JP4027534B2 - 電子部品の実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品の実装方法に係り、特に半導体パッケージ等の電子部品をはんだ等の接合金属を用いてプリント配線基板等の回路基板に実装する電子部品の実装方法に関する。
近年の電子機器の軽薄短小化にともない、実装技術の主流は表面実装技術となって久しい。これは回路基板にはんだペーストをスクリーン印刷した後、電子部品をマウントし、リフロー炉を通すことにより電子部品を回路基板に接合する技術である。
【0002】
一方、半導体装置等の電子部品は軽薄短小化が急速な勢いで進んでおり、これに伴い電子部品に配設されている電極(例えば、バンプ)も微細化及び多端子化する傾向にある。よって、このように微細化し多端子化した電極を高い信頼性をもって回路基板に実装する実装構造及び実装方法が望まれている。
【0003】
【従来の技術】
周知のように、半導体装置等の電子部品(以下、半導体装置を例にして説明する)を回路基板上に表面実装する際、はんだペーストは広く使用されている。このはんだペーストを用いて半導体装置を回路基板上に表面実装するには、先ず回路基板に形成されている接続電極上にメタルマスクを介してはんだペーストを所定量印刷する。次に、半導体装置のリードをはんだペースト上に搭載し、加熱リフローによってはんだペーストを溶融,凝固させる。
【0004】
これにより、リードは回路基板上の接続電極に電気的かつ機械的に接続され、半導体装置は回路基板に表面実装される。このように表面実装される半導体装置としては、矩形状のパッケージの4側面のそれぞれからリードを延出させることにより高密度化を図ったQFP(Quad Flat Package) タイプが多用されている。また、表面実装に用いるはんだペーストは、Sn−37Pbはんだ(共晶:融点183℃)を用いるのが一般的であり、またリフロー温度は210℃近傍で行われることが多い。
【0005】
一方、現在では半導体装置の小型化, 多端子化によって、パッケージに設けられるI/O(入力/出力)端子は増加する傾向にある。しかるに、表面実装タイプの半導体装置として汎用されているQFPタイプの半導体装置では、その増加する端子数に対応できなくなりつつある。このため、最近ではQFPタイプの半導体装置と同程度の端子数でも, 実装面積を小さくできるBGA(Ball Grid Array),CSP(Chip Size Package) と称せられる半導体装置の使用が多くなっている。
【0006】
図1は、BGAタイプの半導体装置10(以下、BGAパッケージという)を回路基板15に表面実装する方法を示している。図1(A)は、表面実装前の状態を示しており、同図に示されるように、BGAパッケージ10は、パッケージ本体13の下面に複数のはんだバンプ12をグリッドアレイ状(格子状)に配設することにより、多端子化に対応した構成とされている。
【0007】
このBGAパッケージ10を回路基板15に実装するには、上記したQFPタイプの半導体装置と同様に、回路基板15に形成されている接続電極16上にメタルマスクを介してはんだペースト17を所定量印刷し、次にBGAパッケージ10のはんだバンプ12をはんだペースト16上に搭載し、加熱リフローを行うことによりはんだペースト16を溶融,凝固させる。これにより、図1(B)に示すように、BGAパッケージ10は回路基板15に表面実装される。
【0008】
ここで、上記したはんだバンプ12の融点(T1とする)と、はんだペースト16に含まれる接合金属(はんだ粉)の融点(T2とする)とを比較すると、従来でははんだバンプ12の融点T1は、接合金属の融点T2に対して高く設定されていた(T1>T2)。
これは、BGAパッケージ10(或いはCSP)の前に用いられていたQFPパッケージでは、低融点のはんだペーストを用いており、これをBGAパッケージ10(或いはCSP)にもそのまま適用したことによる。尚、QFPパッケージは、はんだペーストに含まれているはんだ(接合金属)によってのみリードを接続端子に接合する構成とされていたため、半導体装置の熱的負荷の軽減、及びリフロー温度の低温化を図るため、はんだペーストに添加する接合金属として低融点はんだを用いていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記したBGAパッケージ10やCSP(以下、BGAパッケージ10と記載した場合、CSPも含めるものとする)では、パッケージ本体13の裏面全体にはんだバンプ12の形成が可能なため、多端子化や実装面積の縮小が可能となる。これに対し、QFP等のパッケージでは、リードがパッケージ本体外にでているため、多端子化や実装面積の縮小は困難であるが、リフロー時における加熱むらがなく均一に加熱されるため、はんだペーストを用いてリフローを行っても接続不良は少なかった。
【0010】
しかし、BGAパッケージ10は、はんだバンプ12がパッケージ本体13の裏面に配設されているため、BGAパッケージ10と共に回路基板15上に実装する電子部品(例えば、アルミ電解コンデンサやIC、コネクタ等の部品)の耐熱性にあわせてリフローを行うと、パッケージ本体13の裏面中央(図1に符合Aで示す領域)に位置するはんだペースト17やはんだバンプ12は、リフローによる熱が伝わりにくいため溶けにくく、よって接合不良の発生確率が増加してしまうという問題点が生じてきた。
【0011】
この問題点について、図2及び図3を用いて更に詳述する。図2は、はんだバンプ12が接続電極16に適正に接合される例を示している。図2に示すはんだバンプ12が接続電極16に適正に接合される場合、リフローの熱が全てのはんだバンプ12及びはんだペースト17に確実に伝わる場合である。このように、リフローの熱がはんだバンプ12及びはんだペースト17に確実に伝わる領域は、図1に符合Bで示すパッケージ本体13の外周近傍位置である。
【0012】
しかるに、前記したようにはんだバンプ12の融点T1は、はんだペースト16に含まれる接合金属(はんだ粉)の融点T2に対して高く設定(T1>T2)されているため、図2(B)に示すように、はんだバンプ12は溶融することなく略原形を止める。
そして、溶融したはんだ18(はんだ粉が溶融したもの)が、はんだバンプ12の下部所定範囲と接合(拡散接合)し、これによりはんだバンプ12は接続電極16と接合する構成となっていた。このように従来では、適正に接合が行われても、その接合強度は十分であるとはいいにくい。
【0013】
また、図3は、はんだバンプ12が接続電極16に適正に接合されなかった例を示している。これは、リフローの熱がはんだバンプ12及びはんだペースト17に十分に伝わらなかった場合であり、この場合は図3(B)に示すように、はんだペースト16に含まれる接合金属(はんだ粉)自体も溶融しない状態となる。よって、はんだバンプ12と接続電極16の接合強度は著しく低下し、実装信頼性も低下してしまう。
【0014】
さらに、近年環境への影響の点から、鉛(Pb)を使わないはんだ(いわゆる、Pbフリーはんだ)の使用が要求されている。このPbフリーはんだ、現在使用しているSn−Pb共晶はんだの融点よりも高いものが多数である。そのため、Pbフリーはんだの融点のマージンを見越したリフロー温度では、回路基板に同時に搭載される上記したアルミ電解コンデンサ,IC,コネクタ等の電子部品(以下、同時実装部品という)の耐熱性が低いため、上記リフロー温度では実装できないことが起こる。
【0015】
また、Pbフリーはんだの融点と同時実装部品の耐熱性の兼ね合いで温度を設定すると、パッケージ本体13の下部中央(図1に符合Aで示す領域)では、不完全な溶融状態になる確率が高くなり接合不良が多く発生することがわかってきた。これに対処するため、パッケージ本体13の下部中央に配設されたPbフリーはんだが溶融する温度まであげると、耐熱性の低い同時実装部品が不良を起こしてしまう。このように、いままで使用してきたSn−37Pb共晶はんだに代えてPbフリーはんだを用いた場合、上記した問題点が顕著にあらわれてくる。
【0016】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、表面実装において高い実装信頼性を実現できる電子部品の実装方法を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
請求項1記載の発明は、
第1の融点を有する金属突起電極が設けられた第1の電子部品を、第2の融点を有する接合用金属を介して回路基板に形成された接続電極に接合することにより前記回路基板に実装する電子部品の実装方法において、
前記第1の融点が前記第2の融点に対して低い前記金属突起電極と前記接合用金属との組み合わせである、前記金属突起電極の材質をSn−57Bi−1Agとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.75Cu−3Biとする第1の組み合わせ、及び、前記金属突起電極の材質をIn−60Snとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.5Cu−7.5Biとする第2の組み合わせから一の組み合わせを選択し、
前記第1の電子部品の耐熱温度を、前記金属突起電極を前記接合用金属を介して前記回路基板に形成された前記接続電極に接合する温度よりも高く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に選択された組み合わせに係る前記接合用金属を配設し、
その後に、選択された組み合わせに係る前記金属突起電極と接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とするものである。
また、請求項2記載の発明は、
第1の融点を有する複数の金属突起電極が第1の筐体下面にグリッドアレイ状に設けられた第1の電子部品と、第2の筐体下面の外周近傍或いは前記第2の筐体から外部に延出するよう形成された接続端子を備えた第2の電子部品とを、第2の融点を有する接合用金属を介して回路基板に設けられた接続電極に実装する電子部品の実装方法において、
前記第1の融点が前記第2の融点に対して低い前記金属突起電極と前記接合用金属との組み合わせである、前記金属突起電極の材質をSn−57Bi−1Agとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.75Cu−3Biとする第1の組み合わせ、及び、前記金属突起電極の材質をIn−60Snとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.5Cu−7.5Biとする第2の組み合わせから一の組み合わせを選択し、
前記第2の電子部品の耐熱温度を、前記金属突起電極を前記接合用金属を介して前記回路基板に形成された前記接続電極に接合する温度よりも高く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に選択された組み合わせに係る前記接合用金属を配設し、
その後に、選択された組み合わせに係る前記金属突起電極と接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とするものである。
また、請求項3記載の発明は、
請求項1または2記載の電子部品の実装方法において、
前記接合用金属は、フラックス内に混入されることによりはんだペーストを構成するはんだであり、
かつ、該はんだペーストを印刷法により前記接続電極上に供給することを特徴とするものである。
【0022】
上記した各手段は、次のように作用する。
請求項1記載の発明によれば、金属突起電極の第1の融点を接合用金属の第2の融点に対して低く設定したことにより、第1の電子部品の下部中央位置に配設された突起電極と対向する位置に配設された接合用金属の温度が第2の融点に達さなかった場合でも、第1の電子部品側に配設された金属突起電極が先に溶け始めるため、金属突起電極と接続電極とを確実に接合することができ、よって接合不良の発生率を低減することができる。
【0023】
また、請求項2記載の発明によれば、第2の電子部品の接続端子が接合用金属を介して接続電極に接合する接合温度に対し、第1の電子部品に設けられた金属突起電極の第1の融点を低く設定したことにより、第1の電子部品の下部中央位置に配設された突起電極と対向する位置に配設された接合用金属の温度が、上記の接合温度に達さなかった場合でも、第1の電子部品側に配設された金属突起電極が先に溶け始めるため、金属突起電極と接続電極とを確実に接合することができ、接合不良の発生率を低減することができる。また、第2の電子部品の耐熱温度は、上記の接合温度よりも高く設定されているため、金属突起電極と接続電極との接合時において、第2の電子部品が損傷するようなことはない。
【0024】
また、請求項3記載の発明のように、接合用金属を接続電極上に配置する際、接合用金属としてはんだを用い、このはんだをフラックス内に混入されることによりはんだペーストを作製し、これを接続電極上に配置することとしてもよい。
【0025】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図4及び図5は、本発明の一実施例である電子部品の実装構造及び電子部品の実装方法を説明するための図である。本実施例では、BGAパッケージ10(第1の電子部品)と、同時実装部品であるQFPパッケージ30(第2の電子部品)を同時に回路基板15に実装する実装構造及び実装方法について説明するものとする。尚、図及び図5において、先に示した図1乃至図3と同一構成については同一符合を附して説明するものとする。
【0026】
図4(A)は、BGAパッケージ10及びQFPパッケージ30を回路基板15に表面実装前の状態を示している。同図に示されるように、BGAパッケージ10は、パッケージ本体13の下面に複数のはんだバンプ20をグリッドアレイ状(格子状)に配設することにより、多端子化に対応した構成とされている。また、QFPパッケージ30はパッケージ本体31の外周より外側に向けガルウイング状のリード32を延出させた構成とされている。
【0027】
このBGAパッケージ10及びQFPパッケージ30を回路基板15に実装するには、回路基板15に形成されている接続電極16上にメタルマスクを介してはんだペースト21を所定量印刷する。このはんだペースト21は、接合用金属となるはんだ(具体的には、はんだ粉)とフラックスとを混合した構成とされている。この印刷処理の際、接続電極16の面積に対して印刷されるはんだペースト21の配設面積を小さくしておくことにより、後述するリフロー処理時に溶融したはんだが接続電極16を超えて回路基板15上に流出してしまうことを防止することができる。
【0028】
はんだペースト21の印刷処理が終了すると、次にBGAパッケージ10のはんだバンプ20及びQFPパッケージ30のリード32をはんだペースト21上に搭載し(仮固定し)、リフロー炉に通すことにより加熱リフローを行う。
ここで、上記したはんだバンプ20の融点(第1の融点:T1とする)と、はんだペースト21に含まれる接合金属(はんだ)の融点(第2の融点:T2とする)との関係に注目して以下説明する。
【0029】
本実施例では、はんだバンプ20の融点T1を、はんだペースト21に含まれるはんだの融点T2に対し低く設定(T1<T2)したことを特徴としている。また、リフロー実施時におけるリフロー炉内の温度は、QFPパッケージ30のリード32を接続電極16に接合しうる温度、即ちはんだペースト21に含まれるはんだの融点T2より高い温度(以下、これを接合温度という)に設定されている。更に、QFPパッケージ30及びBGAパッケージ10の耐熱温度は、この接合温度よりも高く設定されている。
【0030】
前記したように、BGAパッケージ10ははんだバンプ20がパッケージ本体13の裏面にグリッドアレイ状(格子状)に配設されているため、パッケージ本体13の裏面中央位置(図4に符合Aで示す領域)にはリフローによる熱が伝わりにくいという特性がある。よって、BGAパッケージ10と共に表面実装されるQFPパッケージ30(同時実装部品)の耐熱性にあわせてリフローを行うと、パッケージ本体13の裏面中央位置(図4に符合Aで示す領域)と対向する位置にあるはんだペースト21(はんだ)は、融点T2が高いために溶融しない場合が発生するおそれがある。
【0031】
また、この領域Aに配設されているはんだペースト21(はんだ)を確実に溶融しようとすると、上記した接合温度よりリフロー温度をかなり高温にする必要があり、QFPパッケージ30及びBGAパッケージ10の耐熱温度を超えるおそれがある。この場合には、領域Aに配設されているはんだペースト21(はんだ)は溶融するものの、QFPパッケージ30及びBGAパッケージ10が損傷してしまう。
【0032】
しかるに本実施例のように、はんだバンプ20の融点T1をはんだペースト21に含まれるはんだの融点T2に対し低く設定(T1<T2)することにより、上記した接合温度まで昇温した状態において、BGAパッケージ10に設けられているはんだバンプ20を全て(領域Aに配設されているものも含めて)溶融させることができる。
【0033】
ここで、溶融したはんだバンプ20が、未溶融のはんだを含むはんだペースト21が塗布された接続金属16上に実装された際、はんだバンプ20と接続金属16とが接合される接合態様について図5を用いて説明する。
図5(A)は、リフローにより接合温度まで昇温された状態における、領域Aに位置するはんだバンプ20及びはんだペースト21を示している。この状態において、BGAパッケージ10に設けられているはんだバンプ20は低融点であるために溶融しているが、はんだペースト21に含まれるはんだ(接合用金属)は高融点であるため、溶融していない状態となっている。
【0034】
図5(A)に示す状態より、BGAパッケージ10を回路基板15に近接させてゆき、溶融状態のはんだバンプ20がはんだペースト21に当接すると、はんだペースト21内のはんだは溶融状態であるはんだバンプ20内に溶け込んでゆく現象が発生する。この現象は、はんだバンプ20の体積をV1とし、はんだペースト21に含まれるはんだの体積をV2とすると、各はんだの組成により変化はあるものの、大略するとV1とV2の比(V2/V1)が、
(V2/V1)≦0.2 ……(1)
である時に上記した現象が発生する。前記したように、はんだペースト21は印刷法により接続電極16上に印刷されるものであり、その内部に含まれるはんだの体積V2は小さい。よって、通常の方法を用いてはんだペースト21を配設した場合には、はんだバンプ20の体積V1とはんだペースト21に含まれるはんだの体積V2の比は、上記した(1)式の関係を満足させる。
【0035】
従って、リフロー時において接合温度に昇温した状態において、はんだペースト21に含まれるはんだ(接合用金属)が確実に溶融していない状態であっても、図5(B)に示すように、GBAパッケージ10に設けられた電極パッド11と回路基板15に設けられた接続電極16をはんだバンプ20(はんだペースト21に含まれるはんだは、溶融して一体化している)を介して確実に接合することが可能となる。
【0036】
また、リフロー炉内は接合温度まで昇温されているため、QFPパッケージ30のパッケージ本体31の外側に配置された接続電極16上に配置されたはんだペースト21内のはんだは溶融しており、リード32と接続電極16との接合は確実に行われる。更に、リフロー炉内の温度は接合温度であるため、QFPパッケージ30及びBGAパッケージ10が損傷するようなこともない。よって、本実施例によれば、接合不良の発生を防止でき、実装信頼性を向上させることができる。
【0037】
また、はんだペースト21に含有させるはんだとして、Sn−Pb共晶はんだの融点よりも高い融点を有するPbフリーはんだを用いたとしても、上記した理由によりリフロー温度設定の上昇を最低限(即ち、接合温度)に抑えることができるため、QFPパッケージ30及びBGAパッケージ10の損傷発生を防止しつつ、回路基板15上にQFPパッケージ30及びBGAパッケージ10を確実に実装することが可能となる。
【0038】
続いて、本発明者が実施した、本実施例を用いて接合されたはんだバンプの信頼性試験及び強度実験の結果を説明する。まず、はんだバンプの信頼性試験について説明する。
〔実施例1〕
Sn-3.5Ag-0.5Cu-7.5Bi(融点:188 〜214 ℃) の組成を有するはんだを含むはんだペーストを、ガラス−エポキシよりなる回路基板上の直径0.7mm の接続電極上(材料:銅(Cu))にメタルマスク(開口径:0.7mm 、厚さ:0.15mm)を介して印刷した。
【0039】
そして、上記構成とされた回路基板上に、Sn-58Bi (融点:137℃) の組成を有する直径0.8mm のはんだバンプを搭載したBGAパッケージ(バンプピッチ:1.27mm ピッチ,大きさ:□35mm)を乗せ、リフロー温度プロファイル(MAX 200 ℃、180 ℃以上 1分)でリフロー加熱を行うことにより、BGAパッケージを回路基板に実装した。その結果、接合不良もなく、パッケージ中央部でも良好な接合ができた。その後、-55 ℃から 125℃の熱サイクル試験を 500サイクルまで行ったが不良は発生しなかった
〔実施例2〕
Sn-3.5Ag-0.75Cu-3Bi (融点:205 〜220 ℃) の組成を有するはんだを含むはんだペーストを、ガラス−エポキシよりなる回路基板上の直径0.7mm の接続電極上(材料:銅(Cu))にメタルマスク(開口径:0.7mm 、厚さ:0.15mm)を介して印刷した。
【0040】
そして、上記構成とされた回路基板上に、Sn-57Bi-1Ag (融点137 ℃) の組成を有する直径0.8mm のはんだバンプを搭載したBGAパッケージ(バンプピッチ:1.00mm ピッチ,大きさ:□45mm)を乗せ、リフロー温度プロファイル(MAX200℃、180 ℃以上 1分)でリフロー加熱を行うことにより、BGAパッケージを回路基板に実装した。その結果、接合不良もなく、パッケージ中央部でも良好な接合ができた。その後、-55 ℃から 125℃の熱サイクル試験を500サイクル まで行ったが不良は発生しなかった
〔実施例3〕
Sn-3.5Ag-0.5Cu-7.5Bi(融点:188 〜214 ℃) の組成を有するはんだを含むはんだペーストを、ガラス−エポキシよりなる回路基板上の直径0.7mm の接続電極上(材料:銅(Cu))にメタルマスク(開口径:0.7mm 、厚さ:0.15mm)を介して印刷した。
【0041】
そして、上記構成とされた回路基板上に、In-60Sn (融点152 ℃前後) の組成を有する直径0.8mm のはんだバンプを搭載したBGAパッケージ(バンプピッチ:1.00mm ピッチ,大きさ:□40mm)を乗せ、リフロー温度プロファイル(MAX180℃、160 ℃以上 1分)でリフロー加熱を行うことにより、BGAパッケージを回路基板に実装した。その結果、接合不良もなく、パッケージ中央部でも良好な接合ができた。その後、-55 ℃から 125℃の熱サイクル試験を500サイクル まで行ったが不良は発生しなかった
また、Pbフリーはんだの組み合わせでは、はんだペーストにSn-Ag-Cu系はんだペースト使用する際に、はんだペーストより低い液相線温度を有するSn-8.0Zn-3.0Bi等もはんだバンプに使用できる。しかし、Znが添加されたはんだでは、表面酸化の度合いが激しく、ぬれ不良が発生することもあるため、Sn-Bi 系はんだバンプを使用する方が好ましい。
【0042】
続いて、本実施例を用いて接合されたはんだバンプの強度実験の結果を説明する。
以下説明する強度実験で用いたはんだバンプの材料、及びはんだペースト21に含有させたはんだの材料は、次の5種類である。
(1)Sn-3.5Ag-0.7Cu…………………(以下、SACと略称する)
(2)Sn-2.0Ag-0.5Cu-7.5Bi………(以下、SACBと略称する)
(3)Sn- 57.0Bi-1.0Ag………………(以下、SBAと略称する)
(4)Sn- 37.0Pb …………………………(以下、SPと略称する)
(5)Sn-8.0Zn-3.0Bi…………………(以下、SZBと略称する)
また、強度の評価方法としては、上記の各種はんだ材料よりはんだバンプ20の材料及びはんだペースト21に含有させたはんだの材料を選定し、その組み合わせにおいて、次に示す条件の下に回路基板の接続電極上に形成されたはんだペースト上にはんだバンプを接合し、接合されたはんだバンプに対しシェア強度測定を行った。
〔はんだバンプ接合条件〕
・はんだバンプ径……0.8mm
・はんだペースト印刷
メタルマスク開口径…0.7mm
メタルマスク厚さ……0.15mm
・リフロー条件
234℃MAX
183℃以上…2’17”
200℃以上…1’39”
210℃以上…0’54”
221℃以上…0’36”
・回路基板
材質………ガラス−エポキシ
電極径……0.7mm
電極材質…銅(Cu)
電極厚さ…10μm
・シェア条件
治具速度… 300μm/sec
治具高さ…50μm
ここで、図8を用いてシェア強度試験について簡単に説明する。シェア強度試験は、はんだバンプの接合強度を測定する試験である。具体的な測定方法としては、図8(A)に示すように、回路基板41上に形成された電極42上に被測定物となるバンプ43を形成し、このバンプ43に対し図示されるような治具40をバンプ側部から当接させる。この治具40がバンプ43に当接する位置と回路基板41の上面との間の距離を治具高さHという。本発明者が実施したシェア強度試験では、上記のように治具高さHは50μmに設定した。
【0043】
続いて、図8(A)に示す状態より、治具40を図中左方向に治具速度Vで移動させ、この時に治具に印加する力Fを測定する。本発明者が実施したシェア強度試験では、上記のように治具速度Vは 300μm/sec に設定した。そして、図8(B)に示すように、治具40の動作によりやがてバンプ43は回路基板41(電極42)から剥離するが、この剥離した時点における力FS をシェア強度(gf/bump)と定義する。よって、シェア強度の値が大きい程、バンプ43の接合強度は大きくなる。
【0044】
図6及び図7は、本発明者が実施したシェア強度試験の実験結果を示している。図6及び図7は同じ内容を表と棒グラフで夫々示したものであり、はんだバンプ材料とはんだペーストに含まれるはんだ材料とを各種組み合わせた場合におけるシェア強度の変化を示している。
また、各図に示される各組み合わせにおいて、はんだバンプ材料の融点は、はんだペーストに含まれるはんだ材料(以下、このはんだ材料をはんだペースト材料というものとする)の融点に対して低く設定されている。
【0045】
尚、図6において、はんだバンプ材料としてSPを用いると共にはんだペースト材料としてSPを用いた組み合わせ例は、従来の組み合わせとされており、よってはんだバンプ材料の融点ははんだペースト材料の融点より高く設定されている。
図6及び図7に示される実験結果より、本実施例の構造を採用した各組み合わせにおけるシェア強度(1900.0〜2230.0 gf/bump) は、従来のはんだバンプ材料とはんだペースト材料との組み合わせ(SPととせの組み合わせ)におけるシェア強度(1850.0gf/bump) に比べて大きくなっている。
【0046】
よって、図6及び図7に示した実験結果からも、本実施例に係る実装構造及び実装方法を用いることにより、接合不良の発生率を低減し、実装信頼性の向上を図ることができることが判る。
尚、上記した実施例では、第1の電子部品としてBGAパッケージを例に挙げて説明したが、パッケージ下面全面に端子を有した構造の電子部品であれば、他の電子部品についても本願発明を適用することは可能である。
【0047】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項1記載の発明によれば、第1の電子部品の下部中央位置に配設された突起電極と対向する位置に配設された接合用金属の温度が第2の融点に達さなかった場合でも、第1の電子部品側に配設された金属突起電極が先に溶け始めるため、金属突起電極と接続電極とを確実に接合することができ、接合不良の発生率を低減することができる。
【0048】
また、請求項2記載の発明によれば、第1の電子部品の下部中央位置に配設された突起電極と対向する位置に配設された接合用金属の温度が接合温度に達さなかった場合でも、第1の電子部品側に配設された金属突起電極が先に溶け始めるため、金属突起電極と接続電極とを確実に接合することができ、接合不良の発生率を低減することができる。
【0049】
また、第2の電子部品の耐熱温度は、上記の接合温度よりも高く設定されているため、金属突起電極と接続電極との接合時において、第2の電子部品が損傷することを防止することができる。
以上の説明に関して、更に以下の項を開示する。
(1) パッケージ下面に複数の第1の融点を有する金属突起電極が設けられた第1の電子部品と、接続電極を備えた回路基板とからなり、
前記突起電極と接続電極とを、前記回路基板の接続電極上に形成または配置された第2の融点を有する接合用金属を介して接合する電子部品の実装構造において、
前記金属突起電極の前記第1の融点を、前記接合用金属の前記第2の融点に対して低く設定したことを特徴とする電子部品の実装構造。
【0050】
(2) 第1の融点を有する複数の金属突起電極が第1の筐体下面にグリッドアレイ状に設けられた第1の電子部品と、第2の筐体下面の外周近傍或いは前記第2の筐体から外部に延出するよう形成された接続端子を備えた第2の電子部品と、接続電極を備えた回路基板とからなり、
前記突起電極と接続電極、及び前記接続端子と接続電極とを、前記回路基板の接続電極上に形成または配置された第2の融点を有する接合用金属を介して接合する電子部品の実装構造において、
前記金属突起電極の前記第1の融点を、前記接続端子が前記接合用金属を介して前記接続電極に接合する接合温度に対して低く設定し、
かつ、前記第2の電子部品の耐熱温度を前記接合温度よりも高く設定したことを特徴とする電子部品の実装構造。
【0051】
(3) 第1項または2項に記載の電子部品の実装構造において、
前記接合用金属は、鉛(Pb)を含まないはんだであることを特徴とする電子部品の実装構造。
(4) 第3項記載の電子部品の実装構造において、
前記金属突起電極は、少なくともビスマス(Bi)またはインジウム(In)の何れか一方を含有することを特徴とする電子部品の実装構造。
【0052】
(5) 請求項1乃至4のいずれかに記載の電子部品の実装構造において、
前記金属突起電極がはんだバンプであり、かつ、前記第1の融点が180℃以下であることを特徴とする電子部品の実装構造。
(6)第1の融点を有する金属突起電極が設けられた第1の電子部品を、接合用金属を介して回路基板に形成された接続電極に接合することにより前記回路基板に実装する電子部品の実装方法において、
前記金属突起電極の前記第1の融点を前記接合用金属の前記第2の融点に対して低く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に前記接合用金属を配設し、
その後に、前記突起電極と接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とする電子部品の実装方法。
【0053】
(7) 第1の融点を有する複数の金属突起電極が第1の筐体下面にグリッドアレイ状に設けられた第1の電子部品と、第2の筐体下面の外周近傍或いは前記第2の筐体から外部に延出するよう形成された接続端子を備えた第2の電子部品とを、接合用金属を介して回路基板に設けられた接続電極に実装する電子部品の実装方法において、
前記金属突起電極の前記第1の融点を前記接続端子が前記接合用金属を介して前記接続電極に接合する接合温度に対して低く設定すると共に、前記第2の電子部品の耐熱温度を前記接合温度よりも高く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に前記接合用金属を配設し、
その後に、前記突起電極と前記接続電極、及び前記接続端子と前記接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とする電子部品の実装方法。
【0054】
(8) 第7項記載の電子部品の実装方法において、
前記はんだペーストを、前記接続電極の面積よりも小さい面積で印刷することを特徴とする電子部品の実装方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のBGAパッケージを回路基板に表面実装する方法を説明するための図である。
【図2】従来のBGAパッケージを回路基板に表面実装する方法において、はんだバンプが適正に接続電極に接合した状態を示す図である。
【図3】従来のBGAパッケージを回路基板に表面実装する方法において、はんだバンプが適正に接続電極に接合されなかった状態を示す図である。
【図4】本発明の一実施例であるBGAパッケージを回路基板に表面実装した構造及び表面実装する方法を説明するための図である。
【図5】本発明の一実施例である実装方法を用いて接合された、はんだバンプと接続電極との接合位置を拡大して示す図である。
【図6】低融点はんだバンプ材料と、高融点はんだペーストに含まれる接合用金属材料の組み合わせにおけるシェア強度を数値示す図である。
【図7】低融点はんだバンプ材料と、高融点はんだペーストに含まれる接合用金属材料の組み合わせにおけるシェア強度を棒グラフとして示す図である。
【図8】シェア強度の測定方法を説明するための図である。
【符号の説明】
10 BGAパッケージ
11 電極パッド
13,31 パッケージ本体
15 回路基板
16 接続電極
20 低融点はんだバンプ
21 高融点はんだペースト
30 QFPパッケージ
32 リード
40 治具
Claims (3)
- 第1の融点を有する金属突起電極が設けられた第1の電子部品を、第2の融点を有する接合用金属を介して回路基板に形成された接続電極に接合することにより前記回路基板に実装する電子部品の実装方法において、
前記第1の融点が前記第2の融点に対して低い前記金属突起電極と前記接合用金属との組み合わせである、前記金属突起電極の材質をSn−57Bi−1Agとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.75Cu−3Biとする第1の組み合わせ、及び、前記金属突起電極の材質をIn−60Snとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.5Cu−7.5Biとする第2の組み合わせから一の組み合わせを選択し、
前記第1の電子部品の耐熱温度を、前記金属突起電極を前記接合用金属を介して前記回路基板に形成された前記接続電極に接合する温度よりも高く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に選択された組み合わせに係る前記接合用金属を配設し、
その後に、選択された組み合わせに係る前記金属突起電極と接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とする電子部品の実装方法。 - 第1の融点を有する複数の金属突起電極が第1の筐体下面にグリッドアレイ状に設けられた第1の電子部品と、第2の筐体下面の外周近傍或いは前記第2の筐体から外部に延出するよう形成された接続端子を備えた第2の電子部品とを、第2の融点を有する接合用金属を介して回路基板に設けられた接続電極に実装する電子部品の実装方法において、
前記第1の融点が前記第2の融点に対して低い前記金属突起電極と前記接合用金属との組み合わせである、前記金属突起電極の材質をSn−57Bi−1Agとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.75Cu−3Biとする第1の組み合わせ、及び、前記金属突起電極の材質をIn−60Snとすると共に前記接合用金属の材質をSn−3.5Ag−0.5Cu−7.5Biとする第2の組み合わせから一の組み合わせを選択し、
前記第2の電子部品の耐熱温度を、前記金属突起電極を前記接合用金属を介して前記回路基板に形成された前記接続電極に接合する温度よりも高く設定し、
先ず、前記回路基板の接続電極に選択された組み合わせに係る前記接合用金属を配設し、
その後に、選択された組み合わせに係る前記金属突起電極と接続電極とを前記接合用金属を介して接合することを特徴とする電子部品の実装方法。 - 請求項1または2記載の電子部品の実装方法において、
前記接合用金属は、フラックス内に混入されることによりはんだペーストを構成するはんだであり、
かつ、該はんだペーストを印刷法により前記接続電極上に供給することを特徴とする電子部品の実装方法。
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