KR20140120270A - 콜로이달 실리카 연마재 및 이를 이용한 합성 석영 유리 기판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진구형 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카 지립을 포함하는 콜로이드 용액을 함유하는 콜로이달 실리카 연마재를 제공한다.
본 발명에 따르면, 종래의 콜로이달 실리카를 이용한 연마보다도 빠른 연마율이 얻어지며, 기판 표면의 미소 결함을 억제하여, 높은 평활성을 얻을 수 있다. 또한, 랩면으로부터 연마할 때의 산화세륨 대체 연마재로서도 이용할 수 있어, 최근 희토류 원소 문제를 해결하는 데에 일조할 수 있다.

Description

콜로이달 실리카 연마재 및 이를 이용한 합성 석영 유리 기판의 제조 방법 {COLLOIDAL SILICA POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SYNTHETIC QUARTZ GLASS SUBSTRATES USING THE SAME}
본 발명은 콜로이달 실리카 연마재에 관한 것이고, 더욱 상술하면, 포토마스크, 나노임프린트, 액정 컬러 필터용 등, 최첨단 기술에 이용되는 합성 석영 유리 기판을 연마하기 위해서 사용되는 콜로이달 실리카 연마재 및 이를 이용한 합성 석영 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
포토마스크, 액정 기판 등에 사용되는 합성 석영 유리 기판을 연마할 때, 연마재로서 산화세륨, 콜로이달 실리카와 같은 연마재가 종종 이용되고 있다.
포토마스크나 액정용에 사용되는 합성 석영 유리 기판은 고평탄도, 고평활성 및 저결함성이 요구되기 때문에, 그의 표면 조정에 랩핑 공정, 폴리싱 공정 등 몇 단계의 공정을 거쳐 제품이 제조된다.
랩핑 공정에서는, 잉곳으로부터 슬라이스했을 때의 가공 변형을 제거하고, 폴리싱 공정에서는, 기판을 경면화하여 표면의 평탄도를 높여 형상의 조정을 행하고, 최종적으로 파이널 폴리싱 공정에서, 입경이 작은 콜로이달 실리카 연마재를 이용하여 기판 표면을 평활하게 하여 미소 결함을 제거한 기판을 제조한다.
기판을 경면화하는 공정에서, 산화세륨 연마재의 사용이 일반적이며 효과적이라는 것이 알려져 있다.
그러나, 최근 희토류 원소(rare earth)의 가격이 상승하는 상황이 발생하여, 산화세륨 연마재의 사용량을 줄이기 위해, 대체 연마재 또는 회수 기술의 개발을 목표로 연구가 많이 진행되고 있다.
예를 들면, 일본 특허 공개 제2009-007543호 공보(특허문헌 1)에서는, 산화세륨에 산화지르코늄을 혼합한 복합 산화물 입자를 연마재로서 사용하여, 유리 기판을 연마하는 방법이 제안되어 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2008-270584호 공보(특허문헌 2)에서는, 비(非)구상인 이형의 콜로이달 실리카 입자를 이용함으로써, 통상의 콜로이달 실리카를 이용한 경우보다도 우수한 연마율로 반도체 웨이퍼를 연마하는 방법이 나타나 있다.
일본 특허 공개 제2009-007543호 공보 일본 특허 공개 제2008-270584호 공보
그러나, 특허문헌 1은 산화세륨을 완전히 사용하지 않은 방법은 아니기 때문에, 특허문헌 1의 연마재는 완전한 산화세륨 대체 연마재라 하기 어렵다. 또한, 산화지르코늄을 혼합함으로써, 산화세륨 지립과 산화지르코늄 지립 표면의 제타 전위의 변화를 초래하고, 연마재의 분산성의 악화, 또한 연마 후 기판 표면 상에의 잔사가 많아지는 것이 염려된다.
또한, 특허문헌 2에서는, 유리 기판에서 유래된 SiO2가 콜로이달 실리카 입자와 결합하기 때문에, 콜로이달 실리카의 형상은 구형에 가까워, 연마율의 저하를 초래한다. 또한, 콜로이달 실리카의 형상이 이형이기 때문에, 기판 표면에 대한 스크래치는 억제할 수 있다고 해도, 포토마스크 기판의 치명적 결함이 될 수 있는 미소 결함이 발생하기 쉽다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 합성 석영 유리 기판의 연마 공정에서 우수한 연마율을 나타내며, 기판 표면에서의 스크래치, 미소 결함을 억제할 수 있는 콜로이달 실리카 연마재 및 이를 이용한 합성 석영 유리 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해, 합성 석영 유리 기판을 연마할 때에 이용되는 콜로이달 실리카 지립에 주목하고 예의 검토하였다. 그 결과, 특히 진구형(眞球型)과 회합형의 서로 다른 평균 일차 입경 및 회합도를 갖는 콜로이달 실리카 지립을 혼합하고, 특히 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경보다도 큰 것을 이용하여 연마를 행함으로써, 연마시에 원심력으로 기판으로부터 제거되는 진구형 콜로이달 실리카 지립이 회합형 콜로이달 실리카 지립보다도 적어져, 기판 표면의 미소 결함을 억제하고, 높은 평활성이 얻어지는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명의 연마재를 사용함으로써, 모든 크기 또는 종류의 기판에 대해서도 연마율의 향상이 가능하다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
여기서 본 발명에서 진구형 콜로이달 실리카란, 실리카 입자의 형상이 평균 진구도 1.0 내지 1.1의 진구상이며, 바람직하게는 평균 일차 입경(D1A)이 20 내지 120nm, 회합도(n1)가 1.5 이하인 콜로이드상으로 분산된 콜로이달 실리카를 말한다. 여기서 평균 진구도란, 무작위로 100개의 실리카 입자를 추출했을 때의, 각 입자에 있어서의 최대 직경/최소 직경의 비의 평균값을 말한다. 또한, 회합형 콜로이달 실리카란, 진구형 콜로이달 실리카 입자가 모인 응집체이며, 바람직하게는 평균 일차 입경(D1B)이 70 내지 200nm, 회합도(n2)가 2.0 이상인 콜로이드상으로 분산된 콜로이달 실리카를 말한다.
따라서, 본 발명은 하기 콜로이달 실리카 연마재 및 합성 석영 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.
[1] 진구형 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카 지립을 포함하는 콜로이드 용액을 함유하는 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[2] 상기 [1]에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)이 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)보다 큰 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[3] 상기 [1] 또는 [2]에 있어서, 상기 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)이 20 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[4] 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)이 70 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[5] 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 있어서, 상기 진구형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n1)가 1.0 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[6] 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n2)가 2.0 내지 3.5인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[7] 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 연마재 중에서의 진구형 콜로이달 실리카 지립의 함유량이, 회합형 콜로이달 실리카 지립에 대하여 2 내지 5배량(질량비)의 비율인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
[8] 합성 석영 유리 기판의 제조 공정에서, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 콜로이달 실리카 연마재를 세미파이널 연마 공정 또는 파이널 연마 공정에서 사용하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 종래의 콜로이달 실리카를 이용한 연마보다도 빠른 연마율이 얻어지며, 기판 표면의 미소 결함을 억제하고, 높은 평활성을 얻을 수 있다. 또한, 랩면으로부터 연마할 때의 산화세륨 대체 연마재로서도 이용할 수 있어, 최근 희토류 원소 문제를 해결하는 데에 일조할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해서 상세히 설명한다.
본 발명에서의 기판 연마용 콜로이달 실리카 연마 지립은, 물유리 또는 알콕시실란 등의 유기 실리케이트 화합물 등을 가수분해함으로써 생성된 것으로, 특히 평균 일차 입경 및 회합도가 상이한, 진구형과 회합형의 상이한 형태의 콜로이달 실리카 지립이 이용된다.
여기서 상이한 형상의 콜로이달 실리카 입자를 이용한 이유는 이하와 같다.
일반적으로 합성 석영 유리 등의 기판을 연마할 때, 콜로이달 실리카 지립은 파이널 연마 공정에서 사용된다. 이는 산화세륨 등의 연마용 입자와 비교하여, 입경이 작으면서 입자의 표면이 매끄러운 콜로이달 실리카를 이용함으로써, 저결함이면서 고평활한 표면을 갖는 기판을 제작할 수 있기 때문이다. 그러나, 입경이 작기 때문에 연마율은 느리고, 연마 공정에서는 기판 표면을 미소량 연마하는 것에 불과하여, 연삭력이 있는 연마 지립이라 하기 어렵다.
그러나, 상이한 입경의 콜로이달 실리카 지립을 혼합한 연마재를 이용하면, 단위 부피당 콜로이달 실리카 지립에 의한 공간 점유율이 커지고, 그 결과 유리 기판에 지립이 충돌할 확률이 높아져, 연삭력을 향상시킬 수 있다.
즉, 동일한 평균 일차 입경을 갖는 회합형의 콜로이달 실리카 지립에 의해서 구축되는 단위 부피당 최밀 충전 구조에 있어서의 공간 내에, 상기 콜로이달 실리카 지립보다도 평균 일차 입경이 작은 진구형 콜로이달 실리카 지립이 발생함에 따라 단위 부피당 충전율을 높일 수 있고, 연삭력이 있는 지립을 얻을 수 있다.
또한, 진구형과 회합형의 상이한 형태의 콜로이달 실리카 입자를 혼합하고, 각각이 갖는 입체적 특징을 끌어냄으로써, 연마율을 한층 더 향상시킬 뿐만 아니라, 기판 표면의 결함수 감소 및 평활성의 향상도 동시에 달성한다.
이하에 그 메커니즘의 상세를 설명한다.
회합형 콜로이달 실리카 입자는, 입자의 형태가 진구형 콜로이달 실리카 지립에 비하여 변형되어 있기 때문에, 지립의 기판에 대한 접촉 면적이 작아져, 점접촉에 가깝다. 이 때문에, 연마 정반으로부터 지립을 통해 기판에 전해지는 힘을 크게 할 수 있어, 연삭력을 향상시키는 것이 가능해진다.
회합형 콜로이달 실리카 입자에 의해서만 구성된 단위 입방적 중의 충전 구조 중에는 입자가 존재하지 않는 공극부가 있지만, 진구형 콜로이달 실리카 지립을 혼합함으로써 이 공극을 매립하여, 연삭력의 추가적인 향상을 볼 수 있어, 결과적으로 연마율의 향상을 달성할 수 있다.
또한, 상기 2종의 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1)은, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)이, 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)보다도 큰 것이 바람직하다.
회합형 콜로이달 실리카 지립에 의해서 연삭력을 향상시킬 수 있지만, 연마 입자의 표면 형상이 변형되어 있기 때문에, 기판 표면의 면조도가 거칠어질 가능성이 있다. 한편, 이 기판 표면에 대하여, 진구형 콜로이달 실리카 지립으로 연마를 행하면, 저결함이면서 고평활한 기판 표면이 얻어진다. 이 때, 연마에 관여하고 있는 콜로이달 실리카 입자가 회전계 중에 존재하고 있는 것을 고려하면, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경보다도 큰 경우, 원심력에 의해 회합형 콜로이달 실리카 지립이 먼저 기판 표면으로부터 제거되기 때문에, 상술한 회합형 콜로이달 실리카 지립으로부터 진구형 콜로이달 실리카 지립의 순서로 연마하는 모델을 달성할 수 있어 보다 바람직하다.
여기서, 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)은, 바람직하게는 20 내지 120nm, 더욱 바람직하게는 40 내지 100nm, 특히 바람직하게는 50 내지 100nm이다. 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 20nm보다도 작으면, 연마 후의 세정 공정에서 지립을 제거하기 어려워, 잔사로서 미소한 볼록 결함을 남기는 경우가 있다. 한편, 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 120nm보다도 크면, 회합형 콜로이달 실리카 지립에 의해서 형성되는 공극 중에 들어가기 어려워, 지립으로서의 연삭력을 충분히 향상시킬 수 없는 문제점이 발생하는 경우가 있다.
또한, 진구형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n1)는 1.5 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 내지 1.5이다. 진구형 콜로이달 실리카 지립의 회합도가 1.5보다도 크면, 회합형 콜로이달 실리카 지립이 형성하는 충전 구조 중에 형성되는 공극 내에 충분히 들어갈 수 없고, 단위 입방적당 충전율을 충분히 높일 수 없기 때문에, 연삭력이 높아지지 않아 연마율의 향상으로 연결되는 효과가 얻어지기 어려운 경우가 있다. 또한, 회합도는 회합도(n)=평균 이차 입경/평균 일차 입경으로 구해지고, 평균 일차 입경은 BET법에 의한 비표면적 측정값으로부터 환산되고, 평균 이차 입경은 적색 레이저에 의한 동적 광산란의 산란 강도 측정에 의해서 산출된다.
한편, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)은, 바람직하게는 70 내지 200nm, 더욱 바람직하게는 70 내지 170nm, 특히 바람직하게는 80 내지 150nm이다. 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 70nm보다도 작으면, 입자가 구형에 가까워, 충분한 연삭력이 얻어지지 않고 연마율이 향상되기 어려운 경우가 있다. 한편, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경이 200nm보다도 크면, 콜로이달 실리카 입자 자체의 비중이 커져, 분산성이 악화되는 문제점이 발생하는 경우가 있다.
또한, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n2)는, 바람직하게는 2.0 이상이고, 보다 바람직하게는 2.0 내지 3.5이다. 회합형 콜로이달 실리카 지립의 회합도가 2.0보다도 작으면, 연삭력에 필요한 입자의 변형이 충분히 발생하지 않는 문제점이 발생하는 경우가 있다.
콜로이달 실리카 연마재 중에서의 진구형 콜로이달 실리카 지립은, 회합형 콜로이달 실리카 지립의 바람직하게는 2 내지 5배량(질량비), 더욱 바람직하게는 2 내지 4배량의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다. 진구형 콜로이달 실리카 지립의 함유 비율이 회합형 콜로이달 실리카 지립의 2배량에 충족되지 않으면, 기판 표면의 면조도가 악화되는 문제점이 발생하는 경우가 있다. 한편, 진구형 콜로이달 실리카 지립이 5배량보다 많으면, 연마에 있어서 진구형 콜로이달 실리카 지립의 영향이 지배적이 되기 때문에, 연삭력이 작아져 효과적으로 연마율을 높이는 것이 어려워지는 경우가 있다.
또한, 진구형 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카의 비율은, 진구형 콜로이달 실리카가 50 내지 80 질량부 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 75질량부, 보다 더 바람직하게는 60 내지 75질량부이다. 한편, 회합형 콜로이달 실리카 지립은 20 내지 50질량부 포함되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25 내지 50질량부, 더 바람직하게는 25 내지 40 질량부이다. 진구형 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카 지립의 합계량은 100 질량부이며, 이들 지립 혼합물이 연마재 중에 25 내지 50질량％, 특히 35 내지 50질량％인 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 콜로이달 실리카 지립은 다양한 제조 방법으로 제조되며, 예를 들면 물유리로부터의 조립, 알콕시실란 등의 유기 실리케이트 화합물 등을 가수분해하여 얻는 방법 등을 들 수 있다. 이 콜로이달 실리카 지립을 포함하는 분산액의 액성은, 콜로이달 실리카의 보존 안정성의 관점에서 약알칼리성이 바람직한데, 중성이나 산성측의 액성이어도 사용 가능하다. 콜로이달 실리카는, 통상은 물에 분산하여 사용되지만, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올류, 아세톤이나 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 화합물이나, 이들 유기 용매나 물의 혼합 용매 등을 분산매로서 이용할 수도 있다.
본 발명의 콜로이달 실리카 연마재는, 상술한 진구형 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카 지립을 분산매에 분산시킨 콜로이드 용액(콜로이달 실리카 분산액)으로서 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 콜로이달 실리카 연마재는, 시판되고 있는 콜로이달 실리카 분산액을 조합함으로써도 제작할 수 있다. 예를 들면, 진구형 콜로이달 실리카의 분산액으로는, 닛산 가가꾸 고교(주) 제조 스노텍스 시리즈, (주)후지미 인코포레이티드 제조 콤폴(COMPOL)-50, 콤폴-80, 콤폴-120, 콤폴-EX III, 듀폰(Dupont) 제조 사이톤(SYTON), 마진(Mazin) 등이, 회합형 콜로이달 실리카의 분산액으로는 닛산 가가꾸 고교(주) 제조 ST-UP, ST-OUP, 다마 가가꾸 고교(주) 제조 TCSOL 시리즈, 후소 가가꾸 고교(주) 제조 PL 시리즈 등을 들 수 있다.
본 발명의 연마재를 이용하여 합성 석영 유리 기판 등의 기판을 연마할 때에, 필요에 따라 적절하게 연마 촉진제를 선택하여 적량 넣을 수 있다. 연마 촉진제를 연마재 중에 첨가함으로써, 콜로이달 실리카 지립의 주위에 있는 전기 이중층을 안정화할 수 있기 때문에, 분산성이 높아져, 빠른 연마율을 지속할 수 있는 것이 기대된다. 연마 촉진제로는, 예를 들면 폴리아크릴산, 폴리아크릴산염, 폴리(메트)아크릴산, 폴리(메트)아크릴산염, 포르말린 축합물, 축합 인산염 등을 들 수 있다. 연마 촉진제를 배합하는 경우, 그의 배합량은 콜로이달 실리카(콜로이드 용액의 고형분)에 대하여 10 내지 20질량％가 바람직하다.
본 발명의 연마재를 이용한 연마 대상의 기판으로는, 합성 석영 유리 기판, 탄탈산리튬 기판, 실리콘 기판, HDD용 유리 기판, 소다 석회 유리 기판 등을 들 수 있지만, 본 발명의 연마재는 특히 포토마스크, 나노임프린트, 액정 컬러 필터용 등으로서 이용되는 합성 석영 유리 기판을 제조할 때의 연마 공정에 이용하는 것이 유용하다. 기판의 크기는, 예를 들면 사각형상의 기판인 경우, 한 변이 5인치(127.0×127.0mm), 한 변이 6인치(152.4×152.4mm), 둥근 형상의 기판인 경우, 6인치φ(직경 152.4mm), 8인치φ(직경 203.2mm)이, 대형 기판인 경우, G8(1,220×1,400mm), G10(1,620×1,780mm)의 크기인 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 콜로이달 실리카 연마재는, 기판을 조연마한 후에 실시되는 세미파이널 연마 공정 또는 파이널 연마 공정에서, 예를 들면 스웨이드 연마천 등을 이용하여 바람직하게 사용할 수 있다. 파이널 연마 공정에서 이용하는 경우, 연마압 60 내지 200gf/㎠로 행할 수 있다.
또한, 조연마는 잉곳을 성형, 어닐링, 슬라이스 가공, 모따기, 랩핑, 기판 표면을 경면화하기 위한 연마 공정을 거쳐 실시된다.
기판 표면을 더 고평활, 저결함으로 하는 경우에는, 본 발명의 콜로이달 실리카 연마재를 세미 파이널 공정에서 사용하고, 파이널 연마 공정에서는 더 작은 입경의 콜로이달 실리카 지립을 이용하여 연마할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 연마재를 이용한 연마 방법으로는, 회분식의 양면 연마가 일반적인데, 편면 연마, 매엽식 연마 및 이들의 조합으로 실시되는 것일 수도 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
슬라이스된 한 변이 6인치인 합성 석영 유리 기판(두께 6.35mm)을 랩핑, 조연마를 행한 후, 파이널 연마에 투입하였다. 연질의 스웨이드제 연마천을 이용하여, 평균 일차 입경이 50nm, 회합도가 1.2인 진구형 콜로이달 실리카 지립(닛산 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명: 스노텍스 XL)을, 평균 일차 입경이 100nm, 회합도가 2.5인 회합형 콜로이달 실리카 지립(다마 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명: TCSOL704)의 3배량(질량비)으로 한 SiO2 농도 40질량％의 콜로이달 실리카 수분산액을 연마재로서 이용하였다. 양면 연마기를 이용하여 연마압 100gf/㎠, 연마율은 0.2㎛/분이었다.
연마 종료 후, 세정·건조하여 레이저 공초점 광학계 고감도 결함 장치(레이저 테크(주) 제조)를 이용하여 결함 검사를 한 바, 50nm급 이상의 결함은 1.5개였다. 또한, 면조도(Ra)를 원자간력 현미경(AFM)을 이용하여 측정한 바, Ra=0.14nm였다. 또한, 스크래치나 피트와 같은 연마 기인의 흠집은 검출되지 않았다.
[비교예 1]
실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 연질의 스웨이드제 연마천을 이용하여, 평균 일차 입경이 80nm, 회합도가 1.1인 진구형 콜로이달 실리카 지립(후지미 인코포레이티드 제조, 상품명: 콤폴-80)을 포함하는 SiO2 농도 40질량％의 콜로이달 실리카 수분산액을 연마재로서 이용하였다. 양면 연마기를 이용하여 연마압 100gf/㎠, 연마율은 0.07㎛/분이었다.
연마 종료 후, 세정·건조하여 실시예 1과 동일하게 결함 검사를 한 바, 50nm급 이상의 결함은 1.8개였다. 또한, 실시예 1과 동일하게 면조도(Ra)를 측정한 바, Ra=0.14nm였다. 또한, 스크래치나 피트와 같은 연마 기인의 흠집은 검출되지 않았다.
[비교예 2]
실시예 1과 동일한 재료를 사용하고, 연질의 스웨이드제 연마천을 이용하여, 평균 일차 입경이 110nm, 회합도가 1.2인 회합형 콜로이달 실리카 지립(닛산 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명: 스노텍스 ZL)을 포함하는 SiO2 농도 20질량％의 콜로이달 실리카 수분산액을 연마재로서 이용하였다. 양면 연마기를 이용하여 연마압 100gf/㎠, 연마율은 0.06㎛/분이었다.
연마 종료 후, 세정·건조하여 실시예 1과 동일하게 결함 검사를 한 바, 50nm급 이상의 결함은 2.1개였다. 또한, 실시예 1과 동일하게 면조도(Ra)를 측정한 바, Ra=0.25nm였다. 스크래치나 피트와 같은 연마 기인의 흠집은 검출되지 않았다.
[실시예 2]
슬라이스된 8인치φ의 합성 석영 유리 기판(두께 0.775mm)을 랩핑, 조연마를 행한 후, 실시예 1과 동일한 연마천을 이용하여, 평균 일차 입경이 60nm, 회합도가 1.3인 진구형 콜로이달 실리카 지립(후지미 인코포레이티드 제조, 상품명: 콤폴-120)을, 평균 일차 입경이 90nm, 회합도가 2.8인 회합형 콜로이달 실리카 지립(후소 가가꾸 고교(주) 제조, 상품명: PL-7H)의 4배량(질량비)으로 한 SiO2 농도 35질량％의 콜로이달 실리카 수분산액을 연마재로서 이용하였다. 양면 연마기를 이용하여 연마압 100gf/㎠, 연마율은 0.07㎛/분이었다.
연마 종료 후, 세정·건조하여 실시예 1과 동일하게 결함 검사한 바, 50nm급 이상의 결함은 2.0개였다. 또한, 실시예 1과 동일하게 면조도(Ra)를 측정한 바, Ra=0.17nm였다. 또한, 스크래치나 피트와 같은 연마 기인의 흠집은 검출되지 않았다.
[비교예 3]
실시예 2와 동일한 재료를 사용하고, 연질의 스웨이드제 연마천을 이용하여, 평균 일차 입경이 80nm, 회합도가 1.1인 진구형 콜로이달 실리카 지립(후지미 인코포레이티드 제조, 상품명: 콤폴-80)을 포함하는 SiO2 농도 40질량％의 콜로이달 실리카 수분산액을 연마재로서 이용하였다. 양면 연마기를 이용하여, 연마압 100gf/㎠, 연마율은 0.01㎛/분이었다.
연마 종료 후, 세정·건조하여 실시예 1과 동일하게 결함 검사를 한 바, 50nm급 이상의 결함은 2.8개였다. 또한, 실시예 1과 동일하게 면조도(Ra)를 측정한 바, Ra=0.15nm였다. 또한, 스크래치나 피트와 같은 연마 기인의 흠집은 검출되지 않았다.

Claims (8)

  1. 진구형(眞球型) 콜로이달 실리카 지립과 회합형 콜로이달 실리카 지립을 포함하는 콜로이드 용액을 함유하는 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)이 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)보다 큰 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 진구형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1A)이 20 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 평균 일차 입경(D1B)이 70 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 진구형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n1)가 1.0 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회합형 콜로이달 실리카 지립의 회합도(n2)가 2.0 내지 3.5인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카 연마재 중에서의 진구형 콜로이달 실리카 지립의 함유량이, 회합형 콜로이달 실리카 지립에 대하여 2 내지 5배량(질량비)의 비율인 것을 특징으로 하는 콜로이달 실리카 연마재.
  8. 합성 석영 유리 기판의 제조 공정에서, 제1항 또는 제2항에 기재된 콜로이달 실리카 연마재를 세미파이널 연마 공정 또는 파이널 연마 공정에서 사용하는 합성 석영 유리 기판의 제조 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6946619B2 (ja) * 2016-02-25 2021-10-06 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、および感光性樹脂印刷版原版
JP6679386B2 (ja) * 2016-03-31 2020-04-15 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法
JP6722026B2 (ja) * 2016-04-01 2020-07-15 デンカ株式会社 研磨用シリカ及びそれを用いた方法
WO2018012173A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法
JP6985116B2 (ja) * 2017-11-17 2021-12-22 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用の研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法
JP7008564B2 (ja) * 2018-04-09 2022-01-25 花王株式会社 合成石英ガラス基板用研磨液組成物
CN109370440A (zh) * 2018-11-15 2019-02-22 安徽兆拓新能源科技有限公司 一种太阳能电池背抛单晶硅片用抛光液
US20230020073A1 (en) * 2019-12-04 2023-01-19 Versum Materials Us, Llc High Oxide Film Removal Rate Shallow Trench (STI) Chemical Mechanical Planarization (CMP) Polishing
WO2022185793A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびこれを用いた研磨方法
WO2022254841A1 (ja) 2021-06-01 2022-12-08 信越半導体株式会社 両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハ
CN113881347B (zh) * 2021-10-15 2023-01-31 深圳市科玺化工有限公司 一种硅晶圆用化学机械精抛液

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007191696A (ja) * 2005-12-22 2007-08-02 Kao Corp ガラス基板用研磨液組成物
JP2008270584A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法
JP2009007543A (ja) 2006-12-28 2009-01-15 Kao Corp 研磨液組成物
KR20090073024A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
JP2009231486A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Kao Corp シリコンウエハ用研磨液組成物
JP2010080499A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fujifilm Corp 研磨液

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574259B1 (ko) * 1999-03-31 2006-04-27 가부시끼가이샤 도꾸야마 연마제 및 연마 방법
JP4132432B2 (ja) * 1999-07-02 2008-08-13 日産化学工業株式会社 研磨用組成物
EP2045307A1 (en) 2000-05-12 2009-04-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Polishing composition
JP3563017B2 (ja) * 2000-07-19 2004-09-08 ロデール・ニッタ株式会社 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法
JP2005268667A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP4776269B2 (ja) 2005-04-28 2011-09-21 株式会社東芝 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法
JP2007103463A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ポリシングスラリー、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶の表面処理方法およびＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶基板
JP2007137942A (ja) 2005-11-15 2007-06-07 Aisin Chem Co Ltd 耐チッピング透明塗料及び耐チッピング透明塗膜
JP4963825B2 (ja) * 2005-11-16 2012-06-27 日揮触媒化成株式会社 研磨用シリカゾルおよびそれを含有してなる研磨用組成物
EP2107093B1 (en) 2006-12-28 2013-02-13 Kao Corporation Polishing liquid composition
JP5381701B2 (ja) * 2007-02-27 2014-01-08 日立化成株式会社 金属用研磨液及び研磨方法
JP5275595B2 (ja) * 2007-08-29 2013-08-28 日本化学工業株式会社 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法
JP5369506B2 (ja) * 2008-06-11 2013-12-18 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤
MY155533A (en) 2008-06-11 2015-10-30 Shinetsu Chemical Co Polishing agent for synthetic quartz glass substrate
MY155495A (en) 2008-06-18 2015-10-30 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method using the same
US20100164106A1 (en) * 2008-12-31 2010-07-01 Cheil Industries Inc. CMP Slurry Composition for Barrier Polishing for Manufacturing Copper Interconnects, Polishing Method Using the Composition, and Semiconductor Device Manufactured by the Method
CN102985508A (zh) * 2010-07-09 2013-03-20 旭硝子株式会社 研磨剂和研磨方法
JP5516184B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-11 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
JP5564461B2 (ja) * 2010-10-12 2014-07-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5844135B2 (ja) * 2010-12-24 2016-01-13 花王株式会社 研磨液組成物の製造方法
CN103459089A (zh) * 2011-04-11 2013-12-18 旭硝子株式会社 研磨剂及研磨方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007191696A (ja) * 2005-12-22 2007-08-02 Kao Corp ガラス基板用研磨液組成物
JP2009007543A (ja) 2006-12-28 2009-01-15 Kao Corp 研磨液組成物
JP2008270584A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Nippon Chem Ind Co Ltd 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法
KR20090073024A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
JP2009231486A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Kao Corp シリコンウエハ用研磨液組成物
JP2010080499A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fujifilm Corp 研磨液

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