KR20120025616A - 반도체 레이저 구동 장치 및 그 반도체 레이저 구동 장치를 구비한 화상 형성 장치 - Google Patents

반도체 레이저 구동 장치 및 그 반도체 레이저 구동 장치를 구비한 화상 형성 장치 Download PDF

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Abstract

구동 전류 출력 단자로부터 출력된 구동 전류로 반도체 레이저를 구동시키는 반도체 레이저 구동 장치를 개시한다. 이 반도체 레이저 구동 장치는 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되는 구동 전류 모니터링 단자와, 그 구동 전류 모니터링 단자에 접속되며, 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압으로 변환하도록 구성되는 전류-전압 변환 레지스터와, 기준 전압을 생성하여, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 그 기준 전압에 도달하였는지의 여부를 검출하도록 구성되는 검출기를 포함한다.

Description

반도체 레이저 구동 장치 및 그 반도체 레이저 구동 장치를 구비한 화상 형성 장치{SEMICONDUCTOR LASER DRIVING DEVICE AND IMAGE FORMING APPARATUS HAVING THE SEMICONDUCTOR LASER DRIVING DEVICE}
본 발명은 개괄적으로 반도체 레이저 구동 장치 및 그 반도체 레이저 구동 장치를 구비한 화상 형성 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 레이저[이하, 레이저 다이오드(LD)라고 칭함]는 다른 반도체 부품과 비교해서 비교적 수명이 짧고, LD의 발광 컨트롤러 등은 대체로 LD의 시간 경과에 따른 열화를 검출하도록 구성되어 있기 때문에, 사실상 고장이 발생하기 전에 열화된 LD를 새로운 것으로 교체할 수 있다.
LD 열화를 검출하기 위한 대안 기술에서는 LD에 흐르는 전류를 시간에 따라 계속 모니터링하여 LD 열화를 검출하도록 LD를 구성하고 있다. 예컨대, 반도체 레이저 구동 장치 조립 라인의 각 프로세스에서 LD에 흐르는 전류가 모니터링된다면, LD 열화가 발생한 프로세스 중 하나를 즉시 밝혀낼 수 있다. 따라서, LD 열화를 즉시 검출할 수 있고 열화된 LD를 빠른 시기에 새것으로 교체할 수 있다.
LD 열화를 검출하기 위한 종래 기술의 일례로서, 일본 특허출원 공개 제2002-280522("특허문헌 1"이라고도 함)에는, 레이저 다이오드(LD)와 레지스터(R)가 직렬로 접속되어 있어 전류-전압 변환된 전압을 모니터링함으로써 LD 열화를 검출할 수 있는 화상 형성 장치가 개시되어 있다. 마찬가지로, 다른 예로서, 일본 특허출원 공개 제09-289493호("특허문헌 2"라고도 함)에는, 광송신기의 소자들에 흐르는 전류를 이용하여 LD 열화를 검출할 수 있는 광송신기가 개시되어 있다. 개시된 광송신기는 LD 전류(LD로 하여금 레이저빔을 출력하게 하는 전류)를 생성하도록 구성된 전류 미러 회로와, 그 전류 미러 회로의 입력측에 설치된 레지스터 또는 트랜지스터를 포함하는데, 이 레지스터 또는 트랜지스터는 설치된 레지스터 또는 트랜지스터와 그 전류 미러 회로의 소자들과의 사이에 흐르는 전류를 이용하여 서지 전류를 제한하기 위한 것이다. 또한, 또 다른 예로서, 일본 특허출원 공개 제08-295048호("특허문헌 3"이라고도 함)에는, LD 열화 검출기를 설치하여 LD 열화를 검출할 수 있는 화상 형성 장치를 개시하고 있다. 이 개시된 화상 형성 장치에서는, LD 접속 단자에 LD 열화 검출기를 설치하여 LD 열화를 검출한다.
그러나, 특허문헌 1에 개시된 화상 형성 장치에 대해 설명한 바와 같이, 레지스터(R)를 LD에 직렬로 접속하면, LD측 출력 전류 라인에 저항 부하 및 기생 용량 성분이 생성되어, LD 구동 장치의 고속 동작을 방해할 수 있다. 마찬가지로, 특허문헌 2에 개시된 광송신기에서도, 전류 미러 회로의 입력측에 저항 부하 및 기생 용량 성분이 생성된다. 또한, 특허문헌 3에 개시된 화상 형성 장치에서도, LD 출력 라인에 저항 부하가 생성될 수 있다.
또한, 개시된 특허문헌 1 내지 3에 있어서, LD 구동 장치의 메인 회로에 부하가 삽입되기 때문에, 부하 값을 용이하게 제어할 수 없다. 예컨대, 부하가 메인 회로에 반도체 회로로서 삽입된 경우, 레지스터 및 소자의 가변성으로 인해, 전류 모니터링 또는 서지 전류 검출의 정확성이 저하된다. 그 결과, 발광 컨트롤러 등은 검출 정확성을 향상시키기 위해 전기적으로 복잡한 미세 조정을 수행해야 하므로, 시간 소모적인 작업을 초래할 수 있다.
일본 특허출원 공개 제2002-280522 일본 특허출원 공개 제09-289493호 일본 특허출원 공개 제08-295048호
이에, 본 발명의 목적은 외부의 복잡한 미세 조정 없이도, LD 출력 메인 회로에 인가된 최소 저항 부하로 LD 출력 메인 회로(LD로 하여금 레이저빔을 출력하게 하는 메인 회로)에 흐르는 전류를 모니터링하여 과전류를 검출할 수 있는 신규하고 유용한 반도체 레이저 구동 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 그러한 반도체 레이저 구동 장치를 포함하는 화상 형성 장치를 제공한다.
일 실시형태에 있어서, 구동 전류 출력 단자로부터 출력된 구동 전류로 반도체 레이저를 구동시키는 반도체 레이저 구동 장치가 제공된다. 이 반도체 레이저 구동 장치는 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되는 구동 전류 모니터링 단자와, 상기 구동 전류 모니터링 단자에 접속되며, 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압으로 변환하도록 구성되는 전류-전압 변환 레지스터와, 기준 전압을 생성하여, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하였는지의 여부를 검출하도록 구성되는 검출기를 포함한다.
다른 실시형태에 있어서, 구동 전류 출력 단자로부터 출력된 구동 전류로 반도체 레이저를 구동시키는 반도체 레이저 구동 장치가 제공된다. 이 반도체 레이저 구동 장치는 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되는 구동 전류 모니터링 단자와, 상기 구동 전류 모니터링 단자에 접속되며, 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압으로 변환하도록 구성되는 전류-전압 변환 레지스터와, 기준 전압을 생성하여, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하였는지의 여부를 검출하도록 구성되는 검출기와, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하면 상기 검출기의 검출 결과를 외부에 통지하도록 구성되는 알람 유닛을 포함한다.
다른 실시형태에 있어서, 전술한 반도체 레이저 구동 장치 중 하나를 포함하는 화상 형성 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부하는 도면을 참조하여 이하의 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 2는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 3은 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 4는 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 5는 제5 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 6은 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태들에 대해 설명한다.
[제1 실시형태]
도 1은 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)는 스위칭 장치(M1, M2)로 구성된 제1 전류 미러 회로로 하여금 전류를 증폭시키도록 구성된다. 증폭된 전류는 구동 전류[즉, 레이저 다이오드(LD) 구동 전류]로서 이용되며, 구동 전류 단자(6)를 통해 부하(4)[즉, 레이저 다이오드, 이하 "LD(4)"라고 함)]에 출력된다. 마찬가지로, 반도체 레이저 구동 장치(2a)는 스위칭 장치(M1, M3)로 구성된 제2 전류 미러 회로로부터 출력된 전류를 구동 전류 모니터링 전류[즉, 레이저 다이오드(LD) 구동 전류 모니터링 전류]로서 이용한다. 여기서, LD 구동 전류 모니터링 전류의 값은 구동 전류의 1/α이다(도 1 참조). 또한, 여기서, α의 값이 작을수록, 스위칭 장치(M1, M2)로 구성된 제1 전류 미러 회로에 접속된 LD(4)가 반도체 레이저 구동 장치(2a) 전체에 미치는 역효과가 작아져, LD 구동 전류에 의한 LD(4)의 열화 속도를 둔화시킬 수 있다.
또한, 반도체 레이저 구동 장치(2a)에 있어서, 모니터링 단자(8)가 LD 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되고, 모니터링 단자(8)가 레지스터(10)에 접속되어, 그 모니터링 단자(8)로부터 출력된 LD 구동 전류 모니터링 전류는 그 레지스터(10)에 의해 전압(LD 구동 전류 모니터링 전압)으로 변환된다. 화상 컨트롤러 회로(16)가 이 모니터링 단자(8)의 전압을 모니터링하여 시간에 따른 LD 구동 전류의 변화를 관측한다. 이런 식으로, LD(4)의 열화 속도가 즉시 또는 단속적으로 검출될 수 있다.
또한, 모니터링 단자(8)는 과전류 검출기(12)에 사용되는 전압 비교기(14)에 접속된다. 과전류 검출기(12)에 있어서, 전압 비교기(14)는 변환된 모니터링 구동 전압과 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력한다. 즉, 변환된 모니터링 구동 전압이 기준 전압을 초과하면, 과전류 검출기(12)는 그 결과를 과전류라고 판정하고, "에러"(즉, 이 경우에는 "하이" 값)를 출력한다.
따라서, 반도체 레이저 구동 장치(2a)에 접속된 외부 레지스터(10)의 저항에 대해 최적값이 설정되면, 과전류 검출 레벨이 용이하게 설정될 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)에 있어서, LD 구동 전류의 1/α(α≥1)의 값을 갖는 LD 구동 전류 모니터링 전류는 LD 구동 전류와는 다른 경로를 통해 모니터링 단자(8)에 공급된다. 따라서, LD 구동 전류의 메인 회로에 대한 LD(4)의 역효과를 최소로 억제할 수 있다. 또한, 외부 레지스터(10)가 그 모니터링 단자(8)에 접속되어 그 레지스터(10)가 전류-전압 변환을 수행할 수 있기 때문에, 정확성이 우수한 구동 전류 모니터링 전압을 제공한다.
제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)에 있어서, 미리 정해진 레벨을 초과하는 모니터링 단자(8)의 전압을 검출하도록 구성된 과전류 검출기(12)를 더 포함하여, 반도체 레이저 구동 장치(2a)는 과전류를 검출할 수 있다. 여기서, 레지스터(10)의 저항이 직접 설정되면, 구동 전류 모니티링 전압의 범위가 그 설정된 레지스터(10)의 저항에 의해 결정된다. 따라서, 과전류 검출 레벨이 설정될 수 있다.
[제2 실시형태]
도 2는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다. 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)는 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)와 대략 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제1 실시형태와 동일한 구성요소에는 같은 도면 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다. 이하에서는 제1 실시형태와 제2 실시형태 간의 차이에 주로 집중하여 설명한다.
도 2에 도시하는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)는 제1 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2a)(도 1 참조)의 구성요소 외에도, 과전류 검출기(12)의 검출 결과를 외부에 통지하도록 구성된 외부 알람 단자(18)를 더 포함한다.
과전류 검출기(12)의 검출 결과를 수신하면, 외부 알람 단자(18)는 수신된 과전류 검출기(12)의 검출 결과를 화상 컨트롤러 회로(16)에 통지한다. 이런 식으로, 과전류 검출기(12)는 LD(4)를 구동시키는데 과전류 또는 필요 이상의 많은 전류가 흐르는 것을 즉시 검출하고, 화상 컨트롤러 회로(16)는 부하의 구동을 정지시키기 위한 부하 구동 제어 정지 명령과 같은 종류의 명령을 보낼 수 있다.
[제3 실시형태]
도 3은 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다. 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)와 대략 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제2 실시형태와 동일한 구성요소에는 같은 도면 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다. 이하에서는, 제2 실시형태와 제3 실시형태 간의 차이점에 주로 집중하여 설명한다.
도 3에 도시하는 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)(도 2 참조)의 구성요소 외에도, 과전류 검출기(12)가 과전류를 검출할 경우 LD(4)의 구동을 정지시키도록 구성된 정지 수단(20)을 더 포함한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 정지 수단(20)은 과전류 검출기(12)가 "하이"를 출력할 때에 스위칭 오프된다.
제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)(도 2 참조)에서는, 외부 알람 단자(18)가 과전류 검출기(12)로부터 검출 결과를 수신하면, 화상 컨트롤러 회로(16)는 LD(4)의 구동 제어를 정지시키는 부하 구동 제어 정지 명령을 보낸다. 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)에서는, 순간 과전류가 LD(4)에 흐른다면, LD(4)의 구동 제어의 정지와 함께, LD(4)의 열화가 방지될 수 있다.
즉, 미리 정해진 레벨을 초과하는 모니터링 단자(8)의 전압을 검출하면, 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)는 즉시 LD 구동 전류를 정지 또는 감소시킨다. 따라서, LD(4)의 열화를 막을 수 있다.
[제4 실시형태]
도 4는 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다. 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)는 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)와 대략 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제3 실시형태와 동일한 구성요소에는 같은 도면 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다. 이하에서는, 제3 실시형태와 제4 실시형태 간의 차이에 주로 집중하여 설명한다.
도 4에 도시하는 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)는 제3 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2c)(도 3 참조)의 구성요소 외에도, 모니터링 단자(8)에 대한 레지스터 비접속 검출기 회로를 더 포함한다. 여기서, 레지스터 비접속 검출기 회로는 풀업(Pull-Up) 검출기(22)이다(도 4 참조). 즉, 모니터링 단자(8)가 비활성일 경우[즉, 모니터링 단자(8)가 레지스터(10)와 비접속인 경우], 풀업 검출기(22)는 과전류 검출기(12)의 검출 결과(예컨대, 과전류)를 무효화한다.
여기서, 도 4에 도시하는 바와 같이, 풀업 검출기(22)는 모니터링 단자(8)가 비활성(즉, 풀업 상태)일 경우에 "로우"를 나타내고, 모니터링 단자(8)가 활성(즉, 정상 상태)일 경우에는 "하이"를 나타낸다. 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)는 과전류 검출기(12) 근방에 AND 회로(24)를 더 포함하는데, 이 회로는 풀업 검출기(22)와 과전류 검출기(12) 양쪽이 "하이"를 나타낼 때, 과전류 검출을 외부 알람 단자(18), 화상 컨트롤러 회로(16), 및 LD(4)를 정지시키는 정지 수단(20)에 동시에 통지하도록 구성된다.
제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)에서는, 모니터링 단자(8)가 비활성일 경우에 과전류 검출기(12)가 통상 값을 출력한다. 이런 식으로, 과전류 검출기(12)에 의한 에러 검출로 인한 반도체 레이저 구동 장치(2d)의 오동작을 방지할 수 있다.
[제5 실시형태]
도 5는 제5 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2e)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다. 제5 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2e)는 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)와 대략 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제4 실시형태와 동일한 구성요소에는 같은 도면 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다. 이하에서는, 제4 실시형태와 제5 실시형태 간의 차이에 주로 집중하여 설명한다.
도 5에 도시하는 제5 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2e)는 제4 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2d)(도 4 참조)의 구성요소 외에도, 풀업 검출기(22)에 의해 출력되며 "모니터링 단자(8)가 레지스터(10)와 비접속인지의 여부"를 나타내는 신호가 과전류 검출기(12)에 제공되는 신호 경로를 더 포함한다.
과전류 검출기(12)는 모니터링 단자(8)가 레지스터(10)와 비접속인 것을 나타내는 신호를 수신하는 동안에는 스탠바이 모드(즉, 저 소비전력 모드)이다. 이런 식으로, 반도체 레이저 구동 장치(2e) 전체에서의 소비전력이 감소될 수 있다.
즉, 모니터링 단자(8)와 레지스터(10)의 비접속을 검출하면, 제5 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2e)는 즉시 과전류 검출기(12)를 정지시킨다. 따라서, 모니터링 단자(8)가 레지스터(10)와 비접속인 동안에, 과전류 검출기(12)의 정지로 에러 검출을 막을 수 있고, 반도체 레이저 구동 장치(2e) 전체에서의 소비전력을 줄일 수 있다.
[제6 실시형태]
도 6은 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2f)를 도시하는 개략 블록도(일부 회로도)이다. 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2f)는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)(도 2 참조)와 대략 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제2 실시형태와 동일한 구성요소에는 같은 도면 부호를 붙이고 그 설명은 생략한다. 이하에서는, 제2 실시형태와 제6 실시형태 간의 차이에 주로 집중하여 설명한다.
도 6에 도시하는 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2f)는 제2 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2b)(도 2 참조)의 구성요소 외에도, 기준 전압 설정 단자(26)를 더 포함한다. 이 구성에 있어서, 과전류 검출기(12)의 기준 전압은 기준 전압 설정 단자(26)를 통해 외부에서 설정된다. 한편, 도 6에 도시하는 바와 같이, 과전류 검출기(12)의 기준 전압은 화상 컨트롤러 회로(16)에 의해 기준 전압 설정 단자(26)를 통해 설정될 수도 있다.
제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치(2f)에서는, 기준 전압의 외부 제어로 과전류 검출의 정확성이 향상될 수 있다.
[그 밖의 실시형태]
제1 내지 제6 실시형태에 따른 전술한 반도체 레이저 구동 장치(2a?2f) 중 임의의 것이 화상 형성 장치에 각각 내장될 수 있다. 그 반도체 레이저 구동 장치(2a?2f) 중 임의의 것을 구비한 화상 형성 장치는 반도체 레이저 구동 장치의 메인 회로에 부하를 삽입하지 않고도 또 외부의 복잡한 미세 조정 없이도 전류를 모니터링하여 과전류를 검출할 수 있다.
제1 내지 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치는 메인 회로에 부하를 삽입하지 않고도 또 외부의 복잡한 미세 조정 없이도 전류를 모니터링하여 과전류를 검출할 수 있다. 또한, 화상 형성 장치는 그 제1 내지 제6 실시형태에 따른 반도체 레이저 구동 장치 중 임의의 것을 구비하도록 구성될 수 있다.
본 발명은 구체적으로 개시된 실시형태들에 한정되지 않으며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.
본 특허출원은 2009년 8월 21일에 출원한 일본 우선권 특허출원 제2009-192352호에 기초하여, 이 우선권 특허출원의 전체 내용은 여기에서의 인용에 의해 본 명세서에 원용된다.

Claims (7)

  1. 구동 전류 출력 단자로부터 출력된 구동 전류로 반도체 레이저를 구동시키는 반도체 레이저 구동 장치에 있어서,
    상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되는 구동 전류 모니터링 단자와,
    상기 구동 전류 모니터링 단자에 접속되며, 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압으로 변환하도록 구성되는 전류-전압 변환 레지스터와,
    기준 전압을 생성하여, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하였는지의 여부를 검출하도록 구성되는 검출기
    를 포함하는 반도체 레이저 구동 장치.
  2. 구동 전류 출력 단자로부터 출력된 구동 전류로 반도체 레이저를 구동시키는 반도체 레이저 구동 장치에 있어서,
    상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를 출력하도록 구성되는 구동 전류 모니터링 단자와,
    상기 구동 전류 모니터링 단자에 접속되며, 상기 구동 전류의 1/α의 값을 갖는 구동 전류 모니터링 전류를, 대응하는 구동 전류 모니터링 전압으로 변환하도록 구성되는 전류-전압 변환 레지스터와,
    기준 전압을 생성하여, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하였는지의 여부를 검출하도록 구성되는 검출기와,
    상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하면 상기 검출기의 검출 결과를 외부에 통지하도록 구성되는 알람 유닛
    을 포함하는 반도체 레이저 구동 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하면, 즉시 상기 반도체 레이저의 구동을 정지 또는 억제하도록 구성되는 정지 수단을 더 포함하는 반도체 레이저 구동 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전류-전압 변환 레지스터와 상기 구동 전류 모니터링 단자의 비접속을 검출하도록 구성되는 레지스터 비접속 검출기와,
    상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하면 상기 검출기의 검출 결과를 외부에 통지하도록 구성되는 알람 유닛
    을 더 포함하고,
    상기 레지스터 비접속 검출기가 상기 전류-전압 변환 레지스터와 상기 구동 전류 모니터링 단자의 비접속을 검출하면, 상기 알람 유닛은 상기 대응하는 구동 전류 모니터링 전압이 상기 기준 전압에 도달하였어도 상기 검출기의 검출 결과를 외부에 통지하지 않는 것인 반도체 레이저 구동 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전류-전압 변환 레지스터와 상기 구동 전류 모니터링 단자의 비접속을 검출하도록 구성되는 레지스터 비접속 검출기를 더 포함하고,
    상기 레지스터 비접속 검출기가 상기 전류-전압 변환 레지스터와 상기 구동 전류 모니터링 단자의 비접속을 검출하면, 상기 레지스터 비접속 검출기는 스탠바이 모드로 스위칭되는 것인 반도체 레이저 구동 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출기의 기준 전압은 외부에서 설정되는 것인 반도체 레이저 구동 장치.
  7. 제1항에 기재된 반도체 레이저 구동 장치를 포함하는 화상 형성 장치.
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