JPH01103882A - 太陽電池用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
太陽電池用ガラス基板の製造方法Info
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- JPH01103882A JPH01103882A JP63181823A JP18182388A JPH01103882A JP H01103882 A JPH01103882 A JP H01103882A JP 63181823 A JP63181823 A JP 63181823A JP 18182388 A JP18182388 A JP 18182388A JP H01103882 A JPH01103882 A JP H01103882A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アモルファス・シリコン太陽電池に使用され
る太陽電池用ガラス基板であって、特に太陽電池の製造
時の取扱いにおいて、使用中において、又太陽電池の運
搬時や施工時において破損することのない太陽電池用ガ
ラス基板及びその製造方法を提供するものである。
る太陽電池用ガラス基板であって、特に太陽電池の製造
時の取扱いにおいて、使用中において、又太陽電池の運
搬時や施工時において破損することのない太陽電池用ガ
ラス基板及びその製造方法を提供するものである。
［従来技術］
第３図の様に、透明絶縁性基板３１面に形成された透明
電導膜３２上にｐ型ａ−３ｉ層３３、ｉ型ａ−３ｉ層３
４及びｎ型ａ−３ｉ層３５からなるａ−３ｉ半導体層３
６とアルミニウム電極３７とを順次積層したアモルファ
ス太陽電池３８が低コストで製造可能な光電変換装置の
一つとして使用されている。かかるアモルファス太陽電
池３８は、光３９が透明絶縁性基板３１側から入射し、
主としてｉ型ａ−３ｉ層３４内で吸収されて透明電導膜
３２とアルミニウム電極３７との間で起電力が発生し、
導線４０を通して電力が取り出される。
電導膜３２上にｐ型ａ−３ｉ層３３、ｉ型ａ−３ｉ層３
４及びｎ型ａ−３ｉ層３５からなるａ−３ｉ半導体層３
６とアルミニウム電極３７とを順次積層したアモルファ
ス太陽電池３８が低コストで製造可能な光電変換装置の
一つとして使用されている。かかるアモルファス太陽電
池３８は、光３９が透明絶縁性基板３１側から入射し、
主としてｉ型ａ−３ｉ層３４内で吸収されて透明電導膜
３２とアルミニウム電極３７との間で起電力が発生し、
導線４０を通して電力が取り出される。
かかるアモルファス・シリコン太陽電池は、現在小サイ
ズものが電卓用時計用などの電池として使用されている
が、将来光電変換効率の向上、大面積化、低コスト化に
よって発電用の太陽電池としての用途が期待されている
。
ズものが電卓用時計用などの電池として使用されている
が、将来光電変換効率の向上、大面積化、低コスト化に
よって発電用の太陽電池としての用途が期待されている
。
発電用太陽電池としてアモルファス・シリコン太陽電池
を使用する場合、大面積が要求されるため、住宅、ピル
、工場、その他の施設の屋根、屋上、壁面あるいはベラ
ンダなどに配置される。しかしながら、基板としてガラ
ス板を用いたアモルファス・シリコン太陽電池は、上記
した様な場所において使用された場合、ひょうが降って
きて太陽電池にぶつかった時、太陽電池のガラス基板が
破損する危険性がある。又、太陽電池の製造時の取扱い
において、あるいは太陽電池の運搬時や施工時において
もガラス基板が破損する危険性がある。特に、太陽電池
の軽量化のためガラス基板の厚さを３ｍｍ以下とする場
合、又ガラス基板の面積が大きくなるに従って、この危
険性は一層大きくなる。
を使用する場合、大面積が要求されるため、住宅、ピル
、工場、その他の施設の屋根、屋上、壁面あるいはベラ
ンダなどに配置される。しかしながら、基板としてガラ
ス板を用いたアモルファス・シリコン太陽電池は、上記
した様な場所において使用された場合、ひょうが降って
きて太陽電池にぶつかった時、太陽電池のガラス基板が
破損する危険性がある。又、太陽電池の製造時の取扱い
において、あるいは太陽電池の運搬時や施工時において
もガラス基板が破損する危険性がある。特に、太陽電池
の軽量化のためガラス基板の厚さを３ｍｍ以下とする場
合、又ガラス基板の面積が大きくなるに従って、この危
険性は一層大きくなる。
［発明の解決しようとする問題点コ
本発明は、太陽電池の使用中や、太陽電池の製造時の取
扱いにおいて、又太陽電池の運搬時や施工時において破
損することのない太陽電池用ガラス基板及びその製造方
法を提供することを目的とするものである。
扱いにおいて、又太陽電池の運搬時や施工時において破
損することのない太陽電池用ガラス基板及びその製造方
法を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、前述の目的に基づき研究の結果発明されたも
のであり、その第１の発明は、ガラス基板上に透明電導
膜が形成された太陽電池用ガラス基板において、上記ガ
ラス基板は強化加工が施こされていることを特徴とする
太陽電池用ガラス基板を提供するものであり、その第２
の発明は、ガラス基板を加熱した後、ＣＶＤ法により上
記ガラス基板の一面に透明電導膜を被覆し、次いでガラ
ス基板に冷却空気を吹き付けて強化加工を施こすことを
特徴とする太陽電池用ガラス基板の製造方法を提供する
ものである。
のであり、その第１の発明は、ガラス基板上に透明電導
膜が形成された太陽電池用ガラス基板において、上記ガ
ラス基板は強化加工が施こされていることを特徴とする
太陽電池用ガラス基板を提供するものであり、その第２
の発明は、ガラス基板を加熱した後、ＣＶＤ法により上
記ガラス基板の一面に透明電導膜を被覆し、次いでガラ
ス基板に冷却空気を吹き付けて強化加工を施こすことを
特徴とする太陽電池用ガラス基板の製造方法を提供する
ものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において使用されるガラス基体としては、３５０
〜８００μｍの波長域において高い透過率、例えば８０
％以上の透過率を有し、絶縁性で、かつ化学的、物理的
耐久性が高く、かつ光学的特性の良好な透明性ガラス板
、例えば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシ
リケートガラス、硼珪酸ガラス、リジウムアルミノシリ
ケートガラス、その他各種ガラスが使用できる。
〜８００μｍの波長域において高い透過率、例えば８０
％以上の透過率を有し、絶縁性で、かつ化学的、物理的
耐久性が高く、かつ光学的特性の良好な透明性ガラス板
、例えば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシ
リケートガラス、硼珪酸ガラス、リジウムアルミノシリ
ケートガラス、その他各種ガラスが使用できる。
本発明において、加熱されたガラス基板に冷却空気、を
吹き付けて強化加工を施こす場合には、かかる風冷強化
のしやすさ、価格、入手の容易さからソーダライムシリ
ケートガラス基板が最適であり、又イオン交換強化によ
りガラス基板に強化加工を施こす場合には、同上の理由
からソーダライムシリケートガラス基板や、イオン交換
の容易さからりシウムアルミノシリケートガラス基板な
どが最適である。
吹き付けて強化加工を施こす場合には、かかる風冷強化
のしやすさ、価格、入手の容易さからソーダライムシリ
ケートガラス基板が最適であり、又イオン交換強化によ
りガラス基板に強化加工を施こす場合には、同上の理由
からソーダライムシリケートガラス基板や、イオン交換
の容易さからりシウムアルミノシリケートガラス基板な
どが最適である。
ガラス基板の厚さは特に限定されないが、強化加工が容
易であり、かつ光の透過率の低下、重量の極端な上昇、
強度低下、取扱いの不便さが起らない様に１．Ｏｍｍ〜
５ｍｍ程度が適当である。
易であり、かつ光の透過率の低下、重量の極端な上昇、
強度低下、取扱いの不便さが起らない様に１．Ｏｍｍ〜
５ｍｍ程度が適当である。
なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナトリウム
を含有するガラスからなるガラス基板、又は低アルカリ
含有のガラスからなるガラス基板の場合には、ガラス表
面からナトリウムが溶出してその上面に形成される透明
電導膜に悪影響を及ぼさない様に、例えばヘイズが発生
しない様に、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化
ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコートをガラス
基板面に施こしてもよい。
を含有するガラスからなるガラス基板、又は低アルカリ
含有のガラスからなるガラス基板の場合には、ガラス表
面からナトリウムが溶出してその上面に形成される透明
電導膜に悪影響を及ぼさない様に、例えばヘイズが発生
しない様に、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化
ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコートをガラス
基板面に施こしてもよい。
ガラス基板上に形成される透明電導膜とじては、フッ素
が酸化錫に対し０．１〜５重量％ドープされた酸化錫、
アンチ干ンが酸化錫に対し０．１〜３０重量％ドープさ
れた酸化錫、錫が酸化インジウムに対し０．５〜３０重
量％ドープされた酸化インジウムなどの電気伝導性の良
好な透明性金属酸化物からなるものが適当である。中で
も、フッ素がドープされた酸化錫からなる透明電導膜は
、シート抵抗３０Ω／口以下の低抵抗が容易に得られ、
又プラズマＣＶＤ法によりａ−３ｉ層を形成する時に曝
される還元性の高い水素プラズマに対して高い耐性を有
するので、太陽電池用基板として最適である。透明電導
膜の膜厚としては３００〜２００００人が適当である。
が酸化錫に対し０．１〜５重量％ドープされた酸化錫、
アンチ干ンが酸化錫に対し０．１〜３０重量％ドープさ
れた酸化錫、錫が酸化インジウムに対し０．５〜３０重
量％ドープされた酸化インジウムなどの電気伝導性の良
好な透明性金属酸化物からなるものが適当である。中で
も、フッ素がドープされた酸化錫からなる透明電導膜は
、シート抵抗３０Ω／口以下の低抵抗が容易に得られ、
又プラズマＣＶＤ法によりａ−３ｉ層を形成する時に曝
される還元性の高い水素プラズマに対して高い耐性を有
するので、太陽電池用基板として最適である。透明電導
膜の膜厚としては３００〜２００００人が適当である。
上記した透明電導膜においては、その表面を凹凸化する
のが最適である。かかる凹凸化により、入射光が透明電
導膜とａ−３ｉ半導体層との界面で散乱され、この光学
的な散乱効果により、入射光の表面反射損失の低減、ａ
−３ｉ半導体層内での多重反射屈折による光路長の増大
による１型ａ−３ｉ層内での光の吸収量の増大が得られ
、ｉ型ａ−Ｓｉ層内での光閉じ込め効果によりアモルフ
ァス・シリコン太陽電池の長波長光に対する収集効率が
向上し、短絡電流を増大することができ、発電効率が高
くなり、光電変換率が向上される。
のが最適である。かかる凹凸化により、入射光が透明電
導膜とａ−３ｉ半導体層との界面で散乱され、この光学
的な散乱効果により、入射光の表面反射損失の低減、ａ
−３ｉ半導体層内での多重反射屈折による光路長の増大
による１型ａ−３ｉ層内での光の吸収量の増大が得られ
、ｉ型ａ−Ｓｉ層内での光閉じ込め効果によりアモルフ
ァス・シリコン太陽電池の長波長光に対する収集効率が
向上し、短絡電流を増大することができ、発電効率が高
くなり、光電変換率が向上される。
かかる凹凸化された透明電導膜の凸部は０．１〜０．５
μｍ程度の直径を０．１〜０．６μｍ程度の高さを持つ
ものが適当であり、かかる凸部が多数存在するのが好ま
しい。中でも、０．１〜０．３の直径と０．７〜１．２
の高さ／直径の比を有する凸部を多数有する透明電導膜
が光電変換効率が高く最適である。
μｍ程度の直径を０．１〜０．６μｍ程度の高さを持つ
ものが適当であり、かかる凸部が多数存在するのが好ま
しい。中でも、０．１〜０．３の直径と０．７〜１．２
の高さ／直径の比を有する凸部を多数有する透明電導膜
が光電変換効率が高く最適である。
本発明の透明電導膜は、従来から利用されているコーテ
ィング方法、例えばＣＶＤ法、スプレー法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、浸漬法
、など各種方法により作成できる。中でも、上記した様
な凹凸面が容易に、かつコントロールされて得られるＣ
、 Ｖ、 Ｄ法、スパッタリング法が最適である。
ィング方法、例えばＣＶＤ法、スプレー法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、浸漬法
、など各種方法により作成できる。中でも、上記した様
な凹凸面が容易に、かつコントロールされて得られるＣ
、 Ｖ、 Ｄ法、スパッタリング法が最適である。
本発明においては、透明電導膜が形成された太陽電池用
ガラス基板には強化加工が施こされている。
ガラス基板には強化加工が施こされている。
強化加工としては、歪点以上、軟化点温度以下に加熱さ
れたガラス板に冷却空気を吹き付けて急冷する風冷強化
方法、同じく加熱されたガラス板を冷却液体中に浸漬し
、あるいは冷却液体をスプレーして急冷する液冷強化方
法、あるいは同じく加熱されたガラス板を昇華物の分散
している中を通過させて急冷する強化方法、あるいはガ
ラス板を歪点を越えない温度域でガラスをそのガラス表
面層中に含まれるアルカリより大きいイオン半径を有す
るアルカリの溶融塩（例えば硝酸カリウム）と抵触させ
、例えばガラス中のＮａ＋イオンと溶融塩中のｒイオン
とを置換せしめ、アルカリイオンの占有容積の差（Ｋ＋
イオン＞Ｎａ＋イオン）によりガラスの表面層に圧縮応
力を発生せしめるイオン交換強化方法などが使用できる
。
れたガラス板に冷却空気を吹き付けて急冷する風冷強化
方法、同じく加熱されたガラス板を冷却液体中に浸漬し
、あるいは冷却液体をスプレーして急冷する液冷強化方
法、あるいは同じく加熱されたガラス板を昇華物の分散
している中を通過させて急冷する強化方法、あるいはガ
ラス板を歪点を越えない温度域でガラスをそのガラス表
面層中に含まれるアルカリより大きいイオン半径を有す
るアルカリの溶融塩（例えば硝酸カリウム）と抵触させ
、例えばガラス中のＮａ＋イオンと溶融塩中のｒイオン
とを置換せしめ、アルカリイオンの占有容積の差（Ｋ＋
イオン＞Ｎａ＋イオン）によりガラスの表面層に圧縮応
力を発生せしめるイオン交換強化方法などが使用できる
。
本発明のガラス基板にあっては、強化加工によって平均
２５０ｋｇ／ｃｍ”以上の表面圧縮応力が付与されてい
る。この様に、平均２５０ｋｇ／ｃｍ２以上の表面圧縮
応力を付与することにより、降ひょうによる太陽電池の
ガラス基板の破損、各秤取り扱い時のガラス基板の破損
を低減することができる。特に、好ましくば厚さが１〜
４ｍｍであって、３００ｋｇ／ｃｍ”の表面圧縮応力が
形成されたガラス基板である。
２５０ｋｇ／ｃｍ”以上の表面圧縮応力が付与されてい
る。この様に、平均２５０ｋｇ／ｃｍ２以上の表面圧縮
応力を付与することにより、降ひょうによる太陽電池の
ガラス基板の破損、各秤取り扱い時のガラス基板の破損
を低減することができる。特に、好ましくば厚さが１〜
４ｍｍであって、３００ｋｇ／ｃｍ”の表面圧縮応力が
形成されたガラス基板である。
本発明の太陽電池用ガラス基板を製造するに当っては、
透明電導膜をガラス基板面上に形成する前に強化加工を
施こしてもよいし、あるいは又透明電導膜をガラス基板
面上に形成した後に強化加工を施こしてもよい。なお、
透明電導膜を形成する時、ガラス基板をその歪点以上の
温度に加熱する場合には、透明電導膜の形成後、強化加
工を施こすのが好ましい。なぜならば、強化加工した後
に透明電導膜の形成のために歪点以上の温度に加熱する
と強化により発生した表面圧縮応力が緩和してしまい、
強度が低下するためである。
透明電導膜をガラス基板面上に形成する前に強化加工を
施こしてもよいし、あるいは又透明電導膜をガラス基板
面上に形成した後に強化加工を施こしてもよい。なお、
透明電導膜を形成する時、ガラス基板をその歪点以上の
温度に加熱する場合には、透明電導膜の形成後、強化加
工を施こすのが好ましい。なぜならば、強化加工した後
に透明電導膜の形成のために歪点以上の温度に加熱する
と強化により発生した表面圧縮応力が緩和してしまい、
強度が低下するためである。
透明電導膜の被覆後、強化加工のためのガラス基板の加
熱を行なうに当っては、その加熱温度を充分に注意する
必要がある。即ち、高温加熱により透明電導膜が酸化劣
化し、透明電導膜の抵抗値やヘイズが上昇してしまった
り透過率が低下するという危険性があるためである。
熱を行なうに当っては、その加熱温度を充分に注意する
必要がある。即ち、高温加熱により透明電導膜が酸化劣
化し、透明電導膜の抵抗値やヘイズが上昇してしまった
り透過率が低下するという危険性があるためである。
本発明者の実験によれば、ガラス基板の加熱を６５０°
Ｃ以下、かつ加熱時間を２分間以内にコントロールする
ことで、透明電導膜の抵抗値の上昇を最小限に押えるこ
とができることが判明した。
Ｃ以下、かつ加熱時間を２分間以内にコントロールする
ことで、透明電導膜の抵抗値の上昇を最小限に押えるこ
とができることが判明した。
第２図は、フッ素がドープされた酸化錫膜付ガラス基板
を、空気雰囲気の加熱炉において加熱した時の加熱時間
と抵抗値の上昇割合との関係を測定した結果である。
を、空気雰囲気の加熱炉において加熱した時の加熱時間
と抵抗値の上昇割合との関係を測定した結果である。
本発明の強化加工が施こされた太陽電池用ガラス基板を
製造するのに最適な方法として、ガラス基板を加熱した
後、ＣＶＤ法により上記ガラス基板の一面に透明電導膜
を被覆し、次いでガラス基板に冷却空気を吹き付けて強
化加工を施こず方法が挙げられる。量産性が高く、低コ
ストで、しかも安定した性能が得られる上記方法の最も
最適な態様は、ガラス基板の加熱工程、ガラス基板面へ
のＣＶＤ法による透明電導膜の被覆工程、ガラス基板の
風冷による強化処理工程を順次ガラス基板を水平に搬送
しながら連続的に行なう方法である。
製造するのに最適な方法として、ガラス基板を加熱した
後、ＣＶＤ法により上記ガラス基板の一面に透明電導膜
を被覆し、次いでガラス基板に冷却空気を吹き付けて強
化加工を施こず方法が挙げられる。量産性が高く、低コ
ストで、しかも安定した性能が得られる上記方法の最も
最適な態様は、ガラス基板の加熱工程、ガラス基板面へ
のＣＶＤ法による透明電導膜の被覆工程、ガラス基板の
風冷による強化処理工程を順次ガラス基板を水平に搬送
しながら連続的に行なう方法である。
かかる方法について、その−具体例の製造装置の概略を
示す第１図に従って説明する。
示す第１図に従って説明する。
第１図において、１はＣＶＤ装置、２はガラス基板面に
透明電導膜をＣＶＤ法により形成するだめのインジェク
ター、３は排気口、４は排気バイブ、５はＣＶＤ用原料
ガスの供給バイブ、６はＣＶＤ炉、７はＣＶＤ装置用の
ガラス基板搬送用コンベヤー、８はガラス基板の加熱炉
、９はガラス基板を強化加工するために冷却空気を吹き
付ける吹口、１０はガラス基板を加熱炉８、強化用吹口
９に通ずためのコンベヤー、１１は加熱炉のヒーター、
１２はガラス基板を示す。
透明電導膜をＣＶＤ法により形成するだめのインジェク
ター、３は排気口、４は排気バイブ、５はＣＶＤ用原料
ガスの供給バイブ、６はＣＶＤ炉、７はＣＶＤ装置用の
ガラス基板搬送用コンベヤー、８はガラス基板の加熱炉
、９はガラス基板を強化加工するために冷却空気を吹き
付ける吹口、１０はガラス基板を加熱炉８、強化用吹口
９に通ずためのコンベヤー、１１は加熱炉のヒーター、
１２はガラス基板を示す。
上記した装置により太陽電池用ガラス基板を強化するに
当っては、洗滌されたガラス基板を載置位置Ａにてコン
ヘヤー７上に載せ、Ｃ，Ｖ、 Ｏ炉６内に水平方向から
搬入して５００〜６００℃に加熱し、コンベヤー７によ
りガラス基板１２を水平に搬送しながらインジェクター
２の下を通過させてＣＶＤ法により所定の被膜をガラス
基板１２面」二に形成する。Ｃ，Ｖ、 Ｄ炉６から搬出
されたガラス基板１２を、同様に水平に搬送しながら加
熱炉８内へ搬入し、強化加工のために必要な温度まで、
例えば５８０〜６５０℃程度まで加熱し、次いで同様に
水平に搬送しながら強化用吹口９の間に搬入し、強化用
吹口９から冷却用空気をガラス基板１２に吹き付けて急
冷し、強化加工を施こし、コンベヤー１０から取り出す
。
当っては、洗滌されたガラス基板を載置位置Ａにてコン
ヘヤー７上に載せ、Ｃ，Ｖ、 Ｏ炉６内に水平方向から
搬入して５００〜６００℃に加熱し、コンベヤー７によ
りガラス基板１２を水平に搬送しながらインジェクター
２の下を通過させてＣＶＤ法により所定の被膜をガラス
基板１２面」二に形成する。Ｃ，Ｖ、 Ｄ炉６から搬出
されたガラス基板１２を、同様に水平に搬送しながら加
熱炉８内へ搬入し、強化加工のために必要な温度まで、
例えば５８０〜６５０℃程度まで加熱し、次いで同様に
水平に搬送しながら強化用吹口９の間に搬入し、強化用
吹口９から冷却用空気をガラス基板１２に吹き付けて急
冷し、強化加工を施こし、コンベヤー１０から取り出す
。
ＣＶＤ装置１の所定位置にはインジェクター２を配置す
るが、インジェクター２はｌユニットであってもよいし
、多段積層する場合には、インジェクターを２ユニット
以上設けてもよい。
るが、インジェクター２はｌユニットであってもよいし
、多段積層する場合には、インジェクターを２ユニット
以上設けてもよい。
又ガラス基板面にアルカリバリヤー用被膜をＣＶＤ法に
より形成する場合には、インジェクター２の上流にアル
カリバリヤー被覆用のインジェクターを１ユニツトある
いは複数ユニット設けてもよい。
より形成する場合には、インジェクター２の上流にアル
カリバリヤー被覆用のインジェクターを１ユニツトある
いは複数ユニット設けてもよい。
上記した装置においては、ガラス基板の加熱工程、ガラ
ス基板面へのＣＶＤ法による透明電導膜の被覆工程、ガ
ラス基板の強化処理工程が順次ガラス基板を水平に搬送
しながら連続的に行なえる様に、ガラス基板の搬送装置
が設計されている。図示した例は、ＣＶＤ炉内での加熱
工程及び透明電導膜の被覆工程におけるガラス板搬送用
コンベヤーとガラス板の強化処理用の加熱工程及び強化
処理工程におけるガラス板搬送用コンベヤーとを独立さ
せ、それぞれの搬送速度を調節できる様にした例である
。必要に応じて、ＣＶＤ炉６内でのガラス基板の搬送速
度（ｖｌ）、加熱炉８内でのガラス基板の搬送速度（ｖ
２）及び強化吹口９内でのガラス基板の搬送速度（ｖ３
）をそれぞれ調節できる様に、それぞれ独立したコンヘ
ヤーとしてもよい。かかる搬送速度” ＋ ２ ＋
Ｖ ９は各工程の条件から■ ｙ ３ ＞ Ｖ ２ ＞ Ｖ １ とするのが好ましい
。
ス基板面へのＣＶＤ法による透明電導膜の被覆工程、ガ
ラス基板の強化処理工程が順次ガラス基板を水平に搬送
しながら連続的に行なえる様に、ガラス基板の搬送装置
が設計されている。図示した例は、ＣＶＤ炉内での加熱
工程及び透明電導膜の被覆工程におけるガラス板搬送用
コンベヤーとガラス板の強化処理用の加熱工程及び強化
処理工程におけるガラス板搬送用コンベヤーとを独立さ
せ、それぞれの搬送速度を調節できる様にした例である
。必要に応じて、ＣＶＤ炉６内でのガラス基板の搬送速
度（ｖｌ）、加熱炉８内でのガラス基板の搬送速度（ｖ
２）及び強化吹口９内でのガラス基板の搬送速度（ｖ３
）をそれぞれ調節できる様に、それぞれ独立したコンヘ
ヤーとしてもよい。かかる搬送速度” ＋ ２ ＋
Ｖ ９は各工程の条件から■ ｙ ３ ＞ Ｖ ２ ＞ Ｖ １ とするのが好ましい
。
ＣＶＤ炉６内のコンベヤー７は、耐熱性のメツシュベル
トやロールコンベヤーが好ましく、又加熱炉８及び強化
吹口９内の搬送方法は、加熱冷却の均一性などの点から
ロールコンベヤー搬送方法や熱風ガスによるガラス板浮
」二搬送方法などが好ましい。
トやロールコンベヤーが好ましく、又加熱炉８及び強化
吹口９内の搬送方法は、加熱冷却の均一性などの点から
ロールコンベヤー搬送方法や熱風ガスによるガラス板浮
」二搬送方法などが好ましい。
ＣＶＤ炉６と加熱炉８との間には、加熱炉８によりＣＶ
Ｄ炉６内の気流の変動が起らない様に、気流制御手段を
設けるのが好ましい。かかる気流制御手段としては、エ
アーカーテン、エアナイフなどが挙げられる。
Ｄ炉６内の気流の変動が起らない様に、気流制御手段を
設けるのが好ましい。かかる気流制御手段としては、エ
アーカーテン、エアナイフなどが挙げられる。
なお、透明電導膜の形〜成されたガラス基板を強化吹口
９間を通して急冷する時、透明電導膜面側は、凹となっ
て基板の反りが犬となるので、加熱炉８内でガラス基板
の透明電導膜面側即ち上面側を余分に加熱したり、ある
いは強化用吹口９間において、ガラス基板の透明電導膜
面側の冷却能を大きくしたりして、ガラス基板に反りが
発生しない様にコントロールするのが好ましい。
９間を通して急冷する時、透明電導膜面側は、凹となっ
て基板の反りが犬となるので、加熱炉８内でガラス基板
の透明電導膜面側即ち上面側を余分に加熱したり、ある
いは強化用吹口９間において、ガラス基板の透明電導膜
面側の冷却能を大きくしたりして、ガラス基板に反りが
発生しない様にコントロールするのが好ましい。
あるいは、かかるガラス基板の反り、特にガラス基板を
６３０℃以上に加熱する場合に発生ずる可能性の大きい
ガラス基板の反りを可及的に防止する為に、ガラス基板
の、透明導電膜が形成されない面即ち裏面に被膜を形成
することもできる。かかる裏面に形成される被膜として
は、上面に生じる応力とかかる被膜によって裏面に生じ
る応力とがつりあってガラス基板の反りを防止できるも
のであれば特に限定されないが、酸化亜鉛膜、窒化ケイ
素膜、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコ
ニウム膜や、上面に形成される膜と同質の膜、例えば、
上面に形成される透明導電膜と同様の酸化錫、酸化イン
ジウムからなる透明導電膜や、あるいは、基板がソーダ
ライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガ
ラス基板、又は低アルカリ含有ガラス基板等であって、
アルカリバリヤー膜を透明導電膜面の下に施こず場合に
おいては、同様のアルカリバリヤー膜をガラス基板の裏
面に反りを防止する為の被膜として形成すると好ましい
。
６３０℃以上に加熱する場合に発生ずる可能性の大きい
ガラス基板の反りを可及的に防止する為に、ガラス基板
の、透明導電膜が形成されない面即ち裏面に被膜を形成
することもできる。かかる裏面に形成される被膜として
は、上面に生じる応力とかかる被膜によって裏面に生じ
る応力とがつりあってガラス基板の反りを防止できるも
のであれば特に限定されないが、酸化亜鉛膜、窒化ケイ
素膜、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコ
ニウム膜や、上面に形成される膜と同質の膜、例えば、
上面に形成される透明導電膜と同様の酸化錫、酸化イン
ジウムからなる透明導電膜や、あるいは、基板がソーダ
ライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガ
ラス基板、又は低アルカリ含有ガラス基板等であって、
アルカリバリヤー膜を透明導電膜面の下に施こず場合に
おいては、同様のアルカリバリヤー膜をガラス基板の裏
面に反りを防止する為の被膜として形成すると好ましい
。
かかる被膜の膜厚は、上面に形成される被膜によって生
じる応力につり合う程度の応力を与えられる膜厚であれ
ば特に限定されないが、０１〜５μｍ程度であればよい
。酸化亜鉛膜の場合には、５００〜’１１００ｎ、酸化
ケイ素膜の場合には、０．３〜１．０μｍ程度の膜厚が
好ましい。
じる応力につり合う程度の応力を与えられる膜厚であれ
ば特に限定されないが、０１〜５μｍ程度であればよい
。酸化亜鉛膜の場合には、５００〜’１１００ｎ、酸化
ケイ素膜の場合には、０．３〜１．０μｍ程度の膜厚が
好ましい。
かかる被膜の形成方法は特に限定されるものではなく、
従来から利用されているコーティング方法、例えば、侵
清法、スプレー法、塗布法、ＣＶＤ法、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンブレーティング法など各種方法
が利用できる。上述したアルカリバリヤー膜を侵清法に
より両面に形成したガラス基板を用い、その片面に透明
導電膜を形成して本発明の太陽電池用ガラス基板を製造
することもできる。
従来から利用されているコーティング方法、例えば、侵
清法、スプレー法、塗布法、ＣＶＤ法、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンブレーティング法など各種方法
が利用できる。上述したアルカリバリヤー膜を侵清法に
より両面に形成したガラス基板を用い、その片面に透明
導電膜を形成して本発明の太陽電池用ガラス基板を製造
することもできる。
実施例１
洗浄された３０５ Ｘ ３０５ Ｘ ３ ｍｍのソーダ
ライムシリケートガラス基板を、コンベヤー」二に載せ
、０．３ｍ／ｍｉｎの速度でＣＶＤ炉内に搬入し、順次
酸化ケイ素からなるアルカリバリヤー膜、フッ素添加酸
化錫膜をＣＶＤ法にて形成せしめてＴＣＯ基板を作製し
た後、引き続き加熱炉内に搬入して、搬送速度６ ｍ／
ｍｉｎで搬送しながら強化加工を施すために温度を６２
０℃まで昇温した。次いで、基板の搬送速度を６０ｍ／
ｍ ｉ ｎとし、加熱炉内より室温まで、−気に引き出
し急冷強化した。
ライムシリケートガラス基板を、コンベヤー」二に載せ
、０．３ｍ／ｍｉｎの速度でＣＶＤ炉内に搬入し、順次
酸化ケイ素からなるアルカリバリヤー膜、フッ素添加酸
化錫膜をＣＶＤ法にて形成せしめてＴＣＯ基板を作製し
た後、引き続き加熱炉内に搬入して、搬送速度６ ｍ／
ｍｉｎで搬送しながら強化加工を施すために温度を６２
０℃まで昇温した。次いで、基板の搬送速度を６０ｍ／
ｍ ｉ ｎとし、加熱炉内より室温まで、−気に引き出
し急冷強化した。
この時の冷却能力は、約３５ｋｃａｌ／ｍ２・ｈｒ・℃
に相当する。」二記の方法で得られた強化ＴＣＯ基板の
代表的な物性を表−１に示す。除冷によって得られるＴ
ＣＯ基板の物性と比較すると、上記の方法によって得ら
れた強化ＴＣＯ基板は、表面圧縮応力が８０ｋｇｆ／ｃ
ｍ２以下から約２６０ｋｇｆ／ｃｍ２と上昇しているこ
とが明らかとなった。しかも、太陽電池用透明基板とし
て重要な他の物性値、表面抵抗、透過率、ヘイズ率等は
、はとんど、変化しないことが判明した。
に相当する。」二記の方法で得られた強化ＴＣＯ基板の
代表的な物性を表−１に示す。除冷によって得られるＴ
ＣＯ基板の物性と比較すると、上記の方法によって得ら
れた強化ＴＣＯ基板は、表面圧縮応力が８０ｋｇｆ／ｃ
ｍ２以下から約２６０ｋｇｆ／ｃｍ２と上昇しているこ
とが明らかとなった。しかも、太陽電池用透明基板とし
て重要な他の物性値、表面抵抗、透過率、ヘイズ率等は
、はとんど、変化しないことが判明した。
実施例２
洗浄された３０５ ｘ３０５ Ｘ ３ｍｍのソーダライ
ムシリケートガラス基板を、コンヘヤー」二に載せ、０
．３ｍ／ｍｉｎの速度でＣＶＤ炉内に搬入し、順次酸化
ケイ素からなるアルカリバリヤー膜、フッ素添加酸化錫
膜をＣＶＤ法にて形成せしめてＴＣＯ基板を作製した後
、引き続き加熱炉内に搬入し、６ ｍ／ｍｉｎの速度で
搬送させながら、風冷強化加工を施すために、基板温度
を６２０℃まで昇温させた。次いで風冷強化用の吹口内
を２５ｍ／ｍｉｎの速度で搬送させるとともに、吹口よ
り２００ｍｍ／Ａｑの圧力で冷却用空気を吹き付けるこ
とによってＴＣＯ基板に強化加工を施した。上記方法で
作製した強化ＴＣＯ基板の物性を表−１にまとめて示す
。太陽電池用透明電導基板としての重要な物性である表
面抵抗、透過率、ヘイズ率等の物性の劣化は、発生しな
いことが明らかとなった。また、上記方法によって、得
られる強化ＴＣＯ基板の表面圧縮応力は、約４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ”であり、強化加工を施さないＴＣＯ基板に比
較して、５倍以上の圧縮応力が、発現していることが明
らかとなった。
ムシリケートガラス基板を、コンヘヤー」二に載せ、０
．３ｍ／ｍｉｎの速度でＣＶＤ炉内に搬入し、順次酸化
ケイ素からなるアルカリバリヤー膜、フッ素添加酸化錫
膜をＣＶＤ法にて形成せしめてＴＣＯ基板を作製した後
、引き続き加熱炉内に搬入し、６ ｍ／ｍｉｎの速度で
搬送させながら、風冷強化加工を施すために、基板温度
を６２０℃まで昇温させた。次いで風冷強化用の吹口内
を２５ｍ／ｍｉｎの速度で搬送させるとともに、吹口よ
り２００ｍｍ／Ａｑの圧力で冷却用空気を吹き付けるこ
とによってＴＣＯ基板に強化加工を施した。上記方法で
作製した強化ＴＣＯ基板の物性を表−１にまとめて示す
。太陽電池用透明電導基板としての重要な物性である表
面抵抗、透過率、ヘイズ率等の物性の劣化は、発生しな
いことが明らかとなった。また、上記方法によって、得
られる強化ＴＣＯ基板の表面圧縮応力は、約４００ｋｇ
ｆ／ｃｍ”であり、強化加工を施さないＴＣＯ基板に比
較して、５倍以上の圧縮応力が、発現していることが明
らかとなった。
表−１
［発明の効果］
本発明によれば、破壊強度が高い太陽電池用ガラス基板
を提供することができ、使用中や太陽電池の製造時、運
搬時や施工時の取扱いにおいても破損を低減することが
できる。
を提供することができ、使用中や太陽電池の製造時、運
搬時や施工時の取扱いにおいても破損を低減することが
できる。
又、本発明の製造方法によれば、強化加工の施こされた
太陽電池用ガラス基板を、連続的に低コストで製造する
ことができる。特に、ガラス基板へのＣＶＤ法による透
明電導膜の被覆工程、ガラス板の強化のための加熱工程
及びガラス基板の風冷強化工程が一連しており、水平に
ガラス基板を搬送しながら行なえるので、操作がしやす
く、熱ロスも低く押えることができ、又透明電導膜の性
能劣化を押えることができ、高品位の太陽電池用ガラス
基板を製造することができる。
太陽電池用ガラス基板を、連続的に低コストで製造する
ことができる。特に、ガラス基板へのＣＶＤ法による透
明電導膜の被覆工程、ガラス板の強化のための加熱工程
及びガラス基板の風冷強化工程が一連しており、水平に
ガラス基板を搬送しながら行なえるので、操作がしやす
く、熱ロスも低く押えることができ、又透明電導膜の性
能劣化を押えることができ、高品位の太陽電池用ガラス
基板を製造することができる。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の一具体例
に係る概略図、第２図は太陽電池ガラス基板を加熱した
時の加熱時間と抵抗値との関係を示す図面であり、第３
図は、アモルファス・シリコン太陽電池を示す断面図を
示す。 ］ ： ＣＶＤ装置、 ２：インジェクター、 ６ ： ＣＶＤ炉、 ７．１０：コンベアー、 ８：加熱炉、 ９：強化用吹口、 １２ニガラス基板。 ３１：透明絶縁性基板 ３２：透明電導膜 ３３：ｐ型ａ−３ｉ層 ３４：ｉ型ａ−３ｉ層 ３５：ｎ型ａ−５ｉ層 ３６：ａ−３ｉ半導体層 ３７：アルミニウム電極 ３８：アモルファス太陽電池 ３９：光 ４０：導線
に係る概略図、第２図は太陽電池ガラス基板を加熱した
時の加熱時間と抵抗値との関係を示す図面であり、第３
図は、アモルファス・シリコン太陽電池を示す断面図を
示す。 ］ ： ＣＶＤ装置、 ２：インジェクター、 ６ ： ＣＶＤ炉、 ７．１０：コンベアー、 ８：加熱炉、 ９：強化用吹口、 １２ニガラス基板。 ３１：透明絶縁性基板 ３２：透明電導膜 ３３：ｐ型ａ−３ｉ層 ３４：ｉ型ａ−３ｉ層 ３５：ｎ型ａ−５ｉ層 ３６：ａ−３ｉ半導体層 ３７：アルミニウム電極 ３８：アモルファス太陽電池 ３９：光 ４０：導線
Claims (5)
- （１）ガラス基板上に透明電導膜が形成された太陽電池
用ガラス基板において、上記ガラス基板は強化加工が施
こされていることを特徴とする太陽電池用ガラス基板。 - （２）ガラス基板には２５０ｋｇ／ｃｍ＾２以上の表面
圧縮応力が付与されていることを特徴とする請求項１記
載の太陽電池用ガラス基板。 - （３）透明電導膜が電導性酸化錫膜であることを特徴と
する請求項１記載の太陽電池用ガラス基板。 - （４）ガラス基板を加熱した後、ＣＶＤ法により上記ガ
ラス基板の一面に透明電導膜を被覆し、次いでガラス基
板に冷却空気を吹き付けて強化加工を施こすことを特徴
とする太陽電池用ガラス基板の製造方法。 - （５）ガラス基板の加熱工程、ガラス基板面へのＣＶＤ
法による透明電導膜の被覆工程、ガラス基板の風冷によ
る強化処理工程を順次ガラス基板を水平に搬送しながら
連続的に行なうことを特徴とする請求項４記載の太陽電
池基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7742287A | 1987-07-24 | 1987-07-24 | |
| US077422 | 1987-07-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103882A true JPH01103882A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2615147B2 JP2615147B2 (ja) | 1997-05-28 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6149481A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035591A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sharp Corp | 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池用多孔質半導体層の製造方法 |
| JP2008102092A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Denso Corp | 計器 |
| JP2010541272A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン グラス フランス | 集光能力のある素子に対して行った改良 |
| JP2009170925A (ja) * | 2008-01-19 | 2009-07-30 | Schott Solar Gmbh | 透明金属酸化物でコートされた光起電モジュール用ガラス板の製造方法 |
| JP2010080090A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 色素増感太陽電池に使用される負極基板 |
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