JP2020126947A - 光源装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子に流れる電流をより高精度に検出可能な光源装置および電子機器を提供する。【解決手段】所定の電位に接続される第１の抵抗体と、第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、所定の電位に接続される第２の抵抗体と、第２の抵抗体に直列に接続される、所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する第１の電流源と、を備え、第１の抵抗体と発光素子とが接続される第１の接続部の第１の電圧と、第２の抵抗体第１の電流源とが接続される第２の接続部の第２の電圧と、を取り出す。【選択図】図４

Description

本発明は、光源装置および電子機器に関する。

レーザダイオードといった、電流に応じて発光する発光素子が知られている。このような発光素子に対し、電源系の不具合などにより例えば設計値を大きく上回る電流（過電流）が流れると、予期せぬ大光量での発光や、場合によっては発光素子自体の破壊などを引き起こすおそれがある。そのため、従来から、発光素子に流す電流のモニタを行う技術が提案されている。

特開２００１−０１６０８２号公報 特開２０１３−０６６０８５号公報

発光素子に流れる電流をモニタするための方法の一つとして、発光素子に対して電流を供給する経路に検出抵抗を挿入し、この検出抵抗の両端の電圧を測定する方法がある。しかしながら、この電流経路に検出抵抗を挿入する方法において、検出抵抗をチップ内抵抗にて実現する場合、チップ内抵抗は抵抗値にばらつきが大きいので、モニタ結果の精度に問題が生じる可能性がある。

また、発光素子と同一の電源から供給される電流（レプリカ）をモニタすることで、当該発光素子に流れる電流をモニタしたと見做す方法もある。しかしながら、この方法では、発光素子自身に流れる電流の不具合を検出できない可能性がある。

本開示は、発光素子に流れる電流をより高精度に検出可能な光源装置および電子機器を提供することを目的とする。

本開示に係る光源装置は、所定の電位に接続される第１の抵抗体と、第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、所定の電位に接続される第２の抵抗体と、第２の抵抗体に直列に接続される、所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する第１の電流源と、を備え、第１の抵抗体と発光素子とが接続される第１の接続部の第１の電圧と、第２の抵抗体と第１の電流源とが接続される第２の接続部の第２の電圧と、を取り出す。

各実施形態に適用可能な光源装置の一例の構成を示すブロック図である。 既存技術によるレーザダイオードの駆動電流を検出するための構成例について説明するための図である。 既存技術によるレーザダイオードの駆動電流を検出するための構成例について説明するための図である。 第１の実施形態に係るドライバの一例の構成を示す図である。 第１の実施形態に適用可能な、本線の経路の接続の別の例を示す図である。 第１の実施形態に適用可能な、本線の経路の接続の別の例を示す図である。 第２の実施形態に係るドライバの一例の構成を示す図である。 第２の実施形態の第１の変形例に係るドライバの一例の構成を示す図である。 第２の実施形態の第２の変形例に係るドライバの一例の構成を示す図である。 第２の実施形態の第２の変形例に適用可能なドライバの一例の構成を示す図である。 第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオードを駆動する場合の構成の第１の例を示す図である。 第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオードを駆動する場合の構成の第２の例を示す図である。 第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオードを駆動する場合の構成の第３の例を示す図である。 第３の実施形態の第１の変形例に係る制御を説明するための図である。 第３の実施形態の第２の変形例に係る制御を説明するための図である。 第４の実施形態に係るドライバおよびＬＤアレイの実装例を概略的に示す図である。 第４の実施形態に係るドライバおよびＬＤアレイの実装例を概略的に示す図である。 第４の実施形態に係るドライバおよびＬＤアレイの実装例を概略的に示す図である。 第４の実施形態に係る、ドライバに含まれる各要素のＬＤＤチップ上への配置の例について説明するための図である。 第４の実施形態に係る、ドライバに含まれる各要素のＬＤＤチップ上への配置の例について説明するための図である。 第４の実施形態に係る、ＬＤＤチップに対してキャパシタをさらに配置する場合の例について説明するための図である。 第４の実施形態に係る、ＬＤＤチップに対してキャパシタをさらに配置する場合の例について説明するための図である。 第４の実施形態に係る、ＬＤＤチップに対してキャパシタをさらに配置する場合の例について説明するための図である。 第５の実施形態に係る測距装置の一例の構成を示すブロック図である。 第５の実施形態に適用可能な、受光部が受光した時刻に基づく一例のヒストグラムを示す図である。 第６の実施形態による、上述の第５の実施形態に係る測距装置を使用する使用例を示す図である。 本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の例を示す図である。

以下、本開示の各実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより、重複する説明を省略する。

（各実施形態に共通の構成）
本開示は、レーザダイオードなどの、電流に応じて発光する発光素子の制御に関するものである。図１は、各実施形態に適用可能な光源装置の一例の構成を示すブロック図である。

なお、以下では、発光素子がレーザダイオード（ＬＤ）であるものとして説明を行う。レーザダイオードは、光の直進性や集光性に優れ、応答速度が高速であり、また、低消費電力であるなどの特性を活かして、測距、光伝送、電子写真方式のプリンタなど、様々な分野に用いられている。なお、本開示に適用可能な発光素子は、レーザダイオードに限られない。例えば、発光素子としてＬＥＤ(Light Emitting Diode)を適用することもできる。

図１において、光源装置１は、ドライバ１０と、レーザダイオード（ＬＤ）１２と、を含む。コントローラ１１を光源装置１に含めてもよい。ドライバ１０は、コントローラ１１の制御に従い、レーザダイオード１２を駆動し、レーザダイオード１２を発光させる。コントローラ１１は、例えばＣＰＵ(Central Processing Unit)およびメモリを含み、ＣＰＵによりメモリに予め記憶されたプログラムに従い生成した制御信号４０をドライバ１０に供給し、ドライバ１０を制御する。また、コントローラ１１は、ドライバ１０から出力される検出信号４２に基づきレーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定する。コントローラ１１は、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定した場合、その旨を示す制御信号４３を生成し、ドライバ１０に供給する。

なお、過電流は、レーザダイオード１２を所定の光量で発光させるための電流よりも大電流であって、その差が閾値以上である電流であるものとする。

ドライバ１０は、駆動部２０および検出部２１を含む。駆動部２０は、コントローラ１１から供給される制御信号４０に従いレーザダイオード１２を発光させるための駆動電流を生成し、生成した駆動電流をレーザダイオード１２に供給する。また、駆動部２０は、コントローラ１１から供給される制御信号４３に応じて、レーザダイオード１２の発光のオン／オフを制御することができる。さらに、駆動部２０は、レーザダイオード１２を駆動する駆動電流の電流値を示す信号４１を検出部２１に供給する。検出部２１は、駆動部２０から供給された信号４１に基づく検出信号４２を、コントローラ１１に供給する。

なお、レーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かの判定を、検出部２１において行うことも可能である。例えば、検出部２１は、駆動部２０から供給される信号４１に基づきレーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定する。検出部２１は、その結果、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定した場合、その旨を示す信号を、駆動部２０に供給する。駆動部２０は、この信号に応じて、レーザダイオード１２の発光を例えば停止させる。このように、レーザダイオード１２に過電流が供給されている旨を示す信号を、検出部２１から直接的に駆動部２０に供給することで、応答速度をより高速化することができる。

（既存技術による構成例）
次に、本開示の説明に先立って、既存技術によるレーザダイオード１２の駆動電流を検出するための構成例について、図２および図３を用いて説明する。図２は、既存技術によるドライバの一例の構成を示す図である。図２および図３において、ドライバ２００ａおよび２００ｂは、それぞれ、上述した図１のドライバ１０に対応する。また、図２におけるＡＤＣ(Analog to Digital Converter)２０９、および、図３における比較器２１０は、それぞれ図１のドライバ１０における検出部２１に対応する。

ドライバ２００ａは、抵抗Ｒ_Dと、ＰチャネルのＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタであるトランジスタ２０３と、電流Ｉ_Lを供給する電流源２０４と、を含む。電流Ｉ_Lは、例えばレーザダイオード１２を所定の光量で発光させるための電流である。

図２において、電圧Ｖ_DDの電源に抵抗Ｒ_Dの一端が接続される。抵抗Ｒ_Dの他端がトランジスタ２０３のドレイン−ソースおよび結合部２０２ａを介してレーザダイオード１２のアノードに接続される。レーザダイオード１２のカソードは、結合部２０２ｂを介して電流源２０４に接続される。

例えば駆動部２０に含まれる図示されない駆動回路により、電流源２０４の動作を制御することで、レーザダイオード１２の発光を制御できる。例えば、電流源２０４を所定のデューティの矩形波により制御することで、レーザダイオード１２をデューティに応じた光量で発光させることができる。

なお、結合部２０２ａおよび２０２ｂは、レーザダイオード１２とドライバ２００ａとが異なる構成とされている場合に、これらを接続するために設けられている。

この構成において、抵抗Ｒ_Dとトランジスタ２０３とが接続される接続点において電圧が取り出され、ＡＤＣ２０９に供給される。ＡＤＣ２０９は、この供給された電圧の電圧値をデジタル信号に変換し、検出信号４２としてコントローラ１１に供給する。コントローラ１１は、検出信号４２に基づきレーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定し、過電流が供給されていると判定した場合、例えばレーザダイオード１２の発光のオン／オフを制御するための制御信号４３を出力する。制御信号４３は、ドライバ２００ａのトランジスタ２０３のゲートに入力され、トランジスタ２０３のオン（閉）／オフ（開）を制御する。コントローラ１１は、例えば、検出信号４２が、レーザダイオード１２に正常駆動を判定する閾値を超えた電流Ｉ_L＋Δが供給されたことを示している場合に、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定する。

図２に示す、レーザダイオード１２に電流を供給する経路に抵抗Ｒ_Dを直列に挿入する構成において、抵抗Ｒ_Dをチップ内抵抗で実現する場合、チップ内抵抗は抵抗値に±２０％程度のばらつきがあるなど、精度が十分ではないおそれがある。また、レーザダイオード１２を利用するアプリケーションによっては、例えばアンペアオーダーの電流をレーザダイオード１２に供給する場合もある。この場合、抵抗Ｒ_Dに発生する電圧降下も無視できないものとなる。

図３は、既存技術による駆動部の別の例の構成を示す図である。図３において、ドライバ２００ｂは、レーザダイオード１２に電流Ｉ_Lを供給する経路（本線と呼ぶ）の複製の経路（レプリカ経路と呼ぶ）を用い、このレプリカ経路の電流を、レーザダイオード１２に流れる電流であると見做すようにしている。

ドライバ２００ｂは、それぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタであるトランジスタ２２０および２２１と、電流Ｉ_Lを供給する電流源２０４と、電流Ｉ_cを供給する電流源２０５と、電圧源２０６と、比較器２１０と、を含む。なお、トランジスタ２２０および２２１それぞれのオン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2は、略等しいものとする。

トランジスタ２２０および２２１は、それぞれソースが、電圧Ｖ_DDの共通の電源に接続される。トランジスタ２２０のドレインは、結合部２０２ａを介してレーザダイオード１２のアノードに接続される。レーザダイオード１２のカソードは、結合部２０２ｂを介して電流源２０４に接続される。一方、トランジスタ２２１は、ドレインが電流源２０５に接続される。トランジスタ２２１のドレインと、電流源２０５とが接続される接続点において電圧が取り出され、比較器２１０に供給される。また、電圧源２０６から出力される所定の電圧が比較器２１０に供給される。比較器２１０は、供給されたこれらの電圧を比較して、比較結果に基づき検出信号４２を出力する。

例えば、比較器２１０は、比較結果に基づき、トランジスタ２２１のドレインと電流源２０５とが接続される接続点から取り出された電圧が、電圧源２０６の電圧に対して所定以上高い場合に、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると見做すことができる。

しかしながら、この図３の構成では、本線すなわちレーザダイオード１２に電流が供給される経路における不具合を検出できない可能性がある。これに対して、上述した図２に例示した構成では、本線の電流を直接的に測定可能である一方で、チップ内抵抗にて抵抗Ｒ_Dを実現する場合に、微細加工に適さないことになる。すなわち、過去にはバイポーラトランジスタや０．２５μｍプロセスが用いられていたが、近年では、例えばセンシング用途などにおいて複雑な制御の実現などを目的に微細プロセス化、それに伴う低電圧化が進み、耐圧制約の下で回路を設計する必要が生じている。抵抗Ｒ_Dに生じる電圧降下が大きいほど検出精度を上げることができる一方で、電圧降下が大きいほど、高い電圧Ｖ_DDを必要とするため、図２に例示した構成は、この傾向にそぐわないことが考えられる。

［第１の実施形態］
次に、本開示の第１の実施形態について説明する。第１の実施形態では、図３を用いて説明したレプリカ経路の電圧を測定すると共に、レーザダイオード１２が配される本線においても電圧を測定する。測定された本線およびレプリカ経路の各電圧を、比較器により比較して、レーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定する。このとき、第１の実施形態では、レプリカ経路に対して、レーザダイオード１２に供給される、当該レーザダイオード１２を所定の光量で発光させるための電流に対して過電流分を上乗せした電流を供給する。

図４は、第１の実施形態に係るドライバの一例の構成を示す図である。図４において、ドライバ１０ａは、それぞれＰチャネルのＭＯＳトランジスタであるトランジスタ１０１および１０２と、電流Ｉ_Lを供給する電流源１０３と、電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを供給する電流源１０４と、比較器１１０と、を含む。電流源１０３が供給する電流Ｉ_Lは、レーザダイオード１２を所定の光量で発光させるための電流である。レーザダイオード１２に供給される電流Ｉ_L＋Δは、過電流が無い場合には、電流Ｉ_Lと等しい。

一方、電流源１０４は、レーザダイオード１２に対して過電流とされる閾値となる電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを供給する。換言すれば、電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetは、電流Ｉ_Lに対して過電流分の電流Ｉ_offsetを上乗せした電流である。

また、図４において、結合部１００ａおよび１００ｂは、レーザダイオード１２とドライバ１０ａとが異なる構成とされている場合に、これらを接続するために設けられている。例えば、ドライバ１０ａは、１個の半導体チップ上に構成され、レーザダイオード１２は、当該半導体チップとは別のユニット１２０として構成される。レーザダイオード１２とドライバ１０ａは、結合部１００ａおよび１００ｂにより電気的に接続される。

ここで、トランジスタ１０１および１０２は、オン抵抗（Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2）が略等しくなるように構成される。例えば、トランジスタ１０１および１０２は、略同じサイズで形成される。さらに、トランジスタ１０１および１０２を熱的に近い位置に配置すると、より好ましい。

トランジスタ１０１および１０２は、それぞれソースが、電圧Ｖ_DDの共通の電源に接続される。トランジスタ１０１のドレインは、結合部１００ａを介してレーザダイオード１２のアノードに接続される。レーザダイオード１２のカソードは、結合部１００ｂを介して電流源１０３に接続される。一方、トランジスタ１０２は、ドレインが電流源１０４に接続される。トランジスタ１０１のドレインとレーザダイオード１２のアノードとが接続される接続点において電圧Ｖ₁が取り出され、比較器１１０に供給される。また、トランジスタ１０２のドレインと電流源１０４とが接続される接続点において電圧Ｖ₂が取り出され、比較器１１０に供給される。

比較器１１０は、供給された電圧Ｖ₁と電圧Ｖ₂とを比較する。比較器１１０の比較結果は、コントローラ１１に供給される。コントローラ１１は、比較器１１０による電圧Ｖ₁と電圧Ｖ₂との比較の結果、電圧Ｖ₁から電圧Ｖ₂を減じた電圧Ｖ_subが「０」未満、すなわち、「Ｖ₁＜Ｖ₂」である場合に、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定する。

より具体的に説明する。ここで、トランジスタ１０１のオン抵抗Ｒ_ON-1と、トランジスタ１０２のオン抵抗Ｒ_ON-2は、抵抗値が略等しいものとする。以下、特に記載の無い場合、オン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2を、オン抵抗Ｒ_ONとして説明を行う。

このような構成において、電圧Ｖ₁およびＶ₂は、次式（１）および（２）により求められる。
Ｖ₁＝Ｖ_DD−Ｒ_ON×(Ｉ_L＋Δ) …（１）
Ｖ₂＝Ｖ_DD−Ｒ_ON×(Ｉ_L＋Ｉ_offset) …（２）

ここで、電圧Ｖ_subを、次式（３）のように定義する。
Ｖ_sub＝Ｖ₁−Ｖ₂ …（３）

比較器１１０は、この、電圧Ｖ₁から電圧Ｖ₂を減じた電圧Ｖ_subを求める。電圧Ｖ_subは、上述した式（１）および（２）に基づき、次式（４）で表される。
Ｖ_sub＝｛Ｖ_DD−Ｒ_ON×(Ｉ_L＋Δ)｝−｛Ｖ_DD−Ｒ_ON×(Ｉ_L＋Ｉ_offset)｝＝Ｒ_ON×(Ｉ_offset−Δ) …（４）

コントローラ１１は、このＶ_sub＝Ｒ_ON×(Ｉ_offset−Δ)が０未満で、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定する。この式（４）によれば、トランジスタ１０１および１０２のオン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2が略等しいと見做すことができる場合、これらオン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2の値に関わらず、また、電源の電圧Ｖ_DDに関わらず、レーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定できる。

コントローラ１１は、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定した場合、例えばその旨を示す制御信号４３を出力する。この制御信号４３は、例えばトランジスタ１０１および１０２のゲートに入力され、トランジスタ１０１および１０２をオフ状態に制御する。これに限らず、コントローラ１１は、トランジスタ１０１および１０２のうち、少なくともトランジスタ１０１をオフ状態に制御することもできる。

レーザダイオード１２に過電流が供給される原因としては、電流源１０３の不具合、電圧Ｖ_DDを供給する電源の不具合、結合部１００ａおよび１００ｂにおける結合の不具合、など様々が考えられる。

例えば、本開示に係る光源装置１を、レーザダイオード１２により発光された光が対象物により反射した反射光を受光することで測距を行う測距装置に適用されたものとする。この場合、過電流により想定より強力なレーザ光がレーザダイオード１２から射出されると、そのレーザ光が顔に照射された場合に、眼に影響を与えてしまうおそれがある。また、過電流により、レーザダイオード１２の素子自身が破壊されてしまうことも起こり得る。

第１の実施形態に係る光源装置１を適用することで、レーザダイオード１２に対する過電流をより高精度に検出することが可能となる。したがって、第１の実施形態に係る光源装置１を適用することで、レーザダイオード１２に対する過電流の供給を抑制でき、測距装置に適用した場合の眼への影響や、レーザダイオード１２自身の破壊などを防ぐことが可能である。

なお、図４では、レーザダイオード１２が含まれる本線において、電圧Ｖ_DDの電源の供給側から見て、トランジスタ１０１、レーザダイオード１２、電流源１０３の順に接続されているが、これはこの例に限定されない。

図５Ａおよび図５Ｂは、第１の実施形態に適用可能な、本線の経路の接続の別の例を示す図である。例えば、図５Ａに示されるように、電圧Ｖ_DDの電源の供給側から見て、電流源１０３、レーザダイオード１２、トランジスタ１０１’、の順に接続することができる。トランジスタ１０１’は、ＮチャネルのＭＯＳトランジスタとなる。この場合、電圧Ｖ₁は、レーザダイオード１２とトランジスタ１０１’とが接続される接続点から取り出すことができる。また、レプリカ側は、電圧Ｖ_DDの電源の供給側から見て、電流源１０４、ＮチャネルのＭＯＳトランジスタであるトランジスタ、の順に接続し、電圧Ｖ₂を電流源１０４と当該トランジスタとが接続される接続点から取り出すことが考えられる。

また例えば、図５Ｂに示されるように、電源電圧ＶＤＤの供給側から見て、トランジスタ１０１、電流源１０３、レーザダイオード１２、の順に接続することもできる。この場合、電圧Ｖ₁は、トランジスタ１０１と電流源１０３とが接続される接続点から取り出すことができる。また、レプリカ側は、電圧Ｖ_DDの電源の供給側から見て、トランジスタ１０２、電流源１０４、の順に接続し、電圧Ｖ₂を電流源１０４とトランジスタ１０２とが接続される接続点から取り出すことが考えられる。

［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、レプリカ経路および本線から取り出した電圧を低電圧にレベルシフトさせて比較器１１０に供給する。

図６は、第２の実施形態に係るドライバの一例の構成を示す図である。図６において、第２の実施形態に係るドライバ１０ｂは、図４を用いて説明したドライバ１０ａの構成に対して、それぞれ電圧Ｖ₁およびＶ₂の電圧を変更するレベルシフタ１３０₁および１３０₂が追加されている。

レベルシフタ１３０₁は、抵抗１３１₁および１３２₁を含み、これら抵抗１３１₁および１３２₁による抵抗分圧により電圧Ｖ₁を降圧して電圧Ｖ₃を生成する。同様に、レベルシフタ１３０₂は、抵抗１３１₂および１３２₂を含み、これら抵抗１３１₂および１３２₂による抵抗分圧により電圧Ｖ₂を降圧して電圧Ｖ₄を生成する。これらレベルシフタ１３０₁および１３０₂により電圧Ｖ₁およびＶ₂が降圧されて生成された電圧Ｖ₃およびＶ₄が、比較器１１０に供給される。

このように、第２の実施形態では、電圧Ｖ₁およびＶ₂を降圧して低電圧にレベルシフトさせた電圧Ｖ₃およびＶ₄が比較器１１０に供給される。これにより、例えば、微細プロセスなどにより比較器１１０の入力に用いられるトランジスタの入力耐圧が低い場合に、比較器１１０の入力回路を保護することが可能である。

すなわち、レーザダイオード１２は、順電圧Ｖｆが大きく、比較器１１０の入力回路におけるヘッドルーム制約から、レーザダイオード１２に供給される電源の電圧（すなわち電圧Ｖ₁）が、比較器１１０の入力回路の耐圧を超える場合がある。第２の実施形態に係るドライバ１０ｂでは、レベルシフタを用いて電圧Ｖ₁を低電圧にレベルシフトさせて、比較器１１０に入力するようにしている。そのため、比較器１１０の入力回路の保護が可能となる。

（第２の実施形態の第１の変形例）
次に、第２の実施形態の第１の変形例について説明する。上述した第２の実施形態では、電圧Ｖ₁およびＶ₂に対するレベルシフタを抵抗分圧により構成した。これに対して、第２の実施形態の第１の変形例では、電圧Ｖ₁およびＶ₂に対するレベルシフタを、ソースフォロワと抵抗とを用いて構成する例である。

図７は、第２の実施形態の第１の変形例に係るドライバの一例の構成を示す図である。図７において、第２の実施形態の第１の変形例に係るドライバ１０ｃは、図４を用いて説明したドライバ１０ａの構成に対して、それぞれレベルシフタを構成するトランジスタ１５０₁、抵抗１５１₁および電流源１５２₁と、トランジスタ１５０₂、抵抗１５１₂および電流源１５２₂と、が追加されている。

なお、図７の例では、トランジスタ１５０₁および１５０₂は、それぞれＮチャネルのＭＯＳトランジスタとされている。また、抵抗１５１₁および１５１₂は、等しい抵抗値Ｒを持つものとする。

図７において、トランジスタ１５０₁は、ゲートがトランジスタ１０１とレーザダイオード１２とが接続される接続点に接続されて電圧Ｖ₁が入力され、ドレインが電圧Ｖ_DDの電源に接続され、ソースが抵抗１５１₁の一端に接続される。抵抗１５１₁の他端が電流Ｉ_aを供給する電流源１５２₁に接続される。抵抗１５１₁と電流源１５２₁とが接続される接続点から電圧Ｖ₃が取り出され、比較器１１０に供給される。

同様に、トランジスタ１５０₂は、ゲートがトランジスタ１０２と電流源１０４とが接続される接続点に接続されて電圧Ｖ₂が入力され、ドレインが電圧Ｖ_DDの電源に接続され、ソースが抵抗１５１₂の一端に接続される。抵抗１５１₂の他端が電流Ｉ_aを供給する電流源１５２₂に接続される。抵抗１５１₂と電流源１５２₂とが接続される接続点から電圧Ｖ₄が取り出され、比較器１１０に供給される。

このような構成において、電圧Ｖ₃およびＶ₄は、次式（５）および（６）にて求められる。なお、上述の式（１）〜（４）と同様に、オン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2を、オン抵抗Ｒ_ONとして説明を行う。なお、下記の式（５）および（６）などにおいて、「ｓｑｒｔ」は、直後の括弧内の値に対する平方根を示している。
Ｖ₃＝Ｖ_DD−(Ｉ_L＋Δ)×Ｒ_ON-1−｛Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)｝−Ｒ×Ｉ_a …（５）
Ｖ₄＝Ｖ_DD−(Ｉ_L＋Ｉ_offset)×Ｒ_ON-2−｛Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)｝−Ｒ×Ｉ_a …（６）

なお、式（５）および（６）の後半の項において、「Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)」は、トランジスタ１５０₁および１５０₂のゲート−ソース間電圧（電圧Ｖ_GS）である。値Ｖ_thおよび値βは、それぞれ、各トランジスタ１５０₁および１５０₂の閾値電圧および利得係数を示すものであり、各トランジスタ１５０₁および１５０₂に固有の値である。ここで、トランジスタ１５０₁および１５０₂は、これら値Ｖ_thおよび値βが略等しい値となるように形成される。

比較器１１０は、この、電圧Ｖ₃から電圧Ｖ₄を減じた電圧Ｖ_subを求める。電圧Ｖ_subは、上述した式（５）および（６）に基づき、次式（７）で表される。
Ｖ_sub＝［Ｖ_DD−(Ｉ_L＋Δ)×Ｒ_ON-1−｛Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)｝−Ｒ×Ｉ_a］−［Ｖ_DD−(Ｉ_L＋Ｉ_offset)×Ｒ_ON-2−｛Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)｝−Ｒ×Ｉ_a］＝Ｒ_ON×(Ｉ_offset−Δ) …（７）

上述した第１の実施形態と同様に、コントローラ１１は、このＶ_sub＝Ｒ_ON×(Ｉ_offset−Δ)が０未満で、レーザダイオード１２に過電流が供給されていると判定する。この式（７）によれば、トランジスタ１０１および１０２のオン抵抗Ｒ_ON-1とオン抵抗Ｒ_ON-2とが略等しいと見做すことができる場合、これらオン抵抗Ｒ_ON-1およびＲ_ON-2の値に関わらず、また、電源の電圧Ｖ_DDに関わらず、レーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定できる。

この第２の実施形態の第１の変形例によれば、上述した第２の実施形態の例と比較して、レベルシフトを行った場合の精度を向上させることができる。すなわち、上述した第２の実施形態では、比較器１１０に入力する電圧Ｖ₃およびＶ₄を、抵抗分圧により電圧Ｖ₁およびＶ₂を降圧させて求めていた。そのため、例えば分圧比が１／２であれば、電圧Ｖ₃と電圧Ｖ₄との差分が分圧しない場合の１／２になってしまう。

これに対して、第２の実施形態の第１の変形例では、本線およびレプリカ経路において、それぞれ上述した式（５）および（６）の後半の項「｛Ｖ_th＋ｓｑｒｔ(２×Ｉ_a／β)｝−Ｒ₁×Ｉ_a」に示されるレベルシフトが行われる。この項は、式（５）と式（６）との差分を求める際に相殺されるため、比較器１１０に入力する電圧Ｖ₃と電圧Ｖ₄との差分は、レベルシフトを行わない場合の電圧Ｖ₁と電圧Ｖ₂と等しくなり、より高い精度でレーザダイオード１２に対する過電流を検出できる。

（第２の実施形態の第２の変形例）
次に、第２の実施形態の第２の変形例について説明する。第２の実施形態の第２の変形例では、図７を用いて説明した第２の実施形態の第１の変形例に係るドライバ１０ｃの構成に対し、レプリカ経路において、トランジスタ１０２のオン抵抗Ｒ_ON-2を大きくすると共に、電流源１０４が供給する電流を少なくする。

図８は、第２の実施形態の第２の変形例に係るドライバ１０ｄの一例の構成を示す。なお、図８に示す構成は、各要素の接続関係は、図７に示したドライバ１０ｃと同様であるため、ここでの説明を省略する。図８において、ドライバ１０ｄは、レプリカ経路のトランジスタ１０２’のオン抵抗を、図７に示したトランジスタ１０２のオン抵抗Ｒ_ON-2より大きな抵抗値とする。図８の例では、トランジスタ１０２’のオン抵抗が抵抗Ｒ_ON-2×Ｎ（Ｎは２以上の整数）とされている。

また、ドライバ１０ｄにおいて、レプリカ経路の電流源１０４が供給する電流を、トランジスタ１０２’のオン抵抗Ｒ_ON-2×Ｎに応じて小さな電流とする。図８の例では、電流源１０４が電流(Ｉ_L＋Ｉ_offset)／Ｎを供給するものとしている。この値Ｎは、上述の式（６）内の項「（Ｉ_L＋Ｉ_offset)×Ｒ_ON-2」において相殺される。電流源１０４により供給される電流が図７の構成に対して小さくなるため、ドライバ１０ｄにおける消費電力を、図７のドライバ１０ｃに対して削減することが可能である。

（第２の実施形態の第３の変形例）
次に、第２の実施形態の第３の変形例について説明する。上述した第２の実施形態の第１の変形例では、図７で示したように、本線およびレプリカ経路のソースフォロワにおいて、トランジスタ１５０₁および１５０₂それぞれのソースに抵抗１５１₁および１５１₂を接続しているが、これはこの構成に限定されない。第２の実施形態の第３の変形例では、例えば、これら抵抗１５１₁および１５１₂を、ダイオード接続したトランジスタを用いて構成する。

図９は、第２の実施形態の第２の変形例に適用可能な構成の例を示す図である。図９に示されるドライバ１０ｄ’は、本線において、トランジスタ１５０₁のドレインが、直列に接続された、抵抗１５１₁’と、それぞれダイオード接続された複数のトランジスタ１５３_1-1〜１５３_1-nと、を介して電流源１５２₁に接続される。同様に、レプリカ経路において、トランジスタ１５０₂のドレインが、直列に接続された、抵抗１５１₂’と、それぞれダイオード接続された複数のトランジスタ１５３_2-1〜１５３_2-nと、を介して電流源１５２₂に接続される。

これは、例えば上述した図７に構成において、電流Ｉ_aを供給する電流源１５２₁と電流源１５２₂とのばらつき（例えば製造上のばらつき）が大きい場合、抵抗１５１₁および１５１₂に大電流を流す、すなわち、抵抗１５１₁および１５１₂により発生させる電圧が高いと、本線およびレプリカ経路において取り出される電圧Ｖ₃およびＶ₄のばらつきも大きくなる。この電流Ｉ_aを供給する電流源１５２₁と電流源１５２₂とのばらつきは、ダイオード接続したトランジスタを用いることで抑制できる。

したがって、本線およびレプリカ経路の各ソースフォロワに対し、それぞれダイオード接続された、複数のトランジスタ１５３_1-1〜１５３_1-n、および、複数のトランジスタ１５３_2-1〜１５３_2-nを接続することで、より高精度に、レーザダイオード１２に過電流が供給されているか否かを判定することが可能となる。

なお、図９の構成において、抵抗１５１₁’および１５１₂’は、省略することができる。また、図９では、ダイオード接続するトランジスタ１５３_1-1〜１５３_1-nおよび１５３_2-1〜１５３_2-nとして、ＰチャネルのＭＯＳトランジスタを用いているが、これはこの例に限定されない。例えば、ダイオード接続するトランジスタ１５３_1-1〜１５３_1-nおよび１５３_2-1〜１５３_2-nとして、ＮチャネルのＭＯＳトランジスタを用いてもよい。

また、図９の例では、トランジスタ１０１のドレインと接地電位との間に接続されるキャパシタ１４０がさらに追加されている。キャパシタ１４０は、トランジスタ１０１を介して供給された電源の電圧Ｖ_DDに応じた電荷を蓄積する。詳細は後述するが、例えば電流源１０３によるレーザダイオード１２に対する電流の供給を、ＰＷＭ駆動によりを行う場合に、このキャパシタ１４０に蓄積された電荷を用いて、レーザダイオード１２に対する電流の供給を行う。

［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について説明する。上述した第１の実施形態および第２の実施形態、ならびに、それらの各変形例では、各ドライバが１個のレーザダイオード１２を駆動するように説明した。これに対して、第３の実施形態に係るドライバは、複数のレーザダイオード１２を駆動する。

図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃは、第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合の構成の第１、第２および第３の例を示す図である。なお、図１０Ａ〜図１０Ｃにおいて、トランジスタ１０２、電流源１０４および比較器１１０に係る構成は、上述した図４の構成と同様であるので、詳細な説明を省略する。

図１０Ａ〜図１０Ｃは、それぞれ、トランジスタ１０１のドレインに対して複数のレーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nを含むＬＤ（レーザダイオード）アレイ１２００ａ、１２００ｂおよび１２００ｃが接続されている。ＬＤアレイ１２００ａ、１２００ｂおよび１２００ｃは、例えばＶＣＳＥＬ(Vertical Cavity Surface Emitting LASER)である。

各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nそれぞれは、それぞれ独立して制御可能な電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nそれぞれが一対一に接続される。すなわち、図示されない駆動回路により、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nの例えばオン／オフをそれぞれ制御することで、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nに一対一に対応する各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの発光を、それぞれ独立して制御できる。

図１０Ａは、第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合の第１の例によるドライバ１０ｅ（ａ）の構成例を示す図である。図１０Ａにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードおよび各カソードが独立しているＬＤアレイ１２００ａの例を示す。ＬＤアレイ１２００ａにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードが、結合部１００ａ₁、１００ａ₂、…、１００ａ_nを介してトランジスタ１０１のドレインに接続される。ドライバ１０ｅ（ａ）において、この各結合部１００ａ₁、１００ａ₂、…、１００ａ_nと、トランジスタ１０１のドレインとが接続される接続点から電圧Ｖ₁が取り出され、比較器１１０に供給される。

また、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各カソードが、結合部１００ｂ₁、１００ｂ₂、…、１００ｂ_nと、を介して、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nに一対一で接続される。

図１０Ｂは、第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合の第２の例によるドライバ１０ｅ（ｂ）の構成例を示す図である。図１０Ｂにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードが共通に接続され、各カソードが独立しているＬＤアレイ１２００ｂの例を示す。ＬＤアレイ１２００ｂにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードが結合部１００ａに共通に接続され、結合部１００ａを介してトランジスタ１０１のドレインに接続される。ドライバ１０ｅ（ｂ）において、この結合部１００ａと、トランジスタ１０１のドレインとが接続される接続点から電圧Ｖ₁が取り出され、比較器１１０に供給される。

また、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各カソードが、結合部１００ｂ₁、１００ｂ₂、…、１００ｂ_n、を介して、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nに一対一で接続される。

また、図１０Ｃは、第３の実施形態に係る、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合のドライバ１０ｅ（ｃ）の第３の例の構成例を示す図である。図１０Ｃにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードが独立し、各カソードが共通に接続される例を示す。この図１０Ｃの例では、上述した図５Ａの例に対応し、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各カソードが結合部１００ｂに共通に接続され、結合部１００ｂを介してＮチャネルのＭＯＳトランジスタであるトランジスタ１０１’のドレインに接続される。ドライバ１０ｅ（ｃ）において、この結合部１００ｂとトランジスタ１０１’のドレインとが接続される接続点から、電圧Ｖ₁が取り出され、比較器１１０に供給される。図１０Ｃの例では、トランジスタ１０１’のソースは、接地電位に接続されている。

また、図１０Ｃにおいて、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nの各アノードが、結合部１００ａ₁、１００ａ₂、…、１００ａ_nを介して、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nに一対一で接続される。図１０Ｃの例では、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nの結合部１００ａ₁、１００ａ₂、…、１００ａ_nに接続されない端は、電圧Ｖ_DDの電源に接続される。

なお、図１０Ｃにおいて、レプリカ経路のトランジスタ１０２’は、トランジスタ１０１’と同様にＮチャネルのＭＯＳトランジスタであって、ドレインが電流源１０４に接続され、ソースが接地電位に接続される。トランジスタ１０２’のドレインと、電流源１０４とが接続される接続点から電圧Ｖ₂が取り出され、比較器１１０に供給される。

図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃの何れの例においても、本線において取り出される電圧Ｖ₁は、各レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nを流れる電流の総和に対応する電圧となる。すなわち、上述した式（１）〜（４）を適用して算出される電流は、この総和の電流となる。したがって、レプリカ経路における電流源１０４も、この総和の電流に対応する電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを供給する必要がある。

これに限らず、例えば、各電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nを個別に制御して、過電流をレーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_n毎に検出することも可能である。

このように、複数のレーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nが接続される場合であっても、レーザダイオード１２₁、１２₂、…、１２_nに対する過電流の検出が可能である。

（第３の実施形態の第１の変形例）
次に、第３の実施形態の第１の変形例について説明する。第３の実施形態の第１の変形例は、複数のレーザダイオード１２が接続される本線と、レプリカ経路とで、異なる電流を供給する例である。なお、以下において、値Ｎは、図８において用いた値Ｎと異なる値であってよい。

図１１は、第３の実施形態の第１の変形例に係る制御を説明するための図である。図１１は、上述した図１０Ｂに対応するもので、図１０Ｂに示したドライバ１０ｅ（ｂ）と同様に、本線に、トランジスタ１０１と、Ｎ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Nを含むＬＤアレイ１２００ｂと、各レーザダイオード１２₁〜１２_Nと、各電流源１０３₁〜１０３_Nと、は、それぞれ結合部１００ｂ₁、…、１００ｂ_M、１００ｂ_M+1、…、１００ｂ_Nとを介して接続される。また、レプリカ経路に、トランジスタ１０２および電流源１０４を含む。

例えば、図１１に示されるように、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれるＮ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Nのうち、Ｍ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mが発光し、他の（Ｎ−Ｍ）個のレーザダイオード１２_M+1〜１２_Nが発光しないように制御される場合について考える。第３の実施形態の第１の変形例では、この場合に、発光させるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの個数Ｍに応じて、レプリカ経路の電流源１０４が供給する電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを変更する。図１１の例では、電流源１０４は、電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）／Ｍを供給するようにしている。

例えば、図示されない駆動回路により、発光させるレーザダイオード１２₁〜１２_Mに一対一で対応するＭ個の電流源１０３₁〜１０３_Mをオン状態とする。また、発光させないレーザダイオード１２_M+1〜１２_Nに一対一で対応する（Ｎ−Ｍ）個の電流源１０３_M+1〜１０３_Nをオフ状態とする。当該駆動回路は、このオン状態とした電流源１０３₁〜１０３_Mの個数に応じて、電流源１０４が供給する電流を、電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）／Ｍに変更する。

すなわち、それぞれ電流Ｉ_Lにより所定の光量で発光するＭ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mを同時に発光させるためには、ＬＤアレイ１２００ｂに対して、電流Ｉ_L×Ｍを供給する必要がある。

ここで、上述した式（１）および（２）から、電流Ｉ_L＋Δは、次式（８）により求められる。
Ｉ_L＋Δ＝｛(Ｖ_DD−Ｖ₁)／(Ｖ_DD−Ｖ₂)｝×(Ｉ_L＋Ｉ_offset) …（８）

過電流を含んでＭ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mに供給される電流Ｉ_Lの総和（電流（Ｉ_L＋Δ）×Ｍ）を上述した式（８）に適用すると、式（８）は、次式（９）として表される。
(Ｉ_L＋Δ)×Ｍ＝｛(Ｖ_DD−Ｖ₁)／(Ｖ_DD−Ｖ₂)｝×(Ｉ_L＋Ｉ_offset) …（９）

上述した、電流源１０４が供給する電流の電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）／Ｍへの変更は、この式（９）の両辺に１／Ｍを乗ずることと等価である。すなわち、式（９）の左辺は、電流(Ｉ_L＋Δ)／Ｍ＝Ｉ_L＋Δとなる。この電流Ｉ_L＋Δは、ＬＤアレイ１２００ｂにおいて発光されるＭ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mに供給される電流の平均値である。この平均値の電流Ｉ_L＋Δと、既知の電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetと、を比較することで、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの全体として、過電流が供給されているか否かを判定することができる。

このように、レプリカ経路における電流源１０４が供給する電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）を、ＬＤアレイ１２００ｂにおいて発光されるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの個数に応じて変更することで、レプリカ経路における消費電力を削減することが可能である。

（第３の実施形態の第２の変形例）
次に、第３の実施形態の第２の変形例について説明する。第３の実施形態の第２の変形例は、本線のトランジスタ１０１と、レプリカ経路のトランジスタ１０２と、をそれぞれ複数のトランジスタを並列接続して構成する場合の例である。

第３の実施形態の第２の変形例では、この場合において、上述の第３の実施形態の第１の変形例の場合と同様に、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれるＮ個のレーザダイオード１２₁〜１２_NのうちＭ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mを発光させる。そして、本線のトランジスタ１０１に含まれる複数のトランジスタのうち、発光させるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの数に応じた数だけオン状態とする。同様に、レプリカ経路のトランジスタ１０２に含まれる複数のトランジスタのうち、発光させるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの数に応じた数だけオン状態とする。

図１２は、第３の実施形態の第２の変形例に係る制御を説明するための図である。図１２は、上述した図１０Ｂに対応するもので、ドライバ１０ｅ（ｂ）’は、本線に、並列接続される例えばＮ個のトランジスタ１０１₁〜１０１_Nと、Ｎ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Nを含むＬＤアレイ１２００ｂと、各レーザダイオード１２₁〜１２_Nに一対一で対応するＮ個の電流源１０３₁〜１０３_Nと、を含む。各レーザダイオード１２₁〜１２_Nと、各電流源１０３₁〜１０３_Nと、は、それぞれ結合部１００ｂ₁、…、１００ｂ_M、１００ｂ_M+1、…、１００ｂ_Nとを介して接続される。

図１２において、並列接続されるＮ個のトランジスタ１０１₁〜１０１_Nの各ゲートは、例えば図示されない駆動回路から、それぞれオン（ＯＮ）／オフ（ＯＦＦ）を制御する制御信号が供給される。各トランジスタ１０１₁〜１０１_Nのうちオン状態に制御される１以上のトランジスタが全体として、例えば図１１に示した１個のトランジスタ１０１と対応する機能を実現する。

各トランジスタ１０１₁〜１０１_Nのドレインは、結合部１００ａに共通に接続され、結合部１００ａを介して、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれる各レーザダイオード１２₁〜１２_Nのアノードに接続される。この、各トランジスタ１０１₁〜１０１_Nのドレインと、ＬＤアレイ１２００ｂと、が接続される接続点から電圧Ｖ₁が取り出され、比較器１１０に供給される。

また、レプリカ経路に、並列接続される例えばＮ個のトランジスタ１０２₁〜１０２_Nと、１個の電流源１０４と、を含む。各トランジスタ１０２₁〜１０２_Nのゲートは、例えば図示されない駆動回路から、それぞれオン／オフを制御する制御信号が供給される。各トランジスタ１０２₁〜１０２_Nのうちオン状態に制御される１以上のトランジスタが全体として、例えば図１１に示した１個のトランジスタ１０２と対応する機能を実現する。

各トランジスタ１０２₁〜１０２_Nのドレインは、電流源１０４に対して共通に接続される。この、各トランジスタ１０２₁〜１０２_Nのドレインと、電流源１０４と、が接続される接続点から電圧Ｖ₂が取り出され、比較器１１０に供給される。

このような構成において、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれるＮ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Nのうち、Ｍ個のレーザダイオード１２₁〜１２_Mが発光し、他の（Ｎ−Ｍ）個のレーザダイオード１２_M+1〜１２_Nが発光しないように制御される場合について考える。

この場合、第３の実施形態の第２の変形例では、図示されない駆動回路により、トランジスタ１０１₁〜１０１_NのうちＭ個のトランジスタ１０１₁〜１０１_Mをオン状態に制御し、他のトランジスタ１０１_M+1〜１０１_Nをオフ状態に制御する。同様に、図示されない駆動回路により、トランジスタ１０２₁〜１０２_NのうちＭ個のトランジスタ１０２₁〜１０２_Mをオン状態に制御し、他のトランジスタ１０２_M+1〜１０２_Nをオフ状態に制御する。

このように各トランジスタ１０１₁〜１０１_Nを発光するレーザダイオード１２₁〜１２_Mの数Ｍに応じて制御することで、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nの全体としてのオン抵抗Ｒ_ON-1の抵抗値を高くすることができる。同様に、各トランジスタ１０２₁〜１０２_Nを発光するレーザダイオード１２₁〜１２_Mの数Ｍに応じて制御することで、トランジスタ１０２₁〜１０２_Nの全体としてのオン抵抗Ｒ_ON-2の抵抗値を高くすることができる。これにより、電圧Ｖ₁およびＶ₂の検出精度を向上させることが可能である。

さらに、上述した第３の実施形態の第１の変形例と同様に、発光させるレーザダイオード１２₁〜１２_Mの個数Ｍに応じて、レプリカ経路の電流源１０４が供給する電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを変更することができる。図１２の例では、電流源１０４は、電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）／Ｍを供給するようにしている。これにより、レプリカ経路における消費電力を削減することが可能である。

なお、ここでは、第３の実施形態の第１の変形例および第２の変形例が、図１０Ｂを用いて説明した、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合の第２の例による構成を用いて説明したが、これはこの例に限定されない。すなわち、第３の実施形態の第１の変形例および第２の変形例は、図１０Ａおよび図１０Ｃを用いて説明した、複数のレーザダイオード１２を駆動する場合の第１の例および第３の例にも適用可能である。さらに、第３の実施形態およびその各変形例に係る構成は、上述した第１の実施形態および第２の実施形態、ならびに、それらの各変形例にも適用可能である。

［第４の実施形態］
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、上述した第３の実施形態およびその各変形例に係るドライバ１０ｅ（ａ）、１０ｆ（ｂ）、１０ｆ（ｂ）’および１０ｆ（ｃ）、ならびに、ＬＤアレイ１２００ａ〜１２００ｃの実装に関するものである。

以下では、図１０Ｂを用いて説明したドライバ１０ｅ（ｂ）と、各レーザダイオード１２₁〜１２_Nのアノードが共通とされたＬＤアレイ１２００ｂと、を例として、説明を行う。この場合において、図１２に示したように、トランジスタ１０１は、並列接続された複数のトランジスタ１０１₁〜１０１_Nを含み、トランジスタ１０２は、同様に並列接続された複数のトランジスタ１０１₁〜１０１_Nを含むものとする。

図１３Ａ〜図１３Ｃは、第４の実施形態に係るドライバ１０ｅ（ｂ）およびＬＤアレイ１２００ｂの実装例を概略的に示す図である。第４の実施形態では、ＬＤアレイ１２００ｂと、ドライバ１０ｅ（ｂ）に含まれる他の構成とを、別の基板上に形成する。

図１３Ａは、第４の実施形態に適用可能な、ドライバ１０ｅ（ｂ）に含まれる各要素が配置されるＬＤＤ（レーザダイオードドライバ）チップ１０００上にＬＤアレイ１２００ｂが配置される様子を模式的に示す図である。図１３Ａは、ＬＤＤチップ１０００およびＬＤアレイ１２００ｂを、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれる各レーザダイオード１２の発光部が配置される面（上面とする）から見た様子を示している。なお、この図１３Ａおよび後述する図１３Ｂにおいて、ＬＤアレイ１２００ｂは、ＬＤＤチップ１０００と接続される側（裏面）を、レーザダイオード１２の発光部が配置される上面側から透視した状態で示されている。

ＬＤＤチップ１０００は、１つの半導体チップであって、周辺部に配置される複数のパッド１００１に対するワイヤボンディングにより、外部の回路と接続される。例えば、ＬＤＤチップ１０００に対して、パッド１００１を介して外部から電圧Ｖ_DDの電源が供給される。また、図１０Ｂにおける電圧Ｖ₁およびＶ₂は、ＬＤＤチップ１０００の外部に設けられる比較器１１０に対して、パッド１００１を介して供給される。

図１３Ｂは、第４の実施形態に適用可能なＬＤアレイ１２００ｂの構成を模式的に示す図である。図１３Ｂに示すように、ＬＤアレイ１２００ｂの裏面に対し、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれる複数のレーザダイオード１２それぞれのカソード端子１２０１と、当該複数のレーザダイオード１２に共通するアノード端子１２０２とが整列して配置される。

図１３Ｂの例では、図の横方向を行、縦方向を列とするとき、カソード端子１２０１は、Ｃ行×Ｌ列の格子状の配列により、ＬＤアレイ１２００ｂの中央部に配置されている。すなわち、この例では、ＬＤアレイ１２００ｂに対して、（Ｃ×Ｌ）個のレーザダイオード１２が配置されることになる。また、アノード端子１２０２は、ＬＤアレイ１２００ｂの左端側にＣ行×Ａ₁列、右端側にＣ行×Ａ₂列の各格子状の配列により配置されている。

ここで、各カソード端子１２０１は、例えば図１０Ｂにおける結合部１００ｂ₁、１００ｂ₂、…、１００ｂ_nに対応する。また、各アノード端子１２０２は、纏めて、例えば図１０Ｂにおける結合部１００ａに対応する。各レーザダイオード１２のアノードが共通して接続される結合部１００ａを複数のアノード端子１２０２により複数形成することで、当該各アノードをＬＤＤチップ１０００に接続する際の接続抵抗を低く抑えることが可能となる。

図１３Ｃは、第４の実施形態に適用可能な、ＬＤＤチップ１０００およびＬＤアレイ１２００ｂからなる構造を、図１３Ａの下端側から見た側面図である。このように、ＬＤＤチップ１０００およびＬＤアレイ１２００ｂは、ＬＤＤチップ１０００に対してＬＤアレイ１２００ｂが積層された構造とされる。各カソード端子１２０１および各アノード端子１２０２は、例えばマイクロバンプによりＬＤＤチップ１０００に接続される。

次に、ドライバ１０ｅ（ｂ）に含まれる各要素のＬＤＤチップ１０００上への配置の例について、図１４Ａおよび図１４Ｂを用いて説明する。

図１４Ａは、上述した図１０Ｂと対応する図である。この図１４Ａの例では、ドライバ１０ｅ（ｂ）は、図１０Ｂのトランジスタ１０２のサイズを、トランジスタ１０１のサイズより小さくしている。例えば、１個のトランジスタ１０２に対し、並列接続され、それぞれ独立してオン／オフの制御が可能な複数のトランジスタ１０１₁、…、１０１_Nによりトランジスタ１０１を構成する。図１４Ａの例では、Ｎ個のトランジスタ１０１₁〜１０１_Nに対し、Ｎ／１０個のトランジスタ１０２が用いられる。例えば、Ｎ＝１０個であれば、トランジスタ１０２の個数は、１個である。

これにより、トランジスタ１０２のオン抵抗Ｒ_ON-2を、トランジスタ１０１₁〜１０１_N全体によるオン抵抗Ｒ_ON-1に対して高くすることができる。また、レプリカ経路における電流源１０４の電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを、トランジスタ１０２のサイズ（個数）と、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nの全体としてのサイズ（個数）と、の比率に基づき小さくすることができる。

図１４Ａの例では、電流源１０４が供給する電流を、図１０Ｂの例の電流源１０４の電流Ｉ_cに対し、１／１０の電流（Ｉ_L＋Ｉ_offset）／１０としている。上述した式（１）によれば、トランジスタ１０２のオン抵抗Ｒ_ON-2を１０倍とし、電流Ｉ_L＋Ｉ_offsetを１／１０としても、求められる電圧Ｖ₂の値が変わらないことが分かる。このようにレプリカ経路の電流を減らすことができるため、ＬＤＤチップ１０００における消費電力を削減することができる。なお、図１４Ａの例では、トランジスタ１０２のサイズを１０倍とし、レプリカ経路の電流量を１／１０としたが、同様の方法によりさらに消費電力を削減することもできる。

なお、図１４Ａでは、トランジスタ１０２が１個の素子として示されているが、トランジスタ１０２も、並列接続され、それぞれ独立してオン／オフの制御が可能な複数のトランジスタを用いて構成してもよい。

図１４Ｂは、第４の実施形態に適用可能な、ドライバ１０ｅ（ｂ）の各要素のＬＤＤチップ１０００上への配置の例を示す図である。図１４Ｂにおける各領域１３００、１３０１、１３０２および１３０３は、図１４Ａにおいて当該各領域１３００、１３０１、１３０２および１３０３に対応させて点線枠で囲って示す各要素が配置される。

具体的には、図１４Ｂの例では、領域１３００は、電流源１０３₁、１０３₂、…、１０３_nを含む。図１４Ｂの例では、この領域１３００に対応する領域１３１０にＬＤアレイ１２００ｂが配置される。図１４Ｂにおいて、領域１３００の長辺側に領域１３０１と領域１３０２とが配置されている。領域１３０１は、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nを含む。また、領域１３０２は、トランジスタ１０２を含む。図１４Ｂの例では、領域１３０１は、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nを２つのグループに分けたそれぞれが含まれる２つの領域１３０１が、領域１３０２の両側に配置されている。このように、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nに対してトランジスタ１０２を近接させ、且つ、挟むように配置することで、トランジスタ１０１₁〜１０１_Nの特性と、トランジスタ１０２の特性と、を近付けることができる。

図１４Ｂの例では、さらに、領域１３００の短辺側に、電流源１０４を含む領域１３０３が配置されている。

なお、図１４Ｂでは、ＬＤアレイ１２００ｂが配置される領域１３１０に対して電流源１０３₁〜１０３_nが含まれる領域１３００を配置しているが、この例に限定されない。例えば、領域１３１０に、電流源１０３₁〜１０３_nが含まれる領域１３００に加えてさらに他の要素を配置してもよい。また、電流源１０３₁〜１０３_nが含まれる領域１３００をＬＤＤチップ１０００の別の位置に配置してもよい。さらに、各電流源１０３１〜１０３ｎなどを駆動する図示されない駆動回路をＬＤＤチップ１０００上に配置してもよい。

（キャパシタを配置する場合の例）
次に、ＬＤＤチップ１０００に対してキャパシタをさらに配置する場合の例について、図１５Ａ、図１５Ｂおよび図１５Ｃを用いて説明する。図１５Ａは、上述した図１４Ａの構成に対して、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nのドレインに共通して接続されるキャパシタ１４０を追加した例を示す図である。

図９を用いて説明したように、キャパシタ１４０は、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nを介して供給された電源の電圧Ｖ_DDに応じた電荷を蓄積する。各電流源１０３₁〜１０３_nによる、ＬＤアレイ１２００ｂに含まれる各レーザダイオード１２₁〜１２_nに対する電流の供給を、ＰＷＭ駆動によりを行う場合に、このキャパシタ１４０に蓄積された電荷を用いて、各レーザダイオード１２₁〜１２_nに対する電流の供給を行う。

すなわち、電源の電圧Ｖ_DDは、ＬＤＤチップ１０００の外部の基板からＬＤＤチップ１０００上のパッド１００１に対して、ワイヤボンディングにより供給される。ＰＷＭ駆動により急峻な電圧の変化が生じると、このワイヤボンディングに用いるワイヤのインダクタンスにより、大きな電圧降下が発生する。そのため、各レーザダイオード１２₁〜１２_nに対して、キャパシタ１４０に蓄積された電荷に基づき電流Ｉ_Lを供給することで、この電圧降下の影響を回避することができる。

図１５Ｂは、キャパシタ１４０を含む領域１３０４をＬＤＤチップ１０００上に配置した例を示す図である。キャパシタ１４０は、例えば各トランジスタ１０１₁〜１０１_n、トランジスタ１０２などと比較して、比較的大きなサイズを有する。そこで、図１５Ｂの例では、キャパシタ１４０を含む領域１３０４を、ＬＤアレイ１２００ｂが配置される領域１３１０に対応する位置に配置している。このように、キャパシタ１４０を含む領域１３０４は、比較的サイズが大きいため、このような配置とすることで、ＬＤＤチップ１０００におけるレイアウトの設計が容易となる。

また、図１５Ｂの例では、各電流源１０３₁〜１０３_nを含む領域１３００を２つに分けて、領域１３０４の両側の長辺の外側に配置している。

なお、図１５Ｂの例では、キャパシタ１４０を含む領域１３０４の全体がＬＤアレイ１２００ｂが配置される領域１３１０に含まれるように示しているが、これはこの例に限定されない。例えば、領域１３０４は、その一部が領域１３１０に含まれるように配置してもよい。また、領域１３０４のサイズが領域１３１０に対して小さい場合、領域１３０４と共に、他の要素を領域１３１０に対応する位置に配置してもよい。

図１５Ｃは、図１５Ｂに示したキャパシタ１４０を含む領域１３０４をＬＤＤチップ１０００上に配置した例において、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nを含む領域１３０１を複数の領域１３０１に分割すると共に、トランジスタ１０２を含む領域も、複数の領域１３０２に分割した例を示す図である。なお、この場合、トランジスタ１０２も、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nと同様に、並列接続され、それぞれ独立してオン／オフの制御が可能な複数のトランジスタを用いて構成されているものとする。

ここで、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nの全体のサイズや、複数のトランジスタにより構成されるトランジスタ１０２のサイズが比較的大きな場合、各トランジスタに対して、製造時のプロセスなどに起因するばらつきが出る可能性がある。図１５Ｃの例では、各トランジスタ１０１₁〜１０１_nが含まれる領域１３０１と、トランジスタ１０２を構成する複数のトランジスタが含まれる領域１３０２とをより細かい単位で分割し、さらに、分割された各領域１３０１と、各領域１３０２と、を整列させ、交互に配置している。これにより、各トランジスタ１０１₁〜１０１_n、および、トランジスタ１０２を構成する複数のトランジスタのばらつきを抑えることが可能となる。

なお、上述した図１４Ａおよび図１５Ａは、上述の図４と対応する構成が適用され、本線とレプリカ経路とにおいてそれぞれ直接的に電圧Ｖ₁およびＶ₂を取り出すようにしているが、これはこの例に限定されない。すなわち、図１４Ａおよび図１５Ａの構成に対して、図６〜図９を用いて説明した構成を適用することができる。

さらに、ＬＤアレイ１２００ｂの代わりに、図１０Ａで説明した、各レーザダイオード１２₁〜１２_nが独立して接続されるＬＤアレイ１２００ａを用いてもよい。同様に、ＬＤアレイ１２００ｂの代わりに、図１０Ｃで説明したレーザダイオード１２₁〜１２_nのアノードが共通に接続されるＬＤアレイ１２００ｃを用いてもよい。

［第５の実施形態］
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は、上述した各実施形態および各実施形態の各変形例による光源装置１を、レーザ光を用いて測距を行う測距装置に適用した場合の例である。

図１６は、第５の実施形態に係る測距装置の一例の構成を示すブロック図である。なお、以下では、上述した各実施形態および各実施形態の各変形例によるドライバ１０ａ〜１０ｄ、ドライバ１０ｄ’、および、ドライバ１０ｅ（ａ）〜１０ｅ（ｃ）をドライバ１０で代表させて説明を行う。同様に、レーザダイオード１２、レーザダイオード１２₁〜１２_n、レーザダイオード１２₁〜１２_Nなどを、レーザダイオード１２で代表させて説明を行う。より好ましくは、図１５Ｂまたは図１５Ｃを用いて説明した構成を適用することが考えられる。

図１６において、第５の実施形態に係る、電子機器としての測距装置７０は、ドライバ１０と、レーザダイオード１２と、コントローラ１１と、測距部５１と、受光部３０２と、を含む。ドライバ１０は、コントローラ１１から供給される制御信号に応じて、レーザダイオード１２をパルス状に発光させるように駆動する駆動信号を生成し、生成した駆動信号に基づきレーザダイオード１２を発光させる。ドライバ１０は、レーザダイオード１２を発光させたタイミングを示す信号を、測距部５１に渡す。

コントローラ１１は、ドライバ１０から供給される検出信号４２に基づき、レーザダイオード１２に対して過電流が供給されているか否かを判定する。コントローラ１１は、レーザダイオード１２に対して過電流が供給されていると判定した場合、ドライバ１０に対してレーザダイオード１２の発光を停止させるための制御信号４３を出力すると共に、過電流の供給を示すエラー信号を出力する。コントローラ１１は、エラー信号を、例えば測距装置７０の外部に出力することができる。

受光部３０２は、受光したレーザ光に基づく光電変換により受光信号を出力する受光素子を含む。受光素子としては、例えば単一フォトンアバランシェダイオードを適用することができる。単一フォトンアバランシェダイオードは、ＳＰＡＤ(Single Photon Avalanche Diode)とも呼ばれ、１フォトンの入射に応じて発生した電子がアバランシェ増倍を生じ、大電流が流れる特性を有する。ＳＰＡＤのこの特性を利用することで、１フォトンの入射を高感度で検知することができる。受光部３０２適用可能な受光素子は、ＳＰＡＤに限らず、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）や、通常のフォトダイオードを適用することも可能である。

測距部５１は、レーザダイオード１２からレーザ光が射出された時間ｔ₀と、受光部３０２に光が受光された時間ｔ₁とに基づき、対象物６１との間の距離Ｄを算出する。

上述の構成において、レーザダイオード１２から例えば時間ｔ₀のタイミングで射出されたレーザ光６０は、例えば対象物６１により反射され、反射光６２として、時間ｔ₁のタイミングで受光部３０２に受光される。測距部５１は、受光部３０２で反射光６２が受光された時間ｔ₁と、レーザダイオード１２にてレーザ光が射出された時間ｔ₀との差分に基づき、対象物６１までの距離Ｄを求める。距離Ｄは、定数ｃを光速度（２．９９７９×１０⁸［ｍ／ｓｅｃ］）として次式（１０）により計算される。
Ｄ＝(ｃ／２)×(ｔ₁−ｔ₀) …（１０）

測距部５１は、上述の処理を、複数回繰り返して実行する。受光部３０２が複数の受光素子を含み、各受光素子に反射光６２が受光された各受光タイミングに基づき距離Ｄをそれぞれ算出してもよい。測距部５１は、発光タイミングの時間ｔ₀から受光部３０２に光が受光された受光タイミングまでの時間ｔ_m（受光時間ｔ_mと呼ぶ）を階級（ビン(bins)）に基づき分類し、ヒストグラムを生成する。

なお、受光部３０２が受光時間ｔ_mに受光した光は、レーザダイオード１２が発光した光が被測定物により反射された反射光６２に限られない。例えば、受光部３０２の周囲の環境光も、受光部３０２に受光される。

図１７は、第５の実施形態に適用可能な、受光部３０２が受光した時刻に基づく一例のヒストグラムを示す図である。図１７において、横軸はビン、縦軸は、ビン毎の頻度を示す。ビンは、受光時間ｔ_mを所定の単位時間ｄ毎に分類したものである。具体的には、ビン＃０が０≦ｔ_m＜ｄ、ビン＃１がｄ≦ｔ_m＜２×ｄ、ビン＃２が２×ｄ≦ｔ_m＜３×ｄ、…、ビン＃（Ｎ−２）が(Ｎ−２)×ｄ≦ｔ_m＜(Ｎ−１)×ｄとなる。受光部３０２の露光時間を時間ｔ_epとした場合、ｔ_ep＝Ｎ×ｄである。

測距部５１は、受光時間ｔ_mを取得した回数をビンに基づき計数してビン毎の頻度３１０を求め、ヒストグラムを生成する。ここで、受光部３０２は、レーザダイオード１２から射出された光が反射された反射光以外の光も受光する。このような、対象となる反射光以外の光の例として、上述した環境光がある。ヒストグラムにおいて範囲３１１で示される部分は、環境光による環境光成分を含む。環境光は、受光部３０２にランダムに入射される光であって、対象となる反射光に対するノイズとなる。

一方、対象となる反射光は、特定の距離に応じて受光される光であって、ヒストグラムにおいてアクティブ光成分３１２として現れる。このアクティブ光成分３１２内のピークの頻度に対応するビンが、被測定物３０３の距離Ｄに対応するビンとなる。測距部５１は、そのビンの代表時間（例えばビンの中央の時間）を上述した時間ｔ₁として取得することで、上述した式（１０）に従い、被測定物３０３までの距離Ｄを算出することができる。このように、複数の受光結果を用いることで、ランダムなノイズに対して適切な測距を実行可能となる。

このように、本開示に係るドライバ１０を、直接ＴｏＦ方式により測距を行う測距装置７０に適用することで、レーザダイオード１２に対して過電流が供給されたか否かをより高精度に検出できる。この検出結果に基づきレーザダイオード１２の発光を制御することで、例えば過電流により想定より強力なレーザ光がレーザダイオード１２から射出された場合の、眼に対する影響を抑制することができる。また、過電流による、レーザダイオード１２の素子自身の破壊を防ぐことができ、測距装置７０の信頼性を向上できる。

［第６の実施形態］
次に、本開示の第６の実施形態として、本開示の第５の実施形態の適用例について説明する。図１８は、第６の実施形態による、上述の第５の実施形態に係る測距装置７０を使用する使用例を示す図である。

上述した測距装置７０は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。

・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置。
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、ＴＶや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置。
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置。
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置。
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置。
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置。
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置。

［本開示に係る技術のさらなる適用例］
（移動体への適用例）
本開示に係る技術は、さらに、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボットといった各種の移動体に搭載される装置に対して適用されてもよい。

図１９は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、および統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、および車載ネットワークＩ／Ｆ（インタフェース）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、および、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット１２０３０は、例えば、受信した画像に対して画像処理を施し、画像処理の結果に基づき物体検出処理や距離検出処理を行う。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声および画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２およびインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイおよびヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図２０は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。図２０では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４および１２１０５を有する。

撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４および１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドアおよび車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１および車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１および１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図２０には、撮像部１２１０１〜１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２および１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２および１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１〜１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１〜１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１〜１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１〜１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１〜１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１〜１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１〜１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１〜１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１〜１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１〜１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、上述した本開示の第５の実施形態に係る測距装置７０を撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、走行する車両からの測距を行う測距装置７０から射出されるレーザ光の、例えば対向車や歩行者などに対する、過電流による過大な照射を抑制することができる。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
所定の電位に接続される第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、
前記所定の電位に接続される第２の抵抗体と、
前記第２の抵抗体に直列に接続される、前記所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する第１の電流源と、
を備え、
前記第１の抵抗体と前記発光素子とが接続される第１の接続部の第１の電圧と、前記第２の抵抗体と前記第１の電流源とが接続される第２の接続部の第２の電圧と、を取り出す
光源装置。
（２）
前記発光素子は、
それぞれ独立して発光する複数の素子が配列される素子アレイとして構成され、
前記第１の電流源は、
前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた前記所定の電流を供給する
前記（１）に記載の光源装置。
（３）
前記第１の抵抗体は、
前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた抵抗値を有する
前記（２）に記載の光源装置。
（４）
前記複数の素子それぞれを駆動する複数の駆動電流を該複数の素子それぞれに独立して供給する複数の第２の電流源をさらに備え、
前記第１の抵抗体と、前記第２の抵抗体と、前記第１の電流源と、前記複数の第２の電流源と、が配置される第１の半導体チップと、
前記素子アレイを備える、前記第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップと、
を含み、
前記第２の半導体チップに配置される前記素子アレイに含まれる前記複数の素子それぞれと、前記第１の半導体チップに配置される前記複数の第２の電流源それぞれと、が一対一に接続される
前記（２）または（３）に記載の光源装置。
（５）
前記複数の第２の電流源は、
前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、
前記素子アレイは、
前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に対応する領域に積層して配置される
前記（４）に記載の光源装置。
（６）
前記第１の抵抗体は、
並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置される
前記（４）または（５）に記載の光源装置。
（７）
前記第１の抵抗体は、整列して配置される２のブロックに分割され、該２のブロックの間に前記第２の抵抗体が配置される
前記（６）に記載の光源装置。
（８）
前記第２の抵抗体は、
並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置され、
前記第１の抵抗体に含まれる複数の抵抗体が分割された前記複数のブロックそれぞれと、前記第２の抵抗体に含まれる複数の抵抗体が分割された前記複数のブロックのそれぞれと、が交互に、整列して前記第１の半導体チップに配置される
前記（７）に記載の光源装置。
（９）
前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、前記第１の抵抗体に接続されるキャパシタをさらに備え、
前記素子アレイは、
前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に積層して配置される
前記（４）乃至（８）の何れかに記載の光源装置。
（１０）
前記第１の接続部の電圧を降圧した第３の電圧を前記第１の電圧として取り出す第１の降圧部と、
前記第２の接続部の電圧を降圧した第４の電圧を前記第２の電圧として取り出す第２の分圧部と、
をさらに備える
前記（１）乃至（９）の何れかに記載の光源装置。
（１１）
前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
それぞれ、抵抗分圧により前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
前記（１０）に記載の光源装置。
（１２）
前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
それぞれ、前記第１の接続部および前記第２の接続部の各電圧を入力とする各ソースフォロワの各出力を抵抗にて降圧させて前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
前記（１０）に記載の光源装置。
（１３）
前記第１の電圧と前記第２の電圧とを比較する比較部と、
前記比較部の比較結果に基づき取得される前記第１の電圧と前記第２の電圧と、の差分に基づき、前記発光素子に過電流が供給されているか否かを判定する制御部と、
をさらに備える
前記（１）乃至（１２）の何れかに記載の光源装置。
（１４）
前記制御部は、
前記判定の結果に基づき前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち少なくとも前記第１の抵抗体のオン状態およびオフ状態を制御する
前記（１３）に記載の光源装置。
（１５）
前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体は、
それぞれ、オン状態におけるＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)型トランジスタのソース−ドレイン間の抵抗である
前記（１）乃至（１４）の何れかに記載の光源装置。
（１６）
所定の電位に接続される第１の抵抗体と、
前記第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、
前記所定の電位に接続される第２の抵抗体と、
前記第２の抵抗体に直列に接続される、前記所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する第１の電流源と、
前記第１の抵抗体と前記発光素子とが接続される第１の接続部の第１の電圧と、前記第２の抵抗体と前記第１の電流源とが接続される第２の接続部の第２の電圧と、を比較する比較部と、
前記比較部の比較結果に基づき取得される前記第１の電圧と前記第２の電圧と、の差分に基づき、前記発光素子に過電流が供給されているか否かを判定し、判定結果に基づき前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち少なくとも前記第１の抵抗体のオン状態およびオフ状態を制御する制御部と、
を備える電子機器。
（１７）
前記発光素子は、
それぞれ独立して発光する複数の素子が配列される素子アレイとして構成され、
前記第１の電流源は、
前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた前記所定の電流を供給する
前記（１６）に記載の電子機器。
（１８）
前記第１の抵抗体は、
前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた抵抗値を有する
前記（１７）に記載の電子機器。
（１９）
前記複数の素子それぞれを駆動する複数の駆動電流を該複数の素子それぞれに独立して供給する複数の第２の電流源をさらに備え、
前記第１の抵抗体と、前記第２の抵抗体と、前記第１の電流源と、前記複数の第２の電流源と、が配置される第１の半導体チップと、
前記素子アレイを備える、前記第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップと、
を含み、
前記第２の半導体チップに配置される前記素子アレイに含まれる前記複数の素子それぞれと、前記第１の半導体チップに配置される前記複数の第２の電流源それぞれと、が一対一に接続される
前記（１７）または（１８）に記載の電子機器。
（２０）
前記複数の第２の電流源は、
前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、
前記素子アレイは、
前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に対応する領域に積層して配置される
前記（１９）に記載の電子機器。
（２１）
前記第１の抵抗体は、
並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置される
前記（１９）または（２０）に記載の電子機器。
（２２）
前記第１の抵抗体は、整列して配置される２のブロックに分割され、該２のブロックの間に前記第２の抵抗体が配置される
前記（２１）に記載の電子機器。
（２３）
前記第２の抵抗体は、
並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置され、
前記第１の抵抗体に含まれる複数の抵抗体が分割された前記複数のブロックそれぞれと、前記第２の抵抗体に含まれる複数の抵抗体が分割された前記複数のブロックのそれぞれと、が交互に、整列して前記第１の半導体チップに配置される
前記（２２）に記載の電子機器。
（２４）
前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、前記第１の抵抗体に接続されるキャパシタをさらに備え、
前記素子アレイは、
前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に積層して配置される
前記（１９）乃至（２３）の何れかに記載の電子機器。
（２５）
前記第１の接続部の電圧を降圧した第３の電圧を前記第１の電圧として取り出す第１の降圧部と、
前記前記第２の接続部の電圧を降圧した第４の電圧を前記第２の電圧として取り出す第２の降圧部と、
をさらに備える
前記（１６）乃至（２４）の何れかに記載の電子機器。
（２６）
前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
それぞれ、抵抗分圧により前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
前記（２５）に記載の電子機器。
（２７）
前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
それぞれ、前記第１の接続部および前記第２の接続部の各電圧を入力とする各ソースフォロワの各出力を抵抗にて降圧させて前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
前記（２５）に記載の電子機器。
（２８）
前記比較部の比較結果に基づき取得される前記第１の電圧と前記第２の電圧と、の差分に基づき、前記発光素子に過電流が供給されているか否かを判定する制御部をさらに備える
前記（１６）乃至（２７）の何れかに記載の電子機器。
（２９）
前記制御部は、
前記判定の結果に基づき前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち少なくとも前記第１の抵抗体のオン状態およびオフ状態を制御する
前記（２８）に記載の電子機器。
（３０）
前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体は、
それぞれ、オン状態におけるＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)型トランジスタのソース−ドレイン間の抵抗である
前記（１６）乃至（２９）の何れかに記載の電子機器。

１ 光源装置
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｄ’，１０ｅ（ａ），１０ｅ（ｂ），１０ｅ（ｂ）’，１０ｅ（ｃ），２００ａ，２００ｂ ドライバ
１１ コントローラ
１２，１２₁，１２₂，１２_n，１２_M，１２_M+1，１２_N レーザダイオード
４２ 検出信号
５１ 測距部
７０ 測距装置
１０１，１０１’，１０１₁，１０１_M，１０１_M+1，１０１_N，１０２，１０２₁，１０２_M，１０２_M+1，１０２_N，２０３，２２０，２２１ トランジスタ
１０３，１０３₁，１０３₂，１０３_n，１０３_M，１０３_M+1，１０３_N，１０４，１０４’，１５２₁，１５２₂，２０４，２０５ 電流源
１１０ 比較器
１３１₁，１３１₂，１３２₁，１３２₂，１５１₁，１５１₂ 抵抗
１４０ キャパシタ
３０２ 受光部
１０００ ＬＤＤチップ
１００１ パッド
１２００ａ，１２００ｂ，１２００ｃ ＬＤアレイ

Claims (16)

1. 所定の電位に接続される第１の抵抗体と、
   前記第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、
   前記所定の電位に接続される第２の抵抗体と、
   前記第２の抵抗体に直列に接続される、前記所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する第１の電流源と、
   を備え、
   前記第１の抵抗体と前記発光素子とが接続される第１の接続部の第１の電圧と、前記第２の抵抗体と前記第１の電流源とが接続される第２の接続部の第２の電圧と、を取り出す
   光源装置。
2. 前記発光素子は、
   それぞれ独立して発光する複数の素子が配列される素子アレイとして構成され、
   前記第１の電流源は、
   前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた前記所定の電流を供給する
   請求項１に記載の光源装置。
3. 前記第１の抵抗体は、
   前記素子アレイに含まれる前記複数の素子のうち発光させる素子の数に応じた抵抗値を有する
   請求項２に記載の光源装置。
4. 前記複数の素子それぞれを駆動する複数の駆動電流を該複数の素子それぞれに独立して供給する複数の第２の電流源をさらに備え、
   前記第１の抵抗体と、前記第２の抵抗体と、前記第１の電流源と、前記複数の第２の電流源と、が配置される第１の半導体チップと、
   前記素子アレイを備える、前記第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップと、
   を含み、
   前記第２の半導体チップに配置される前記素子アレイに含まれる前記複数の素子それぞれと、前記第１の半導体チップに配置される前記複数の第２の電流源それぞれと、が一対一に接続される
   請求項２に記載の光源装置。
5. 前記複数の第２の電流源は、
   前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、
   前記素子アレイは、
   前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に対応する領域に積層して配置される
   請求項４に記載の光源装置。
6. 前記第１の抵抗体は、
   並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置される
   請求項４に記載の光源装置。
7. 前記第１の抵抗体は、整列して配置される２のブロックに分割され、該２のブロックの間に前記第２の抵抗体が配置される
   請求項６に記載の光源装置。
8. 前記第２の抵抗体は、
   並列接続される複数の抵抗体を含み、該複数の抵抗体が複数のブロックに分割されて前記第１の半導体チップに配置され、
   前記第１の抵抗体に含まれる前記複数の抵抗体が分割された複数のブロックそれぞれと、前記第２の抵抗体に含まれる複数の抵抗体が分割された前記複数のブロックのそれぞれと、が交互に、整列して前記第１の半導体チップに配置される
   請求項７に記載の光源装置。
9. 前記第１の半導体チップ上の所定領域に配置され、前記第１の抵抗体に接続されるキャパシタをさらに備え、
   前記素子アレイは、
   前記第１の半導体チップ上の前記所定領域に積層して配置される
   請求項４に記載の光源装置。
10. 前記第１の接続部の電圧を降圧した第３の電圧を前記第１の電圧として取り出す第１の降圧部と、
    前記第２の接続部の電圧を降圧した第４の電圧を前記第２の電圧として取り出す第２の降圧部と、
    をさらに備える
    請求項１に記載の光源装置。
11. 前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
    それぞれ、抵抗分圧により前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
    請求項１０に記載の光源装置。
12. 前記第１の降圧部および前記第２の降圧部は、
    それぞれ、前記第１の接続部および前記第２の接続部の各電圧を入力とする各ソースフォロワの各出力を抵抗にて降圧させて前記第３の電圧および前記第４の電圧を取り出す
    請求項１０に記載の光源装置。
13. 前記第１の電圧と前記第２の電圧とを比較する比較部と、
    前記比較部の比較結果に基づき取得される前記第１の電圧と前記第２の電圧と、の差分に基づき、前記発光素子に過電流が供給されているか否かを判定する制御部と、
    をさらに備える
    請求項１に記載の光源装置。
14. 前記制御部は、
    前記判定の結果に基づき前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち少なくとも前記第１の抵抗体のオン状態およびオフ状態を制御する
    請求項１３に記載の光源装置。
15. 前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体は、
    それぞれ、オン状態におけるＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)型トランジスタのソース−ドレイン間の抵抗である
    請求項１に記載の光源装置。
16. 所定の電位に接続される第１の抵抗体と、
    前記第１の抵抗体に直列に接続され、所定の電流が供給されることで所定の光量で発光する発光素子と、
    前記所定の電位に接続される第２の抵抗体と、
    前記第２の抵抗体に直列に接続される、前記所定の電流に過電流分の電流を加えた電流を供給する電流源と、
    前記第１の抵抗体と前記発光素子とが接続される接続部の第１の電圧と、前記第２の抵抗体と前記電流源とが接続される接続部の第２の電圧と、を比較する比較部と、
    前記比較部の比較結果に基づき取得される前記第１の電圧と前記第２の電圧と、の差分に基づき、前記発光素子に過電流が供給されているか否かを判定し、判定結果に基づき前記第１の抵抗体および前記第２の抵抗体のうち少なくとも前記第１の抵抗体のオン状態およびオフ状態を制御する制御部と、
    を備える電子機器。

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