KR20120135071A - 리플렉터 재료 및 발광 다이오드 장치 - Google Patents

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KR20120135071A
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사토시 사토
히사타카 이토
야스나리 오야부
유키 신보리
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

리플렉터 재료는, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매로부터 조제되는 실리콘 수지 조성물, 및 광반사 성분을 함유한다.

Description

리플렉터 재료 및 발광 다이오드 장치{REFLECTOR MATERIAL AND LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
본 발명은, 리플렉터 재료 및 발광 다이오드 장치, 구체적으로는 발광 다이오드 장치, 및 그 발광 다이오드 장치에 사용되는 리플렉터를 형성하기 위한 리플렉터 재료에 관한 것이다.
최근, 고에너지의 광을 발광할 수 있는 발광 장치로서 발광 다이오드 장치가 알려져 있다. 발광 다이오드 장치는, 예컨대, 다이오드 기판과, 그것에 실장되는 LED(발광 다이오드 소자)와, 다이오드 기판 상에, LED의 측방에 배치되는 리플렉터를 구비하고 있다. 발광 다이오드 장치에서는, LED로부터 상방으로 발광되는 광과, LED로부터 측방으로 발광되는 광을 리플렉터로 반사시킨 반사광에 의하여 보다 고에너지의 광을 발광한다.
또한, 리플렉터를 형성하기 위한 리플렉터 재료로서, 예컨대, 에폭시 수지와 산무수물계 경화제와 백색 안료를 함유하는 광반도체 소자 수납용 실장 패키지용 수지 조성물이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 2011-060819호 공보 참조.).
일본 특허공개 2011-060819호 공보에서는, 광반도체 소자 수납용 실장 패키지용 수지 조성물로부터 트랜스퍼 성형에 의해, 절연 수지층(리플렉터)을, 다이오드 기판 상에 있어서 광반도체 소자(LED)를 수납하도록 형성하고 있다.
일본 특허공개 2011-060819호 공보
그런데, 발광 다이오드 장치의 절연 수지층(리플렉터)에는, LED가 발열하는 열이 전도되더라도 광반사율이 저감하기 어려운 내열성과, LED가 발광하는 광에 폭로되더라도 광반사율이 저감하기 어려운 내광성의 양방이 요구된다.
그러나, 일본 특허공개 2011-060819호 공보의 발광 다이오드 장치에서는, 절연 수지층의 내열성 및 내광성이 충분하지 않고, 그 때문에, 장기간의 사용에 의해, LED의 열과 빛에 기인하여 절연 수지층의 광반사율이 저하되어, 그 결과, 발광 다이오드 장치의 광의 취출 효율이 저하된다고 하는 불량이 있다.
본 발명의 목적은, 내열성 및 내광성이 우수한 리플렉터 재료, 및 그 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터를 구비하여, 광의 취출 효율이 우수한 발광 다이오드 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 리플렉터 재료는, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 폴리실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매로부터 조제되는 실리콘 수지 조성물과, 광반사 성분을 함유하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료에서는, 상기 광반사 성분이 백색 안료인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료에서는, 상기 광반사 성분이 산화티타늄인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료에서는, 상기 광반사 성분이 루틸형 결정 구조를 갖는 산화티타늄인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료는, 무기 충전제를 추가로 함유하고 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료에서는, 상기 실리콘 수지 조성물이 반경화 상태인 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 리플렉터 재료는, 시트 형상으로 형성되어 있는 것이 적합하다.
또한, 본 발명의 발광 다이오드 장치는, 기판과, 상기 기판 상에 설치되는 발광 다이오드 소자와, 상기 기판 상에 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸도록 설치되고, 상기한 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 발광 다이오드 장치에서는, 상기 리플렉터는, 상기 발광 다이오드 소자의 측면에 밀착하도록 설치되는 것이 적합하다.
본 발명의 리플렉터 재료는, 상기한 실리콘 수지 조성물과 광반사 성분을 함유하기 때문에, 광반사성이 우수하면서, 내열성 및 내광성도 우수하다.
또한, 리플렉터 재료는, 상기한 실리콘 수지 조성물을 함유하기 때문에, 반경화 상태로 되어, 시트 형상으로 형성할 수 있기 때문에, 취급성이 양호하다.
그 결과, 이러한 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터를 구비하는 본 발명의 발광 다이오드 장치는, 제조 효율이 향상되면서, 광의 취출 효율이 우수하다.
도 1은, 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트의 1실시형태의 평면도를 나타낸다.
도 2는, 도 1에 나타내는 리플렉터 시트를 이용하여 본 발명의 발광 다이오드 장치의 1실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도로서,
(a)는 리플렉터 시트를 준비하는 공정,
(b)는 리플렉터 시트를 기판의 상방에 대향 배치하는 공정,
(c)는 리플렉터 시트를 기판에 적층하는 공정을 나타낸다.
도 3은, 도 2에 이어서, 도 1에 나타내는 리플렉터 시트를 이용하여 본 발명의 발광 다이오드 장치의 1실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도로서,
(d)는 이형 기재를 리플렉터 전구체로부터 박리하는 공정,
(e)는 형광체층을 형성하는 공정을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트의 다른 실시형태를 이용하여, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 다른 실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도로서,
(a)는 리플렉터 시트를 준비하는 공정,
(b)는 관통 구멍을 형성하는 공정,
(c)는 리플렉터 시트를 기판의 상방에 대향 배치하는 공정,
(d)는 리플렉터 시트를 기판에 적층하는 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 4에 이어서, 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트의 다른 실시형태를 이용하여, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 다른 실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도로서,
(e)는 이형 기재를 리플렉터로부터 박리하는 공정,
(f)는 다이싱하는 공정을 나타낸다.
도 6은 실시예의 내열성 평가에 있어서의 가열 시간과 가열 전의 광반사율에 대한 비율의 관계를 나타내는 그래프를 나타낸다.
본 발명의 리플렉터 재료는 실리콘 수지 조성물 및 광반사 성분을 함유하고 있다.
실리콘 수지 조성물은, 축합 반응 및 부가 반응(구체적으로는, 하이드로실릴화 반응)을 할 수 있는 축합?부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물이다. 보다 구체적으로는, 실리콘 수지 조성물은, 가열에 의해서 축합 반응하여 반경화(B 스테이지) 상태로 될 수 있고, 이어서, 추가적인 가열에 의해서 부가 반응하여 경화(완전 경화) 상태로 될 수 있다.
본 발명에 있어서, 실리콘 수지 조성물은, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매를 함유한다.
한편, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물은, 축합 원료(축합 반응에 제공되는 원료)이며, 에틸렌계 규소 화합물 및 오가노하이드로젠 실록세인은, 부가 원료(부가 반응에 제공되는 원료)이다.
실란올기 양말단 폴리실록세인은, 분자의 양말단에 실란올기(SiOH기)를 함유하는 오가노실록세인이고, 구체적으로는, 하기 화학식 1로 표시된다.
Figure pat00001
(화학식 1 중, R1은 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, n은 1 이상의 정수를 나타낸다.)
상기 화학식 1 중, R1로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 1?6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, 펜틸기, 헥실기 등), 예컨대 탄소수 3?6의 사이클로알킬기(사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1 중, R1로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서, 방향족 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 6?10의 아릴기(페닐기, 나프틸기) 등을 들 수 있다.
상기 화학식 1에 있어서, R1은 동일 또는 서로 상이하더라도 좋고, 바람직하게는 동일하다.
1가 탄화수소기로서는, 바람직하게는, 탄소수 1?6의 알킬기, 및 탄소수 6?10의 아릴기를 들 수 있고, 투명성, 내열성 및 내광성의 관점에서, 더 바람직하게는 메틸기를 들 수 있다.
상기 화학식 1에 있어서, n은, 바람직하게는 안정성 및/또는 취급성의 관점에서 1?10000의 정수, 더 바람직하게는 1?1000의 정수이다.
한편, 상기 화학식 1에 있어서의 n은 평균치로서 산출된다.
실란올기 양말단 폴리실록세인으로서는, 구체적으로는, 실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인, 실란올기 양말단 폴리메틸페닐실록세인, 실란올기 양말단 폴리다이페닐실록세인 등을 들 수 있다.
이러한 실란올기 양말단 폴리실록세인은, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 실란올기 양말단 폴리실록세인 중에서는, 바람직하게는 실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인을 들 수 있다.
실란올기 양말단 폴리실록세인은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한 공지된 방법에 따라서 합성한 것을 이용할 수도 있다.
실란올기 양말단 폴리실록세인의 수평균 분자량은, 안정성 및/또는 취급성의 관점에서, 예컨대 100?1000,000, 바람직하게는 200?100,000이다. 수평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피에 의해 표준 폴리스타이렌으로 환산되어 산출된다. 후술하는 실란올기 양말단 폴리실록세인 이외의 원료의 수평균 분자량에 관해서도 상기와 같이 하여 산출된다.
이러한 실란올기 양말단 폴리실록세인에 있어서의 실란올기 함량은, 예컨대 0.002?25mmol/g, 바람직하게는 0.02?25mmol/g이다. 한편, 실란올기 함량은, 1H-NMR에 의한 실란올기와 메틸기의 피크의 적분비로부터 산출된다.
실란올기 양말단 폴리실록세인의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여 예컨대 1?99.99질량부, 바람직하게는 50?99.9질량부, 더 바람직하게는 80?99.5질량부이다.
에틸렌계 규소 화합물은, 에틸렌계 불포화 탄화수소기, 및 실란올 축합 반응에 있어서의 탈리기를 병유(倂有)하는 실레인 화합물이고, 구체적으로는 하기 화학식 2로 표시된다.
Figure pat00002
(화학식 2 중, R2는 1가 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 나타내고, X1은 할로젠 원자, 알콕시기, 페녹시기, 또는 아세톡시기를 나타낸다. 단, X1은 동일 또는 서로 상이하더라도 좋다.)
상기 화학식 2에 있어서, R2로 표시되는 에틸렌계 불포화 탄화수소기로서는, 치환 또는 비치환의 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 들 수 있고, 예컨대 알켄일기, 사이클로알켄일기 등을 들 수 있다.
알켄일기로서는, 예컨대 바이닐기, 알릴기, 프로펜일기, 뷰텐일기, 펜텐일기, 헥센일기, 헵텐일기, 옥텐일기 등의 탄소수 2?10의 알켄일기를 들 수 있다.
사이클로알켄일기로서는, 예컨대 사이클로헥센일기, 노보넨일기 등의 탄소수 3?10의 사이클로알켄일기를 들 수 있다.
에틸렌계 불포화 탄화수소기로서는, 오가노하이드로젠 실록세인의 하이드로실릴기와의 반응성의 관점에서, 바람직하게는 알켄일기, 더 바람직하게는 탄소수 2?5의 알켄일기, 특히 바람직하게는 바이닐기를 들 수 있다.
상기 화학식 2에 있어서의 X1은 실란올 축합 반응에 있어서의 탈리기이며, 상기 화학식 2에 있어서의 SiX1기는 실란올 축합 반응에 있어서의 반응성 작용기이다.
상기 화학식 2에 있어서, X1로 표시되는 할로젠 원자로서는, 예컨대 브롬, 염소, 불소, 요오드 등을 들 수 있다.
상기 화학식 2에 있어서, X1로 표시되는 알콕시기로서는, 예컨대 탄소수 1?6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 갖는 알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, 뷰톡시기, 아이소뷰톡시기, 헵틸옥시기, 헥실옥시기 등), 예컨대 탄소수 3?6의 사이클로알킬기를 갖는 알콕시기(사이클로헵틸옥시기, 사이클로헥실옥시기 등) 등을 들 수 있다.
상기 화학식 2에 있어서, X1은 동일 또는 서로 상이하더라도 좋고, 바람직하게는 동일하다.
이러한 상기 화학식 2의 X1 중에서는, 바람직하게는 알콕시기를 들 수 있고, 더 바람직하게는 메톡시기를 들 수 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물로서는, 예컨대 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이알콕시실레인, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이할로젠화 실레인, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이페녹시실레인, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이아세톡시실레인 등을 들 수 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
이러한 에틸렌계 규소 화합물 중에서는, 바람직하게는 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이알콕시실레인을 들 수 있다.
에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이알콕시실레인으로서는, 구체적으로는, 예컨대 바이닐트라이메톡시실레인, 바이닐트라이에톡시실레인, 바이닐트라이프로폭시실레인 등의 바이닐트라이알콕시실레인, 예컨대 알릴트라이메톡시실레인 등의 알릴트라이알콕시실레인, 예컨대 프로펜일트라이메톡시실레인 등의 프로펜일트라이알콕시실레인, 예컨대 뷰텐일트라이메톡시실레인 등의 뷰텐일트라이알콕시실레인, 예컨대 사이클로헥센일트라이메톡시실레인 등의 사이클로헥센일트라이알콕시실레인 등을 들 수 있다.
또한, 이러한 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 트라이알콕시실레인 중에서는, 바람직하게는 바이닐트라이알콕시실레인, 더 바람직하게는 바이닐트라이메톡시실레인을 들 수 있다.
에틸렌계 규소 화합물의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여, 예컨대 0.01?90질량부, 바람직하게는 0.01?50질량부, 더 바람직하게는 0.01?10질량부이다.
에틸렌계 규소 화합물은 시판품을 이용할 수 있고, 또한, 공지된 방법에 따라서 합성한 것을 이용할 수도 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물은, 에폭시기 및, 실란올 축합 반응에 있어서의 탈리기를 병유하는 실레인 화합물이고, 구체적으로는 하기 화학식 3으로 표시된다.
Figure pat00003
(화학식 3 중, R3은 에폭시 구조 함유기를 나타내고, X2는 할로젠 원자, 알콕시기, 페녹시기, 또는 아세톡시기를 나타낸다. 단, X2는 동일 또는 서로 상이하더라도 좋다.)
화학식 3에 있어서, R3으로 표시되는 에폭시 구조 함유기로서는, 예컨대 에폭시기, 예컨대 글리시딜에터기, 예컨대 에폭시사이클로헥실기 등의 에폭시사이클로알킬기 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시 구조 함유기 중에서는, 바람직하게는 글리시딜에터기를 들 수 있다. 글리시딜에터기는, 구체적으로는 하기 화학식 4로 표시되는 글리시독시알킬기이다.
Figure pat00004
(화학식 4 중, R4는 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 2가 탄화수소기를 나타낸다.)
상기 화학식 4 중, R4로 표시되는 2가 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 1?6의 알킬렌기(메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 뷰틸렌기 등), 예컨대 탄소수 3?8의 사이클로알킬렌기(사이클로펜틸렌기, 사이클로헥실렌기 등) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 화학식 4 중, R4로 표시되는 2가 탄화수소기에 있어서, 방향족 탄화수소기로서는, 예컨대 탄소수 6?10의 아릴렌기(페닐렌기, 나프틸렌기 등) 등을 들 수 있다.
이러한 2가 탄화수소기로서는, 바람직하게는 탄소수 1?6의 알킬렌기, 더 바람직하게는 프로필렌기를 들 수 있다.
글리시딜에터기로서는, 구체적으로는, 글리시독시메틸기, 글리시독시에틸기, 글리시독시프로필기, 글리시독시사이클로헥실기, 글리시독시페닐기 등을 들 수 있다.
이러한 글리시딜에터기 중에서는, 바람직하게는 글리시독시프로필기를 들 수 있다.
상기 화학식 3에 있어서의 X2는, 실란올 축합 반응에 있어서의 탈리기이며, 상기 화학식 3에 있어서의 SiX2기는, 실란올 축합 반응에 있어서의 반응성 작용기이다.
상기 화학식 3에 있어서, X2로 표시되는 할로젠 원자로서는, 상기 화학식 2의 X1로 표시되는 할로젠 원자와 같은 것을 들 수 있다.
상기 화학식 3에 있어서, X2로 표시되는 알콕시기로서는, 상기 화학식 2의 X1로 표시되는 알콕시기와 같은 것을 들 수 있다.
상기 화학식 3에 있어서, X2는, 동일 또는 서로 상이하더라도 좋고, 바람직하게는 동일하다.
이러한 상기 화학식 3의 X2로서는, 바람직하게는 알콕시기를 들 수 있고, 더 바람직하게는 메톡시기를 들 수 있다.
이러한 에폭시기 함유 규소 화합물로서는, 예컨대 에폭시기 함유 트라이알콕시실레인, 에폭시기 함유 트라이할로젠화 실레인, 에폭시기 함유 트라이페녹시실레인, 에폭시기 함유 트라이아세톡시실레인 등을 들 수 있다.
이러한 에폭시기 함유 규소 화합물은, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 에틸렌계 규소 화합물 중에서는, 바람직하게는 에폭시기 함유 트라이알콕시실레인을 들 수 있다.
에폭시기 함유 트라이알콕시실레인으로서는, 구체적으로는, 예컨대 글리시독시메틸트라이메톡시실레인, (2-글리시독시에틸)트라이메톡시실레인, (3-글리시독시프로필)트라이메톡시실레인 등의 글리시독시알킬트라이메톡시실레인, 예컨대 (3-글리시독시프로필)트라이에톡시실레인 등의 글리시독시알킬트라이에톡시실레인, 예컨대 (3-글리시독시프로필)트라이프로폭시실레인 등의 글리시독시알킬트라이프로폭시실레인, (3-글리시독시프로필)트라이아이소프로폭시실레인 등의 글리시독시알킬트라이프로폭시실레인 등을 들 수 있다.
또한, 이러한 에폭시기 함유 트라이알콕시실레인 중에서는, 바람직하게는 글리시독시메틸트라이알콕시실레인, 더 바람직하게는 (3-글리시독시프로필)트라이메톡시실레인을 들 수 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물의 배합 비율은, 축합 원료 100질량부에 대하여, 예컨대 0.01?90질량부, 바람직하게는 0.01?50질량부, 더 바람직하게는 0.01?1질량부이다.
에폭시기 함유 규소 화합물은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한 공지된 방법에 따라서 합성한 것을 이용할 수도 있다.
에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 반응성 작용기(SiX1기 및 SiX2기)에 대한, 실란올기 양말단 폴리실록세인의 실란올기(SiOH기)의 몰비(SiOH/(SiX1+SiX2))는, 예컨대 20/1?0.2/1, 바람직하게는 10/1?0.5/1, 더 바람직하게는 실질적으로 1/1이다.
몰비가 상기 범위를 넘는 경우에는, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 적절한 인성을 갖는 반경화상물(반경화물)을 얻을 수 없는 경우가 있고, 한편 몰비가 상기 범위에 차지 않는 경우에는, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 배합 비율이 과도하게 많아져, 그 때문에, 얻어지는 리플렉터(후술)의 내열성이 저하되는 경우가 있다.
또한, 몰비가 상기 범위 내(바람직하게는, 실질적으로 1/1)이면, 실란올기 양말단 폴리실록세인의 실란올기(SiOH기)와, 에틸렌계 규소 화합물의 반응성 작용기(SiX1기) 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 반응성 작용기(SiX2기)를 과부족 없이 축합 반응시킬 수 있다.
에폭시기 함유 규소 화합물에 대한 에틸렌계 규소 화합물의 몰비는, 예컨대 10/90?99/1, 바람직하게는 50/50?97/3, 더 바람직하게는 80/20?95/5이다.
몰비가 상기한 범위 내이면, 경화물의 강도를 확보하면서, 접착성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
오가노하이드로젠 실록세인은, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 하이드로실릴기(SiH기)를 1분자 중에 갖는 오가노실록세인이다.
오가노하이드로젠 실록세인은, 구체적으로는, 수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인, 수소 양말단 오가노폴리실록세인 등의 오가노폴리실록세인을 들 수 있다.
수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인은, 주쇄로부터 분기하는 측쇄로서 수소 원자를 갖는 오가노하이드로젠 폴리실록세인이고, 화학식 5로 표시된다.
Figure pat00005
(식 중, A?D는 구성 단위를 나타내고, A 및 D는 말단 단위를 나타내며, B 및 C는 반복 단위를 나타낸다. R5는 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, b는 0 또는 1 이상의 정수를 나타내고, c는 2 이상의 정수를 나타낸다.)
A?D는 수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인을 구성한다.
화학식 5에 있어서 R5로 표시되는 1가 탄화수소기는, 동일 또는 상이하더라도 좋고, 바람직하게는 동일하다.
R5로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기는, 상기 화학식 1의 R1로 예시한 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기와 같은 것을 들 수 있다. 1가 탄화수소기로서, 바람직하게는 메틸, 페닐, 더 바람직하게는 메틸을 들 수 있다.
b는, 반응성 및 안정성의 관점에서, 바람직하게는 1?10000의 정수, 더 바람직하게는 2?5000의 정수, 특히 바람직하게는 5?100의 정수를 나타낸다.
c는 2 이상, 또한 반응성 및 안정성의 관점에서, 바람직하게는 1?10000의 정수, 더 바람직하게는 2?1000의 정수, 특히 바람직하게는 5?100의 정수를 나타낸다.
수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인으로서는, 예컨대 메틸 하이드로젠 폴리실록세인, 다이메틸폴리실록세인-co-메틸 하이드로젠 폴리실록세인, 에틸 하이드로젠 폴리실록세인, 메틸 하이드로젠 폴리실록세인-co-메틸페닐폴리실록세인 등을 들 수 있다.
수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인의 수평균 분자량은, 예컨대 100?1,000,000이다.
또한, 수소 양말단 오가노폴리실록세인은, 주쇄의 양말단에 수소 원자를 갖는 오가노하이드로젠 폴리실록세인이고, 화학식 6으로 표시된다.
Figure pat00006
(식 중, R6은 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기로부터 선택되는 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, d는 0 또는 1 이상의 정수를 나타낸다.)
R6으로 표시되는 1가 탄화수소기에 있어서, 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기는, 상기 화학식 1의 R1로 예시한 포화 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기와 같은 것을 들 수 있다. 1가 탄화수소기로서, 바람직하게는 메틸, 페닐, 더 바람직하게는 메틸을 들 수 있다.
d는 반응성 및 안정성의 관점에서, 바람직하게는 0?10000의 정수, 더 바람직하게는 1?5000의 정수를 나타낸다.
수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인으로서는, 예컨대 하이드로실릴기 양말단 폴리다이메틸실록세인, 하이드로실릴기 양말단 폴리메틸페닐실록세인, 하이드로실릴기 양말단 폴리다이페닐실록세인 등을 들 수 있다.
수소 양말단 오가노폴리실록세인의 수평균 분자량은, 안정성 및/또는 취급성의 관점에서, 예컨대 100?1,000,000, 더 바람직하게는 100?100,000이다.
이러한 오가노하이드로젠 실록세인은, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 오가노하이드로젠 실록세인 중에서는, 바람직하게는, 수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인을 들 수 있고, 더 바람직하게는, 다이메틸폴리실록세인-co-메틸 하이드로젠 폴리실록세인을 들 수 있다.
오가노하이드로젠 실록세인의 25℃에서의 점도는, 예컨대 10?100,000mPa?s, 바람직하게는 20?50,000mPa?s이다. 한편, 점도는 B형 점도계에 의해 측정된다.
이러한 오가노하이드로젠 실록세인에 있어서의 하이드로실릴기 함량은, 예컨대 0.1?15mmol/g, 바람직하게는 0.5?10mmol/g이다. 한편, 하이드로실릴기 함량은 1H-NMR에 의한 하이드로실릴기와 메틸기의 피크의 적분비로부터 산출된다.
오가노하이드로젠 실록세인은, 시판품을 이용할 수 있고, 또한 공지된 방법에 따라서 합성한 것을 이용할 수도 있다.
오가노하이드로젠 실록세인의 배합 비율은, 에틸렌계 규소 화합물의 에틸렌계 불포화 탄화수소기(상기 화학식 2의 R2)와 오가노하이드로젠 실록세인의 하이드로실릴기(SiH기)의 몰비에도 의하지만, 예컨대, 에틸렌계 규소 화합물 100질량부에 대하여 예컨대 10?10,000질량부, 바람직하게는 100?1,000질량부이다.
또한, 오가노하이드로젠 실록세인의 하이드로실릴기(SiH기)에 대한, 에틸렌계 규소 화합물의 에틸렌계 불포화 탄화수소기(상기 화학식 2의 R2)의 몰비(R2/SiH)는, 예컨대 20/1?0.05/1, 바람직하게는 20/1?0.1/1, 더 바람직하게는 10/1?0.1/1, 특히 바람직하게는 10/1?0.2/1, 가장 바람직하게는 5/1?0.2/1이다. 또한, 예컨대 1/1 미만, 0.05/1 이상으로 설정할 수도 있다.
몰비가 20/1을 넘는 경우에는, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 적절한 인성을 갖는 반경화물을 얻을 수 없는 경우가 있고, 몰비가 0.05/1에 차지 않는 경우에는, 오가노하이드로젠 실록세인의 배합 비율이 과도하게 많아, 그 때문에, 얻어지는 리플렉터(후술)의 내열성 및 인성이 불충분해지는 경우가 있다.
또한, 몰비가 1/1 미만, 0.05/1 이상이면, 실리콘 수지 조성물을 반경화 상태로 할 때에, 몰비가 20/1?1/1인 실리콘 수지 조성물에 비하여, 반경화 상태로 신속히 이행시킬 수 있다.
축합 촉매는, 실란올기와 반응성 작용기(상기 화학식 2의 SiX1기 및 상기 화학식 3의 SiX2기)의 축합 반응의 반응 속도를 향상시키는 물질이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 염산, 아세트산, 폼산, 황산 등의 산, 예컨대 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산칼륨, 수산화테트라메틸암모늄 등의 염기, 예컨대 알루미늄, 티타늄, 아연, 주석 등의 금속 등을 들 수 있다.
이러한 축합 촉매는, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 축합 촉매 중에서는, 상용성 및 열분해성의 관점에서, 바람직하게는 염기, 더 바람직하게는 수산화테트라메틸암모늄을 들 수 있다.
이러한 축합 촉매의 배합 비율은, 실란올기 양말단 폴리실록세인 100몰에 대하여, 예컨대 0.1?50몰, 바람직하게는 0.25?5몰이다.
부가 촉매는, 부가 반응, 즉, 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 하이드로실릴기(SiH기)의 하이드로실릴화 반응의 반응 속도를 향상시키는 물질(하이드로실릴화 촉매)이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대 금속 촉매를 들 수 있으며, 그와 같은 금속 촉매로서는, 예컨대 백금흑(黑), 염화백금, 염화백금산, 백금-올레핀 착체, 백금-카보닐 착체, 백금-아세틸아세테이트 등의 백금 촉매, 예컨대 팔라듐 촉매, 예컨대 로듐 촉매 등을 들 수 있다.
이들 부가 촉매 중, 바람직하게는, 상용성 및 투명성의 관점에서, 백금 촉매, 더 바람직하게는 백금 올레핀 착체를 들 수 있고, 구체적으로는, 백금-1,3-다이바이닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록세인 착체, 백금-다이바이닐실록세인 착체 등을 들 수 있다.
이러한 부가 촉매는, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 부가 촉매 중에서는, 상용성, 투명성 및 촉매 활성의 관점에서, 바람직하게는 백금 촉매, 더 바람직하게는 백금-카보닐 착체를 들 수 있다.
부가 촉매의 배합 비율은, 부가 촉매의 금속량의 질량부 수로서, 오가노하이드로젠 실록세인 100질량부에 대하여, 예컨대 1.0×10-4?1.0질량부, 바람직하게는 1.0×10-4?0.5질량부, 더 바람직하게는 1.0×10-4?0.05질량부이다.
한편, 상기한 축합 촉매 및 부가 촉매는, 고체 상태의 것을 그대로 이용하더라도 좋고, 또는 취급성의 관점에서, 용매에 용해 또는 분산시킨 용액 또는 분산액으로서 이용할 수도 있다.
용매로서는, 예컨대 물, 예컨대 메탄올, 에탄올 등의 알코올, 예컨대 톨루엔 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다.
실리콘 수지 조성물은, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매를 배합하여, 교반 혼합하는 것에 의해 조제된다.
실리콘 수지 조성물을 조제하기 위해서는, 예컨대 상기한 원료(축합 원료 및 부가 원료)와 촉매를 한번에 배합할 수도 있고, 또는 각 원료 및 각 촉매를 다른 타이밍에 각각 배합할 수도 있다. 또한, 일부의 성분을 한번에 가하고, 잔부의 각 성분을 다른 타이밍에 각각 배합할 수도 있다.
이러한 실리콘 수지 조성물의 조제 방법 중에서는, 바람직하게는, 우선 축합 원료를 조제하고, 그 후, 조제한 축합 원료에 축합 촉매를 배합하여 혼합물을 조제한다. 이어서, 조제한 혼합물에 부가 원료를 배합하고, 그 후 부가 촉매를 배합하는 방법을 들 수 있다.
구체적으로는, 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물(즉, 축합 원료)을, 상기한 비율로 교반 혼합한 후, 축합 촉매를 배합하고, 그들을, 예컨대 5분간?24시간 교반 혼합하여 혼합물을 조제한다.
또한, 배합 및 교반시에는, 축합 원료의 상용성 및 취급성을 향상시키기 위해서, 예컨대 0?60℃로 온도 조정할 수도 있다.
한편, 상기 혼합에 의해서, 실란올기 양말단 폴리실록세인의 SiOH기와, 에틸렌계 규소 화합물의 SiX1기 및 에폭시기 함유 규소 화합물의 SiX2기의 축합 반응의 일부가 개시되더라도 좋고, 축합 반응의 진행도는, 1H-NMR 측정에 의해서, SiOH기에 유래하는 피크의 소실 정도에 의해서 확인할 수 있다.
그 후, 계를 필요에 따라 감압함으로써 휘발 성분(용매 등)을 제거한다.
이어서, 조제한 축합 원료 및 축합 촉매의 혼합물에, 오가노하이드로젠 실록세인을 배합하여, 예컨대 1?120분간 교반한다.
배합 및 교반시에는, 혼합물 및 오가노하이드로젠 실록세인의 상용성 및 취급성을 향상시키기 위해서, 예컨대 0?60℃로 온도 조정할 수도 있다.
그 후, 계(상기 혼합물)에 부가 촉매를 배합하고, 예컨대 1?60분간으로 교반한다.
이것에 의해, 실리콘 수지 조성물을 조제한다.
실리콘 수지 조성물은, 예컨대 액상(오일상)이고, 후술하지만, 조제 후에, 광반사 성분 등이 배합되어 리플렉터 재료로서 조제된 후에 있어서도, 액상 또는 반고체상의 리플렉터 재료가 후술하는 바와 같이 이형 기재(14) 상에 도포된 후, 가열함으로써 축합 원료가 축합 반응하여, B 스테이지 상태(반경화 상태)로 된다. 그리고, 기판(2)에 적층된 후, 추가로 가열함으로써 부가 원료가 부가 반응하여, C 스테이지 상태(완전 경화)로 된다.
실리콘 수지 조성물의 함유 비율은, 리플렉터 재료에 대하여, 예컨대 10?99.5질량%, 바람직하게는, 착색성, 광반사성 및 리플렉터 재료의 취급성의 관점에서, 30?98.5질량%, 더 바람직하게는 40?60질량%이다.
광반사 성분은, 예컨대 백색의 화합물이고, 그와 같은 백색의 화합물로서는, 구체적으로는 백색 안료를 들 수 있다.
백색 안료로서는, 예컨대 백색 무기 안료를 들 수 있고, 그와 같은 백색 무기 안료로서는, 예컨대 산화티타늄, 산화아연, 산화지르코늄 등의 산화물, 예컨대 납백(탄산납), 탄산칼슘 등의 탄산염, 예컨대 카올린(카올리나이트) 등의 점토 광물 등을 들 수 있다.
백색 무기 안료로서, 바람직하게는 산화물, 더 바람직하게는 산화티타늄을 들 수 있다.
산화티타늄이면, 높은 백색도, 높은 광반사성, 우수한 은폐성(은폐력), 우수한 착색성(착색력), 높은 분산성, 우수한 내후성, 높은 화학적 안정성 등의 특성을 얻을 수 있다.
그와 같은 산화티타늄은, 구체적으로는, TiO2(산화티타늄(IV), 이산화티타늄)이다.
산화티타늄의 결정 구조는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 루틸, 브루카이트(brookite)형(판티타늄석), 아나타제(예추석; 銳錐石) 등이며, 바람직하게는 루틸이다.
또한, 산화티타늄의 결정계는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 정방정계, 사방정계 등이며, 바람직하게는 정방정계이다.
산화티타늄의 결정구조 및 결정계가, 루틸 및 정방정계이면, 얻어지는 리플렉터(후술)가 장기간 고온에 노출되는 경우에도, 광(구체적으로는, 가시광, 특히 파장 450nm 부근의 광)에 대한 반사율이 저하되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
광반사 성분은 입자상이며, 그 형상은 한정되지 않고, 예컨대 구상, 판상, 침상 등을 들 수 있다. 광반사 성분의 최대 길이의 평균치(구상인 경우에는, 그 평균 입경)는, 예컨대 1?1000nm, 바람직하게는 100?500nm이다. 최대 길이의 평균치는 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
광반사 성분의 함유 비율은, 리플렉터 재료에 대하여 예컨대 0.5?90질량%, 바람직하게는, 착색성, 광반사성 및 리플렉터 재료의 취급성의 관점에서, 1.5?70질량%, 더 바람직하게는 10?60질량%, 특히 바람직하게는 25?55질량%이다.
또한, 광반사 성분의 배합 비율은, 실리콘 수지 조성물 100질량부에 대하여 예컨대 2?200질량부, 바람직하게는 10?90질량부, 더 바람직하게는 25?75질량부이다.
그리고, 리플렉터 재료는, 실리콘 수지 조성물과 광반사 성분을 배합하고, 균일 혼합하는 것에 의해 조제된다.
상기한 광반사 성분은, 실리콘 수지 조성물 중에 균일하게 분산 혼합된다.
또한, 리플렉터 재료에는, 무기 충전제를 추가로 함유시킬 수 있다.
무기 충전제로서는, 예컨대, 실리카(이산화규소), 황산바륨, 탄산바륨, 티타늄산바륨, 산화티타늄, 산화지르코늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화철, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 층상 마이카, 카본 블랙, 규조토, 유리 섬유 등을 들 수 있다.
이러한 무기 충전제는, 단독으로 사용해도 좋고, 또는 병용할 수도 있다.
또한, 이러한 충전제 중에서는, 바람직하게는 실리카(이산화규소)를 들 수 있다.
무기 충전제는 입자상이며, 그 형상은 한정되지 않고, 예컨대 구상, 판상, 침상 등을 들 수 있다. 무기 충전제의 최대 길이의 평균치(구상인 경우에는, 그 평균 입경)는, 예컨대 1?1000nm, 바람직하게는 100?500nm이다. 최대 길이의 평균치는 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
무기 충전제의 평균 입경은, 예컨대 1?1000㎛, 바람직하게는 10?100㎛이다. 평균 입경은 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
무기 충전제의 함유 비율은, 리플렉터 재료에 대하여, 예컨대 1?50질량%, 바람직하게는 5?40질량%, 더 바람직하게는 15?30질량%이다.
또한, 리플렉터 재료에 있어서, 무기 충전제가 배합되는 경우에는, 실리콘 수지 조성물 100질량부에 대하여, 광반사 성분 및 무기 충전제의 총 질량부가, 예컨대 50?300질량부, 바람직하게는 100?200질량부이며, 또한, 광반사 성분의 무기 충전제에 대한 질량 비율(광반사 성분 질량/(광반사 성분 질량+무기 충전제 질량))은, 예컨대 0.0001?1, 바람직하게는 0.01?1이다.
상기한 무기 충전제는, 광반사 성분과 함께 실리콘 수지 조성물 중에 균일하게 분산 혼합된다.
이렇게 하여 조제되는 리플렉터 재료는, 액상 또는 반고형상으로 된다.
그리고, 이러한 리플렉터 재료는, 상기한 바와 같이, 우선, 축합 반응에 의해 반경화(B 스테이지)되고, 이어서, 부가 반응에 의해 완전 경화(C 스테이지)될 수 있다. 그 때문에, 예컨대, 반경화 상태에서 시트 형상으로 형성해 두면, 취급성의 향상을 꾀할 수 있으면서, 발광 다이오드 장치(후술)를 좋은 제조 효율로 제조할 수 있다.
다음으로 이러한 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트가 사용되는 본 발명의 발광 다이오드 장치의 1실시형태에 대하여 도 1?도 3을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트의 1실시형태의 평면도를 나타낸다. 도 2 및 도 3은 도 1에 나타내는 리플렉터 시트를 이용하여, 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 발광 다이오드 장치의 1실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도를 나타낸다.
도 3(e)에 있어서, 이 발광 다이오드 장치(1)는, 기판(2)과, 기판(2)에 플립 칩 실장된 발광 다이오드 소자(3)와, 발광 다이오드 소자(3)를 둘러싸도록 설치되는 리플렉터(4)와, 발광 다이오드 소자(3) 상에 설치되는 형광체층(5)을 구비하고 있다.
또한, 발광 다이오드 장치(1)는, 면방향(구체적으로는, 도 3(e)에 있어서의 지면(紙面) 좌우 방향 및 지면 깊이 방향)에 서로 간격을 사이에 두고 복수 설치되어 있다.
즉, 복수의 발광 다이오드 장치(1)는, 공통의 기판(2)을 갖추고, 하나의 기판(2)에, 복수의 발광 다이오드 소자(3), 그의 측방에 형성되는 반사 수지층(4) 및 발광 다이오드 소자(3)의 상면에 형성되는 형광체층(5)이 설치되어 있고, 복수의 발광 다이오드 장치(1)는, 집합체 시트(24)를 형성한다.
기판(2)은, 대략 평판상을 취하고, 구체적으로는, 절연 기판 상에, 도체층이 회로 패턴으로서 적층된 적층판으로 형성되어 있다. 절연 기판은, 예컨대 실리콘 기판, 세라믹 기판, 폴리이미드 수지 기판 등으로 이루어지고, 바람직하게는 세라믹 기판, 구체적으로는 사파이어(Al2O3) 기판으로 이루어진다. 도체층은, 예컨대 금, 구리, 은, 니켈 등의 도체로 형성되어 있다. 이들 도체는 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
또한, 도체층은, 도 2(b)의 하부에 나타낸 바와 같이, 단자(6)를 포함하고 있다.
단자(6)는, 절연 기판의 상면에 있어서, 면방향으로 간격을 사이에 두고 형성되어 있고, 후술하는 전극부(8)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 한편, 단자(6)는, 도시하지 않지만, 도체층을 통해서 전력 공급부와 전기적으로 접속되어 있다.
발광 다이오드 소자(3)는, 기판(2)의 상면(두께 방향 한쪽 면)에 설치되어 있고, 평면시(平面視) 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 또한, 발광 다이오드 소자(3)는, 하나의 기판(2)의 상면에 있어서, 면방향으로 서로 간격을 사이에 두고 복수 설치되어 있다.
발광 다이오드 소자(3)는, 광반도체층(7)과, 그 하면에 형성되는 전극부(8)를 구비하고 있다.
광반도체층(7)은, 발광 다이오드 소자(3)의 외형 형상에 대응하는 평면시 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있고, 또한, 면방향으로 긴 단면시 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있다.
광반도체층(7)은, 도시하지 않지만, 예컨대 두께 방향으로 순차적으로 적층되는 완충층, N형 반도체층, 발광층 및 P형 반도체층을 갖추고 있다. 광반도체층(7)은 공지된 반도체 재료로 형성되어 있고, 에피택셜 성장법 등의 공지된 성장법에 의해서 형성된다. 광반도체층(7)의 두께는, 예컨대 0.1?500㎛, 바람직하게는 0.2?200㎛이다.
전극부(8)는, 광반도체층(7)과 전기적으로 접속되어 있고, 두께 방향으로 투영했을 때에, 광반도체층(7)에 포함되도록 형성되어 있다. 또한, 전극부(8)는, 예컨대 P형 반도체층에 접속되는 애노드 전극과, N형 반도체층에 형성되는 캐쏘드 전극을 구비하고 있다.
전극부(8)는 공지된 도체 재료로 형성되어 있고, 그 두께는 예컨대 10?1000nm이다.
리플렉터(4)는, 평면시로, 발광 다이오드 소자(3)를 둘러싸도록 설치되고, 기판(2)의 상면에 있어서, 발광 다이오드 소자(3)가 형성되는 영역 이외의 영역에 형성되어 있다.
리플렉터(4)는, 발광 다이오드 소자(3)의 외측, 구체적으로는, 각 발광 다이오드 소자(3)의 좌우 방향 양 외측 및 전후 방향 양 외측에 설치되어 있다.
그리고, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(4)는, 발광 다이오드 소자(3)의 외측면, 구체적으로는, 각 발광 다이오드 소자(3)의 좌면, 우면, 전면(도 1 참조) 및 후면(도 1 참조)의 각 면에 밀착하고 있다. 이것에 의해서, 리플렉터(4)는 발광 다이오드 소자(3)의 상면을 노출시키고 있다.
또한, 리플렉터(4)는, 도 1이 참조되는 바와 같이, 연속하여 일체적으로 형성되어 있고, 그것에 의하여, 예컨대, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 좌우 방향에 간격을 사이에 두고 배치되는 2개의 발광 다이오드 소자(3)(3A 및 3B)의 사이에 형성되는 리플렉터(4)는, 그 좌단부가, 리플렉터(4)의 좌측에 배치되는 발광 다이오드 소자(3A)의 우단면에 밀착함과 함께, 리플렉터(4)의 우단부가, 리플렉터(4)의 우측에 배치되는 발광 다이오드 소자(3B)의 좌단면에 밀착하고 있다. 또한, 도시하지 않지만, 전후 방향으로 간격을 사이에 두고 배치되는 2개의 발광 다이오드 소자(3)의 사이에 형성되는 리플렉터(4)도, 상기와 같이, 발광 다이오드 소자(3)의 전면 및 후면에 각각 밀착하고 있어, 구체적으로는, 리플렉터(4)의 전단부 및 후단부가, 그들의 전측 및 후측에 배치되는 발광 다이오드 소자(3)의 전면 및 후면에 각각 밀착하고 있다.
이렇게 하여, 발광 다이오드 소자(3)의 외측면은, 리플렉터(4)에 의해서 밀봉되어 있다. 즉, 리플렉터(4)는, 발광 다이오드 소자(3)의 외측면을 밀봉하는 밀봉층으로 된다.
또한, 리플렉터(4)의 상면은, 발광 다이오드 소자(3)의 상면을, 면방향에 있어서 면일(面一; 단차가 없는 상태)로 형성되어 있다.
한편, 광반도체층(7)의 하측에는, 전극부(8)의 두께에 대응하는 하부 간극(12)(도 2(b) 참조)이 형성되어 있고, 이러한 하부 간극(12)에, 리플렉터(4)가 충전되어 있고, 이러한 리플렉터(4)는, 전극부(8)로부터 노출하는 광반도체층(7)의 하면 및 전극부(8)의 측면에도 밀착하고 있다.
리플렉터(4)는 상기한 리플렉터 재료로 형성되어 있다.
형광체층(5)은, 발광 다이오드 소자(3)의 상면 전면(全面)에 형성되어 있고, 두께 방향으로 투영했을 때에, 발광 다이오드 소자(3)의 외형 형상과 동일 패턴으로 형성되어 있다.
형광체층(5)은, 예컨대 형광체를 함유하는 형광체 조성물로 형성되어 있다.
형광체 조성물은 바람직하게는 형광체 및 수지를 함유하고 있다.
형광체로서는, 예컨대, 청색광을 황색광으로 변환할 수 있는 황색 형광체를 들 수 있다. 그와 같은 형광체로서는, 예컨대 복합 금속 산화물이나 금속 황화물 등에, 예컨대, 세륨(Ce)이나 유로퓸(Eu) 등의 금속 원자가 도핑된 형광체를 들 수 있다.
구체적으로는, 형광체로서는, 예컨대 Y3Al5O12:Ce(YAG(이트륨?알루미늄?가넷):Ce), (Y, Gd)3Al5O12:Ce, Tb3Al3O12:Ce, Ca3Sc2Si3O12:Ce, Lu2CaMg2(Si, Ge)3O12:Ce 등의 가넷형 결정 구조를 갖는 가넷형 형광체, 예컨대 (Sr, Ba)2SiO4:Eu, Ca3SiO4Cl2:Eu, Sr3SiO5:Eu, Li2SrSiO4:Eu, Ca3Si2O7:Eu 등의 실리케이트 형광체, 예컨대 CaAl12O19:Mn, SrAl2O4:Eu 등의 알루미네이트 형광체, 예컨대 ZnS:Cu, Al, CaS:Eu, CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 등의 황화물 형광체, 예컨대 CaSi2O2N2:Eu, SrSi2O2N2:Eu, BaSi2O2N2:Eu, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체, 예컨대 CaAlSiN3:Eu, CaSi5N8:Eu 등의 질화물 형광체, 예컨대 K2SiF6:Mn, K2TiF6:Mn 등의 불화물계 형광체 등을 들 수 있다. 바람직하게는 가넷형 형광체, 더 바람직하게는 Y3Al5O12:Ce(YAG)를 들 수 있다.
또한, 형광체는 입자상이며, 그 형상은 한정되지 않고, 예컨대 구상, 판상, 침상 등을 들 수 있다. 형광체의 최대 길이의 평균치(구상인 경우에는 그의 평균 입경)는 예컨대 10nm?1000㎛이다. 최대 길이의 평균치는 레이저 회절 산란식 입도 분포계를 이용하여 측정된다.
형광체는 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
형광체의 배합 비율은, 예컨대 형광체 조성물에 대하여, 예컨대 1?50중량%, 바람직하게는 5?30중량%이다. 또한, 수지 100질량부에 대한 형광체의 배합 비율은, 예컨대 1?100질량부, 바람직하게는 5?40질량부이다.
수지는, 형광체를 분산시키는 매트릭스이고, 예컨대 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등의 투명 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 내구성의 관점에서, 실리콘 수지를 들 수 있다.
실리콘 수지는, 주로 실록세인 결합(-Si-O-Si-)으로 이루어지는 주쇄와, 주쇄의 규소 원자(Si)에 결합하는, 알킬기(예컨대, 메틸기 등) 또는 알콕실기(예컨대, 메톡시기) 등의 유기기로 이루어지는 측쇄를 분자 내에 갖고 있다.
구체적으로는, 실리콘 수지로서는, 예컨대 탈수 축합형 실리콘 수지, 부가 반응형 실리콘 수지, 과산화물 경화형 실리콘 수지, 습기 경화형 실리콘 수지, 경화형 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 부가 반응형 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
실리콘 수지의 25℃에서의 동점도는 예컨대 10?30mm2/s이다.
수지는 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
수지의 배합 비율은, 형광체 조성물에 대하여 예컨대 50?99질량%, 바람직하게는 70?95질량%이다.
형광체 조성물은, 형광체 및 수지를 상기한 배합 비율로 배합하고, 교반 혼합하는 것에 의해 조제된다.
다음으로 상기한 발광 다이오드 장치(1)를 제조하는 방법에 대하여 도 1?도 3을 참조하여 설명한다.
이 방법에서는, 우선, 도 1 및 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터 시트(13)를 준비한다.
리플렉터 시트(13)는, 리플렉터(4)(도 3(e) 참조)를, 발광 다이오드 소자(3)를 둘러싸도록 설치하기 위한 전사 시트이다. 리플렉터 시트(13)에는, 리플렉터(4)를 형성하는 리플렉터 전구체(4A)가 설치되어 있고, 리플렉터 전구체(4A)는, 후술하는 전사(도 2(c) 참조)에 있어서 발광 다이오드 소자(3)와 밀착할 수 있는 패턴으로, 상기한 발광 다이오드 소자(3)에 대응하여 형성되어 있다.
리플렉터 시트(13)는, 이형 기재(14)와, 그 상면에 설치되는 리플렉터 전구체(4A)를 구비하고 있다.
리플렉터 시트(13)를 얻기 위해서는, 우선, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이 이형 기재(14)를 준비한다.
이형 기재(14)는, 예컨대 대략 직사각형상의 이형 시트(이형 필름)이고, 상면 및 하면이 평탄상으로 형성되어 있다.
이형 기재(14)는, 예컨대 폴리올레핀(구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌), 에틸렌?아세트산 바이닐 공중합체(EVA) 등의 바이닐 중합체, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등의 폴리에스터, 예컨대 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 수지 등의 수지 재료 등으로 형성되어 있다. 또한, 이형 기재(14)는, 예컨대 철, 알루미늄, 스테인레스 등의 금속 재료 등으로도 형성되어 있다.
이형 기재(14)의 두께는 예컨대 10?1000㎛이다.
이어서, 리플렉터 재료를, 상기한 발광 다이오드 소자(3)에 대응하는 패턴으로 형성된 마스크(도시하지 않음)를 통해서 이형 기재(14) 상에 도포함으로써, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 피막(22)을, 발광 다이오드 소자(3)의 반전 패턴(도 2(b) 참조)으로 형성한다.
그 후, 상기한 패턴의 피막(22)을 가열함으로써 상기한 패턴의 반경화(B 스테이지) 상태의 리플렉터 재료, 즉, 리플렉터 전구체(4A)를 얻는다. 가열 온도는, 예컨대 80?200℃, 바람직하게는 100?150℃이다.
리플렉터 전구체(4A)는, 후술하는 도 2(b)가 참조되는 바와 같이, 리플렉터 시트(13)가 상하 반전되어, 그 반전된 리플렉터 시트(13)가 기판(2)에 대향 배치될 때에, 리플렉터 전구체(4A)로부터 노출하는 이형 기재(14)의 하면이, 두께 방향으로 투영했을 때에, 발광 다이오드 소자(3)와 겹치는 패턴으로 형성되어 있다.
이것에 의해, 리플렉터 전구체(4A) 및 이형 기재(14)를 구비하는 리플렉터 시트(13)를 얻는다.
별도, 이 방법에서는, 도 2(b)의 하부에 나타낸 바와 같이, 발광 다이오드 소자(3)를 기판(2)의 상면에 설치한다.
구체적으로는, 전극부(8)와 단자(6)를 전기적으로 접속하고, 발광 다이오드 소자(3)를 기판(2)에 플립 칩 실장한다.
이어서, 이 방법에서는, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터 시트(13)를 기판(2)의 상방에 대향 배치한다.
구체적으로는, 우선, 리플렉터 시트(13)를, 도 2(a)의 상태로부터 상하 반전하고, 계속해서, 리플렉터 시트(13)를, 발광 다이오드 소자(3)로부터 노출하는 기판(2)의 상면과 대향하도록 배치한다.
이어서, 리플렉터 시트(13)를 기판(2)에 적층한다. 상세하게는, 리플렉터 전구체(4A)를, 발광 다이오드 소자(3)로부터 노출하는 기판(2)의 상면에 접촉시킨다.
이것에 의해서, 리플렉터 전구체(4A)가, 발광 다이오드 소자(3)로부터 노출하는 기판(2)의 상면과, 발광 다이오드 소자(3)의 측면(좌면, 우면, 전면 및 후면)에 밀착한다. 이와 함께, 리플렉터 전구체(4A)가 하부 간극(12)에 충전된다.
이것에 의해서, 이형 기재(14)가 기판(2)에 적층된다.
그 후, 도 2(c)의 가상선 및 도 3(d)에 나타낸 바와 같이, 이형 기재(14)를 리플렉터 전구체(4A)로부터 박리한다.
그 후, 리플렉터 시트(13)를, 예컨대 80?200℃, 바람직하게는 130?170℃로 가열하여, 리플렉터 전구체(4A)(리플렉터 재료에 함유되는 실리콘 수지 조성물)를 경화(C 스테이지) 상태로 한다. 이것에 의해서, 도 3(d)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(4)가 형성된다.
이어서, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 형광체층(5)을 발광 다이오드 소자(3)의 상면에 설치한다.
형광체층(5)을 설치하기 위해서는, 예컨대, 우선, 상기한 형광체 조성물을, 발광 다이오드 소자(3)의 상면에 상기한 패턴으로 도포하여 형광체 피막(도시하지 않음)을 형성한다.
그 후, 형광체 피막을, 예컨대 50?150℃로 가열하여 건조함으로써 상기한 패턴으로 형성한다.
이것에 의해, 기판(2)과, 기판(2)에 플립 칩 실장된 발광 다이오드 소자(3)와, 발광 다이오드 소자(3)의 측면에 밀착하는 리플렉터(4)와, 발광 다이오드 소자(3)의 상면에 설치되는 형광체층(5)을 구비하는 발광 다이오드 장치(1)를 집합체 시트(24)로서 얻는다.
그 후, 도 3(e)의 1점 파선으로 나타낸 바와 같이, 각 발광 다이오드 소자(3) 사이의 리플렉터(4) 및 그 아래에 형성되는 기판(2)을 절단(다이싱) 가공한다. 즉, 리플렉터(4) 및 기판(2)을 두께 방향에 따라 다이싱하여, 복수의 발광 다이오드 소자(3)로 잘라 나눈다. 즉, 발광 다이오드 소자(3)를 개별화(개편화)한다.
그리고, 본 발명의 리플렉터 재료는, 상기한 실리콘 수지 조성물과 광반사 성분을 함유하기 때문에, 광반사성이 우수하면서, 내열성 및 내광성도 우수하다.
또한, 리플렉터 재료는, 상기한 실리콘 수지 조성물을 함유하기 때문에, 반경화 상태로 되어, 시트 형상으로 형성할 수 있기 때문에, 취급성(성형성 및 가공성)이 양호하다.
그 결과, 이러한 리플렉터 재료(리플렉터 전구체(4A))로 형성되는 리플렉터(4)를 구비하는 발광 다이오드 장치(1)는, 제조 효율이 향상되면서, 광의 취출 효율이 우수하다.
도 3의 실시형태에서는, 리플렉터(4)를 발광 다이오드 소자(3)에 밀착시키고 있지만, 예컨대, 발광 다이오드 소자(3)의 측방에 간격을 사이에 두고 측방에 설치할 수도 있다. 그 경우에는, 리플렉터(4)와는 별도로 측면 밀봉층을, 발광 다이오드 소자(3)의 측면에 배치한다. 측면 밀봉층은, 발광 다이오드 소자(3)와 리플렉터(4) 사이에 개재된다.
바람직하게는, 도 3(e)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터(4)는, 발광 다이오드 소자(3)의 측면에 밀착하도록 설치한다.
그렇게 하면, 발광 다이오드 소자(3)로부터 측방에 발광되는 광은, 측면 밀봉층에 의해서 흡수되기 전에, 리플렉터(4)에 의해서 반사된다. 그 결과, 빛의 취출 효율을 더한층 향상시킬 수 있다.
도 4 및 도 5는, 본 발명의 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터 시트의 다른 실시형태를 이용하여, 본 발명의 발광 다이오드 장치의 다른 실시형태를 제조하는 방법을 설명하는 공정도이다.
한편, 도 4 및 도 5에 있어서, 상기한 각부에 대응하는 부재에 관해서는 동일한 참조 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1?도 3의 실시형태에서는, 리플렉터 시트(13)에 있어서, 리플렉터 전구체(4A)를, 이형 기재(14)의 상면에 부분적으로 형성하고 있지만, 예컨대, 도 4에 나타낸 바와 같이, 이형 기재(14)의 상면 전면에 형성할 수도 있다.
도 4(a)에 나타낸 바와 같이, 리플렉터 시트(13)는, 이형 기재(14)와, 그 상면 전면에 형성되는 리플렉터 전구체(4A)를 구비하고 있다.
리플렉터 시트(13)를 얻기 위해서는, 이형 기재(14)를 준비하고, 이어서 그 상면 전면에 상기한 리플렉터 재료를 도포하여 피막을 형성한다.
이어서, 형성한 피막을 가열하여, 반경화(B 스테이지) 상태의 리플렉터 전구체(4A)를 형성한다. 가열 온도는 상기와 마찬가지이다.
그 후, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 관통 구멍(9)을, 이형 기재(14)에 두께 방향을 관통하도록 형성한다.
즉, 관통 구멍(9)을, 도 4(c)가 참조되는 바와 같이, 발광 다이오드 소자(3)에 대응하도록 형성한다. 구체적으로는, 리플렉터 시트(13)를 상하 반전 후, 기판(2)에 적층할 때에, 발광 다이오드 소자(3)가 배치되는 영역과 실질적으로 동일 형상(구체적으로는, 평면시 대략 직사각형상)이고, 관통 구멍(9)의 내주면이 발광 다이오드 소자(3) 및 형광체층(5)(후술)의 측면과 대향 배치할 수 있는 형상으로 관통 구멍(9)을 형성한다.
관통 구멍(9)을 리플렉터 시트(13)에 형성하기 위해서는, 예컨대 에칭(예컨대 드라이 에칭 등), 금형에 의한 타발, 드릴 천공 등의 공지된 천공 방법이 채용된다.
이것에 의해서, 이형 기재(14)와 리플렉터 전구체(4A)를 연통하도록 천공하여, 상기한 패턴의 관통 구멍(9)을 리플렉터 시트(13)에 형성한다.
이어서, 이 방법에서는, 도 4(c)의 하부에 나타낸 바와 같이, 리플렉터 시트(13)를 기판(2)에 적층한다.
즉, 우선, 도 4(b)에 나타내는 리플렉터 시트(13)를 상하 반전시킨다.
그 후, 상하 반전된 리플렉터 시트(13)를, 기판(2)의 상면에, 리플렉터 전구체(4A)와 기판(2)이 접촉하도록 적층한다.
이어서, 이 방법에서는, 도 2(c)의 상부에 나타낸 바와 같이, 상면에 형광체층(5)이 적층된 발광 다이오드 소자(3)를 준비한다.
구체적으로는, 우선, 형광체층(5)을 준비하고, 이어서, 그 형광체층(5)의 상면에 발광 다이오드 소자(3)를 적층하고, 그 후, 그들을 상하 반전시킨다.
이어서, 도 4(d)에 나타낸 바와 같이, 발광 다이오드 소자(3)를 기판(2)의 상면에 배치한다.
구체적으로는, 발광 다이오드 소자(3)를 리플렉터 시트(13)의 관통 구멍(9) 내에 배치하여, 발광 다이오드 소자(3)를 기판(2)에 플립 칩 실장한다. 플립 칩 실장은, 전극부(8)와 단자(6)를 전기적으로 접속함으로써 실시한다.
계속해서, 리플렉터 시트(13)를 아래쪽으로 향해서 압압(押壓)한다.
구체적으로는, 예컨대 프레스기 등에 의해서 리플렉터 시트(13)를 기판(2)으로 향해서 압압한다.
또한, 상기한 압압을, 가열과 함께 실시, 즉, 열 프레스(구체적으로는, 열판에 의해 가압하는 열 프레스 등)한다.
가열 온도는 예컨대 80?200℃, 바람직하게는 130?170℃이다.
이것에 의해서, 리플렉터 시트(13)에 있어서의 리플렉터 전구체(4A)의 실리콘 수지 조성물이 완전 경화(C 스테이지) 상태로 된다. 이것에 의해서, 리플렉터(4)(도 5(e) 참조)가 형성된다.
그 후, 도 4(d)의 가상선 및 도 5(e)에 나타낸 바와 같이, 이형 기재(14)를 리플렉터(4)로부터 박리한다.
이것에 의해, 복수 정렬 배치된 발광 다이오드 장치(1)로 이루어지는 집합체 시트(24)를 얻는다.
그 후, 도 5(e)의 1점 파선으로 나타낸 바와 같이, 서로 인접하는 발광 다이오드 소자(3) 사이에서, 두께 방향에 따라, 기판(2) 및 리플렉터(4)를 절단 가공(다이싱)한다.
이것에 의해, 복수의 발광 다이오드 소자(3)로 잘라 나눈다. 즉, 발광 다이오드 소자(3)를 개별화(개편화)한다.
이것에 의해, 도 5(g)에 나타낸 바와 같이, 개별화된 발광 다이오드 소자(3)를 구비하는 발광 다이오드 장치(1)를 얻는다.
도 4 및 도 5의 실시형태는, 도 1?도 3의 실시형태와 같은 작용 효과를 발휘할 수 있다.
실시예
이하에, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 자세히 설명하지만, 본 발명은 하등 그들에 한정되지 않는다.
실시예 1
실란올기 양말단 폴리다이메틸실록세인(실란올기 양말단 폴리실록세인)(화학식 1 중, R1이 전부 메틸기, n의 평균이 115, 수평균 분자량 11500) 100.0g(8.70mmol)과, 바이닐트라이메톡시실레인(에틸렌계 규소 화합물)(화학식 2 중, R2가 바이닐기, X1이 전부 메톡시기) 0.77g(5.20mmol)와, (3-글리시독시프로필)트라이메톡시실레인(에폭시기 함유 규소 화합물)(화학식 3 중, R3이 3-글리시독시프로필기, X2가 전부 메톡시기) 0.14g(0.59mmol)와, 수산화테트라메틸암모늄(축합 촉매)의 10질량% 메탄올 용액 47.5μL(수산화테트라메틸암모늄량: 0.04mmol)를 배합하고, 실온(25℃)에서 1시간 교반하는 것에 의해 혼합물을 수득했다
한편, 실란올기 양말단 폴리실록세인의 실란올기에 대한, 바이닐트라이메톡시실레인의 메톡시기 및 (3-글리시독시프로필)트라이메톡시실레인의 메톡시기의 총수의 비율(= 하이드로실릴기/메톡시기)은 몰비로 1/1이었다.
그 후, 수득된 혼합물에, 수소 측쇄 함유 오가노폴리실록세인(오가노하이드로젠 실록세인)(화학식 5 중, R5가 전부 메틸기, b=10, c= 10; 수평균 분자량 2000, 점도 20mPa?s(25℃)) 2.19g, 및 백금-1,3-다이바이닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록세인 착체(부가 촉매) 6.3μL를 배합하고, 그들을 혼합했다.
한편, 수소 측쇄 함유 오가노하이드로젠 실록세인의 하이드로실릴기에 대한, 바이닐트라이메톡시실레인의 바이닐기의 비율(바이닐기/하이드로실릴기)은 몰비로 1/3.0이었다.
이것에 의해, 실리콘 수지 조성물을 수득했다.
그 후, 실리콘 수지 조성물, 산화티타늄(광반사 성분, 루틸형 결정 구조, 평균 입경 0.2㎛) 및 실리카(무기 충전제, 구상 용융 실리카, 평균 입경 23㎛)를 표 1의 배합 처방에 준거하여 배합함으로써 리플렉터 재료를 수득했다.
(단위: 질량%)
실시예 1 실시예 2 실시예 3
실리콘 수지 조성물 50 29 50
산화티타늄 28 24 50
실리카 22 47 0
수득된 리플렉터 재료를 이형 기재의 표면에 도공하고, 115℃로 가열함으로써 반경화(B 스테이지) 상태로 하여, 이것에 의해 두께 500㎛의 리플렉터 재료가 이형 기재 상에 설치된 리플렉터 시트를 수득했다.
그 후, 리플렉터 시트를 10cm각(角) 정도로 트리밍하고 150℃×5시간으로 가열하여, 리플렉터 재료를 경화시켜 시험편을 제작했다.
실시예 2 및 3
실리콘 수지 조성물, 산화티타늄 및 실리카의 배합 비율을 표 1에 준거하여 변경한 것 이외는 실시예 1과 같이 처리하여 리플렉터 재료를 얻고, 그 후 시험편을 수득했다.
비교예 1
하기에 나타내는 각 성분을 표 2에 나타내는 배합 비율로 배합하고, 비커 속에서 용융 혼합하고, 숙성시킨 후, 실온까지 냉각하여 분쇄하는 것에 의해 분말상의 에폭시 수지 조성물을 조제했다.
1,3,5-트리스글리시딜아이소사이아누르산(에폭시 수지, 에폭시 당량 100g/Eq)
메틸 헥사하이드록시 무수 프탈산(산무수물, 산 당량 168g/Eq)
산화티타늄(루틸, 평균 입경 0.2㎛)
실리카(무기 충전제, 평균 입경 23㎛),
9,10-다이하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드(산화방지제)
테트라-n-뷰틸포스포늄-o,o-다이에틸포스포론다이싸이오에이트(경화 촉진제)
(단위: 질량%)
비교예 1
에폭시 수지 18.8
산무수물 29.7
산화티타늄 23.2
무기 충전제 26.8
산화 방지제 1.1
경화 촉진제 0.4
조제한 에폭시 수지 조성물을, 150℃×4분간의 가열에 의해 성형하고, 그 후, 150℃×5시간의 가열에 의해 경화시켜, 두께 1mm의 시험편을 제작했다.
(평가)
1. 내열성(광투과율의 감소율)
실시예 1?3 및 비교예 1의 시험편에 대하여, 실온(25℃)에서, 파장 380?800nm의 광에 대한 광반사율을 분광 광도계(U-670, 니폰분광사제)로 측정하여, 시험편의 면방향 전 영역에 걸쳐 80% 이상을 유지하고 있는가를 확인했다.
이어서, 시험편을 180℃로 가열하고, 소정 시간 경과 후의 450nm에서의 광반사율을 측정하여, 시험편의 실온에서 측정한 450nm의 광반사율(즉, 가열 전 광반사율)에 대한 비율(백분율)을 산출함으로써 내열성을 평가했다. 그 결과를 표 3 및 도 6의 그래프에 나타낸다.
0시간 72시간 168시간 336시간
실시예 1 100% 100% 100% 99%
실시예 2 100% 97% 98% 97%
실시예 3 100% 100% 100% 100%
비교예 1 100% 88% 70% 70%
(가열 전 광반사율에 대한 백분율)
한편, 상기 설명은 본 발명을 예시하는 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석하여서는 안 된다. 상기 기술 분야의 당업자에 의해서 분명한 본 발명의 변형예는, 후기하는 특허청구범위에 포함되는 것이다.

Claims (9)

  1. 실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매로부터 조제되는 실리콘 수지 조성물, 및
    광반사 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광반사 성분이 백색 안료인 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광반사 성분이 산화티타늄인 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광반사 성분이 루틸형 결정 구조를 갖는 산화티타늄인 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  5. 제 1 항에 있어서,
    무기 충전제를 추가로 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 수지 조성물이 반경화 상태인 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  7. 제 6 항에 있어서,
    시트 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리플렉터 재료.
  8. 기판,
    상기 기판 상에 설치되는 발광 다이오드 소자, 및
    상기 기판 상에, 상기 발광 다이오드 소자를 둘러싸도록 설치되고, 리플렉터 재료로 형성되는 리플렉터
    를 구비하고, 상기 리플렉터 재료가,
    실란올기 양말단 폴리실록세인, 에틸렌계 규소 화합물, 에폭시기 함유 규소 화합물, 오가노하이드로젠 실록세인, 축합 촉매 및 부가 촉매로부터 조제되는 실리콘 수지 조성물, 및
    광반사 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 리플렉터는, 상기 발광 다이오드 소자의 측면에 밀착하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 장치.
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