TW201517202A - 基板搬送方法及搬送裝置 - Google Patents

基板搬送方法及搬送裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201517202A
TW201517202A TW103123259A TW103123259A TW201517202A TW 201517202 A TW201517202 A TW 201517202A TW 103123259 A TW103123259 A TW 103123259A TW 103123259 A TW103123259 A TW 103123259A TW 201517202 A TW201517202 A TW 201517202A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
pick
alignment
pickup
wafer
Prior art date
Application number
TW103123259A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI645494B (zh
Inventor
Takehiro Shindou
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201517202A publication Critical patent/TW201517202A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI645494B publication Critical patent/TWI645494B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

效率良好地進行對位。 揭示的基板搬送方法在1個實施態樣中，係將被保持於第1拾取件上的第1基板，以及被保持於第2拾取件的第2基板分別搬入保持第1基板而決定對位位置的第1對位部，以及從第1對位部所保持的第1基板往厚度方向空出第2間隔而保持第2基板來決定對位位置的第2對位部。又，將第1拾取件搬送至基於由第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置，並藉由往厚度方向移動來收取第1基板。又，將第2拾取件搬送至基於由第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置，並藉由往厚度方向移動來收取第2基板。

Description

基板搬送方法及搬送裝置
本發明各面相及實施形態係關於基板搬送方法及搬送裝置。
半導體裝置或液晶顯示裝置等平板之製造工序中，所謂半導體晶圓(以下稱為晶圓)或玻璃基板之基板係在收納於基板搬送容器下被搬入至半導體製造裝置之搬入埠，並利用半導體製造裝置之搬送臂來從基板搬送容器中被取出而加以搬送至半導體製造裝置之處理模組。
作為半導體製造裝置之一範例係具有多腔室系統。多腔室系統係具有連接至搬入埠之大氣氛圍第1搬送室。又，多腔室系統係具有連接至進行利用蝕刻處理或CVD(Chemical Vapor Deposition)之成膜處理的複數個處理模組，且複數個處理模組所共通的真空氛圍第2搬送室。又，多腔室系統係具有設置於第1搬送室與第2搬送室之間並用以切換真空氛圍與大氣氛圍而讓基板待機的加載互鎖室。又，多腔室系統中，係將以前端的晶圓保持部(拾取件)會保持晶圓內面之方式而加以構成的多關節搬送臂設置在第1搬送室與第2搬送室。又，多腔室系統中，第1搬送室係連接有具備了用以進行晶圓對位之對準器的對位室。對準器係以透過保持晶圓中央內面的台座(台)而讓晶圓繞鉛直軸旋轉，使得晶圓邊緣所形成的槽口會朝向既定方向之方式來進行晶圓的對位。
於是，便有了進行對位時會進行溫度調整之技術。又，亦具有藉由開閉動作來握持晶圓的外緣部分的握持機構。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-088222號公報
[專利文獻2]日本特開2008-300609號公報
然而，上述技術中，有所謂無法效率良好地進行對位的問題。
揭示的基板搬送方法在1個實施態樣中，係包含將被保持於第1拾取件上的第1基板，以及從被保持於第1拾取件上的第1基板往基板厚度方向空出第1間隔而被保持於第2拾取件的第2基板分別搬入保持第1基板而決定對位位置的第1對位部，以及從第1對位部所保持的第1基板往厚度方向空出第2間隔而保持第2基板來決定對位位置的第2對位部之搬入步驟。又，包含將第1拾取件搬送至基於由第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之第1搬送步驟。又，包含藉由讓第1拾取件往厚度方向移動，來從第1對位部收取第1基板之第1收取步驟。又，包含將第2拾取件搬送至基於由第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之第2搬送步驟。又，包含藉由讓第2拾取件往厚度方向移動，來從第2對位部收取第2基板之第2收取步驟。
根據揭示的基板搬送方法之1個實施態樣，便獲得所謂可效率良好地進行對位的效果。
1‧‧‧搬送裝置
5‧‧‧對準器
6-1‧‧‧第1台座
6-2‧‧‧第2台座
6a‧‧‧第3面
6b‧‧‧第4面
8‧‧‧半導體製造裝置
8A‧‧‧控制部
8B‧‧‧記憶部
11‧‧‧中段臂部
12‧‧‧旋轉臂部
13‧‧‧基台
31-1‧‧‧第1拾取件
31-2‧‧‧第2拾取件
31c‧‧‧第1間隔
31a‧‧‧第1面
31b‧‧‧第2面
65‧‧‧發光部
66‧‧‧受光部
67‧‧‧檢驗機構
87‧‧‧搬送裝置
91‧‧‧處理容器
92‧‧‧載置台
圖1係顯示第1實施形態相關的搬送裝置之一範例的立體圖。
圖2係顯示第1實施形態中的第1拾取件之一範例的上視圖。
圖3係顯示第1實施形態中的第1拾取件之一範例的縱剖側視圖。
圖4係顯示第1實施形態中的對準器之一範例的縱剖側視圖。
圖5係顯示第1實施形態中的對準器之一範例的橫剖平面圖。
圖6係顯示第1實施形態中的半導體製造裝置之一範例的平面圖。
圖7係顯示第1實施形態中的半導體製造裝置之一範例的縱剖側視圖。
圖8係顯示第1實施形態中之基板搬送容器中的基板保持間隔與第1間隔之關係的一範例的圖式。
圖9係顯示第1實施形態中的第1間隔與第2間隔之關係的一範例的圖式。
圖10係顯示第1實施形態中之晶圓從基板搬送容器交付至第1拾取件與第2拾取件之流程的一範例的流程圖。
圖11係用以說明關於晶圓從基板搬送容器交付至第1拾取件與第2拾取件之流程的一範例的圖式。
圖12係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至對準器之流程的一範例的流 程圖。
圖13係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至對準器之流程的一範例的圖式。
圖14係顯示第1實施形態中之從對準器搬出晶圓之流程的一範例的流程圖。
圖15係顯示第1實施形態中之從對準器搬出晶圓之流程的一範例的圖式。
圖16係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至加載互鎖室之流程的一範例的流程圖。
圖17係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至加載互鎖室之流程的一範例的圖式。
以下，就揭示的基板搬送方法之實施形態，便基於圖式而詳細地加以說明。另外，不限於根據本實施例所揭示的發明。各實施例可在處理內容不相互矛盾的範圍下適當地進行組合。
(第1實施形態)
根據第1實施態樣中的基板搬送方法，係包含將被保持於第1拾取件上的第1基板，以及從被保持於第1拾取件上的第1基板往基板厚度方向空出第1間隔而被保持於第2拾取件的第2基板分別搬入保持第1基板而決定對位位置的第1對位部，以及從第1對位部所保持的第1基板往厚度方向空出第2間隔而保持第2基板來決定對位位置的第2對位部之搬入步驟。又，包含將第1拾取件搬送至基於由第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之第1搬送步驟。又，包含藉由讓第1拾取件往厚度方向移動，來從第1對位部收取第1基板之第1收取步驟。又，包含將第2拾取件搬送至基於由第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之第2搬送步驟。又，包含藉由讓第2拾取件往厚度方向移動，來從第2對位部收取第2基板之第2收取步驟。
又，根據第1實施態樣中的基板搬送方法，例如第1間隔與第2間隔會不同。
又，根據第1實施態樣中的基板搬送方法，例如第1間隔會較第2間 隔要狹窄。
又，根據第1實施態樣中的基板搬送方法，例如第1間隔為在被保持於基板搬送容器的各基板之厚度方向上的保持間隔。
又，根據第1實施態樣中的基板搬送方法，例如第1拾取件與第2拾取件係具有為保持基板之面的第1面與對向於第1面的第2面，且以第2拾取件之第2面與第1拾取件之第1面會空出第1間隔而對向之方式來被加以設置在相同的臂上。又，第1對位部與第2對位部係具有為保持基板之面的第3面與對向於第3面的第4面，且以第2對位部之第4面與第1對位部之第3面會空出第2間隔而對向之方式來被加以設置。第1搬送步驟係以讓第1拾取件位於基於由第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之方式來搬送第1拾取件與第2拾取件。又，第1收取步驟係藉由讓第1拾取件與第2拾取件在從第1對位部朝向第2對位部之厚度方向上移動，來將第1對位部所保持的第1基板收取至第1拾取件。又，第2搬送步驟係以讓第2拾取件位於基於由第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之方式來搬送第1拾取件與第2拾取件。又，第2收取步驟係藉由讓第1拾取件與第2拾取件在從第1對位部朝向第2對位部之厚度方向上移動，來將第2對位部所保持的第2基板收取至第2拾取件。
又，根據第1實施態樣中的搬送裝置，係具有保持第1基板的第1拾取件，以及從被保持於第1拾取件上的第1基板往基板厚度方向空出第1間隔而保持第2基板的第2拾取件，且第1間隔係與決定對位位置的第1對位部所保持的第1基板與決定對位位置的第2對位部所保持的第2基板之基板厚度方向上的第2間隔不同。
又，根據第1實施態樣中的搬送裝置，例如更具有1個臂部，且第1拾取件與第2拾取件係具有為保持基板之面的第1面以及對向於第1面的第2面，並且以第2拾取件之第2面與第1拾取件之第1面會空出第1間隔而對向之方式來被加以設置在臂部，而第1對位部與第2對位部係具有為保持基板之面的第3面以及對向於第3面的第4面，且以第2對位部之第4面與第1對位部之第3面會空出第2間隔而對向之方式來被加以設置。
(第1實施態樣相關的搬送裝置)
圖1係顯示第1實施形態相關的搬送裝置之一範例的立體圖。搬送裝置1係例如使用利用白努利效應的白努利吸盤來吸附晶圓W，並搬送晶圓W。另外，晶圓W亦稱為「基板」。如圖1所示，搬送裝置1係具有保持第1晶圓W-1的第1拾取件31-1，以及從第1拾取件31-1所保持的第1晶圓W-1往晶圓W之厚度方向空出第1間隔31c而保持第2基板W-2的第2拾取件31-2。
又，如於後所詳述般，搭載有搬送裝置1的半導體製造裝置8係具有用以決定對位位置的第1台座6-1，以及用以決定對位位置的第2台座6-2。於此，第1間隔31c係與第1台座6-1所保持的第1晶圓W-1與第2台座6-2所保持的第2晶圓W-2之晶圓W厚度方向上的第2間隔6c為不同的間隔。
例如，第1間隔31c係較第2間隔6c要狹窄。更佳是第1間隔31c為在被保持於基板搬送容器的各晶圓W之厚度方向上的保持間隔。另外，基板搬送容器係例如為FOUP(Front Opening Unified Pod)。
又，如圖1所示，搬送裝置1係更具有1個臂部。圖1所示範例，係具有中段臂部11與旋轉臂部12。第1拾取件31-1與第2拾取件31-2之根端側係在中段臂部11的前端側處，且中段臂部11的根端側係在旋轉臂部12的前端側處會分別繞鉛直軸旋轉自如地加以連結。搬送裝置1係構成為習知的關節型(無向量型)搬送臂。又，旋轉臂部12之根端側係繞鉛直軸而旋轉自如地連接至基台13。
於此，如圖1所示，第1拾取件31-1與第2拾取件31-2係具有為保持晶圓W之面的第1面31a，以及對向於第1面31a的第2面31b。又，以第2拾取件31-2之第2面31b與第1拾取件31-1之第1面31a係以空出第1間隔31c而對向之方式來被加以設置在臂部上。
又，第1拾取件31-1與第2拾取件31-2係具有為保持晶圓W之面的第1面31a，以及對向於第1面31a的第2面31b，且以第2拾取件31-2之第2面31b與第1拾取件31-1之第1面31a係以空出第1間隔31c而對向之方式來被加以設置在臂部上。
圖2係顯示第1實施形態中的第1拾取件之一範例的上視圖。圖3係顯示第1實施形態中的第1拾取件之一範例的縱剖側視圖。另外，以下雖 然以第1拾取件31-1為例來加以說明，但第2拾取件31-2亦與第1拾取件31-1相同。
加熱部43與冷卻部44係構成溫度調整部4，且加熱部43係構成為設置加熱器於空氣流通路上，並藉由控制部1A來控制供給至其加熱器的電力，以控制通過空氣供給管41a之空氣的溫度。冷卻部44係構成為熱交換器的二次側流路，且例如藉由利用控制部1A來調整其冷媒的流通量，以控制與流過熱交換器之一次側流路的冷媒之間的熱交換，藉此控制空氣供給管41b之氣體溫度。又，控制部1A係透過流量控制部46來控制分別流通空氣供給管41a、41b的空氣流量。
第1拾取件31-1係具有例如前端側會分為雙叉之叉具形狀，且由例如陶瓷或鋁等所構成。第1拾取件31-1係構成為白努利吸盤。圖3中，標示為L1的厚度係例如為2mm~4mm。第1拾取件31-1內部係形成有從第1拾取件31-1之根端側往前端側延伸的空氣流路33。第1拾取件31-1之第1面31a係在複數處開口有連通至流路33的空氣吐出口34。流路33根端側係連接至該空氣供給管41，因此由加熱部43所加熱的空氣或由冷卻部44所冷卻的空氣便會從吐出口34吐出。圖4所示範例中，各吐出口34之口徑L2為5mm~20mm。
第1拾取件31-1上面係設置有為凸部的複數個棒狀墊35，且晶圓W內面會按壓在此墊35上。墊35係以第1拾取件31-1在進退及繞鉛直軸旋轉時晶圓W不會在墊35上橫向滑動而掉落之方式，由相對於晶圓W內面摩擦力較大的材質所構成。在晶圓W內面由矽所構成的情形中，較佳便由例如橡膠、樹脂、陶瓷等來加以構成。圖3中，標示為L3的此墊35之高度為0.5mm~2mm。
於此，搬送裝置1係具有例如由電腦所構成的控制部1A。控制部1A係具備有由程式、記憶體、CPU所構成的資料處理部等。程式係構成為從控制部1A傳送控制訊號至搬送裝置1的各部，來實施於後所詳述的各種步驟，以搬送晶圓W。又，例如，記憶體係具備有寫入各種參數值之區域，且CPU在實施程式各命令時會讀出該等處理參數，且因應其參數值的控制訊號便會傳送至此搬送裝置1之各部位。此程式(亦包含處理參數之輸入操作或顯示相關的程式)係儲存在電腦記憶媒體，例如軟碟、光碟、MO(磁光 碟)等記憶部，而安裝至控制部1A。
(第1實施形態中的半導體製造裝置)
就搭載有第1實施形態相關的搬送裝置的半導體製造裝置之一範例來加以說明。更詳細而言，係就半導體製造裝置中，搬送裝置1進行晶圓W之對位的對準器與進行晶圓W之交付情形來加以說明。
圖4係顯示第1實施形態中的對準器之一範例的縱剖側視圖。圖5係顯示第1實施形態中的對準器之一範例的橫剖平面圖。對準器5係具有框體51，以及將框體51內分隔成上部室52與下部室53的分隔板54。框體51側壁係開口有用以搬出入晶圓W的搬送口55。框體51內係構成為大氣氛圍。
上部室52係水平設置有構成為白努利吸盤之圓形第1台座6-1與第2台座6-2。第1台座6-1係用以保持第1拾取件31-1所保持的第1晶圓W-1而決定對位位置。又，第2台座6-2係用以從第1台座6-1所保持的第1晶圓W-1往厚度方向空出第2間隔6c，而從第1拾取件31-1所保持的第1晶圓W-1往晶圓W之厚度方向空出第1間隔31c，來保持第2拾取件31-2所保持的第2晶圓W-2而決定第2晶圓W-2之對位位置。
於此，第1台座6-1與第2台座6-2係具有為保持晶圓W之面的第3面6a與對向於第3面6a的第4面6b。又，第2台座6-2之第4面6b與第1台座6-1之第3面6a係以空出第2間隔6c而對向之方式來被加以設置。於此，如上述，第1間隔31c與第2間隔6c為不同的間隔，且較佳是第1間隔31c較第2間隔6c要狹窄。另外，第1台座6-1與第2台座6-2亦分別稱為第1對位部與第2對位部。
第1台座6-1與第2台座6-2係構成為透過軸件57而連接至於下部室53側所設置的旋轉驅動機構56，並能夠繞鉛直軸旋轉。
第1台座6-1與第2台座6-2內係形成有空氣流路61，且流路61係連通至於第1台座6-1與第2台座6-2之第3面6a開口的複數個空氣吐出口63。又，第1台座6-1與第2台座6-2上面係設置有與上述墊35為相同構成的墊64，且在從吐出口63吐出空氣之狀態下使得晶圓W中央部內面載置在墊64時，會與上述搬送裝置1同樣地藉由白努利效應來讓朝下方的力對晶圓W產生作用，晶圓W便成為被按壓在墊64上而被水平地加以保持。
空氣供給管71之一端係在第1台座6-1與第2台座6-2之流路61上開口，而空氣供給管71之另一端則通過例如在軸件57內所形成的配管路58，並進一步地拉出至軸件57外部，且分叉為空氣供給管71a、空氣供給管71b，空氣供給管71a之端部係透過加熱部73與流量控制部76而連接至空氣供給源75，且空氣供給管71b之端部係透過冷卻部74與流量控制部76而連接至空氣供給源75。加熱部73、冷卻部74、空氣供給源75、流量控制部76係分別與加熱部43、冷卻部44、空氣供給源45、流量控制部46為相同構成，並藉由加熱部73與冷卻部74來構成溫度調整部7。
於此，在第1實施形態中，如圖4所示，第1台座6-1與第2台座6-2會被設置成在縱方向上空出第2間隔6c。此結果，如圖5所示，軸件57係從第1台座6-1與第2台座6-2朝水平方向延伸後，例如在設置成沿著對準器5之壁面後，便設置成朝向旋轉驅動機構56延伸。此旋轉驅動機構56係構成為藉由例如馬達(未圖示)來使得第1台座6-1與第2台座6-2能夠繞鉛直軸旋轉。
又，用以檢測第1台座6-1與第2台座6-2上所載置的晶圓W之邊緣位置的檢測機構67會設置在框體51內。檢測機構67係以下部室53側所設置的由例如LED所構成的發光部65，以及上部室52側所設置的由例如CCD感測器所構成的受光部66來加以構成，從該發光部65發出的光會透過該分隔板54所形成的孔部54a而入射至受光部66，受光部66係輸出對應於入射光量之訊號至控制部5A。
圖4所示範例中，係各別針對2個台座而分別設置有檢測機構67。具體而言，關於第1台座6-1之檢測機構係設置有發光部65-1與受光部66-1，而關於第2台座6-2之檢測機構係設置有發光部65-2與受光部66-2。
控制部5A係與控制部1A為相同構成，會實施記憶部5B所儲存的程式、控制對準器5之各部的動作，以及控制如後述之晶圓W的對位及從第1台座6-1與第2台座6-2吐出之空氣的流量等。另外，於後詳細描述第1台座6-1及第2台座6-2與搬送裝置1間之晶圓W的交付。
於此，在對準器5中，會對第1台座6-1與第2台座6-2所保持的各晶圓W進行對位。更詳細而言，控制部5A係以透過保持晶圓W中央內面的台座而讓晶圓W繞鉛直軸旋轉，使得晶圓W邊緣所形成的槽口會朝向既定 方向之方式來進行晶圓W之對位。又，控制部5A係決定晶圓W之中心位置。此結果，於從對準器5搬出晶圓W時，在槽口朝向既定方向而進行晶圓W之對位後，第1台座6-1與第2台座6-2所保持的各晶圓W便會在由對準器5所決定的中心位置(對位位置)上，經由第1拾取件31-1與第2拾取件31-2之收取而加以搬出。另外，因為會於後詳細描述從對準器5搬出晶圓W之處理流程，故於此省略說明。
圖6係顯示第1實施形態中的半導體製造裝置之一範例的平面圖。圖7係顯示第1實施形態中的半導體製造裝置之一範例的縱剖側視圖。圖6及圖7所示半導體製造裝置亦稱為多腔室系統。
圖6所示範例中，半導體製造裝置8係具有3個載置有收納既定片數處理對象晶圓W的基板搬送容器C的載具載置台81。又，半導體製造裝置8係具有在大氣氛圍下搬送晶圓W的第1搬送室82。又，半導體製造裝置8係具有用以將室內切換於大氣氛圍與真空氛圍而讓晶圓W待機的例如在左右並排的2個加載互鎖室83。又，半導體製造裝置8係具備有在真空氛圍下搬送晶圓W的第2搬送室84，以及用以對被搬入的晶圓W實施製程處理的例如4個處理模組85a~85d。另外，基板搬送容器亦稱為「載具」。
該等機器係相對於晶圓W之搬入方向，以第1搬送室82、加載互鎖室83、第2搬送室84、處理模組85a~85d之順序並排，相鄰的機器彼此係透過門G1或閘閥G2~G4而氣密地連接。另外，在以下說明中係將第1搬送室82的某個方向作為前面側來加以說明。
如圖7所示，載具載置台81上所載置的基板搬送容器C係透過門G1而相對地連接至第1搬送室82，此門G1係達到開閉基板搬送容器C之蓋件的作用。又，第1搬送室82之頂部係具備有由將大氣送入室內的風扇與將此大氣清淨化之過濾器所構成的風扇過濾單元82a，並藉由讓對向於此的底部具備有排氣單元82b，來在第1搬送室82內形成有清淨空氣的下降氣流。
第1搬送室82內係設置有上述搬送裝置1。搬送裝置1係與搬送裝置1為同樣構成，且基台13係構成為藉由未圖示的驅動機構而沿著第1搬送室82的長度方向移動自如且升降自如，並如後述般可在對位室86與基板搬送容器C之間交付晶圓W。又，第1搬送室82側面係設置有具備對準器 5的對位室86。
左右2個加載互鎖室83係具備載置有被搬入的晶圓W的載置台83a-1與載置台83a-2，並與用以將各加載互鎖室83切換於大氣氛圍與真空氛圍之未圖示的真空幫浦及洩閥連接。
第2搬送室84係如圖6所示的平面形狀，例如形成為六角形，前面側的2邊係與上述的加載互鎖室83連接，且剩下的4邊係與處理模組85a~85d連接。第2搬送室84內係設置有用以在加載互鎖室83與各處理模組85a~85d間以真空氛圍來搬送晶圓W之旋轉及伸縮自如的第2搬送裝置87，又，第2搬送室84係與用以將其內部保持在真空氛圍之未圖示的真空幫浦連接。
處理模組85a~85d係構成為與未圖示的真空幫浦連接，並可在真空氛圍下進行製程處理，例如進行藉由蝕刻氣體之蝕刻處理、使用了CVD等成膜氣體的成膜處理，以及藉由灰化氣體之灰化處理等，且具備有例如處理容器91、載置有晶圓W的載置台92，以及供給製程氣體至處理容器91內的氣體噴頭93。又，載置台92係設置有在晶圓W處理時，將於此所載置的晶圓W加熱到既定溫度的加熱器94。
在各處理模組85a~85d所進行之製程處理的內容可為相互相同，亦可構成為進行相異處理。又，搬送裝置1、87、處理模組85a~85d等係與統合控制半導體製造裝置8全體動作的控制部8A連接。控制部8A係與上述控制部1A為相同構成，並構成為可實施記憶部8B所儲存之由可實施後述半導體製造裝置8之作用的步驟群所組成的程式。
接著，就半導體製造裝置8中的晶圓W搬送路徑來加以說明。載具載置台81上的基板搬送容器C所收納的晶圓W係藉由搬送裝置1而從基板搬送容器C被取出，並搬送至第1搬送室82，然後對位室86，且藉由搬送裝置1來加熱至既定溫度，例如40℃。被搬入至對位室86的晶圓W係以其槽口N會朝向既定方向之方式來定位，並藉由第1台座6-1與第2台座6-2來接續調整至上述既定溫度，且在定位後，便藉由搬送裝置1來交付至左右任一個加載互鎖室83而待機。
其後，若加載互鎖室83內成為真空氛圍，則晶圓W便會藉由第2搬送裝置87從加載互鎖室83被取出，且被搬送在第2搬送室84內，並搬送 至任一個處理模組85a~85d。然後，被載置到此處理模組85a~85d之載置台92，並加熱到既定溫度而接受既定的製程處理。於此，在以處理模組85a~85d來進行相異的連續處理之情形中，晶圓W係在與第2搬送室84之間往返，且在連續處理所需的處理模組85a~85d之間搬送。
在處理模組85a~85d中完成必要處理的晶圓W會藉由第2搬送裝置87來交付至左右任一個加載互鎖室83而待機。然後，若加載互鎖室83內成為真空氛圍，且晶圓W之溫度冷卻到既定溫度，則搬送裝置1便會再次將晶圓W搬送至基板搬送容器C，並在其搬送中，晶圓W會冷卻至成為既定溫度，例如60℃。
另外，圖7所示範例中，雖然顯示了加載互鎖室83係具有2個載置台83，第2搬送室84所設置的第2搬送裝置87係同時搬送1個晶圓W，各處理模組85a~85d係分別具有1個載置台92之情形，但並不限於此。例如，加載互鎖室83亦可具有1個載置台83，第2搬送室84所設置的第2搬送裝置87亦可同時搬送2個晶圓W，各處理模組85a~85d中的1者或複數者亦可具有2個載置台92，且亦可將該等進行組合。
(第1間隔與第2間隔)
圖8係顯示第1實施形態中之基板搬送容器中的基板保持間隔與第1間隔之關係的一範例的圖式。圖8所示範例中，雖然基板搬送容器C係例示為具有保持晶圓W的凹槽C1~C5之情形，但凹槽的數量係不限於5個，可為任意數量。
如圖8所示，基板搬送容器C中的凹槽間之間隔Cc較佳係與第1間隔31c相同。此結果，便可迅速地從基板搬送容器C收取複數個晶圓W。然而，不限於此，凹槽間的間隔Cc與第1間隔31c亦可不同。
圖9係顯示第1實施形態中的第1間隔與第2間隔之關係的一範例的圖式。圖9所示範例中，為了說明簡便，顯示了第1台座6-1與第2台座6-2、第1拾取件31-1與第2拾取件31-2。如圖9所示，第1間隔31c較佳係較第2間隔6c要短。
(晶圓從基板搬送容器交付至第1拾取件與第2拾取件的流程)
圖10係顯示第1實施形態中之晶圓從基板搬送容器交付至第1拾取件與第2拾取件之流程的一範例的流程圖。圖11係用以說明關於晶圓從基板 搬送容器交付至第1拾取件與第2拾取件之流程的一範例的圖式。
如圖10所示，為處理開始時點時(步驟S101肯定)，搬送裝置1係藉由讓臂部作動來將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至保持在基板搬送容器C之晶圓W下部(步驟S102)。亦即，搬送裝置1係如圖11之(1)所示，將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至基板搬送容器C，並如圖11之(2)所示，分別將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至保持在基板搬送容器C之晶圓W下部。
然後，搬送裝置1係從基板搬送容器C將晶圓W收取在第1拾取件31-1與第2拾取件31-2(步驟S103)。亦即，搬送裝置1係如圖11之(3)所示，藉由讓臂部作動，使得第1拾取件31-1與第2拾取件31-2往厚度方向上升，來接觸至晶圓W下面。
然後，搬送裝置1係從基板搬送容器C搬出收取在第1拾取件31-1與第2拾取件31-2的晶圓W(步驟S104)。亦即，搬送裝置1係如圖11之(4)所示，藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2更往晶圓W之厚度方向上升，將晶圓W移動至從基板搬送容器C搬出的高度，並如圖11之(5)所示，藉由從基板搬送容器C搬出第1拾取件31-1與第2拾取件31-2，來從基板搬送容器C搬出晶圓W。
(對準器與搬送裝置間的交付)
如以下詳細地說明，搬送裝置1係將第1拾取件31-1所保持的第1晶圓W-1與第2拾取件31-2所保持的第2晶圓W-2分別搬入第1台座6-1與第2台座6-2。然後，搬送裝置1係將第1拾取件31-1搬送至基於由第1台座6-1所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置，並藉由讓第1拾取件31-1往厚度方向移動，來從第1台座6-1收取第1晶圓W-1，其後，將第2拾取件31-2搬送至基於由第2台座6-2所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置，並藉由讓第2拾取件31-2往厚度方向移動，來從第2台座6-2收取第2晶圓W-2。
以下，分成將晶圓W搬入至對準器5之第1台座6-1與第2台座6-2之處理流程與從對準器5搬出晶圓W之處理流程，以說明處理流程詳細的一範例。
(晶圓W搬入至對準器之流程)
圖12係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至對準器之流程的一範例的流程圖。圖13係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至對準器之流程的一範例的圖式。
如圖12所示，為處理時點時(步驟S201肯定)，搬送裝置1係藉由讓臂部作動來將保持有晶圓W的第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至對準器5。亦即，搬送裝置1係如圖13之(1)所示，將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至對準器5。
然後，搬送裝置1係將晶圓W-2交付至第2台座6-2(步驟S202)。例如，如圖13之(2)所示，以讓第2拾取件31-2之水平面位置為將晶圓W交付至第2台座6-2之位置的方式來搬送第1拾取件31-1與第2拾取件31-2，並如圖13之(3)所示，藉由讓晶圓W往厚度方向下降，來將晶圓W-2交付至第2台座6-2。
然後，搬送裝置1係將晶圓W-1交付至第1台座6-1(步驟S203)。例如，如圖13之(4)所示，藉由讓晶圓W更往厚度方向下降，來將晶圓W-1交付至第1台座6-1。
然後，搬送裝置1係從對準器5搬出第1拾取件31-1與第2拾取件31-2(步驟S204)。亦即，搬送裝置1係如圖13之(5)所示，藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2更往厚度方向下降，來移動至從對準器5搬出的高度，並如圖13之(6)所示，從對準器5搬出第1拾取件31-1與第2拾取件31-2。
(從對準器收取晶圓W之流程)
圖14係顯示第1實施形態中之從對準器搬出晶圓之流程的一範例的流程圖。圖15係顯示第1實施形態中之從對準器搬出晶圓之流程的一範例的圖式。
如圖14所示，為處理時點時(步驟S301肯定)，搬送裝置1係將第1拾取件31-1搬送至基於由第1台座6-1所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置(步驟S302)。例如，搬送裝置1係以讓第1拾取件31-1位於基於由第1台座6-1所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之方式來搬送第1拾取件31-1與第2拾取件31-2。亦即，如圖15之(1)所示，搬送裝置1係將第1拾取件31-1搬送至對準器5內，並如圖15之(2)所示，往晶圓W 之厚度方向移動。讓第1拾取件31-1位於第1拾取件31-1可在晶圓W對位位置上收取晶圓W-1之位置的第1搬送位置，來搬送第1拾取件31-1與第2拾取件31-2。此結果，搬送裝置1讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2在水平方向上移動的距離便與將晶圓W搬入至對準器5時之距離並非總是相同。
然後，搬送裝置1係藉由讓第1拾取件31-1往厚度方向移動，而從第1台座6-1收取第1晶圓W-1(步驟S303)。例如，搬送裝置1係藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2在從第1台座6-1朝向第2台座6-2之厚度方向上移動，來將第1台座6-1所保持的第1晶圓W-1收取至第1拾取件31-1。亦即，如圖15之(3)所示，搬送裝置1係藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2往垂直方向上升，便如圖15之(4)所示，而讓第1拾取件31-1取得晶圓W-1。
然後，搬送裝置1係將第2拾取件31-2搬送至基於由第2台座6-2所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置(步驟S304)。例如，搬送裝置1係以讓第2拾取件31-2位於基於由第2台座6-2所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之方式來搬送第1拾取件31-1與第2拾取件31-2。亦即，如圖15之(5)所示，搬送裝置1係藉由在水平方向上搬送第1拾取件31-1與第2拾取件31-2，便如圖15之(6)所示，藉由往晶圓W之厚度方向移動來讓第2拾取件31-2位於第2拾取件31-2可在晶圓W對位位置上收取晶圓W-2之位置的第2搬送位置。
然後，搬送裝置1係藉由讓第2拾取件31-2往厚度方向移動，而從第2台座6-2收取第2晶圓W-2(步驟S305)。例如，搬送裝置1係藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2在從第1台座6-1朝向第2台座6-2之厚度方向上移動，來將第2台座6-2所保持的第2晶圓W-2收取至第2拾取件31-2。亦即，如圖15之(7)所示，搬送裝置1係藉由讓第1拾取件31-1與第2拾取件31-2往垂直方向上升，便如圖15之(8)所示，而讓第2拾取件31-2取得晶圓W-2。
然後，如圖15之(9)所示，搬送裝置1係從對準器5搬出第1拾取件31-1與第2拾取件31-2(步驟S306)。
(搬入至加載互鎖室)
圖16係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至加載互鎖室之流程的一範例的流程圖。圖17係顯示第1實施形態中之晶圓搬入至加載互鎖室之流程的一範例的圖式。
如圖16所示，為處理時點時(步驟S401肯定)，搬送裝置1係藉由讓臂部作動來將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至加載互鎖室83(步驟S402)。亦即，搬送裝置1係如圖17之(1)所示，將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2搬送至加載互鎖室83，並如圖17之(2)所示，將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2分別搬送至加載互鎖室83之載置台83a-1與83a-2下部。
然後，將晶圓W交付至加載互鎖室83之載置台83a-1與83a-2(步驟S403)。亦即，搬送裝置1係如圖17之(3)所示，藉由讓臂部作動來將第1拾取件31-1與第2拾取件31-2往晶圓W之厚度方向下降，便如圖17之(4)所示，將晶圓W-1與晶圓W2交付至載置台83a-1與83a-2下面。
然後，如圖17之(5)所示，搬送裝置1係從加載互鎖室83搬出第1拾取件31-1與第2拾取件31-2(步驟S404)。
(根據第1實施形態之效果)
如上述，根據第1實施形態係將第1拾取件31-1所保持的第1晶圓W-1與第2拾取件31-2所保持的第1晶圓W-2分別搬送至第1台座6-1與第2台座6-2；將第1拾取件31-1搬送至基於由第1台座6-1所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置；藉由讓第1拾取件31-1往厚度方向移動，來從第1台座6-1收取第1晶圓W-1；將第2拾取件31-2搬送至基於由第2台座6-2所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置，並藉由讓第2拾取件31-2往厚度方向移動，來從第2台座6-2收取第2晶圓W-2。此結果，可效率良好地進行對位。例如，可減少臂之伸縮次數，使得搬送能力可向上提升。
又，根據第1實施形態，第1間隔31c與第2間隔6c會不同。亦即，例如相較於對準器上只有1個台座之情形，或者即使對準器上有複數個台座，而複數個台座中的每個皆要進行晶圓交付之情形，則根據上述實施形態，藉由讓為對準器5中之晶圓W之保持間隔的第2間隔6c與為第1拾取件31-1與第2拾取件31-2間之保持間隔的第1間隔31c為不同的間隔，便能錯開交付時點，並藉由利用此錯開的時點而在水平方向上移動拾取件， 以調整晶圓W之拾取位置。此結果，便可使得搬送能力向上提升。
亦即，在晶圓W之厚度方向上配置複數個位置檢測機構，而能夠一起並行處理複數個晶圓W之對位後，便能效率良好地實施晶圓W與對準器5間的晶圓交付。其結果，相較於依晶圓來進行位置檢測之方法，便可實行效率良好之對位，而可提升晶圓W的搬送能力。
又，相較於在水平方向上設置位置檢測機構後，而將複數個晶圓W一起在水平方向上一併地並列複數個之情形，藉由在晶圓W之厚度方向上配置複數個位置檢測機構便可實施成節省空間，且亦可降低成本。
又，如上述，在1個臂部設置有複數個拾取件之結果，可將驅動系統共通化，並能降低成本，且能確實地搬送複數個拾取件。
又，根據第1實施形態，第1間隔31c為被保持於基板搬送容器的各晶圓W在厚度方向上的保持間隔。此結果，便能效率良好地從基板搬送容器C收取晶圓W。
又，根據第1實施形態係具有保持第1晶圓W-1的第1拾取件31-1，以及從被保持在第1拾取件31-1的第1晶圓W-1往晶圓W之厚度方向空出第1間隔31c而保持第2晶圓W-2的第2拾取件31-2，且第1間隔31c係與用以決定對位位置之第1台座6-1所保持的第1晶圓W-1與用以決定對位位置之第2台座6-2所保持的第2晶圓W-2之晶圓W厚度方向上的第2間隔6c不同。此結果，便可實現可效率良好地搬送的搬送裝置。
又，根據第1實施形態係更具有1個臂部，且第1拾取件31-1與第2拾取件31-2係具有為保持晶圓W之面的第1面31a以及對向於第1面31a的第2面31b，並以第2拾取件31-2之第2面31b與第1拾取件31-1之第1面31a會空出第1間隔31c而對向之方式來被加以設置在臂部，第1台座6-1與第2台座6-2係具有為保持晶圓W之面的第3面6a以及對向於第3面6a的第4面6b，且以第2台座6-2之第4面6b與第1台座6-1之第3面6a會空出第2間隔6c而對向之方式來被加以設置。此結果，便可實現可效率良好地搬送的搬送裝置。
(其他實施形態)
雖然已就第1實施形態相關的基板搬送方法及搬送裝置加以說明，但不限於此，亦可以各種實施形態來實現基板搬送方法及搬送裝置。
例如，根據第1實施形態，雖然已就第1間隔31c會較第2間隔6c要狹窄之情形為例來加以說明，但不限於此。例如，第1間隔31c亦可較第2間隔6c要寬。
(搬送裝置)
又，例如上述實施形態之搬送裝置1中，雖然已就複數個拾取件被設置在同一臂部之情形為例來加以呈現，但不限於此。例如，亦可將複數個拾取件分別設置在不同臂部上。
(檢測機構)
又，例如上述實施形態中，雖然已就複數個台座中的每個皆設置有個別的檢測機構之情形為例來加以呈現，但不限於此。例如，亦可將檢測機構之一部分或全部加以共通化。舉出更詳細之範例來加以說明，來自同一發光部65的光線亦可透過透鏡或稜鏡而入射至設置在各台座上的受光部66。
(對位處)
又，上述實施形態中，雖然已就在面對半導體製造裝置8之第1搬送室82的對準器5處實施對位之情形為例來加以呈現，但不限於此。例如，亦可在加載互鎖室83處進行對位，並實施對位中的上述晶圓W之交付，亦可將進行對位處設置在第2搬送室84內後，實施上述晶圓W之交付。對位中的上述晶圓W之交付可在真空環境下實施，亦可在非真空環境下實施。
(拾取件)
又，上述實施形態中，雖然已就第1拾取件31-1與第2拾取件31-2會藉由空氣流量控制來保持晶圓W之情形為例來加以呈現，但不限於此，亦可以任何手法來保持晶圓W。例如，亦可藉由真空吸盤或靜電吸附等來保持晶圓W。
(控制部)
又，上述各種控制部亦可共通為1個控制部。
(半導體製造裝置)
又，例如上述實施形態中，雖然已就搭載有搬送裝置1的半導體製造裝置為多腔室系統之情形為例來加以說明，但不限於此，非多腔室系統亦 可。
S301~S306‧‧‧步驟

Claims (9)

  1. 一種基板搬送方法，其包含：搬入步驟，係將被保持於第1拾取件上的第1基板，以及從被保持於該第1拾取件上的該第1基板往基板厚度方向空出第1間隔而被保持於第2拾取件的第2基板分別搬入保持該第1基板而決定對位位置的第1對位部，以及從該第1對位部所保持的該第1基板往該厚度方向空出第2間隔而保持該第2基板來決定對位位置的第2對位部；第1搬送步驟，係將該第1拾取件搬送至基於由該第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置；第1收取步驟，係藉由讓該第1拾取件往該厚度方向移動，來從該第1對位部收取該第1基板；第2搬送步驟，係將該第2拾取件搬送至基於由該第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置；以及第2收取步驟，係藉由讓該第2拾取件往該厚度方向移動，來從該第2對位部收取該第2基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板搬送方法，其中該第1間隔與該第2間隔不同。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板搬送方法，其中該第1間隔係較該第2間隔要狹窄。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板搬送方法，其中該第1間隔係較該第2間隔要狹窄。
  5. 如申請專利範圍第1~4項任一項之基板搬送方法，其中該第1間隔為在被保持於基板搬送容器的各基板之該厚度方向上的保持間隔。
  6. 如申請專利範圍第1~4項任一項之基板搬送方法，其中該第1拾取件與該第2拾取件係具有為保持基板之面的第1面與對向於該第1面的第2 面，且以該第2拾取件之該第2面與該第1拾取件之該第1面會空出該第1間隔而對向之方式來被加以設置在相同的臂上；該第1對位部與該第2對位部係具有為保持基板之面的第3面與對向於該第3面的第4面，且以該第2對位部之該第4面與該第1對位部之該第3面會空出該第2間隔而對向之方式來被加以設置；該第1搬送步驟係以讓該第1拾取件位於基於由該第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之方式來搬送該第1拾取件與該第2拾取件；該第1收取步驟係藉由讓該第1拾取件與該第2拾取件在從該第1對位部朝向該第2對位部之該厚度方向上移動，來將該第1對位部所保持的該第1基板收取至該第1拾取件；該第2搬送步驟係以讓該第2拾取件位於基於由該第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之方式來搬送該第1拾取件與該第2拾取件；該第2收取步驟係藉由讓該第1拾取件與該第2拾取件在從該第1對位部朝向該第2對位部之該厚度方向上移動，來將該第2對位部所保持的該第2基板收取至該第2拾取件。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板搬送方法，其中該第1拾取件與該第2拾取件係具有為保持基板之面的第1面與對向於該第1面的第2面，且以該第2拾取件之該第2面與該第1拾取件之該第1面會空出該第1間隔而對向之方式來被加以設置在相同的臂上；該第1對位部與該第2對位部係具有為保持基板之面的第3面與對向於該第3面的第4面，且以該第2對位部之該第4面與該第1對位部之該第3面會空出該第2間隔而對向之方式來被加以設置；該第1搬送步驟係以讓該第1拾取件位於基於由該第1對位部所決定的對位位置而加以決定的第1搬送位置之方式來搬送該第1拾取件與該第2拾取件；該第1收取步驟係藉由讓該第1拾取件與該第2拾取件在從該第1對位部朝向該第2對位部之該厚度方向上移動，來將該第1對位部所保持的 該第1基板收取至該第1拾取件；該第2搬送步驟係以讓該第2拾取件位於基於由該第2對位部所決定的對位位置而加以決定的第2搬送位置之方式來搬送該第1拾取件與該第2拾取件；該第2收取步驟係藉由讓該第1拾取件與該第2拾取件在從該第1對位部朝向該第2對位部之該厚度方向上移動，來將該第2對位部所保持的該第2基板收取至該第2拾取件。
  8. 一種搬送裝置，其包含：保持第1基板的第1拾取件；以及從被保持於該第1拾取件上的該第1基板往基板厚度方向空出第1間隔而保持第2基板的第2拾取件；該第1間隔係與決定對位位置的第1對位部所保持的該第1基板與決定對位位置的第2對位部所保持的該第2基板之該基板厚度方向上的第2間隔不同。
  9. 如申請專利範圍第8項之搬送裝置，更具有：1個臂部；該第1拾取件與該第2拾取件係具有為保持基板之面的第1面以及對向於該第1面的第2面，且以該第2拾取件之該第2面與該第1拾取件之該第1面會空出該第1間隔而對向之方式來被加以設置在該臂部；該第1對位部與該第2對位部係具有為保持基板之面的第3面以及對向於該第3面的第4面，且以該第2對位部之該第4面與該第1對位部之該第3面會空出該第2間隔而對向之方式來被加以設置。
TW103123259A 2013-07-09 2014-07-07 Substrate transfer method and transfer device TWI645494B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-143899 2013-07-09
JP2013143899A JP6190645B2 (ja) 2013-07-09 2013-07-09 基板搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201517202A true TW201517202A (zh) 2015-05-01
TWI645494B TWI645494B (zh) 2018-12-21

Family

ID=52277228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103123259A TWI645494B (zh) 2013-07-09 2014-07-07 Substrate transfer method and transfer device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9589822B2 (zh)
JP (1) JP6190645B2 (zh)
KR (1) KR101860599B1 (zh)
TW (1) TWI645494B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10825705B2 (en) * 2015-05-15 2020-11-03 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs
US11183401B2 (en) 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
CN105278259A (zh) * 2015-07-27 2016-01-27 江苏影速光电技术有限公司 单机双台面多工位自动pcb板曝光设备及其曝光方法
US10381257B2 (en) * 2015-08-31 2019-08-13 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate conveying robot and substrate processing system with pair of blade members arranged in position out of vertical direction
TWI802439B (zh) 2017-10-27 2023-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
TWI797461B (zh) * 2019-07-26 2023-04-01 日商新川股份有限公司 封裝裝置
KR102122295B1 (ko) 2019-09-16 2020-06-12 김천재 교반기구를 갖는 농약분무기구
CN110919695B (zh) * 2019-11-29 2021-04-02 Tcl华星光电技术有限公司 机械手臂
JP7454959B2 (ja) 2020-03-03 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび大気搬送モジュール
JP7458212B2 (ja) 2020-03-11 2024-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送システムおよび基板搬送方法
JP7568366B2 (ja) 2021-03-24 2024-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5273244A (en) * 1990-10-31 1993-12-28 Tokyo Electron Sagami Limited Plate-like member conveying apparatus
JPH04180246A (ja) * 1990-11-14 1992-06-26 Metsukusu:Kk 電子部品の自動搬送装置
US5562387A (en) * 1993-10-04 1996-10-08 Tokyo Electron Limited Device for transferring plate-like objects
TW318258B (zh) * 1995-12-12 1997-10-21 Tokyo Electron Co Ltd
JP2857097B2 (ja) * 1996-03-29 1999-02-10 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
JPH09293772A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Tokyo Electron Ltd ウエハの位置合わせ装置
JP3647623B2 (ja) * 1997-11-28 2005-05-18 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定装置
JP4255091B2 (ja) * 1999-04-07 2009-04-15 株式会社日立国際電気 半導体製造方法
JP2002100664A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法および装置
JP4727500B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板処理システムおよび基板搬送方法
JP4744427B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4720790B2 (ja) * 2007-05-31 2011-07-13 株式会社安川電機 ウェハのアライメント装置、それを備えた搬送装置、半導体製造装置、ソータ装置
JP4684268B2 (ja) * 2007-08-30 2011-05-18 株式会社アルバック 真空処理装置、基板搬送方法
JP4616873B2 (ja) 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
US9002514B2 (en) * 2007-11-30 2015-04-07 Novellus Systems, Inc. Wafer position correction with a dual, side-by-side wafer transfer robot
JP2010199478A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ウェーハの偏心補正方法及びウェーハ搬送装置
JP2012129248A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Yaskawa Electric Corp アライメント装置及び半導体製造装置
WO2012141067A1 (ja) * 2011-04-15 2012-10-18 タツモ株式会社 ウエハ交換装置およびウエハ支持用ハンド
EP2743975A4 (en) * 2011-08-10 2015-06-03 Kawasaki Heavy Ind Ltd END EFFECTOR DEVICE AND SUBSTRATE TRANSPORT ROBOT WITH THIS END EFFECTOR DEVICE
JP6018379B2 (ja) * 2011-12-27 2016-11-02 川崎重工業株式会社 基板保持装置
US9214369B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Dynamic pitch substrate lift

Also Published As

Publication number Publication date
US20150016936A1 (en) 2015-01-15
US9589822B2 (en) 2017-03-07
TWI645494B (zh) 2018-12-21
KR20150007238A (ko) 2015-01-20
JP2015018875A (ja) 2015-01-29
KR101860599B1 (ko) 2018-05-23
JP6190645B2 (ja) 2017-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI645494B (zh) Substrate transfer method and transfer device
EP2528088B1 (en) Broken wafer recovery system
TWI246145B (en) Substrate support mechanism in semiconductor processing system
US8974601B2 (en) Apparatuses, systems and methods for treating substrate
US9054146B2 (en) Substrate transfer equipment and high speed substrate processing system using the same
KR101015190B1 (ko) 기판 유지 장치, 기판 유지 방법, 반도체 제조 장치 및 기억 매체
US9302395B2 (en) Conveying robot
TW201722822A (zh) 製造基板所用的晶圓承載板與光罩配置
TW202109716A (zh) 同時進行基板傳輸的機械手
TW201111258A (en) Automatic substrate loading station
US20160293459A1 (en) Apparatus for processing sustrate and semiconductor fabrication line including the same
JP2018198305A (ja) 真空搬送モジュール及び基板処理装置
TWI512878B (zh) 基片加工設備
JP2019520701A (ja) １２面形の移送チャンバ、及び、かかる移送チャンバを有する処理システム
KR101364583B1 (ko) 기판 처리 시스템
JP2004006665A (ja) 真空処理装置
JP3665452B2 (ja) 被処理体中継装置
WO2017170191A1 (ja) 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法
JP2006344986A (ja) 塗布、現像装置及びパターン形成方法
JP2004266283A (ja) 基板処理装置
JP2004040043A (ja) 基板処理装置
JP2024108621A (ja) 基板処理システム、および基板搬送方法
CN118471850A (zh) 同平面上多晶圆同步制程工艺平台
JP2017188642A (ja) 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法
US20130340939A1 (en) System for substrate handling and processing