JP2010080499A - 研磨液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体集積回路の製造において、バリア層と層間絶縁膜とを化学的機械的に研磨するための研磨液であって、異なる会合度を有する二種のコロイダルシリカ、防食剤、および酸化剤を含み、前記二種のコロイダルシリカの会合度の差が0.5以上であり、前記二種のコロイダルシリカの一次粒径の差が5.0nm以下であることを特徴とする研磨液。
【選択図】なし
Description
LSIなどの半導体デバイスを製造する際には、微細な配線を多層に形成することが行われている。その各層においてCuなどの金属配線を形成する際には、層間絶縁膜への配線材料の拡散の防止や、配線材料の密着性の向上を目的として、Ta、TaN、Ti、TiN、Mn、Cu−Mn合金などのバリアメタルを前もって形成することが行われている。
しかしながら、バリア金属材料は通常、銅配線などの配線形成用金属材料よりも硬質な材料であるため、CMPにおいて、軟質な配線金属膜が過研磨され、研磨金属面が平面状ではなく、中央のみがより深く研磨されて皿状のくぼみを生ずる現象(ディッシング)や、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨されたうえ、複数の配線金属面表面に皿状の凹部を形成する現象(エロージョン)などを引き起こす懸念があり、問題となっている。
このような固体砥粒を含む研磨液を用いてCMPを行うと、上述した研磨面全体が必要以上に研磨される現象(シニング)、ディッシング、エロージョンとともに、研磨傷(スクラッチ)が多く発生する場合があった。
例えば、研磨傷をほとんど発生させずに高速研磨することを目的としたCMP研磨剤および研磨方法(特許文献1)、CMPにおける洗浄性を向上させた研磨組成物および研磨方法(特許文献2)、研磨砥粒の凝集防止を図った研磨用組成物(特許文献3)、並びに、CMPの高速化と低エロージョンおよび低スクラッチ化とを図った研磨用スラリ(特許文献4)などが提案されている。
<2> 前記防食剤が、イミダゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類およびベンゾトリアゾール類からなる群から選ばれる複素芳香環化合物である<1>に記載の研磨液。
<3> pHが2〜6である請求項1または2に記載の研磨液。
<4> さらに、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物を含有する<1>〜<3>のいずれかに記載の研磨液。
<5> さらに、第四級アンモニウム塩を含有する<1>〜<4>のいずれかに記載の研磨液。
本発明の研磨液は、半導体集積回路の製造工程(特に、配線工程)の際に使用される、バリア層と層間絶縁膜とを化学的機械的に研磨するための研磨液であって、異なる会合度を有する二種のコロイダルシリカ、防食剤、酸化剤、更に必要に応じて、任意の成分を含む。なお、二種のコロイダルシリカの会合度の差は0.5以上であり、一次粒径の差は5.0nm以下である。
本発明の研磨液が含有する各成分は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
つまり、本発明では、一種のコロイダルシリカでは実現できないバリア層および/または層間絶縁膜の研磨速度を、二種の異なる会合度を有するコロイダルシリカを用いて実現できる。これは、会合度が異なる砥粒はそれぞれ研磨機構が異なると予想され、二種の異なる会合度の砥粒を用いることにより効果的に二つの研磨機構が利用でき、バリア層および/または層間絶縁膜の研磨速度が向上すると考えられる。
また、一種の砥粒で高い研磨速度を得るためには高い砥粒濃度が必要とされ、それに伴い、研磨後スクラッチも多くなる。一方、二種の異なる会合度を持つ砥粒を用いた研磨液では、一種の砥粒のみを用いた研磨液を使用した場合と同等の研磨速度を実現するために必要な砥粒濃度が少なくてよく、それに伴い、研磨後のスクラッチも少なくなる。
以下、本発明の研磨液を構成する各成分について詳細に説明する。
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、会合度の差が0.5以上であり、かつ、一次粒径の差が5.0nm以下である二種のコロイダルシリカを含有する。会合度の異なるコロイダルシリカを二種使用することにより、高研磨速度と低スクラッチ性との両立が達成される。
なお、ゾルゲル法とは、テトラエトキシシランなどのアルコキシシランを原料とし、アルコールなどの水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて成長させる方法である。水ガラス法とは、珪酸ナトリウムなどの珪酸アルカリ金属塩を原料とし、水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる方法である。
なお、一次粒径Rは、BET法で測定するコロイダルシリカの比表面積Sと比重dに基づいて計算される(計算式 R=6/dS)。
会合度とは、一次粒子が凝集してなる二次粒子の径を一次粒子の径で除した値(二次粒子の径/一次粒子の径)を意味する。より具体的には、動的光散乱法により測定される純水中に分散したコロイダルシリカの平均粒径(二次粒径)を、上記のように求めた一次粒径で除して求められるものである。会合度が1とは、単分散した一次粒子のみのものを意味する。動的光散乱法による平均粒径測定はLB−500(堀場製作所製)を代表とする装置にて測定できる。
また、コロイダルシリカ(A)とコロイダルシリカ(B)との一次粒径の差は5.0nm以下であり、3.0nm以下がより好ましい。下限値は小さければ小さいほどよく、0が好ましい。一次粒径の差が大きすぎると、研磨速度と研磨後のスクラッチの両方に関して、一次粒径が大きな粒子の効果の寄与が大きくなり、本発明の効果が得られにくい。
本発明の研磨液は、被研磨表面に吸着して皮膜を形成し、金属表面の腐食を制御する防食剤を含有する。本発明における防食剤としては、分子内に3つ以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物を含有することが好ましい。ここで、「3つ以上の窒素原子」は、縮環を構成する原子であることが好ましい。複素芳香環化合物は、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基などの官能基を有していてもよい。
このような複素芳香環化合物としては、イミダゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類、ベンゾトリアゾール類などが挙げられ、ベンゾトリアゾール類およびベンゾトリアゾールに種々の置換基が導入されてなる誘導体であることが好ましい。
中でも、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、および1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールから選ばれることがより好ましい。
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物(酸化剤)を含有する。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、銀(II)塩、鉄(III)塩などが挙げられ、中でも、過酸化水素が特に好ましい。
鉄(III)塩としては、例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
本発明の研磨液には、上記構成成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲において、カルボキシル基を有する化合物(有機酸)、第四級アンモニウム塩、界面活性剤、pH調整剤、硬水軟化剤などの成分を含有していてもよい。
本発明の研磨液は、カルボキシル基を有する化合物(有機酸)を含有していてもよい。カルボキシル基を有する化合物(有機酸)としては、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物であれば特に制限されず、例えば、アミノ酸(例えば、グリシン、α―アラニン)などが挙げられる。なかでも、研磨速度向上の観点から、下記一般式(I)で表される化合物を選択することが好ましい。
なお、分子内に存在するカルボキシル基は、1〜4個であることが好ましく、安価に使用できる観点からは、1〜2個であることがより好ましい。
Raは、1価の炭化水素基(脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基)または酸素含有炭化水素基を表し、中でも炭素数1〜10のものが好ましい。具体的には、炭素数1〜10のアルキル基(例えば、メチル基、シクロアルキル基等)、アリール基(例えば、フェニル基等)、アルコキシ基、アリールオキシ基などが好ましく挙げられる。
Rbは、2価の炭化水素基または酸素含有炭化水素基を表し、中でも炭素数1〜10のものが好ましい。具体的には、炭素数1〜10のアルキレン基(例えば、メチレン基、シクロアルキレン基等)、アリーレン基(例えば、フェニレン基等)、アルキレンオキシ基などが好ましく挙げられる。
これらの中では、ギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が、銅、銅合金、および、銅または銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも1種の金属層を含む積層膜に対して好適に使用できる。
例えば、グリシン、L−アラニン、β−アラニン、L−2−アミノ酪酸、L−ノルバリン、L−バリン、L−ロイシン、L−ノルロイシン、L−イソロイシン、L−アロイソロイシン、L−フェニルアラニン、L−プロリン、サルコシン、L−オルニチン、L−リシン、タウリン、L−セリン、L−トレオニン、L−アロトレオニン、L−ホモセリン、L−チロシン、3,5−ジヨード−L−チロシン、β−(3,4−ジヒドロキシフェニル)−L−アラニン、L−チロキシン、4−ヒドロキシ−L−プロリン、L−システィン、L−メチオニン、L−エチオニン、L−ランチオニン、L−シスタチオニン、L−シスチン、L−システィン酸、L−アスパラギン酸、L−グルタミン酸、S−(カルボキシメチル)−L−システィン、4−アミノ酪酸、L−アスパラギン、L−グルタミン、アザセリン、L−アルギニン、L−カナバニン、L−シトルリン、δ−ヒドロキシ−L−リシン、クレアチン、L−キヌレニン、L−ヒスチジン、1−メチル−L−ヒスチジン、3−メチル−L−ヒスチジン、エルゴチオネイン、L−トリプトファン、アクチノマイシンC1、アパミン、アンギオテンシンI、アンギオテンシンIIおよびアンチパインなどが挙げられる。
本発明の研磨液は、第四級アンモニウム塩(以下、単に、「特定カチオン塩」と称する場合がある。)を含有してもよい。
本発明における第四級アンモニウム塩は、分子構造中に四級窒素を含む塩であれば特に限定されないが、分子構造中に1つまたは2つの四級窒素を含む構造であることが好ましい。中でも、十分な研磨速度の向上を達成する観点から、下記一般式(II)または一般式(III)で表される第四級アンモニウム塩であることが好ましい。
一般式(III)中、R5〜R10は、それぞれ独立に、炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基を表す。Xは、炭素数1〜20のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、またはこれらを2以上組み合わせた基を表す。Y−は、陰イオンを表す。なお、R5〜R10のいずれか2つが、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。)
炭素数1〜20のアルキル基としては、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜6のアルキル基がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が好ましい。
アルケニル基としては、炭素数2〜10が好ましく、具体的には、エチニル基、プロピル基などが挙げられる。
シクロアルキル基としては、炭素数5〜6が好ましく、具体的には、シクロヘキシル基、シクロペンチル基などが挙げられ、中でも、シクロヘキシル基が好ましい。
アリール基としては、炭素数6〜10が好ましく、具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。
アラルキル基としては、炭素数7〜10が好ましく、具体的には、ベンジル基が挙げられる。
なお、R1〜R4のいずれか2つが、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。環状構造としては、特に制限されないが、一般式(II)中の窒素原子を含んだ5〜6員環構造が好ましい。
なお、R5〜R10のいずれか2つが、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。環状構造としては、特に制限されない。
炭素数1〜20のアルキレン基としては、炭素数1〜12のアルキレン基がより好ましい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基などが挙げられ、中でも、エチレン基、ペンチレン基が好ましい。
アルケニレン基としては、炭素数2〜6が好ましい。具体的には、エチニレンル基、プロピニレン基などが挙げられ、中でも、プロピニレン基が好ましい。
シクロアルキレン基としては、炭素数5〜6が好ましい。具体的には、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基などが挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。
アリーレン基としては、炭素数6〜12が好ましい。具体的には、フェニレン基、ナフチレン基などが挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。
本発明の研磨液は、各種界面活性剤を含むことにより、各種層間絶縁膜およびバリア層の研磨速度調整がより容易に行うことが可能となる。
界面活性剤としては、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤のいずれでもよいが、エチレンオキサイド基やスルホ基を有する界面活性剤はより大きな効果を発揮しやすい。
本発明の研磨液は、pH2.0〜6.0であることが好ましい。研磨液のpHをこの範囲に制御することで、層間絶縁膜およびバリア層の研磨速度調整をより容易に行うことが可能となり、かつ、より高いレベルで高研磨速度と低スクラッチとの両立が達成される。
pHを好ましい範囲に調整するために、アルカリ/酸または緩衝剤が用いられる。
アルカリ/酸または緩衝剤としては、アンモニア、水酸化アンモニウムおよびテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンといったアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩などが好ましく挙げられる。
特に好ましいアルカリ剤として、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムおよびテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じて硬水軟化剤(キレート剤)を含有することが好ましい。
硬水軟化剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物などが挙げられる。例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸などが挙げられる。硬水軟化剤は必要に応じて2種以上併用してもよい。
これらの溶媒の中でも、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、アセトン、メチルエチルケトンがより好ましい。
本発明の研磨液の研磨対象(被研磨体)の一つであるバリア層を構成する材料としては、一般に低抵抗のメタル材料がよく、特に、Ti、TiN、TiW、Ta、TaN、W、WN、Ru、Mn、Mn−Cu合金が好ましい。
本発明の研磨液の研磨対象(被研磨体)の一つであるである層間絶縁膜としては、例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)、SiOC、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系などの通常用いられる層間絶縁膜が挙げられる。なかでも、本発明の研磨液は、TEOS膜に対して好適に用いることができる。膜形成方法は、特に限定されず、プラズマCVDなどが挙げられる。
本発明においては、研磨対象である被研磨体は、例えば、LSI等の半導体デバイスに適用されるような、銅金属および/または銅合金からなる配線を有することが好ましい。特にこの配線の原材料としては、銅合金が好ましい。更に、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。
なお、銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、更には1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨対象である被研磨体が、例えば、DRAMデバイス系に適用される場合、ハーフピッチで0.15μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.10μm以下、更に好ましくは0.08μm以下である。
一方、被研磨体が、例えば、MPUデバイス系に適用される場合、0.12μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.09μm以下、更に好ましくは0.07μm以下である。
このような配線を有する被研磨体に対して、上述の本発明の研磨液は特に優れた効果を発揮する。
本発明の研磨液は、1.濃縮液であって、使用する際に水または水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、2.各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、3.使用液として調製されている場合などがあるが、これらに限定されない。
本発明の研磨方法には、いずれの場合の研磨液も適用可能である。
この研磨方法は、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができ、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、コロイダルシリカ、防食剤、有機酸、その他添加剤、および水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水または水溶液で、構成成分(A)および構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、およびコロイダルシリカを構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、コロイダルシリカ、および水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水または水溶液を加え、構成成分(A)および構成成分(B)を希釈して使用する。
その他の混合方法は、上述したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法がある。
本発明において、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者は、プラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
本発明の研磨液を用いて、CMPを行う被研磨体としてのウエハ(例えば、シリコンウエハ)は、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
本発明の研磨液を用いて研磨を実施できる装置は、特に限定されないが、Mirra Mesa CMP、Reflexion CMP(アプライドマテリアルズ)、FREX200、FREX300 (荏原製作所)、NPS3301、NPS2301(ニコン)、A−FP−310A、A−FP−210A(東京精密)、2300 TERES(ラムリサーチ)、Momentum(Speedfam IPEC)などを挙げることができる。
下記に示す組成の研磨液を調製し、研磨実験を行った。
<組成(1)>
・第四級アンモニウム塩:硝酸テトラメチルアンモニウム 0.2g/L
・防食剤:ベンゾトリアゾール(BTA) 0.3g/L
・第一コロイダルシリカ 25g/L
(一次粒径:35nm、会合度1.1、扶桑化学工業社製)
・第二コロイダルシリカ 25g/L
(一次粒径:36nm、会合度2.1、扶桑化学工業社製)
・カルボキシル基を有する化合物:グリコール酸 1g/L
・pH(アンモニア水と硝酸で調整) 4.0
・酸化剤:過酸化水素水(過酸化水素濃度30質量%) 10mL
・純水を加えて全量 1000mL
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、スラリー(研磨液)を供給しながら、下記に示す各ウエハ膜を研磨した。
・テーブル回転数:90rpm
・ヘッド回転数:85rpm
・研磨圧力:13.79kPa
・研磨パッド:ロデール・ニッタ株式会社製 Polotexpad
・研磨液供給速度:200ml/min
研磨速度評価用のウエハとして、Si基板上に研磨対象物(TEOS:テトラエトキシシラン)を成膜した8インチウエハを使用した。
研磨速度は、上記条件でのCMP前後における、TEOS膜の膜厚をそれぞれ測定し、以下の式から換算することで求めた。
研磨速度(nm/min.)=(研磨前の各種膜厚さ−研磨後の各種膜厚さ)/研磨時間
得られた結果を表1に示す。
上記方法で研磨された後のTEOS膜を純水洗浄して乾燥した後、下記欠陥検査装置により簡易的に0.5μm以上のスクラッチ数の評価を行った。
欠陥研磨装置:KLA−tencor社製Surfscan SP1
実施例1における組成(1)を、下記表1に記載の組成に変更して調製した研磨液(純水を加えて全量1000mL)を用い、実施例1と同様の研磨条件で、研磨実験を行った。結果を表1に示す。なお、表1中、カルボキシル基を有する化合物は「有機酸」と記載する。
防食剤:
BTA:1,2,3−ベンゾトリアゾール
DBTA:5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール
DCEBTA:1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール
HEABTA:1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール
HMBTA:1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール
TTA:トリルトリアゾール
TET:1H−テトラゾール
AMT:5−アミノテトラゾール
TEA:1H−テトラゾール5酢酸
IMD:イミダゾール
123T:1,2,3−トリアゾール
124T:1,2,4−トリアゾール
DCETTA:1−(1,2−ジカルボキシエチル)トリルトリアゾール
HEATTA:1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]トリルトリアゾール
また、一種の砥粒のみを用いた比較例4〜7によると、高い研磨速度を得るためには高い砥粒濃度が必要であり、砥粒濃度が高くなるにつれてスクラッチも増加しており、実施例1〜7で得られる研磨速度とスクラッチ数を実現できなかった。
Claims (5)
- 半導体集積回路の製造において、バリア層と層間絶縁膜とを化学的機械的に研磨するための研磨液であって、異なる会合度を有する二種のコロイダルシリカ、防食剤、および酸化剤を含有し、前記二種のコロイダルシリカの会合度の差が0.5以上であり、前記二種のコロイダルシリカの一次粒径の差が5.0nm以下であることを特徴とする研磨液。
- 前記防食剤が、イミダゾール類、トリアゾール類、テトラゾール類、およびベンゾトリアゾール類からなる群から選ばれる複素芳香環化合物である請求項1に記載の研磨液。
- pHが2〜6である請求項1または2に記載の研磨液。
- さらに、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物を含有する請求項1〜3のいずれかに記載の研磨液。
- さらに、第四級アンモニウム塩を含有する請求項1〜4のいずれかに記載の研磨液。
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