KR20140086876A - 세라믹 전자부품의 제조방법 및 세라믹 전자부품 - Google Patents
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Abstract
내부전극간의 단락이 발생하기 어려운 세라믹 전자부품의 제조방법을 제공한다.
소성 전의 세라믹 소체(23)의 제1 및 제2 측면(24c, 24d) 각각의 위에 세라믹 입자를 포함하면서, 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 총량이 세라믹부보다도 많은 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)을 형성한다. 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)이 마련된 소성 전의 세라믹 소체(23)를 소성함으로써 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)이 마련된 소성 전의 세라믹 소체(23)가 소성되어 이루어지는 전자부품 본체(10)를 가지는 세라믹 전자부품(1)을 얻는다.
소성 전의 세라믹 소체(23)의 제1 및 제2 측면(24c, 24d) 각각의 위에 세라믹 입자를 포함하면서, 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 총량이 세라믹부보다도 많은 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)을 형성한다. 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)이 마련된 소성 전의 세라믹 소체(23)를 소성함으로써 소성 전의 세라믹층(29a, 29b)이 마련된 소성 전의 세라믹 소체(23)가 소성되어 이루어지는 전자부품 본체(10)를 가지는 세라믹 전자부품(1)을 얻는다.
Description
본 발명은 세라믹 전자부품의 제조방법 및 세라믹 전자부품에 관한 것이다.
최근, 휴대전화나 휴대 음악 플레이어 등의 전자기기의 소형화가 진행됨에 따라서 전자기기에 탑재되는 적층 세라믹 콘덴서 등의 세라믹 전자부품의 대용량화 및 소형화가 급속히 진행되고 있다.
적층 세라믹 콘덴서를 대용량화하기 위해서는 내부전극의 대향부의 면적을 크게 하는 것이 유효하다. 그러나 내부전극의 대향부의 면적을 극대화하면 그에 따라서 적층 세라믹 콘덴서의 치수가 커진다. 따라서 소형화와 대용량화를 양립시키기 위해서는 내부전극의 대향부의 면적을 극대화하고 그 이외의 면적을 극소화할 필요가 있다. 이렇게 내부전극의 대향부의 면적을 극대화하고 그 이외의 부분을 극소화하는 적층 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있는 방법으로서, 예를 들면 특허문헌 1에는 제1 및 제2 내부전극의 각각이 제1 및 제2 측면에 노출된 세라믹 소체를 제작한 후에, 그 세라믹 소체의 각 측면 위에 세라믹층을 형성하는 방법이 기재되어 있다.
그러나 특허문헌 1에 기재된 방법에서는 측면에 노출된 내부전극간의 단락(短絡)이 발생하기 쉽다는 문제가 있다.
본 발명의 주된 목적은 내부전극간의 단락이 발생하기 어려운 세라믹 전자부품의 제조방법 및 세라믹 전자부품을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 제조방법에서는 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 주면(主面)과, 길이방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 측면과, 폭방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 단면(端面)을 가지고, 제1 단면 그리고 제1 및 제2 측면에 노출된 제1 내부전극과, 세라믹 입자 및 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분을 포함하는 세라믹부를 통해서 제1 내부전극과 두께방향에서 대향하고 있고, 제2 단면 그리고 제1 및 제2 측면에 노출된 제2 내부전극을 가지는 소성 전의 세라믹 소체를 준비한다. 소성 전의 세라믹 소체의 제1 및 제2 측면 각각의 위에 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 성분의 총량이 상기 세라믹부 중보다도 많은 소성 전의 세라믹층을 형성한다. 소성 전의 세라믹층이 마련된 소성 전의 세라믹 소체를 소성함으로써 소성 전의 세라믹층이 마련된 소성 전의 세라믹 소체가 소성되어서 이루어지는 전자부품 본체를 가지는 세라믹 전자부품을 얻는다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 제조방법의 어느 특정한 국면에서는 상기 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분이 희토류이다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 제조방법의 다른 특정한 국면에서는, 세라믹 입자간에 존재하는 성분은 Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 및 희토류원소를 함유하는 화합물 내의 적어도 1종으로 이루어진다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 제조방법의 다른 특정한 국면에서는 세라믹 그린 시트를 첨부함으로써 소성 전의 세라믹층을 형성한다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 제조방법의 또 다른 특정한 국면에서는 세라믹 페이스트를 도포함으로써 소성 전의 세라믹층을 형성한다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품은 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 주면과, 길이방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 측면과, 폭방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 단면을 가지고, 세라믹 입자와, 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분을 포함하는 세라믹 소체와, 세라믹 소체 내에서 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장되도록 마련되어 있으며, 제1 단면에 노출된 제1 내부전극과, 세라믹 소체 내에서 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하고, 두께방향에서 세라믹부를 통해서 제1 내부전극과 대향하도록 마련되어 있으며, 제2 단면에 노출된 제2 내부전극을 포함한다. 제1 내부전극과 제2 내부전극의 사이에 위치하는 세라믹부의 폭방향의 단부(端部)에 존재하는 세라믹 입자간에 존재하는 성분에 포함되는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이, 세라믹 소체의 폭방향의 중앙부에서의 세라믹 입자간에 존재하는 화합물에 포함되는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량보다도 많다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 어느 특정한 국면에서는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이 세라믹층의 외측에서 세라믹 소체의 중앙측을 향하여 점감하고 있다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 다른 특정한 국면에서는 상기 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분이 희토류이다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 다른 특정한 국면에서는 제1 내부전극의 폭방향에서의 단부의 위치와, 제2 내부전극의 폭방향에서의 단부의 위치가 폭방향에서 가지런히 되어있다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 다른 특정한 국면에서는 세라믹 소체의 세라믹 입자가 Ba와 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물 또는 Ba, Ti, Ca를 포함하는 페로브스카이트형 화합물이다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분은 Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 및 희토류원소를 함유하는 화합물 내의 적어도 1종으로 이루어진다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 제1 측면과, 제1 및 제2 내부전극이 마련되어 있는 영역의 폭방향에서의 제1 측면측 단부 사이의 거리가 2㎛~30㎛의 범위 내에 있고, 제2 측면과, 제1 및 제2 내부전극이 마련되어 있는 영역의 폭방향에서의 제2 측면측 단부 사이의 거리가 2㎛~30㎛의 범위 내에 있다.
본 발명에 따른 세라믹 전자부품의 또 다른 특정한 국면에서는 세라믹부의 두께가 0.4㎛~0.8㎛의 범위 내에 있다.
본 발명에 따르면 내부전극간의 단락이 발생하기 어려운 세라믹 전자부품의 제조방법 및 세라믹 전자부품을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에서의 적층 세라믹 전자부품의 약도적 사시도이다.
도 2는 도 1에서의 II-II선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 3은 도 1에서의 III-III선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 4는 도 3에서의 IV-IV선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 5는 도 3에서의 V-V선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 6은 도전성 페이스트가 인쇄된 세라믹 그린 시트의 모식적 평면도이다.
도 7은 세라믹 그린 시트 적층체의 모식적 분해측면도이다.
도 8은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다.
도 9는 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다.
도 10은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다.
도 11은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다.
도 2는 도 1에서의 II-II선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 3은 도 1에서의 III-III선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 4는 도 3에서의 IV-IV선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 5는 도 3에서의 V-V선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
도 6은 도전성 페이스트가 인쇄된 세라믹 그린 시트의 모식적 평면도이다.
도 7은 세라믹 그린 시트 적층체의 모식적 분해측면도이다.
도 8은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다.
도 9는 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다.
도 10은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다.
도 11은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다.
이하, 본 발명을 실시한 바람직한 형태의 일례에 대해서 설명한다. 단, 하기의 실시형태는 단순한 예시이다. 본 발명은 하기 실시형태에 아무런 한정되지 않는다.
또 실시형태 등에 있어서 참조하는 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능을 가지는 부재는 동일한 부호로 참조하는 것으로 한다. 또 실시형태 등에 있어서 참조하는 도면은 모식적으로 기재된 것이며, 도면에 묘화된 물체의 치수의 비율 등은 현실의 물체 치수의 비율 등과는 다른 경우가 있다. 도면 상호간에 있어서도 물체의 치수 비율 등이 다른 경우가 있다. 구체적인 물체의 치수 비율 등은 이하의 설명을 참작하여 판단되어야 한다.
(제1 실시형태)
(적층 세라믹 전자부품(1)의 구성)
도 1은 제1 실시형태에서의 적층 세라믹 전자부품의 약도적 사시도이다. 도 2는 도 1에서의 II-II선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다. 도 3은 도 1에서의 III-III선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다. 도 4는 도 3에서의 IV-IV선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다. 도 5는 도 3에서의 V-V선에서 잘라낸 부분의 약도적 단면도이다.
먼저 도 1~도 5를 참조하면서 본 실시형태에서 제조하는 적층 세라믹 전자부품(1)의 구성에 대해서 설명한다.
도 1~3에 도시하는 바와 같이 적층 세라믹 전자부품(1)은 직방체형상의 세라믹 소체(10)를 구비하고 있다. 세라믹 소체(10)는 제1 및 제2 주면(10a, 10b)과, 제1 및 제2 측면(10c, 10d)(도 3 및 도 4를 참조)과, 제1 및 제2 단면(10e, 10f)(도 2, 도 4 및 도 5를 참조)을 가진다. 제1 및 제2 주면(10a, 10b)은 길이방향 L 및 폭방향 W를 따라서 연장되고 있다. 제1 및 제2 측면(10c, 10d)은 두께방향 T 및 길이방향 L을 따라 연장되고 있다. 제1 및 제2 단면(10e, 10f)은 두께방향 T 및 폭방향 W를 따라서 연장되고 있다.
또한 본 발명에 있어서 「직방체형상」으로는 각부(角部)나 능선부를 둥글게 한 직방체가 포함되는 것으로 한다. 즉, 「직방체형상」의 부재란, 제1 및 제2 주면, 제1 및 제2 측면 그리고 제1 및 제2 단면을 가지는 부재 전반을 의미한다. 또 주면, 측면, 단면의 일부 또는 전부에 요철 등이 형성되어 있어도 된다.
세라믹 소체(10)의 치수는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 세라믹 소체(10)의 높이치수는 0.2㎜~0.5㎜인 것이 바람직하고, 길이치수는 0.4㎜~1.0㎜인 것이 바람직하고, 폭치수는 0.2㎜~0.5㎜인 것이 바람직하다.
세라믹 소체(10)는 세라믹 입자와 세라믹 입자간에 존재하고, Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분을 포함한다. 바람직하게는 세라믹 입자로서 코어 셀형 세라믹 입자가 이용된다. 그 경우에는 입성장 억제 효과를 한층더 높일 수 있다.
또한 상기 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분은 세라믹 입자간에 주로 존재하는데, 세라믹 입자측에 고용되어 있어도 된다.
또한 상기 희토류로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 또는 Y 등을 들 수 있다.
세라믹 소체(10)를 구성하는 세라믹스의 종류는 원하는 적층 세라믹 전자부품(1)의 특성에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
예를 들면, 적층 세라믹 전자부품(1)이 콘덴서일 경우는 세라믹 소체(10)를 유전체 세라믹에 의해 형성할 수 있다. 유전체 세라믹의 구체예로는, 예를 들면 Ba 및 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물 또는 Ba 및 Ti, Ca를 포함하는 페로브스카이트형 화합물 등을 들 수 있다.
세라믹 소체(10)에 포함되는 세라믹 입자의 입성장을 억제하는 성분은 특별히 한정되지 않지만, Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 및 희토류원소를 함유하는 화합물 내의 적어도 1종인 것이 바람직하다.
또한 상기 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종은 세라믹 입자의 입성장을 억제하도록 작용한다. 즉, Ba, Mg, Mn 및 희토류는 입자 내에 고용되어 입자를 성장시키는 것보다도, 입자간에 존재한 경우가 입자간의 에너지를 낮춰서 세라믹스를 안정화시킨다. 따라서, Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종은 입자간에 존재하면 입성장을 억제하도록 작용한다. 단, Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종은 입자간에 주로 존재하고 있으면 되고, 상대적으로 소량의 이 성분들이 입자 내에 고용되어 있어도 된다.
도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 세라믹 소체(10)의 내부에는 복수의 제1 내부전극(11)과, 복수의 제2 내부전극(12)이 마련되어 있다.
제1 내부전극(11)은 직사각형상이다. 제1 내부전극(11)은 제1 및 제2 주면(10a, 10b)과 평행으로 마련되어 있다. 즉, 제1 내부전극(11)은 길이방향 L 및 폭방향 W를 따라서 마련되어 있다. 제1 내부전극(11)은 제1 단면(10e)에 노출되어 있고, 제1 및 제2 주면(10a, 10b), 제1 및 제2 측면(10c, 10d) 그리고 제2 단면(10f)에는 노출되어 있지 않다.
제2 내부전극(12)은 직사각형상이다. 제2 내부전극(12)은 제1 및 제2 주면(10a, 10b)과 평행으로 마련되어 있다. 즉, 제2 내부전극(12)은 길이방향 L 및 폭방향 W를 따라서 마련되어 있다. 따라서 제2 내부전극(12)과 제1 내부전극(11)은 서로 평행이다. 제2 내부전극(12)은 제2 단면(10f)에 노출되어 있고, 제1 및 제2 주면(10a, 10b), 제1 및 제2 측면(10c, 10d) 그리고 제1 단면(10e)에는 노출되어 있지 않다.
제1 및 제2 내부전극(11, 12)은 두께방향 T를 따라서 교대로 마련되어 있다. 두께방향 T에 있어서 이웃하는 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12)은 세라믹부(10g)를 통해서 대향하고 있다. 세라믹부(10g)의 두께는 0.4㎛~0.8㎛정도로 할 수 있고, 0.3㎛~0.5㎛인 것이 보다 바람직하다. 또한 세라믹 전자부품(1)이 콘덴서일 경우에 세라믹 전자부품(1)의 용량을 증대시키는 관점에서는 세라믹부(10g)가 얇은 편이 바람직하다.
도 3에 도시하는 바와 같이 세라믹 전자부품(1)에 있어서, 제1 내부전극(11)의 폭방향 W에서의 단부의 위치와, 제2 내부전극(12)의 폭방향 W에서의 단부의 위치는 폭방향 W에 있어서 가지런히 되어있다. 제1 및 제2 내부전극(11, 12)의 폭방향 W에서의 단부는 측면(10c, 10d)보다도 폭방향 W에서의 중앙측에 존재하고 있다. 이렇기 때문에 세라믹 소체(10)의 폭방향 W의 양측부분에는 제1 및 제2 내부전극(11, 12)이 마련되어 있지 않은 보호부(10h)가 마련되어 있다. 이 보호부(10h)는 적층 세라믹 전자부품(1)의 기능 발현에 기여하지 않는다. 이렇기 때문에 적층 세라믹 전자부품(1)의 고성능화를 도모하는 관점에서는, 보호부(10h)는 얇을수록 바람직하다. 예를 들면 적층 세라믹 전자부품(1)이 세라믹 콘덴서일 경우는, 보호부(10h)가 얇을수록 내부전극끼리의 대향 면적을 극대화할 수 있어서 정전용량을 크게 할 수 있다. 단, 보호부(10h)가 너무 얇거나 보호부(10h)를 마련하지 않거나 하면, 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12)의 사이에 대기중에서 수분이 침입하여 내습성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다.
보호부(10h)의 폭방향 W를 따른 치수는, 예를 들면 2㎛~30㎛인 것이 보다 바람직하다.
제1 및 제2 내부전극(11, 12)은 적절한 도전재료로 구성할 수 있다. 제1 및 제2 내부전극(11, 12)은, 예를 들면 Ni, Cu, Ag, Pd 및 Au로 이루어지는 군에서 선택된 금속 또는 Ni, Cu, Ag, Pd 및 Au로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 합금, 예를 들면, Ag-Pd합금 등으로 구성할 수 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 적층 세라믹 전자부품(1)은 제1 및 제2 외부전극(13, 14)을 구비하고 있다. 제1 외부전극(13)은 도 2 및 도 4에 도시하는 바와 같이 제1 단면(10e)에서 제1 내부전극(11)에 전기적으로 접속되어 있다. 한편 제2 외부전극(14)은 도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이 제2 단면(10f)에서 제2 내부전극(12)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 1, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 제1 외부전극(13)은 제1 단면(10e)으로부터 제1 및 제2 주면(10a, 10b) 그리고 제1 및 제2 측면(10c, 10d)에 이르도록 형성되어 있다. 제2 외부전극(14)은 제2 단면(10f)으로부터 제1 및 제2 주면(10a, 10b) 그리고 제1 및 제2 측면(10c, 10d)에 이르도록 형성되어 있다.
제1 및 제2 외부전극(13, 14)은 적절한 도전재료로 구성할 수 있다. 또 제1 및 제2 외부전극(13, 14)은 복수층의 도전막으로 구성되어 있어도 된다.
본 실시형태에서는, 구체적으로 제1 및 제2 외부전극(13, 14)의 각각은 제1, 제2 단면(10e, 10f) 위에 형성되어 있는 하나 또는 복수의 도전막으로 이루어지는 하지층과, 하지층 위에 형성되어 있는 하나 또는 복수의 도금층을 가진다.
하지층은, 예를 들면 소결 금속층이나, 도금층, 열경화성 수지 또는 광경화성 수지에 도전성 필러를 첨가한 도전성 수지로 이루어지는 도전성 수지층으로 구성할 수 있다. 소결 금속층은 제1 및 제2 내부전극(11, 12)과 동시 소성한 코 파이어에 의한 것이어도 되고, 도전성 페이스트를 도포하여 베이킹한 포스트 파이어에 의한 것이어도 된다.
하지층에 포함시키는 도전재료는 특별히 한정되지 않지만, 하지층에 포함시키는 도전재료의 구체예로는, 예를 들면 Cu, Ni, Ag, Pd, Au 등의 금속, Ag-Pd 등의 상기 금속 중 1종 이상을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.
하지층의 최대 두께는 예를 들면 20㎛~100㎛으로 할 수 있다.
도금층은, 예를 들면 Cu, Ni, Sn, Ag, Pd, Au 등의 금속, Ag-Pd 등의 상기 금속 중 1종 이상을 포함하는 합금 등으로 형성할 수 있다.
도금층 1층당의 최대 두께는 예를 들면 1㎛~10㎛으로 할 수 있다.
또한 하지층과 도금층 사이에 응력완화용의 수지층을 배치해도 된다.
(적층 세라믹 전자부품(1)의 제조방법)
도 6은 도전성 페이스트가 인쇄된 세라믹 그린 시트의 모식적 평면도이다. 도 7은 세라믹 그린 시트 적층체의 모식적 분해측면도이다. 도 8은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다. 도 9는 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다. 도 10은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 약도적 단면도이다. 도 11은 소성 전의 세라믹 소체(23)의 모식적 사시도이다.
다음으로 주로 도 6~도 11을 참조하면서 본 실시형태에서의 적층 세라믹 전자부품(1)의 제조방법에 대해서 설명한다.
먼저, 순도 99중량% 이상의 BaCo3, TiO2, CaCO3의 각 분말을 준비했다. 이 분말들을 대기중에서 1100~1300℃에서 2시간 가소하고, Ba, Ti, Ca를 포함하는 페로브스카이트형 화합물을 합성했다. 합성 후, 해쇄(解碎)함으로써 세라믹 그린 시트를 구성하는 주요 성분인 주성분 분말이 되는 세라믹 분말을 얻었다. 이 주성분 분말의 제조방법에 특별한 제약은 없고, 고상법, 수열법, 그 밖의 공지의 다양한 방법을 이용할 수 있다. 또한 BaCo3, TiO2의 각 분말을 이용하여 Ba, Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물로 해도 된다. 소재에도 특별히 제약은 없고 탄산염, 산화물, 수산화물, 염화물 등 다양한 형태의 것을 이용하는 것이 가능하다. 또 HfO2 등의 불가피 불순물을 함유하고 있어서도 된다. 다음으로 첨가물 소재로서 유리 또는 Si의 분말과, Ba, Mg, Mn 혹은 희토류 내의 적어도 1종의 성분으로 이루어지는 각 분말을 준비하고, 주성분 분말과 혼합했다. 보호부(10h)로 이루어지는 세라믹 분말에는 세라믹부(24g)로 이루어지는 세라믹 분말보다도, 페로브스카이트 화합물을 구성하는 Ti에 대한 몰비로 봤을 때 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 성분의 총량의 몰비가 커지도록 첨가물 소재를 혼합하여 유전체 원료분말을 얻었다. 또한 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 상기 성분은, 첨가물 소재로서가 아니라 미리 유리 또는 Si나 기타 성분과 화합물을 형성하고나서 세라믹 분말과 혼합해도 된다.
또 상기 세라믹 분말로는 코어 셀형 세라믹 분말을 이용하는 것이 바람직하다. 그 경우에는 입성장을 한층더 효과적으로 억제할 수 있다.
다음으로 세라믹 소체(10)를 형성하기 위한 세라믹 그린 시트(20)(도 6을 참조)를 복수 제작한다. 세라믹 그린 시트(20)는 예를 들면 이하의 요령으로 제작할 수 있다. 먼저, 유전체 원료분말과, 분산매와, 필요에 따라서 바인더 등을 포함하는 세라믹 페이스트를 준비한다. 이 세라믹 페이스트를 수지 필름 등의 필름 형상으로 시트 형상으로 인쇄하고 건조시킴으로써 세라믹 그린 시트(20)를 제작할 수 있다. 또한 세라믹 페이스트의 인쇄는, 예를 들면 다이 코터법, 그라비아 코터법, 마이크로 그라비아 코터법 등에 의해 실시할 수 있다.
또한 본 실시형태에 있어서는, 세라믹 그린 시트(20)의 두께는 1.5㎛ 이하이다. 이렇게 함으로써 세라믹부(10g)를 얇게 할 수 있다. 따라서 적층 세라믹 콘덴서를 고용량화할 수 있다.
다음으로 세라믹 그린 시트(20) 위에, 내부전극(11, 12)을 형성하기 위한 도전막(21)을 형성한다. 구체적으로는 복수의 도전막(21)을 x방향으로 서로 간격을 두고 스트라이프 형상으로 인쇄한다. 도전막(21)의 인쇄는, 예를 들면 스크린 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 그라비아 인쇄법 등에 의해 실시할 수 있다. 도전막(21)의 두께는 예를 들면 1.5㎛ 이하로 할 수 있다.
다음으로 도 7에 도시하는 바와 같이 도전막(21)이 인쇄되어 있지 않은 세라믹 그린 시트(20)를 복수 적층한 후에, 도전막(21)이 인쇄된 세라믹 그린 시트(20)를 도전막(21)이 연장되는 방향 y와 수직한 방향 x로 번갈아 엇갈리게 하여 복수 적층한다. 다음으로 또 그 위에서부터 도전막(21)이 인쇄되어 있지 않은 세라믹 그린 시트(20)를 복수 적층한다. 이로 인해 세라믹 그린 시트 적층체(22)를 완성시킨다. 필요에 따라서 세라믹 그린 시트 적층체(22)를 두께방향 z로 정수압 프레스해도 된다.
이 세라믹 그린 시트 적층체(22)를 복수로 분할함으로써 도 8~도 10에 도시하는 소성 전의 세라믹 소체(23)를 제작한다. 이상의 요령으로 소성 전의 세라믹 소체(23)를 준비하는 준비공정을 실시한다.
소성 전의 세라믹 소체(23)는 직방체형상의 세라믹 소체 본체(24)를 가진다. 세라믹 소체 본체(24)는 제1 및 제2 주면(24a, 24b)과, 제1 및 제2 측면(24c, 24d)과, 제1 및 제2 단면(24e, 24f)을 가진다. 제1 및 제2 주면(24a, 24b)은 길이방향 L 및 폭방향 W를 따라서 연장되고 있다. 제1 및 제2 측면(24c, 24d)은 길이방향 L 및 두께방향 T를 따라서 연장되고 있다. 제1 및 제2 단면(24e, 24f)은 폭방향 W 및 두께방향 T를 따라서 연장되고 있다.
세라믹 소체 본체(24)는 세라믹 입자와, Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 내의 적어도 1종으로 이루어지는 성분을 포함한다.
세라믹 소체 본체(24)의 내부에는 도전막(21)으로 형성된 제1 및 제2 내부전극(11, 12)이 형성되어 있다. 제1 내부전극(11)은 제1 및 제2 주면(24a, 24b)과 평행이다. 제1 내부전극(11)은 제1 단면(24e) 그리고 제1 및 제2 측면(24c, 24d)에 노출되어 있다. 제1 내부전극(11)은, 제2 단면(24f)에는 노출되어 있지 않다.
제2 내부전극(12)은 제1 및 제2 주면(24a, 24b)과 평행이다. 제2 내부전극(12)은 제2 단면(24f) 그리고 제1 및 제2 측면(24c, 24d)에 노출되어 있다. 제2 내부전극(12)은, 제1 단면(24e)에는 노출되어 있지 않다. 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12)은 세라믹부(24g)를 통해서 두께방향 T에 대향하고 있다.
다음으로 도 11에 도시하는 바와 같이 제1 측면(24c) 위에 세라믹층(29a)을 마련함과 동시에, 제2 측면(24d) 위에 세라믹층(29b)을 마련한다. 이로 인해 소성 전의 세라믹 소체 본체(24)와 세라믹층(29a, 29b)을 가지는 소성 전의 세라믹 소체(23)를 제작한다.
세라믹층(29a, 29b)은 보호부(10h)를 구성하기 위한 부분이다. 세라믹층(29a, 29b)은 세라믹 입자를 포함하면서, 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분을 세라믹 소체 본체(24)(세라믹부(24g))보다도 많이 포함하고 있다.
세라믹 소체 본체(24)에 포함되며, 세라믹 입자간에 존재하는 상술한 성분은, 예를 들면 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종이다.
또한 세라믹층(29a, 29b)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 세라믹 그린 시트를 측면(24c, 24d) 위에 첨부함으로써 세라믹층(29a, 29b)을 형성해도 된다. 또 세라믹 입자를 포함하는 세라믹 페이스트를 도포함으로써 세라믹층(29a, 29b)을 형성해도 된다.
다음으로 소성 전의 세라믹 소체(23)를 소성함으로써 소성 전의 세라믹 소체(23)가 소성되어서 이루어지는 세라믹 소체(10)와, 제1 및 제2 내부전극(11, 12)을 가지는 전자부품 본체(9)를 완성시킬 수 있다. 또한 보호부(10h)는 세라믹층(29a, 29b)이 소성되어서 이루어지는 세라믹층으로 구성된다. 소성할 때, 첨가물 소재인 Ba, Mg, Mn, 희토류는 유리나 그 밖의 성분과 세라믹 입자간에서 화합물을 합성한다.
소성 전의 세라믹 소체(23)의 소성온도는 예를 들면 1000℃~1300℃정도로 할 수 있다.
마지막으로 제1 및 제2 외부전극(13, 14)을 형성함으로써 적층 세라믹 전자부품(1)을 완성시킬 수 있다. 제1 및 제2 외부전극(13, 14)의 형성은, 예를 들면 도전성 페이스트를 도포하고 베이킹함으로써 형성해도 되고, 도금법으로 형성해도 된다.
이상, 설명한 바와 같이 본 실시형태에서는, 세라믹층(29a, 29b)은 세라믹 입자를 포함하면서, 세라믹 소체 본체(24)에 포함되는 세라믹 입자간에 존재하는 Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 내의 적어도 1종인 성분을 세라믹 소체 본체(24)(세라믹부(24g))보다도 많이 포함하고 있다. 이렇기 때문에, 예를 들면 세라믹층과 세라믹부에서 상기 성분의 농도가 같은 경우와 비교하여 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 단락을 억제할 수 있다.
제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 단락은 이하의 이유에 의한다고 생각된다. 소성 전의 세라믹 소체를 소성하면, 소성 전의 세라믹 소체를 구성하는 세라믹 입자는 액상 소결된다. 이 액상 소결 공정에 있어서 열은 소성 전의 세라믹 소체의 표층으로부터 안쪽을 향해서 전해져 간다. 따라서 소성 전의 세라믹 소체의 표면에 가까운 부분은 중앙부보다도 고온인 시간이 길어진다. 소성 전의 세라믹 소체의 중앙부도 알맞게 소결시키기 위해서는, 소성 전의 세라믹 소체의 중앙부가 소결에 적합한 온도인 시간을 충분히 오래 확보할 필요가 있다. 이렇기 때문에 소성 전의 세라믹 소체의 표면에 가까운 부분은 과소결 되기 쉽다. 과소결 되면 세라믹 입자가 과도하게 입성장하여 입자직경이 큰 세라믹 입자가 많아진다. 세라믹 입자가 과도하게 입성장하면 이웃하는 세라믹 입자간의 중심간 거리가 커진다. 이렇기 때문에 세라믹 입자 위에 형성되어 있는 내부전극이 세라믹 입자의 입성장시에 잡아 당겨져서 내부전극이 분단되어 내부전극의 연속성이 저하된다. 소성공정에 있어서는 내부전극이 융액으로 되어 있기 때문에, 내부전극이 분단화되면 융액의 표면 에너지가 저하되도록 융액이 구형상에 가까운 형태로 변형한다. 이로 인해 분단화된 내부전극의 두께가 증가한다.
분단화된 내부전극의 두께가 증가한 상태에서 냉각되면 두꺼운 내부전극이 형성되게 된다. 한편, 세라믹 소체 전체의 두께는 규제되어 있기 때문에 내부전극의 두께가 증가하면 세라믹부의 두께가 저하되게 된다. 그렇기 때문에 제1 내부전극과 제2 내부전극 사이의 절연성이 저하된다. 또 세라믹 입자가 입성장함으로써 세라믹부의 두께 편차가 커진다. 그 결과, 세라믹부가 얇은 부분에서 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 절연성이 저하된다. 이 결과, 제1 내부전극과 제2 내부전극이 단락하는 것이라고 생각된다.
이것과 비교하여 본 실시형태에서는, 세라믹층(29a, 29b)에는 세라믹 소체 본체(24)에 포함되는 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분이 세라믹 소체 본체(24)(세라믹부(24g)) 중보다도 많이 포함되어 있다. 이 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분은 세라믹 소체 본체(24)의 표층에도 확산된다. 그 결과, 세라믹부(24g)의 폭방향 W에서의 단부에 있어서 상기 성분의 농도가 높아진다. 바꿔 말하면, 세라믹부(24g)의 폭방향 W에서의 단부에 있어서 세라믹 입자의 액상 온도가 높아진다. 즉, 세라믹 입자의 치밀화 온도를 높게 할 수 있다. 이렇기 때문에 세라믹 소부(24)의 폭방향 W에서의 단부에 있어서 세라믹 입자의 소결 속도, 세라믹 입자의 입성장 속도가 늦어진다. 따라서, 세라믹부(24g)의 폭방향 W에서의 단부에 위치하는 세라믹 입자의 입자직경의 증대를 억제할 수 있기 때문에 그에 따른 내부전극(11, 12)의 분단과, 내부전극(11, 12)의 두께방향 T의 치수 증대를 억제할 수 있어서 세라믹 입자가 치밀한 상태로 유지된다. 그 결과, 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 단락을 효과적으로 억제할 수 있는 것이라고 생각된다.
제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 단락을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 세라믹부(24g)에 있어서 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분의 총량보다도, 세라믹층(29a, 29b) 중의 상기 성분의 총량이 많은 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서 제조된 세라믹 전자부품(1)에 있어서는, 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이에 위치하는 세라믹부(24g)의 폭방향 W의 단부에서의 세라믹 입자간에 존재하는 성분인 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이, 세라믹 소체(10)의 중앙부(세라믹부(10g)의 폭방향 W의 중앙부)에서의 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량보다도 많다. 세라믹층(29a, 29b)에서의 세라믹 입자간에 존재하는 성분 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이, 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이에 위치하는 세라믹부(24g)의 폭방향 W의 단부에서의 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량보다도 많다. 보다 상세하게는 세라믹 소체(10)의 제1 및 제2 내부전극(11, 12)보다도 폭방향 W의 외측에 위치하는 부분과, 제1 및 제2 내부전극(11, 12)의 폭방향 W의 단부가 위치하는 부분에 있어서, 세라믹 입자간에 존재하는 성분 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이 세라믹 소체(10)의 폭방향 W의 외측에서 중앙측을 향해서 점감하고 있다. 이러한 적층 세라믹 전자부품(1)은 제조시에 있어서 제1 및 제2 내부전극(11, 12) 사이의 단락 불량의 발생율이 낮다.
또 본 실시형태와 같이 함으로써 제1 및 제2 내부전극(11, 12)이 마련된 영역의 폭방향 W에서의 단부에 있어서, 이웃하는 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 거리를 길게 하여 세라믹부를 치밀한 상태로 할 수 있다.
또한 세라믹 입자간에 존재하는 성분으로서의 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량은, 예를 들면 이하의 요령으로 측정할 수 있다.
먼저, 칩을 길이방향 L의 중앙부까지 연마하고, 폭방향 W 및 두께방향 T를 따른 단면을 노출시킨다. 연마 후에, 연마면의 표층을 이온 밀링 등으로 깎아내도 된다. 다음으로 노출된 단면의 원하는 영역의, 세라믹 입자간의 입계가 위치하는 부분, 예를 들면 세라믹부의 폭방향 W의 중앙부, 세라믹부의 폭방향 W의 단부, 세라믹층에서 각각의 각 10점에 연마면에 대하여 수직이 되도록 전자선을 조사하여 EDX(에너지 분산형 X선 분광법)분석을 실시함으로써 각 점에서의 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분(Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종)의 함유량을 측정하고, 평균화함으로써 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 및 그 총량을 구할 수 있다. 또한 전자선이 세라믹 입자간의 입계에만 조사되도록 전자선이 침입하는 깊이를 조정하고 있다.
(실시예)
제1 실시형태에 따른 제조방법으로, 제1 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품(1)과 마찬가지의 적층 세라믹 전자부품을 하기의 조건으로 100개씩 제작했다.
세라믹 소체 본체(24), 세라믹층(29a, 29b)의 조성:BaTiO3
세라믹 소체 본체(24)에서의 Ba의 함유량(세라믹 입자에 포함되어 있는 Ba는 제외함):1.002
세라믹층(29a, 29b)에서의 Ba의 함유량(세라믹 입자에 포함되어 있는 Ba는 제외함):1.022
내부전극의 적층매수:510장
세라믹부의 두께(설계값):0.5㎛
내부전극의 재료:Ni
내부전극의 두께(설계값):0.4㎛
가장 제1 주면측의 제1 내부전극 혹은 제2 내부전극과 제1 주면 사이의 거리 T방향의 두께 30㎛ (설계값)
세라믹층의 두께:25㎛(설계값)
또한 세라믹층(29a, 29b)은 첨가물 소재의 Ba을 페로브스카이트 화합물의 Ti에 대한 몰비로 1.022로 한 것을 시료로 하고, 1.002로 한 것을 비교예로 했다.
또 세라믹부(24g)는 첨가물 소재의 Ba을 페로브스카이트 화합물의 Ti에 대한 몰비로 1.002로 한 것을 시료, 비교예로도 공통으로 이용했다.
이들의 몰비 1.002 및 1.022는 모두 소결 후의 몰비이다.
실시예에 있어서 제작한 샘플에 대해서 상술한 방법으로 Ba의 농도를 측정했다. 그 결과, 세라믹 소체(10)의 제1 및 제2 내부전극(11, 12)보다도 폭방향 W의 외측에 위치하는 부분과, 제1 및 제2 내부전극(11, 12)의 폭방향 W의 단부가 위치하는 부분에 있어서 세라믹 입자간에 존재하는 성분으로서의 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이, 세라믹 소체(10)의 폭방향 W의 외측으로부터 중앙측을 향하여 점감하고 있는 것이 확인되었다.
본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 내부전극(11, 12)이 마련된 영역의 폭방향 W에서의 단부에 있어서 이웃하는 제1 내부전극(11)과 제2 내부전극(12) 사이의 거리는 560㎛이었다.
(비교예)
세라믹 소체 본체와 세라믹층에서 조성을 실질적으로 같게 한 것 이외는 상기 실시예와 마찬가지로 하여 100개의 샘플을 제작했다.
본 비교예에 있어서, 제1 및 제2 내부전극이 마련된 영역의 폭방향 W에서의 단부에 있어서 이웃하는 제1 내부전극과 제2 내부전극 사이의 거리는 550㎛이며, 실시예보다도 짧았다. 따라서 비교예에서는 제1 내부전극 및 제2 내부전극에서 끼인 세라믹부의 폭방향 W의 단부에 있어서 세라믹부의 두께의 저하가 일어나고 있다.
(단락 불량)
실시예 및 비교예의 각각에서 제작한 100개의 샘플에 대하여 단락 불량의 유무를 검사했다. 그 결과, 실시예에 있어서는 10개의 샘플에서 단락 불량이 발생하고 있었다. 그에 비하여 비교예에서는 20개의 샘플에서 단락 불량이 발생하고 있었다.
1… 적층 세라믹 전자부품
9… 전자부품 본체
10… 세라믹 소체
10a… 제1 주면
10b… 제2 주면
10c… 제1 측면
10d… 제2 측면
10e… 제1 단면
10f… 제2 단면
10g… 세라믹부
10h… 보호부
11… 제1 내부전극
12… 제2 내부전극
13… 제1 외부전극
14… 제2 외부전극
20… 세라믹 그린 시트
21… 도전막
22… 세라믹 그린 시트 적층체
23… 세라믹 소체
24… 세라믹 소체 본체
24a… 제1 주면
24b… 제2 주면
24c… 제1 측면
24d… 제2 측면
24e… 제1 단면
24f… 제2 단면
24g… 세라믹부
29a, 29b…세라믹층
9… 전자부품 본체
10… 세라믹 소체
10a… 제1 주면
10b… 제2 주면
10c… 제1 측면
10d… 제2 측면
10e… 제1 단면
10f… 제2 단면
10g… 세라믹부
10h… 보호부
11… 제1 내부전극
12… 제2 내부전극
13… 제1 외부전극
14… 제2 외부전극
20… 세라믹 그린 시트
21… 도전막
22… 세라믹 그린 시트 적층체
23… 세라믹 소체
24… 세라믹 소체 본체
24a… 제1 주면
24b… 제2 주면
24c… 제1 측면
24d… 제2 측면
24e… 제1 단면
24f… 제2 단면
24g… 세라믹부
29a, 29b…세라믹층
Claims (13)
- 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 주면(主面)과, 길이방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 측면과, 폭방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 단면(端面)을 가지고, 상기 제1 단면 그리고 상기 제1 및 제2 측면에 노출된 제1 내부전극과, 세라믹 입자 및 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분을 포함하는 세라믹부를 통해서 상기 제1 내부전극과 두께방향에 있어서 대향하고 있고, 상기 제2 단면 그리고 상기 제1 및 제2 측면에 노출된 제2 내부전극을 가지는 소성 전의 세라믹 소체를 준비하는 공정과,
상기 소성 전의 세라믹 소체의 상기 제1 및 제2 측면 각각의 위에 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 성분의 총량이 상기 세라믹부 중보다도 많은 소성 전의 세라믹층을 형성하는 공정과,
상기 소성 전의 세라믹층이 마련된 상기 소성 전의 세라믹 소체를 소성함으로써 상기 소성 전의 세라믹층이 마련된 상기 소성 전의 세라믹 소체가 소성되어서 이루어지는 전자부품 본체를 가지는 세라믹 전자부품을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 세라믹 입자간에 존재하는 성분이 희토류인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항에 있어서,
세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분은 Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 및 희토류원소를 함유하는 화합물 내의 적어도 1종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
세라믹 그린 시트를 첨부함으로써 상기 소성 전의 세라믹층을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 페이스트를 도포함으로써 상기 소성 전의 세라믹층을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품의 제조방법. - 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 주면과, 길이방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 측면과, 폭방향 및 두께방향을 따라서 연장하는 제1 및 제2 단면을 가지고, 세라믹 입자와, 세라믹 입자간에 존재하는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종인 성분을 포함하는 세라믹 소체와,
상기 세라믹 소체 내에 있어서 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장되도록 마련되어 있으며, 상기 제1 단면에 노출된 제1 내부전극과,
상기 세라믹 소체 내에 있어서 길이방향 및 폭방향을 따라서 연장하고, 두께방향에 있어서 세라믹부를 통해서 상기 제1 내부전극과 대향하도록 마련되어 있고, 상기 제2 단면에 노출된 제2 내부전극을 포함하고,
상기 제1 내부전극과 상기 제2 내부전극의 사이에 위치하는 세라믹부의 폭방향의 단부(端部)에 존재하는 세라믹 입자간에 존재하는 성분에 포함되는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이, 상기 세라믹 소체의 폭방향의 중앙부에서의 세라믹 입자간에 존재하는 화합물에 포함되는 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량보다도 많은 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항에 있어서,
상기 Ba, Mg, Mn 및 희토류 내의 적어도 1종의 함유량 총량이 상기 세라믹층의 외측으로부터 상기 세라믹 소체의 중앙측을 향하여 점감하고 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제7항에 있어서,
상기 세라믹 입자간에 존재하는 상기 성분이 희토류인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 내부전극의 폭방향에서의 단부의 위치와, 상기 제2 내부전극의 폭방향에서의 단부의 위치가 폭방향에서 가지런히 되어있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 소체의 세라믹 입자가 Ba와 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물 또는 Ba, Ti, Ca를 포함하는 페로브스카이트형 화합물인 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹 입자간에 존재하는 성분은 Ba계 화합물, Mg계 화합물, Mn계 화합물 및 희토류원소를 함유하는 화합물 내의 적어도 1종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 측면과, 상기 제1 및 제2 내부전극이 마련되어 있는 영역의 폭방향에서의 상기 제1 측면측 단부 사이의 거리가 2㎛~30㎛의 범위 내에 있고,
상기 제2 측면과, 상기 제1 및 제2 내부전극이 마련되어 있는 영역의 폭방향에서의 상기 제2 측면측 단부 사이의 거리가 2㎛~30㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품. - 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 세라믹부의 두께가 0.4㎛~0.8㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
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