JP5446223B2 - 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザの光量制御を行う半導体レーザ駆動装置に関し、特に、半導体レーザの劣化検出を行う機能を備えた半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置に関する。

画像形成装置の書き込みに使用されている半導体レーザの光量制御として、レーザ光を半導体レーザの近傍に配置したフォトセンサで定期的に検出し、該検出信号を半導体レーザ駆動回路にフィードバックすることによって、レーザ光量の制御を行い、レーザ光量が所望の光量に等しくなるように制御を行う、いわゆるＡＰＣ（Automatic Power Control）が一般に行われている。
図７は、半導体レーザ駆動装置の従来例を示した図である。
図７において、レーザダイオード等の半導体レーザＬＤから照射された光をフォトダイオードＰＤで受光すると、フォトダイオードＰＤは受光した光量に比例したモニタ電流Ｉｍを出力する。

モニタ電流Ｉｍは、Ｉ／Ｖ変換回路１０１でモニタ電圧Ｖｍに変換され、比較回路１０２は、モニタ電圧Ｖｍと所定の基準電圧Ｖｒｅｆとの電圧比較を行い、該電圧差を示す信号を出力する。サンプルホールド回路１０３は、外部から入力されたＡＰＣ信号によって、非画像領域で比較回路１０２から出力された信号の電圧、又は該電圧のピーク値をサンプリングし、画像領域で該サンプリングした電圧を保持して、駆動電圧として駆動電流設定回路１０４へ出力する。駆動電流設定回路１０４は、入力された駆動電圧に基づいて生成した駆動電流を、外部から入力された画像データに応じて半導体レーザＬＤに供給する。このようなことから、比較回路１０２及びサンプルホールド回路１０３はＡＰＣ制御回路をなす。

図８は、図７の駆動電流設定回路１０４の一部とＡＰＣ制御回路１０５の回路例を示した図である。
図８において、演算増幅回路１１１が比較回路１０２をなし、スイッチＳＷａとサンプルホールドコンデンサＣｓｈがサンプルホールド回路１０３をなしている。一般的に、ホールド期間のリークを極力抑えるために、サンプルホールドコンデンサＣｓｈは、ＩＣの端子を介して該ＩＣの外部に接続されている。
ここで、レーザダイオードである半導体レーザＬＤは、他の部品よりも電気的に過電流によるストレスに弱く、半導体レーザを保護するために、該過電流を検出してアラームを出し故障を未然に防ぐ方法をとることが一般的であった。

半導体レーザＬＤに流れる過電流を検出する従来技術として、次のような２つの方法があった。第１の方法では、半導体レーザＬＤの電流値を直列接続抵抗及び増幅器で検出し、該検出した電流とあらかじめ設定された基準電流値とを比較し、該検出した電流が該基準電流値以上になると、半導体レーザＬＤが劣化したことを報知するようにしていた（例えば、特許文献１参照。）。
また、第２の方法では、電子写真方式で画像を形成するための感光体を露光するレーザ露光器のレーザダイオードの駆動電流又はＡＰＣの誤差電流を、一定の画像データを変調信号としてレーザ駆動装置に与えているときに、しきい値（設定値）と比較して、前記誤差電流が該しきい値を超えると異常信号又は劣化信号を発生するようにしていた（例えば、特許文献２参照。）。
特開２０００−２８０５２２号公報 特開平８−２９５０４８号公報

しかしながら、前記第１の方法では、異常電流を検出した際には既に半導体レーザＬＤが劣化している状態であり、前記第２の方法においても、レーザダイオードＬＤに流れる電流が異常になることを事前に検出することができなかった。このため、サンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続が異常である場合、例えば意図せず接触不良等で開放されている場合に、ＡＰＣを実行してしまうとサンプルホールドコンデンサＣｓｈの容量値がほぼゼロである状態になるため、一瞬にして半導体レーザＬＤに定格を超える電流値が流れ、半導体レーザＬＤの寿命が縮まるか又は不具合が発生することを未然に防ぐことができなかった。なお、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが接続される接続端子が開放、又は高抵抗になるような異常としては、半田不良といった製造上の実装不良やユニット評価時のソケット接触不良等が考えられる。

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、ＡＰＣ系のサンプルホールドコンデンサの接続異常を検出する小規模な回路を追加するだけで、該接続異常発生時に過大な電流が流れて半導体レーザが劣化することを事前に予期して防止することができると共に、外部に該異常発生を報知することができる半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置を得ることを目的とする。

この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する駆動電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
入力された駆動電流設定信号に応じた値の前記駆動電流を生成して前記半導体レーザに供給する駆動電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量に応じたモニタ電圧を生成し、該モニタ電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅した増幅信号をサンプリングしコンデンサに保持させて前記駆動電流設定信号を生成し前記駆動電流生成回路部に出力する制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記駆動電流設定信号の電圧が所定値を超えると所定の異常検出信号を生成して出力する異常検出回路部と、
前記コンデンサの接続状態の検出を行うために、外部から入力されるリセット信号に応じて前記半導体レーザ駆動装置のリセットが解除されてから所定の時間だけ前記コンデンサに定電流を供給する接続検出回路部と、
を備え、
前記接続検出回路部は、前記リセットが解除されてから前記制御回路部によって前記駆動電流生成回路部への動作制御が開始されるまでの間に、前記コンデンサの接続状態の検出を行い、
前記制御回路部は、前記コンデンサの接続状態の検出が行われている間、前記コンデンサへの前記増幅信号の出力を停止し、前記接続検出回路部によって前記駆動電流設定信号が生成されるものである。

また、この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する駆動電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
入力された駆動電流設定信号に応じた値の前記駆動電流を生成して前記半導体レーザに供給する駆動電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量に応じたモニタ電圧を生成し、該モニタ電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅した増幅信号をサンプリングしコンデンサに保持させて前記駆動電流設定信号を生成し前記駆動電流生成回路部に出力する制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記駆動電流設定信号の電圧が所定値を超えると所定の異常検出信号を生成して出力する異常検出回路部と、
前記コンデンサの接続状態の検出を行うために、外部から入力されるリセット信号に応じて前記半導体レーザ駆動装置のリセットが解除されてから所定の時間が経過した後に所定のワンショットパルスを生成して前記制御回路部に出力する接続検出回路部と、
を備え、
前記制御回路部は、前記接続検出回路部から前記ワンショットパルスが入力されている間、強制的に前記コンデンサに前記増幅信号を出力させるものである。

具体的には、前記接続検出回路部は、
所定の定電流を生成して出力する定電流源と、
前記リセットが解除されてから所定の時間後に、所定のワンショットパルスを生成して出力するパルス生成回路と、
該パルス生成回路から前記ワンショットパルスが出力されている間、前記定電流源からの定電流を前記コンデンサに供給するスイッチと、
を備えるようにした。

また具体的には、前記制御回路部は、
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する演算増幅回路と、
該演算増幅回路の出力電圧をサンプリングし前記コンデンサに保持して、前記駆動電流設定信号をなす電圧を生成するサンプルホールド回路と、
を備え、
前記異常検出回路部は、該サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記駆動電流を生成することを示していると、異常を検出したことを示す前記所定の異常検出信号を生成して出力するようにした。

また、前記異常検出回路部から前記所定の異常検出信号が出力されている間、前記駆動電流生成回路部は、前記半導体レーザへの電流供給を停止すると共に、前記制御回路部は、前記コンデンサへの前記増幅信号の出力を停止するようにした。

具体的には、前記異常検出回路部は、
所定の参照電圧を生成して出力する参照電圧生成回路と、
前記駆動電流設定信号の電圧と該参照電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記異常検出信号を生成して出力するコンパレータと、
を備えるようにした。

また、前記異常検出回路部は、
所定の第１参照電圧及び該第１参照電圧未満の第２参照電圧をそれぞれ生成して出力する参照電圧生成回路と、
前記駆動電流設定信号の電圧と該第１参照電圧及び第２参照電圧との電圧比較を行い、前記駆動電流設定信号の電圧が前記第１参照電圧と前記第２参照電圧との間にあるか否かの検出を行い、該検出結果を示す前記異常検出信号を生成して出力する電圧比較回路と、
を備えるようにしてもよい。

また、前記異常検出回路部は、前記異常検出信号を外部に出力するようにしてもよい。

また、この発明に係る画像形成装置は、前記いずれかの半導体レーザ駆動装置を備えたものである。

本発明の半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置によれば、前記コンデンサの接続状態を検出する小規模な回路を追加するだけで、前記コンデンサの接続異常時に過大な電流が半導体レーザに流れて劣化してしまうことを事前に予期して防止することができると共に、外部に該異常を報知することが可能になる。
また、製造途中の実装不良やユニット評価中の操作ミス等で前記コンデンサの接続に異常が起こっていても半導体レーザが破壊することなく、該異常を検知することができるためコストダウンを図ることができる。

次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第１の実施の形態．
図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。
図１において、半導体レーザ駆動装置１は、レーザダイオード等の半導体レーザＬＤの順方向電流‐光出力特性（ｉ‐Ｌ特性）が温度変化や経年劣化によって変動するため、一般的に、半導体レーザＬＤの光量を常に一定に保つための制御、すなわちＡＰＣを行う。半導体レーザ駆動装置１は、半導体レーザＬＤの発光をフォトダイオードＰＤで受光し、該受光した光量に応じて前記ＡＰＣを実行する。なお、以下、半導体レーザＬＤがレーザダイオードであり、半導体レーザ駆動装置１がレーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に使用される場合を想定して説明する。

半導体レーザ駆動装置１は、フォトダイオードＰＤと、可変抵抗Ｒｐｄと、ＡＰＣ制御回路２と、駆動電流設定回路３と、レーザダイオードＬＤの劣化検出を行う異常検出回路４と、端子状態検出回路５と、スイッチング電流Ｉｓｗの設定値を出力してレーザダイオードＬＤの駆動電流値の設定を行う駆動電流制御回路６と、スイッチＳＷ１とを備えている。ＡＰＣ制御回路２は、演算増幅回路１１、スイッチＳＷ２、サンプルホールドコンデンサＣｓｈ、ＡＮＤ回路１２及び制御回路１３で構成され、駆動電流設定回路３は、バイアス電流生成回路７及びスイッチング電流生成回路８で構成されている。

バイアス電流生成回路７は、演算増幅回路１５、ＮＭＯＳトランジスタＭ１及びバイアス電流設定用抵抗Ｒｂｉで構成され、スイッチング電流生成回路８は、演算増幅回路１６、ＮＭＯＳトランジスタＭ２、スイッチング電流設定用抵抗Ｒｓｗ及びスイッチング電流制御用のスイッチＳＷ３で構成され、異常検出回路４は、コンパレータ１７及び抵抗Ｒ１，Ｒ２で構成されている。また、端子状態検出回路５は、定電流源１８、スイッチＳＷ４及びスイッチＳＷ４のスイッチング制御を行うためのパルスを生成して出力するパルス生成回路１９で構成されている。

なお、フォトダイオードＰＤ、可変抵抗Ｒｐｄ及びＡＰＣ制御回路２は制御回路部をなし、駆動電流設定回路３は駆動電流生成回路部を、異常検出回路４は異常検出回路部を、端子状態検出回路５は接続検出回路部をそれぞれなす。また、フォトダイオードＰＤ及び可変抵抗Ｒｐｄは光量検出回路を、スイッチＳＷ２、サンプルホールドコンデンサＣｓｈ、ＡＮＤ回路１２及び制御回路１３はサンプルホールド回路を、抵抗Ｒ１及びＲ２は参照電圧生成回路をそれぞれなす。また、サンプルホールドコンデンサＣｓｈを除くＡＰＣ制御回路２、駆動電流設定回路３、異常検出回路４、端子状態検出回路５、駆動電流制御回路６及びスイッチＳＷ１は１つのＩＣに集積されており、該ＩＣは、入力端子Ｔ１〜Ｔ３、出力端子Ｔ４及び接続端子Ｔ５，Ｔ６を備えている。

フォトダイオードＰＤのカソードは電源電圧ＶＤＤに接続され、フォトダイオードＰＤのアノードと接地電圧との間には可変抵抗Ｒｐｄが接続されている。フォトダイオードＰＤと可変抵抗Ｒｐｄとの接続部は入力端子Ｔ１を介して演算増幅回路１１の反転入力端に接続されている。演算増幅回路１１の非反転入力端には入力端子Ｔ２を介して所定の基準電圧Ｖｒｅｆが入力されており、演算増幅回路１１の出力端はスイッチＳＷ２の一端に接続され、スイッチＳＷ２の他端には接続端子Ｔ５を介してサンプルホールドコンデンサＣｓｈの一端が接続され、サンプルホールドコンデンサＣｓｈの他端は接地電圧に接続されている。スイッチＳＷ２とサンプルホールドコンデンサＣｓｈとの接続部は、演算増幅回路１５の非反転入力端及びコンパレータ１７の反転入力端にそれぞれ接続されている。

また、電源電圧ＶＤＤとスイッチＳＷ４の一端との間には定電流源１８が接続され、スイッチＳＷ４の他端は接続端子Ｔ５を介してサンプルホールドコンデンサＣｓｈの一端に接続されている。パルス生成回路１９には、入力端子Ｔ３を介して外部からのリセット信号ＲＥＳが入力されており、パルス生成回路１９は、入力されたリセット信号ＲＥＳに応じて所定のワンショットパルスを生成し、出力信号ＳｐとしてスイッチＳＷ４の制御電極に出力してスイッチＳＷ４のスイッチング制御を行う。

制御回路１３には、ＡＰＣ制御を行うためのＡＰＣ信号が外部から入力されており、更に入力端子Ｔ３に入力されたリセット信号ＲＥＳ及びパルス生成回路１９からの出力信号Ｓｐがそれぞれ入力されており、これらの入力信号に応じて制御信号Ｓａｐｃを生成して出力する。制御信号ＳａｐｃはＡＮＤ回路１２の一方の入力端に入力され、ＡＮＤ回路１２の出力信号はスイッチＳＷ２の制御電極に入力されている。

電源電圧ＶＤＤにレーザダイオードＬＤのアノードが、接続端子Ｔ６にレーザダイオードＬＤのカソードがそれぞれ接続され、接続端子Ｔ６にはスイッチＳＷ１の一端が接続されている。スイッチＳＷ１の他端は、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに接続されると共にスイッチＳＷ３を介してＮＭＯＳトランジスタＭ２のドレインに接続されている。ＮＭＯＳトランジスタＭ１のソースと接地電圧との間にはバイアス電流設定用抵抗Ｒｂｉが接続されている。演算増幅回路１５の反転入力端はＮＭＯＳトランジスタＭ１のソースに接続され、演算増幅回路１５の出力端はＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに接続されている。スイッチＳＷ３は、制御電極に外部からの画像データ信号ＤＡＴＡが入力されている。

また、ＮＭＯＳトランジスタＭ２のソースと接地電圧との間にはスイッチング電流設定用抵抗Ｒｓｗが接続され、演算増幅回路１６の非反転入力端には、駆動電流制御回路６からのスイッチング電流設定電圧Ｖｓｗが入力されている。演算増幅回路１６の反転入力端はＮＭＯＳトランジスタＭ２のソースに接続され、演算増幅回路１６の出力端はＮＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続されている。一方、電源電圧ＶＤＤと接地電圧との間には抵抗Ｒ１及びＲ２が直列に接続されており、抵抗Ｒ１とＲ２との接続部はコンパレータ１７の非反転入力端に接続されており、コンパレータ１７からレーザダイオードＬＤの劣化等の異常を検出したか否かを示す異常検出信号Ｅｒｒが出力される。異常検出信号Ｅｒｒは、ＡＮＤ回路１２の他方の入力端に入力されると共にスイッチＳＷ１の制御電極に入力され、更に出力端子Ｔ４を介して外部に出力される。

このような構成において、レーザダイオードＬＤが発光した光をフォトダイオードＰＤで受光し、フォトダイオードＰＤは受光した光量に応じたモニタ電流Ｉｍを発生させる。モニタ電流Ｉｍは可変抵抗Ｒｐｄによって電圧に変換され、モニタ電圧Ｖｍとして演算増幅回路１１の反転入力端に入力される。演算増幅回路１１は、入力されたモニタ電圧Ｖｍと所定の基準電圧Ｖｒｅｆとの電圧差を増幅して出力する。制御回路１３は、ＡＰＣ制御を行うことを示すＡＰＣ信号が外部から入力されると、ＡＮＤ回路１２に対してハイレベルの制御信号Ｓａｐｃを出力し、ＡＰＣ制御を行うことを示すＡＰＣ信号が入力されていない場合は、ＡＮＤ回路１２に対してローレベルの制御信号Ｓａｐｃを出力する。スイッチＳＷ１及びＳＷ２は、制御電極にハイレベルの信号が入力されるとオンして導通状態になり、ローレベルの信号が入力されるとオフして遮断状態になる。

ＡＰＣ制御時には、スイッチＳＷ２はオンして導通状態になり、レーザダイオードＬＤには駆動電流設定回路３で生成された駆動電流が流れると共に、サンプルホールドコンデンサＣｓｈは演算増幅回路１１の出力電圧で充電される。すなわち、スイッチＳＷ２のスイッチング動作に応じて、演算増幅回路１１の出力電圧がサンプリングされサンプルホールドコンデンサＣｓｈに保持される。ＡＰＣ制御時には、演算増幅回路１１の出力電圧が、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉとして演算増幅回路１５の非反転入力端及びコンパレータ１７の反転入力端にそれぞれ入力される。演算増幅回路１５は、ＮＭＯＳトランジスタＭ１とバイアス電流設定用抵抗Ｒｂｉとの接続部の電圧がバイアス電流設定電圧Ｖｂｉに等しくなるようにＮＭＯＳトランジスタＭ１の動作制御を行い、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉを電流に変換する。なお、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉは駆動電流設定信号をなしている。

スイッチＳＷ３は、制御電極に入力された画像データ信号ＤＡＴＡに応じてオン／オフする。演算増幅回路１６は、ＮＭＯＳトランジスタＭ２とスイッチング電流設定用抵抗Ｒｓｗとの接続部の電圧がスイッチング電流設定電圧Ｖｓｗに等しくなるようにＮＭＯＳトランジスタＭ２の動作制御を行い、スイッチング電流設定電圧Ｖｓｗを電流に変換する。
レーザダイオードＬＤには、ＮＭＯＳトランジスタＭ１とバイアス電流設定用抵抗Ｒｂｉの直列回路に流れる電流であるバイアス電流Ｉｂｉが流れると共に、画像データ信号ＤＡＴＡによってスイッチＳＷ３がオンしたときに、ＮＭＯＳトランジスタＭ２とスイッチング電流設定用抵抗Ｒｓｗの直列回路に流れる電流であるスイッチング電流Ｉｓｗが流れる。このように、バイアス電流Ｉｂｉは、あらかじめ設定されたスイッチング電流Ｉｓｗと加算されてレーザダイオードＬＤから所定の光量を得るための駆動電流ＩｏｐとしてレーザダイオードＬＤに供給され、ＡＰＣ制御が行われる。

また、ＡＰＣ制御を行わないときは、制御信号ＳａｐｃによってスイッチＳＷ２がオフして遮断状態になるため、サンプルホールドコンデンサＣｓｈに充電された電圧が、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉになる。バイアス電流Ｉｂｉは、レーザダイオードＬＤのしきい値電流Ｉｔｈに追随し、しきい値電流Ｉｔｈ以下であるようにＡＰＣ制御を行うことが望ましい。
また、スイッチング電流設定電圧Ｖｓｗは外部から入力されるようにしてもよく、この場合、駆動電流制御回路６はなくても問題ないが、駆動電流制御回路６は、ＡＰＣ制御回路２からの出力電圧であるバイアス電流設定電圧Ｖｂｉやバイアス電流Ｉｂｉから個々のレーザダイオードＬＤの特性、特にしきい値電流Ｉｔｈを割り出し、スイッチング電流Ｉｓｗの初期値を最適に設定するための回路をなす。このようなスイッチング電流設定電圧Ｖｓｗの設定は、例えば特開２００７−７３５４３号公報や特許第３４６６５９９号公報に開示されているような方法で行うことができる。

異常検出回路４において、コンパレータ１７の非反転入力端には、電源電圧ＶＤＤを抵抗Ｒ１とＲ２で分圧して生成された、レーザダイオードＬＤの劣化判定を行うための参照電圧Ｖｅｒｒが入力されている。参照電圧Ｖｅｒｒは、個々のレーザダイオードＬＤのデータシート上における駆動最大電流Ｉｍａｘ、又はユーザが使用する最大光量値に対応した最大駆動電流Ｉｏｐｍａｘからスイッチング電流Ｉｓｗを減算した電流値Ｉｅｒｒに応じた電圧に設定する。このようにすることにより、レーザダイオードＬＤの劣化が起き始めた直後に、レーザダイオードＬＤに不具合が発生する前に該劣化を知ることができる。

バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが参照電圧Ｖｅｒｒ以上になると、コンパレータ１７からローレベルの異常検出信号Ｅｒｒが出力され、スイッチＳＷ１がオフして遮断状態になると共に、ＡＮＤ回路１２から出力される出力信号が制御回路１３からの制御信号Ｓａｐｃに関係なくローレベルになりスイッチＳＷ２がオフして遮断状態になる。更に、コンパレータ１７からのローレベルの異常検出信号Ｅｒｒに応じてレーザダイオードＬＤの劣化を報知する回路を付加することにより、簡単にかつ精度良くレーザダイオードＬＤの劣化検出を行うことができる。

ここで、ＡＰＣ制御時は、制御信号Ｓａｐｃによって演算増幅回路１１とサンプルホールドコンデンサＣｓｈが接続され、演算増幅回路１１とサンプルホールドコンデンサＣｓｈが接続されると演算増幅回路１１で比較した結果がサンプルホールドコンデンサＣｓｈに反映され、サンプルホールドコンデンサの電圧は、電圧電流変換されてレーザダイオードＬＤに供給される。このため、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが実装不良等で開放されてしまっている状態でＡＰＣが実行されると、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが瞬時に上昇してレーザダイオードＬＤに過大な電流が供給されることになる。このようなことから、リセット解除直後において、ＡＰＣが開始される前にサンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続異常を検出する端子状態検出回路を設けることによって、レーザダイオードＬＤに過大な電流が供給されることを防ぐことができる。

次に、図２及び図３は、図１の半導体レーザ駆動装置１の動作、特に端子状態検出回路５に関係する動作例を示したタイミングチャートであり、図４は、端子状態検出回路５に関係する半導体レーザ駆動装置１の動作例を示したフローチャートである。図２から図４を用いて端子状態検出回路５の動作について説明する。
図１では図示を省略しているが、ハイレベルのリセット信号ＲＥＳが入力されている間は、ＡＰＣ制御回路２、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６はそれぞれ動作を停止、例えばＡＰＣ制御回路２、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６の各演算増幅回路がそれぞれ動作を停止している。

リセット信号ＲＥＳがローレベルに立ち下がってリセットが解除されると、ＡＰＣ制御回路２、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６はそれぞれ作動し、パルス生成回路１９は、リセットが解除されてから所定時間後に所定のワンショットパルスを生成して出力信号ＳｐとしてスイッチＳＷ４の制御電極に出力する。スイッチＳＷ４は出力信号Ｓｐがハイレベルである間だけオンして導通状態になる。また、制御回路１３は、リセットが解除された後、信号Ｓｐが所定時間ハイレベルになってローレベルに立ち下がるまでは、スイッチＳＷ２を強制的にオフさせるようにＡＰＣ信号に関係なく制御信号Ｓａｐｃをローレベルにする。このため、接続端子Ｔ５を介してサンプルホールドコンデンサＣｓｈに入力される電流は定電流源１８からの定電流のみになる。

このような状態において、図２はサンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されている場合を示しており、図３はサンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続が異常である場合を示している。サンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されている場合では、定電流源１８から微小な定電流を一定期間流し込んでもバイアス電流設定電圧Ｖｂｉが殆ど上昇しない。しかし、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されず、接続端子Ｔ５が開放状態や高抵抗短絡となっている場合には、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉは一気に上昇する。このようなバイアス電流設定電圧Ｖｂｉの電圧上昇を検出してコンパレータ１７からの異常検出信号Ｅｒｒがハイレベルからローレベルに反転することにより接続端子Ｔ５の異常を検出し、外部に異常報知すると共にスイッチＳＷ１及びＳＷ２をそれぞれオフさせて遮断状態にすることにより、サンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続異常によるレーザダイオードＬＤに不具合が発生することを防止できる。

このように、本第１の実施の形態における半導体レーザ駆動装置は、ＡＰＣ系のサンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続異常を検出する小規模な回路である端子状態検出回路５を追加するだけで、該接続異常発生時に過大な電流が流れてレーザダイオードＬＤが劣化することを事前に予期して防止することができると共に外部に該異常発生を報知することができ、製造途中の実装不良、ユニット評価中の操作ミス等で接続端子Ｔ５に異常が発生してもレーザダイオードＬＤを破壊することなく、異常を検知することができるためコストダウンを図ることができる。

第２実施の形態．
前記第１の実施の形態では、端子状態検出回路５でサンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続状態を検出する際に定電流源１８からの定電流をサンプルホールドコンデンサＣｓｈに供給するようにしたが、定電流源１８からの定電流の代わりに演算増幅回路１１からの電流を供給するようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第２の実施の形態とする。
図５は、本発明の第２の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。なお、図５では、図１と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図１との相違点のみ説明する。

図５における図１との相違点は、定電流源１８及びスイッチＳＷ４をなくしＯＲ回路１４を追加したことにある。これに伴って、図１の制御回路１３を制御回路１３ａに、図１のＡＰＣ制御回路２をＡＰＣ制御回路２ａに、図１の端子状態検出回路５を端子状態検出回路５ａに、図１の半導体レーザ駆動装置１を半導体レーザ駆動装置１ａにそれぞれした。
図５において、半導体レーザ駆動装置１ａは、レーザダイオード等の半導体レーザＬＤの順方向電流‐光出力特性（ｉ‐Ｌ特性）が温度変化や経年劣化によって変動するため、一般的に、半導体レーザＬＤの光量を常に一定に保つための制御、すなわちＡＰＣを行う。半導体レーザ駆動装置１ａは、半導体レーザＬＤの発光量をフォトダイオードＰＤで受光し、該受光した光量に応じて前記ＡＰＣを実行する。なお、以下、半導体レーザＬＤがレーザダイオードであり、半導体レーザ駆動装置１ａがレーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に使用される場合を想定して説明する。

半導体レーザ駆動装置１ａは、フォトダイオードＰＤと、可変抵抗Ｒｐｄと、ＡＰＣ制御回路２ａと、駆動電流設定回路３と、異常検出回路４と、端子状態検出回路５ａと、駆動電流制御回路６と、スイッチＳＷ１とを備えている。ＡＰＣ制御回路２ａは、演算増幅回路１１、スイッチＳＷ２、サンプルホールドコンデンサＣｓｈ、ＡＮＤ回路１２、制御回路１３ａ及びＯＲ回路１４で構成され、端子状態検出回路５ａは、パルス生成回路１９で構成されている。
なお、フォトダイオードＰＤ、可変抵抗Ｒｐｄ及びＡＰＣ制御回路２ａは制御回路部をなし、端子状態検出回路５ａは接続検出回路部をなす。また、スイッチＳＷ２、サンプルホールドコンデンサＣｓｈ、ＡＮＤ回路１２、ＯＲ回路１４及び制御回路１３ａはサンプルホールド回路をなす。また、サンプルホールドコンデンサＣｓｈを除くＡＰＣ制御回路２ａ、駆動電流設定回路３、異常検出回路４、端子状態検出回路５ａ、駆動電流制御回路６及びスイッチＳＷ１は１つのＩＣに集積されており、該ＩＣは、入力端子Ｔ１〜Ｔ３、出力端子Ｔ４及び接続端子Ｔ５，Ｔ６を備えている。

また、パルス生成回路１９には、入力端子Ｔ３を介して外部からのリセット信号ＲＥＳが入力されており、パルス生成回路１９は、入力されたリセット信号ＲＥＳに応じたパルスを生成して出力信号ＳｐとしてＯＲ回路１４の一方の入力端に出力する。制御回路１３ａには、ＡＰＣ制御を行うためのＡＰＣ信号が外部から入力され、更に入力端子Ｔ３に入力されたリセット信号ＲＥＳが入力されており、これらの入力信号に応じて制御信号Ｓａｐｃを生成して出力する。制御信号ＳａｐｃはＡＮＤ回路１２の一方の入力端に入力され、ＡＮＤ回路１２の出力信号はＯＲ回路１４の他方の入力端に入力され、ＯＲ回路１４の出力信号がスイッチＳＷ２の制御電極に入力されている。

このような構成において、制御回路１３ａは、ＡＰＣ制御を行うことを示すＡＰＣ信号が外部から入力されると、ＡＮＤ回路１２に対してハイレベルの制御信号Ｓａｐｃを出力し、ＡＰＣ制御を行うことを示すＡＰＣ信号が入力されていない場合は、ＡＮＤ回路１２に対してローレベルの制御信号Ｓａｐｃを出力する。
図５では図示を省略しているが、ハイレベルのリセット信号ＲＥＳが入力されている間は、ＡＰＣ制御回路２ａ、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６はそれぞれ動作を停止、例えばＡＰＣ制御回路２ａ、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６の各演算増幅回路がそれぞれ動作を停止している。

リセット信号ＲＥＳがローレベルに立ち下がってリセットが解除されると、ＡＰＣ制御回路２ａ、駆動電流設定回路３及び駆動電流制御回路６はそれぞれ作動し、パルス生成回路１９は、リセットが解除されてから所定時間後に所定のワンショットパルスを生成して出力信号ＳｐとしてＯＲ回路１４の一方の入力端に出力する。ＯＲ回路１４は、出力信号Ｓｐがハイレベルである間だけＡＮＤ回路１２の出力信号に関係なくハイレベルの信号を出力してスイッチＳＷ２をオンさせて導通状態にさせる。このため、サンプルホールドコンデンサＣｓｈには、接続端子Ｔ５を介して演算増幅回路１１からの電流が供給される。

このような状態において、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されず、接続端子Ｔ５が開放状態や高抵抗短絡となっている場合には、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉは一気に上昇する。このようなバイアス電流設定電圧Ｖｂｉの電圧上昇を検出してコンパレータ１７の出力信号Ｅｒｒがハイレベルからローレベルに反転することにより接続端子Ｔ５の異常を検出し、外部に異常報知すると共にスイッチＳＷ１及びＳＷ２をそれぞれオフさせて遮断状態にすることにより、サンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続異常によるレーザダイオードＬＤに不具合が発生することを防止できる。

このように、本第２の実施の形態における半導体レーザ駆動装置は、端子状態検出回路５ａでサンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続状態を検出する際に、リセット解除後に所定の時間だけスイッチＳＷ２を強制的にオンさせ、演算増幅回路１１からの電流をサンプルホールドコンデンサＣｓｈに供給するようにした。このことから、前記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができると共に、前記第１の実施の形態よりも回路規模を小さくすることができ、コストの削減を図ることができる。

第３の実施の形態．
前記第１及び第２の各実施の形態では、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されず、接続端子Ｔ５が開放状態や高抵抗短絡となっている場合を検出できるが、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが短絡した場合を検出することができない。そこで、接続端子Ｔ５が開放状態や高抵抗短絡となっている場合に加えてサンプルホールドコンデンサＣｓｈが短絡した場合を検出することができるようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第３の実施の形態とする。
図６は、本発明の第３の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。なお、図６では、図１の回路構成を例にして示しており、図１と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図１との相違点のみ説明する。

図６における図１との相違点は、図１の異常検出回路４にウインドコンパレータを使用したことにあり、これに伴って、図１の異常検出回路４を異常検出回路４ｂにし、図１の半導体レーザ駆動装置１を半導体レーザ駆動装置１ｂにした。
図６において、半導体レーザ駆動装置１ｂは、レーザダイオード等の半導体レーザＬＤの順方向電流‐光出力特性（ｉ‐Ｌ特性）が温度変化や経年劣化によって変動するため、一般的に、半導体レーザＬＤの光量を常に一定に保つための制御、すなわちＡＰＣを行う。半導体レーザ駆動装置１ｂは、半導体レーザＬＤの発光をフォトダイオードＰＤで受光し、該受光した光量に応じて前記ＡＰＣを実行する。なお、以下、半導体レーザＬＤがレーザダイオードであり、半導体レーザ駆動装置１ｂがレーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に使用される場合を想定して説明する。

半導体レーザ駆動装置１ｂは、フォトダイオードＰＤと、可変抵抗Ｒｐｄと、ＡＰＣ制御回路２と、駆動電流設定回路３と、レーザダイオードＬＤの劣化検出を行う異常検出回路４ｂと、端子状態検出回路５と、駆動電流制御回路６と、スイッチＳＷ１とを備えている。異常検出回路４ｂは、コンパレータ２１，２２、ＡＮＤ回路２３及び抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３で構成されている。
なお、異常検出回路４ｂは異常検出回路部をなし、コンパレータ２１，２２及びＡＮＤ回路２３は電圧検出回路を、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３が参照電圧生成回路をそれぞれなす。また、参照電圧Ｖｅｒｒが第１参照電圧を、参照電圧Ｖｅｒｒ１が第２参照電圧をそれぞれなす。また、サンプルホールドコンデンサＣｓｈを除くＡＰＣ制御回路２、駆動電流設定回路３、異常検出回路４ｂ、端子状態検出回路５、駆動電流制御回路６及びスイッチＳＷ１は１つのＩＣに集積されており、該ＩＣは、入力端子Ｔ１〜Ｔ３、出力端子Ｔ４及び接続端子Ｔ５，Ｔ６を備えている。

スイッチＳＷ２とサンプルホールドコンデンサＣｓｈとの接続部は、演算増幅回路１５及びコンパレータ２２の各非反転入力端、並びにコンパレータ２１の反転入力端にそれぞれ接続されている。電源電圧ＶＤＤと接地電圧との間には抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３が直列に接続されており、抵抗Ｒ２１とＲ２２との接続部はコンパレータ２１の非反転入力端に接続されており、抵抗Ｒ２２とＲ２３との接続部はコンパレータ２２の反転入力端に接続されている。コンパレータ２１及び２２の各出力端はＡＮＤ回路２３の各入力端に対応して接続されており、ＡＮＤ回路２３からレーザダイオードＬＤの劣化を検出したか否かを示す異常検出信号Ｅｒｒが出力される。異常検出信号Ｅｒｒは、ＡＮＤ回路１２の他方の入力端に入力されると共にスイッチＳＷ１の制御電極に入力され、更に出力端子Ｔ４を介して外部に出力される。

異常検出回路４ｂにおいて、コンパレータ２１の非反転入力端には、電源電圧ＶＤＤを抵抗Ｒ２１と抵抗Ｒ２２及びＲ２３の直列抵抗とで分圧して生成された、レーザダイオードＬＤの劣化判定を行うための参照電圧Ｖｅｒｒが入力されている。参照電圧Ｖｅｒｒは、個々のレーザダイオードＬＤのデータシート上における駆動最大電流Ｉｍａｘ、又はユーザが使用する最大光量値に対応した最大駆動電流Ｉｏｐｍａｘからスイッチング電流Ｉｓｗを減算した電流値Ｉｅｒｒに応じた電圧に設定する。このようにすることにより、レーザダイオードＬＤの劣化が起き始めた直後に、レーザダイオードＬＤに不具合が発生する前に該劣化を知ることができる。また、コンパレータ２２の反転入力端には、電源電圧ＶＤＤを抵抗Ｒ２１及びＲ２２の直列抵抗と抵抗Ｒ２３とで分圧して生成された、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが短絡したことを検出するための参照電圧Ｖｅｒｒ１が入力されている。

バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが参照電圧Ｖｅｒｒ以上になると、コンパレータ２１からローレベルの信号が出力されると共にコンパレータ２２からハイレベルの信号が出力される。このため、ＡＮＤ回路２３からローレベルの異常検出信号Ｅｒｒが出力されて、スイッチＳＷ１がオフして遮断状態になると共に、ＡＮＤ回路１２から出力される出力信号が制御回路１３からの制御信号Ｓａｐｃに関係なくローレベルになりスイッチＳＷ２がオフして遮断状態になる。更に、ＡＮＤ回路２３からのローレベルの異常検出信号Ｅｒｒに応じてレーザダイオードＬＤの劣化を報知する回路を付加することにより、簡単にかつ精度良くレーザダイオードＬＤの劣化検出を行うことができる。

また、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが参照電圧Ｖｅｒｒ１以下になると、コンパレータ２１からハイレベルの信号が出力されると共にコンパレータ２２からローレベルの信号が出力される。このため、ＡＮＤ回路２３からローレベルの異常検出信号Ｅｒｒが出力され、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが参照電圧Ｖｅｒｒ以上になったときと同様の動作が行われる。バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが参照電圧Ｖｅｒｒ未満であると共に参照電圧Ｖｅｒｒ１を超える場合は、ＡＮＤ回路２３からハイレベルの異常検出信号Ｅｒｒが出力され、スイッチＳＷ１がオンして導通状態になると共にＡＮＤ回路１２から制御信号Ｓａｐｃに応じた信号が出力される。

なお、図６では、図１の回路構成をなす場合を例にして説明したが、図５の回路構成を有する場合も同様であり、この場合、図５の異常検出回路４を図６の異常検出回路４ｂに置き換えればよく、このようにした場合も異常検出回路４ｂの動作は同じであることからその説明を省略する。

このように、本第３の実施の形態における半導体レーザ駆動装置は、前記第１及び第２の各実施の形態の異常検出回路４を、ウインドコンパレータを使用した異常検出回路４ｂに置き換えることにより、簡単な回路を追加することで、前記第１又は第２の実施の形態と同様の効果を得ることができると共に、サンプルホールドコンデンサＣｓｈが短絡した場合も検出することができる。

なお、前記第１から第３の各実施の形態における半導体レーザ駆動装置を、レーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に使用するようにしてもよい。
また、前記第１から第３の各実施の形態では、電源電圧ＶＤＤを分圧回路で分圧して参照電圧を生成するようにしたが、本発明は、これに限定するものではなく、該分圧回路の代わりに所定の参照電圧を生成して出力する電圧生成回路を使用してもよく、この場合、該電圧生成回路は生成する参照電圧の電圧値を変える手段を有するようにしてもよい。

また、前記第１から第３の各実施の形態において、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉが演算増幅回路１５の非反転入力端に入力されるようにしたが、これは一例であり、本発明はこれに限定するものではなく、例えば、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉを演算増幅回路１６の非反転入力端に入力すると共に演算増幅回路１５の非反転入力端にスイッチング電流設定電圧Ｖｓｗを入力するようにしてもよい。このようにした場合、バイアス電流設定電圧Ｖｂｉに応じたスイッチング電流Ｉｓｗが生成されると共にスイッチング電流設定電圧Ｖｓｗに応じたバイアス電流Ｉｂｉが生成されるが、この場合においてもバイアス電流設定電圧Ｖｂｉは駆動電流設定信号をなす。

本発明の第１の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。 サンプルホールドコンデンサＣｓｈが正常に接続されている場合の端子状態検出回路５に関係する動作例を示したタイミングチャートである。 サンプルホールドコンデンサＣｓｈの接続が異常である場合の端子状態検出回路５に関係する動作例を示したタイミングチャートである。 端子状態検出回路５に関係する半導体レーザ駆動装置１の動作例を示したフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。 本発明の第３の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。 半導体レーザ駆動装置の従来例を示した図である。 図７の駆動電流設定回路１０４の一部とＡＰＣ制御回路１０５の回路例を示した図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ 半導体レーザ駆動装置
２，２ａ ＡＰＣ制御回路
３ 駆動電流設定回路
４ 異常検出回路
５ 端子状態検出回路
６ 駆動電流制御回路
７ バイアス電流生成回路
８ スイッチング電流生成回路
１１，１５，１６ 演算増幅回路
１２，２３ ＡＮＤ回路
１３ 制御回路
１４ ＯＲ回路
１７，２１，２２ コンパレータ
１８ 定電流源
１９ パルス生成回路
ＳＷ１〜ＳＷ４ スイッチ
Ｃｓｈ サンプルホールドコンデンサ
ＬＤ レーザダイオード
ＰＤ フォトダイオード
Ｒｐｄ 可変抵抗
Ｒｂｉ バイアス電流設定用抵抗
Ｒｓｗ スイッチング電流設定用抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ２１〜Ｒ２３ 抵抗
Ｍ１〜Ｍ３ ＮＭＯＳトランジスタ
Ｔ５ 接続端子

Claims (9)

1. 半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する駆動電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
   入力された駆動電流設定信号に応じた値の前記駆動電流を生成して前記半導体レーザに供給する駆動電流生成回路部と、
   前記半導体レーザの発光量に応じたモニタ電圧を生成し、該モニタ電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅した増幅信号をサンプリングしコンデンサに保持させて前記駆動電流設定信号を生成し前記駆動電流生成回路部に出力する制御回路部と、
   該制御回路部から出力された前記駆動電流設定信号の電圧が所定値を超えると所定の異常検出信号を生成して出力する異常検出回路部と、
   前記コンデンサの接続状態の検出を行うために、外部から入力されるリセット信号に応じて前記半導体レーザ駆動装置のリセットが解除されてから所定の時間だけ前記コンデンサに定電流を供給する接続検出回路部と、
   を備え、
   前記接続検出回路部は、前記リセットが解除されてから前記制御回路部によって前記駆動電流生成回路部への動作制御が開始されるまでの間に、前記コンデンサの接続状態の検出を行い、
   前記制御回路部は、前記コンデンサの接続状態の検出が行われている間、前記コンデンサへの前記増幅信号の出力を停止し、前記接続検出回路部によって前記駆動電流設定信号が生成されることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
2. 半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する駆動電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
   入力された駆動電流設定信号に応じた値の前記駆動電流を生成して前記半導体レーザに供給する駆動電流生成回路部と、
   前記半導体レーザの発光量に応じたモニタ電圧を生成し、該モニタ電圧と所定の基準電圧との電圧差を増幅した増幅信号をサンプリングしコンデンサに保持させて前記駆動電流設定信号を生成し前記駆動電流生成回路部に出力する制御回路部と、
   該制御回路部から出力された前記駆動電流設定信号の電圧が所定値を超えると所定の異常検出信号を生成して出力する異常検出回路部と、
   前記コンデンサの接続状態の検出を行うために、外部から入力されるリセット信号に応じて前記半導体レーザ駆動装置のリセットが解除されてから所定の時間が経過した後に所定のワンショットパルスを生成して前記制御回路部に出力する接続検出回路部と、
   を備え、
   前記制御回路部は、前記接続検出回路部から前記ワンショットパルスが入力されている間、強制的に前記コンデンサに前記増幅信号を出力させることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
3. 前記接続検出回路部は、
   所定の定電流を生成して出力する定電流源と、
   前記リセットが解除されてから所定の時間後に、所定のワンショットパルスを生成して出力するパルス生成回路と、
   該パルス生成回路から前記ワンショットパルスが出力されている間、前記定電流源からの定電流を前記コンデンサに供給するスイッチと、
   を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
4. 前記制御回路部は、
   前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
   該モニタ電圧と前記基準電圧との電圧差を増幅して出力する演算増幅回路と、
   該演算増幅回路の出力電圧をサンプリングし前記コンデンサに保持して、前記駆動電流設定信号をなす電圧を生成するサンプルホールド回路と、
   を備え、
   前記異常検出回路部は、該サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記駆動電流を生成することを示していると、異常を検出したことを示す前記所定の異常検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体レーザ駆動装置。
5. 前記異常検出回路部から前記所定の異常検出信号が出力されている間、前記駆動電流生成回路部は、前記半導体レーザへの電流供給を停止すると共に、前記制御回路部は、前記コンデンサへの前記増幅信号の出力を停止することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半導体レーザ駆動装置。
6. 前記異常検出回路部は、
   所定の参照電圧を生成して出力する参照電圧生成回路と、
   前記駆動電流設定信号の電圧と該参照電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記異常検出信号を生成して出力するコンパレータと、
   を備えることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体レーザ駆動装置。
7. 前記異常検出回路部は、
   所定の第１参照電圧及び該第１参照電圧未満の第２参照電圧をそれぞれ生成して出力する参照電圧生成回路と、
   前記駆動電流設定信号の電圧と該第１参照電圧及び第２参照電圧との電圧比較を行い、前記駆動電流設定信号の電圧が前記第１参照電圧と前記第２参照電圧との間にあるか否かの検出を行い、該検出結果を示す前記異常検出信号を生成して出力する電圧比較回路と、
   を備えることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体レーザ駆動装置。
8. 前記異常検出回路部は、前記異常検出信号を外部に出力することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の半導体レーザ駆動装置。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置。

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