KR20120046744A - 이방성 열전도 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

이방성 열전도 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20120046744A
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리챠드 제이. 레막
로버트 제이. 모스카이티스
데이비드 픽크렐
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스페셜티 미네랄스 (미시간) 인코포레이티드
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Abstract

본원은 기계적 강도를 유지하는 두께 방향으로 고 효율로 열원으로부터 열을 전도할 수 있는 이방성 열전도 소자 및 그 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본원의 이방성 열전도 소자는 열원으로부터 열을 전도하며, 그래파이트 시트의 스택을 가진 구조체는 그래파이트 시트의 두께 방향을 가로질러 접촉 표면을 포함하며, 그래파이트 시트의 스택은 지지 파트를 형성하는 코팅된 둘레를 갖는다. 코팅 공정은 지지 파트로 스택된 그래파이트의 구조체를 덮는 공정이다. 코팅 공정 후 스택 방향으로 표면을 따라 절단하는 절단 공정이 실시된다. 절단 공정 후, 표면처리 공정을 실시하여 섹션에 대한 표면 처리를 할 수 있다.

Description

이방성 열전도 소자 및 그 제조방법{ANISOTROPIC THERMAL CONDUCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 장치로부터 열을 전도시키기 위한 열 스프레더(heat spreader)와 상기 열 스프레더를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자부품들은 점점 더 소형으로 되면서 방열 능력이 더욱 커지기를 바라고 있다. 이런 전자부품에 의해 발생한 열은 전자부품과 열 싱크 사이에 열 스프레더를 설치하여 방열시킨다. 열 스프레더는 고체의 열전도 금속으로 제조할 수 있다. 상기 고체의 전도성 금속은 제한된 능력으로 방열하며, 제한된 열전도 특징을 갖는다. 벤젠 링(benzene rings)을 보유하는 그래파이트 시트(graphite sheets)는 스택된 결정구조(stacked crystal structure)를 가진 공유결합(covalent bonds)에 의해 연결되며, 그래파이트 층들은 반 데르 발스 힘(van der Waals forces)에 의해 연결된다. 열전도 소자의 1파트로써 그래파이트 시트가 사용되어 전자부품 및 전자부품 장치에서 발생하는 과열점(hotspot)을 감소시킨다. 열전도 소자는 열원(the source of heat)으로부터 열을 전도하여 효율적으로 열을 방사시킬 수 있는 것이다.
열전도 소자로 사용하기 위해 상기 소자는 열원과 기계적으로 가깝게 접촉할 필요가 있지만, 일반적으로 그래파이트가 취성(fragile)과 용이한 붕괴(collapse)의 성질을 가졌기 때문에 열원과의 접촉 및 설치 파트와의 클램핑에 의한 기계의 응력(stress)으로 인한 손상의 우려가 있다. 그래파이트는 수지(resin) 또는 알루미늄 또는 PET로 표면이 코팅될 수 있지만, 일반적으로 코팅 파트의 두께가 크면 열전도 효율이 피해를 받는 문제가 있다.
일본 특허 제2008-28283호는 그래파이트의 피스(piece)에 매립된 금속(embedded metal)으로 열전도 소자를 형성한 것을 제안했으며, 여기서 1파트는 상기 금속과 접촉하는 열원으로부터 열을 수용한다.
본 발명은 이방성 열전도 소자와 그를 제조하는 방법에 관한 것이다.
그래파이트가 열 핀(heat fin)의 방사와 같은 방열 소자와 열원과의 사이에 배치될 때, 실리콘과 에폭시 그룹의 수지 재료가 접착제로서 각각의 전도층에 사용되지만, 여기에는 상기 접착제로 인한 열저항(thermal resistance)이 문제가 된다.
본 발명은 열원으로부터 열을 두께방향으로 효율적으로 전도하는 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 이방성 열전도 소자의 구조체는 열원으로부터 열을 전도할 수 있는 이방성 열전도 소자이다. 이 구조체는 스택된 그래파이트 시트가 스택된 시트에 의해 형성된 평면의 두께 방향으로 매우 낮은 열전도율을 갖고 스택된 시트에 의해 형성된 평면 방향으로 매우 높은 열전도율을 갖는다. 스택된 시트의 적어도 2개는 열원과 접촉하며, 적어도 2개의 스택된 시트에 의해 형성된 구조체는 적어도 부분적으로 코팅되어 이방성 열전도 소자의 지지 파트(support part)를 형성한다.
상술된 구조에 따라서, 상기 구조체는 적어도 2개의 그래파이트 시트의 평면 방향으로 높은 열전도성을 갖고 그리고 이방성 열전도 소자의 두께 방향으로 낮은 열전도성을 가진 스택 그래파이트 시트로 이루어져, 효율적으로 열원의 열을 전도한다. 상기 이방성 열전도 소자는 이방성 열전도 소자의 스택 방향으로 매우 낮은 열전도성을 갖는다. 또한, 상기 구조체는 적어도 부분적으로 코팅된 부분이 둘러싸는 구조이다. 상기 코팅은 지지 파트를 형성한다. 따라서, 클램핑으로부터 기계의 응력으로 인한 손상이 열원과 설치 파트 사이의 접촉부에서 피해지게 된다.
다른 실시예에서는 금속층이 열원과 접촉하는 면에 형성된다. 이방성 열전도 소자는 용이하게 금속층에 납땜(soldering)에 의해 열원에 연결시킬 수 있다.
다른 실시예에서는 세라믹 층이 열원과의 접촉 면에 형성된다. 이방성 열전도 소자는 열원으로부터 효율적으로 열을 전도할 수 있으며, 이방성 열전도 소자를 바람직하지 않은 전기전도(electrical conduction)로부터 절연시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 이방성 열전도 소자의 기계적 강도는 상기 구조체에 수지를 주입시키어 향상된다.
다른 실시예에서, 열전도 효율은 스택된 그래파이트 시트로서 고 지향된 파이로리틱 그래파이트(highly oriented pyrolytic graphite)의 사용에 의해 현저히 증가되어 보통의 그래파이트에 비해 매우 높은 열전도성을 갖는다.
다른 실시예에서, 열전도 효율은 이방성 열전도 소자에 스택된 그래파이트 시트로서 고 지향된 파이로리틱 그래파이트의 사용에 의해 현격히 증가되어, 미국 뉴욕주 뉴욕에 소재하는 MINTEQ 인터내셔널 Inc.에서 제조한 상품명 PYROID HT의 제품으로 이룰 수 있는 고 지향된 파이로리틱 그래파이트를 사용하여 1,500W/mK 보다 큰 열전도성을 제공한다.
다른 실시예에서, 이방성 열전도 소자는 열원이 지지 파트 근처에 설치되게 하는 설치 파트 또는 설치 수단을 갖고, 지지 파트에 있을 수 있는 설치 파트를 수립하여 구조체의 몸체(structure body)에 손상을 주지 않고 열원을 고정한다.
다른 실시예에서, 상기 이방성 열전도 소자는 전기 또는 전자 장치와 조합될 수 있다.
상기 이방성 열전도 소자는 코팅공정이 스택된 그래파이트 시트에 의해 형성된 구조체를 덮는 코팅을 하여 지지 파트(들)를 형성하는 제조방법으로 제조될 수 있다. 절단공정은 코팅공정 후에 스택 방향을 가로질러 절단하며, 절단공정 후, 표면처리공정이 실시될 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 제조방법은 상술된 코팅공정 전에 상기 구조에 수지를 주입시키기 위한 주입(impregnation) 단계를 포함한다. 주입 단계는 상기 구조에 수지를 주입하여 이방성 열전도 소자의 기계적 강도를 추가로 향상시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 많은 구조체가 스택 방향으로 쌓이며 코팅되어 1유닛으로 지지 파트(들)를 형성하며, 스택 방향을 따라 추가로 많은 구조체의 스택에 의해 열전달부를 가진 넓은 접촉 영역이 있는 이방성 열전도 소자를 생산한다.
본 발명에 따라 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법이 게시되며, 열원으로부터 두께방향으로 효율적으로 열을 전도하고 기계적 강도를 유지하는 이방성 열전도 소자도 게시된다.
도1은 본 발명의 이방성 열전도 소자의 실시예를 나타낸 도면이다.
도2는 그래파이트 시트의 구조체의 예를 나타낸 도면이다.
도3은 본 발명의 이방성 열전도 소자의 열전도 방향을 나타낸 도면이다.
도4는 본 발명의 이방성 열전도 소자의 제조방법의 실시예를 나타낸 것이다.
도5는 본 발명의 이방성 열전도 소자의 제조방법의 실시예를 나타낸 것이다.
도6은 본 발명의 이방성 열전도 소자의 제조방법의 실시예의 전개도이다.
도7은 본 발명의 이방성 열전도 소자의 제조방법의 실시예의 횡단면도이다.
도8은 본 발명에 의한 이방성 열전도 소자용으로 고 지향된 파이로리틱 그래파이트의 제조방법을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명에 의한 이방성 열전도 소자 및 그 제조방법을 실시하기 위한 구체적인 내용을 본 발명을 한정하지 않는 설명을 목적으로 하는 실시예를 통해 설명한다.
도1에 도시된 바와 같이, 이방성 열전도 소자(1)는 열원(H)으로부터 열을 전도할 수 있다. 스택된 그래파이트 시트의 구조체(3)는 열원의 표면을 따라 또는 마주하는 층을 형성한다. 상기 구조체(3)는 지지 파트(4)에 의해 둘러싸인 부분이 코팅된다.
도2에 도시된 바와 같이, 그래파이트 시트(2)는 0.25mm로부터 20mm까지의 두께와 양측 치수 또는 사각형 형태로 300mm 에 이르는 크기로 이루어진다. 그래파이트 시트(2)는 스택된 결정구조에서 6각형 공유결합을 갖고, 각각의 그래파이트 시트(2)의 그래파이트 층은 반 데르 발스 힘에 의해 연결된다. 그래파이트 시트(2)는 두께방향, 즉 Z방향으로 보다 그래파이트 시트(2)의 X-Y면으로 더 큰 열전도율을 갖는다.
도3에 도시된 바와 같이, 구조체(3)의 그래파이트 시트(2)의 X-Y면은 도5에 도시된 이방성 열전도 소자(1)의 일 부분일 수 있으며, 상기 부분은 열원(H)과 접촉하는 표면(C)에 배치되어 X-Y면에서의 높은 열전도성을 이용한다. 그래파이트 시트(2)의 X-Y면은 교차하여 효율적으로 직교하거나 열원과 접촉하는 접촉면에 대해 평행한 각도 이외의 임의적 각도를 이루며, 효율적으로 구조체(3)의 두께방향으로 열을 전도할 수 있다.
도4는 본 발명의 이방성 열전도 소자(1)의 다른 실시예 이다. 본 발명의 이방성 열전도 소자를 제조하는 제조방법은 도4를 참고로 하여 기술된다. 상기 방법은 스택된 그래파이트 시트(2)의 구조체(3)의 적어도 일 부분을 덮어서 지지 파트(4)를 형성하는 코팅공정 단계와, 코팅공정 후 스택 방향을 가로질러 절단하는 절단공정 단계를 포함한다. 선택적으로, 상기 절단공정 후, 표면처리 공정단계가 실시되어 구조체(3) 또는 지지 파트(4)의 1섹션에 대해 표면처리를 할 수 있다.
수지 형성(resin forming) 지지 파트(4)는 그래파이트 두께를 포함하지 않은 코팅공정으로 코팅이 0.5mm로부터 12mm까지의 두께가 되도록 구조체(3)의 표면을 코팅한다. 다이아몬드 절단기를 사용하여, 절단공정에 의해 수지가 고체로 된 후 그래파이트 시트(2)의 X-Y면에 대해 대체로 직교하고 있는 도4에 도시된 바와 같은 평면(P)을 따라 약 0.5mm로부터 12mm까지의 지정된 간격이나 유닛 세트로 절단하여 처리될 수 있다. 그 결과, 도1에 도시된 바와 같은 이방성 열전도 소자(1)가 제공된다.
페놀-기초된(phenol-based) 수지, 불소-기초된 수지, 에폭시-기초된 수지, 폴리이미드-기초된 수지, 또는 실리콘-기초된 수지와 같은 열경화성 수지가 적합하다. 구조체(3)는 몰딩 내의 지정된 위치에 고정되며, 열경화성 수지에 경화 작용제(setting agent)를 첨가하고 열처리를 하여 수지에 의한 구조체(3)의 표면을 코팅할 수 있으며, 그것은 적절한 열-저항 온도를 고려하여 선택된다.
또한, 상기 열가소성 수지에는 공학 플라스틱(engineering plastic)인 범용 폴리카보네이트, 슈퍼 공학 플라스틱인 폴리아미네이미드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리에테르 설폰, 폴리페닐렌 에테르, 폴리설폰, 테트라플루오로에틸렌과 같은 것이 있다.
더욱이, 상기 열가소성 수지와 열경화성 수지에서, 수지는 무기질 필러와 유기성 개질 필러 화합물을 사용함으로써 열 저항과 열에 대한 치수 안정성을 향상시키는데 사용될 수 있다. 또한, 접착성을 향상시키기 위해 첨가된 아민 그룹, 실리콘 그룹의 수지가 사용될 수 있다.
또한, UV큐러블(curable) 에폭시 수지, 아크릴산 수지, 실리콘 수지, 및 고온 환경 하에서 특별히 높은 부착성(coherency)을 갖는 에폭시 수지가 사용될 수 있다.
수지에 더하여, 금속 또는 세라믹 재료가 지지 파트(4)로 사용될 수 있으며, 상기 파트는 Al, Cu, Ni, Au와 같은 금속으로 구조체(3)의 둘레를 코팅할 수 있으며, 상기 재료는 스퍼터링과 같은 건식 방법(dry method)이나 플레이팅(plating)과 같은 습식 방법으로 적용할 수 있다. 또한, 접착성(cohesion)은 언더코팅으로서 Ti, Ni, NiCr, 또는 Pt와 같은 성분이 포함되는 탄소 또는 합금과 일반적으로 용이하게 잘부합(match)하는 금속을 사용하여 향상시킨다.
구조체(3)의 둘레는 알루미나, 지르코니아, 실리콘, 카바이드, 보론 니트라이드, 또는 니트라이드 알루미늄과 같은 세라믹으로 코팅될 수 있다. 건식 방법은 세라믹이 슬러리(slurry)의 형태로 제조된 후 스퍼터링(sputtering)이나 고온 압축방법(hot press method)과 같은 것이 사용될 수 있으며, 구조체(3)의 둘레가 코팅된다. 또한, 상술한 바와 같이, 그래파이트 표면의 금속화(metallization)는 열응력의 완화와 접착성을 향상시킬 수 있다.
코팅공정 전에 구조체(3)에 수지를 주입하는 진공 주입방법과 같은 주입공정을 실행하면, 상기 구조체의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 주입용으로 사용된 수지는 상술한 것과 유사한 것이지만, 특별히 에폭시 수지 또는 페놀 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 도2에 도시된 구조체(3)의 코팅 두께가 얇을 때, 복수개의 스택된 구조체(3)가 초기에 그래파이트 시트의 스택 방향을 따라 적층되며 1유닛으로서 지지 파트(4)에 의해 코팅되어, 스택된 많은 구조체(3)가 열(H) 전달을 위한 넓은 접촉영역을 가진 이방성 열전도 소자(1)를 생산할 수 있을 것이다.
도5의 (a)에 도시된 바와 같이, 절단공정 후 구조체(3)의 표면을 닦는 폴리싱 공정 단계가 폴리싱 장치(30)에 의해 표면이 매끄럽게(smooth) 실시될 수 있어서, 상기 표면은 청결(clean)하게 된다. 도5의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 표면에 금속층(M)을 형성하는 필름형성 공정 단계가 실시될 수 있다.
상기 필름형성 공정에서, 활성종(active species)으로서 티타늄(Ti)의 제1층(5)이 구조체(3)와 지지 파트(4)의 표면에 형성되며, 니켈(Ni) 층 또는 구리(Cu)의 제2층(6)이 그 위에 형성되며, 금(Au)의 제3층(7)이 또한 제2층 위에 형성될 수 있다. 바람직하게 각 금속 층의 필름 두께는 약 0.3㎛이다.
필름 제조 방법으로는 플레이팅 방법과 같은 습식 방법이나 스퍼터링과 진공 증착과 같은 건식 방법이 사용될 수 있다.
납땜으로 그래파이트 구조체(3)와 열원(H)을 직접 연결할 수 없기 때문에, 필름공정에서 금속층(M)을 형성하고, 금속층(M)에서 열원(H)에 금속층(5)을 납땜하여, 상기 구조체(3)가 상기 금속층(M)을 통한 납땜으로 강력하게 열원(H)에 연결될 수 있다. 이 경우, 금속층(M)의 필름두께가 약 1㎛이기 때문에, 열전도의 저하는 거의 없다.
또한, 열전도를 수행하며 열원에 대해 전기적 절연상태로 있게 할 필요가 있을 때에는, 폴리싱 공정 후 구조체(3)의 표면에 알루미나, 실론덤(silundum), 질화 붕소, 질화 알루미늄과 같은 세라믹을 포함하는 열 세라믹 분무(thermal ceramic spray)를 만들어 용이하게 세라믹으로 이루어진 절연 필름을 형성할 수 있다.
열 분무 공정에서 세라믹의 접착성능은 플라즈마 또는 레이저를 사용하는 표면 처리를 가하고 열 분무 공정 전 구조체(3)의 표면을 활성화 하여 향상시킬 수 있다.
적용에 따라, 지지 파트(4)의 전방 및 후방 양측에서 구조체(3)에 금속층(M)과 세라믹 층을 형성할 수 있다. 바람직하게, 지지 파트(4)의 열 저항의 관점에서 보았을 때 구조체(3)의 열원과 마주하는 표면 만을 위한 세라믹 층을 형성한다.
바꿔 말하면, 본 발명에 의한 표면처리 공정은 코팅 공정, 또는 폴리싱 공정과 열 분무 공정으로 또는 상기 공정들을 조합하여 실시된다.
더욱이, 적어도 부분적으로 구조체(3)를 둘러싸서 캡슐화할 수 있는 코팅이 된 지지 파트(4)에 열원(H) 또는 열 싱크에 대한 설치 파트 또는 수단으로 나사 구멍(4a)을 형성하여 구조체(3)를 손상시키지 않고 도5의 (c)에 도시된 바와 같이 용이하고 강력하게 열원(H)을 고정시킬 수 있다.
또한, 구조체(3)는 열원(H)과 접촉하는 구조체(3)의 접촉 표면에 접착제를 살포하여 접착시킬 수 있다.
도6 및 도7은 상술한 바와 같이 생산된 이방성 열전도 소자(1)를 사용하여 열원(H)으로부터 열을 전달하는 본 발명의 실시예를 나타낸다.
구조체(3)의 두께 방향으로 세라믹 보드(10)에 부착 또는 연결된 열원(H)으로부터 이방성 열전도 소자(1)를 통해 열을 전도한다. 열은 이 예에서는 이방성 열전도 소자(1)의 배면에 배치된 열 싱크(11)로 전달된다. 이방성 열전도 소자(1)는 세라믹 보드(10)와 열 싱크(11), 여기서는 방열 핀(fin) 사이에 개재되며, 세라믹 보드(10)와 이방성 열전도 소자(1), 이방성 열전도 소자(1)와 열 싱크(11)는 밀착 접촉(very close contact)하는 상태에 있으며, 각각에 형성된 나사구멍(10a, 4a, 11a)을 통해 고정수단인 나사 및 너트(12, 13)에 의해 단단하게 고정된다.
또한, 도7에서, 도면번호 '8'은 납땜 층이며, '9'는 세라믹 보드(10)에 형성된 금속층을 지칭한다.
상술한 바와 같이 적합하게 이방성 열전도 소자(1)용으로 사용된 구조체(3)로는 고 지향된 파이로리틱 그래파이트 종류가 선택된다. 보통의 그래파이트보다 높은 열전도율을 가진 고 지향된 파이로리틱 그래파이트를 사용하여 열전도 효율을 상당히 증가시킬 수 있다.
1,500W/m°K 보다 높은 열전도율을 가진 고 지향된 파이로리틱 그래파이트를 사용하는 것이 바람직하며, 특별히 사용하기에 적합한 예에는 미국 뉴욕주 뉴욕에 소재하는 MINTEQ 인터내셔널 Inc.에서 제조된 상품명 PYROID®HT가 있다.
일반적으로, 열전도는 자유전자와 격자진동(lattice vibration)에 의해 야기된다. 다이아몬드의 높은 열전도율(1000-2000W/m°K)은 격자진동에 의해 야기되며, 반면에 상당한(extremely) 이방성 PYROID®HT 그래파이트의 열전도율은 자유전자와 격자진동 양쪽으로 야기되어 다이아몬드와 같거나 작다.
그러나, PYROID®HT 파이로리틱 그래파이트는 예를 들어 다음과 같은 많은 유용한 특징을 갖는다: 밀도 2.22g/cc, 인장강도 28900kPa(a방향), 탄성계수 50GPa(a방향), 휨계수 33200MPa(a방향), 열팽창 계수 0.6＾10-6/℃(a방향), 25＾10-6/℃(c방향), 열전도율 1,700W/m°K(a방향), 7W/m°K(c방향), 5.0＾10-4전기 비저항(electric specific resistance)Ωcm(a방향), 0.6Ωcm(c방향), 산화 임계치 650℃(a방향), 투과율 10-6mmHg.
다른 재료의 열전도율과 대비하여 a방향으로의 PYROID®HT 파이로리틱 그래파이트의 열전도율은 매우 높으며, 그 예를 들면 질화 알루미늄(AlN)과 베닐리아(BeO)의 값의 약 6배이고, 특히 재료 구리(Cu)의 전체 열확산 값의 약 4배이다. 또한, a방향은 그래파이트 시트의 평면방향 내에서의 라미네이팅 방향이며, c방향은 a방향에 대해 직교하는 방향이다.
PYROID®HT 파이로리틱 그래파이트의 밀도는 거의 그래파이트의 이론 밀도 2.3g/cc 이며, 탄성계수 50GPa(a방향)는 예를 들어 기계적 진동을 하는 동안 응력을 받았을 때 파괴(break)되기가 용이하게 높고, 처리공정이 쉽지 않지만, 코팅이 된 지지 파트(4)에 의한 지지부가 상술한 바와 같이 구조체(3)의 둘레의 적어도 일 부분에 형성되기 때문에 열원에 설치할 때 기계의 응력 및 설치 후 기계의 진동으로 인한 처리공정을 할 때 파괴 없이 기대하는 열전도 성능을 유지시킬 수 있다.
PYROID®HT 파이로리틱 그래파이트는 도8에 도시된 바와 같이 CVD법으로 생산된다. 진공펌프(21)에 의한 진공 하에서 챔버(20)에서, 원료가스로써 실린더(22)로부터 공급된 탄화수소 가스는 히터(23)에 의해 2,000℃보다 높게 가열되는 가스에 의한 열에 의해 분해되며, 반면에 기층(24)에 증착 및 결정화하는 미세한 탄소핵(C)이 계층화된 형성물에 스택 및 증착되어, PYROID®HT 파이로리틱 그래파이트가 생산된다.
PYROID® 파이로리틱 그래파이트는 0.25mm로부터 20mm까지의 두께를 사용할 수 있으며, 스택동작과 증착시간을 제어하여 300㎟ 형상 구조 크기 만큼의 다양한 크기의 보드(board)로 생산할 수 있다.
상술된 바와 같은 이방성 열전도 소자(1)는 열원(H)으로부터 열을 전달한다. 상기 소자는 반도체 집적회로, 전력 반도체, 반도체 레이저, 및 열원(H)을 가진 이방성 열전도 소자(1)를 포함하는 전자장치와 같은 각종 전자장치들의 많은 영역에서 사용될 수 있다.
특히, 근래 상당히 발전한 전자기술을 가진 자동차에 사용할 때 진동-저항이 필요한 용도에 사용할 수 있다.
본 발명의 상술한 설명은 당업자에 의해 변경 및 개조될 수 있으며, 본 발명의 한정은 첨부 청구범위에 의해 이루어지며, 첨부 청구범위의 범위 내에서 이루어지는 변경 및 개조를 포함한다.

Claims (12)

  1. 열원으로부터 열을 전도시키기 위한 이방성 열전도 소자는:
    그래파이트 시트의 스택을 포함하며, 상기 그래파이트 시트의 각각은 평면 형태이며 각 그래파이트 시트에 의해 형성된 평면 방향으로 높은 열전도율과 각 그래파이트 시트의 두께 방향으로 낮은 열전도율을 갖고, 상기 그래파이트 시트는 그래파이트 시트의 두께 방향을 가로질러 열원과 접촉하기 위한 접촉 표면을 갖고, 그래파이트 시트의 스택은 적어도 부분적으로 코팅되어 이방성 열전도 소자의 지지 파트를 형성하는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  2. 제1항에 있어서, 금속층이 그래파이트 시트가 열원과 접촉하는 곳에 형성되는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  3. 제1항에 있어서, 세라믹층이 그래파이트 시트가 열원과 접촉하는 곳에 형성되는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 이방성 열전도 소자에는 수지가 주입되는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 그래파이트 시트는 고 지향된 파이로리틱 그래파이트인 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 고 지향된 파이로리틱 그래파이트는 1,500W/mK의 열전도율을 가진 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 열원을 지지 파트에 고정시키기 위한 설치 파트를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 열원을 가진 전자장치와 조합하며, 이방성 열전도 소자는 상기 열원으로부터 열을 전도시키는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자.
  9. 청구항 제1항의 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법은:
    그래파이트 시트의 각각이 평면 형태이며 각 그래파이트 시트에 의해 형성된 평면 방향으로 높은 열전도율과 각 그래파이트 시트의 두께 방향으로 낮은 열전도율을 갖도록 그래파이트 시트의 스택을 제공하는 단계와;
    그래파이트 시트의 두께 방향을 가로질러 열원과 접촉하기 위한 접촉 표면을 그래파이트 시트에 제공하는 단계; 및
    적어도 부분적으로 그래파이트 시트를 코팅하여 이방성 열전도 소자의 지지 파트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 그래파이트 시트 스택의 접촉 표면의 적어도 일 부분을 표면 처리하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 그래파이트 시트를 코팅하기 전에 그래파이트 시트의 스택에 수지를 주입하는 단계를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법.
  12. 청구항 제1항의 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법은:
    a)그래파이트 시트의 각각이 평면 형태이며 각 그래파이트 시트에 의해 형성된 평면 방향으로 높은 열전도율과 각 그래파이트 시트의 두께 방향으로 낮은 열전도율을 갖도록 그래파이트 시트의 제1스택을 제공하는 단계와;
    b)적어도 부분적으로 그래파이트 시트의 제1스택을 코팅하여 그래파이트 시트의 제1스택에 코팅을 형성하는 단계와;
    c)그래파이트 시트의 두께 방향을 가로질러 그래파이트 시트의 제1스택을 절단하여 그래파이트 시트의 제2스택의 적어도 일 부분에 코팅을 가진 그래파이트 시트의 제2스택을 형성하는 단계를 포함하며;
    c')상기 코팅은 이방성 열전도 소자의 지지 파트를 형성하여 이루어지며, 상기 제2스택은 그래파이트 시트의 두께 방향을 가로질러 열원과 접촉하는 접촉 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 이방성 열전도 소자를 제조하는 방법.
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