JP6722026B2 - 研磨用シリカ及びそれを用いた方法 - Google Patents
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Description
(1)OH基密度が4個/nm2以上12個/nm2以下であり、50nm以上の粒子の球形度が0.80以上であるシリカ(A)と、粒子密度が2.0g/cm3以上であり、50nm以上の粒子の平均球形度が0.80以上であるシリカ(B)を含み、シリカ(A)とシリカ(B)の合計質量に対するシリカ(B)の割合が10質量%以上95質量%以下であることを特徴とする研磨用シリカ。
(2)シリカ(A)の平均粒子径が50nm以上100nm以下、シリカ(B)の平均粒子径が30nm以上150nm以下であることを特徴とする前記(1)に記載の研磨用シリカ。
(3)シリカ(A)とシリカ(B)の合計質量に対するシリカ(B)の割合が35質量%以上70質量%以下であることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の研磨用シリカ。
(4)前記(1)〜(3)のいずれかに記載の研磨用シリカを含有することを特徴とする研磨スラリー。
(5)前記(4)に記載の研磨スラリーを用いて被研磨材料を研磨する工程を含む被研磨材料の研磨方法。
(6)前記(4)に記載の研磨スラリーを用いてサファイア表面を研磨する工程を含むサファイア表面の研磨方法。
シリカ(A)のOH基密度[個/nm2]=pHが4.0から9.0になるまでに要した水酸化ナトリウム量[mol]×アボガドロ数:6.02×1023[個/mol]/(シリカ(A)の質量[g]×シリカ(A)の比表面積[m2/g])×10−18
実施例1〜12、比較例1〜8
本発明の研磨用シリカに含まれるシリカ(A)には、珪酸ナトリウムと鉱酸の中和反応によって製造された種々の平均粒子径、及び平均球形度の市販コロイダルシリカを用いた。また、これらのコロイダルシリカのOH基密度を調整する為に、以下の操作を行った。OH基密度を減少させる際には、アルミナ坩堝にコロイダルシリカを投入して電気炉内にセットし、1000℃で20min〜6Hrの範囲で加熱することによりOH基密度の調整を行った。具体的には、OH基密度の減少幅を大きくする時ほど、加熱時間を長くした。一方、OH基密度を増加させる際には、コロイダルシリカと水を混合し、コロイダルシリカ20質量%のスラリーを調整した。このスラリーをホットプレートスターラーで300rpmの撹拌速度で、95℃、1Hr〜50Hr加温浸漬処理を行った。加熱後のサンプルは200℃、24Hr乾燥させ、OH基密度を調整したコロイダルシリカを回収した。具体的には、OH基密度の増加幅を大きくする時ほどホットプレートスターラーでの加温浸漬時間を長くした。
研磨前後のサファイア基板の重量変化から、1時間当りの基板の厚みの変化量(μm/hr)を算出した。研磨試験は3回実施し、3回の測定の平均値を求めて研磨速度とした。この研磨速度の値が大きいほど、研磨速度が優れていることを示す。
研磨後のサファイア基板の表面を、ニコン社製光干渉顕微鏡「BW−D507」を用いて表面性状評価を行った。観察画像の測定範囲は50μm×50μmとして高さ測定を行い、算術平均粗さを求めた。研磨したサファイア基板の表面について9ヶ所の測定を行った。研磨試験は3回実施し、合計27回の測定の算術平均粗さの平均値を求めた。この算術平均粗さの値が小さいほど、表面が平滑であることを示す。
研磨後のサファイア基板の表面を、KLA−Tencor社製光学式表面解析装置「Candela CS10」を用いたスクラッチの定量評価を行った。研磨試験を3回実施し、各々の基板にレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。3回の測定の平均値を求めて基板1枚当りのスクラッチ数を算出した。このスクラッチ数が少ないほどスクラッチ性が良好であることを示す。
Claims (6)
- OH基密度が5個/nm2超12個/nm2以下であり、50nm以上の粒子の球形度が0.80以上であるシリカ(A)と、OH基密度が3個/nm 2 以下であり、粒子密度が2.0g/cm3以上であり、50nm以上の粒子の平均球形度が0.80以上であるシリカ(B)からなり、シリカ(A)とシリカ(B)の合計質量に対するシリカ(B)の割合が10質量%以上95質量%以下であることを特徴とする研磨用シリカ。
- シリカ(A)の平均粒子径が50nm以上100nm以下、シリカ(B)の平均粒子径が30nm以上150nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の研磨用シリカ。
- シリカ(A)とシリカ(B)の合計質量に対するシリカ(B)の割合が35質量%以上70質量%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の研磨用シリカ。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用シリカを含有することを特徴とする研磨スラリー。
- 請求項4に記載の研磨スラリーを用いて被研磨材料を研磨する工程を含む被研磨材料の研磨方法。
- 請求項4に記載の研磨スラリーを用いてサファイア表面を研磨する工程を含むサファイア表面の研磨方法。
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