KR20140025453A - 연마 패드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

연마 패드 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140025453A
KR20140025453A KR1020137029912A KR20137029912A KR20140025453A KR 20140025453 A KR20140025453 A KR 20140025453A KR 1020137029912 A KR1020137029912 A KR 1020137029912A KR 20137029912 A KR20137029912 A KR 20137029912A KR 20140025453 A KR20140025453 A KR 20140025453A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
polishing pad
compound
component
resin foam
Prior art date
Application number
KR1020137029912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101913885B1 (ko
Inventor
고우키 이토야마
후미오 미야자와
Original Assignee
후지보홀딩스가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지보홀딩스가부시끼가이샤 filed Critical 후지보홀딩스가부시끼가이샤
Publication of KR20140025453A publication Critical patent/KR20140025453A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101913885B1 publication Critical patent/KR101913885B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/08Processes
    • C08G18/10Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40High-molecular-weight compounds
    • C08G18/48Polyethers
    • C08G18/4854Polyethers containing oxyalkylene groups having four carbon atoms in the alkylene group
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/76Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic
    • C08G18/7614Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing only one aromatic ring
    • C08G18/7621Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing only one aromatic ring being toluene diisocyanate including isomer mixtures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J9/00Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof
    • C08J9/04Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof using blowing gases generated by a previously added blowing agent
    • C08J9/12Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof using blowing gases generated by a previously added blowing agent by a physical blowing agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2110/00Foam properties
    • C08G2110/0008Foam properties flexible
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2110/00Foam properties
    • C08G2110/0041Foam properties having specified density
    • C08G2110/0066≥ 150kg/m3
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2110/00Foam properties
    • C08G2110/0083Foam properties prepared using water as the sole blowing agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2207/00Foams characterised by their intended use
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2375/00Characterised by the use of polyureas or polyurethanes; Derivatives of such polymers
    • C08J2375/04Polyurethanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

본 발명은 종래의 경질(건식) 연마 패드를 사용한 경우에 발생하는 스크래치의 문제를 개선하고, 또한 연마 속도나 연마 균일성이 우수하고, 1차 연마뿐만 아니라 마무리 연마에도 대응할 수 있는 연마 패드 및 그의 제조 방법을 제공한다. 대략 구상의 기포를 포함하는 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 갖는 연마층을 함유하는 연마 패드이며, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는 M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 160μs 내지 260μs이며, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 연마용의 연마 패드에 관한 것이다.

Description

연마 패드 및 그의 제조 방법{POLISHING PAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}
본 발명은 연마 패드에 관한 것이다. 특히 반도체 디바이스의 CMP용 연마 패드에 관한 것이다.
실리콘, 하드 디스크, 액정 디스플레이용 마더 유리, 반도체 디바이스 등의 재료 표면에는 평탄성이 요구되므로, 연마 패드를 사용한 유리(遊離) 지립 방식의 연마가 행해지고 있다. 유리 지립 방식은 연마 패드와 피연마물의 사이에 지립을 포함하는 슬러리(연마액)를 공급하면서 피연마물의 가공면을 연마 가공하는 방법이다.
반도체 디바이스용의 연마 패드에는, 그 연마 패드 표면에 지립을 유지하기 위한 개공과, 반도체 디바이스 표면의 평탄성을 유지하는 경성과, 반도체 디바이스 표면의 스크래치를 방지하는 탄성이 요구된다. 이들 요구에 응하는 연마 패드로서 우레탄 수지 발포체로 제조된 연마층을 갖는 연마 패드가 이용되고 있다.
우레탄 수지 발포체는, 통상 이소시아네이트기 함유 화합물을 포함하는 예비 중합체와 경화제의 반응에 의해 경화되어 성형된다(건식법). 그리고, 이 발포체를 시트상으로 슬라이스함으로써 연마 패드가 형성된다. 이와 같이 건식법으로 성형된 경질의 연마층을 갖는 연마 패드(이하, 경질(건식) 연마 패드라고 간단히 하는 경우가 있음)는 우레탄 수지 경화 성형 시에 발포체 내부에 비교적 작은 대략 구상의 기포가 형성되므로, 슬라이스에 의해 형성되는 연마 패드의 연마면에는 연마 가공 시에 슬러리를 유지할 수 있는 개공(개구)이 형성된다.
지금까지, 반도체 디바이스용의 연마 패드의 소재가 되는 우레탄 수지 발포체는, 기포 직경이 100㎛ 이하에서 30㎛ 부근이 주류였다(특허문헌 1). 또한, 우레탄 수지 발포체의 A 경도에 대해서는 70도 이상, D 경도는 45도 이상의 것이 주류이며(특허문헌 2 내지 3), 밀도는 0.5g/cm3 이상의 것(특허문헌 1), 탄성에 대해서는 저장 탄성률이 몇백 MPa 이상의 것(특허문헌 4)이 주류였다. 종탄성 계수(영률)에 대해서는 500MPa 이상이 주류였다(특허문헌 5).
또한, 상기 주류의 것 이외에, 마모의 정도를 적정화하고 연마 성능의 안정화를 목적으로, 벌크 밀도, A 경도, 경질 세그먼트 함유율(HSC)(%)의 점에서 우레탄 수지 발포체의 물성의 개량이 행해지고 있다(특허문헌 6). 또한, 스크래치 발생을 저감시키는 것을 목적으로, 저장 탄성률을 소정의 범위 내가 되도록 조정한 연마 패드도 보고되어 있다(특허문헌 7, 8).
그리고, 펄스 NMR에 있어서의 자유 유도 감쇠 신호(FID)로부터 결정상(L)과 계면상(M), 비정질상(S)의 성분량, 스핀-스핀 완화 시간(T2)을 구하고, T2와 M 성분량을 최적화함으로써 상분리 구조를 명확화시키고, A 경도, 압축 탄성률을 향상시킨 연마 패드가 보고되어 있다(특허문헌 9). 또한, 펄스 NMR 측정에 의한 발포 폴리우레탄 중의 경질 세그먼트의 존재비를 55% 내지 70%로 함으로써, 단단하고, 나아가 인장 파단되기 쉽고, 신도가 작다는 특성을 발현시키고, 고경도를 유지하면서 드레스성을 높인 연마 패드가 보고되어 있다 (특허문헌 10).
특허 제4338150호 공보 특허 제3924952호 공보 특허 제3788729호 공보 특허 제3983610호 공보 일본 특허 공개 (평)10-6211호 공보 일본 특허 공개 제2010-58194호 공보 일본 특허 공개 제2006-114885호 공보 일본 특허 공개 제2009-256473호 공보 일본 특허 공개 제2010-82719호 공보 일본 특허 공개 제2010-240777호 공보
그러나, 상기의 건식 연마 패드는 여전히 경질이며, 피연마물 사이에서 국소적으로 압력이 가해지기 쉬우므로, 피연마물의 표면에 발생하는 연마 흠집(스크래치)을 저감시키는 점에서 만족스러운 것이 아니었다. 또한, 클로깅(clogging)을 일으키기 쉽다는 문제도 여전히 갖고 있었다. 그로 인해, 통상, 이들 건식법으로 성형된 경질의 연마 패드로 연마한 후에는, 추가로 습식법으로 성형된 연질의 연마층을 갖는 연마 패드를 사용해서 마무리 연마를 행할 필요가 있었다(습식법은 수지를 수혼화성의 유기 용매에 용해시킨 수지 용액을 시트상의 성막 기재에 도포한 후에 수계 응고액 중에서 수지를 응고 재생시키는 것임).
한편, 습식법으로 성형된 연질의 연마층을 갖는 연마 패드는, 저경도로 스웨이드 타입의 큰 개공을 갖고, 그의 발포 구조도 불균일하다. 그로 인해, 건식법으로 성형된 경질의 연마층을 갖는 연마 패드에 의한 연마에 비해, 연마 속도나 연마 균일성(유니포미티: 패드 표면이 피연마물의 굴곡·휨에 추종할 수 있는 것)은 우수하지만, 발포 형상이 이방성인 점에서, 마모에 의해 표면의 개구 상태가 변화하거나, 연마층 하부의 저밀도 부분이 찢어지거나 하여, 장기간 일정한 레벨의 연마 상태를 유지할 수 없다는 문제점을 갖고 있었다.
따라서, 건식법으로 성형된 연마층을 갖는 연마 패드의 이점을 살리면서 마무리 연마에도 대응할 수 있는 연마 패드에 대한 수요가 존재한다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 종래의 경질(건식) 연마 패드를 사용한 경우에 발생하는 스크래치의 문제를 개선하고, 또한 연마 속도나 연마 균일성이 우수하고, 1차 연마뿐만 아니라 마무리 연마에도 대응할 수 있는 연마 패드 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
1. 대략 구상의 기포를 포함하는 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 갖는 연마층을 구비하는 연마 패드이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠 신호(FID)를 최소 제곱법에 의해 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 순서대로 L(비결정상), M(계면상), S(결정상)의 3성분으로 나눈 경우에 있어서, M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2)(이하, T2M이라고 나타내는 경우가 있음)이 160μs 내지 260μs이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내인 것을 특징으로 하는, 반도체 디바이스 연마용의 연마 패드.
2. 상기 수지 발포체의 M 성분의 성분 존재비(이하, CM이라고 나타내는 경우가 있음)가 55% 내지 80%(질량%)의 범위이며, X=T2M/D로 구해지는 X값이 350 내지 800의 범위인 것을 특징으로 하는, 상기 1에 기재된 연마 패드.
3. 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 평균 기포 직경이 120㎛ 내지 185㎛인, 상기 1 또는 2에 기재된 연마 패드.
4. 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 A 경도가 20도 내지 55도인, 상기 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
5. 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 D 경도가 5도 내지 35도인, 상기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
6. 상기 연마층의 연마면과 반대인 면측에 상기 연마층보다 단단한 층이 대립되어 있는 것을 특징으로 하는, 상기 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
7. 이소시아네이트기 함유 화합물(A)와, 폴리이소시아네이트 화합물(B)와, 폴리아민 화합물(D)와, 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액(E)와, 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 준비하는 준비 공정;
적어도, 상기 이소시아네이트기 함유 화합물(A)와, 폴리이소시아네이트 화합물(B)와, 폴리아민 화합물(D)와, 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액(E)와, 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 혼합해서 발포체 성형용 혼합액을 얻는 혼합 공정;
상기 발포체 성형용 혼합액으로부터 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 성형하는 발포체 성형 공정; 및
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체로부터 피연마물을 연마 가공하기 위한 연마면을 갖는 연마층을 형성하는 연마층 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드의 제조 방법.
8. 상기 준비 공정에 있어서, 폴리올 화합물(C-2)를 더 준비하여 상기 혼합 공정에서 혼합하는 것을 특징으로 하는, 상기 7에 기재된 연마 패드의 제조 방법.
9. 상기 준비 공정에 있어서, 상기 폴리아민 화합물(D)의 아미노기와 상기 폴리올 화합물(C-2)의 수산기의 당량의 합(활성 수소기의 당량)에 대한 상기 폴리아민 화합물(D)의 아미노기의 당량비가 0.70 내지 0.97(아미노기/(아미노기+수산기))이 되도록 준비하는 것을 특징으로 하는, 상기 8에 기재된 연마 패드의 제조 방법.
10. 상기 폴리아민 화합물(D)가 메틸렌비스-o-클로로아닐린(MOCA)의 단량체와 다량체의 혼합물이며 상기 다량체를 15질량% 이상 함유하는 조제(粗製) MOCA인 것을 특징으로 하는, 상기 7 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드의 제조 방법.
11. 상기 폴리올 화합물(C-2)가 수평균 분자량 500 내지 5000의 폴리테트라메틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는, 상기 8 또는 9에 기재된 연마 패드의 제조 방법.
본 발명의 연마 패드는, 펄스 NMR의 M 성분의 T2가 적당한 범위에 있고, 적당한 드레스성을 가지므로 개구부의 클로깅(clogging)에 의한 스크래치를 초래하기 어렵고, 또한 저장 탄성률이 낮으므로, 강한 압박이 억제되어 스크래치를 초래하기 어렵고, 밀도가 작은 범위에 있으므로 종래의 반도체 디바이스용의 연마 패드에 대하여 연질이고, 기공률이 높으므로(밀도가 작으므로) 클로깅에 의한 흠집도 발생하기 어렵다. 또한, 종래의 건식법에서 성형된 연마층을 갖는 연마 패드에 비하여 연질이기 때문에, 연마 속도, 연마 균일성도 우수하다. 한편으로, 건식 성형되어 있기 때문에, 습식 성형된 연마 패드에 비하여 깊이 방향의 기포 직경의 변화가 적으므로, 장기간 일정한 연마 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 건식 성형된 연마 패드이여도, 1차 가공에도 마무리해 가공에도 유리하게 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태를 나타내는 연마 패드의 단면도(좌측)와, 종래 기술로 건식 성형된 연마층을 갖는 연마 패드(비교예 1)의 단면도(우측)이다.
도 2는 폴리우레탄 수지를 펄스 핵자기 공명법으로 측정했을 때의 시간-자유 유도 감쇠 신호의 곡선, 및 그 곡선을 스핀-스핀 완화 시간의 차이를 기초로 최소 제곱법을 사용해서 비결정상(L 성분), 계면상(M 성분), 결정상(S 성분)으로 파형 분리했을 때의 곡선을 모식적으로 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 설명한다.
<<연마 패드>>
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠 신호(FID)를 최소 제곱법에 의해 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 순서대로 L(비결정상), M(계면상), S(결정상)의 3성분(M 성분과 L 성분의 성분 분리가 곤란한 경우에는 M 성분과 L 성분의 합을 M 성분으로 함)으로 나눈 경우에 있어서, M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2)(이하, T2M이라고 나타내는 경우가 있음)이 160μs 내지 260μs이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 적어도 2개 이상의 우레탄 결합과 적어도 2개 이상의 우레아 결합을 분자 내에 갖는 수지 발포체를 의미한다. 본 발명의 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜서 형성한 이소시아네이트기 함유 화합물, 폴리이소시아네이트 화합물, 폴리아민 화합물, 및 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액(이후, 수분산액이라고 간단히 하는 경우가 있음)으로 제조할 수 있다.
또한, 대략 구상이란, 건식법으로 성형되는 발포체에 존재하는 통상의 기포 형상(등방성이 있고, 구상, 타원상, 또는 이들에 가까운 형상임)을 의미하는 개념이며(도 1 참조), 습식법으로 성형되는 발포체에 포함되는 기포(이방성이 있고, 연마 패드의 연마층 표면에서 저부를 향하여 직경이 큰 구조를 가짐)와는 명확하게 구별된다.
(펄스 NMR)
펄스 NMR의 측정은, 펄스 NMR 측정 장치(니뽄덴시 가부시키가이샤제, JNM-MU25, 25MHz)를 사용하여, 솔리드 에코(solid echo)법으로 90°펄스 2.0μs, 반복 시간: 4s, 적산 횟수: 8회, 온도: 40℃에서 측정한다.
솔리드 에코법에 대해서는, 이미 잘 알려져져 있으므로 상세한 것은 생략하지만, 주로 유리상 및 결정성 고분자 등의 완화 시간이 짧은 시료의 측정에 사용되는 것이다. 데드 타임(dead time)을 외관상 제외하는 방법으로, 2개의 90°펄스를, 위상을 90° 바꾸어서 인가하는 90°x-τ-90°y 펄스법이며, X축 방향에 90°펄스를 가하면, 데드 타임 후에 자유 유도 감쇠(FID) 신호가 관측된다. FID 신호가 감쇠하지 않는 시간(τ)에 제2의 90°펄스를 y축 방향에 가하면, t=2τ의 시점에서 자화의 방향이 정렬되어 에코가 나타난다. 얻어진 에코는 90° 펄스 후의 FID 신호에 근사할 수 있다.
펄스 NMR의 해석 결과로부터 물성과 상분리 구조와 조성의 관련을 해석하는 방법은 이미 잘 알려져 있으며, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠(FID) 신호를 최소 제곱법에 의해 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써 3성분으로 나눌 수 있고, 완화 시간이 긴 성분이 운동성의 큰 성분이며 비결정상, 짧은 성분이 운동성의 작은 성분이며 결정상, 중간의 성분은 계면상이라고 정의하고(계면상과 비결정상의 성분 분리가 곤란한 경우에는 계면상으로 하여 해석), 가우스형 함수 및 로렌츠형 함수에 의한 계산식을 사용하여 각 성분의 성분량이 구해진다(예를 들어, 문헌 [「고체 NMR(고분해능 NMR와 펄스 NMR)에 의한 폴리우레탄 수지의 상분리 구조 해석」(DIC Technical Review N.12, pp.7 내지 12, 2006)]을 참조).
펄스 NMR의 측정에 대해서 상세하게 설명하면 이하와 같다. 우선, 직경 1cm의 유리관에 1 내지 2mm각 정도로 새긴 샘플을 1 내지 2cm의 높이까지 채워넣은 시료를 자장 안에 두고, 고주파 펄스 자장을 인가한 후의 거시적 자화의 완화 거동을 측정하면, 도 2에 도시한 바와 같이 자유 유도 감쇠(FID) 신호가 얻어진다(횡축: 시간(μ초), 종축: 자유 유도 감쇠 신호). 얻어진 FID 신호의 초기값은 측정 시료 내의 양성자의 수에 비례하고 있으며, 측정 시료에 3개의 성분이 있는 경우에는 FID 신호는 3성분의 응답 신호의 합으로서 나타난다. 한편, 시료 내에 포함되는 각 성분은 운동성에 차가 있으므로, 성분간에서 응답 신호의 감쇠의 속도가 상이하고, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 상이하다. 그로 인해, 최소 제곱법에 의해 3성분으로 나눌 수 있고, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 순서대로 각각 비결정상(L 성분), 계면상(M 성분), 결정상(S 성분)이 된다(도 2 참조). 비결정상은 분자 운동성이 큰 성분, 결정상은 분자 운동성이 작은 성분이며, 그의 중간 성분이 계면상이 된다.
상기 펄스 NMR, 솔리드 에코법, 스핀-스핀 완화 시간(T2)에 대해서는 일본 특허 공개 제2007-238783호(특히 단락 [0028] 내지 [0033])을 참조할 수 있다.
「스핀-스핀 완화 시간(T2)」은 분자 운동성의 지표로서 사용되고, 수치가 클수록 운동성이 높은 것을 나타낸다. 일반적으로, 결정상은 운동성이 낮으므로 T2가 작아지고, 반대로 비결정상의 T2는 높아지며, 디올의 분자량이 높을수록 운동성이 높아져서 T2의 값은 커진다. 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 분자 운동성의 척도가 되는 이유는 분자 운동의 상관 시간(τc)과 T2의 관계로부터 이해된다. τc는 어떤 운동 상태에 있는 분자가 분자 충돌을 일으키는 평균적인 시간을 나타내고, T2의 값은 τc의 증가와 역비례해서 짧아지는 것이 알려져 있다. 이것은 분자 운동성이 저하됨에 따라서 T2가 짧아지는 것을 나타낸다.
「성분량(상량)」이란 각각의 상의 비율(질량%)이며, 비결정상의 T2가 낮을수록, 또한 비결정상의 비율이 낮을수록 단단한 우레탄이 된다. 또한, 계면상이 적을수록 결정상과 비결정상이 명확하게 상분리된 구조가 되어 변형이 일어나기 어려운 탄성 특성을 갖는다. 반대로 계면상이 많을수록 결정상과 비결정상의 상분리가 명확하지 않은 구조가 되어 지연 탄성 특성을 갖는다.
(스핀-스핀 완화 시간(T2M))
본 발명의 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠 신호(FID)를 최소 제곱법에 의해 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 순서대로 L(비결정상), M(계면상), S(결정상)의 3성분으로 나눈 경우(M 성분과 L 성분의 성분 분리가 곤란한 경우에는 M 성분과 L 성분의 합을 M 성분으로 함)에 있어서, M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2)(이하, T2M이라고 나타내는 경우가 있음)이 160μs 내지 260μs이며, 바람직하게는 160μs 내지 250μs이며, 보다 바람직하게는 180μs 내지 240μs이다. T2M이 상기 범위보다 작아지면 연마 균일성이 악화된다. 한편, T2M이 상기 범위보다 커지면, 적당한 드레스성이 얻어지지 않고, 개구부의 클로깅으로 인해 스크래치가 발생하게 된다.
상기에 있어서, 「M 성분과 L 성분의 성분 분리가 곤란」이란, T2가 높은 순서대로 분리되어 갈 때, 3개로 분리되지 않는 경우이며, 본 발명은 연질계의 우레탄이므로, 원래 비결정상의 비율이 많은 점에서, 계면상이 비결정상에 가까운 거동을 하는 것에 기인한다. 단, 계면상이 존재하지 않는 것은 있을 수 없으므로, 비결정상이 아니라 계면상으로 하여 잡는 것으로 한다.
(저장 탄성률(E'))
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 저장 탄성률(E')은 JIS K7244-4에 준하여 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz에서 40℃일 때의 저장 탄성률(E')이다.
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')은 1MPa 내지 30MPa이며, 1MPa 내지 25MPa인 것이 바람직하고, 1MPa 내지 20MPa인 것이 가장 바람직하다. 저장 탄성률(E')이 상기의 범위보다 작아지면, 연마 중에 일시적으로 가해지는 편하중 등에 의해 패드 자체가 변형되기 쉬워져서 연마 균일성이 나빠진다. 한편, 상기의 범위보다 커지면, 탄성이 결여됨으로써 스크래치가 발생하게 된다.
(밀도(D))
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)는 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3이며, 0.35g/cm3 내지 0.55g/cm3인 것이 보다 바람직하고, 0.35g/cm3 내지 0.50g/cm3인 것이 더욱 보다 바람직하다. 밀도(D)가 상기 범위 내이면, 연마제나 피연마물의 가공 쓰레기 등으로 연마층 표면이 막히는 것으로 인한 흠집도 발생하기 어려워진다. 반대로, 밀도(D)가 하한값보다 작아지면, 탄성이 극도로 커지므로 피연마물과 접촉 했을 때에 패드 자체가 크게 변형되어 평탄화 성능이 나빠진다. 한편, 상한값보다 커지면, 탄성이 결여됨으로써 스크래치가 발생하게 된다.
특히, 본 발명에 있어서는 M 성분의 T2(T2M), 저장 탄성률(E') 및 밀도(D) 모두가 각각 상기 수치 범위 내에 한정되어 있음으로써, 스크래치의 발생 억제, 연마 속도 및 연마 균일성의 모든 점에서 양호한 연마 패드를 얻을 수 있다.
(M 성분의 성분량(CM))
상기 외에, M 성분의 성분량(CM)이 55 내지 80%(질량%)의 범위인 것이 바람직하다.
M 성분의 성분량이 상기의 범위이면, 적당한 응집력으로 분자끼리 회합하고 있는 영역(M 성분)이 적당한 양 포함되는 점에서, 적당한 드레스성을 얻고, 개구부의 클로깅으로 인한 스크래치가 억제됨과 동시에 연마 균일성도 유지된다. M 성분이 적을수록 변형이 적고, 고무 탄성으로서는 우수하지만, 연마 특성의 면에서는 연마압에 의한 압축에 대한 복귀 응력의 응답성이 지나치게 높으므로(지나치게 빠르므로), 연마 속도가 얻어지기 어렵다. 반대로 M 성분이 너무 많으면, 복귀 응력의 응답성이 지나치게 낮으므로(지나치게 늦으므로), 연마 균일성이 떨어지다. 이에 비해, M 성분이 상기 범위 내에 있으면, 적당한 지연 탄성에 의해 연마 속도와 연마 균일성의 양쪽에 우수한 연마가 가능해진다.
(X값)
상기 외에, 예의 연구한 결과, X=T2M/D로 구해지는 X값이 350 내지 800의 범위이면, 일정한 연마 평탄성을 유지하면서 스크래치의 발생 억제, 연마 속도 및 연마 균일성을 확보할 수 있는 것을 밝혀냈다.
X값은 350 내지 800의 범위인 것이 바람직하고, 380 내지 600에 있는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 적당한 우레아 결합을 갖는 폴리우레탄계 수지에 의해 구성된 연마 패드가 상기의 X값을 만족하기 쉬워서 우수한 연마 특성이 얻어지는 점에서, X값은, 우레아 결합 등에 의해 습윤 상태에서 연마면이 적절하게 연화되는 척도(이 범위에서는 우레아 결합이 적절하게 들어가는 우레탄 우레아 수지 처방이 되므로, 습윤 상태에서 적절하게 연화됨)를 의미한다고 생각된다. 따라서, 반도체 웨이퍼에 대하여 국소적인 부하가 걸리기 어려워져서 바람직한 작용 효과가 발현한다.
(평균 기포 직경(d))
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 평균 기포 직경이란, 연마 패드의 표면 화상을 2치화 처리하고, 각각의 기포 부분의 면적과 개수로부터 산출한 원 상당 직경의 평균값이다(단, 화상 처리 시의 노이즈 컷을 위해서 「컷오프값」을 10㎛로 설정했을 때의 수치임).
상기 연마층의 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 평균 기포 직경(d)(㎛)은 120㎛ 내지 185㎛인 것이 바람직하고, 120㎛ 내지 170㎛인 것이 보다 바람직하고, 140㎛ 내지 170㎛인 것이 더욱 보다 바람직하다. 평균 기포 직경(㎛)이 상한값 이상이면, 연마층 표면이 거칠어져서 피연마물의 연마 품질이 악화되고, 하한값 이하이면, 연마층 표면의 클로깅이나, 연마층 표면이 유연성을 상실하여 스크래치가 발생하기 쉬워진다.
(A 경도 및 D 경도)
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, A 경도란, JIS K7311에 준하여 측정한 값을 의미한다.
또한, D 경도란, JIS K6253-1997/ISO 7619에 준하여 측정한 값을 의미한다.
또한, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 A 경도는 20도 내지 55도인 것이 바람직하다.
마찬가지로, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 D 경도는 5도 내지 35도인 것이 바람직하다.
A 경도 및/또는 D 경도가 상기의 범위보다 작아지면, 탄성이 극도로 커지므로 피연마물과 접촉했을 때에 패드 자체가 크게 변형되어 평탄화 성능이 나빠진다. 한편, 상기의 범위보다 커지면, 탄성이 결여됨으로써 스크래치가 발생하게 된다.
본 발명의 연마 패드는, 반도체 디바이스의 연마, 특히 반도체 디바이스의 화학 기계 연마(CMP)에 적절하게 사용할 수 있다.
<<연마 패드의 제조 방법>>
상기 본 발명의 반도체 디바이스 연마용 연마 패드를 제조할 수 있는 본 발명의 반도체 디바이스 연마용 연마 패드의 제조 방법은, 이소시아네이트기 함유 화합물(A), 폴리이소시아네이트 화합물(B), 폴리아민 화합물(D), 수분산액(물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액)(E) 및 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 준비하는 준비 공정; 적어도, 상기 이소시아네이트기 함유 화합물(A), 폴리이소시아네이트 화합물(B), 폴리아민 화합물(D), 수분산액(E) 및 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 혼합해서 발포체 성형용의 혼합액을 얻는 혼합 공정; 상기 발포체 성형용 혼합액으로부터 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 성형하는 발포체 성형 공정; 및 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체로부터 피연마물을 연마 가공하기 위한 연마면을 갖는 연마층을 형성하는 연마층 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 준비 공정, 혼합 공정, 발포체 성형 공정, 연마층 형성 공정으로 나누어서 각각 설명한다.
<준비 공정>
본 발명의 연마 패드의 제조에는, 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 원료로서 적어도 이소시아네이트기 함유 화합물(A), 폴리이소시아네이트 화합물(B), 폴리아민 화합물(D), 수분산액(E) 및 이들 성분에 비반응성인 기체가 사용된다. 또한 폴리올 화합물을 상기 성분과 함께 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 상기 이외의 성분을 합쳐서 사용할 수도 있다.
이하, 각 성분에 대해서 설명한다.
[(A)이소시아네이트기 함유 화합물]
예비 중합체로서의 이소시아네이트기 함유 화합물은, 하기 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 통상 사용되는 조건에서 반응시킴으로써 얻어지는 것이다. 또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 다른 성분이 이소시아네이트기 함유 화합물에 포함되어 있을 수도 있다.
이소시아네이트기 함유 화합물로서는 시판되어 있는 것을 사용할 수도 있고, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜서 합성한 것을 사용할 수도 있다. 상기 반응에 특별히 제한은 없고, 폴리우레탄 수지의 제조에 있어서 공지된 방법 및 조건을 사용해서 부가 중합 반응시키면 된다. 예를 들어, 40℃로 가온한 폴리올 화합물에, 질소 분위기에서 교반하면서 50℃로 가온한 폴리이소시아네이트 화합물을 첨가하고, 30분 후에 80℃까지 승온시키고 또한 80℃에서 60분간 반응시키는 방법으로 제조할 수 있다.
또한, 이소시아네이트기 함유 화합물(A)를 제조함에 있어서, 폴리올 화합물에 대하여 폴리이소시아네이트 화합물을 과잉으로 첨가할 경우에는, 이소시아네이트기 함유 화합물을 형성한 후에도 그 반응 용액 내에 폴리이소시아네이트 화합물이 잔존한다. 이에 의해, 준비 공정에서 폴리이소시아네이트 화합물을 별도 준비하지 않고, 상기 반응 용액을 그대로 다음의 혼합 공정에 사용할 수도 있다.
[(B)폴리이소시아네이트 화합물]
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물이란, 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 의미한다.
폴리이소시아네이트 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖고 있으면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 분자 내에 2개의 이소시아네이트기를 갖는 디이소시아네이트 화합물로서는 m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트(2,6-TDI), 2,4-톨릴렌디이소시아네이트(2,4-TDI), 나프탈렌-1,4-디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 4,4'-메틸렌-비스(시클로헥실이소시아네이트)(수소 첨가 MDI), 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐디이소시아네이트, 3,3'-디메틸디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐프로판디이소시아네이트, 트리메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 프로필렌-1,2-디이소시아네이트, 부틸렌-1,2-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,2-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,4-디이소시아네이트, p-페닐렌디이소티오시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소티오시아네이트, 에틸리딘디이소티오시아네이트 등을 들 수 있다.
폴리이소시아네이트 화합물로서는 디이소시아네이트 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 2,4-TDI, MDI가 보다 바람직하고, 2,4-TDI가 특히 바람직하다.
이들 폴리이소시아네이트 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 복수개의 폴리이소시아네이트 화합물을 조합해서 사용할 수도 있다.
[(C)폴리올 화합물]
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 폴리올 화합물이란, 분자 내에 2개 이상의 알코올성 수산기(OH)를 갖는 화합물을 의미한다.
((C-1)예비 중합체 합성용의 폴리올 화합물)
예비 중합체로서의 이소시아네이트기 함유 화합물의 합성에 사용되는 폴리올 화합물로서는 에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜 등의 디올 화합물, 트리올 화합물 등; 폴리테트라메틸렌글리콜(PTMG) 등의 폴리에테르 폴리올 화합물; 에틸렌글리콜과 아디프산의 반응물이나 부틸렌글리콜과 아디프산의 반응물 등의 폴리에스테르 폴리올 화합물; 폴리카르보네이트 폴리올 화합물, 폴리카프로락톤 폴리올 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 PTMG가 바람직하고, 수평균 분자량(Mn)이 약 500 내지 5000인 PTMG가 더욱 보다 바람직하고, 약 1000의 PTMG가 가장 바람직하다.
상기 폴리올 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 복수의 폴리올 화합물을 조합해서 사용할 수도 있다.
또한, "(폴리이소시아네이트 화합물의 질량(부)+폴리올 화합물(C-1)의 질량(부))/[(폴리이소시아네이트 화합물 1분자당의 관능기수×폴리이소시아네이트 화합물의 질량(부)/폴리이소시아네이트 화합물의 분자량)-(폴리올 화합물(C-1) 1분자당의 관능기수×폴리올 화합물(C-1)의 질량(부)/폴리올 화합물(C-1)의 분자량)]"에서 구해지는 예비 중합체의 NCO 당량은 NCO기 1개당의 PP(예비 중합체)의 분자량을 나타내는 수치이다. 상기 NCO당량은 400 내지 650인 것이 바람직하다.
((C-2)예비 중합체 합성 후에 사용될 수도 있는 폴리올 화합물)
또한, 본 발명에 있어서는, 상기 예비 중합체로서의 이소시아네이트기 함유 화합물을 형성하기 위해서 사용되는 폴리올 화합물과는 별도로, 이소시아네이트기 함유 화합물, 폴리이소시아네이트 화합물 및 폴리아민 화합물 등과 함께 폴리올 화합물을 혼합기 내에 첨가해서 혼합할 수 있다. 상기 폴리올 화합물은 그 자체 단독으로 제조될 수도 있지만, 폴리아민 화합물과의 혼합액으로서 제조될 수도 있고, 수분산액을 제조할 때에 첨가될 수도 있다. 상기 폴리올 화합물은 예비 중합체를 경화시키는 경화제로서 작용하고, 폴리아민 화합물과 경쟁 반응적으로 내장됨으로써 폴리아민 화합물의 블록 내에서의 치우친 쇄신장 반응을 억제하여 중합도 불균일이 적은 중합을 시키기 쉬워진다.
상기 폴리올 화합물로서는 디올 화합물이나 트리올 화합물 등의 화합물이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 또한, 예비 중합체를 형성하기 위해서 사용되는 폴리올 화합물과 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
구체예로서는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 네오펜틸글리콜, 펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올 등의 저분자량 폴리디올, 폴리테트라메틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 고분자량의 폴리올 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 혼합 공정에서의 다른 성분과의 상용성 및 얻어지는 기포의 균일성의 관점에서, 2관능성, 3관능성의 폴리프로필렌글리콜(PPG)(여기서, 3관능성의 폴리프로필렌글리콜이란, 다관능기의 글리세린을 중합 개시제에 사용한 분지를 갖는 폴리프로필렌글리콜을 의미함), 폴리테트라메틸렌글리콜이 바람직하고, 수평균 분자량(Mn)이 약 500 내지 5000인 폴리프로필렌글리콜 및/또는 폴리테트라메틸렌글리콜이 보다 바람직하고, Mn이 약 2000 내지 4000인 폴리프로필렌글리콜 및/또는 Mn이 약 500 내지 1500인 폴리테트라메틸렌글리콜이 더욱 바람직하고, Mn이 약 3000인 폴리프로필렌글리콜 및/또는 Mn이 약 1000인 폴리테트라메틸렌글리콜이 가장 바람직하다. 또한, 상기 폴리프로필렌글리콜로서는 3관능성의 폴리프로필렌글리콜이 바람직하다.
상기 폴리올 화합물(C-2)는 단독으로 사용할 수도 있고, 복수의 폴리올 화합물(C-2)를 조합해서 사용할 수도 있다.
폴리올 화합물(C-2)를 사용할 경우에는, 후술하는 폴리아민 화합물의 아미노기와, 상기 이소시아네이트기 함유 화합물과는 별도로 준비한 상기 폴리올 화합물의 수산기의 당량의 합(활성 수소기의 당량)에 대한 상기 폴리아민 화합물의 아미노기의 당량비(이하, s값이라고 칭하는 경우가 있음)가 0.70 내지 0.97(아미노기/(아미노기+수산기))이 되도록 준비하는 것이 바람직하다.
상기 폴리올 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 복수의 폴리올 화합물을 조합해서 사용할 수도 있다.
[(D)폴리아민 화합물]
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 폴리아민 화합물이란, 분자 내에 2개 이상의 아미노기를 갖는 화합물을 의미한다.
폴리아민 화합물은 쇄신장제로서 작용하고, 일부는 상기 폴리이소시아네이트 화합물과 반응해서 경질 세그먼트를 형성하면서, 일부는 상기 이소시아네이트기 함유 화합물(연질 세그먼트부)의 주쇄 말단측과 결합하여 중합체쇄를 더욱 신장시킬 수 있다. 이에 의해, 경질 세그먼트와 연질 세그먼트의 블록 공중합체를 갖는 폴리우레탄 폴리우레아 수지가 생성된다.
폴리아민 화합물로서는 지방족이나 방향족의 폴리아민 화합물, 특히 디아민 화합물을 사용할 수 있고, 예를 들어 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 이소포론디아민, 디시클로헥실메탄-4,4'-디아민, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌비스-o-클로로아닐린)(이하, MOCA라고 약기함), MOCA와 동일한 구조를 갖는 폴리아민 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 폴리아민 화합물이 수산기를 가질 수도 있으며, 이러한 아민계 화합물로서, 예를 들어 2-히드록시에틸에틸렌디아민, 2-히드록시에틸프로필렌디아민, 디-2-히드록시에틸에틸렌디아민, 디-2-히드록시에틸프로필렌디아민, 2-히드록시프로필에틸렌디아민, 디-2-히드록시프로필에틸렌디아민 등을 들 수 있다.
폴리아민 화합물로서는 디아민 화합물이 바람직하고, MOCA, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰이 보다 바람직하고, MOCA가 특히 바람직하다.
여기서, MOCA로서는 고형 MOCA와 조제 MOCA가 알려져 있다. 고형 MOCA는 실온에서 고체 형상의 순수한 MOCA를 의미한다. 조제 MOCA는 MOCA의 단량체와 MOCA의 다량체의 혼합물이며, 바람직하게는 다량체의 비율이 15질량% 이상인 것이 사용된다. 다량체의 비율은 10 내지 50질량%인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 40질량%인 것이 더욱 보다 바람직하다. 다량체의 예로서는 MOCA의 2량체, 3량체, 4량체 등을 들 수 있다. 조제 MOCA는 반응 속도의 제어가 행하기 쉬워, 결과적으로 발포체 전체의 물성의 균일성(예를 들어, 밀도, 경도 등)을 얻기 쉽다.
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 「고형 MOCA」 및 「조제 MOCA」를 사용한 경우에는 상기의 고형 MOCA 및 조제 MOCA를 각각 의미하는 것으로 한다.
폴리아민 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 복수개의 폴리아민 화합물을 조합해서 사용할 수도 있다. 또한, 고형 MOCA 및 조제 MOCA는 상온에서 고체이므로, 혼합 공정에 사용할 경우에는 120℃ 정도로 가온해서 용융 상태로 할 필요가 있다. 따라서, 폴리올 화합물(C-2)를 사용할 경우에는 MOCA, 특히 조제 MOCA를 미리 폴리올 화합물(C-2)에 용해해서 사용하면, 용융 온도까지 가온하지 않아도 혼합 공정에서 이용할 수 있고, 가온에 의한 반응성의 증대에 기인하는 중합 불균일이 억제되므로 바람직하다. 상기와 같이 용해해서 사용할 경우, MOCA와 폴리올 화합물(C-2)의 질량비는 3:1 내지 1:3이 바람직하고, 2:1 내지 1:2가 보다 바람직하고, 1:1이 특히 바람직하다. 또한, MOCA를 용해시키는 폴리올 화합물(C-2)로서는 폴리테트라메틸렌글리콜이 바람직하고, 수평균 분자량(Mn)이 약 500 내지 5000인 폴리테트라메틸렌글리콜이 보다 바람직하고, Mn이 약 500 내지 1500인 폴리테트라메틸렌글리콜이 더욱 바람직하고, Mn이 약 1000인 폴리테트라메틸렌글리콜이 가장 바람직하다.
폴리아민 화합물은, 다른 성분과 혼합하기 쉽게 하기 위해서 및/또는 후속 발포체 형성 공정에 있어서의 기포 직경의 균일성을 향상시키기 위해서, 필요에 따라 가열한 상태에서 감압 하에 탈포시키는 것이 바람직하다. 감압 하에서의 탈포 방법으로는 폴리우레탄 폴리우레아의 제조에 있어서 공지된 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어 진공 펌프를 사용해서 0.1MPa 이하의 진공도로 탈포시킬 수 있다.
쇄신장제로서 고체의 화합물을 사용할 경우에는 가열에 의해 용융시키면서 감압 하에 탈포할 수 있다.
한편, 실온에서 액상의 폴리아민 화합물을 사용할 경우에는 가열하지 않고 감압 하에 탈포를 행할 수도 있다.
본 발명의 연마 패드의 제조 방법에서는, 예비 중합체 형성에 사용되는 폴리올 화합물 및/또는 전체 폴리올 화합물에 대한 폴리아민 화합물의 함유 비율(몰비 또는 당량비)이 종래의 연마 패드의 제조에서 사용되는 함유 비율보다도 매우 작다.
구체적으로는, 폴리아민 화합물로서 고형 MOCA를 사용할 경우에는, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물(C-1)의 합계 1000질량부에 대하여 고형 MOCA를 150 내지 205질량부 사용하는 것이 바람직하다. 폴리아민 화합물로서 액상 MOCA(상세한 것은 후기함)를 사용할 경우에는, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물(C-1)의 합계 1000질량부에 대하여 액상 MOCA를 200 내지 400질량부 사용하는 것이 바람직하다.
[(E)수분산액]
본 명세서 및 특허청구범위에 있어서, 수분산액이란, 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액을 의미한다.
수분산액은, 발포제, 중부가의 촉매, 발포 직경이나 발포 균일성의 정포에 기여하는 것이며, 예를 들어 물, 반응 촉매, 계면 활성제 등을 일반적인 교반 장치를 사용해서 교반·혼합함으로써 제조할 수 있다. 물론, 수분산액은 이들 3성분의 조합만으로 이루어지는 것에 한정되지 않는다.
수분산액에 포함되는 물은 불순물의 혼입을 방지하는 관점에서 증류수가 바람직하다. 물은 예비 중합체 1000질량부에 대하여 0.1 내지 6질량부의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5질량부의 비율로 사용되는 것이 보다 바람직하고, 1 내지 3질량부의 비율로 사용되는 것이 더욱 보다 바람직하다.
수분산액에 포함되는 반응 촉매(이하, 간단히 촉매라고 하는 경우가 있음)는 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 3급 아민, 알코올 아민, 에테르 아민(예를 들어, 도요캣 ET) 등의 아민 촉매, 아세트산염(칼륨, 칼슘), 유기 금속 촉매 등을 들 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 촉매로서 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르(도요캣 ET, 도소(주) 제조)를 사용하고 있지만, 본 발명의 효과는 이 촉매를 사용한 경우에만 한정되는 것은 아니다. 촉매의 양은 특별히 한정되지 않지만, 예비 중합체 1000질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부의 비율로 사용되는 것이 바람직하고, 0.5 내지 3질량부인 것이 보다 바람직하다.
수분산액에 포함되는 정포제로서의 계면 활성제는 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에테르 변성 실리콘 등을 들 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 실리콘계 계면 활성제의 1종인 SH-193(다우코닝사제)을 사용했지만, 본 발명의 효과는 이 계면 활성제를 사용한 경우에만 한정되는 것은 아니다. 계면 활성제의 양은 특별히 한정되지 않지만, 예비 중합체 1000질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부인 것이 바람직하고, 0.5 내지 5질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기의 성분 이외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 공지된 난연제, 착색제, 가소제 등을 수분산액 내에 포함하고 있을 수도 있다.
<혼합 공정>
혼합 공정에서는, 상기 준비 공정 및 예비 중합체 형성 공정에서 얻어진 이소시아네이트기 함유 화합물(예비 중합체)(A), 폴리이소시아네이트 화합물(B), 폴리아민 화합물(D) 및 수분산액(E)을 혼합기 내에 공급한다. 이 때, 상기 각 성분에 대하여 비반응성인 기체가 분입된다. 공급된 비반응성 기체가 상기 각 성분과 함께 혼합기 내에서 교반·혼합됨으로써, 내부에 기포가 형성된 발포체 성형용의 혼합액이 제조된다. 혼합 공정은 상기 각 성분의 유동성을 확보할 수 있는 온도로 가온한 상태에서 행해진다.
예를 들어, 30℃ 내지 100℃로 가온한 예비 중합체(이소시아네이트) 용액에 고형 MOCA(120℃) 또는 폴리올 화합물(C-2)에 용해된 MOCA(80℃), 촉매 등을 포함하는 분산액을 온도 조절 가능한 재킷이 달린 혼합기에 투입하여 80℃에서 교반할 수 있다. 필요에 따라 교반기가 부착된 재킷이 달린 탱크에 혼합액을 받아서 숙성시킬 수도 있다. 교반 시간은 혼합기의 이수나 회전수, 클리어런스 등에 따라 적절히 조정하지만, 예를 들어 0.5 내지 600초이다.
상기 기체로서는 상기한 각 성분에 대하여 비반응성이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 예를 들어 공기, 질소, 산소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤 등을 들 수 있다.
상기 기체의 공급량은 상기 각 성분의 합계량 1kg에 대하여 바람직하게는 0.10 내지 4.00L, 보다 바람직하게는 0.17 내지 3.33L의 범위 내가 되도록 공급 속도 및 시간을 조정한다.
<발포체 성형 공정>
발포체 성형 공정에서는, 상기 혼합 공정에서 제조된 발포체 성형용 혼합액을 50 내지 100℃의 형(型) 프레임 내에 유입하여 발포·경화시킴으로써 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 성형한다. 이 때, 예비 중합체, 폴리이소시아네이트 화합물, 폴리아민 화합물(및 폴리올 화합물)이 반응해서 폴리우레탄 폴리우레아 수지가 형성됨으로써 상기 혼합액은 경화한다. 이 때, 수분산액에 포함되는 물이 예비 중합체 내의 이소시아네이트기와 반응함으로써 이산화탄소가 발생한다. 이 발생한 이산화탄소 및 상기 분입된 기체가 폴리우레탄 폴리우레아 수지 내에 머무름으로써, 도 1에 도시한 바와 같은 대략 구상의 미세한 기포를 다수 갖는 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체가 형성된다.
또한, 도 1에 있어서, 본 발명의 실시 형태를 나타내는 연마 패드의 단면도(좌측), 종래 기술로 건식 성형된 연마층을 갖는 연마 패드(비교예 1)의 단면도(우측)는 동일한 확대 배율(×100배)로 촬영되어 있고, 우측 도면 중의 백선으로 나타내는 줄이 100㎛의 길이를 나타낸다.
<연마층 형성 공정>
상기 발포체 성형 공정에 의해 얻어진 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 시트상으로 슬라이스되어 폴리우레탄 폴리우레아 시트를 형성한다. 슬라이스됨으로써 시트 표면에 개공이 설치된다. 이 때, 내마모성이 우수하여 클로깅 되기가 어려운 연마층 표면의 개공을 형성하기 위해서는 30 내지 80℃에서 1시간 내지 2주일 정도 에이징하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 원하는 탄성 특성이 얻어지기 쉬워진다. 여기서 발포체 내의 평균 기포 직경을 상기 범위 내, 즉 120㎛ 내지 185㎛, 바람직하게는 120㎛ 내지 170㎛, 나아가 140㎛ 내지 170㎛로 하는 것이 바람직하고, 예비 중합체의 온도(점도), 교반의 회전수, 에어 유량, 정포제의 종류나 농도, 금형 온도의 컨트롤에 의해 상기 범위 내로 조정할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 폴리우레탄 폴리우레아 시트를 갖는 연마층은, 그 후, 연마층의 연마면과는 반대인 면측에 양면 테이프가 부착되고, 소정 형상, 바람직하게는 원판상으로 컷 되어서 본 발명의 연마 패드로 완성한다. 양면 테이프에 특별히 제한은 없고, 당 기술 분야에 있어서 공지된 양면 테이프 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 연마 패드는 연마층만으로 이루어지는 단층 구조일 수도 있고, 연마층의 연마면과는 반대인 면측에 다른 층(하층, 지지층)을 접합한 복층으로 이루어져 있을 수도 있다. 다른 층의 특성은 특별히 한정되지 않지만, 연마층의 반대인 면측에 연마층보다 단단한(A 경도 및/또는 D 경도가 높은) 층이 대립되어 있는 것이 바람직하다. 연마층보다 단단한 층이 설치됨으로써 연마 정반의 미소한 요철이 연마면의 형상에 영향을 미치는 것을 피할 수 있어 연마 평탄성이 더욱 향상된다. 또한, 연마 천의 강성이 대개 높아짐으로써 연마 천을 정반에 접착시킬 때의 주름의 발생 등을 억제할 수 있다.
복층 구조를 가질 경우에는, 복수의 층끼리를 양면 테이프나 접착제 등을 사용하여 필요에 따라 가압하면서 접착·고정하면 된다. 이 때, 사용되는 양면 테이프나 접착제에 특별히 제한은 없고, 당 기술 분야에 있어서 공지된 양면 테이프나 접착제 중에서 임의로 선택해서 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 연마 패드는, 필요에 따라서 연마층의 표면 및/또는 이면을 연삭 처리하거나, 홈 가공이나 엠보싱 가공을 표면에 실시해도 되고, 기재 및/또는 점착층을 연마층과 대립시킬 수도 있고, 광 투과부를 구비할 수도 있다.
연삭 처리의 방법에 특별히 제한은 없고, 공지된 방법에 의해 연삭할 수 있다. 구체적으로는, 샌드페이퍼에 의한 연삭을 들 수 있다.
홈 가공 및 엠보싱 가공의 형상에 특별히 제한은 없고, 예를 들어 격자형(型), 동심원형, 방사형 등의 형상을 들 수 있다.
본 발명의 연마 패드를 사용할 때에는 연마 패드를 연마층의 연마면이 피연마물과 마주 향하도록 하여 연마기의 연마 정반에 설치한다. 그리고, 연마제 슬러리를 공급하면서 연마 정반을 회전시켜서 피연마물의 가공 표면을 연마한다.
본 발명의 연마 패드에 의해 가공되는 피연마물로서는 하드 디스크용 유리 기판, 박형 디스플레이용 마더 유리, 반도체 웨이퍼, 반도체 디바이스 등을 들 수 있다. 그 중에서도 본 발명의 연마 패드는 반도체 디바이스를 가공하기 위해서 적절하게 사용된다.
<<작용 효과>>
본 발명의 CMP용 연마 패드는, 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 포함하는 연마층을 갖고, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠 신호(FID)를 최소 제곱법에 의해 펄스-펄스 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써, 펄스-펄스 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 L(비결정상), M(계면상), S(결정상)의 3성분(M 성분과 L 성분의 성분 분리가 곤란한 경우에는 M 성분과 L 성분의 합을 M 성분으로 함)으로 나눈 경우에 있어서, M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2)(이하, T2M이라고 나타내는 경우가 있음)이 160μs 내지 260μs이며, ;
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며,
상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내로 설정되어 있다.
상기 범위를 만족하는 폴리우레탄 폴리우레아 수지제의 연마층은, T2M이 소정의 범위에 있음으로써 적당한 드레스성을 갖고, 개구의 클로깅으로 인한 스크래치의 발생을 억제할 수 있고, 동시에 필요한 평탄성도 확보할 수 있다. 종래의 건식법으로 성형된 경질 폴리우레탄 연마층에 비하여 저장 탄성률 및 밀도가 작으므로, 종래의 것보다도 저경도의 연마 패드가 얻어지고, 연마층과 피연마물의 사이에 있어서의 강한 압박이 억제되어 피연마물 표면에 스크래치가 발생하기 어려워진다.
한편, 본 발명의 연마 패드는, 대략 구상의 기포를 슬라이스함으로써 얻어지는 형상의 개공이 설치되어 있고, 또한, 연마층의 두께 방향, 평면 방향에 균일한 등방성의 발포 구조를 갖고 있으며, 스웨이드(Suede) 타입의 비교적 큰 개공부를 구비한 발포 구조를 갖는 종래의 습식법으로 성형된 이방성의 발포 구조를 갖는 연마 패드(연질(습식) 연마 패드라고 간단히 함)와는 연마층 표면의 기공(개공) 형상이 상이하다. 연질(습식) 연마 패드는 연마면부터 저부를 향해서 기포 직경이 서서히 커지는 구조를 갖는다. 따라서, 연마에 의해 마모되어 가면, 표면의 기포 직경(개공 직경)이 커져 가므로 표면이 거칠어져서 연마 품질이 열화된다는 문제점을 갖는다. 또한, 저부를 향함에 따라서 기포가 비대화된 구조이므로, 연마 저항에 의해 표면이 잡아 뜯겨서 마모된다는 문제도 갖는다. 이에 비해, 본건의 연마 패드는 건식법에 의해 성형되어 있으므로, 기포가 등방성이며, 습식의 연마 패드가 갖는 상기 문제점이 발생하기 어렵다는 효과도 갖는다.
이상과 같이, 본 발명의 연마 패드는, 적절하게 드레스성을 갖는 점에서 개구가 클로깅 되기 어렵고, 종래의 경질(건식) 연마 패드보다도 연성으로 밀도가 작으므로, 스크래치의 발생을 억제할 수 있고, 연마 속도 및 연마 균일성도 우수하므로, 1차 가공뿐만 아니라 마무리 가공에도 사용하는 것이 가능해진다. 또한, X값이 일정한 범위 내로 제한되어 있으면, 우레아 결합이 적절하게 분자 내에 도입되어 있으므로 연마면이 습윤 상태에서 적절하게 연화되므로, 스크래치의 발생이 억제되고, 한편 습윤 상태에 없는 상기 폴리우레탄 수지 발포체의 내부는 경도를 유지하는 점에서 연마 평탄성이 확보된다.
(실시예)
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해서 한정되지는 않는다.
각 실시예 및 비교예 및 표 1 내지 4에 있어서, 특별한 지정이 없는 한, 「부」란 「질량부」를 의미하는 것으로 한다.
또한, 표 1 내지 4의 각 약호는 이하의 것을 의미한다.
·2,4-TDI: 2,4-톨릴렌디이소시아네이트
·수소 첨가 MDI: 4,4'-메틸렌-비스(시클로헥실이소시아네이트)
·PTMG 1000: 수평균 분자량 약 1000의 폴리테트라메틸렌글리콜
·DEG: 디에틸렌글리콜
·MOCA: 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄
·3관능 PPG 3000: 수평균 분자량 3000으로 3관능의 폴리프로필렌글리콜
또한, PP의 NCO당량이란, "(폴리이소시아네이트 화합물의 질량(부)+폴리올 화합물(C-1)의 질량(부))/[(폴리이소시아네이트 화합물 1분자당의 관능기수×폴리이소시아네이트 화합물의 질량(부)/폴리이소시아네이트 화합물의 분자량)-(폴리올 화합물(C-1) 1분자당의 관능기수×폴리올 화합물(C-1)의 질량(부)/폴리올 화합물(C-1)의 분자량)]"에서 구해지는 NCO기 1개당의 PP(예비 중합체)의 분자량을 나타내는 수치이다.
s값이란, 상술한 바와 같이, 폴리아민 화합물의 아미노기(D)와, 상기 이소시아네이트기 함유 화합물(A)는 별도로 준비한 상기 폴리올 화합물(C-2)의 수산기의 당량의 합(활성 수소기의 당량)에 대한 상기 폴리아민 화합물(D)의 아미노기의 당량비(아미노기/(아미노기+수산기))를 나타내는 수치이다.
또한, 하기 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 조제 MOCA는, PTMG 1000과 조제 MOCA(다량체 함유율 40질량%)의 질량비가 1:1인 액상의 혼합물(이하, 액상 MOCA라고 기재함)이다.
(비교예 1)
비교예 1에 있어서, 종래 알려져 있는 경질(건식) 연마 패드를 제조하였다. 제1 성분의 예비 중합체로서 2,4-TDI의 316부, 수소 첨가 MDI의 88부, 수평균 분자량 약 1000의 PTMG의 539부를 반응시킨 후, 디에틸렌글리콜의 57부를 가해서 더 반응시킨 이소시아네이트 함유량 9.0%, NCO 당량 466의 이소시아네이트기 함유 우레탄 예비 중합체를 사용해서 이것을 55℃로 가열하여 감압 하에서 탈포하였다. 제2 성분의 쇄신장제로서의 고형 MOCA를 120℃에서 용융하여 감압 하에서 탈포하였다. 제3 성분으로서 발포제(Expancel 551 DE)를 2중량%가 되도록 제1 성분에 혼합하고, 제1 성분:제2 성분을 중량비로 1000부:256부의 비율로 혼합기에 공급하였다.
얻어진 혼합액을 50℃로 가열한 890×890mm의 형 프레임에 주조하고, 100℃에서 5시간 가열하여 경화시킨 후, 형성된 폴리우레탄 수지 발포체를 형 프레임으로부터 뽑아냈다. 또한 이 발포체를 두께 1.25mm로 슬라이스해서 우레탄 시트를 제조하여 연마 패드를 얻었다.
<실시예 1 내지 4 및 비교예 2 내지 5>
이어서, 고형 MOCA를 사용하여, 각 성분의 비율을 표 1에 나타낸 바와 같이 변동시켜서 밀도의 크기가 상이한 다양한 연마 패드를 제조하였다.
(실시예 1)
실시예 1에서는, 제1 성분의 예비 중합체로서 2,4-TDI(286부), 수평균 분자량 약 1000의 PTMG(714부)를 반응시킨 이소시아네이트 함유량이 7.8%, NCO당량이 540인 이소시아네이트기 함유 우레탄 예비 중합체를 사용해서 이것을 55℃로 가열하여 감압 하에서 탈포하였다. 제2 성분의 쇄신장제로서 고형 MOCA를 사용하여 이것을 120℃에서 용융시키고, 감압 하에서 탈포하였다. 제3 성분의 수분산액은 수평균 분자량 3000으로 3관능의 PPG(42부), 물(3부), 촉매(도요캣 ET, 도소(주) 제조)(1부), 실리콘계 계면 활성제(SH-193, 다우코닝사제)(1부)를 각각 첨가하여 35℃에서 1시간 교반 혼합한 후, 감압 하에서 탈포하였다. 제1 성분:제2 성분:제3 성분을 중량비로 1000부:168부:47부의 비율로 혼합기에 80kg/min의 유량으로 공급하였다. 이 때, 혼합기의 교반 로터에 설치된 노즐로부터 공기를 18.2L/min의 유량으로 공급했다(즉, 상기 제1 내지 제3의 성분의 합계 80kg당 18.2L의 공기를 공급했다). 얻어진 혼합액을 형 프레임(890×890mm)에서 주조하여 100℃에서 5시간에 걸쳐서 경화시킨 후, 형성된 폴리우레탄 수지 발포체를 형 프레임으로부터 뽑아냈다. 이 발포체를 두께 1.35mm로 슬라이스해서 우레탄 시트를 제조하여 연마 패드를 얻었다.
(실시예 2 내지 4 및 비교예 2 내지 5)
혼합기 내에 공급하는 각 성분의 비율을 표 1과 같이 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 두께 1.32 내지 1.35mm의 연마 패드를 얻었다.
Figure pct00001
<실시예 5 내지 9 및 비교예 6 내지 8>
이어서, 액상 MOCA를 사용하여, 각 성분의 비율을 표 2에 나타낸 바와 같이 변동시켜서 밀도의 크기가 상이한 다양한 연마층을 제조하였다.
(실시예 5)
실시예 5에서는, 제1 성분의 예비 중합체로서 2,4-TDI(286부), 수평균 분자량 약 1000의 PTMG(714부)를 반응시킨 이소시아네이트 함유량 7.8%, NCO당량 540의 이소시아네이트기 함유 우레탄 예비 중합체를 사용해서 이것을 55℃로 가열하여 감압 하에서 탈포하였다. 제2 성분의 쇄신장제로서 액상 MOCA(234부)를 감압 하에서 탈포하였다. 제3 성분의 수분산액은, 수평균 분자량 3000으로 3관능의 PPG(41부), 물(3부), 촉매(도요캣 ET, 도소(주) 제조)(1부), 실리콘계 계면 활성제(SH-193, 다우코닝사제)(4부)를 각각 첨가하여 교반 혼합한 후, 감압 하에서 탈포하였다. 제1 성분:제2 성분:제3 성분을 중량비로 1000부:234부:49부의 비율로 혼합기에 80kg/min의 유량으로 공급하였다. 이 때, 혼합기 내에 교반 로터에 설치된 노즐로부터 공기를 19.1L/min의 유량으로 공급했다(즉, 상기 제1 내지 제3의 성분의 합계 80kg당 19.1L의 공기를 공급했다). 얻어진 혼합액을 형 프레임에서 주조하여 100℃에서 5시간에 걸쳐서 경화시킨 후, 형성된 폴리우레탄 수지 발포체를 형 프레임으로부터 뽑아냈다. 이 발포체를 두께 1.28mm로 슬라이스해서 우레탄 시트를 제조하여 연마 패드를 얻었다.
(실시예 6 내지 9 및 비교예 6 내지 8)
혼합기 내에 공급하는 각 성분의 비율을 표 2와 같이 변경한 것 이외는 실시예 5와 동일한 방법으로 두께 1.28 내지 1.30mm의 연마 패드를 얻었다.
Figure pct00002
<실시예 10 내지 15 및 비교예 9 내지 13>
마지막으로, 폴리이소시아네이트 화합물, 폴리올 화합물 및 폴리아민 화합물의 양을 증감시켜서 연마층을 제조하였다.
(실시예 10)
실시예 10에서는, 제1 성분의 예비 중합체로서 2,4-TDI(325부), 수평균 분자량 약 1000의 PTMG(675부)를 반응시킨 이소시아네이트 함유량 10.0%, NCO당량 420의 이소시아네이트기 함유 우레탄 예비 중합체를 사용해서 이것을 55℃로 가열하여 감압 하에서 탈포하였다. 제2 성분의 쇄신장제로서 액상 MOCA(397부)를 감압 하에서 탈포하였다. 제3 성분의 수분산액은, 수평균 분자량 3000으로 3관능의 PPG(43부), 물(1부), 촉매(도요캣 ET, 도소(주) 제조)(1부), 실리콘계 계면 활성제(SH-193, 다우코닝사제)(4부)를 각각 첨가하여 교반 혼합한 후, 감압 하에서 탈포하였다. 제1 성분:제2 성분:제3 성분을 중량비로 1000부:397부:49부의 비율로 80kg/min의 유량으로 혼합기에 공급하였다. 이 때, 혼합기 내에 공기를 19.1L/min의 유량으로 공급하였다. 얻어진 혼합액을 형 프레임에서 주조하여 경화시킨 후, 형성된 폴리우레탄 수지 발포체를 형 프레임으로부터 뽑아냈다. 이 발포체를 두께 1.27mm로 슬라이스해서 우레탄 시트를 제조하여 연마 패드를 얻었다.
(실시예 11 내지 15 및 비교예 9 내지 13)
실시예 11 내지 15 및 비교예 9 내지 13에 대해서, 각 성분의 비율을 표 3 내지 4에 나타내는 대로 변경한 것 이외는 실시예 10과 동일한 방법으로 두께 1.27 내지 1.30mm의 연마 패드를 제조하였다.
Figure pct00003
Figure pct00004
<물성 평가>
상기의 각 실시예 및 비교예에 대해서, 우레탄 시트의 T2M(μs), CM(%), 밀도(g/cm3), X값, A 경도(°), D 경도(°), 평균 기포 직경(㎛), 1mm2당의 기포 개수, 저장 탄성률(E'40)(Mpa)) 및 두께(mm)를 산출 또는 측정하였다. 그 결과를 표 1 내지 4에 나타내었다.
또한, 각 항목의 측정 방법은 이하와 같다.
펄스 NMR의 측정은, 직경 1cm의 유리관에 1 내지 2mm각(角) 정도로 새긴 시료를 1 내지 2cm의 높이까지 채우고, 펄스 NMR 측정 장치(니뽄덴시 가부시키가이샤제, JNM-MU25, 25MHz)를 사용하여, 솔리드 에코법으로 90°펄스 2.0μs, 반복 시간: 4s, 적산 횟수: 8회, 온도: 40℃에서 완화 거동(자유 유도 감쇠 신호)을 측정하였다. 얻어진 감쇠 곡선을 최소 제곱법에 의해 T2(스핀-스핀 완화 시간)가 짧은 성분부터 비결정상, 계면상, 결정상으로 분리하여 T2M과 CM값을 구하였다.
40℃에서의 저장 탄성률(E'40(MPa))은 티·에이·인스트루먼트·재팬 RSAIII에 의해, JIS K7244-4에 준하여 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz에서 40℃일 때의 저장 탄성률을 측정하였다.
A 경도는, 일본 공업 규격(JIS K 7311)에 따라서 쇼어A 듀로미터를 사용하여 측정하였다. 또한, 시료는, 비교예 및 실시예에 기재된 우레탄 시트(두께 약 1.3mm)를 4장 겹쳐서 적어도 총 두께 4.5mm 이상이 되도록 설정하였다.
D 경도는 JIS K 6253-1997/ISO 7619에 의해 테크로크사제 D형 경도계로 측정하였다. 또한, 시료는, 비교예 및 실시예에 기재된 우레탄 시트(두께 약 1.3mm)를 4장 겹쳐서 적어도 총 두께 4.5mm 이상이 되도록 설정하였다.
평균 기포 직경(㎛), 1mm2당의 기포 개수는, 현미경(VH-6300, KEYENCE제)으로 패드 표면의 약 1.3mm 사방의 범위를 175배로 확대해서 관찰하고, 얻어진 화상을 화상 처리 소프트(Image Analyzer V20LAB Ver.1.3, 니콘제)에 의해 2치화 처리해서 기포 개수를 확인하고, 또한, 각각의 기포의 면적으로부터 원 상당 직경 및 그 평균값(평균 기포 직경)을 산출하였다. 또한, 기포 직경의 컷오프값(하한)을 10㎛로 하여 노이즈 성분을 제외하였다.
밀도(g/cm3)는 소정 크기의 크기로 잘라낸 시료의 중량(g)을 측정하고, 크기로부터 체적(cm3)을 구함으로써 산출하였다.
<연마 시험>
각 실시예 및 비교예의 연마 패드에 대해서, 이하의 연마 조건으로 연마 가공을 행하여 연마 속도, 연마 균일성 및 스크래치의 유무를 측정하였다. 피연마물로서는, 12인치의 실리콘 웨이퍼 상에 테트라에톡시실란을 CVD로 절연막이 1㎛의 두께가 되도록 형성시킨 기판(균일성(CV%)이 13%)을 사용하였다.
(연마 속도)
연마 속도는 1분간당의 연마량을 두께(nm)로 나타낸 것이며, 연마 가공 전후의 기판의 절연막에 대해서 각각 17군데의 두께 측정 결과로부터 평균값을 구하였다. 또한, 두께 측정은 광학식 막 두께 막질 측정기(KLA 텐콜사제, ASET-F5x)의 DBS 모드에서 측정하였다.
(연마 균일성)
연마 균일성은 상기한 17군데의 두께 측정 결과의 편차(표준 편차÷평균값)로부터 구하였다.
(스크래치의 유무)
스크래치의 평가에서는, 25매의 기판을 반복하여 3회 순차 연마하고, 연마 가공 후의 21 내지 25매째의 기판 5매에 대해서, 패턴 없는 웨이퍼 표면 검사 장치(KLA 텐콜사제, Surfscan SP1DLS)의 고감도 측정 모드에서 측정하고, 기판 표면에 있어서의 스크래치의 유무를 평가하였다.
또한, 상기 시험에서 사용한 연마 조건은 이하와 같다.
·사용 연마기: 에바라세이사쿠쇼제, F-REX300
·회전수: (정반)70rpm, (토플링)71rpm
·연마 압력: 220hPa
·연마제: 캐봇사제, 제품 번호: SS25(SS25 원액:순수=1:1의 혼합액을 사용)
·연마제 온도: 30℃
·연마제 토출량: 200ml/min
·사용 워크(피연마물): 12인치φ 실리콘 웨이퍼 상에 테트라에톡시실란을 CVD로 절연막 1㎛의 두께가 되도록 형성한 기판
·연마 시간: 60초간/각 회
·드레싱: (연마 천 부착 후) 10min
각 실시예 및 비교예에 대해서 상기 방법을 사용하여 행한 연마 시험의 결과를 표 1 내지 4에 나타내었다.
여기서, 본 발명의 연마 패드는, 연마 속도, 연마 균일성 및 스크래치 억제가 밸런스 좋게 효과적으로 발휘되어 있는 것을 필요로 하는 것이므로, 상품 가치상, 이하와 같이 해서 연마 시험의 결과를 평가하였다.
연마 속도는 200 이상(nm/min)을 ○, 190 이상 내지 200 미만(nm/min)을 △, 190 미만(nm/min)을 ×로 하여 평가하였다.
연마 균일성은 7.0 이하(CV%)를 ○, 7.0 초과 내지 8.0 이하(CV%)를 △, 8.0 초과(CV%)를 ×로 하여 평가하였다.
스크래치의 유무는 무(0매)를 ○, 유(1매 이상)를 ×로 하여 평가하였다.
그리고, 연마 속도, 연마 균일성 및 스크래치의 유무의 3종에 대해서, △가 0 내지 1개인 것(3종 모두가 ○인 것 및 2종이 ○이고 1종이 △인 것)을 바람직한 예(실시예)로 하고, △를 2개 이상 갖는 샘플 및 ×를 1개라도 갖는 샘플을 본 발명에 있어서 바람직하지 않은 예(비교예)로서 평가하였다.
(시험 결과 1(비교예 1))
공기를 분입하지 않고 수분산액도 사용하지 않는 비교예 1에 의해 제조된 종래의 연마 패드는 T2M가 작고, 저장 탄성률, 밀도 모두 높았다. 또한, 1mm2당의 기포의 개수가 많고, 평균 기포 직경이 작은 구조, 즉, 매우 작은 기포가 무수하게 존재하는 구조를 갖고 있었다(도 1의 우측 도면 참조). 그 결과, 스크래치가 발생하여 연마 균일성의 점에서도 만족할 수 있는 수치는 얻어지지 않았다.
(시험 결과 2(실시예 1 내지 4 및 비교예 2 내지 5))
쇄신장제로서 고형 MOCA를 사용한 실시예 1 내지 4 및 비교예 2 내지 5에 있어서, 물의 첨가량이 많고 고형 MOCA의 양이 적은 경우에는 밀도가 지나치게 작아져서 연마 속도 및 연마 균일성의 점에서 뒤떨어지는 결과가 되었다(비교예 2). 반대로, 물의 첨가량이 적고 고형 MOCA의 양이 많은 경우에는 밀도가 커지고, 저장 탄성률도 높아지므로, 스크래치가 발생하여 연마 균일성의 점에서도 충분한 결과는 얻어지지 않았다(비교예 3 내지 5).
한편, T2M, 밀도 및 저장 탄성률이 본 발명의 범위 내가 되도록 고형 MOCA 및 물 첨가량을 조정해서 제조된 연마 패드에서는, 스크래치가 발생하지 않고 연마 속도, 연마 균일성의 어떤 경우에 있어서도 양호한 결과가 얻어졌다(실시예 1 내지 4).
(시험 결과 3(실시예 5 내지 9 및 비교예 6 내지 8))
쇄신장제로서 액체 MOCA를 사용한 실시예 5 내지 9 및 비교예 6 내지 8에 있어서, 물의 첨가량이 많고 액상 MOCA의 양이 적은 경우에는 밀도가 지나치게 작아져서 저장 탄성률도 작아지므로, 특히 연마 속도, 연마 균일성의 점에서 충분한 결과는 얻어지지 않았다(비교예 6). 반대로, 물의 첨가량이 적고 액상 MOCA의 양이 많은 경우에는 밀도가 커지고, 저장 탄성률도 높아지므로, 스크래치가 발생하여 연마 균일성의 점에서도 뒤떨어지는 결과가 되었다(비교예 7 내지 8).
한편, T2M, 밀도 및 저장 탄성률이 본 발명의 범위 내가 되도록 액상 MOCA 및 물 첨가량을 조정해서 제조된 연마 패드에서는, 스크래치가 발생하지 않고, 연마 속도, 연마 균일성의 어떤 경우에 있어서도 양호한 결과가 얻어졌다(실시예 5 내지 9).
(시험 결과 4(실시예 10 내지 15 및 비교예 9 내지 13))
폴리이소시아네이트 화합물, 폴리올 화합물 및 폴리아민 화합물의 함유 비율을 변동시킨 실시예 10 내지 15 및 비교예 9 내지 13에 있어서, 폴리아민 화합물의 양이 폴리올 화합물의 양에 대하여 지나치게 많은 경우(당량비)에는, T2M가 작고, 저장 탄성률이 지나치게 높아져버려서 스크래치의 발생, 저연마 속도 및 저연마 균일성 중 2종 이상을 발생하는 결과가 되었다(비교예 9 내지 10).
반대로, 폴리아민 화합물의 양이 폴리올 화합물의 양에 대하여 지나치게 적은 경우(당량비)에는, T2M가 크고, 저장 탄성률이 지나치게 낮아져버리므로, 특히 연마 속도나 연마 균일성의 점에서 크게 뒤떨어지는 결과가 되었다(비교예 11 내지 13).
한편, 폴리아민 화합물의 아미노기와 예비 중합체 형성용의 폴리올 화합물의 수산기의 당량비를, T2M, 밀도 및 저장 탄성률이 본 발명의 범위 내가 되도록 조정해서 제조된 연마 패드에서는, 스크래치가 발생하지 않고, 연마 속도, 연마 균일성 모두 충분히 양호한 결과가 얻어졌다(실시예 10 내지 15).
이상으로부터 명백해진 바와 같이, T2M이 160μs 내지 260μs이며, 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며, 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내인 실시예 1 내지 15의 연마 패드는, 비연마물의 연마 표면에 스크래치가 발생하고 있지 않고, 연마 속도, 연마 균일성의 점에서도 양호한 결과가 얻어졌다. 따라서, 비교예 1 내지 13에 비하여, 스크래치의 발생 억제, 연마 속도 및 연마 균일성 모두가 양호한 밸런스의 효과를 발휘하는 것이 명확해졌다.
본 발명의 연마 패드는, T2M이 적당한 범위에 있으므로 드레스성이 양호하고, 밀도가 작은 것부터 개구부가 클로깅 되기 어려우므로 스크래치가 발생하기 어렵고, 한편 T2M이 적당한 범위에 있으므로 연마 균일성도 확보할 수 있다. 또한, 저장 탄성률 및 친밀도가 작은 점에서 피연마물에 대하여 국부적인 부하가 걸리기 어려운 점에서도 스크래치를 억제할 수 있다.
또한, 종래의 건식법으로 성형된 연마층을 갖는 연마 패드에 비하여 연질이므로, 연마 속도 및 연마 균일성도 우수하다. 한편, 건식 성형되어 있으므로, 습식 성형된 연마 패드에 비하여 연마 표면의 마모 속도가 느려서 장기간 일정한 연마 상태를 유지할 수 있다. 따라서, 건식 성형된 연마 패드이어도 1차 가공에도 마무리 가공에도 유리하게 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 연마 패드 및 그의 제조 방법은 산업상의 이용 가능성을 갖는다.

Claims (11)

  1. 대략 구상의 기포를 포함하는 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 갖는 연마층을 구비하는 연마 패드이며,
    상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체는, 펄스 NMR로 얻어지는 자유 유도 감쇠 신호(FID)를 최소 제곱법에 의해 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 성분부터 순서대로 차감하여 파형 분리함으로써, 스핀-스핀 완화 시간(T2)이 긴 쪽부터 순서대로 L(비결정상), M(계면상), S(결정상)의 3성분으로 나눈 경우에 있어서, M 성분의 스핀-스핀 완화 시간(T2M)이 160μs 내지 260μs이며,
    상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 40℃, 초기 하중 10g, 변형 범위 0.01% 내지 4%, 측정 주파수 0.2Hz, 인장 모드에서의 저장 탄성률(E')이 1MPa 내지 30MPa이며,
    상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 밀도(D)가 0.30g/cm3 내지 0.60g/cm3의 범위 내인 것을 특징으로 하는, 반도체 디바이스 연마용의 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지 발포체의 M 성분의 성분 존재비(CM)가 55질량% 내지 80질량%의 범위이며, X=T2M/D로 구해지는 X값이 350 내지 800의 범위인 연마 패드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 평균 기포 직경이 120㎛ 내지 185㎛인 연마 패드.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 A 경도가 20도 내지 55도인 연마 패드.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체의 D 경도가 5도 내지 35도인 연마 패드.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연마층의 연마면과 반대인 면측에 상기 연마층보다 단단한 층이 대립되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
  7. 이소시아네이트기 함유 화합물(A)와, 폴리이소시아네이트 화합물(B)와, 폴리아민 화합물(D)와, 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액(E)와, 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 준비하는 준비 공정;
    적어도, 상기 이소시아네이트기 함유 화합물(A)와, 폴리이소시아네이트 화합물(B)와, 폴리아민 화합물(D)와, 물, 정포제 및 반응 촉매를 포함하는 혼합액(E)와, 각 성분에 대하여 비반응성인 기체를 혼합해서 발포체 성형용 혼합액을 얻는 혼합 공정;
    상기 발포체 성형용 혼합액으로부터 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체를 성형하는 발포체 성형 공정; 및
    상기 폴리우레탄 폴리우레아 수지 발포체로부터 피연마물을 연마 가공하기 위한 연마면을 갖는 연마층을 형성하는 연마층 형성 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 연마 패드의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 준비 공정에 있어서, 폴리올 화합물(C-2)를 더 준비하여 상기 혼합 공정에서 혼합하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 준비 공정에 있어서, 상기 폴리아민 화합물(D)의 아미노기와 상기 폴리올 화합물(C-2)의 수산기의 당량의 합(활성 수소기의 당량)에 대한 상기 폴리아민 화합물(D)의 아미노기의 당량비가 0.70 내지 0.97(아미노기/(아미노기+수산기))이 되도록 준비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리아민 화합물(D)가 메틸렌비스-o-클로로아닐린(MOCA)의 단량체와 다량체의 혼합물이며 상기 다량체를 15질량% 이상 함유하는 조제(粗製) MOCA인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 폴리올 화합물(C-2)가 수평균 분자량 500 내지 5000의 폴리테트라메틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 연마 패드의 제조 방법.
KR1020137029912A 2011-04-15 2012-04-16 연마 패드 및 그의 제조 방법 KR101913885B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011091285A JP5710353B2 (ja) 2011-04-15 2011-04-15 研磨パッド及びその製造方法
JPJP-P-2011-091285 2011-04-15
PCT/JP2012/060275 WO2012141329A1 (ja) 2011-04-15 2012-04-16 研磨パッド及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140025453A true KR20140025453A (ko) 2014-03-04
KR101913885B1 KR101913885B1 (ko) 2018-10-31

Family

ID=47009486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137029912A KR101913885B1 (ko) 2011-04-15 2012-04-16 연마 패드 및 그의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10065286B2 (ko)
EP (1) EP2698809B1 (ko)
JP (1) JP5710353B2 (ko)
KR (1) KR101913885B1 (ko)
CN (1) CN103563056B (ko)
SG (1) SG194493A1 (ko)
TW (1) TWI543846B (ko)
WO (1) WO2012141329A1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200098556A (ko) * 2017-12-27 2020-08-20 니타 듀폰 가부시키가이샤 연마 패드
KR20210054388A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR20210056679A (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US11400559B2 (en) 2019-10-30 2022-08-02 Skc Solmics Co., Ltd. Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112013021631B1 (pt) * 2011-02-24 2020-12-08 3M Innovative Properties Company artigo abrasivo revestido e suporte de espuma de poliuretano
JP6108096B2 (ja) * 2013-04-18 2017-04-05 大日本印刷株式会社 凹凸構造体の製造方法
US9102034B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate
JP2015059199A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 Dic株式会社 ウレタン組成物及び研磨材
JP6330628B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-30 旭硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
JP6818489B2 (ja) * 2016-09-30 2021-01-20 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US11524390B2 (en) * 2017-05-01 2022-12-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Methods of making chemical mechanical polishing layers having improved uniformity
JP6971839B2 (ja) * 2017-12-27 2021-11-24 ニッタ・デュポン株式会社 研磨パッド
JP7099827B2 (ja) * 2018-01-26 2022-07-12 ニッタ・デュポン株式会社 研磨パッド
JP7302168B2 (ja) * 2018-12-20 2023-07-04 Dic株式会社 ウレタン樹脂組成物、及び、研磨パッド
CN114080408B (zh) * 2019-07-08 2023-08-25 日保丽公司 固化物、外涂膜以及柔性配线板
JP6941712B1 (ja) * 2020-05-29 2021-09-29 ニッタ・デュポン株式会社 研磨パッド
CN114346894B (zh) * 2020-09-29 2024-05-14 Sk恩普士有限公司 抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法
US20220226958A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Formulations for chemical mechanical polishing pads with high planarization efficiency and cmp pads made therewith
US20230390970A1 (en) * 2022-06-02 2023-12-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of making low specific gravity polishing pads

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH106211A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Asahi Glass Co Ltd 研磨パッドおよび板状材の研磨方法
JP3924952B2 (ja) 1998-10-13 2007-06-06 東レ株式会社 研磨装置および研磨パッド
JP3788729B2 (ja) 2000-08-23 2006-06-21 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
KR20040018558A (ko) * 2001-08-13 2004-03-03 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반도체장치와 그 제조방법 및 도금액
JP2003062748A (ja) 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
KR100877389B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP3983610B2 (ja) 2002-07-02 2007-09-26 株式会社クラレ 熱可塑性ポリウレタン発泡体およびそれからなる研磨パッド
TW592894B (en) * 2002-11-19 2004-06-21 Iv Technologies Co Ltd Method of fabricating a polishing pad
JP4338150B2 (ja) 2003-10-17 2009-10-07 東レ株式会社 発泡ポリウレタンおよびその製造方法
US7255810B2 (en) 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
US20090017729A1 (en) * 2004-08-25 2009-01-15 Jh Rhodes Company, Inc. Polishing pad and methods of improving pad removal rates and planarization
DE602005007125D1 (de) * 2004-09-17 2008-07-10 Jsr Corp Chemisch-mechanisches Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren
JP2006114885A (ja) 2004-09-17 2006-04-27 Jsr Corp 化学機械研磨パッド及び化学機械研磨方法
JP4887023B2 (ja) * 2004-10-20 2012-02-29 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
US20060286906A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-21 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising magnetically sensitive particles and method for the use thereof
US20070141312A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 James David B Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture
JP2007238783A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Mitsui Chemicals Inc 発泡体
US7445847B2 (en) * 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
TWI432285B (zh) * 2007-02-01 2014-04-01 Kuraray Co 研磨墊及研磨墊之製法
JP5248152B2 (ja) * 2008-03-12 2013-07-31 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2009241224A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド作製用積層シート
JP2009256473A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Nitta Haas Inc 発泡ポリウレタンの製造方法および研磨パッド
JP5166172B2 (ja) * 2008-09-02 2013-03-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドの製造方法
JP5254728B2 (ja) * 2008-09-29 2013-08-07 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
JP5166189B2 (ja) 2008-09-29 2013-03-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨加工用の研磨パッドに用いられる研磨シートおよび研磨パッド
JP5242322B2 (ja) * 2008-09-30 2013-07-24 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
JP5254729B2 (ja) 2008-09-30 2013-08-07 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
JP5846714B2 (ja) * 2009-04-06 2016-01-20 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US8162728B2 (en) 2009-09-28 2012-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Dual-pore structure polishing pad

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200098556A (ko) * 2017-12-27 2020-08-20 니타 듀폰 가부시키가이샤 연마 패드
US11400559B2 (en) 2019-10-30 2022-08-02 Skc Solmics Co., Ltd. Polishing pad, process for preparing the same, and process for preparing a semiconductor device using the same
KR20210054388A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR20210056679A (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
SG194493A1 (en) 2013-12-30
US20140038503A1 (en) 2014-02-06
EP2698809B1 (en) 2019-02-13
CN103563056B (zh) 2016-05-25
EP2698809A1 (en) 2014-02-19
JP5710353B2 (ja) 2015-04-30
WO2012141329A1 (ja) 2012-10-18
EP2698809A4 (en) 2015-03-04
KR101913885B1 (ko) 2018-10-31
JP2012223835A (ja) 2012-11-15
TWI543846B (zh) 2016-08-01
TW201242711A (en) 2012-11-01
CN103563056A (zh) 2014-02-05
US10065286B2 (en) 2018-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140025453A (ko) 연마 패드 및 그의 제조 방법
KR101984336B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조 방법
KR101889123B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조 방법
KR101880784B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조 방법
KR102302626B1 (ko) 연마 패드 및 그 제조 방법
TWI683855B (zh) 研磨墊之製造方法
CN111936268A (zh) 研磨垫及其制造方法
KR102587715B1 (ko) 연마 패드 및 그 제조 방법
KR102677377B1 (ko) 연마 패드 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant