KR20120049296A - 용융 형성가능한 실리카 및 소디움 함유 유리 - Google Patents

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제임스 이 주니어 딕킨슨
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Abstract

본원에는 소디움 함유 알루미노실리케이트 및 보로알루미노실리케이트 유리가 기재되어 있다. 상기 유리는 광전지 장치, 예를 들면 박막 광전지 장치, 예를 들면 CIGS 광전지 장치용 기판 또는 슈퍼스트레이트로서 사용될 수 있다. 이들 유리는 535℃ 이상, 예를 들면 570℃ 이상의 변형점, 8 내지 9 ppm/℃의 열팽창계수, 또한 50,000 poise를 초과한 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 대체로 이들은 퓨전 방법에 의해서 시트로 형성하는 데에 이상적으로 적합하다.

Description

용융 형성가능한 실리카 및 소디움 함유 유리{FUSION FORMABLE SILICA AND SODIUM CONTAINING GLASSES}
본 출원은 2009년 7월 24일에 출원된 미국 가 특허 출원 61/228,290, 2009년 11월 24일에 출원된 미국 가 특허 출원 61/263,930, 2010년 5월 24일에 출원된 미국 가 특허 출원 61/347,589 및 2010년 7월 21일에 출원된 미국 특허 출원 12/840754에 대한 우선권을 주장한다.
본 실시형태는 일반적으로 소디움 함유 유리, 보다 구체적으로 광변색, 전기변색, 유기발광 다이오드(OLED) 조명, 또는 광전지 적용, 예를 들면, 박막 광전지에서 유용한 용융 형성가능한 실리카 및 소디움 함유 유리에 관한 것이다.
최근에, 박막 광전지에 의해서 제공된 높은 효율에 대한 관심에 의해서, 새로운 유리 기판 및 슈퍼스트레이트의 새로운 시장의 요구에 따른 새로운 유리 기판 및 슈퍼스트레이트의 개발에 상당한 노력을 기울이고 있다. 일반적으로, 박막 광전지 제조 방법은 이들 적용에 매우 적합한 제조 유리를 포장하는 일없이, 연장된 시간동안 상승한 온도에서 취급가능한 기판을 필요로 한다. 또한, 일부 박막 광전지 방법(예를 들면, CIGS)은 소디움을 유리로부터 증착된 층으로 확산시키고, 특별한 적용에도 더욱 바람직한 소디움-함유 유리를 제조한다.
기존의 유리(예를 들면, 소다 라임(soda lime) 또는 디스플레이 조성)는 이러한 분야에서 매우 높은 효율을 나타내기 위해서 사용되었지만, 다른 적용을 위해서 설계된 임의의 유리의 사용은 문제가 있다. 예를 들면, 소다 라임 유리는 저렴한, 쉽게 이용가능한 소디움-함유 기판을 제공하지만, 그 낮은 변형점은 박막 광전지 공정에서 가장 높은 효율을 얻을 수 있는 높은 온도 공정에서의 사용을 현저하게 저해한다.
디스플레이 적용을 위해서 설계된 유리의 사용은 필요로 하는 높은 변형점을 제공하지만, 이들 유리의 열팽창계수(CTE)가 너무 낮아서 광전지 필름의 CTE와 부조화하기 때문에 신뢰할만한 큰 광전지 패널 구조를 얻을 수 없다. 또한, 디스플레이 적용을 위해서 설계된 많은 유리는 의도적으로 알칼리-프리(alkali-free)이며, 유리로부터 소디움의 확산을 필요로 하는 박막 광전지 적용에서는 유용하지 않다.
일부 박막 광전지 적용에서는 높은 변형점 및 높은 CTE를 갖는 소디움-함유 유리 시트를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 높은 변형점 및 높은 CTE을 갖고, 최적의 표면 특성을 갖는 플랫 시트(flat sheet)로 용융형성 가능한 소디움-함유 유리를 갖는 것이 바람직하다.
본원에는 예를 들면, 박막 광전지 적용에 유용한 용융 형성가능한, 높은 변형점의 소디움-함유 알루미노 실리케이트 및 보로알루미노실리케이트 유리의 조성 범위가 기재되어 있다. 보다 구체적으로, 이들 유리는 셀 효율을 최적화하기 위해서 필요한 소디움을 기판 유리로부터 유도한 것인 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드(CIGS) 광전지 모듈에서 사용될 수 있는 바람직한 물질이다. 종래의 CIGS 모듈 기판은 일반적으로 플로트 방법(float process)에 의해서 제조된 소다 라임 유리 시트로 제조된다. 그러나, 높은 변형점의 유리 기판의 사용은 높은 온도에서 CIGS 처리가 가능하고, 이는 셀 효율에서 바람직한 개선이 기대된다. 또한, 용융-형성된 유리 시트의 매끄러운 표면은 추가의 이점, 예를 들면 필름 접착성 개선, 등을 얻을 수 있다.
또한, 본원에 기재된 소디움-함유 유리는 소다 라임 유리에 대한 이점을 제공하기 위한 변형점 540℃ 이상, 예를 들면 570℃ 이상, 및/또는 퓨전 공정(fusion process)을 통해서 제조하기 위한 액체 점도 50,000poise 이상, 예를 들면 130,000 poise 이상을 특징으로 한다. 기판과 CIGS층 사이에서 열팽창 부조화(thermal expansion mismatch)를 피하기 위해서, 일부 실시형태에 의하면 본 발명의 유리는 8 내지 9 ppm/℃의 범위의 열팽창 계수인 것을 특징으로 한다.
일 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
15 초과 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 %의 총 M2O 및
0 초과 내지 25 %의 총 RO
를 중량%로 포함한 유리이고,
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0.5 내지 14 % 미만의 RO을 중량%로 포함한 유리이고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0 초과 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함한 유리를 포함한 광전지 장치이고,
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
본 발명의 추가의 특징 및 이점은 후술한 상세한 설명에 기재되고, 일부분은 그 설명으로부터 당업자에게 명백하거나 기재된 설명 및 청구범위, 또한 수반된 도면에 기재된 본 발명을 실시함으로써 인지될 것이다.
상기 일반적인 설명 및 하기 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시이고, 청구된 본 발명의 특성 및 특징을 이해하기 위한 요지 또는 구조를 제공하기 위한 것으로 의도된다.
수반한 도면은 본 발명을 더욱 이해하기 위해서 포함되고, 본 명세서의 일부에 포함되고 이를 구성한다. 도면은 본 발명의 하나 이상의 실시형태를 설명하고, 그 설명과 함께 본 발명의 원리 및 조작을 설명하는 역할을 한다.
본원에는 소디움 함유 알루미노실리케이트 및 보로알루미노실리케이트 유리가 기재되어 있다. 상기 유리는 광전지 장치, 예를 들면 박막 광전지 장치, 예를 들면 CIGS 광전지 장치용 기판 또는 슈퍼스트레이트로서 사용될 수 있다. 이들 유리는 535℃ 이상, 예를 들면 570℃ 이상의 변형점, 8 내지 9 ppm/℃의 열팽창계수, 또한 50,000 poise를 초과한 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 대체로 이들은 퓨전 방법에 의해서 시트로 형성하는 데에 이상적으로 적합하다.
본 발명은 단독으로 또는 수반한 도면과 함께, 하기의 상세한 설명으로부터 이해될 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따르면, 광전지 장치의 특성의 설명이다.
본 발명의 다양한 실시형태에 대해서 상세하게 기재한다.
본원에 사용된 바와 같이, "기판"은 광전지 셀의 구성에 따른 기판 또는 슈퍼스트레이트를 기재하기 위해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판을 광전지 셀로 조립한 경우, 광전지 셀의 광입사측에 있으면, 기판은 슈퍼스트레이트이다. 슈퍼스트레이트는 충격 및 환경적 열화로부터 광전지 물질의 보호를 제공하면서, 태양 스펙트럼의 적당한 파장을 투과시킨다. 또한, 다수의 광전지 셀은 광전지 모듈에 배열될 수 있다. 광전지 장치로는 셀, 모듈 또는 둘 다를 기재할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, "인접한"은 매우 근접한 것으로 정의될 수 있다. 인접한 구조는 서로 물리적인 접촉하거나 접촉하지 않을 수 있다. 인접한 구조는 다른 층 및/또는 이들 사이에 배치된 구조를 가질 수 있다.
일 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
15 초과 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 %의 총 M2O; 및
0 초과 내지 25 %의 총 RO를 중량%로 포함한 유리이고,
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0.5 내지14 % 미만의 RO을 중량%로 포함한 유리이고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0 초과 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함한 유리를 포함한 광전지 장치이고,
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태는 상기 광전지 장치는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0 내지 25 % 초과한 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고,
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
광전지 장치는 본 발명의 유리의 기재된 실시형태의 어느 하나를 포함할 수 있다. 유리는 시트의 형태 또는 광전지 장치의 기판 또는 슈퍼스트레이트 또는 둘다일 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 유리는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0 초과 내지 25 % 총 RO를 중량%로 이루어지고,
M은 Na, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 실질적으로 K2O를 포함하지 않고, 상기 유리는 9 내지 17중량% Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는
50 내지 72 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
0 초과 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고,
M은 Na, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 실질적으로 K2O를 포함하지 않고, 상기 유리는 9 내지 17중량% Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
일 실시형태에서, 상기 유리는
50 내지 59 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함하고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는
54 내지 59 % SiO2;
10 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함하고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리는,
54 내지 59 % SiO2;
17 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함하고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리는
52 내지 59 % SiO2;
20 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함하고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리는
54 내지 59 % SiO2;
17 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는,
56 내지 58 % SiO2;
17 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함하고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는
50 내지 59 % SiO2;
10 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는
52 내지 59 % SiO2;
20 내지 25 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
또 다른 실시형태에서, 상기 유리는,
56 내지 58 % SiO2;
17 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
일 실시형태에서, 상기 유리는
54 내지 59 % SiO2;
10 내지 21 % Al2O3;
0 내지 10 % B2O3;
10 내지 25 % 총 M2O; 및
2 내지 25 % 총 RO를 중량%로 본질적으로 이루어지고;
M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O이고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 55 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 51 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 52 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 53 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 54 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 55 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 56 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 57 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 58 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 59 내지 72 중량% SiO2, 예를 들면, 60 내지 72 중량% SiO2를 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 55 내지 72 중량% SiO2를 포함하고, 15 초과 내지 25 중량% Al2O3를 포함한다.
일 실시형태에서, 유리는 말 수 있다(rollable). 상기 유리는 일 실시형태에서 다운-드로우 가능(down-drawable)하다. 예를 들면, 상기 유리는 슬롯 드로운 또는 퓨전 드로운될 수 있다. 또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리가 플로트 형성될 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 8 중량% 미만의 K2O, 예를 들면, 7 중량% 미만의 K2O, 예를 들면, 6 중량% 미만의 K2O, 5 중량% 미만의 K2O, 4 중량% 미만의 K2O, 예를 들면, 3 중량% 미만의 K2O를 포함한다. 일부 실시형태에 따르면, 상기 유리는 실질적으로 K2O를 포함하지 않고, 예를 들면, 실질적으로 K2O-프리(K2O-free)이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O을 포함하고, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상의 액체 점도, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 융융 형성가능하다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O 및 2.5 중량% 미만의 MgO을 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O 및 2.5 중량% 미만의 MgO을 갖고, 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수, 및 130,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서, 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
본 발명의 유리의 일부 실시형태는 높은 Na2O 함량의 이점을 갖고, 광전지 셀의 제작중에 소디움(Na)을 증착된 CIGS층으로 전달가능하고, 이어서 높은 CIGS 셀 효율을 일으키는 것으로 기대된다. 최종적으로, 또 다른 알칼리의 존재가 CIGS 증착/결정화 중에 소디움(Na) 외부확산을 방해하기 때문에, 일부 예는 K-프리이거나 실질적으로 감소된 K2O 함량을 갖는 것은 또 다른 이점을 제공할 수 있다.
상기 유리는 3 중량% 이하, 예를 들면, 0 내지 3 중량%, 예를 들면, 0 초과 내지 3 중량%, 예를 들면, 1 내지 3 중량%의, TiO2, MnO, ZnO, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, WO3, ZrO2, Y2O3, La2O3, HfO2, CdO, SnO2, Fe2O3, CeO2, As2O3, Sb2O3, Cl, Br, 또는 이들의 조합을 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 3 중량% 이하, 예를 들면, 0 내지 3 중량%, 예를 들면, 0 초과 내지 3 중량%, 예를 들면, 1 내지 3 중량%의 TiO2 또는 ZrO2를 포함한다.
상기 기재된 바와 같이, 일부 실시형태에 따르면, 상기 유리는 0 내지 10 중량%, 예를 들면, 1 내지 8 중량% 또는 예를 들면, 0 초과 내지 10 중량% B2O3, 예를 들면, 0.5 내지 10 중량% B2O3, 예를 들면 1 내지 10 중량% B2O3를 포함한다. B2O3 를 상기 유리에 첨가해서 용융 온도를 감소시키고, 액체 온도를 감소시키며, 액체 점도를 증가시키고, B2O3 를 함유하지 않는 유리에 대한 기계적 내구성을 개선시킨다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 실질적으로 B2O3-프리이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 0 내지 25% 초과의 RO, 예를 들면, 0.5 내지 25% RO, 예를 들면, 1 내지 25% RO를 포함하고, R은 알칼리 토금속이다. 일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 14% 미만의 RO, 예를 들면, 13 이하, 예를 들면, 12 %, 예를 들면, 11 %, 예를 들면, 10 %, 예를 들면, 9 %, 예를 들면, 8 %를 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 0.5 내지 14 % 미만의 RO, 예를 들면, 0.5 내지 13 % RO를 포함한다. 일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 2초과 내지 25% RO를 포함하고, 예를 들면, R은 알칼리 토금속이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 0.5 내지 14% 미만의 RO을 포함하고, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
일부 실시형태에 따른 유리는 4.0 중량% 미만의 MgO, 예를 들면, 3.0 중량% 미만의 MgO, 예를 들면, 2.5 중량% MgO, 2.0 중량% 미만의 MgO을 포함한다. 상기 유리는, 예를 들면, 0 내지 4 중량% MgO, 예를 들면, 0 초과 내지 4 중량% MgO, 예를 들면, 0 초과 내지 3 중량% MgO, 예를 들면, 0 초과 내지 2.5 중량% MgO, 예를 들면, 0.2 내지 4 중량% MgO, 예를 들면, 0.2 내지 3 중량% MgO, 예를 들면, 0.2 내지 2.5 중량% MgO을 포함한다. 또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리는, 예를 들면, 1 내지 3 중량% MgO을 포함한다. MgO는 상기 유리에 첨가되어 용융 온도를 감소시키고 변형점을 증가시킬 수 있다. 다른 알칼리 토금속(예를 들면, CaO, SrO, BaO)에 대해서 CTE를 불리하게 감소해서 다른 조절에 의해서 CTE를 소망의 범위 내에서 유지할 수 있다. 적당한 조절로는 CaO 대신에 SrO를 증가시키고, 알칼리 산화물 농도를 증가시키고, 더 작은 알칼리 산화물(예를 들면, Na2O)을 부분적으로 더 큰 알칼리 산화물(예를 들면, K2O)로 대체한다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO를 포함하고, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
또 다른 실시형태에 따르면, 상기 유리는 실질적으로 BaO를 실질적으로 함유하지 않는다. 예를 들면, BaO의 함량은 0.05 중량% 이하, 예를 들면, 0 중량%일 수 있다.
일부 실시형태에서, 상기 유리는 Sb2O3, As2O3, 또는 이들의 조합을 실질적으로 함유하지 않고, 예를 들면 상기 유리는 0.05 중량% 이하의 Sb2O3 또는 As2O3 또는 이들의 조합을 포함한다. 예를 들면, 상기 유리는 0 중량%의 Sb2O3 또는 As2O3, 또는 이들의 조합을 포함한다.
일부 실시형태에서, 상기 유리는 2 내지 4 중량% CaO를 포함한다. 알칼리 산화물 또는 SrO에 대해서, CaO는 높은 변형점, 낮은 밀도 및 낮은 용융 온도에 기여한다. 특정한 가능한 실투 상의 주성분, 구체적으로 회장석(CaAl2Si2O8)이고, 이러한 상은 유사한 소디움 상과 완전한 고체 용액, 즉 알바이트(NaAlSi3O8)이다. 단독으로 사용된 높은 Na 및 Ca 함량은 액체 온도를 매우 높게 할 수 있다. 그러나, CaO의 화학적 소스는 매우 저렴한 물질인 리메스톤을 포함하고, 높은 체적 및 낮은 비용의 점에서 일반적으로 다른 알칼리 토금속에 대해서 합리적으로 달성될 수 있는 가능한 높은 CaO 함량을 제조하는 것이 유용하다.
일부 실시형태에서, 유리는 0.2 내지 4 중량% SrO, 예를 들면, 0.5 내지 4 중량%, 예를 들면 1 내지 4, 예를 들면, 2 내지 4 중량% SrO을 포함할 수 있다. 특정한 실시형태에서, 유리는 의도적으로 배치(batch) SrO를 함유하지 않지만, 다른 배치 물질(batch material)에서 오염물로서 존재할 수 있다. SrO는 높은 열팽창계수에 기여하고, SrO 및 CaO의 상대적인 비율을 조절하여 액체 온도, 따라서 액체 점도를 개선시킬 수 있다. SrO는 변형점 개선에 대해서 CaO 또는 MgO만큼 효과적이지 않고, CaO 및 MgO 중 하나를 SrO로 대체하는 것이 용융 온도를 증가시키는 경향이 있다.
상기 기재된 바와 같이, 일부 실시형태에 따르면, 유리는 10 내지 25%의 M2O을 포함하고, M은 알칼리 양이온 Li, Na, K, Rb 및 Cs의 하나이다. 알칼리 양이온은 CTE를 현저하게 증가시킬 뿐만 아니라, 변형점을 저하시키고, 이들 첨가 방법에 따라서 용융 온도를 증가시킨다. CTE에 대해서 가장 최소 효과의 알칼리 산화물은 Li2O이고, 가장 효과적인 알칼리 산화물은 Cs2O이다. 상기 기재된 바와 같이, 소디움은 본 발명의 유리의 가능한 실투 상 중 어느 하나에 존재하고, 다른 성분을 조절해서 이러한, 예를 들면 CaO/(CaO+SrO) 비율의 변화에 대응하고, 이러한 경향은 소디움을 다른 알칼리로 대체하거나 소디움 대신에 알칼리의 혼합물을 사용하는 것을 유리하게 한다. 높은 체적 및 낮은 비용이 중요한 경우, 알칼리 산화물을 Na2O 및 K2O 또는 그 조합으로 가능한 한 많이 한정하는 것이 바람직하다.
일부 실시형태에 따르면, 상기 유리는 9 내지 17 % Na2O, 예를 들면, 10 내지 16 % Na2O을 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 유리는 9 중량% 이상의 Na2O, 예를 들면, 9 내지 12 중량% Na2O를 포함한다.
일부 실시형태에 따르면, 유리는 다운 드로우가능하고, 즉 유리는 다운 드로우 방법, 예를 들면 상기 유리 제조 기술에서 당업자에게 공지된 퓨전 드로우 및 슬롯 드로우 방법을 들 수 있지만 이들로 한정되지 않는 방법을 사용해서 시트로 형성될 수 있다. 이러한 다운 드로우 방법은 이온 교환 플랫 유리의 대규모 제조에서 사용된다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 10 내지 30 중량% Al2O3 + B2O3를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 20 내지 30 중량% Al2O3 + B2O3를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 21 내지 25 중량% Al2O3를 포함한다..
일 실시형태에 따르면, 유리는 10 내지 21 중량% Al2O3 + B2O3를 포함한다..
일 실시형태에 따르면, 유리는 17 내지 21 중량% Al2O3 + B2O3를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 15 초과 내지 25 중량% Al2O3, 예를 들면, 16 이상 내지 25 중량%, 예를 들면, 16 내지 24 중량% Al2O3 또는, 예를 들면, 17 내지 25 중량% Al2O3, 예를 들면, 17 내지 21 중량% Al2O3를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 15 초과 내지 25 중량% Al2O3를 포함하고, 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 15 초과 내지 25 % Al2O3를 포함하고 0.5 내지 14% 미만의 RO를 포함한다. 일 실시형태에서, 유리는 15 초과 내지 25 % Al2O3, 0.5 내지 14 % 미만의 RO를 포함하고 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
일 실시형태에 따르면, 유리는
9 내지 12 % Na2O;
2 내지 8 % K2O;
2 내지 8 % CaO;
2 내지 4 % SrO; 및
1 내지 3 % MgO를 포함한다
퓨전 드로우 방법은 용융된 유리 원료를 수용하는 채널을 갖는 드로우 탱크를 사용한다. 채널은 그 양측에서 채널 길이에 따른 상부가 개방되어 있는 둑(weir)을 갖는다. 채널에 용융된 물질를 채우면, 상기 용융된 유리는 둑을 범람한다. 중력에 의해서 용융된 유리가 드로우 탱크의 외측 표면의 아래로 흐른다. 이들 외측 표면은 하측 및 내측으로 연장시켜서 이들을 드로우 탱크 아래의 에지에서 결합시킨다. 2개의 흐르는 유리 표면은 이러한 에지에서 결합해서 하나의 흐르는 시트를 형성한다. 퓨전 드로우 방법은 채널 위에서 흐르는 2개의 유리 필름을 함께 용융하기 때문에, 얻어진 유리 시트의 외측 표면은 장치의 어느 부분과도 접촉하지 않는 이점이 있다. 따라서, 표면 특성은 이러한 접촉에 영향을 받지 않는다.
슬롯 드로우 방법은 퓨전 드로우 방법과 구분된다. 용융된 원료 유리는 드로우 탱크에 제공한다. 드로우 탱크의 하부는 슬롯 길이를 연장한 노즐을 갖는 개구 슬롯을 갖는다. 용융된 유리는 슬롯/노즐을 통해서 흐르고 어닐링 영역을 통해서 및 그 내부로 연속적인 시트로 아래로 드로우된다. 슬롯 드로우 방법은 퓨전 드로우 방법에 비해서, 2개의 시트가 함께 용융되기보다 퓨전 다운-드로우 방법에서와 같이 하나의 시트를 슬롯을 통해서 드로운되어 얇은 시트를 제공한다.
본원에 기재된 알루미노보로실리케이트 유리는 다운 드로우 방법과 상용하기 위해서, 높은 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 50,000 poise 이상, 예를 들면, 150,000 poise 이상, 예를 들면, 200,000 poise 이상, 예를 들면, 250,000 poise 이상, 예를 들면, 300,000 poise 이상, 예를 들면, 350,000 poise 이상, 예를 들면, 400,000 poise 이상, 예를 들면, 500,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일부 예시의 유리의 액체 점도는 액체 온도와 연화점 사이의 차이와 밀접한 상관관계가 있다.
일 실시형태에서, 유리는 535℃ 이상의 변형점, 예를 들면, 540℃ 이상, 예를 들면, 560℃ 이상, 예를 들면, 570℃ 이상, 예를 들면, 580℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일부 실시형태에서, 유리는 50 x 10-7 이상, 예를 들면, 60 x 10-7 이상, 예를 들면, 70 x 10-7 이상, 예를 들면, 80 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 50 x 10-7 내지 90 x 10-7의 열팽창계수를 갖는다.
일 실시형태에서, 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 150,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는다. 일 실시형태에서 이들 특성을 갖는 유리는 용융 형성가능하다.
일 실시형태에서, 유리는 50 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 535℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 50 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 540℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 60 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 560℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 60 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 580℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 50 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 570℃ 이상의 변형점을 갖는다. 일 실시형태에서, 유리는 70 x 10-7 이상의 열팽창 계수 및 570℃ 이상의 변형점을 갖는다. 상기 기재된 유리의 실시형태는 상기 기재된 범위 내에서 여러 특성의 조합을 가질 수 있다. 모든 가능한 조합이 본원에 기재되지 않는 것을 알 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 유리는 하나 이상의 알칼리 이온의 염을 포함한 염배쓰에서 이온 교환된다. 유리는 이온 교환되어 그 기계적 특성을 변화시킬 수 있다. 예를 들면, 더 작은 알칼리 이온, 예를 들면 리튬 또는 소디움은 하나 이상의 큰 알칼리 이온, 소디움, 포타슘, 루비듐 또는 세슘을 함유한 용융된 염에서 이온교환될 수 있다. 확산이 충분한 시간동안 변형점의 훨씬 미만의 온도에서 실시되면, 큰 알칼리가 염배쓰로부터 유리 표면으로 이동하고, 더 작은 이온이 유리의 내부로부터 염배쓰로 이동하는 확산 프로파일이 형성할 것이다. 시료가 제거되면, 표면을 압축해서 손상에 대한 조도를 향상시킬 것이다. 이러한 조도는 유리가 불리한 환경 조건에 노출된, 예를 들면 비(hail)에 노출된 광전지 그리드의 경우에 바람직하다. 염배쓰에서 유리에서 이미 큰 알칼리가 더 작은 알칼리로 교환될 수 있다. 이것은 변형점에 가까운 온도에서 실시되고, 유리가 제거되고 그 표면이 높은 온도까지 빠르게 재가열되고 빠르게 냉각되면, 유리의 표면은 열 템퍼링에 의해서 도입된 상당한 압축 응력을 나타낼 것이다. 이것은 불리한 환경 조건에 대해서 보호를 제공할 것이다. 유리에서 이미 알칼리 대신에 임의의 1가의 양이온을 교환하고, 예를 들면 구리, 은, 탈륨 등을 포함하고, 이들은 포텐셜 값의 특성을 최종 용도에 제공하고, 예를 들면 조명에 색 도입 또는 광 트랩핑에 상승된 굴절율의 층을 도입하는 것이 당업자에게 명백하다.
또 다른 실시형태에 의하면, 상기 유리는 종래의 플로트 형성 유리에서 종래 기술과 같이 플로트 형성될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 상기 유리는 시트의 형태이다. 시트 형상의 유리가 열템퍼링될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 상기 유리 발광 다이오드 장치는 시트 형상의 유리를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 상기 유리는 투명하다. 일 실시형태에 따르면 상기 유리 시트는 투명하다.
도 1은 일 실시형태에 따른 광전지 장치의 피처(100)의 설명이다. 일 실시형태에서, 광전지 장치는 시트 형상의 유리를 포함한다. 광전지 장치는 기판 및/또는 슈퍼스트레이트로서 하나를 초과한 유리 시트를 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 광전지 장치는 기판 및/또는 슈퍼스트레이트로서 유리 시트(10), 상기 기판에 인접해서 위치한 전도성 물질(12), 및 상기 전도성 물질에 인접한 활성 광전지 매체(16)를 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 활성 광전지 매체는 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드(CIGS) 층을 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 활성 광전지 매체는 카드뮴 텔루라이드 (CdTe)층을 포함한다. 일 실시형태에서, 상기 활성 광전지 매질은 CIGS 층이다. 일 실시형태에서, 상기 활성 관전지 매질은 카드뮴 텔루라이드(CdTe)층이다.
일 실시형태에 따르면, 상기 광전지 장치는 슈퍼스트레이트 또는 기판과 활성 광전지 매체 사이에 배치된 배리어층(14)을 포함한다. 일 실시형태에서, 광전지 장치는 상기 슈퍼 스트레이트 또는 기판과 투명한 전도성 산화물(TCO) 층 사이 또는 이들에 인접해서 배치된 배리어층을 포함하고, TCO 층은 상기 활성 광전지 매체와 배리어층 사이 또는 이들에 인접해서 배치된다. TCO는 CdTe 기능층을 포함한 광전지 장치에 존재할 수 있다. 일 실시형태에서, 상기 배리어층은 유리에 직접 배치된다. 배리어층은 유리로부터 장치의 다른 층, 예를 들면 활성 광전지 매체로 알카리 이온을 이동시키고, 예를 들면 이동을 증가시키거나, 감소시키거나 측정한다.
일 실시형태에서, 유리 시트는 투명하다. 일 실시형태에서, 기판 및/또는 슈퍼스트레이트로서 유리 시트는 투명하다.
일부 실시형태에 따르면, 유리 시트는 4.0mm 이하, 예를 들면, 3.5mm 이하, 예를 들면, 3.2mm 이하, 예를 들면, 3.0mm 이하, 예를 들면, 2.5mm 이하, 예를 들면, 2.0mm 이하, 예를 들면, 1.9mm 이하, 예를 들면, 1.8mm 이하, 예를 들면, 1.5mm 이하, 예를 들면, 1.1mm 이하, 예를 들면, 0.5mm 내지 2.0mm, 예를 들면, 0.5mm 내지 1.1mm, 예를 들면, 0.7mm 내지 1.1mm의 두께를 갖는다. 이들이 예시의 두께이지만, 유리 시트는 0.1mm 내지 4.0mm 이하의 범위에서 소수 자리를 포함한 임의의 값의 두께를 가질 수 있다.
일 실시형태에서, 상기 전기변색 장치는 시트 형상의 유리를 포함한다. 전기변색 장치는 예를 들면 전기변색 윈도우일 수 있다. 일 실시형태에서, 상기 전기변색 윈도우는 예를 들면 1개, 2개 또는 3개의 패인 윈도우(pane window)에서 하나 이상의 유리 시트를 포함한다.
본 발명의 용융 형성가능한 유리는 비교적 높은 변형점에 의해서 CIGS 광전지 모듈의 바람직한 기판 물질을 나타낸다. 플로트 유리가 퓨전 방법에 의해서 제조되면, 플로트 유리에 대한 우수한 표면 품질이 광전지 모듈의 제조공정을 개선시킬 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 400,000 poise 를 초과한 액체 점도를 특징으로 하고, 일부 모듈 제조업자에게 유리한 비교적 두꺼운 유리 시트의 제작이 가능하다.
실시예
다음은 표 1에 표시된 바와 같이 본 발명의 일 실시형태에 따른 예시의 유리의 시료를 제작하는 방법의 예이다. 이러한 조성물은 표 3에 표시된 실시예 번호 1에 상응한다.
산화물 mol%
SiO2 63.64
Al2O3 13.00
MgO 3.14
CaO 3.15
SrO 1.56
Na2O 11.32
K2O 4.09
SnO2 0.10
일부 실시형태에서, 특정한 불순 원소가 무시할 수 없을 정도의 농도로 존재하기 때문에 총합은 100%인 것은 아니다.
표 2에 도시된 바와 같이 배치 물질의 무게를 재고 4L 플라스틱 컨테이너에 첨가한다.
배치 조성 배치 중량
샌드 1322.67
알루미나 473.03
마그네시아 45.22
리메스톤 115.32
스트론튬 카르보네이트 83.32
소다 애쉬 425.20
포타슘 카르보네이트 202.74
10% SnO2 및 90% 샌드 52.8
배치에서, 소스에 따른 리모스톤은 불순 원소를 함유하고 및/또는 하나 이상의 산화물, 예를 들면, MgO 및/또는 BaO의 양을 변화시킬 수 있는 것을 알 수 있다. 샌드는 바람직하게 80질량% 이상이 60메쉬, 예를 들면 80메쉬, 예를 들면 100메쉬를 통과하도록 선별한다. 이러한 예에서 첨가된 SnO2는 다른 성분과 균일한 혼합을 보장하도록 샌드를 10중량%의 수준으로 사전에 혼합했다. 배치 물질을 함유한 병을 텀블러에 위치시키고, 배치물질을 혼합해서 배치를 균일하게 하고 소프트 응집체(soft agglomerate)를 파괴시켰다. 혼합된 배치를 1800cc 백금 도가니로 이동시키고 높은 온도의 세라믹 지지대(backer)에 배치한다. 그 지지대에서 백금을 1630℃의 온도에서 글로바 퍼니스 아이들링(glo-bar furnace idling)에 로딩했다. 16시간 후, 도가니+지지대를 제거하고 유리 용융물을 냉각 표면, 예를 들면 스틸 플레이트에 부어, 패티를 형성한 후 640℃의 온도에서 지지된 어닐링 장치로 이동시켰다. 유리 패티를 어닐링 장치의 온도에서 2시간동안 유지한 후 실온까지 1℃/min의 속도로 냉각했다.
표 3, 표 4, 표 5, 표 6, 표 7, 표 8, 표 9, 표 10, 표 11 및 표 12는 본 발명의 실시형태에 따른 예시의 유리를 나타내고, 상기 예에 따라서 제조했다. 일부 예시의 유리의 특성 데이터는 표 3, 표 4, 표 5, 표 6, 표 7, 표 8, 표 9, 표 10, 표 11 및 표 12에 표시된다. 표 Tstr(℃)는 점도가 빔 굽힘 또는 섬유 연장화에 의해서 측정된 1014.7P과 동일할 때의 온도인 변형점이다. Tann(℃)는 점도가 빔 굽힘 또는 섬유 연장화에 의해서 측정된 1013.18P와 동일할 때에 온도인 어닐링점이다. Ts(℃)는 빔 굽힘 또는 섬유 연장화에 의해서 측정된 107.6P와 동일할 때의 온도인 연화점이다. 표에서 α(10-7/℃) 또는 a(10-7/℃)는 측정에 따라서 0 내지 300℃ 또는 25 내지 300℃의 치수 변화인 열팽창 계수(CTE)이다. CTE는 일반적으로 팽창법에 의해서 측정된다. ρ(g/cc)는 아르키메데스법(ASTM C693)에 의해서 측정된 밀도이다. T200(℃)는 200 Poise(P) 온도이다. 이것은 용융물의 점도가 동심 실린더 점도를 사용한 HTV(고온 점성) 측정에 의해서 측정된 200P일 때의 온도이다. Tliq(℃)은 액체 온도이다. 이것은 제 1 결정이 표준 구배 보트 액체 측정(ASTM C829-81)에서 관찰된 온도이다. 일반적으로, 이러한 시험은 72시간이지만, 24 시간 정도로 짧게 해서 정확성 대신에 쓰로우풋(throughput)을 증가시킨다(더 짧은 시험은 액체 온도를 과소평가한다). ηliq(kP)는 액체 점도이다. 이는 액체 온도에 상응한 용융물의 점도이다.
실시예 1 2 3 4 5 6
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 11.32 10.30 12.30 11.32 11.32 11.32
K2O 4.09 5.11 3.11 3.09 2.09 4.09
MgO 3.14 3.14 3.14 3.54 3.94 3.94
CaO 3.14 3.14 3.14 3.54 3.94 3.94
SrO 1.57 1.57 1.57 1.77 1.97 1.97
Al2O3 13.00 13.00 13.00 13.00 13.00 12.00
SiO2 63.63 63.63 63.63 63.63 63.63 62.63
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 10.40 9.43 11.40 10.50 10.50 10.50
K2O 5.74 7.13 4.38 4.36 2.96 5.78
MgO 1.89 1.88 1.89 2.14 2.39 2.38
CaO 2.63 2.62 2.64 2.98 3.33 3.32
SrO 2.42 2.41 2.43 2.75 3.07 3.06
Al2O3 19.70 19.60 19.80 19.80 19.90 18.30
SiO2 56.90 56.60 57.20 57.20 57.50 56.40
SnO2 0.22 0.22 0.23 0.23 0.23 0.23
　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 595 591 583 593 603 570
Tann (℃) 644 642 635 646 656 621
α (10-7/℃) 87.9 90.2 88.2 83.6 80.5 89.8
ρ (gm/cc) 2.513 2.509 2.512 2.519 2.527 2.534
　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1630 　 　 　 　 　
Tliq (℃) 1025 1045 1025 1055 1090 1040
ηliq (kp) 546 　 　 　 　 　
실시예 7 8 9 10 11
조성(mol%) 　 　 　 　 　
Na2O 11.32 11.32 11.32 11.09 10.87
K2O 4.09 4.09 4.09 4.01 3.93
MgO 3.14 3.14 3.14 3.08 3.01
CaO 3.15 3.15 3.15 3.09 3.02
SrO 1.56 1.56 1.56 1.53 1.5
Al2O3 11.00 9.00 7.00 12.74 12.48
SiO2 63.63 63.63 63.63 62.36 61.09
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
B2O3 2.00 4.00 6.00 2.00 4.00
(RO+R2O)/Al2O3 2.11 2.58 3.32 1.79 1.79
R2O/RO 1.96 1.96 1.96 1.96 1.97
(RO+R2O)/Al2O3+B2O3 1.79 1.79 1.79 1.55 1.35
R2O/Al2O3+B2O3 1.19 1.19 1.19 1.02 0.90
　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　
Na2O 10.51 10.61 10.72 10.19 9.98
K2O 5.79 5.85 5.91 5.62 5.51
MgO 1.90 1.92 1.94 1.85 1.80
CaO 2.66 2.68 2.71 2.58 2.52
SrO 2.43 2.45 2.48 2.36 2.31
Al2O3 16.86 13.93 10.94 19.32 18.91
SiO2 57.47 58.04 58.61 55.73 54.55
SnO2 0.23 0.23 0.23 0.22 0.22
B2O3 2.09 4.23 6.41 2.07 4.14
Tstr (℃) 550　 539 537 566 550
Tann (℃) 595　 582 579 614 　595
α (10-7/℃) 90.4 87.7 83.6 90.2 87.5
ρ (gm/cc) 2.503 2.500 2.494 2.507 2.494
　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1574 　 　 1583 　
Tliq (℃) 　 　 　
ηliq (kp) 　389 　 　 323 　
실시예 12 13 14 15 16 17 18 19
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 10.93 11.06 11.19 11.19 11.06 10.93 10.93 10.93
K2O 3.95 3.99 4.04 4.04 3.99 3.95 3.95 3.95
MgO 0　 0　 0　 3.11 3.07 3.03 0　 0　
CaO 7.59 7.68 7.77 3.11 3.07 3.04 7.59 7.59
SrO 　0 0　 0　 1.55 1.54 1.52 　0 　0
B2O3 　0 0　 0　 0　 0　 0　 1.00 2.00
Al2O3 16.00 15.00 14.00 14.00 15.00 16.00 16.00 16.00
SiO2 61.43 62.17 62.9 62.9 62.17 61.43 60.43 59.43
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 9.92 10.10 10.30 10.20 10.10 9.88 9.90 9.89
K2O 5.46 5.55 5.66 5.63 5.53 5.44 5.46 5.45
MgO 　0 0　 0　 1.86 1.82 1.79 　0 0　
CaO 6.25 6.36 6.47 2.58 2.53 2.49 6.24 6.23
SrO 　0 0　 0　 2.38 2.35 2.30 0　 0　
B2O3 　0 0　 　0 　0 　0 　0 1.02 2.04
Al2O3 23.90 22.60 21.20 21.10 22.50 23.90 23.90 23.90
SiO2 54.20 55.20 56.10 55.90 55.00 54.00 53.20 52.30
SnO2 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22
　 　 　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 630 618 604 602 615 628 607 588
Tann (℃) 684 669 655 653 669 683 659 639
α(10-7/℃) 85.9 87.9 89 86.7 85.5 85.2 86.2 86.7
ρ (gm/cc) 2.502 2.505 2.504 2.513 2.513 2.515 2.496 2.499
　 　 　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1622 1622 　 1646 1645 1659 1613 1604
Tliq (℃) 1055 1085 　 1035 1075 1120 1035 1025
ηliq (kP) 448 194 　 729 339 237 539 427
실시예 20 21 22 23 24 25 26 27
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.80 12.20 14.80 14.80 14.80 14.80 14.00 14.00
K2O 0.90 2.90 0 0 0.50 0 0 0
MgO 3.60 1.30 4.50 3.60 3.60 3.60 0 0
CaO 1.90 5.70 1.90 2.80 1.90 1.90 8.00 5.00
SrO 0 0 0 0 0.40 0.90 0 0
ZnO 0 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 0 0 0 0
Al2O3 10.80 14.20 10.80 10.80 10.80 10.80 10.00 11.00
TiO2 0 0 0 0 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 0 0
SiO2 67.90 63.60 67.90 67.90 67.90 67.90 67.90 69.90
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.20 11.30 14.30 14.30 14.20 14.20 13.50 13.30
K2O 1.32 4.09 0 0 0.73 0 0 0
MgO 2.25 0.78 2.83 2.26 2.25 2.25 0 0
CaO 1.65 4.78 1.67 2.45 1.65 1.65 6.98 4.33
SrO 0 0 0 0 0.64 1.44 0 0
ZnO 0 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 0 0 0 0
Al2O3 17.10 21.70 17.20 17.20 17.10 17.10 15.90 17.30
TiO2 0 0 0 0 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 0 0
SiO2 63.30 57.20 63.70 63.60 63.20 63.20 63.50 64.80
SnO2 0.23 0.23 0.24 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23
　 　 　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 582 604 586 581 579 578 573 583
Tann (℃) 632 658 639 632 629 629 622 636
Ts 　 　 　 　 　 　 　 　
α (10-7/℃) 84.6 86.6 82.3 83 80.1 83.8 81 78.9
ρ(gm/cc) 2.451 2.489 2.45 2.452 2.461 2.469 2.489 2.455
　 　 　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1652 1646 1633 1623 1631 1635 　 1656
Tliq (℃) 990 1025 1040 1040 985 1010 1130 1070
ηliq (kP) 765 771 360 261 558 552 　 157
실시예 28 29 30 31 32 33 34 35
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.00 14.80 14.00 14.00 11.50 12.50 14.80 14.00
K2O 0 0 0 0 3.9 3.9 0 0
MgO 2.00 2.75 0 2.00 0 0 3.60 0
CaO 2.00 1.45 4.00 2.00 7.60 7.60 1.90 0
SrO 1.00 0.70 0 1.00 0 0 0.90 5.00
ZnO 0 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 0 0 0 0
Al2O3 11.00 12.30 12.00 11.00 16.00 16.00 10.80 11.00
TiO2 0 0 0 2.00 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 1.50 0
SiO2 69.90 67.90 69.90 67.90 60.90 59.90 66.40 69.90
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 13.30 14.00 13.30 13.20 10.40 11.30 14.00 12.90
K2O 0 0 0 0 5.39 5.39 0 0
MgO 1.24 1.70 0 1.23 0 0 2.22 0
CaO 1.73 1.25 3.44 1.72 6.26 6.26 1.63 0
SrO 1.59 1.11 0 1.58 0 0 1.42 7.70
ZnO 0 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 0 0 0 0
Al2O3 17.30 19.20 18.70 17.20 24.00 23.90 16.80 16.70
TiO2 0 0 0 2.44 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 2.82 0
SiO2 64.60 62.50 64.30 62.40 53.70 52.80 60.90 62.40
SnO2 0.23 0.23 0.23 0.23 0.22 0.22 0.22 0.22
　 　 　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 585 602 599 595 626 624 614 570
Tann (℃) 639 656 654 641 678 669 662 618
Ts 　 　 　 　 　 　 　 　
α(10-7/℃) 77.6 79.6 77.8 78.4 88.9 91.4 79 79.1
ρ (gm/cc) 2.458 2.455 2.44 2.479 2.51 2.516 2.516 2.536
　 　 　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1681 1682 1725 　 　 　 1605 　
Tliq (℃) 1030 1040 1040 1035 1080 1110 1010 1060
ηliq (kP) 536 790 848 　 　 　 910 　
실시예 36 37 38 39 40 41 42 43
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.00 16.00 14.00 13.00 13.00 13.00 13.00 13.00
K2O 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 5.00 4.50 4.00 3.50 3.50 3.00 5.90
CaO 0 0 0 4.00 3.50 3.50 3.00 0
SrO 0 0 0 0 0 0 0 0
ZnO 5.00 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 1.00 0 0 0
Al2O3 11.00 9.00 8.20 10.00 9.00 10.00 9.00 8.08
TiO2 0 0 0 0 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 0 0
SiO2 69.90 70.00 73.50 69.00 70.00 70.00 72.00 73.00
SnO2 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　 　 　
Na2O 13.10 15.61 13.70 12.60 12.64 12.58 12.64 12.81
K2O 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 3.18 2.87 2.53 2.22 2.21 1.9 3.81
CaO 0 0 0 3.52 3.09 3.08 2.65 0
SrO 0 0 0 0 0 0 0 0
ZnO 6.16 0 0 0 0 0 0 0
B2O3 0 0 0 0 1.11 0 0 0
Al2O3 17.00 14.49 13.24 16.00 14.44 15.97 14.44 13.14
TiO2 0 0 0 0 0 0 0 0
ZrO2 0 0 0 0 0 0 0 0
SiO2 63.50 66.43 69.92 65.06 66.22 65.87 68.08 69.95
SnO2 0.23 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24 0.24
　 　 　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 617 570 580 600 572 594 578 592
Tann (℃) 671 621 634 650 620 646 631 650
Ts 　 854 886 880 851 888 878 915
α (10-7/℃) 　 82.9 76.6 74.3 75.8 74.1 73 71.5
ρ (gm/cc) 2.497 2.429 2.392 2.457 2.443 2.445 2.432 2.404
　 　 　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 　 1641 1731 1641 1637 1664 1678 1687
Tliq (℃) 1010 970 985 1105 1050 1090 1050 1030
ηliq (kP) 　 1223 2127 104 177 178 338 668
실시예 44 45 46
조성(mol%) 　 　 　
Na2O 15.00 15.34 11.90
K2O 0 0 0
MgO 0 0 5.00
CaO 3.40 0.59 0
SrO 0 0 0
ZnO 0 0 0
B2O3 0 5.00 2.00
Al2O3 11.50 16.03 9.00
TiO2 0 0 0
ZrO2 0 0 0
SiO2 70.00 62.94 72.00
SnO2 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　
Na2O 14.23 14.02 11.6
K2O 0 0 0
MgO 0 0 3.18
CaO 2.93 0.49 0
SrO 0 0 0
ZnO 0 0 0
B2O3 0 5.15 2.20
Al2O3 18.00 24.17 14.48
TiO2 0 0 0
ZrO2 0 0 0
SiO2 64.57 55.92 68.26
SnO2 0.23 0.23 0.23
　 　 　 　
Tstr (℃) 589 609 591
Tann (℃) 638 668 645
Ts 876 954 918
α (10-7/℃) 80 80.7 68.1
ρ(gm/cc) 2.445 2.405 2.395
　 　 　 　
T200 (℃) 　 　 　
Tliq (℃) 1010 none 1110
ηliq (kP) 　 　 　
실시예 47 48 49 50 51 52
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.80 14.85 14.88 14.80 14.80 14.80
MgO 3.60 1.38 0.69 3.85 3.60 3.30
CaO 1.90 3.73 4.86 2.05 1.90 1.75
SrO 0.90 0.35 0.18 1.00 0.90 0.85
Al2O3 10.80 13.15 13.58 12.30 12.80 13.30
ZrO2 1.00 0 0 0 0 0
SiO2 66.90 66.44 65.71 65.90 65.90 65.90
SnO2 0.10 0.10 0 0.10 0.10 0.10
　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 14.00 14.00 14.00 14.00 14.00 13.90
MgO 2.23 0.85 0.42 2.38 2.22 2.03
CaO 1.63 3.19 4.14 1.76 1.63 1.49
SrO 1.43 0.55 0.28 1.59 1.43 1.34
Al2O3 16.90 20.40 21.00 19.20 20.00 20.70
ZrO2 1.89 0 0 0 0 0
SiO2 61.60 60.80 59.90 60.70 60.50 60.30
SnO2 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23
　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 607 612 616 606 621 623
Tann (℃) 654 663 666 657 670 675
Ts 　 　 　 　 　 　
α (10-7/℃) 79.8 80.5 81.3 79.4 78.8 79.6
ρ(gm/cc) 2.501 2.474 2.479 2.482 2.476 2.474
　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1628 　 　 1641 　 1668
Tliq (℃) 1015 1050 1045 1060 1070 1080
ηliq (kp) 817 　 　 358 　 475
실시예 53 54 55 56 57 58
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 13.50 14.90 13.19 14.90 15.58 16.93
K2O 0 0 0.98 0 0 0
MgO 0 0 5.68 0 0 0
CaO 4.50 6.00 1.17 2.00 4.92 1.60
SrO 0 0 0.38 0 0 0
ZnO 0 0 0 4.00 0 0
Al2O3 12.00 14.00 9.50 14.00 15.34 18.57
ZrO2 0 0 0 0 0 0
SiO2 70.00 65.00 67.31 65.00 64.09 58.80
SnO2 0.10 0 0.10 0.10 0.10 0.01
　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 12.77 13.93 12.87 13.73 14.42 15.25
K2O 0 0 1.46 0 0 0
MgO 0 0 3.62 0 0 0
CaO 3.86 5.09 1.04 1.67 4.14 1.31
SrO 0 0 0.62 0 0 0
ZnO 0 0 0 4.85 0 0
Al2O3 18.72 21.60 15.29 21.28 23.44 27.6
ZrO2 0 0 　 0 0 0
SiO2 64.38 59.10 63.87 58.23 57.67 51.5
SnO2 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23 0.23
　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 613 619 588 623 636 617
Tann (℃) 666 669 637 675 686 675
Ts 911 899 872 924 919 937
α(10-7/℃) 75.6 81.6 80.1 79.4 82.4 83.1
ρ (gm/cc) 2.449 2.484 2.549 2.519 2.482 2.442
　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1744 1641 　 　 1679 1634
Tliq (℃) 1040 1050 1000 1035 1040 1050
ηliq (kp) 985 521 　 　 1927 1279
실시예 59 60 61 62 63 64
조성(mol%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 12.57 12.27 10.77 11.07 10.82 11.58
K2O 2.30 2.24 2.24 3.44 2.79 2.30
MgO 4.81 4.69 4.69 3.39 3.64 6.20
CaO 2.60 2.00 3.00 3.15 3.15 0.60
SrO 0 1.00 1.50 1.56 1.56 0
ZnO 0 0 0 0 0 0
Al2O3 8.70 10.44 10.44 12.15 11.30 7.61
ZrO2 0 0 0 0 0 0
SiO2 68.82 67.16 67.16 65.13 66.63 71.51
SnO2 0.20 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20
　 　 　 　 　 　 　
조성(wt%) 　 　 　 　 　 　
Na2O 12.17 11.65 10.20 10.28 10.14 11.32
K2O 3.39 3.24 3.24 4.87 3.99 3.43
MgO 3.04 2.91 2.90 2.05 2.23 3.96
CaO 2.28 1.72 2.58 2.66 2.68 0.53
SrO 0 1.59 2.38 2.43 2.45 0
ZnO 0 0 0 0 0 0
Al2O3 13.88 16.36 16.32 18.62 17.48 12.27
ZrO2 0 0 0 0 0 0
SiO2 64.73 62.01 61.86 58.80 60.74 67.97
SnO2 0.47 0.46 0.46 0.23 0.23 0.48
　 　 　 　 　 　 　
Tstr (℃) 560 584 598 592 593 571
Tann (℃) 610 634 648 642 644 622
Ts 837.6 866.1 876.6 871.8 876.8 866.8
α (10-7/℃) 86.5 85.2 81.2 88.3 84.9 82.4
ρ (gm/cc) 2.459 2.483 2.498 2.507 2.500 2.428
　 　 　 　 　 　 　
T200 (℃) 1629 1641 1650 1630 1663 1677
Tliq (℃) 1005 1040 1090 1040 1070 915
ηliq (kp) 370 384 143 338 282 　4800
본 발명의 정신 또는 범위로부터 벗어나는 일없이 본 발명에 대해서 다양한 변경 및 변동이 가능하다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 수반된 청구범위 및 그 상응하는 부분의 범위 내에 있는 것이면 본 발명의 변경 및 변동을 포함한 것을 알 수 있다.

Claims (35)

  1. 50 내지 72 % SiO2;
    15 초과 내지 25 % Al2O3;
    0 내지 10 % B2O3;
    10 내지 25 %의 총 M2O; 및
    0 초과 내지 25 %의 총 RO
    를 중량%로 포함하고,
    M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속인 유리.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 유리.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 유리는 0.5 내지 14 중량% 미만의 RO를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유리는 4중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 유리.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  12. 청구항 7에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  13. 청구항 1에 따른 유리를 포함한 광전지 장치
  14. 50 내지 72 % SiO2;
    10 내지 25 % Al2O3;
    0 내지 10 % B2O3;
    10 내지 25 % 총 M2O; 및
    0.5 내지 14 % 미만의 RO을 중량%로 포함하고;
    M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs 로부터 선택된 알칼리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속인 유리.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 유리.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  19. 청구항 14에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 유리.
  20. 청구항 14에 따른 유리를 포함한 광전지 장치.
  21. 50 내지 72 % SiO2;
    10 내지 25 % Al2O3;
    0 내지 10 % B2O3;
    10 내지 25 % 총 M2O; 및
    0 초과 내지 25 % 총 RO를 중량%로 포함한 유리를 포함하고,
    M은 Na, K, Li, Rb, 및 Cs로부터 선택된 알카리 금속이고, 상기 유리는 9중량% 이상의 Na2O를 포함하고, R은 Mg, Ca, Ba, 및 Sr로부터 선택된 알칼리 토금속인 광전지 장치.
  22. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 535℃ 이상의 변형점, 50 x 10-7 이상의 열팽창계수를 갖고, 130,000 poise 이상의 액체 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  23. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 15 초과 내지 25 중량% Al2O3를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  24. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 55 내지 72 중량% SiO2를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  25. 청구항 24에 있어서, 상기 유리는 15 초과 내지 25 중량%의 Al2O3를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  26. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 9 내지 17 중량%의 Na2O를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  27. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 0.5 내지 14 중량% 미만의 RO를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  28. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 15 초과 내지 25% Al2O3를 포함하고, 0.5 내지 14% 미만의 RO를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  29. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 시트 형상인 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  30. 청구항 29에 있어서, 상기 유리는 시트 형상이고 기판 또는 슈퍼스트레이트(superstrate)인 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  31. 청구항 30에 있어서, 상기 광전지 장치는 기판 또는 슈퍼스트레이트에 인접한, 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드 또는 카드뮴 텔루라이드를 포함한 활성 광전지 매체를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  32. 청구항 31에 있어서, 상기 광전지 장치는 상기 활성 광전지 매체와 상기 기판 또는 슈퍼스트레이트 사이에 배리어층을 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  33. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  34. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
  35. 청구항 21에 있어서, 상기 유리는 2.5 중량% 미만의 MgO 및 4 중량% 미만의 K2O를 포함한 것을 특징으로 하는 광전지 장치.
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7593154B2 (en) * 2005-10-11 2009-09-22 Sage Electrochromics, Inc. Electrochromic devices having improved ion conducting layers
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
FR2948356B1 (fr) 2009-07-22 2011-08-19 Saint Gobain Dispositif electrochrome
US8647995B2 (en) * 2009-07-24 2014-02-11 Corsam Technologies Llc Fusion formable silica and sodium containing glasses
DE102009044142A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Dünnschicht-Bauelement auf Glas, ein Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
EP2492247A1 (en) * 2009-10-20 2012-08-29 Asahi Glass Company, Limited Glass sheet for cu-in-ga-se solar cells, and solar cells using same
US9302937B2 (en) 2010-05-14 2016-04-05 Corning Incorporated Damage-resistant glass articles and method
KR20130072187A (ko) * 2010-05-19 2013-07-01 아사히 가라스 가부시키가이샤 화학 강화용 유리 및 디스플레이 장치용 유리판
CN102933515A (zh) * 2010-06-03 2013-02-13 旭硝子株式会社 玻璃基板及其制造方法
DE102010023366B4 (de) * 2010-06-10 2017-09-21 Schott Ag Verwendung von Gläsern für Photovoltaik-Anwendungen
JP2012036074A (ja) * 2010-07-12 2012-02-23 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板
US8492297B2 (en) * 2010-08-25 2013-07-23 Sage Electrochromics, Inc. Silica soda lime glass composition and use thereof
JP5909937B2 (ja) * 2010-09-09 2016-04-27 日本電気硝子株式会社 半導体パッケージ用カバーガラス及びその製造方法
US9434644B2 (en) * 2010-09-30 2016-09-06 Avanstrate Inc. Cover glass and method for producing cover glass
JP5834793B2 (ja) * 2010-12-24 2015-12-24 旭硝子株式会社 化学強化ガラスの製造方法
JP5612233B1 (ja) * 2010-12-24 2014-10-22 旭硝子株式会社 化学強化用ガラス
FR2972446B1 (fr) 2011-03-09 2017-11-24 Saint Gobain Substrat pour cellule photovoltaique
WO2012131824A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 日本板硝子株式会社 化学強化に適したガラス組成物、および化学強化ガラス物品
TWI572480B (zh) 2011-07-25 2017-03-01 康寧公司 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層
US9517966B2 (en) 2011-10-25 2016-12-13 Corning Incorporated Glass compositions with improved chemical and mechanical durability
RU2691186C2 (ru) 2011-10-25 2019-06-11 Корнинг Инкорпорейтед Щелочноземельные алюмосиликатные стеклянные композиции с улучшенной химической и механической стойкостью
EP2683666B1 (en) 2011-10-25 2017-12-13 Corning Incorporated Glass compositions with improved chemical and mechanical durability
US10350139B2 (en) 2011-10-25 2019-07-16 Corning Incorporated Pharmaceutical glass packaging assuring pharmaceutical sterility
EP2771294B1 (en) 2011-10-25 2017-12-13 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
KR20140088109A (ko) * 2011-10-31 2014-07-09 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 기판 및 그 제조 방법
KR101930681B1 (ko) * 2011-11-18 2018-12-18 에이지씨 가부시키가이샤 화학 강화용 유리
IN2014DN07444A (ko) 2012-02-29 2015-04-24 Corning Inc
US9701580B2 (en) * 2012-02-29 2017-07-11 Corning Incorporated Aluminosilicate glasses for ion exchange
US8746010B2 (en) * 2012-03-12 2014-06-10 Corning Incorporated Methods for reducing zirconia defects in glass sheets
US10273048B2 (en) 2012-06-07 2019-04-30 Corning Incorporated Delamination resistant glass containers with heat-tolerant coatings
CN110698059B (zh) 2012-10-04 2022-07-29 康宁股份有限公司 由光敏玻璃制成的压缩应力化层合玻璃制品及制备所述制品的方法
CN111763009A (zh) * 2012-10-04 2020-10-13 康宁股份有限公司 具有玻璃层和玻璃陶瓷层的制品以及该制品的制造方法
US11352287B2 (en) 2012-11-28 2022-06-07 Vitro Flat Glass Llc High strain point glass
US20140238481A1 (en) * 2013-02-28 2014-08-28 Corning Incorporated Sodium out-flux for photovoltaic cigs glasses
US9707155B2 (en) 2013-04-24 2017-07-18 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9849066B2 (en) 2013-04-24 2017-12-26 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9603775B2 (en) 2013-04-24 2017-03-28 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9717649B2 (en) 2013-04-24 2017-08-01 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9707153B2 (en) 2013-04-24 2017-07-18 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9707154B2 (en) 2013-04-24 2017-07-18 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9700486B2 (en) 2013-04-24 2017-07-11 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9717648B2 (en) 2013-04-24 2017-08-01 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9700485B2 (en) 2013-04-24 2017-07-11 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9839579B2 (en) 2013-04-24 2017-12-12 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
US9713572B2 (en) 2013-04-24 2017-07-25 Corning Incorporated Delamination resistant pharmaceutical glass containers containing active pharmaceutical ingredients
KR102225583B1 (ko) * 2013-04-29 2021-03-10 코닝 인코포레이티드 광기전력 모듈 패키지
US9257585B2 (en) * 2013-08-21 2016-02-09 Siva Power, Inc. Methods of hermetically sealing photovoltaic modules using powder consisting essentially of glass
MY175492A (en) 2013-09-20 2020-06-30 Lintec Corp Curable composition, curing product, and method for using curable composition
DE102013019003A1 (de) * 2013-11-13 2015-05-13 Taiwan Glass Ind. Corp. Alkali-Alumino-Silikatglas
JP6976057B2 (ja) * 2013-11-20 2021-12-01 コーニング インコーポレイテッド 耐スクラッチアルミノホウケイ酸ガラス
CN115504681A (zh) 2014-10-07 2022-12-23 康宁股份有限公司 具有确定的应力分布的玻璃制品及其生产方法
EP3304219B1 (en) * 2015-06-05 2023-09-27 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. System and method for superior performance with respect to best performance values in model predictive control applications
DE102015116097B4 (de) * 2015-09-23 2017-09-21 Schott Ag Chemisch beständiges Glas und dessen Verwendung
WO2017066243A1 (en) * 2015-10-14 2017-04-20 Corning Incorporated Laminated glass article with determined stress profile and method for forming the same
KR102642779B1 (ko) * 2015-10-22 2024-03-05 코닝 인코포레이티드 고 투과 유리
CN105565647A (zh) * 2015-12-14 2016-05-11 厦门博恩思应用材料科技有限公司 一种不完全熔合玻璃组及其制备方法
US10899653B2 (en) 2017-01-09 2021-01-26 Corning Incorporated Ion-exchangeable glass with low coefficient of thermal expansion
US11214512B2 (en) 2017-12-19 2022-01-04 Owens Coming Intellectual Capital, LLC High performance fiberglass composition
GB201806356D0 (en) * 2018-04-18 2018-05-30 Alzahrani Ali Saleh A Chemically strengthened glass-ceramics
WO2021119750A1 (en) * 2019-12-18 2021-06-24 Macquarie University Aluminosilicate glass
US20240300848A1 (en) * 2021-08-17 2024-09-12 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass substrate for space-based solar power generation

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4156755A (en) 1978-04-19 1979-05-29 Ppg Industries, Inc. Lithium containing ion exchange strengthened glass
US4298389A (en) * 1980-02-20 1981-11-03 Corning Glass Works High transmission glasses for solar applications
JP2743333B2 (ja) 1989-10-31 1998-04-22 日本電気硝子株式会社 基板用ガラス
US5631195A (en) * 1994-09-14 1997-05-20 Asahi Glass Company Ltd. Glass composition and substrate for plasma display
JP3831957B2 (ja) 1994-09-14 2006-10-11 旭硝子株式会社 ガラス組成物及びプラズマディスプレー用基板
JPH0936400A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Asahi Glass Co Ltd 太陽電池用ガラス基板及びその製造方法
US5674790A (en) 1995-12-15 1997-10-07 Corning Incorporated Strengthening glass by ion exchange
JPH10152339A (ja) 1996-09-27 1998-06-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 耐熱性ガラス組成物
JP3904158B2 (ja) 1996-11-27 2007-04-11 Ｈｏｙａ株式会社 テクスチャー付磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
US6060168A (en) 1996-12-17 2000-05-09 Corning Incorporated Glasses for display panels and photovoltaic devices
US5972460A (en) 1996-12-26 1999-10-26 Hoya Corporation Information recording medium
JPH10241134A (ja) 1996-12-26 1998-09-11 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板及びこれを用いた磁気記録媒体
FR2758550B1 (fr) 1997-01-17 1999-02-12 Saint Gobain Vitrage Compositions de verre silico-sodo-calcique et leurs applications
JPH11135819A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物薄膜太陽電池
JPH11180727A (ja) 1997-12-22 1999-07-06 Central Glass Co Ltd 表示装置用基板ガラス組成物
JPH11180728A (ja) 1997-12-22 1999-07-06 Central Glass Co Ltd ディスプレイ装置用基板ガラス組成物
JP4320823B2 (ja) 1998-02-27 2009-08-26 旭硝子株式会社 基板用ガラス組成物
JPH11302032A (ja) * 1998-04-17 1999-11-02 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス組成物およびそれを用いた情報記録媒体用基板
JPH11310433A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Central Glass Co Ltd 表示装置用基板ガラス
JPH11335133A (ja) 1998-05-27 1999-12-07 Central Glass Co Ltd 表示装置用基板ガラス
US6319867B1 (en) * 1998-11-30 2001-11-20 Corning Incorporated Glasses for flat panel displays
US6207603B1 (en) * 1999-02-05 2001-03-27 Corning Incorporated Solar cell cover glass
DE60006176T2 (de) 1999-03-25 2004-04-22 Central Glass Co., Ltd., Ube Glaszusammensetzung, durch Ionenaustausch verstärkter Glasgegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3959588B2 (ja) 1999-05-13 2007-08-15 日本板硝子株式会社 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体
DE19934072C2 (de) * 1999-07-23 2001-06-13 Schott Glas Alkalifreies Aluminoborosilicatglas, seine Verwendungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19939789A1 (de) * 1999-08-21 2001-02-22 Schott Glas Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und deren Verwendungen
DE19942259C1 (de) * 1999-09-04 2001-05-17 Schott Glas Erdalkalialuminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
DE10000836B4 (de) 2000-01-12 2005-03-17 Schott Ag Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen
DE10005088C1 (de) 2000-02-04 2001-03-15 Schott Glas Alkalihaltiges Aluminoborosilicatglas und seine Verwendung
JP2002003241A (ja) 2000-06-19 2002-01-09 Central Glass Co Ltd プレス成形用ガラスおよび情報記録媒体用基板ガラス
JP2002025762A (ja) 2000-07-04 2002-01-25 Nippon Electric Glass Co Ltd 無機ｅｌディスプレイガラス基板
JP2002053340A (ja) 2000-08-09 2002-02-19 Nippon Electric Glass Co Ltd 無機ｅｌディスプレイガラス基板
JP2002175844A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Seiko Epson Corp 太陽電池
JP2002174810A (ja) 2000-12-08 2002-06-21 Hoya Corp ディスプレイ用ガラス基板及びその製造方法並びにこれを用いたディスプレイ
DE10064804C2 (de) * 2000-12-22 2003-03-20 Schott Glas Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendung
JP3702360B2 (ja) 2001-01-04 2005-10-05 日本板硝子株式会社 化学強化用のガラス素板の製造方法
JP4785274B2 (ja) * 2001-05-29 2011-10-05 日本板硝子株式会社 ガラス物品およびそれを用いた磁気記録媒体用ガラス基板
JP3995902B2 (ja) * 2001-05-31 2007-10-24 Ｈｏｙａ株式会社 情報記録媒体用ガラス基板及びそれを用いた磁気情報記録媒体
JP4863580B2 (ja) * 2001-07-25 2012-01-25 京セラ株式会社 ガラス組成物および絶縁皮膜、並びにシリコンデバイス
US6753279B2 (en) * 2001-10-30 2004-06-22 Corning Incorporated Glass composition for display panels
JP2003212591A (ja) * 2002-01-25 2003-07-30 Hoya Corp 陰極線管パネル用母材ガラス、陰極線管用パネルおよびその製造方法
JP2003261352A (ja) 2002-03-08 2003-09-16 Asahi Techno Glass Corp ディスプレイ用ガラスおよびディスプレイ用ガラス部品
JP4446683B2 (ja) * 2002-05-24 2010-04-07 Ｈｏｙａ株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板
US7309671B2 (en) 2002-05-24 2007-12-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass composition, glass article, glass substrate for magnetic recording media, and method for producing the same
WO2004009504A1 (ja) 2002-07-24 2004-01-29 Nippon Sheet Glass Company, Limited レーザ加工用ガラス
US6992030B2 (en) * 2002-08-29 2006-01-31 Corning Incorporated Low-density glass for flat panel display substrates
JP2004131314A (ja) 2002-10-09 2004-04-30 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜付き化学強化ガラス基板、およびその製造方法
JP4320772B2 (ja) 2003-02-13 2009-08-26 日本電気硝子株式会社 フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板
JP4656863B2 (ja) * 2003-06-06 2011-03-23 Ｈｏｙａ株式会社 ジルコニウムを含むガラス組成物、化学強化ガラス物品、磁気記録媒体用ガラス基板、およびガラス板の製造方法
US7273668B2 (en) 2003-06-06 2007-09-25 Hoya Corporation Glass composition including zirconium, chemically strengthened glass article, glass substrate for magnetic recording media, and method of producing glass sheet
JP2006083045A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Hitachi Ltd ガラス部材
EP1810344A2 (en) * 2004-11-10 2007-07-25 Daystar Technologies, Inc. Pallet based system for forming thin-film solar cells
CN1298644C (zh) * 2005-02-28 2007-02-07 常熟市幸福玻璃建材有限公司 太阳能光伏电池组件的盖板玻璃的加工工艺
JP4977965B2 (ja) 2005-05-02 2012-07-18 旭硝子株式会社 無アルカリガラスおよびその製造方法
US8389852B2 (en) * 2006-02-22 2013-03-05 Guardian Industries Corp. Electrode structure for use in electronic device and method of making same
JP5232362B2 (ja) * 2006-04-17 2013-07-10 株式会社カネカ 集積化薄膜光電変換装置の製造方法および、その製造方法で得られうる集積化薄膜光電変換装置。
SG10201606460SA (en) 2006-06-08 2016-09-29 Hoya Corp Glass for use in substrate for information recording medium, substrate for information recording medium and information recording medium, and their manufacturing method
DE102006042620B4 (de) 2006-09-04 2012-01-26 Schott Ag Verwendung eines Aluminoborosilikatglases als Substratglas
JP5071878B2 (ja) 2006-09-12 2012-11-14 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラスおよびこれを用いた無アルカリガラス基板
JP5808069B2 (ja) * 2007-02-16 2015-11-10 日本電気硝子株式会社 太陽電池用ガラス基板
KR20080079058A (ko) * 2007-02-26 2008-08-29 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 모듈과 그의 제조방법
JP5483821B2 (ja) * 2007-02-27 2014-05-07 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 表示装置用ガラス基板および表示装置
US7666511B2 (en) * 2007-05-18 2010-02-23 Corning Incorporated Down-drawable, chemically strengthened glass for cover plate
US8349454B2 (en) * 2007-06-07 2013-01-08 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Strengthened glass substrate and process for producing the same
JP5234387B2 (ja) 2007-06-12 2013-07-10 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラスおよび無アルカリガラス基板並びにその製造方法
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
JP5467490B2 (ja) * 2007-08-03 2014-04-09 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板の製造方法及び強化ガラス基板
JP5339173B2 (ja) * 2007-09-27 2013-11-13 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びガラス並びに強化ガラス基板の製造方法
JP5103145B2 (ja) * 2007-11-15 2012-12-19 シャープ株式会社 光電変換装置用基板およびそれを用いた光電変換装置
AT10578U1 (de) 2007-12-18 2009-06-15 Plansee Metall Gmbh Dunnschichtsolarzelle mit molybdan-haltiger ruckelektrodenschicht
DE202009018722U1 (de) * 2008-02-26 2012-11-21 Corning Inc. Läutermittel für Silikatgläser
US8232218B2 (en) * 2008-02-29 2012-07-31 Corning Incorporated Ion exchanged, fast cooled glasses
CN102007079A (zh) * 2008-04-21 2011-04-06 旭硝子株式会社 显示面板用玻璃板、其制造方法及tft面板的制造方法
US20110094584A1 (en) * 2008-06-17 2011-04-28 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Solar cell substrate and oxide semiconductor electrode for dye-sensitized solar cell
JP5867953B2 (ja) * 2008-06-27 2016-02-24 日本電気硝子株式会社 強化ガラスおよび強化用ガラス
JP5614607B2 (ja) 2008-08-04 2014-10-29 日本電気硝子株式会社 強化ガラスおよびその製造方法
JP5644043B2 (ja) 2008-11-26 2014-12-24 横河電機株式会社 波長校正装置
US8647995B2 (en) * 2009-07-24 2014-02-11 Corsam Technologies Llc Fusion formable silica and sodium containing glasses
US8802581B2 (en) 2009-08-21 2014-08-12 Corning Incorporated Zircon compatible glasses for down draw
JP2011226137A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Okabe Co Ltd 入隅部補強金物
CN102933515A (zh) 2010-06-03 2013-02-13 旭硝子株式会社 玻璃基板及其制造方法

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