KR20140127882A - 가스 배리어 필름 및 가스 배리어 필름의 제조 방법 - Google Patents

가스 배리어 필름 및 가스 배리어 필름의 제조 방법 Download PDF

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요시히코 모치즈키
준 후지나와
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 높은 가스 배리어성을 갖고, 투명성, 내구성, 및 유연성도 우수한 가스 배리어 필름, 및 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 가스 배리어 필름은, 막 중의 질소와 규소의 조성비 N/Si 가 1.00 ∼ 1.35 이고, 막 밀도가 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 이고, 막두께가 10 ∼ 60 ㎚ 이고, 기판과 무기막의 계면의 혼합층의 두께가 5 ∼ 40 ㎚ 이다.

Description

가스 배리어 필름 및 가스 배리어 필름의 제조 방법{GAS BARRIER FILM AND METHOD FOR PRODUCING GAS BARRIER FILM}
본 발명은, 디스플레이 등에 이용되는 가스 배리어 필름 및 이 가스 배리어 필름의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는, 우수한 가스 배리어성뿐만 아니라, 우수한 투명성 및 유연성을 갖는 가스 배리어 필름, 및 이 가스 배리어 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
광학 소자, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치, 반도체 장치, 박막 태양 전지 등의 각종 장치에 있어서의 방습성이 요구되는 부위나, 부품, 식품, 의료품, 전자 부품 등의 포장에 사용되는 포장 재료에, 가스 배리어막 (수증기 배리어막) 이 형성되어 있다. 또, 수지 필름 등을 기재 (기판) 로 하여, 가스 배리어막을 형성 (성막) 하여 이루어지는 가스 배리어 필름도, 상기 각 용도에 이용되고 있다.
가스 배리어막으로는, 산화실리콘, 산질화실리콘, 산화알루미늄 등의 각종 물질로 이루어지는 막이 알려져 있다. 이들 가스 배리어막 중 하나로서 질화실리콘 (질화규소) 을 주성분으로 하는 가스 배리어막이 알려져 있다.
또, 가스 배리어 필름에는, 우수한 가스 배리어성뿐만 아니라, 높은 광투과성 (투명성) 이나 높은 내산화성 등, 용도에 따라 각종 특성이 요구된다.
이것에 따라, 질화실리콘으로 이루어지는 가스 배리어막에 있어서도, 각종 제안이 이루어져 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, N/Si 의 조성이 1 ∼ 1.4 이고, 수소의 함유량이 10 ∼ 30 원자％ 이고, 또한, 푸리에 변환 적외 흡수 스펙트럼에 있어서의, Si-H 의 신축 진동에 의한 흡수의 피크가 2170 ∼ 2200 ㎝-1 내에 위치하고, 또한, 이 Si-H 의 신축 진동에 의한 흡수의 피크 강도 I (Si-H) 와, 840 ㎝-1 부근의 Si-N 의 신축 진동에 의한 흡수의 피크 강도 I (Si-N) 의 강도비 [I (Si-H)/I (Si-N)] 가, 0.03 ∼ 0.15 인 가스 배리어막 (질화실리콘막) 이 기재되어 있다.
이 가스 배리어막은, 이와 같은 특징을 가짐으로써, 가스 배리어성에 더하여, 우수한 내산화성, 투명성 및 가요성을 갖는 가스 배리어막을 얻을 수 있다.
또, 특허문헌 2 에는, 기재 상에 저밀도층, 고밀도층, 및 저밀도층과 고밀도층 사이에 형성되는 중밀도층으로 구성되는 가스 배리어층을 갖는 투명 가스 배리어성 필름이 기재되어 있다.
이 투명 가스 배리어성 필름은, 이와 같은 특징을 가짐으로써, 밀착성이 우수하고, 또한 양호한 투명성, 가스 배리어 내성을 구비한 투명 가스 배리어성 필름을 얻을 수 있다.
또, 특허문헌 3 에는, 부 (負) 의 펄스상 고바이어스 전압을 기재에 인가하고, 플라즈마 중의 이온을 고에너지로 가속하여 기재에 이온을 끌어들여, 질화탄소막과 기재의 혼합층을 형성하고, 다음으로, 이 혼합층 상에 질화탄소막을 형성하는 것이 기재되어 있다.
이 질화탄소막의 제조 방법에 의하면, 혼합층에 의해 밀착성이 높은 질화탄소막을 얻을 수 있다고 하고 있다.
또, 특허문헌 4 에는, 기재와 배리어층 사이에 수지층이 형성된 배리어 필름이 기재되어 있다. 이 배리어 필름은, 기재와 배리어층 사이에 수지층을 가짐으로써, 기재와 배리어층의 밀착성이 향상되고, 또한, 배리어성도 향상된다고 하고 있다.
또, 특허문헌 5 에는, 기재와 가스 배리어층 사이에 응력 완화층이 형성된 가스 배리어성 필름이 기재되어 있다. 이 가스 배리어성 필름은, 응력 완화층을 가짐으로써, 유연성이 향상되어 절곡 내성이 높아지고, 추가로 층간의 접착성도 향상된다고 하고 있다.
일본 공개특허공보 2011-63851호 일본 공개특허공보 2011-136570호 일본 공개특허공보 평11-350140호 일본 공개특허공보 2003-305802호 일본 공개특허공보 2006-68992호
특허문헌 1 에 기재된 바와 같이, 질화실리콘을 주성분으로 하는 가스 배리어막에 있어서, 실리콘과 질소의 조성비나, 수소의 함유율, 푸리에 변환 적외 흡수 스펙트럼에 있어서의, Si-H 의 신축 진동에 의한 흡수의 피크 강도 등을 규정함으로써, 가스 배리어성뿐만 아니라, 내산화성, 투명성 및 가요성이 우수한 가스 배리어막을 얻을 수 있다.
그러나, 특허문헌 1 의 가스 배리어막의 범위 내에 있어서도, 질소의 비율이 증가하면 내구성이 악화되거나 유연성이 악화되고, 가스 배리어막이 균열되어 가스 배리어성이 저하된다는 문제가 있었다. 또, 가스 배리어막의 막 밀도가 지나치게 높거나, 막두께가 지나치게 두꺼운 경우에도 유연성이 악화된다는 문제가 있었다.
또, 특허문헌 2 의 투명 가스 배리어성 필름은, 동일한 원소를 함유하는 가스 배리어막에 있어서, 저밀도층, 중밀도층, 고밀도층을 가짐으로써, 각 층간의 밀착성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 가스 배리어막과 이 가스 배리어막의 하지층인 유기막의 밀착성을 향상시키고, 유연성이나 내구성을 향상시키는 것은 아니다.
또, 특허문헌 3 에는, 질화탄소막의 제조 방법에 있어서, 질화탄소막과 기재 사이에 질화탄소막과 기재의 혼합층을 형성하고, 이로써 질화탄소막의 밀착성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 각종 회전 기계의 베어링이나 슬라이드 등의 슬라이딩 부재, 공구 등, 내마모성이 요구되는 부재에, 질화탄소막을 성막하는 것이다. 그 때문에, 가스 배리어성이 요구되는 가스 배리어막과는 달리, 질화실리콘을 주성분으로 하는 막에 대한 기재는 없다. 또, 상기와 같이 강체에 성막하는 것이기 때문에, 막의 유연성에 대해서는 고려되어 있지 않다.
또, 특허문헌 4 에는, 기재와 배리어층 사이에 수지층을 형성하여 밀착성 및 배리어성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 유기물끼리 (기재와 수지층) 의 층간의 밀착성을 향상시키는 것은 비교적 용이하다. 그러나, 배리어층은 무기물로서 딱딱하고 반응성이 부족하기 때문에, 수지층과 배리어층의 층간의 밀착성을 향상시키는 것은 어렵다.
또, 특허문헌 5 에는, 기재와 가스 배리어층 사이에 응력 완화층을 형성하여 유연성 및 밀착성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 5 에 있어서, 가스 배리어층과 응력 완화층은, 각각 개별적으로 성막하여 형성하는 것이다. 그 때문에, 가스 배리어층과 응력 완화층 사이에는 명확한 계면이 있고, 충분한 밀착성을 갖고 있지 않다. 또, 기재를 조면화하여 돌기물에 의한 물리적인 앵커 효과로 기재와 가스 배리어층의 밀착성을 향상시키는 것이 기재되어 있다. 그러나, 앵커 효과 이상의 힘이 가해지면 배리어층의 박리가 발생한다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 상기 종래 기술의 문제점을 해결하는 것에 있고, 높은 가스 배리어성은 물론, 우수한 투명성을 가지며, 또한 내구성과 유연성도 우수한 가스 배리어 필름, 및 이 가스 배리어 필름의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 유기 재료로 이루어지는 표면을 갖는 기판과, 기판 상에 형성된 질화규소를 주성분으로 하는 무기막을 갖는 가스 배리어 필름으로서, 무기막은, 막 중의 질소와 규소의 조성비 N/Si 가 1.00 ∼ 1.35 이고, 막 밀도가 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 이고, 막두께가 10 ∼ 60 ㎚ 이고, 기판과 무기막의 계면에 형성된, 유기 재료와 무기막에서 유래하는 성분을 함유하는 혼합층의 두께가 5 ∼ 40 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 가스 배리어 필름을 제공한다.
추가로, 무기막 상에 형성되는 유기막과, 유기막 상에 형성되는 무기막을 갖는 것이 바람직하다.
또, 기판은, 유기막과 무기막을 교대로 형성하여 이루어지는 층을 갖는 것이 바람직하다.
또, 본 발명은, 상기 가스 배리어 필름의 제조 방법으로서, 유기 재료로 이루어지는 표면을 갖는 장척의 기판을 길이 방향으로 반송하면서, 반송되는 기판을 사이에 끼우도록 배치된 전극쌍을 갖는 성막 수단을 사용하여 용량 결합형 플라즈마 CVD 에 의해, 기판에 질화규소를 주성분으로 하는 무기막을 성막하는 가스 배리어 필름의 제조 방법으로서, 전극쌍의 일방의 전극에는, 10 ∼ 100 ㎒ 의 고주파의 플라즈마 여기 전력을 공급하고, 또한, 타방의 전극에는, 0.1 ∼ 1 ㎒ 의 낮은 주파수로, 플라즈마 여기 전력의 0.02 ∼ 0.5 배의 바이어스 전력을 공급하여 성막을 실시하는 가스 배리어 필름의 제조 방법을 제공한다.
여기서, 무기막을 성막하기 위한 원료 가스는, 실란 가스와 암모니아 가스를 함유하고, 실란 가스와 암모니아 가스의 가스의 유량비는, SiH4 : NH3 ＝ 1 : 1.2 ∼ 1 : 3.0 인 것이 바람직하다.
또, 무기막을 성막할 때의 성막 압력을 10 ∼ 80 ㎩ 로 하는 것이 바람직하다.
상기 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 가스 배리어성은 물론, 투명성도 우수하고, 또한, 높은 유연성과 내구성을 갖는 가스 배리어 필름, 및 이 가스 배리어 필름의 제조 방법을 얻을 수 있다.
도 1 은 본 발명의 가스 배리어 필름의 일례를 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 가스 배리어 필름의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 가스 배리어 필름의 제조 방법을 실시하는 성막 장치의 일례를 개념적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 가스 배리어 필름 및 이 가스 배리어 필름의 제조 방법에 대해, 첨부의 도면에 나타내는 적합예를 기초로, 상세하게 설명한다.
도 1 에, 본 발명의 가스 배리어 필름의 일례를 개념적으로 나타낸다.
도 1 에 나타내는 가스 배리어 필름 (80) 은, 모재인 기재 (Z0) 의 표면에 유기막 (82) 이 형성된 기판 (Z) 의 유기막 (82) 상에, 가스 배리어막인 무기막 (84) 을 갖고, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 계면에, 유기막 (82) 의 유기 재료와 무기막 (84) 의 재료가 혼재하는 상태의 유기 재료/무기 재료의 혼합층 (86) (이하, 편의적으로 혼합층 (86) 으로 한다) 이 형성된 것이다.
본 발명의 기능성 필름의 제조 방법에 있어서, 무기막 (84) 을 성막하는 기판 (Z) (피처리체) 은, 표면이 고분자 재료 (중합체/폴리머) 나 수지 재료 등의 각종의 유기 재료 (유기물) 로 이루어지는 것이다.
기판 (Z) 은, 표면이 유기 재료로 형성되고, 플라즈마 CVD 에 의한 무기막의 성막이 가능한 것이면, 각종의 것이 이용 가능하다. 구체적으로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 등의 고분자 재료로 이루어지는 기판 (Z) 이, 바람직한 일례로서 예시된다.
또, 본 발명에 있어서, 기판 (Z) 은, 장척의 필름 (웨브상의 필름) 이나 컷트 시트상의 필름 등의 필름상물 (시트상물) 이 바람직하다. 그러나, 이것에 한정되지는 않고, 렌즈나 광학 필터 등의 광학 소자, 유기 EL 이나 태양 전지 등의 광전 변환 소자, 액정 디스플레이나 전자 페이퍼 등의 디스플레이 패널 등, 표면이 유기 재료로 이루어지는 각종의 물품 (부재) 도, 기판 (Z) 으로서 이용 가능하다.
또한, 기판 (Z) 은, 플라스틱 필름 (고분자 필름), 유기 재료로 이루어지는 물품, 금속 필름이나 유리판, 각종의 금속제의 물품 등을 본체 (기재 (Z0)) 로 하고, 그 표면에, 보호층, 접착층, 광반사층, 차광층, 평탄화층, 완충층, 응력 완화층 등의, 각종의 기능을 얻기 위한 유기 재료로 이루어지는 유기막 (82) (막층) 이 형성되어 있는 것이어도 된다.
이 때에 있어서, 이들 기능층은, 1 층에 한정되지는 않고, 복수층의 기능층이 형성되어 있는 것을, 기판 (Z) 으로서 사용해도 된다.
도시예의 가스 배리어 필름 (80) 에 있어서는, 기재 (Z0) 의 표면에 유기막 (82) 을 성막한 것을 기판 (Z) 으로 하고, 그 위에 무기막 (84) 을 성막하고, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 계면에 혼합층 (86) 을 형성하고 있다.
본 발명에 있어서는, 무기막 (84) 의 하지층으로서, 유기막 (82) 을 가짐으로써, 기재 (Z0) 의 표면에 존재하는 요철을 매몰시켜, 무기막 (84) 의 성막면을 평탄하게 할 수 있다. 이로써, 무기막 (84), 즉 가스 배리어막이 갖는 우수한 특성을 충분히 발현시켜, 가스 배리어성뿐만 아니라, 투명성이나 내구성, 나아가서는, 유연성이 보다 양호한 가스 배리어 필름 (80) 을 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서, 유기막 (82) 의 형성 재료 (주성분) 에는, 특별히 한정은 없고, 공지된 유기물 (유기 화합물) 이 각종 이용 가능하고, 특히 각종 수지 (유기 고분자 화합물) 가 바람직하게 예시된다.
일례로서 에폭시 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리에스테르, 메타크릴산-말레산 공중합체, 폴리스티렌, 투명 불소 수지, 폴리이미드, 불소화폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 셀룰로오스아실레이트, 폴리우레탄, 폴리에테르케톤, 폴리카보네이트, 플루오렌 고리 변성 폴리카보네이트, 지환 변성 폴리카보네이트, 플루오렌 고리 변성 폴리에스테르 등이 예시된다.
유기막 (82) 의 성막 방법 (형성 방법) 에는, 특별히 한정은 없고, 공지된 유기물의 막의 성막 방법이, 모두 이용 가능하다.
일례로서 유기물이나 유기물 모노머, 나아가서는 중합 개시제 등을 용매에 용해 (분산) 시켜 조제한 도료를, 롤 코트, 그라비아 코트, 스프레이 코트 등의 공지된 도포 수단으로 기판 (Z) 에 도포하여 건조시키고, 필요에 따라, 가열, 자외선 조사, 전자선 조사 등에 의해 경화시키는 도포법이 예시된다. 또, 유기물 혹은 상기 도포법과 동일한 도료를 증발시켜, 그 증기를 기재 (Z0) 에 부착시키고, 냉각/응축하여 액체상의 막을 형성하고, 이 막을 자외선이나 전자선에 의해 경화시킴으로써 성막을 실시하는 플래시 증착법도 바람직하게 이용 가능하다. 또, 시트상으로 성형한 유기막 (82) 을 전사하는 전사법도 이용 가능하다.
본 발명에 있어서, 유기막 (82) 의 두께에는, 특별히 한정은 없고, 기판 (Z) 의 표면 성상이나 두께, 요구되는 가스 배리어성 등에 따라, 적절히 설정하면 된다. 또한, 유기막 (82) 의 두께는 0.1 ∼ 50 ㎛ 가 바람직하다.
유기막 (82) 의 두께를, 상기 범위로 함으로써, 기판 (Z) 의 표면에 존재하는 요철을 보다 확실하게 포매 (包埋) 하여 무기막 (84) 의 성막면을 바람직하게 평탄하게 할 수 있고, 밀착성, 유연성을 향상시킬 수 있으며, 높은 투명성을 유지할 수 있다는 등의 점에서 바람직한 결과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 유기막 (82) 은, 1 개의 유기물의 막으로 형성되는 것에 한정되지는 않고, 복수의 유기물의 막에 의해, 유기막 (82) 을 형성해도 된다.
예를 들어, 도포법으로 성막한 유기물의 막 상에, 플래시 증착으로 성막한 유기물의 막을 형성하고, 이 2 층의 유기막에 의해 유기막 (82) 을 형성해도 된다.
가스 배리어 필름 (80) 에 있어서, 유기막 (82) 상에는, 무기막 (84) 이 성막된다.
이 무기막 (84) 은, 가스 배리어막으로서, 질화실리콘 (질화규소) 을 주성분으로 하고, 또한, N/Si (질소/실리콘) 의 조성비 (원자비) 가 1 ∼ 1.35 이고, 막 밀도가 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 이고, 막두께가 10 ∼ 60 ㎚ 이다.
또, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 계면에는, 혼합층 (86) 이 형성되어 있고, 이 혼합층 (86) 의 두께가 5 ∼ 40 ㎚ 이다.
여기서, 혼합층 (86) 이란, 유기막 (82) 에서 유래하는 성분과, 무기막 (84) 에서 유래하는 성분을 함유하는 층이다. 따라서, 무기막 (84) 에서 유래하는 성분이 없어진 위치 (면) 가, 유기막 (82) 과 혼합층 (86) 의 경계이다. 또, 유기막 (82) 에서 유래하는 성분이 없어진 위치 (면) 가, 무기막 (84) 과 혼합층 (86) 의 경계이다.
가스 배리어 필름 (80) 은, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 사이에, 유기막 (82) 및 무기막 (84) 에서 유래하는 성분을 함유하는 혼합층 (86) 이 형성되고, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 명확한 계면이 없는 상태로 형성되어 있다.
본 발명은, 이와 같은 구성을 가짐으로써, 가스 배리어성뿐만 아니라, 투명성 (광투과성) 이 우수하고, 나아가서는, 내구성 및 유연성도 우수한 가스 배리어 필름을 실현한 것이다.
상기 서술한 바와 같이, 각종의 디스플레이나 반도체 장치, 포장 재료 등에 이용되는 가스 배리어막으로서, 질화실리콘을 주성분으로 하는 막이 이용되고 있다. 가스 배리어막에는, 용도에 따라서는 가스 배리어성뿐만 아니라, 높은 투명성이나 내구성, 유연성이 요구된다.
이와 같은 요구를 만족하는, 보다 우수한 특성을 갖는 가스 배리어막을 실현하기 위해서, 특허문헌 1 에서는 실리콘과 질소의 조성비뿐만 아니라, 수소의 함유율, 푸리에 변환 적외 흡수 스펙트럼에 있어서의, Si-H 의 신축 진동에 의한 흡수의 피크 강도 등을 규정하는 것이 제안되어 있다. 또, 특허문헌 2 에서는, 가스 배리어층을 저밀도층, 중밀도층, 고밀도층으로 구성하는 것이 제안되어 있다. 또, 특허문헌 4 에서는, 기재와 가스 배리어층 사이에 유기막을 형성하는 것이 제안되어 있다. 또, 특허문헌 5 에서는 기재와 가스 배리어층 사이에 응력 완화층을 형성하는 것이 제안되어 있다.
그러나, 상기 서술한 바와 같이, 특허문헌 1 의 가스 배리어막의 범위 내에 있어서도, 질소의 비율이 증가하면 내구성이 악화되거나, 유연성이 악화되어 가스 배리어막이 균열되어 가스 배리어성이 저하된다는 문제가 있었다. 또, 가스 배리어막의 막 밀도가 지나치게 높거나, 막두께가 지나치게 두꺼운 경우에도 유연성이 악화된다는 문제가 있었다.
또, 특허문헌 2 의 가스 배리어 필름은, 가스 배리어막과 가스 배리어막의 하지층인 유기막의 밀착성을 향상시키고, 유연성이나 내구성을 향상시키는 것은 아니었다.
또, 특허문헌 4 의 배리어 필름은, 유기막과 가스 배리어층의 밀착성이 충분하지 않고, 또, 특허문헌 5 의 배리어성 필름은, 응력 완화층과 가스 배리어층의 밀착성이 충분하지 않았다.
이에 반하여, 본 발명에 있어서는, 가스 배리어막인 무기막 (84) 의 조성비 N/Si, 막 밀도 및 막두께를 규정하고, 또한, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 계면의 혼합층에 주목하여, 혼합층 (86) 의 두께를 규정한다. 이로써, 본 발명은, 가스 배리어성, 투명성에 더하여, 추가로 유연성, 내구성도 우수한 가스 배리어 필름을 실현한 것이다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 가스 배리어 필름의 무기막 (84) 은, 질화실리콘을 주성분으로 하는 막으로서, N/Si 의 조성비가 1 ∼ 1.35 이다.
N/Si 의 조성비가 1 미만에서는, 무기막 (84) 이 착색되어 충분한 투명성을 갖는 무기막 (84) 을 얻을 수 없다는 등의 문제를 발생시킨다.
반대로, N/Si 의 조성비가 1.35 를 초과하면, 내구성, 유연성이 저하된다. 그 때문에, 충분한 가스 배리어성을 장기에 걸쳐 확보할 수 없거나, 무기막 (84) 이 균열되기 쉽다는 등의 문제를 발생시킨다.
상기 이점이 보다 바람직하게 얻어지는 등의 점에서, N/Si 의 조성비는 1.05 ∼ 1.25 가 바람직하다.
또, 무기막 (84) 의 막 밀도는 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 이다.
막 밀도를 2.1 g/㎤ 이상으로 함으로써, 보다 높은 내구성을 확보할 수 있고, 장기에 걸쳐 충분한 가스 배리어성을 확보할 수 있으며, 기판 (Z) 이나 하층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다는 등의 점에서 바람직한 결과를 얻는다. 또, 막 밀도가 높아지면, 유연성이 없어져 막이 균열되기 쉬워지는 경향이 있다. 그래서, 막 밀도를 2.4 g/㎤ 이하로 함으로써, 막 밀도가 높아 유연성이 저하되는 것에서 기인하는 균열을 바람직하게 방지할 수 있으며, 기판 (Z) 이나 하층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다는 등의 점에서 바람직한 결과를 얻는다.
상기 이점이 보다 바람직하게 얻어진다는 등의 점에서, 무기막 (84) 의 막 밀도는 2.2 ∼ 2.35 g/㎤ 로 하는 것이 보다 바람직하다.
또, 무기막 (84) 의 두께는 10 ∼ 60 ㎚ 이다.
무기막 (84) 의 두께를 10 ㎚ 이상으로 함으로써, 충분한 가스 배리어성을 안정적으로 확보할 수 있다. 또, 가스 배리어성은, 기본적으로 무기막 (84) 이 두꺼운 쪽이 바람직하지만, 60 ㎚ 를 초과하면 유연성이 저하되어 균열되기 쉬워진다. 그 때문에, 무기막 (84) 의 두께를 60 ㎚ 이하로 함으로써, 무기막 (84) 의 유연성을 확보하여 균열 등을 바람직하게 방지할 수 있다.
또, 상기 이점이 보다 바람직하게 얻어진다는 등의 점에서, 무기막 (84) 의 두께는, 보다 바람직하게는 15 ∼ 50 ㎚ 이다.
또한, 본 발명의 가스 배리어 필름에 있어서, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 계면에는 두께가 5 ∼ 40 ㎚ 인 혼합층 (86) 이 형성된다.
유기막 (82) 과 무기막 (84) 사이에, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 성분이 혼합된 층인 혼합층 (86) 이 형성됨으로써, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 사이에, 명확한 계면이 존재하지 않게 된다. 그 때문에, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 이 혼합층 (86) 을 개재하여 화학적으로 결합되고, 강력한 밀착력을 얻을 수 있다.
또, 유기 화합물로 이루어지는 유기막 (82) 과 질화실리콘을 주성분으로 하는 무기막 (84) 에서는 조성이 상이하기 때문에 밀착성이 낮고, 또, 밀도차가 있어 유연성에 차가 있다. 그 때문에, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 사이의 혼합층 (86) 의 두께가 5 ㎚ 보다 작으면 밀착성을 충분히 향상시킬 수 없다. 또, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 밀도차를 흡수하여, 유연성을 확보할 수 없다. 두께가 5 ㎚ 이상인 혼합층 (86) 을 형성함으로써, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 밀도차를 흡수하여, 유연성을 확보할 수 있다.
또, 혼합층 (86) 의 두께가 40 ㎚ 를 초과하면, 성막 레이트가 저하되어, 가스 배리어 필름의 생산 효율이 저하된다. 그 때문에, 40 ㎚ 이하로 함으로써, 생산 효율을 저하시키지 않고, 바람직한 가스 배리어 필름을 제조할 수 있다.
또, 상기 이점이 보다 바람직하게 얻어지는 등의 점에서, 혼합층 (86) 의 두께는, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 ㎚ 이다.
또한, 상기 서술한 바와 같이, 혼합층 (86) 은, 유기막 (82) 에서 유래하는 성분과 무기막 (84) 에서 유래하는 성분을 함유하는 층이다. 무기막 (84) 은, 질화실리콘을 주성분으로 하기 때문에, 무기막 (84) 에서 유래하는 성분은 실리콘 등이다. 또, 유기막 (82) 에서 유래하는 성분은 탄소 등이다.
따라서, 가스 배리어 필름 (80) 의 무기막 (84) 측의 표면으로부터 에칭하면서 XPS (X 선 광전자 분광 장치) 에 의해 원소 분석을 실시하고, 실리콘과 탄소의 유무를 관찰하는 방법에 의해, 무기막 (84) 및 혼합층 (86) 의 막두께를 구할 수 있다. 혹은, 가스 배리어 필름 (80) 을 두께 방향으로 단면을 취하고, 이 단면을 전자현미경으로 관찰하여 측정하는 방법에 의해, 무기막 (84) 및 혼합층 (86) 의 막두께를 구할 수 있다.
도 1 에 나타내는 본 발명의 가스 배리어 필름 (80) 은, 기재 (Z0) 상에, 1 층의 유기막 (82) 과, 1 층의 무기막 (84) 을 갖는 것인데, 본 발명은, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 도 2 에 개념적으로 나타내는 가스 배리어 필름 (90) 과 같이, 기재 (Z0) 상에 유기막 (82a) 이 형성된 기판 (Z) 상에 혼합층 (86a) 및 무기막 (84a) 을 성막하고, 그 위에 유기막 (82b) 을 성막하고, 그 위에 혼합층 (86b) 및 무기막 (84b) 을 성막하여 이루어지는 구성과 같이, 유기막 (82), 무기막 (84) 및 혼합층 (86) 과의 조합을 2 이상 적층하여 이루어지는 구성 등, 복수의 유기막 (82) 과 혼합층 (86) 및 무기막 (84) 을 교대로 적층해도 된다.
이와 같이, 복수의 유기막 (82) 과 혼합층 (86) 및 무기막 (84) 을 교대로 적층함으로써, 가스 배리어성 면에서 보다 바람직한 결과를 얻는다.
또, 본 발명에 있어서는, 유기막 (82) 및 무기막 (84) 의 양방이 복수인 것이 바람직하지만, 어느 일방만이 복수층이어도 되고, 양층을 복수층 갖는 경우에는, 유기막 (82) 과 무기막 (84) 의 수는, 동수가 아니어도 된다.
또한, 본 발명에 있어서는, 표면 보호 면에서 유기막 (82) 을 최상층으로 해도 되고, 특히, 유기막 (82) 을 복수층 갖는 경우에는, 유기막 (82) 을 최상층으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같은 다층의 유기막 (82) 및 무기막 (84) 을 갖는 구성으로 함으로써, 가스 배리어성, 내구성, 유연성, 기계적 강도, 장기에 걸친 가스 배리어성의 유지, 광 취출 효율 등이 보다 우수한 가스 배리어 필름을 얻을 수 있다.
여기서, 본 발명의 가스 배리어 필름에 있어서는, 복수의 무기막을 갖는 경우에는, 적어도 1 층이 하지인 유기막 (82) 과의 계면에 혼합층 (86) 을 형성하는 무기막 (84) 이면 된다. 즉, 무기막으로서, 질화실리콘을 주성분으로 하는 무기막 (84) 이외에, 산화실리콘막이나 산화알루미늄막을 가져도 된다.
그러나, 본 발명의 가스 배리어 필름에 있어서, 복수의 무기막을 갖는 경우에는, 모든 무기막이 각각 하지인 유기막 (82) 과의 계면에 혼합층 (86) 을 형성하는 무기막 (84) 인 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 가스 배리어 필름 (80) 의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3 에, 본 발명의 제조 방법을 실시하는 성막 장치의 일례를 개념적으로 나타낸다. 또한, 도 3 에 나타내는 성막 장치 (10) 는, 성막 조건이 상이할 뿐이며, 기본적으로 공지된 플라즈마 CVD 에 의한 롤·투·롤의 성막 장치이다.
도시예의 성막 장치 (10) 는, 장척의 기판 (Z) (필름 원반) 을 길이 방향으로 반송하면서, 이 기판 (Z) 의 표면에 플라즈마 CVD 에 의해, 목적으로 하는 기능을 발현하는 막을 성막 (제조/형성) 하여 기능성 필름을 제조하는 것이다.
또, 이 성막 장치 (10) 는, 장척의 기판 (Z) 을 롤상으로 권회하여 이루어지는 기판 롤 (32) 로부터 기판 (Z) 을 송출하고, 길이 방향으로 반송하면서 기능막을 성막하고, 기능막을 성막한 기판 (Z) (즉, 기능성 필름) 을 롤상으로 권취하는, 이른바 롤·투·롤 (Roll to Roll) 에 의한 성막을 실시하는 장치이다.
또, 기판 (Z) 은, 기재 (Z0) 상에 유기막 (82) 을 형성하여 이루어지는 것이다.
도 3 에 나타내는 성막 장치 (10) 는, 기판 (Z) 에, CCP (Capacitively Coupled Plasma, 용량 결합형 플라즈마) - CVD 에 의한 막을 성막할 수 있는 장치이다. 성막 장치 (10) 는, 진공 챔버 (12) 와, 이 진공 챔버 (12) 내에 형성되는, 권출실 (14) 과, 성막실 (18) 과, 드럼 (30) 을 갖고 구성된다.
성막 장치 (10) 에 있어서는, 장척의 기판 (Z) 은, 권출실 (14) 의 기판 롤 (32) 로부터 공급되고, 드럼 (30) 에 걸어 감겨진 상태에서 길이 방향으로 반송되면서, 성막실 (18) 에 있어서 성막되고, 이어서, 다시 권출실 (14) 에 있어서 권취축 (34) 에 권취된다 (롤상으로 권회된다).
드럼 (30) 은, 중심선을 중심으로 도면 중 반시계 방향으로 회전하는 원통상의 부재이다.
드럼 (30) 은, 후술하는 권출실 (14) 의 가이드 롤러 (40a) 에 의해 소정의 경로로 안내된 기판 (Z) 을, 둘레면의 소정 영역에 둘러걸어, 소정 위치로 유지하면서 길이 방향으로 반송하고, 성막실 (18) 내로 반송하여, 권출실 (14) 의 가이드 롤러 (40b) 로 보낸다.
여기서, 드럼 (30) 은, 후술하는 성막실 (18) 의 샤워 전극 (20) 의 대향 전극으로서도 작용 (즉, 드럼 (30) 과 샤워 전극 (20) 으로 전극쌍을 구성한다) 하는 것이다.
또, 드럼 (30) 에는, 바이어스 전원 (48) 이 접속되어 있다.
바이어스 전원 (48) 은, 드럼 (30) 에 바이어스 전력을 공급하는 전원이다.
바이어스 전원 (48) 은, 기본적으로 각종 플라즈마 CVD 장치에서 이용되고 있는, 공지된 바이어스 전원이다.
여기서, 본 발명의 가스 배리어 필름의 제조 방법에 있어서, 바이어스 전원 (48) 이 드럼 (30) 에 공급하는 바이어스 전력은, 플라즈마 여기 전력보다 낮은 주파수이고, 0.1 ∼ 1 ㎒ 이다. 또, 바이어스 전원 (48) 이 드럼 (30) 에 공급하는 바이어스 전력은, 후술하는 고주파 전원 (60) 이 샤워 전극 (20) 에 공급하는 플라즈마 여기 전력에 대해, 0.02 ∼ 0.5 배의 전력이다.
이 점에 관해서는, 이후에 상세히 서술한다.
권출실 (14) 은, 진공 챔버 (12) 의 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 으로부터 드럼 (30) 의 둘레면의 근방까지 연장되는 격벽 (36a 및 36b) 에 의해 구성된다.
여기서, 격벽 (36a 및 36b) 의 선단 (진공 챔버 (12) 의 내벽면과 역단) 은, 반송되는 기판 (Z) 에 접촉되지 않는 가능한 위치까지, 드럼 (30) 의 둘레면에 근접하고, 권출실 (14) 과 성막실 (18) 을 거의 기밀하게 분리한다.
이와 같은 권출실 (14) 은, 상기 서술한 권취축 (34) 과, 가이드 롤러 (40a 및 40b) 와, 회전축 (42) 과, 진공 배기 수단 (46) 을 갖는다.
가이드 롤러 (40a 및 40b) 는, 기판 (Z) 을 소정의 반송 경로로 안내하는 통상적인 가이드 롤러이다. 또, 권취축 (34) 은, 성막이 완료된 기판 (Z) 을 권취하는, 공지된 장척물의 권취축이다.
도시예에 있어서, 장척의 기판 (Z) 을 롤상으로 권회하여 이루어지는 것인 기판 롤 (32) 은, 회전축 (42) 에 장착된다. 또, 기판 롤 (32) 이 회전축 (42) 에 장착되면, 기판 (Z) 은, 가이드 롤러 (40a), 드럼 (30), 및 가이드 롤러 (40b) 를 거쳐, 권취축 (34) 에 이르는, 소정의 경로를 통하게 된다 (삽입 통과된다).
성막 장치 (10) 에 있어서는, 기판 롤 (32) 로부터의 기판 (Z) 의 송출과, 권취축 (34) 에 있어서의 성막이 완료된 기판 (Z) 의 권취를 동기하여 실시하고, 장척의 기판 (Z) 을 소정의 반송 경로로 길이 방향으로 반송하면서, 성막실 (18) 에 있어서의 성막을 실시한다.
진공 배기 수단 (46) 은, 권출실 (14) 내를 소정의 진공도로 감압하기 위한 진공 펌프이다. 진공 배기 수단 (46) 은, 권출실 (14) 내를 성막실 (18) 의 압력 (성막 압력) 에 영향을 주지 않는 압력 (진공도) 으로 한다.
기판 (Z) 의 반송 방향에 있어서, 권출실 (14) 의 하류에는, 성막실 (18) 이 배치된다.
성막실 (18) 은, 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 으로부터 드럼 (30) 의 둘레면의 근방까지 연장되는 격벽 (36a 및 36b) 에 의해 구성된다.
성막 장치 (10) 에 있어서, 성막실 (18) 은, CCP (Capacitively Coupled Plasma, 용량 결합형 플라즈마) - CVD 에 의해, 기판 (Z) 의 표면에 성막을 실시하는 것으로서, 샤워 전극 (20) 과, 원료 가스 공급 수단 (58) 과, 고주파 전원 (60) 과, 진공 배기 수단 (62) 을 갖는다.
샤워 전극 (20) 은, 성막 장치 (10) 에 있어서, CCP-CVD 에 의한 성막시에, 드럼 (30) 과 함께 전극쌍을 구성하는 것이다. 도시예에 있어서, 샤워 전극 (20) 은, 일례로서 중공의 대략 직방체상이고, 1 개의 최대면인 방전면을 드럼 (30) 의 둘레면에 대면하여 배치된다. 또, 드럼 (30) 과의 대향면인 방전면에는, 다수의 관통공이 전면적으로 형성된다. 샤워 전극 (20) 은, 그 방전면과, 전극쌍을 형성하는 드럼 (30) 의 둘레면 사이에서, 성막을 위한 플라즈마를 생성하고, 성막 영역을 형성한다.
원료 가스 공급 수단 (58) 은, 플라즈마 CVD 장치 등의 진공 성막 장치에 사용되는 공지된 가스 공급 수단으로서, 샤워 전극 (20) 의 내부에, 원료 가스를 공급한다.
상기 서술한 바와 같이, 샤워 전극 (20) 의 드럼 (30) 과의 대향면에는, 다수의 관통공이 공급되어 있다. 따라서, 샤워 전극 (20) 에 공급된 원료 가스는, 이 관통공으로부터 샤워 전극 (20) 과 드럼 (30) 사이에 도입된다.
고주파 전원 (60) 은, 샤워 전극 (20) 에 플라즈마 여기 전력을 공급하는 전원이다. 고주파 전원 (60) 도, 각종의 플라즈마 CVD 장치에서 이용되고 있는, 공지된 고주파 전원이 모두 이용 가능하다.
또한, 진공 배기 수단 (62) 은, 플라즈마 CVD 에 의한 가스 배리어막의 성막을 위하여, 성막실 (18) 내를 배기하여, 소정의 성막 압력으로 유지하는 것이다. 진공 배기 수단 (62) 은, 진공 성막 장치에 이용되고 있는, 공지된 진공 배기 수단이다.
여기서, 본 발명의 가스 배리어 필름의 제조 방법에 있어서는, 고주파 전원 (60) 이, 전극쌍의 일방인 샤워 전극 (20) 에 대해, 10 ∼ 100 ㎒ 의 고주파의 플라즈마 여기 전력을 공급하고, 바이어스 전원 (48) 이 샤워 전극 (20) 과 전극쌍을 구성하는 드럼 (30) 에 대해, 0.1 ∼ 1 ㎒ 의 낮은 주파수로, 플라즈마 여기 전력의 0.02 ∼ 0.5 배의 바이어스 전력을 공급하여 성막을 실시하는 것이다.
CCP-CVD 에 의해, 기판 (Z) 상에 질화실리콘을 주성분으로 하는 무기막을 성막할 때에, 샤워 전극 (20) 과 전극쌍을 구성하는 드럼 (30) 에 대해, 0.1 ∼ 1 ㎒ 의 낮은 주파수로, 플라즈마 여기 전력의 0.02 ∼ 0.5 배의 바이어스 전력을 공급 하면, 플라즈마 여기 전력에 의해 이온화된 원료 가스가 기판 (Z) 측으로 끌어당겨져, 유기막 (82) 내로 끌여들여진다. 그 때문에, 어느 정도의 두께가 있는, 즉 5 ∼ 40 ㎚ 의 두께의 혼합층 (86) 을 형성할 수 있다.
바이어스 전력이, 플라즈마 여기 전력의 0.02 배 이하인 경우에는, 충분한 두께의 혼합층을 형성할 수 없어, 유연성이 저하될 우려가 있다. 또, 무기막의 막 밀도가 낮아져 충분한 가스 배리어성을 얻을 수 없을 우려가 있다.
또, 바이어스 전력이, 플라즈마 여기 전력의 0.5 배 이상인 경우에는, 무기막의 막 밀도가 지나치게 높아져 유연성이 저하할 우려가 있다. 또, 형성되는 혼합층의 두께가 지나치게 두꺼워져, 충분한 두께의 무기막이 성막될 때까지 보다 긴 시간이 필요해지므로, 성막 레이트가 저하될 우려가 있다.
따라서, 바이어스 전력은, 플라즈마 여기 전력의 0.02 ∼ 0.5 배로 하는 것이 바람직하다.
또, 원료 가스 공급 수단 (58) 이 공급하는 원료 가스는, 반응 가스로서, 적어도 실란 가스와, 암모니아 가스를 함유하는 가스로서, 실란 가스와 암모니아 가스의 유량비가, SiH4 : NH3 ＝ 1 : 1.2 ∼ 1 : 3.0 을 만족하는 것인 것이 바람직하다.
실란 가스와 암모니아 가스의 유량비를 상기 범위로 함으로써, 성막되는 무기막 (84) 의 막 중의 N/Si 의 조성비를 1 ∼ 1.35 로 하고, 막 밀도를 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 로 할 수 있다.
실란 가스에 대한 암모니아 가스의 유량이 지나치게 많으면, 무기막의 막 중의 N/Si 의 조성비가 높아지고, 또, 막 밀도가 지나치게 높아진다. 그 때문에, 내구성, 유연성이 저하될 우려가 있다. 한편, 실란 가스에 대한 암모니아 가스의 유량이 지나치게 적으면, N/Si 의 조성비가 지나치게 낮아진다. 그 때문에, 가시광의 투과율이 저하될 우려가 있다.
따라서, 실란 가스와 암모니아 가스의 유량비를, SiH4 : NH3 ＝ 1 : 1.2 ∼ 1 : 3.0 으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 원료 가스는, 필요에 따라, 반응 가스에 더하여 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스, 크립톤 가스, 크세논 가스, 라돈 가스 등의 불활성 가스 등의 각종의 가스, 수소 가스 등을 병용해도 된다.
또, 성막실 (18) 내의 성막 압력은, 10 ∼ 80 ㎩ 로 하는 것이 바람직하다. 성막 압력이 10 ㎩ 미만인 경우에는, 성막 레이트를 높게 하는 것이 곤란하다. 또, 성막 압력이 80 ㎩ 를 초과하는 경우에는, 기 중에서 원료 가스의 반응이 진행되어, 미소 분말이 발생할 우려가 있다. 그 때문에, 기판 (Z) 에 성막되는 막의 막질이 저하된다.
또, 본 실시예에 있어서는, 바람직한 양태로서, 장척의 기판을 기판의 길이 방향으로 반송하면서, 드럼에 걸어감아 성막을 실시하는, 이른바, 롤·투·롤 (Roll to Roll) 의 구성으로 했지만, 본 발명은 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 롤·투·롤의 장치로서, 성막실에, 대면하여 배치되는 판상의 전극쌍을 형성하고, 이 전극쌍 사이에, 장척의 기판을 길이 방향으로 반송하고, 기판과 전극 사이에 원료 가스를 공급하여 플라즈마 CVD 에 의한 성막을 실시하는 구성으로 해도 된다.
이상, 본 발명의 가스 배리어 필름 및 가스 배리어 필름의 제조 방법에 대해 상세하게 설명했는데, 본 발명은, 상기의 예에 한정되지는 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 각종의 개량이나 변경을 실시해도 되는 것은 물론이다.
실시예
[실시예 1]
CCP-CVD 법에 의한 성막을 실시하는 성막 장치 (10) 를 사용하여, 본 발명의 제조 방법에 의해, 기판 (Z) 에 질화실리콘막인 무기막 (84) (가스 배리어막) 을 형성하였다.
기판 (Z) 은, 두께 100 ㎛ 의 PET 필름 (토요 방적사 제조 A4300) 의 표면에 아크릴레이트를 주성분으로 하는 유기막 (82) 을 형성한 기판을 사용하였다. 기판 (Z) 의 가시광 투과율은 91 ％ 였다.
또, 원료 가스로서 실란 가스 (SiH4), 암모니아 가스 (NH3), 및 수소 가스 (H2) 를 사용하였다. 실란 가스의 유량은 100 sccm, 암모니아 가스의 유량은 200 sccm, 수소 가스의 유량은 1000 sccm 로 하였다. 즉, 실란 가스와 암모니아 가스의 유량비는 1 : 2 로 하였다.
또한, 고주파 전원 (60) 으로서, 주파수 13.56 ㎒ 의 고주파 전원을 사용하여, 샤워 전극 (20) 에 2 ㎾ 의 전력을 공급하였다.
또, 바이어스 전원 (48) 으로서, 주파수 0.4 ㎒ 의 고주파 전원을 사용하여, 드럼 (30) 에 0.2 ㎾ (플라즈마 여기 전력의 0.1 배) 의 전력을 공급하였다.
또한, 진공 챔버 내의 압력이 50 ㎩ 이 되도록, 진공 챔버 내의 배기를 조정하였다.
또, 기판 (Z) 의 반송 속도는, 1.0 m/min 으로 하였다.
이와 같은 조건 하, 성막 장치 (10) 에 있어서, 기판 (Z) 에 기능막의 성막을 10 m 실시하였다. 그 후, 얻어진 가스 배리어 필름 (80) 에 대해, 무기막 (84) 의 두께를, 단차계 (알박사 제조 dektak) 를 사용하여 측정하였다. 무기막 (84) 의 두께는 41.5 ㎚ 였다. 또, 무기막 (84) 의 막 밀도를 박막 X 선 회절 장치 (리가쿠사 제조 ATX-E) 를 사용하고, XRR (X 선 반사율법) 에 의해 측정하였다. 막 밀도는 2.23 g/㎤ 였다. 또, 무기막 (84) 의 막 중의 질소와 실리콘의 분포량을, X 선 광전자 분광 장치 (시마즈 제작소사 제조 ESCA-3400) 를 사용하여, XPS (X 선 광전자 분광) 에 의해 측정하였다. 막의 조성비 N/Si 는 1.15 였다.
또, 혼합층 (86) 의 두께를, 가스 배리어 필름 (80) 의 무기막 (84) 측의 표면으로부터 에칭하면서, X 선 광전자 분광 장치 (시마즈 제작소사 제조 ESCA-3400) 를 사용하여, XPS (X 선 광전자 분광) 에 의해 원소 분석을 실시하고, 실리콘과 탄소의 유무를 관찰하는 방법에 의해 구하였다. 그 결과, 혼합층 (86) 의 두께는 15 ㎚ 였다.
또, 가스 배리어 필름 (80) 의 가시광 투과율을, 분광 광도계 (히타치 하이테크사 제조 U-4000) 를 사용하여, 파장 400 ∼ 800 ㎚ 에서의 평균 투과율 (기판을 포함한다) 을 측정하였다. 가시광 투과율은 87.1 ％ 였다.
또, 가스 배리어 필름 (80) 의 제작 직후 (0 hr), 85 ℃ 에서 상대 습도 85 ％ 의 환경 하에 1000 시간 방치한 후 (1000 hr), 및 Φ6 ㎜ 의 원주상의 봉에 감고, 이어서 펴는 행위를 100 회 실시한 후 (굽힘) 의 각각의 조건에 있어서, 칼슘 부식법 (일본 공개특허공보 2005-283561호에 기재된 방법) 에 의해, 수증기 투과율 [g/(㎡·day)] 을 측정하였다. 그 결과, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 2.5 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 3.1 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 2.8 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이었다.
[실시예 2]
드럼 (30) 에 공급되는 바이어스 전력을 0.4 ㎾ (플라즈마 여기 전력의 0.2 배) 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름 (80) 의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막 (84) 의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층 (86) 의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막 (84) 의 막두께는 42.3 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.31 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.20 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 21 ㎚ 였다. 따라서, 본 발명의 범위를 만족하는 것이었다.
또, 이 가스 배리어 필름 (80) 에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 가시광 투과율은 87.5 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 1.9 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 2.2 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 2.4 × 10-5 [g/(㎡·day)] 였다.
[실시예 3]
실시예 1 과 마찬가지로 하여 제작한 가스 배리어 필름 (80) 의 표면에 아크릴레이트를 주성분으로 하는 유기막 (82b) 을 형성하여, 이것을 기판으로 하고, 다시 실시예 1 과 마찬가지로 하여 무기막 (84b) 을 형성하고, 도 2 에 나타내는 바와 같이 유기막 (82) 과 무기막 (84) 이 적층된 가스 배리어 필름 (90) 을 제작하였다. 그 후, 무기막 (84a, 84b) 의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층 (86a, 86b) 의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막 (84a) 의 막두께는 40.6 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.24 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.16 이고, 무기막 (84b) 의 막두께는 38.9 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.21 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.12 이고, 혼합층 (86a) 의 막두께는 14 ㎚ 이고, 혼합층 (86b) 의 막두께는 17 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하는 것이었다.
또, 이 가스 배리어 필름 (90) 에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 86.6 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 1.0 × 10-5 이하 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 1.0 × 10-5 이하 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 1.0 × 10-5 이하 [g/(㎡·day)] 였다.
[비교예 1]
드럼 (30) 에 바이어스 전력을 공급하지 않는 (0 ㎾) 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막의 막두께는 40.1 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.02 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.05 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 3 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하지 못하는 것이었다.
이 가스 배리어 필름에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 85.5 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 4.7 × 10-4 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 8.0 × 10-3 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 3.6 × 10-3 [g/(㎡·day)] 였다.
[비교예 2]
암모니아 가스의 유량을 320 sccm 로 하고, 실란 가스와 암모니아 가스의 유량비를 1 : 3.2 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막의 막두께는 38.6 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.27 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.37 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 17 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하지 못하는 것이었다.
이 가스 배리어 필름에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 89.2 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 4.8 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 1.5 × 10-4 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 2.3 × 10-3 [g/(㎡·day)] 였다.
[비교예 3]
암모니아 가스의 유량을 100 sccm 로 하고, 실란 가스와 암모니아 가스의 유량비를 1 : 1 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층의 막두께를 측정하였다. 그 후, 무기막의 막두께는 39.5 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.18 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 0.97 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 12 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하지 못하는 것이었다.
이 가스 배리어 필름에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 83.8 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 3.9 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 4.6 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 4.4 × 10-5 [g/(㎡·day)] 였다.
[비교예 4]
반송 속도를 0.7 m/min 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막의 막두께는 68.7 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.25 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.14 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 17 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하지 못하는 것이었다.
이 가스 배리어 필름에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 86.0 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 1.6 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 2.0 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 4.7 × 10-3 [g/(㎡·day)] 였다.
[비교예 5]
드럼에 공급되는 바이어스 전력을 1.1 ㎾ (플라즈마 여기 전력의 0.55 배) 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 마찬가지로 하여, 가스 배리어 필름의 제작을 실시하였다. 그 후, 무기막의 막두께, 막 밀도, 조성비, 및 혼합층의 막두께를 측정하였다. 그 결과, 무기막의 막두께는 32.1 ㎚ 이고, 막 밀도는 2.44 g/㎤ 이고, 조성비 N/Si 가 1.27 이고, 혼합층 (86) 의 막두께는 43 ㎚ 였다. 즉, 본 발명의 범위를 만족하지 못하는 것이었다.
이 가스 배리어 필름에 대해, 가시광 투과율 및 수증기 투과율을 측정하였다. 그 결과, 가시광 투과율은 88.1 ％ 였다. 또, 수증기 투과율은, 제작 직후에는 2.3 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 1000 시간 방치 후에는 3.5 × 10-5 [g/(㎡·day)] 이고, 굽힌 후에는 7.1 × 10-4 [g/(㎡·day)] 였다.
측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
표 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시예인 실시예 1 ∼ 3 은, 우수한 가스 배리어성과 높은 광투과성을 갖는 것을 알 수 있다. 또, 1000 시간 방치 후에 있어서도 가스 배리어성이 저하되지 않는 점에서 높은 내구성을 갖는 것을 알 수 있다. 또한, 반복 굽힘을 실시한 후에도 가스 배리어성이 저하되지 않는 점에서 높은 유연성을 갖는 것을 알 수 있다.
이에 반하여, 비교예 1 로부터, 막 밀도가 낮으면 가스 배리어성이 악화되는 것을 알 수 있다. 또, 혼합층의 두께가 얇으면 유연성이 없어져, 반복 굽힘의 후의 가스 배리어성이 악화되는 것을 알 수 있다. 또, 성막시의 바이어스 전력이 낮으면 혼합층을 충분한 두께로 형성할 수 없는 것을 알 수 있다.
또, 비교예 2 는, 1000 시간 후 및 반복 굽힘 후의 가스 배리어성이 저하되었다. 비교예 2 로부터 조성비 N/Si 가 높으면, 시간 경과에 의해 배리어막이 산화되어 저밀도화되기 때문에 내구성이 낮아지는 것을 알 수 있다. 또, 유연성이 저하되는 것을 알 수 있다. 또, 성막시의 실란 가스에 대한 암모니아 가스의 유량비가 높아지면, 조성비 N/Si 가 지나치게 높아지는 것을 알 수 있다.
또, 비교예 3 으로부터, 조성비 N/Si 가 낮으면 투과율이 저하되는 것을 알 수 있다. 또, 성막시의 실란 가스에 대한 암모니아 가스의 유량비가 낮아지면, 조성비 N/Si 가 지나치게 낮아지는 것을 알 수 있다.
또, 비교예 4 로부터, 무기막의 막두께가 두꺼워지면, 유연성이 저하되어, 반복 굽힘 후의 가스 배리어성이 저하되는 것을 알 수 있다.
또, 비교예 5 로부터, 무기막의 막 밀도가 높아지면, 유연성이 저하되어, 반복 굽힘 후의 가스 배리어성이 저하되는 것을 알 수 있다. 또, 바이어스 전력의 비율을 높게 하면 무기막의 막 밀도가 높아지는 것을 알 수 있다.
이상의 결과로부터 본 발명의 효과는 분명하다.
10 : 성막 장치
12 : 진공 챔버
12a : 내벽면
14 : 권출실
18 : 성막실
20 : 샤워 전극
30 : 드럼
32 : 기판 롤
34 : 권취축
36a, 36b : 격벽
40a, 40b : 가이드 롤러
42 : 회전축
46, 62 : 진공 배기 수단
48 : 바이어스 전원
58 : 원료 가스 공급 수단
60 : 고주파 전원
80, 90 : 가스 배리어 필름
82 : 유기막
84 : 무기막
86 : 혼합층
Z : 기판
Z0 : 기재

Claims (6)

  1. 유기 재료로 이루어지는 표면을 갖는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 질화규소를 주성분으로 하는 무기막을 갖는 가스 배리어 필름으로서,
    상기 무기막은, 막 중의 질소와 규소의 조성비 N/Si 가 1.00 ∼ 1.35 이고, 막 밀도가 2.1 ∼ 2.4 g/㎤ 이고, 막두께가 10 ∼ 60 ㎚ 이고,
    상기 기판과 상기 무기막의 계면에 형성된, 상기 유기 재료와 상기 무기막에서 유래하는 성분을 함유하는 혼합층의 두께가 5 ∼ 40 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 가스 배리어 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    추가로, 상기 무기막 상에 형성되는 유기막과, 상기 유기막 상에 형성되는 무기막을 갖는, 가스 배리어 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판은, 유기막과 무기막을 교대로 형성하여 이루어지는 층을 갖는, 가스 배리어 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 가스 배리어 필름의 제조 방법으로서,
    유기 재료로 이루어지는 표면을 갖는 장척의 기판을 길이 방향으로 반송하면서, 반송되는 상기 기판을 사이에 끼우도록 배치된 전극쌍을 갖는 성막 수단을 사용하여 용량 결합형 플라즈마 CVD 에 의해, 상기 기판에 질화규소를 주성분으로 하는 무기막을 성막하는 것이고,
    상기 전극쌍의 일방의 전극에는, 10 ∼ 100 ㎒ 의 고주파의 플라즈마 여기 전력을 공급하고, 또한, 타방의 전극에는, 상기 플라즈마 여기 전력보다 낮은 0.1 ∼ 1 ㎒ 의 주파수로, 상기 플라즈마 여기 전력의 0.02 ∼ 0.5 배의 바이어스 전력을 공급하여 성막을 실시하는, 가스 배리어 필름의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 무기막을 성막하기 위한 원료 가스는, 실란 가스와 암모니아 가스를 함유하고, 실란 가스와 암모니아 가스의 가스의 유량비는, SiH4 : NH3 ＝ 1 : 1.2 ∼ 1 : 3.0 인, 가스 배리어 필름의 제조 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 무기막을 성막할 때의 성막 압력을 10 ∼ 80 ㎩ 로 하는, 가스 배리어 필름의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160080722A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 코오롱글로텍주식회사 고유연성 배리어 섬유기판 및 그의 제조방법
KR20190127086A (ko) * 2018-05-03 2019-11-13 한국화학연구원 기체 차단용 필름 및 이의 제조방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102058902B1 (ko) 2012-03-27 2019-12-26 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 적층 필름, 유기 전계 발광 장치, 광전 변환 장치 및 액정 디스플레이
KR101676522B1 (ko) * 2013-11-29 2016-11-15 제일모직주식회사 가스 배리어 필름 및 그 제조방법
CN104846350A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种有机无机杂化的高阻隔膜及其制备方法
JP6019054B2 (ja) 2014-03-24 2016-11-02 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
JP6042840B2 (ja) * 2014-03-27 2016-12-14 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
JP6414707B2 (ja) * 2016-03-29 2018-10-31 大陽日酸株式会社 ガスバリア性樹脂基材の製造方法
CN111065514B (zh) * 2017-09-27 2022-01-25 富士胶片株式会社 阻气膜
DE102018116756A1 (de) * 2018-07-11 2020-01-16 Hanwha Q Cells Gmbh Haltevorrichtung, Verfahren zur Beschichtung einer Haltevorrichtung und Verwendung der Haltevorrichtung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1968807A (zh) * 2004-04-15 2007-05-23 帝人株式会社 透明阻气性积层薄膜
JP2005342975A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Toppan Printing Co Ltd 透明バリアフィルム
JP2006056007A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層フィルムおよびそれを使用した積層材
EP1927465B1 (en) * 2005-09-20 2015-11-18 Mitsubishi Plastics, Inc. Laminated film having gas barrier characteristics
JP2009006568A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Ulvac Japan Ltd 樹脂基板
JP5069598B2 (ja) * 2008-03-27 2012-11-07 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法
JP5139894B2 (ja) * 2008-06-20 2013-02-06 富士フイルム株式会社 ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜
JP5156552B2 (ja) * 2008-09-08 2013-03-06 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法
JP5486249B2 (ja) * 2009-09-11 2014-05-07 富士フイルム株式会社 成膜方法
JP5394867B2 (ja) * 2009-09-17 2014-01-22 富士フイルム株式会社 ガスバリア膜およびガスバリアフィルム
JP5570170B2 (ja) * 2009-09-29 2014-08-13 富士フイルム株式会社 ガスバリアユニット、太陽電池モジュール用のバックシート、および太陽電池モジュール
JP2011111628A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Fujifilm Corp 成膜方法
JP5664341B2 (ja) * 2010-03-02 2015-02-04 東レ株式会社 ガスバリア性フィルム
JP5463167B2 (ja) * 2010-03-04 2014-04-09 富士フイルム株式会社 成膜方法および成膜装置
US9359505B2 (en) * 2010-07-27 2016-06-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Gas barrier film, process for production of gas barrier film, and electronic device
JP2012193449A (ja) * 2011-03-01 2012-10-11 Toppan Printing Co Ltd ガスバリア性フィルムおよびその製造方法ならびにその製造装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160080722A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 코오롱글로텍주식회사 고유연성 배리어 섬유기판 및 그의 제조방법
KR20190127086A (ko) * 2018-05-03 2019-11-13 한국화학연구원 기체 차단용 필름 및 이의 제조방법

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