JP2001358458A - Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器 - Google Patents
Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器Info
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- JP2001358458A JP2001358458A JP2000180713A JP2000180713A JP2001358458A JP 2001358458 A JP2001358458 A JP 2001358458A JP 2000180713 A JP2000180713 A JP 2000180713A JP 2000180713 A JP2000180713 A JP 2000180713A JP 2001358458 A JP2001358458 A JP 2001358458A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、Ａｇ系電極に高信頼にはんだ接続し
た電子機器を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、電子
部品に形成された第１の電極と、回路基板に形成された
第２の電極とを電気的に接続する電子機器であって、該
第２の電極がＡｇ系電極であり、該第１の電極と該第２
の電極とをＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｃ
ｕ−Ｂｉ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系も
しくはＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系のＰｂフリーはんだで
接続したものである。
た電子機器を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、電子
部品に形成された第１の電極と、回路基板に形成された
第２の電極とを電気的に接続する電子機器であって、該
第２の電極がＡｇ系電極であり、該第１の電極と該第２
の電極とをＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｃ
ｕ−Ｂｉ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系も
しくはＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系のＰｂフリーはんだで
接続したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム等
の電極に対して環境に優しいＰｂフリーはんだ合金を用
いて適するように接続した電子機器に関するものであ
る。
の電極に対して環境に優しいＰｂフリーはんだ合金を用
いて適するように接続した電子機器に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機基板等の回路基板にＬＳＩ等
の電子部品を接続して電子回路基板を製造するには、Ｓ
ｎ−Ｐｂ共晶はんだ、及びこのＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ近
傍で、融点も類似なＳｎ−Ｐｂはんだ、或いは、これら
に少量のＢｉやＡｇを添加したはんだ合金が用いられて
いる。これらのはんだには、いずれもＰｂが約４０重量
％含まれている。また融点は、いずれもほぼ１８３℃で
あり、２２０〜２４０℃でのはんだ付けが可能である。
また、はんだ付けされるＱＦＰ（Quad Flat Package）
−ＬＳＩ等の電子部品の電極は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金であ
る４２アロイ表面に９０重量％Ｓｎ−１０重量％Ｐｂ
（以下Ｓｎ−１０Ｐｂと略す）層をめっき等で施した電
極が一般的に用いられている。これは、はんだぬれ性が
良好であり、かつ保存性が良く、ウィスカーの発生の問
題がないためである。
の電子部品を接続して電子回路基板を製造するには、Ｓ
ｎ−Ｐｂ共晶はんだ、及びこのＳｎ−Ｐｂ共晶はんだ近
傍で、融点も類似なＳｎ−Ｐｂはんだ、或いは、これら
に少量のＢｉやＡｇを添加したはんだ合金が用いられて
いる。これらのはんだには、いずれもＰｂが約４０重量
％含まれている。また融点は、いずれもほぼ１８３℃で
あり、２２０〜２４０℃でのはんだ付けが可能である。
また、はんだ付けされるＱＦＰ（Quad Flat Package）
−ＬＳＩ等の電子部品の電極は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金であ
る４２アロイ表面に９０重量％Ｓｎ−１０重量％Ｐｂ
（以下Ｓｎ−１０Ｐｂと略す）層をめっき等で施した電
極が一般的に用いられている。これは、はんだぬれ性が
良好であり、かつ保存性が良く、ウィスカーの発生の問
題がないためである。
【０００３】現在、このＳｎ−Ｐｂ共晶系はんだの代替
となりえるＰｂを含まないＰｂフリーはんだ材料が研究
・開発されている。特に、Ｐｂフリーはんだ材料として
は融点、ぬれ性、機械的性質、接続信頼性、材料供給
性、コスト等の観点からＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが有
力候補となっている。
となりえるＰｂを含まないＰｂフリーはんだ材料が研究
・開発されている。特に、Ｐｂフリーはんだ材料として
は融点、ぬれ性、機械的性質、接続信頼性、材料供給
性、コスト等の観点からＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだが有
力候補となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ
系はんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等の
Ａｇ系電極との接続に使用した場合、電極中のＡｇが上
記はんだ内に拡散して大量に入り込み、上記接続部の組
成がＡｇリッチとなり、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成
長して、隣接する接続部と短絡するという問題が生じ
る。
系はんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等の
Ａｇ系電極との接続に使用した場合、電極中のＡｇが上
記はんだ内に拡散して大量に入り込み、上記接続部の組
成がＡｇリッチとなり、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成
長して、隣接する接続部と短絡するという問題が生じ
る。
【０００５】本発明は、前記の従来技術の欠点を改良す
るものであり、Ａｇ系電極に高信頼にはんだ接続した電
子機器を提供することを目的とする。特に、Ｐｂフリー
はんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等のＡ
ｇ系電極との接続に使用した場合に、電極中のＡｇが上
記はんだ内に拡散して大量に入り込むことがなく、上記
接続部にＡｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長して、隣接す
る接続部と短絡することを抑制した電子機器を提供する
ことを目的とする。
るものであり、Ａｇ系電極に高信頼にはんだ接続した電
子機器を提供することを目的とする。特に、Ｐｂフリー
はんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等のＡ
ｇ系電極との接続に使用した場合に、電極中のＡｇが上
記はんだ内に拡散して大量に入り込むことがなく、上記
接続部にＡｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長して、隣接す
る接続部と短絡することを抑制した電子機器を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために特許請求の範囲の通りに構成したものであ
る。
するために特許請求の範囲の通りに構成したものであ
る。
【０００７】このようにＢｉを添加したＰｂフリーはん
だを用いることにより、Ａｇ系電極中のＡｇが上記はん
だ内に拡散して入り込むのを防ぎ、上記接続部の組成が
Ａｇリッチとなって、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長
して、隣接する接続部と短絡するというような問題を防
止する。特にＢｉ添加量が０．１〜１０重量％であるこ
とが効果的である。このＢｉ添加量が０．１重量％未満
であると、上記のようなＡｇ系電極からはんだへのＡｇ
の拡散抑止効果が不十分で、接続部の組成がＡｇリッチ
となり、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長して、隣接す
る接続部と短絡が生じる可能性がある。また逆に、Ｂｉ
添加量が１０重量％より多いと、接続界面へのＢｉの偏
析が顕著となり、接続信頼性が低下し、接続寿命が短く
なる。
だを用いることにより、Ａｇ系電極中のＡｇが上記はん
だ内に拡散して入り込むのを防ぎ、上記接続部の組成が
Ａｇリッチとなって、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長
して、隣接する接続部と短絡するというような問題を防
止する。特にＢｉ添加量が０．１〜１０重量％であるこ
とが効果的である。このＢｉ添加量が０．１重量％未満
であると、上記のようなＡｇ系電極からはんだへのＡｇ
の拡散抑止効果が不十分で、接続部の組成がＡｇリッチ
となり、Ａｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成長して、隣接す
る接続部と短絡が生じる可能性がある。また逆に、Ｂｉ
添加量が１０重量％より多いと、接続界面へのＢｉの偏
析が顕著となり、接続信頼性が低下し、接続寿命が短く
なる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を発明の実施の形態
によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれら発明
の実施の形態に限定されるものではない。
によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれら発明
の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】発明の実施の形態１ まず、Ａｇ系電極との半田接続において好適なはんだ組
成を選定するために、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（４２アロイ）
で形成された電極であるリード上にＳｎ−１０Ｐｂめっ
きを施したＴＳＯＰ（０．５mmピッチ、４８ピン）によ
る評価を行った。めっき厚みは約１０μmとした。この
電極構造を持つ上記のＴＳＯＰを種々の組成のＰｂフリ
ーはんだを用いて、ガラスセラミック回路基板上の８５
Ａｇ−１５Ｐｄ合金パッドにはんだ付けした。はんだ付
けは最高温度を２２０〜２４０℃として、大気中でリフ
ロー炉を用いて行った。ＴＳＯＰはリードの剛性が大き
いため、実稼動時の部品自体の発熱、また、高温で使用
される場合、界面に発生する応力が大きくなる。このよ
うな場合には、この界面応力に耐えられるように十分な
界面強度を有する界面を形成させる必要がある。
成を選定するために、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（４２アロイ）
で形成された電極であるリード上にＳｎ−１０Ｐｂめっ
きを施したＴＳＯＰ（０．５mmピッチ、４８ピン）によ
る評価を行った。めっき厚みは約１０μmとした。この
電極構造を持つ上記のＴＳＯＰを種々の組成のＰｂフリ
ーはんだを用いて、ガラスセラミック回路基板上の８５
Ａｇ−１５Ｐｄ合金パッドにはんだ付けした。はんだ付
けは最高温度を２２０〜２４０℃として、大気中でリフ
ロー炉を用いて行った。ＴＳＯＰはリードの剛性が大き
いため、実稼動時の部品自体の発熱、また、高温で使用
される場合、界面に発生する応力が大きくなる。このよ
うな場合には、この界面応力に耐えられるように十分な
界面強度を有する界面を形成させる必要がある。
【００１０】このＴＳＯＰを搭載したガラスセラミック
回路基板を用いて、温度サイクル試験を行った。試験条
件は−５５℃３０分、１２５℃３０分の１時間／１サイ
クルで行った。
回路基板を用いて、温度サイクル試験を行った。試験条
件は−５５℃３０分、１２５℃３０分の１時間／１サイ
クルで行った。
【００１１】図１に種々の組成のＰｂフリーはんだ接続
構造体のＡｇ３Ｓｎ針状結晶の発生状況およびＰｂフリ
ーはんだ接続部のき裂発生予測寿命を示す。
構造体のＡｇ３Ｓｎ針状結晶の発生状況およびＰｂフリ
ーはんだ接続部のき裂発生予測寿命を示す。
【００１２】この結果より、表中を黒塗りしたPbフリー
はんだ組成が、Ａｇ3Ｓｎ針状結晶発生がなく、かつ、
き裂発生寿命が比較的長いことが判明した。これは、Pb
フリーはんだ組成に適量のＢｉを含有することにより、
Ａｇ−Ｐｄ電極からはんだ接続部へのＡｇの拡散が抑制
されることにより、はんだ組成がＡｇリッチにならず、
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶が発生しないものと考えられる。ま
た逆に、Ｂｉが含有されていたとしても、表中のＳｎ−
2.8Ａｇ−0.5Ｃｕ−15ＢｉのようにＢｉ含有量が多すぎ
ると、はんだ接続部の破断寿命の低下が大きく、実用に
耐えないこととなる。
はんだ組成が、Ａｇ3Ｓｎ針状結晶発生がなく、かつ、
き裂発生寿命が比較的長いことが判明した。これは、Pb
フリーはんだ組成に適量のＢｉを含有することにより、
Ａｇ−Ｐｄ電極からはんだ接続部へのＡｇの拡散が抑制
されることにより、はんだ組成がＡｇリッチにならず、
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶が発生しないものと考えられる。ま
た逆に、Ｂｉが含有されていたとしても、表中のＳｎ−
2.8Ａｇ−0.5Ｃｕ−15ＢｉのようにＢｉ含有量が多すぎ
ると、はんだ接続部の破断寿命の低下が大きく、実用に
耐えないこととなる。
【００１３】図３にＳｎ−Ａｇ系はんだ接続部（はんだ
ボール）に発生したＡｇ３Ｓｎ針状結晶の例を示す。ま
た、はんだ組成、冷却速度とＡｇ３Ｓｎ針状結晶発生率
の関係を図４に示す。図３より、発生後、異常成長した
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の長さは非常に長く、隣接するはん
だ接続部と短絡する可能性が大きいことがわかる。また
図４より、Ｓｎ−３．０Ａｇでは冷却速度に関係なく、
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の発生は見られないが、はんだ中の
Ａｇの量が増え、Ｓｎ−（３．５〜５．０）Ａｇとなる
と、Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の発生が著しく増し、特にリフ
ロー後の冷却速度が遅いほど、顕著になる。本発明のＰ
ｂフリーはんだはＢｉを含有するため、Ａｇ−Ｐｄ合
金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等のＡｇ系電極との接続に使
用した場合にも、電極中のＡｇが上記はんだに拡散して
大量に入り込むことがなく、上記接続部にＡｇ３Ｓｎ針
状結晶が異常成長して、隣接する接続部と短絡すること
がない。このＡｇ３Ｓｎ針状結晶の成長についてはＡｇ
量によるものであり、Ｓｎ−Ａｇ系はんだであれば同等
量で同様の結果となる。
ボール）に発生したＡｇ３Ｓｎ針状結晶の例を示す。ま
た、はんだ組成、冷却速度とＡｇ３Ｓｎ針状結晶発生率
の関係を図４に示す。図３より、発生後、異常成長した
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の長さは非常に長く、隣接するはん
だ接続部と短絡する可能性が大きいことがわかる。また
図４より、Ｓｎ−３．０Ａｇでは冷却速度に関係なく、
Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の発生は見られないが、はんだ中の
Ａｇの量が増え、Ｓｎ−（３．５〜５．０）Ａｇとなる
と、Ａｇ３Ｓｎ針状結晶の発生が著しく増し、特にリフ
ロー後の冷却速度が遅いほど、顕著になる。本発明のＰ
ｂフリーはんだはＢｉを含有するため、Ａｇ−Ｐｄ合
金、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ等のＡｇ系電極との接続に使
用した場合にも、電極中のＡｇが上記はんだに拡散して
大量に入り込むことがなく、上記接続部にＡｇ３Ｓｎ針
状結晶が異常成長して、隣接する接続部と短絡すること
がない。このＡｇ３Ｓｎ針状結晶の成長についてはＡｇ
量によるものであり、Ｓｎ−Ａｇ系はんだであれば同等
量で同様の結果となる。
【００１４】発明の実施の形態２次に、ガラスセラミッ
ク回路基板上の９９Ａｇ−１Ｐｔ合金パッドに対しては
んだ付けした。また、リード上にＳｎめっきを施した。
その他は前述の実施の形態１と同様の条件に基づいて実
験した。
ク回路基板上の９９Ａｇ−１Ｐｔ合金パッドに対しては
んだ付けした。また、リード上にＳｎめっきを施した。
その他は前述の実施の形態１と同様の条件に基づいて実
験した。
【００１５】図２に種々の組成のＰｂフリーはんだ接続
構造体のＡｇ３Ｓｎ針状結晶の発生状況およびＰｂフリ
ーはんだ接続部のき裂発生予測寿命を示すが、これから
も、表中を黒塗りしたPbフリーはんだ組成が、Ａｇ3Ｓ
ｎ針状結晶発生がなく、かつ、き裂発生寿命が比較的長
いことが判明した。
構造体のＡｇ３Ｓｎ針状結晶の発生状況およびＰｂフリ
ーはんだ接続部のき裂発生予測寿命を示すが、これから
も、表中を黒塗りしたPbフリーはんだ組成が、Ａｇ3Ｓ
ｎ針状結晶発生がなく、かつ、き裂発生寿命が比較的長
いことが判明した。
【００１６】以上説明した実施の形態に於いては、Ｓｎ
−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉを主成分とした系もしくはＳｎ−Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎを主成分とした系のＰｂフリーは
んだについて好適な実験結果を得たが、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂ
ｉを主成分とした系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎを
主成分とした系のＰｂフリーはんだについても同様の効
果はある。
−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉを主成分とした系もしくはＳｎ−Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎを主成分とした系のＰｂフリーは
んだについて好適な実験結果を得たが、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂ
ｉを主成分とした系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎを
主成分とした系のＰｂフリーはんだについても同様の効
果はある。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｇ系電極に高信頼に
はんだ接続した電子機器を提供することができる。特
に、ＰｂフリーはんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合
金、Ａｇ等のＡｇ系電極との接続に使用した場合に、電
極中のＡｇが上記はんだ内に拡散して大量に入り込むこ
とがなく、上記接続部にＡｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成
長して、隣接する接続部と短絡することを抑制した電子
機器を提供することができる。
はんだ接続した電子機器を提供することができる。特
に、ＰｂフリーはんだをＡｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合
金、Ａｇ等のＡｇ系電極との接続に使用した場合に、電
極中のＡｇが上記はんだ内に拡散して大量に入り込むこ
とがなく、上記接続部にＡｇ3Ｓｎの針状結晶が異常成
長して、隣接する接続部と短絡することを抑制した電子
機器を提供することができる。
【図１】各半田組成を用いた場合の針状結晶の発生状況
などを示した図。
などを示した図。
【図２】各半田組成を用いた場合の針状結晶の発生状況
などを示した図。
などを示した図。
【図３】Ｓｎ−Ａｇ系はんだ接続部（はんだボール）に
発生したＡｇ３Ｓｎ針状結晶の例を示した図。
発生したＡｇ３Ｓｎ針状結晶の例を示した図。
【図４】Ｓｎ−Ａｇ系はんだの組成、冷却速度とＡｇ３
Ｓｎ針状結晶発生率の関係を示した図。
Ｓｎ針状結晶発生率の関係を示した図。
フロントページの続き (72)発明者 芹沢 弘二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中塚 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 下川 英恵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E319 AC17 BB01 BB09 BB10 CC33
Claims (5)
- 【請求項１】電子部品に形成された第１の電極と、回路
基板に形成された第２の電極とを電気的に接続する電子
機器であって、該第２の電極がＡｇ系電極であり、該第
１の電極と該第２の電極とをＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系もしく
はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ
−Ｂｉ−Ｉｎ系もしくはＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系のＰ
ｂフリーはんだで接続したことを特徴とする電子機器。 - 【請求項２】前記Ａｇ系電極が、Ａｇ−Ｐｄ合金もしく
はＡｇ−Ｐｔ合金もしくはＡｇであることを特徴とする
請求項１記載の電子機器。 - 【請求項３】前記ＰｂフリーはんだのＢｉ含有量は、
０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の電子機器。 - 【請求項４】前記Ｐｂフリーはんだは、Ｓｎを主成分と
して、Ａｇが１．５〜３重量％、Ｂｉが０．１〜１０重
量％、Ｃｕが０〜１重量％、Ｉｎが０〜１０重量％を含
有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記
載の電子機器。 - 【請求項５】前記半田接続部におけるＡｇが約３重量以
下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
載の電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180713A JP2001358458A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180713A JP2001358458A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358458A true JP2001358458A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18681746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000180713A Pending JP2001358458A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | Ｐｂフリーはんだ接続を有する電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001358458A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004261863A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-09-24 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ |
| WO2006021130A1 (fr) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Minghan Cheng | Alliage de soudure sans plomb sn-0,7cu performant |
| WO2009011341A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
| JP5633837B2 (ja) * | 2012-06-30 | 2014-12-03 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだボール |
| US9490232B2 (en) | 2013-12-09 | 2016-11-08 | Fujitsu Limited | Electronic apparatus and method for fabricating the same |
| US10002845B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead-free soldering method and soldered article |
-
2000
- 2000-06-12 JP JP2000180713A patent/JP2001358458A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004261863A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-09-24 | Senju Metal Ind Co Ltd | 鉛フリーはんだ |
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| WO2009011341A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
| JP5024380B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2012-09-12 | 千住金属工業株式会社 | 車載実装用鉛フリーはんだと車載電子回路 |
| US8845826B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-09-30 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lead-free solder for vehicles and a vehicle-mounted electronic circuit using the solder |
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| US9761552B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-09-12 | Fujitsu Limited | Electronic apparatus and method for fabricating the same |
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