DE112009004388T5 - Low-coupling-oxid-medien (lcom) - Google Patents

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Thomas P. Nolan
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Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung, das eine Magnetspeicherschicht und mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung umfasst. Die Magnetspeicherschicht weist eine Sättigungsmagnetisierung zwischen etwa 400 und 900 emu/cm3 auf und die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung weist eine geringere Sättigungsmagnetisierung als die Magnetspeicherschicht auf.

Description

  • Verwandte Anmeldung
    • keine.
  • Hintergrund
  • Magnetplatten mit magnetisierbaren Medien werden zur Datenspeicherung in den meisten Computersystemen verwendet. Nach der Domänentheorie besteht ein magnetisches Material aus einer Zahl submikroskopischer Bereiche, die als Domänen bezeichnet werden. Jede Domäne enthält parallele atomare Momente und sie ist bis zur Sättigung magnetisiert, doch sind die Magnetisierungsrichtungen von verschiedenen Domänen nicht zwangsläufig parallel. Bei Abwesenheit eines angelegten Magnetfeldes können benachbarte Domänen in einer Zahl von mehreren Richtungen, die als die Richtungen der leichten Magnetisierbarkeit bezeichnet werden, die von der Kristallgeometrie abhängen, zufällig orientiert sein. Die resultierende Wirkung von all diesen verschiedenen Magnetisierungsrichtungen kann null sein, wie dies der Fall bei einem nichtmagnetisierten Objekt ist. Wenn ein Magnetfeld angelegt wird, wachsen die Domänen, die nahezu parallel zur Richtung des angelegten Feldes sind, auf Kosten der anderen in Bezug auf die Größe. Dies wird als Grenzverschiebung der Domänen oder Domänenwachstum bezeichnet. Eine weitere Erhöhung des Magnetfeldes bewirkt, dass sich mehr Domänen drehen und parallel zum angelegten Feld ausrichten. Wenn das Material den Punkt der Sättigungsmagnetisierung erreicht, wird bei Erhöhen der Stärke des Magnetfeldes kein weiteres Domänenwachstum erfolgen.
  • Die Leichtigkeit der Magnetisierung oder Entmagnetisierung eines magnetischen Materials hängt von der Kristallstruktur, der Kornorientierung, dem Spannungszustand und der Richtung und Stärke des Magnetfeldes ab. Magnetisierung wird am leichtesten längs einer leichten Magnetisierungsachse und am schwierigsten längs der harten Magnetisierungsachse erhalten. Ein magnetisches Material wird als magnetische Anisotropie aufweisend bezeichnet, wenn leichte und harte Achsen existieren. Andererseits wird ein magnetisches Material als isotrop bezeichnet, wenn keine leichten oder harten Achsen vorhanden sind.
  • Viele Magnetaufzeichnungsmedien des Standes der Technik wurden mit einer Längskonfiguration hergestellt. Das heißt, die Aufzeichnungsmedien wurden mit einer in der Ebene liegenden (Längs-)Anisotropie in der magnetischen Schicht hergestellt. Längs-Anisotropie führt zu einer Magnetisierung, die sich in einer Richtung in einer zur Oberfläche der magnetischen Schicht parallelen Ebene bildet.
  • Die Nachfrage nach Magnetaufzeichnungsmedien höherer Kapazität führte jedoch zu Interesse an Vertikalaufzeichnungsmedien, d. h. Aufzeichnungsmedien mit vertikaler Anisotropie in der magnetischen Schicht, die zu einer Magnetisierung führt, die sich einer zur Oberfläche der magnetischen Schicht senkrechten Richtung bildet. Typischerweise werden Vertikalaufzeichnungsmedien mit einer polykristallinen CoCr-Legierung- oder CoPt-Oxid-Legierung-Dünnschicht hergestellt. Co-reiche Bereiche in der polykristallinen Dünnschicht sind ferromagnetisch, während Cr- oder oxidreiche Bereiche in der Dünnschicht nichtmagnetisch sind. Die magnetische Wechselwirkung zwischen benachbarten ferromagnetischen Domänen wird durch die nichtmagnetischen Bereiche dazwischen geschwächt.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Ausführungsform dieser Erfindung betrifft ein Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung, das eine Magnetspeicherschicht und mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung umfasst, wobei die Magnetspeicherschicht eine Sättigungsmagnetisierung zwischen etwa 400 und 900 emu/cm3 aufweist und die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine geringere Sättigungsmagnetisierung als die Magnetspeicherschicht aufweist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung wird unter Bezug auf die detaillierte Beschreibung der Erfindung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen besser verstanden, wobei:
  • 1 ein Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt,
  • 2 ein Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung zeigt,
  • 3 ein Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
  • 4 ein Magnetaufzeichnungsmedium gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung zeigt,
  • 5 Monte Carlo-Simulationen zeigt, die verbesserte Aufzeichnungseigenschaften einer Ausführungsform der Erfindung belegen.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung
  • Die in der Beschreibung und den Ansprüchen verwendeten Singularformen ”ein” bzw. ”eine” und ”der” bzw. ”die” bzw. ”das” umfassen Pluralangaben, falls der Kontext nicht klar anderes bedingt.
  • Die Erfinder entdeckten, dass eine schwache gleichförmige direkte Austauschkopplung zwischen magnetischen Körnern in Vertikalaufzeichnungsmedien eine verbesserte Leistung ergibt. Die Erfinder entdeckten ferner, dass eine schwache gleichförmige direkte Austauschkopplung zwischen den magnetischen Körnern durch Hinzufügen von einer magnetischen Schicht bzw. magnetischen Schichten mit niedriger Sättigungsmagnetisierung in die Vertikalmediumstruktur erzeugt werden kann. Die Erfinder entdeckten ferner, dass die Stärke der direkten Austauschkopplung durch Variieren der Sättigungsmagnetisierung (Ms) der magnetischen Schicht gesteuert werden kann.
  • Eine Ausführungsform dieser Erfindung betrifft ein Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung, das mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung umfasst, wobei die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine Sättigungsmagnetisierung unter 600 emu/cm3 aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Vertikal-Magnetaufzeichnungsmediums mit schwacher Kopplung, wobei das Verfahren das Ablagern einer Adhäsionsschicht auf einem Substrat, das Ablagern einer weichen Unterschicht, das Ablagern einer nichtmagnetischen Zwischenschicht, das Ablagern einer Speicherschicht und das Ablagern einer magnetischen Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung umfasst, wobei die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine Sättigungsmagnetisierung unter 600 emu/cm3 aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren, das die Bildung eines Speichermediums mit mindestens einer Schicht mit einer Sättigungsmagnetisierung unter 600 emu/cm3 umfasst.
  • Weitere Vorteile dieser Erfindung sind einem Fachmann auf diesem Gebiet aus der im Folgenden angegebenen detaillierten Beschreibung ohne weiteres ersichtlich, wobei nur eine Auswahl bevorzugter Ausführungsformen dieser Erfindung angegeben und beschrieben ist, um die als am besten angesehenen Art und Weisen zur Durchführung dieser Erfindung zu erläutern. Es ist klar, dass diese Erfindung andere und unterschiedliche Ausführungsformen umfassen kann und deren Einzelheiten in verschiedenster offensichtlicher Hinsicht modifiziert werden können, ohne von dieser Erfindung abzuweichen. Dementsprechend werden die Zeichnungen und die Beschreibung nur als erläuternd und nicht als beschränkend betrachtet.
  • BEISPIELE
  • Alle in dieser Offenbarung beschriebenen Beispiele wurden mit Ausnahme von Kohlenstoffdünnschichten durch DC-Magnetronsputtern hergestellt. Beispieldaten, die die Verringerung der Austauschkopplung durch reaktives Sputtern belegen, sind hierin angegeben.
  • 1 erläutert eine erste bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. Das Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium 10 mit schwacher Kopplung gemäß dieser Ausführungsform umfasst ein Substrat 11, eine Adhäsionsschicht 12, eine weiche Unterschicht 13, eine amorphe Schicht 14, eine nichtmagnetische Zwischenschicht 15, eine magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16, eine Speicherschicht 17 und einen Kohlenstoff-Schutzüberzug. Optional können die weiche Unterschicht 13, die amorphe Schicht 14, die nichtmagnetische Zwischenschicht 15, die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16, die Speicherschicht 17 und der Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 mehrere Schichten umfassen.
  • Bevorzugte Materialien für die optionale Adhäsionsschicht 12 umfassen Legierungen, die eine oder mehrere Komponenten von Cr, Ni, Ta und Ti enthalten. Die Wahl hängt von dem Substrat 11 und dem für die weiche Unterschicht 13 gewählten Material ab und sie ist dem Fachmann üblicher Erfahrung geläufig. Vorzugsweise beträgt die Dicke der Adhäsionsschicht etwa 1–400 nm. Noch günstiger beträgt die Dicke etwa 2–20 nm.
  • Bevorzugte Materialien für die weiche Unterschicht 13 umfassen Legierungen von mindestens einer Komponente von Fe und Co mit einem oder mehreren Elementen, die aus Ni, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag, Au ausgewählt sind. Vorzugsweise beträgt die Dicke der weichen Unterschicht 13 etwa 10–400 nm. Noch günstiger beträgt die Dicke etwa 20–100 nm.
  • Die amorphe Schicht 14 ist optional. Bevorzugte Materialien für die amorphe Schicht 14 umfassen Elemente und Legierungen, die Ta, Ti, Ni, Cr, Zr, Nb und P umfassen, in Zusammensetzungen, für die diese Legierungen amorph sind. Andere bevorzugte Materialien umfassen amorphe ferromagnetische Materialien, die aus Fe mit einem oder mehreren Elementen, die aus Co, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag und Au ausgewählt sind, bestehen. Noch weitere bevorzugte Materialien umfassen TixCr100-x und TaxCr100-x, wobei (30 < x < 60) gilt. Vorzugsweise beträgt die Dicke der amorphen Schicht 14 etwa 0–10 nm. Noch günstiger beträgt die Dicke etwa 0,2–4 nm.
  • Die kristallographische Struktur der nichtmagnetischen Zwischenschicht 15 hängt von der kristallographischen Struktur der Speicherschicht 17 ab. Wenn beispielsweise die Speicherschicht 17 aus einer Co-reichen Legierung mit einer hexagonal dichtest gepackten (hcp) Struktur besteht, kann die nichtmagnetische Zwischenschicht 15 eine kubisch flächenzentrierte (fcc) Schicht aus Cu, Ag, Au, Ir, Ni, Pt, Pd oder deren Legierungen umfassen. Vorzugsweise liegt die Dicke dieser nichtmagnetischen Zwischenschicht 15 im Bereich von etwa 0,2 nm bis etwa 40 nm. Noch günstiger beträgt die Dicke etwa 1–20 nm. Alternativ kann die nichtmagnetische Zwischenschicht 15 eine hexagonal dichtest gepackte (hcp) Schicht aus Ru, Re, Hf, Ti, Zr oder deren Legierungen umfassen. Andere hcp-Schichten, die verwendet werden können, umfassen Co- und CoCr-Legierungen. Optionale Additive für CoCr umfassen Ta, B, Pt, Nb, Ru, Zr und Oxidmaterialien. Bei Verwendung von CoCr wird die Konzentration von Cr und anderen Legierungselementen derart gewählt, dass die Legierung nichtmagnetisch ist und eine hcp-Kristallstruktur aufweist. Bei der Verwendung von Co-haltigen Legierungen wird die Konzentration von Cr und anderen Legierungselementen derart gewählt, dass die Legierung nichtmagnetisch ist und eine hcp-Kristallstruktur aufweist. Vorzugsweise liegt die Dicke der hcp-Schicht(en) im Bereich von etwa 0,2 nm bis 40 nm. Noch günstiger beträgt die Dicke etwa 1–20 nm.
  • Die Speicherschicht 17 kann eine Schicht oder eine beliebige Zahl von Schichten eines magnetischen Materials umfassen. Bevorzugte Materialien für die Speicherschicht 17 umfassen Co mit einem oder mehreren Elementen, die aus Pt, Cr, Ta, B, Cu, W, Mo, Ru, Ni, Nb, Zr, Hf ausgewählt sind. Optional können ein oder mehrere Oxide von Elementen wie Si, Ti, Zr, Al, Cr, Co, Nb, Mg, Ta, W oder Zn ebenfalls in der Speicherschicht 17 vorhanden sein. Vorzugsweise wird die Speicherschicht 17 in einer kontrollierten Atmosphäre gezüchtet. Vorzugsweise umfasst die kontrollierte Atmosphäre Ar, Kr oder Xe oder eine Kombination von diesen Gasen mit einer Komponente eines reaktiven Gases wie O2. Die Speicherschicht 17 kann bei niedrigen Temperaturen, d. h. unter 400 K, gezüchtet werden. Typischerweise werden niedrige Temperaturen zur Herstellung von magnetischen Schichten, die in kontrollierten Atmosphären, die Kombinationen von Ar, Kr, Xe und O2 umfassen, gesputtert werden, verwendet. Alternativ kann die Speicherschicht 17 bei erhöhten Temperaturen, d. h. über 400 K, gezüchtet werden. Vorzugsweise ist die erhöhte Temperatur höher als 420 K und geringer als 600 K.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 zwischen der nichtmagnetischen Zwischenschicht 15 und der Speicherschicht 17 positioniert. In dieser Ausführungsform kann die kristallographische Struktur der magnetischen Schicht mit schwacher Kopplung 16 derart eingestellt werden, dass das kristallographische Wachstum der Speicherschicht 17 verbessert wird. Beispielsweise können für eine Speicherschicht bzw. Speicherschichten 17 mit einer kristallographischen hcp-Struktur eine magnetische Schicht bzw. magnetische Schichten mit schwacher Kopplung 16 derart gewählt werden, dass sie eine kristallographische hcp- oder fcc-Struktur aufweisen, oder sie können amorph sein. Bevorzugte Materialen für die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 umfassen mindestens eine Komponente von Fe, Co, Ni mit einem oder mehreren Elementen, die aus Cr, Pt, Ta, B, Ru, Cu, Ag, Au, W, Mo, Nb, Zr, Hf, Ti, Zn und Re ausgewählt sind. Vorzugsweise weist die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 einen niedrigeren Ms-Wert als den Ms-Wert der Speicherschicht 17 auf, um eine schwache direkte Austauschkopplung zu erhalten. Die Speicherschicht 17 weist vorzugsweise einen Ms-Wert von etwa 400–900 emu/cm3 auf. Die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 weist vorzugsweise einen Ms-Wert von weniger als oder gleich etwa 600 emu/cm3 auf. Noch günstiger ist der Ms-Wert geringer als oder gleich etwa 300 emu/cm3. Noch besser ist der Ms-Wert geringer als oder gleich etwa 50 emu/cm3. Mögliche Kombinationen Speicherschicht 17/magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 können, ohne hierauf beschränkt zu sein, 600/300, 900/600, 500/50, 450/350, 600/450 und 900/400 sein.
  • Die oberste Schicht, die das Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung 10 dieser Ausführungsform bedeckt, ist der Kohlenstoff-Schutzüberzug 18. Die Dicke des Kohlenstoff-Schutzüberzugs 18 kann entsprechend der gewünschten Lebensdauer und Haltbarkeit des Vertikal-Magnetaufzeichnungsmediums mit schwacher Kopplung 10 variieren.
  • 2 erläutert eine zweite bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. Das Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung 20 gemäß dieser Ausführungsform umfasst ein Substrat 11, eine Adhäsionsschicht 12, eine weiche Unterschicht 13, eine amorphe Schicht 14, eine nichtmagnetische Zwischenschicht 15, eine Speicherschicht 17, eine magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 und einen Kohlenstoff-Schutzüberzug. Das heißt, dass im Gegensatz zur ersten Ausführungsform die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 zwischen der Speicherschicht 17 und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug liegt. Ferner können, wie in der ersten Ausführungsform, die weiche Unterschicht 13, die amorphe Schicht 14, die nichtmagnetische Zwischenschicht 15, die Speicherschicht 17, die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 und der Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 mehrere Schichten umfassen.
  • 3 erläutert eine dritte bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. Das Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung 30 gemäß dieser Ausführungsform umfasst ein Substrat 11, eine Adhäsionsschicht 12, eine weiche Unterschicht 13, eine amorphe Schicht 14, eine nichtmagnetische Zwischenschicht 15, erste magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16a, eine Speicherschicht 17, eine zweite magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16b und einen Kohlenstoff-Schutzüberzug. Im Gegensatz zur ersten Ausführungsform umfasst die magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 mindestens zwei Schichten, die durch mindestens eine Speicherschicht 17 getrennt sind. Ferner können die weiche Unterschicht 13, die amorphe Schicht 14, die nichtmagnetische Zwischenschicht 15, die erste magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16a, die Speicherschicht 17, die zweite magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16b und der Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 mehrere Schichten umfassen.
  • 4 erläutert eine vierte bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. Das Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung 30 gemäß dieser Ausführungsform umfasst ein Substrat 11, eine Adhäsionsschicht 12, eine weiche Unterschicht 13, eine amorphe Schicht 14, eine nichtmagnetische Zwischenschicht 15, eine magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16, eine erste Speicherschicht 17a, eine zweite Speicherschicht 17b und einen Kohlenstoff-Schutzüberzug. Im Gegensatz zur ersten Ausführungsform umfasst die Speicherschicht 17 mindestens zwei Schichten, die durch mindestens eine magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16 getrennt sind. Ferner können die weiche Unterschicht 13, die amorphe Schicht 14, die nichtmagnetische Zwischenschicht 15, die erste magnetische Schicht mit schwacher Kopplung 16, die erste Speicherschicht 17a, die zweite Speicherschicht 17b und der Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 mehrere Schichten umfassen.
  • 5 erläutert Monte Carlo-Simulationen, die verbesserte Aufzeichnungseigenschaften für eine Ausführungsform der Erfindung, die eine dicke magnetische Schicht mit schwacher Kopplung mit einer kristallographischen hcp-Struktur mit Ms = 50 emu/cm3, die zwischen einer nichtmagnetischen Zwischenschicht 15 und einer Speicherschicht 17 positioniert ist, aufweist, belegen. Insbesondere zeigen die in 5 dargestellten Monte Carlo-Simulationen, dass optimale Aufzeichnungseigenschaften für Vertikalmedien für Medien mit einer sehr niedrigen und gleichförmigen direkten Austauschkopplung (A*) erreicht werden können, wobei A* einen Wert von A* ~ (0,05 ± 0,03)·10–11 J/m umfasst (5). Ein derart niedriger Wert der direkten Austauschkopplung ergibt sich für die meisten gesputterten Co-Legierung-Dünnschichten mit einer niedrigen Sättigungsmagnetisierung im Bereich von etwa 50 emu/cm3 Ms < 300 emu/cm3. Die Annahmen für die Simulationen umfassen: eine Streuung der Korngröße von sD/D ~ 0,1, wobei sD/D eine Mikrostruktur beschreibt, die eine durch den mittleren Korndurchmesser (D) definierte Korngröße und eine durch die Standardabweichung sD definierte Variation der Korngröße umfasst; eine Streuung der Anisotropie von sHA/HA ~ 0,02, wobei HA das mittlere Anisotropiefeld von die Medien umfassenden Körnern ist und sHA die Standardabweichung des Anisotropiefeldes ist; und eine lineare Dichte von 1270 kfci. Näherungswerte für sD/D und sHA/HA können experimentell durch Mikroskopietechniken, wie TEM und REM, und Magnetometrietechniken, wie das Verfahren nach Berger bzw. AC-Quer-Suszeptibilität, erhalten werden. Die lineare Dichte bezieht sich einfach auf die Länge jedes Bits, die durch das Aufzeichnungsverfahren gesteuert wird.
  • Den für die spezifizierten Modellberechnungsparameter angegebenen ähnliche Modellergebnistrends werden für einen Bereich von Werten der Modellberechnungsparameter erhalten. Auf der Basis der Ergebnisse der Simulationen stellten die Erfinder fest, dass eine zusätzliche magnetische Schicht bzw. zusätzliche magnetische Schichten mit niedriger Magnetisierung 16 in der Struktur eines Vertikalmediums eine schwächere Austauschkopplung zwischen magnetischen Schichten und Körnern in Vertikalmedien ergeben, was die Leistung deutlich verbessert. Durch Variieren des Ms-Werts der magnetischen Schicht mit niedriger Magnetisierung 16 kann die Stärke der direkten Austauschkopplung in Vertikal-Aufzeichnungsmedien gesteuert werden. Simulationen belegen, dass die Positionierung der magnetischen Schicht mit niedriger Magnetisierung 16 zwischen der nichtmagnetischen Zwischenschicht 15 und der Speicherschicht 17 oder zwischen der Speicherschicht 17 und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 sein kann. Alternativ kann die magnetische Schicht mit niedriger Magnetisierung 16 zwischen mehreren oder angrenzend an mehrere Speicherschichten 17, beispielsweise 17a und 17b, die in 4 angegeben sind, positioniert sein. Alternativ kann die magnetische Schicht niedriger Magnetisierung 16 mehrere Schichten niedriger Magnetisierung, beispielsweise die Schichten 16a, 16b, die in 3 angegeben sind, umfassen, die zwischen der Zwischenschicht 15 und der Speicherschicht 17 und zwischen der Speicherschicht 17 und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug 18 positioniert sein können. Vorzugsweise ist der Ms-Wert der magnetischen Schicht niedriger Magnetisierung 16 niedrig, d. h. unter etwa 600 emu/cm3, um eine schwache Austauschkopplung zu erhalten. Noch günstiger liegt der Ms-Wert unter etwa 300 emu/cm3. Noch besser liegt der Ms-Wert unter etwa 50 emu/cm3. Die im Vorhergehenden beschriebenen Ausführungsformen und andere Ausführungsformen liegen innerhalb des Umfangs der im Folgenden angegebenen Ansprüche.

Claims (21)

  1. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung, umfassend: eine Magnetspeicherschicht und mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung, wobei die Magnetspeicherschicht eine Sättigungsmagnetisierung zwischen etwa 400 und 900 emu/cm3 aufweist und die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine geringere Sättigungsmagnetsierung als die Magnetspeicherschicht aufweist.
  2. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 1, das ferner umfasst: ein Substrat, mindestens eine weiche Unterschicht, mindestens eine nichtmagnetische Zwischenschicht, mindestens eine Speicherschicht und einen Kohlenstoff-Schutzüberzug.
  3. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, das ferner eine Adhäsionsschicht umfasst, die aus einer Gruppe von Materialien ausgewählt ist, die Cr, Ni, Ta, Ti und Legierungen hiervon umfassen.
  4. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine weiche Unterschicht mindestens eine Komponente von Fe und Co mit einem oder mehreren Elementen, die aus Ni, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Si, Cu, Ag, Au ausgewählt sind, umfasst.
  5. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, das ferner mindestens eine amorphe Schicht umfasst, wobei die mindestens eine amorphe Schicht Elemente und Legierungen, die Ta, Ti, Ni, Cr, Zr, Nb und P umfassen, oder ein amorphes ferromagnetisches Material, das Fe mit einem oder mehreren Elementen, die aus der Gruppe von Co, B, P, Si, C, Zr, Nb, Hf, Ta, Al, Cu, Ag und Au ausgewählt sind, umfasst.
  6. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine nichtmagnetische Zwischenschicht eine fcc-Schicht umfasst, die aus der Gruppe von Cu, Ag, Au, Ir, Ni, Pt, Pd und Legierungen hiervon ausgewählt ist.
  7. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine nichtmagnetische Zwischenschicht eine hcp-Schicht umfasst, die aus der Gruppe von Co, Ru, Re, Hf, Ti, Zr und Legierungen hiervon oder CoCr mit einem oder mehreren Elementen, die aus der Gruppe von Ta, B, Pt, Nb, Ru und Zr ausgewählt sind, ausgewählt ist.
  8. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine Speicherschicht eine magnetische Schicht umfasst, die aus der Gruppe von Co mit einem oder mehreren Elementen, die aus der Gruppe von Pt, Cr, Ta, B, Cu, W, Mo, Ru, Ni, Nb, Zr, Hf ausgewählt sind, ausgewählt ist.
  9. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine Speicherschicht ein oder mehrere Oxide umfasst, die aus der Gruppe von Oxiden von Si, Ti, Zr, Al, Cr, Co, Nb, Mg und Zn ausgewählt sind.
  10. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die mindestens eine magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung mindestens eine Komponente von Fe, Co oder Ni mit einem oder mehreren Elementen, die aus der Gruppe von Cr, Pt, Ta, B, Ru, Cu, Ag, Au, W, Mo, Nb, Zr, Hf, Ti, Zn und Re ausgewählt sind, umfasst.
  11. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung zwischen der mindestens einen nichtmagnetischen Zwischenschicht und der mindestens einen Speicherschicht positioniert ist.
  12. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung zwischen der mindestens einen Speicherschicht und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug positioniert ist.
  13. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, das eine erste Speicherschicht, die zwischen der mindestens einen nichtmagnetischen Zwischenschicht und der mindestens einen magnetischen Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung positioniert ist, und eine zweite Speicherschicht, die zwischen der mindestens einen magnetischen Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug positioniert ist, umfasst.
  14. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, das eine erste magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung, die zwischen der mindestens einen nichtmagnetischen Zwischenschicht und der mindestens einen Speicherschicht positioniert ist, und eine zweite magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung, die zwischen der mindestens einen Speicherschicht und dem Kohlenstoff-Schutzüberzug positioniert ist, umfasst.
  15. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine Magnetisierung unter 300 emu/cm3 aufweist.
  16. Vertikal-Magnetaufzeichnungsmedium mit schwacher Kopplung nach Anspruch 2, wobei die magnetische Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine Magnetisierung unter 50 emu/cm3 aufweist.
  17. Verfahren zur Herstellung eines Vertikal-Magnetaufzeichnungsmediums mit schwacher Kopplung, umfassend: Ablagern einer weichen Unterschicht, Ablagern einer nichtmagnetischen Zwischenschicht, Ablagern einer Magnetspeicherschicht und Ablagern einer magnetischen Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung, wobei die Magnetspeicherschicht eine Sättigungsmagnetisierung zwischen etwa 400 und 900 emu/cm3 aufweist und die Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine geringere Sättigungsmagnetisierung als die Magnetspeicherschicht aufweist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, das ferner das Ablagern einer amorphen Schicht auf der weichen Unterschicht umfasst.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, das ferner das Ablagern einer zweiten magnetischen Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung umfasst.
  20. Verfahren, das die Bildung eines Speichermediums, das eine Magnetspeicherschicht mit einer Sättigungsmagnetisierung zwischen etwa 400 und 900 emu/cm3 und mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung mit einer geringeren Sättigungsmagnetisierung als die Magnetspeicherschicht aufweist, umfasst.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Magnetspeicherschicht eine Sättigungsmagnetisierung gleich oder über 600 emu/cm3 aufweist und die mindestens eine Schicht niedriger Sättigungsmagnetisierung eine Sättigungsmagnetisierung gleich oder unter 300 emu/cm3 aufweist.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8565735B2 (en) 2010-10-29 2013-10-22 Jeffrey L. Wohlwend System and method for supporting mobile unit connectivity to venue specific servers
US9093101B2 (en) 2011-02-28 2015-07-28 Seagate Technology Llc Stack including a magnetic zero layer
US8686484B2 (en) 2011-06-10 2014-04-01 Everspin Technologies, Inc. Spin-torque magnetoresistive memory element and method of fabricating same
SG11201403399VA (en) 2011-12-22 2014-07-30 Seagate Technology Llc Recording medium with thin stabilization layer having high magnetic saturation and anisotropic field characteristics
US10269381B1 (en) * 2017-10-25 2019-04-23 Seagate Technology Llc Heat assisted magnetic recording with exchange coupling control layer
SG11202009585QA (en) * 2018-03-28 2020-10-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Perpendicular magnetic recording medium

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4103315A (en) * 1977-06-24 1978-07-25 International Business Machines Corporation Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films
US4262116A (en) * 1977-07-28 1981-04-14 The Upjohn Company Enlarged hetero-ring prostacyclin analogs
JPS57195329A (en) * 1981-05-26 1982-12-01 Fuji Photo Film Co Ltd Magnetic recording medium
US4404609A (en) * 1981-10-30 1983-09-13 International Business Machines Corporation Thin film inductive transducer for perpendicular recording
FR2535097B1 (fr) * 1982-10-22 1989-04-07 Cii Honeywell Bull Dispositif d'ecriture d'informations sur un support magnetique
JPS60117413A (ja) * 1983-11-29 1985-06-24 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
EP0150498B1 (de) * 1984-01-14 1988-09-21 Bayer Ag Träger für senkrechte magnetische Aufzeichnung
JPS60157715A (ja) * 1984-01-26 1985-08-19 Tdk Corp 磁気記録媒体
JP2597967B2 (ja) * 1984-03-09 1997-04-09 株式会社東芝 磁気記録媒体
JPS60229220A (ja) * 1984-03-09 1985-11-14 Toshiba Corp 磁気記録媒体
JPS62134817A (ja) 1985-12-05 1987-06-17 Ricoh Co Ltd 磁気記録媒体
US4982301A (en) * 1987-10-30 1991-01-01 Seagate Technology, Inc. Magnetic head for perpendicular magnetic recording system and process
FR2645315B1 (fr) * 1989-03-29 1991-05-31 Commissariat Energie Atomique Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete
US5094925A (en) * 1989-06-30 1992-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Opto-magnetic recording medium
JP2567996B2 (ja) * 1991-01-23 1996-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 光磁気記録方法及び装置
JPH05101365A (ja) * 1991-03-22 1993-04-23 Tdk Corp 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
US5329413A (en) * 1992-01-10 1994-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance sensor magnetically coupled with high-coercive force film at two end regions
US5347485A (en) * 1992-03-03 1994-09-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory
US5703795A (en) * 1992-06-22 1997-12-30 Mankovitz; Roy J. Apparatus and methods for accessing information relating to radio and television programs
JPH06103622A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Nikon Corp Ｒ層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体
US5486967A (en) * 1993-03-15 1996-01-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic disk memory system
US5644566A (en) * 1994-05-24 1997-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording medium
DE69513630T2 (de) * 1994-10-05 2000-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Magnetische mehrlagenanordnung, die eine doppelbarrierenstruktur mit resonantem tunneleffekt enthält
US5567523A (en) * 1994-10-19 1996-10-22 Kobe Steel Research Laboratories, Usa, Applied Electronics Center Magnetic recording medium comprising a carbon substrate, a silicon or aluminum nitride sub layer, and a barium hexaferrite magnetic layer
JP3429877B2 (ja) * 1994-12-27 2003-07-28 シャープ株式会社 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法
JP3445023B2 (ja) * 1995-06-08 2003-09-08 シャープ株式会社 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法
US6117011A (en) * 1995-07-27 2000-09-12 Lvov; Denis Ernestovich Electronic game system, method of managing and regulating said system
US6327227B1 (en) * 1997-08-08 2001-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Magnetic recorder/reproduction apparatus including a selective temperature controller and magnetic recording reproduction method including selective temperature control
JPH11296832A (ja) * 1998-04-02 1999-10-29 Sony Corp 磁気記録媒体
US6183893B1 (en) * 1998-04-06 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same
JP3011918B2 (ja) * 1998-04-06 2000-02-21 株式会社日立製作所 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置
IL124595A (en) * 1998-05-21 2009-09-01 Yossef Tsuria Anti-piracy system
JP3568787B2 (ja) * 1998-09-08 2004-09-22 シャープ株式会社 光磁気記録媒体及び再生装置
US6602612B2 (en) * 1999-06-08 2003-08-05 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US6495252B1 (en) * 1999-07-22 2002-12-17 Seagate Technology Llc Magnetic recording medium with superparamagnetic underlayer
US6280813B1 (en) * 1999-10-08 2001-08-28 International Business Machines Corporation Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer
US6468670B1 (en) 2000-01-19 2002-10-22 International Business Machines Corporation Magnetic recording disk with composite perpendicular recording layer
KR100545692B1 (ko) * 2000-12-28 2006-01-24 히타치마쿠세루가부시키가이샤 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치
US6777730B2 (en) * 2001-08-31 2004-08-17 Nve Corporation Antiparallel magnetoresistive memory cells
JP2003317230A (ja) 2002-04-16 2003-11-07 Ken Takahashi 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置
US7314675B1 (en) * 2003-01-30 2008-01-01 Seagate Technology Llc Magnetic media with high Ms magnetic layer
JP2004303377A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US20040247943A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Seagate Technology Llc Perpendicular magnetic recording media with improved fcc Au-containing interlayers
JP2006155861A (ja) 2004-10-29 2006-06-15 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置
US7736765B2 (en) * 2004-12-28 2010-06-15 Seagate Technology Llc Granular perpendicular magnetic recording media with dual recording layer and method of fabricating same
JP2006309922A (ja) 2005-03-31 2006-11-09 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及び磁気記録装置
US7572527B2 (en) * 2005-05-24 2009-08-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium with improved antiferromagnetically-coupled recording layer
JP2007184066A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置
US7488545B2 (en) * 2006-04-12 2009-02-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium with laminated recording layers formed of exchange-coupled ferromagnetic layers
JP2007317304A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP4764308B2 (ja) 2006-10-20 2011-08-31 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置
JP2008176858A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いたハードディスクドライブ
JP2008269789A (ja) 2008-08-12 2008-11-06 Hitachi Ltd 熱磁気記録媒体

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Publication number Publication date
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