JPH0936400A

JPH0936400A - 太陽電池用ガラス基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0936400A
Application number: JP7189536A
Authority: JP
Inventors: Makoto Fukawa; 真府川; Takashi Tsukamoto; 隆志塚本; Kazuo Sato; 一夫佐藤
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1995-07-25
Filing date: 1995-07-25
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【課題】ガラス基板の強化により充分な強度を有し反り
量を充分低減した太陽電池用ガラス基板を得る。【解決手段】下地ガラス板１上に透明導電膜３が形成さ
れた太陽電池用ガラス基板４において、上記透明導電膜
３のキャリア濃度が１×１０²⁰／ｃｍ³ 以上５×１０²⁰
／ｃｍ³ 未満であり、前記ガラス基板４は、６２０℃超
６４０℃未満の熱処理後の急冷処理による強化処理が施
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファスシリ
コン太陽電池に使用される太陽電池用ガラス基板及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン太陽電池は、下地
となるガラス板上に透明導電膜を形成したガラス基板を
作成し、このガラス基板上にｐ型、ｉ型及びｎ型の３層
ａ−Ｓｉからなるアモルファスシリコン半導体層を積層
しその上にアルミニウム電極層を設けたものである。

【０００３】このような太陽電池用ガラス基板は、充分
な透光性を有するとともに精度の高い配線パターン及び
安定した抵抗特性を得るために充分な平坦性を有し反り
の少ない形状であることが必要であり、かつ屋外に設置
されるため取付けの信頼性及び耐久性の点で充分な強度
が要求される。

【０００４】一方、ガラス板の物理的強化方法の一つと
して、ガラス板を一旦高温に加熱した後、急冷すること
により、ガラス表面側に圧縮応力層を形成して内層との
間に潜在応力歪を形成してガラスを強化する急冷強化方
法が実用化されている。

【０００５】こうしたガラス強化方法を太陽電池用ガラ
ス基板の製造に適用した例（特開平１−１０３８８２）
によれば、例えばガラス板サイズが３０５ｍｍ×３０５
ｍｍ×３ｍｍｔのガラス板に適用した場合に、反り量は
３％以内に収められる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記公知技術
を用いた場合、３％の反りは上記サイズのガラス板に対
し最大反り量で６ｍｍの変位を生じることになり、建築
部材用の太陽電池モジュールを形成する場合に反り量の
抑制が不充分となる場合がある。

【０００７】また、透明導電膜の抵抗特性はそのキャリ
ア濃度に依存し、キャリア濃度が低いほど比抵抗が大き
くなるため、実用上ある程度以上のキャリア濃度が必要
になる。しかし、キャリア濃度を大きくするとガラス基
板の強化工程での温度条件や膜厚によっては、クラック
の発生や破砕が起こるという問題があった。

【０００８】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、ガラス基板の急冷強化法により充分
な強度を得るとともに反り量を充分低減して実施上信頼
性の高い太陽電池モジュールを形成可能なガラス基板の
提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、下地ガラス板
上に透明導電膜が形成された太陽電池用ガラス基板にお
いて、上記透明導電膜のキャリア濃度が１×１０²⁰／ｃ
ｍ³ 以上５×１０²⁰／ｃｍ³ 未満であるとともに前記ガ
ラス基板は、６２０℃超６４０℃未満の熱処理後の急冷
処理による強化処理が施されていることを特徴とする太
陽電池用ガラス基板を提供する。

【００１０】好ましい実施態様では、前記下地ガラス板
の厚さは、３〜６ｍｍである。

【００１１】別の好ましい実施態様では、前記透明導電
膜の膜厚は、７００〜１０００ｎｍである。

【００１２】さらに別の好ましい実施態様では、前記下
地ガラス板の線膨張係数は、３０×１０^-7Ｋ^-1以上であ
る。

【００１３】本発明はさらに、下地ガラス板上に常圧Ｃ
ＶＤ法によりフッ素含有酸化錫からなる透明導電膜を形
成する工程と、この透明導電膜が形成された下地ガラス
板を熱処理しその後急冷する強化工程とを有する太陽電
池用ガラス基板の製造方法において、前記透明導電膜形
成工程におけるＣＶＤ反応ガス中のフッ素含有量の調整
によりキャリア濃度を１×１０²⁰／ｃｍ³ 以上５×１０
²⁰／ｃｍ³ 未満とするとともに前記熱処理は６２０℃超
６４０℃未満で行うことを特徴とする太陽電池用ガラス
基板の製造方法を提供する。

【００１４】

【作用】透明導電膜のキャリア濃度は、１×１０²⁰／ｃ
ｍ³ 以上とすることにより実用上充分な比抵抗が得ら
れ、５×１０²⁰／ｃｍ ³未満とすることにより強化工程
の急冷時における破砕が防止される。

【００１５】ガラスの加熱温度を６２０℃超６４０℃未
満とすることにより、ガラス基板の反り量を充分抑えか
つクラックの発生を防止する。

【００１６】ガラス板厚を３ｍｍ以上とすることにより
反り量が充分に抑制され、６ｍｍ以下とすることにより
実用的な取扱い性や透光性及び重量の点で使用性の向上
が図られる。

【００１７】透明導電膜の膜厚を７００ｎｍ以上とする
ことにより抵抗値を充分小さく抑えられ、１０００ｎｍ
以下とすることによりガラス基板の変形量を充分小さく
抑えられる。

【００１８】ガラス板の線膨張係数を３０×１０^-7Ｋ^-1
以上とすることにより、充分な急冷強化が達成されると
ともに透明導電膜との線膨張係数との差が小さくなり熱
応力による破損が防止される。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は本発明が適用される太陽電
池の断面図である。ソーダライムシリケートガラス等か
らなる下地ガラス板１上にアルカリバリヤ層２が形成さ
れ、その上に透明導電膜３が積層される。これらにより
太陽電池用ガラス基板４が構成される。このガラス基板
４の透明導電膜３上にｐ型、ｉ型及びｎ型の３層ａ−Ｓ
ｉ（図示せず）からなるアモルファスシリコン素子層５
を積層し、その上にアルミニウム電極層６が形成され
る。

【００２０】図２は、上記構成のアモルファスシリコン
太陽電池のガラス基板４の製造装置の構成を示す。下地
ガラス板１は適当なコンベヤ手段により常圧ＣＶＤ装置
７内に搬入される。このＣＶＤ装置７内でまずＳｉＨ₄
からなる反応ガスＡが供給されガラス板１上にＳｉＯ₂
からなるアルカリバリヤ層２が形成される。

【００２１】続いて同じＣＶＤ装置７内で、ＳｎＣｌ₄
とＨＦとからなる反応ガスＢを供給してＦを含むＳｎＯ
₂ からなる透明導電膜３を積層しガラス基板４を形成す
る。その後このガラス基板４を加熱炉８内に搬入し所定
の温度に加熱し、これを急速に引き出して常温まで冷却
する。このとき冷却空気を吹き付けてもよい。これによ
りガラス基板が強化される。

【００２２】上記透明導電膜を有する基板（ＴＣＯ：Ｔ
ｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉ
ｄｅ基板）について以下に説明する。この強化ガラスＴ
ＣＯ基板の製造方法としては、加熱急冷して強化した下
地ガラス基板上にＴＣＯ膜を低温成膜する方法とＴＣＯ
膜を成膜後強化する方法の２通りが考えられる。本発明
者等は、より低コストで強化ＴＣＯが製造できることの
観点から、ＴＣＯ膜を成膜後強化する方法を採用するこ
とにした。

【００２３】本方法を用いる場合、ＴＣＯ膜に高い耐熱
性が要求されるため、ＴＣＯ膜の耐熱性及び熱処理に伴
う基板の変形について検討した結果、ＴＣＯ膜は６００
℃までの熱処理温度に耐えうるが、ソーダライムガラス
の強化に必要とされる６５０℃以上の温度では、基板が
熱変形しやすいことが判明した。

【００２４】また、ＴＣＯ膜の種類によっては膜中にク
ラックが生じるために電気的特性が劣化することが明ら
かになった。さらに、ＴＣＯ基板の耐熱性は熱処理温度
や膜のキャリア濃度、残留応力にも依存することが判明
し、基板の熱変形と膜中の残留応力が相乗することによ
って膜中にクラックが生じ電気的特性が劣化することが
推定された。

【００２５】これらの結果を基に、ＴＣＯ基板の耐熱性
をさらに向上させるために、熱変形に関する支配的因子
を明らかにする検討を継続して行った。すなわち、基板
の熱変形とキャリア濃度、板厚及びＴＣＯの膜厚との関
係について詳細に検討した。その結果を以下に示す。

【００２６】まず、強化試験についての検討は以下のと
おりである。強化試験はローラー搬送型のオフライン強
化装置を用いて行った。強化するＴＣＯ基板は３００ｍ
ｍ×４００ｍｍで厚みは４ｍｍとした。以前の基礎検討
の結果、ＴＣＯ膜のキャリア濃度により、ＴＣＯ基板の
機械的及び電気的耐熱性が異なることが判明している。
そこで本試験では耐熱性が異なる２種類のキャリア濃度
（２×１０²⁰ｃｍ^-3及び５×１０²⁰ｃｍ^-3）を有するＴ
ＣＯ基板について強化試験を行い、板反りや電気特性の
変化を比較検討した。強化のための加熱温度（炉の設定
温度）は６６０℃〜７１０℃の間で変化させた。

【００２７】なお、３００ｍｍ×４００ｍｍ基板の反り
量（％）は、図８（Ａ）に示すように、対角線の端から
中央までの長さに対する中央の高さ方向変位量の割合で
示した。

【００２８】上記加熱後の急冷方法によりＴＣＯ基板の
熱変形量の評価、落球試験、破砕試験、及び電気抵抗特
性の評価を行った。キャリア濃度２×１０²⁰ｃｍ^-3のＴ
ＣＯ基板を６５０℃、６４０℃、６２５℃及び６２０℃
の温度条件で強化した。

【００２９】ガラス表面温度が６５０℃の場合には最大
反り量は０．４８％であり、目視によりＴＣＯ膜全面に
クラックが観察された。このためシート抵抗は高く測定
不能であった。

【００３０】次にガラス表面温度を６４０℃に低下する
と最大反り量は０．２８％程度に減少し、ＴＣＯ膜面の
クラックはエッジ部分にわずかに観察されるのみとなっ
た。さらにガラス表面温度を６２５℃まで低下させるこ
とにより、反り量は最大で０．２０％以下となり、ＴＣ
Ｏ膜面のクラックは生じないことがわかった。さらに６
２０℃までガラス表面温度を下げた場合、風冷時にガラ
スが割れて粉砕してしまうことがわかった。

【００３１】以上の結果から、キャリア濃度が２×１０
²⁰ｃｍ^-3のＴＣＯ基板の場合、反りを最小にするように
基板を強化するためにはガラスの表面温度は、６２０℃
超６４０℃未満の範囲であることが必要で、さらに、６
２５℃であるのが好ましいことがわかった。

【００３２】次に強化ＴＣＯ基板の落球試験による破壊
検査に基づいて強度評価を行った。まず自動車用安全ガ
ラス試験方法（ＪＩＳ−Ｒ３２１２）に準じて鋼球２２
７ｇの落球試験により耐衝撃性を評価した。この結果、
強化したＴＣＯ基板ガラスは１ｍと１．５ｍの試験に合
格し、結晶系太陽電池モジュール用カバーガラスの基準
である１ｍ落球試験（ＪＩＳ−Ｃ８９１７）を上回る強
度が確認された。

【００３３】次にキャリア濃度２×１０²⁰ｃｍ^-3の強化
処理を施したＴＣＯ基板の破砕試験を行った。通常の強
化ガラスでは、破砕試験により全体が小片に分断して崩
壊するが、今回の強化試験により作製された強化ＴＣＯ
基板の割れ方は強化前の板ガラスの割れ方に近い。この
点と落球試験の結果をあわせて考慮すると、今回の強化
試験により作製された強化ＴＣＯ基板は強化応力がやや
小さい、いわゆる倍強度ガラスに近い特性を有するもの
と考えられる。

【００３４】一方、キャリア濃度５×１０²⁰ｃｍ^-3のＴ
ＣＯ基板を６４０℃及び６２５℃の温度条件で強化し
た。ガラス表面温度が６４０℃の場合には、ＴＣＯ膜面
にクラックが観察された。このためシート抵抗は高く測
定不能であった。また、ガラス表面温度が６２５℃の場
合には、風冷時にガラスが割れて粉砕してしまうことが
わかった。したがって、キャリア濃度は、実用上充分な
比抵抗が得られる１ｘ１０²⁰ｃｍ^-3以上で５×１０²⁰ｃ
ｍ^-3未満である必要がある。

【００３５】次に高温Ｘ線によるＴＣＯ膜の歪観察を以
下のように行った。高温雰囲気下におけるＴＣＯ基板の
熱的な挙動を調べるために高温Ｘ線回折によりＣＶＤ成
膜したＳｎＯ₂ （２００）面の格子面間隔のその場観察
を行った。測定方法の概念図を図３に示す。試料はＰｔ
台の上に載せ、サラウンドヒーターにより加熱した。温
度は試料表面温度で室温から６５０℃の範囲で行った。

【００３６】これまで結晶薄膜の格子面間隔の絶対値を
高温Ｘ線回折測定により正確に測定することは、試料や
試料ホルダの熱膨張により回折角がずれるために困難で
あった。しかし今回はＳｎＯ₂ 膜の歪の変化を検討する
ことが目的であるため、絶対値を評価する必要がない。
したがって回折面が常に基板面と水平になるように工夫
するだけで評価可能である。

【００３７】その際ホルダをバネで両側から引っ張り、
試料ホルダの熱膨張の影響を低減した。また試料の熱膨
張による回折角のずれは７００℃までは相対誤差にして
たかだか１．２％であり、今回の実験においては問題な
いことが簡単な幾何学的考察により明らかとなった。

【００３８】まずバルク試料を用いて格子面間隔の測定
により線膨張率が評価可能かどうか検討した。図４にα
−アルミナの表面温度（室温から７００℃）と（１０
４）面間隔の関係を示す。温度上昇とともに直線的に格
子面間隔が増加しており、この傾きから線膨張率を計算
すると、９．４×１０^-6／Ｋである。これは文献値
（８．３〜８．５×１０^-6／Ｋ：Ｓａｍｓｏｎｏｖ編；
「ＴＨＥＯＸＩＤＥＨＡＮＤＢＯＯＫ２ｎｄＥ
ｄ．」，ＩＦＩ／Ｐｌｅｎｕｍ（１９８２））とほぼ一
致することから昇温降温過程におけるバルク試料の格子
面間隔の変化から試料の線膨張率を求めることが可能で
あることを確認した。

【００３９】次にＴＣＯ膜の線膨張率とほぼ同等の値を
有する低膨張ガラス（線膨張率４９×１０^-7／Ｋ）上に
成膜したＳｎＯ₂ 膜及びソーダライムガラス（線膨張率
８１×１０^-7／Ｋ）上に成膜したＳｎＯ₂ 膜（通常のＴ
ＣＯ膜）について、試料表面温度を反りの生じない温度
範囲（室温から５００℃）で変化させたときの（２０
０）面間隔の変化を測定した。結果を図５に示す。

【００４０】いずれも可逆的な変化をするが、低膨張ガ
ラス上に成膜したＳｎＯ₂ 膜の（２００）面は表面温度
に対して正の傾きの直線関係を有するのに対し、ソーダ
ライムガラス上のＳｎＯ₂ （２００）面は表面温度によ
らずほぼ一定の値を示した。これらの結果は薄膜の場
合、面間隔の挙動はバルク試料とは異なり、試料の線膨
張率だけでなく膜と基板の線膨張率の差（バイメタル効
果）にも依存することを示している。

【００４１】すなわち低膨張ガラス上のＳｎＯ₂ （２０
０）面間隔はＳｎＯ₂ 膜の線膨張率（バルク値で約３５
×１０^-7／Ｋ）と基板の線膨張率がほぼ同等であるため
バイメタル効果の影響がなく、ＳｎＯ₂ 膜の熱膨張のみ
に依存する。これに対してソーダライム上のＳｎＯ₂ 膜
の面間隔の場合、基板と膜の線膨張率の差が大きいため
にＴＣＯ膜は温度上昇とともに面内に引張り応力を受け
る。すなわちＳｎＯ₂（２００）面間隔は基板に垂直方
向に減少する方向の力を受ける。この減少成分と熱膨張
による増加成分とが相殺するために見かけ上ほぼ一定の
値をとるものと考えられる。

【００４２】一方このソーダライム上のＴＣＯ基板を反
りの生じる６５０℃まで昇温すると図６に示すように、
５００℃まで昇温した場合とは異なり非可逆な過程をと
ることがわかる。すなわち６００℃から６５０℃にかけ
て面間隔は急激に増大し、冷却後もその値は保持され
る。これまでの実験結果によると６００℃熱処理後の反
り量は小さいが、６５０℃熱処理後急激に増加している
ことが判明している。したがって格子面間隔の急激な増
大は基板の反りによりＳｎＯ₂ 膜に圧縮応力が加わった
ことを示しているものと考えられる。

【００４３】次に熱変形量のガラス板厚依存性について
検討した。キャリア濃度が２×１０²⁰ｃｍ^-3のＴＣＯ基
板を板厚の異なる（１．１ｍｍ、３ｍｍ、４ｍｍ）ガラ
ス基板上に成膜し、熱変形量と板厚の関係について調べ
た。この結果を図７に示す。

【００４４】６５０℃熱処理後の変位量に着目すると、
板厚４．０ｍｍの板反り量に比べ板厚３．０ｍｍの板反
り量は約１．５倍、板厚１．１ｍｍの板反り量は約４倍
で、ガラス基板の板厚が大きいほど熱処理後の板反り量
は抑制されることがわかる。したがって板厚は３ｍｍ以
上、とりわけ４ｍｍ以上、であるのが望ましい。なお、
板厚による熱変形量の違いが生じる原因としては、自重
による変形や熱流量の影響による変形が推定される。

【００４５】なお、図７の基板変形量（Å）は、図８
（Ｂ）に示すように、３０ｍｍ×３０ｍｍ基板の中央部
１ｍｍあたりの高さ方向（ガラス面に垂直方向）の変位
ｄを表す。

【００４６】次に熱変形量の透明導電膜の膜厚依存性に
ついて検討した。酸化錫の膜厚と熱変形量の関係につい
て調べるために、酸化錫の板厚を３８１ｎｍ、７５２ｎ
ｍ及び９３５ｎｍと変えた場合の熱処理後のＴＣＯ基板
の熱変形量を測定した。この結果６００℃での熱処理後
では膜が厚いほど変形量も増加することが分った。した
がって透明導電膜は薄い方が反りは小さくなるが、膜厚
を薄くすることにより、抵抗値が増大する問題が生じる
ため、ほぼ７００〜１０００ｎｍが望ましい。

【００４７】以上の検討結果をまとめて、反り量抑制及
び強度、クラック発生防止等の点で充分実用性を有し優
れるものを実施例とし、その他を比較例として表すと以
下のとおりである。

【００４８】（実施例１）キャリア濃度：２×１０²⁰／ｃｍ³ 、ガラス温度：６２
５℃のとき、反り量：０．２０％、落球試験：１．５ｍ
合格、クラックなし。

【００４９】（比較例１）キャリア濃度：３×１０¹⁹／ｃｍ³ 、ガラス温度：６２
５℃のとき、反り量：０．８０％。

【００５０】（比較例２）キャリア濃度：５×１０²⁰／ｃｍ³ 、ガラス温度：６２
５℃のとき、風冷時破砕。

【００５１】（比較例３）キャリア濃度：２×１０²⁰／ｃｍ³ 、ガラス温度：６２
０℃のとき、風冷時破砕。

【００５２】（比較例４）キャリア濃度：２×１０²⁰／ｃｍ³ 、ガラス温度：６４
０℃のとき、反り量：０．３２％、周辺部にクラック発
生。

【００５３】（比較例５）キャリア濃度：２×１０²⁰／ｃｍ³ 、ガラス温度：６５
０℃のとき、反り量：０．４８％、膜全面にクラック発
生。

【００５４】以上の検討結果に加えさらに下地ガラス板
の材質について考察する。ガラス板の線膨張係数は透明
導電膜の線膨張係数に近いほどよい。また、線膨張係数
が３０×１０^-7Ｋ^-1より小さいと強化が困難となる。し
たがって、風冷強化の必要上、線膨張係数は３０×１０
^-7Ｋ^-1以上で、さらにＴＣＯ膜の線膨張係数に近づける
ために８０×１０^-7Ｋ^-1であることが望ましい。また、
入手の容易さや価格等の点からソーダライムシリケート
ガラスが適当である。しかし、本発明はこのソーダライ
ムシリケートガラスには限定されず、アルミノシリケー
トガラスその他各種ガラスが使用できる。

【００５５】なお、ソーダライムシリケートガラス等の
ナトリウムを含有するガラスや低アルカリを含有するガ
ラスの場合には、図１に示したように、ガラス表面から
のナトリウムの溶出を防止するためにアルカリバリヤ層
が必要であるが、このようなナトリウム成分を含まない
ガラスの場合にはアルカリバリヤ層は不要である。

【００５６】また、透明導電膜としては、フッ素が含有
された酸化錫を例示したが、これ以外にもアンチモンが
含有された酸化錫や錫が含有された酸化インジウム等の
電気伝導性の良好な透明金属酸化物を使用できる。なお
抵抗特性に係るキャリア濃度は、フッ素等の含有元素の
ドープ量を調整することにより変化させることができ
る。また、このような透明導電膜は、ＣＶＤ法に限ら
ず、スパッタ法、真空蒸着法、スプレー法その他適当な
方法を用いて形成できる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の太陽電池
用ガラス基板を用いれば、建築部材用として充分実用性
の高い太陽電池モジュールが得られ、製造中や運搬時及
び施工時の破損が抑制され取扱い性が向上し、反り量が
抑制されて信頼性の高い機能が達成され、反りに起因す
る抵抗値の増大が抑制される。

【００５８】さらに詳しくは、透明導電膜のキャリア濃
度を１×１０²⁰／ｃｍ³ 以上とすることにより実用上充
分な比抵抗が得られ、５×１０²⁰／ｃｍ³ 未満とするこ
とにより強化工程の急冷時における破砕が防止される。

【００５９】ガラスの加熱温度を６２０℃超６４０℃未
満とすることにより、ガラス基板の反り量を充分抑えか
つクラックの発生を防止できる。

【００６０】ガラス板厚を３ｍｍ以上とすることにより
反り量が充分に抑制され、６ｍｍ以下とすることにより
実用的な取扱い性や透光性及び重量の点で使用性の向上
が図られる。

【００６１】透明導電膜の膜厚を７００ｎｍ以上とする
ことにより抵抗値を充分小さくでき、１０００ｎｍ以下
とすることによりガラス基板の変形量を充分小さくでき
る。

【００６２】ガラス板の線膨張係数を３０×１０^-7Ｋ^-1
以上とすることにより、充分な急冷強化が達成されると
ともに透明導電膜との線膨張係数との差が小さくなり熱
応力による破損を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の太陽電池の断面図。

【図２】本発明のガラス基板の製造装置の説明図。

【図３】高温Ｘ線回折測定装置の説明図。

【図４】α−アルミナ（１０４）面間隔の温度依存性を
示すグラフ。

【図５】酸化錫（２００）面間隔の温度依存性を低膨張
ガラス基板とソーダライムガラス基板とで比較したグラ
フ。

【図６】酸化錫（２００）面間隔の温度依存性のグラ
フ。

【図７】ＴＣＯの熱変形量と熱処理温度及びガラス板厚
の関係を示すグラフ。

【図８】ガラス基板の反り量の説明図。

【符号の説明】

１：下地ガラス板２：アルカリバリヤ層３：透明導電膜４：太陽電池用ガラス基板５：ａ−Ｓｉ素子層６：電極層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下地ガラス板上に透明導電膜が形成された
太陽電池用ガラス基板において、上記透明導電膜のキャ
リア濃度が１×１０²⁰／ｃｍ³ 以上５×１０²⁰／ｃｍ³
未満であるとともに前記ガラス基板は、６２０℃超６４
０℃未満の熱処理後の急冷処理による強化処理が施され
ていることを特徴とする太陽電池用ガラス基板。
【請求項２】前記下地ガラス板の厚さは、３〜６ｍｍで
ある請求項１の太陽電池用ガラス基板。
【請求項３】前記透明導電膜の膜厚は、７００〜１００
０ｎｍである請求項１の太陽電池用ガラス基板。
【請求項４】前記下地ガラス板の線膨張係数は、３０×
１０^-7Ｋ^-1以上である請求項１の太陽電池用ガラス基
板。
【請求項５】下地ガラス板上に常圧ＣＶＤ法によりフッ
素含有酸化錫からなる透明導電膜を形成する工程と、こ
の透明導電膜が形成された下地ガラス板を熱処理しその
後急冷する強化工程とを有する太陽電池用ガラス基板の
製造方法において、前記透明導電膜形成工程におけるＣＶＤ反応ガス中のフ
ッ素含有量の調整によりキャリア濃度を１×１０²⁰／ｃ
ｍ³ 以上５×１０²⁰／ｃｍ³ 未満とするとともに前記熱
処理は６２０℃超６４０℃未満で行うことを特徴とする
太陽電池用ガラス基板の製造方法。