JPH10154777A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ゴム状態での体積変化量が小さな樹脂硬化物を
用いることにより、温度サイクル時の信頼性に優れた半
導体装置を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂に一次平均粒径０.５μｍ 以
下の超微粒子シリカ及び低弾性率成分を充填した樹脂硬
化物を用いた半導体装置。
用いることにより、温度サイクル時の信頼性に優れた半
導体装置を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂に一次平均粒径０.５μｍ 以
下の超微粒子シリカ及び低弾性率成分を充填した樹脂硬
化物を用いた半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐温度サイクル性
及び耐リフロー性等の実装信頼性に優れた、小型かつ高
密度半導体装置に関する。
及び耐リフロー性等の実装信頼性に優れた、小型かつ高
密度半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂は絶縁性，耐熱性，耐薬品
性等の点から半導体封止材やプリント配線基板などの電
子機器に広く用いられている。近年の電子機器の軽薄短
小化に伴い高信頼性電子部品が要求されるようになり、
低応力材料が強く求められている。また新しいパッケー
ジ構造の開発に対応しうる実装材料への期待も大きくな
っている。
性等の点から半導体封止材やプリント配線基板などの電
子機器に広く用いられている。近年の電子機器の軽薄短
小化に伴い高信頼性電子部品が要求されるようになり、
低応力材料が強く求められている。また新しいパッケー
ジ構造の開発に対応しうる実装材料への期待も大きくな
っている。
【０００３】一般に、半導体用モールドレジン等は熱膨
張率をより小さくするために溶融シリカに代表される無
機質充填材が充填される。その一方でシリカ充填による
高弾性率化を緩和するためにシリコーン可とう化材を添
加することで樹脂全体としての低熱応力化を図ってい
る。
張率をより小さくするために溶融シリカに代表される無
機質充填材が充填される。その一方でシリカ充填による
高弾性率化を緩和するためにシリコーン可とう化材を添
加することで樹脂全体としての低熱応力化を図ってい
る。
【０００４】また、小型化，多ピン化対応パッケージ構
造として、多層キャリア基板を用いて実装面全体に接続
端子を配し、かつ接続端子長を短縮したボールグリッド
アレイ構造が実用化されている。この多層キャリア基板
に比較的誘電率の低い有機材料を用いることでより高速
化が可能であるが、有機材料と半導体素子間の熱膨張率
差から生じる熱応力のために接続信頼性等に問題があ
る。そこで半導体素子と実装基板の間に生じる応力を緩
和するために、低弾性率エラストマー材料を用いること
で接続信頼性を向上させる新しい半導体パッケージ構造
が検討されている（USP5148265）。このパッケージ構造
はキャリア基板の代わりにポリイミド等からなる配線テ
ープを用いており、半導体素子と配線テープが低弾性率
エラストマー材料で接着されている。また素子と配線テ
ープはリードボンディングまたはワイヤボンディングで
電気的に接続されており、さらに配線テープと実装基板
ははんだボール端子による電気的接続がなされている。
この低弾性率材料として、従来は低熱性に優れたシリコ
ーン系エラストマーやエポキシ／アクリル複合体などが
エラストマー材料として用いられているがこの様なエラ
ストマー材料はゴム状態即ちガラス転移温度（Ｔｇ）以
上での熱膨張率及びＴｇ前後での弾性率変化が大きいた
めに、温度サイクル時の体積変化量が大きい。この様な
材料を用いた場合、半導体素子と配線テープを電気的に
接続するボンディングリードの繰り返し変形による金属
疲労から配線切断等信頼性低下の原因となる。
造として、多層キャリア基板を用いて実装面全体に接続
端子を配し、かつ接続端子長を短縮したボールグリッド
アレイ構造が実用化されている。この多層キャリア基板
に比較的誘電率の低い有機材料を用いることでより高速
化が可能であるが、有機材料と半導体素子間の熱膨張率
差から生じる熱応力のために接続信頼性等に問題があ
る。そこで半導体素子と実装基板の間に生じる応力を緩
和するために、低弾性率エラストマー材料を用いること
で接続信頼性を向上させる新しい半導体パッケージ構造
が検討されている（USP5148265）。このパッケージ構造
はキャリア基板の代わりにポリイミド等からなる配線テ
ープを用いており、半導体素子と配線テープが低弾性率
エラストマー材料で接着されている。また素子と配線テ
ープはリードボンディングまたはワイヤボンディングで
電気的に接続されており、さらに配線テープと実装基板
ははんだボール端子による電気的接続がなされている。
この低弾性率材料として、従来は低熱性に優れたシリコ
ーン系エラストマーやエポキシ／アクリル複合体などが
エラストマー材料として用いられているがこの様なエラ
ストマー材料はゴム状態即ちガラス転移温度（Ｔｇ）以
上での熱膨張率及びＴｇ前後での弾性率変化が大きいた
めに、温度サイクル時の体積変化量が大きい。この様な
材料を用いた場合、半導体素子と配線テープを電気的に
接続するボンディングリードの繰り返し変形による金属
疲労から配線切断等信頼性低下の原因となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】応力緩衝層を有する半
導体装置において、低弾性率エラストマー材料としてガ
ラス転移温度付近での体積変化量が少ない材料を用いる
ことで温度サイクル時の接続信頼性及びリフロー特性に
優れた半導体装置を提供する。
導体装置において、低弾性率エラストマー材料としてガ
ラス転移温度付近での体積変化量が少ない材料を用いる
ことで温度サイクル時の接続信頼性及びリフロー特性に
優れた半導体装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、半導体実
装用樹脂の低熱膨張率化の研究過程において、０.１μ
ｍ以下の低熱膨張性超微粒子を充填することで、樹脂硬
化物のガラス状態での熱膨張率や弾性率を犠牲にせず、
ゴム状態での弾性率低下と熱膨張率の増加を小さくでき
る、すなわちＴｇ付近での体積変化量を小さくできるこ
とを見出した。半導体素子，配線テープ及び両者を接着
する低弾性率エラストマー材料からなる半導体装置にお
いては、温度サイクル時のエラストマー材料の体積変化
が大きく半導体素子と配線テープを電気的に接続するボ
ンディングリードが金属疲労で切断し、信頼性低下につ
ながる。そこでこの低弾性率エラストマー材料として体
積変化量の小さい材料を用いることで、半導体素子と配
線テープを電気的に接続するボンディングリードの温度
サイクルによる変形を抑えることが可能であり接続信頼
性向上を図れると考えた。
装用樹脂の低熱膨張率化の研究過程において、０.１μ
ｍ以下の低熱膨張性超微粒子を充填することで、樹脂硬
化物のガラス状態での熱膨張率や弾性率を犠牲にせず、
ゴム状態での弾性率低下と熱膨張率の増加を小さくでき
る、すなわちＴｇ付近での体積変化量を小さくできるこ
とを見出した。半導体素子，配線テープ及び両者を接着
する低弾性率エラストマー材料からなる半導体装置にお
いては、温度サイクル時のエラストマー材料の体積変化
が大きく半導体素子と配線テープを電気的に接続するボ
ンディングリードが金属疲労で切断し、信頼性低下につ
ながる。そこでこの低弾性率エラストマー材料として体
積変化量の小さい材料を用いることで、半導体素子と配
線テープを電気的に接続するボンディングリードの温度
サイクルによる変形を抑えることが可能であり接続信頼
性向上を図れると考えた。
【０００７】またさらに実装基板に半導体パッケージを
実装する際のはんだリフロー工程において、吸湿した水
分の急激な蒸発により、低弾性率エラストマー接着材層
と素子または配線テープの間で発泡や剥離が生じる問題
がある。これを解決するためには、実装リフロー条件温
度領域（２００℃〜２５０℃）での弾性率が１ＭＰａ以
上を維持する接着材料を用いることが有効であることが
知られている。しかし、通常の熱硬化性樹脂はガラス転
移温度付近での変化が大きいために、リフロー温度領域
で１ＭＰａ以上の弾性率を維持する材料は室温付近での
弾性率が高くなり、半導体素子と基板の間に生じる応力
の緩和効果が低下する。これを解決するためにもガラス
転移温度付近での弾性率低下が少ない低弾性率エラスト
マー材料を用いることが有効である。材料の体積変化を
反映する熱膨張率と弾性率の値は一定の相関を持ってお
り、両者の積の値がより小さいほど生じる熱応力は小さ
いと考えられる。通常、ガラス転移温度の室温側での値
（σ１）は高温側（σ２）より大きく、その比（σ２／
σ１）が１に近づくほどガラス転移温度付近での変化が
小さいと考えられる。従来半導体素子と配線テープの接
着層として用いられているシリコーンエラストマー材料
やゴム成分含有熱硬化性樹脂等はσ２／σ１が０.１ よ
り小さい。本発明による熱硬化性樹脂組成物はσ２／σ
１が０.１ より大きい。即ちガラス転移温度付近での弾
性率低下及び体積変化が小さいために電気的接続信頼性
の確保に有効である。
実装する際のはんだリフロー工程において、吸湿した水
分の急激な蒸発により、低弾性率エラストマー接着材層
と素子または配線テープの間で発泡や剥離が生じる問題
がある。これを解決するためには、実装リフロー条件温
度領域（２００℃〜２５０℃）での弾性率が１ＭＰａ以
上を維持する接着材料を用いることが有効であることが
知られている。しかし、通常の熱硬化性樹脂はガラス転
移温度付近での変化が大きいために、リフロー温度領域
で１ＭＰａ以上の弾性率を維持する材料は室温付近での
弾性率が高くなり、半導体素子と基板の間に生じる応力
の緩和効果が低下する。これを解決するためにもガラス
転移温度付近での弾性率低下が少ない低弾性率エラスト
マー材料を用いることが有効である。材料の体積変化を
反映する熱膨張率と弾性率の値は一定の相関を持ってお
り、両者の積の値がより小さいほど生じる熱応力は小さ
いと考えられる。通常、ガラス転移温度の室温側での値
（σ１）は高温側（σ２）より大きく、その比（σ２／
σ１）が１に近づくほどガラス転移温度付近での変化が
小さいと考えられる。従来半導体素子と配線テープの接
着層として用いられているシリコーンエラストマー材料
やゴム成分含有熱硬化性樹脂等はσ２／σ１が０.１ よ
り小さい。本発明による熱硬化性樹脂組成物はσ２／σ
１が０.１ より大きい。即ちガラス転移温度付近での弾
性率低下及び体積変化が小さいために電気的接続信頼性
の確保に有効である。
【０００８】本発明に用いられる熱硬化性樹脂の例とし
てはエポキシ樹脂，フェノール樹脂，マレイミド樹脂，
ポリイミド，シアネート樹脂，イソシアネート樹脂，ポ
リエステル樹脂，フラン樹脂，ポリウレタン，メラミン
樹脂，ユリア樹脂等があげられエポキシ樹脂の例として
は、現在半導体封止用成形材料として一般に用いられて
いるビフェニル型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹
脂，ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などであり、硬化
剤としてフェノールノボラックやクレゾールノボラック
などの水酸基を有するノボラック樹脂，無水ピロメリッ
ト酸，無水ベンゾフェノンなどの酸無水物およびアミン
化合物を用い、更に必要に応じて硬化促進剤としてトリ
フェニルホスフィン，イミダゾール等を配合する。
てはエポキシ樹脂，フェノール樹脂，マレイミド樹脂，
ポリイミド，シアネート樹脂，イソシアネート樹脂，ポ
リエステル樹脂，フラン樹脂，ポリウレタン，メラミン
樹脂，ユリア樹脂等があげられエポキシ樹脂の例として
は、現在半導体封止用成形材料として一般に用いられて
いるビフェニル型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹
脂，ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などであり、硬化
剤としてフェノールノボラックやクレゾールノボラック
などの水酸基を有するノボラック樹脂，無水ピロメリッ
ト酸，無水ベンゾフェノンなどの酸無水物およびアミン
化合物を用い、更に必要に応じて硬化促進剤としてトリ
フェニルホスフィン，イミダゾール等を配合する。
【０００９】超微粒子充填材としては、充填材単独での
熱膨張率が１０ppm／Ｋ 以下でかつ平均粒子径が０.１
μｍ 以下の微粒子が用いられ、材質としてはコロイダ
ルシリカ，煙霧質シリカ，結晶シリカ，溶融シリカ，酸
化アルミニウム，酸化チタン，酸化ジルコニウム等の無
機物、更にこれらの末端に水酸基，メチル基，メトキシ
基，エチル基，エトキシ基等の官能基を有するものが用
いられる。ここで、コロイダルシリカとは、高分子量無
水珪酸のコロイド溶液である。これはシリカゾルとして
市販されているもので、通常水が分散媒であるが、有機
溶媒を分散媒として用いたオルガノシリカゾルも市販さ
れている。本発明では樹脂の溶解性の点かに有機溶媒に
分散したオルガノシリカゾルが望ましい。また煙霧質シ
リカとはアエロジルとして市販されている乾式超微細シ
リカであり、樹脂や溶媒への分散性の点から有機基で修
飾されたアエロジルが望ましい。その含有量は樹脂分に
対して０.５〜７０phr（per hundred of resin）の範囲
内であることが望ましい。
熱膨張率が１０ppm／Ｋ 以下でかつ平均粒子径が０.１
μｍ 以下の微粒子が用いられ、材質としてはコロイダ
ルシリカ，煙霧質シリカ，結晶シリカ，溶融シリカ，酸
化アルミニウム，酸化チタン，酸化ジルコニウム等の無
機物、更にこれらの末端に水酸基，メチル基，メトキシ
基，エチル基，エトキシ基等の官能基を有するものが用
いられる。ここで、コロイダルシリカとは、高分子量無
水珪酸のコロイド溶液である。これはシリカゾルとして
市販されているもので、通常水が分散媒であるが、有機
溶媒を分散媒として用いたオルガノシリカゾルも市販さ
れている。本発明では樹脂の溶解性の点かに有機溶媒に
分散したオルガノシリカゾルが望ましい。また煙霧質シ
リカとはアエロジルとして市販されている乾式超微細シ
リカであり、樹脂や溶媒への分散性の点から有機基で修
飾されたアエロジルが望ましい。その含有量は樹脂分に
対して０.５〜７０phr（per hundred of resin）の範囲
内であることが望ましい。
【００１０】上記の樹脂及び低熱膨張性超微粒子充填材
を用いた樹脂組成物はゴム粒子のような低弾性率材の添
加によってその特徴を失うことがないため、上記の特徴
と低弾性率性を兼ね備えた樹脂硬化物を得ることが可能
である。添加する低弾性率材としては液状，固形状，微
粒子状のいずれでもよいが、ガラス転移温度の低下しな
い海島構造を形成するためには樹脂成分と相溶しないこ
とが望ましく、硬化時の相分離によりドメインとなるこ
とが必要である。具体的にはポリジメチルシロキサンを
主成分とするシリコーン化合物，フッ素含有エラストマ
ー，スチレン系重合体，アクリル酸エステルの単独また
は共重合体，ポリアクリロニトリル，アクリロニトリル
−ブタジェン共重合体，アクリロニトリル−ブタジェン
−スチレン共重合体，末端基変性アクリロニトリル−ブ
タジェン共重体等があげられる。これらの低弾性率材の
分散状態は粒径０.０１μｍ 〜３０μｍの範囲であるこ
とが望ましく、その含有量は全体の樹脂分に対して０.
５〜７０phrの範囲内であることが望ましい。
を用いた樹脂組成物はゴム粒子のような低弾性率材の添
加によってその特徴を失うことがないため、上記の特徴
と低弾性率性を兼ね備えた樹脂硬化物を得ることが可能
である。添加する低弾性率材としては液状，固形状，微
粒子状のいずれでもよいが、ガラス転移温度の低下しな
い海島構造を形成するためには樹脂成分と相溶しないこ
とが望ましく、硬化時の相分離によりドメインとなるこ
とが必要である。具体的にはポリジメチルシロキサンを
主成分とするシリコーン化合物，フッ素含有エラストマ
ー，スチレン系重合体，アクリル酸エステルの単独また
は共重合体，ポリアクリロニトリル，アクリロニトリル
−ブタジェン共重合体，アクリロニトリル−ブタジェン
−スチレン共重合体，末端基変性アクリロニトリル−ブ
タジェン共重体等があげられる。これらの低弾性率材の
分散状態は粒径０.０１μｍ 〜３０μｍの範囲であるこ
とが望ましく、その含有量は全体の樹脂分に対して０.
５〜７０phrの範囲内であることが望ましい。
【００１１】本発明に用いられる樹脂組成物は例えば次
のようにして製造することができる。樹脂成分，充填
材，低弾性率材などの組成物構成成分をミキシングロー
ルなどの混練機で溶融混合した後に冷却，粉砕し、樹脂
組成物を粉末を得る。あるいは適当な溶剤中で各成分を
十分混合した後溶媒を完全に除去，粉砕し、樹脂組成物
の粉末を得る。得られた樹脂組成物粉末は、プレス成形
など公知の方法により成形することができる。また、適
当な溶剤を用いて十分混練して得られ、均一なワニス状
分散液を、バーコート，スピンコート等によりキャスト
した後溶剤を十分乾燥した後に硬化しフィルム状にする
ことも可能である。
のようにして製造することができる。樹脂成分，充填
材，低弾性率材などの組成物構成成分をミキシングロー
ルなどの混練機で溶融混合した後に冷却，粉砕し、樹脂
組成物を粉末を得る。あるいは適当な溶剤中で各成分を
十分混合した後溶媒を完全に除去，粉砕し、樹脂組成物
の粉末を得る。得られた樹脂組成物粉末は、プレス成形
など公知の方法により成形することができる。また、適
当な溶剤を用いて十分混練して得られ、均一なワニス状
分散液を、バーコート，スピンコート等によりキャスト
した後溶剤を十分乾燥した後に硬化しフィルム状にする
ことも可能である。
【００１２】さらに、接着性フィルム材料として用いる
場合、前述の熱硬化性樹脂成物成分のみからなる均一構
造だけでなく、例えば支持体の片面または両面に接着材
層を有する多層構造としてもその特徴を失うことはな
い。この様な多層構造フィルムを用いる場合、支持体と
して多孔質の支持体全体または表層のみに接着材を含浸
させた構造をとる場合もある。支持体の材料としてはポ
リイミド，エポキシ，ポリエチレンテレフタレート，セ
ルロース，アセテート，ポリテトラフルオルエチレン等
のフィルム或いは多孔質フィルムを用いることができ
る。
場合、前述の熱硬化性樹脂成物成分のみからなる均一構
造だけでなく、例えば支持体の片面または両面に接着材
層を有する多層構造としてもその特徴を失うことはな
い。この様な多層構造フィルムを用いる場合、支持体と
して多孔質の支持体全体または表層のみに接着材を含浸
させた構造をとる場合もある。支持体の材料としてはポ
リイミド，エポキシ，ポリエチレンテレフタレート，セ
ルロース，アセテート，ポリテトラフルオルエチレン等
のフィルム或いは多孔質フィルムを用いることができ
る。
【００１３】本発明の半導体装置の製造方法としては少
なくとも、１．配線層を有するテープに接着層を形成す
る工程、２．配線層を有するテープに接着層を介して半
導体素子を接着する工程、３．テープ上の配線層と半導
体素子を電気的に接続する工程、４．実装基板と接続す
るための外部端子をテープ上に形成する工程、からな
る。配線層を有するテープ上に接着層を形成する方法と
しては、前述の熱硬化性樹脂組成物のワニスをメタルマ
スクまたはスクリーンマスクを用いて配線テープ上に印
刷塗工した後溶媒を乾燥し、熱硬化性樹脂が未硬化のＡ
ステージまたは所定の温度で半硬化のＢステージ状態と
する方法。または予めＡステージまたはＢステージ化し
た単層或いは多層の接着性フィルムを、何らかの適当な
手法により配線層を有するテープ上に貼り付ける方法が
ある。テープに形成されたＢステージ状態の接着層は、
次の半導体素子接着工程で最終的な硬化状態に至る。
なくとも、１．配線層を有するテープに接着層を形成す
る工程、２．配線層を有するテープに接着層を介して半
導体素子を接着する工程、３．テープ上の配線層と半導
体素子を電気的に接続する工程、４．実装基板と接続す
るための外部端子をテープ上に形成する工程、からな
る。配線層を有するテープ上に接着層を形成する方法と
しては、前述の熱硬化性樹脂組成物のワニスをメタルマ
スクまたはスクリーンマスクを用いて配線テープ上に印
刷塗工した後溶媒を乾燥し、熱硬化性樹脂が未硬化のＡ
ステージまたは所定の温度で半硬化のＢステージ状態と
する方法。または予めＡステージまたはＢステージ化し
た単層或いは多層の接着性フィルムを、何らかの適当な
手法により配線層を有するテープ上に貼り付ける方法が
ある。テープに形成されたＢステージ状態の接着層は、
次の半導体素子接着工程で最終的な硬化状態に至る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明を実施例により具体的に説
明する。また得られた各樹脂硬化物について、熱膨張挙
動，動的弾性率を測定し熱応力指数を算出した。熱膨張
率は５×５×２mmの試験片を昇温速度２℃／min で加
熱，圧縮モードで測定した。弾性率は２０×５×２mmの
試験片を昇温速度２℃／min で加熱，引っ張りモードで
測定した際の粘弾性挙動より求めた。なお本実施例に用
いた樹脂のガラス転移温度は１５０℃付近であるため、
ガラス状態の熱応力指数は５０〜１００℃での熱膨張率
及び弾性率の平均値を用い、またゴム状態の熱応力指数
は１７０℃〜２２０℃での熱膨張率及び弾性率の平均値
より求めた。ガラス転移温度以下の熱応力指数σ１とガ
ラス転移温度以上の熱応力指数σ２の比σ２／σ１をま
とめて表１に示す。
明する。また得られた各樹脂硬化物について、熱膨張挙
動，動的弾性率を測定し熱応力指数を算出した。熱膨張
率は５×５×２mmの試験片を昇温速度２℃／min で加
熱，圧縮モードで測定した。弾性率は２０×５×２mmの
試験片を昇温速度２℃／min で加熱，引っ張りモードで
測定した際の粘弾性挙動より求めた。なお本実施例に用
いた樹脂のガラス転移温度は１５０℃付近であるため、
ガラス状態の熱応力指数は５０〜１００℃での熱膨張率
及び弾性率の平均値を用い、またゴム状態の熱応力指数
は１７０℃〜２２０℃での熱膨張率及び弾性率の平均値
より求めた。ガラス転移温度以下の熱応力指数σ１とガ
ラス転移温度以上の熱応力指数σ２の比σ２／σ１をま
とめて表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】（実施例１）ビフェニルエポキシ樹脂YX40
00（油化シェル社製）２６０ｇ，ノボラック型フェノー
ル樹脂（明和化成社製）１４０ｇ，溶融シリカ（ＳＤ２
５Ｒ：平均粒径０.６８μｍ ，龍森社製）１２０ｇを混
練機中で十分混合した後硬化促進剤としてトリフェニル
フォスフィン（北興化学社製）４ｇを加え十分溶融混合
した後粉砕し、樹脂組成物の粉末を得た。得られた樹脂
組成物の粉末を１×１０7Ｎ／ｍ2の圧力下、２００℃で
２時間硬化し樹脂板を得た。
00（油化シェル社製）２６０ｇ，ノボラック型フェノー
ル樹脂（明和化成社製）１４０ｇ，溶融シリカ（ＳＤ２
５Ｒ：平均粒径０.６８μｍ ，龍森社製）１２０ｇを混
練機中で十分混合した後硬化促進剤としてトリフェニル
フォスフィン（北興化学社製）４ｇを加え十分溶融混合
した後粉砕し、樹脂組成物の粉末を得た。得られた樹脂
組成物の粉末を１×１０7Ｎ／ｍ2の圧力下、２００℃で
２時間硬化し樹脂板を得た。
【００１７】（実施例２〜６）表１に示す各構成材料を
同表に示す割合でＤＭＡｃ溶媒中で混合し、樹脂分が十
分に溶解した後減圧蒸留及び減圧乾燥により樹脂粉末と
し、実施例１と同様の条件で硬化し樹脂板を得た。
同表に示す割合でＤＭＡｃ溶媒中で混合し、樹脂分が十
分に溶解した後減圧蒸留及び減圧乾燥により樹脂粉末と
し、実施例１と同様の条件で硬化し樹脂板を得た。
【００１８】（実施例７）実施例６の構成材料をＤＭＡ
ｃ溶媒中で混合し、樹脂分が十分に溶解した後減圧蒸留
により溶媒を一部取り除き粘度約１００ポイズのワニス
とした。これをバーコーターを用いて離型フィルム上に
コーティングし１２０℃／５min 加熱することで約１５
０μｍのＢステージ化フィルムを得た。得られたフィル
ムを１２０℃で配線テープ上に圧力４ＭＰａで加熱圧着
した。さらにこの接着材層上に半導体素子を２００℃／
４ＭＰａで加熱圧着した。更に恒温層中で２００℃／６
０分の後硬化を施した。配線上テープ上のリードを半導
体素子のパッドにボンディングし電気的に接続した後接
続部分をエポキシ系封止材料で封止した。最後に配線テ
ープ上にはんだボールを取り付け図２の様な半導体装置
を得た。このパッケージをガラス布基材エポキシ樹脂銅
張り積層板に実装し−５０℃〜１５０℃／1000サイクル
の温度サイクル試験後を行ったところボンディングワイ
ヤーの切断不良は見られなかった。
ｃ溶媒中で混合し、樹脂分が十分に溶解した後減圧蒸留
により溶媒を一部取り除き粘度約１００ポイズのワニス
とした。これをバーコーターを用いて離型フィルム上に
コーティングし１２０℃／５min 加熱することで約１５
０μｍのＢステージ化フィルムを得た。得られたフィル
ムを１２０℃で配線テープ上に圧力４ＭＰａで加熱圧着
した。さらにこの接着材層上に半導体素子を２００℃／
４ＭＰａで加熱圧着した。更に恒温層中で２００℃／６
０分の後硬化を施した。配線上テープ上のリードを半導
体素子のパッドにボンディングし電気的に接続した後接
続部分をエポキシ系封止材料で封止した。最後に配線テ
ープ上にはんだボールを取り付け図２の様な半導体装置
を得た。このパッケージをガラス布基材エポキシ樹脂銅
張り積層板に実装し−５０℃〜１５０℃／1000サイクル
の温度サイクル試験後を行ったところボンディングワイ
ヤーの切断不良は見られなかった。
【００１９】（実施例８）アクリルゴム分散型エポキシ
樹脂（東都化成社製、ＹＲ５２８）４０ｇと煙霧質超微
細シリカアエロジル（日本アエロジル社製）１０ｇ、３
本ロールを用いて十分に混練した後、硬化剤ノボラック
型フェノール樹脂（明和化成社製）17.8ｇと硬化促進剤
トリフェニルフォスフィンのジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡｃ）溶液を加え固形分５０％のワニスとした。この
ワニスを厚さ５０μｍのポリイミドフィルム上に塗布し
１００℃の恒温層中で３０分乾燥して接着層を形成し
た。更にもう一方の面にも同様にして接着層を形成し、
３層の接着フィルムを作成した。このフィルムを用いて
実施例７と同様の方法で半導体パッケージとし、実施例
７同様の温度サイクル試験を行った。
樹脂（東都化成社製、ＹＲ５２８）４０ｇと煙霧質超微
細シリカアエロジル（日本アエロジル社製）１０ｇ、３
本ロールを用いて十分に混練した後、硬化剤ノボラック
型フェノール樹脂（明和化成社製）17.8ｇと硬化促進剤
トリフェニルフォスフィンのジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡｃ）溶液を加え固形分５０％のワニスとした。この
ワニスを厚さ５０μｍのポリイミドフィルム上に塗布し
１００℃の恒温層中で３０分乾燥して接着層を形成し
た。更にもう一方の面にも同様にして接着層を形成し、
３層の接着フィルムを作成した。このフィルムを用いて
実施例７と同様の方法で半導体パッケージとし、実施例
７同様の温度サイクル試験を行った。
【００２０】（実施例９）ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、エピコート８２８）４０ｇとア
クリロニトリルブタジェン共重合体微粒子（日本合成ゴ
ム社製、XER91 ）２０ｇをＤＭＡｃ中で１４０℃／１時
間撹拌した後、ジアミノジフェニルエタン７ｇを加え十
分溶解させる。これに煙霧質超微細シリカアエロジル
（日本アエロジル社製）１０ｇを３本ロールを用いて十
分に混練して得たワニスを多孔質ポリテトラフルオロエ
チレンシートの両面に含浸塗工し１００℃／３０分の条
件で溶媒を乾燥する。得られた３層構造の接着シートを
用いて実施例７と同様に半導体パッケージを作成し、同
様の温度サイクル試験を行った。
樹脂（油化シェル社製、エピコート８２８）４０ｇとア
クリロニトリルブタジェン共重合体微粒子（日本合成ゴ
ム社製、XER91 ）２０ｇをＤＭＡｃ中で１４０℃／１時
間撹拌した後、ジアミノジフェニルエタン７ｇを加え十
分溶解させる。これに煙霧質超微細シリカアエロジル
（日本アエロジル社製）１０ｇを３本ロールを用いて十
分に混練して得たワニスを多孔質ポリテトラフルオロエ
チレンシートの両面に含浸塗工し１００℃／３０分の条
件で溶媒を乾燥する。得られた３層構造の接着シートを
用いて実施例７と同様に半導体パッケージを作成し、同
様の温度サイクル試験を行った。
【００２１】（実施例１０）実施例７と同様の方法で固
形分約６０％の均一なワニスを得た。このワニスを室温
でガラスクロスに含浸塗工し、１００℃で２０分間の熱
風乾燥により溶媒を除去してプリプレグを得た。プリプ
レグの上下に銅箔（１８μｍ）を貼りガラスエポキシ積
層板を重ね、積層圧力４０kgf／cm2，積層温度１８０
℃，６０分で接着して図２に示すような積層基板を得
た。
形分約６０％の均一なワニスを得た。このワニスを室温
でガラスクロスに含浸塗工し、１００℃で２０分間の熱
風乾燥により溶媒を除去してプリプレグを得た。プリプ
レグの上下に銅箔（１８μｍ）を貼りガラスエポキシ積
層板を重ね、積層圧力４０kgf／cm2，積層温度１８０
℃，６０分で接着して図２に示すような積層基板を得
た。
【００２２】（比較例１）ビフェニルエポキシ樹脂YX40
00（油化シェル社製）２６０ｇ，ノボラック型フェノー
ル樹脂（明和化成社製）１４０ｇ、溶融シリカＣＯＸ３
１（マイクロン社製：平均粒径２４μｍ）１２０ｇを１
２０℃の混練機中で十分溶融混合した後硬化促進剤とし
てトリフェニルフォスフィン（北興化学社製）４ｇを加
え、室温に冷却した後粉砕し、樹脂組成物の粉末を得
た。これを実施例１と同様の条件で硬化し、樹脂硬化物
を得た。
00（油化シェル社製）２６０ｇ，ノボラック型フェノー
ル樹脂（明和化成社製）１４０ｇ、溶融シリカＣＯＸ３
１（マイクロン社製：平均粒径２４μｍ）１２０ｇを１
２０℃の混練機中で十分溶融混合した後硬化促進剤とし
てトリフェニルフォスフィン（北興化学社製）４ｇを加
え、室温に冷却した後粉砕し、樹脂組成物の粉末を得
た。これを実施例１と同様の条件で硬化し、樹脂硬化物
を得た。
【００２３】（比較例２）比較例１同様の構成材料に低
弾性率材として固形シリコーンＥ５００（東レシリコー
ン社製）２００ｇを加え、実施例１同様に樹脂硬化物を
得た。
弾性率材として固形シリコーンＥ５００（東レシリコー
ン社製）２００ｇを加え、実施例１同様に樹脂硬化物を
得た。
【００２４】（比較例３）配線テープ上にメタルマスク
を用いてシリコーン系エラストマー（東レダウコーニン
グ社製、JCR3126 ）を印刷，硬化し厚さ１５０μｍのエ
ラストマー層を形成した後、さらに接着剤層としてシリ
コーン系接着材（信越化学、KE1820）を約１０μｍ塗布
し半導体素子を加熱圧着した。接着条件は１５０℃／１
分，圧力３０kgf／cm2とした。更に実施例７同様に接続
部分を封止、はんだボール付けを行い半導体パッケージ
を得た。得られたパッケージの耐温度サイクル性を実施
例７同様に確認した。
を用いてシリコーン系エラストマー（東レダウコーニン
グ社製、JCR3126 ）を印刷，硬化し厚さ１５０μｍのエ
ラストマー層を形成した後、さらに接着剤層としてシリ
コーン系接着材（信越化学、KE1820）を約１０μｍ塗布
し半導体素子を加熱圧着した。接着条件は１５０℃／１
分，圧力３０kgf／cm2とした。更に実施例７同様に接続
部分を封止、はんだボール付けを行い半導体パッケージ
を得た。得られたパッケージの耐温度サイクル性を実施
例７同様に確認した。
【００２５】（比較例４）ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル社製、エピコート８２８）４０ｇとア
クリロニトリルブタジェン共重合体微粒子（日本合成ゴ
ム社製、XER91 ）２０ｇをＤＭＡｃ中で１４０℃／１時
間撹拌した後、ジアミノジフェニルエタン７ｇを加え十
分溶解させて得られたワニスを厚さ５０μｍのポリイミ
ドフィルムの両面に塗工し、１００℃／３０分乾燥した
接着性フィルムを用いて実施例７同様の手法で半導体パ
ッケージを作成し耐温度サイクル性を確認した。
樹脂（油化シェル社製、エピコート８２８）４０ｇとア
クリロニトリルブタジェン共重合体微粒子（日本合成ゴ
ム社製、XER91 ）２０ｇをＤＭＡｃ中で１４０℃／１時
間撹拌した後、ジアミノジフェニルエタン７ｇを加え十
分溶解させて得られたワニスを厚さ５０μｍのポリイミ
ドフィルムの両面に塗工し、１００℃／３０分乾燥した
接着性フィルムを用いて実施例７同様の手法で半導体パ
ッケージを作成し耐温度サイクル性を確認した。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明による樹脂組成
物から得られる硬化物はゴム状態での熱膨張率が低くま
た弾性率の低下が小さいために、ガラス転移温度付近で
の急激な体積変化が小さい。この様な樹脂硬化物を用い
ることで半導体パッケージの耐温度サイクル性を向上す
ることができる。特にＬＳＩチップと実装基板の間に生
じる応力を緩衝するためのエラストマー層を設けた半導
体パッケージ構造において、熱硬化性樹脂，低熱膨張率
超微細粒子及び低弾性成分から構成されるエラストマー
材料を用いることで温度サイクル時のエラストマー材料
の変形に伴う断線不良などが減少し、信頼性を向上させ
ることができる。
物から得られる硬化物はゴム状態での熱膨張率が低くま
た弾性率の低下が小さいために、ガラス転移温度付近で
の急激な体積変化が小さい。この様な樹脂硬化物を用い
ることで半導体パッケージの耐温度サイクル性を向上す
ることができる。特にＬＳＩチップと実装基板の間に生
じる応力を緩衝するためのエラストマー層を設けた半導
体パッケージ構造において、熱硬化性樹脂，低熱膨張率
超微細粒子及び低弾性成分から構成されるエラストマー
材料を用いることで温度サイクル時のエラストマー材料
の変形に伴う断線不良などが減少し、信頼性を向上させ
ることができる。
【図１】本発明による樹脂組成物を用いて封止されたプ
ラスチックＢＧＡの断面模式図。
ラスチックＢＧＡの断面模式図。
【図２】本発明による樹脂組成物を応力緩衝層に用いた
フェースダウン型ＢＧＡパッケージの断面模式図。
フェースダウン型ＢＧＡパッケージの断面模式図。
【図３】本発明による樹脂組成物を応力緩衝層に用いた
フェースダウン型チップサイズＢＧＡパッケーシの断面
模式図。
フェースダウン型チップサイズＢＧＡパッケーシの断面
模式図。
【図４】本発明による樹脂組成物を用いて封止された樹
脂封止型半導体パッケージの断面模式図。
脂封止型半導体パッケージの断面模式図。
【図５】本発明による樹脂組成物を用いて得られた銅張
積層板の断面模式図。
積層板の断面模式図。
１…封止材、２…ＬＳＩチップ、３…配線基板、４…レ
ジスト、５…はんだボール、６…応力緩衝層、７…配線
テープ、８…配線、９…リング、１０…放熱用ＣＡＮ、
１１…アウターリード、１２…銅箔、１３…ガラスエポ
キシ積層板、１４…プリプレグ。
ジスト、５…はんだボール、６…応力緩衝層、７…配線
テープ、８…配線、９…リング、１０…放熱用ＣＡＮ、
１１…アウターリード、１２…銅箔、１３…ガラスエポ
キシ積層板、１４…プリプレグ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 201/00 (72)発明者 瀬川 正則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 荻野 雅彦 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 小角 博義 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 石井 利昭 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】ガラス状態での熱応力指数σ１とゴム状態
での熱応力指数σ２の比σ２／σ１が０.１００以上１.
０００以下である熱硬化性樹脂を用いた半導体装置。こ
こで熱応力指数＝弾性率（kgf／cm2）×熱膨張係数（pp
m／Ｋ）×１０~4 と定義する。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置に於いて、該熱
硬化性樹脂が１次平均粒径が０.１μｍ以下の低熱膨張
性超微粒子充填材を樹脂の５〜９０phr 含有することを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】請求項１及び請求項２記載の半導体装置に
於いて、該熱硬化性樹脂が、室温での弾性率１ＭＰａ以
下かつ平均粒径０.０１μｍ 以上３０μｍ以下の液状ま
たは固形低弾性率成分を樹脂成分の少なくとも０.５〜
７０phr含有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】配線層を有するテープ材料と半導体素子が
電気的に接続されており、その配線テープ上に実装基板
と電気的に接続するための外部端子を有し、配線テープ
と半導体素子が絶縁的に接着する材料にフィルム材料を
用いた半導体素子に於いて、接着フィルム材料の物性と
して、ガラス状態での熱応力指数σ１とゴム状態での熱
応力指数σ２の比σ２／σ１が０.１００以上１.０００
以下であるような熱硬化性樹脂を用いることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項５】請求項４のフィルム材料として、１次平均
粒径が０.１μｍ 以下の低熱膨張性超微粒子充填材を樹
脂の５〜９０phr 含有する熱硬化性樹脂を用いることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】請求項４のフィルム材料として、室温での
弾性率が１ＭＰａ以下かつ平均粒径０.０１μｍ 以上３
０μｍ以下の液状または固形低弾性率成分を樹脂成分の
少なくとも０.５〜７０phr含有する熱硬化性樹脂を用い
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】請求項４記載のフィルム材料として支持体
の片面または両面に接着材層を有する多層構造フィルム
を用いた構造に於いて、接着材層の物性としてガラス状
態での熱応力指数σ１とゴム状態での熱応力指数σ２の
比σ２／σ１が０.１００ 以上１.０００ 以下であるよ
うな熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項８】請求項７の接着材層として、１次平均粒径
が０.１μｍ 以下の低熱膨張性超微粒子充填材を樹脂の
５〜９０phr 含有する熱硬化性樹脂を用いることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項９】請求項７の接着剤層として、室温での弾性
率が１ＭＰａ以下かつ平均粒径0.01μｍ以上３０μｍ以
下の液状または固形低弾性率成分を樹脂成分の少なくと
も０.５〜７０phr含有する熱硬化性樹脂を用いることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】請求項７〜９記載のフィルム材料とし
て、支持体が多孔質材料であることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項１１】ガラス状態での熱応力指数σ１とゴム状
態での熱応力指数σ２の比σ２／σ１が０.１００以上
１.０００以下である熱硬化性樹脂を用いた半導体実装
用配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313330A JPH10154777A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8313330A JPH10154777A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154777A true JPH10154777A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18039947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8313330A Pending JPH10154777A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154777A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000256628A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着材フィルム、半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置及びそれらの製造法 |
| WO2000078871A1 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and molded article produced from the composition |
| JP2001160568A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-12 | Sony Chem Corp | 接続材料 |
| SG108923A1 (en) * | 2002-06-10 | 2005-02-28 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing semiconductor device and heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for use therein |
| JP2006169288A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 接着剤、および、薄板の平板への接着方法 |
| JP2006257280A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物 |
| WO2008142882A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Nagoya Oilchemical Co., Ltd. | 多孔質材加工用樹脂組成物および成形多孔質材の製造方法 |
| WO2011093026A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 日東電工株式会社 | 両面粘着テープおよびその製造方法 |
| WO2014156775A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法 |
| WO2014175096A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 日東電工株式会社 | 中空封止シート及び中空パッケージの製造方法 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP8313330A patent/JPH10154777A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000256628A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着材フィルム、半導体搭載用外部接続用部材、半導体装置及びそれらの製造法 |
| WO2000078871A1 (en) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and molded article produced from the composition |
| JP2001160568A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-12 | Sony Chem Corp | 接続材料 |
| SG108923A1 (en) * | 2002-06-10 | 2005-02-28 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing semiconductor device and heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for use therein |
| JP2006169288A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 接着剤、および、薄板の平板への接着方法 |
| JP2006257280A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電子部品実装用熱硬化性樹脂組成物 |
| WO2008142882A1 (ja) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Nagoya Oilchemical Co., Ltd. | 多孔質材加工用樹脂組成物および成形多孔質材の製造方法 |
| JP2008291118A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Nagoya Oil Chem Co Ltd | 多孔質材加工用樹脂組成物および成形多孔質材の製造方法 |
| WO2011093026A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 日東電工株式会社 | 両面粘着テープおよびその製造方法 |
| CN102741371A (zh) * | 2010-02-01 | 2012-10-17 | 日东电工株式会社 | 双面粘合带及其制造方法 |
| WO2014156775A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法 |
| CN105103285A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-11-25 | 日东电工株式会社 | 密封片、密封片的制造方法以及电子部件封装体的制造方法 |
| TWI664076B (zh) * | 2013-03-27 | 2019-07-01 | 日商日東電工股份有限公司 | 密封片、密封片之製造方法及電子零件封裝之製造方法 |
| WO2014175096A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 日東電工株式会社 | 中空封止シート及び中空パッケージの製造方法 |
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