JP2007214492A - 絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板並びに絶縁伝熱構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁体層2と、絶縁体層2の両側に配置された高熱伝導体層3、4とを備え、絶縁体層2が、接合層5と、高熱伝導体層3、4に突出されているダイヤモンド粒子6とを有し、接合層5の面内方向の一方向でダイヤモンド粒子6を等間隔に複数配置した粒子群6Aが、前記面内方向の前記一方向は異なる方向に等間隔で複数配置されている。
【選択図】図1
Description
この種のパワーモジュール構造体としては、例えば絶縁体セラミックスと、この絶縁体セラミックスの一面にハンダ層を介して設けられた回路層と、絶縁体セラミックスの他面にハンダ層を介して設けられた放熱板と、この放熱板に熱伝導グリース層を介して装着されたヒートシンクとを備える構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
このパワーモジュール構造体は、回路層の表面に例えば半導体チップのような発熱体を配設することで使用される。そして、使用時には、発熱体のオンオフが繰り返されることにより、パワーモジュール構造体全体に温度サイクルが作用することとなる。
この発明によれば、絶縁性高熱伝導硬質粒子の配置間隔を0.1mm以上5.0mm以下とすると共に粒子群の配置間隔を0.1mm以上5.0mm以下とすることによって、両高熱伝導体層間の熱伝導性を維持すると共に、絶縁性高熱伝導硬質粒子の使用量を抑制することができる。
この発明によれば、絶縁性高熱伝導硬質粒子の配置間隔を0.1mm以上5.0mm以下とすると共に粒子群の配置間隔を0.1mm以上5.0mm以下とすることによって、上述と同様に、両高熱伝導体層間の熱伝導性を維持すると共に、絶縁性高熱伝導硬質粒子の使用量を抑制することができる。
この発明によれば、例えば半導体チップのような発熱体が搭載される発熱体搭載予定部と対向する位置に絶縁性高熱伝導硬質粒子を配置することで、発熱体による発熱を効率よく他方の高熱伝導体層に伝導させることができると共に、絶縁性高熱伝導硬質粒子の使用量を削減することができる。
この発明によれば、低熱膨張係数でかつ熱伝導率の高いダイヤモンド、SiC、Si3N4、AlNあるいはBNを用いることで、絶縁体層と一方の高熱伝導体層とを合わせた熱膨張係数を小さくでき、かつ絶縁体層の両側に配置された高熱伝導体層間で良好に熱を伝達することができる。
この発明によれば、絶縁体層が弾性を有することから、使用時に熱サイクルが生じたとしても、高熱伝導体と絶縁体層との間に亀裂が生じることが防止される。
この発明によれば、ガラス相またはガラス相に結晶相もしくはセラミック粒子が分散した複合相を用いることで絶縁耐圧を上昇させたり、高温高湿雰囲気中での耐圧値の劣化を抑制したりすることができる。
この発明によれば、Al、Cu、AgまたはAuの熱伝導率が高いことから、発熱体の熱が良好に伝達されることになる。また、Alは、歪み量に対する変形応力が小さく、熱サイクルによる熱硬化が少ないことから、信頼性が向上する。
この発明によれば、回路上に半導体チップを搭載して、この半導体チップで発生した熱を、半導体チップが搭載された一方の高熱伝導体層から他方の高熱伝導体層に伝導する。
この発明によれば、高熱伝導体層の1つに半導体チップを搭載して、他の高熱伝導体層とこの半導体チップの電極をワイヤなどで接続し、電子回路として使用することができる。
この発明によれば、分割形成された高熱伝導体層の厚みを適宜変更することで、過渡熱を抑制することができる。
この発明によれば、ニッケルメッキ層によってハンダとの良好な接合性が得られるので、高い放熱性を維持することができる。したがって、製品寿命が向上する。
この発明によれば、放熱体によって効率よく放熱することができる。
この発明によれば、端子構造を介して他の電子回路などと接続される。
この発明によれば、半導体チップの生じる熱が絶縁伝熱構造体を介して放熱され、使用時に熱サイクルが生じたとしても、高熱伝導体層と絶縁体層との間に剥離や亀裂が生じない。
この発明によれば、上述と同様に、高熱伝導体層と絶縁体層との間に剥離や亀裂が生じない。また、半導体チップの生じる熱が伝導されたときに、より効率よく放熱することができる。
この発明によれば、絶縁伝熱構造体をヒートシンクに対して付勢することで、絶縁伝熱構造体とヒートシンクとの接触が良好となるので、半導体チップに生じる熱をより効率よく伝達させることができる。
この発明によれば、絶縁伝熱構造体をヒートシンクに対して付勢することで、絶縁伝熱構造体とヒートシンクとの接触が良好となるので、半導体チップに生じる熱をより効率よく伝達させることができる。
また、本発明の絶縁伝熱構造体の製造方法は、前記粒子配置工程が、前記接合層上に、面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔であると共に前記絶縁性高熱伝導硬質粒子の粒径とほぼ同一である複数の貫通孔によって構成される貫通孔群が前記一点を中心として同心円状に前記基準円の半径方向で等間隔に複数形成されたマスク部材を配置し、前記複数の貫通孔に、前記高熱伝導硬質粒子を通過させて前記接合層上に配置することが好ましい。
この発明によれば、マスク部材上に絶縁性高熱伝導硬質粒子を配置したときに、貫通孔を通過した絶縁性高熱伝導硬質粒子のみが接合層上に配置される。したがって、接合層上にそれぞれ所定の間隔となるように粒子群及び粒子群を形成する絶縁性高熱伝導硬質粒子を容易に配置することができる。
また、本発明の絶縁伝熱構造体の製造方法は、前記粒子配置工程が、前記接合層上に、紫外線を照射することで粘着性が変化する感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層に紫外線を照射して、該感光性樹脂層の面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔である複数箇所に粘着性を有する複数の粘着部位によって構成される粘着部位群を前記一点を中心として同心円状に前記基準円の半径方向で等間隔に複数形成し、前記複数の粘着部位群を構成する複数の粘着部位のそれぞれに前記高熱伝導硬質粒子を粘着固定させて前記接合層上に配置することが好ましい。
この発明によれば、感光性樹脂層の上面に絶縁性高熱伝導硬質粒子を配置したときに、粘着部位上に配置された絶縁性高熱伝導硬質粒子のみが感光性樹脂層の上面に粘着固定され、感光性樹脂層の他の上面に配置された絶縁性高熱伝導硬質粒子が感光性樹脂層の上面に粘着固定されない。したがって、接合層上にそれぞれ所定の間隔となるように粒子群及び粒子群を形成する絶縁性高熱伝導硬質粒子を容易に配置することができる。
本実施形態における絶縁伝熱構造体1は、絶縁体層2と、絶縁体層2の両側に配置された高熱伝導体層3、4とを備えている。
また、ダイヤモンド粒子6は、その粒径が100μm以上300μm以下となっており、絶縁体層2の両側に高熱伝導体層3、4を配置し、高熱伝導体層3、4を熱間圧着したときに、高熱伝導体層3、4側に位置している部分が高熱伝導体層3、4内に突き出される。
そして、ダイヤモンド粒子6は、図2に示すように、接合層5の面方向の一方向で間隔L1となるように複数配置されることで粒子群6Aを形成している。そして、この粒子群6Aは、接合層5の面方向の上記一方向とは異なる他の方向で間隔L2となるように複数配置されている。すなわち、ダイヤモンド粒子6は、接合層5の面内で格子状に配置されている。ここで、間隔L1、L2は、それぞれ0.1mm以上5.0mm以下となっている。なお、ダイヤモンド粒子6は、接合層5の面方向で互いに交差する2方向で、それぞれの方向で等間隔に配置されていればよく、この2方向が直交する格子状に限られるものではない。
まず、接合層形成工程を行う。この接合層形成工程では、一方の高熱伝導体層4の一面に接合層5を形成し、その上に溶剤を塗布することで溶剤層8を形成する(図3(a)参照)。
次に、粒子配置工程を行う。この粒子配置工程では、ダイヤモンド粒子6とほぼ同一の径の貫通孔Maが形成された金属またはセラミックスで形成されたマスク板(マスク部材)Mを、接合層5からダイヤモンド粒子6とほぼ同一の間隙を介して配置する(図3(b)参照)。ここで、貫通孔Maは、一方向で間隔L1となるように複数形成されることで貫通孔群Mbを構成している。また、この貫通孔群Mbは、一方向とは異なる他の方向で間隔L2となるように複数形成されている。これら間隔L1、L2は、それぞれダイヤモンド粒子6の配置間隔と同様に0.1mm以上5.0mm以下となっている。そして、マスク板Mの上から貫通孔Maを介してダイヤモンド粒子6を溶剤層8上に配置する(図3(c)参照)。このとき、マスク板Mの上にダイヤモンド粒子6を載置しても、貫通孔Maを通過したダイヤモンド粒子6のみが溶剤層8上に配置され、接合層5上の互いに交差する2方向で等間隔となるように配置される。
そして、加熱加圧工程を行う。この加熱加圧工程では、溶剤層8を乾燥させ(図3(d)参照)、加熱・加圧することで両高熱伝導体層3、4間を接合層5を介して一体に接合させ、ダイヤモンド粒子6の高熱伝導体層3、4に対向している部分を高熱伝導体層3、4側に貫入させる(図3(e)参照)。
以上のようにして、絶縁体層2の両側に高熱伝導体層3、4を積層した状態で配置した絶縁伝熱構造体1が製造される。ここで、ダイヤモンド粒子6の表面をCuメッキまたはNiメッキで被覆し、ダイヤモンド粒子6と高熱伝導体層3、4との接合性を高めてもよい。
すなわち、高熱伝導体層3の半導体チップが搭載される発熱体搭載予定部と対向する接合層5のみにダイヤモンド粒子6が配置されるようにマスク板Mの貫通孔Maを形成する。そして、このマスク板Mを用いてダイヤモンド粒子6を配置して高熱伝導体層3、4で接合層5を挟み込むことで、ダイヤモンド粒子6が発熱体搭載予定部と対向する接合層5のみに配置される。このように発熱体搭載予定部と対向する接合層5のみにダイヤモンド粒子6を配置することで、半導体チップのような発熱体で発熱した熱が他の高熱伝導体層に効率よく伝導されると共に、ダイヤモンド粒子6の使用量の削減を図れる。
次に、粒子配置工程では、格子状のように2方向でそれぞれ間隔L1、L2となるように貫通孔が形成されたマスクを用いて感光性樹脂層9に対して紫外線を照射する。これにより、感光性樹脂層9の面方向の一方向で紫外線の照射部位9Aが等間隔に複数形成されることで照射部位群9Bを構成すると共に、この照射部位群9Bが面方向の一方向とは異なる方向で等間隔に複数形成される。この照射部位9Aは、紫外線が照射されることによって粘着性が変化する(図4(b)参照)。そして、感光性樹脂層9の上にダイヤモンド粒子6を配置させ(図4(c)参照)、加熱することで感光性樹脂層9を消失させる(図4(d)参照)。このとき、感光性樹脂層9の照射部位9Aがダイヤモンド粒子6の粒径とほぼ同一となるように形成することで、ダイヤモンド粒子6を感光性樹脂層9上に均一に配置しても、感光性樹脂層9上の2方向のそれぞれで等間隔となるように形成された照射部位9A上のみにダイヤモンド粒子6が1つずつ配置されることになる。
その後、加熱加圧工程では、上述と同様に、加熱・加圧することで両高熱伝導体層3、4間を接合層5を介して一体に接合させ、ダイヤモンド粒子6の高熱伝導体層3、4に対向している部分を高熱伝導体層3、4側に貫入させる(図4(e)参照)。以上のようにして絶縁伝熱構造体1を製造する。ここで、感光性樹脂層9は、紫外線を照射することによって粘着性を消失するように構成されてもよい。
ここで、上述と同様に、面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔であると共にダイヤモンド粒子6の粒径とほぼ同一である複数の貫通孔(図示略)によって構成される貫通孔群(図示略)が上記一点を中心として同心円状に上記基準円の半径方向で等間隔に複数形成されたマスク板(図示略)を用いてダイヤモンド粒子6の配置を行ってもよい。さらに、紫外線を照射して、面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔である複数箇所に粘着性を有する複数の粘着部位(図示略)によって構成される粘着部位群(図示略)を上記一点を中心として同心円状に上記基準円の半径方向で等間隔に複数形成した感光性樹脂層(図示略)を用いてダイヤモンド粒子6の配置を行ってもよい。
第2の実施形態におけるパワーモジュール用基板20は、絶縁伝熱構造体をパワーモジュール用基板として適用したものであって、絶縁体層2の上面側に一方の高熱伝導体層3a、3bであるAlなどからなる回路層が分割して配置され、絶縁体層2の下面側に他方の高熱伝導体層4であるAlなどからなる薄板が配置されている。そして、これらを加熱、加圧することにより両高熱伝導体層3a、3b、4を絶縁体層2の接合層5を介して一体的に接合し、絶縁体層2のダイヤモンド粒子6の一部を両高熱伝導体層3a、3b、4内に突き出させた構成とされている。
第3の実施形態におけるパワーモジュール用基板25は、高熱伝導体層3a、3b及び高熱伝導体層4の表面がニッケルメッキ層(以下、Niメッキ層と省略する)26で被覆されている。
第4の実施形態におけるパワーモジュール用基板30は、一方の高熱伝導体層3a、3bとして互いに厚さの異なるCu製のヒートブロックが配置され、他方の高熱伝導体層4としてAlなどからなる薄板が配置されている。
第4の実施形態におけるパワーモジュール用基板35は、上述した第3の実施形態と同様に、高熱伝導体層3a、3b及び高熱伝導体層4の表面がNiメッキ層26で被覆されている。
第6の実施形態におけるパワーモジュール用基板40は、一方の高熱伝導体層3としてCu製の回路層が配置され、他方の高熱伝導体層4としてAl製のヒートブロックが配置されている。そして、高熱伝導体層3である回路層の表面にハンダ層41を介して半導体チップ42が実装されている。
第7の実施形態におけるパワーモジュール用基板45は、一方の高熱伝導体層3としてCu製の回路層が配置され、他方の高熱伝導体層4としてAl製のヒートシンクが配置されている。
第8の実施形態におけるパワーモジュール用基板50は、一方の高熱伝導体層3a、3bの表面をNiメッキ層26で被覆したCu製の回路層が配置され、他方の高熱伝導体層4としてAl製のヒートシンクが配置されている。
第9の実施形態におけるパワーモジュール用基板55は、一方の高熱伝導体層3a、3bとして表面をNiメッキ層26で被覆したCu製の回路層及びCu製の端子部材が配置され、他方の高熱伝導体層4として表面がNiメッキ層26で被覆されたAlなどからなる薄板が配置されている。
第10の実施形態におけるパワーモジュール用基板60は、一方の高熱伝導体層3a、3bとして表面をNiメッキ層26で被覆したCu製のヒートブロックが配置され、他方の高熱伝導体層4として表面をNiメッキ層26で被覆したAlなどからなる薄板が配置されている。
高熱伝導体層3aの表面には、ハンダ層41を介して半導体チップ42が実装されており、半導体チップ42の表面と高熱伝導体層3bの表面とをAlワイヤ61で接続されている。また、高熱伝導体層4の下面に放熱板62が接合されている。
第11の実施形態におけるパワーモジュール用基板65は、放熱板62の下面に熱伝導グリース層(図示略)を介在させた状態でネジ66を用いてヒートシンク67が取り付けられている。
第12の実施形態におけるパワーモジュール用基板70は、上フランジ部71a及び下フランジ部71bを備える付勢部材71を有している。この付勢部材71は、上フランジ部71aを高熱伝導体層3a、3bの外縁部に当接させ、下フランジ部71bをヒートシンク67に当接させて高熱伝導体層4の下面に熱伝導グリース層(図示略)を介在させた状態でネジ62を用いてヒートシンク67に取り付けられている。
例えば、接合層は、絶縁抵抗が1010Ω・cm以上、融点が450〜600℃であればよく、アクリル熱圧着テープやエポキシやポリイミド、PBI(ポリベンズイミダゾール)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PAI(ポリアミドイミド)、各種の熱硬化性樹脂を用いてもよい。
2 絶縁体層
3、4 高熱伝導体層
5 接合層
6 ダイヤモンド粒子(絶縁性高熱伝導硬質粒子)
6A、6B 粒子群
9 感光性樹脂層
9A 粘着部位
9B 粘着部位群
20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70 パワーモジュール用基板
26 Niメッキ層(ニッケルメッキ層)
42 半導体チップ
62 放熱体
67 ヒートシンク
71 密接部材
M マスク板(マスク部材)
Ma 貫通孔
Mb 貫通孔群
Claims (25)
- 絶縁体層と、該絶縁体層の両側に配置された高熱伝導体層とを備え、
前記絶縁体層が、接合層と、前記高熱伝導体層に突出されている絶縁性高熱伝導硬質粒子とを有する絶縁伝熱構造体において、
前記接合層の面内方向の一方向で前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を等間隔に複数配置した粒子群が、前記面内方向の前記一方向は異なる方向に等間隔で複数配置されていることを特徴とする絶縁伝熱構造体。 - 前記粒子群を形成する前記絶縁性高熱伝導硬質粒子が、前記一方向で0.1mm以上5.0mm以下の間隔で配置されていると共に、
前記粒子群が、前記一方向とは異なる方向で0.1mm以上5.0mm以下の間隔で配置されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁伝熱構造体。 - 絶縁体層と、該絶縁体層の両側に配置された高熱伝導体層とを備え、
前記絶縁体層が、接合層と、前記高熱伝導体層に突出されている絶縁性高熱伝導硬質粒子とを有する絶縁伝熱構造体において、
前記接合層の面内の一点を基準とした基準円の周方向で前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を等間隔に複数配置した粒子群が、前記一点を中心とした同心円状に前記基準円の半径方向に等間隔で複数配置されていることを特徴とする絶縁伝熱構造体。 - 前記粒子群を形成する前記絶縁性高熱伝導硬質粒子が、前記周方向で0.1mm以上5.0mm以下の間隔で配置されていると共に、
前記粒子群が、前記基準円の半径方向で0.1mm以上5.0mm以下の間隔で配置されていることを特徴とする請求項3に記載の絶縁伝熱構造体。 - 一方の前記高熱伝導体層の上面に発熱体を搭載する発熱体搭載予定部が形成され、
前記絶縁性高熱伝導硬質粒子が、前記発熱体搭載予定部と対向するように配置されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。 - 前記絶縁性高熱伝導硬質粒子が、ダイヤモンド、SiC、Si3N4、AlNあるいはBNによって構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記接合層が、耐熱性樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記接合層が、ガラス相またはガラス相に結晶相もしくはセラミック粒子が分散した複合相によって形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記高熱伝導体層が、Al、Cu、AgまたはAuで構成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記高熱伝導体層の一方に、半導体チップを搭載するための回路が形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記回路が形成された高熱伝導体層が、前記絶縁体層の一面に分割して形成されていることを特徴とする請求項10に記載の絶縁伝熱構造体。
- 少なくとも2つ形成された前記高熱伝導体層のうちの1つの厚みが、他の前記高熱伝導体層のうちの少なくとも1つの厚みと異なることを特徴とする請求項11に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記回路が構成された高熱伝導体層の表面が、ニッケルメッキ層によって被覆されていることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記高熱伝導体層のうちの一方が、放熱体であることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 前記高熱伝導体層の少なくとも一部に、端子構造が形成されていることを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の絶縁伝熱構造体と、前記高熱伝導体層の上面に設けられた半導体チップとを備えることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 他の前記高熱伝導体層の下面に放熱板が接合されていることを特徴とする請求項16に記載のパワーモジュール用基板。
- ヒートシンクが設けられていることを特徴とする請求項16または17に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記絶縁伝熱構造体を前記ヒートシンクに対して付勢させる付勢部材を備えることを特徴とする請求項18に記載のパワーモジュール用基板。
- 高熱伝導体層の一面に接合層を設ける接合層形成工程と、
該接合層の上面に、該接合層の面方向の一方向で絶縁性高熱伝導硬質粒子を等間隔で配置して粒子群を形成すると共に、該粒子群を前記接合層の面方向の前記一方向とは異なる方向で等間隔に配置する粒子配置工程と、
前記高熱伝導体層との間に前記接合層及び前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を介在させるように他の高熱伝導体層を配置した状態で、加熱、加圧し、前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を前記両高熱伝導体層に突き出させる加熱加圧工程と、を備えることを特徴とする絶縁伝熱構造体の製造方法。 - 前記粒子配置工程が、前記接合層上に、面方向の一方向で等間隔であると共に前記絶縁性高熱伝導硬質粒子の粒径とほぼ同一である複数の貫通孔によって構成される貫通孔群が前記面方向の前記一方向とは異なる方向で等間隔に複数形成されたマスク部材を配置し、
前記複数の貫通孔に、前記高熱伝導硬質粒子を通過させて前記接合層上に配置することを特徴とする請求項20に記載の絶縁伝熱構造体の製造方法。 - 前記粒子配置工程が、前記接合層上に、紫外線を照射することで粘着性が変化する感光性樹脂層を形成し、
該感光性樹脂層に紫外線を照射して、該感光性樹脂層の面方向の一方向に等間隔である複数箇所に粘着性を有する複数の粘着部位によって構成される粘着部位群を前記面方向の前記一方向とは異なる方向で等間隔に複数形成し、
前記複数の粘着部位群を構成する複数の粘着部位のそれぞれに前記高熱伝導硬質粒子を粘着固定させて前記接合層上に配置することを特徴とする請求項20に記載の絶縁伝熱構造体の製造方法。 - 高熱伝導体層の一面に接合層を設ける接合層形成工程と、
該接合層の上面に、該接合層の面内の一点を基準とした基準円の周方向で絶縁性高熱伝導硬質粒子を等間隔で配置して粒子群を形成すると共に、該粒子群を前記一点を中心とした同心円状に前記基準円の半径方向で等間隔に複数配置する粒子配置工程と、
前記高熱伝導体層との間に前記接合層及び前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を介在させるように他の高熱伝導体層を配置した状態で、加熱、加圧し、前記絶縁性高熱伝導硬質粒子を前記両高熱伝導体層に突き出させる加熱加圧工程と、を備えることを特徴とする絶縁伝熱構造体の製造方法。 - 前記粒子配置工程が、前記接合層上に、面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔であると共に前記絶縁性高熱伝導硬質粒子の粒径とほぼ同一である複数の貫通孔によって構成される貫通孔群が前記一点を中心として同心円状に前記基準円の半径方向で等間隔に複数形成されたマスク部材を配置し、
前記複数の貫通孔に、前記高熱伝導硬質粒子を通過させて前記接合層上に配置することを特徴とする請求項23に記載の絶縁伝熱構造体の製造方法。 - 前記粒子配置工程が、前記接合層上に、紫外線を照射することで粘着性が変化する感光性樹脂層を形成し、
該感光性樹脂層に紫外線を照射して、該感光性樹脂層の面内の一点を基準とした基準円の周方向で等間隔である複数箇所に粘着性を有する複数の粘着部位によって構成される粘着部位群を前記一点を中心として同心円状に前記基準円の半径方向で等間隔に複数形成し、
前記複数の粘着部位群を構成する複数の粘着部位のそれぞれに前記高熱伝導硬質粒子を粘着固定させて前記接合層上に配置することを特徴とする請求項23に記載の絶縁伝熱構造体の製造方法。
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JP2006035087A JP4797676B2 (ja) | 2006-02-13 | 2006-02-13 | 絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板並びに絶縁伝熱構造体の製造方法 |
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