KR20140030192A - 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140030192A
KR20140030192A KR1020137030501A KR20137030501A KR20140030192A KR 20140030192 A KR20140030192 A KR 20140030192A KR 1020137030501 A KR1020137030501 A KR 1020137030501A KR 20137030501 A KR20137030501 A KR 20137030501A KR 20140030192 A KR20140030192 A KR 20140030192A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid resin
nozzle
sealing
substrate
curing
Prior art date
Application number
KR1020137030501A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102028594B1 (ko
Inventor
요시테루 미야와키
준 오키
다이스케 고우노우
노부히코 이와사키
Original Assignee
산유 레크 가부시키가이샤
신와 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산유 레크 가부시키가이샤, 신와 가부시키가이샤 filed Critical 산유 레크 가부시키가이샤
Publication of KR20140030192A publication Critical patent/KR20140030192A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102028594B1 publication Critical patent/KR102028594B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

기재(2)에 실장된 광반도체 소자(4)를 액상 수지(R)에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 밀봉 장치와, 액상 수지(R)를 경화시키는 경화 장치를 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치로서, 밀봉 장치는 액상 수지(R)를 공급하는 노즐(25)을 상하 이동 가능한 디스펜서(21)를 구비하고 있으며, 노즐(25)의 선단을 광반도체 소자(4)에 근접시킨 후, 노즐(25)을 상승시키면서 액상 수지(R)의 공급을 실시한다. 이 옵티컬 디바이스 제조 장치에 따르면, 원하는 광학 특성을 갖는 옵티컬 디바이스를 신속 용이하게 얻을 수 있다.

Description

옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING OPTICAL DEVICE}
본 발명은 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.
옵티컬 디바이스의 일례로서, 기판에 실장된 LED칩에 대하여 수지 몰드를 실시함으로써 렌즈부를 형성하고, LED칩으로부터 출사한 빛을 렌즈부에 의해 집광하는 조명 장치가 알려져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는 점도 및 칙소트로픽성을 규정한 실리콘 수지 조성물을 이용하여 디스펜스법 등에 의해 발광 소자를 밀봉함으로써 렌즈 형상의 성형을 용이하게 한 광반도체 전자 부품의 제조 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 1: 일본국 특개 제2008―231199호 공보
디스펜서를 이용한 수지 포팅에 의한 렌즈부의 형성은 성형형을 필요로 하지 않는 것으로부터, 다종다양한 형상의 렌즈부를 저가로 제조할 수 있는 한편, 종래에는 렌즈부의 원하는 형상 정밀도를 얻는 것이 곤란했다. 이 때문에, 디스펜서의 토출량 제어를 정확히 실시해도 경화 후의 렌즈부의 형상에 변형이 커지는 경우가 있어서 개량이 필요하게 되어 있었다.
그래서 본 발명은 원하는 광학 특성을 갖는 옵티컬 디바이스를 신속 용이하게 얻을 수 있는 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기 목적은 기재에 실장된 반도체 소자를 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 밀봉 공정과, 상기 액상 수지를 경화시키는 경화 공정을 구비하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 밀봉 공정은 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 액상 수지의 공급을 실시하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법에 의해 달성된다.
또는, 본 발명의 상기 목적은 기재에 실장된 광반도체 소자를 제 1 액상 수지에 의해 밀봉하는 제 1 밀봉 공정과, 상기 제 1 액상 수지를 가경화시키는 제 1 경화 공정과, 가경화 후의 상기 제 1 액상 수지를 제 2 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 제 2 밀봉 공정과, 상기 제 1 액상 수지 및 제 2 액상 수지를 본경화시키는 제 2 경화 공정을 구비하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 제 1 밀봉 공정은 제 1 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 1 액상 수지의 공급을 실시하고, 상기 제 2 밀봉 공정은 제 2 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 제 1 액상 수지에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 2 액상 수지의 공급을 실시하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법에 의해 달성된다.
또, 본 발명의 상기 목적은 기재에 실장된 광반도체 소자를 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 밀봉 장치와, 상기 액상 수지를 경화시키는 경화 장치를 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치로서, 상기 밀봉 장치는 상기 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 액상 수지의 공급을 실시하는 옵티컬 디바이스 제조 장치에 의해 달성된다.
또는, 본 발명의 상기 목적은 기재에 실장된 광반도체 소자를 제 1 액상 수지에 의해 밀봉하는 제 1 밀봉 장치와, 상기 제 1 액상 수지를 가경화시키는 제 1 경화 장치와, 가경화 후의 상기 제 1 액상 수지를 제 2 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 제 2 밀봉 장치와, 상기 제 1 액상 수지 및 제 2 액상 수지를 본경화시키는 제 2 경화 장치를 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치로서, 상기 제 1 밀봉 장치는 상기 제 1 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 제 1 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 제 1 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 1 액상 수지의 공급을 실시하고, 상기 제 2 밀봉 장치는 상기 제 2 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 제 2 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 제 2 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 제 1 액상 수지에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 2 액상 수지의 공급을 실시하는 옵티컬 디바이스 제조 장치에 의해 달성된다.
본 발명의 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치에 따르면, 원하는 광학 특성을 갖는 옵티컬 디바이스를 신속 용이하게 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관련되는 옵티컬 디바이스 제조 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치를 이용한 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치를 이용한 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 관련되는 옵티컬 디바이스 제조 장치의 개략 구성도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치를 이용한 제조 방법의 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 6은 도 4에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치를 이용한 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 7은 액상 수지의 점도의 차이에 의한 경화 후의 액상 수지의 형상 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 1에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치를 이용한 제조 방법의 또 다른 일례를 나타내는 공정 단면도이다.
도 9는 도 1에 나타내는 옵티컬 디바이스 제조 장치에 사용되는 가열 경화 장치의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 10은 도 9에 있어서의 B―B단면도이다.
(제 1 실시예)
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 관련되는 옵티컬 디바이스 제조 장치의 개략 구성도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 이 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)는 로더(10), 밀봉 장치(20), 버퍼 장치(30), 경화 장치(40) 및 언로더(50)를 구비하고 있다. 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)에 의해 제조되는 옵티컬 디바이스로서는, LED(발광 다이오드)나 반도체 레이저 등의 발광 소자 또는 포토다이오드 등의 수광 소자와 같은 광반도체 소자를 구비하는 전자 부품을 예시할 수 있다. 본 실시예에서 제조되는 옵티컬 디바이스는 복수의 LED소자를 구비하는 조명 장치이다. LED소자를 구비하는 옵티컬 디바이스로서는, 조명 장치 외에, 예를 들면, 액정 TV의 백 라이트나 차량용 램프, 신호기 등을 들 수 있다.
로더(10)는 평판상의 기재(2)를 다단으로 수납하는 수납 카세트(12)를 구비하고 있으며, 아암(미도시)의 동작에 의해 수납 카세트(12)로부터 기재(2)를 꺼내어서 밀봉 장치(20)에 반송한다.
밀봉 장치(20)는 액상 수지를 공급하는 디스펜서 장치(21)가 지지 블록(22)에 슬라이딩 자유롭게 지지되어 상하 이동 가능하게 되도록 구성되어 있다. 디스펜서 장치(21)는 본 실시예에서는 스크류식 디스펜서를 사용하고 있으며, 모터(23)의 작동에 의하여 내장된 스크류(미도시)를 구동시킴으로써 시린지(24)에 저장된 액상 수지를 노즐(25)의 선단으로부터 토출시킨다. 디스펜서 장치(21)의 아래쪽에는 로더(10)에 의해 반송된 기재(2)를 탑재하는 XY테이블(26)이 설치되어 있으며, 기재(2)를 수평면을 따라서 이동시킴으로써 기재(2)의 상면의 복수 부분에 액상 수지를 공급할 수 있다.
버퍼 장치(30)는 기재(2)를 다단으로 수납하는 수납 카세트(32)를 구비하고 있으며, 밀봉 장치(20)에 있어서 액상 수지의 공급이 실시된 기재(2)를 아암(미도시)의 동작에 의해 꺼내어서 수납 카세트(32)에 수납한다. 그리고 소정 시간 경과 후에 수납된 기재(2)를 아암(미도시)의 동작에 의해 다시 꺼내어서 경화 장치(40)에 반송한다.
경화 장치(40)는 기재(2)를 다단으로 수납하는 수납 카세트(42)를 챔버(41) 내에 구비하고 있으며, 버퍼 장치(30)로부터 반송된 기재(2)가 수납 카세트(42)에 차례 차례 수납된다. 경화 장치(40)는 챔버 내의 온도 분포가 균일하게 되도록 배치된 히터(미도시)를 구비하고 있으며, 수납된 각 기재(2)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 경화 장치(40)는 기재(2)를 상압 하에서 가열하는 구성이어도 좋지만, 챔버 내를 예를 들면, 0. 5MPa 정도까지 승압 가능한 가압 오븐인 것이 바람직하다.
언로더(50)는 기재(2)를 다단으로 수납하는 수납 카세트(52)를 구비하고 있으며, 경화 장치(40)의 수납 카세트(42)에 수납된 기재(2)를 소정 시간 경과 후에 아암(미도시)에 의해 꺼내어서 수납 카세트(52)에 수납한다.
다음으로, 상기의 구성을 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)의 작동을 설명한다. 로더(10)의 수납 카세트(12)에는 다수의 발광 소자가 미리 실장된 기재(2)가 복수 수납되어 있으며, 기재(2)가 수납 카세트(12)로부터 순서대로 꺼내어져서 밀봉 장치(20)에 반송된다.
밀봉 장치(20)에 있어서는, 반송된 기재(2)가 XY테이블(26)에 재치되고, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 밀봉 대상으로 되는 발광 소자(4)의 바로 위에 노즐(25)이 배치되도록 기재(2)의 위치 결정이 실시된 후, 노즐(25)의 선단이 발광 소자(4)와 근접하는 위치까지 디스펜서 장치가 하강한다. 노즐(25)의 근접 위치에 있어서의 노즐(25)의 선단과 발광 소자(4)의 상면의 간격(s)은 공급하는 액상 수지의 점도나 공급량 등에 따라서 적절히 설정하면 좋지만, 예를 들면, 0.01~3㎜의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.01~1.5㎜의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 디스펜서 장치가 후술하는 제트식인 경우에는 0.1~10㎜ 정도인 것이 바람직하다.
이어서, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 노즐(25)의 선단으로부터 액상 수지(R)의 공급이 개시되는 것과 함께, 디스펜서 장치가 상승하고, 액상 수지(R)의 공급이 실시되고 있는 동안, 노즐(25)의 선단이 발광 소자(4)로부터 서서히 이격된다. 그리고 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 발광 소자(4)가 액상 수지(R)에 의하여 렌즈상으로 밀봉된 상태에서 액상 수지(R)의 공급이 정지된다. 액상 수지(R)의 공급 속도(단위 시간당의 공급량)는 일정해도 좋고, 또는 공급 중에 변화시켜도 좋다. 예를 들면, 액상 수지(R)의 공급 속도를 증가시킨 후에 공급을 정지함으로써 공급된 액상 수지(R)를 포탄형의 형상으로 할 수 있다. 한편, 액상 수지(R)의 공급 속도를 감소시킨 후에 공급을 정지함으로써 공급된 액상 수지(R)의 상부를 끝이 뾰족한 형상으로 형성할 수 있다. 이와 같이, 액상 수지(R)의 공급 속도를 공급 중에 변화시키는 것은 발광 소자(4)를 밀봉하는 액상 수지(R)를 원하는 형상으로 하는데 유효하지만, 반드시 이 목적에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 액상 수지(R)의 공급 개시 직후에는 공급 속도를 낮게 하고, 그 후에 공급 속도를 증가시킴으로써 발광 소자(4)의 주변에 있어서의 보이드(간극)의 발생을 억제할 수 있다. 액상 수지(R)의 공급 속도를 변화시키는 대신에, 노즐(25)의 상승 속도(또는 기재(2)를 지지하는 XY테이블(26)의 하강 속도)를 액상 수지(R)의 공급 중에 변화시키도록 해도 상기와 동일한 효과를 이룰 수 있다. 예를 들면, 액상 수지(R)의 형상을 포탄형으로 하는 경우에는, 액상 수지(R)를 공급 중에 노즐(25)의 상승 속도(또는 XY테이블(26)의 하강 속도)를 저하시킨 후, 액상 수지(R)의 공급을 정지하도록 하면 좋다.
노즐(25)은 액상 수지(R)의 공급 정지 후에도 도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 액끊김이 발생하기까지 더욱 상승한다. 그리고 노즐(25)의 선단이 렌즈상의 액상 수지(R)와 완전히 떨어진 후, XY테이블(26)의 구동에 의해 도 2(e)에 나타내는 바와 같이, 인접하는 밀봉되지 않은 발광 소자(4)의 바로 위에 노즐(25)이 배치된다. 이후, 노즐(25)이 하강하여 상기의 순서가 반복됨으로써 기재(2)에 실장된 모든 발광 소자(4)에 대하여 액상 수지(R)에 의한 밀봉이 차례 차례 실시된다.
밀봉 장치(20)에서 사용되는 액상 수지(R)는 투광성을 갖는 상온에서 액상의 수지이고, 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지 등의 공지의 밀봉용 수지를 들 수 있다. 액상 수지(R)는 발광 소자(4)로부터의 빛의 일부를 흡수하고, 파장을 변환하여 발광하는 형광체가 상기의 밀봉용 수지에 대략 균일하게 분산된 것을 사용하는 것도 가능하다. 발광 소자(4)와 형광체의 조합은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 청색광을 발광하는 LED와, 실리케이트계 착체＜(Ba, Sr, Ca)2SiO4계 착체＞인 BOS형광체의 조합에 의해 발광색을 백색으로 할 수 있다. 형광체로서는, 상기한 BOS형광체나 YAG(이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가넷)계 외에, 황색을 띠는 (Y, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce, α-사이알론계 착체, Li2SrSiO4계 착체, 또는 오렌지색을 띠는 (Ba, Sr)3SiO5계 착체, 적색을 띠는 (Ca, Sr)2Si5N8계 착체나 (Ca, Sr)AlSiN3계 착체, 청록―황색을 띠는 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2계 착체, 녹색을 띠는 Ca3Sc2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Ce 등을 들 수 있다.
밀봉 장치(20)로부터 배출된 기재(2)는 버퍼 장치(30)에 반송되어 수납 카세트(32) 내에 수납 방치된 후, 경화 장치(40)에 반송된다. 그리고 경화 장치(40)의 수납 카세트(42)에 수납되어 가열된 후, 언로더(50)에 의해 꺼내어져서 수납 카세트(52)에 수납된다. 수납 카세트(32, 42)로부터의 기재(2)의 꺼냄은 수납순으로 일정한 속도로 실시되고, 버퍼 장치(30)에 있어서의 방치 시간 및 경화 장치(40)에 있어서의 가열 시간이 기재(2)에 따라서 다르지 않게 소정 시간으로 되도록 관리된다. 이렇게 하여 수납 카세트(52)에는 경화한 액상 수지(R)에 의하여 발광 소자(4)가 렌즈상으로 밀봉된 옵티컬 디바이스가 수납된다. 경화 장치(40)에 의한 액상 수지(R)의 경화는 예를 들면, 0.5MPa 정도의 가압 하에서 실시하는 것이 바람직하고, 액상 수지(R)에 기포가 포함되어 있는 경우이어도, 이 기포의 체적을 충분히 저감하여 액상 수지(R)의 렌즈 형상에 변형이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시예의 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)를 이용한 옵티컬 디바이스의 제조 방법에 따르면, 밀봉 장치(20)에 있어서의 액상 수지(R)의 공급이 노즐(25)의 선단을 발광 소자(4)에 근접시킨 후, 노즐(25)을 상승시키면서 실시되기 때문에 공급된 액상 수지(R)가 발광 소자(4)와 조기에 접촉하여 기재(2)의 표면과의 표면 장력에 의해 균일하게 확산되는 것과 함께, 노즐(25)의 선단이 액상 수지(R)에 매설될 염려가 없어서, 공급된 액상 수지(R)의 렌즈 형상을 양호하게 유지할 수 있다. 따라서, 원하는 광학 특성을 갖는 고정밀도의 렌즈 형상을 신속 용이하게 얻을 수 있다. 기재(2)에 대한 노즐(25)의 상승은 상대적인 것으로 좋고, 예를 들면, 기재(2)를 지지하는 XY테이블(26)을 상하 이동 가능한 3축 테이블로 하고, 기재(2)를 하강시키면서 노즐(25)로부터 액상 수지(R)를 공급하도록 구성하는 것도 가능하다.
공급하는 액상 수지(R)는 공급 후에 평탄화하는 것을 방지하여 원하는 렌즈 형상을 유지할 수 있도록 고점도이고 고칙소성(고칙소트로픽성)을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 액상 수지(R)의 점도(23℃)를 10~300Paㆍs(바람직하게는 10~200Paㆍs)의 범위로 설정하고, 칙소트로픽성을 2.0~7.0의 범위로 설정한 것을 사용할 수 있다. 칙소트로픽성은 샘플을 유리병에 넣고 23℃의 워터 베스에 1시간 정도 방치한 후, B형 회전 점도계로 2rpm 및 20rpm 시의 점도를 측정하고, 2rpm 시의 점도를 20rpm 시의 점도로 뺀 값이다. 액상 수지(R)의 점도는 경화 후의 액상 수지(R)의 형상과 상관을 갖고 있다. 저점도의 경우에는 액상 수지(R)의 공급이 용이한 한편, 액상 수지(R)의 렌즈 형상은 편평상으로 된다. 이에 대해, 고점도의 경우에는, 액상 수지(R)의 렌즈 높이의 확보가 용이해지는 것과 함께, 형상을 안정화시키기 쉬워져서, 경화 후의 형상을 원하는 반구상(또는 포탄상)으로 접근시킬 수 있다. 액상 수지(R)의 점도의 차이에 의한 경화 후의 액상 수지(R)의 형상 변화의 예로서, 점도(23℃)가 99.2Paㆍs, 122.8Paㆍs, 155.5Paㆍs, 188.0Paㆍs인 경우의 실리콘 수지로 이루어지는 액상 수지(R)(칙소트로픽성은 모두 5.0±0.5 정도)의 단면 형상을 각각 도 7(a)~(d)에 나타낸다. 액상 수지(R)의 보다 구체적인 예로서는, 특허 공개 제2008-231199호 공보에 개시된, 실리카를 함유하는 점도(23℃)가 10~70Paㆍs, 칙소트로픽성이 2.0~5.5의 발광 소자 밀봉용 실리콘 수지 조성물을 바람직하게 들 수 있다.
또, 본 실시예에 있어서는, 액상 수지(R)의 공급 정지 후에도 액끊김이 발생하기까지 노즐(25)을 더욱 상승시키도록 구성하고 있기 때문에 발광 소자(4)를 밀봉하는 액상 수지(R)가 다음에 밀봉하는 발광 소자(4)를 향한 노즐(25)의 이동에 의해 당겨져서 변형될 염려가 없어서, 렌즈 형상을 확실하게 유지할 수 있다. 노즐(25)의 액끊김을 용이하게 하기 위해, 액상 수지(R)의 공급 정지 시에 디스펜서 장치의 스크류를 역회전시키도록 해도 좋다. 또는, 액상 수지(R)의 액끊김을 조기에 실시하기 위해, 액상 수지(R)의 공급 정지 후에 노즐(25)을 수평 방향으로 진동 또는 원운동시키는 등으로 하여 발광 소자(4)를 밀봉한 액상 수지(R)의 바로 위에서 액끊김이 발생하도록 노즐(25)을 수평 방향으로 이동시키는 것도 유효하고, 이에 따라서 액끊김 후의 액상 수지(R)의 원하는 렌즈 형상을 신속 용이하게 얻을 수 있다. 이와 같은 노즐(25)의 수평 이동은 노즐(25)의 상승을 정지시켜서 실시해도 좋고, 또는, 노즐(25)을 상승시키면서 실시해도 좋다.
디스펜서 장치(21)의 방식은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 액상 수지(R)가 고점도이어도 확실하게 정량 공급할 수 있도록, 본 실시예와 같이 스크류식인 것이 바람직하다. 고점도의 액상 수지를 공급하는 디스펜서로서는 스크류식 이외에, 시린지로부터 압송된 액상 수지를 피스톤의 하강에 의해 노즐로부터 토출하는 제트식이나 정량 토출이 가능한 용적 계량식도 바람직하게 예시할 수 있다.
액상 수지(R)에 의한 발광 소자(4)의 밀봉은 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 발광 소자(4)를 둘러싸도록 노즐(25)을 이동시키면서 액상 수지를 공급함으로써 기재(2) 상에 환상의 제방부(d)를 미리 형성한 후, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 노즐(25)을 발광 소자(4)의 근접 위치까지 이동시켜서 제방부(d)와 같은 재료의 액상 수지(R)의 공급을 개시하여, 상기와 동일한 방법으로 실시하도록 해도 좋다. 이 경우, 발광 소자(4)를 밀봉하는 액상 수지(R)의 수평 방향의 확산이 제방부(d)에 의하여 규제되기 때문에 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 액상 수지(R)가 제방부(d)와 일체화된 후의 렌즈 형상을 원하는 형상으로 하는 것이 용이하고, 렌즈 높이가 높은 경우에 특히 유효하다.
본 실시예에 있어서는, 평판상의 기재(2)의 평탄한 표면에 발광 소자(4)가 실장된 경우에 대하여 설명했지만, 예를 들면, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 평판상의 기재(2)의 표면에 오목부(3a)를 갖는 테두리체(3)가 설치되고, 이 오목부(3a) 내에 발광 소자(4)가 배치된 기재(2)에 대해서도 본 실시예의 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)를 이용하여 발광 소자(4)를 밀봉할 수 있다. 이 경우에는, 오목부(3a)의 개구면보다도 아래쪽 위치인 오목부(3a)의 내부에 노즐(25)의 선단을 세트한 후, 노즐(25)을 오목부(3a)의 외부까지 상승시키면서 액상 수지(R)를 공급함으로써 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 액상 수지(R)를 오목부(3a)의 개구로부터 렌즈상으로 팽출시킬 수 있다. 또, 기재(2)는 평판상의 것에 한정되지 않고, 예를 들면, 리드 프레임으로 이루어지는 기재의 오목부 내에 실장된 광반도체 소자에 대해서도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 오목부(3a)에 대한 액상 수지(R)의 공급은 일정한 공급 속도로 실시하는 것도 가능하지만, 초기 단계에서는 공급 속도를 낮게 하고, 그 후에 공급 속도를 증가시키도록 해도 좋다. 이에 따라, 오목부(3a)의 아래 모서리까지 액상 수지(R)를 충분히 확산시키는 것이 용이해져서, 보이드(간극)의 발생을 억제할 수 있다. 액상 수지(R)의 공급 속도를 증가시키는 대신에, 노즐(25)의 상승 속도(또는 기재(2)를 지지하는 XY테이블(26)의 하강 속도)를 저하시키도록 해도 좋다.
본 실시예의 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)는 기재(2)에 대한 액상 수지(R)의 공급 및 그 후의 액상 수지(R)의 경화를 연속적으로 실시할 수 있다. 이와 같은 인라인식의 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)에 있어서, 경화 장치(40)에 있어서의 액상 수지(R)의 경화는 반드시 완전한 경화일 필요는 없고, 경시적인 변형이 실질적으로 발생하지 않게 될 정도로까지 액상 수지(R)를 경화시키는 가경화이어도 좋다. 이에 따라, 경화 장치(40)에 있어서의 가열 시간을 단축할 수 있는 것에서, 수납 카세트(42)의 갯수를 적게 하여 소형화를 꾀할 수 있다. 이 경우에는, 경화 장치(40)로부터 꺼낸 기재(2)를 후공정에서 다시 가열로에 투입하여 액상 수지(R)를 본경화시킬 수 있다. 또한, 옵티컬 디바이스 제조 장치(1)는 배치식의 구성으로 할 수도 있다.
경화 장치(40)는 상기와 같이 상압 하 또는 가압 하에서 가열하는 구성으로 하는 것이 가능한데, 액상 수지(R)에 혼입한 기포의 팽창에 의한 품질 저하를 억제하기 위해, 가압 하에서 가열하는 장치인 것이 바람직하다. 도 9는 이와 같은 경화 장치의 일례를 나타내는 정면도이고, 도 10은 도 9에 있어서의 B-B단면도이다.
도 9에 나타내는 경화 장치(400)는 복수의 가압 경화로(410)를 구비하고 있으며, 각각 수평 방향으로 인접 배치되어 있다. 각 가압 경화로(410)는 천정판(411)에 압축 스프링으로 이루어지는 완충 부재(412)를 통하여 지지된 원통상의 케이싱(413)과, 에어 실린더 등으로 이루어지는 승강 실린더(414)의 승강 로드 상단에 설치된 하부 덮개(415)를 구비하고 있다. 케이싱(413)은 하측이 개구하도록 배치되어 있으며, 도 10에 파선으로 나타내는 아래쪽 위치로부터 하부 덮개(415)가 상승함으로써 케이싱(413)을 밀폐할 수 있다.
도 9 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 하부 덮개(415)의 상면에는 지지 부재(416)를 통하여 가열체(417)가 지지되어 있으며, 가열체(417)의 상면에 기재(2)를 탑재 가능한 복수의 핀(418)이 설치되어 있다. 한편, 케이싱(413)의 내벽 상면에는 지지 부재(419)를 통하여 가열체(420)가 매달림 지지되어 있다. 가열체(417, 420)는 하부 덮개(415)가 케이싱(413)을 밀폐한 상태에 있어서, 서로 간격을 두고 대향하도록 배치되어 있으며, 핀(418)에 탑재한 기재(2)를 상하로부터 균일하게 가열할 수 있다. 가열체(417, 420)는 도 9에 있어서는 복수의 카트리지 히터(417a, 420a)를 내장하는 금속제의 히터 블록으로 하고 있는데, 세라믹 히터 등의 다른 전열 히터이어도 좋고, 또는 케이싱(413) 내에 열풍을 공급하는 구성이어도 좋다.
케이싱(413)에는 가압관(미도시)이 접속되어 있으며, 가압원으로부터 압축 공기를 공급하여 밀폐 상태의 케이싱(413)의 내부를 원하는 압력(예를 들면, 0.5MPa)으로 가압할 수 있다. 케이싱(413)의 내부 압력은 케이싱(413)에 접속된 압력 개방관(미도시)의 밸브 조작에 의해 대기에 개방할 수 있다. 케이싱(413)의 내부 온도의 조정은 가열체(417, 420)로의 통전 제어에 의해 실시하는 것이 가능하고, 또는 케이싱(413)의 외주면에 나선상으로 감아 돌려진 냉각관(423)에 냉각액을 통과시켜서 실시할 수 있다.
또한, 경화 장치(400)는 각 가압 경화로(410)의 인접 방향을 따라서 기재(2)를 수평 반송하는 반송 컨베이어(424)와, 이 반송 컨베이어(424)와 평행하게 연장되도록 배치된 가이드 레일(425)(도 9에서는 일부만을 나타낸다)을 구비하고 있다. 반송 컨베이어(424)는 복수의 핀으로 이루어지는 지지부(424a)가 반송면 상에 등간격으로 설치되어 있으며, 액상 수지가 공급된 기재(2)를 전공정(예를 들면, 도 1에 나타내는 버퍼 장치(30))으로부터 지지부(424a)에 받은 후, 각 가압 경화로(410)의 근처를 통과시켜서 후공정(예를 들면, 도 1에 나타내는 언로더(50))에 건넬 수 있도록 기재(2)를 반송한다. 가이드 레일(425)에는 기재(2)를 파지하는 에어 척(426)이 선단에 설치된 신축 로드(427)를 구비하는 이동체(428)가 슬라이딩 가능하게 지지되어 있으며, 도 10에 나타내는 바와 같이, 임의의 가압 경화로(410)의 앞에서 이동체(428)를 정지시켜서 신축 로드(427)를 진퇴함으로써 반송 컨베이어(424)와 아래쪽 위치에 있는 하부 덮개(415)(파선)의 사이에서 기재(2)를 이송할 수 있다. 각 가압 경화로(410)에 대한 기재(2)의 투입 및 꺼냄은 본 실시예의 반송 컨베이어(424) 및 이동체(428)를 이용하는 대신에, 마테리얼 핸들링 로봇 등의 다른 이송 장치를 이용하여 실시할 수도 있다.
상기의 경화 장치(400)에 따르면, 반송 컨베이어(424)에 의해 반송되는 기재(2)를 이동체(428)의 동작에 의해 각 가압 경화로(410)의 핀(418)에 탑재한 후, 하부 덮개(415)를 상승시켜서 케이싱(413) 내에 반송함으로써 기재(2)에 공급된 액상 수지에 대하여 소정의 온도 및 압력으로 소정 시간의 가경화를 실시할 수 있다. 가경화의 종료 후에는 하부 덮개(415)를 하강시켜서 이동체(428)의 동작에 의해 기재(2)를 다시 반송 컨베이어(424) 상으로 이동시켜서 반송한다. 기재(2)가 반송 컨베이어(424)에 탑재되고나서 케이싱(413)에 수용되기까지의 시간을 일정하게 하기 위해, 기재(2)를 반송 컨베이어(424)로부터 하부 덮개(415)로 이송한 후, 가압 경화로(410)마다 미리 설정된 대기 시간이 경과하기까지 하부 덮개(415)의 상승을 대기하도록 해도 좋고, 이에 따라, 액상 수지의 렌즈 형상의 치수 정밀도를 높일 수 있다.
(제 2 실시예)
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 관련되는 옵티컬 디바이스 제조 장치의 개략 구성도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 이 옵티컬 디바이스 제조 장치(100)는 로더(110), 제 1 밀봉 장치(120), 제 1 버퍼 장치(130), 제 1 경화 장치(140), 제 2 버퍼 장치(150), 제 2 밀봉 장치(160), 제 3 버퍼 장치(170), 제 2 경화 장치(180) 및 언로더(190)를 구비하고 있다. 제 1 밀봉 장치(120) 및 제 2 밀봉 장치(160)는 제 1 실시예의 밀봉 장치(20)와 동일하게 구성되어 있으며, 액상 수지를 공급하는 노즐(125, 165)을 각각 구비하고 있다. 또, 제 1 버퍼 장치(130), 제 2 버퍼 장치(150) 및 제 3 버퍼 장치(170)는 제 1 실시예의 버퍼 장치(30)와 동일한 구성을 구비하고 있으며, 제 1 경화 장치(140) 및 제 2 경화 장치(180)는 제 1 실시예의 경화 장치(40)와 동일한 구성을 구비하고 있다. 로더(110)의 수납 카세트(112)에 수납된 기재(2)는 아암(미도시)의 작동에 의하여 도 4의 화살표 A방향으로 차례 차례 반송되어 언로더(190)의 수납 카세트(192)에 수납된다.
이 옵티컬 디바이스 제조 장치(100)는 제 1 밀봉 장치(120)에 의하여 제 1 실시예의 밀봉 장치(20)의 경우와 마찬가지로, 발광 소자(4)가 제 1 액상 수지에 의하여 렌즈상으로 밀봉된다. 그리고 제 1 버퍼 장치(130), 제 1 경화 장치(140) 및 제 2 버퍼 장치(150)를 거쳐서 제 1 액상 수지가 가경화한 상태에서 제 2 밀봉 장치(160)에 반송된다.
제 2 밀봉 장치(160)에 있어서는, 반송된 기재(2)가 XY테이블에 재치되고 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 발광 소자(4)의 바로 위에 노즐(165)이 배치되도록 기재(2)의 위치 결정이 실시된 후, 노즐(165)의 선단이 발광 소자(4)를 밀봉하는 제 1 액상 수지(R1)와 근접하는 위치까지 디스펜서 장치가 하강한다. 노즐(165)의 근접 위치에 있어서의 노즐(165)의 선단과 제 1 액상 수지(R1)의 간격은 도 2(a)에 나타내는 간격(s)과 동일 정도로 설정하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 노즐(165)의 선단으로부터 제 2 액상 수지(R2)의 공급이 개시되는 것과 함께, 디스펜서 장치가 상승하고, 제 2 액상 수지(R2)의 공급이 실시되고 있는 동안, 노즐(165)의 선단이 제 1 액상 수지(R1)로부터 서서히 격리된다. 그리고 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 제 1 액상 수지(R1)가 제 2 액상 수지(R2)에 의하여 렌즈상으로 밀봉된 상태로 제 2 액상 수지(R2)의 공급이 정지된다.
노즐(165)은 제 2 액상 수지(R2)의 공급 정지 후에도 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 액끊김이 발생하기까지 더욱 상승한다. 그리고 노즐(165)의 선단이 렌즈상의 제 2 액상 수지(R2)와 완전히 떨어진 후, XY테이블의 구동에 의해 도 5(e)에 나타내는 바와 같이, 인접하는 발광 소자(4)의 바로 위로 노즐(165)이 이동한다. 이후, 노즐(165)이 하강하여 상기의 순서가 반복됨으로써 기재(2)에 실장된 모든 발광 소자(4)의 제 1 액상 수지(R1)가 제 2 액상 수지(R2)에 의해 더욱 밀봉된다. 이후는 제 3 버퍼 장치(170)를 거쳐서 제 2 경화 장치(180)에서 본경화시킴으로써 제 1 액상 수지(R1) 및 제 2 액상 수지(R2)가 완전히 경화한 발광 장치를 얻을 수 있다.
본 실시예의 옵티컬 디바이스 제조 장치(100)에 따르면, 제 1 액상 수지(R1)를 가경화시킨 후에 제 2 액상 수지(R2)를 공급하기 때문에 제 2 액상 수지(R2)의 자중에 의한 제 1 액상 수지(R1)의 변형을 억제할 수 있는 것과 함께, 제 1 액상 수지(R1)와 제 2 액상 수지(R2)의 혼합을 방지할 수 있다. 따라서, 제 2 액상 수지(R2)의 원하는 렌즈 형상을 신속 용이하게 얻을 수 있다.
제 1 액상 수지(R1) 및 제 2 액상 수지(R2)의 조합은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 제 1 액상 수지(R1)가 형광체를 함유하는 재료인 한편, 제 2 액상 수지(R2)가 형광체를 함유하지 않는 재료로 함으로써 형광체의 사용량을 억제하면서 고휘도의 발광 장치를 얻을 수 있다. 또는, 제 1 액상 수지(R1)가 형광체를 함유하지 않는 재료인 한편, 제 2 액상 수지(R2)가 형광체를 함유하는 재료로 하는 것도 가능하다.
본 실시예에 있어서는, 제 1 액상 수지(R1)를 제 2 액상 수지(R2)에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 것과 함께, 발광 소자(4)를 제 1 액상 수지(R1)에 의해 렌즈상으로 밀봉하고 있는데, 제 1 액상 수지(R1)의 형상은 최종적인 렌즈 형상에 직접 영향을 주지 않는 것에서, 렌즈 형상 이외의 일정한 형상이어도 좋다. 예를 들면, 제 1 액상 수지(R1)에 저점도의 재료를 사용하고, 발광 소자(4)를 덮는 제 1 액상 수지(R1)를 박막 플랫 형상으로 해도 좋다.
본 실시예에 있어서도, 제 1 실시예와 마찬가지로, 기재(2)가 갖는 오목부(3a) 내에 실장된 발광 소자(4)를 제 1 액상 수지(R1) 및 제 2 액상 수지(R2)로 밀봉할 수 있다. 우선, 제 1 밀봉 장치(120)에 있어서 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 오목부(3a)의 내부에 노즐(125)의 선단을 세트한 후, 노즐(125)을 상승시키면서 제 1 액상 수지(R1)를 공급함으로써 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 발광 소자(4)를 제 1 액상 수지(R1)에 의해 오목부(3a)의 내부에서 밀봉한다. 그리고 제 2 밀봉 장치(160)에 있어서 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 오목부(3a)의 내부에 노즐(165)의 선단을 세트한 후, 노즐(165)을 오목부(3a)의 외부까지 상승시키면서 제 2 액상 수지(R2)를 공급함으로써 도 6(d)에 나타내는 바와 같이, 제 2 액상 수지(R2)를 오목부(3a)의 개구로부터 렌즈상으로 팽출시킬 수 있다.
그 밖에, 제 1 실시예에 있어서 나타낸 각종 변형예는 제 2 실시예에 있어서도 적절히 적용 가능하다.
1, 100: 옵티컬 디바이스 제조 장치
2: 기재
4: 발광 소자(광반도체 소자)
20: 밀봉 장치
25, 125, 165: 노즐
40: 경화 장치
120: 제 1 밀봉 장치
140: 제 1 경화 장치
160: 제 2 밀봉 장치
180: 제 2 경화 장치

Claims (13)

  1. 기재에 실장된 광반도체 소자를 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 밀봉 공정과, 상기 액상 수지를 경화시키는 경화 공정을 구비하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 밀봉 공정은 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 액상 수지의 공급을 실시하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 공정은 상기 액상 수지의 공급을 정지한 후, 상기 액상 수지의 액끊김이 발생하기까지 상기 노즐을 더욱 상승시키는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광반도체 소자는 상기 기재가 갖는 오목부 내에 배치되어 있으며,
    상기 밀봉 공정은 상기 노즐의 선단을 상기 오목부의 내부로부터 상승시키는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 공정은 상기 액상 수지의 공급을 정지한 후, 상기 기재에 공급된 상기 액상 수지의 바로 위에서 액끊김이 발생하도록 상기 노즐을 수평 방향으로 이동시키는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 공정은 상기 광반도체 소자를 둘러싸도록 상기 노즐을 이동시키면서 상기 액상 수지를 공급함으로써 상기 기재 상에 환상의 제방부를 미리 형성하는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 밀봉 공정은 상기 액상 수지의 공급 중에 공급 속도를 변화시키는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 경화 공정은 가압 하에서 실시되는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 액상 수지는 점도(23℃)가 10~200Paㆍs이고, 칙소트로픽성이 2.0~7.0인
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 디스펜서는 스크류식, 제트식, 또는 용적 계량식 중 어느 하나인
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  10. 기재에 실장된 광반도체 소자를 제 1 액상 수지에 의해 밀봉하는 제 1 밀봉 공정과, 상기 제 1 액상 수지를 가경화시키는 제 1 경화 공정과, 가경화 후의 상기 제 1 액상 수지를 제 2 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 제 2 밀봉 공정과, 상기 제 1 액상 수지 및 제 2 액상 수지를 본경화시키는 제 2 경화 공정을 구비하는 옵티컬 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 제 1 밀봉 공정은 제 1 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 1 액상 수지의 공급을 실시하고,
    상기 제 2 밀봉 공정은 제 2 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 제 1 액상 수지에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 2 액상 수지의 공급을 실시하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 광반도체 소자는 상기 기재가 갖는 오목부 내에 배치되어 있으며,
    상기 제 1 밀봉 공정은 상기 노즐의 선단을 상기 오목부의 내부로부터 상승시켜서 상기 광반도체 소자를 상기 오목부의 개구보다도 아래쪽에서 렌즈상으로 밀봉하는 공정을 구비하는
    옵티컬 디바이스의 제조 방법.
  12. 기재에 실장된 광반도체 소자를 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 밀봉 장치와, 상기 액상 수지를 경화시키는 경화 장치를 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치로서,
    상기 밀봉 장치는 상기 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 액상 수지의 공급을 실시하는
    옵티컬 디바이스 제조 장치.
  13. 기재에 실장된 광반도체 소자를 제 1 액상 수지에 의해 밀봉하는 제 1 밀봉 장치와, 상기 제 1 액상 수지를 가경화시키는 제 1 경화 장치와, 가경화 후의 상기 제 1 액상 수지를 제 2 액상 수지에 의해 렌즈상으로 밀봉하는 제 2 밀봉 장치와, 상기 제 1 액상 수지 및 제 2 액상 수지를 본경화시키는 제 2 경화 장치를 구비하는 옵티컬 디바이스 제조 장치로서,
    상기 제 1 밀봉 장치는 상기 제 1 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 제 1 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 제 1 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 광반도체 소자에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 1 액상 수지의 공급을 실시하고,
    상기 제 2 밀봉 장치는 상기 제 2 액상 수지를 공급하는 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상하 이동 가능한 제 2 디스펜서를 구비하고 있으며, 상기 제 2 디스펜서의 노즐의 선단을 상기 제 1 액상 수지에 근접시킨 후, 상기 노즐을 상기 기재에 대하여 상대적으로 상승시키면서 상기 제 2 액상 수지의 공급을 실시하는
    옵티컬 디바이스 제조 장치.
KR1020137030501A 2011-04-26 2012-04-19 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치 KR102028594B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-098741 2011-04-26
JP2011098741 2011-04-26
PCT/JP2012/060586 WO2012147611A1 (ja) 2011-04-26 2012-04-19 オプトデバイスの製造方法および製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140030192A true KR20140030192A (ko) 2014-03-11
KR102028594B1 KR102028594B1 (ko) 2019-10-04

Family

ID=47072132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137030501A KR102028594B1 (ko) 2011-04-26 2012-04-19 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9373730B2 (ko)
EP (1) EP2704220B1 (ko)
JP (1) JP6150257B2 (ko)
KR (1) KR102028594B1 (ko)
CN (1) CN103493229B (ko)
TW (1) TWI542038B (ko)
WO (1) WO2012147611A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI541068B (zh) * 2012-12-26 2016-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體的點膠方法
JP5901567B2 (ja) * 2013-04-22 2016-04-13 サンユレック株式会社 オプトデバイスの製造方法
CN103296183A (zh) * 2013-05-28 2013-09-11 惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司 温度与胶量控制的led透镜成型方法
CN103354268A (zh) * 2013-05-28 2013-10-16 惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司 平面式led一次透镜成型方法
JP2016033107A (ja) * 2014-07-29 2016-03-10 キヤノン株式会社 相分離ガラス膜の製造方法、多孔質ガラス膜の製造方法、ガラス部材、撮像装置
CN104269491B (zh) * 2014-09-16 2017-05-31 漳州立达信光电子科技有限公司 Led芯片的封装方法及使用该封装方法的led封装结构
JP2016128152A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 サンユレック株式会社 樹脂体形成方法及びその形成物
JP6834168B2 (ja) * 2016-04-27 2021-02-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6394649B2 (ja) 2016-06-30 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3534416B1 (en) * 2018-02-28 2022-06-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
CN117202525A (zh) * 2019-01-04 2023-12-08 捷普有限公司 用于在电路板上提供底部填充物的设备、系统和方法
JP7226131B2 (ja) * 2019-06-25 2023-02-21 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US11114409B2 (en) * 2020-01-30 2021-09-07 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Chip on wafer on substrate optoelectronic assembly and methods of assembly thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59225533A (ja) * 1983-06-06 1984-12-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20070249790A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone lens and silicone resin composition for molding lens
JP2008231199A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Sanyu Rec Co Ltd 発光素子封止用シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたポッティング方式による光半導体電子部品の製造方法
US20090213296A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Hae-Il Park Light unit, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
JP2010114406A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Sony Corp 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264160A (en) * 1991-04-30 1993-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Method of molding optical elements
JPH06343912A (ja) 1993-06-10 1994-12-20 Seikosha Co Ltd ディスペンサの駆動方法
US6046076A (en) * 1994-12-29 2000-04-04 Tessera, Inc. Vacuum dispense method for dispensing an encapsulant and machine therefor
US6013315A (en) * 1998-01-22 2000-01-11 Applied Materials, Inc. Dispense nozzle design and dispense method
JP3874547B2 (ja) * 1998-08-20 2007-01-31 松下電器産業株式会社 バンプ付きｉｃ封止剤塗布方法及びバンプ付きｉｃ封止剤塗布装置
JP2000315823A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Runaraito Kk 発光ダイオードおよびその製造方法
DE10024336A1 (de) 2000-05-17 2001-11-22 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung
TW515012B (en) * 2000-09-08 2002-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma-processing apparatus, plasma-processing method, and chip mounted method
WO2002038280A2 (en) * 2000-11-10 2002-05-16 Therics, Inc. A wetting-resistant nozzle for dispensing small volumes of liquid and a method for manufacturing a wetting-resistant nozzle
US7254386B2 (en) * 2001-08-10 2007-08-07 Kyocera Wireless Corp. System and method for improved security in handset reprovisioning and reprogramming
EP1533636A4 (en) * 2002-05-09 2005-07-20 Sumitomo Electric Industries OPTICAL DEVICE
JP4139634B2 (ja) * 2002-06-28 2008-08-27 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明装置およびその製造方法
TWI252053B (en) * 2002-09-24 2006-03-21 Sharp Kk Active matrix type organic EL display, and manufacturing method and device thereof, and liquid crystal array and manufacturing method thereof, and manufacturing method and device of color filter substrate, and color filter device
JP4042668B2 (ja) 2003-09-25 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 固体発光素子とその製造方法並びにプロジェクタ
JP3994994B2 (ja) * 2003-10-23 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
JP2006066786A (ja) 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
JP4329736B2 (ja) * 2005-07-04 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 光学基板、面状照明装置、電気光学装置
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
CN101030611B (zh) * 2006-03-05 2010-05-12 浙江古越龙山电子科技发展有限公司 大功率发光二极管点胶工艺
JP2008003443A (ja) 2006-06-26 2008-01-10 Reiko Co Ltd 電子ペーパー、電子ペーパー印字・印画方法、及び電子ペーパー印字・印画装置
JP2008034443A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Sharp Corp 樹脂塗布方法および光半導体装置
EP1946843A1 (en) * 2006-12-21 2008-07-23 Allegro Research Limited Apparatus and method for monitoring and measurement of droplets
JP5014774B2 (ja) * 2006-12-26 2012-08-29 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 付加反応硬化型シリコーン組成物および半導体装置
JP2008222828A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP4874220B2 (ja) 2007-12-18 2012-02-15 サンユレック株式会社 発光装置の製造方法および発光装置の製造装置
JP5119917B2 (ja) * 2007-12-28 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4744573B2 (ja) * 2008-01-23 2011-08-10 サンユレック株式会社 電子装置の製造方法
JP5235506B2 (ja) * 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
US20100154861A1 (en) * 2008-12-23 2010-06-24 Formfactor, Inc. Printed solar panel
JP5195415B2 (ja) 2008-12-26 2013-05-08 三菱化学株式会社 半導体発光装置
JP5564835B2 (ja) 2009-06-17 2014-08-06 デクセリアルズ株式会社 光半導体封止用樹脂組成物
JP2011009519A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Hitachi Chem Co Ltd 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP2011071242A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
DE102010044470B4 (de) * 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
JP2013001085A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Toshiba Tec Corp インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法
US20120326341A1 (en) * 2011-06-23 2012-12-27 Intematix Technology Center Method for fabricating self assembling light emitting diode lens

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59225533A (ja) * 1983-06-06 1984-12-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20070249790A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone lens and silicone resin composition for molding lens
JP2008231199A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Sanyu Rec Co Ltd 発光素子封止用シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたポッティング方式による光半導体電子部品の製造方法
US20090213296A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Hae-Il Park Light unit, liquid crystal display having the same, and method of manufacturing the same
JP2010114406A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Sony Corp 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103493229A (zh) 2014-01-01
WO2012147611A1 (ja) 2012-11-01
EP2704220A4 (en) 2014-10-29
CN103493229B (zh) 2016-09-07
EP2704220B1 (en) 2018-03-07
EP2704220A1 (en) 2014-03-05
JP6150257B2 (ja) 2017-06-21
KR102028594B1 (ko) 2019-10-04
TWI542038B (zh) 2016-07-11
JPWO2012147611A1 (ja) 2014-07-28
US10050158B2 (en) 2018-08-14
US20140051196A1 (en) 2014-02-20
US20160260847A1 (en) 2016-09-08
TW201248935A (en) 2012-12-01
US9373730B2 (en) 2016-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102028594B1 (ko) 옵티컬 디바이스의 제조 방법 및 제조 장치
KR102189199B1 (ko) 수지 몰드 장치 및 수지 몰드 방법
JP6491508B2 (ja) 樹脂封止装置及び樹脂成形品の製造方法
CN101030611B (zh) 大功率发光二极管点胶工艺
TWI440211B (zh) 電子裝置之製造方法
CN105283289A (zh) 树脂模塑用模组和树脂模塑装置
US8546158B2 (en) Method for distributing phosphor particulates on LED chip
JP6169516B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形方法
JP2787388B2 (ja) 発光装置のレンズ成形方法
JP6218666B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形方法
JP4874220B2 (ja) 発光装置の製造方法および発光装置の製造装置
KR100945846B1 (ko) 도광판 진공성형 장치 및 진공성형 방법
JP5923850B2 (ja) オプトデバイスの製造方法
CN109719879B (zh) 喷嘴、树脂成形装置、树脂成形品的制造方法
CN107876320A (zh) 荧光粉涂布装置及涂布方法
KR20090115534A (ko) 형광물질 정량 토출장치
KR101615726B1 (ko) 형광시트 성형장치 및 형광시트
KR101218367B1 (ko) 렌즈 제조방법 및 렌즈실장 기판
KR20170033466A (ko) 시트형 형광체막 제조장치 및 방법
JP2015199010A (ja) ペースト塗布装置および塗布処理済み部品の製造方法
JP2010082888A (ja) 圧縮樹脂封止成形に用いられる液状樹脂材料の供給方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101001649; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180416

Effective date: 20190902

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)