JP2003317230A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置Info
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性層における磁気的相互作用を低減し、優
れたノイズ特性を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る垂直磁気記録媒体１０は、
非磁性基板１と、該非磁性基板１上に直接または間接的
に形成された下地層２と、該下地層２上に形成された磁
気情報を記録するための磁性層４とを有し、前記下地層
２は、２種類の元素を主体とする合金により構成され、
前記両元素の室温における酸化物または窒化物生成標準
自由エネルギーΔＧ°の差は、７０ｋＪ／ｍｏｌ[Ｏ2ま
たはＮ2]以上とされており、前記下地層２を構成する結
晶粒は、前記２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体とし
て構成され、前記下地層２の結晶粒界は、前記ΔＧ°の
低い元素の酸化物または窒化物を主体として構成されて
いることを特徴としている。
れたノイズ特性を備えた垂直磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る垂直磁気記録媒体１０は、
非磁性基板１と、該非磁性基板１上に直接または間接的
に形成された下地層２と、該下地層２上に形成された磁
気情報を記録するための磁性層４とを有し、前記下地層
２は、２種類の元素を主体とする合金により構成され、
前記両元素の室温における酸化物または窒化物生成標準
自由エネルギーΔＧ°の差は、７０ｋＪ／ｍｏｌ[Ｏ2ま
たはＮ2]以上とされており、前記下地層２を構成する結
晶粒は、前記２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体とし
て構成され、前記下地層２の結晶粒界は、前記ΔＧ°の
低い元素の酸化物または窒化物を主体として構成されて
いることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁気記録媒
体、その製造方法および磁気記録装置に係り、より詳細
には、優れた特性を有する下地層を備えることにより記
録再生特性を向上した垂直磁気記録媒体、その製造法
と、この磁気記録媒体を備えた磁気記録装置に関するも
ので、本発明に係る垂直磁気記録媒体は、ハードディス
ク、磁気テープなどに好適に用いられる。
体、その製造方法および磁気記録装置に係り、より詳細
には、優れた特性を有する下地層を備えることにより記
録再生特性を向上した垂直磁気記録媒体、その製造法
と、この磁気記録媒体を備えた磁気記録装置に関するも
ので、本発明に係る垂直磁気記録媒体は、ハードディス
ク、磁気テープなどに好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は、高密度で大容量
な記録媒体としてハードディスク装置等で多用されてい
るが、更なる高密度化を図るためにその記録再生特性の
向上と磁化経時変化の低減の両立が求められており、こ
れらの要求を満たすものとして垂直記録媒体が注目され
ている。図９と図１０は、垂直磁気記録媒体の一例であ
るハードディスクを示す概略図である。図９は、円盤型
の垂直磁気記録媒体の斜視図であり、図１０は図９に示
すＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。図９及び図１０に
示す磁気記録媒体９０は、円盤型の非磁性体からなる基
板９２と、この基板９２上に形成された裏打ち軟磁性層
９３と、下地層９４と、中間層９５と、磁性層９６と保
護層９７とを備えて構成されている。
な記録媒体としてハードディスク装置等で多用されてい
るが、更なる高密度化を図るためにその記録再生特性の
向上と磁化経時変化の低減の両立が求められており、こ
れらの要求を満たすものとして垂直記録媒体が注目され
ている。図９と図１０は、垂直磁気記録媒体の一例であ
るハードディスクを示す概略図である。図９は、円盤型
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すＡ−Ａ線に沿う模式断面図である。図９及び図１０に
示す磁気記録媒体９０は、円盤型の非磁性体からなる基
板９２と、この基板９２上に形成された裏打ち軟磁性層
９３と、下地層９４と、中間層９５と、磁性層９６と保
護層９７とを備えて構成されている。
【０００３】この例の垂直磁気記録媒体９０では、たと
えばガラスからなる基板９２の表面上にＦｅ−Ｎｉから
なる裏打ち軟磁性層９３を設け、裏打ち軟磁性層９３上
には、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からな
る下地層９４，Ｐｄからなる中間層９５、Ｃｏ／Ｐｄ多
層膜からなる磁性層９６およびカーボンなどからなる保
護層９７が順次積層されている。典型的な各層の厚さ
は、裏打ち軟磁性層９３が２００ｎｍ〜３０００ｎｍ、
下地層（ＩＴＯ）９４が１ｎｍ〜２ｎｍ、中間層（Ｐ
ｄ）９５が２ｎｍ〜５ｎｍ、磁性層（Ｃｏ／Ｐｄ多層
膜）９６が１０ｎｍ〜５０ｎｍ、保護層９７が３ｎｍ〜
２０ｎｍである。尚、保護層９７上には、図示されてい
ないが、パーフルオロポリエーテルなどのフッ素系の潤
滑剤などが被覆されることもある。
えばガラスからなる基板９２の表面上にＦｅ−Ｎｉから
なる裏打ち軟磁性層９３を設け、裏打ち軟磁性層９３上
には、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からな
る下地層９４，Ｐｄからなる中間層９５、Ｃｏ／Ｐｄ多
層膜からなる磁性層９６およびカーボンなどからなる保
護層９７が順次積層されている。典型的な各層の厚さ
は、裏打ち軟磁性層９３が２００ｎｍ〜３０００ｎｍ、
下地層（ＩＴＯ）９４が１ｎｍ〜２ｎｍ、中間層（Ｐ
ｄ）９５が２ｎｍ〜５ｎｍ、磁性層（Ｃｏ／Ｐｄ多層
膜）９６が１０ｎｍ〜５０ｎｍ、保護層９７が３ｎｍ〜
２０ｎｍである。尚、保護層９７上には、図示されてい
ないが、パーフルオロポリエーテルなどのフッ素系の潤
滑剤などが被覆されることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】垂直磁気記録媒体とし
て永い間検討されてきたｈｃｐ−ＣｏＣｒ系合金は、高
温での磁化安定性の観点から、それよりも高い垂直磁気
異方性をもつ材料の探索が進んできた。そのような材料
の一つとして先に記載のＣｏ／Ｐｄ多層膜媒体が挙げら
れている。Ｃｏ／Ｐｄ多層膜媒体は、ＣｏとＰｄ界面に
おける界面異方性による大きな垂直磁気異方性をもつこ
とが知られており、３００Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録媒体
として注目されている。しかし、この媒体は磁気的な結
合が強いため媒体ノイズの低減が重要な課題である。
て永い間検討されてきたｈｃｐ−ＣｏＣｒ系合金は、高
温での磁化安定性の観点から、それよりも高い垂直磁気
異方性をもつ材料の探索が進んできた。そのような材料
の一つとして先に記載のＣｏ／Ｐｄ多層膜媒体が挙げら
れている。Ｃｏ／Ｐｄ多層膜媒体は、ＣｏとＰｄ界面に
おける界面異方性による大きな垂直磁気異方性をもつこ
とが知られており、３００Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録媒体
として注目されている。しかし、この媒体は磁気的な結
合が強いため媒体ノイズの低減が重要な課題である。
【０００５】上記Ｃｏ／Ｐｄ多層膜媒体の磁気的相互作
用を低減するための手法としては以下のものが挙げられ
る。まず、記録媒体の成膜時のガス圧を数十から数百ｍ
Ｔｏｒｒまで高めること。上記手法を用いるとＣｏ／Ｐ
ｄ多層膜媒体の結晶粒間に空隙ができるため、磁気的相
互作用が低減される（S. N. Piramanayagam et. al. IE
EE Trans. Magn,33(5), 3247 (1997)；Lianjun Wu et.
al. IEEE Trans. Magn, 33(5), 3094 (1997)）。しか
し、この手法を用いることで、媒体の表面が粗くなり、
磁気ヘッドの浮上量を上げなければいけない。そのた
め、媒体の記録密度の向上ができなくなる。さらに、結
晶粒間に空隙ができるため、媒体の腐食性も懸念され
る。
用を低減するための手法としては以下のものが挙げられ
る。まず、記録媒体の成膜時のガス圧を数十から数百ｍ
Ｔｏｒｒまで高めること。上記手法を用いるとＣｏ／Ｐ
ｄ多層膜媒体の結晶粒間に空隙ができるため、磁気的相
互作用が低減される（S. N. Piramanayagam et. al. IE
EE Trans. Magn,33(5), 3247 (1997)；Lianjun Wu et.
al. IEEE Trans. Magn, 33(5), 3094 (1997)）。しか
し、この手法を用いることで、媒体の表面が粗くなり、
磁気ヘッドの浮上量を上げなければいけない。そのた
め、媒体の記録密度の向上ができなくなる。さらに、結
晶粒間に空隙ができるため、媒体の腐食性も懸念され
る。
【０００６】次に、ＩＴＯ酸化物シード層の採用。１−
２ｎｍのＩＴＯ酸化物シード層を基板表面に積層するこ
とで、上記手法と同様に、媒体の結晶粒間に空隙がで
き、磁気的相互作用が低減される（W. Penget. Al.,J.
Appl. Phys., 89 (9), 6358 (2000)；A. G. Roy et.a
l.,J. Appl. Phys, 89 (11), 7531 (2001)）。その一方
で、媒体表面が粗くなることと、媒体の腐食性等が懸念
される。
２ｎｍのＩＴＯ酸化物シード層を基板表面に積層するこ
とで、上記手法と同様に、媒体の結晶粒間に空隙がで
き、磁気的相互作用が低減される（W. Penget. Al.,J.
Appl. Phys., 89 (9), 6358 (2000)；A. G. Roy et.a
l.,J. Appl. Phys, 89 (11), 7531 (2001)）。その一方
で、媒体表面が粗くなることと、媒体の腐食性等が懸念
される。
【０００７】次に、Ａｕ−ＳｉＯ2等のＳｉＯ2を含むシ
ード層の採用。Ａｕ＋１５ｍｏｌ％ＳｉＯ2ターゲット
をｒｆスパッタで成膜すると、Ａｕ結晶粒の粒界にＳｉ
Ｏ2ができる。その結果、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜媒体の結晶
粒間の磁気的結合が弱められる（大森広之、前坂明弘、
日本応用磁気学会、25, 535 (2001)）。ただし、ｒｆス
パッタ成膜法では、媒体の両面スパッタが困難であり、
装置が高価である等といった問題点が多数あり、一般の
媒体製造装置では扱われていない。
ード層の採用。Ａｕ＋１５ｍｏｌ％ＳｉＯ2ターゲット
をｒｆスパッタで成膜すると、Ａｕ結晶粒の粒界にＳｉ
Ｏ2ができる。その結果、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜媒体の結晶
粒間の磁気的結合が弱められる（大森広之、前坂明弘、
日本応用磁気学会、25, 535 (2001)）。ただし、ｒｆス
パッタ成膜法では、媒体の両面スパッタが困難であり、
装置が高価である等といった問題点が多数あり、一般の
媒体製造装置では扱われていない。
【０００８】以上述べたように、３００Ｇｂ／ｉｎ2以
上の記録密度に対応できる低ノイズＣｏ／Ｐｄ多層膜媒
体を実現するためには、磁気的相互作用を抑制しなが
ら、媒体の表面粗さを劣化せず、簡便な成膜プロセスに
対応する新しい下地層の開発が必須である。そこで、本
発明者らは、上記課題を克服するため、磁性層の結晶粒
径やその粒径分布に大きく影響する下地層に注目し、磁
性層の磁気的相互作用を低減し、ノイズ特性に優れる垂
直磁気記録媒体を実現し得る新規な下地層の構成および
成膜プロセスの開発に着手し、鋭意検討を重ねた結果、
本発明を完成するに到った。
上の記録密度に対応できる低ノイズＣｏ／Ｐｄ多層膜媒
体を実現するためには、磁気的相互作用を抑制しなが
ら、媒体の表面粗さを劣化せず、簡便な成膜プロセスに
対応する新しい下地層の開発が必須である。そこで、本
発明者らは、上記課題を克服するため、磁性層の結晶粒
径やその粒径分布に大きく影響する下地層に注目し、磁
性層の磁気的相互作用を低減し、ノイズ特性に優れる垂
直磁気記録媒体を実現し得る新規な下地層の構成および
成膜プロセスの開発に着手し、鋭意検討を重ねた結果、
本発明を完成するに到った。
【０００９】従って、本発明の目的の一つは、上記課題
を解決し、磁性層における磁気的相互作用を低減し、優
れたノイズ特性を備えた垂直磁気記録媒体を提供するこ
とにある。また本発明の目的の一つは、優れたノイズ特
性を備えた垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること
にある。また本発明の目的の一つは、上述の優れた特性
を有する磁気記録媒体を備えた磁気記録装置を提供する
ことにある。
を解決し、磁性層における磁気的相互作用を低減し、優
れたノイズ特性を備えた垂直磁気記録媒体を提供するこ
とにある。また本発明の目的の一つは、優れたノイズ特
性を備えた垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること
にある。また本発明の目的の一つは、上述の優れた特性
を有する磁気記録媒体を備えた磁気記録装置を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る垂直磁気記
録媒体は、上記課題を解決するために、非磁性基板と、
該非磁性基板上に直接または間接的に形成された下地層
と、該下地層上に形成された中間層と、該中間層上に形
成された磁気情報を記録するための磁性層とを有し、前
記下地層は、２種類の元素を主体とする合金により構成
され、前記両元素の室温における酸化物または窒化物生
成標準自由エネルギーΔＧ°の差は、７０ｋＪ／ｍｏｌ
[Ｏ2またはＮ2]以上とされており、前記下地層を構成す
る結晶粒は、前記２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体
として構成され、前記下地層の結晶粒界は、前記ΔＧ°
の低い元素の酸化物または窒化物を主体として構成され
ていることを特徴としている。
録媒体は、上記課題を解決するために、非磁性基板と、
該非磁性基板上に直接または間接的に形成された下地層
と、該下地層上に形成された中間層と、該中間層上に形
成された磁気情報を記録するための磁性層とを有し、前
記下地層は、２種類の元素を主体とする合金により構成
され、前記両元素の室温における酸化物または窒化物生
成標準自由エネルギーΔＧ°の差は、７０ｋＪ／ｍｏｌ
[Ｏ2またはＮ2]以上とされており、前記下地層を構成す
る結晶粒は、前記２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体
として構成され、前記下地層の結晶粒界は、前記ΔＧ°
の低い元素の酸化物または窒化物を主体として構成され
ていることを特徴としている。
【００１１】上記構成の磁気記録媒体によれば、下地層
の結晶組織において、結晶粒は前記ΔＧ°の高い元素を
主体として構成され、結晶粒界は前記ΔＧ°の低い元素
の酸化物又は窒化物を主体として構成されるので、結晶
粒が微細であるとともに結晶粒界により孤立化された結
晶組織を有する下地層とすることができる。この構成に
より、下地層上に成膜される中間層及び中間層上に形成
される磁性層の結晶粒が、下地層の結晶組織に沿って形
成されやすくなり、特に磁性層の結晶粒間の磁気的相互
作用を弱めることが可能となる。そして、優れたノイズ
特性を得ることができ、記録再生特性に優れた垂直磁気
記録媒体を実現することができる。
の結晶組織において、結晶粒は前記ΔＧ°の高い元素を
主体として構成され、結晶粒界は前記ΔＧ°の低い元素
の酸化物又は窒化物を主体として構成されるので、結晶
粒が微細であるとともに結晶粒界により孤立化された結
晶組織を有する下地層とすることができる。この構成に
より、下地層上に成膜される中間層及び中間層上に形成
される磁性層の結晶粒が、下地層の結晶組織に沿って形
成されやすくなり、特に磁性層の結晶粒間の磁気的相互
作用を弱めることが可能となる。そして、優れたノイズ
特性を得ることができ、記録再生特性に優れた垂直磁気
記録媒体を実現することができる。
【００１２】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素は、Ｂ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかであることが好ましい。
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素は、Ｂ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかであることが好ましい。
【００１３】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素の含有量
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることをが好ま
しい。また、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下であること
がより好ましい。
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素の含有量
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることをが好ま
しい。また、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下であること
がより好ましい。
【００１４】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素は、Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいず
れかであることが好ましい。
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素は、Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいず
れかであることが好ましい。
【００１５】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素の含有量
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることが好まし
い。また、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下であることが
より好ましい。
は、前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素の含有量
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることが好まし
い。また、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下であることが
より好ましい。
【００１６】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層の膜厚は、０．５ｎｍ以上２５ｎｍ以下
であることが好ましい。
は、前記下地層の膜厚は、０．５ｎｍ以上２５ｎｍ以下
であることが好ましい。
【００１７】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記下地層と、磁性層との間に中間層が設けられて
おり、前記中間層は、面心立方構造（ｆｃｃ）又は細密
六方晶構造（ｈｃｐ）を有することが好ましい。
は、前記下地層と、磁性層との間に中間層が設けられて
おり、前記中間層は、面心立方構造（ｆｃｃ）又は細密
六方晶構造（ｈｃｐ）を有することが好ましい。
【００１８】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記中間層の膜厚は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下
であることが好ましい。
は、前記中間層の膜厚は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下
であることが好ましい。
【００１９】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記磁性層は、ＣｏとＣｒを主成分とする合金によ
り構成されていてもよい。
は、前記磁性層は、ＣｏとＣｒを主成分とする合金によ
り構成されていてもよい。
【００２０】本発明に係る垂直磁気記録媒体において
は、前記磁性層は、Ｃｏを主体とする層と、Ｐｄを主体
とする層とが交互に複数積層された多層膜であってもよ
い。
は、前記磁性層は、Ｃｏを主体とする層と、Ｐｄを主体
とする層とが交互に複数積層された多層膜であってもよ
い。
【００２１】上記構成の垂直磁気記録媒体においては、
前記Ｃｏを主体とする層は、ＣｏＸ合金により構成され
ており、前記Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかで
あることが好ましい。
前記Ｃｏを主体とする層は、ＣｏＸ合金により構成され
ており、前記Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかで
あることが好ましい。
【００２２】次に、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製
造方法は、非磁性基板上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に中間層を形成する工程と、前記中間層上
に磁気情報を記録するための磁性層を形成する工程とを
含み、前記下地層を形成する工程において、下地層を構
成する元素のうち、少なくとも１種以上の元素の酸素物
又は窒素物を下地層中に形成することを特徴としてい
る。係る構成の製造方法によれば、下地層中に当該下地
層の構成元素の酸化物又は窒化物を形成することで、下
地層の結晶粒を微細化することができるとともに、上記
酸化物又は窒化物が結晶粒界に優先的に析出するので、
結晶粒の孤立性を高めることができるので、下地層上に
形成される中間層及び磁性層の結晶粒の孤立性を高め、
磁性層の結晶粒間の磁気的相互作用を抑えることができ
る。従って、本発明に係る製造方法によれば、優れたノ
イズ特性、記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体を容
易に製造することができる。
造方法は、非磁性基板上に、下地層を形成する工程と、
前記下地層上に中間層を形成する工程と、前記中間層上
に磁気情報を記録するための磁性層を形成する工程とを
含み、前記下地層を形成する工程において、下地層を構
成する元素のうち、少なくとも１種以上の元素の酸素物
又は窒素物を下地層中に形成することを特徴としてい
る。係る構成の製造方法によれば、下地層中に当該下地
層の構成元素の酸化物又は窒化物を形成することで、下
地層の結晶粒を微細化することができるとともに、上記
酸化物又は窒化物が結晶粒界に優先的に析出するので、
結晶粒の孤立性を高めることができるので、下地層上に
形成される中間層及び磁性層の結晶粒の孤立性を高め、
磁性層の結晶粒間の磁気的相互作用を抑えることができ
る。従って、本発明に係る製造方法によれば、優れたノ
イズ特性、記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体を容
易に製造することができる。
【００２３】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記下地層を２種類の元素を主体とする合
金で構成し、前記両元素を、室温における酸化物または
窒化物生成標準自由エネルギーΔＧ°の差が７０ｋＪ／
ｍｏｌ[Ｏ2またはＮ2]以上である２元素により構成する
ことが好ましい。
においては、前記下地層を２種類の元素を主体とする合
金で構成し、前記両元素を、室温における酸化物または
窒化物生成標準自由エネルギーΔＧ°の差が７０ｋＪ／
ｍｏｌ[Ｏ2またはＮ2]以上である２元素により構成する
ことが好ましい。
【００２４】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記下地層を成膜する工程において、酸素
又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の酸素
又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏ
ｒｒ以下とすることが好ましい。
においては、前記下地層を成膜する工程において、酸素
又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の酸素
又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏ
ｒｒ以下とすることが好ましい。
【００２５】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記磁性層を成膜する工程において、酸素
又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の酸素
又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏ
ｒｒ以下とすることが好ましい。
においては、前記磁性層を成膜する工程において、酸素
又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の酸素
又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏ
ｒｒ以下とすることが好ましい。
【００２６】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記下地層を成膜後に、該下地層の表面を
酸素又は窒素を含む雰囲気に暴露する工程を含むことが
できる。
においては、前記下地層を成膜後に、該下地層の表面を
酸素又は窒素を含む雰囲気に暴露する工程を含むことが
できる。
【００２７】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記下地層を構成する合金として、該合金
に含まれる前記ΔＧ°の低い元素が、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃ
ｅのいずれかである合金を用いることが好ましい。
においては、前記下地層を構成する合金として、該合金
に含まれる前記ΔＧ°の低い元素が、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃ
ｅのいずれかである合金を用いることが好ましい。
【００２８】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素の含
有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすることが好
ましい。また、前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素の
含有量を、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下とすることが
より好ましい。
においては、前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素の含
有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすることが好
ましい。また、前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素の
含有量を、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下とすることが
より好ましい。
【００２９】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記下地層を構成する合金として、該合金
に含まれる前記ΔＧ°の高い元素が、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかで
ある合金を用いることが好ましい。
においては、前記下地層を構成する合金として、該合金
に含まれる前記ΔＧ°の高い元素が、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかで
ある合金を用いることが好ましい。
【００３０】本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法
においては、前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素の含
有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすることが好
ましい。また、前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素の
含有量を、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下とすることが
より好ましい。
においては、前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素の含
有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすることが好
ましい。また、前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素の
含有量を、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下とすることが
より好ましい。
【００３１】次に、本発明に係る磁気記録装置は、先に
記載の本発明の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒
体を駆動するための駆動部と、磁気情報の記録再生を行
うための磁気ヘッドとを備え、移動する前垂直記磁気記
録媒体に対して前記磁気ヘッドにより磁気情報の記録再
生を行うことを特徴とする。上記構成の磁気記録装置に
よれば、優れた記録再生特性を有する本発明の垂直磁気
記録媒体により高密度での情報の記録再生が可能である
とともに、高速回転するスピンドルや制御チップ等の発
熱により加熱された状態で長時間使用しても磁気特性に
劣化を生じることのない、優れた信頼性を有する磁気記
録装置を提供することができる。
記載の本発明の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒
体を駆動するための駆動部と、磁気情報の記録再生を行
うための磁気ヘッドとを備え、移動する前垂直記磁気記
録媒体に対して前記磁気ヘッドにより磁気情報の記録再
生を行うことを特徴とする。上記構成の磁気記録装置に
よれば、優れた記録再生特性を有する本発明の垂直磁気
記録媒体により高密度での情報の記録再生が可能である
とともに、高速回転するスピンドルや制御チップ等の発
熱により加熱された状態で長時間使用しても磁気特性に
劣化を生じることのない、優れた信頼性を有する磁気記
録装置を提供することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１及び図２は本発明に係る磁気
記録媒体をコンピュータのハードディスクに適用した一
実施形態の断面構造を模式的に示すもので、図１に示す
磁気記録媒体１０は、円盤状の非磁性体からなる基体１
上に、下地層２を介して、中間層３と、磁性層４と、保
護層５とを積層してなる構造とされている。そして、前
記磁性層４は、金属下地層２側から、Ｃｏを主体とする
Ｃｏ層４ａと、Ｐｄを主体とするＰｄ層４ｂとを交互に
複数積層した構造とされている。この種の構造を有する
磁気記録媒体を、本明細書ではＣｏ／Ｐｄ多層膜媒体と
呼ぶこともある。また、図１に示す本実施形態の磁気記
録媒体１０の積層構造は、本発明に係る磁気記録媒体の
最も基本的な構造であるので、基体１と磁性層４との間
に他の中間層を必要に応じて設けた構成としても良い。
また、保護層５の上にフッ素系の潤滑剤からなる潤滑層
を設けても良いのは勿論である。
を参照して説明する。図１及び図２は本発明に係る磁気
記録媒体をコンピュータのハードディスクに適用した一
実施形態の断面構造を模式的に示すもので、図１に示す
磁気記録媒体１０は、円盤状の非磁性体からなる基体１
上に、下地層２を介して、中間層３と、磁性層４と、保
護層５とを積層してなる構造とされている。そして、前
記磁性層４は、金属下地層２側から、Ｃｏを主体とする
Ｃｏ層４ａと、Ｐｄを主体とするＰｄ層４ｂとを交互に
複数積層した構造とされている。この種の構造を有する
磁気記録媒体を、本明細書ではＣｏ／Ｐｄ多層膜媒体と
呼ぶこともある。また、図１に示す本実施形態の磁気記
録媒体１０の積層構造は、本発明に係る磁気記録媒体の
最も基本的な構造であるので、基体１と磁性層４との間
に他の中間層を必要に応じて設けた構成としても良い。
また、保護層５の上にフッ素系の潤滑剤からなる潤滑層
を設けても良いのは勿論である。
【００３３】以下、図１を参照して本発明に係る磁気記
録媒体の基本構成を備えた磁気記録媒体１０をさらに詳
細に説明する。 （基体）本発明に係る基体１としては、例えば、アルミ
ニウムとその合金あるいは酸化物、チタンとその合金或
いは酸化物、またはシリコン、ガラス、カーボン、セラ
ミック、プラスチック、樹脂およびそれらの複合体化か
らなる基板の表面に、異種材質の非磁性層をスパッタ
法、蒸着法、メッキ法等の成膜法により、表面コーティ
ング処理を行ったものを例示することができる。
録媒体の基本構成を備えた磁気記録媒体１０をさらに詳
細に説明する。 （基体）本発明に係る基体１としては、例えば、アルミ
ニウムとその合金あるいは酸化物、チタンとその合金或
いは酸化物、またはシリコン、ガラス、カーボン、セラ
ミック、プラスチック、樹脂およびそれらの複合体化か
らなる基板の表面に、異種材質の非磁性層をスパッタ
法、蒸着法、メッキ法等の成膜法により、表面コーティ
ング処理を行ったものを例示することができる。
【００３４】基体１の形状としては、ディスク用途の場
合、ドーナツ円盤状のものが使われる。後述する強磁性
金属層等を設けた基体、すなわち磁気記録媒体は、磁気
記録および再生時、円盤の中心を軸として、例えば３６
００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍの速度で回転させて使用
される。このとき、磁気記録媒体の表面又は裏面の上空
を磁気ヘッドが０．１μｍ程度の高さ、あるいは数１０
ｎｍの高さを持って浮上走行する。また、さらに低浮上
量の１０ｎｍ以下の高さで浮上走行する磁気ヘッドの開
発もなされている。従って、基体１としては表面又は裏
面の平坦性、表裏両面の平行性、基体円周方向のうね
り、および表裏面の粗さが適切に制御されたものが望ま
しい。
合、ドーナツ円盤状のものが使われる。後述する強磁性
金属層等を設けた基体、すなわち磁気記録媒体は、磁気
記録および再生時、円盤の中心を軸として、例えば３６
００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍの速度で回転させて使用
される。このとき、磁気記録媒体の表面又は裏面の上空
を磁気ヘッドが０．１μｍ程度の高さ、あるいは数１０
ｎｍの高さを持って浮上走行する。また、さらに低浮上
量の１０ｎｍ以下の高さで浮上走行する磁気ヘッドの開
発もなされている。従って、基体１としては表面又は裏
面の平坦性、表裏両面の平行性、基体円周方向のうね
り、および表裏面の粗さが適切に制御されたものが望ま
しい。
【００３５】（下地層）本実施形態の磁気記録媒体１０
の下地層２は、スパッタ法や蒸着法などにより形成する
ことができ、その構成としては、２元素の合金を主体と
し、前記２元素の酸化物又は窒化物生成標準自由エネル
ギーΔＧ°の差が、７０ｋＪ／ｍｏｌ［Ｏ2又はＮ2］以
上とされたものが用いられる。そして、本発明に係る下
地層２は、これら２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体
として下地層２の結晶粒が構成され、ΔＧ°の低い元素
は酸化物又は窒化物を形成するとともに下地層２の結晶
粒界に偏析する。このような構成とされていることで、
本発明に係る下地層２は、微細な結晶粒が結晶粒界によ
り分離孤立され、かつ結晶粒径が均一である結晶組織を
備えたものとされている。この下地層２の結晶組織によ
り、下地層２上に形成される中間層３及び磁性層４は、
その結晶粒が微細化されるとともに、結晶粒が高度に孤
立化された結晶組織を有して形成される。従って、磁性
層４における結晶粒の磁気的相互作用が低減され、低ノ
イズで記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現す
ることができる。また、下地層２は、必要に応じて複数
の層を積層した構成とすることができる。
の下地層２は、スパッタ法や蒸着法などにより形成する
ことができ、その構成としては、２元素の合金を主体と
し、前記２元素の酸化物又は窒化物生成標準自由エネル
ギーΔＧ°の差が、７０ｋＪ／ｍｏｌ［Ｏ2又はＮ2］以
上とされたものが用いられる。そして、本発明に係る下
地層２は、これら２元素のうちΔＧ°の高い元素を主体
として下地層２の結晶粒が構成され、ΔＧ°の低い元素
は酸化物又は窒化物を形成するとともに下地層２の結晶
粒界に偏析する。このような構成とされていることで、
本発明に係る下地層２は、微細な結晶粒が結晶粒界によ
り分離孤立され、かつ結晶粒径が均一である結晶組織を
備えたものとされている。この下地層２の結晶組織によ
り、下地層２上に形成される中間層３及び磁性層４は、
その結晶粒が微細化されるとともに、結晶粒が高度に孤
立化された結晶組織を有して形成される。従って、磁性
層４における結晶粒の磁気的相互作用が低減され、低ノ
イズで記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体を実現す
ることができる。また、下地層２は、必要に応じて複数
の層を積層した構成とすることができる。
【００３６】下地層２の主成分を成す２元素の前記ΔＧ
°の差が７０ｋＪ／ｍｏｌ未満の場合には、成膜中に酸
素や窒素を微量添加することで下地層を二相分離構造に
することが困難となり、磁性層の結晶粒間の磁気的相互
作用を低減する効果を得ることができない。
°の差が７０ｋＪ／ｍｏｌ未満の場合には、成膜中に酸
素や窒素を微量添加することで下地層を二相分離構造に
することが困難となり、磁性層の結晶粒間の磁気的相互
作用を低減する効果を得ることができない。
【００３７】前記下地層２を構成する成分は、より具体
的には、下地層２の主成分である２元素のうちΔＧ°の
低い方の元素は、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかとする
ことが好ましく、前記ΔＧ°の高い方の元素は、Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいず
れかとすることが好ましい。上述の２種の元素の合金を
主成分とする本発明に係る下地層２に用いる合金の具体
例としては、ＰｄＳｉ合金、ＮｉＺｒ合金、ＮｉＴａ合
金、ＮｉＮｂ合金、ＮｂＡｌ合金、ＮｂＳｉ合金、Ｒｕ
Ｓｉ合金、ＲｕＡｌ合金、ＲｕＺｒ合金等を挙げること
ができる。また、下地層２を構成する合金にＣｒ、Ｃ
ｏ、Ｂ、Ｔａ等の元素を必要に応じて添加しても良い。
的には、下地層２の主成分である２元素のうちΔＧ°の
低い方の元素は、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかとする
ことが好ましく、前記ΔＧ°の高い方の元素は、Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃ
ｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいず
れかとすることが好ましい。上述の２種の元素の合金を
主成分とする本発明に係る下地層２に用いる合金の具体
例としては、ＰｄＳｉ合金、ＮｉＺｒ合金、ＮｉＴａ合
金、ＮｉＮｂ合金、ＮｂＡｌ合金、ＮｂＳｉ合金、Ｒｕ
Ｓｉ合金、ＲｕＡｌ合金、ＲｕＺｒ合金等を挙げること
ができる。また、下地層２を構成する合金にＣｒ、Ｃ
ｏ、Ｂ、Ｔａ等の元素を必要に応じて添加しても良い。
【００３８】前記下地層２を構成する合金において、前
記ΔＧ°が低い方の元素の含有量は、１０ａｔ％以上９
０ａｔ％以下であることをが好ましい。前記含有量が１
０ａｔ％未満では、均一な幅を有する結晶粒界の形成が
困難であり、９０ａｔ％を越えると、結晶粒界幅が太す
ぎて結晶粒径も小さくなりすぎるため、媒体の記録密度
が低下することになる。また、前記ΔＧ°の低い方の元
素の含有量は、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下であるこ
とがより好ましく、このような範囲とすることで、結晶
粒界幅を最適な幅に制御でき、目標の記録密度に応じた
媒体の磁気的相互作用の大きさを調整することができ
る。
記ΔＧ°が低い方の元素の含有量は、１０ａｔ％以上９
０ａｔ％以下であることをが好ましい。前記含有量が１
０ａｔ％未満では、均一な幅を有する結晶粒界の形成が
困難であり、９０ａｔ％を越えると、結晶粒界幅が太す
ぎて結晶粒径も小さくなりすぎるため、媒体の記録密度
が低下することになる。また、前記ΔＧ°の低い方の元
素の含有量は、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下であるこ
とがより好ましく、このような範囲とすることで、結晶
粒界幅を最適な幅に制御でき、目標の記録密度に応じた
媒体の磁気的相互作用の大きさを調整することができ
る。
【００３９】また、前記ΔＧ°が高い方の元素の含有量
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることが好まし
い。前記含有量が１０ａｔ％未満では、結晶粒界幅が太
すぎて結晶粒径も小さくなりすぎるため、媒体の記録密
度が低下することになり、９０ａｔ％を越えると、均一
な幅を有する結晶粒界の形成が困難である。また、前記
ΔＧ°の高い方の元素の含有量は、４０ａｔ％以上８０
ａｔ％以下であることがより好ましく、このような範囲
とすることで、結晶粒界幅を最適な幅に制御でき、目標
の記録密度に応じた媒体の磁気的相互作用の大きさを調
整することができる。
は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であることが好まし
い。前記含有量が１０ａｔ％未満では、結晶粒界幅が太
すぎて結晶粒径も小さくなりすぎるため、媒体の記録密
度が低下することになり、９０ａｔ％を越えると、均一
な幅を有する結晶粒界の形成が困難である。また、前記
ΔＧ°の高い方の元素の含有量は、４０ａｔ％以上８０
ａｔ％以下であることがより好ましく、このような範囲
とすることで、結晶粒界幅を最適な幅に制御でき、目標
の記録密度に応じた媒体の磁気的相互作用の大きさを調
整することができる。
【００４０】また前記下地層２の膜厚は、０．５ｎｍ以
上２５ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が０．５ｎ
ｍ以下では、下地層２の結晶粒の結晶成長が不十分であ
り、２５ｎｍを越えると、下地層２の結晶粒径が粗大化
し、媒体ノイズの増大に繋がる。
上２５ｎｍ以下とすることが好ましい。膜厚が０．５ｎ
ｍ以下では、下地層２の結晶粒の結晶成長が不十分であ
り、２５ｎｍを越えると、下地層２の結晶粒径が粗大化
し、媒体ノイズの増大に繋がる。
【００４１】（中間層）下地層２と磁性層４の間に設け
られる中間層３は、磁性層のエピタクシャル成長の促進
を目的として形成され、面心立方構造（ｆｃｃ）又は最
密六方構造（ｈｃｐ）を有する金属膜から構成されるこ
とが好ましい。この中間層３を構成する材料としては、
特に限定されるものではないが、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣ
ｒＲｕ合金、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｕ等を挙げることが
できる。中間層３の膜厚は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以
下とすることが好ましい。膜厚が０．５ｎｍ以下では、
膜中の結晶粒の成長が不十分であり、１０ｎｍを越える
と、磁性層の結晶粒径が粗大化される。
られる中間層３は、磁性層のエピタクシャル成長の促進
を目的として形成され、面心立方構造（ｆｃｃ）又は最
密六方構造（ｈｃｐ）を有する金属膜から構成されるこ
とが好ましい。この中間層３を構成する材料としては、
特に限定されるものではないが、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣ
ｒＲｕ合金、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｕ等を挙げることが
できる。中間層３の膜厚は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以
下とすることが好ましい。膜厚が０．５ｎｍ以下では、
膜中の結晶粒の成長が不十分であり、１０ｎｍを越える
と、磁性層の結晶粒径が粗大化される。
【００４２】（磁性層）磁性層４は、図１に示すよう
に、Ｃｏを主体とする材料からなるＣｏ層４ａと、Ｐｄ
を主体とする材料からなるＰｄ層４ｂとを交互に複数積
層した構造を有するＣｏ／Ｐｄ多層膜である。Ｃｏ層４
ａを構成する材料としては、Ｃｏ単体のほか、ＣｏＸな
る組成を有する合金を用いることができる。ここで前記
Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかとされることが
好ましい。このようなＣｏＸ合金を用いることで、Ｘ元
素を結晶粒界に偏析させ、強磁性結晶粒を覆うことで磁
性層の磁気的相互作用を低減することができる。このＣ
ｏ層４ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば０．２
ｎｍ〜０．３５ｎｍである。なぜなら、この膜厚範囲に
おいて媒体の垂直磁気異方性が最大値を示すからであ
る。Ｐｄ層４ｂを構成する材料としては、Ｐｄ単体のほ
か、Ｐｄと、ＰｄＢ、ＰｄＳｉ、ＰｄＡｌ等の元素との
合金を用いることができ、場合によっては、Ｐｄに代え
て、Ｐｔを主体とする材料で構成することもできる。こ
のＰｄ層４ｂの膜厚は、特に限定されないが、例えば
０．８ｎｍ〜１．２ｎｍである。
に、Ｃｏを主体とする材料からなるＣｏ層４ａと、Ｐｄ
を主体とする材料からなるＰｄ層４ｂとを交互に複数積
層した構造を有するＣｏ／Ｐｄ多層膜である。Ｃｏ層４
ａを構成する材料としては、Ｃｏ単体のほか、ＣｏＸな
る組成を有する合金を用いることができる。ここで前記
Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍ
ｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかとされることが
好ましい。このようなＣｏＸ合金を用いることで、Ｘ元
素を結晶粒界に偏析させ、強磁性結晶粒を覆うことで磁
性層の磁気的相互作用を低減することができる。このＣ
ｏ層４ａの膜厚は、特に限定されないが、例えば０．２
ｎｍ〜０．３５ｎｍである。なぜなら、この膜厚範囲に
おいて媒体の垂直磁気異方性が最大値を示すからであ
る。Ｐｄ層４ｂを構成する材料としては、Ｐｄ単体のほ
か、Ｐｄと、ＰｄＢ、ＰｄＳｉ、ＰｄＡｌ等の元素との
合金を用いることができ、場合によっては、Ｐｄに代え
て、Ｐｔを主体とする材料で構成することもできる。こ
のＰｄ層４ｂの膜厚は、特に限定されないが、例えば
０．８ｎｍ〜１．２ｎｍである。
【００４３】また、上記Ｃｏ／Ｐｄ多層膜からなる磁性
層４において、Ｃｏ層４ａとＰｄ層４ｂの積層数は、垂
直磁気記録媒体１０と組み合わされる磁気ヘッドの特性
により適宜最適な積層数とすればよい。
層４において、Ｃｏ層４ａとＰｄ層４ｂの積層数は、垂
直磁気記録媒体１０と組み合わされる磁気ヘッドの特性
により適宜最適な積層数とすればよい。
【００４４】上記構成のＣｏ／Ｐｄ多層膜からなる磁性
層を有する垂直磁気記録媒体では、磁性層の磁気的相互
作用に起因する媒体ノイズが問題とされてきたが、本発
明に係る垂直磁気記録媒体では、上述した下地層２の作
用により、磁性層４を構成する結晶粒の磁気的な孤立性
を高めることができ、磁性層４における磁気的相互作用
を低減することができる。これにより、優れた記録再生
特性を備え、高記録密度に対応することが可能な垂直磁
気記録媒体を得ることができる。
層を有する垂直磁気記録媒体では、磁性層の磁気的相互
作用に起因する媒体ノイズが問題とされてきたが、本発
明に係る垂直磁気記録媒体では、上述した下地層２の作
用により、磁性層４を構成する結晶粒の磁気的な孤立性
を高めることができ、磁性層４における磁気的相互作用
を低減することができる。これにより、優れた記録再生
特性を備え、高記録密度に対応することが可能な垂直磁
気記録媒体を得ることができる。
【００４５】本実施形態では、磁性層４をＣｏ／Ｐｄ多
層膜で構成した場合について説明したが、本発明に係る
垂直磁気記録媒体においては、磁性層４としてＣｏとＣ
ｒを主成分とする合金を用いることもできる。このよう
なＣｏＣｒ合金の磁性層とした場合にも、下地層２の作
用により、結晶粒が微細であり、かつ結晶粒が高度に孤
立化した磁性層を構成することができ、磁性結晶粒間の
磁気的相互作用がされることで、ノイズ特性に優れた垂
直磁気記録媒体とすることができる。
層膜で構成した場合について説明したが、本発明に係る
垂直磁気記録媒体においては、磁性層４としてＣｏとＣ
ｒを主成分とする合金を用いることもできる。このよう
なＣｏＣｒ合金の磁性層とした場合にも、下地層２の作
用により、結晶粒が微細であり、かつ結晶粒が高度に孤
立化した磁性層を構成することができ、磁性結晶粒間の
磁気的相互作用がされることで、ノイズ特性に優れた垂
直磁気記録媒体とすることができる。
【００４６】以下に、上記の構成の磁気記録媒体１０を
スパッタ法により製造する場合について説明する。 （スパッタ法）本発明に係る磁気記録媒体１０を製造す
る方法の一例であるスパッタ法として、例えば、基体１
がターゲットの前を移動しながら薄膜が形成される搬送
型スパッタ法と、基体１をターゲットの前に固定して薄
膜が形成される静止型スパッタ法を例示することができ
る。前者の搬送型スパッタ法は、量産性が高いため、低
コストな磁気記録媒体の製造に有利であり、後者の静止
型スパッタ法は、基体１に対するスパッタ粒子の入射角
度が安定なために、記録再生特性に優れる磁気記録媒体
の製造が可能とされる。本発明に係る磁気記録媒体１０
を製造する際には、搬送型、静止型のいずれかに限定さ
れるものではない。
スパッタ法により製造する場合について説明する。 （スパッタ法）本発明に係る磁気記録媒体１０を製造す
る方法の一例であるスパッタ法として、例えば、基体１
がターゲットの前を移動しながら薄膜が形成される搬送
型スパッタ法と、基体１をターゲットの前に固定して薄
膜が形成される静止型スパッタ法を例示することができ
る。前者の搬送型スパッタ法は、量産性が高いため、低
コストな磁気記録媒体の製造に有利であり、後者の静止
型スパッタ法は、基体１に対するスパッタ粒子の入射角
度が安定なために、記録再生特性に優れる磁気記録媒体
の製造が可能とされる。本発明に係る磁気記録媒体１０
を製造する際には、搬送型、静止型のいずれかに限定さ
れるものではない。
【００４７】本発明に係る磁気記録媒体１０は、上述の
スパッタ法により、基体１上に順次下地層２、中間層
３、磁性層４（Ｃｏ層４ａとＰｄ層４ｂとの繰り返し積
層）及び保護層５を成膜することで製造することができ
る。そして、本実施形態の製造方法により磁気記録媒体
１０を製造する場合、下地層２の成膜中又は成膜前に、
酸素及び／又は窒素を含む雰囲気中に基体１を配置し、
下地層２中に、下地層２の構成元素の酸化物又は窒化物
を形成する。下地層２は、上述のように、酸化物又は窒
化物生成標準自由エネルギーΔＧ°が異なる２種類の元
素の合金を主体として構成され、そのΔＧ°の差が７０
ｋＪ／ｍｏｌ以上とされているので、下地層２を酸素又
は窒素を含む成膜ガスを用いて成膜した場合には、上記
ΔＧ°が比較的小さい元素の酸化物又は窒化物が下地層
２中に形成され、かつその酸化物又は窒化物は、上記Δ
Ｇ°が比較的大きい元素を主成分とする結晶粒の粒界に
配置される。例えば、ＰｄＳｉからなる下地層２をＡｒ
／Ｏ2ガスを用いたスパッタ法により成膜した場合に
は、Ｐｄを主成分とする微細な結晶粒の周囲に、Ｓｉの
酸化物を主成分とする相が析出する。このようにして成
膜された下地層２においては、ΔＧ°が高い元素を主体
とする結晶粒が、上記ΔＧ°が低い元素の酸化物又は窒
化物により高度に孤立化されるとともに、結晶粒が微細
でその粒径分布が均一なものとなるため、この下地層２
上に形成される中間層３及び磁性層４の結晶粒も微細で
均一に分布したものとなる。従って、磁性層４の磁気的
相互作用が低減され、媒体ノイズの低減を達成すること
ができる。
スパッタ法により、基体１上に順次下地層２、中間層
３、磁性層４（Ｃｏ層４ａとＰｄ層４ｂとの繰り返し積
層）及び保護層５を成膜することで製造することができ
る。そして、本実施形態の製造方法により磁気記録媒体
１０を製造する場合、下地層２の成膜中又は成膜前に、
酸素及び／又は窒素を含む雰囲気中に基体１を配置し、
下地層２中に、下地層２の構成元素の酸化物又は窒化物
を形成する。下地層２は、上述のように、酸化物又は窒
化物生成標準自由エネルギーΔＧ°が異なる２種類の元
素の合金を主体として構成され、そのΔＧ°の差が７０
ｋＪ／ｍｏｌ以上とされているので、下地層２を酸素又
は窒素を含む成膜ガスを用いて成膜した場合には、上記
ΔＧ°が比較的小さい元素の酸化物又は窒化物が下地層
２中に形成され、かつその酸化物又は窒化物は、上記Δ
Ｇ°が比較的大きい元素を主成分とする結晶粒の粒界に
配置される。例えば、ＰｄＳｉからなる下地層２をＡｒ
／Ｏ2ガスを用いたスパッタ法により成膜した場合に
は、Ｐｄを主成分とする微細な結晶粒の周囲に、Ｓｉの
酸化物を主成分とする相が析出する。このようにして成
膜された下地層２においては、ΔＧ°が高い元素を主体
とする結晶粒が、上記ΔＧ°が低い元素の酸化物又は窒
化物により高度に孤立化されるとともに、結晶粒が微細
でその粒径分布が均一なものとなるため、この下地層２
上に形成される中間層３及び磁性層４の結晶粒も微細で
均一に分布したものとなる。従って、磁性層４の磁気的
相互作用が低減され、媒体ノイズの低減を達成すること
ができる。
【００４８】上記酸素又は窒素を含む成膜ガスを用いて
下地層２の成膜を行う場合、過剰な酸素、窒素添加を行
うと下地層２を構成する材料によっては、酸素または窒
素が上層の中間層や磁性層に拡散し、各層の結晶性を劣
化させる場合がある。従って、酸素や窒素の添加量は、
Ａｒまたは希ガスとの混合ガスにおける分圧で、１０ -6
Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏｒｒ以下の範囲とすること
が好ましい。
下地層２の成膜を行う場合、過剰な酸素、窒素添加を行
うと下地層２を構成する材料によっては、酸素または窒
素が上層の中間層や磁性層に拡散し、各層の結晶性を劣
化させる場合がある。従って、酸素や窒素の添加量は、
Ａｒまたは希ガスとの混合ガスにおける分圧で、１０ -6
Ｔｏｒｒ以上６×１０-2Ｔｏｒｒ以下の範囲とすること
が好ましい。
【００４９】また、本発明に係る製造方法においては、
下地層２を成膜後、酸素および／または窒素を含む雰囲
気に下地層２の表面を曝露することもできる。このよう
な暴露を行うことで、下地層２表面に所定量の酸素や窒
素を吸着させることができ、下地層２上に形成される中
間層３及び磁性層４の結晶粒を微細化するとともに、磁
性層４においては磁気的相互作用を低減することができ
る。この曝露処理では、酸素や窒素の分圧、および曝露
時間により下地層２表面への吸着量を制御することが可
能であるが、実際の製造における酸素や窒素の分圧、曝
露時間は、下地層２を構成する材料の酸素との親和力に
応じて適宜最適な圧力や時間に設定すればよい。また、
酸素や窒素を希ガスで希釈したガスを用いてもよい。
下地層２を成膜後、酸素および／または窒素を含む雰囲
気に下地層２の表面を曝露することもできる。このよう
な暴露を行うことで、下地層２表面に所定量の酸素や窒
素を吸着させることができ、下地層２上に形成される中
間層３及び磁性層４の結晶粒を微細化するとともに、磁
性層４においては磁気的相互作用を低減することができ
る。この曝露処理では、酸素や窒素の分圧、および曝露
時間により下地層２表面への吸着量を制御することが可
能であるが、実際の製造における酸素や窒素の分圧、曝
露時間は、下地層２を構成する材料の酸素との親和力に
応じて適宜最適な圧力や時間に設定すればよい。また、
酸素や窒素を希ガスで希釈したガスを用いてもよい。
【００５０】また、本発明に係る下地層２としては複数
の層を積層した構造とすることができるが、本発明に係
る製造方法においては、下地層２を構成する層のうち、
少なくとも最も磁性層４側に形成される層において上述
した成膜方法を用いて成膜すればよい。すなわち、下地
層２がＮｉＺｒ膜上にＰｄＳｉ膜を積層した構造である
場合には、少なくともＰｄＳｉ膜において、ΔＧ°の大
きい元素（Ｐｄ）を主体とする結晶粒を取り囲んで、Δ
Ｇ°の小さい元素（Ｓｉ）の酸化物又は窒化物が配置さ
れていれば、磁性層４の磁気的相互作用の低減効果を得
ることができる。尚、上記ＰｄＳｉ膜の下側（基板側）
に配置されるＮｉＺｒ膜に上述の成膜法法を適用しても
よいのは勿論である。
の層を積層した構造とすることができるが、本発明に係
る製造方法においては、下地層２を構成する層のうち、
少なくとも最も磁性層４側に形成される層において上述
した成膜方法を用いて成膜すればよい。すなわち、下地
層２がＮｉＺｒ膜上にＰｄＳｉ膜を積層した構造である
場合には、少なくともＰｄＳｉ膜において、ΔＧ°の大
きい元素（Ｐｄ）を主体とする結晶粒を取り囲んで、Δ
Ｇ°の小さい元素（Ｓｉ）の酸化物又は窒化物が配置さ
れていれば、磁性層４の磁気的相互作用の低減効果を得
ることができる。尚、上記ＰｄＳｉ膜の下側（基板側）
に配置されるＮｉＺｒ膜に上述の成膜法法を適用しても
よいのは勿論である。
【００５１】あるいは、磁性層４の成膜に用いるガスと
して、Ａｒ又はこれ以外の希ガスに、酸素及び／又は窒
素を添加した混合ガスを用いて成膜することにより、磁
性層４の磁気的相互作用を低減させることもできる。こ
の方法では、磁性層４の内部に酸素や窒素が取り込まれ
るために、場合によっては磁性層４の結晶性が低下して
保磁力が低下することになる。従って、磁性層４の成膜
ガスに酸素や窒素を添加する場合、Ａｒ又は希ガスとの
混合ガスにおける分圧で、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０
-2Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。
して、Ａｒ又はこれ以外の希ガスに、酸素及び／又は窒
素を添加した混合ガスを用いて成膜することにより、磁
性層４の磁気的相互作用を低減させることもできる。こ
の方法では、磁性層４の内部に酸素や窒素が取り込まれ
るために、場合によっては磁性層４の結晶性が低下して
保磁力が低下することになる。従って、磁性層４の成膜
ガスに酸素や窒素を添加する場合、Ａｒ又は希ガスとの
混合ガスにおける分圧で、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０
-2Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。
【００５２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （実施例１）本実施例では、垂直磁気記録媒体を種々の
条件で作製し、磁気特性の評価を行った。結晶化ガラス
基板上に、ＮｉＺｒ40からなるシード層（下地層）を成
膜し、その後、前記ＮｉＺｒシード層表面を大気暴露し
た後、膜厚５ｎｍのＰｄ下地（中間層）、[ＣｏＢ
15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜厚１ｎｍ）]20磁性膜
（磁性層）、Ｃ保護膜（保護層）を順次スパッタ法によ
り成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。尚、上記磁性
膜は、ＣｏＢ層とＰｄ層を交互に２０層ずつ積層したＣ
ｏ／Ｐｄ多層膜である。本例では、シード層を設けない
ものも含め、シード層厚さを１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で
変化させた６種類の試料を作製した。本実施例において
作製した磁気記録媒体の構成及び成膜条件を以下に示
す。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 （実施例１）本実施例では、垂直磁気記録媒体を種々の
条件で作製し、磁気特性の評価を行った。結晶化ガラス
基板上に、ＮｉＺｒ40からなるシード層（下地層）を成
膜し、その後、前記ＮｉＺｒシード層表面を大気暴露し
た後、膜厚５ｎｍのＰｄ下地（中間層）、[ＣｏＢ
15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜厚１ｎｍ）]20磁性膜
（磁性層）、Ｃ保護膜（保護層）を順次スパッタ法によ
り成膜して垂直磁気記録媒体を作製した。尚、上記磁性
膜は、ＣｏＢ層とＰｄ層を交互に２０層ずつ積層したＣ
ｏ／Ｐｄ多層膜である。本例では、シード層を設けない
ものも含め、シード層厚さを１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で
変化させた６種類の試料を作製した。本実施例において
作製した磁気記録媒体の構成及び成膜条件を以下に示
す。
【００５３】基本構成：結晶化ガラス基板／ＮｉＺｒ40
シード層（膜厚０〜１０ｎｍ）／Ｐｄ下地（膜厚５ｎ
ｍ）／[ＣｏＢ15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜厚１ｎ
ｍ）]20磁性膜／Ｃ保護膜（膜厚６ｎｍ） 基板温度：室温 ＮｉＺｒシード層成膜時のガス圧：５ｍＴｏｒｒ Ｐｄ下地と磁性膜成膜時のガス圧：６０ｍＴｏｒｒ
シード層（膜厚０〜１０ｎｍ）／Ｐｄ下地（膜厚５ｎ
ｍ）／[ＣｏＢ15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜厚１ｎ
ｍ）]20磁性膜／Ｃ保護膜（膜厚６ｎｍ） 基板温度：室温 ＮｉＺｒシード層成膜時のガス圧：５ｍＴｏｒｒ Ｐｄ下地と磁性膜成膜時のガス圧：６０ｍＴｏｒｒ
【００５４】また、比較試料として、下地層２にＩＴＯ
シード層を用い、膜厚を１〜５ｎｍの範囲で変化させた
以外は上記と同様の構成の垂直磁気記録媒体を上記と同
様条件にて作製した。
シード層を用い、膜厚を１〜５ｎｍの範囲で変化させた
以外は上記と同様の構成の垂直磁気記録媒体を上記と同
様条件にて作製した。
【００５５】次に、上記にて得られた磁気記録媒体につ
いて、磁気特性の評価を行った結果を図２及び図３に示
す。図２は、保磁力Ｈｃの測定結果であり、図３は、異
方性磁界Ｈｋの測定結果である。まず、図２のグラフに
示すように、従来用いられているＩＴＯシード層を用い
た媒体に比して、ＮｉＺｒ40シード層を採用した本発明
の構成を備えた垂直磁気記録媒体は、保磁力Ｈｃが６０
０〜１５００Ｏｅ程度向上していることが確認できた。
また、シード層を設けない媒体と比較すると、Ｈｃが２
ｋＯｅ程度増加することが確認された。
いて、磁気特性の評価を行った結果を図２及び図３に示
す。図２は、保磁力Ｈｃの測定結果であり、図３は、異
方性磁界Ｈｋの測定結果である。まず、図２のグラフに
示すように、従来用いられているＩＴＯシード層を用い
た媒体に比して、ＮｉＺｒ40シード層を採用した本発明
の構成を備えた垂直磁気記録媒体は、保磁力Ｈｃが６０
０〜１５００Ｏｅ程度向上していることが確認できた。
また、シード層を設けない媒体と比較すると、Ｈｃが２
ｋＯｅ程度増加することが確認された。
【００５６】また、本例ではＮｉＺｒ40シード層を成膜
した後、大気暴露を行ったが、ＮｉＺｒ40シード層を酸
素または酸素を含む混合ガスで暴露しても同等な保磁力
が得られた。また、ＮｉＺｒ40シード層を酸素または酸
素を含む混合ガス雰囲気中で成膜しても同等な保磁力が
得られた。
した後、大気暴露を行ったが、ＮｉＺｒ40シード層を酸
素または酸素を含む混合ガスで暴露しても同等な保磁力
が得られた。また、ＮｉＺｒ40シード層を酸素または酸
素を含む混合ガス雰囲気中で成膜しても同等な保磁力が
得られた。
【００５７】図３は、同媒体の異方性磁界Ｈｋのシード
層厚依存性を示すグラフである。この図に示すように、
シード層の有無、厚さおよび材料に依存せずＨｋの値が
約３０ｋＯｅと一定な値を示している。このことから、
図２に示したＮｉＺｒシード層を用いることによるＨｃ
の増加は、磁性層の異方性磁界の増加によるものではな
く、ＮｉＺｒシード層によるＨｃの増加は、磁性層の結
晶粒間の磁気的相互作用が減少したためと考えられる。
層厚依存性を示すグラフである。この図に示すように、
シード層の有無、厚さおよび材料に依存せずＨｋの値が
約３０ｋＯｅと一定な値を示している。このことから、
図２に示したＮｉＺｒシード層を用いることによるＨｃ
の増加は、磁性層の異方性磁界の増加によるものではな
く、ＮｉＺｒシード層によるＨｃの増加は、磁性層の結
晶粒間の磁気的相互作用が減少したためと考えられる。
【００５８】また、上記ＮｉＺｒシード層に代えて、Ｎ
ｉ50Ｔａ40シード層、Ｎｉ50Ｎｂ40シード層を用いた垂
直磁気記録媒体を上記の条件で作製し、その磁気特性を
評価したところ、いずれのシード層を用いた媒体におい
ても、ＩＴＯシード層を用いた媒体に比して６００Ｏｅ
以上の保磁力の向上が確認され、Ｈｋについてはシード
層の有無や膜厚によらず一定であった。
ｉ50Ｔａ40シード層、Ｎｉ50Ｎｂ40シード層を用いた垂
直磁気記録媒体を上記の条件で作製し、その磁気特性を
評価したところ、いずれのシード層を用いた媒体におい
ても、ＩＴＯシード層を用いた媒体に比して６００Ｏｅ
以上の保磁力の向上が確認され、Ｈｋについてはシード
層の有無や膜厚によらず一定であった。
【００５９】（実施例２）次に、実施例２として、結晶
化ガラス基板上に、膜厚２．５ｎｍのＮｉＺｒシード層
（下地層）、膜厚５ｎｍのＰｄＳｉ18シード層（下地
層）、[ＣｏＢ15（０．２ｎｍ）／Ｐｄ（１ｎｍ）]20磁
性膜（磁性層）、膜厚６ｎｍのカーボン保護膜（保護
層）を順次積層した垂直磁気記録媒体を作製した。すな
わち、本実施例では、ＮｉＺｒシード層とＰｄＳｉシー
ド層の２層構造の下地層を有する垂直磁気記録媒体を作
製した。本例では、ＰｄＳｉシード層及び磁性層の成膜
工程において、成膜ガスとして純Ａｒガス、Ａｒ／Ｏ2
混合ガスを用いるとともに、成膜ガス中のＯ2ガス流量
を変化させた複数の試料を作製した。Ａｒガスの流量は
Ｏ2添加の有無に関わらず１１０ｓｃｃｍで一定とし
た。本実施例において作製した磁気記録媒体の構成及び
成膜条件を以下に示す。
化ガラス基板上に、膜厚２．５ｎｍのＮｉＺｒシード層
（下地層）、膜厚５ｎｍのＰｄＳｉ18シード層（下地
層）、[ＣｏＢ15（０．２ｎｍ）／Ｐｄ（１ｎｍ）]20磁
性膜（磁性層）、膜厚６ｎｍのカーボン保護膜（保護
層）を順次積層した垂直磁気記録媒体を作製した。すな
わち、本実施例では、ＮｉＺｒシード層とＰｄＳｉシー
ド層の２層構造の下地層を有する垂直磁気記録媒体を作
製した。本例では、ＰｄＳｉシード層及び磁性層の成膜
工程において、成膜ガスとして純Ａｒガス、Ａｒ／Ｏ2
混合ガスを用いるとともに、成膜ガス中のＯ2ガス流量
を変化させた複数の試料を作製した。Ａｒガスの流量は
Ｏ2添加の有無に関わらず１１０ｓｃｃｍで一定とし
た。本実施例において作製した磁気記録媒体の構成及び
成膜条件を以下に示す。
【００６０】基本構成：結晶化ガラス基板／ＮｉＺｒ40
シード層（膜厚２．５ｎｍ）／ＰｄＳｉ18シード層（膜
厚５ｎｍ）／[ＣｏＢ15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜
厚１ｎｍ）]20磁性膜／Ｃ保護膜（膜厚６ｎｍ） 基板温度：室温 ＮｉＺｒシード層成膜時のガス圧：５ｍＴｏｒｒ ＰｄＳｉシード層と磁性膜成膜時のガス圧：６０ｍＴｏ
ｒｒ
シード層（膜厚２．５ｎｍ）／ＰｄＳｉ18シード層（膜
厚５ｎｍ）／[ＣｏＢ15（膜厚０．２ｎｍ）／Ｐｄ（膜
厚１ｎｍ）]20磁性膜／Ｃ保護膜（膜厚６ｎｍ） 基板温度：室温 ＮｉＺｒシード層成膜時のガス圧：５ｍＴｏｒｒ ＰｄＳｉシード層と磁性膜成膜時のガス圧：６０ｍＴｏ
ｒｒ
【００６１】次に、上記にて得られた磁気記録媒体につ
いて、磁気特性の評価を行った結果を図４ないし図６に
示す。図４は、上記にて得られた媒体の保磁力角形比α
のＯ 2ガス流量依存性を示すグラフであり、図５は、
同、保磁力Ｈｃの測定結果であり、図６は、同、異方性
磁界Ｈｋの測定結果である。図４に示すＰｄＳｉ18シー
ド層を用いた（ＣｏＢ／Ｐｄ）多層膜媒体の保磁力角型
αの大きさは、磁性結晶粒間の交換相互作用の強さに対
応する。図４に示すように、磁性層にＯ2を添加した場
合でも、ＰｄＳｉ18シード層にＯ2を添加した場合で
も、Ｏ2の添加量に応じてαは単調に減少し、Ｏ2流量を
２ｓｃｃｍ（約０．３ｍＴｏｒｒ）とした試料において
は、αの大きさが３程度にまで減少している。このこと
から、磁性層またはＰｄＳｉ18シード層にＯ2を添加す
ることで結晶粒間の磁気的相互作用を大幅に低減できる
ことが確認された。
いて、磁気特性の評価を行った結果を図４ないし図６に
示す。図４は、上記にて得られた媒体の保磁力角形比α
のＯ 2ガス流量依存性を示すグラフであり、図５は、
同、保磁力Ｈｃの測定結果であり、図６は、同、異方性
磁界Ｈｋの測定結果である。図４に示すＰｄＳｉ18シー
ド層を用いた（ＣｏＢ／Ｐｄ）多層膜媒体の保磁力角型
αの大きさは、磁性結晶粒間の交換相互作用の強さに対
応する。図４に示すように、磁性層にＯ2を添加した場
合でも、ＰｄＳｉ18シード層にＯ2を添加した場合で
も、Ｏ2の添加量に応じてαは単調に減少し、Ｏ2流量を
２ｓｃｃｍ（約０．３ｍＴｏｒｒ）とした試料において
は、αの大きさが３程度にまで減少している。このこと
から、磁性層またはＰｄＳｉ18シード層にＯ2を添加す
ることで結晶粒間の磁気的相互作用を大幅に低減できる
ことが確認された。
【００６２】次に、図５に示す同媒体の保磁力Ｈcの酸
素ガス添加依存性について説明する。ＰｄＳｉ18シード
層成膜時に成膜ガスにＯ2を添加した場合、２．０ｓｃ
ｃｍ（約０．３ｍＴｏｒｒ）まで成膜ガスにＯ2を添加
しても、Ｈｃの値が約３．５ｋＯｅと一定である。しか
し、磁性層成膜時に２．０ｓｃｃｍ（約０．３ｍＴｏｒ
ｒ）までＯ2を添加すると、Ｈｃが１．０ｋＯｅまで急
激に低下している。次に、図６に示す異方性磁界Ｈｋに
おいても、上記保磁力Ｈｃと同様に、ＰｄＳｉ18シード
層成膜時のＯ2添加ではＨｋはほとんど変化していない
のに対し、磁性層成膜時のＯ2添加ではＯ2流量を２．０
ｓｃｃｍとしたものにおいて急激なＨｋの低下がみられ
る。これらから、磁性層にＯ2を過剰に添加すると磁性
層の異方性磁界Ｈｋ（いわゆる磁性材料の保磁力の潜在
能力）が大幅に減少し、その結果媒体の保磁力が急激に
減少することが示唆される。このことから、αが小さ
く、かつ、Ｈｃの大きい多層膜媒体を両立するために
は、ＰｄＳｉ18シード層へのＯ2添加プロセスが非常に
有効であり、磁性層へＯ2添加する場合でもその添加量
を適切な範囲とすることで有為な効果を得られることが
確認された。
素ガス添加依存性について説明する。ＰｄＳｉ18シード
層成膜時に成膜ガスにＯ2を添加した場合、２．０ｓｃ
ｃｍ（約０．３ｍＴｏｒｒ）まで成膜ガスにＯ2を添加
しても、Ｈｃの値が約３．５ｋＯｅと一定である。しか
し、磁性層成膜時に２．０ｓｃｃｍ（約０．３ｍＴｏｒ
ｒ）までＯ2を添加すると、Ｈｃが１．０ｋＯｅまで急
激に低下している。次に、図６に示す異方性磁界Ｈｋに
おいても、上記保磁力Ｈｃと同様に、ＰｄＳｉ18シード
層成膜時のＯ2添加ではＨｋはほとんど変化していない
のに対し、磁性層成膜時のＯ2添加ではＯ2流量を２．０
ｓｃｃｍとしたものにおいて急激なＨｋの低下がみられ
る。これらから、磁性層にＯ2を過剰に添加すると磁性
層の異方性磁界Ｈｋ（いわゆる磁性材料の保磁力の潜在
能力）が大幅に減少し、その結果媒体の保磁力が急激に
減少することが示唆される。このことから、αが小さ
く、かつ、Ｈｃの大きい多層膜媒体を両立するために
は、ＰｄＳｉ18シード層へのＯ2添加プロセスが非常に
有効であり、磁性層へＯ2添加する場合でもその添加量
を適切な範囲とすることで有為な効果を得られることが
確認された。
【００６３】次に、本実施例のＰｄＳｉ18シード層への
Ｏ2添加効果を明らかにするため、媒体の断面ＴＥＭ観
察を行った。その結果、本来アモルファスであるＰｄＳ
ｉ18下地層が結晶化されていることが判明した。また、
このＰｄＳｉ18シード層の結晶粒にはＳｉ−ｐｏｏｒの
ＰｄＳｉ相ができており、結晶粒界にはＳｉＯ2を主相
とするアモルファス相ができていることが明らかとなっ
た。このことから、ＰｄＳｉ18シード層では、Ｏ2を添
加することで原子半径が小さく、かつ、酸素親和性の高
いＳｉが結晶粒界に偏析しやすくなり、その結果ΔＧ°
の高いＰｄを主成分として含む結晶粒の周囲の結晶粒界
が、ΔＧ°の低い元素であるＳｉの酸化物を主体として
構成されることで、本発明に係る下地層を構成している
ことが確認された。また、ＣｏＢ／Ｐｄ多層膜で構成さ
れた磁性膜においては、このＰｄＳｉ18シード層の結晶
粒界に沿って（ＣｏＢ／Ｐｄ）磁性膜のＢが偏析し、磁
性層の結晶粒界を形成していること確認された。本実施
例の磁気記録媒体において、磁性結晶粒間の磁気的相互
作用が大幅に低減されるのは、このシード層の粒界に沿
って偏析したＢによるものであると考えられる。また、
上記実施例１で作製したＩＴＯシード層を有する従来構
成の磁気記録媒体についてもＴＥＭ観察を行ったとこ
ろ、本実施例の媒体と磁性層の構成は同一であるにも関
わらず、Ｂの偏析は極めて少なかった。この点からも、
本実施例の媒体において磁性層のＢ偏析が促進されるの
は本発明の構成を有するＰｄＳｉシード層によるもので
あるといえる。
Ｏ2添加効果を明らかにするため、媒体の断面ＴＥＭ観
察を行った。その結果、本来アモルファスであるＰｄＳ
ｉ18下地層が結晶化されていることが判明した。また、
このＰｄＳｉ18シード層の結晶粒にはＳｉ−ｐｏｏｒの
ＰｄＳｉ相ができており、結晶粒界にはＳｉＯ2を主相
とするアモルファス相ができていることが明らかとなっ
た。このことから、ＰｄＳｉ18シード層では、Ｏ2を添
加することで原子半径が小さく、かつ、酸素親和性の高
いＳｉが結晶粒界に偏析しやすくなり、その結果ΔＧ°
の高いＰｄを主成分として含む結晶粒の周囲の結晶粒界
が、ΔＧ°の低い元素であるＳｉの酸化物を主体として
構成されることで、本発明に係る下地層を構成している
ことが確認された。また、ＣｏＢ／Ｐｄ多層膜で構成さ
れた磁性膜においては、このＰｄＳｉ18シード層の結晶
粒界に沿って（ＣｏＢ／Ｐｄ）磁性膜のＢが偏析し、磁
性層の結晶粒界を形成していること確認された。本実施
例の磁気記録媒体において、磁性結晶粒間の磁気的相互
作用が大幅に低減されるのは、このシード層の粒界に沿
って偏析したＢによるものであると考えられる。また、
上記実施例１で作製したＩＴＯシード層を有する従来構
成の磁気記録媒体についてもＴＥＭ観察を行ったとこ
ろ、本実施例の媒体と磁性層の構成は同一であるにも関
わらず、Ｂの偏析は極めて少なかった。この点からも、
本実施例の媒体において磁性層のＢ偏析が促進されるの
は本発明の構成を有するＰｄＳｉシード層によるもので
あるといえる。
【００６４】尚、上記実施例では媒体を構成する各層の
成膜法として直流マグネトロンスパッタ法を用いたが、
ＲＦスパッタ法、レーザ蒸着法、イオンビーム成膜など
の他の成膜法を実施しても良いのはもちろんである。ま
た、磁性層成膜時のスパッタガスはＡｒよりもより原子
量の大きいクリプトンＫｒやキセノンＸｅが好ましい。
これらのガスをスパッタ時に用いると、Ｃｏ／Ｐｄ多層
膜の層間のミクシングが起こりにくく、高い垂直磁気異
方性の発現に繋がる。
成膜法として直流マグネトロンスパッタ法を用いたが、
ＲＦスパッタ法、レーザ蒸着法、イオンビーム成膜など
の他の成膜法を実施しても良いのはもちろんである。ま
た、磁性層成膜時のスパッタガスはＡｒよりもより原子
量の大きいクリプトンＫｒやキセノンＸｅが好ましい。
これらのガスをスパッタ時に用いると、Ｃｏ／Ｐｄ多層
膜の層間のミクシングが起こりにくく、高い垂直磁気異
方性の発現に繋がる。
【００６５】（磁気記録装置）次に、本発明に係る磁気
記録装置を図面を参照して以下に説明する。図７は、本
発明に係る磁気記録装置であるハードディスク装置の一
例を示す側断面図であり、図８は、図７に示す磁気記録
層の平断面図である。図７および図８において、５０は
磁気ヘッド、７０はハードディスク装置、７１は筐体、
７２は磁気記録媒体、７３はスペーサ、７９はスイング
アーム、７８はサスペンションである。本実施形態に係
るハードディスク装置７０は、先に記載の本発明の磁気
記録媒体を搭載している。
記録装置を図面を参照して以下に説明する。図７は、本
発明に係る磁気記録装置であるハードディスク装置の一
例を示す側断面図であり、図８は、図７に示す磁気記録
層の平断面図である。図７および図８において、５０は
磁気ヘッド、７０はハードディスク装置、７１は筐体、
７２は磁気記録媒体、７３はスペーサ、７９はスイング
アーム、７８はサスペンションである。本実施形態に係
るハードディスク装置７０は、先に記載の本発明の磁気
記録媒体を搭載している。
【００６６】ハードディスク装置７０は、円盤状の磁気
記録媒体７２や、磁気ヘッド５０などを収納する内部空
間を備えた直方体形状の筐体７１が外径を成しており、
この筐体７１の内部には複数枚の磁気記録媒体７２がス
ペーサ７３と交互にスピンドル７４に挿通されて設けら
れている。また、筐体７１にはスピンドル７４の軸受け
（図示せず）が設けられ、筐体７１の外部にはスピンド
ル７４を回転させるためのモータ７５が配設されてい
る。この構成により、全ての磁気記録媒体７２は、スペ
ーサ７３によって磁気ヘッド５０が入るための間隔を空
けて複数枚重ねた状態で、スピンドル７４の周回りに回
転自在とされている。
記録媒体７２や、磁気ヘッド５０などを収納する内部空
間を備えた直方体形状の筐体７１が外径を成しており、
この筐体７１の内部には複数枚の磁気記録媒体７２がス
ペーサ７３と交互にスピンドル７４に挿通されて設けら
れている。また、筐体７１にはスピンドル７４の軸受け
（図示せず）が設けられ、筐体７１の外部にはスピンド
ル７４を回転させるためのモータ７５が配設されてい
る。この構成により、全ての磁気記録媒体７２は、スペ
ーサ７３によって磁気ヘッド５０が入るための間隔を空
けて複数枚重ねた状態で、スピンドル７４の周回りに回
転自在とされている。
【００６７】筐体７１の内部であって磁気記録媒体７２
の側方位置には、軸受け７６によってスピンドル７４と
平行に支持されたロータリ・アクチュエータと呼ばれる
回転軸７７が配置されている。この回転軸７７には複数
個のスイングアーム７９が各磁気記録媒体７２の間の空
間に延出するように取り付けられている。各スイングア
ーム７９の先端には、その上下位置にある各磁気記録媒
体７２の表面と傾斜して向かう方向に固定された、細長
い三角板状のサスペンション７８を介して磁気ヘッド５
０が取り付けられている。この磁気ヘッド５０は、図示
されていないが、磁気記録媒体７２に対して情報を書き
込むための記録素子と、磁気記録媒体７２から情報を読
み出すための再生素子を備えるものである。
の側方位置には、軸受け７６によってスピンドル７４と
平行に支持されたロータリ・アクチュエータと呼ばれる
回転軸７７が配置されている。この回転軸７７には複数
個のスイングアーム７９が各磁気記録媒体７２の間の空
間に延出するように取り付けられている。各スイングア
ーム７９の先端には、その上下位置にある各磁気記録媒
体７２の表面と傾斜して向かう方向に固定された、細長
い三角板状のサスペンション７８を介して磁気ヘッド５
０が取り付けられている。この磁気ヘッド５０は、図示
されていないが、磁気記録媒体７２に対して情報を書き
込むための記録素子と、磁気記録媒体７２から情報を読
み出すための再生素子を備えるものである。
【００６８】上記構成によれば、磁気記録媒体７２を回
転させ、磁気ヘッド５０をスイングアーム７９の移動に
より磁気記録媒体７２の半径方向に移動させることがで
きるので、磁気ヘッド５０は磁気記録媒体７２上の任意
の位置に移動可能となっている。上述した構成のハード
ディスク装置７０では、磁気記録媒体７２を回転させる
とともに、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッド
５０を磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層に
磁気ヘッド５０が発生した磁界を作用させることにより
磁気記録媒体７２に所望の磁気情報を書き込むことがで
きる。また、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッ
ド５０を磁気記録媒体７２上の任意の位置に移動させ、
磁気記録媒体７２を構成している磁性層からの漏れ磁界
を磁気ヘッドの再生素子で検出することにより磁気情報
を読み出すことができる。
転させ、磁気ヘッド５０をスイングアーム７９の移動に
より磁気記録媒体７２の半径方向に移動させることがで
きるので、磁気ヘッド５０は磁気記録媒体７２上の任意
の位置に移動可能となっている。上述した構成のハード
ディスク装置７０では、磁気記録媒体７２を回転させる
とともに、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッド
５０を磁気記録媒体７２を構成している強磁性金属層に
磁気ヘッド５０が発生した磁界を作用させることにより
磁気記録媒体７２に所望の磁気情報を書き込むことがで
きる。また、スイングアーム７９を移動させて磁気ヘッ
ド５０を磁気記録媒体７２上の任意の位置に移動させ、
磁気記録媒体７２を構成している磁性層からの漏れ磁界
を磁気ヘッドの再生素子で検出することにより磁気情報
を読み出すことができる。
【００６９】このように磁気情報の読み出しと書き込み
を行う場合において、磁気記録媒体７２が、先に説明し
た如く優れた記録再生特性を有しているならば、高記録
密度での常法の記録再生が可能であり、大容量で高速な
ハードディスク装置７０を提供することができる。
を行う場合において、磁気記録媒体７２が、先に説明し
た如く優れた記録再生特性を有しているならば、高記録
密度での常法の記録再生が可能であり、大容量で高速な
ハードディスク装置７０を提供することができる。
【００７０】尚、図７、８を基に先に説明したハードデ
ィスク装置７０は、磁気記録装置の一例を示すものであ
るので、磁気記録装置に搭載する磁気記録媒体の枚数
は、１枚以上の任意の枚数で良く、搭載する磁気ヘッド
の数も１個以上であれば任意の数設けてもよい。また、
スイングアーム７９の形状や駆動方式も図面に示すもの
に限らず、リニア駆動方式、その他の方式でも良いのは
もちろんである。
ィスク装置７０は、磁気記録装置の一例を示すものであ
るので、磁気記録装置に搭載する磁気記録媒体の枚数
は、１枚以上の任意の枚数で良く、搭載する磁気ヘッド
の数も１個以上であれば任意の数設けてもよい。また、
スイングアーム７９の形状や駆動方式も図面に示すもの
に限らず、リニア駆動方式、その他の方式でも良いのは
もちろんである。
【００７１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
垂直磁気記録媒体は、前記下地層が、２種類の元素を主
体とする合金により構成され、前記両元素の室温におけ
る酸化物または窒化物生成標準自由エネルギーΔＧ°の
差が、７０ｋＪ／ｍｏｌ[Ｏ2またはＮ2]以上とされてお
り、前記下地層を構成する結晶粒が、前記２元素のうち
ΔＧ°の高い元素を主体として構成され、前記下地層の
結晶粒界が、前記ΔＧ°の低い元素の酸化物または窒化
物を主体として構成されたことで、高保磁力が得られ、
かつ磁性層の結晶粒間の磁気的相互作用が低減されるの
で、高記録密度での情報の記録再生が可能である。
垂直磁気記録媒体は、前記下地層が、２種類の元素を主
体とする合金により構成され、前記両元素の室温におけ
る酸化物または窒化物生成標準自由エネルギーΔＧ°の
差が、７０ｋＪ／ｍｏｌ[Ｏ2またはＮ2]以上とされてお
り、前記下地層を構成する結晶粒が、前記２元素のうち
ΔＧ°の高い元素を主体として構成され、前記下地層の
結晶粒界が、前記ΔＧ°の低い元素の酸化物または窒化
物を主体として構成されたことで、高保磁力が得られ、
かつ磁性層の結晶粒間の磁気的相互作用が低減されるの
で、高記録密度での情報の記録再生が可能である。
【００７２】次に、本発明に係る製造方法によれば、非
磁性基板上に、下地層を形成する工程と、前記下地層上
に磁気情報を記録するための磁性層を形成する工程とを
含み、前記下地層を形成する工程において、下地層を構
成する元素のうち、少なくとも１種以上の元素の酸素物
又は窒素物を下地層中に形成する構成により、上記磁性
層の結晶粒間の磁気的相互作用が小さく、記録再生特性
に優れた垂直記録媒体を容易に製造することができる。
磁性基板上に、下地層を形成する工程と、前記下地層上
に磁気情報を記録するための磁性層を形成する工程とを
含み、前記下地層を形成する工程において、下地層を構
成する元素のうち、少なくとも１種以上の元素の酸素物
又は窒素物を下地層中に形成する構成により、上記磁性
層の結晶粒間の磁気的相互作用が小さく、記録再生特性
に優れた垂直記録媒体を容易に製造することができる。
【図１】 図１は、本発明の一実施の形態である磁気記
録媒体の断面構成図である。
録媒体の断面構成図である。
【図２】 図２は、本発明の実施例１における保磁力Ｈ
ｃの測定結果を示すグラフである。
ｃの測定結果を示すグラフである。
【図３】 図３は、本発明の実施例１における異方性磁
界Ｈｋの測定結果を示すグラフである。
界Ｈｋの測定結果を示すグラフである。
【図４】 図４は、本発明の実施例２における保磁力角
形比αの測定結果を示すグラフである。
形比αの測定結果を示すグラフである。
【図５】 図５は、本発明の実施例１における保磁力Ｈ
ｃの測定結果を示すグラフである。
ｃの測定結果を示すグラフである。
【図６】 図６は、本発明の実施例１における異方性磁
界Ｈｋの測定結果を示すグラフである。
界Ｈｋの測定結果を示すグラフである。
【図７】 図７は、本発明に係る磁気記録装置の断面構
成図である。
成図である。
【図８】 図８は、図７に示す磁気記録装置の一部断面
を含む平面構成図である。
を含む平面構成図である。
【図９】 図９は、磁気記録媒体の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１０】 図１０は、図１１に示す磁気記録媒体の断
面構造を示す図である。
面構造を示す図である。
１０ 垂直磁気記録媒体
１ 基板
２ 下地層
３ 中間層
４ 磁性層
４ａ Ｃｏ層（Ｃｏを主体とする層）
４ｂ Ｐｄ層（Ｐｄを主体とする層）
５ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16
(71)出願人 000231464
株式会社アルバック
神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地
(71)出願人 000002004
昭和電工株式会社
東京都港区芝大門１丁目13番９号
(74)上記１名の代理人 100075166
弁理士 山口 巖
(72)発明者 ダビッド ジャヤプラウィラ
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大
学大学院工学研究科電子工学専攻内
(72)発明者 土門 宏紀
宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大
学大学院工学研究科電子工学専攻内
(72)発明者 高橋 研
宮城県仙台市太白区人来田２丁目20−２
Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA01 BA24 BA25 BB02
BC06 BD11 CA05 DC03 DC04
EA03
5D006 BB01 BB02 BB08 CA01 CA05
CA06 DA08 EA03 FA09
5D112 AA03 AA05 AA06 AA22 AA24
BB01 BD03 FA04 FB19
5E049 AA04 AC05 BA08
Claims (25)
- 【請求項１】 非磁性基板と、該非磁性基板上に直接ま
たは間接的に形成された下地層と、該下地層上に形成さ
れた磁気情報を記録するための磁性層とを有し、 前記下地層は、２種類の元素を主体とする合金により構
成され、前記両元素の室温における酸化物または窒化物
生成標準自由エネルギーΔＧ°の差は、７０ｋＪ／ｍｏ
ｌ[Ｏ2又はＮ2]以上とされており、 前記下地層を構成する結晶粒は、前記２元素のうちΔＧ
°の高い元素を主体として構成され、 前記下地層の結晶粒界は、前記ΔＧ°の低い元素の酸化
物または窒化物を主体として構成されていることを特徴
とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素
は、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃｅのいずれかであることを特徴と
する請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素
の含有量は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であること
を特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記下地層に含まれるΔＧ°の低い元素
の含有量は、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下であること
を特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素
は、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ａｕのいずれかであることを特徴とする請求項１な
いし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素
の含有量は、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下であること
を特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記下地層に含まれるΔＧ°の高い元素
の含有量は、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下であること
を特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記下地層の膜厚は、０．５ｎｍ以上２
５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし７の
いずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記下地層と、磁性層との間に中間層が
設けられており、 前記中間層は、面心立方構造（ｆｃｃ）又は細密六方晶
構造（ｈｃｐ）を有することを特徴とする請求項１ない
し８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記中間層の膜厚は、０．５ｎｍ以上
１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の
垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 前記磁性層は、ＣｏとＣｒを主成分と
する合金により構成されていることを特徴とする請求項
１ないし１０のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項１２】 前記磁性層は、Ｃｏを主体とする層
と、Ｐｄを主体とする層とが交互に複数積層された多層
膜であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれ
か１項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 前記Ｃｏを主体とする層は、ＣｏＸ合
金により構成されており、前記Ｘは、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃ
ｅのいずれかであることを特徴とする請求項１２に記載
の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１４】 非磁性基板上に、下地層を形成する工
程と、 前記下地層上に磁気情報を記録するための磁性層を形成
する工程とを含み、 前記下地層を形成する工程において、下地層を構成する
元素のうち、少なくとも１種以上の元素の酸素物又は窒
素物を下地層中に形成することを特徴とする垂直磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記下地層を２種類の元素を主体とす
る合金で構成し、 前記両元素を、室温における酸化物または窒化物生成標
準自由エネルギーΔＧ°の差が７０ｋＪ／ｍｏｌ[Ｏ2又
はＮ2]以上である２元素により構成することを特徴とす
る請求項１４に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記下地層を成膜する工程において、
酸素又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の
酸素又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2
Ｔｏｒｒ以下とすることを特徴とする請求項１４又は１
５に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 前記磁性層を成膜する工程において、
酸素又は窒素を含む成膜ガスを用い、前記成膜ガス中の
酸素又は窒素の分圧を、１０-6Ｔｏｒｒ以上６×１０-2
Ｔｏｒｒ以下とすることを特徴とする請求項１４ないし
１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１８】 前記下地層を成膜後に、該下地層の表
面を酸素又は窒素を含む雰囲気に暴露する工程を含むこ
とを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか１項に
記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１９】 前記下地層を構成する合金として、該
合金に含まれる前記ΔＧ°の低い元素が、Ｂ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂ
ｅ，Ｃｅのいずれかである合金を用いることを特徴とす
る請求項１５又は１６のいずれか１項に記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２０】 前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素
の含有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすること
を特徴とする請求項１７に記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２１】 前記合金に含まれるΔＧ°の低い元素
の含有量を、２０ａｔ％以上６０ａｔ％以下とすること
を特徴とする請求項１７に記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２２】 前記下地層を構成する合金として、該
合金に含まれる前記ΔＧ°の高い元素が、Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかで
ある合金を用いることを特徴とする請求項１５ないし１
８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２３】 前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素
の含有量を、１０ａｔ％以上９０ａｔ％以下とすること
を特徴とする請求項１９に記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２４】 前記合金に含まれるΔＧ°の高い元素
の含有量を、４０ａｔ％以上８０ａｔ％以下とすること
を特徴とする請求項１９に記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項２５】 請求項１ないし１３のいずれか１項に
記載の垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を駆動
するための駆動部と、磁気情報の記録再生を行うための
磁気ヘッドとを備え、移動する前垂直記磁気記録媒体に
対して前記磁気ヘッドにより磁気情報の記録再生を行う
ことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (3)
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- 2003-03-20 WO PCT/JP2003/003441 patent/WO2003088217A1/ja active Application Filing
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