KR20150089953A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 동축 도파관으로부터 지파판으로 전송되는 마이크로파를 지파판에 있어서 원주 방향으로 균일하게 방사하고, 이 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리를 적절하게 행하는 것을 목적으로 한다.
플라즈마 처리 장치는, 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 마이크로파 발생기에서 발생한 마이크로파를 전송하는 동축 도파관(50)과, 동축 도파관(50)으로부터 전송된 마이크로파의 파장을 조정하고, 이 마이크로파를 처리 용기에 도입하기 위한 지파판(43)을 갖는다. 동축 도파관(50)의 내부 도체(51)의 하단부(51a)는, 그 직경이 아래쪽을 향해 확대되는 테이퍼 형상을 갖는다. 지파판(43)은 평면에서 보아 원환 형상을 갖는다. 지파판(43)의 내측면(43a)은, 내부 도체(51)의 하단부(51a)를 둘러싸고, 또한 동축 도파관(50)의 외부 도체(52)의 내측면(52a)보다 직경 방향으로 외측에 위치한다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치로서, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(radial line slot antenna)를 이용한 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다. 레이디얼 라인 슬롯 안테나는, 다수의 슬롯을 갖는 슬롯판의 상부에 지파판(遲波板)을 배치한 상태에서 처리 용기의 천장면 개구부에 배치되고, 그 중앙부에서 동축 도파관에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 마이크로파 발생기에 의해 발생된 마이크로파는, 동축 도파관을 경유하여, 지파판에 의해 직경 방향으로 방사상으로 전달되고, 슬롯판에 의해 원편파를 발생시킨 후, 슬롯판으로부터 처리 용기 내로 방사된다. 그리고, 이 마이크로파에 의해 처리 용기 내에 있어서 저압 하에서 전자 온도가 낮은 고밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있고, 생성된 플라즈마에 의해, 예컨대 성막 처리나 에칭 처리 등의 플라즈마 처리가 행해진다.
전술한 플라즈마 처리 장치에서는, 예컨대 도 7에 도시된 바와 같이 동축 도파관(100)은 내부 도체(101)와 외부 도체(102)에 의해 구성되어 있다. 내부 도체(101)의 하단부(101a)는 원추 형상으로 형성되고, 그 직경이 아래쪽을 향해 확대되는 테이퍼 형상을 갖고 있다. 또한, 지파판(110)은, 예컨대 그 내측에 있어서 위쪽으로 돌기한 돌기부(110a)를 갖고 있다. 돌기부(110a)는 내부 도체(101)와 외부 도체(102)의 간극을 메우도록 형성되고, 동축 도파관(100)의 직경 방향의 축 변위를 억제하고 있다.
그러나, 지파판(110)에 있어서는 돌기부(110a)의 가공이 어려워, 돌기부(110a)와 내부 도체(101)의 사이나, 돌기부(110a)와 외부 도체(102)의 사이에 미소한 공기층(111)이 생겨, 마이크로파의 전송 경로가 복잡한 공간이 된다. 게다가, 이 공기층(111)은 장치간의 기차(機差)에 따라 상이하다. 그러면, 동축 도파관(100)으로부터 지파판(110)으로 마이크로파가 적절하게 전송되지 않아, 상기 지파판(110)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사가 불균일해진다.
이 점에 있어서, 예컨대 특허문헌 1에는, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 돌기부(110a)가 없는 지파판(120)이 개시되어 있다. 지파판(120)은 내측에 배치되는 원환 형상 평판의 소직경 부재와, 소직경 부재를 둘러싸는 원환 형상 평판의 대직경 부재로 구성되어 있다. 도 8에 있어서는, 지파판(120)의 소직경 부재가 도시되어 있다. 이 지파판(120)의 내측면(120a)은 동축 도파관(100)의 외부 도체(102)의 내측면(102a)보다 직경 방향으로 내측에 위치한다. 즉, 지파판(120)은 외부 도체(102)보다 내부 도체(101)측으로 돌출되어 설치되어 있다.
일본 특허 공개 제2011-77228호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 지파판(120)을 이용한 경우, 도 7에 도시된 돌기부(110a)에 의한 공기층(111)을 없앨 수 있지만, 도 8에 도시된 바와 같이 지파판(120)의 내측면(120a)과 내부 도체(101)의 하단부(101a) 사이에 미소한 공기층(121)이 형성된다. 즉, 지파판(120)을 이용한 경우에도, 마이크로파의 전송 경로가 복잡한 공간이 된다. 이 때문에, 동축 도파관(100) 내부를 통해 전송되는 마이크로파의 일부분은 직접 지파판(120)에 전송되지만, 다른 부분은 미소한 공기층(121)을 경유하여 지파판(120)에 전송되어, 동축 도파관(100)으로부터 지파판(120)에 마이크로파가 적절하게 전송되지 않는다. 그러면, 지파판(120)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사가 불균일해진다. 그리고, 이와 같이 마이크로파의 방사가 불균일해지면 전계가 흐트러지고, 처리 용기 내에 생성되는 플라즈마 밀도가 불균일해진다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 동축 도파관으로부터 지파판으로 전송되는 마이크로파를 지파판에 있어서 원주 방향으로 균일하게 방사하고, 이 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리를 적절하게 행하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 피처리체를 수용하는 처리 용기와, 마이크로파 발생기에서 발생한 마이크로파를 전송하는 동축 도파관과, 상기 동축 도파관으로부터 전송된 마이크로파의 파장을 조정하고, 이 마이크로파를 상기 처리 용기에 도입하기 위한 지파판을 구비하며, 상기 동축 도파관의 내부 도체의 하단부는, 그 직경이 아래쪽을 향해 확대되는 테이퍼 형상을 가지며, 상기 지파판은 평면에서 보아 원환 형상을 가지며, 상기 지파판의 내측면은 상기 내부 도체의 하단부를 둘러싸고, 또한 상기 동축 도파관의 외부 도체의 내측면보다 직경 방향으로 외측에 위치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 지파판의 내측면이 내부 도체의 하단부를 둘러싸고, 또한 외부 도체의 내측면보다 직경 방향으로 외측에 위치하기 때문에, 이 지파판의 내측면과 내부 도체의 하단부의 간극에 종래와 같이 지파판이 배치되지 않으며, 또한 미소 공기층도 형성되지 않는다. 그리고, 내부 도체의 하단부와 외부 도체의 간극은 공기층만으로 형성되고, 마이크로파의 전송 경로는 공기층으로부터 지파판으로 단순해진다. 이러한 경우, 동축 도파관 내부를 통해 전송되는 마이크로파는, 상기 동축 도파관의 하단부에 있어서 내부 도체의 하단부의 테이퍼 형상에 의해 지파판측으로 적절하게 전송되며, 그 흐름이 흐트러지지 않는다. 이 때문에, 지파판에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있다. 그리고, 마이크로파의 방사를 균일하게 할 수 있기 때문에, 이 마이크로파의 에너지에 의해 형성되는 전계가 흐트러지지 않아, 처리 용기 내에 생성되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 플라즈마 처리를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 발명자들이 예의 검토한 결과, 동축 도파관이 지파판에 대하여 직경 방향으로 축 변위한 경우라도, 본 발명의 지파판을 이용했을 경우, 이 지파판에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 동축 도파관의 축 변위를 설계상 허용되는 최대치로 한 상태에서 시뮬레이션을 행하고, 지파판에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사가 균일해지는 것을 확인하였다.
상기 지파판은 상기 내부 도체와 동심원상(同心圓狀)으로 배치되어 있어도 좋다.
상기 지파판의 내측면은 대략 수직 방향으로 연장되어 있어도 좋다. 또한, 대략 수직 방향이란, 수직 방향뿐만 아니라, 예컨대 수직 방향으로부터 ±5°의 범위도 포함한다.
상기 지파판의 내경은 상기 내부 도체의 하단부에 있어서의 테이퍼 형상 치수를 변동시켜, 상기 동축 도파관으로부터 상기 지파판으로 전송되는 마이크로파의 방사율이 미리 정해진 방사율 이상이 되는 영역이 최대 면적이 되도록 결정되어도 좋다. 또한, 미리 정해진 방사율은 요구되는 제품의 사양에 따라 설정되는 것으로서, 예컨대 95%이다.
상기 지파판의 내경은 상기 내부 도체의 하단부에 있어서의 테이퍼 형상 치수의 변화에 대한 마이크로파의 방사율의 변화율이 소정값 이하가 되도록 결정되어도 좋다.
본 발명에 따르면, 동축 도파관으로부터 지파판으로 전송되는 마이크로파를 지파판에 있어서 원주 방향으로 균일하게 방사하고, 이 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리를 적절하게 행할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 2는 지파판의 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 3은 동축 도파관과 지파판의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 4는 비교예로서의 동축 도파관과 지파판의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 5는 시뮬레이션의 조건인 지파판의 내경과 내부 도체의 하단부의 테이퍼 형상 치수를 도시한 설명도이다.
도 6은 시뮬레이션을 행한 결과인 마이크로파의 방사율을 나타내고, (a)는 지파판의 내경이 50 ㎜인 경우의 마이크로파의 방사율, (b)는 지파판의 내경이 60 ㎜인 경우의 마이크로파의 방사율, (c)는 지파판의 내경이 70 ㎜인 경우의 마이크로파의 방사율을 나타내고 있다.
도 7은 종래의 동축 도파관과 지파판의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 8은 종래의 동축 도파관과 지파판의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다. 또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 피처리체로서의 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposiotion) 처리를 행하고, 이 웨이퍼(W)의 표면에 SiN막(실리콘 질화막)을 형성한다.
플라즈마 처리 장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이 처리 용기(10)를 갖고 있다. 처리 용기(10)는 천장면이 개구된 대략 원통 형상을 가지며, 이 천장면 개구부에는 후술하는 레이디얼 라인 슬롯 안테나(40)가 배치되어 있다. 또한, 처리 용기(10)의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입반출구(11)가 형성되고, 이 반입반출구(11)에는 게이트 밸브(12)가 설치되어 있다. 그리고, 처리 용기(10)는 그 내부를 밀폐 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(10)에는 알루미늄 또는 스테인리스강 등의 금속이 이용되며, 처리 용기(10)는 접지되어 있다.
처리 용기(10)의 바닥면에는, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대(20)가 설치되어 있다. 배치대(20)는 원통 형상을 가지며, 또한, 배치대(20)에는 예컨대 알루미늄이 이용된다.
배치대(20)의 상면에는 정전척(21)이 설치되어 있다. 정전척(21)은 절연재 사이에 전극(22)이 끼워진 구성을 갖고 있다. 전극(22)은 처리 용기(10)의 외부에 설치된 직류 전원(23)에 접속되어 있다. 이 직류 전원(23)에 의해 배치대(20)의 표면에 쿨롱력을 발생시켜, 웨이퍼(W)를 배치대(20) 상에 정전 흡착할 수 있다.
또한, 배치대(20)에는, 콘덴서(24)를 통해 RF 바이어스용 고주파 전원(25)이 접속되어 있어도 좋다. 고주파 전원(25)은 웨이퍼(W)에 인입하는 이온의 에너지를 제어하는 데 적합한 일정한 주파수, 예컨대 13.56 MHz의 고주파를 소정의 파워로 출력한다.
또한, 배치대(20)의 내부에는, 예컨대 냉각 매체를 유통시키는 온도 조절 기구(26)가 설치되어 있다. 온도 조절 기구(26)는 냉각 매체의 온도를 조정하는 액온 조절부(27)에 접속되어 있다. 그리고, 액온 조절부(27)에 의해 냉매 매체의 온도가 조절되어, 배치대(20)의 온도를 제어할 수 있고, 이 결과, 배치대(20) 상에 배치된 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 유지할 수 있다. 또한, 배치대(20)에는, 웨이퍼(W)의 이면에 전열 매체, 예컨대 He 가스 등을 소정 압력(백 프레셔)으로 공급하기 위한 가스 통로(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
배치대(20)의 상면에는, 정전척(21) 상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환상의 포커스링(28)이 설치되어 있다. 포커스링(28)에는 예컨대 세라믹스 혹은 석영 등의 절연성 재료가 이용되며, 포커스링(28)은 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키도록 작용한다.
또한, 배치대(20)의 아래쪽에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽에서 지지하여 승강시키기 위한 승강핀(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 승강핀은 배치대(20)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 삽입 관통하여 배치대(20)의 상면으로부터 돌출 가능하게 되어 있다.
배치대(20)의 주위에 있어서, 이 배치대(20)와 처리 용기(10)의 측면 사이에는, 환상의 배기 공간(30)이 형성되어 있다. 배기 공간(30)의 상부에는, 처리 용기(10) 내부를 균일하게 배기하기 위해서, 복수의 배기 구멍이 형성된 환상의 배플판(31)이 설치되어 있다. 배기 공간(30)의 바닥부로서, 처리 용기(10)의 바닥면에는, 배기관(32)이 접속되어 있다. 배기관(32)의 수는 임의로 설정할 수 있고, 원주 방향으로 복수개 형성되어 있어도 좋다. 배기관(32)은, 예컨대 진공 펌프를 구비한 배기 장치(33)에 접속되어 있다. 배기 장치(33)는 처리 용기(10) 내의 분위기를 소정의 진공도까지 감압할 수 있다.
처리 용기(10)의 천장면 개구부에는, 플라즈마 생성용의 마이크로파를 공급하는 레이디얼 라인 슬롯 안테나(40)(radial line slot antenna)가 설치되어 있다. 레이디얼 라인 슬롯 안테나(40)는 마이크로파 투과판(41), 슬롯판(42), 지파판(43), 실드 덮개(44)를 갖고 있다.
마이크로파 투과판(41)은, 예컨대 O링 등의 시일재(도시하지 않음)를 통해 처리 용기(10)의 천장면 개구부에 빈틈없이 꽉 설치되어 있다. 따라서, 처리 용기(10)의 내부는 기밀하게 유지된다. 마이크로파 투과판(41)에는 유전체, 예컨대 석영, Al2O3, AlN 등이 이용되며, 마이크로파 투과판(41)은 마이크로파를 투과시킨다.
슬롯판(42)은 마이크로파 투과판(41)의 상면으로서, 배치대(20)와 대향하도록 설치되어 있다. 슬롯판(42)에는 복수의 슬롯이 형성되며, 슬롯판(42)은 안테나로서 기능한다. 슬롯판(42)에는, 도전성을 갖는 재료, 예컨대 구리, 알루미늄, 니켈 등이 이용된다.
지파판(43)은 슬롯판(42)의 상면에 설치되어 있다. 지파판(43)에는 저손실 유전체 재료, 예컨대 석영, Al2O3, AlN 등이 이용되며, 지파판(43)은 마이크로파의 파장을 단축시킨다. 또한, 지파판(43)의 상세한 구조의 설명은 후술한다.
실드 덮개(44)는 지파판(43)의 상면에 있어서, 지파판(43)과 슬롯판(42)을 덮도록 설치되어 있다. 실드 덮개(44)의 내부에는, 예컨대 냉각 매체를 유통시키는 원환 형상의 유로(45)가 복수개 형성되어 있다. 유로(45)를 통해 흐르는 냉각 매체에 의해, 마이크로파 투과판(41), 슬롯판(42), 지파판(43), 실드 덮개(44)가 소정의 온도로 조절된다.
실드 덮개(44)의 중앙부에는 동축 도파관(50)이 접속되어 있다. 동축 도파관(50)은 내부 도체(51)와 외부관(52)을 갖고 있다. 내부 도체(51)는 슬롯판(42)과 접속되어 있다. 내부 도체(51)의 하단부(51a)는 원추형으로 형성되고, 그 직경이 슬롯판(42)측을 향해 확대되는 테이퍼 형성을 갖고 있다. 이 하단부(51a)에 의해, 슬롯판(42)에 대하여 마이크로파를 효율적으로 전파하도록 되어 있다. 즉, 동축 도파관(50) 내부를 통해 전송되는 마이크로파는 테이퍼 형상의 하단부(51a)에서 반사되고, 지파판(43)의 직경 방향으로 전송된다.
동축 도파관(50)에는, 마이크로파를 소정의 진동 모드로 변환하는 모드 변환기(53), 직사각형 도파관(54), 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기(55)가 동축 도파관(50)측에서부터 이 순서로 접속되어 있다. 마이크로파 발생기(55)는 소정 주파수, 예컨대 2.45 GHz의 마이크로파를 발생시킨다.
이러한 구성에 의해, 마이크로파 발생기(55)에서 발생한 마이크로파는 직사각형 도파관(54), 모드 변환기(53), 동축 도파관(50)을 순차 전파하여, 레이디얼 라인 슬롯 안테나(40) 내로 공급되고, 지파판(43)에 의해 압축되어 단파장화되며, 슬롯판(42)에 의해 원편파를 발생시킨 후, 슬롯판(42)으로부터 마이크로파 투과판(41)을 투과하여 처리 용기(10) 내로 방사된다. 이 마이크로파에 의해 처리 용기(10) 내에서는 처리 가스가 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 플라즈마 처리가 행해진다.
처리 용기(10)의 측면에는, 처리 가스 공급관(60)이 설치되어 있다. 처리 가스 공급관(60)은 처리 용기(10)의 측면의 원주 상에서 등간격으로 복수개, 예컨대 24개 설치되어 있다. 처리 가스 공급관(60)의 일단부는 처리 용기(10)의 측면에서 개구되고, 타단부는 버퍼부(61)에 접속되어 있다. 처리 가스 공급관(60)은 그 일단부가 타단부보다 아래쪽에 위치하도록 비스듬하게 배치되어 있다.
버퍼부(61)는 처리 용기(10)의 측면 내부에 환상으로 설치되고, 복수의 처리 가스 공급관(60)에 공통으로 설치되어 있다. 버퍼부(61)에는, 공급관(62)을 통해 처리 가스 공급원(63)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(63)의 내부에는, 처리 가스로서, 예컨대 TSA(트리실릴아민), N2 가스, H2 가스, Ar 가스가 각각 개별로 저류되어 있다. 이 중, TSA, N2 가스, H2 가스는 SiN막의 성막용 원료 가스이며, Ar 가스는 플라즈마 여기용 가스이다. 또한, 공급관(62)에는, 처리 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(64)이 설치되어 있다.
다음에, 전술한 지파판(43)의 상세한 구조에 대해서 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이 지파판(43)은 평면에서 보아 원환 형상을 갖는 평판이다. 지파판(43)은 내부 도체(51)[하단부(51a)]와 동심원상으로 배치되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 지파판(43)의 내측면(43a)은 내부 도체(51)의 하단부(51a)를 둘러싸도록 설치되어 있다. 또한, 지파판(43)의 내측면(43a)은 외부 도체(52)의 내측면(52a)보다 직경 방향으로 외측에 위치한다. 또한, 지파판(43)의 내측면(43a)은 대략 수직 방향으로 연장되어 있다.
이러한 경우, 지파판(43)의 내측면(43a)이 내부 도체(51)의 하단부(51a)를 둘러싸고, 또한 외부 도체(52)의 내측면(52a)보다 직경 방향으로 외측에 위치하기 때문에, 상기 지파판(43)의 내측면(43a)과 내부 도체(51)의 하단부(51a)의 간극에는, 종래의 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 지파판(110, 120)이 배치되지 않으며, 또한, 미소한 공기층(111, 121)도 형성되지 않는다. 그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 내부 도체(51)의 하단부(51a)와 외부 도체(52)의 간극은 공기층(70)만으로 형성되고, 마이크로파의 전송 경로는 공기층(70)으로부터 지파판(43)으로 단순해진다. 그렇게 하면, 동축 도파관(50) 내부를 통해 전송되는 마이크로파는 이 동축 도파관(50)의 하단부에 있어서 내부 도체(51)의 하단부(51a)의 테이퍼 형상에 의해 지파판(43)측으로 적절하게 전송되어, 그 흐름이 흐트러지지 않는다. 이 때문에, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있다.
또한, 발명자들이 예의 검토한 결과, 동축 도파관(50)이 지파판(43)에 대하여 직경 방향으로 축 변위한 경우라도, 본 실시형태의 지파판(43)을 이용한 경우, 이 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 동축 도파관(50)의 축 변위가 제로인 상태에서 마이크로파를 전송하는 시뮬레이션을 행한 결과, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 균일성은 0.10%였다. 또한, 이 균일성은 지파판(43)의 동심원에 대한 마이크로파의 원주 방향의 위치 어긋남을 나타내고, 축 변위가 제로인 경우는 이론상, 마이크로파의 원주 방향의 균일성은 제로가 되지만, 이와 같이 0.10%가 된 것은 시뮬레이션상의 오차이다. 이것에 대하여, 동축 도파관(50)의 축 변위를 0.15 ㎜와 0.2 ㎜로 변동시켜 시뮬레이션을 행한 결과, 마이크로파의 원주 방향의 균일성은 각각 0.15%와 0.18%였다. 동축 도파관(50)의 축 변위의 설계상의 최대 허용치가 예컨대 0.175 ㎜인 것을 감안하면, 동축 도파관(50)이 지파판(43)에 대하여 직경 방향으로 축 변위하여도, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 본 시뮬레이션에서는, 지파판(43)의 영향을 적절하게 파악하기 위해서, 슬롯판(42)을 생략하고, 시뮬레이션 모델을 간이화하였다.
여기서, 종래, 동축 도파관이 축 변위하면, 지파판의 내측에 있어서의 마이크로파의 정재파와, 지파판의 외측에 있어서의 정재파가 불균일하게 간섭하기 때문에, 이 지파판에 있어서 마이크로파의 원주 방향의 치우침이 생긴다고 생각된다. 이것에 대하여, 본 실시형태의 지파판(43)을 이용한 경우, 지파판(43)의 내측의 정재파의 영향을 억제할 수 있기 때문에, 지파판(43)은 동축 도파관(50)의 축 변위에 대하여 로버스트하게 된다. 즉, 전술한 바와 같이 동축 도파관(50)이 축 변위한 경우라도, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있다.
또한, 발명자들은, 종래의 도 7에 도시된 바와 같이 지파판(110)에 돌기부(110a)가 형성되어 있는 경우에 있어서, 동축 도파관(100)의 축 변위를 0.15 ㎜로 하여 시뮬레이션을 행한 결과, 마이크로파의 원주 방향의 균일성은 0.43%였다. 즉, 종래, 동축 도파관(100)이 축 변위하면, 지파판(110)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사가 불균일해진다. 따라서, 이러한 관점에서도, 본 실시형태의 지파판(43)은 마이크로파를 원주 방향으로 균일하게 방사시키는 데 유효하다는 것을 알 수 있다.
또한, 지파판(43)의 내측면(43a)은 대략 수직 방향으로 연장되어 있다. 이 점에 있어서, 예컨대 도 4에 도시된 바와 같이 지파판(130)의 내측면(130a)이 수직 방향으로부터 경사져서 연장되어 있는 경우, 이 내측면(130a)과 슬롯판(42) 사이에 미소한 공기층(131)이 형성된다. 그러면, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(130)으로 전송되는 마이크로파의 전송 경로가 복잡한 공간이 되어, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(130)으로 마이크로파가 적절하게 전송되지 않는다. 이 때문에, 지파판(130)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사가 불균일해진다. 이것에 대하여, 본 실시형태의 지파판(43)의 내측면(43a)은 대략 수직 방향으로 연장되어 있기 때문에, 마이크로파의 전송 경로에 미소한 공기층이 형성되지 않고, 전술한 바와 같이 마이크로파의 전송 경로는 공기층(70)으로부터 지파판(43)으로 단순해진다. 이 때문에, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있다. 또한, 발명자들은 지파판(43)의 내측면(43a)이 수직 방향으로부터 ±5°의 범위라도, 전술한 효과를 누릴 수 있는 것을 확인하고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 지파판(43)에 있어서의 마이크로파를 원주 방향으로 균일하게 방사시키기 위해서는, 도 7의 공기층(111), 도 8의 공기층(121), 도 4의 공기층(131)과 같은 미소한 공기층을 마이크로파의 전송 경로에 형성하지 않는 것이 필요하다. 바꾸어 말하면, 마이크로파의 전송 경로를 단순화시킨 본 실시형태의 지파판(43)은 마이크로파를 원주 방향으로 균일하게 방사할 수 있는 것이다.
도 2 및 도 3에 도시된 지파판(43)의 내경(φ)은 다음과 같이 결정된다. 도 5에 도시된 내부 도체(51)의 하단부(51a)에 있어서의 테이퍼 형상 치수(수평 방향 길이 X와 수직 방향 길이 Z)를 변동시키고, 지파판(43)의 내경(φ)을 더 변동시켜 시뮬레이션을 행한다. 그 결과를 도 6에 나타낸다. 도 6의 각 그래프는, 내부 도체(51)의 하단부(51a)의 수평 방향 길이 X(횡축)와 수직 방향 길이 Z(종축)에 있어서, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(43)으로 전송되는 마이크로파의 방사율을 나타내고 있다. 또한, 도 6의 (a)∼(c)는 지파판(43)의 내경(φ)을 변동시킨 경우를 나타내고, 예컨대 도 6의 (a)는 내경이 50 ㎜인 경우, 도 6의 (b)는 내경(φ)이 60 ㎜인 경우, 도 6의 (c)는 내경(φ)이 70 ㎜인 경우를 나타내고 있다.
지파판(43)의 내경(φ)은 마이크로파의 방사율이 미리 정해진 방사율 이상이 되는 소정 방사 영역(A)이 최대 면적이 되도록 결정된다. 미리 정해진 방사율은 요구되는 제품의 사용에 따라 설정되는 것으로서, 예컨대 95%이다. 그리고, 도 6의 예에 있어서는, 마이크로파의 방사율이 95% 이상이 되는 소정 방사 영역(A)이 최대 면적이 되는 것은, 내경(φ)이 60 ㎜인 경우로서, 이것으로 결정된다.
이러한 경우, 마이크로파의 방사율이 95% 이상이 되는 소정 방사 영역(A)이 최대 면적이 되기 때문에, 내부 도체(51)의 하단부(51a)에 있어서의 테이퍼 형상 치수(수평 방향 길이 X와 수직 방향 길이 Z)의 설계 자유도가 커진다. 즉, 예컨대 내부 도체(51)의 가공 오차가 생겼다고 해도, 마이크로파의 방사율을 95% 이상으로 확보할 수 있어, 지파판(43)에 있어서 마이크로파를 원주 방향으로 균일하게 방사할 수 있다.
또한, 지파판(43)의 내경(φ)은 하기 식 (1)을 충족시키도록 결정된다. 식 (1)의 좌변은, 내부 도체(51)의 하단부(51a)에 있어서의 테이퍼 형상 치수(수평 방향 길이 X와 수직 방향 길이 Z)의 변화에 대하여, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(43)으로 전송되는 마이크로파의 방사율의 변화율을 나타내고 있다. 식 (1)의 우변은, 마이크로파 방사율의 변화율의 상한치로서, 예컨대 10(%/㎜)이다. 또한, 이 상한치는 요구되는 제품의 사양에 따라 설정되는 것으로서, 임의로 설정할 수 있다.
Figure pat00001
단, P: 마이크로파의 방사율(%), X: 내부 도체(51)의 하단부(51a)에 있어서의 테이퍼 형상의 수평 방향 길이(㎜), Z: 내부 도체(51)의 하단부(51a)에 있어서의 테이퍼 형상의 수직 방향 길이(㎜)
이와 같이 마이크로파의 방사율의 변화율이 소정값 이하이면, 하단부(51a)의 테이퍼 형상에 상관없이, 마이크로파가 적절하게 방사되게 된다. 바꾸어 말하면, 내부 도체(51)의 하단부(51a)와 외부 도체(52)의 간극이 적절하게 확보되어, 동축 도파관(50) 내부를 통해 전송되는 마이크로파가 테이퍼 형상의 하단부(51a)에서 적절하게 반사되고, 지파판(43)의 직경 방향으로 적절하게 전송된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(1)에 의해 행해지는 웨이퍼(W)의 플라즈마 처리에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)에 플라즈마 성막 처리를 행하여, 이 웨이퍼(W)의 표면에 SiN막을 형성한다.
우선, 게이트 밸브(12)를 개방하고, 처리 용기(10) 내에 웨이퍼(W)를 반입한다. 웨이퍼(W)는 승강핀에 의해 배치대(20) 상에 배치된다. 이 때, 직류 전원(23)을 온으로 하여 정전척(21)의 전극(22)에 직류 전압을 인가하고, 정전척(21)의 쿨롱력에 의해 웨이퍼(W)를 정전척(21) 상에 정전 흡착한다. 그리고, 게이트 밸브(12)를 폐쇄하고, 처리 용기(10) 내부를 밀폐한 후, 배기 장치(33)를 작동시켜, 처리 용기(10) 내부를 소정의 압력, 예컨대 400 mTorr(=53 Pa)로 감압한다.
그 후, 처리 가스 공급관(60)으로부터 처리 용기(10) 내로 처리 가스를 공급한다. 이 때, 처리 가스 공급관(60)으로부터 공급되는 Ar 가스의 유량은 예컨대 750 sccm(㎖/min)이다.
이와 같이 처리 용기(10) 내에 처리 가스가 공급될 때, 마이크로파 발생기(55)를 작동시키고, 이 마이크로파 발생기(55)에 있어서, 예컨대 2.45 GHz의 주파수로 소정 파워의 마이크로파를 발생시킨다. 마이크로파는 직사각형 도파관(54), 모드 변환기(53), 동축 도파관(50), 레이디얼 라인 슬롯 안테나(40)를 통해 처리 용기(10) 내로 방사된다. 이 때, 전술한 바와 같이 동축 도파관(50)으로부터 지파판(43)으로 전송된 마이크로파는 지파판(43)에 있어서 원주 방향으로 균일하게 방사된다. 그리고, 처리 용기(10) 내로 방사된 균일한 마이크로파에 의해 처리 용기(10) 내에서는 처리 가스가 균일한 밀도로 플라즈마화하고, 플라즈마 내에서 처리 가스의 해리가 진행되며, 그 때에 발생한 활성종에 의해 웨이퍼(W) 상에 성막 처리가 어루어진다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)의 표면에 SiN막이 형성된다.
웨이퍼(W)에 플라즈마 성막 처리를 행하고 있는 동안, 고주파 전원(25)을 온으로 하여, 예컨대 13.56 MHz의 주파수로 소정 파워의 고주파를 출력시켜도 좋다. 이 고주파는 콘덴서(24)를 통해 배치대(20)에 인가되고, RF 바이어스가 웨이퍼(W)에 인가된다. 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 플라즈마의 전자 온도를 낮게 유지할 수 있기 때문에, 막에의 손상이 없고, 게다가, 고밀도 플라즈마에 의해, 처리 가스의 분자가 해리되기 쉽기 때문에, 반응이 촉진된다. 또한, 적절한 범위에서의 RF 바이어스의 인가는 플라즈마 내의 이온을 웨이퍼(W)로 인입하도록 작용하기 때문에, SiN막의 치밀성을 향상시키고, 막 중의 트랩을 증가시키도록 작용한다.
그 후, SiN막이 성장하고, 웨이퍼(W)에 소정 막 두께의 SiN막이 형성되면, 처리 가스의 공급과, 마이크로파의 조사가 정지된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 처리 용기(10)로부터 반출되어, 일련의 플라즈마 성막 처리가 종료된다.
이상의 실시형태에 따르면, 지파판(43)이 전술한 구조를 가짐으로써, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(43)으로 전송되는 마이크로파의 전송 경로에 미소한 공기층이 형성되지 않고, 내부 도체(51)의 하단부(51a)와 외부 도체(52)의 간극은 공기층(70)만으로 형성된다. 그리고, 마이크로파의 전송 경로를 단순화시킬 수 있다. 이 때문에, 동축 도파관(50)으로부터 지파판(43)으로 마이크로파가 적절하게 전송되어, 이 지파판(43)에 있어서의 마이크로파의 원주 방향의 방사를 균일하게 할 수 있다. 이와 같이 마이크로파의 방사를 균일하게 할 수 있기 때문에, 상기 마이크로파의 에너지에 의해 형성되는 전계가 흐트러지지 않아, 처리 용기(10) 내에 생성되는 플라즈마 밀도를 균일하게 하여 플라즈마 처리를 적절하게 행할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 받아들여진다.
이상의 실시형태에서는, 본 발명을 성막 처리를 행하는 플라즈마 처리에 적용하였으나, 본 발명은 성막 처리 이외의 기판 처리, 예컨대 에칭 처리나 스퍼터링을 행하는 플라즈마 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 플라즈마 처리에 의해 처리되는 피처리체는 유리 기판, 유기 EL 기판, FPD(flat-panel display)용의 기판 등 중 어느 것이어도 좋다.
1 : 플라즈마 처리 장치 10 : 처리 용기
40 : 레이디얼 라인 슬롯 안테나 43 : 지파판
43a : 내측면 50 : 동축 도파관
51 : 내부 도체 51a : 하단부
52 : 외부 도체 52a : 내측면
55 : 마이크로파 발생기 A : 소정 방사 영역
W : 웨이퍼

Claims (5)

  1. 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    피처리체를 수용하는 처리 용기와,
    마이크로파 발생기에서 발생한 마이크로파를 전송하는 동축 도파관과,
    상기 동축 도파관으로부터 전송된 마이크로파의 파장을 조정하고, 이 마이크로파를 상기 처리 용기에 도입하기 위한 지파판(遲波板)
    을 구비하며,
    상기 동축 도파관의 내부 도체의 하단부는, 그 직경이 아래쪽을 향해 확대되는 테이퍼 형상을 가지며,
    상기 지파판은 평면에서 보아 원환 형상을 가지며,
    상기 지파판의 내측면은 상기 내부 도체의 하단부를 둘러싸고, 또한 상기 동축 도파관의 외부 도체의 내측면보다 직경 방향으로 외측에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지파판은 상기 내부 도체와 동심원상(同心圓狀)으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지파판의 내측면은 수직 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지파판의 내경은, 상기 내부 도체의 하단부에 있어서의 테이퍼 형상 치수를 변동시키고, 상기 동축 도파관으로부터 상기 지파판으로 전송되는 마이크로파의 방사율이 미리 정해진 방사율 이상이 되는 영역이 최대 면적이 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 지파판의 내경은, 상기 내부 도체의 하단부에 있어서의 테이퍼 형상 치수의 변화에 대한 마이크로파의 방사율의 변화율이 미리 정해진 값 이하가 되도록 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (246)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
JP6700127B2 (ja) * 2016-07-07 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US11183369B2 (en) 2018-12-27 2021-11-23 Industrial Technology Research Institute Focalized microwave plasma reactor
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
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USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
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KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
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TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093788A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2011077228A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4727057B2 (ja) * 2001-03-28 2011-07-20 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP3828539B2 (ja) * 2001-06-20 2006-10-04 忠弘 大見 マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマイクロ波放射部材
JP4209612B2 (ja) * 2001-12-19 2009-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7445690B2 (en) * 2002-10-07 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4852997B2 (ja) * 2005-11-25 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093788A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2011077228A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板

Also Published As

Publication number Publication date
JP5805227B2 (ja) 2015-11-04
KR102266368B1 (ko) 2021-06-16
US9574270B2 (en) 2017-02-21
JP2015141793A (ja) 2015-08-03
US20150211125A1 (en) 2015-07-30

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