KR20140015242A - 납프리 땜납 볼 - Google Patents

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KR20140015242A
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KR
South Korea
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solder
mass
solder ball
ball
bga
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KR1020137004268A
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English (en)
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요시에 야마나카
켄 다치바나
?사쿠 요시카와
히카루 노무라
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센주긴조쿠고교 가부시키가이샤
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Abstract

땜납 볼의 접합 계면에서의 계면 박리를 억제하고, 땜납 볼과 솔더 페이스트 사이에 생기는 미융합을 억제한 땜납 볼이며, Au 도금 등의 Ni 전극부와 Cu에 수용성 프리 플럭스가 도포된 Cu 전극부 모두 사용 가능한 땜납 볼을 제공한다.
본 발명은, Ag 1.6~2.9질량%, Cu 0.7~0.8질량%, Ni 0.05~0.08질량%, 잔부 Sn의 BGA나 CSP의 전극용 납프리 땜납 볼이며, 접합되는 프린트 기판이 Cu 전극에서도, 표면 처리에 Au 도금이나 Au/Pd 도금을 이용하는 Ni 전극에서도, 내열피로성과 내낙하 충격성 양쪽 모두가 뛰어난 납프리 땜납 볼이다. 게다가 이 조성에 Fe, Co, Pt로부터 선택되는 원소 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량%, 또는 Bi, In, Sb, P, Ge로부터 선택되는 원소 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량% 첨가해도 좋다.

Description

납프리 땜납 볼{Lead-Free Solder Ball}
본 발명은, 반도체 등의 전자 부품의 전극에 이용하는 납프리 땜납 볼에 관한 것이다. 특히, 미융합에 의한 불편이 적은, 납프리 땜납 볼에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 전기 신호의 고속화 등으로부터, 전자 기기에 사용되는 전자 부품도 소형화, 다기능화되고 있다. 소형화, 다기능화된 전자 부품으로서는, BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Size Package), MCM (Multi Chip Module)(이하 대표로 BGA라고 함)가 있다. BGA는, BGA 기판의 이면에 전극으로서 기판 목상(目狀) 위치에 설치된다.
BGA를 프린트 기판에 실장(實裝)하기 위해서는, BGA의 전극과 프린트 기판의 랜드를 땜납으로 접합하지만, 전극마다 땜납을 공급하여 납땜하는 것은 상당한 시간이 들고, 또 기판의 중간에 있는 전극은 외부로부터 땜납을 공급할 수 없다. 그래서, 미리 BGA의 전극에 땜납을 담아 두는 방법이 이용되고 있다. 이것을 땜납 범프(Solder Bump)의 형성이라고 한다.
BGA의 땜납 범프 형성에는, 땜납 볼, 솔더 페이스트 등을 사용한다. 땜납 볼에서 땜납 범프를 형성하는 경우에는, BGA의 전극에 점착성의 플럭스(flux)를 도포하고, 플럭스가 도포된 전극 상에 땜납 볼을 재치(載置)한다. 그 후, 그 BGA 기판을 리플로우 로(爐) 등의 가열장치로 가열하고, 땜납 볼을 용융함으로써, 전극 상에 땜납 범프를 형성한다. 더욱이, BGA 기판 등의 반도체 기판을 총칭해 모듈 기판이라고 한다.
또, 솔더 페이스트로 웨이퍼의 랜드에 땜납 범프를 형성하는 경우에는, 웨이퍼의 랜드와 일치한 개소에 랜드와 같은 정도의 구멍이 천설(穿設)된 메탈 마스크를 두고, 메탈 마스크 위로부터 솔더 페이스트를 스퀴지로 긁어내고, 웨이퍼의 랜드에 솔더 페이스트를 인쇄 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 리플로우 로로 가열하고, 솔더 페이스트를 용융시킴으로써, 땜납 범프를 형성한다.
그런데, 종래의 BGA에서는, 땜납 범프 형성용으로서 Sn-Pb 합금의 땜납 볼을 이용하고 있었다. 이 Sn-Pb땜납 볼은, BGA의 전극에 대한 납땜성이 우수할 뿐만 아니라, 특히 Sn-Pb의 공정(共晶)조성은, 납땜 시에 BGA나 프린트 기판 등에 열영향을 주지 않는 융점을 가진다. 게다가, 부드러운 Pb를 가지고 있기 때문에, 사용한 전자 부품이나 전자 기기 등이 낙하해도 충격을 흡수해, 전자 부품이나 전자 기기 등의 수명에 큰 공헌을 하고 있었다. 현재, 세계적 규모로 Pb의 사용이 규제되고 있어 종래의 납땜에 사용되어온 Sn-Pb의 공정 조성도 규제되어 오고 있다.
종래, BGA용 Pb 프리 땜납 볼의 조성으로서는, Sn-3.0Ag-0.5Cu나 Sn-4.0Ag-0.5Cu 등의 Sn-Ag-Cu계의 땜납 합금이 이용되어 왔다. 이러한 Pb 프리 땜납 합금은 내(耐)열피로성이 뛰어나지만, 이러한 땜납 합금 조성의 땜납 볼을 이용한 휴대 전자 기기는 낙하했을 때, 땜납 볼 접속 계면으로부터 박리하는 계면 박리가 발생하기 쉽기 때문에 내(耐)낙하 충격성이 뒤떨어진다. 이 내낙하 충격성을 개선하기 위해, Ni를 첨가한 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금이 개발되었다.
그러나, 이러한 땜납 볼에 이용되는 Sn-Ag-Cu계나 Sn-Ag-Cu-Ni계의 땜납 조성은, 종래의 Sn-Pb계 땜납과 비교해 습윤성이 나쁘기 때문에, BGA를 프린트 기판에 솔더 페이스트를 이용해 탑재할 때에, 용융한 땜납 볼의 땜납 성분과 솔더 페이스트의 땜납 성분이 완전히 서로 섞이지 않고 , 땜납 볼과 솔더 페이스트의 사이에 Sn의 산화물 피막의 층이 나타나는 「미융합(未融合)」이라고 하는 현상이 발생하는 것이 문제가 되고 있다. 미융합 현상의 일례로서 BGA와 프린트 기판의 접합예를 도 1에 나타낸다. BGA 부품(1)과 실장 기판(2)을 접합하고 땜납 범프(3)는 융합하고 있지만, 땜납 범프(4)는 미융합이 생기고 있다. 도 2는, 실장 가열 후의 미융합 현상이 생긴 땜납 볼(5)과 땜납 페이스트(6)로 이루어진 땜납 범프이다. 도 2를 확대한 도 3에서 확인할 수 있는 미융합이 생긴 접합부(7)는, 단순히 접촉하고 있을 뿐이므로, 외적 충격이 더해지면 간단하게 접합부가 파괴된다. 그리고, 미융합이 발생하면, BGA를 탑재한 전자 기기에 낙하 등의 외적 충격이 더해지면 고장나기 쉬워진다.
미융합에 의한 불편을 방지하기 위해서, 전자 기기의 제조 메이커는 전자 기기의 저항값을 측정하는 등의 방법으로, 미융합이 발생한 접합을 사전에 검사함으로써, 미융합이 발생한 프린트 기판을 수정 또는 교환해 고장을 미연에 방지하고 있다.
출원인은, BGA와 같은 모듈과 프린트 기판의 접합 시에 발생하는 미융합의 해결법으로서 BGA 등 모듈의 전극부에 포스트 플럭스를 도포하는 방법(WO2006-134891 A 공보, 특허문헌 1)을 개시하고 있다.
BGA 등 용의 Sn-Ag-Cu-Ni계의 땜납 볼의 조성으로서는, (1) Ag:0.8~2.0%, (2) Cu:0.05~0.3%, 및 (3) In:0.01% 이상, 0.1% 미만, Ni:0.01~0.04%, Co:0.01~0.05%, 및 Pt:0.01~0.1%로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상, 잔부 Sn으로 이루어진 납프리 땜납 합금(WO2006/129713 A공보, 특허문헌 2), Ag：1.0~2.0질량%, Cu：0.3~1.5질량%를 포함하고, 잔부 Sn 및 불가피 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 무납 핸더 합금. 또한, Sb：0.005~1.5질량%, Zn：0.05~1.5질량%, Ni：0.05~1.5질량%, Fe：0.005~0.5질량%의 1종 또는 2종 이상을 포함하고, Sb, Zn, Ni, Fe의 합계 함유량이 1.5질량% 이하인 무납 핸더 합금(일본 특허공개 2002-239780호 공보, 특허문헌 3), mass%로, 0.1~1.5%의 Ag와 0.5~0.75%의 Cu와 12.5≤Cu/Ni≤100의 관계를 만족하는 Ni와 잔부 Sn 및 불가피적 불순물로 이루어진 납프리 땜납 합금(WO2007/081006 A공보, 특허문헌 4), Ag：1.0~2.0질량%, Cu：0.3~1.0질량%, Ni：0.005~0.10질량%를 함유하고, 잔부 Sn 및 불가피 불순물로 이루어진 납프리 땜납 합금(WO2007/102588 A공보, 특허문헌 5)이 개시되고 있다.
WO2006/134891 A 공보 WO2006/129713 A 공보 일본 특허공개 2002-239780호 공보 WO2007/081006 A 공보 WO2007/102588 A 공보
BGA 등을 사용한 실장에 대해서는, 땜납 합금 분말, 예를 들면 Sn-Ag-Cu 합금 분말과 플럭스로 이루어진 솔더 페이스트를 실장 기판에 인쇄해, BGA 등에 Sn-Ag-Cu계의 땜납 합금 범프가 형성된 전자 부품을 탑재해, 가열 용융함으로써, 납땜을 실시하는 공정이 일반적이다. 최근, 이 공정에서, 땜납 합금의 융점을 충분히 넘은 온도로 실장해도, BGA 등의 모듈 기판의 땜납 범프와 솔더 페이스트, 혹은, 리드 부품과 솔더 페이스트가 융합하지 않고, 도통(導通) 불량을 일으킨다고 하는 「미융합」현상이 문제가 되고 있다. 미융합은, 도통 불량을 일으키는 것은 말할 것도 없고, 전자 기기 제품으로서 기능을 만족시키지 않는 것에 연결되어, 경우에 따라서는, 시장 클레임에까지 발전할 가능성이 있다. 모듈과 프린트 기판과의 납땜은, 프린트 기판과 휨이 적은 칩 부품과의 납땜과 달라, 모듈과 프린트 기판 모두 리플로우에 의한 가열로 큰 휨이 발생하는 것이 특징이다. 이 현상은, 부품 전극이 납프리화 하기 이전에도 확인되고 있지만, 부품 전극의 납프리화로 발생이 많이 확인되고 있으므로, 향후 주류가 되는 납프리 땜납 전극으로의 대책이 급무가 되고 있었다.
미융합 현상은, BGA 등 모듈의 땜납 범프 표면에 대한 부식의 영향이나, 기판이나 부품의 휨이 주요인으로서 작용하고 있다. 특히, 땜납 범프 표면이, 범프 형성 시에 사용하는 플럭스의 세정 불량, 부품이 고온 고습 하에 노출해졌을 경우 등은, 범프 표면에 강고한 산화물 피막을 일으킨다. 본래, 이 표면 산화 피막을 청정화하는 역할을 담당하는 것이, 표면 실장 공법으로 프린트 기판에 인쇄되는 솔더 페이스트 중 플럭스이다. 그러나, 상술한 바와 같은 표면 산화 피막이 강고하고, 표면이 환원하기 어려운 상태에 더해서, 가열 실장 시에 기판이나 부품의 휨이 생겼을 경우, 인쇄한 솔더 페이스트와 부품의 땜납 범프가 떨어져 버리기도 해, 미융합 발생의 가능성이 높아진다. 그 발생율은, 시장 보고에서는 ppm 레벨이라고 하는데 대해, 실험적으로 볼 표면을 부식시키는 고온 고습에 노출했을 경우에는, 50~70%의 레벨로도 상승하는 것이 확인되고 있다.
이번 본 발명자 등은, 미융합의 원인으로서 상술한 원인 이외에 땜납 볼의 조성에 의한 땜납 내부에 형성하는 화합물, Cu6Sn5 또는 (Cu, Ni)6Sn5가 영향을 주고 있는 것을 찾아냈다. 땜납 볼이 접합된 부품을 실장 기판에 탑재할 때, 솔더 페이스트가 인쇄 도포된 실장 기판에 대해서, BGA 등의 모듈의 땜납 볼이 접합되고 있는 전극측은 하향으로 탑재를 한다. 그 후 가열을 해 솔더 페이스트의 용융과 함께 땜납 볼도 용융해 융합에 이른다. 그러나, 땜납 볼 볼 내부에 형성하는 화합물 Cu6Sn5 또는 (Cu, Ni)6Sn5가 많이 생성하는 경우, 땜납 볼 용융시에 화합물이 볼 내부를 침강해, 범프 최표면 부근에 석출하는 현상이 발생한다. 이 현상에 의해, 페이스트와의 융합을 저해해 미융합을 일으키는 요인이 되는 것을 알았다. (도 3)
미융합 대책으로서는, 부품이나 실장 기판에 생기는 휨을 전무로 하는 것, 솔더 페이스트의 활성을 높이는 것 등을 생각할 수 있다. 그러나, 현재의 기술에서는, 기판의 휨을 잃는 것은 현실적으로 불가능하고, 솔더 페이스트 중 플럭스의 활성화는, 땜납 분말과의 반응을 촉진하기 때문에, 경시적 변화의 면에서 페이스트 신뢰성을 해칠 우려가 있기 때문에 곤란하고, 효과적인 융합 불량의 대책은 없었다. 그 때문에, 공정이 증가해 비용 증가에 연결되어 버리지만, 특허문헌 1과 같은 방법으로 미융합을 해소하는 것이 일반적이었다. 본 발명이 해결하는 과제는, 특허문헌 1과 같은 공정이 증가하는 방법을 취하지 않고 , 땜납 볼의 조성만으로, 미융합을 해소할 수 있는 방법을 찾아내는 것이다.
본 발명자 등은, 미융합의 원인이 땜납 볼의 낙하 충격 개선을 위해서 첨가한 Ni이, Sn와 Cu와 금속간 화합물을 형성하고, 땜납 볼 표면에 석출함으로써, 땜납 볼의 땜납 성분과 솔더 페이스트와 땜납 성분이 서로 섞이는 것을 방해하고 있는 것이 원인이라고 찾아냈다. 또, 땜납 볼의 습윤성도 솔더 페이스트와의 미융합 현상에 기인하고 있어, Ag량 저감에 수반하는 습윤성 저하도 미융합 현상이 발생하는데 일부를 담당하고 있다.
그래서, Sn-Ag-Cu에 Ni를 포함한 4원 합금에 있어서, Sn와 Cu와 Ni의 양을 있는 범위로 설정함으로써, Sn와 Cu와 Ni의 금속간 화합물의 생성량을 억제해, 땜납 볼 표면에 석출하는 화합물을 줄이는 것에 더해서, 솔더 페이스트와의 융합에 충분한 습윤성을 발휘하는 것으로 미융합을 극적으로 저감할 수 있는 것을 찾아내어 본 발명을 완성시켰다.
본 발명은, BGA나 CSP용 모듈 기판에 장착되어 전극용으로서 사용하는 땜납 볼이며, Ag 1.6~2.9질량%, Cu 0.7~0.8질량%, Ni 0.05~0.08질량%, 잔부 Sn으로 이루어진 땜납 조성의 납프리 땜납 볼이다.
땜납 볼의 열 피로 특성을 향상시키기 위해서는, 땜납 중 Ag나 Cu나 Ni를 첨가함으로 인해 Sn와 Ag, Sn와 Cu와 Ni 등의 금속간 화합물을 형성하고, 그 금속간 화합물이 그물코 모양에 네트워크를 형성하는 것에 의해서, 강고한 땜납 합금을 형성한다. 또, 내낙하 충격성을 높이려면 , 특허문헌 4와 같이 딱딱한 Ag의 함유량을 저감하는 대신에 Ni를 첨가하는 방법이 취해지고 있다. 그러나, 강도를 높이기 위해서 첨가한 Ni는, Cu와 금속간 화합물을 형성하기 쉽기 때문에, 용이하게 화합물이 되어, 땜납 볼 표면에 석출하고, 땜납 볼의 습윤성을 나쁘게 한다. 이 땜납 볼 표면에 발생한 습윤성이 나쁜 부분은, 프린트 기판에 탑재시켜 솔더 페이스트와 함께 과열해도 리플로우의 가열 시간 내에는 솔더 페이스트와 융합되지 못하고, 경계선이 나타난 채로 굳어진다. 이것이 미융합이다.
본 출원인은, Sn-Ag-Cu-Ni 조성의 땜납 합금에 있어서, 땜납 볼 표면에 석출하는 Ni 화합물의 양을 줄이기 위해서, Ni와 반응하는 Cu의 양을 줄이면 Sn와 Cu와 Ni의 금속간 화합물이 땜납 볼 표면에 석출하지 않는 것에 주목했다. 그러나, Cu량을 줄이면, Cu 전극과의 납땜에서는 내낙하 충격성이 저하한다. 그래서 출원인은, 땜납 합금 안에 첨가한 Cu의 양을 공정점(共晶点) 부근인 0.75질량% 부근으로 설정함으로써, 네트워크 형성에 의한 Cu의 소비와 Cu와 Ni의 화합물 형성에 의한 Cu의 소비가 어울려, Cu와 Ni의 화합물이 땜납 볼 표면에 많이 석출하지 않게 되어, 미융합이 발생하지 않게 되는 것을 찾아냈다.
즉, 땜납 볼 조성 중 1.6~2.9질량%의 Ag와 0.7~0.8질량%의 Cu와 0.05~0.08질량%의 Ni의 4원 합금 조성으로 함으로써, Sn-Ag-Cu의 금속간 화합물의 네트워크와 여기서 소비되어 저감한 Cu와 Ni가 반응한 Cu-Ni의 금속간 화합물이 존재하므로, Cu와 Ni가 우선 순위적으로 반응하지 않고, 땜납 볼 표면에 Cu와 Ni의 금속간 화합물이 땜납 볼 표면에 석출할 일도 없다. 그 때문에, 프린트 기판과 솔더 페이스트에 납땜을 해도 양호한 습윤성을 나타내어, 미융합이 발생할 일이 없다.
본 발명의 땜납 볼은, 땜납 볼 표면에 습윤성의 나쁜 Sn와 Cu와 Ni의 금속간 화합물이 석출하고 있지 않기 때문에, 양호한 납땜이 가능하고, 프린트 기판과 솔더 페이스트를 이용하여 납땜을 해도, 미융합을 일으키지 않고 양호한 납땜이 가능하다. 또, 본 발명의 땜납 볼은 Cu 전극과 Ni 전극의 쌍방의 납땜에 대해 내열피로성 및 내낙하 충격성 양쪽 모두가 뛰어난 BGA 등의 전극과 프린트 기판과의 땜납 접합을 얻을 수 있다.
도 1은 BGA와 프린트 기판의 접합예이다.
도 2는 도 1의 (4)의 확대도이다.
도 3은 도 2의 땜납 볼과 솔더 페이스트 접합 계면의 미융합 발생을 나타내는 도면이다.
도 4는 표 1의 실시예 2의 BGA 측 전극을 나타내는 도면이다.
도 5는 표 1의 인용예 6의 BGA 측 전극을 나타내는 도면이다.
본 발명의 미융합이 발생하지 않고, 내열피로성 및 내낙하 충격성의 양쪽 모두가 뛰어난 땜납 볼은, 하면(下面) 전극을 가지는 BGA 등의 패키지 부품에의 범프 형성에 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금으로, Ag의 함유량이 1.6질량% 미만에서는, 땜납 볼의 습윤성이 저하해 버리는 것에 의해, 솔더 페이스트에의 젖음성도 뒤떨어져 융합성이 나빠져, 미융합이 발생하기 쉬워진다. 또, Ag의 함유량이 1.6질량% 미만에서는, 땜납의 강도가 저하해, 내열피로성이 나빠진다. Ag의 함유량이 2.9질량%를 넘으면, 땜납 볼이 딱딱해져, 내낙하 충격성이 나빠진다. 따라서, 본 발명의 땜납 볼용의 합금은, Ag의 함유량이 1.6~2.9질량%가 좋다. 보다 바람직하게는 1.9~2.3질량%이다.
본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금은, Cu의 함유량이 0.7질량% 미만에서는, Sn-Ag-Cu의 공정점으로부터 멀어지므로, Cu 전극에 이용했을 때에 Cu 전극으로부터 땜납에 Cu가 확산함으로써, Cu 전극 계면에 Cu6Sn5의 금속간 화합물층이 두꺼워져, 내낙하 충격성이 나빠진다.
다음으로, Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금의 Cu의 함유량이 0.8질량%를 넘으면 땜납 볼 중 Cu와 Ni의 금속간 화합물량이 증가하고, 땜납 볼 표면에 Cu와 Ni의 금속간 화합물량이 석출하기 때문에, 미융합이 많아진다. 또, Cu의 함유량이 0.8질량%를 넘으면 Sn-Ag-Cu의 공정점으로부터 멀어지므로, 땜납 합금과 Cu 전극과의 반응층 중에 Cu6Sn5의 금속간 화합물이 생기기 쉬워져, 결과적으로 Cu 전극과 땜납 접합부 계면에 형성되는 Cu6Sn5의 금속간 화합물이 두꺼워진다.
따라서, 본 발명의 미융합이 발생하지 않고 내낙하 충격성이 뛰어난 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금에 함유되는 Cu의 함유량은 0.7~0.8질량%가 아니면 안된다.
본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금은, Ni의 함유량이 0.05질량% 미만에서는, 내낙하 충격성이 나빠진다. 게다가 Ni의 함유량이 0.05질량% 미만에서는, Ni를 첨가한 효과가 나타나지 않고 Ni 전극으로부터 Ni가 확산하기 쉬워져, 계면에 금속간 화합물이 형성되어 쉬워지므로, Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금 중 Ni의 함유량은, 0.05질량% 이상이 아니면 안된다.
마찬가지로, Ni의 함유량이 0.08질량%를 넘으면, 땜납 볼 중 Sn와 Cu와 Ni의 금속간 화합물량이 증가하므로, 땜납 볼 표면에 Sn와 Cu와 Ni의 금속간 화합물량이 석출하기 때문에, 미융합 발생율이 높아진다. 게다가 Ni의 함유량이 0.08질량%를 넘으면, 접합 계면에 형성하는 금속간 화합물 중 Ni 밀도가 상승해 접합 강도가 저하되어 버리는 것 이외에, 땜납 경도의 상승이 따르기 때문에 충격이 부하 되었을 경우, 계면 박리가 발생하기 쉬워진다.
그 때문에, 본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금 중 Ni의 함유량은 0.05~0.08질량%일 필요가 있다.
본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금에, Fe, Co, Pt로부터 선택되는 원소 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량% 더 첨가해도 좋다. Fe, Co, Pt 원소의 땜납 볼용의 합금에의 첨가는, 접합 계면에 형성하는 금속간 화합물층을 미세화해, 두께를 억제하기 때문에, 낙하 개선의 효과가 있다. Fe, Co, Pt로부터 선택되는 원소가 0.003질량% 미만에서는 상기의 효과가 매우 얻어지기 어렵고, 0.1질량%를 넘어 첨가하면 땜납 범프 경도가 상승해 충격에 대해 계면 박리가 발생한다고 하는 폐해가 나타난다.
본 발명의 땜납 볼의 Sn-Ag-Cu-Ni계 땜납 합금에, Bi, In, Sb, P, Ge로부터 선택되는 원소를 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량% 더 첨가해도 좋다. 땜납 볼은 모듈 기판에 탑재된 후, 화상 인식에 따라서 납땜되고 있는지 아닌지의 판정을 한다. 만약, 땜납 볼에 황색 등의 변색이 있으면, 화상 인식에 있어 불편으로 판정된다. 그 때문에, 땜납 볼은 리플로우에서 변색되지 않는 것이 좋다. Bi, In, Sb, P, Ge의 첨가에 의한 효과는, 열 등에 의한 변색을 방지함으로써, 범프 품질 검사에 있어서의 에러를 회피할 수 있다. Bi, In, Sb, P, Ge로부터 선택되는 원소가, 0.003질량% 미만에서는 상기의 효과가 극히 얻기 어렵고, 0.1질량%를 넘어 첨가하면 땜납 범프의 경도가 증가해, 낙하 개선 효과가 손상될 우려가 있다.
본 발명의 땜납 볼은 전극용으로서 사용된다. 땜납 볼의 직경은, 0.1 mm이상, 바람직하게는 0.3 mm 이상, 보다 바람직하게는 0.5 mm 이상이다. 근래에는 전자 기기의 소형화가 진행되어, 전자 부품에 탑재되는 땜납 볼도 계속 미세화하고 있다. 플립 칩의 접합에는 0.1 mm 이하의 땜납 볼이 범용적으로 사용되고 있어 본 발명의 땜납 볼과 같은, 플립 칩을 내장하는 BGA나 CSP를 대상으로 한 전극용 땝납 볼은 0.1 mm 이상이 주류가 되고 있다.
(실시예)
표 1의 조성의 땜납 합금을 만들어, 기중 조구법(氣中造球法)으로 직경 0.3 mm의 땜납 볼을 제작했다. 이 땜납 볼을 이용하고, 미융합, 그리고 열피로시험과 낙하 충격시험을 평가했다.
Figure pct00001
1. 미융합의 발생수 평가는 이하의 순서로 행했다. 제작한 각 조성의 땜납 볼을 온도 110℃, 습도 85%, 시간 24 hr의 시효 처리를 실시했다. 사이즈 36×50 mm, 두께 1.2 mm 글래스 에폭시 기판(FR-4)에 솔더 페이스트로 전극 패턴에 따라 인쇄를 실시해, 시효 처리를 실시한 땜납 볼을 탑재하고, 220℃ 이상 40초, 피크 온도 245℃의 조건에서 리플로우를 실시했다. 실체 현미경을 이용하여 땜납 볼과 솔더 페이스트의 미융합수를 계측했다.
2. 다음으로, 열피로 시험과 낙하 충격시험은 이하의 순서로 실시했다. 제작한 각 조성의 땜납 볼을 사이즈 12×12 mm의 CSP용 모듈 기판에, Senju Metal Industry Co., Ltd. 제품의 플럭스 WF-6400을 이용해 리플로우 납땜을 하여, 각 조성의 땜납을 전극용으로서 이용한 CSP를 제작했다.
3. 사이즈 30×120 mm, 두께 0.8 mm의 글래스 에폭시 기판(FR-4)에 솔더 페이스트로 전극 패턴에 따라 인쇄하고, 1에서 제작한 CSP를 탑재하고, 220℃ 이상 40초, 피크 온도 245℃의 조건에서 리플로우를 실시해, 평가 기판을 제작했다.
4. 열피로 시험은 다음의 조건으로 실시했다. 2에서 제작한 평가 기판을 이용해 직렬 회로에 의해 저항을 상시 측정했다. ESPEC CORP. 제품의 냉열 충격 장치 TSA101LA를 이용해 -40℃, ＋125℃의 환경하에서 각각 10분을 반복해 부하시켜, 저항값이 15Ω를 넘은 시점을 파단(破斷)으로 간주해, 열피로 사이클 회수를 기록했다.
5. 낙하 충격에 있어서도 열피로 시험과 동일한 평가 기판을 이용해 다음의 조건으로 낙하 충격시험을 실시했다. 시험 방법은, 평가 기판을 대좌로부터 10 mm 띄운 위치에 전용 지그를 이용해 기판 양단을 고정시켰다. JEDEC 규격에 준거해, 가속도 1500 G의 충격을 반복 가해 초기 저항값으로부터 1.5배 상승한 시점을 파단으로 간주해, 낙하 회수를 기록했다.
표 1의 실시예 2는, Ag, Cu, Ni의 함유량이 최적 값의 범위 내이기 때문에, 미융합, 내열피로성, 내낙하 충격성의 모두에 대해 뛰어난 결과가 나와 있다. 도 4는 실시예 2의 접합 계면 화합물 층이며, BGA 전극(9)과 땜납 볼(5)의 접합부에는, Cu6Sn5의 금속간 화합물층이 얇게 형성되고 있는 것을 알 수 있다.
비교예 1, 4, 11에 있어서의 Ag 함유량이 2.9질량%를 넘게 함유하는 땜납 볼 합금 조성은, 열피로나 미융합에 대해서는 개선 효과를 발휘하지만, 낙하 충격에 대한 Ag 함유량의 최적을 얻지 못하고 있기 때문에 내성을 얻지 못하고, 낙하 회수가 20회를 하회하는 개선으로서 충분하지 않다.
또, 비교예 2, 3, 9, 10에 대해서는, Ag 함유량이 1.6질량%를 하회하기 때문에, 열피로에의 내성이 없어져 사이클 회수가 1500회에 도달하지 않는다. Ag 함유량 부족에 의한 습윤성 저하도 기인해 미융합 발생수가 10을 넘어 억제 효과를 잃는 결과가 얻어지고 있다.
게다가 비교예 5, 6, 7, 8은, 최적 Ag 함유량을 선택하고 있지만, Cu와 Ni 함유량의 최적화를 도모할 수 없기 때문에, 미융합이나 낙하 충격에의 개선 효과를 겸비하는 결과는 아니다. 도 5는 비교예 6의 접합 계면 화합물 층이며, Cu6Sn5의 금속간 화합물층이 두껍게 형성되고 있는 것을 알 수 있다.
결론으로서 1.6~2.9 Ag 질량%, 0.7~0.8 Cu 질량%, 0.05~0.08 Ni 질량%, 잔부 Sn으로 이루어진 땜납 조성에서, 미융합을 억제하고, 열피로와 낙하 충격 모두 겸비한 땜납 합금이 얻을 수 있다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명에 의해, 미융합 억제의 효과가 있어, Cu 전극(Cu-OSP 전극, Cu 상에 수용성 플럭스를 도포한 것)에 있어서도, Ni 전극(전해 Ni/Au 전극, 무전해 Ni/Pd/Au 전극)에 있어서도, 내열피로성과 내낙하 충격성의 양쪽 모두가 뛰어난 전극용 땜납 볼이 제공된다. 미융합을 억제하는 것에 의해서 제조 상의 초기 불량의 저감으로 연결된다. 또, 지금까지는 제품의 요구 특성에 따른 땜납 조성을 선택할 필요가 생기고 있었지만, 낙하 충격과 열피로의 양 특성의 내성을 갖게 함으로써, 휴대 기기로부터 퍼스널 컴퓨터 기기, 차재라고 하는 폭넓은 분야와 현재 급속한 발전을 이루고 있는 모바일 PC라고 하는 신규 분야에의 전개도 가능해진다.
1 BGA 부품
2 실장 기판
3 땜납 범프 융합
4 땜납 범프 미융합
5 실장 가열 후의 땜납 볼
6 실장 가열 후의 솔더 페이스트
7 미융합 개소
8 융합 저해 요인의 화합물
9 BGA 측 전극
10 Cu6Sn5의 금속간 화합물층

Claims (9)

  1. BGA나 CSP용 모듈 기판에 장착되어 전극용으로 사용하는 땜납 볼로서:
    Ag 1.6~2.9질량%, Cu 0.7~0.8질량%, Ni 0.05~0.08질량%, 잔부 Sn으로 이루어진 땜납 조성의 납프리 땜납 볼.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 땜납 조성이, Ag 1.9~2.3질량%, Cu 0.7~0.8질량%, Ni 0.05~0.08질량%, 잔부 Sn으로 이루어진 땜납 조성의 납프리 땜납 볼.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 땜납 조성이, Ag 2.0질량%, Cu 0.75질량%, Ni 0.07질량%, 잔부 Sn으로 이루어진 땜납 조성의 납프리 땜납 볼.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납 조성에, Fe, Co, Pt로부터 선택되는 원소 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량% 첨가한 것을 특징으로 하는 땜납 볼.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납 조성에, Bi, In, Sb, P, Ge로부터 선택되는 원소 1종 이상을 합계로 0.003~0.1질량% 첨가한 것을 특징으로 하는 땜납 볼.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납 볼은, 직경이 0.1 mm 이상의 지름을 가지는 납프리 땜납 볼.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납 볼은, 직경이 0.3 mm 이상의 지름을 가지는 납프리 땜납 볼.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 땜납 볼은, 직경이 0.5 mm 이상의 지름을 가지는 납프리 땜납 볼.
  9. 전해 Ni/Au 전극, 무전해 Ni/Pd/Au 전극, Cu-OSP 전극으로부터 선택한 전극을 가지는 모듈 기판에 대해서 땜납 범프를 형성하는 방법으로:
    제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 땜납 볼을 이용하여 납땜하는 모듈 기판의 땜납 범프 형성 방법.

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220129112A (ko) * 2020-02-14 2022-09-22 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납 프리 또한 안티몬 프리의 땜납 합금, 땜납 볼 및 땜납 이음

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015077601A (ja) * 2013-04-02 2015-04-23 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金
CN105047247B (zh) * 2015-07-13 2018-01-23 东莞市同亚电子科技有限公司 一种电线镀锡用锡组合物及其制备方法和用途
JP6536306B2 (ja) * 2015-09-10 2019-07-03 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JP6052381B2 (ja) * 2015-12-24 2016-12-27 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金
JP2016107343A (ja) * 2015-12-24 2016-06-20 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
US11577343B2 (en) 2017-11-09 2023-02-14 Alpha Assembly Solutions Inc. Low-silver alternative to standard SAC alloys for high reliability applications
US11732330B2 (en) 2017-11-09 2023-08-22 Alpha Assembly Solutions, Inc. High reliability lead-free solder alloy for electronic applications in extreme environments
CN108044254A (zh) * 2017-12-13 2018-05-18 柳州智臻智能机械有限公司 一种电子元件焊接用焊料合金及其制备方法
JP6967726B2 (ja) * 2018-01-31 2021-11-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 はんだペーストおよび実装構造体
US20190304805A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 Intel Corporation Electronic device and method for manufacturing the same
JP6439893B1 (ja) * 2018-05-25 2018-12-19 千住金属工業株式会社 ハンダボール、ハンダ継手および接合方法
JP2018171656A (ja) * 2018-05-28 2018-11-08 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JP6493610B1 (ja) * 2018-07-24 2019-04-03 千住金属工業株式会社 はんだ合金、およびはんだ継手
JP2019072770A (ja) * 2018-12-05 2019-05-16 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JP7068370B2 (ja) 2020-03-19 2022-05-16 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボールおよびはんだ継手
JP6836040B1 (ja) * 2020-07-31 2021-02-24 千住金属工業株式会社 はんだ合金
CN116746292A (zh) 2021-02-24 2023-09-12 株式会社富士 异物检测装置以及异物检测方法
JP7381980B1 (ja) * 2023-04-28 2023-11-16 千住金属工業株式会社 はんだ合金、はんだボール、はんだプリフォーム、はんだ継手、および回路

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3226213B2 (ja) 1996-10-17 2001-11-05 松下電器産業株式会社 半田材料及びそれを用いた電子部品
US5837191A (en) 1996-10-22 1998-11-17 Johnson Manufacturing Company Lead-free solder
JP3575311B2 (ja) * 1998-01-28 2004-10-13 株式会社村田製作所 Ｐｂフリー半田および半田付け物品
US6139979A (en) * 1999-01-28 2000-10-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Lead-free solder and soldered article
JP2000288772A (ja) * 1999-02-02 2000-10-17 Nippon Genma:Kk 無鉛はんだ
JP3544904B2 (ja) * 1999-09-29 2004-07-21 株式会社トッパンＮｅｃサーキットソリューションズ はんだ、それを使用したプリント配線基板の表面処理方法及びそれを使用した電子部品の実装方法
JP2001358458A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Hitachi Ltd Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器
JP2002076605A (ja) 2000-06-12 2002-03-15 Hitachi Ltd 半導体モジュール及び半導体装置を接続した回路基板
KR100398716B1 (ko) 2000-06-12 2003-09-19 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 모듈 및 반도체 장치를 접속한 회로 기판
JP3599101B2 (ja) 2000-12-11 2004-12-08 株式会社トッパンＮｅｃサーキットソリューションズ はんだ、それを使用したプリント配線基板の表面処理方法及びそれを使用した電子部品の実装方法
US6689488B2 (en) 2001-02-09 2004-02-10 Taiho Kogyo Co., Ltd. Lead-free solder and solder joint
JP4152596B2 (ja) 2001-02-09 2008-09-17 新日鉄マテリアルズ株式会社 ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材
JP2003290974A (ja) 2002-03-28 2003-10-14 Fujitsu Ltd 電子回路装置の接合構造及びそれに用いる電子部品
ATE555871T1 (de) * 2003-10-07 2012-05-15 Senju Metal Industry Co Bleifreie lotkugel
CN1307024C (zh) 2004-05-09 2007-03-28 邓和升 高黏附力无铅焊锡膏
KR20050030237A (ko) 2004-11-13 2005-03-29 삼성전자주식회사 무연 솔더 합금
US8691143B2 (en) 2005-06-03 2014-04-08 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
EP1894667A4 (en) * 2005-06-10 2009-12-02 Senju Metal Industry Co METHOD FOR BRAZING A UNLIMITED NICKEL PART
JPWO2006134891A1 (ja) 2005-06-16 2009-01-08 千住金属工業株式会社 モジュール基板のはんだ付け方法
JP4732900B2 (ja) * 2006-01-06 2011-07-27 富士電機株式会社 クリームはんだ、及びそれを使用したはんだ付け方法
TWI311087B (en) 2006-01-16 2009-06-21 Hitachi Metals Ltd Solder alloy, solder-ball and solder joint with use of the same
US8562906B2 (en) * 2006-03-09 2013-10-22 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Lead-free solder alloy, solder ball and electronic member, and lead-free solder alloy, solder ball and electronic member for automobile-mounted electronic member
JP5030442B2 (ja) 2006-03-09 2012-09-19 新日鉄マテリアルズ株式会社 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
JP5019764B2 (ja) * 2006-03-09 2012-09-05 新日鉄マテリアルズ株式会社 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
JP2007237252A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Nippon Steel Materials Co Ltd 自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
WO2007102589A1 (ja) 2006-03-09 2007-09-13 Nippon Steel Materials Co., Ltd. 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材と、自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
KR100833113B1 (ko) * 2007-12-31 2008-06-12 덕산하이메탈(주) 무연솔더합금 및 그 제조방법
CN101255511A (zh) * 2008-03-20 2008-09-03 戴兴无 一种无铅合金丝
KR100977163B1 (ko) * 2009-03-23 2010-08-20 덕산하이메탈(주) 솔더 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
CN101780608B (zh) * 2010-04-12 2011-09-21 天津市恒固科技有限公司 一种含Si和Ge的SnAgCu系无铅焊料
JP4787384B1 (ja) * 2010-10-29 2011-10-05 ハリマ化成株式会社 低銀はんだ合金およびはんだペースト組成物
JP2011115855A (ja) * 2011-01-14 2011-06-16 Senju Metal Ind Co Ltd 黒化防止効果を有するソルダペースト及び鉛フリーはんだの黒化防止方法
WO2012131861A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだボール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220129112A (ko) * 2020-02-14 2022-09-22 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납 프리 또한 안티몬 프리의 땜납 합금, 땜납 볼 및 땜납 이음

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