JP2003092453A - レーザー駆動回路 - Google Patents

レーザー駆動回路

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JP2003092453A
JP2003092453A JP2001283580A JP2001283580A JP2003092453A JP 2003092453 A JP2003092453 A JP 2003092453A JP 2001283580 A JP2001283580 A JP 2001283580A JP 2001283580 A JP2001283580 A JP 2001283580A JP 2003092453 A JP2003092453 A JP 2003092453A
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Japan
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laser diode
mos transistor
drive current
channel mos
voltage
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JP2001283580A
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English (en)
Inventor
Akinobu Soneta
昭伸 曽根田
Akihiro Shibata
章宏 柴田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧源の電圧を下げて低電力化を図ることが
できるレーザー駆動回路を提供する。 【解決手段】 レーザーダイオード駆動用ＰｃｈＭＯＳ
トランジスタ１のドレイン端子と接地端子との間にレー
ザーダイオード２を接続し、レーザーダイオード駆動用
ＰｃｈＭＯＳトランジスタ１のソース端子を電圧源８に
接続し、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰｃｈＭＯ
Ｓトランジスタ１１のゲート端子をレーザーダイオード
駆動用ＰｃｈＭＯＳトランジスタ１のゲート端子に接続
し、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰｃｈＭＯＳト
ランジスタ１１のソース端子を電圧源８に接続し、レー
ザーダイオード駆動電流検出用ＰｃｈＭＯＳトランジス
タ１１のドレイン端子と接地端子との間にレーザーダイ
オード駆動電流検出用抵抗１２を接続し、レーザーダイ
オード駆動電流検出用ＰｃｈＭＯＳトランジスタ１１の
ドレイン端子の電圧を電流モニタ電圧として出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ディスク
再生装置に使用するレーザー駆動回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスク装置において装置が動
作不具合になった場合の不具合解析手法の一つとして、
レーザーダイオードの劣化状態をレーザーダイオードの
駆動電流をモニタすることにより求める手法が用いられ
ている。具体的には、ＰチャネルＭＯＳトランジスタを
用いたレーザーダイオード駆動回路において、駆動電流
を測定するためにレーザーダイオード駆動用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソース端子と電圧源の間にレーザ
ーダイオード駆動電流検出用抵抗を接続してソース端子
電圧をモニタすることにより駆動電流を測定している。
レーザーダイオードは劣化してくると、必要な光量を得
るために必要な駆動電流が増加してくる。
【０００３】図３は従来のレーザー駆動回路の構成を示
すブロック図である。図３において、１はレーザーダイ
オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタである。２
はレーザーダイオードである。３はレーザーダイオード
２の発光量をモニタするためのモニタ用フォトダイオー
ドからなるモニタ用フォトディテクタである。４はモニ
タ用フォトディテクタ３の電流出力を電圧に変換するモ
ニタ電流検出用抵抗である。５はレーザーダイオード２
の発光量を設定するレーザーダイオード発光量設定入力
（電圧）である。６はレーザーダイオード発光量設定入
力５とモニタ電流検出用抵抗４の電圧出力とを比較する
比較器である。７は比較器６の比較結果に応じた電流調
整電圧を発生し、この電圧をレーザーダイオード駆動用
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１の駆動電流を制御する
ためにレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１のゲート端子に印加する電流調整電圧発生回
路である。８は電圧源である。９はレーザーダイオード
駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１の駆動電流をモ
ニタするためのレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗
である。１０は駆動電流モニタ出力である。
【０００４】レーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１はレーザーダイオード２に電流を供給
し、レーザーダイオード２により出力された光はモニタ
用フォトディテクタ３で検出され電流に変換され出力さ
れる。モニタ用フォトディテクタ３の電流出力はモニタ
電流検出用抵抗４により電圧に変換される。レーザーダ
イオード２の発光設定入力（電圧）５とモニタ電流検出
用抵抗４の電圧出力は比較器６により比較され、比較器
６による比較結果が電流調整電圧発生回路７に送られ
る。
【０００５】電流調整電圧発生回路７は、比較器６によ
る比較結果に応じて制御される電圧をレーザーダイオー
ド駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のゲート端子
に印加してレーザーダイオード駆動電流量を制御するこ
とにより、レーザーダイオード２の発光量がレーザーダ
イオード発光量設定入力５に対応した値になるように制
御する。レーザー駆動電流は、電圧源８より、レーザー
ダイオード駆動電流検出用抵抗９を通ってレーザーダイ
オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のソース
端子に流れドレイン端子よりレーザーダイオード２に流
れ込む。
【０００６】したがって、レーザーダイオード駆動電流
検出用抵抗９とレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタ１の接続点の電圧を駆動電流モニタ出
力１０として測定することによりレーザーダイオード２
の駆動電流を測定することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、図３に示す構成
では、レーザーダーオード２は発光時には駆動電流によ
らずほぼ固定の動作電圧を発生するが、電圧源８とレー
ザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１
のソース端子の間にレーザーダイオード駆動電流検出用
抵抗９が接続されているため、駆動電流に応じたレーザ
ーダイオード駆動電流検出用抵抗９による電圧降下が発
生する。
【０００８】電圧源８と接地端子の間には、レーザーダ
イオード駆動電流検出用抵抗９による電圧降下とレーザ
ーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１の
ソース・ドレイン間電圧とレーザーダーオード２の動作
電圧とが直列に存在するため、電圧源８の電圧を下げる
とレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ１のソース・ドレイン間電圧が低下し、レーザーダ
イオード２を駆動するための充分な電流をレーザーダイ
オード２に供給することができなくなり、電圧源８の電
圧を下げることによる低消費電力化ができないという課
題があった。
【０００９】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、低消費電力化することができるレーザー駆動回路
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のレーザー駆動回路は、レー
ザーダイオードを駆動するものであり、ドレイン端子と
接地端子との間にレーザーダイオードを接続しソース端
子を電圧源に接続したレーザーダイオード駆動用Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタと、ゲート端子をレーザーダイ
オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート端
子に接続し、ソース端子を電圧源に接続したレーザーダ
イオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
と、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタのドレイン端子と接地端子との間に接続
したレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗とを備えて
いる。そして、レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタのドレイン端子に現れる電圧
を駆動電流モニタ出力として取り出すようにしている。
【００１１】この構成によれば、同一ゲート電圧でレー
ザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタの
ドレイン電流と同じもしくは相関関係のあるドレイン電
流を流すレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタを設け、レーザーダイオード駆動電
流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電流
をレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗に流すことに
より、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのドレイン端子から駆動電流モニタ出
力を得るようにしているので、レーザーダイオードと直
列にレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗を接続する
必要がなくなる。その結果、電圧源の電圧が直接レーザ
ーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソ
ース端子に印加されることになり、レーザーダイオード
駆動電流によりレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのソース電圧を降下させることなく、
駆動電流モニタ出力を求めることができる。そのため、
電圧源の電圧を下げてもレーザーダイオードに十分な駆
動電流を供給することが可能となり、したがって電圧源
の電圧を下げることにより低消費電力化することが可能
となる。
【００１２】また、本発明の請求項２記載のレーザー駆
動回路は、レーザーダイオードを駆動するものであり、
ドレイン端子と接地端子との間にレーザーダイオードを
接続しソース端子を電圧源に接続したレーザーダイオー
ド駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、レーザーダ
イオードの発光量をモニタしレーザーダイオードの発光
量に応じた電流を出力するモニタ用フォトディテクタ
と、モニタ用フォトディテクタの電流出力を電圧に変換
するモニタ電流検出用抵抗と、モニタ電流検出用抵抗の
電圧出力とレーザーダイオードの発光量設定入力とを比
較する比較器と、比較器による比較結果に応じた電流調
整電圧をレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタのゲート端子に与えることによりレーザーダ
イオードの発光量がレーザーダイオードの発光量設定入
力に対応した値になるように制御する電流調整電圧発生
回路と、ゲート端子をレーザーダイオード駆動用Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続し、ソース
端子を電圧源に接続したレーザーダイオード駆動電流検
出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、レーザーダイオ
ード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのド
レイン端子と接地端子との間に接続したレーザーダイオ
ード駆動電流検出用抵抗とを備えている。そして、レー
ザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタのドレイン端子に現れる電圧を駆動電流モニタ出
力として取り出すようにしている。
【００１３】この構成によれば、同一ゲート電圧でレー
ザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタの
ドレイン電流と同じもしくは相関関係のあるドレイン電
流を流すレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタを設け、レーザーダイオード駆動電
流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電流
をレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗に流すことに
より、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのドレイン端子から駆動電流モニタ出
力を得るようにしているので、レーザーダイオードと直
列にレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗を接続する
必要がなくなる。その結果、電圧源の電圧が直接レーザ
ーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソ
ース端子に印加されることになり、レーザーダイオード
駆動電流によりレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのソース電圧を降下させることなく、
駆動電流モニタ出力を求めることができる。そのため、
電圧源の電圧を下げてもレーザーダイオードに十分な駆
動電流を供給することが可能となり、したがって電圧源
の電圧を下げることにより低消費電力化することが可能
となる。
【００１４】また、本発明の請求項３記載のレーザー駆
動回路は、請求項１または２記載のレーザー駆動回路に
おいて、レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのゲート幅をレーザーダイオード駆
動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート幅のｎ分の
１（ｎは任意の数値）に縮小している。
【００１５】この構成によれば、レーザーダイオード駆
動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン
電流はレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタがレーザーダイオードを駆動するドレイン電流
のｎ分の１になり、レーザーダイオード駆動電流検出用
ＰチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を測定
し、求めた電流値を計算にてｎ倍することによりレーザ
ー駆動電流を求めることができる。そのため、レーザー
ダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジス
タの消費電流を削減することができる。
【００１６】また、本発明の請求項４記載のレーザー駆
動回路は、請求項１、２または３記載のレーザー駆動回
路において、レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗の
抵抗値をレーザーダイオードの動作電圧と等しくなる駆
動電流モニタ出力が発生する抵抗値に設定している。
【００１７】この構成によれば、レーザーダイオード駆
動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン
電圧と、レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン電圧が等しくな
り、その結果、レーザー駆動電流を高精度に求めること
ができる。
【００１８】また、本発明の請求項５記載のレーザー駆
動回路は、請求項１、２または３記載のレーザー駆動回
路において、接続先選択信号に応じてレーザーダイオー
ド駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲー
ト端子をレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタのゲート端子と電圧源のいずれか一方に選択
的に接続するスイッチを設けている。
【００１９】この構成によれば、レーザー駆動電流をモ
ニタする場合にはスイッチによりレーザーダイオード駆
動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート端
子とレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子とをショート（接続）する。レーザ
ー駆動電流をモニタしない場合にはスイッチによりレー
ザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタのゲート端子と電圧源とをショート（接続）し、
レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタをオフにさせる。従来の構成では、レーザー
駆動電流をモニタする必要がない場合にもレーザーダイ
オード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタに
電流が流れていたが、本発明では電流を流すことがなく
低消費電力化ができる。
【００２０】ここで、レーザー駆動電流をモニタする必
要がない場合について説明する。光ディスク再生装置で
は、装置出荷時のレーザー駆動電流を測定し、メモリに
書き込んでおく場合と、装置に不具合が発生した場合に
レーザーの不具合かどうかを判断するためにレーザー駆
動電流をモニタする。したがって、光ディスク再生装置
が正常に動作している場合は、レーザー駆動電流をモニ
タする必要がない。不具合の判断基準は、出荷時のレー
ザー駆動電流との比較、駆動電流の絶対値での判断とい
うことになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【００２２】図１は第１の実施の形態におけるレーザー
駆動回路の構成を示すブロック図である。図１におい
て、１はレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタである。２はレーザーダイオードである。３
はレーザーダイオード２の発光量をモニタするモニタ用
フォトダイオードからなるモニタ用フォトディテクタで
ある。４はモニタ用フォトディテクタ３の電流出力を電
圧に変換するモニタ電流検出用抵抗である。５はレーザ
ーダイオード２の発光量設定入力（電圧）である。
【００２３】６はモニタ電流検出用抵抗４の電圧出力と
レーザーダイオードの発光量設定入力５とを比較する比
較器である。７は比較器６の比較結果に応じた電流調整
電圧を発生し、この電圧をレーザーダイオード駆動用Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ１の駆動電流を制御するた
めにレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラン
ジスタ１のゲート端子に印加する電流調整電圧発生回路
である。８はレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１のソース端子に接続する電圧源であ
る。
【００２４】１１はゲート端子をレーザーダイオード駆
動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のゲート端子に接
続しソース端子を電圧源８に接続したレーザーダイオー
ド駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタであ
る。１２はレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１のドレイン端子と接地端子と
の間に接続されたレーザーダイオード駆動電流検出用抵
抗である。１３はレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐ
チャネルＭＯＳトランジスタ１１のドレイン端子とレー
ザーダイオード駆動電流検出用抵抗１２の接続点より取
り出される駆動電流モニタ出力である。
【００２５】以上のように構成された第１の実施の形態
におけるレーザー駆動回路について以下その動作を説明
する。
【００２６】レーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１はレーザーダイオード２に電流を供給
し、レーザーダイオード２により出力された光はモニタ
用フォトディテクタ３で検出され電流に変換され出力さ
れる。モニタ用フォトディテクタ３の電流出力はモニタ
電流検出用抵抗４により電圧に変換される。レーザーダ
イオードの発光設定入力（電圧）５とモニタ電流検出用
抵抗４の電圧出力は比較器６により比較され、比較器６
による比較結果が電流調整電圧発生回路７に送られる。
【００２７】電流調整電圧発生回路７は、比較器６によ
る比較結果に応じて制御される電圧をレーザーダイオー
ド駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のゲート端子
に印加してレーザーダイオード駆動電流量を制御するこ
とにより、レーザーダイオード２の発光量がレーザーダ
イオード発光量設定入力５に対応した値になるように制
御する。レーザー駆動電流は、電圧源８より、レーザー
ダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のソ
ース端子に流れドレイン端子よりレーザーダイオード２
に流れ込む。
【００２８】このとき、レーザーダイオード駆動電流検
出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲート・ソー
ス電圧はレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１のゲート・ソース間電圧とは同電圧であ
り、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１１はこの電圧に応じた電流をドレイン
端子よりレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗１２に
供給する。レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１に流れる電流は、レーザーダ
イオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１に流れ
る電流と同じもしくは相関関係がある。
【００２９】レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗１
２の一端は接地端子に接続されているので、上記電流と
レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗１２の抵抗値に
より発生する電圧を駆動電流モニタ出力１３として測定
でき、レーザー駆動電流を求めることができる。
【００３０】ここで、レーザーダイオード駆動電流検出
用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１はレーザーダイオ
ード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１との関係に
おいて、要求される特性について説明する。２つのＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１，１１の電気的特性が等し
いことが要求される条件である。電気的特性を等しくす
るためには、同一基板上に同一条件で、かつレイアウト
的には近くに配置することが必要である。ただし、後述
するように、両ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１，１１
の電流比をｎ：１に設定することも可能であり、この場
合には、ゲート幅をｎ：１にする。
【００３１】この構成によれば、同一ゲート電圧でレー
ザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１
のドレイン電流と同じもしくは相関関係のあるドレイン
電流を流すレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１を設け、レーザーダイオード
駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のド
レイン電流をレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗１
２に流すことにより、レーザーダイオード駆動電流検出
用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のドレイン端子か
ら駆動電流モニタ出力１３を得るようにしているので、
レーザーダイオード２と直列にレーザーダイオード駆動
電流検出用抵抗を接続する必要がなくなる。その結果、
電圧源８の電圧が直接レーザーダイオード駆動用Ｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタ１のソース端子に印加されるこ
とになり、レーザーダイオード駆動電流によりレーザー
ダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のソ
ース電圧を降下させることなく、駆動電流モニタ出力１
３を求めることができる。そのため、電圧源８の電圧を
下げてもレーザーダイオードに十分な駆動電流を供給す
ることが可能となり、したがって電圧源８の電圧を下げ
ることにより低消費電力化することが可能となる。
【００３２】上記の構成において、レーザーダイオード
駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲ
ート幅をレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１のゲート幅のｎ分の１（ｎは任意の数値）
に縮小してもよい。
【００３３】この構成によれば、レーザーダイオード駆
動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のドレ
イン電流はレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ１がレーザーダイオード２を駆動するドレ
イン電流のｎ分の１になり、レーザーダイオード駆動電
流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のドレイン
電圧を測定し、求めた電流値を計算にてｎ倍することに
よりレーザー駆動電流を求めることができる。そのた
め、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１１の消費電流を削減することができ
る。
【００３４】また、レーザーダイオード駆動電流検出用
抵抗１２の抵抗値をレーザーダイオード２の動作電圧と
等しくなる駆動電流モニタ出力が発生する抵抗値に設定
することが好ましい。
【００３５】ここで、上記の抵抗値の設定に関してさら
に詳しく説明する。レーザーダイオード駆動用およびレ
ーザーダイオード駆動電流検出用の２つのＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタのゲート幅をｎ：１ではなく１：１に
設定して、２つのＰチャネルＭＯＳトランジスタの特性
を合わせた場合に上記の設定が好ましいものとなる。レ
ーザーの電圧と抵抗×電流により発生する電圧とを合わ
せるように抵抗値を設定することにより、２つのＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を等しくして、
レーザー駆動電流とレーザーモニタ電流とを等しくする
ことにより、精度の高いレーザーモニタ電流を求めるこ
とができる。
【００３６】この構成によれば、レーザーダイオード駆
動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のソース・ドレイ
ン電圧と、レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１のソース・ドレイン電圧が等
しくなり、その結果、上記のようにレーザー駆動電流を
高精度に求めることができる。
【００３７】図２は第２の実施の形態におけるレーザー
駆動回路の構成を示すブロック図である。図２におい
て、２０はレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１のゲート端子をレーザーダイ
オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１のゲート
端子に接続するか、または電圧源８に接続するかを切り
替えるためのスイッチであり、図１の構成に対して追加
されている。２１はスイッチ２０の切り替えを制御する
接続先選択入力である。
【００３８】以上のように構成された第２の実施の形態
におけるレーザー駆動回路について、以下その動作を説
明する。
【００３９】上述したようにレーザー駆動電流をモニタ
する場合は、スイッチ２０を接続先選択入力２１により
制御してレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１のゲート端子とレーザーダイオード駆動電
流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲート端
子をショート（接続）する。この場合の動作は第１の実
施の形態における動作と同じである。
【００４０】一方、レーザー駆動電流をモニタしない場
合は、スイッチ２０を接続先選択入力２１により制御し
て電源電圧８とレーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲート端子をショート
（接続）する。この場合、レーザーダイオード駆動電流
検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１はオフし、レ
ーザーダイオード駆動電流検出用抵抗１２に電流が供給
されないため、消費電流の削減ができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レーザ
ーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタの駆
動電流と同じもしくは相関関係のある電流を流すレーザ
ーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタを設け、このレーザーダイオードダイオード駆動電
流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタにレーザーダイ
オード駆動電流検出用抵抗を接続しているので、レーザ
ーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタのドレイン端子電圧を測定することによりレーザー
ダイオードの駆動電流を求めることができ、かつ、電圧
源の電圧をそのままレーザーダイオード駆動用Ｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタのソース電圧にすることができる
ため、電圧源の電圧を下げてもレーザーダイオードを駆
動するのに十分な電流をレーザーダイオードに供給する
ことが可能となり、従来構成に比べて低消費電力化が可
能な優れたレーザー駆動回路が得られる。
【００４２】また、レーザーダイオード駆動電流検出用
ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート幅をレーザーダ
イオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート
幅のｎ分の１にしているので、レーザーダイオード駆動
電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタの消費電流を
削減することができる。
【００４３】また、レーザーダイオード駆動電流検出用
抵抗の抵抗値をレーザーダイオードの動作電圧と等しく
なる駆動電流モニタ出力が発生する抵抗値に設定するこ
とにより、レーザー駆動電流を高精度に求めることがで
きる。
【００４４】また、レーザーダイオード駆動電流検出用
ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート端子をスイッチ
によりレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタのゲート端子と電圧源とに選択的に接続するよ
うにしているので、レーザー駆動電流をモニタしないと
きには、レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのゲート端子を電圧源に接続するこ
とで、レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭ
ＯＳトランジスタを遮断することができ、レーザー駆動
電流をモニタしないときの消費電力を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるレーザー駆
動回路の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態におけるレーザー駆
動回路の構成を示すブロック図である。
【図３】従来のレーザー駆動回路の構成を示すブロック
図である。
【符号の説明】
１ レーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ ２ レーザーダイオード ３ モニタ用フォトディテクタ ４ モニタ電流検出用抵抗 ５ レーザーダイオードの発光量設定入力 ６ 比較器 ７ 電流調整電圧発生回路 ８ 電圧源 ９ レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗 １０ 駆動電流モニタ出力 １１ レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ １２ レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗 １３ 駆動電流モニタ出力 ２０ スイッチ ２１ 接続先選択入力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA37 BA01 HA68 5D789 AA37 BA01 HA68 5F073 EA29 FA01 GA12 GA15

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザーダイオードを駆動するレーザー
    駆動回路であって、 ドレイン端子と接地端子との間に前記レーザーダイオー
    ドを接続しソース端子を電圧源に接続したレーザーダイ
    オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、 ゲート端子を前記レーザーダイオード駆動用Ｐチャネル
    ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続し、ソース端子
    を前記電圧源に接続したレーザーダイオード駆動電流検
    出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、 前記レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
    Ｓトランジスタのドレイン端子と前記接地端子との間に
    接続したレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗とを備
    え、 前記レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
    Ｓトランジスタのドレイン端子に現れる電圧を駆動電流
    モニタ出力として取り出すようにしたことを特徴とする
    レーザー駆動回路。
  2. 【請求項２】 レーザーダイオードを駆動するレーザー
    駆動回路であって、 ドレイン端子と接地端子との間に前記レーザーダイオー
    ドを接続しソース端子を電圧源に接続したレーザーダイ
    オード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、 前記レーザーダイオードの発光量をモニタし前記レーザ
    ーダイオードの発光量に応じた電流を出力するモニタ用
    フォトディテクタと、 前記モニタ用フォトディテクタの電流出力を電圧に変換
    するモニタ電流検出用抵抗と、 前記モニタ電流検出用抵抗の電圧出力と前記レーザーダ
    イオードの発光量設定入力とを比較する比較器と、 前記比較器による比較結果に応じた電流調整電圧を前記
    レーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジス
    タのゲート端子に与えることにより前記レーザーダイオ
    ードの発光量が前記レーザーダイオードの発光量設定入
    力に対応した値になるように制御する電流調整電圧発生
    回路と、 ゲート端子を前記レーザーダイオード駆動用Ｐチャネル
    ＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続し、ソース端子
    を前記電圧源に接続したレーザーダイオード駆動電流検
    出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタと、 前記レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
    Ｓトランジスタのドレイン端子と前記接地端子との間に
    接続したレーザーダイオード駆動電流検出用抵抗とを備
    え、 前記レーザーダイオード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯ
    Ｓトランジスタのドレイン端子に現れる電圧を駆動電流
    モニタ出力として取り出すようにしたことを特徴とする
    レーザー駆動回路。
  3. 【請求項３】 レーザーダイオード駆動電流検出用Ｐチ
    ャネルＭＯＳトランジスタのゲート幅をレーザーダイオ
    ード駆動用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲート幅の
    ｎ分の１（ｎは任意の数値）に縮小したことを特徴とす
    る請求項１または２記載のレーザー駆動回路。
  4. 【請求項４】 レーザーダイオード駆動電流検出用抵抗
    の抵抗値を前記レーザーダイオードの動作電圧と等しく
    なる駆動電流モニタ出力が発生する抵抗値に設定したこ
    とを特徴とする請求項１、２または３記載のレーザー駆
    動回路。
  5. 【請求項５】 接続先選択入力に応じてレーザーダイオ
    ード駆動電流検出用ＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲ
    ート端子をレーザーダイオード駆動用ＰチャネルＭＯＳ
    トランジスタのゲート端子と電圧源のいずれか一方に選
    択的に接続するスイッチを設けたことを特徴とする請求
    項１、２または３記載のレーザー駆動回路。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8189182B2 (en) 2008-08-08 2012-05-29 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, optical scanner using same, image forming apparatus using optical scanner, and return light identification method
JP2019501539A (ja) * 2016-01-04 2019-01-17 シリコン・ライン・ゲー・エム・ベー・ハー 回路構造と、少なくとも１つの電荷素子、特に少なくとも１つのレーザダイオードの電流を制御および測定するための方法
CN110233420A (zh) * 2019-07-04 2019-09-13 湖北秉正讯腾科技有限公司 激光器驱动电路及激光设备
WO2020162129A1 (ja) * 2019-02-05 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置および電子機器
WO2020162128A1 (ja) * 2019-02-05 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置および電子機器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8189182B2 (en) 2008-08-08 2012-05-29 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor integrated circuit device, optical scanner using same, image forming apparatus using optical scanner, and return light identification method
JP2019501539A (ja) * 2016-01-04 2019-01-17 シリコン・ライン・ゲー・エム・ベー・ハー 回路構造と、少なくとも１つの電荷素子、特に少なくとも１つのレーザダイオードの電流を制御および測定するための方法
JP7152016B2 (ja) 2016-01-04 2022-10-12 シリコン・ライン・ゲー・エム・ベー・ハー 回路構造と、少なくとも１つの電荷素子、特に少なくとも１つのレーザダイオードの電流を制御および測定するための方法
WO2020162129A1 (ja) * 2019-02-05 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置および電子機器
WO2020162128A1 (ja) * 2019-02-05 2020-08-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置および電子機器
US11672059B2 (en) 2019-02-05 2023-06-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light source device and electronic device
CN110233420A (zh) * 2019-07-04 2019-09-13 湖北秉正讯腾科技有限公司 激光器驱动电路及激光设备
CN110233420B (zh) * 2019-07-04 2023-12-19 湖北秉正讯腾科技有限公司 激光器驱动电路及激光设备

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