있어서, 상기 봉지 시트의 엘라스토머가 도메인상으로 분산되고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하가 되도록 혼련하는 봉지 시트의 제조 방법도 포함된다.

본 발명의 봉지 시트의 제조 방법에 의하면, 당해 봉지 시트를 효율적으로 제조할 수 있다.

당해 제조 방법에서는, 상기 혼련 공정에 있어서의 혼련 회전수 r (rpm) 의 혼련 처리량 t (㎏/hr) 에 대한 비 r/t 가 60 이상인 것이 바람직하다. 그 비 r/t 가 60 이상이면, 엘라스토머를 함유하는 혼련 원료에 충분한 전단 응력이 가해져, 엘라스토머의 미소화를 효율적으로 촉진시킬 수 있다.

본 발명에는, 1 또는 복수의 전자 부품을 덮도록 당해 봉지 시트를 그 전자 부품 상에 적층하는 적층 공정, 및

상기 봉지 시트를 경화시켜 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하는 전자 부품 패키지의 제조 방법도 포함된다.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 봉지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2A 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품 패키지의 제조 방법의 한 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2B 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품 패키지의 제조 방법의 한 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2C 는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품 패키지의 제조 방법의 한 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 실시예에 있어서의 봉지 시트의 절단면의 SEM 관찰이미지이다.

《제 1 실시형태》

[봉지 시트]

본 실시형태에 관련된 봉지 시트에 대하여 도 1 을 참조하면서 설명한다. 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 봉지 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 봉지 시트 (11) 는, 대표적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 등의 지지체 (11a) 상에 적층된 상태로 제공된다. 또한, 지지체 (11a) 에는 봉지 시트 (11) 의 박리를 용이하게 실시하기 위해서 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.

봉지 시트 (11) 에서는, 엘라스토머의 도메인이 분산되어 있고, 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하이다. 엘라스토머는 국소적으로는 집합 또는 응집하고 있어도 되지만, 유동 규제 작용의 관점에서 전체적으로 고르게 분산되어 있는 것이 바람직하다. 도메인의 최대 직경의 상한은 20 ㎛ 이하이면 특별히 한정되지 않지만 15 ㎛ 이하가 바람직하고, 10 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또, 도메인의 최대 직경의 하한은, 미세화의 물리적인 한계와 가요성 부여의 관점에서 0.1 ㎛ 이상이 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상이 보다 바람직하다.

봉지 시트를 150 ℃ 에서 1 시간 열경화시킨 후의 20 ℃ 에 있어서의 선팽창률이 15 ppm/K 이하인 것이 바람직하고, 10 ppm/K 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 전자 부품 패키지에 있어서의 휘어짐을 양호하게 억제할 수 있다. 선팽창률의 측정 방법은 이하와 같다. 폭 4.9 ㎜, 길이 25 ㎜, 두께 0.2 ㎜ 인 경화 전의 봉지 시트를 150 ℃ 에서 1 시간 경화시킨다. 경화 후의 수지 시트를 TMA8310 (리가쿠사 제조) 에 세트하여, 인장 하중 4.9 mN, 승온 속도 10 ℃/min 로 선팽창률을 측정한다.

봉지 시트를 형성하는 수지 조성물은, 상기 서술한 바와 같은 특성을 바람직하게 부여할 수 있고, 반도체 칩 등의 전자 부품의 수지 봉지에 이용 가능한 것이고, 엘라스토머를 함유하는 한 특별히 한정되지 않는다. 봉지 시트 경화 후의 내열성이나 안정성을 향상시키는 관점에서, 엘라스토머와 함께 열경화성 수지를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 구체적인 성분으로서 이하의 A 성분 내지 E 성분을 함유하는 에폭시 수지 조성물을 바람직한 것으로서 들 수 있다.

A 성분 : 에폭시 수지

B 성분 : 페놀 수지

C 성분 : 엘라스토머

D 성분 : 무기 충전제

E 성분 : 경화 촉진제

(A 성분)

열경화성 수지로서의 에폭시 수지 (A 성분) 로는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 페녹시 수지 등의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 병용해도 된다.

에폭시 수지의 경화 후의 인성 및 에폭시 수지의 반응성을 확보하는 관점에서는, 에폭시 당량 150 ∼ 250, 연화점 혹은 융점이 50 ∼ 130 ℃ 인 상온에서 고형인 것이 바람직하고, 그 중에서도 신뢰성의 관점에서, 트리페닐메탄형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지가 바람직하다.

또, 저응력성의 관점에서, 아세탈기나 폴리옥시알킬렌기 등의 유연성 골격을 갖는 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지가 바람직하고, 아세탈기를 갖는 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지는, 액체상으로 취급이 양호한 점에서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.

에폭시 수지 (A 성분) 의 함유량은, 에폭시 수지 조성물 전체에 대하여 1 ∼ 10 중량％ 의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

(B 성분)

페놀 수지 (B 성분) 는, 열경화성 수지로서 사용할 수 있음과 함께, 에폭시 수지 (A 성분) 와의 사이에서 경화 반응을 발생시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 비페닐아르알킬 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 크레졸노볼락 수지, 레졸 수지 등이 사용된다. 이들 페놀 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 병용해도 된다.

페놀 수지로는, 에폭시 수지 (A 성분) 와의 반응성의 관점에서, 수산기 당량이 70 ∼ 250, 연화점이 50 ∼ 110 ℃ 인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 경화 반응성이 높다는 관점에서, 페놀노볼락 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 신뢰성의 관점에서, 페놀아르알킬 수지나 비페닐아르알킬 수지와 같은 저흡습성인 것도 바람직하게 사용할 수 있다.

에폭시 수지 (A 성분) 와 페놀 수지 (B 성분) 의 배합 비율은, 경화 반응성이라는 관점에서, 에폭시 수지 (A 성분) 중의 에폭시기 1 당량에 대하여, 페놀 수지 (B 성분) 중의 수산기의 합계가 0.7 ∼ 1.5 당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.9 ∼ 1.2 당량이다.

(C 성분)

에폭시 수지 (A 성분) 및 페놀 수지 (B 성분) 와 함께 사용되는 엘라스토머 (C 성분) 는, 상기 서술한 소정의 도메인을 형성할 수 있으면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 각종 아크릴계 공중합체나 고무 성분 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지 (A 성분) 에 대한 분산성이나, 얻어지는 봉지 시트의 내열성, 가요성, 강도를 향상시킬 수 있다는 관점에서, 고무 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 이와 같은 고무 성분으로는, 부타디엔계 고무, 스티렌계 고무, 아크릴계 고무, 실리콘계 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 함께 사용해도 된다.

엘라스토머 (C 성분) 의 함유량은, 에폭시 수지 조성물 전체의 1.0 ∼ 3.5 중량％ 인 것이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 중량％ 인 것이 보다 바람직하다. 엘라스토머 (C 성분) 의 함유량이 1.0 중량％ 미만에서는, 봉지 시트 (11) 의 유연성 및 가요성을 얻기가 곤란해지고, 나아가서는 봉지 시트의 휘어짐을 억제한 수지 봉지도 곤란해진다. 반대로 상기 함유량이 3.5 중량％ 를 초과하면, 봉지 시트 (11) 의 용융 점도가 높아져 전자 부품의 매립성이 저하됨과 함께, 봉지 시트 (11) 의 경화체의 강도 및 내열성이 저하되는 경향이 관찰된다.

또, 엘라스토머 (C 성분) 의 에폭시 수지 (A 성분) 에 대한 중량 비율 (C 성분의 중량/A 성분의 중량) 은, 0.5 ∼ 1.5 의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 상기 중량 비율이 0.5 미만인 경우에는, 봉지 시트 (11) 의 유동성을 컨트롤하기가 곤란해지는 한편, 1.5 를 초과하면 봉지 시트 (11) 의 전자 부품에 대한 접착성이 떨어지는 경향이 관찰되기 때문이다.

60 ℃ 에 있어서의 상기 엘라스토머의 인장 탄성률 Ee 의 상기 열경화성 수지의 인장 탄성률 Et 에 대한 비 Ee/Et 가 5 × 10^-5 이상 1 × 10^-2 이하인 것이 바람직하고, 2 × 10^-4 이상 4 × 10^-3 이하인 것이 보다 바람직하다. 이로써, 봉지 시트의 제조 과정에 있어서의 혼련시에, 혼련 부재 및 열경화성 수지로부터의 전단 응력이 엘라스토머에 유효하게 작용하여, 엘라스토머의 미소화를 촉진시킬 수 있다. 또한, 상기 인장 탄성률 Ee 및 Et 의 측정 방법은, 이하의 순서로 실시할 수 있다. 엘라스토머 및 열경화성 수지의 각 시트를 두께 200 ㎛, 길이 400 ㎜, 폭 10 ㎜ 인 단책상으로 커터 나이프로 잘라내어 측정 샘플로 한다. 이 측정 샘플을 고체 점탄성 측정 장치 (RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽사 제조) 를 이용하여, 주파수 1 Hz, 승온 속도 10 ℃/min 의 조건하에서, -50 ∼ 300 ℃ 에서의 인장 탄성률, 및 손실 탄성률을 측정한다. 이 측정시의 60 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률의 값을 판독하여, 목적으로 하는 인장 탄성률 Ee 및 Et 를 얻는다.

(D 성분)

무기질 충전제 (D 성분) 는 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지된 각종 충전제를 사용할 수 있고, 예를 들어 석영 유리, 탤크, 실리카 (용융 실리카나 결정성 실리카 등), 알루미나, 질화알루미늄, 질화규소, 질화붕소의 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 병용해도 된다.

그 중에서도 에폭시 수지 조성물의 경화체의 열선팽창 계수가 저감됨으로써 내부 응력을 저감시키고, 그 결과 전자 부품의 봉지 후의 봉지 시트 (11) 의 휘어짐을 억제할 수 있다는 점에서, 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하고, 실리카 분말 중에서도 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 용융 실리카 분말로는, 구상 용융 실리카 분말, 파쇄 용융 실리카 분말을 들 수 있지만, 유동성이라는 관점에서, 구상 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 그 중에서도 평균 입경이 54 ㎛ 이하의 범위인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 30 ㎛ 의 범위인 것을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 20 ㎛ 의 범위인 것을 사용하는 것이 특히 바람직하다.

또한, 평균 입경은, 모 (母) 집단으로부터 임의로 추출되는 시료를 이용하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정함으로써 도출해 낼 수 있다.

무기질 충전제 (D 성분) 의 함유량은, 바람직하게는 에폭시 수지 조성물 전체의 70 ∼ 90 체적％ (실리카 입자의 경우, 비중 2.2 g/㎤ 이므로, 81 ∼ 94 중량％) 이고, 보다 바람직하게는 74 ∼ 85 체적％ (실리카 입자의 경우, 84 ∼ 91 중량％) 이며, 더욱 바람직하게는 76 ∼ 83 체적％ (실리카 입자의 경우, 85 ∼ 90 중량％) 이다. 무기질 충전제 (D 성분) 의 함유량이 70 체적％ 미만에서는, 에폭시 수지 조성물의 경화체의 선팽창 계수가 커지기 때문에, 봉지 시트 (11) 의 휘어짐이 커지는 경향이 관찰된다. 한편, 상기 함유량이 90 체적％ 를 초과하면, 봉지 시트 (11) 의 유연성이나 유동성이 나빠지기 때문에, 전자 부품과의 접착성이 저하되는 경향이 관찰된다.

(E 성분)

경화 촉진제 (E 성분) 는, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화를 진행시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 경화성과 보존성의 관점에서, 트리페닐포스핀이나 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 등의 유기 인계 화합물이나, 이미다졸계 화합물이 바람직하게 사용된다. 이들 경화 촉진제는 단독으로 이용해도 되고, 다른 경화 촉진제와 병용해도 상관없다.

경화 촉진제 (E 성분) 의 함유량은, 에폭시 수지 (A 성분) 및 페놀 수지 (B 성분) 의 합계 100 중량부에 대하여 0.1 ∼ 5 중량부인 것이 바람직하다.

(그 밖의 성분)

또, 에폭시 수지 조성물에는, A 성분 내지 E 성분에 더하여 난연제 성분을 추가해도 된다. 난연제 조성분으로는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화철, 수산화칼슘, 수산화주석, 복합화 금속 수산화물 등의 각종 금속 수산화물을 사용할 수 있다.

금속 수산화물의 평균 입경으로는, 에폭시 수지 조성물을 가열했을 때에 적당한 유동성을 확보한다는 관점에서, 평균 입경이 1 ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 ∼ 5 ㎛ 이다. 금속 수산화물의 평균 입경이 1 ㎛ 미만에서는, 에폭시 수지 조성물 중에 균일하게 분산시키기가 곤란해짐과 함께, 에폭시 수지 조성물의 가열시에 있어서의 유동성이 충분히 얻어지지 않는 경향이 있다. 또, 평균 입경이 10 ㎛ 를 초과하면, 금속 수산화물 (E 성분) 의 첨가량당 표면적이 작아지기 때문에, 난연 효과가 저하되는 경향이 관찰된다.

또, 난연제 성분으로는 상기 금속 수산화물 외에, 포스파젠 화합물을 사용할 수 있다. 포스파젠 화합물로는, 예를 들어 SPR-100, SA-100, SP-100 (이상, 오오츠카 화학 주식회사), FP-100, FP-110 (이상, 주식회사 후시미 제약소) 등이 시판품으로서 입수 가능하다.

소량으로도 난연 효과를 발휘한다는 관점에서, 식 (1) 또는 식 (2) 로 나타내는 포스파젠 화합물이 바람직하고, 이들 포스파젠 화합물에 함유되는 인 원소의 함유율은 12 중량％ 이상인 것이 바람직하다.

[화학식 1]

(식 (1) 중 n 은 3 ∼ 25 의 정수이고, R¹ 및 R² 는 동일 또는 상이하며, 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기 및 알릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 관능기를 갖는 1 가의 유기기이다)

[화학식 2]

(식 (2) 중 n 및 m 은 각각 독립적으로 3 ∼ 25 의 정수이다. R³ 및 R⁵ 는 동일 또는 상이하며, 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기 및 알릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 관능기를 갖는 1 가의 유기기이다. R⁴ 는 알콕시기, 페녹시기, 아미노기, 수산기 및 알릴기로 이루어지는 군에서 선택되는 관능기를 갖는 2 가의 유기기이다.)

또, 안정성 및 보이드의 생성 억제라는 관점에서, 식 (3) 으로 나타내는 고리형 포스파젠 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다.

[화학식 3]

(식 (3) 중 n 은 3 ∼ 25 의 정수이고, R⁶ 및 R⁷ 은 동일 또는 상이하며, 수소, 수산기, 알킬기, 알콕시기 또는 글리시딜기이다)

상기 식 (3) 으로 나타내는 고리형 포스파젠 올리고머는, 예를 들어 FP-100, FP-110 (이상, 주식회사 후시미 제약소) 등이 시판품으로서 입수 가능하다.

포스파젠 화합물의 함유량은, 에폭시 수지 조성물 중에 함유되는 에폭시 수지 (A 성분), 페놀 수지 (B 성분), 엘라스토머 (D 성분), 경화 촉진제 (E 성분) 및 포스파젠 화합물 (그 밖의 성분) 을 함유하는 유기 성분 전체의 10 ∼ 30 중량％ 인 것이 바람직하다. 즉, 포스파젠 화합물의 함유량이 유기 성분 전체의 10 중량％ 미만에서는, 봉지 시트 (11) 의 난연성이 저하됨과 함께, 피착체 (예를 들어, 전자 부품을 탑재한 기판 등) 에 대한 요철 추종성이 저하되어 보이드가 발생하는 경향이 관찰된다. 상기 함유량이 유기 성분 전체의 30 중량％ 를 초과하면, 봉지 시트 (11) 의 표면에 택이 발생하기 쉬워져, 피착체에 대한 위치 맞춤을 하기 어려워지는 등 작업성이 저하되는 경향이 관찰된다.

또, 상기 금속 수산화물 및 포스파젠 화합물을 병용하여, 시트 봉지에 필요한 가요성을 확보하면서, 난연성이 우수한 봉지 시트 (11) 를 얻을 수도 있다. 양자를 병용함으로써, 금속 수산화물만을 사용한 경우의 충분한 난연성과, 포스파젠 화합물만을 사용한 경우에는 충분한 가요성을 얻을 수 있다.

상기 난연제 중, 수지 봉지의 성형시에 있어서의 봉지 시트의 변형성, 전자 부품이나 피착체의 요철에 대한 추종성, 전자 부품이나 피착체에 대한 밀착성면에서 유기계 난연제를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 포스파젠계 난연제가 바람직하게 사용된다.

또한, 에폭시 수지 조성물은, 상기 각 성분 이외에 필요에 따라, 카본 블랙을 비롯한 안료 등 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다.

(봉지 시트의 제작 방법)

봉지 시트의 제작 방법을 이하에 설명한다. 본 실시형태의 봉지 시트의 제조 방법은, 엘라스토머를 함유하는 혼련물을 조제하는 혼련 공정, 및 상기 혼련물을 시트상으로 성형하여 봉지 시트를 얻는 성형 공정을 포함하고, 상기 혼련 공정에 있어서, 상기 봉지 시트의 엘라스토머가 도메인상으로 분산되고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하가 되도록 혼련한다.

(혼련 공정)

우선, 상기 서술한 각 성분을 혼합함으로써 에폭시 수지 조성물을 조제한다. 혼합 방법은, 각 성분이 균일하게 분산 혼합되는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 그 후, 엘라스토머를 함유하는 각 배합 성분을 직접 니더 등으로 혼련함으로써 혼련물을 조제한다. 이 때, 봉지 시트의 엘라스토머가 도메인상으로 분산되고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하가 되도록 혼련한다.

구체적으로는, 상기 A ∼ E 성분 및 필요에 따라 다른 첨가제의 각 성분을 믹서 등 공지된 방법을 이용하여 혼합하고, 그 후 용융 혼련함으로써 혼련물을 조제한다. 용융 혼련하는 방법으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 믹싱 롤, 가압식 니더, 압출기 등의 공지된 혼련기에 의해 용융 혼련하는 방법 등을 들 수 있다. 이와 같은 니더로는, 예를 들어 축방향의 일부에 있어서 스크루 날개의 스크루축으로부터의 돌출량이 다른 부분의 스크루 날개의 스크루축으로부터의 돌출량보다 작은 부분을 갖는 혼련용 스크루, 또는 축방향의 일부에 있어서 스크루 날개가 없는 혼련용 스크루를 구비한 니더를 바람직하게 사용할 수 있다. 스크루 날개의 돌출량이 작은 부분 또는 스크루 날개가 없는 부분에서는 저전단력 또한 저교반이 되고, 이로써 혼련물의 압축률이 높아져 말려 들어간 에어를 배제시킬 수 있게 되어, 얻어지는 혼련물에 있어서의 기공 발생을 억제할 수 있다.

혼련 조건으로는, 온도가 상기한 각 성분의 연화점 이상이면 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 30 ∼ 150 ℃, 에포킨 수지의 열경화성을 고려하면, 바람직하게는 40 ∼ 140 ℃, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 120 ℃ 이며, 시간이 예를 들어 1 ∼ 30 분간, 바람직하게는 5 ∼ 15 분간이다. 이로써, 혼련물을 조제할 수 있다.

혼련에 니더를 사용하는 경우, 혼련 회전수 r (rpm) 의 혼련 처리량 t (㎏/hr) 에 대한 비 r/t 가 60 이상인 것이 바람직하고, 70 이상이 보다 바람직하다. 그 비 r/t 가 60 이상이면, 엘라스토머를 함유하는 혼련 원료에 충분한 전단 응력이 가해져, 엘라스토머의 미소화를 효율적으로 촉진시킬 수 있다. 상기 혼련 회전수 r (rpm) 로는 200 ∼ 1000 rpm 이 바람직하고, 혼련 처리량 t (㎏/hr) 로는 3 ∼ 20 ㎏/hr 가 바람직하다.

(성형 공정)

얻어지는 혼련물을 시트상으로 압출 성형에 의해 성형함으로써, 봉지 시트 (11) 를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 용융 혼련 후의 혼련물을 냉각시키지 않고 고온 상태인 채로 압출 성형함으로써, 봉지 시트 (11) 를 형성할 수 있다. 이와 같은 압출 방법으로는 특별히 제한되지 않고, T 다이 압출법, 롤 압연법, 롤 혼련법, 공압출법, 캘린더 성형법 등을 들 수 있다. 압출 온도로는, 상기한 각 성분의 연화점 이상이면 특별히 제한되지 않지만, 에폭시 수지의 열경화성 및 성형성을 고려하면, 예를 들어 40 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 140 ℃, 더욱 바람직하게는 70 ∼ 120 ℃ 이다. 이상에 의해 봉지 시트 (11) 를 형성할 수 있다.

봉지 시트 (11) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 100 ∼ 2000 ㎛ 인 것이 바람직하다. 상기 범위 내이면, 양호하게 전자 부품을 봉지할 수 있다. 또, 수지 시트를 박형으로 함으로써, 발열량을 저감시킬 수 있어 경화 수축이 잘 일어나지 않게 된다. 이 결과, 패키지 휘어짐량을 저감시킬 수 있어 보다 신뢰성이 높은 전자 부품 패키지가 얻어진다.

이와 같이 하여 얻어진 봉지 시트는, 필요에 따라 원하는 두께가 되도록 적층하여 사용해도 된다. 즉, 봉지 시트는, 단층 구조로 사용해도 되고, 2 층 이상의 다층 구조로 적층하여 이루어지는 적층체로서 사용해도 된다.

[전자 부품 패키지의 제조 방법]

다음으로, 상기 봉지 시트를 사용하는 본 실시형태에 관련된 전자 부품 패키지의 제조 방법에 대하여 도 2A ∼ 2C 를 참조하면서 설명한다. 도 2A ∼ 2C 는 각각, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 전자 부품 패키지의 제조 방법의 한 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 기판 상에 탑재된 전자 부품을 봉지 시트에 의해 중공 봉지하여 전자 부품 패키지를 제작한다. 또한, 본 실시형태에서는, 전자 부품으로서 SAW 필터를 이용하고, 피착체로서 프린트 배선 기판을 이용하고 있지만, 이들 이외의 요소를 이용해도 된다. 예를 들어, 전자 부품으로서 콘덴서나 센서 디바이스, 발광 소자, 진동 소자 등, 피착체로서 리드 프레임, 테이프 캐리어 등을 이용할 수 있다. 또, 피착체를 이용하지 않고, 가고정재 상에 전자 부품을 가고정해 두고, 이들을 수지 봉지할 수도 있다. 어느 요소를 이용해도 전자 부품의 수지 봉지에 의한 고도의 보호를 달성할 수 있다. 또, 중공 봉지하고 있지만, 봉지 대상에 따라서는 언더필재 등을 이용하여 중공 부분을 포함하지 않도록 중실 (中實) 봉지해도 된다.

(SAW 칩 탑재 기판 준비 공정)

SAW 칩 탑재 기판 준비 공정에서는, 복수의 SAW 칩 (13) 이 탑재된 프린트 배선 기판 (12) 을 준비한다 (도 2A 참조). SAW 칩 (13) 은, 소정의 빗살형 전극이 형성된 압전 결정을 공지된 방법으로 다이싱하여 개편화함으로써 형성할 수 있다. SAW 칩 (13) 의 프린트 배선 기판 (12) 에 대한 탑재에는, 플리칩 본더나 다이 본더 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다. SAW 칩 (13) 과 프린트 배선 기판 (12) 은 범프 등의 돌기 전극 (13a) 을 개재하여 전기적으로 접속되어 있다. 또, SAW 칩 (13) 과 프린트 배선 기판 (12) 사이는, SAW 칩 표면에서의 표면 탄성파의 전파를 저해하지 않도록 중공 부분 (14) 을 유지하게 되어 있다. SAW 칩 (13) 과 프린트 배선 기판 (12) 사이의 거리는 각 요소의 사양에 따라 결정되며, 일반적으로는 15 ∼ 50 ㎛ 정도이다.

(봉지 공정)

봉지 공정에서는, SAW 칩 (13) 을 덮도록 프린트 배선 기판 (12) 에 봉지 시트 (11) 를 적층하고, SAW 칩 (13) 을 상기 봉지 시트로 수지 봉지한다 (도 2B 참조). 이 봉지 시트 (11) 는, SAW 칩 (13) 및 거기에 부수되는 요소를 외부 환경으로부터 보호하기 위한 봉지 수지로서 기능한다.

본 실시형태에서는, 상기 봉지 시트 (11) 를 채용함으로써, SAW 칩 (13) 의 피복에 프린트 배선 기판 (12) 상에 첩부 (貼付) 하는 것만으로 SAW 칩 (13) 을 매립할 수 있어, 전자 부품 패키지의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 열프레스나 라미네이터 등 공지된 방법에 의해 봉지 시트 (11) 를 프린트 배선 기판 (12) 상에 적층할 수 있다. 열프레스 조건으로는, 온도가 예를 들어 40 ∼ 100 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 90 ℃ 이며, 압력이 예를 들어 0.1 ∼ 10 ㎫, 바람직하게는 0.5 ∼ 8 ㎫ 이며, 시간이 예를 들어 0.3 ∼ 10 분간, 바람직하게는 0.5 ∼ 5 분간이다. 또, 봉지 시트 (11) 의 SAW 칩 (13) 및 프린트 배선 기판 (12) 에 대한 밀착성 및 추종성의 향상을 고려하면, 바람직하게는 감압 조건하 (예를 들어 0.1 ∼ 5 ㎪) 에 있어서 프레스하는 것이 바람직하다.

봉지 시트 (11) 에서는 엘라스토머의 미소 도메인이 분산되어 있으므로, 중공 부분 (14) 으로의 수지 성분의 진입이 억제되어, SAW 칩 (14) 의 작동 신뢰성이나 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

(봉지체 형성 공정)

봉지체 형성 공정에서는, 상기 봉지 시트를 열경화 처리하여 봉지체 (15) 를 형성한다 (도 2B 참조). 봉지 시트의 열경화 처리의 조건은, 가열 온도로서 바람직하게는 100 ℃ 내지 200 ℃, 보다 바람직하게는 120 ℃ 내지 180 ℃, 가열 시간으로서 바람직하게는 10 분 내지 180 분, 보다 바람직하게는 30 분 내지 120 분 동안 필요에 따라 가압해도 된다. 가압시에는 바람직하게는 0.1 ㎫ 내지 10 ㎫, 보다 바람직하게는 0.5 ㎫ 내지 5 ㎫ 을 채용할 수 있다.

(다이싱 공정)

계속해서, 봉지 시트 (11), 프린트 배선 기판 (12), 및 SAW 칩 (13) 등의 요소로 이루어지는 봉지체 (15) 의 다이싱을 실시해도 된다 (도 2C 참조). 이로써, SAW 칩 (13) 단위에서의 전자 부품 패키지 (18) 를 얻을 수 있다. 다이싱은, 통상 종래 공지된 다이싱 시트에 의해 상기 봉지체 (15) 를 고정시킨 후에 실시한다.

(기판 실장 공정)

필요에 따라, 상기에서 얻어진 전자 부품 패키지 (18) 에 대하여 재배선 및 범프를 형성하고, 이것을 별도의 기판 (도시 생략) 에 실장하는 기판 실장 공정을 실시할 수 있다. 전자 부품 패키지 (18) 의 기판에 대한 실장에는, 플립칩 본더나 다이 본더 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다.

《제 2 실시형태》

제 1 실시형태에서는, 각 배합 성분을 니더 등으로 혼련하여 혼련물을 조제하고, 이 혼련물을 압출 성형하여 시트상으로 형성하고 있다. 이에 대하여, 본 실시형태에서는, 각 성분을 유기 용제 등에 용해 또는 분산시킨 바니시를 도공하여 시트상으로 형성한다. 도공법에서는, 엘라스토머를 용제 등에 용해 또는 분산시킨 상태로 시트 성막이 가능하므로, 엘라스토머의 도메인 사이즈를 미소화할 수 있다.

바니시를 사용하는 구체적인 제작 순서로는, 상기 A ∼ E 성분 및 필요에 따라 다른 첨가제를 통상적인 방법에 준하여 적절히 혼합하고, 유기 용제에 균일하게 용해 혹은 분산시켜 바니시를 조제한다. 이어서, 상기 바니시를 폴리에스테르 등의 지지체 상에 도포하고 건조시킴으로써 봉지 시트 (11) 를 얻을 수 있다. 그리고 필요에 따라, 봉지 시트의 표면을 보호하기 위해서 폴리에스테르 필름 등의 박리 시트를 첩합 (貼合) 해도 된다. 박리 시트는 봉지시에 박리한다.

상기 유기 용제로는, 특별히 한정되는 것은 아니고 종래 공지된 각종 유기 용제, 예를 들어 메틸에틸케톤, 아세톤, 시클로헥사논, 디옥산, 디에틸케톤, 톨루엔, 아세트산에틸 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 함께 사용해도 된다. 또 통상, 바니시의 고형분 농도가 30 ∼ 95 중량％ 의 범위가 되도록 유기 용제를 사용하는 것이 바람직하다.

유기 용제 건조 후의 시트 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 두께의 균일성과 잔존 용제량의 관점에서, 통상 5 ∼ 100 ㎛ 로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ∼ 70 ㎛ 이다.

실시예

이하에 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은 이 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 또, 부라고 하는 것은 중량부를 의미한다.

[실시예 1]

(봉지 시트의 제작)

이하의 성분을 믹서로 블렌드하고, 2 축 혼련기에 의해 혼련 회전수를 300 rpm, 혼련 처리량을 5 ㎏/hr 로 하여, 110 ℃ 에서 10 분간 용융 혼련하고, 계속해서 T 다이로부터 압출함으로써, 두께 200 ㎛ 의 봉지 시트를 제작하였다.

에폭시 수지 : 비스페놀 F 형 에폭시 수지 (신닛테츠 화학 (주) 제조, YSLV-80XY (에포킨 당량 200 g/eq. 연화점 80 ℃))

3.4 부

페놀 수지 : 비페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지 (메이와 화성사 제조, MEH-7851-SS (수산기 당량 203 g/eq., 연화점 67 ℃)) 3.6 부

엘라스토머 : (미츠비시 레이온사 제조, 메타블렌 C-132E)

2.3 부

무기 충전제 : 구상 용융 실리카 (덴키 화학 공업사 제조, FB-9454FC)

87.9 부

실란 커플링제 : 에폭시기 함유 실란 커플링제 (신에츠 화학 공업 (주) 제조, KBM-803)

0.5 부

카본 블랙 (미츠비시 화학 (주) 제조, MA600)

0.1 부

난연제 : ((주) 후시미 제약소 제조, FP-100)

1.8 부

경화 촉진제 : 이미다졸계 촉매 (시코쿠 화성 공업사 제조, 2PHZ-PW)

0.4 부

[실시예 2]

혼련 처리량을 3.5 ㎏/hr 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 봉지 시트를 제작하였다.

[실시예 3]

혼련 회전수를 500 rpm 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 봉지 시트를 제작하였다.

[실시예 4]

혼련 회전수를 1000 rpm 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 봉지 시트를 제작하였다.

[실시예 5]

이하의 성분을 메틸에틸케톤과 톨루엔의 1 : 1 혼합 용제에 용해 내지 분산시켜, 고형분 40 중량％ 의 바니시를 제작하였다.

3.4 부

페놀 수지 : 비페닐아르알킬 골격을 갖는 페놀 수지 (메이와 화성사 제조, MEH-7851-SS (수산기 당량 203 g/eq., 연화점 67 ℃))

3.6 부

엘라스토머 : ((주) 가네카 제조, SIBSTAR 102T)

4.0 부

87.0 부

카본 블랙 (미츠비시 화학 (주) 제조,＃20)

0.1 부

난연제 : ((주) 후시미 제약소 제조, FP-100)

1.8 부

0.1 부

이형 처리를 실시한 PET 필름 상에, 용제 건조 후의 도막 두께가 50 ㎛ 가 되도록 바니시를 도공하고, 이어서 건조 조건을 120 ℃, 3 분으로 하여 도막을 건조시켜, 두께 50 ㎛ 의 수지 시트를 얻었다. 얻어진 수지 시트를 라미네이터를 이용하여 두께 200 ㎛ 가 될 때까지 적층하여, 두께 200 ㎛ 의 봉지 시트를 제작하였다.

[비교예 1]

혼련 회전수를 100 rpm 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 봉지 시트를 제작하였다.

[비교예 2]

혼련 회전수를 50 rpm 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 봉지 시트를 제작하였다.

(봉지 시트의 가요성 평가)

실시예 및 비교예의 봉지용 시트를 폭 60 ㎜ × 길이 60 ㎜ 로 잘라내어, 봉지 시트의 양단부 (평면에서 보아 대향하는 변) 를 파지하고, 천천히 90°접어 구부려 가요성을 하기의 기준에 의해 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

○ : 90°접어 구부려도 갈라지지 않았다.

△ : 90°접어 구부리면 금이 갔다.

× : 90°접어 구부리면 갈라졌다.

(엘라스토머의 도메인의 관찰)

제작한 봉지 시트를 150 ℃ 에서 1 시간 열경화시켜 실온까지 서랭시킨 후, 얻어진 경화물을 커터로 절단하였다. 절단면을 뷰러제 자동 연마 장치로 연마하여, 연마 후의 절단면을 SEM (2000 배) 에 의해 관찰하였다. 도 3 에 실시예 1 의 봉지 시트의 절단면의 SEM 관찰이미지를 나타낸다. SEM 관찰이미지에 있어서 흑색으로 나타내는 영역이 엘라스토머의 도메인이다. 이어서, 이 흑색으로 나타내는 엘라스토머의 도메인을 랜덤하게 50 점 선택하고, 그들의 최대 직경을 측정하여 평균치를 냄으로써 도메인의 최대 직경으로 하였다. 다른 실시예 2 ∼ 5 및 비교예 1 ∼ 2 에 대해서도 동일하게 SEM 관찰 및 최대 직경의 측정을 실시하였다. 최대 직경 측정의 결과를 표 1 에 나타낸다.

(패키지 중공 부분으로의 수지 진입성 평가)

알루미늄 빗살형 전극이 형성된 이하의 사양의 SAW 칩을 하기 본딩 조건으로 유리 기판에 실장한 SAW 칩 실장 기판을 제작하였다.

＜SAW 칩＞

칩 사이즈 : 1.4 × 1.1 ㎜□ (두께 150 ㎛)

범프 재질 : Au 높이 30 ㎛

범프수 : 6 범프

칩수 : 100 개 (10 개 × 10 개)

＜본딩 조건＞

장치 : 파나소닉 전공 (주) 제조

본딩 조건 : 200 ℃, 3 N, 1 sec (초음파 출력 2 W)

얻어진 SAW 칩 실장 기판 상에, 이하에 나타내는 가열 가압 조건하, 각 봉지 시트를 진공 프레스에 의해 첩부하였다.

＜첩부 조건＞

온도 : 60 ℃

가압력 : 4 ㎫

진공도 : 1.6 ㎪

프레스 시간 : 1 분

대기압으로 개방한 후, 열풍 건조기 중, 150 ℃, 1 시간의 조건으로 봉지 시트를 열경화시켜 봉지체를 얻었다. 유리 기판측으로부터 전자 현미경 (KEYENCE 사 제조, 상품명 「디지털 현미경」, 200 배) 으로 SAW 칩과 유리 기판 사이의 중공 부분으로의 수지 진입량을 측정하였다. 수지 진입량은, 봉지 시트에 의한 봉지 전에 유리 기판측으로부터 전자 현미경으로 SAW 칩의 단부의 위치를 확인 및 기억해 두고, 봉지 후에 재차 유리 기판측으로부터 전자 현미경으로 관찰하여, 봉지 전후에서의 관찰이미지를 비교하고, 봉지 전에 확인해 둔 SAW 칩의 단부로부터 중공 부분에 진입한 수지의 최대 도달 거리를 측정하여, 이것을 수지 진입량으로 하였다. 수지 진입량이 20 ㎛ 이하인 경우를 「○」, 20 ㎛ 를 초과한 경우를 「×」로서 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 5 의 봉지 시트는 가요성이 양호하였다. 한편, 비교예 1 ∼ 2 에서는 금이 가서 가요성이 떨어졌다. 또, 실시예 1 ∼ 5 에서는, 엘라스토머의 미소 도메인을 갖는 봉지 시트에 의해 제작한 SAW 칩 패키지에서는, 봉지 시트의 수지 성분의 중공 부분으로의 진입이 억제되어, 고품질의 전자 부품 패키지를 제작할 수 있음을 알 수 있다. 비교예 1 ∼ 2 에서는 중공 부분으로의 수지 진입량이 모두 20 ㎛ 를 초과하였다. 이는 엘라스토머의 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 를 초과하여, 수지 유동 규제 작용이 충분하지 않은 것에서 기인하는 것으로 생각된다.

11 봉지 시트
11a 지지체
13 SAW 칩
15 봉지체
18 전자 부품 패키지

Claims

엘라스토머의 도메인이 분산되어 있고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하인, 봉지 시트.
제 1 항에 있어서,
상기 엘라스토머가 고무 성분을 함유하는, 봉지 시트.
제 2 항에 있어서,
상기 고무 성분이 부타디엔계 고무, 스티렌계 고무, 아크릴계 고무, 실리콘계 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 봉지 시트.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 엘라스토머의 함유량이 1.0 중량％ 이상 3.5 중량％ 이하인, 봉지 시트.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
열경화성 수지를 추가로 함유하는, 봉지 시트.
제 5 항에 있어서,
60 ℃ 에 있어서의 상기 엘라스토머의 인장 탄성률 Ee 의 상기 열경화성 수지의 인장 탄성률 Et 에 대한 비 Ee/Et 가 5 × 10^-5 이상 1 × 10^-2 이하인, 봉지 시트.
엘라스토머를 함유하는 혼련물을 조제하는 혼련 공정, 및
상기 혼련물을 시트상으로 성형하여 봉지 시트를 얻는 성형 공정을 포함하고,
상기 혼련 공정에 있어서, 상기 봉지 시트의 엘라스토머가 도메인상으로 분산되고, 그 도메인의 최대 직경이 20 ㎛ 이하가 되도록 혼련하는, 봉지 시트의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 혼련 공정에 있어서의 혼련 회전수 r (rpm) 의 혼련 처리량 t (㎏/hr) 에 대한 비 r/t 가 60 이상인, 봉지 시트의 제조 방법.
1 또는 복수의 전자 부품을 덮도록 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 봉지 시트를 그 전자 부품상에 적층하는 적층 공정, 및
상기 봉지 시트를 경화시켜 봉지체를 형성하는 봉지체 형성 공정을 포함하는, 전자 부품 패키지의 제조 방법.