KR20110095377A - 로우 커플링 산화물 매체 - Google Patents
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Abstract
자성 저장층 및 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층을 포함하는 로우-커플링 수직 자성 기록 매체가 제시된다. 자성 저장층은 약 400-900 emu/cm3의 포화상태 자화를 갖는다.
Description
본 발명은 로우 커플링 산화물 매체(LCOM)에 관한 것이다.
자화가능한(magnetizable) 매체들을 갖는 자성 디스크들은 대부분의 컴퓨터 시스템들에서 데이터 저장을 위해 사용된다. 도메인(domain) 이론에 따라, 자성 물질은 도메인들로 지칭되는 다수의 초현미경적(submicroscopic) 영역들로 이루어진다. 각각의 도메인은 평행한 원자 모멘트(atomic moment)들을 포함하고 포화상태(saturation)로 자화되지만, 상이한 도메인들의 자화 방향들이 반드시 평행한 것은 아니다. 인가되는 자기장이 없을 때, 인접한 도메인들은 결정의 기하학적 구조에 따라, 자화 용이(easy magnetization) 방향들로 지칭되는 임의의 수의 몇몇 방향들로 랜덤하게 배향될 수 있다. 이러한 다양한 모든 자화 방향들의 결과적인 효과는 비자화된 표본(unmagnetized specimen)의 경우에 제로(zero)일 수 있다. 자기장이 인가될 때, 인가된 자기장의 방향에 가장 근접하게 평행한 도메인들은 다른 것들을 희생하여 크기에 있어서 성장한다. 이것은 도메인들의 경계 변위(boundary displacement) 또는 도메인 성장으로 지칭된다. 자기장의 추가적인 증가는 보다 많은 도메인들로 하여금 인가된 자기장에 평행하게 정렬 및 회전하도록 한다. 물질이 포화 자화의 시점에 도달할 때, 자기장의 세기를 증가시키는 것에 대한 추가적인 도메인 성장은 발생하지 않는다.
자성 물질의 자화 또는 탈자화(demagnetization)의 용이함(ease)은 결정 구조, 그레인(grain) 배향, 스트레인(strain)의 상태, 그리고 자기장의 방향 및 세기에 좌우된다. 자화는 자화 용이 축(easy axis)을 따라 가장 용이하게 달성되고, 자화 곤란 축(hard axis)을 따라 가장 어렵다. 자성 물질은 용이 축 및 곤란 축이 존재할 때 자성 이방성(magnetic anisotropy)을 갖는다고 한다. 한편, 자성 물질은 용이 축 또는 곤란 축이 존재하지 않을 때 등방성(isotropic)이라고 한다.
많은 종래기술의 자성 기록 매체들은 종방향(longitudinal) 구성으로 제조되었다. 즉, 기록 매체들은 자성층에서 평면-내(종방향) 이방성으로 제조되었다. 종방향 이방성은 자성층의 표면에 평행한 평면의 방향에서 형성되는 자화를 유발한다.
그러나, 보다 고용량 자성 기록 매체들에 대한 요구는 수직 기록 매체, 즉 자성층의 표면에 수직인 방향에서 형성되는 자화를 유발하는 자성층에서의 수직 이방성을 갖는 기록 매체에 대한 관심을 초래하였다. 전형적으로, 수직 기록 매체는 다결정성 CoCr 합금 또는 CoPt-산화물 합금 막으로 제조된다. 다결정성 막에서 Co-풍부(rich) 영역들은 강자성인 반면에, 상기 막에서 Cr 또는 산화물-풍부(rich) 영역들은 비-자성이다. 인접한 강자성 도메인들 사이의 자성 작용은 이들 사이의 비-자성 영역들에 의해 감쇄된다.
본 발명의 일 실시예는 자성 저장층 및 적어도 하나의 로우(low) 포화상태(saturation) 자화층을 포함하는 로우-커플링 수직 자성 기록 매체에 관한 것으로서, 상기 자성 저장층은 약 400-900 emu/cm3의 포화상태 자화를 갖고, 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층은 상기 자성 저장층의 포화상태 자화보다 낮은 포화상태 자화를 갖는다.
본 발명은 첨부된 도면들과 함께 발명의 상세한 설명을 참조로 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예의 개선된 기록 특성들을 입증하는 몬테 카를로(Monte Carlo) 시뮬레이션들을 도시한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 자성 기록 매체를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예의 개선된 기록 특성들을 입증하는 몬테 카를로(Monte Carlo) 시뮬레이션들을 도시한다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 바와 같은, 단수 형태들 "a", "an" 및 "상기"는 문맥상 명확하게 반대로 상술되지 않는 한 복수개의 참조들을 포함한다.
본 발명자들은 수직 기록 매체에서 자성 그레인들 사이의 약하고 균일한(uniform) 직접 교환 커플링이 개선된 성능을 제공한다는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 수직 기록 매체 구조에 로우(low) 포화상태 자화 자성층(들)을 부가함으로써 자성 그레인들 사이의 약하고 균일한 직접 교환 커플링이 발생될 수 있다는 것을 추가적으로 발견하였다. 본 발명자들은 자성층의 포화상태 자화(MS)를 가변함으로써 직접 교환 커플링의 세기가 제어될 수 있다는 것을 부가적으로 발견하였다.
본 발명의 일 실시예는 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층을 포함하는 로우-커플링 수직 자성 기록 매체에 관한 것으로서, 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층은 600 emu/cm3 보다 낮은 포화상태 자화를 갖는다.
본 발명의 다른 실시예는 로우-커플링 수직 자성 기록 매체를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 접착층을 증착하는 단계; 연하부층(soft underlayer)을 증착하는 단계; 비자성 층간(interlayer)을 증착하는 단계; 저장층(storage layer)을 증착하는 단계; 및 로우 포화상태 자화 자성층을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층은 600 emu/cm3 보다 낮은 포화상태 자화를 갖는다.
본 발명의 다른 실시예는 600 emu/cm3 보다 낮은 포화상태 자화를 갖는 적어도 하나의 층을 가진 저장 매체를 달성하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 부가적인 장점들은 이하의 상세한 설명으로부터 통상의 당업자에게 용이하게 명백해질 것이며, 여기서 본 발명을 실시하기 위해 고려되는 최상의 모드들을 예시하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들의 선택부분만이 도시 및 설명된다. 본 발명은 다른 실시예들 및 상이한 실시예들을 포함할 수 있으며, 그 세부사항들은 본 발명을 벗어남이 없이 모든 다양한 명백한 양상들에서의 변형들을 가질 수 있음을 인식할 것이다. 따라서, 도면들 및 설명은 본질적으로 예시적인 것으로 간주되어야 하며 제한적인 것으로 간주되어서는 안된다.
예들
본 개시물에서 제시되는 모든 샘플들은 탄소막들을 제외하고 DC 마그네트론 스퍼터링으로 제조되었다. 반응성 스퍼터링에 의해 교환 커플링의 감소를 입증하는 예의 데이터가 본 명세서에서 설명된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예를 도시한다. 본 실시예의 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(10)는 기판(11), 접착층(12), 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 로우-커플링 자성층(16), 저장층(17), 및 탄소 보호 오버코트(overcoat)를 포함한다. 선택적으로, 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 로우-커플링 자성층(16), 저장층(17), 및 탄소 보호 오버코트(18)는 다수의 층들을 포함할 수 있다.
선택적인 접착층(12)을 위한 바람직한 물질들은 Cr, Ni, Ta, 및 Ti 중 하나 이상을 포함하는 합금들을 포함한다. 그 선택은 연하부층(13)을 위해 선택된 물질 및 기판(11)에 좌우되며 통상의 당업자의 기술범주 내에 있다. 바람직하게는, 접착층의 두께는 약 1-400nm이다. 보다 바람직하게는, 두께는 약 2-20nm이다.
연하부층(13)을 위한 바람직한 물질들은 Ni, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag, Au로부터 선택된 하나 이상의 원소(element)들을 갖는 Fe 및 Co 중 적어도 하나의 합금들을 포함한다. 바람직하게는, 연하부층(13)의 두께는 약 10-400nm이다. 보다 바람직하게는, 두께는 약 20-100nm이다.
비정질층(14)은 선택사항이다. 비정질층(14)을 위한 바람직한 물질들은 Ta, Ti, Ni, Cr, Zr, Nb, 및 P를 포함하는 합금들 및 원소들을 포함하며, 이러한 합금들의 합성물들(compositions)은 비정질이다. 다른 바람직한 물질들은 Co, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag, 및 Au로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Fe로 이루어진 비정질 강자성 물질들을 포함한다. 또 다른 바람직한 물질들은 TiXCr100 -X 및 TaXCr100 -X를 포함하고, 여기서 30 < x < 60이다. 바람직하게는, 비정질층(14)의 두께는 약 0-10nm이다. 보다 바람직하게는, 두께는 약 0.2-4nm이다.
비자성 층간(15)의 결정학적 구조는 저장층(17)의 결정학적 구조에 좌우된다. 예를 들어, 저장층(17)이 육방 조밀 충진(hcp) 구조를 갖는 Co-풍부(rich) 합금으로 제조되는 경우, 비자성 층간(15)은 Cu, Ag, Au, Ir, Ni, Pt, Pd 또는 이들의 합금들의 면심 입방(fcc) 층을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 이러한 비자성 층간(15)의 두께는 약 0.2 nm 내지 약 40 nm 범위이다. 보다 바람직하게는, 두께는 약 1-20 nm이다. 대안적으로, 비자성 층간(15)은 Ru, Re, Hf, Ti, Zr, 또는 이들의 합금들의 육방 조밀 충진(hcp) 층을 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 다른 hcp 층들은 Co 및 CoCr 합금들을 포함한다. CoCr에 대한 선택적인 첨가물들은 Ta, B, Pt, Nb, Ru, Zr, 및 산화물 물질들을 포함한다. CoCr을 사용하기 위해, Cr 및 다른 합금 원소들의 농도는 합금이 비자성이고 hcp 결정 구조를 갖도록 선택된다. Co-함유 합금들을 사용하기 위하여, Cr 및 다른 합금 원소들의 농도는 합금이 비자성이고 hcp 결정 구조를 갖도록 선택된다. 바람직하게는, hcp 층(들)의 두께는 약 0.2 nm 내지 40 nm 범위이다. 보다 바람직하게는, 두께는 약 1-20 nm이다.
저장층(17)은 하나의 자성 물질층, 또는 임의의 수의 자성 물질층들을 포함할 수 있다. 저장층(17)을 위한 바람직한 물질들은 Pt, Cr, Ta, B, Cu, W, Mo, Ru, Ni, Nb, Zr, Hf로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Co를 포함한다. 선택사항으로서, Si, Ti, Zr, Al, Cr, Co, Nb, Mg, Ta, W, 또는 Zn과 같은 원소들의 하나 이상의 산화물들은 또한 저장층(17) 내에 존재할 수 있다. 바람직하게는, 저장층(17)은 제어되는 분위기에서 성장된다. 바람직하게는, 제어되는 분위기는 Ar, Kr, 또는 Xe, 또는 O2와 같은 반응성 가스 성분을 가진 이러한 가스들의 조합물을 포함한다. 저장층(17)은 저온들에서, 즉 400K 미만에서 성장될 수 있다. 전형적으로, 저온들은 Ar, Kr, Xe 및 O2의 조합물들을 포함하는 제어되는 분위기에서 스퍼터링된 자성층들을 제조하기 위해 사용된다. 대안적으로, 저장층(17)은 고온들에서, 즉 400K 이상에서 성장될 수 있다. 바람직하게는, 고온은 420K보다 높고 600K 보다 낮다.
본 실시예에서, 로우-커플링 자성층(16)은 비자성 층간(15)과 저장층(17) 사이에 위치된다. 본 실시예에서, 로우-커플링 자성층(16)의 결정학적 구조는 저장층(17)의 결정학적 성장을 개선하기 위해 조절될 수 있다. 예를 들어, hcp 결정학적 구조를 갖는 저장층(들)(17)을 위하여, 로우-커플링 자성층(들)(16)은 hcp 또는 fcc 결정학적 구조를 갖도록 선택될 수 있거나, 또는 비정질일 수 있다. 로우-커플링 자성층(16)을 위한 바람직한 물질들은 Cr, Pt, Ta, B, Ru, Cu, Ag, Au, W, Mo, Nb, Zr, Hf, Ti, Zn, 및 Re로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Fe, Co, Ni 중 적어도 하나를 포함한다. 바람직하게는, 로우-커플링 자성층(16)은 약한 직접 교환 커플링을 달성하기 위해 저장층(17)의 MS 보다 더 낮은 MS를 갖는다. 저장층(17)은 바람직하게는 약 400-900 emu/cm3의 MS를 갖는다. 로우-커플링 자성층(16)은 바람직하게는 약 600 emu/cm3 이하의 MS를 갖는다. 보다 바람직하게는, MS는 약 300 emu/cm3 이하이다. 좀 더 바람직하게는, MS는 약 50 emu/cm3 이하이다. 가능한 저장층(17)/로우-커플링 자성층(16) 조합들은 600/300, 900/600, 500/50, 450/350, 600/450 및 900/400일 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다.
본 실시예의 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(10)를 커버하는 최상부층(topmost layer)은 탄소 보호 오버코트(18)이다. 탄소 보호 오버코트(18)의 두께는 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(10)의 목표된 수명 및 내구성에 따라 가변될 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제 2 실시예를 도시한다. 본 실시예의 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(20)는 기판(11), 접착층(12), 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 저장층(17), 로우-커플링 자성층(16), 및 탄소 보호 오버코트를 포함한다. 즉, 제 1 실시예와 대조적으로, 로우-커플링 자성층(16)은 저장층(17)과 탄소 보호 오버코트 사이에 있다. 추가적으로, 제 1 실시예에서처럼, 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 저장층(17), 로우-커플링 자성층(16), 및 탄소 보호 오버코트(18)는 다수의 층들을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 3 실시예를 도시한다. 본 실시예의 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(30)는 기판(11), 접착층(12), 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 제 1 로우-커플링 자성층(16a), 저장층(17), 제 2 로우-커플링 자성층(16b), 및 탄소 보호 오버코트를 포함한다. 제 1 실시예와 대조적으로, 로우-커플링 자성층(16)은 적어도 하나의 저장층(17)에 의해 분리되는 적어도 2개의 층들을 포함한다. 추가적으로, 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 제 1 로우-커플링 자성층(16a), 저장층(17), 제 2 로우-커플링 자성층(16b), 및 탄소 보호 오버코트(18)는 다수의 층들을 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제 4 실시예를 도시한다. 본 실시예의 로우-커플링 수직 자성 기록 매체(30)는 기판(11), 접착층(12), 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 로우-커플링 자성층(16), 제 1 저장층(17a), 제 2 저장층(17b), 및 탄소 보호 오버코트를 포함한다. 제 1 실시예와 대조적으로, 저장층(17)은 적어도 하나의 로우-커플링 자성층(16)에 의해 분리되는 적어도 2개의 층들을 포함한다. 추가적으로, 연하부층(13), 비정질층(14), 비자성 층간(15), 제 1 로우-커플링 자성층(16), 제 1 저장층(17a), 제 2 저장층(17b), 및 탄소 보호 오버코트(18)는 다수의 층들을 포함할 수 있다.
도 5는 비자성 층간(15)과 저장층(17) 사이에 위치되는 MS = 50 emu/cm3을 가진 hcp 결정학적 구조의 두꺼운 로우-커플링 자성층을 갖는 본 발명의 일 실시예의 개선된 기록 특성들을 입증하는 몬테 카를로(Monte Carlo) 시뮬레이션들을 도시한다. 특히, 도 5에 도시된 몬테 카를로 시뮬레이션들은 수직 매체의 최적의 기록 특성들이 매우 낮은 그리고 균일한 직접 교환 커플링(A*)을 갖는 매체에서 달성될 수 있음을 보여주고, 여기서 A*는 
의 값을 포함한다(도 5). 그러한 직접 교환 커플링의 낮은 값은 약 50 emu/cc < MS < 300 emu/cc 범위의 로우 포화상태 자화를 갖는 대부분 스퍼터링된 Co-합금 박막들로부터 기인한다. 시뮬레이션들을 위한 가정들은 다음을 포함한다: 
의 그레인 크기 분산, 여기서 
는 평균 그레인 직경(D)으로 정의되는 그레인 크기 및 표준 편차(
)로 정의되는 그레인 크기의 편차; 이방성 분산 
0.02, ― 여기서 HA는 매체를 포함하는 그레인들의 평균 이방성 필드이고, 
는 이방성 필드의 표준 편차임 ―; 및 1270 kfci의 선형 밀도를 포함하는 미세구조를 상술한다. 
및 
의 대략적인 값들은 TEM 및 SEM과 같은 현미경 검사 기술들, 그리고 Berger의 방법 및 AC 횡방향 자화율(susceptibility)과 같은 자기측정 기술들에 의해 각각 실험적으로 획득될 수 있다. 선형 밀도는 단지 기록 프로세스에 의해 제어되는 각 비트의 길이에 관련된다.
특정 모델 계산 파라미터들에 대해 도시된 것들에 대한 유사한 모델 결과 트렌드들은 모델 계산 파라미터들의 값들의 범위에 대해 획득된다. 시뮬레이션들의 결과들에 기초하여, 본 발명자들은 수직 매체 구조에서의 부가적인 로우 자화 자성층(들)(16)이 수직 매체의 그레인들과 자성층들 사이의 보다 낮은 교환 커플링을 제공하고, 이는 성능을 현저히 개선할 것이라고 판단하였다. 로우 자화 자성층(16)의 MS를 가변함으로써, 수직 기록 매체에서의 직접 교환 커플링의 세기가 제어될 수 있다. 시뮬레이션들은 로우 자화 자성층(16)의 위치가 비자성 층간(15)과 저장층(17) 사이, 또는 저장층(17)과 탄소 보호 오버코트(18) 사이일 수 있다는 것을 입증한다. 대안적으로, 로우 자화 자성층(16)은 도 4에 도시된 다수의 저장층들(17, 예를 들어 17a 및 17b)에 인접하거나 또는 그 사이에 위치될 수 있다. 대안적으로, 로우 자화 자성층(16)은 층간(15)과 저장층(17) 사이 그리고 저장층(17)과 탄소 보호 오버코트(18) 사이에 위치될 수 있는 도 3에 도시된 층들(16a, 16b)과 같은 다수의 로우 자화층들을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 로우 자화 자성층(16)의 MS는 낮고, 즉 로우 교환 커플링을 제공하기 위해 약 600 emu/cm3 미만이다. 보다 바람직하게는, MS는 약 300 emu/cm3 미만이다. 훨씬 더 바람직하게는, MS는 약 50 emu/cm3 미만이다. 앞서 설명된 구현예들 및 다른 구현예들은 이하의 청구범위의 범주 내에 있다.
Claims (21)
- 로우-커플링(low-coupling) 수직 자성 기록 매체로서,
자성 저장층; 및
적어도 하나의 로우 포화상태(saturation) 자화층
을 포함하고, 상기 자성 저장층은 약 400 emu/cm3 내지 900 emu/cm3 의 포화상태 자화를 가지며, 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층은 상기 자성 저장층의 포화상태 자화보다 낮은 포화상태 자화를 갖는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 1 항에 있어서,
기판;
적어도 하나의 연하부층(soft underlayer);
적어도 하나의 비자성 층간(interlayer);
적어도 하나의 저장층; 및
탄소 보호 오버코트(overcoat)를 더 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
Cr, Ni, Ta, Ti, 및 이들의 합금들을 포함하는 물질들의 그룹으로부터 선택된 접착층을 더 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 연하부층은 Ni, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag, Au로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Fe 및 Co 중 적어도 하나를 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
적어도 하나의 비정질층을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 비정질층은 Ta, Ti, Ni, Cr, Zr, Nb 및 P를 포함하는 합금들 및 원소들을 포함하거나, 또는 Co, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Cu, Ag, 및 Au로 이루어진 그룹에서 선택된 원소들 중 하나 이상을 갖는 Fe를 포함하는 비정질 강자성 물질을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 비자성 층간은 Cu, Ag, Au, Ir, Ni, Pt, Pd 및 이들의 합금들로 이루어진 그룹에서 선택된 fcc 층을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 비자성 층간은 Co, Ru, Re, Hf, Ti, Zr 및 이들의 합금들, 또는 Ta, B, Pt, Nb, Ru, 및 Zr로 이루어진 그룹에서 선택된 원소들 중 하나 이상을 갖는 CoCr로 구성된 그룹에서 선택된 hcp 층을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 저장층은 Pt, Cr, Ta, B, Cu, W, Mo, Ru, Ni, Nb, Zr, Hf로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Co로 이루어진 그룹에서 선택된 자성층을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 저장층은 Si, Ti, Zr, Al, Cr, Co, Nb, Mg 및 Zn의 산화물들로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 산화물들을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화 자성층은 Cr, Pt, Ta, B, Ru, Cu, Ag, Au, W, Mo, Nb, Zr, Hf, Ti, Zn, 및 Re로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 원소들을 갖는 Fe, Co, 또는 Ni 중 적어도 하나를 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 로우 포화상태 자화 자성층은 상기 적어도 하나의 비자성 층간과 상기 적어도 하나의 저장층 사이에 위치되는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 로우 포화상태 자화 자성층은 상기 적어도 하나의 저장층과 상기 탄소 보호 오버코트 사이에 위치되는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 비자성 층간과 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화 자성층 사이에 위치된 제 1 저장층, 및 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화 자성층과 상기 탄소 보호 오버코트 사이에 위치된 제 2 저장층을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 비자성 층간과 상기 적어도 하나의 저장층 사이에 위치된 제 1 로우 포화상태 자화 자성층, 및 상기 적어도 하나의 저장층과 상기 탄소 보호 오버코트 사이에 위치된 제 2 로우 포화상태 자화 자성층을 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 로우 포화상태 자화 자성층은 300 emu/cm3 미만의 자화를 갖는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 제 2 항에 있어서,
상기 로우 포화상태 자화 자성층은 50 emu/cm3 미만의 자화를 갖는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체. - 로우-커플링 수직 자성 기록 매체를 제조하는 방법으로서,
연하부층을 증착하는 단계;
비자성 층간을 증착하는 단계;
자성 저장층을 증착하는 단계; 및
로우 포화상태 자화 자성층을 증착하는 단계
를 포함하고, 상기 자성 저장층은 약 400 emu/cm3 내지 900 emu/cm3의 포화상태 자화를 가지며, 상기 로우 포화상태 자화 자성층은 상기 자성 저장층의 포화상태 자화보다 낮은 포화상태 자화를 갖는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체를 제조하는 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 연하부층 상에 비정질층을 증착하는 단계를 더 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체를 제조하는 방법. - 제 17 항에 있어서,
제 2 로우 포화상태 자화 자성층을 증착하는 단계를 더 포함하는,
로우-커플링 수직 자성 기록 매체를 제조하는 방법. - 방법으로서,
약 400 emu/cm3 내지 900 emu/cm3의 포화상태 자화를 갖는 자성 저장층, 및 상기 자성 저장층의 포화상태 자화보다 낮은 포화상태 자화를 갖는 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층을 갖는 저장 매체를 달성하는 단계
를 포함하는 방법. - 제 20 항에 있어서,
상기 자성 저장층은 600 emu/cm3 이상의 포화상태 자화를 갖고, 상기 적어도 하나의 로우 포화상태 자화층은 300 emu/cm3 이하의 포화상태 자화를 갖는,
방법.
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