KR20130050886A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리 장치는 웨이퍼에 있어서의 서포트 플레이트가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부를 지지하는 지지부에 의해 지지된 적층체를 감압 환경하에서 반송하는 반송 유닛을 구비하고 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1 에는, 열 처리할 때에, 웨이퍼의 외주 위치에 있어서의 복수 지점에서 웨이퍼를 지지하는 방법 및 웨이퍼를 지지하는 지그에 대해 기재되어 있다.
일본국 공개특허공보 「일본 공개특허공보 2008-98589호 (2008 년 4 월 24 일 공개)」
최근, 휴대전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 따라, 탑재되는 반도체 실리콘 칩의 소형화, 박형화 및 고집적화에 대한 요구가 높아지고 있다. 칩의 소형화 및 박형화에 대한 요구에 따라 웨이퍼를 연삭하여 박판화시킬 필요가 있다.
박화된 웨이퍼는, 제조 프로세스 중의 반송시, 보관시 등에 휨이 발생되기 쉽다. 특허문헌 1 에 기재된 방법은, 웨이퍼의 휨 방지를 고려하고 있지 않아 웨이퍼의 휨을 바람직하게 방지할 수 없다. 따라서, 제조 프로세스 중의 웨이퍼의 휨을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 제조 프로세스 중의 웨이퍼의 휨을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 지지체가 첩부 (貼付) 된 웨이퍼에 있어서의, 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부 (內周部) 를 지지하는 지지부에 의해, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 지그와, 상기 지지 지그에 의해 지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 지지체가 첩부된 웨이퍼에 있어서의, 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 공정과, 지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 지지체가 첩부된 웨이퍼에 있어서의 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부를 지지하는 지지부에 의해, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 지그와, 상기 지지 지그에 의해 지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 수단을 구비하고 있으므로, 제조 프로세스 중의 웨이퍼의 휨을 방지할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 개략 상면 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 있어서의 적층체의 지지위치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 있어서의 적층체의 지지위치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 있어서의 적층체의 지지위치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 있어서의 적층체의 지지위치의 예를 나타내는 개략 상면도이다.
도 6 은 서포트 플레이트의 재질과 지지 핀의 지지위치가 웨이퍼의 휨량에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.
도 7 은 반송시의 지지 핀의 지지위치가 웨이퍼의 휨량에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.
도 8 은 반송시의 지지 핀의 지지위치가 웨이퍼의 휨량에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.
도 9 는 냉각시의 지지 핀의 지지위치가 웨이퍼의 휨량에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.
[기판 처리 장치 (100)]
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도 1 및 2 를 참조하여 이하에 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 개략 상면 사시도이고, 도 2 는, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 기판 처리 장치에 있어서의 적층체의 지지위치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 기판 처리 장치 (100) 는 도 1 및 2 에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (지지체) (2) 가 첩합 (貼合) 되어 구성된 적층체 (3) 에 있어서의 웨이퍼 (1) 측을 지지 핀 (지지부) (12) 에 의해 지지한 상태에서, 적층체 (3) 를 반송하는 반송 유닛 (반송 수단) (20) 을 구비하고 있다.
기판 처리 장치 (100) 는 첩부 유닛 (10), 쿨링 유닛 (30) 및 도포 유닛 (40) 을 추가로 구비하고 있어도 된다. 기판 처리 장치 (100) 는, 쿨링 유닛 (30) 에 있어서 웨이퍼 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 위치 맞춘 후, 도포 유닛 (40) 에 있어서, 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 에 접착제를 도포하여 베이크한다. 그 후, 웨이퍼 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 첩부 유닛 (10) 에 반송하고, 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 를 압착시켜 적층체 (3) 를 형성한다. 그 후, 반송 유닛 (20) 에 의해 적층체 (3) 를 쿨링 유닛 (30) 에 반송하여, 쿨링 유닛 (30) 내에서 적층체 (3) 를 유지하며 냉각시킨다.
기판 처리 장치 (100) 는, 서포트 플레이트 (2) 가 첩부된 웨이퍼 (1) 를 처리한다. 서포트 플레이트 (2) 는, 박화 (薄化) 처리시, 반송시 등의 제조 프로세스 중에서의 웨이퍼 (1) 의 크랙 발생 및 휨을 방지하기 위해서 웨이퍼 (1) 를 지지하는 것이다. 기판 처리 장치 (100) 에 있어서, 웨이퍼 (1) 는 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 가 첩합되어 구성된 적층체 (3) 의 상태로 처리되고, 처리 후에 웨이퍼 (1) 로부터 서포트 플레이트 (2) 가 박리된다.
(쿨링 유닛 (30))
쿨링 유닛 (30) 은, 쿨링 에어리어 (유지 지그) (31), 쿨링 플레이트 (32), 프리-얼라이너 (33) 를 구비하고 있다. 쿨링 유닛 (30) 은, 쿨링 플레이트 (32) 에 있어서 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를 칠러에 의한 수냉 등의 방식으로 냉각시키고, 프리-얼라이너 (33) 에 의해 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 의 중심 위치 맞춤을 실시한다. 또, 쿨링 유닛 (30) 은, 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 가 첩합되어 적층체 (3) 가 형성된 후, 당해 적층체 (3) 를 쿨링 에어리어 (31) 에서 유지하며 자연 냉각시킨다. 쿨링 에어리어 (31) 의 상세함에 대해서는 후술한다.
또한, 쿨링 유닛 (30) 은, 쿨링 에어리어 (31) 및 쿨링 플레이트 (32) 를 각각 복수 유닛 구비하고 있어도 되고, 이로써 복수의 웨이퍼 (1), 서포트 플레이트 (2) 또는 적층체 (3) 를 동시에 냉각시킬 수 있다.
(도포 유닛 (40))
도포 유닛 (40) 은, 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를, 반송 로봇 (41) 에 의해 도포 컵 유닛 (43) 에 반송하여 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 의 표면에 접착제를 도포한다. 이 때, 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 의 이면에 접착제가 부착된 경우에는, 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를 세정 컵 유닛 (44) 에 반송하여, 이면에 부착된 접착제를 제거한다. 접착제가 표면에 도포된 웨이퍼 (1) 또는 서포트 플레이트 (2) 를, 반송 로봇 (41) 에 의해 베이크 플레이트 (42) 에 반송하여 베이크한 후, 후술하는 로드락 실 (21) 에 반송한다. 그리고, 로드락 실 (21) 에 있어서 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 를 중첩시킨 후, 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 의 적층체 (3) 를 첩부 유닛 (10) 에 반송한다.
(첩부 유닛 (10))
첩부 유닛 (10) 내에는, 첩부 대상인 웨이퍼 (1) 및 서포트 플레이트 (2) 를 재치 (載置) 하여 적층체 (3) 를 형성하는 1 쌍의 첩부 플레이트와, 형성 후의 적층체 (3) 를 취출하기 위한 리프트 핀이 형성되어 있다. 적층체 (3) 는 첩부 유닛 (10) 내에서 첩부 플레이트에 의해 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 를 가열 압착시킴으로써 형성되고, 리프트 핀에 의해 취출된다.
여기서, 웨이퍼 (1) 는, 예를 들어 그 표면에 회로 패턴이 형성되어 있고, 당해 회로 패턴의 형성면이 서포트 플레이트 (2) 에 접착될 수 있다. 리프트 핀에 의해 취출된 적층체 (3) 는 반송 유닛 (20) 에 반송된다. 웨이퍼 (1) 로서는, 공지된 기판을 사용하면 되고, 그 재료로서는, 예를 들어, 석영, 실리콘, 사파이어, GaAs (갈륨 비소) 등을 들 수 있다.
또, 서포트 플레이트 (2) 로서는, 웨이퍼 (1) 를 지지 가능하도록 가요성을 갖는 판상체인 것이 바람직하고, 예를 들어, 유리, 실리콘, 알루미나, 탄화규소, 알루미늄, 수지, 스테인리스, 철-니켈 합금 등의 금속류에 의해 형성된 공지된 판상체를 사용할 수 있다. 서포트 플레이트 (2) 에는 관통공이 형성되어 있어도 된다. 관통공이 형성된 서포트 플레이트 (2) 를 사용하면, 웨이퍼 (1) 로부터 서포트 플레이트 (2) 를 박리시킬 때, 당해 관통공을 통하여 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 사이의 접착제에 용제를 공급함으로써 효율적으로 박리할 수 있다.
웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 의 접착에 사용되는 접착제로서는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 말레이미드계 수지, 탄화수소계 수지 (시클로올레핀계 수지, 테르펜 수지, 석유 수지 등), 또는 노볼락 타입의 페놀 수지계 재료를 함유하여 이루어지는 접착제 조성물 등, 유기 용제에 대해 가용성을 나타내는 접착제를 사용할 수 있다. 또, 이들 접착제를 단독으로 사용해도 되고, 조합해서 사용해도 된다.
첩부 유닛 (10) 에 반송된 적층체 (3) 를, 첩부 유닛 (10) 내에서 가열 압착한다. 첩부 유닛 (10) 내는, 접착제에 의한 웨이퍼 (1) 와 서포트 플레이트 (2) 의 압착을 바람직하게 실시하기 위해서, 감압 환경으로 하고, 접착제의 종류에 따라 적합한 온도로 적층체 (3) 를 가열하도록 되어 있다. 첩부 유닛 (10) 내에서의 가열 온도는 특별히 한정되지 않지만, 150 ～ 250 ℃ 인 것이 바람직하다.
첩부 유닛 (10) 에 있어서, 감압 환경에 있어서의 가열 압착 처리에 의해 형성한 적층체 (3) 를, 리프트 핀에 의해 첩부 유닛 (10) 으로부터 취출하고, 반송 유닛 (20) 의 로드락 실 (21) 내에 이동시킨다. 리프트 핀은, 웨이퍼 (1) 의 서포트 플레이트 (2) 가 첩부된 면과는 반대측인 피지지면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지하여 들어 올린다. 이로써, 적층체 (3) 는 첩부 플레이트로부터 분리된다.
(반송 유닛 (20))
반송 유닛 (20) 은, 로드락 실 (21), 반송 로봇 (지지 지그) (22) 및 카세트 스테이션 (23) 을 구비하고 있다. 첩부 유닛 (10) 으로부터 취출된 적층체 (3) 는 로드락 실 (21) 내에서 반송된다. 로드락 실 (21) 내는 감압 환경이다. 적층체 (3) 는 로드락 실 (21) 내에서 반송 로봇 (22) 에 의해 반송된다. 반송 로봇 (22) 에 의해 반송된 적층체 (3) 는 카세트 스테이션 (23) 에 재치된다. 반송 중의 적층체 (3) 는, 반송 로봇 (22) 에 형성된 도 2 에 나타낸 바와 같은 지지 핀 (12) 에 의해 지지된다. 지지 핀 (12) 은, 웨이퍼 (1) 의 서포트 플레이트 (2) 가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지한다.
적층체 (3) 는, 첩부 유닛 (10) 으로부터 취출된 직후에는 고온이지만, 반송 유닛 (20) 의 로드락 실 (21) 내를 반송됨에 따라 서서히 온도가 저하된다. 이 온도 저하시에 적층체 (3) 에 휨이 발생되어, 즉 웨이퍼 (1) 에 휨이 발생되어 버린다. 기판 처리 장치 (100) 에 있어서는, 로드락 실 (21) 내에서 지지 핀 (12) 에 의해 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지하고 반송하므로, 웨이퍼 (1) 의 중심이 아래로 처지듯이 휘는 것을 막아, 웨이퍼의 휨 발생을 방지할 수 있다.
여기서, 지지 핀 (12) 에 의한 적층체 (3) 의 지지에 대해 도 3 ～ 5 를 참조하여 이하에 설명한다. 도 3 및 4 는, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 적층체 (3) 의 지지위치의 일례를 나타내는 개략 단면도이며, 도 5 는, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서의 적층체 (3) 의 지지위치의 예를 나타내는 개략 상면도이다. 상기 서술한 도 2 에 나타낸 바와 같이 지지 핀 (12) 은, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부로서, 보다 웨이퍼 (1) 의 중심 근방을 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지한다. 또, 도 3 에 나타낸 바와 같이 지지 핀 (13) 은, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부로서, 지지 핀 (12) 보다 외측을 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지해도 된다. 이와 같이 지지 핀 (12 및 13) 을, 웨이퍼 (1) 의 내주부에 대응되는 위치에 형성하고, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지함으로써, 예를 들어 서포트 플레이트 (2) 를 구성하는 유리의 종류에 따라 상이한 웨이퍼 (1) 의 휨을 억제할 수 있다.
또한, 적층체 (3) 를 로드락 실 (21) 내에서 반송하기 전 또는 반송 개시시에는, 도 4 에 나타내는 지지 핀 (14) 과 같이 웨이퍼 (1) 의 외주부 (外周部) 를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지해도 된다. 그리고, 적층체 (3) 의 반송 중에는, 지지 핀 (12) 또는 지지 핀 (13) 과 같이 웨이퍼 (1) 의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지하도록 되어 있으면 된다.
즉, 지지 핀의 위치는, 적층체 (3) 의 로드락 실 (21) 내에서의 반송 중에는, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부를 지지점으로 하는 위치로 되어 있으면 되고, 도 5 에 나타낸 바와 같이 지지 핀 (12), 지지 핀 (13) 및 지지 핀 (14) 과 같이 그 위치를 적절히 선택할 수 있다. 따라서, 지지 핀은, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 면방향으로 이동 가능하도록 구성되어 있어도 된다. 이로써, 웨이퍼 (1) 의 휨 방향이나, 휨의 발생 용이함 등에 따라 지지 핀의 위치를 적절히 선택할 수 있다.
여기서, 지지 핀은, 도 5 에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부에 있어서의 적어도 3 지점을 지지점으로 하도록 3 개 이상 형성되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 지지점은, 도 5 에 나타낸 바와 같이 대략 원형의 웨이퍼 (1) 의 피지지면과 중심점을 공유하는 하나의 동심원의 원주 상에, 서로 등간격으로 위치하고 있는 것이 바람직하다. 이로써, 적층체 (3) 를 더 안정적으로 지지하는 것이 가능하다.
또한, 지지 핀의 위치를, 웨이퍼 (1) 의 피지지면과 중심점을 공유하는 하나의 동심원의 원주 상으로 할 때, 당해 동심원의 직경은, 피지지면의 직경의 0.1 ～ 0.8 배인 것이 바람직하다. 이로써, 로드락 실 (21) 내에서의 반송 중의 적층체 (3) 의 휨, 즉 웨이퍼 (1) 의 휨 발생을 더 확실히 방지할 수 있다. 지지 핀을 배치하는 상기 동심원의 직경은, 보다 작은 편이 휨 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
지지 핀의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 그 동체가 안정적인 지지를 실현하기 위해서 원주 형상이며, 그 선단이 웨이퍼 (1) 의 피지지면을 손상시키지 않도록 라운드헤드 형상이어도 된다.
지지 핀에 의해 지지된 적층체 (3) 는, 감압 환경의 로드락 실 (21) 내를 반송된 후, 로드락 실 (21) 로부터 취출되고, 대기압 환경의 적층체 (3) 의 외주를 지지하면서 쿨링 유닛 (30) 에 이동시킨다.
로드락 실 (21) 로부터 취출된 적층체 (3) 는, 대기압 환경하에서 쿨링 에어리어 (31) 에 유지되며 자연 냉각된다. 쿨링 에어리어 (31) 는, 상기 서술한 반송 로봇 (22) 과 마찬가지로 지지 핀 (유지 지그, 유지부) 을 구비하고 있고, 당해 지지 핀에 의해 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 유지한다. 적층체 (3) 는, 대기압 환경하에서 쿨링 에어리어에 방치됨으로써, 온도가 더 저하되어 냉각된다.
쿨링 에어리어 (31) 의 지지 핀은, 반송 로봇 (22) 의 지지 핀과 마찬가지로 지지 핀 (12) 및 지지 핀 (13) 과 같은 위치를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지하도록 되어 있다. 따라서, 쿨링 에어리어 (31) 의 지지 핀도, 웨이퍼 (1) 의 피지지면의 면방향으로 이동 가능하도록 구성되어 있어도 된다. 이와 같이 쿨링 에어리어 (31) 는, 웨이퍼 (1) 의 피처리면의 내주부를 지지점으로 하여 적층체 (3) 를 지지하므로, 쿨링 에어리어 (31) 에 있어서의 냉각시의 적층체 (3) 의 휨 발생을 막아, 결과적으로 웨이퍼 (1) 의 휨 발생을 방지할 수 있다.
[기판 처리 방법]
본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 지지체가 첩부된 웨이퍼에 있어서의 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 공정과, 지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 공정을 포함하고 있다. 즉, 상기 서술한 기판 처리 장치 (100) 는, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법에 사용되는 기판 처리 장치의 일 실시 형태이고, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법의 일 실시 형태는, 상기 서술한 실시 형태 및 도 1 의 설명에 준한다.
본 발명은 상기 서술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 청구항에 나타낸 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하고, 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
이하에 실시예를 나타내며, 본 발명의 실시 형태에 대해 더 상세하게 설명한다. 물론, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니라, 세부에 대해서는 여러가지 양태가 가능한 것은 말할 필요도 없다.
실시예
(1. 서포트 플레이트의 재질이 휨에 미치는 영향)
상기 서술한 기판 처리 장치를 사용하여, 서포트 플레이트의 재질이 휨 발생에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 재질 A (열팽창 계수 3.3×(10-6K-1)), 재질 B (열팽창 계수 3.3×(10-6K-1)) 및 재질 C (열팽창 계수 3.2×(10-6K-1)) 의, 열팽창 계수가 서로 상이한 3 종류의 유리 웨이퍼를 사용하였다. 각 유리 웨이퍼의 직경은 300 ㎜ 이며, 두께는 0.67 ㎜ 였다. 이들 서포트 플레이트를, 웨이퍼에 첩합시켜 실험에 사용하였다.
유리 웨이퍼와 서포트 플레이트를, 탄화수소계의 접착제를 두께 0.05 ㎜ 가 되도록 도포하고 215 ℃ 에서 가열하여 첩합시켰다.
이와 같이 하여 형성된 유리 웨이퍼와 서포트 플레이트의 적층체를, 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을 140 ㎜ 및 60 ㎜ 로 하고, 로드락 실 내에서 반송하여 웨이퍼의 휨량을 측정하였다. 여기서, 로드락 실 내를 2 Pa 로 하고, 10 초 정도의 속도로 적층체를 반송하였다. 웨이퍼의 휨량을, 레이저 변위계에 의해 측정하였다. 결과를 도 6 에 나타낸다.
도 6 은, 서포트 플레이트의 재질과 지지 위치가 웨이퍼의 휨량에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다. 도 6 에 나타낸 바와 같이 어느 서포트 플레이트를 사용한 경우에도, 지지 핀이 배치되는 동심원의 직경이 보다 작은 60 ㎜ 쪽이 140 ㎜ 보다 웨이퍼의 휨량이 작아, 동심원의 직경이 작을수록 웨이퍼의 휨량이 저감되는 것이 확인되었다.
(2. 반송 중 및 냉각시의 지지 핀의 위치가 휨에 미치는 영향)
상기 서술한 기판 처리 장치를 사용하여, 감압 환경하에서의 반송시 및 대기압 환경하에서의 냉각시의 지지 위치의 차이가 웨이퍼의 휨 발생에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 상기 1. 과 마찬가지로 형성한 적층체를 사용하였다.
적층체를, 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을 300 ㎜ 및 60 ㎜ 로 하고, 반송 조건을 상기 1. 과 동일하게 하여 웨이퍼의 휨량을 측정하였다. 그 후, 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을, 60 ㎜, 100 ㎜, 140 ㎜ 및 200 ㎜ 로 하고, 각각 쿨링 에어리어에서 방치하여 냉각시켰다. 냉각 후의 웨이퍼의 휨량을, 레이저 변위계에 의해 측정하였다. 결과를 도 7 ～ 9 에 나타낸다.
도 7 은, 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을 300 ㎜ 로 하고, 로드락 실 내를 반송한 후, 상기 서술한 각 직경의 동심원 상에 배치한 지지 핀에 의해 적층체를 유지했을 때의 웨이퍼의 휨량을 나타내는 도면이다. 도 8 은, 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을 60 ㎜ 로 하고, 로드락 실 내를 반송한 후, 상기 서술한 각 직경의 동심원 상에 배치한 지지 핀에 의해 적층체를 유지했을 때의 웨이퍼의 휨량을 나타내는 도면이다. 도 7 및 8 에 나타낸 바와 같이 이후의 냉각시의 지지 핀의 위치에 관계없이, 반송시에 지지 핀이 배치되는 동심원의 직경이 보다 작은 60 ㎜ 쪽이 300 ㎜ 보다 휨량이 작아, 반송시에는 동심원의 직경이 작을수록 휨량이 저감되는 것이 확인되었다.
도 9 는, 도 7 및 8 에 나타낸 실험 결과를, 쿨링 에어리어에 있어서의 지지 핀 위치를 비교하기 위해 나타낸 그래프이다. 로드락 실에 있어서의 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경이 60 ㎜ 및 300 ㎜ 각각인 경우에 대해, 쿨링 에어리어에 있어서의 지지 핀을 배치하는 동심원의 직경을 60 ㎜, 100 ㎜, 140 ㎜ 및 200 ㎜ 로 했을 때의 웨이퍼의 휨량을 비교하였다. 도 9 에 나타낸 바와 같이 쿨링 에어리어에 있어서의 지지 핀이 배치되는 동심원의 직경도, 보다 작은 편이 웨이퍼의 휨량이 작았다. 그리고, 로드락 실에 있어서의 지지 핀의 위치가 더 현저히 웨이퍼의 휨량에 영향을 미치는 것으로 나타났다.
본 발명은 휴대전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등에 탑재되는 반도체 칩의 제조에 이용할 수 있다.
1 웨이퍼
2 서포트 플레이트
3 적층체
10 첩부 유닛
12 지지 핀 (지지부, 유지부)
13 지지 핀
14 지지 핀
20 반송 유닛
21 로드락 실
22 반송 로봇 (지지 지그)
23 카세트 스테이션
30 쿨링 유닛
31 쿨링 에어리어 (유지 지그)
32 쿨링 플레이트
33 프리-얼라이너
40 도포 유닛
41 반송 로봇
42 베이크 플레이트
43 도포 컵 유닛
44 세정 컵 유닛
100 기판 처리 장치

Claims (7)

  1. 지지체가 첩부 (貼付) 된 웨이퍼에 있어서의, 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부 (內周部) 를 지지하는 지지부에 의해, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 지그와,
    상기 지지 지그에 의해 지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 피지지면의 내주부에 있어서의 적어도 3 지점을 지지점으로 하여 상기 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지점 중 적어도 3 지점이, 대략 원형인 상기 피지지면의 중심점을 공유하는 하나의 동심원의 원주 상에 서로 등간격으로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 동심원의 직경은 상기 피지지면의 직경의 0.1 ～ 0.8 배인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 피지지면의 면방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 수단에 의해 반송된 상기 웨이퍼를 대기압 환경하에서 유지하는 유지 지그를 추가로 구비하고,
    상기 유지 지그는 상기 피지지면의 내주부를 유지하는 유지부에 의해 상기 웨이퍼를 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 지지체가 첩부된 웨이퍼에 있어서의, 당해 지지체가 첩부되어 있는 면과는 반대측인 피지지면의 내주부에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지 공정과,
    지지된 상기 웨이퍼를 감압 환경하에서 반송하는 반송 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

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