KR20150007238A - 기판 반송 방법 및 반송 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 반송 방법은, 제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하는 제 1 픽 및 제 2 픽을 이용하여, 상하 방향으로 이격하여 배열된 제 1 얼라인먼트부 및 제 2 얼라인먼트부 위에 각각 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 탑재하는 단계를 포함한다. 제 1 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 1 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 1 수취 위치에 제 1 픽을 배치시키는 제 1 배치 단계와, 제 1 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 1 얼라인먼트부로부터 제 1 기판을 수취하는 제 1 수취 단계를 포함한다. 또한, 제 2 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 2 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 2 수취 위치에 제 2 픽을 배치시키는 제 2 배치 단계와, 제 2 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 2 얼라인먼트부로부터 제 2 기판을 수취하는 제 2 수취 단계를 포함한다.

Description

기판 반송 방법 및 반송 장치{SUBSTRATE CONVEYING METHOD AND CONVEYING APPARATUS}
본 출원은 2013년 7월 9일에 제출된 일본 특허 출원 제 2013-143899에 대하여 우선권을 주장하고, 그 전체적인 내용은 참조로서 본 명세서에 포함된다.
본 발명의 다양한 측면 및 실시형태는, 기판 반송 방법 및 반송 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 액정 표시 장치 등의 플랫 패널의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼)나 유리 기판이라고 하는 기판은, 기판 반송 용기에 수납된 뒤에 반도체 제조 장치의 반입 포트에 반입되고, 반도체 제조 장치 내의 반송 암에 의해 기판 반송 용기로부터 꺼내어져 반도체 제조 장치의 처리 모듈에 반송된다.
반도체 제조 장치의 한 예로서, 멀티 챔버 시스템이 있다. 멀티 챔버 시스템은, 반입 포트에 접속된 대기 분위기의 제 1 반송실을 갖는다. 또한, 멀티 챔버 시스템은, 에칭 처리나 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의한 성막 처리를 행하는 복수의 처리 모듈에 접속되고, 복수의 처리 모듈에 공통의 진공 분위기의 제 2 반송실을 갖는다. 또한, 멀티 챔버 시스템은, 제 1 반송실과 제 2 반송실의 사이에 마련되어, 진공 분위기 및 대기 분위기를 전환하여 기판을 대기시키기 위한 로드록실을 갖는다. 또한, 멀티 챔버 시스템에서는, 선단(先端)의 웨이퍼 유지부(픽)가 웨이퍼의 이면을 유지하도록 구성된 다관절의 반송 암이 제 1 반송실 및 제 2 반송실에 마련된다. 또한, 멀티 챔버 시스템에서는, 제 1 반송실에는, 웨이퍼의 위치 조정을 행하기 위한 오리엔터를 구비한 얼라인먼트실이 접속되어 있다. 오리엔터는, 웨이퍼의 중앙 이면을 유지하는 받침대(스테이지)를 사이에 두고 웨이퍼를 연직축 주위로 회전시켜 웨이퍼의 주연에 형성된 노치가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼의 위치 조정을 행한다(예컨대, 일본 특허 공개 제 2009-088222호 공보 및 일본 특허 공개 제 2008-300609호 공보 참조).
여기서, 위치 조정을 행할 때에 온도 조정을 행하는 기술이 있다. 또한, 웨이퍼의 외주 부분을 개폐 동작에 의해 파지하는 파지 기구도 있다.
그렇지만, 상술한 기술에서는, 위치 조정을 효율적으로 행할 수 없다고 하는 문제가 있다.
개시하는 기판 반송 방법은, 하나의 실시형태에 있어서, 제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하는 제 1 픽 및 제 2 픽을 이용하여, 상하 방향으로 이격하여 배열된 제 1 얼라인먼트부 및 제 2 얼라인먼트부 위에 각각 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 탑재하는 단계를 포함한다. 제 1 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 1 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 1 수취 위치에 제 1 픽을 배치시키는 제 1 배치 단계와, 제 1 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 1 얼라인먼트부로부터 제 1 기판을 수취하는 제 1 수취 단계를 포함한다. 또한, 제 2 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 2 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 2 수취 위치에 제 2 픽을 배치시키는 제 2 배치 단계와, 제 2 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 2 얼라인먼트부로부터 제 2 기판을 수취하는 제 2 수취 단계를 포함한다.
개시하는 기판 반송 방법의 하나의 실시형태에 의하면, 위치 조정을 효율적으로 행하는 것이 가능하게 된다고 하는 효과가 있다.
도 1은 제 1 실시형태에 따른 반송 장치의 한 예를 나타내는 사시도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 픽의 한 예를 나타내는 상면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 픽의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 5는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터의 한 예를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 6은 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 제조 장치의 한 예를 나타내는 평면도이다
도 7은 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 제조 장치의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 8은 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 용기에 있어서의 기판 유지 간격과 제 1 간격의 관계의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 간격과 제 2 간격의 관계의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 용기로부터 제 1 픽 및 제 2 픽으로의 웨이퍼의 수수의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다.
도 11(a)~11(e)는 기판 반송 용기로부터 제 1 픽 및 제 2 픽으로의 웨이퍼의 수수의 흐름의 한 예에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다.
도 13(a)~13(f)는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 14는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로부터의 웨이퍼의 반출의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다.
도 15(a)~15(i)는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로부터의 웨이퍼의 반출의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 16은 제 1 실시형태에 있어서의 로드록실로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다.
도 17(a)~17(e)는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록실로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
이하에, 개시하는 기판 반송 방법의 실시형태에 대하여, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또, 본 실시예에 의해 개시하는 발명이 한정되는 것은 아니다. 각 실시예는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다.
(제 1 실시형태)
제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 방법에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하는 제 1 픽 및 제 2 픽을 이용하여, 상하 방향으로 이격하여 배열된 제 1 얼라인먼트부 및 제 2 얼라인먼트부 위에 각각 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 탑재하는 단계를 포함한다. 제 1 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 1 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 1 수취 위치에 제 1 픽을 배치시키는 제 1 배치 단계와, 제 1 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 1 얼라인먼트부로부터 제 1 기판을 수취하는 제 1 수취 단계를 포함한다. 또한, 제 2 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 제 2 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 2 수취 위치에 제 2 픽을 배치시키는 제 2 배치 단계와, 제 2 픽을 상하 방향으로 이동시켜 제 2 얼라인먼트부로부터 제 2 기판을 수취하는 제 2 수취 단계를 포함한다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 방법에 의하면, 예컨대, 제 1 픽 위에 유지된 제 1 기판의 하면과 제 2 픽 위에 유지된 제 2 기판의 하면의 사이의 제 1 간격이, 제 1 얼라인먼트 위에 탑재된 제 1 기판의 하면과 제 2 얼라인먼트 위에 탑재된 제 2 기판의 하면의 사이의 제 2 간격과 상이하다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 방법에 의하면, 예컨대, 제 1 간격이 제 2 간격보다 좁다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 방법에 의하면, 예컨대, 제 1 간격은, 제 1 기판과 제 2 기판이 기판 반송 용기에 유지되어 있을 때의 제 1 기판의 하면과 제 2 기판의 하면의 사이의 최소 간격이다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 방법에 의하면, 예컨대, 제 1 픽과 제 2 픽은 동일한 암에 마련되고, 동시에 이동된다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 반송 장치에 의하면, 제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하는 제 1 픽 및 제 2 픽을 갖고, 제 1 픽 위에 유지된 제 1 기판의 하면과 제 2 픽 위에 유지된 제 2 기판의 하면의 사이의 제 1 간격이, 제 1 얼라인먼트 위에 탑재된 제 1 기판의 하면과 제 2 얼라인먼트 위에 탑재된 제 2 기판의 하면의 사이의 제 2 간격과 상이하다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서의 반송 장치에 의하면, 예컨대, 제 1 픽과 제 2 픽은 동일한 암에 마련되고, 동시에 이동된다.
(제 1 실시형태에 따른 반송 장치)
도 1은 제 1 실시형태에 따른 반송 장치의 한 예를 나타내는 사시도이다. 반송 장치(1)는, 예컨대, 베르누이 효과를 이용한 베르누이 척을 이용하여 기판, 예컨대, 웨이퍼 W를 흡착하여, 웨이퍼 W를 반송한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 웨이퍼 W-1을 유지하는 제 1 픽(31-1)과, 제 1 픽(31-1)으로부터 상하 방향으로 이격하여 제 2 웨이퍼 W-2를 유지하는 제 2 픽(31-2)을 갖고, 이때, 제 1 픽(31-1) 위에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1의 하면과 제 2 픽(31-2) 위에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2의 하면의 사이의 수직 방향의 거리가 제 1 간격(31c)이 된다.
또한, 상세한 것에 대해서는 후술하는 바와 같이, 반송 장치(1)가 탑재되는 반도체 제조 장치(8)는, 얼라인먼트 위치를 결정하기 위한 제 1 받침대(6-1)와, 얼라인먼트 위치를 결정하기 위한 제 2 받침대(6-2)를 갖는다(도 9 참조). 여기서, 제 1 간격(31c)은, 제 1 받침대(6-1) 위에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1의 하면과, 제 2 받침대(6-2) 위에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2의 하면의 사이의 수직 방향 거리인 제 2 간격(6c)과는 상이한 간격이 된다.
예컨대, 제 1 간격(31c)은, 제 2 간격(6c)보다 좁게 된다. 보다 바람직하게는, 제 1 간격(31c)은, 기판 반송 용기에 유지되어 있는 웨이퍼 W 사이의 수직 방향에 있어서의 유지 간격이 된다. 또, 기판 반송 용기란, 예컨대, FOUP(Front Opening Unified Pod)이다.
또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 1개의 암부를 더 갖는다. 도 1에 나타내는 예에서는, 중단 암부(11)와 선회 암부(12)를 갖는다. 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)의 기단측(基端側)은 중단 암부(11)의 선단측에, 중단 암부(11)의 기단측은 선회 암부(12)의 선단측에 각각 연직축 주위로 회전이 자유롭도록 연결된다. 반송 장치(1)는, 주지의 관절형(스칼라형) 반송 암으로서 구성된다. 또한, 선회 암부(12)의 기단측은 기대(基臺)(13)에 연직축 주위로 회전이 자유롭도록 접속되어 있다.
여기서, 도 1에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)은, 웨이퍼 W를 유지하는 면이 되는 제 1 면(31a)과 제 1 면(31a)에 대향하는 제 2 면(31b)을 갖는다. 또한, 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)은, 상술한 바와 같이 상하 방향으로 이격하여 암부에 마련된다.
도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 픽의 한 예를 나타내는 상면도이다. 도 3은 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 픽의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다. 또, 이하에서는, 제 1 픽(31-1)을 예로 설명하지만, 제 2 픽(31-2)에 대해서도 제 1 픽(31-1)과 동일하다.
가열부(43) 및 냉각부(44)는 온도 조정부(4)를 구성하고 있고, 가열부(43)는 에어 통류로에 히터를 마련하여 구성되고, 제어부(1A)에 의해 그 히터에 공급되는 전력이 제어되어, 에어 공급관(41a)을 통과하는 에어의 온도가 제어된다. 냉각부(44)는 열교환기의 2차측 유로로서 구성되고, 열교환기의 1차측 유로에 흐르는 냉매와의 사이의 교환 열량을, 예컨대 제어부(1A)에 의해 그 냉매의 유통량을 조정하는 것에 의해 제어하고, 따라서 에어 공급관(41b)의 가스의 온도가 제어된다. 또한, 제어부(1A)는 유량 제어부(46)를 통하여 에어 공급관(41a, 41b)에 각각 유통하는 에어의 유량을 제어한다.
제 1 픽(31-1)은, 예컨대 선단측이 두 갈래로 나누어진 포크 형상을 갖고 있고, 예컨대 세라믹스나 알루미늄 등에 의해 구성되어 있다. 제 1 픽(31-1)은 베르누이 척으로서 구성되어 있다. 도 3에 있어서, L1로 나타내는 그 두께는, 예컨대, 2㎜~4㎜이다. 제 1 픽(31-1)의 내부에는 제 1 픽(31-1)의 기단측으로부터 선단측을 향하여 연장되는 에어의 유로(33)가 형성되어 있다. 제 1 픽(31-1)의 제 1 면(31a)에는, 유로(33)에 연통한 에어의 토출구(34)가 복수 개구하고 있다. 유로(33)의 기단측은 상기 에어 공급관(41)에 접속되어 있고, 따라서 가열부(43)에서 가열된 에어 혹은 냉각부(44)에서 냉각된 에어가 토출구(34)로부터 토출되게 된다. 도 4에 나타내는 예에서는, 각 토출구(34)의 구경 L2는 5㎜~20㎜이다.
제 1 픽(31-1)의 상면에는 볼록부인 복수의 막대 모양의 패드(35)가 마련되어 있고, 웨이퍼 W의 이면(하면)이 이 패드(35)상에 가압된다. 제 1 픽(31-1)이 진퇴 및 연직축 주위로 회전할 때 웨이퍼 W가 패드(35) 위를 옆쪽으로 미끄러져 낙하하지 않도록 패드(35)는 웨이퍼 W의 이면에 대하여 마찰력이 큰 재질에 의해 구성된다. 웨이퍼 W의 이면이 실리콘에 의해 구성되는 경우에는, 예컨대 고무, 수지, 세라믹스 등에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 도 3에 있어서, L3으로 나타내는 이 패드(35)의 높이는 0.5㎜~2㎜이다.
여기서, 반송 장치(1)는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지는 제어부(1A)를 갖는다. 제어부(1A)는, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비한다. 프로그램은, 제어부(1A)로부터 반송 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내고, 상세한 것에 대해서는 후술하는 다양한 단계를 실시하여, 웨이퍼 W를 반송하도록 되어 있다. 또한, 예컨대, 메모리는 다양한 파라미터의 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU가 프로그램의 각 명령을 실행할 때 이들 처리 파라미터가 판독되고, 그 파라미터 값에 따른 제어 신호가 이 반송 장치(1)의 각 부위에 보내지게 된다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함한다)은, 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 저장되어 제어부(1A)에 인스톨된다.
(제 1 실시형태에 있어서의 반도체 제조 장치)
제 1 실시형태에 따른 반송 장치가 탑재된 반도체 제조 장치의 한 예에 대하여 설명한다. 보다 상세하게는, 반도체 제조 장치에 있어서, 반송 장치(1)가 웨이퍼 W의 위치 조정이 행해지는 오리엔터와 웨이퍼 W의 수수를 행하는 경우에 대하여 설명한다.
도 4는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다. 도 5는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터의 한 예를 나타내는 횡단 평면도이다. 오리엔터(5)는, 하우징(51)과, 하우징(51) 내를 상부실(52) 및 하부실(53)로 나누는 경계판(54)을 갖는다. 하우징(51)의 측벽에는 웨이퍼 W를 반입출하기 위한 반송구(55)가 개구하고 있다. 하우징(51) 내는 대기 분위기로 구성되어 있다.
상부실(52)에는, 베르누이 척으로서 구성된 원형의 제 1 받침대(6-1)와 제 2 받침대(6-2)가 수평으로 마련된다. 제 1 받침대(6-1)는, 제 1 픽(31-1)에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1을 유지하여 얼라인먼트 위치를 결정하기 위한 것이다. 또한, 제 2 받침대(6-2)는, 제 2 픽(31-2)에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2를 유지하여, 제 2 웨이퍼 W-2의 얼라인먼트 위치를 결정하기 위한 것이다.
여기서, 제 1 받침대(6-1)와 제 2 받침대(6-2)는, 웨이퍼 W를 유지하는 면이 되는 제 3 면(6a)과 제 3 면(6a)에 대향하는 제 4 면(6b)을 갖는다. 또한, 제 1 받침대(6-1)와 제 2 받침대(6-2)는, 상술한 바와 같이 상하 방향으로 이격하여 배열된다. 여기서, 상술한 바와 같이, 제 1 간격(31c)과 제 2 간격(6c)은 상이한 간격이 되고, 바람직하게는, 제 1 간격(31c)이 제 2 간격(6c)보다 좁다. 또, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)는, 각각, 제 1 얼라인먼트부 및 제 2 얼라인먼트부라고도 칭해진다.
제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)는 하부실(53)측에 마련된 회전 구동 기구(56)에 샤프트(57)를 거쳐서 접속되어, 연직축 주위로 회전할 수 있도록 구성되어 있다.
제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2) 내에는 에어의 유로(61)가 형성되어 있고, 유로(61)는 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)의 제 3 면(6a)에 개구한 복수의 에어의 토출구(63)에 연통하고 있다. 또한 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)의 상면에는 상기 패드(35)와 마찬가지로 구성된 패드(64)가 마련되어 있고, 토출구(63)로부터 에어가 토출된 상태에서 웨이퍼 W의 중앙부의 이면이 패드(64) 위에 탑재되면, 상기 반송 장치(1)와 마찬가지로 베르누이 효과에 의해 웨이퍼 W에 아래쪽으로 향하는 힘이 작용하여, 웨이퍼 W가 패드(64)에 가압되어 수평으로 유지되도록 되어 있다.
제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)의 유로(61)에는 에어 공급관(71)의 일단(一端)이 개구하고 있고, 에어 공급관(71)의 타단(他端)은 예컨대 샤프트(57) 내에 형성된 배관로(58)를 통하여, 샤프트(57)의 외부로 꺼내어져, 2개의 에어 공급관(71a 및 71b)으로 분기하고 있고, 에어 공급관(71a)의 단부는 가열부(73) 및 유량 제어부(76)를 거쳐서 에어 공급원(75)에 접속되고, 에어 공급관(71b)의 단부는 냉각부(74) 및 유량 제어부(76)를 거쳐서 에어 공급원(75)에 접속되어 있다. 가열부(73), 냉각부(74), 에어 공급원(75), 유량 제어부(76)는 각각 가열부(43), 냉각부(44), 에어 공급원(45), 유량 제어부(46)와 마찬가지로 구성되어 있고, 가열부(73) 및 냉각부(74)에 의해 온도 조정부(7)가 구성되어 있다.
여기서, 제 1 실시형태에서는, 도 4에 나타나는 바와 같이, 제 1 받침대(6-1)와 제 2 받침대(6-2)가 세로 방향으로 제 2 간격(6c)을 두고 마련되어 있다. 이 결과, 도 5에 나타나는 바와 같이, 샤프트(57)는, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)로부터 수평 방향으로 연장된 후, 예컨대, 오리엔터(5)의 벽면을 따라 마련된 후, 회전 구동 기구(56)로 연장되도록 마련된다. 이 회전 구동 기구(56)는, 예컨대 모터(도시하지 않는다)에 의해 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)를 연직축 주위로 회전시킬 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2) 위에 탑재된 웨이퍼 W의 주연의 위치를 검출하기 위한 검출 기구(67)가 하우징(51) 내에 마련되어 있다. 검출 기구(67)는 하부실(53)측에 마련된 예컨대 LED로 이루어지는 발광부(65)와, 상부실(52)측에 마련된 예컨대 CCD 센서로 이루어지는 수광부(66)로 구성되어 있고, 상기 발광부(65)로부터 방출된 광이 상기 경계판(54)에 형성된 구멍 부분(54a)을 거쳐서 수광부(66)에 입사하고, 수광부(66)는 입사한 광량에 대응하는 신호를 제어부(5A)에 출력한다.
도 4에 나타내는 예에서는, 2개의 받침대 각각에 대하여, 각각 검출 기구(67)가 마련된다. 구체적으로는, 제 1 받침대(6-1)에 대한 검출 기구로서, 발광부(65-1) 및 수광부(66-1)가 마련되고, 제 2 받침대(6-2)에 대한 검출 기구로서, 발광부(65-2) 및 수광부(66-2)가 마련된다.
제어부(5A)는 제어부(1A)와 마찬가지로 구성되어 있고, 기억부(5B)에 저장된 프로그램을 실행하여, 오리엔터(5)의 각 부의 동작을 제어하고, 후술하는 바와 같이 웨이퍼 W의 위치 조정 및 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)로부터 토출되는 에어의 유량 등을 제어한다. 또, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)와 반송 장치(1)의 사이의 웨이퍼 W의 수수의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
여기서, 오리엔터(5)에서는, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)에 유지된 웨이퍼 W 각각에 대하여, 위치 조정을 행한다. 보다 상세하게는, 제어부(5A)는, 웨이퍼 W의 중앙 이면을 유지하는 받침대를 거쳐서 웨이퍼 W를 연직축 주위로 회전시켜, 웨이퍼 W의 주연에 형성된 노치가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼 W의 위치 조정을 행한다. 또한, 제어부(5A)는, 웨이퍼 W의 중심 위치를 결정한다. 이 결과, 오리엔터(5)로부터 웨이퍼 W가 반출될 때에는, 노치가 소정의 방향을 향하도록 웨이퍼 W의 위치 조정이 행해진 다음, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)에 유지되어 웨이퍼 W 각각이, 오리엔터(5)에서 결정된 중심 위치(얼라인먼트 위치)에 있어서, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)에서 수취되어 반출되게 된다. 또, 오리엔터(5)로부터의 웨이퍼 W의 반출 처리의 흐름의 상세한 것에 대해서는 후술하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
도 6은 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 제조 장치의 한 예를 나타내는 평면도이다. 도 7은 제 1 실시형태에 있어서의 반도체 제조 장치의 한 예를 나타내는 종단 측면도이다. 도 6 및 도 7에 나타내는 반도체 제조 장치는, 멀티 챔버 시스템이라고도 칭해진다.
도 6에 나타내는 예에서는, 반도체 제조 장치(8)는, 처리 대상의 웨이퍼 W를 소정 매수 격납하는 기판 반송 용기 C를 탑재하는 캐리어 탑재대(81)를 3개 갖는다. 또한, 반도체 제조 장치(8)는, 대기 분위기 아래에서 웨이퍼 W를 반송하는 제 1 반송실(82)을 갖는다. 또한, 반도체 제조 장치(8)는, 실내를 대기 분위기와 진공 분위기로 전환하여 웨이퍼 W를 대기시키기 위한, 예컨대, 좌우로 2개 늘어선 로드록실(83)을 갖는다. 또한, 반도체 제조 장치(8)는, 진공 분위기 아래에서 웨이퍼 W를 반송하는 제 2 반송실(84)과, 반입된 웨이퍼 W에 프로세스 처리를 실시하기 위한 예컨대 4개의 처리 모듈(85a~85d)을 구비하고 있다. 또, 기판 반송 용기는, 「캐리어」라고도 칭해진다.
이들 기기는, 웨이퍼 W의 반입 방향에 대하여, 제 1 반송실(82), 로드록실(83), 제 2 반송실(84), 처리 모듈(85a~85d)의 순서로 늘어서 있고, 이웃하는 기기끼리는 도어 G1이나 게이트 밸브 G2~G4를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 또, 이하의 설명에서는 제 1 반송실(82)이 있는 방향을 앞쪽으로 하여 설명한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 캐리어 탑재대(81) 위에 탑재된 기판 반송 용기 C는, 제 1 반송실(82)에 대하여 도어 G1을 통하여 접속되고, 이 도어 G1은 기판 반송 용기 C의 뚜껑을 개폐하는 역할을 한다. 또한, 제 1 반송실(82)의 천정부에는 실내에 대기를 보내는 팬과 그 대기를 청정화하는 필터로 이루어지는 팬 필터 유닛(82a)을 구비하고, 이것과 대향하는 바닥에는 배기 유닛(82b)을 구비하는 것에 의해, 제 1 반송실(82) 내에는 청정 공기의 하강 기류가 형성된다.
제 1 반송실(82) 내에는 상술한 반송 장치(1)가 설치되어 있다. 반송 장치(1)는, 기대(13)가, 도시하지 않는 구동 기구에 의해 제 1 반송실(82)의 길이 방향을 따라 이동이 자유롭게 또한 승강이 자유롭게 구성되고, 후술하는 바와 같이 얼라인먼트실(86)과 기판 반송 용기 C의 사이에서 웨이퍼 W를 수수할 수 있도록 되어 있다. 또한 제 1 반송실(82)의 측면에는, 오리엔터(5)를 구비한 얼라인먼트실(86)이 마련되어 있다.
좌우 2개의 로드록실(83)은, 반입된 웨이퍼 W가 탑재되는 탑재대(83a-1) 및 탑재대(83a-2)를 구비하고, 각각의 로드록실(83)을 대기 분위기와 진공 분위기로 전환하기 위한 도시하지 않는 진공 펌프 및 리크 밸브와 접속되어 있다.
제 2 반송실(84)은, 도 6에 나타내는 바와 같이 평면에서 볼 때, 예컨대, 육각형으로 형성되고, 앞쪽의 2변은 상술한 로드록실(83)과 접속됨과 아울러, 나머지 4변은 처리 모듈(85a~85d)과 접속되어 있다. 제 2 반송실(84) 내에는, 로드록실(83)과 각 처리 모듈(85a~85d)의 사이에서 진공 분위기에서 웨이퍼 W를 반송하기 위한, 회전 및 신축이 자유로운 제 2 반송 장치(87)가 설치되고, 또한 제 2 반송실(84)은, 그 내부를 진공 분위기로 유지하기 위한 도시하지 않는 진공 펌프와 접속되어 있다.
처리 모듈(85a~85d)은 도시하지 않는 진공 펌프와 접속되고, 진공 분위기 아래에서 행해지는 프로세스 처리, 예컨대 에칭 가스에 의한 에칭 처리, CVD 등의 성막 가스를 이용한 성막 처리, 애싱 가스에 의한 애싱 처리 등을 행할 수 있도록 구성되어 있고, 예컨대 처리 용기(91)와, 웨이퍼 W가 탑재되는 탑재대(92)와, 프로세스 가스를 처리 용기(91) 내에 공급하는 가스 샤워 헤드(93)를 구비하고 있다. 또한 탑재대(92)에는, 웨이퍼 W 처리시에 거기에 탑재된 웨이퍼 W를 소정의 온도로 가열하는 히터(94)가 마련되어 있다.
각 처리 모듈(85a~85d)에서 행해지는 프로세스 처리의 내용은, 서로 같더라고 좋고, 상이한 처리를 행하도록 구성하더라도 좋다. 또한, 반송 장치(1, 87), 처리 모듈(85a~85d) 등은, 반도체 제조 장치(8) 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어부(8A)와 접속되어 있다. 제어부(8A)는, 상기 제어부(1A)와 마찬가지로 구성되어 있고, 기억부(8B)에 저장된 후술하는 반도체 제조 장치(8)의 작용을 실시할 수 있도록 단계군이 짜여진 프로그램을 실행할 수 있도록 구성된다.
계속하여, 반도체 제조 장치(8)에 있어서의 웨이퍼 W의 반송 경로에 대하여 설명한다. 캐리어 탑재대(81) 위의 기판 반송 용기 C에 격납된 웨이퍼 W는, 반송 장치(1)에 의해 기판 반송 용기 C에서 꺼내어져, 제 1 반송실(82), 계속하여 얼라인먼트실(86)에 반송됨과 아울러 반송 장치(1)에 의해 소정의 온도 예컨대 40℃로 가열된다. 얼라인먼트실(86)에 반송된 웨이퍼 W는, 그 노치 N이 소정의 방향을 향하도록 위치 결정됨과 아울러 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2)에 의해 계속하여 상기 소정의 온도로 조정되고, 위치 결정 후, 반송 장치(1)에 의해 좌우 어느 한쪽의 로드록실(83)에 수수되어 대기한다.
그 후, 로드록실(83) 내가 진공 분위기가 되면, 웨이퍼 W는 제 2 반송 장치(87)에 의해 로드록실(83)에서 꺼내어져, 제 2 반송실(84) 내에서 반송되어, 어느 한쪽의 처리 모듈(85a~85d)에 반송된다. 그리고 그 처리 모듈(85a~85d)의 탑재대(92)에 탑재되어, 소정의 온도로 가열되어 소정의 프로세스 처리를 받는다. 여기서 처리 모듈(85a~85d)에서 상이한 연속 처리가 행해지는 경우에는, 웨이퍼 W는 제 2 반송실(84)과의 사이를 왕복하면서 연속 처리에 필요한 처리 모듈(85a~85d) 사이에서 반송된다.
처리 모듈(85a~85d)에서 필요한 처리를 끝낸 웨이퍼 W는, 제 2 반송 장치(87)에 의해 좌우 어느 한쪽의 로드록실(83)에 수수되어 대기한다. 그리고 로드록실(83) 내가 진공 분위기가 됨과 아울러 웨이퍼 W의 온도가 소정의 온도로 냉각되면 반송 장치(1)가 웨이퍼 W를 다시 기판 반송 용기 C에 반송하고, 그 반송 중에 웨이퍼 W가 소정의 온도 예컨대 60℃가 되도록 냉각된다.
또, 도 7에 나타내는 예에서는, 로드록실(83)이 2개의 탑재대(83a-1, 83a-2)를 갖고, 제 2 반송실(84)에 마련되는 제 2 반송 장치(87)가 1개의 웨이퍼 W를 반송하고, 각 처리 모듈(85a~85d)이 각각 1개의 탑재대(92)를 갖는 경우를 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 로드록실(83)이 1개의 탑재대(83)를 갖더라도 좋고, 제 2 반송실(84)에 마련되는 제 2 반송 장치(87)가, 2개의 웨이퍼 W를 동시에 반송하더라도 좋고, 각 처리 모듈(85a~85d)의 1개 또는 복수가 2개의 탑재대(92)를 갖더라도 좋고, 이들을 조합하더라도 좋다.
(제 1 간격과 제 2 간격)
도 8은 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 용기에 있어서의 기판 유지 간격과 제 1 간격의 관계의 한 예를 나타내는 도면이다. 도 8에 나타내는 예에서는, 기판 반송 용기 C가, 웨이퍼 W를 유지하는 유지부 C-1~C-5를 갖는 경우를 예로 나타냈지만, 유지부의 수는 5개로 한정되는 것이 아니고, 임의의 수이더라도 좋다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 기판 반송 용기 C에 있어서의 인접한 유지부의 상면 사이의 간격 Cc는, 제 1 간격(31c)과 동일한 것이 바람직하다. 이 결과, 기판 반송 용기 C로부터 신속하게 복수의 웨이퍼 W를 수취하는 것이 가능하게 된다. 단, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 인접한 유지부의 상면 사이의 간격 Cc와 제 1 간격(31c)이 상이하더라도 좋다.
도 9는 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 간격과 제 2 간격의 관계의 한 예를 나타내는 도면이다. 도 9에 나타내는 예에서는, 설명의 편의상, 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2), 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 나타냈다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 간격(31c)은, 바람직하게는, 제 2 간격(6c)보다 짧아진다.
(기판 반송 용기로부터 제 1 픽 및 제 2 픽으로의 웨이퍼의 수수의 흐름)
도 10은 제 1 실시형태에 있어서의 기판 반송 용기로부터 제 1 픽 및 제 2 픽으로의 웨이퍼의 수수의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다. 도 11(a)~11(e)는 기판 반송 용기로부터 제 1 픽 및 제 2 픽으로의 웨이퍼의 수수의 흐름의 한 예에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 처리 개시 타이밍이 되면(단계 S101에서 예), 반송 장치(1)는, 암부를 동작시키는 것에 의해 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 기판 반송 용기 C에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 하부에 이동시킨다(단계 S102). 즉, 반송 장치(1)는, 도 11(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 기판 반송 용기 C에 진입시키고, 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, 기판 반송 용기 C에 유지되어 있는 웨이퍼 W의 하부에 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 각각 이동시킨다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)에 기판 반송 용기 C로부터 웨이퍼 W를 수취한다(단계 S103). 즉, 반송 장치(1)는, 도 11(c)에 나타내는 바와 같이, 암부를 동작시키는 것에 의해 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수직 방향으로 상승시켜, 웨이퍼 W의 하면에 접촉시킨다.
그리고, 반송 장치(1)는, 도 11(d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수직 방향으로 더 상승시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 기판 반송 용기 C로부터 반출하는 높이까지 이동시키고, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)에 수취한 웨이퍼 W를 기판 반송 용기 C로부터 꺼낸다(단계 S104). 즉, 도 11(e)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 기판 반송 용기 C로부터 꺼내는 것에 의해, 웨이퍼 W를 기판 반송 용기 C로부터 반출한다.
(오리엔터와 반송 장치의 사이에 있어서의 수수)
이하에 상세하게 설명하는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1)에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1과, 제 2 픽(31-2)에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2를, 제 1 받침대(6-1) 위와, 제 2 받침대(6-2) 위에 각각 탑재한다. 그리고, 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 1 수수 위치에 제 1 픽(31-1)을 위치시키고, 제 1 픽(31-1)을 위쪽으로 이동시키는 것에 의해 제 1 받침대(6-1)로부터 제 1 웨이퍼 W-1을 수취하고, 그 후, 제 2 받침대(6-2)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 2 수수 위치에 제 2 픽(31-2)을 위치시키고, 제 2 픽(31-2)을 위쪽으로 이동시키는 것에 의해 제 2 받침대(6-2)로부터 제 2 웨이퍼 W-2를 수취한다.
이하에서는, 오리엔터(5)의 제 1 받침대(6-1) 및 제 2 받침대(6-2) 위에 웨이퍼 W를 탑재할 때에 있어서의 처리의 흐름과, 오리엔터(5)로부터 웨이퍼 W를 반출하는 처리의 흐름으로 나누어, 처리의 흐름의 상세한 한 예를 설명한다.
(오리엔터로의 웨이퍼 W의 반입의 흐름)
도 12는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다. 도 13(a)~(f)는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 처리 타이밍이 되면(단계 S201에서 예), 반송 장치(1)는, 암부를 동작시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 유지하고 있는 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 오리엔터(5)에 진입시킨다. 즉, 반송 장치(1)는, 도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 오리엔터(5) 내에 이동시킨다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 2 받침대(6-2)에 웨이퍼 W-2를 수수한다(단계 S202). 예컨대, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 제 2 픽(31-2)의 수평면에 있어서의 위치를 제 2 받침대(6-2)에 웨이퍼 W를 수수하는 위치로 하도록, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 이동시키고, 도 13(c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 수직 방향으로 하강시키는 것에 의해, 제 2 받침대(6-2)에 웨이퍼 W-2를 수수한다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)에 웨이퍼 W-1을 수수한다(단계 S203). 예컨대, 도 13(d)에 나타내는 바와 같이, 수직 방향으로 더 하강시키는 것에 의해, 제 1 받침대(6-1)에 웨이퍼 W-1을 수수한다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 오리엔터(5)로부터 꺼낸다(단계 S204). 즉, 반송 장치(1)는, 도 13(e)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 더 하강시키는 것에 의해, 오리엔터(5)로부터 꺼내는 높이까지 이동시키고, 도 13(f)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 오리엔터(5)로부터 꺼낸다.
(오리엔터로부터의 웨이퍼 W의 수취의 흐름)
도 14는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로부터의 웨이퍼의 반출의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다. 도 15(a)~(i)는 제 1 실시형태에 있어서의 오리엔터로부터의 웨이퍼의 반출의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 처리 타이밍이 되면(단계 S301에서 예), 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 1 수취 위치에 제 1 픽(31-1)을 위치시킨다(단계 S302). 예컨대, 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 1 수취 위치에 제 1 픽(31-1)이 위치하도록 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)을 이동시킨다. 즉, 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1)을 오리엔터(5) 내에 이동시키고, 도 15(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 얼라인먼트 위치에서 웨이퍼 W-1을 제 1 픽(31-1)이 수취 가능한 위치가 되는 제 1 수취 위치에 제 1 픽(31-1)이 위치하도록, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 이동시킨다. 이 결과, 반송 장치(1)가 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수평 방향에 있어서 이동시키는 거리는, 웨이퍼 W를 오리엔터(5)에 반입할 때에 있어서의 거리와는 반드시 동일하게는 되지 않는다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1)을 상하로 이동시키는 것에 의해 제 1 받침대(6-1)로부터 제 1 웨이퍼 W-1을 수취한다(단계 S303). 예컨대, 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)로부터 제 2 받침대(6-2)로 향하는 수직 방향으로 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)을 이동시키는 것에 의해, 제 1 받침대(6-1)에 유지되어 있는 제 1 웨이퍼 W-1을 제 1 픽(31-1)에 수취한다. 즉, 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수직 방향으로 상승시키는 것에 의해, 도 15(d)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1)에 웨이퍼 W-1을 취득한다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 2 받침대(6-2)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 2 수취 위치에 제 2 픽(31-2)을 위치시킨다(단계 S304). 예컨대, 반송 장치(1)는, 제 2 받침대(6-2)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 2 수취 위치에 제 2 픽(31-2)이 위치하도록 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)을 이동시킨다. 즉, 도 15(e)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수평 방향에 있어서 이동시키는 것에 의해, 도 15(f)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 얼라인먼트 위치에서 웨이퍼 W-2를 제 2 픽(31-2)이 수취 가능한 위치로 되는 제 2 수취 위치에 제 2 픽(31-2)을 위치시킨다.
그리고, 반송 장치(1)는, 제 2 픽(31-2)을 상하 방향으로 이동시키는 것에 의해 제 2 받침대(6-2)로부터 제 2 웨이퍼 W-2를 수취한다(단계 S305). 예컨대, 반송 장치(1)는, 제 1 받침대(6-1)로부터 제 2 받침대(6-2)로 향하는 수직 방향으로 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)을 이동시키는 것에 의해, 제 2 받침대(6-2)에 유지되어 있는 제 2 웨이퍼 W-2를 제 2 픽(31-2)에 수취한다. 즉, 도 15(g)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수직 방향으로 상승시키는 것에 의해, 도 15의 (8)에 나타내는 바와 같이, 제 2 픽(31-2)에 웨이퍼 W-2를 취득한다.
그리고, 도 15(i)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)을 오리엔터(5)로부터 꺼낸다(단계 S306).
(로드록실로의 반입)
도 16은 제 1 실시형태에 있어서의 로드록실로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 플로차트이다. 도 17(a)~17(e)는 제 1 실시형태에 있어서의 로드록실로의 웨이퍼의 반입의 흐름의 한 예를 나타내는 도면이다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 처리 타이밍이 되면(단계 S401에서 예), 반송 장치(1)는, 암부를 동작시키는 것에 의해 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 로드록실(83)에 진입시킨다(단계 S402). 즉, 반송 장치(1)는, 도 17(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 로드록실(83)에 진입시키고, 도 17(b)에 나타내는 바와 같이, 로드록실(83)의 탑재대(83a-1 및 83a-2)의 하부에 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 각각 위치시킨다.
그리고, 로드록실(83)의 탑재대(83a-1 및 83a-2)에 웨이퍼 W를 수수한다(단계 S403). 즉, 반송 장치(1)는, 도 17(c)에 나타내는 바와 같이, 암부를 동작시키는 것에 의해 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 수직 방향으로 하강시키는 것에 의해, 도 17(d)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W-1 및 웨이퍼 W-2를, 탑재대(83a-1 및 83a-2)의 상면에 수수한다.
그리고, 도 17(e)에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(1)는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)을 로드록실(83)로부터 꺼낸다(단계 S404).
(제 1 실시형태에 의한 효과)
상술한 바와 같이, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 픽(31-1)에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1과, 제 2 픽(31-2)에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2를, 제 1 받침대(6-1)와, 제 2 받침대(6-2)에 각각 반송하고, 제 1 받침대(6-1)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 1 수취 위치에 제 1 픽(31-1)을 위치시키고, 제 1 픽(31-1)을 상하 방향으로 이동시키는 것에 의해 제 1 받침대(6-1)로부터 제 1 웨이퍼 W-1을 수취하고, 제 2 받침대(6-2)에 의해 결정된 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정되는 제 2 수취 위치에 제 2 픽(31-2)을 위치시키고, 제 2 픽(31-2)을 위쪽 방향으로 이동시키는 것에 의해 제 2 받침대(6-2)로부터 제 2 웨이퍼 W-2를 수취한다. 이 결과, 위치 조정을 효율적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 예컨대, 암의 신축 횟수를 삭감 가능하게 되어, 반송 능력을 향상 가능하게 된다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 간격(31c)과 제 2 간격(6c)이 상이하다. 즉, 예컨대, 오리엔터에 받침대가 1개만 있는 경우나, 오리엔터에 복수의 받침대가 있다고 하더라도, 복수의 받침대마다 웨이퍼의 수수를 행하는 경우와 비교하여, 상술한 실시형태에 의하면, 오리엔터(5)에 있어서의 웨이퍼 W의 유지 간격이 되는 제 2 거리(6c)와 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)의 사이의 유지 간격이 되는 제 1 간격(31c)을 상이한 간격으로 하는 것에 의해, 수수 타이밍을 어긋나게 하는 것이 가능하게 되고, 이 어긋난 타이밍을 이용하여 픽을 수평 방향으로 이동시키는 것에 의해 웨이퍼 W의 픽 위치를 조정 가능하게 된다. 이 결과, 반송 능력을 향상 가능하게 된다.
즉, 위치 검출 기구를 상하 방향으로 복수 배치하고, 복수마다의 웨이퍼 W의 위치 조정을 병행하여 처리 가능하게 한 다음, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)과 오리엔터(5)의 사이의 웨이퍼 W의 수수를 효율적으로 실행할 수 있다. 이 결과, 웨이퍼마다 위치 검출을 행하는 수법과 비교하여, 효율적으로 위치 조정을 실행할 수 있어, 웨이퍼 W의 반송 능력을 향상 가능하게 된다.
또한, 위치 검출 기구를 상하 방향으로 복수 배치하는 것에 의해, 위치 검출 기구를 수평 방향으로 마련한 다음, 복수의 웨이퍼 W가 수평 방향으로 늘어서는 경우와 비교하여, 공간을 절약하여 실행 가능하게 되고, 비용을 저감하는 것도 가능하게 된다.
또한, 상술한 바와 같이, 복수의 픽이 1개의 암부에 마련되는 결과, 구동계를 공통화할 수 있어, 비용의 저감이 가능하게 됨과 아울러, 복수의 픽을 확실하게 이동 가능하게 된다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 간격(31c)은, 기판 반송 용기에 유지되어 있는 웨이퍼 W 사이의 유지 간격이 된다. 이 결과, 기판 반송 용기 C로부터 효율적으로 웨이퍼 W를 수취하는 것이 가능하게 된다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 픽(31-1)에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1의 하면과 제 2 픽(31-2)에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2의 하면의 사이의 제 1 간격(31c)이, 제 1 받침대(6-1) 위에 유지된 제 1 웨이퍼 W-1의 하면과, 제 2 받침대(6-2) 위에 유지된 제 2 웨이퍼 W-2의 하면의 사이의 제 2 간격(6c)과는 상이하다. 이 결과, 효율적으로 반송 가능한 반송 장치를 실현 가능하게 된다.
또한, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 픽(31-1)과 제 2 픽(31-2)은, 웨이퍼 W를 유지하는 면이 되는 제 1 면(31a)과 제 1 면(31a)에 대향하는 제 2 면(31b)을 갖고, 제 2 픽(31-2)의 제 2 면(31b)과 제 1 픽(31-1)의 제 1 면(31a)이 제 1 간격(31c)을 두고 상하 방향으로 이격하도록 암부에 마련되고, 제 1 받침대(6-1)와 제 2 받침대(6-2)가, 웨이퍼 W를 유지하는 면이 되는 제 3 면(6a)과 제 3 면(6a)에 대향하는 제 4 면(6b)을 갖고, 제 2 받침대(6-2)의 제 4 면(6b)과 제 1 받침대(6-1)의 제 3 면(6a)이 제 2 간격(6c)을 두고 상하 방향으로 이격하도록 마련된다. 이 결과, 효율적으로 반송 가능한 반송 장치를 실현 가능하게 된다.
(다른 실시형태)
제 1 실시형태에 따른 기판 반송 방법 및 반송 장치에 대하여 설명했지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 다양한 실시형태로 기판 반송 방법 및 반송 장치를 실현하더라도 좋다.
예컨대, 제 1 실시형태에 의하면, 제 1 간격(31c)이 제 2 간격(6c)보다 좁은 경우를 예로 설명했지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 제 1 간격(31c)이 제 2 간격(6c)보다 넓더라도 좋다.
(반송 장치)
또한, 예컨대, 상술한 실시형태에서는, 반송 장치(1)에 있어서, 복수의 픽이 동일한 암부에 마련되는 경우를 예로 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 복수의 픽이 각각 상이한 암부에 마련되더라도 좋다.
(검출 기구)
또한, 예컨대, 상술한 실시형태에서는, 복수의 받침대마다 별개의 검출 기구가 마련되는 경우를 예로 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 검출 기구의 일부 또는 전부를 공통화하더라도 좋다. 보다 상세한 한 예를 들어 설명하면, 동일한 발광부(65)로부터의 광이, 거울이나 프리즘을 거쳐서 받침대마다 마련되는 수광부(66)에 입사하도록 하더라도 좋다.
(위치 조정의 장소)
또한, 상술한 실시형태에서는, 위치 조정이, 반도체 제조 장치(8)의 제 1 반송실(82)에 접한 오리엔터(5)에서 실행되는 경우를 예로 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 로드록실(83)에서 위치 조정을 행하고, 위치 조정에 있어서의 상술한 웨이퍼 W의 수수를 실행하더라도 좋고, 제 2 반송실(84) 내에 위치 조정을 행하는 장소를 마련한 다음, 상술한 웨이퍼 W의 수수를 실행하더라도 좋다. 위치 조정에 있어서의 상술한 웨이퍼 W의 수수는, 진공 환경 아래에 있어서 실행하더라도 좋고, 진공이 아닌 환경 아래에 있어서 실행하더라도 좋다.
(픽)
또한, 상술한 실시형태에서는, 제 1 픽(31-1) 및 제 2 픽(31-2)이, 에어의 유량의 제어에 의해 웨이퍼 W를 유지하는 경우를 예로 나타냈지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 임의의 수법으로 웨이퍼 W를 유지하더라도 좋다. 예컨대, 진공 척이나 정전 흡착 등에 의해 웨이퍼 W를 유지하더라도 좋다.
(제어부)
또한, 상술한 각종 제어부는, 공통하여 1개의 제어부로 하더라도 좋다.
(반도체 제조 장치)
또한, 예컨대, 상술한 실시형태에서는, 반송 장치(1)가 탑재되는 반도체 제조 장치가 멀티 챔버 시스템인 경우를 예로 설명했지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 멀티 챔버 시스템이 아니더라도 좋다.

Claims (7)

  1. 기판 반송 방법에 있어서,
    제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하는 제 1 픽 및 제 2 픽을 이용하여, 상하 방향으로 이격하여 배열된 제 1 얼라인먼트부 및 제 2 얼라인먼트부 위에 각각 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 탑재하는(placing) 단계와,
    상기 제 1 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된(aligned) 상기 제 1 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 1 수취 위치에 상기 제 1 픽을 배치시키는(positioning) 제 1 배치(positioning) 단계와,
    상기 제 1 픽을 상하 방향으로 이동시켜 상기 제 1 얼라인먼트부로부터 상기 제 1 기판을 수취하는 제 1 수취 단계와,
    상기 제 2 얼라인먼트부에 의해 위치 조정된 상기 제 2 기판의 얼라인먼트 위치에 근거하여 결정된 제 2 수취 위치에 상기 제 2 픽을 배치시키는 제 2 배치 단계와,
    상기 제 2 픽을 상하 방향으로 이동시켜 상기 제 2 얼라인먼트부로부터 상기 제 2 기판을 수취하는 제 2 수취 단계
    를 포함하는 기판 반송 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 픽 위에 유지된 상기 제 1 기판의 하면과 상기 제 2 픽 위에 유지된 상기 제 2 기판의 하면의 사이의 제 1 간격이, 상기 제 1 얼라인먼트부 위에 탑재된 상기 제 1 기판의 하면과 상기 제 2 얼라인먼트부 위에 탑재된 상기 제 2 기판의 하면의 사이의 제 2 간격과 상이한 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 간격이 상기 제 2 간격보다 좁은 기판 반송 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 간격은, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 기판 반송 용기에 유지되어 있을 때의 상기 제 1 기판의 하면과 상기 제 2 기판의 하면의 사이의 최소 간격인 기판 반송 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 픽과 상기 제 2 픽은 동일한 암에 마련되고, 동시에 이동되는 기판 반송 방법.
  6. 기판 반송 장치에 있어서,
    제 1 기판 및 제 2 기판을 상하로 이격하여 유지하도록 배열된 제 1 픽 및 제 2 픽을 갖고,
    상기 제 1 픽 위에 유지된 상기 제 1 기판의 하면과 상기 제 2 픽 위에 유지된 상기 제 2 기판의 하면의 사이의 제 1 간격이, 제 1 얼라인먼트부 위에 탑재된 상기 제 1 기판의 하면과 제 2 얼라인먼트부 위에 탑재된 상기 제 2 기판의 하면의 사이의 제 2 간격과 상이한 기판 반송 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 픽과 상기 제 2 픽은 동일한 암에 마련되고, 동시에 이동되는 기판 반송 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102122295B1 (ko) 2019-09-16 2020-06-12 김천재 교반기구를 갖는 농약분무기구

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183401B2 (en) 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
US10825705B2 (en) * 2015-05-15 2020-11-03 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs
CN105278259A (zh) * 2015-07-27 2016-01-27 江苏影速光电技术有限公司 单机双台面多工位自动pcb板曝光设备及其曝光方法
US10381257B2 (en) * 2015-08-31 2019-08-13 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate conveying robot and substrate processing system with pair of blade members arranged in position out of vertical direction
TWI729319B (zh) 2017-10-27 2021-06-01 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
TWI797461B (zh) * 2019-07-26 2023-04-01 日商新川股份有限公司 封裝裝置
CN110919695B (zh) * 2019-11-29 2021-04-02 Tcl华星光电技术有限公司 机械手臂
JP7454959B2 (ja) 2020-03-03 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび大気搬送モジュール
JP7458212B2 (ja) 2020-03-11 2024-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび基板搬送方法
JP2022148398A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5273244A (en) * 1990-10-31 1993-12-28 Tokyo Electron Sagami Limited Plate-like member conveying apparatus
JPH04180246A (ja) * 1990-11-14 1992-06-26 Metsukusu:Kk 電子部品の自動搬送装置
KR100280947B1 (ko) * 1993-10-04 2001-02-01 마쓰바 구니유키 판 형상체 반송장치
TW318258B (ko) * 1995-12-12 1997-10-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP2857097B2 (ja) * 1996-03-29 1999-02-10 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
JPH09293772A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Tokyo Electron Ltd ウエハの位置合わせ装置
JP3647623B2 (ja) * 1997-11-28 2005-05-18 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定装置
JP4255091B2 (ja) * 1999-04-07 2009-04-15 株式会社日立国際電気 半導体製造方法
JP2002100664A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法および装置
JP4727500B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法
JP4744427B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4720790B2 (ja) * 2007-05-31 2011-07-13 株式会社安川電機 ウェハのアライメント装置、それを備えた搬送装置、半導体製造装置、ソータ装置
JP4684268B2 (ja) * 2007-08-30 2011-05-18 株式会社アルバック 真空処理装置、基板搬送方法
JP4616873B2 (ja) 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
US9002514B2 (en) * 2007-11-30 2015-04-07 Novellus Systems, Inc. Wafer position correction with a dual, side-by-side wafer transfer robot
JP2010199478A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ウェーハの偏心補正方法及びウェーハ搬送装置
JP2012129248A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Yaskawa Electric Corp アライメント装置及び半導体製造装置
CN103493193A (zh) * 2011-04-15 2014-01-01 龙云株式会社 晶圆更换装置及晶圆支承用柄
KR101679410B1 (ko) * 2011-08-10 2016-11-25 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 엔드 이펙터 장치 및 그 엔드 이펙터 장치를 구비한 기판 반송용 로봇
JP6018379B2 (ja) * 2011-12-27 2016-11-02 川崎重工業株式会社 基板保持装置
US9214369B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic pitch substrate lift

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102122295B1 (ko) 2019-09-16 2020-06-12 김천재 교반기구를 갖는 농약분무기구

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Publication number Publication date
JP6190645B2 (ja) 2017-08-30
TWI645494B (zh) 2018-12-21
JP2015018875A (ja) 2015-01-29
KR101860599B1 (ko) 2018-05-23
US9589822B2 (en) 2017-03-07
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