CN101568615B - 研磨液组合物 - Google Patents

研磨液组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN101568615B
CN101568615B CN2007800479599A CN200780047959A CN101568615B CN 101568615 B CN101568615 B CN 101568615B CN 2007800479599 A CN2007800479599 A CN 2007800479599A CN 200780047959 A CN200780047959 A CN 200780047959A CN 101568615 B CN101568615 B CN 101568615B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
peak
liquid composition
water
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800479599A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101568615A (zh
Inventor
代田真美
米田康洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007324025A external-priority patent/JP5248096B2/ja
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
Publication of CN101568615A publication Critical patent/CN101568615A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101568615B publication Critical patent/CN101568615B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/24—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding or polishing glass
    • B24B7/241—Methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C01G25/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角)为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)；顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)；顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)；以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，并且，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下。

Description

研磨液组合物
技术领域
本发明涉及在半导体装置的制造过程等中进行的化学机械研磨(CMP)、或精密玻璃制品或显示器相关产品等的制造过程等中进行的研磨处理等中使用的研磨液组合物。另外，本发明还涉及使用上述研磨液组合物的研磨方法、玻璃基板的制造方法、半导体装置的制造方法。 
背景技术
在构成半导体装置的氧化膜(例如氧化硅膜)、以下例示的玻璃基板的基材、即铝硅酸盐玻璃基板等化学强化玻璃基板的基材、玻璃陶瓷基板等结晶化玻璃基板的基材、用作光掩模用基板的合成石英玻璃基板的基材、或液晶显示面板的玻璃面等的研磨中，使用的是含有例如铈和锆的复合氧化物粒子(例如参照专利文献1和2)。 
为了解决在使用含有氧化铈粒子作为磨料的研磨剂组合物进行研磨时出现的产生划痕和粉尘的问题，使上述专利文献1记载的研磨液组合物含有二次粒子的平均粒径为5μm以下的复合氧化物粒子作为磨料来代替氧化铈粒子。该复合氧化物粒子的原料铈化合物(例如CeCl3)中的铈的氧化值为3，氧化锆化合物(ZrOCl2)中的氧化锆的氧化值为4。上述复合氧化物粒子如下制备。 
在水溶液中，使铈化合物、锆化合物和氨反应，生成含有铈和锆的非水溶性化合物，然后经过氧化处理、过滤和离心分离而获得共沉淀物。将该共沉淀物用超纯水等反复洗涤之后干燥，然后在气氛温度为300℃以上的烘箱内进行热处理，由此获得复合氧化物粒子。 
另一方面，专利文献2记载的研磨液组合物含有不经过烧制工序制造的复合氧化物粒子。在专利文献2中，对于该研磨液组合物，记载了可以形成表面精密度高的表面，尽管复合氧化物粒子的粒径小但研磨速度大，并且能够抑制划痕等损伤的产生。该复合氧化物粒子的原料铈化合物中的铈的氧化值为3或4，锆化合物中锆的氧化值为4。 
专利文献1：日本特开2001-348563号公报 
专利文献2：日本专利第3782771号公报 
但是，使用这些研磨液组合物的研磨并不能充分地确保研磨速度，也不能减少划痕。 
发明内容
根据本发明，提供可以以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨液组合物、使用该研磨液组合物的研磨方法、玻璃基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。 
本发明的研磨液组合物是含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质的研磨液组合物，在通过照射CuKα1射线(λ＝0.154050nm)而获得的上述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：顶点在衍射角2θ(θ为布拉格角(Bragg angle))为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)、顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)、顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)、以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)，上述第1峰的半峰宽为0.8°以下，在上述粉末X射线衍射光谱中，当存在由氧化铈产生的峰a1和由氧化锆产生的峰a2中的至少一个峰时，上述峰a1、a2的顶点的高度为上述第1峰的顶点高度的6.0％以下。其中，上述峰a1的顶点存在于衍射角2θ为28.40～28.59°的范围内，上述峰a2的顶点存在于衍射角2θ为29.69～31.60°的范围内。 
另外，本发明的研磨液组合物含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，上述复合氧化物粒子是通过下述方法获得的复合氧化物粒子：将含有氧化值为4的铈化合物和氧化值为4的锆化合物的溶液与沉淀剂混合，从而使上述铈化合物和上述锆化合物水解，将水解生成的沉淀物分离之后进行烧制，并将得到的烧制物进行粉碎，从而获得复合氧化物粒子。 
本发明的研磨方法包含研磨工序，在该研磨工序中，将本发明的研磨液组合物供给至研磨对象物和研磨垫之间，在上述研磨对象物与上述研磨垫相接触的状态下，使上述研磨垫相对于上述研磨对象物进行相对运动，从而对上述研磨对象物进行研磨。 
本发明的玻璃基板的制造方法包含研磨工序，在该研磨工序中，使用本 发明的研磨液组合物对玻璃基板的基材的两个主面中的至少一个主面进行研磨。 
本发明的半导体装置的制造方法包含：在半导体基板上的一个主面侧上形成薄膜的薄膜形成工序；和使用本发明的研磨液组合物对上述薄膜进行研磨的研磨工序。 
附图说明
图1A为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图1B为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图1C为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图1D为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图2A为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图2B为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图3A为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图3B为说明本发明的半导体装置的制造方法的一个例子、或本发明的研磨方法的一个例子的工序截面图。 
图4A为本发明的实施例中使用的评价用样品的局部放大截面图。 
图4B为本发明的实施例中使用的评价用样品的俯视图。 
图4C为图4B的局部放大图。 
图5A为本发明的实施例中使用的评价用样品的局部放大截面图。 
图5B为本发明的实施例中使用的评价用样品的局部放大截面图。 
图5C为本发明的实施例中使用的评价用样品的局部放大截面图。 
图5D为本发明的实施例中使用的评价用样品的局部放大截面图。 
图6为研磨后的评价用样品的概念图。 
图7为表示平台驱动电流值随时间变化的曲线图。 
具体实施方式
(实施方式1) 
用实施方式1说明一例本发明的研磨液组合物。 
构成实施方式1的研磨液组合物的复合氧化物粒子用例如下述的组成式表示。 
CexZr1-xO2
其中，x为满足条件式0＜x＜1、优选0.50＜x＜0.97、更优选0.55＜x＜0.95、进一步优选0.60＜x＜0.93、更进一步优选0.65＜x＜0.90、再进一步优选0.70＜x＜0.90的数。 
在复合氧化物粒子中，氧化铈和氧化锆处于均匀熔合而形成一个固相的状态，在用X射线(Cu-Kα1射线，λ＝0.154050nm)衍射法分析该复合氧化物粒子而获得的光谱中，观察到下述的峰。 
即，在该光谱中，至少观察到：顶点在衍射角2θ为28.61～29.67°的范围内的峰(第1峰)、顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的峰(第2峰)、顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的峰(第3峰)、以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的峰(第4峰)。 
从提高研磨速度的观点出发，复合氧化物粒子优选在光谱中至少观察到顶点在衍射角2θ为28.61～29.39°的范围内的峰(第1峰)、顶点在衍射角2θ为33.14～34.16°的范围内的峰(第2峰)、顶点在衍射角2θ为47.57～49.08°的范围内的峰(第3峰)、以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.25°的范围内的峰(第4峰)，更优选至少观察到顶点在衍射角2θ为28.61～29.25°的范围内的峰(第1峰)、顶点在衍射角2θ为33.14～34.04°的范围内的峰(第2峰)、顶点在衍射角2θ为47.57～48.90°的范围内的峰(第3峰)、以及顶点在衍射角2θ为56.45～58.02°的范围内的峰(第4峰)，进一步优选至少观察到顶点在衍射角2θ为28.61～29.11°的范围内的峰(第1峰)、顶点在衍射角2θ为33.23～33.79°的范围内的峰(第2峰)、顶点在衍射角2θ为47.71～48.53°的范围内的峰(第3峰)、以及顶点在衍射角2θ为56.61～57.60°的范围内的峰(第4峰)。 
优选第2峰的面积为第1峰的面积的10～50％，第3峰的面积为第1峰的面积的35～75％，第4峰的面积为第1峰的面积的20～65％。从提高研磨速度的观点出发，更优选第2峰的面积为第1峰的面积的15～45％，第3峰的面积为第1峰的面积的40～70％，第4峰的面积为第1峰的面积的25～60％，进一步优选第2峰的面积为第1峰的面积的20～40％，第3峰的面积为第1峰的面积的45～65％，第4峰的面积为第1峰的面积的30～55％。 
在光谱中，有时也会存在由氧化铈产生的峰a1和由氧化锆产生的峰a2中的至少1个峰。在这种情况下，从减少划痕的观点出发，峰a1、a2的顶点的高度均为第1峰顶点的高度的6.0％以下，优选为3.0％以下，更优选为1.0％以下，更进一步优选为0％。 
峰a1的顶点所在的衍射角2θ的范围为28.40°～28.59°，峰a2的顶点所在的衍射角2θ的范围为29.69°～31.60°。在本说明书中，有关这些2θ范围的值是依据国际衍射数据中心ICDD(International Center for Diffraction Data)中的涉及氧化铈和氧化锆的值。具体来说，峰a1的顶点所在的衍射角2θ的范围28.40°～28.59°是涉及立方晶系的氧化铈的值。峰a2的顶点所在的衍射角2θ的范围29.69°～31.60°是依据正方晶系氧化锆的2θ(29.69°)和单斜晶系氧化锆的2θ(31.60°)。 
第1峰的半峰宽为0.8°以下，从提高研磨速度的观点出发，优选0.7°以下，更优选0.6°以下，进一步优选0.5°以下，更进一步优选0.45°以下。如Scherrer公式所示，该半峰宽与微晶的大小相关。通过结晶成长，微晶尺寸变大，则半峰宽减小。 
本实施方式的研磨液组合物中含有的复合氧化物粒子中，如后所述，由于氧化铈由氧化值为4的铈化合物得到，且氧化锆由氧化值为4的锆化合物得到，从而氧化铈和氧化锆均匀熔合而形成一个固相，由此能观察到上述X射线衍射光谱。如专利文献1记载的研磨液组合物中含有的复合氧化物粒子那样，复合氧化物粒子中的氧化铈由氧化值为3的铈化合物得到的情况下，氧化铈和氧化锆均匀熔合的一个固相的形成不能充分地进行，观察到的是由氧化铈产生的峰a1和由氧化锆产生的峰a2中的至少1个峰。 
另外，本实施方式的研磨液组合物中含有的复合氧化物粒子的X射线衍 射光谱中，第1峰的半峰宽小，第1峰非常尖锐。这是由于，如后所述，通过在其制造过程中进行充分的烧制，因而上述固相的微晶尺寸增大，即结晶性提高。专利文献2中记载的研磨液组合物中含有的复合氧化物粒子的制造过程中不经过充分的烧制，因而上述固相的结晶性是不充分的。因此，X射线衍射光谱中的第1峰的半峰宽大，第1峰较宽。 
如此，本实施方式的研磨液组合物由于含有具有氧化铈和氧化锆均匀熔合形成的一个固相、且结晶性高的复合氧化物粒子，因而与以往的研磨液组合物相比，能够以更高的速度对研磨对象物进行研磨。 
在复合氧化物粒子中，从提高研磨速度的观点出发，原子的摩尔比(Ce/Zr)优选为(99/1)～(5/95)，更优选为(97/3)～(16/84)，进一步优选为(95/5)～(40/60)，更进一步优选为(94/6)～(50/50)，再进一步优选为(93/7)～(60/40)。 
在复合氧化物(CexZr1-xO2)粒子中，从减少划痕的观点出发，Ce相对于Zr的原子比例x优选为0.60～0.93，更优选为0.65～0.90，进一步优选为0.70～0.90。 
从提高研磨速度的观点出发，复合氧化物粒子的体积中值粒径(D50)优选为30nm以上，更优选为40nm以上，进一步优选为50nm以上。另外，从提高复合氧化物粒子在研磨液组合物中的分散稳定性的观点出发，D50优选为1000nm以下，更优选为500nm以下，进一步优选为250nm以下。因此，复合氧化物粒子的体积中值粒径(D50)优选为30～1000nm，更优选为40～500nm，进一步优选为50～250nm。 
在本说明书中，体积中值粒径(D50)是指从粒径较小的一侧开始计算用体积比率计算的累积体积频率达到50％的粒径。体积中值粒径(D50)是作为用激光衍射/散射式粒度分布计(商品名LA-920，堀场制作所制造)测定的体积基准的中值粒径而获得的。 
从提高研磨速度的观点出发，复合氧化物粒子的平均一次粒径优选为10nm以上，更优选为20nm以上，进一步优选为30nm以上。另外，从提高通过对研磨对象物进行研磨而获得的研磨表面的镜面状态的观点出发，复合氧化物粒子的平均一次粒径优选为200nm以下，更优选为150nm以下，进一步优选为100nm以下。因此，复合氧化物粒子的平均一次粒径优选为10～200nm，更优选为20～150nm，进一步优选为30～100nm。 
在本说明书中，平均一次粒径(nm)是指使用按照BET(氮吸附)法计算出的比表面积S(m2/g)、依照下述公式计算出的粒径(换算为正球体)。 
平均一次粒径(nm)＝820/S 
从提高研磨速度的观点出发，研磨液组合物中的复合氧化物粒子的含量优选为0.1重量％以上，更优选为0.2重量％以上，进一步优选为0.4重量％以上，再进一步优选为0.5重量％以上。另外，从提高分散稳定性的观点以及降低成本的观点出发，复合氧化物粒子的含量优选为8重量％以下，更优选为5重量％以下，进一步优选为4重量％以下，再进一步优选为3重量％以下。因此，复合氧化物粒子的含量优选为0.1～8重量％，更优选为0.2～5重量％，进一步优选为0.4～4重量％，再进一步优选为0.5～3重量％。 
复合氧化物粒子可以是市售品，也可以是自己制备的。以下，说明复合氧化物粒子的制造方法的一例。 
复合氧化物粒子可以如下获得：将含有氧化值为4的铈化合物(以下也称为铈(IV)化合物)和氧化值为4的锆化合物(以下也称为锆(IV)化合物)的溶液与沉淀剂混合，从而使铈(IV)化合物和锆(IV)化合物水解，分离水解生成的沉淀物之后进行烧制，并将得到的烧制物进行粉碎，从而得到复合氧化物粒子。 
含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液如下制备即可：例如将硝酸铈等水溶性的铈(IV)化合物和硝酸锆等水溶性的锆(IV)化合物分别溶解于水等溶剂中，然后混合。 
如果在含有上述铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液中添加沉淀剂(碱溶液)，则铈(IV)化合物和锆(IV)化合物被水解，生成沉淀物。优选一边搅拌含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液一边添加沉淀剂。作为沉淀剂，可以使用氨溶液、氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液等氢氧化碱溶液、钠、钾或氨的碳酸盐溶液、碳酸氢盐溶液等。沉淀剂中优选氨、氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液，更优选为氨水溶液。沉淀剂的当量浓度优选为约1～5N，更优选为约2～3N。 
从获得氧化铈和氧化锆呈高度固溶状态的复合氧化物粒子的观点出发，向含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液中添加沉淀剂后获得的上清液的pH优选为7～11，更优选为7.5～9.5。 
含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液与沉淀剂的混合时间没有特别的限定，优选为15分钟以上，更优选为30分钟以上。含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液与沉淀剂的反应可以在室温等任意的合适的温度下进行。通过将含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液与沉淀剂混合而生成的沉淀物可以通过倾析、干燥、过滤和/或离心分离之类的常规的固体/液体分离技术从母液中分离。获得的沉淀物接着用水等洗涤。 
溶液中的铈(IV)化合物优选以仅将铈(IV)化合物添加到水系介质中的状态含有，但也可以将含有氧化值为3的铈的铈化合物在水系介质中电解氧化，从而使3价的铈转化为4价的铈。铈(IV)化合物优选在铈化合物总量中含有85重量％以上，更优选含有87重量％以上，进一步优选含有90重量％以上，再进一步优选含有95重量％以上。 
作为铈(IV)化合物，具体地可以列举出硫酸铈(IV)、硫酸四铵铈(IV)、硝酸二铵铈(IV)等水溶性的盐。之所以使用氧化值为4的铈盐，是由于从易于水解以及水解速度的观点出发，与氧化值为3的铈盐相比，氧化值为4的铈盐更适于与锆(IV)化合物(例如氧化值为4的锆盐)同时并行的水解。 
作为溶液中含有的锆(IV)化合物，可以列举出氧氯化锆(氯化氧化锆)、氧硫酸锆(硫酸氧化锆)、氧醋酸锆(醋酸氧化锆)、氧硝酸锆(硝酸氧化锆)、氯化锆、硝酸锆、醋酸锆、硫酸锆等水溶性的锆(IV)盐。 
如此，溶液中的铈和锆的氧化值均为4，如果通过将作为沉淀剂的碱溶液添加到溶液中而使溶液的pH上升，则铈(IV)化合物和锆(IV)化合物在几乎相同的pH范围内水解，氢氧化铈和氢氧化锆几乎同时沉淀，从而获得相互高度混合状态下的沉淀物。通过将该沉淀物进行热处理，沉淀物中产生氧化铈和氧化锆均匀熔合而形成一个固相的部分。若铈的氧化值为3，则由于铈(III)化合物和锆(IV)化合物水解而产生氢氧化物沉淀的pH范围不同，因而获得两者的混合状态不充分的沉淀物。若将该沉淀物进行热处理，则产生氧化铈或氧化锆分离的部分。 
若以含有铈(IV)化合物和锆(IV)化合物的溶液中所含有的铈元素的氧化物换算量和锆元素的氧化物换算量的合计为100重量％，则铈元素的氧化物换算量优选为7～99重量％，更优选为20～98重量％，进一步优选为50～96重量％。锆元素的氧化物换算量优选为1～93重量％，更优选为2～80重 量％，进一步优选为4～50重量％。 
从提高氧化铈和氧化锆均匀熔合形成的固相的结晶性、并确保良好的研磨速度的观点出发，沉淀物的烧制温度优选为900～1500℃，更优选为1000～1400℃，进一步优选为1100～1300℃。加热时间通常优选为1～10小时，更优选为2～8小时，进一步优选为3～7小时。烧制可以使用例如连续式烧制炉等加热手段来进行。上述烧制温度是粒子表面的温度，其与连续式烧制炉内的气氛温度相等。 
粉碎烧制物的手段没有特别的限定，例如可以列举出球磨、珠粒磨、振动磨等粉碎装置。粉碎手段的设定条件可以以形成所需要的平均粒径范围的粒子或所需要的体积粒径范围的粒子为目的来适当设定。作为粉碎介质，可以列举出二氧化锆球等。 
作为本实施方式的研磨液组合物中含有的水系介质，可以列举出水、或水和溶剂的混合介质等，作为上述溶剂，优选为可以与水混合的溶剂(例如乙醇等醇)。作为水系介质，优选为水，更优选为离子交换水。 
本实施方式的研磨液组合物中含有的分散剂优选为水溶性的。作为水溶性的分散剂，优选为选自阳离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂和丙烯酸系聚合物的至少1种。上述分散剂更优选为选自阴离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂和丙烯酸系聚合物的至少1种。上述分散剂进一步优选为丙烯酸系聚合物。分散剂可以在与水系介质混合之前物理吸附在复合氧化物粒子的表面上或化学键合在复合氧化物粒子的表面上。 
作为阳离子性表面活性剂，例如可以列举出脂肪族胺盐、脂肪族铵盐等。 
作为阴离子性表面活性剂，例如可以列举出脂肪酸皂、烷基醚羧酸盐等羧酸盐、烷基苯磺酸盐、烷基萘磺酸盐等磺酸盐、高级醇硫酸酯盐、烷基醚硫酸盐等硫酸酯盐、烷基磷酸酯等磷酸酯盐等。 
作为非离子性表面活性剂，例如可以列举出聚氧乙烯烷基醚等醚型、甘油酯的聚氧乙烯醚等醚酯型、聚乙二醇脂肪酸酯、甘油酯、山梨糖醇酐酯等酯型等。 
丙烯酸系聚合物可以是均聚物、共聚物的任意一种。作为均聚物，优选地可以列举出含有由丙烯酸、丙烯酸非金属盐、或丙烯酸酯等单体(a)衍生 的构成单元(A)的均聚物。作为共聚物，优选地可以列举出：含有由选自丙烯酸、丙烯酸非金属盐、或丙烯酸酯中的至少一种单体(a)衍生的构成单元(A)和由下列单体(b)衍生的构成单元(B)的共聚物；含有由选自丙烯酸、丙烯酸非金属盐、丙烯酸酯中的至少2种单体(a)衍生的各构成单元(A)的共聚物。 
作为丙烯酸非金属盐，例如可以列举出丙烯酸铵盐、丙烯酸胺盐等。丙烯酸系聚合物可以含有1种由这些丙烯酸非金属盐衍生的构成单元，也可以含有2种以上由这些丙烯酸非金属盐衍生的构成单元。 
当丙烯酸系聚合物为共聚物时，构成单元(A)在全部构成单元中含有超过50摩尔％，优选含有超过70摩尔％，更优选含有超过80摩尔％，进一步优选含有超过90摩尔％。 
单体(b)为具有羧酸(盐)基且具有可聚合的双键的单体，例如可以列举出衣康酸、衣康酸酐、甲基丙烯酸、马来酸、马来酸酐、富马酸、富马酸酐、柠康酸、柠康酸酐、戊烯二酸、乙酸乙烯基酯、乙酸烯丙基酯、膦基羧酸、α-卤代丙烯酸、β-羧酸或这些酸的盐、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸辛酯等甲基丙烯酸烷基酯等。 
当丙烯酸系聚合物为盐时，例如可以将酸型的丙烯酸单体单独聚合或与单体(b)共聚、之后用规定的碱中和来获得。作为上述的盐，例如可以列举出丙烯酸和2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸的共聚物的铵盐等。 
从提高分散稳定性的观点出发，丙烯酸系聚合物优选为选自聚丙烯酸和聚丙烯酸铵中的至少1种，更优选为聚丙烯酸铵。 
从提高分散稳定性的观点出发，丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为500～50000，更优选为500～10000，进一步优选为1000～10000。 
在本说明书中，上述重均分子量为根据用凝胶渗透色谱(GPC)法以下述条件获得的色谱图中的峰计算出的值。 
色谱柱：G4000PWXL+G2500PWXL(Tosoh株式会社) 
洗脱液：(0.2M磷酸缓冲液)/(CH3CN)＝9/1(体积比) 
流量：1.0mL/min 
柱温：40℃ 
检测器：RI检测器 
标准物质：聚丙烯酸换算 
从提高分散稳定性的观点出发，研磨液组合物中的分散剂的含量优选为0.0005重量％以上，更优选为0.001重量％以上，进一步优选为0.002重量％以上。另外，研磨液组合物中的分散剂的含量优选为0.5重量％以下，更优选为0.1重量％以下，进一步优选为0.05重量％以下。因此，分散剂的含量优选为0.0005～0.5重量％，更优选为0.001～0.1重量％，进一步优选为0.002～0.05重量％。 
上述说明的各个成分的含量为使用时的含量，本实施方式的研磨液组合物也可以在不影响其稳定性的范围内以浓缩的状态保存和供给。这种情况在能够降低生产、运输成本的方面是优选的。浓缩液根据需要用上述的水系溶剂适当稀释后使用即可。 
当本实施方式的发明的研磨液组合物为上述浓缩液时，从降低生产、运输成本的观点出发，复合氧化物粒子的含量优选为2重量％以上，更优选为3重量％以上，进一步优选为5重量％以上，再进一步优选为10重量％以上。另外，从提高分散稳定性的观点出发，复合氧化物粒子的含量优选为50重量％以下，更优选为40重量％以下，进一步优选为30重量％以下。因此，复合氧化物粒子的含量优选为2～50重量％，更优选为3～40重量％，进一步优选为5～30重量％，再进一步优选为10～30重量％。 
在不妨碍本发明的效果的范围内，本实施方式的研磨液组合物中也可以进一步含有选自pH调节剂、防腐剂和氧化剂中的至少1种任意成分。 
作为pH调节剂，可以列举出碱性化合物或酸性化合物等。作为碱性化合物，可以列举出氨、氢氧化钾、水溶性有机胺和氢氧化季铵等。作为酸性化合物，可以列举出硫酸、盐酸、硝酸或磷酸等无机酸、醋酸、草酸、琥珀酸、乙醇酸、苹果酸、枸橼酸或苯甲酸等有机酸等。 
作为防腐剂，可以列举出苯扎氯铵、苄索氯铵(benzethonium chloride)、1，2-苯并异噻唑啉-3-酮、(5-氯-)2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮、过氧化氢或次氯酸盐等。 
作为氧化剂，可以列举出高锰酸、过氧酸等过氧化物、铬酸或硝酸以及这些酸的盐等。 
本实施方式的研磨液组合物在25℃下的pH没有特别的限定，但从能够 进一步提高研磨速度的角度出发，上述pH优选为2～10，更优选为3～9，进一步优选为4～8，再进一步优选为4.5～7。此处，25℃下的pH可以用pH计(东亚电波工业株式会社，HM-30G)测定，是电极在研磨液组合物中浸渍1分钟后的数值。 
以下说明本实施方式的研磨液组合物的配制方法的一例。 
本实施方式的研磨液组合物的配制方法的一例没有任何限制，例如可以通过将复合氧化物粒子、分散剂、水系介质以及根据需要添加的任意成分进行混合来配制。 
复合氧化物粒子在水系介质中的分散例如可以使用高速搅拌机(homomixer)、匀浆机、超声波分散机、湿式球磨或珠粒磨等搅拌机等来进行。在将复合氧化物粒子分散到水系介质中后，在水系介质中含有复合氧化物粒子凝集等形成的粗大粒子的情况下，优选通过离心分离或滤器过滤等除去该粗大粒子。优选在分散剂的存在下使复合氧化物粒子分散于水系介质中。 
以下说明使用本实施方式的研磨液组合物的研磨方法。 
在使用本实施方式的研磨液组合物进行的研磨方法的一个例子中，将研磨液组合物供给到研磨对象物和构成研磨装置的研磨垫之间，在研磨对象物和研磨垫接触的状态下，使研磨垫相对于研磨对象物进行相对运动，由此对研磨对象物进行研磨。 
研磨垫例如可以粘帖在旋转台等研磨平台上。研磨对象物用托架等保持。研磨装置可以是能够同时研磨板状的研磨对象物的两个主面的两面研磨装置，也可以是仅能研磨一面的单面研磨装置。 
(玻璃基板的基材的研磨) 
关于玻璃基板的基材的研磨中使用的研磨垫的材质，没有特别的限制，可以使用以往公知的材质的研磨垫。 
作为研磨对象的上述基材的材质，例如可以列举出石英玻璃、碱石灰玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃、结晶化玻璃、玻璃状碳等。其中，本实施方式的研磨液组合物适用于作为强化玻璃基板用的一个例子的铝硅酸盐玻璃基板的基材、通过研磨而形成玻璃陶瓷基板(结晶化玻璃基板)的基材、通过研磨而成为合成石英玻璃基板的基材等的研磨。铝硅酸盐玻璃基板的基材的化学耐久性良好，不易产生研磨后以除去残 留在基板上的微粒为目的进行的碱洗涤所导致的损伤(凹陷缺陷等)，因而从可以提供更高表面质量的玻璃基板的方面来说是优选的。另外，合成石英玻璃基板从透射率等光学特性优异的方面来说是优选的。 
对于玻璃基板的基材的形状，没有特别的限制，例如可以列举出圆盘状、板状、板坯状、棱镜状等具有平坦部分的形状、透镜等具有曲面部分的形状等。本实施方式的研磨液组合物尤其适用于圆盘状或板状的玻璃基板的基材的研磨。 
从提高研磨速度的观点出发，通过研磨装置施加在玻璃基板的基材上的研磨负荷优选为3kPa以上，更优选为4kPa以上，进一步优选为5kPa以上，再进一步优选为5.5kPa以上。另外，从提高研磨表面的质量、并缓和研磨表面的残留应力的观点出发，研磨负荷优选为12kPa以下，更优选为11kPa以下，进一步优选为10kPa以下，再进一步优选为9kPa以下。因此，研磨负荷优选为3～12kPa，更优选为4～11kPa，进一步优选为5～10kPa，再进一步优选为5.5～9kPa。 
研磨液组合物的供给速度根据研磨垫面向研磨对象物的面的面积和玻璃基板基材的研磨对象表面的面积的总和、以及研磨液组合物的组成的不同而不同，但从提高研磨速度的观点出发，相对于研磨对象表面每1cm2，供给速度优选为0.06～5ml/分钟，更优选为0.08～4ml/分钟，进一步优选为0.1～3ml/分钟。 
研磨垫的转速优选为10～200rpm，更优选为20～150rpm，进一步优选为30～60rpm。另外，研磨对象物的转速优选为10～200rpm，更优选为20～150rpm，进一步优选为30～60rpm。 
(半导体装置的制造过程中进行的薄膜的研磨) 
本实施方式的研磨液组合物例如也可以用于半导体基板的一个主面侧上配置的薄膜的研磨。 
作为半导体基板的材料，例如可以列举出Si或Ge等元素半导体、GaAs、InP或CdS等化合物半导体、InGaAs、HgCdTe等混晶半导体等。 
作为薄膜的材料，可以列举出铝、镍、钨、铜、钽或钛等金属；硅等半金属；以上述金属为主要成分的合金；玻璃、玻璃状碳或无定形碳等玻璃状物质；氧化铝、二氧化硅、氮化硅、氮化钽或氮化钛等陶瓷材料；聚酰亚胺 树脂等树脂等构成半导体装置的材料、其中，从能以较大速度进行研磨的观点出发，薄膜优选含有硅，更优选含有选自氧化硅、氮化硅和聚硅氧烷中的至少1种。作为氧化硅，可以列举出二氧化硅、四乙氧基硅烷(TEOS)等。在含有氧化硅的薄膜中也可以掺杂磷、硼等元素，作为这样的薄膜的具体例子，可以列举出BPSG(硼-磷-硅酸盐玻璃)膜、PSG(磷-硅酸盐玻璃)膜等。 
薄膜形成法可以根据构成薄膜的材料来适当选择，例如可以列举出CVD法、PVD法、涂布法或镀覆法。 
在研磨薄膜时，从提高研磨速度的观点出发，通过研磨装置施加在薄膜上的研磨负荷优选为5kPa以上，更优选为10kPa以上。另外，从提高研磨表面的质量、并缓和研磨表面的残留应力的观点出发，研磨负荷优选为100kPa以下，更优选为70kPa以下，进一步优选为50kPa以下。因此，研磨负荷优选为5～100kPa，更优选为10～70kPa，进一步优选为10～50kPa。 
研磨液组合物的供给速度根据研磨垫面向研磨对象物的面的面积和薄膜的研磨对象表面的面积的总和、以及研磨液组合物的组成的不同而不同，但从提高研磨速度的观点出发，相对于研磨对象物的表面每1cm2，供给速度优选为0.01ml/分钟以上，更优选为0.1ml/分钟以上。另外，从降低成本和废液处理更容易的观点出发，研磨液组合物的供给速度优选相对于研磨对象表面每1cm2为10ml/分钟以下，更优选为5ml/分钟以下。因此，研磨液组合物的供给速度优选相对于研磨对象表面每1cm2为0.01～10ml/分钟，更优选为0.1～5ml/分钟。 
研磨工序中使用的研磨垫的材质等没有特别的限制，可以使用以往公知的材质。作为研磨垫的材质，例如可以列举出硬质发泡聚氨酯等有机高分子发泡体或无机发泡体等，其中优选硬质发泡聚氨酯。 
研磨垫的转速优选为30～200rpm，更优选为45～150rpm，进一步优选为60～100rpm。 
薄膜可以是具有凹凸表面的薄膜。具有凹凸表面的薄膜例如可以通过在半导体基板上的一个主面侧上形成薄膜的薄膜形成工序、和在该薄膜的与半导体基板侧的面相反的面上形成凹凸图案的凹凸面形成工序来获得。凹凸图案的形成可以使用以往公知的平版印刷法等来进行。另外，在与具有薄膜的半导体基板侧的面相反的面也可以形成与下层的凹凸相对应的凹凸。在具有 凹凸表面的薄膜的研磨中，研磨负荷、研磨液组合物的供给速度、研磨垫的材质以及研磨垫的转速等优选分别和上述薄膜研磨时相同。 
本实施方式的薄膜的研磨适用于相邻的凸部和凹部的高度差(H)(参照图1C或图3A)优选为50～2000nm、更优选为100～1500nm的情况。“高度差(H)”是指从凸部的顶点到凹部的最低点之间的距离，可以用剖面测定装置(商品名HRP-100，KLA Tencor公司制造)来测定。 
本实施方式的研磨液组合物可以用于半导体装置的制造过程中所有的研磨。作为具体例子，例如可以列举出：(1)在形成埋入元件分离膜的工序中进行的研磨；(2)在将层间绝缘膜平坦化的工序中进行的研磨；(3)在形成埋入金属配线(例如金属镶嵌(damascene)配线等)的工序中进行的研磨；(4)在形成埋入电容器的工序中进行的研磨等。 
作为上述半导体装置，例如可以列举出存储IC(Integrated Circuit，集成电路)、逻辑IC以及系统LSI(Large-Scale Integration，大规模集成)等。 
本实施方式的研磨液组合物除了可以用于构成硬盘等的玻璃基板用基材或构成半导体装置的绝缘层的研磨之外，还可以适用于玻璃陶瓷基板等结晶化玻璃基板的基材、用作光掩模用基板等的合成石英玻璃基板的基材、或液晶显示面板的玻璃面等的研磨。 
以下，使用附图来说明半导体装置的制造过程中形成埋入元件分离膜的工序中进行的研磨。 
如图1A所示，在通过将半导体基板1在氧化炉内暴露于氧下而形成的二氧化硅氧化膜(未图示)上，用例如CVD法(化学气相沉积法)形成氮化硅(SiN4)膜2。然后，如图1B所示，利用光刻法技术形成浅沟道。然后，如图1C所示，通过例如使用硅烷气体和氧气的CVD法，形成沟道包埋用的氧化膜(SiO2膜)3。在如此形成的氧化膜3的与半导体基板1侧的面相反的面上具有对应于下层的凸凹而形成的具有高度差H的凸凹。然后，通过CMP法研磨氧化膜3，直至氮化硅膜2表面和氧化膜3的表面基本齐平(参照图1D)。本实施方式的研磨液组合物可以在利用该CMP法进行研磨时使用。 
以下，使用附图来说明半导体装置的制造过程中将层间绝缘膜平坦化的工序中进行的研磨。 
如图2A所示，在半导体基板11的一个主面侧上用例如溅射法形成金属 薄膜19(例如Al薄膜)。在图2A所示的例子中，在半导体基板11上形成源极12和漏极13作为掺杂了杂质的杂质扩散区域。在该图中，在金属薄膜19的下层还设有表面被硅化的栅电极15、配置在栅电极15的两端部的侧壁14、由SiO2等形成的绝缘层16、17、贯穿绝缘层16、17将金属薄膜19和栅电极15进行层间连接的钨插塞18。 
然后，如图2B所示，利用光刻法技术和干式蚀刻技术将金属薄膜19进行布图，形成引出电极20。由此完成CMOS结构。 
然后，如图3A所示，通过例如使用硅烷气体和氧气的CVD法来形成氧化膜(SiO2膜)21。该氧化膜21的与面向半导体基板11的面相反的面上具有对应于下层的凸凹而形成的具有高度差H的凸凹。然后，通过CMP法研磨氧化膜21(参照图3B)。本实施方式的研磨液组合物可以在利用该CMP法进行研磨时使用。 
如上所述，根据本发明，可以提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨液组合物、使用该研磨液组合物的研磨方法、玻璃基板的制造方法以及半导体装置的制造方法。 
(实施方式2) 
在实施方式2中说明本发明的研磨液组合物的其它例子。 
本实施方式的研磨液组合物除了前述的复合氧化物粒子之外，还含有有助于形成具有高度表面平坦性的研磨表面的水溶性有机化合物。 
在本实施方式的研磨液组合物中，通过含有水溶性有机化合物作为添加剂，能够形成平坦性高的研磨表面，并且，通过将含有铈和锆的以往没有的复合氧化物粒子作为磨粒使用，可以提高研磨速度。 
推论其理由如下。本实施方式的研磨液组合物中含有的含铈和锆的复合氧化物粒子如后所述，可以作为能以高速对研磨对象物进行研磨的磨粒来使用。在将本实施方式的研磨液组合物供给到研磨对象表面时，水溶性有机化合物吸附在复合氧化物粒子表面和/或研磨对象表面上而形成被膜。该被膜阻碍复合氧化物粒子作用于研磨对象表面。当较高的研磨负荷开始施加在研磨对象表面时，上述被膜被破坏，从而可以利用复合氧化物粒子进行研磨对象表面的研磨。 
在研磨作为研磨对象表面的一个例子的凹凸表面时，若从微观的观点推 测研磨的进行状况，则在初期阶段，凸部承受了比研磨装置设定的设定负荷更高的研磨负荷，被膜被破坏而进行研磨。另一方面，凹部承受较低的负荷，凹部被被膜保护而难以被研磨。也就是说，凸部被选择性地研磨，凹凸高度差减小，从而平坦化得以进行。 
如此，如果使用本实施方式的研磨液组合物，与使用能够高速研磨的复合氧化物粒子而获得的效果相辅相成，可以在短时间内获得平坦性优异的研磨表面。但是，本发明并不限定于这些推测。 
如果将研磨装置设定的设定负荷设定为对平坦表面几乎不进行研磨的值，则在凹凸高度差消除之后，研磨就几乎不再进行了。这种情况能够容易地防止不必要的研磨，因而是优选的。 
作为水溶性有机化合物，可以列举出具有-SO3H基、-SO3Na基(Na为可以和H原子置换而形成盐的原子或原子团)、-COOH基、-COONb基(Nb为可以和H原子置换而形成盐的原子或原子团)中的至少1个基团的水溶性有机化合物。当水溶性有机化合物为盐时，水溶性有机化合物优选为不含碱金属的非金属盐。研磨液组合物中含有的水溶性有机化合物不仅可以是1种，而且也可以是2种以上。 
作为水溶性有机化合物，例如可以列举出选自水溶性丙烯酸系聚合物、有机酸、其盐、酸性氨基酸、其盐、中性或碱性氨基酸以及两性离子型的水溶性低分子有机化合物(以下也仅称为低分子有机化合物)中的至少1种。从能够确保研磨液组合物的稳定性的观点出发，低分子有机化合物的分子量优选为1000以下，更优选为500以下，进一步优选为300以下。 
作为水溶性有机化合物的一个例子的本实施方式的研磨液组合物中含有的水溶性丙烯酸系聚合物，可以列举出聚丙烯酸和丙烯酸系共聚物。聚丙烯酸包括由衍生于选自丙烯酸、丙烯酸非金属盐中的至少1种单体(a)的构成单元(A)构成的聚合物。另外，作为水溶性丙烯酸系聚合物，可以列举出含有上述构成单元(A)和由下述单体(b)衍生的构成单元(B)的共聚物。 
作为丙烯酸非金属盐，例如可以列举出丙烯酸铵盐、丙烯酸胺盐、丙烯酸四烷基铵盐等。水溶性丙烯酸系聚合物可以含有1种由这些丙烯酸盐衍生的构成单元，也可以含有2种以上由这些丙烯酸盐衍生的构成单元。 
丙烯酸系共聚物在全部构成单元中含有超过50摩尔％的构成单元(A)， 优选含有超过70摩尔％，更优选含有超过80摩尔％，进一步优选含有超过90摩尔％。 
单体(b)为具有可聚合的双键的单体，例如可以列举出衣康酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、柠康酸、戊烯二酸、乙酸乙烯基酯、乙酸烯丙基酯、膦基羧酸、α-卤代丙烯酸、β-羧酸等羧酸系单体类或其盐；2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、苯乙烯磺酸、乙烯磺酸、烯丙基磺酸、甲基丙烯磺酸等磺酸系单体类或其盐；酸性膦氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、酸性膦氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙磺酸等磷酸系单体类或其盐；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸烷基酯系单体类；N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N，N-二乙基(甲基)丙烯酰胺等N-烷基取代(甲基)丙烯酰胺系单体类；苯乙烯等芳香族乙烯基系单体类；异丁烯、二异丁烯等α-烯烃系单体类；乙烯基甲基醚、乙烯基乙基醚等乙烯基醚系单体类；(甲基)丙烯腈等腈系单体类；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系单体类。 
水溶性丙烯酸系聚合物可以是游离酸或盐的形态。通常，水溶性丙烯酸系聚合物是以游离酸或盐的形态用于研磨液组合物的制造，但对水系介质的溶解性高的盐在研磨液组合物的制造中是优选使用的。 
水溶性丙烯酸系聚合物的盐例如可以通过将酸型的丙烯酸单体单独聚合、或与单体(b)共聚之后、用规定的碱中和至规定的比例来获得。作为上述盐的优选的具体例子，可以列举出铵化合物盐、锂盐、钠盐、钾盐、铯盐等，但从能获得LSI优选的电特性的观点出发，更优选铵化合物盐。 
作为构成铵化合物盐的胺类的优选例子，可以列举出氨、具有碳原子数为1～10的直链状或支链状的饱和或不饱和烷基的伯胺、仲胺、叔胺、或具有碳原子数为6～10的至少1个芳香环的伯胺、仲胺、叔胺、以及具有哌啶、哌嗪等环式结构的胺、四甲基铵等四烷基铵化合物。 
从对水系介质的溶解性的观点和分散稳定性的观点出发，水溶性丙烯酸系聚合物的盐优选根据水溶性丙烯酸系聚合物的种类以规定的比例进行中和。 
从抑制过剩研磨引起的凹陷现象、获得平坦性优异的研磨表面的观点出 发，优选为下述的水溶性丙烯酸系聚合物。凹陷现象是指由于在凹凸面的研磨中凹部被过剩研磨，从而在通过研磨获得的研磨面中、特别是对应于凹部的部位凹陷成皿状的现象。这种凹陷现象在相邻的凸部间的距离更大时，也就是说，在俯视凹凸面时可见的凹部的总面积的比例较大时(凹部面密度较大时)会显著发生。 
作为上述优选的水溶性丙烯酸系聚合物，可以列举出聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸铵、异甲基丙烯酸铵、聚丙烯酸铵盐、丙烯酸和马来酸的共聚物的铵盐、丙烯酸和2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸的共聚物的铵盐、丙烯酸和(甲基)丙烯酸甲酯的共聚物的铵盐等，其中更优选聚丙烯酸的铵盐。 
从抑制过剩的研磨产生的凹陷现象、获得平坦性优异的研磨表面的观点以及磨粒的分散稳定性的观点出发，水溶性丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为300～100000，更优选为500～50000，进一步优选为1000～30000，再进一步优选为2000～10000。根据同样的理由，水溶性丙烯酸系聚合物的盐的重均分子量也优选在上述范围内。当水溶性丙烯酸系聚合物为聚丙烯酸铵时，其重均分子量优选为1000～20000，更优选为2000～10000。 
另外，在含有聚丙烯酸铵作为水溶性丙烯酸聚合物的研磨液组合物的情况下，从获得平坦性更优异的研磨表面的观点出发，研磨液组合物中含有的聚丙烯酸铵的含量优选为0.1～15重量％，更优选为0.2～10重量％，进一步优选为0.5～8重量％，再进一步优选为1.0～6重量％。 
本实施方式的研磨液组合物中，从有效地抑制凹陷的发生的观点出发，聚丙烯酸铵和复合氧化物粒子的重量比(聚丙烯酸铵/复合氧化物粒子)优选为1/5以上，更优选为1/4以上，进一步优选为1/3以上。另外，从进一步提高研磨速度的观点出发，重量比(聚丙烯酸铵/复合氧化物粒子)优选为15/1以下，更优选为12/1以下，进一步优选为10/1以上。因此，上述重量比优选为1/5～15/1，更优选为1/4～12/1，进一步优选为1/3～10/1。 
作为本实施方式的研磨液组合物中含有的水溶性有机化合物的一个例子的有机酸及其盐的优选的具体例子，可以列举出苹果酸、乳酸、酒石酸、葡糖酸、枸橼酸一水合物、琥珀酸、己二酸、富马酸或这些酸的铵盐等。 
作为本实施方式的研磨液组合物中含有的水溶性有机化合物的一个例子的中性或碱性的氨基酸的优选的具体例子，可以列举出甘氨酸、4-氨基丁酸、 6-氨基己酸、12-氨基月桂酸、精氨酸、甘氨酰替甘氨酸等。 
作为本实施方式的研磨液组合物中含有的水溶性有机化合物的一个例子的低分子有机化合物的优选的具体例子，可以列举出二羟乙基甘氨酸(DHEG)、乙二胺四乙酸(EDTA)、环己二胺四乙酸(CyDTA)、三乙酸胺(NTA)、羟乙基乙二胺三乙酸(HEDTA)、二乙三胺五乙酸(DTPA)、三乙四胺六乙酸(TTHA)、L-谷氨酸二乙酸(GLDA)、氨基三(亚甲基膦酸)、1-羟基乙叉1，1-二膦酸(HEDP)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二乙三胺五(亚甲基膦酸)、β-丙氨酸二乙酸(β-ADA)、α-丙氨酸二乙酸(α-ADA)、天冬氨酸二乙酸(ASDA)、乙二胺二琥珀酸(EDDS)、亚氨基二醋酸(IDA)、羟乙基亚氨基二乙酸(HEIDA)、1，3-丙二胺四乙酸(1，3-PDTA)、天冬氨酸、丝氨酸、半胱氨酸、重氮乙酰丝氨酸、天冬酰胺、2-氨基丁酸、4-氨基丁酸、丙氨酸、β-丙氨酸、精氨酸、别异白氨酸、别苏氨酸、异白氨酸、乙硫氨酸、麦角硫因、鸟氨酸、刀豆氨酸、S-(羧甲基)-半胱氨酸、犬尿素、甘氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、肌酸、肌氨酸、胱硫醚、胱氨酸、磺基丙氨酸、瓜氨酸、β-(3，4-二羟基苯基)-丙氨酸、3，5-二碘酪氨酸、牛磺酸、甲状腺素、酪氨酸、色氨酸、苏氨酸、戊氨酸、己氨酸、缬氨酸、组氨酸、4-羟基脯氨酸、δ-羟基赖氨酸、苯基丙氨酸、脯氨酸、同型丝氨酸、蛋氨酸、1-甲基组氨酸、3-甲基组氨酸、羊毛硫氨酸、赖氨酸、白氨酸、间氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸、β-氨基异戊酸、3-氨基巴豆酸、邻氨基肉桂酸、间氨基氨基苯磺酸、对氨基苯磺酸、2-氨基戊酸、4-氨基戊酸、5-氨基戊酸、2-氨基-2-甲基丁酸、3-氨基丁酸、靛红酸、2-喹啉羧酸、3-喹啉羧酸、4-喹啉羧酸、5-喹啉羧酸、2，3-喹啉二羧酸、2，4-喹啉二羧酸、胍基乙酸、2，3-二氨基苯甲酸、2，4-二氨基苯甲酸、2，5-二氨基苯甲酸、3，4-二氨基苯甲酸、3，5-二氨基苯甲酸、2，4-二氨基苯酚、3，4-二氨基苯酚、2，4，6-三氨基苯酚、2-吡啶羧酸、烟酸、异烟酸、2，3-吡啶二羧酸、2，4-吡啶二羧酸、2，5-吡啶二羧酸、2，6-吡啶二羧酸、3，4-吡啶二羧酸、3，5-吡啶二羧酸、2，4，5-吡啶三羧酸、2，4，5-吡啶三羧酸、3，4，5-吡啶三羧酸、N-苯基甘氨酸、N-苯基甘氨酸邻羧酸、苯酚-2，4-二磺酸、邻苯酚磺酸、间苯酚磺酸、对苯酚磺酸、邻苯二甲酸一缩苯胺、邻(甲基氨基)苯酚、间(甲基氨基)苯酚、对(甲基氨基)苯酚、羧基甜菜碱、磺基甜菜碱、咪唑鎓甜菜碱、卵磷脂等。另外，可以列举出这些化合物的质子中的1个或2个以上被F、Cl、Br和I等原子、 或OH、CN以及NO2等原子团取代的衍生物等。其中，从抑制过剩研磨导致的凹陷现象、获得平坦性优异的研磨表面的观点出发，更优选下述螯合剂。 
作为上述螯合剂，可以列举出DHEG、EDTA、CyDTA、NTA、HEDTA、DTPA、TTHA、GLDA、氨基三(亚甲基膦酸)、HEDP、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二乙三胺五(亚甲基膦酸)、β-ADA、α-ADA、ASDA、EDDS、IDA、HEIDA、1，3-PDTA、天冬氨酸、丝氨酸、半胱氨酸等。其中，更优选DHEG、EDTA、NTA、β-ADA、α-ADA、ASDA、EDDS、HEIDA、天冬氨酸、丝氨酸、半胱氨酸。 
另外，在螯合剂中，从可以确保浓缩时的研磨液组合物的稳定性的观点出发，更优选DHEG。 
在两性离子型的水溶性的低分子有机化合物中，特别是DHEG，由于分子内平衡性良好地存在阴离子基团、阳离子基团、非离子基团，因此即使吸附在复合氧化物粒子上也不会导致粒子的ζ电位和亲水性的大幅降低，而且不易影响到分散剂的效果。另外，DHEG可以充分抑制复合氧化物粒子的凝集等，即使在复合氧化物粒子的浓度高的情况下，也可以确保复合氧化物粒子的分散稳定性。因此，含有DHEG的本实施方式的研磨液组合物能够提供质量稳定的高浓度的研磨液组合物。 
低分子有机化合物通常以游离酸或盐的形态用于研磨液组合物的制造，但对水系介质溶解性高的盐优选在研磨液组合物的制造中使用。 
作为上述盐的优选的具体例子，可以列举出铵化合物盐、锂盐、钠盐、钾盐、铯盐等，但从能获得LSI优选的电特性的观点出发，更优选铵化合物盐。 
作为构成铵化合物盐的胺类的优选例子，可以列举出氨、具有碳原子数为1～10的直链状或支链状的饱和或不饱和烷基的伯胺、仲胺、叔胺、或者具有碳原子数为6～10的至少1个芳香环的伯胺、仲胺、叔胺、以及哌啶、哌嗪等具有环状结构的胺、四甲基铵等四烷基铵化合物。 
从获得平坦性优异的研磨表面的观点出发，本实施方式的研磨液组合物中含有的水溶性有机化合物的含量优选为0.02～15重量％，更优选为0.05～10重量％，进一步优选为0.1～8重量％，再进一步优选为0.2～6重量％。 
在本发明的研磨液组合物中，不仅有作为水溶性有机化合物添加的物质 与后述的作为分散剂添加的物质相互不同的情况，也有相同的情况。当作为水溶性有机化合物添加的物质与后述的作为分散剂添加的物质相同时，为了能实现良好的分散性和研磨表面的良好的平坦性，可以在水溶性有机化合物的优选含量(例如0.02～15重量％)和分散剂的优选含量(例如0.0005～0.5重量％)的合计量的范围内选择水溶性有机化合物和分散剂的合计量。 
在本实施方式的研磨液组合物中，从形成具有高度表面平坦性的研磨表面的观点出发，水溶性有机化合物和复合氧化物粒子的重量比(水溶性有机化合物/复合氧化物粒子)优选为1/30以上，更优选为1/20以上，进一步优选为1/10以上。从进一步提高研磨速度的观点出发，上述重量比优选为15/1以下，更优选为12/1以下，进一步优选为10/1以下。因此，上述重量比优选为1/30～15/1，更优选为1/20～12/1，进一步优选为1/10～10/1。 
另外，对于含有DHEG作为水溶性有机化合物的研磨液组合物，从获得平坦性更优异的研磨表面的观点出发，研磨液组合物中含有的DHEG的含量优选为0.1～15重量％，更优选为0.2～10重量％，进一步优选为0.5～8重量％，再进一步优选为1.0～6重量％。 
在本实施方式的研磨液组合物中，从有效地抑制凹陷的发生的观点出发，DHEG和复合氧化物粒子的重量比(DHEG/复合氧化物粒子)优选为1/5以上，更优选为1/4以上，进一步优选为1/3以上。另外，从进一步提高研磨速度的观点出发，重量比(DHEG/复合氧化物粒子)优选为15/1以下，更优选为12/1以下，进一步优选为10/1以下。因此，上述重量比优选为1/5～15/1，更优选为1/4～12/1，进一步优选为1/3～10/1。 
作为本实施方式的研磨液组合物中含有的水系介质，可以与实施方式1的研磨液组合物中含有的水系介质相同。 
本实施方式的研磨液组合物中含有的分散剂的种类、含量、重均分子量等可以与(实施方式1)的研磨液组合物中含有的分散剂相同。 
在本实施方式的研磨液组合物中，在不妨碍本发明的效果的范围内，还可以进一步含有选自pH调节剂、防腐剂以及氧化剂中的至少1种任意成分。这些任意成分的具体例子可以与(实施方式1)中记载的相同。研磨液组合物在25℃下的优选的pH也与(实施方式1)中记载的研磨液组合物的pH相同。 
另外，上述说明的各个成分的含量是使用时的含量，本实施方式的研磨液组合物也可以以在不影响其稳定性的范围内以浓缩的状态保存及供给。这种情况从进一步降低制造、运输成本的方面来说是优选的。浓缩液根据需要用上述的水系介质适当稀释后使用即可。 
当本实施方式的研磨液组合物为上述浓缩液时，从进一步降低制造、运输成本的观点出发，复合氧化物粒子的含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，进一步优选为3重量％以上，再进一步优选为4重量％以上。另外，从进一步提高分散稳定性的观点出发，浓缩液中的复合氧化物粒子的含量优选为20重量％以下，更优选为15重量％以下，进一步优选为10重量％以下，再进一步优选为8重量％以下。因此，浓缩液中的复合氧化物粒子的含量优选为1～20重量％，更优选为2～15重量％，进一步优选为3～10重量％，再进一步优选为4～8重量％。 
当本实施方式的研磨液组合物为上述浓缩液时，从进一步降低制造、运输成本的观点出发，水溶性有机化合物的含量优选为0.08重量％以上，更优选为0.2重量％以上，进一步优选为0.5重量％以上，再进一步优选为1重量％以上。另外，从进一步提高分散稳定性的观点出发，浓缩液中的水溶性有机化合物的含量优选为40重量％以下，更优选为20重量％以下，进一步优选为15重量％以下，再进一步优选为12重量％以下。因此，浓缩液中的水溶性有机化合物的含量优选为0.08～40重量％，更优选为0.2～20重量％，进一步优选为0.5～15重量％，再进一步优选为1～12重量％。 
当含有DHEG作为低分子有机化合物的研磨液组合物为上述浓缩液时，从进一步降低制造、运输成本的观点出发，DHEG的含量优选为0.4重量％以上，更优选为1重量％以上，进一步优选为2重量％以上，再进一步优选为3重量％以上。另外，从进一步提高分散稳定性的观点出发，浓缩液中的DHEG的含量优选为40重量％以下，更优选为20重量％以下，进一步优选为15重量％以下，再进一步优选为12重量％以下。因此，浓缩液中的DHEG的含量优选为0.4～40重量％，更优选为1～20重量％，进一步优选为2～15重量％，再进一步优选为3～12重量％。 
当本实施方式的研磨液组合物为上述浓缩液时，从进一步降低制造、运输成本的观点出发，分散剂的含量优选为0.001重量％以上，更优选为0.003重量％以上，进一步优选为0.005重量％以上，再进一步优选为0.01重量％以上。另外，从进一步提高分散稳定性的观点出发，浓缩液中的分散剂的含量优选为1.0重量％以下，更优选为0.3重量％以下，进一步优选为0.2重量％以下，再进一步优选为0.1重量％以下。因此，浓缩液中的分散剂的含量优选为0.001～1.0重量％，更优选为0.003～0.3重量％，进一步优选为0.005～0.2重量％，再进一步优选为0.01～0.1重量％。 
以下说明本实施方式的研磨液组合物的制造方法的一个例子。 
本实施方式的研磨液组合物的制造方法的一个例子并没有任何限制，例如可以通过将复合氧化物粒子、分散剂、水溶性有机化合物(例如DHEG、聚丙烯酸铵等)、水系介质以及根据需要添加的任意成分进行混合来制备。 
这些各个成分的混合顺序没有特别的限制，可以将全部成分同时混合，也可以使复合氧化物粒子分散在预先溶解了分散剂的水系介质中来配制复合氧化物粒子料浆，然后在该料浆中加入含有水溶性有机化合物和剩余的水系介质的混合物。从充分防止复合氧化物粒子的凝集等的观点出发，优选为后者。 
复合氧化物粒子在水系介质中的分散例如可以使用高速搅拌机、匀浆机、超声波分散机、湿式球磨或珠粒磨等搅拌机等来进行。在水系介质中含有复合氧化物粒子凝集等形成的粗大粒子的情况下，优选通过离心分离或滤器过滤等除去该粗大粒子。优选在分散剂的存在下进行复合氧化物粒子在水系介质中的分散。 
以下说明使用本实施方式的半导体装置的制造方法。 
本实施方式的半导体基板的制造方法包含在半导体基板上的一个主面侧上形成薄膜的薄膜形成工序、在薄膜的与半导体基板侧的面相反的面上形成凹凸图案的凹凸面形成工序、以及使用本实施方式的研磨液组合物对凹凸面进行研磨的研磨工序。薄膜形成工序可以根据需要进行多次。 
另外，本实施方式的半导体基板的制造方法包含在半导体基板上的一个主面侧上形成具有凹凸面的薄膜的薄膜形成工序、和使用本实施方式的研磨液组合物对凹凸面进行研磨的研磨工序。薄膜形成工序可以根据需要进行多次。 
作为在薄膜形成工序中形成的薄膜，例如可以列举出绝缘层、金属层或半导体层等导体层。作为上述绝缘层中含有的材料，例如可以列举出氧化硅、 氮化硅或聚硅氧烷等。 
薄膜形成法可以根据构成薄膜的材料来适当选择，例如可以列举出CVD法、PVD法、涂布法或镀覆法等。 
凹凸面的形成方法可以列举出以往公知的平版印刷法等。使用平版印刷法，依次进行光致抗蚀剂的涂布、曝光、显影、蚀刻以及光致抗蚀剂的除去等。另外，凹凸面也可以对应于下层的凹凸来形成。 
凹凸表面的研磨可以如下进行：在凹凸表面和/或研磨垫表面供给本实施方式的研磨液组合物，例如使研磨垫与凹凸表面接触，向凹凸面施加规定的压力(负荷)，同时使具有凹凸面的薄膜和研磨垫中的至少一方进行相对运动，从而进行研磨。研磨处理可以使用以往公知的研磨装置来进行。 
研磨液组合物可以直接使用，若是浓缩液，可以稀释后使用。在稀释浓缩液时，其稀释倍数没有特别的限制，可以根据浓缩液中各个成分的浓度或研磨条件等来适当选定。 
作为稀释倍数的具体例子，优选为1.5倍以上，更优选为2倍以上，进一步优选为3倍以上，再进一步优选为4倍以上。优选为20倍以下，更优选为15倍以下，进一步优选为10倍以下，再进一步优选为8倍以下。因此，稀释倍数优选为1.5～20倍，更优选为2～15倍，进一步优选为3～10倍，再进一步优选为4～8倍。 
作为半导体基板的材料，例如可以列举出Si或Ge等元素半导体、GaAs、InP或CdS等化合物半导体、InGaAs、HgCdTe等混晶半导体等。 
作为更加适用本实施方式的研磨液组合物的薄膜的材质或材料，可以列举出铝、镍、钨、铜、钽或钛等金属；硅等半金属；以上述金属为主要成分的合金；玻璃、玻璃状碳或无定形碳等玻璃状物质；氧化铝、二氧化硅、氮化硅、氮化钽或氮化钛等陶瓷材料；聚酰亚胺树脂等树脂等作为构成半导体装置的材料而一直公知的材料。其中，从使利用本实施方式的研磨液组合物进行的研磨能良好地发挥作用的理由出发，薄膜优选含有硅，更优选含有选自氧化硅、氮化硅和聚硅氧烷中的至少1种，进一步优选含有氧化硅。作为氧化硅，可以列举出石英、玻璃、二氧化硅、四乙氧基硅烷(TEOS)等。在含有氧化硅的薄膜中也可以掺杂磷、硼等元素，作为这样的薄膜的具体例子，可以列举出BPSG(硼-磷-硅酸盐玻璃)膜、PSG(磷-硅酸盐玻璃)膜等。与 未掺杂元素的氧化硅膜相比，掺杂了元素的氧化硅膜更易于被研磨，因而，为了促进平坦化，有必要使研磨液组合物中含有更多量的水溶性有机化合物。但是，含有较多水溶性有机化合物的研磨液组合物存在复合氧化物粒子凝集、沉降的问题。作为含有DHEG作为水溶性有机化合物的本实施方式的研磨液组合物的一个例子，即使DHEG的含量例如为0.2～20重量％，复合氧化物粒子的凝集也能被充分抑制，分散稳定性极高。因此，该研磨液组合物的一个例子特别适用于BPSG膜、PSG膜等的研磨。 
从能够快速地研磨凸部、可以形成平坦性更高的研磨表面的观点出发，本实施方式的半导体装置的制造方法在凹凸表面的全部面由相同材料形成的情况下是有用的。 
相邻的凸部和凹部的高度差(H)(例如参照图4A)优选为50～2000nm，更优选为100～1500nm。“高度差(H)”是指从凸部的顶点到凹部的最低点之间的距离，可以用剖面测定装置(商品名HRP-100，KLA Tencor公司制造)来测定。 
研磨工序中使用的研磨垫的材质等没有特别的限制，可以使用以往公知的材质。作为研磨垫的材质，例如可以列举出无纺布、硬质发泡聚氨酯等有机高分子发泡体或无机发泡体等，其中优选硬质发泡聚氨酯。 
从进一步提高研磨速度的观点出发，研磨液组合物的供给速度优选相对于研磨对象表面每1cm2为0.01g/分钟以上，更优选为0.05g/分钟以上，进一步优选为0.1g/分钟以上。另外，从低成本化和废液处理的容易化的观点出发，研磨液组合物的供给速度优选相对于凹凸表面每1cm2为10g/分钟以下，更优选为5g/分钟以下，进一步优选为3g/分钟以下。因此，研磨液组合物的供给速度优选为相对于研磨对象表面每1cm2为0.01～10g/分钟，更优选为0.05～5g/分钟，进一步优选为0.1～3g/分钟。 
本实施方式的研磨液组合物并不限定于以全部成分预先混合的状态下供给至市场的单组分型，也可以是使用时混合的双组分型。双组分型的研磨液组合物中，上述水系介质分为第1水系介质和第2水系介质，研磨液组合物由含有复合氧化物粒子、分散剂和第1水系介质的水系介质组合物(I)和含有水溶性有机化合物和第2水系介质的水系介质组合物(II)构成。水系介质组合物(I)除了复合氧化物粒子、分散剂之外也可以含有一部分水溶性有机化合物。水系介质组合物(II)除了水溶性有机化合物之外也可以含有一部分复合氧化物粒子和一部分分散剂。当水溶性有机化合物为水溶性丙烯酸系聚合物时，从使用时易于混合的观点出发，优选水系介质组合物(I)中不含水溶性丙烯酸系聚合物，水系介质组合物(II)中不含复合氧化物粒子。 
水系介质组合物(I)和水系介质组合物(II)的混合可以在供给到凹凸表面之前进行，也可以分别供给后在凹凸表面上混合。与水系介质组合物(I)一起使用的、含有水溶性有机化合物和第2水系介质的水系介质组合物(II)(添加剂水溶液)在研磨进行过程中作为平坦化促进剂发挥作用。 
以下，说明双组分型研磨液组合物的一个例子的各个成分的含量等。在该例子中，水系介质组合物(I)不含有水溶性有机化合物，水系介质组合物(II)不含有复合氧化物粒子和分散剂。 
在上述双组分型的研磨液组合物中，各个成分的含量可以与将水系介质组合物(I)和水系介质组合物(II)混合时的单组分型研磨液组合物中各个成分的含量相同，但水系介质组合物(I)中的复合氧化物粒子的含量、水系介质组合物(I)中的分散剂的含量、水系介质组合物(II)中的水溶性有机化合物的含量例如优选为如下所述。 
从进一步提高研磨速度的观点出发，水系介质组合物(I)中的复合氧化物粒子的含量优选为0.1重量％以上，更优选为0.2重量％以上，进一步优选为0.4重量％以上，再进一步优选为0.5重量％以上。另外，从进一步提高分散稳定性和降低成本的观点出发，水系介质组合物(I)中的复合氧化物粒子的含量优选为8重量％以下，更优选为5重量％以下，进一步优选为4重量％以下，再进一步优选为3重量％以下。因此，复合氧化物粒子的含量优选为0.1～8重量％，更优选为0.2～5重量％，进一步优选为0.4～4重量％，再进一步优选为0.5～3重量％。 
从进一步提高分散稳定性的观点出发，水系介质组合物(I)中的分散剂的含量优选为0.0005重量％以上，更优选为0.001重量％以上，进一步优选为0.002重量％以上。另外，水系介质组合物(I)中的分散剂的含量优选为0.5重量％以下，更优选为0.1重量％以下，进一步优选为0.05重量％以下。因此，分散剂的含量优选为0.0005～0.5重量％，更优选为0.001～0.1重量％，进一步优选为0.002～0.05重量％。 
从获得平坦性优异的研磨表面的观点出发，水系介质组合物(II)(添加剂水溶液)中的水溶性有机化合物的含量优选为0.04～60重量％，更优选为0.1～50重量％，进一步优选为0.2～40重量％，再进一步优选为0.4～30重量％。 
另外，从溶液的供给精度的观点和获得均匀的混合液的观点出发，水系介质组合物(I)和水系介质组合物(II)(添加剂水溶液)的混合比(水系介质组合物(I)的重量/水系介质组合物(II)的重量)优选为1/2～50/1，更优选为2/1～40/1，进一步优选为5/1～30/1，再进一步优选为10/1～20/1。 
从进一步提高分散稳定性的观点出发，水系介质组合物(I)在25℃下的pH优选为2～11，更优选为3～10，进一步优选为4～10，再进一步优选为5～9。 
水系介质组合物(II)在25℃下优选的pH根据水溶性有机化合物的种类的不同而不同，但水系介质组合物(II)与水系介质组合物(I)混合后获得的研磨液组合物的pH按照达到上述的优选pH的方式来确定。例如，当水溶性有机化合物为DHEG或聚丙烯酸铵时，从进一步提高复合氧化物粒子的分散稳定性的观点出发，水系介质组合物(II)在25℃下的pH优选为3～8，更优选为4～7，进一步优选为4～6。 
无论研磨液组合物为单组分型或双组分型，从抑制负荷过大导致发生的对平坦化的不良影响和发生划痕的观点出发，装备有研磨垫的研磨装置设定的研磨负荷优选为100kPa以下，更优选为70kPa以下，进一步优选为50kPa以下。另外，从缩短研磨时间的观点出发，设定的研磨负荷优选为5kPa以上，更优选为10kPa以上。因此，设定的研磨负荷优选为5～100kPa，更优选为10～70kPa，进一步优选为10～50kPa。 
当研磨垫为旋转式时，研磨垫的转速优选为30～200rpm，更优选为45～150rpm，进一步优选为60～100rpm。另外，研磨对象物的转速优选为30～200rpm，更优选为45～150rpm，进一步优选为60～100rpm。 
上述研磨工序可以用于半导体装置的制造过程中所有的研磨。作为具体例子，例如可以列举出：(1)在形成埋入元件分离膜的工序中进行的研磨；(2)在使层间绝缘膜平坦化的工序中进行的研磨；(3)在形成埋入金属配线(例如金属镶嵌配线等)的工序中进行的研磨；(4)在形成埋入电容器的工序中 进行的研磨等。其中，本实施方式的半导体装置的制造方法中进行的研磨工序优选适用于(1)和(2)。 
本实施方式的半导体装置的制造方法还可以根据需要含有洗涤工序、热处理工序以及杂质扩散工序等。 
作为上述半导体装置，例如可以列举出存储IC(Integrated Circuit，集成电路)、逻辑IC和系统LSI(Large-Scale Integration，大规模集成)等。 
本实施方式的研磨液组合物可以在例如(实施方式1)中使用图1A～图1D说明的、半导体装置的制造过程中形成埋入元件分离膜的工序中研磨氧化膜3时使用。另外，本实施方式的研磨液组合物可以在例如(实施方式1)中使用图2A～图3B说明的、半导体装置的制造过程中使层间绝缘层平坦化的工序中研磨氧化膜21时使用。 
如上所述，根据本实施方式，可以提供以短时间的研磨就能形成具有高度表面平坦性的研磨表面的研磨液组合物、以及使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体装置的制造方法。 
实施例 
<研磨对象物> 
1.硬盘用铝硅酸盐制玻璃基板的基材 
准备硬盘用铝硅酸盐制玻璃基板的基材(以下简称为“玻璃基材”)。该玻璃基材预先使用含有氧化铈粒子作为研磨剂的研磨液组合物进行了研磨，其表面粗糙度为0.3nm(AFM-Ra)，厚度为0.635mm，外径为65mm，内径为20mm。 
2.合成石英晶片 
准备两个主面经研磨加工、直径为5.08cm(2英寸)、厚度为1.0mm的合成石英晶片(Optostar株式会社制造)。 
3.带有TEOS(四乙氧基硅烷)膜的硅晶片 
准备在直径为20.32cm(8英寸)的硅晶片上用平行平板型等离子体化学气相沉积法(p-CVD法)形成的厚度为2000nm的TEOS膜。 
4.带有热氧化膜的硅晶片 
准备在直径为20.32cm(8英寸)的硅晶片上形成的厚度为2000nm的二 氧化硅膜。二氧化硅膜可以通过将硅晶片放入氧化炉内暴露于氧气或蒸汽下、使硅晶片中的硅和氧发生反应来形成。 
5.带有HDP膜的硅晶片 
准备在直径为20.32cm(8英寸)的硅晶片上用高密度等离子体化学气相沉积成长法(HDP-CVD法)形成的厚度为1000nm的氧化硅膜。 
<研磨条件> 
1.玻璃基板或合成石英晶片的研磨 
研磨试验机：Musashino电子公司制造，MA-300单面研磨机，平台直径为300mm 
研磨垫：IC1000(硬质聚氨酯垫)和suba400(无纺布型垫)的层叠垫(NittaHaas株式会社制造)或NP025(麂皮绒型垫，Filwel株式会社制造) 
平台转速：90r/min 
托架转速：90r/min，强制驱动式 
研磨液组合物供给速度：50g/min(约1.5mL/min/cm2) 
研磨时间：15min 
研磨负荷：300g/cm2(用砝码施加的恒定负荷) 
修整(dress)条件：研磨前向刷子供给离子交换水1分钟，将刷子进行了修整。 
2.TEOS膜、热氧化膜或HDP膜的研磨 
研磨试验机：单面研磨机(型号：LP-541，Lapmaster SFT株式会社制造，平台直径为540mm) 
研磨垫：IC1000(硬质聚氨酯垫)和suba400(无纺布型垫)的层叠垫(NittaHaas株式会社制造) 
平台转速：100rpm 
垫转速：110rpm(旋转方向与平台相同) 
研磨时间：1min 
研磨负荷：30kPa(设定值) 
研磨液组合物供给量：200ml/min 
<评价方法> 
使用实施例1～20、比较例1～14的研磨液组合物(参照表1～表3)对 研磨对象物进行研磨后，用离子交换水流水洗涤，然后，在浸渍在离子交换水中的状态下进行超声波洗涤(100kHz，3min)，再用离子交换水流水洗涤，最后通过旋转干燥法使其干燥。 
(磨粒料浆的配制) 
(1)Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物A(Ce0.75Zr0.25O2粒子)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆(Ce0.75Zr0.25O2粒子：25重量％)。烧制物A是将未烧制Ce0.75Zr0.25O2粒子(商品名Actalys9320，Rhodia公司制造)在连续式烧制炉中、于1160℃下烧制6小时而获得的。另外，烧制物A也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物作为原料来获得。 
(2)CeO2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物CeO2粒子(Baikowski公司制造，纯度为99.9％)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为130nm的CeO2粒子料浆(CeO2粒子：40重量％)。另外，CeO2粒子也可以使用铈(IV)化合物为原料来获得。 
(3)Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物B(Ce0.87Zr0.13O2粒子)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆(Ce0.87Zr0.13O2粒子：25重量％)。上述烧制物B是将未烧制Ce0.87Zr0.13O2粒子(Rhodia公司制造)在连续式烧制炉中、于1100℃下烧制6小时而获得的。另外，烧制物B也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
(4)Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物C(Ce0.80Zr0.20O2粒子)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆(Ce0.80Zr0.20O2粒子：25重量％)。上述烧制物C是将未烧制Ce0.80Zr0.20O2粒子(商品名Actalys9315，Rhodia公司制造)在连续式烧制炉中、于1160℃下烧制6小时而获得的。另外，烧制物C也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
(5)Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物D(Ce0.62Zr0.38O2粒子)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆(Ce0.62Zr0.38O2粒子：25重量％)。上述烧制物D是将未烧制Ce0.62Zr0.38O2粒子(商品名Actalys9330，Rhodia公司制造)在连续式烧制炉中、于1240℃下烧制6小时而获得的。另外，烧制物D也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
(6)未烧制Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将未烧制Ce0.80Zr0.20O2粒子(商品名Actalys9315，Rhodia公司制造)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的未烧制Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆(Ce0.80Zr0.20O2粒子：25重量％)。另外，未烧制Ce0.80Zr0.20O2粒子也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
(7)未烧制Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将未烧制Ce0.62Zr0.38O2粒子(商品名Actalys9330，Rhodia公司制造)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的未烧制Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆(Ce0.62Zr0.38O2粒子：25重量％)。另外，未烧制Ce0.62Zr0.38O2粒子也可以使用铈(IV)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
(8)Ce0.74Zr0.26O2粒子料浆 
准备在添加了分散剂(聚丙烯酸铵，重均分子量为6000)的水中用珠粒磨将烧制物E(Ce0.74Zr0.26O2粒子)进行湿式粉碎而获得的、体积中值粒径为150nm的Ce0.74Zr0.26O2粒子料浆(Ce0.74Zr0.26O2粒子：25重量％)。另外，烧制物E可以使用铈(III)化合物和锆(IV)化合物为原料来获得。 
另外，Ce0.74Zr0.26O2粒子料浆的详细的配制方法如下所述。 
首先，在30L的反应容器中，将37.7重量％的硝酸铈(III)盐溶液4280g和54.8重量％的硝酸锆(IV)盐溶液1070g搅拌混合。获得的混合液的pH为1.26。然后，向上述混合液中加入10L的脱离子水。 
然后，在加入了脱离子水的上述混合液中以1.7L/hr的供给速度连续地加入3.8mol/L的氨水。当由此获得的混合液的pH达到7.2时，加入5.8mol/L 的过氧化氢水溶液1148ml，再连续地加入氨水以使pH稳定，从而获得氢氧化铈和氢氧化锆的共沉淀物。氨水的添加量共计2420ml，过氧化氢水溶液(5.8M)的添加量共计1148ml。 
然后，将共沉淀物用滤纸过滤之后，用脱离子水洗涤。将获得的洗涤物在1130℃下烧制2小时后，用60目的滤器从烧制物中除去粗大粒子。然后，将通过筛分除去了粗大粒子的烧制物E进行湿式粉碎，然后用过滤精度为2μm的褶皱滤纸过滤，从而获得Ce0.74Zr0.26O2粒子料浆。 
(研磨液组合物的配制) 
将如上所述配制而成的各个料浆、水和作为pH调节剂的硝酸混合，使磨粒、分散剂、水和pH调节剂的浓度分别达到表1～表3记载的浓度，从而获得研磨液组合物。 
表1 
Figure DEST_PATH_G2007800479599D00341
※IC1000和suba400的层叠垫 
表2 
Figure DEST_PATH_G2007800479599D00351
※IC1000和suba400的层叠垫 
表3 
Figure DEST_PATH_G2007800479599D00361
※IC1000和suba400的层叠垫 
将各个料浆20g在110℃的气氛内干燥12小时后，将获得的干燥物在研钵中粉碎，从而获得粉末X射线衍射用的样品。各个样品用粉末X射线衍射法进行分析而获得的结果如表4所示。粉末X射线衍射法的测定条件如下所述。 
(测定条件) 
装置：Rigaku株式会社制造，粉末X射线分析装置RINT2500VC 
X射线产生电压：40kV 
放射线：Cu-Kα1射线(λ＝0.154050nm) 
电流：120mA 
扫描速度：10度/min 
测定梯级：0.02度/min 
根据获得的粉末X射线衍射光谱，使用附属于粉末X射线衍射装置的粉末X射线衍射图案综合分析软件JADE(MDI公司)，计算出各个峰的顶点的高度、第1峰的半峰宽以及各个峰的面积。使用上述软件进行的计算处理是基于上述软件的操作说明书(Jade(Ver.5)软件、操作说明书Manual No.MJ13133E02，理学电机株式会社)进行的。 
当由氧化铈产生的峰和/或由氧化锆产生的峰作为由复合氧化物产生的峰的肩峰存在于光谱中时，例如可以用上述软件将峰分离，然后求出各个峰的顶点的高度、各个峰的面积。 
<研磨速度的计算方法> 
1.玻璃基材和合成石英晶片 
用研磨前后的研磨对象物的重量差(g)除以该研磨对象物的密度(玻璃基材为2.46g/cm3，合成石英晶片为2.20g/cm3)、该研磨对象物的研磨对象表面的面积(玻璃基材为30.04cm2，合成石英晶片为19.63cm2)以及研磨时间(min)，计算每单位时间的研磨量，从而计算出研磨速度(nm/min)。 
2.TEOS膜、热氧化膜以及HDP膜 
使用光干涉式膜厚计(商品名：VM-1000，大日本Screen制造株式会社制造)测定研磨前后的TEOS膜的厚度，根据这些值，如下计算研磨速度。热氧化膜或HDP膜的研磨速度也用相同方法计算。 
研磨速度(nm/min)＝(研磨前的膜的厚度)-(研磨后的膜的厚度) 
<划痕数量的评价方法> 
研磨对象物：带有热氧化膜的硅晶片 
准备在直径5cm(2英寸)的硅晶片上形成的、厚度为1000nm的二氧化硅膜。二氧化硅膜可以通过将硅晶片放入氧化炉内暴露于氧气或蒸汽下、使硅晶片中的硅与氧发生反应来形成。 
研磨条件 
研磨试验机：Musashino电子公司制造，MA-300单面研磨机，平台直径为300mm 
研磨垫：IC1000(硬质聚氨酯垫)和suba400(无纺布型垫)的层叠垫(NittaHaas株式会社制造) 
平台转速：90r/min 
托架转速：90r/min，强制驱动式 
研磨液组合物供给速度：50g/min(约1.5mL/min/cm2) 
研磨时间：1min 
研磨负荷：300g/cm2(用砝码施加的恒定负荷) 
修整条件：研磨前供给离子交换水1分钟，用金刚石环进行了修整。 
对使用各研磨液组合物依照上述研磨条件进行了研磨的上述研磨对象物，用下述的测定方法测定划痕数量(条)。n数设为3，观察到的各研磨对象物上的划痕数量(条)的平均值如表3所示。 
另外，划痕是指可以用MicroMax VMX-2100观察到的大约宽度为20nm以上、长度为50μm以上、深度为3nm以上的伤痕。 
[划痕数量的测定方法] 
测定仪器：VISION PSYTEC制造，MicroMax VMX-2100 
(MicroMax的测定条件) 
光源：2Sλ(250W)和3Pλ(250W)，光量均为100％ 
倾斜角：-9° 
倍率：最大(视野范围：被研磨的表面的总面积的1/35) 
观察区域：被研磨的面的总面积(2英寸热氧化膜晶片基板) 
光圈：凹槽(notch) 
表1～表3中示出了使用实施例1～20、比较例1～14的研磨液组合物进行的研磨的研磨速度。如表1～表3所示，将磨粒浓度相同的实施例和比较例之间进行比较，可以确认：无论研磨玻璃基材、合成石英晶片、TEOS膜、热氧化膜、HDP膜中的任意一种，与使用比较例的研磨液组合物进行研磨相比，使用实施例的研磨液组合物进行的研磨的研磨速度更快。 
另外，如表3和表4所示，可以确认：在使用研磨液组合物研磨热氧化膜时，与使用含有(峰a1的顶点高度/第1峰的顶点高度)×100和(峰a2的顶点高度/第1峰的顶点高度)×100中的至少一方超过6.0％的复合氧化物粒子的研磨液组合物时相比，使用含有(峰a1的顶点高度/第1峰的顶点高度)×100和(峰a2的顶点高度/第1峰的顶点高度)×100均为6.0％以下的复合氧化物粒子的研磨液组合物时，划痕数量能够大幅降低。 
(实施例21) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表5所示。首先，将DHEG(商品名Chelest GA，Chelest株式会社制造)与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，然后用10％氨水溶液调节至pH6.2，从而配制了研磨液组合物。 
(实施例22～24) 
使用Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆、Ce0.75Zr0.25O2粒料浆或者Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆来代替Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，除此以外与实施例21同样地配制研磨液组合物，使其组成如下述表5所示。 
(实施例25) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表5所示。首先，将EDTA·2NH4(株式会社同仁化学研究所制造)与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，然后用10％氨水溶液调节至pH6.2，从而配制了研磨液组合物。 
(实施例26) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表5所示。首先，将L-天冬氨酸(和工纯药工业株式会社制造)与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入10％氨水以溶解L-天冬氨酸，然后加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，然后用10％氨水调节至pH6.0，从而配制了研磨液组合物。 
(比较例15) 
使用CeO2粒子料浆来代替Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，并改变DHEG(商品名Chelest GA，Chelest株式会社制造)的含量，除此以外与实施例21同样地配制如下述表5所示的研磨液组合物。 
(参考例1) 
与实施例21同样地配制如下述表5所示组成的研磨液组合物。即，一边搅拌离子交换水，一边在该离子交换水中加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，然后用1％硝酸调整至pH6.2，从而配制了研磨液组合物。 
Figure DEST_PATH_G2007800479599D00411
(评价用样品) 
准备市售的CMP特性评价用晶片(商品名：STI MIT 864、直径为200mm)作为评价用样品。使用图4A～图4C和图5A～图5D说明该评价用样品。图4A和图5A～图5D分别为评价用样品的局部放大剖面图，图4B为评价用样品的俯视图，图4C为图4B的局部放大图。如图4A所示，评价用样品具有硅基板和配置在其上的厚度为150nm的氮化硅膜(以下称“Si3N4膜”)。Si3N4膜用CVD法形成。在该层叠体上形成有深度为500nm(150nm+350nm)的槽。在Si3N4膜上配制有厚度为600nm的氧化硅膜(以下称“HDP膜”)。HDP膜用HDP-CVD(高密度等离子体化学气相沉积法)形成。如图4B所示，该HDP膜的平面被分为61个区域(20mm×20mm)，各个区域又进一步被分割为25个小区域(4mm×4mm)(图4C)。在图4B中，涂黑的区域(以下称“中心”)是如后所述进行厚度测定的区域。图4C中的D20、D50、D90和D100的20、50、90和100分别表示俯视观察小区域时可见的凸部的总面积在小区域中所占的比例(凸部面密度)。各个小区域的局部放大剖面图分别如图5A～图5D所示。如这些图所示，在D20(图5A)上形成了凸部宽度为20μm、凹部宽度为80μm的线条凹凸图案，在D50(图5B)上形成了凸部宽度为50μm、凹部宽度为50μm的线条凹凸图案，在D90(图5C)上形成了凸部宽度为90μm、凹部宽度为10μm的线条凹凸图案。D100(图5D)整体由凸部构成，未形成凹凸图案。 
(研磨条件) 
研磨试验机：单面研磨机(型号：LP-541，Lapmaster SFT株式会社制造，平台直径为540mm) 
研磨垫：型号IC-1000/suba400(Nitta Haas株式会社制造) 
平台转速：100rpm 
垫转速：110rpm(旋转方向与平台相同) 
研磨负荷：30kPa(设定值) 
研磨液供给量：200mL/min(0.6g/(cm2·min)) 
使用表5所示的研磨液组合物，在上述研磨条件下研磨评价用样品。对研磨对象物进行研磨后，用离子交换水流水洗涤，然后在浸渍在离子交换水中的状态下进行超声波洗涤(100kHz，3min)。然后用离子交换水流水洗涤， 最后用旋转干燥法使其干燥。 
另外，利用转矩测量法来决定研磨的结束。这种方式是利用研磨对象表面和研磨垫之间的摩擦系数的变化来决定研磨的结束。实际上，并不是测定摩擦系数，而是利用配制研磨对象的平台的驱动电流值的变化来决定研磨的结束。在研磨初期，仅HDP膜与研磨垫接触，但到了研磨的最后阶段，氮化膜Si3N4露出，摩擦系数发生变化，因而平台的驱动电流值也发生变化。如果氮化膜Si3N4露出，则上述电流值饱和。以到达该饱和状态的时间点作为研磨的终点(EP)，再进行30秒的研磨后结束研磨(参照图7)。因此，研磨时间为(从开始研磨时至到达EP的时间+30)秒。图7中表示了平台驱动电流值随时间变化的一个例子。实施例21的研磨时间为72秒，实施例22的研磨时间为93秒，实施例23的研磨时间为105秒，实施例24的研磨时间为131秒，实施例25的研磨时间为85秒，实施例26的研磨时间为87秒，比较例15的研磨时间为150秒，参考例1的研磨时间为85秒。 
对研磨后的评价用样品，用光干涉式膜厚计(商品名：VM-1000，大日本Screen制造株式会社制造)测定中心处的残留膜厚。图6中表示了研磨后的评价用样品的概念图。如图6所示，测定的残留膜厚有3种，即凸部的HDP膜的膜厚(t1)，Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)。 
根据获得的测定结果，基于下述表7所示的判定基准进行平坦性的评价。评价结果如表6所示。表6中的记号(○和×)基于表7的判定基准。另外，表7和表6中的“阶梯高度”是指研磨后的凸部的膜厚和凹部的膜厚之差，可以使用上述凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)的值，根据下式计算得出(参照图6)。下述式中的厚度的单位均为“nm”。 
阶梯高度＝{Si3N4膜厚(凸部)×HDP膜厚(凸部)+350}-HDP膜厚(凹部)＝(t2+t1+350)-t3 
一般来说，凸部面密度越大(凹部面密度越小)则凸部的残留膜的厚度越厚，凸部面密度越小(凹部面密度越大)则凹部越容易被切削，越容易引起凹陷现象。因此，研磨是否充分进行的评价是根据D90和D100(无凹部)的测定结果进行的，而抑制凹陷的效果的评价是根据D20的测定结果进行的。 
表7 
Figure DEST_PATH_G2007800479599D00451
如表6所示，对于使用实施例21～26的研磨液组合物进行了研磨的评价用样品，在全部的区域中，凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、阶梯高度均满足表7所示的判定基准○。因此，可以确认使用实施例21～26的研磨液组合物进行的研磨能够抑制凹陷的发生，研磨也能充分进行，能够获得研磨表面平坦性高的研磨表面。另外，与使用比较例15的研磨液组合物的情况相比，研磨时间也短。 
对于使用比较例15的研磨液组合物进行了研磨的评价用样品，在全部的区域中，凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、阶梯高度均满足表7所示的判定基准○。但是，与使用实施例21和参考例1的研磨液组合物的情况相比，使用比较例15的研磨液组合物进行的研磨的研磨时间长。 
使用参考例1的研磨液组合物时，虽然与使用实施例22、23、24、26的研磨液组合物时相比，研磨时间更短，但在大部分的区域中发生了过剩研磨引起的凹陷，研磨表面的平坦性存在问题。 
根据以上结果可以确认，若使用含有包含铈和锆的规定的复合氧化物粒子、分散剂、水溶性有机化合物和水系介质的研磨液组合物来进行凹凸表面的研磨，则可以在短时间内形成平坦性优异的研磨表面。 
(实施例27) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表8所示。首先，将聚丙烯酸铵(中和度为65摩尔％，重均分子量为6000)的30重量％水溶液与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，再用10％氨水溶液调节至pH6.2，从而配制了研磨液组合物。 
(实施例28～30) 
使用Ce0.80Zr0.20O2粒子料浆、Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆或者Ce0.62Zr0.38O2粒子料浆来代替Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，除此以外与实施例27同样地配制研磨液组合物，使其组成如下述表8所示。 
(实施例31) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表8所示。首先，将聚丙烯酸铵(中和度为20摩尔％，重均分子量为2000)的40重量％水溶液与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，再用10％氨水溶液调节至pH5.0，从而配制了研磨液组合物。 
(实施例32) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表8所示。首先，将丙烯酸和AMPS(2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸)的共聚物的钠盐的43重量％水溶液(商品名Aron A-6017，东亚合成株式会社制造，重均分子量为6000)与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，再用1％硝酸调节至pH6.5，从而配制了研磨液组合物。 
(实施例33) 
如下所示配制研磨液组合物，使其组成如下述表8所示。首先，将丙烯酸和马来酸的共聚物的铵盐(中和度为90摩尔％，重均分子量为6000)与离子交换水混合。一边搅拌该混合液，一边向获得的混合液中加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，再用1％硝酸调节至pH6.0，从而配制了研磨液组合物。 
(比较例16) 
使用CeO2粒子料浆来代替Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，除此以外与实施例27同样地配制如下述表8所示组成的研磨液组合物。 
(参考例2) 
与实施例27同样地配制如下述表8所示组成的研磨液组合物。即，一边搅拌离子交换水，一边在该离子交换水中加入Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，再用1％硝酸调整至pH6.2，从而配制了研磨液组合物。 
(比较例17) 
使用CeO2粒子料浆来代替Ce0.75Zr0.25O2粒子料浆，并改变水溶性丙烯酸系聚合物的含量，除此以外与实施例31同样地配制如下述表8所示组成的研磨液组合物。 
(比较例18) 
使用CeO2粒子料浆来代替Ce0.87Zr0.13O2粒子料浆，并改变复合氧化物粒子和水溶性丙烯酸系聚合物的含量，除此以外与实施例32同样地配制如下述表8所示组成的研磨液组合物。 
(评价用样品) 
准备在实施例21～26、比较例15、参考例1的评价中使用的市售的CMP特性评价用晶片(商品名：STI MIT 864，直径为200mm)作为评价用样品。 
(研磨条件) 
研磨条件与实施例21～26、比较例15、参考例1的评价时的研磨条件相同。研磨的结束利用转矩测量法来决定。 
研磨后的评价样品的洗涤、干燥也与实施例21～26、比较例15、参考例1的评价时同样地进行。 
实施例27的研磨时间为78秒，实施例28的研磨时间为76秒，实施例29的研磨时间为82秒，实施例30的研磨时间为90秒，实施例31的研磨时间为72秒，实施例32的研磨时间为93秒，实施例33的研磨时间为99秒，比较例16的研磨时间为102秒，参考例2的研磨时间为85秒，比较例17的研磨时间为105秒，比较例18的研磨时间为128秒。 
对研磨后的评价用样品，用光干涉式膜厚计(商品名：VM-1000，大日本Screen制造株式会社制造)测定中心处的残留膜厚。图6中表示了研磨后的评价用样品的概念图。如图6所示，测定的残留膜厚有3种，即凸部的HDP膜的膜厚(t1)，Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)。 
根据获得的测定结果，基于下述表7所示的判定基准来进行平坦性的评价。评价结果如表9所示。另外，表9中的记号(○和×)基于表7的判定基准。 
如上述表9所示，对于使用实施例27～33的研磨液组合物进行了研磨的评价用样品，在全部的区域中，凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、阶梯高度均满足表7所示的判定基准○。因此，可以确认：使用实施例27～33的研磨液组合物进行的研磨能够抑制凹陷的发生，研磨也能充分进行，能够获得研磨表面的平坦性高的研磨表面。另外，与使用比较例16、17、18的研磨液组合物的情况相比，研磨时间更短。 
对于使用比较例16的研磨液组合物进行了研磨的评价用样品，除了D20凸部的Si3N4膜的膜厚(t2)以外，凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、阶梯高度均满足上述表7所示的判定基准○。使用比较例17、18的研磨液组合物进行了研磨的评价用样品，在全部的区域中，凸部的HDP膜的膜厚(t1)和Si3N4膜的膜厚(t2)、凹部的HDP膜的膜厚(t3)、阶梯高度均满足上述表7所示的判定基准○。但是，与使用实施例27～33和参考例2的研磨液组合物的情况相比，使用比较例16、17、18的研磨液组合物进行的研磨的研磨时间长。 
使用参考例2的研磨液组合物时，与使用实施例30、32、33的研磨液组合物时相比，研磨时间更短。但是，如上述表8所示，在大部分的区域中发生了过剩研磨引起的凹陷，研磨表面的平坦性存在问题。 
根据以上结果可以确认，若使用含有包含铈和锆的规定的复合氧化物粒子、分散剂、水溶性丙烯酸系聚合物和水系介质的研磨液组合物进行凹凸表面的研磨，则可以在短时间内形成平坦性优异的研磨表面。 
若使用一例本实施方式的研磨液组合物进行研磨，能够以更高的速度对研磨对象物进行研磨，并能减少划痕，因而本实施方式的研磨液组合物适用于构成半导体装置的氧化膜(例如氧化硅膜)、铝硅酸盐玻璃基板等化学强化玻璃基板的基材、玻璃陶瓷基板等结晶化玻璃基板的基材、作为光掩模用基板和步进曝光装置用透镜材料等使用的合成石英玻璃基板的基材、或者液晶显示面板的玻璃面等的研磨。 
若使用一例本发明的研磨液组合物进行研磨，可以在短时间内形成平坦性优异的研磨表面。因此，本发明的研磨液组合物作为在各种半导体装置的制造过程中使用的研磨液组合物是有用的，尤其在IC和LSI的制造中有用。 

Claims (11)

1.一种研磨液组合物，其含有包含铈和锆的复合氧化物粒子、分散剂和水系介质，其中，在通过照射λ为0.154050nm的CuKα1射线而获得的所述复合氧化物粒子的粉末X射线衍射光谱中，分别存在下述峰：
顶点在衍射角2θ为28.61～29.67°的范围内的第1峰；
顶点在衍射角2θ为33.14～34.53°的范围内的第2峰；
顶点在衍射角2θ为47.57～49.63°的范围内的第3峰；以及，
顶点在衍射角2θ为56.45～58.91°的范围内的第4峰，
其中，所述θ为布拉格角，所述第1峰的半峰宽为0.8°以下，
在所述粉末X射线衍射光谱中，当存在由氧化铈产生的峰a1和由氧化锆产生的峰a2中的至少一个峰时，所述峰a1、a2的顶点的高度为所述第1峰的顶点高度的6.0％以下；
并且，所述峰a1的顶点存在于衍射角2θ为28.40～28.59°的范围内，所述峰a2的顶点存在于衍射角2θ为29.69～31.60°的范围内；
所述研磨液组合物进一步含有水溶性有机化合物，
所述水溶性有机化合物含有两性离子型的水溶性的分子量为1000以下的有机化合物。
2.根据权利要求1所述研磨液组合物，其中，所述两性离子型的水溶性的分子量为1000以下的有机化合物是选自二羟乙基甘氨酸、乙二胺四乙酸、三乙酸胺、β-丙氨酸二乙酸、α-丙氨酸二乙酸、天冬氨酸二乙酸、乙二胺二琥珀酸、羟乙基亚氨基二乙酸、天冬氨酸、丝氨酸、及半胱氨酸中的至少一种。
3.根据权利要求1中记载的研磨液组合物，其中，
所述第2峰的面积为所述第1峰的面积的10～50％；
所述第3峰的面积为所述第1峰的面积的35～75％；
所述第4峰的面积为所述第1峰的面积的20～65％。
4.根据权利要求1～3的任意一项记载的研磨液组合物，其中，所述复合氧化物粒子的体积中值粒径为30～1000nm。
5.根据权利要求1记载的研磨液组合物，其中，在所述研磨液组合物总量中，所述复合氧化物粒子的含量为0.1～8重量％，所述分散剂的含量为0.0005～0.5重量％，所述水溶性有机化合物的含量为0.02～15重量％。
6.根据权利要求1记载的研磨液组合物，其中，在所述研磨液组合物总量中，所述复合氧化物粒子的含量为1～20重量％，所述分散剂的含量为0.001～1.0重量％，所述水溶性有机化合物的含量为0.08～40重量％。
7.根据权利要求1记载的研磨液组合物，其中，
所述水系介质含有第1水系介质和第2水系介质，
所述研磨液组合物为含有水系介质组合物(I)和水系介质组合物(II)的双组分型研磨液组合物，所述水系介质组合物(I)含有所述复合氧化物粒子、所述分散剂和所述第1水系介质，所述水系介质组合物(II)含有所述水溶性有机化合物和所述第2水系介质。
8.一种添加剂水溶液，其与构成权利要求7中记载的研磨液组合物的所述水系介质组合物(I)一起使用，该添加剂水溶液含有所述水溶性有机化合物和所述第2水系介质。
9.一种研磨方法，其包含研磨工序，在该研磨工序中，将权利要求1～7的任意一项记载的研磨液组合物供给至研磨对象物和研磨垫之间，在所述研磨对象物与所述研磨垫相接触的状态下，使所述研磨垫相对于所述研磨对象物进行相对运动，从而对所述研磨对象物进行研磨。
10.一种玻璃基板的制造方法，其包含研磨工序，在该研磨工序中，使用权利要求1～7的任意一项记载的研磨液组合物对玻璃基板的基材的两个主面中的至少一个主面进行研磨。
11.一种半导体装置的制造方法，其包含：在半导体基板上的一个主面侧上形成薄膜的薄膜形成工序；和使用权利要求1～7的任意一项记载的研磨液组合物对所述薄膜进行研磨的研磨工序。
CN2007800479599A 2006-12-28 2007-12-28 研磨液组合物 Expired - Fee Related CN101568615B (zh)

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP356517/2006 2006-12-28
JP2006356517 2006-12-28
JP2007099866 2007-04-05
JP099866/2007 2007-04-05
JP113445/2007 2007-04-23
JP2007113445 2007-04-23
JP139661/2007 2007-05-25
JP2007139661 2007-05-25
JP2007141356 2007-05-29
JP141356/2007 2007-05-29
JP2007324025A JP5248096B2 (ja) 2006-12-28 2007-12-14 研磨液組成物
JP324025/2007 2007-12-14
PCT/JP2007/075309 WO2008081943A1 (ja) 2006-12-28 2007-12-28 研磨液組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101568615A CN101568615A (zh) 2009-10-28
CN101568615B true CN101568615B (zh) 2013-02-06

Family

ID=41036787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800479599A Expired - Fee Related CN101568615B (zh) 2006-12-28 2007-12-28 研磨液组合物

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8357311B2 (zh)
EP (1) EP2107093B1 (zh)
KR (1) KR101388956B1 (zh)
CN (1) CN101568615B (zh)
TW (1) TWI441905B (zh)
WO (1) WO2008081943A1 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5403957B2 (ja) * 2008-07-01 2014-01-29 花王株式会社 研磨液組成物
JP5403956B2 (ja) * 2008-07-01 2014-01-29 花王株式会社 研磨液組成物
FR2936169B1 (fr) * 2008-09-24 2011-05-13 Univ Paris Curie Composition catalytique pour le traitement des gaz de combustion du charbon, son procede de preparation, systeme catalytique la comprenant et utilisation
JP5402391B2 (ja) * 2009-01-27 2014-01-29 信越化学工業株式会社 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法
WO2011017154A2 (en) * 2009-07-28 2011-02-10 Sunsonix, Inc. Silicon wafer sawing fluid and process for the use thereof
US8815110B2 (en) * 2009-09-16 2014-08-26 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing bulk silicon
JP5715472B2 (ja) * 2010-04-20 2015-05-07 花王株式会社 アルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物
CN102956450B (zh) * 2011-08-16 2015-03-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种制作半导体器件的方法
SG188775A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-30 Hoya Corp Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk, magnetic disk, and magnetic data recording/reproducing device
JP5907081B2 (ja) * 2012-02-02 2016-04-20 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
CN102778767B (zh) * 2012-06-29 2014-11-12 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶面板修复方法
US8821215B2 (en) * 2012-09-07 2014-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Polypyrrolidone polishing composition and method
JP6156207B2 (ja) 2013-04-02 2017-07-05 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板の製造方法
SG11201601158VA (en) 2013-08-30 2016-03-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
CN103509472A (zh) * 2013-10-25 2014-01-15 上海华明高纳稀土新材料有限公司 铈基混合稀土抛光粉及其制备方法
JP6130316B2 (ja) * 2014-03-11 2017-05-17 信越化学工業株式会社 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法
TWI662116B (zh) * 2014-05-30 2019-06-11 日商日立化成股份有限公司 Ｃｍｐ用研磨液、ｃｍｐ用研磨液套組及研磨方法
JP6268069B2 (ja) * 2014-09-12 2018-01-24 信越化学工業株式会社 研磨組成物及び研磨方法
CN105778774A (zh) * 2014-12-23 2016-07-20 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
JP2018508568A (ja) 2015-01-20 2018-03-29 セリオン，リミティド ライアビリティ カンパニー カタラーゼ様活性を有するｅｄｄｓでキレート化されたナノセリア
JP6533439B2 (ja) * 2015-09-15 2019-06-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9293339B1 (en) * 2015-09-24 2016-03-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of polishing semiconductor substrate
KR102509260B1 (ko) * 2015-11-20 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 실리콘 연마 슬러리, 다결정 실리콘의 연마방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
US10580666B2 (en) * 2016-07-01 2020-03-03 Corning Incorporated Carrier substrates for semiconductor processing
JP6827318B2 (ja) * 2016-12-28 2021-02-10 花王株式会社 酸化セリウム砥粒
JP6761339B2 (ja) * 2016-12-28 2020-09-23 花王株式会社 酸化セリウム砥粒
EP3632848A4 (en) * 2017-06-01 2021-03-31 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. DISPERSION OF COMPOSITE FINE PARTICLES BASED ON CERIUM OXIDE, ITS PRODUCTION PROCESS, AND DISPERSION OF ABRASIVE POLISHING GRAINS INCLUDING A DISPERSION OF COMPOSITE FINE PARTICLES BASED ON CERIUM OXIDE
CN109251677B (zh) * 2017-07-13 2021-08-13 安集微电子科技（上海）股份有限公司 一种化学机械抛光液
WO2019043819A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
JP7028592B2 (ja) * 2017-09-19 2022-03-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法、および半導体基板の製造方法
CN107629701B (zh) * 2017-11-02 2021-04-13 东旭光电科技股份有限公司 抛光液及其制备方法
KR102431416B1 (ko) * 2017-11-15 2022-08-12 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 재료 제거 작업을 수행하기 위한 조성물 및 이를 형성하기 위한 방법
US11426818B2 (en) 2018-08-10 2022-08-30 The Research Foundation for the State University Additive manufacturing processes and additively manufactured products

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001351882A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Toray Ind Inc 研磨剤
EP1378489A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-07 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich Metal oxides prepared by flame spray pyrolysis
JP2004155913A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Yushiro Chem Ind Co Ltd 研磨用砥粒及びその製造方法並びに研磨剤
WO2006030120A1 (fr) * 2004-09-15 2006-03-23 Rhodia Chimie Procede de fabrication d'un filtre a particules catalyse et filtre ainsi obtenu
EP1707534A1 (en) * 2004-01-21 2006-10-04 Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd Oxide solid solution powder

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2699524B1 (fr) 1992-12-21 1995-02-10 Rhone Poulenc Chimie Composition à base d'un oxyde mixte de cérium et de zirconium, préparation et utilisation.
FR2736343B1 (fr) 1995-07-03 1997-09-19 Rhone Poulenc Chimie Composition a base d'oxyde de zirconium et d'oxyde de cerium, procede de preparation et utilisation
US5958827A (en) 1995-12-07 1999-09-28 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Solid solution particle of oxides, a process for producing the same and a catalyst for purifying exhaust gases
JP3341973B2 (ja) 1995-12-07 2002-11-05 株式会社豊田中央研究所 酸化物固溶体粒子及びその製造方法
JPH10237425A (ja) * 1997-02-24 1998-09-08 Toray Ind Inc 研磨材
JP3338669B2 (ja) 1999-08-03 2002-10-28 株式会社コスメック データム機能付きクランプ装置
JP2001348564A (ja) 2000-06-06 2001-12-18 Toray Ind Inc 研磨剤
JP2001348563A (ja) 2000-06-06 2001-12-18 Toray Ind Inc 研磨剤
JP2001351883A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Toray Ind Inc 半導体絶縁膜層用研磨剤
JP2002097459A (ja) 2000-09-25 2002-04-02 Toray Ind Inc 研磨剤
JP3999557B2 (ja) * 2002-04-30 2007-10-31 株式会社日本触媒 炭化水素の部分酸化用触媒及び該触媒を用いた水素含有ガスの製造方法
JP4062977B2 (ja) 2002-06-04 2008-03-19 日立化成工業株式会社 研磨剤及び基板の研磨方法
AU2003281655A1 (en) 2002-07-22 2004-02-09 Asahi Glass Company, Limited Semiconductor abrasive, process for producing the same and method of polishing
JP2005158867A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体を調製するためのセット
US20060083694A1 (en) * 2004-08-07 2006-04-20 Cabot Corporation Multi-component particles comprising inorganic nanoparticles distributed in an organic matrix and processes for making and using same
US7497935B2 (en) * 2004-08-27 2009-03-03 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrodepositable coating compositions and methods related thereto
JP4027929B2 (ja) 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
JP2006173411A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Kao Corp 半導体基板用研磨液組成物
EP1879223A4 (en) 2005-05-06 2009-07-22 Asahi Glass Co Ltd COPPER WIRING POLISHING COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SURFACE POLISHING METHOD

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001351882A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Toray Ind Inc 研磨剤
EP1378489A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-07 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich Metal oxides prepared by flame spray pyrolysis
JP2004155913A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Yushiro Chem Ind Co Ltd 研磨用砥粒及びその製造方法並びに研磨剤
EP1707534A1 (en) * 2004-01-21 2006-10-04 Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd Oxide solid solution powder
WO2006030120A1 (fr) * 2004-09-15 2006-03-23 Rhodia Chimie Procede de fabrication d'un filtre a particules catalyse et filtre ainsi obtenu

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-348563A 2001.12.18
JP特开平9-221304A 1997.08.26

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008081943A1 (ja) 2008-07-10
US20100056026A1 (en) 2010-03-04
US8357311B2 (en) 2013-01-22
US20130109194A1 (en) 2013-05-02
EP2107093A1 (en) 2009-10-07
CN101568615A (zh) 2009-10-28
KR101388956B1 (ko) 2014-04-24
TW200900489A (en) 2009-01-01
KR20090091761A (ko) 2009-08-28
US8617994B2 (en) 2013-12-31
EP2107093B1 (en) 2013-02-13
TWI441905B (zh) 2014-06-21
EP2107093A4 (en) 2011-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101568615B (zh) 研磨液组合物
JP5403957B2 (ja) 研磨液組成物
CN101542690B (zh) 化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法
JP5965906B2 (ja) 水性研磨組成物、及び酸化ケイ素誘電体膜とポリシリコン膜を含む基板の化学機械的な研磨方法
JP7209620B2 (ja) 研磨用組成物、その製造方法ならびにこれを用いた研磨方法および基板の製造方法
CN106795422B (zh) 化学机械抛光研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法
KR20070041330A (ko) 반도체 기판용 연마액 조성물
CN106459732B (zh) Cmp研磨剂及其制造方法、以及基板的研磨方法
JP4027929B2 (ja) 半導体基板用研磨液組成物
JP5403956B2 (ja) 研磨液組成物
TW201943810A (zh) 研磨用組成物
JP5403909B2 (ja) 研磨液組成物
KR101406757B1 (ko) 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
KR101406760B1 (ko) 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
JP2001007059A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
KR101388106B1 (ko) 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
JP2006173411A (ja) 半導体基板用研磨液組成物
KR101406759B1 (ko) 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
JP5288697B2 (ja) 半導体基板用研磨液組成物
JP2003064351A (ja) Ｃｍｐ研磨液
Banerjee Chemical Mechanical Polishing 10
JP2002212545A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法
JP2007227943A (ja) 半導体基板用研磨液組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130206

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee